JP7412302B2 - 磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、並びに磁気テープドライブの作動方法 - Google Patents
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Description
本開示の技術は、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、並びに磁気テープドライブの作動方法に関する。
磁気テープが収容される磁気テープカートリッジには、情報を記憶するカートリッジメモリが搭載されている。特許文献１には、磁気テープドライブにおけるデータの記録時の情報をカートリッジメモリに記憶しておき、データの読み取り時にカートリッジメモリから情報を読み出して参照することが記載されている。情報は、データの記録時に走行中の磁気テープに掛けられた張力の情報を含む。
磁気テープは各メーカーから多くの種類がリリースされており、これら複数種の磁気テープにはそれぞれ張力の許容範囲が存在する。許容範囲の上限値を上回る張力が磁気テープに掛けられた場合は、塑性変形といった不可逆的なダメージが磁気テープに与えられるおそれがある。一方で許容範囲の下限値を下回る張力が磁気テープに掛けられた場合は、走行中の磁気テープがばたつくおそれがある。
本開示の技術に係る１つの実施形態は、磁気テープに掛けられる張力の許容範囲に関する情報を得ることが可能な磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、並びに磁気テープドライブの作動方法を提供する。
本開示の磁気テープカートリッジは、磁気テープが収容されるケースと、ケースに設けられた記憶媒体と、を備え、記憶媒体は、磁気テープに掛けられる張力の許容範囲に関する張力許容範囲関連情報を記憶する。
張力許容範囲関連情報は、許容範囲の上下限値、及び許容範囲の中央値と中央値に対する許容範囲の上下限値の差とのペアのうちのいずれか１つに対応する識別情報であることが好ましい。
張力許容範囲関連情報は、許容範囲の上下限値、及び許容範囲の中央値と中央値に対する許容範囲の上下限値の差とのペアのうちのいずれか１つであることが好ましい。
記憶媒体は、非接触式読み書き装置により情報の読み出し及び書き込みが行われる非接触式通信媒体に内蔵された内蔵記憶媒体を含むことが好ましい。
張力許容範囲関連情報は、内蔵記憶媒体の記憶ブロックであって、情報の書き換えが不可とされる記憶ブロックに記憶されていることが好ましい。
記憶媒体は、磁気テープの一部の領域を含むことが好ましい。
本開示の磁気テープドライブは、上記のいずれかに記載の磁気テープカートリッジが装填され、張力付与機構と、張力付与機構の動作を制御することで、張力許容範囲関連情報で表される許容範囲内の張力を磁気テープに付与させるプロセッサと、を備える。
本開示の磁気テープドライブの作動方法は、上記のいずれかに記載の磁気テープカートリッジに含まれる記憶媒体に記憶されている張力許容範囲関連情報を読み出すこと、及び、張力付与機構の動作を制御することで、読み出した張力許容範囲関連情報で表される許容範囲内の張力を磁気テープに付与させること、とを含む。
本開示の磁気テープシステムは、上記のいずれかに記載の磁気テープカートリッジと、記憶媒体に記憶されている張力許容範囲関連情報を読み出す読出装置と、張力付与機構の動作を制御することで、読み出した張力許容範囲関連情報で表される許容範囲内の張力を磁気テープに付与させる制御装置と、を備える。
本開示の技術によれば、磁気テープに掛けられる張力の許容範囲に関する情報を得ることが可能な磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、並びに磁気テープドライブの作動方法を提供することができる。
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る磁気テープカートリッジ、及び磁気テープドライブの実施形態の一例について説明する。
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ－Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－Ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ”の略称を指す。ＩＢＭとは、“Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ”の略称を指す。ＣＭとは、“Ｃａｒｔｒｉｄｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＩＤとは、“Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｄａｔａ”の略称を指す。ＢＯＴとは、“Ｂｅｇｉｎｎｉｎｇ Ｏｆ Ｔａｐｅ”の略称を指す。ＥＯＴとは、“Ｅｎｄ Ｏｆ Ｔａｐｅ”の略称を指す。ＩＳＯとは、“Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ”の略称を指す。ＥＣＭＡとは、“Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ”の略称を指す。
以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の右方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の左方向とし、磁気テープカートリッジ１０の左方向の側を磁気テープカートリッジ１０の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１０の左側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。
