JP7408524B2 - 非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラム - Google Patents

Description

本開示の技術は、非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、固定機と応答器とが電磁誘導によって結合されることで応答器側へ電力が供給され、固定機と応答器との間でテープ情報を送受信する技術が開示されている。

特許文献２には、ビデオカセットテープ処理装置が開示されている。ビデオカセットテープ処理装置では、装置側アンテナがリード／ライトモジュールに接続されており、装置側アンテナを介して、ビデオカセットテープに貼着されたカセットラベルのＩＣに対してリード／ライトモジュールによって電力の供給及び制御が行われる。また、リード／ライトモジュールは、更にＶＴＲ装置側の信号処理部に接続され、ＶＴＲ装置側からコントロールされる。

特開平９－００８７１４号公報 特開平１０－１９９０６７号公報

本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式記憶媒体との間での情報の送受信の安定に寄与することができる非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、プロセッサと、磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う送受信装置と、を備える非接触式通信装置であって、非接触式記憶媒体が、電力を測定する測定回路を有し、測定回路によって測定された電力に関する電力情報を非接触式通信装置に送信し、送受信装置が、電力情報を受信し、プロセッサが、送受信装置によって受信された電力情報に基づいて、送受信を支援する支援処理を実行する非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第２の態様は、支援処理が、送受信装置によって受信された電力情報に基づいて、電力の状態を既定状態に到達させる既定状態到達条件を満足させる条件設定処理を含む処理である第１の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第３の態様は、既定状態が、非接触式記憶媒体の動作が安定した状態である第２の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第４の態様は、既定状態到達条件が、磁界の強度が電力の状態を既定状態に到達させる強度である、という条件である第２の態様又は第３の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第５の態様は、支援処理が、送受信装置によって受信された電力情報に基づいて磁界の強度を制御する磁界強度制御処理を含む処理である第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第６の態様は、磁界強度制御処理が、非接触式記録媒体に対して適用される磁界の強度として予め定められた強度よりも高い強度で磁界を発生させる処理である第５の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第７の態様は、磁界強度制御処理が、予め定められた強度よりも高い強度で磁界を発生させることで非接触式通信装置と非接触式記憶媒体との通信を確立させた状態で、磁界の強度を特定強度に変更する処理である第６の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第８の態様は、プロセッサが、特定強度に対応するパラメータを設定することで磁界の強度を特定強度に変更する第７の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第９の態様は、支援処理が、送受信装置によって受信された電力情報に基づく参考情報を提示装置に対して提示させる提示処理を含む処理である第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１０の態様は、参考情報が、電力情報から特定される電力のレベルを示す情報である第９の態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１１の態様は、電力情報が、既定期間内での電力の変動傾向を示す情報である第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１２の態様は、電力情報が、電力の相対値又は電力の基準値との相違度で規定された情報である第１の態様から第１１の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１３の態様は、非接触式記憶媒体が、電力情報を断続的に非接触式通信装置に送信し、プロセッサが、送受信装置によって電力情報が受信される毎に、支援処理を実行する第１の態様から第１２の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１４の態様は、非接触式通信装置が、非接触式記憶媒体に対して読み書きを行うリーダライタである第１の態様から第１３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１５の態様は、支援処理が、電力情報に基づく情報を記憶装置に記憶させる記憶処理を含む処理である第１の態様から第１４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置である。

本開示の技術に係る第１６の態様は、第１の態様から第１５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置と、磁気ヘッドと、を備え、非接触式記憶媒体が、磁気テープカートリッジに搭載されており、磁気テープカートリッジが、磁気テープを収容しており、磁気ヘッドが、磁気テープカートリッジから引き出された磁気テープに対してデータの記録及び読取のうちの少なくとも一方を行う磁気テープドライブである。

本開示の技術に係る第１７の態様は、第１の態様から第１５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信装置と、非接触式記憶媒体と、を備える非接触式通信システムである。

本開示の技術に係る第１８の態様は、非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う非接触式通信装置の動作方法であって、非接触式記憶媒体が、電力を測定する測定回路を有し、測定回路によって測定された電力に関する電力情報を非接触式通信装置に送信し、電力情報を受信すること、及び、受信した電力情報に基づいて、送受信を支援する支援処理を実行することを含む、非接触式通信装置の動作方法である。

本開示の技術に係る第１９の態様は、非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う非接触式通信装置に対して適用されるコンピュータに特定処理を実行させるためのプログラムであって、非接触式記憶媒体が、電力を測定する測定回路を有し、測定回路によって測定された電力に関する電力情報を非接触式通信装置に送信し、特定処理が、電力情報を受信すること、及び、受信した電力情報に基づいて、送受信を支援する支援処理を実行することを含む処理である、プログラムである。

磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータの電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 カートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータ内のＮＶＭの記憶内容の一例を示す概念図である。 カートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータ内のＣＰＵによってＣＭ応答処理プログラムが実行される態様の一例を示すブロック図である。 カートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータ内の処理内容の一例を示す概念図である。 非接触式読み書き装置内の電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 非接触式読み書き装置内のコンピュータの電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 非接触式読み書き装置内のコンピュータに含まれるＮＶＭの記憶内容の一例を示す概念図である。 非接触式読み書き装置内のコンピュータ内のＣＰＵによって支援処理プログラムが実行される態様の一例を示すブロック図である。 支援処理に含まれる条件設定処理の内容の一例を示す概念図である。 支援処理に含まれる磁界強度制御処理の内容の一例を示す概念図である。 支援処理に含まれる磁界強度制御処理の内容の一例を示す概念図である。 支援処理に含まれる磁界強度制御処理の内容の一例を示す概念図である。 支援処理に含まれる提示処理の内容の一例を示す概念図である。 支援処理の流れの一例を示すフローチャートである。 支援処理に含まれる条件設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 支援処理に含まれる磁界強度制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 支援処理に含まれる提示処理の流れの一例を示すフローチャートである。 ＣＭ応答処理の流れの一例を示すフローチャートである。 ＣＭ応答処理の流れの変形例を示すフローチャートである。 複数の磁気テープカートリッジのパッケージに対して非接触式読み書き装置によって磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 記憶媒体から非接触式読み書き装置のコンピュータに支援処理プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る非接触式通信装置、磁気テープドライブ、非接触式通信システム、非接触式通信装置の動作方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＤＲＡＭとは、“Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＲＡＭとは、“Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ－Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－Ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ”の略称を指す。ＩＢＭとは、“Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ”の略称を指す。ＣＭとは、“Ｃａｒｔｒｉｄｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＬとは、“Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ”の略称を指す。

一例として図１に示すように、磁気テープシステム２は、本開示の技術に係る「非接触式通信システム」の一例であり、磁気テープカートリッジ１０及び磁気テープドライブ３０を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープカートリッジ１０は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ３０は、装填された磁気テープドライブ３０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。

次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１０の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図５参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１０の左方向の側を磁気テープカートリッジ１０の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１０の左側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の仕様としてＬＴＯを例に挙げて説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２の磁気テープカートリッジの仕様に準じていてもよい。

一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、本開示の技術に係る「ケース」の一例である。ケース１２には、磁気テープＭＴが収容される。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ１８Ａと下フランジ１８Ｂ２が一体として成型されていてもよい。

リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

一例として図３に示すように、磁気テープカートリッジ１０にはカートリッジメモリ１９が搭載されている。カートリッジメモリ１９は、下ケース１６に設けられている。より具体的には、カートリッジメモリ１９は、下ケース１６の右後端部に収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

カートリッジメモリ１９には、磁気テープＭＴに関する情報が記憶されている。磁気テープＭＴに関する情報とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０を管理する管理情報１００（図１２参照）を指す。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ１９に関する情報（例えば、後述のＣＭ識別子１０６Ａ）、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な情報（例えば、後述のカートリッジ識別子１０６Ｂ）、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要、データの項目、及びデータの記録形式等を示す情報が含まれている。

カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置との間で非接触通信を行う。非接触式読み書き装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の製造工程で使用される非接触式読み書き装置（例えば、図３０に示す非接触式読み書き装置５０Ｂ）、及び、磁気テープドライブ（例えば、図５に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される非接触式読み書き装置（例えば、図５～図７等に示す非接触式読み書き装置５０Ａ）が挙げられる。非接触式読み書き装置は、バッテリ（図示省略）又は商用電源から供給される電力を用いて作動する。

非接触式読み書き装置は、一般的にリーダライタとも称されている装置であり、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置から与えられた磁界ＭＦ（図６等参照）に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置と通信を行うことで非接触式読み書き装置との間で各種情報の授受を行う。なお、通信方式は、例えば、ＩＳＯ１４４４３又はＩＳＯ１８０９２等の公知の規格に準じる方式であってもよいし、ＥＣＭＡ３１９のＬＴＯ仕様に準じる方式等であってもよい。

一例として図３に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、第２傾斜台２０Ｂは、傾斜面２０Ｂ１を有しており、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

一例として図４に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。ここで、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの平行を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１（図３参照）の傾斜角度は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図３参照）に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図３参照）に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図３参照）とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

一例として図５に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、磁気ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴに磁気ヘッド３６を用いてデータを記録し、かつ、引き出した磁気テープＭＴから磁気ヘッド３６を用いてデータをリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、データの読み取りとは、換言すると、データの再生を指す。

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体の動作を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合（ロードする場合）には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように巻取モータ４４を回転させる。磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合（アンロードする場合）には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが逆方向に走行するように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３８によって調整されることで、磁気テープＭＴに張力が付与される。

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において磁気ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

磁気ヘッド３６は、磁気素子ユニット４６及びホルダ４８を備えている。磁気素子ユニット４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されている。磁気素子ユニット４６は、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０Ａを備えている。非接触式読み書き装置５０Ａは、本開示の技術に係る「非接触式通信装置」の一例である。非接触式読み書き装置５０Ａは、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気ヘッド３６による磁気テープＭＴに対するデータの読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に、磁気テープカートリッジ１０が到達した状態を指す。

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。

一例として図７に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、制御信号を非接触式読み書き装置５０Ａに出力する。制御信号は、カートリッジメモリ１９を制御する信号である。非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。

非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９との間で非接触通信を行うことで、制御信号に応じたコマンドをカートリッジメモリ１９に与える。より詳しく説明すると、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８の制御下で、コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しくは後述するが、コマンドは、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。

なお、ここでは、制御装置３８の制御下で、非接触式読み書き装置５０Ａがコマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、非接触式読み書き装置５０Ｂ（図３０参照）が、制御装置３８とは異なる制御装置の制御下で、コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する。

コマンドが非接触式読み書き装置５０Ａからカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０Ａによって、制御装置３８からの指示に応じたコマンドが含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０Ａによってコマンドが重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンドをカートリッジメモリ１９に送信する。

カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して硬化する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、他の接着剤を封止材５６として使用してもよい。

一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、アンテナコイル６０がループ状に形成されている。ここでは、アンテナコイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。アンテナコイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図６及び図７参照）が作用することで誘導電流を誘起する。

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図７及び図９参照）及びコンデンサ５４（図７及び図９参照）に対してアンテナコイル６０の両端部を電気的に接続している。

一例として図９に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図９に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、アンテナコイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。

一例として図１０に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び電力測定回路９０を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップである。

カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０Ａから与えられた磁界ＭＦがアンテナコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。

電力生成器７０は、電源回路８２及び共振回路９２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、アンテナコイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、アンテナコイル６０に対して並列に接続されている。

コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している場合がある。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数に相当する周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）であり、カートリッジメモリ１９及び／又は非接触式読み書き装置５０の仕様等によって適宜決定されればよい。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。また、ここでは、コンデンサ５４が外付けされている形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が事前に組み込まれていてもよい。

共振回路９２は、磁界ＭＦがアンテナコイル６０を貫通することでアンテナコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。

電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。電源回路８２によって生成される電力は、磁界ＭＦの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。

電力の供給先である各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。電力生成器７０によってＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。

コンピュータ８４は、カートリッジメモリ１９の全体の動作を制御する。クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して信号処理回路８８等に出力する。信号処理回路８８等は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数を変更する。

信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、アンテナコイル６０によって受信された磁界ＭＦからのコマンドを抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンドに対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンドに応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。

電力測定回路９０は、本開示の技術に係る「測定回路」の一例であり、電源回路８２によって生成された電力を測定し、測定した電力に関する情報である電力情報１１０をコンピュータ８４に出力する。これにより、コンピュータ８４は、電力測定回路９０から入力された電力情報１１０に応じた処理を実行することが可能となる。

一例として図１１に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。

ＣＰＵ９４は、コンピュータ８４の動作を制御する。ＮＶＭ９６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＮＶＭ９６には、管理情報１００（図１２参照）等が記憶されている。ＲＡＭ９８は、各種情報を一時的に記憶し、ワークメモリとして用いられる。ＲＡＭ９８の一例としては、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭ等が挙げられる。

また、バス９９には、クロック信号生成器８６、信号処理回路８８、及び電力測定回路９０も接続されている。従って、ＣＰＵ９４は、クロック信号生成器８６からクロック信号を取得したり、信号処理回路８８との間で信号の授受を行ったり、電力測定回路９０から電力情報１１０を取得したりすることができる。

ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンドに応じた処理を実行する。コマンドの種類としては、例えば、ポーリングコマンド、読出コマンド、及び書込コマンド等が挙げられる。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたポーリングコマンドに応じてポーリング処理を実行する。

ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された読出コマンドに応じて読出処理を実行する。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報１００（図１２参照）等を読み出す処理である。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された書込コマンドに応じて書込処理を実行する。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報１００（図１２参照）等を書き込む処理である。

また、コマンドの種類としては、ポーリングコマンド、読出コマンド、及び書込コマンド以外にも、例えば、電力情報送信要求コマンド及び識別子送信要求コマンドが挙げられる。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された電力情報送信要求コマンドに応じて電力情報送信処理を実行する。電力情報送信処理は、電力測定回路９０から電力情報１１０を取得し、取得した電力情報１１０を応答信号として信号処理回路８８等を介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信する処理である。ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力された識別子送信要求コマンドに応じて識別子送信処理を実行する。識別子送信処理は、ＮＶＭ９６から後述の識別子１０６（図１２参照）を取得し、取得した識別子１０６を応答信号として信号処理回路８８等を介して非接触式読み書き装置５０Ａに送信する処理である。

一例として図１２に示すように、ＮＶＭ９６は、管理情報記憶ブロック１０２及びプログラム記憶ブロック１０４を含む複数の記憶ブロックを有する。管理情報記憶ブロック１０２には、管理情報１００が記憶されている。管理情報１００は、ＣＭ識別子１０６Ａ及びカートリッジ識別子１０６Ｂを含む情報である。ＣＭ識別子１０６Ａとは、カートリッジメモリ１９を特定可能な識別子（例えば、カートリッジメモリ１９の製造シリアル番号）を指す。カートリッジ識別子１０６Ｂとは、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別子（例えば、磁気テープカートリッジ１０の製造シリアル番号）を指す。なお、以下では、ＣＭ識別子１０６Ａ及びカートリッジ識別子１０６Ｂを特に区別して説明する必要がない場合、識別子１０６と表記する。

プログラム記憶ブロック１０４には、ＣＭ応答処理プログラム１０８が記憶されている。一例として図１３に示すように、ＣＰＵ９４は、プログラム記憶ブロック１０４からＣＭ応答処理プログラム１０８を読み出し、読み出したＣＭ応答処理プログラム１０８をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行するＣＭ応答処理プログラム１０８に従ってＣＭ応答処理（図２８参照）を行う。ＣＭ応答処理は、ＣＰＵ９４がＣＭ応答処理プログラム１０８に従って取得部９４Ａ及び通信部９４Ｂとして動作することによって実現される。

上述したように、ポーリング処理が実行されることによって非接触式読み書き装置５０Ａと通信部９４Ｂとの間で通信が確立すると、一例として図１４に示すように、通信部９４Ｂは、非接触式読み書き装置５０Ａから与えられたコマンドに応じた応答信号を非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。非接触式読み書き装置５０Ａが電力情報送信要求コマンドを送信すると、通信部９４Ｂは、アンテナコイル６０を介して電力情報送信要求コマンドを受信する。そして、取得部９４Ａは、通信部９４Ｂによって電力情報送信要求コマンドが受信されると、電力測定回路９０から電力情報１１０を取得する。

本実施形態では、電力情報１１０の一例として、電源回路８２によって既定期間内に生成された電力の変動傾向を示す情報が用いられている。ここで、既定期間とは、例えば、数ミリ秒～数百ミリ秒の一定時間で区切られた期間を指す。既定期間は、固定値であってもよいし、ＩＣチップ５２の動作状況、及び／又は、外部（例えば、非接触式読み書き装置５０Ａ）から与えられたコマンド等に応じて変更される可変値であってもよい。また、電力の変動傾向とは、例えば、電力の経時変化を指す。電力の経時変化は、リアルタイムで測定された電力の絶対値の経時変化であってもよいし、電力の移動平均値の経時変化であってもよい。また、電力の変動傾向は、電力の増減の傾向であってもよい。電力の増減は、リアルタイムで測定された電力の絶対値の増減であってもよいし、電力の移動平均値の増減であってもよい。