また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の仕様としてＬＴＯを例に挙げて説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２等の仕様に準じていてもよい。
［第１実施形態］
一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。なお、リールハブ１８Ａと上フランジ１８Ｂ１及び／又は下フランジ１８Ｂ２とが一体成型されていてもよい。
ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。
一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。
カートリッジメモリ１９には、磁気テープＭＴに関する情報が記憶されている。磁気テープＭＴに関する情報とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０を管理する管理情報を指す。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ１９に関する情報、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要、データの項目、及びデータの記録形式等を示す情報が含まれている。
カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置との間で非接触通信を行う。非接触式読み書き装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される非接触式読み書き装置（例えば、図１２に示す非接触式読み書き装置５０Ｂ）、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される非接触式読み書き装置（例えば、図４～図６、及び図１５に示す非接触式読み書き装置５０Ａ）が挙げられる。
非接触式読み書き装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、非接触式読み書き装置から与えられた磁界ＭＦ（図５等参照）に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置と通信を行うことで非接触式読み書き装置との間で各種情報の授受を行う。なお、非接触式読み書き装置とカートリッジメモリ１９との通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３、またはＩＳＯ１８０９２等の公知の規格に準じる方式を採用することができる。あるいは、ＥＣＭＡ３１９といったＬＴＯの仕様に準じる方式を採用することができる
一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、第２傾斜台２０Ｂは、傾斜面２０Ｂ１を有しており、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。
支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。
一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。ここで、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの平行を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１（図２参照）の傾斜角度は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、“４５度≦傾斜角度θ”であってもよい。
カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。
上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。
カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。
一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、磁気ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴに磁気ヘッド３６を用いてデータを記録し、かつ、引き出した磁気テープＭＴから磁気ヘッド３６を用いてデータをリニア・サーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、データの読み取りとは、換言すると、データの再生を指す。
制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体の動作を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣ１２０（図１４参照）によって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ１２０、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。
送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。
巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに張力が付与される。すなわち、送出モータ４０及び巻取モータ４４は、本開示の技術に係る「張力付与機構」の一例である。
なお、磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが逆方向に走行するように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。
本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において磁気ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
磁気ヘッド３６は、記録読取素子４６及びホルダ４８を備えている。記録読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録し、かつ磁気テープＭＴからデータを読み取る。
磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気ヘッド３６による磁気テープＭＴに対するデータの読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に、磁気テープカートリッジ１０が到達した状態を指す。
図４に示す例では、非接触式読み書き装置５０が磁気テープドライブ３０に搭載されている態様例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されない。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階においても使用される。この場合、例えば、据え置き型又は携帯型の非接触式読み書き装置５０が用いられる。なお、以下の説明では、区別する必要がある場合に限り、磁気テープドライブ３０に搭載された非接触式読み書き装置５０を非接触式読み書き装置５０Ａと表記し、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階において使用される据え置き型又は携帯型の非接触式読み書き装置５０を非接触式読み書き装置５０Ｂと表記する。
一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。
一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０Ａに出力する。非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。
非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９との間で非接触通信を行うことで、制御信号に応じたコマンド信号をカートリッジメモリ１９に与える。より詳しく説明すると、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しくは後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。
なお、ここでは、制御装置３８の制御下で、非接触式読み書き装置５０Ａがコマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、非接触式読み書き装置５０Ｂが、制御装置３８とは異なる制御装置の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。
コマンド信号が非接触式読み書き装置５０Ａからカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０Ａによって、制御装置３８からの指示に応じたコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０Ａによってコマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０Ａは、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。
カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して硬化する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、他の接着剤を封止材５６として使用してもよい。
一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。
カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及びコンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。
一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。
一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップである。
カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦがコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。
電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。
コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足する場合がある。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。内蔵コンデンサ８０が、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するために十分な容量を有していた場合は、当然ながらコンデンサ５４は不要である。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数に相当する周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）であり、カートリッジメモリ１９及び／又は非接触式読み書き装置５０の仕様等によって適宜決定されればよい。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。
共振回路９２は、磁界ＭＦがコイル６０を貫通することでコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。