また、本実施形態において、電力情報１１０は、電力の相対値で規定された情報である。ここで、電力の相対値とは、電源回路８２によって生成される最大の電力に対する現在の電力（例えば、現在の電力の絶対値）の割合を指す。また、本開示の技術はこれに限定される必要はなく、電力情報１１０は、電力の基準値との相違度で規定された情報であってもよいし、単純な電力の絶対値で規定された情報であってもよい。ここで、基準値とは、例えば、基準の電力として予め定められた電力（例えば、一定期間内に測定された電力の絶対値の移動平均値）を指す。従って、電力の基準値との相違度とは、現在の電力（例えば、現在の電力の絶対値）と基準値との差分、又は、現在の電力及び基準値のうちの一方に対する他方の割合等であってもよい。

通信部９４Ｂは、取得部９４Ａによって取得された電力情報１１０を、電力情報送信要求コマンドに対する応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。非接触式読み書き装置５０Ａは、通信部９４Ｂから応答信号として送信された電力情報１１０を受信する。具体的には、通信部９４Ｂから応答信号として送信された電力情報１１０は、後述の送受信装置１１２（図１５参照）によって受信される。

また、非接触式読み書き装置５０Ａが識別子送信要求コマンドを送信すると、通信部９４Ｂは、アンテナコイル６０を介して識別子送信要求コマンドを受信する。そして、取得部９４Ａは、通信部９４Ｂによって識別子送信要求コマンドが受信されると、管理情報記憶ブロック１０２から識別子１０６を取得する。

通信部９４Ｂは、取得部９４Ａによって取得された識別子１０６を、識別子送信要求コマンドに対する応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信する。非接触式読み書き装置５０Ａは、通信部９４Ｂから応答信号として送信された識別子１０６を受信する。なお、ここでは、ＣＭ識別子１０６Ａ及びカートリッジ識別子１０６Ｂが応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信される形態例を挙げて説明しているが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＣＭ識別子１０６Ａ及びカートリッジ識別子１０６Ｂのうちの一方が応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信されるようにしてもよい。

一例として図１５に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、送受信装置１１２、コンピュータ１１４、受付デバイス１１６、及びディスプレイ１１８を備えている。送受信装置１１２は、カートリッジメモリ１９に対して磁界ＭＦ（図６及び図７参照）を付与することでカートリッジメモリ１９内に対して電力を誘起させ、かつ、カートリッジメモリ１９と電磁誘導により結合することでカートリッジメモリ１９との間で情報の送受信を行う。ここで、情報の送受信とは、例えば、上述したコマンドのカートリッジメモリ１９への送信と、カートリッジメモリ１９からの応答信号の受信とを指す。

送受信装置１１２は、アンテナコイル１２０及び通信回路１２２を備えている。通信回路１２２は、コンピュータ１１４に接続されており、コンピュータ１１４からの指示に従って動作する。通信回路１２２にはアンテナコイル１２０が接続されており、通信回路１２２は、コンピュータ１１４からの指示に従って、アンテナコイル１２０から磁界ＭＦを放出する。詳しくは後述するが、磁界ＭＦの強度は、コンピュータ１１４からの指示に従って通信回路１２２によって調整される。

通信回路１２２は、コンピュータ１１４からの指示に従って磁界ＭＦ（図６及び図７参照）にコマンドを重畳させることでカートリッジメモリ１９にコマンドを送信する。また、通信回路１２２は、カートリッジメモリ１９によって磁界ＭＦに重畳された応答信号を、アンテナコイル１２０を介して受信し、受信した応答信号を復号してコンピュータ１１４に出力する。コンピュータ１１４は、通信回路１２２から入力された応答信号に従って動作する。

コンピュータ１１４には、受付デバイス１１６及びディスプレイ１１８が接続されている。受付デバイス１１６は、ハードキー及び／又はタッチパネル等であり、非接触式読み書き装置５０Ａの使用者等（以下、単に「使用者等」とも称する）からの指示を受け付ける。コンピュータ１１４は、受付デバイス１１６によって受け付けられた指示に従って動作する。ディスプレイ１１８は、本開示の技術に係る「提示装置」の一例であり、コンピュータ１１４の制御下で各種情報を表示する。ディスプレイ１１８の一例としては、ＥＬディスプレイ又は液晶ディスプレイが挙げられる。なお、ここでは、情報を提示する具体的手段の一例としてディスプレイ１１８を例示しているが、これに限らず、ディスプレイ１１８に代えて、又は、ディスプレイ１１８と共に、スピーカ、バイブレータ、及び／又はプリンタ等を用いてもよく、使用者等に必要な情報を提示することが可能な提示装置であればよい。

一例として図１６に示すように、コンピュータ１１４は、ＣＰＵ１２４、ＮＶＭ１２６、及びＲＡＭ１２８を備えている。ＣＰＵ１２４、ＮＶＭ１２６、及びＲＡＭ１２８は、バス１３０に接続されている。

ＣＰＵ１２４は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例であり、コンピュータ１１４の動作を制御する。ＮＶＭ１２６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、非接触式読み書き装置５０Ａに搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＲＡＭ１２８は、各種情報を一時的に記憶し、ワークメモリとして用いられる。ＲＡＭ１２８の一例としては、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭ等が挙げられる。

バス１３０には、受付デバイス１１６及びディスプレイ１１８も接続されている。従って、ＣＰＵ１２４は、受付デバイス１１６によって受け付けられた指示を把握したり、ディスプレイ１１８を制御したりすることができる。また、バス１３０には、通信回路１２２も接続されている。従って、ＣＰＵ１２４は、通信回路１２２を制御することで磁界ＭＦを発生させたり、磁界ＭＦの強度を調整したり、変調したコマンドを磁界ＭＦに重畳させることでカートリッジメモリ１９に送信したり、通信回路１２２によって復号された応答信号を取得したりすることができる。

一例として図１７に示すように、ＮＶＭ１２６は、プログラム記憶ブロック１３２及びテーブル記憶ブロック１３４を含む複数の記憶ブロックを有する。プログラム記憶ブロック１３２には、支援処理プログラム１３６が記憶されている。なお、支援処理プログラム１３６は、本開示の技術に係る「プログラム」の一例である。

ところで、非接触式読み書き装置５０Ａからカートリッジメモリ１９までの距離、及び／又は、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との位置関係等は、磁気テープカートリッジ１０の仕様及び／又は製造誤差等によって、ばらつくことが予想される。このようなばらつきは、磁界ＭＦが作用することによってカートリッジメモリ１９内で生成される電力にも影響を及ぼすことが予想される。カートリッジメモリ１９内での電力を安定させるためには、磁気テープカートリッジ１０とカートリッジメモリ１９との組み合わせ毎に最適な磁界ＭＦの強度を予め定めておくことが好ましい。

そこで、本実施形態に係る非接触式読み書き装置５０Ａでは、テーブル記憶ブロック１３４に磁界強度テーブル１３８が記憶されている。磁界強度テーブル１３８は、識別子１０６と最適磁界強度とが対応付けられたテーブルである。具体的には、磁界強度テーブル１３８では、カートリッジ識別子１０６Ｂ毎に、複数のＣＭ識別子１０６Ａの各々に対して最適磁界強度が対応付けられている。カートリッジ識別子１０６Ｂに対して対応付けられているＣＭ識別子１０６Ａは、カートリッジ識別子１０６Ｂにより特定される磁気テープカートリッジ１０に搭載されているカートリッジメモリ１９を特定する識別子である。カートリッジ識別子１０６ＢについてＣＭ識別子１０６Ａ毎に対応付けられている最適磁界強度は、カートリッジ識別子１０６Ｂにより特定される磁気テープカートリッジ１０に搭載されているカートリッジメモリ１９に対して付与する磁界ＭＦの最適な強度として予め定められた強度である。磁界ＭＦの最適な強度として予め定められた強度は、例えば、実機による試験及び／又はコンピュータ・シミュレーション等によって、カートリッジメモリ１９を安定して動作させるのに要する磁界ＭＦの強度として予め導き出された強度である。

一例として図１８に示すように、ＣＰＵ１２４は、プログラム記憶ブロック１３２から支援処理プログラム１３６を読み出し、読み出した支援処理プログラム１３６をＲＡＭ１２８上で実行する。ＣＰＵ１２４は、ＲＡＭ１２８上で実行する支援処理プログラム１３６に従って支援処理（図２４参照）を行う。支援処理は、送受信装置１１２（図１５参照）によって受信された電力情報１１０（図１４参照）に基づいて、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信を支援する処理である。なお、ＣＰＵ１２４によって行われる支援処理を含む処理は、本開示の技術に係る「特定処理」の一例である。