電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。このように、電力生成器７０によってＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。
コンピュータ８４は、カートリッジメモリ１９の全体の動作を制御する。クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して信号処理回路８８等に出力する。信号処理回路８８等は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数を変更する。
信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦからのコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。
一例として図１０に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。
ＣＰＵ９４は、コンピュータ８４の動作を制御する。ＮＶＭ９６は、本開示の技術に係る「内蔵記憶媒体」の一例である。ＮＶＭ９６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＮＶＭ９６は、複数の記憶ブロック１０４を有する。複数の記憶ブロック１０４には、管理情報等が記憶されている。
ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、書込処理、及びロック処理等を選択的に行う。ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報等を書き込む処理である。ロック処理は、記憶ブロック１０４をロックする処理、換言すると、記憶ブロック１０４に記憶されている情報の書き換えを不可にする処理である。ここで、「情報の書き換え」の意味には、「情報の消去」の意味も含まれる。
一例として図１１に示すように、複数の記憶ブロック１０４のうちの１つである記憶ブロック１０４Ａには、張力許容範囲関連情報１１０が記憶されている。張力許容範囲関連情報１１０は、磁気テープＭＴに掛けられる張力の許容範囲に関する情報である。ここで、許容範囲は、磁気ヘッド３６によるデータの記録及び／又は読み取りを問題なく行うことが可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた範囲である。
張力許容範囲関連情報１１０は、磁気テープカートリッジ１０の種類を一意に識別するための識別ＩＤである。識別ＩＤは、例えば、「ＦＳ」等の磁気テープカートリッジ１０の製造メーカーを表すアルファベットと、「１０００」等の磁気テープカートリッジ１０の製造番号あるいは型番を表す数字との組み合わせである。識別ＩＤは、本開示の技術に係る「識別情報」の一例である。
一例として図１２に示すように、非接触式読み書き装置５０Ｂは、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階のいずれかのタイミングで、張力許容範囲関連情報１１０及び張力許容範囲関連情報１１０の書込指令を、コマンド信号としてカートリッジメモリ１９に空間伝送する。ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０Ｂからのコマンド信号に応じて、張力許容範囲関連情報１１０を記憶ブロック１０４Ａに記憶する書込処理を行う。これにより、張力許容範囲関連情報１１０が記憶ブロック１０４Ａに記憶される。
一例として図１３に示すように、ＣＰＵ９４は、張力許容範囲関連情報１１０が記憶された記憶ブロック１０４Ａに対してロック処理を行う。こうして記憶ブロック１０４Ａにロック処理が行われることで、張力許容範囲関連情報１１０が書き換え不可となる。すなわち、記憶ブロック１０４Ａは、本開示の技術に係る「情報の書き換えが不可とされる記憶ブロック」の一例である。なお、ロック処理は、記憶ブロック１０４Ａに張力許容範囲関連情報１１０が記憶された直後でもよいし、磁気テープカートリッジ１０が最初に磁気テープドライブ３０に装填され、磁気テープＭＴが初期化された場合でもよい。
一例として図１４に示すように、制御装置３８は、ＡＳＩＣ１２０及びストレージ１２２を有する。ＡＳＩＣ１２０及びストレージ１２２は、バス１２４に接続されている。ＡＳＩＣ１２０は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。
ストレージ１２２には、許容範囲テーブル１２６が記憶されている。許容範囲テーブル１２６には、張力許容範囲関連情報１１０の識別ＩＤに対応する張力の許容範囲が登録されている。許容範囲は、具体的には上下限値である。許容範囲テーブル１２６は、磁気テープカートリッジ１０の新製品がリリースされる度に更新される。
一例として図１５に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａは、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されたタイミングで、張力許容範囲関連情報１１０の読出指令を、コマンド信号としてカートリッジメモリ１９に空間伝送する。ＣＰＵ９４は、非接触式読み書き装置５０Ａからのコマンド信号に応じて、張力許容範囲関連情報１１０を記憶ブロック１０４Ａから読み出す読出処理を行う。そして、ＣＰＵ９４は、読み出した張力許容範囲関連情報１１０を、応答信号として非接触式読み書き装置５０Ａに空間伝送する。非接触式読み書き装置５０Ａは、本開示の技術に係る「読出装置」の一例である。また、この非接触式読み書き装置５０Ａと、磁気テープカートリッジ１０及び制御装置３８等とは、磁気テープシステム５１を構成する（図４参照）。
非接触式読み書き装置５０Ａは、カートリッジメモリ１９からの張力許容範囲関連情報１１０を制御装置３８に出力する。制御装置３８のＡＳＩＣ１２０は、張力許容範囲関連情報１１０の識別ＩＤに対応する許容範囲を許容範囲テーブル１２６から読み出す。ＡＳＩＣ１２０は、送出モータ４０及び巻取モータ４４の動作を制御することで、読み出した許容範囲内の張力を磁気テープＭＴに付与させる。
図１５は、張力許容範囲関連情報１１０の識別ＩＤに「ＦＳ－１０００」が記憶されていた場合を例示している。この場合、ＡＳＩＣ１２０は、識別ＩＤ「ＦＳ－１０００」に対応する許容範囲の上下限値「０．６Ｎ～１．２Ｎ」を許容範囲テーブル１２６から読み出す。そして、ＡＳＩＣ１２０は、送出モータ４０及び巻取モータ４４の動作を制御することで、「０．６Ｎ～１．２Ｎ」内の張力を磁気テープＭＴに付与させる。なお、図１５では、バス１２４の図示を省略している。
次に、上記構成による作用について、図１６及び図１７のフローチャートを参照して説明する。まず、一例として図１６に示すように、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階のいずれかのタイミングで、図１２で示したように、ＣＰＵ９４により、非接触式読み書き装置５０Ｂからの張力許容範囲関連情報１１０がカートリッジメモリ１９の記憶ブロック１０４Ａに書き込まれる（ステップＳＴ１００）。次いで、図１３で示したように、ＣＰＵ９４により、張力許容範囲関連情報１１０が記憶された記憶ブロック１０４Ａに対してロック処理が行われる（ステップＳＴ１１０）。これにより張力許容範囲関連情報１１０が書き換え不可とされる。
磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されたタイミング（ステップＳＴ１２０でＹＥＳ）で、図１５で示したように、ＣＰＵ９４により、張力許容範囲関連情報１１０が記憶ブロック１０４Ａから読み出される。そして、ＣＰＵ９４により、張力許容範囲関連情報１１０が非接触式読み書き装置５０Ａに空間伝送される（ステップＳＴ１３０）。
一例として図１７に示すように、張力許容範囲関連情報１１０は、図１５で示したように、非接触式読み書き装置５０Ａから制御装置３８に出力される（ステップＳＴ２００）。続いて、ＡＳＩＣ１２０により、張力許容範囲関連情報１１０の識別ＩＤに対応する許容範囲が許容範囲テーブル１２６から読み出される（ステップＳＴ２１０）。そして、ＡＳＩＣ１２０の制御の下、送出モータ４０及び巻取モータ４４が回転され、磁気テープＭＴが順方向又は逆方向に搬送される。この際、ＡＳＩＣ１２０によって送出モータ４０及び巻取モータ４４の動作が制御され、許容範囲内の張力が磁気テープＭＴに付与される（ステップＳＴ２２０）。
ＡＳＩＣ１２０の制御の下、磁気ヘッド３６が動作され、走行中の磁気テープＭＴにデータが記録される、及び／又は、走行中の磁気テープＭＴに記録されたデータが読み取られる（ステップＳＴ２３０）。
以上説明したように、磁気テープカートリッジ１０は、磁気テープＭＴが収容されるケース１２と、ケース１２に設けられたカートリッジメモリ１９のＮＶＭ９６とを備える。ＮＶＭ９６は、磁気テープＭＴに掛けられる張力の許容範囲に関する張力許容範囲関連情報１１０を記憶する。従って、磁気テープＭＴに掛けられる張力の許容範囲に関する情報を得ることが可能となる。
図１１で示したように、張力許容範囲関連情報１１０は識別ＩＤである。識別ＩＤは、図１４で示したように、許容範囲の上下限値に対応している。このため、許容範囲の上下限値自体を張力許容範囲関連情報１１０としてＮＶＭ９６に記憶する場合に比べて、許容範囲の秘匿性を高めることができる。
本実施形態においては、記憶媒体としてＮＶＭ９６が用いられている。ＮＶＭ９６は、非接触式読み書き装置５０により情報の読み出し及び書き込みが行われるカートリッジメモリ１９に内蔵されている。このため、張力許容範囲関連情報１１０の読み出し及び書き込みを簡単に行うことができる。
張力許容範囲関連情報１１０は、情報の書き換えが不可とされる記憶ブロック１０４Ａに記憶されている。このため、不用意な張力許容範囲関連情報１１０の書き換えを防止することができる。
磁気テープカートリッジ１０が装填される磁気テープドライブ３０は、送出モータ４０及び巻取モータ４４と、送出モータ４０及び巻取モータ４４の動作を制御することで、張力許容範囲関連情報１１０で表される許容範囲内の張力を磁気テープＭＴに付与させるＡＳＩＣ１２０とを備える。このため、許容範囲の上限値を上回る張力が磁気テープＭＴに掛けられ、塑性変形といった不可逆的なダメージが磁気テープＭＴに与えられるおそれがない。また、許容範囲の下限値を下回る張力が磁気テープＭＴに掛けられ、走行中の磁気テープＭＴがばたつくおそれもない。従って、安定した磁気テープＭＴへのデータの記録及び／又は磁気テープＭＴに記録されたデータの読み取りが可能となる。
張力許容範囲関連情報１１０の識別ＩＤに対応する許容範囲の上下限値が登録された許容範囲テーブル１２６を例示したが、これに限らない。一例として図１８に示す許容範囲テーブル１３０を用いてもよい。許容範囲テーブル１３０には、張力許容範囲関連情報１１０の識別ＩＤに対応する許容範囲の中央値と差とのペアが登録されている。差は、中央値に対する許容範囲の上下限値の差である。この許容範囲テーブル１３０によっても、ＡＳＩＣ１２０は、磁気テープＭＴに掛けられる張力の許容範囲を把握することができる。
張力許容範囲関連情報１１０は、例示の識別ＩＤに限らない。一例として図１９に示す張力許容範囲関連情報１３２のように、許容範囲の上下限値であってもよい。あるいは、一例として図２０に示す張力許容範囲関連情報１３４のように、許容範囲の中央値と中央値に対する許容範囲の上下限値の差とのペアであってもよい。これら張力許容範囲関連情報１３２及び１３４によれば、制御装置３８のストレージ１２２に許容範囲テーブル１２６又は１３０を用意しなくて済む。
［第２実施形態］
上記第１実施形態では、記憶媒体としてカートリッジメモリ１９のＮＶＭ９６を例示したが、これに限らない。
上記第１実施形態では、記憶媒体としてカートリッジメモリ１９のＮＶＭ９６を例示したが、これに限らない。