支援処理は、条件設定処理、磁界強度制御処理、及び提示処理を含む処理である。ＣＰＵ１２４は、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示に従って、条件設定処理、磁界強度制御処理、及び提示処理を選択的に実行する。処理実行指示は、条件設定処理実行指示、磁界強度制御処理実行指示、及び提示処理実行指示の何れかである。受付デバイス１１６によって条件設定処理実行指示が受け付けられると、ＣＰＵ１２４によって条件設定処理が実行される。受付デバイス１１６によって磁界強度制御処理実行指示が受け付けられると、ＣＰＵ１２４によって磁界強度制御処理が実行される。受付デバイス１１６によって提示処理実行指示が受け付けられると、ＣＰＵ１２４によって提示処理が実行される。

条件設定処理は、送受信装置１１２（図１５参照）によって受信された電力情報１１０（図１４参照）に基づいて既定状態到達条件を満足させる処理である。ここで、既定状態到達条件とは、カートリッジメモリ１９内の電力、すなわち、電力測定回路９０によって測定された電力の状態を既定状態に到達させる条件を指す。電力の状態を既定状態に到達させる条件とは、磁界ＭＦの強度が電力の状態を既定状態に到達させる強度である、という条件を指す。なお、既定状態とは、カートリッジメモリ１９の動作が安定した状態を指す。ここで、「カートリッジメモリ１９の動作が安定した状態」とは、例えば、カートリッジメモリ１９が電力不足に陥ることなく、ＩＣチップ５２が、非接触式読み書き装置５０Ａから与えられたコマンドに応じた処理を滞りなく実行可能な状態を指す。

磁界強度制御処理は、送受信装置１１２（図１５参照）によって受信された電力情報１１０（図１４参照）に基づいて磁界ＭＦの強度を制御する処理である。提示処理は、送受信装置１１２（図１５参照）によって受信された電力情報１１０（図１４参照）に基づく参考情報１４４（図２３参照）をディスプレイ１１８（図１６及び図２３参照）に対して表示させる処理である。

一例として図１９に示すように、通信回路１２２は、磁界強度パラメータ１４０を保持している。磁界強度パラメータ１４０は、本開示の技術に係る「パラメータ」の一例である。磁界強度パラメータ１４０は、磁界ＭＦの強度を調整するパラメータであり、ＣＰＵ１２４によって制御される。通信回路１２２は、アンテナコイル１２０から放出させる磁界ＭＦの強度を、ＣＰＵ１２４によって制御される磁界強度パラメータ１４０に従って調整する。この場合、例えば、磁界強度パラメータ１４０の値が増減すると、これに伴って磁界ＭＦの強度も増減する。

条件設定処理では、ＣＰＵ１２４が、通信回路１２２に対して電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させる。これに応じて、カートリッジメモリ１９から電力情報１１０が送受信装置１１２へ送信される。送受信装置１１２は、カートリッジメモリ１９から送信された電力情報１１０を受信し、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０を取得する。

条件設定処理では、ＣＰＵ１２４が、送受信装置１１２から取得した電力情報１１０を参照して、既定状態到達条件を満足させるように磁界強度パラメータ１４０を調整する。ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２から取得した電力情報１１０と、カートリッジメモリ１９の動作を安定させる電力として予め定められた電力（以下、「比較対象電力」とも称する）とを比較し、比較結果を参照して、磁界ＭＦの強度が電力の状態を既定状態に到達させる強度になるように磁界強度パラメータ１４０を調整する。すなわち、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２から取得した電力情報１１０が比較対象電力よりも小さい場合に、カートリッジメモリ１９内の電力、すなわち、電力測定回路９０によって測定される電力を、少なくとも比較対象電力に相当する電力に到達させる磁界ＭＦの強度が実現されるように磁界強度パラメータ１４０を調整する。

一例として図２０に示すように、磁界強度制御処理では、ＣＰＵ１２４が、通信回路１２２に対して電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させる。これに応じて、カートリッジメモリ１９から電力情報１１０が送受信装置１１２へ送信される。送受信装置１１２は、カートリッジメモリ１９から送信された電力情報１１０を受信し、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０を取得する。

磁界強度制御処理では、ＣＰＵ１２４が、通信回路１２２に対して識別子送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させる。これに応じて、カートリッジメモリ１９から識別子１０６が送受信装置１１２へ送信される。送受信装置１１２は、カートリッジメモリ１９から送信された識別子１０６を受信し、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された識別子１０６を取得する。

一例として図２１に示すように、磁界強度制御処理では、ＣＰＵ１２４が、送受信装置１１２から取得した識別子１０６に対応する最適磁界強度を磁界強度テーブル１３８から導出する。すなわち、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２から取得したカートリッジ識別子１０６Ｂ及びＣＭ識別子１０６Ａに対応する最適磁界強度を磁界強度テーブル１３８から導出する。

一例として図２２に示すように、磁界強度制御処理では、ＣＰＵ１２４が、送受信装置１１２から取得した電力情報１１０から現在の磁界ＭＦの強度を推定する。磁界ＭＦの強度の推定は、磁界強度演算式１４２を用いて行われる。磁界強度演算式１４２は、電力情報１１０を独立変数とし、磁界ＭＦの強度を従属変数とした演算式である。そのため、ＣＰＵ１２４は、電力情報１１０を磁界強度演算式１４２に代入することで現在の磁界ＭＦの強度を算出する。ここで、磁界強度演算式１４２を用いた演算結果をそのまま現在の磁界ＭＦの強度としてもよいが、ＣＰＵ１２４は、過去の複数の演算結果と最新の演算結果とを用いて現在の磁界ＭＦの強度を推定するようにしてもよい。この場合、現在の磁界ＭＦの強度を推定する方法の一例としては、補間法（例えば、外挿）を用いた方法が挙げられる。

なお、ここでは、磁界強度演算式１４２を例示しているが、これはあくまでも一例に過ぎず、電力情報１１０と磁界ＭＦの強度とが１対１で対応付けられたテーブルから磁界ＭＦの強度が導出（推定）されるようにしてもよい。また、ＣＰＵ１２４は、学習済みの機械学習モデルを用いて現在の磁界ＭＦの強度を推定するようにしてもよい。

ここで、ＣＰＵ１２４は、カートリッジメモリ１９に対して適用される磁界ＭＦの強度として予め定められた強度よりも高い強度で磁界ＭＦを発生させる。具体的には、電力情報１１０から推定した現在の磁界ＭＦの強度が、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度、すなわち、磁界強度テーブル１３８から導出された磁界ＭＦの強度以下の場合に、ＣＰＵ１２４が、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度よりも大きな磁界ＭＦの強度にするように磁界強度パラメータ１４０を調整する。これにより、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度よりも大きな強度の磁界ＭＦがアンテナコイル１２０からカートリッジメモリ１９に放出される。

このように、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度よりも大きな強度の磁界ＭＦがアンテナコイル１２０からカートリッジメモリ１９に放出された状態で、ＣＰＵ１２４は、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との通信を確立させる。ＣＰＵ１２４は、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との通信を確立させた状態で、磁界ＭＦの強度を特定強度に変更する。

ここで、特定強度とは、例えば、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度、すなわち、磁界強度テーブル１３８から導出された磁界ＭＦの強度を指す。つまり、ＣＰＵ１２４は、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との通信を確立させた状態で、磁界ＭＦの強度を、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度にするように磁界強度パラメータ１４０を調整する。

このように、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度、すなわち、磁界強度テーブル１３８から導出された磁界ＭＦの強度に対応する磁界強度パラメータ１４０がＣＰＵ１２４によって設定されることで、アンテナコイル１２０からカートリッジメモリ１９に放出される磁界ＭＦの強度が、識別子１０６に対応する磁界ＭＦの強度に相当する強度に変更される。

一例として図２３に示すように、提示処理では、ＣＰＵ１２４が、通信回路１２２に対して電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させる。これに応じて、カートリッジメモリ１９から電力情報１１０が送受信装置１１２へ送信される。送受信装置１１２は、カートリッジメモリ１９から送信された電力情報１１０を受信し、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０を取得する。ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２から取得した電力情報１１０に基づいて参考情報１４４を生成する。参考情報１４４は、例えば、電力情報１１０から特定される電力のレベル（以下「電力レベル」とも称する）を示す電力レベル情報である。図２３に示す例では、参考情報１４４の一例として、安定電力レベルの下限値と電力レベルの経時変化とが対比可能なグラフが示されている。安定電力レベルとは、例えば、上述した既定状態を維持可能な電力レベルを指す。

ＣＰＵ１２４は、ディスプレイ１１８に対して参考情報１４４を表示させる。図２３に示す例では、安定電力レベルの下限値と電力レベルの経時変化とが対比可能なグラフがディスプレイ１１８に表示されている態様が示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、ディスプレイ１１８に対して、グラフと共に、又は、グラフに代えて、最新の電力レベルを示す数値を表示させるようにしてもよいし、ディスプレイ１１８に対して、最新の電力レベルと、安定電力レベルの下限値との両方を対比可能に数値で表示させるようにしてもよい。また、電力レベルが安定電力レベルの下限値以上の場合に、電力レベルが安定電力レベルの下限値以上であることを示す情報（例えば、画像及び／又はメッセージ）がディスプレイ１１８に表示されるようにしてもよいし、電力レベルが安定電力レベルの下限値を下回った場合に、電力レベルが安定電力レベルの下限値を下回ったことを示す情報（例えば、画像及び／又はメッセージ）がディスプレイ１１８に表示されるようにしてもよい。また、ディスプレイ１１８による可視表示に限らず、ディスプレイ１１８による可視表示に代えて、又は、ディスプレイ１１８による可視表示と共に、スピーカ、バイブレータ、及び／又はプリンタを用いた情報の提示が行われるようにしてもよい。

次に、磁気テープシステム２の作用について図２４～図２８を参照しながら説明する。

図２４は、支援処理プログラム１３６（図１７及び図１８参照）に従って非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって実行される支援処理の流れの一例を示すフローチャートである。なお、図２４に示す支援処理の流れは、本開示の技術に係る「非接触式通信装置の動作方法」の一例である。

図２４に示す支援処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、ＣＰＵ１２４は、受付デバイス１１６によって処理実行指示が受け付けられたか否かを判定する。ステップＳＴ１０において、受付デバイス１１６によって処理実行指示が受け付けられていない場合は、判定が否定されて、支援処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ１０において、受付デバイス１１６によって処理実行指示が受け付けられた場合は、判定が肯定されて、支援処理はステップＳＴ１２へ移行する。

ステップＳＴ１２で、ＣＰＵ１２４は、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が条件設定処理実行指示であるか否かを判定する。ステップＳＴ１２において、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が条件設定処理実行指示でない場合は、判定が否定されて、支援処理はステップＳＴ１６へ移行する。ステップＳＴ１２において、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が条件設定処理実行指示の場合は、判定が肯定されて、支援処理はステップＳＴ１４へ移行する。

ステップＳＴ１４で、ＣＰＵ１２４は、一例として図２５に示す条件設定処理を実行し、その後、支援処理はステップＳＴ２２へ移行する。

一例として図２５に示すように、条件設定処理では、先ず、ステップＳＴ１４Ａで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２に対して、電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させ、その後、条件設定処理はステップＳＴ１４Ｂへ移行する。電力情報送信要求コマンドがカートリッジメモリ１９に送信されると、カートリッジメモリ１９は、電力情報１１０を送信する（図２８のステップＳＴ５４参照）。

ステップＳＴ１４Ｂで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１４Ｂにおいて、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１４Ｂの判定が再び行われる。ステップＳＴ１４Ｂにおいて、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信された場合は、判定が肯定されて、条件設定処理はステップＳＴ１４Ｃへ移行する。

ステップＳＴ１４Ｃで、ＣＰＵ１２４は、既定状態設定条件を満足しているか否かを判定する。ステップＳＴ１４Ｃにおいて、既定状態設定条件を満足している場合は、判定が肯定されて、条件設定処理はステップＳＴ１４Ｅへ移行する。ステップＳＴ１４Ｃにおいて、既定状態設定条件を満足していない場合は、判定が否定されて、条件設定処理はステップＳＴ１４Ｄへ移行する。

ステップＳＴ１４Ｄで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０を取得し、取得した電力情報１１０を参照して既定状態到達条件を満足させるように磁界強度パラメータ１４０を調整し、その後、条件設定処理はステップＳＴ１４Ｅへ移行する。

ステップＳＴ１４Ｅで、ＣＰＵ１２４は、条件設定処理を終了する条件（以下、「条件設定処理終了条件」とも称する）を満足したか否かを判定する。条件設定処理終了条件の第１の例としては、条件設定処理の実行が開始されてから第１既定時間（例えば、数十秒から数百秒の範囲内で予め指定された時間）が経過した、という条件が挙げられる。条件設定処理終了条件の第２の例としては、ステップＳＴ１４Ｄの処理の実行回数が第１既定回数（例えば、数回から数百回の範囲内で予め定められた回数）に達した、という条件が挙げられる。条件設定処理終了条件の第３の例としては、条件設定処理を終了させる指示が受付デバイス１１６によって受け付けられたという条件が挙げられる。

ステップＳＴ１４Ｅにおいて、条件設定処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、条件設定処理はステップＳＴ１４Ａへ移行する。ステップＳＴ１４Ｅにおいて、条件設定処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、条件設定処理が終了する。

図２４に示す支援処理において、ステップＳＴ１６で、ＣＰＵ１２４は、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が磁界強度制御処理実行指示であるか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が磁界強度制御処理実行指示でない場合（受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が提示処理実行指示の場合）は、判定が否定されて、支援処理はステップＳＴ２０へ移行する。ステップＳＴ１６において、受付デバイス１１６によって受け付けられた処理実行指示が磁界強度制御処理実行指示の場合は、判定が肯定されて、支援処理はステップＳＴ１８へ移行する。

ステップＳＴ１８で、ＣＰＵ１２４は、一例として図２６に示す磁界強度制御処理を実行し、その後、支援処理はステップＳＴ２２へ移行する。

一例として図２６に示すように、磁界強度制御処理では、先ず、ステップＳＴ１８Ａで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２に対して、電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させ、その後、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｂへ移行する。電力情報送信要求コマンドがカートリッジメモリ１９に送信されると、カートリッジメモリ１９は、電力情報１１０を送信する（図２８のステップＳＴ５４参照）。

ステップＳＴ１８Ｂで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１８Ｂにおいて、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１８Ｂの判定が再び行われる。ステップＳＴ１８Ｂにおいて、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信された場合は、判定が肯定されて、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｃへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｃで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２に対して、識別子送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させ、その後、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｄへ移行する。識別子送信要求コマンドがカートリッジメモリ１９に送信されると、カートリッジメモリ１９は、識別子１０６を送信する（図２８のステップＳＴ６０参照）。

ステップＳＴ１８Ｄで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって識別子１０６が受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１８Ｄにおいて、送受信装置１１２によって識別子１０６が受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１８Ｄの判定が再び行われる。ステップＳＴ１８Ｄにおいて、送受信装置１１２によって識別子１０６が受信された場合は、判定が肯定されて、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｅへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｅで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された識別子１０６（ステップＳＴ１８Ｄで受信された識別子１０６）に対応する磁界ＭＦの強度（最適磁界強度）を磁界強度テーブル１３８から導出し、その後、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｆへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｆで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０（ステップＳＴ１８Ｂで受信された電力情報１１０）から、磁界強度演算式１４２を用いて現在の磁界ＭＦの強度を推定し、その後、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｇへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｇで、ＣＰＵ１２４は、ステップＳＴ１８Ｆで推定した現在の磁界ＭＦの強度がステップＳＴ１８Ｅで導出した磁界ＭＦの強度以下であるか否かを判定する。ステップＳＴ１８Ｇにおいて、ステップＳＴ１８Ｆで推定した現在の磁界ＭＦの強度がステップＳＴ１８Ｅで導出した磁界ＭＦの強度以下でない場合は、判定が否定されて、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｋへ移行する。ステップＳＴ１８Ｇにおいて、ＣＰＵ１２４は、ステップＳＴ１８Ｆで推定した現在の磁界ＭＦの強度がステップＳＴ１８Ｅで導出した磁界ＭＦの強度以下の場合は、判定が肯定されて、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｈへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｈで、ＣＰＵ１２４は、磁界ＭＦの強度を、ステップＳＴ１８Ｅで導出した磁界ＭＦの強度よりも大きな強度にするように磁界強度パラメータ１４０を調整し、その後、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｉへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｉで、ＣＰＵ１２４は、通信回路１２２に対して、ポーリングコマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させる。そして、ＣＰＵ１２４は、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との間の通信が確立したか否かを判定する。ステップＳＴ１８Ｉにおいて、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との間の通信が確立していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１８Ｉの判定が再び行われる。ステップＳＴ１８Ｉにおいて、非接触式読み書き装置５０Ａとカートリッジメモリ１９との間の通信が確立した場合は、判定が肯定されて、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ｊへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｊで、ＣＰＵ１２４は、磁界ＭＦの強度を、ステップＳＴ１８Ｅで導出した磁界ＭＦの強度にするように磁界強度パラメータ１４０を調整し、その後、磁界強度処理はステップＳＴ１８Ｋへ移行する。