一例として図２１に示すように、磁気テープカートリッジ１０が最初に装填された場合、又は磁気テープＭＴが初期化された場合のいずれかのタイミングで、制御装置３８のＡＳＩＣ１２０は、磁気ヘッド３６の動作を制御することで、張力許容範囲関連情報１１０を磁気テープＭＴの先頭に設けられたＢＯＴ領域１４０に書き込む。また、図示は省略したが、ＡＳＩＣ１２０は、磁気ヘッド３６の動作を制御することで、ＢＯＴ領域１４０から張力許容範囲関連情報１１０を読み取る。この場合、張力許容範囲関連情報１１０は、例えば図示省略した操作入力部を介して、ユーザにより入力される。なお、ＢＯＴ領域１４０は、本開示の技術に係る「磁気テープの一部の領域」の一例である。
このように、第２実施形態では、記憶媒体として、磁気テープＭＴのＢＯＴ領域１４０が用いられる。このため、カートリッジメモリ１９を用意したり、記憶ブロック１０４Ａに張力許容範囲関連情報１１０を記憶したりといった手間を省くことができる。
なお、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階のいずれかのタイミングで、工場に配置された磁気テープドライブの磁気ヘッドにより、張力許容範囲関連情報１１０をＢＯＴ領域１４０に記憶してもよい。
また、一例として図２２に示すように、非接触式読み書き装置５０Ａによりカートリッジメモリ１９から読み出した張力許容範囲関連情報１１０が、ＡＳＩＣ１２０によりＢＯＴ領域１４０に書き込まれる態様でもよい。この場合、記憶ブロック１０４ＡとＢＯＴ領域１４０の両方に張力許容範囲関連情報１１０が記憶されることになる。このため、記憶ブロック１０４Ａに記憶された張力許容範囲関連情報１１０と、ＢＯＴ領域１４０に記憶された張力許容範囲関連情報１１０とを突き合わせて、張力許容範囲関連情報１１０の信頼性を確かめることができる。また、記憶ブロック１０４ＡとＢＯＴ領域１４０のいずれか一方に不具合が生じたとしても、他方から張力許容範囲関連情報１１０を得ることができる。なお、ＢＯＴ領域１４０に代えて、あるいは加えて、磁気テープＭＴの後尾に設けられたＥＯＴ領域（図示省略）に張力許容範囲関連情報１１０を記憶してもよい。
カートリッジメモリ１９は、ケース１２に内蔵される例示の態様に限らない。カートリッジメモリ１９は、ケース１２の外面に貼り付けられていてもよい。
識別情報は、例示の識別ＩＤに限らない。磁気テープカートリッジ１０の製品名自体を識別情報としてもよい。また、記憶媒体は、例示のカートリッジメモリ１９のＮＶＭ９６、及び磁気テープＭＴのＢＯＴ領域１４０に限らない。例えば二次元バーコード等を記憶媒体として用いてもよい。
制御装置３８の処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又は例示のＡＳＩＣ１２０等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。いずれのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、いずれのプロセッサもメモリを使用することで処理を実行する。
制御装置３８の処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種又は異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、制御装置３８の処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣ等に代表されるように、処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、制御装置３８の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の制御装置３８の処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
カートリッジメモリ１９についても同様に、例示のＣＰＵ９４に代えて、あるいは加えて、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣ等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路を用いてもよい。
本開示の技術は、上述の種々の実施形態及び／又は種々の変形例を適宜組み合わせることも可能である。また、上記実施形態に限らず、要旨を逸脱しない限り種々の構成を採用し得ることはもちろんである。さらに、本開示の技術は、プログラムに加えて、プログラムを非一時的に記憶する記憶媒体にもおよぶ。
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことはいうまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１、２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 磁気ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 記録読取素子
４８ ホルダ
５０、５０Ａ、５０Ｂ 非接触式読み書き装置
５１ 磁気テープシステム
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ、５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
９４ ＣＰＵ
９６ ＮＶＭ
９８ ＲＡＭ
９９、１２４ バス
１０４、１０４Ａ 記憶ブロック
１１０、１３２、１３４ 張力許容範囲関連情報
１２０ ＡＳＩＣ
１２２ ストレージ
１２６、１３０ 許容範囲テーブル
１４０ ＢＯＴ領域
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
ＳＴ１００、ＳＴ１１０、ＳＴ１２０、ＳＴ１３０、ＳＴ２００、ＳＴ２１０、ＳＴ２２０、ＳＴ２３０ ステップ
θ 傾斜角度