ステップＳＴ１８Ｋで、ＣＰＵ１２４は、磁界強度制御処理を終了する条件（以下、「磁界強度制御処理終了条件」とも称する）を満足したか否かを判定する。磁界強度制御処理終了条件の第１の例としては、磁界強度制御処理の実行が開始されてから第２既定時間（例えば、第１既定時間と同じ時間）が経過した、という条件が挙げられる。磁界強度制御処理終了条件の第２の例としては、ステップＳＴ１８Ｇの処理の実行回数が第２既定回数（例えば、第１既定回数と同じ回数）に達した、という条件が挙げられる。磁界強度制御処理終了条件の第３の例としては、磁界強度制御処理を終了させる指示が受付デバイス１１６によって受け付けられたという条件が挙げられる。

ステップＳＴ１８Ｋにおいて、磁界強度制御処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、磁界強度制御処理はステップＳＴ１８Ａへ移行する。ステップＳＴ１８Ｋにおいて、磁界強度制御処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、磁界強度制御処理が終了する。

図２４に示す支援処理において、ステップＳＴ２０で、ＣＰＵ１２４は、一例として図２７に示す提示処理を実行し、その後、支援処理はステップＳＴ２２へ移行する。

一例として図２７に示すように、提示処理では、先ず、ステップＳＴ２０Ａで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２に対して、電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９へ送信させ、その後、提示処理はステップＳＴ２０Ｂへ移行する。電力情報送信要求コマンドがカートリッジメモリ１９に送信されると、カートリッジメモリ１９は、電力情報１１０を送信する（図２８のステップＳＴ５４参照）。

ステップＳＴ２０Ｂで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ２０Ｂにおいて、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ２０Ｂの判定が再び行われる。ステップＳＴ２０Ｂにおいて、送受信装置１１２によって電力情報１１０が受信された場合は、判定が肯定されて、提示処理はステップＳＴ２０Ｃへ移行する。

ステップＳＴ２０Ｃで、ＣＰＵ１２４は、送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０（ステップＳＴ２０Ｂで受信された電力情報１１０）に基づいて参考情報１４４を生成し、その後、提示処理はステップＳＴ２０Ｄへ移行する。

ステップＳＴ２０Ｄで、ＣＰＵ１２４は、ディスプレイ１１８に対して、ステップＳＴ２０Ｃで生成した参考情報１４４を表示させ、その後、提示処理はステップＳＴ２０Ｅへ移行する。

ステップＳＴ２０Ｅで、ＣＰＵ１２４は、提示処理を終了する条件（以下、「提示処理終了条件」とも称する）を満足したか否かを判定する。提示処理終了条件の第１の例としては、提示処理の実行が開始されてから第３既定時間（例えば、第１既定時間と同じ時間）が経過した、という条件が挙げられる。提示処理終了条件の第２の例としては、ステップＳＴ２０Ｄの処理の実行回数が第３既定回数（例えば、第１既定回数と同じ回数）に達した、という条件が挙げられる。提示処理終了条件の第３の例としては、提示処理を終了させる指示が受付デバイス１１６によって受け付けられたという条件が挙げられる。

ステップＳＴ２０Ｅにおいて、提示処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、提示処理はステップＳＴ２０Ａへ移行する。ステップＳＴ２０Ｅにおいて、提示処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、提示処理が終了する。

図２４に示す支援処理において、ステップＳＴ２２で、ＣＰＵ１２４は、支援処理を終了する条件（以下、「支援処理終了条件」とも称する）を満足したか否かを判定する。支援処理終了条件の第１の例としては、支援処理の実行が開始されてから第４既定時間（例えば、第１～第３既定時間よりも長い時間であって、事前に指定された時間）が経過した、という条件が挙げられる。支援処理終了条件の第２の例としては、ステップＳＴ１４、ステップＳＴ１８、及びステップＳＴ２０の実行回数の累計が第４既定回数（例えば、第１～第３既定回数と同じ回数）に達した、という条件が挙げられる。支援処理終了条件の第３の例としては、支援処理を終了させる指示が受付デバイス１１６によって受け付けられたという条件が挙げられる。

ステップＳＴ２２において、支援処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、提示処理はステップＳＴ１０へ移行する。ステップＳＴ２２において、支援処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、支援処理が終了する。

図２８は、ＣＭ応答処理プログラム１０８（図１２及び図１３参照）に従って非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって実行されるＣＭ応答処理の流れの一例を示すフローチャートである。

図２８に示すＣＭ応答処理では、先ず、ステップＳＴ５０で、通信部９４Ｂは、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された電力情報送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ５０において、電力情報送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５６へ移行する。ステップＳＴ５０において、電力情報送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信された場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５２へ移行する。

ステップＳＴ５２で、取得部９４Ａは、電力測定回路９０から電力情報１１０を取得し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５４へ移行する。

ステップＳＴ５４で、通信部９４Ｂは、ステップＳＴ５２で取得された電力情報１１０を、信号処理回路８８を介して応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６２へ移行する。

ステップＳＴ５６で、通信部９４Ｂは、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された識別子送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ５６において、識別子送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６２へ移行する。ステップＳＴ５６において、識別子送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信された場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５８へ移行する。

ステップＳＴ５８で、取得部９４Ａは、管理情報記憶ブロック１０２から識別子１０６を取得し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６０へ移行する。

ステップＳＴ６０で、通信部９４Ｂは、ステップＳＴ５８で取得された識別子１０６を、信号処理回路８８を介して応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６２へ移行する。

ステップＳＴ６２で、通信部９４Ｂは、ＣＭ応答処理を終了する条件（以下、「ＣＭ応答処理終了条件」とも称する）を満足したか否かを判定する。ＣＭ応答処理終了条件の一例としては、ＣＭ応答処理を終了させる指示が受付デバイス１１６によって受け付けられたという条件が挙げられる。ステップＳＴ６２において、ＣＭ応答処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５０へ移行する。ステップＳＴ６２において、ＣＭ応答処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理が終了する。

以上説明したように、磁気テープシステム２では、カートリッジメモリ１９に対して磁界ＭＦを作用させることによってカートリッジメモリ１９内で誘起された電力が電力測定回路９０によって測定され、測定された電力に関する電力情報１１０が、非接触式読み書き装置５０Ａの送受信装置１１２によって受信される。そして、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって、送受信装置１１２で受信された電力情報１１０に基づいて支援処理が実行される。支援処理は、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信を支援する処理である。従って、本構成によれば、電力情報１１０に基づく支援処理が行われない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信の安定に寄与することができる。

また、磁気テープシステム２では、支援処理に含まれる処理として条件設定処理が非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって実行される。条件設定処理は、非接触式読み書き装置５０Ａの送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０に基づいて、カートリッジメモリ１９内の電力の状態を既定状態に到達させる条件、すなわち、既定状態到達条件を満足させる処理である。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９内の電力の状態を既定状態に到達させない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信の安定に寄与することができる。

また、磁気テープシステム２では、条件設定処理が非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって実行されることで、カートリッジメモリ１９内の電力の状態を、カートリッジメモリ１９の動作が安定した状態に到達させるようにしている。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９内の電力の状態を、カートリッジメモリ１９の動作が安定した状態に到達させない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信の安定に寄与することができる。

また、磁気テープシステム２では、条件設定処理が非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって実行されることで、磁界ＭＦの強度を、カートリッジメモリ１９内の電力の状態を既定状態に到達させる強度にしている。従って、本構成によれば、磁界ＭＦの強度を、カートリッジメモリ１９内の電力の状態を既定状態に到達させる強度にしない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信の安定に寄与することができる。

また、磁気テープシステム２では、支援処理に含まれる処理として磁界強度制御処理が非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって実行される。磁界強度制御処理は、非接触式読み書き装置５０Ａの送受信装置１１２によって受信された電力情報１１０に基づいて磁界ＭＦの強度を制御する処理である。従って、本構成によれば、電力情報１１０に基づいて磁界ＭＦの強度が何ら制御されない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信の安定に寄与することができる。

また、磁気テープシステム２では、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって磁界強度制御処理が実行されることで、カートリッジメモリ１９に対して適用される磁界ＭＦの強度として予め定められた強度（識別子１０６に対応する最適磁界強度）よりも高い強度で磁界ＭＦを発生させるようにしている。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９に対して適用される磁界ＭＦの強度として予め定められた強度以下の強度で磁界ＭＦを発生させる場合に比べ、カートリッジメモリ１９の動作を安定させることができる。

また、磁気テープシステム２では、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４によって磁界強度制御処理が実行されることで、カートリッジメモリ１９に対して適用される磁界ＭＦの強度として予め定められた強度よりも高い強度で磁界ＭＦを発生させ、これによってカートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間の通信を確立させる。そして、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間の通信を確立させた状態で、磁界ＭＦの強度が特定強度（例えば、識別子１０６に対応する最適磁界強度）に変更される。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９に対して適用される磁界ＭＦの強度として予め定められた強度よりも高い強度で常に磁界ＭＦを発生させる場合に比べ、無駄な電力消費を抑制することができる。

また、磁気テープシステム２では、通信回路１２２の磁界強度パラメータ１４０がＣＰＵ１２４によって設定されることで磁界ＭＦの強度が特定強度（例えば、識別子１０６に対応する最適磁界強度）に変更される。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの距離を調整することによってカートリッジメモリ１９に対して付与される磁界ＭＦの強度を強めたり弱めたりする場合に比べ、カートリッジメモリ１９に対して最適な強度の磁界ＭＦを付与することができる。

また、磁気テープシステム２では、電力情報１１０に基づく参考情報１４４がＣＰＵ１２４によってディスプレイ１１８に表示される。従って、本構成によれば、電力情報１１０に基づく参考情報１４４を使用者等に対して認識させることができる。

また、磁気テープシステム２では、ディスプレイ１１８に表示される参考情報１４４が電力情報１１０から特定される電力レベルを示す電力レベル情報である。従って、本構成によれば、電力情報１１０から特定される電力レベルを使用者等に対して認識させることができる。

また、磁気テープシステム２では、電力情報１１０として既定期間内での電力の変動傾向を示す情報が用いられている。従って、本構成によれば、既定期間内での電力の変動傾向が用いられない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信を、既定期間内での電力の変動傾向を考慮して安定させることができる。

また、磁気テープシステム２では、電力情報１１０が電力の相対値又は電力の基準との相違度で規定された情報とされている。従って、本構成によれば、電力情報１１０が電力の相対値又は電力の基準との相違度で規定された情報でない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信を、電力の相対値又は電力の基準との相違度を考慮して安定させることができる。

なお、上記実施形態では、支援処理に含まれる処理として、条件設定処理、磁界強度制御処理、及び提示処理を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、支援処理には、記憶処理が含まれていてもよい。ここで、記憶処理とは、電力情報１１０に基づく情報を記憶装置に記憶させる処理である。電力情報１１０に基づく情報の一例としては、参考情報１４４（図２３参照）が挙げられる。また、ここで、記憶装置の一例としては、ＮＶＭ１２６、及び／又は、非接触式読み書き装置５０Ａと通信可能に接続された外部装置（サーバ、パーソナル・コンピュータ、又はスマートデバイス等）のメモリ（例えば、非一時的記憶媒体）が挙げられる。また、記憶装置は、カートリッジメモリ１９のＮＶＭ９６であってもよい。この場合、例えば、非接触式読み書き装置５０Ａが参考情報１４４をＮＶＭ９６に書き込む書込コマンドをカートリッジメモリ１９に送信し、カートリッジメモリ１９のＩＣチップ５２が書込コマンドに従ってＮＶＭ９６に参考情報１４４が書き込まれるようにすればよい。

このように、支援処理に含まれる処理として記憶処理がＣＰＵ１２４によって実行されるようにすれば、電力情報１１０に基づく情報が記憶装置に何ら記憶されない場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ａとの間での情報の送受信の安定に寄与することができる。

また、上記実施形態では、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された電力情報送信要求コマンドに応じて電力情報１１０を非接触式読み書き装置５０Ａに送信する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置５０Ａからの要求に関わらず、電力情報１１０を断続的に非接触式読み書き装置５０Ａに送信するようにしてもよい。この場合、非接触式読み書き装置５０ＡのＣＰＵ１２４は、カートリッジメモリ１９から送信された電力情報１１０が送受信装置１１２によって受信される毎に、支援処理が実行されるようにしてもよい。

このように、カートリッジメモリ１９が電力情報１１０を断続的に非接触式読み書き装置５０Ａに送信する場合、例えば、図２９に示すＣＭ応答処理がＣＰＵ９４によって実行される。

図２９に示すＣＭ応答処理では、ステップＳＴ５０Ａで、通信部９４Ｂは、非接触式読み書き装置５０Ａから送信された識別子送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ５０Ａにおいて、識別子送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５６Ａへ移行する。ステップＳＴ５０Ａにおいて、識別子送信要求コマンドが信号処理回路８８によって受信された場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５２Ａへ移行する。

ステップＳＴ５２Ａで、取得部９４Ａは、管理情報記憶ブロック１０２から識別子１０６を取得し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５４Ａへ移行する。

ステップＳＴ５４Ａで、通信部９４Ｂは、ステップＳＴ５２Ａで取得された識別子１０６を、信号処理回路８８を介して応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６２Ａへ移行する。

ステップＳＴ５６Ａで、取得部９４Ａは、電力情報１１０を非接触式読み書き装置５０Ａに送信するタイミングである電力情報送信タイミングが到来したか否かを判定する。電力情報送信タイミングの第１の例としては、第５既定時間（例えば、数ミリ秒から数百ミリ秒の範囲内で指定された時間）毎に到来するタイミングが挙げられる。また、電力情報送信タイミングの第１の例としては、電力測定回路９０によって測定された電力（電力の絶対値、電力の移動平均値、及び電力の基準値との相違度）の変動量（例えば、単位時間あたりの変動量）の絶対値が閾値を超えたタイミングが挙げられる。閾値は、固定値であってもよいし、与えられた条件、及び／又は、与えられた指示に従って変更される可変値であってもよい。つまり、電力情報送信タイミングは、一定の期間毎に到来するタイミングであってもよいし、不定期に到来するタイミングであってもよい。

ステップＳＴ５６Ａにおいて、電力情報送信タイミングが到来していない場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６２Ａへ移行する。ステップＳＴ５６Ａにおいて、電力情報送信タイミングが到来した場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５８Ａへ移行する。

ステップＳＴ５８Ａで、取得部９４Ａは、電力測定回路９０から電力情報１１０を取得し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６０Ａへ移行する。

ステップＳＴ６０Ａで、通信部９４Ｂは、ステップＳＴ５８Ａで取得された電力情報１１０を、信号処理回路８８を介して応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに送信し、その後、ＣＭ応答処理はステップＳＴ６２Ａへ移行する。

ステップＳＴ６２Ａで、通信部９４Ｂは、ＣＭ応答処理終了条件を満足したか否かを判定する。ステップＳＴ６２Ａにおいて、ＣＭ応答処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、ＣＭ応答処理はステップＳＴ５０Ａへ移行する。ステップＳＴ６２Ａにおいて、ＣＭ応答処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、ＣＭ応答処理が終了する。

このように、図２９に示すＣＭ応答処理が実行されることで、非接触式読み書き装置５０Ａは、電力情報送信要求コマンドをカートリッジメモリ１９に送信せずとも電力情報１１０を得ることができる。

また、上記実施形態では、磁気テープドライブ３０が、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴに磁気ヘッド３６を用いてデータを記録し、かつ、引き出した磁気テープＭＴから磁気ヘッド３６を用いてデータを読み取る形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出した磁気テープＭＴに対してデータの記録又は読取のみが行われる磁気ヘッド（図示省略）が用いられてもよい。

また、上記実施形態では、非接触式読み書き装置５０Ａが磁気テープドライブ３０に搭載されている態様例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されない。磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、一例として図３０に示すように、非接触式読み書き装置５０Ｂが使用される。非接触式読み書き装置５０Ｂは、本開示の技術に係る「非接触式通信装置」の一例であり、例えば、据え置き型又は携帯型のリーダライタである。

図３０に示す例では、上下方向に重ねられた複数の磁気テープカートリッジ１０がプラスチックフィルムでシュリンクされたパッケージ２００内の各磁気テープカートリッジ１０のカートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ｂとの間で情報の送受信が行われる。カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０Ｂとの間の情報の送受信は、磁気テープカートリッジ１０の後側において複数の磁気テープカートリッジ１０が重ねられた方向に沿って非接触式読み書き装置５０Ｂを移動させながら行われる。この場合、例えば、非接触式読み書き装置５０Ｂは、磁界ＭＦのオンとオフとを繰り返しながら磁気テープカートリッジ１０の各々に対して磁界ＭＦを順次に放出することで、カートリッジメモリ１９との間で情報の送受信を行う。