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１、２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 磁気ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 記録読取素子
４８ ホルダ
５０、５０Ａ、５０Ｂ 非接触式読み書き装置
５１ 磁気テープシステム
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ、５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
９４ ＣＰＵ
９６ ＮＶＭ
９８ ＲＡＭ
９９、１２４ バス
１０４、１０４Ａ 記憶ブロック
１１０、１３２、１３４ 張力許容範囲関連情報
１２０ ＡＳＩＣ
１２２ ストレージ
１２６、１３０ 許容範囲テーブル
１４０ ＢＯＴ領域
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
ＳＴ１００、ＳＴ１１０、ＳＴ１２０、ＳＴ１３０、ＳＴ２００、ＳＴ２１０、ＳＴ２２０、ＳＴ２３０ ステップ
θ 傾斜角度
Claims (10)
- 磁気テープが収容されるケースと、
前記ケースに設けられた記憶媒体と、
を備え、
前記記憶媒体は、前記磁気テープへのデータの記録時及び／または再生時に、前記磁気テープに掛けられる張力の許容範囲に関する張力許容範囲関連情報を記憶する、
磁気テープカートリッジ。 - 前記張力許容範囲関連情報は、前記許容範囲の上下限値、及び前記許容範囲の中央値と前記中央値に対する前記許容範囲の上下限値の差とのペアのうちのいずれか１つに対応する識別情報である請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。
- 前記張力許容範囲関連情報は、前記許容範囲の上下限値、及び前記許容範囲の中央値と前記中央値に対する前記許容範囲の上下限値の差とのペアのうちのいずれか１つである請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。
- 前記記憶媒体は、非接触式読み書き装置により情報の読み出し及び書き込みが行われる非接触式通信媒体に内蔵された内蔵記憶媒体を含む請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気テープカートリッジ。
- 前記張力許容範囲関連情報は、前記内蔵記憶媒体の記憶ブロックであって、情報の書き換えが不可とされる記憶ブロックに記憶されている請求項４に記載の磁気テープカートリッジ。
- 前記記憶媒体は、前記磁気テープの一部の領域を含む請求項１、請求項２、請求項３、および請求項５のいずれか１項に記載の磁気テープカートリッジ。
- 前記記憶媒体は、前記内蔵記憶媒体に加えて、前記磁気テープの一部の領域を含む請求項４に記載の磁気テープカートリッジ。
- 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気テープカートリッジが装填され、
張力付与機構と、
前記張力付与機構の動作を制御することで、前記張力許容範囲関連情報で表される前記許容範囲内の張力を前記磁気テープに付与させるプロセッサと、
を備える磁気テープドライブ。 - 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気テープカートリッジに含まれる前記記憶媒体に記憶されている前記張力許容範囲関連情報を読み出すこと、及び、
張力付与機構の動作を制御することで、読み出した前記張力許容範囲関連情報で表される前記許容範囲内の張力を前記磁気テープに付与させること、
とを含む磁気テープドライブの作動方法。 - 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気テープカートリッジと、
前記記憶媒体に記憶されている前記張力許容範囲関連情報を読み出す読出装置と、
張力付与機構の動作を制御することで、読み出した前記張力許容範囲関連情報で表される前記許容範囲内の張力を前記磁気テープに付与させる制御装置と、
を備える磁気テープシステム。
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| JP2007334958A (ja) | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | 媒体格納装置及び媒体格納システム |
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2021
- 2021-05-28 WO PCT/JP2021/020493 patent/WO2022024538A1/ja active Application Filing
- 2021-05-28 CN CN202180061456.7A patent/CN116134515A/zh active Pending
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2023
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007334958A (ja) | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Fujitsu Ltd | 媒体格納装置及び媒体格納システム |
| WO2019216015A1 (ja) | 2018-05-09 | 2019-11-14 | ソニー株式会社 | 記録媒体カートリッジ及びドライブ装置 |
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| US20230154494A1 (en) | 2023-05-18 |
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