また、上記実施形態では、ＮＶＭ１２６に支援処理プログラム１３６が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３１に示すように、支援処理プログラム１３６が記憶媒体３００に記憶されていてもよい。記憶媒体３００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体３００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。

記憶媒体３００に記憶されている支援処理プログラム１３６は、コンピュータ１１４にインストールされる。ＣＰＵ１２４は、支援処理プログラム１３６に従って支援処理を実行する。図３１に示す例では、ＣＰＵ１２４は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ１１４に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置に支援処理プログラム１３６を記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じて支援処理プログラム１３６がダウンロードされ、コンピュータ１１４にインストールされるようにしてもよい。

図３１に示す例では、コンピュータ１１４が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ１１４に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ１１４に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。

支援処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、支援処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで支援処理を実行する。

支援処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、支援処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、支援処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、支援処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、支援処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の支援処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことはいうまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

［付記］
プロセッサと、
磁気テープカートリッジに搭載された非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで上記非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、上記非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで上記非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う送受信装置と、を備える非接触式通信装置であって、
上記非接触式記憶媒体は、上記電力を測定する測定回路を有し、上記測定回路によって測定された上記電力に関する電力情報を上記非接触式通信装置に送信し、
上記送受信装置は、上記電力情報を受信し、
上記プロセッサは、上記送受信装置によって受信された上記電力情報に基づいて、上記送受信を支援する支援処理を実行する
非接触式通信装置。

２ 磁気テープシステム
１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 磁気ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 磁気素子ユニット
４８ ホルダ
５０Ａ，５０Ｂ 非接触式読み書き装置
５１Ａ，５１Ｂ 磁化領域
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０，１２０ アンテナコイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９０ 電力測定回路
９２ 共振回路
９４，１２４ ＣＰＵ
９４Ａ 取得部
９４Ｂ 通信部
９６，１２６ ＮＶＭ
９８，１２８ ＲＡＭ
９９，１３０ バス
１００ 管理情報
１０２ 管理情報記憶ブロック
１０４，１３２ プログラム記憶ブロック
１０６ 識別子
１０６Ａ ＣＭ識別子
１０６Ｂ カートリッジ識別子
１０８ ＣＭ応答処理プログラム
１１０ 電力情報
１１２ 送受信装置
１１４ コンピュータ
１１６ 受付デバイス
１１８ ディスプレイ
１２２ 通信回路
１３４ テーブル記憶ブロック
１３６ 支援処理プログラム
１３８ 磁界強度テーブル
１４０ 磁界強度パラメータ
１４２ 磁界強度演算式
１４４ 参考情報
ＭＦ 磁界
θ 傾斜角度

Claims (18)

1. プロセッサと、
   非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで前記非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、前記非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで前記非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う送受信装置と、を備える非接触式通信装置であって、
   前記非接触式記憶媒体は、前記電力を測定する測定回路を有し、前記測定回路によって測定された前記電力に関する電力情報を前記非接触式通信装置に送信し、
   前記送受信装置は、前記電力情報を受信し、
   前記プロセッサは、前記送受信装置によって受信された前記電力情報に基づいて、前記送受信を支援する支援処理を実行し、
   前記電力情報は、既定期間内での前記電力の変動傾向を示す情報である
   非接触式通信装置。
2. 前記支援処理は、前記送受信装置によって受信された前記電力情報に基づいて、前記電力の状態を既定状態に到達させる既定状態到達条件を満足させる条件設定処理を含む処理である請求項１に記載の非接触式通信装置。
3. 前記既定状態は、前記非接触式記憶媒体の動作が安定した状態である請求項２に記載の非接触式通信装置。
4. 前記既定状態到達条件は、前記磁界の強度が前記電力の状態を前記既定状態に到達させる強度である、という条件である請求項２又は請求項３に記載の非接触式通信装置。
5. 前記支援処理は、前記送受信装置によって受信された前記電力情報に基づいて前記磁界の強度を制御する磁界強度制御処理を含む処理である請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
6. 前記磁界強度制御処理は、前記非接触式記憶媒体に対して適用される前記磁界の強度として予め定められた強度よりも高い強度で前記磁界を発生させる処理である請求項５に記載の非接触式通信装置。
7. 前記磁界強度制御処理は、前記予め定められた強度よりも高い強度で前記磁界を発生させることで前記非接触式通信装置と前記非接触式記憶媒体との通信を確立させた状態で、前記磁界の強度を特定強度に変更する処理である請求項６に記載の非接触式通信装置。
8. 前記プロセッサは、前記特定強度に対応するパラメータを設定することで前記磁界の強度を前記特定強度に変更する請求項７に記載の非接触式通信装置。
9. 前記支援処理は、前記送受信装置によって受信された前記電力情報に基づく参考情報を提示装置に対して提示させる提示処理を含む処理である請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
10. 前記参考情報は、前記電力情報から特定される前記電力のレベルを示す情報である請求項９に記載の非接触式通信装置。
11. 前記電力情報は、前記電力の相対値又は前記電力の基準値との相違度で規定された情報である請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
12. プロセッサと、
    非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで前記非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、前記非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで前記非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う送受信装置と、を備える非接触式通信装置であって、
    前記非接触式記憶媒体は、前記電力を測定する測定回路を有し、前記測定回路によって測定された前記電力に関する電力情報を前記非接触式通信装置に送信し、
    前記送受信装置は、前記電力情報を受信し、
    前記プロセッサは、前記送受信装置によって受信された前記電力情報に基づいて、前記送受信を支援する支援処理を実行し、
    前記非接触式記憶媒体は、前記電力情報を断続的に前記非接触式通信装置に送信し、
    前記プロセッサは、前記送受信装置によって前記電力情報が受信される毎に、前記支援処理を実行する
    非接触式通信装置。
13. 前記非接触式通信装置は、前記非接触式記憶媒体に対して読み書きを行うリーダライタである請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の非接触式通信装置。
14. プロセッサと、
    非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで前記非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、前記非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで前記非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う送受信装置と、を備える非接触式通信装置であって、
    前記非接触式記憶媒体は、前記電力を測定する測定回路を有し、前記測定回路によって測定された前記電力に関する電力情報を前記非接触式通信装置に送信し、
    前記送受信装置は、前記電力情報を受信し、
    前記プロセッサは、前記送受信装置によって受信された前記電力情報に基づいて、前記送受信を支援する支援処理を実行し、
    前記支援処理は、前記電力情報に基づく情報を記憶装置に記憶させる記憶処理を含む処理である
    非接触式通信装置。
15. 請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の非接触式通信装置と、
    磁気ヘッドと、を備え、
    前記非接触式記憶媒体は、磁気テープカートリッジに搭載されており、
    前記磁気テープカートリッジは、磁気テープを収容しており、
    前記磁気ヘッドは、前記磁気テープカートリッジから引き出された前記磁気テープに対してデータの記録及び読取のうちの少なくとも一方を行う
    磁気テープドライブ。
16. 請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の非接触式通信装置と、
    前記非接触式記憶媒体と、
    を備える非接触式通信システム。
17. 非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで前記非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、前記非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで前記非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う非接触式通信装置の動作方法であって、
    前記非接触式記憶媒体は、前記電力を測定する測定回路を有し、前記測定回路によって測定された前記電力に関する電力情報を前記非接触式通信装置に送信し、
    前記電力情報を受信すること、及び、
    受信した前記電力情報に基づいて、前記送受信を支援する支援処理を実行することを含み、
    前記電力情報は、既定期間内での前記電力の変動傾向を示す情報である
    非接触式通信装置の動作方法。
18. 非接触式記憶媒体に対して磁界を付与することで前記非接触式記憶媒体内に対して電力を誘起させ、かつ、前記非接触式記憶媒体と電磁誘導により結合することで前記非接触式記憶媒体との間で情報の送受信を行う非接触式通信装置に対して適用されるコンピュータに特定処理を実行させるためのプログラムであって、
    前記非接触式記憶媒体は、前記電力を測定する測定回路を有し、前記測定回路によって測定された前記電力に関する電力情報を前記非接触式通信装置に送信し、
    前記特定処理は、
    前記電力情報を受信すること、及び、
    受信した前記電力情報に基づいて、前記送受信を支援する支援処理を実行することを含む処理であり、
    前記電力情報は、既定期間内での前記電力の変動傾向を示す情報である
    プログラム。