JP6855633B1 - 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】メモリに多くの付随情報を記憶させることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。【解決手段】非接触式通信媒体は、プロセッサと、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリと、を備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う。メモリは、非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む記憶ブロックを有する。複数の記憶フィールドは、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含む。プロセッサは、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、磁気テープカートリッジに関する付随情報をスペック非依存記憶フィールドに書き込む。【選択図】図１５

Description

本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、テープカートリッジに用いられるカートリッジメモリであって、通信部と、不揮発性メモリと、制御部と、を備えたカートリッジメモリが開示されている。通信部は、無線通信規格であるＩＳＯ １４４４３−２規格で規定された無線通信方式を用いて記録再生装置と通信を行う。不揮発性メモリは、１６ＫＢを超える記憶容量を有する。制御部は、ＷＯＲＤ単位（２ＢＹＴＥ単位）又はＢＬＯＣＫ単位（３２ＢＹＴＥ単位）で不揮発性メモリに対するデータの書き込みまたは読み出しを行う。

不揮発性メモリは、１２８ＫＢ以下の記憶容量を有する複数のメモリバンクを備えている。制御部は、複数のメモリバンクのうちの１または２以上の第１のメモリバンクに対して、磁気テープ規格で規定されたデータの書き込みまたは読み出しを行い、第１のメモリバンク以外の１または２以上の第２のメモリバンクに対して、付加データの書き込みまたは読み出しを行う。

国際公開第２０１９／１９８３２３号

ところで、カートリッジメモリは、ドライブによって読み書きされることが主目的とされたメモリである。カートリッジメモリは、カートリッジメモリの属性に関する情報が記憶される記憶ブロックと、カートリッジメモリの属性に関する情報以外の情報が記憶される記憶ブロックとを有する。一般的に、前者の記憶ブロックには、カートリッジメモリのベンダによって使用され、後者の記憶ブロックは、テープカートリッジのベンダによって使用される。

テープカートリッジのベンダによってカートリッジメモリに書き込まれる情報は、テープカートリッジに収容されている磁気テープの記憶容量の増大に伴って多くなる。この場合、一般的には、カートリッジメモリの記憶容量の増大が検討される。しかし、カートリッジメモリの記憶容量の増大には、カートリッジメモリの大型化及びコストの増大の問題が伴う。

本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される記憶ブロックに付随情報が記憶されない場合に比べ、メモリに多くの付随情報を記憶させることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、プロセッサと、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリと、を備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体であって、メモリが、非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む記憶ブロックを有し、複数の記憶フィールドが、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含み、プロセッサ、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、磁気テープカートリッジに関する付随情報をスペック非依存記憶フィールドに書き込む非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第２の態様は、プロセッサが、記憶ブロック内の書き込みが行われたエリアを基本情報量単位でロックする第１の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第３の態様は、基本情報量単位がバイト単位である第２の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第４の態様は、プロセッサが、基本情報量単位の変更を制限することを示すフラグが設定されていない場合に、基本情報量単位を無制限に変更し、フラグが設定された場合に、基本情報量単位の現在値を下限として基本情報量単位を変更する第２の態様又は第３の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第５の態様は、フラグが、非設定状態から設定状態に切り替えられた後、設定状態から非設定状態に切り替えられない第４の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第６の態様は、プロセッサが、記憶ブロック内の初期値以外の値の書き込みが行われたエリアをロックする第１の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第７の態様は、プロセッサが、記憶ブロックの先頭アドレスから順に書き込みを行い、エリアが、記憶ブロック内の初期値以外の値の書き込みが行われたアドレスから特定されるエリアである第６の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第８の態様は、プロセッサが、エリアをロックすることで読出専用エリアを生成する第２の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第９の態様は、複数の記憶フィールドが、スペックに依存する情報が記憶されるスペック依存記憶フィールドと、スペック非依存記憶フィールドを含み、スペック依存記憶フィールドが、読出専用の記憶フィールドである第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１０の態様は、スペック依存記憶フィールドが、非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールド、識別子を含む情報についての誤り検出用の符号が記憶される誤り検出符号記憶フィールド、メモリの記憶容量に関する情報が記憶される記憶容量関連情報記憶フィールド、及び非接触式通信媒体の型式に関する情報が記憶される型式関連情報記憶フィールドを有する第９の態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１１の態様は、スペック非依存記憶フィールドが、非接触式通信媒体の種類に依存する情報が記憶される種類依存記憶フィールド、及び種類に依存しない情報が記憶される種類非依存記憶フィールドを有し、プロセッサが、種類非依存記憶フィールドのみに付随情報を書き込む第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１２の態様は、付随情報が、磁気テープカートリッジに対して与えられた要求毎に内容が異なっている第１の態様から第１１の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

本開示の技術に係る第１３の態様は、第１の態様から第２の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備え、メモリが、磁気テープに関する管理情報を記憶している磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第１４の態様は、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、メモリが、非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む記憶ブロックを有し、複数の記憶フィールドが、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含み、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、磁気テープカートリッジに関する付随情報をスペック非依存記憶フィールドに書き込むことを含む、非接触式通信媒体の動作方法である。

本開示の技術に係る第１５の態様は、プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、メモリが、非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む記憶ブロックを有し、複数の記憶フィールドが、非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含み、処理が、非接触通信が行われることによって外部通信装置から非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、磁気テープカートリッジに関する付随情報をスペック非依存記憶フィールドに書き込むことを含むプログラムである。

磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 ＣＭ属性情報記憶ブロックの概略構成の一例を示すブロック図である。 ＣＭ属性情報記憶ブロックに記憶される情報の一例を示すブロック図である。 ＣＭ属性情報記憶ブロック内のスペック依存記憶フィールド及びスペック非依存記憶フィールドの概略構成の一例を示すブロック図である。 カートリッジメモリのＣＰＵによって第１実施形態に係る書込制御プログラムが実行されることで実現されるＣＰＵの要部機能の一例を示すブロック図である。 書込部の大まかな処理内容の一例を示すブロック図である。 書込部に対してＣＭ種類依存情報書込コマンドが与えられた場合の処理内容の一例、及び書込部に対してＣＭ種類非依存情報書込コマンドが与えられた場合の処理内容の一例を示すブロック図である。 書込制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 ＣＭ種類非依存記憶フィールド及びＣＭ種類依存記憶フィールドのうちのＣＭ種類非依存記憶フィールドのみに書込部によって書き込みが行われる処理内容の一例を示すブロック図である。 ＣＭ種類非依存記憶フィールド及びＣＭ種類依存記憶フィールドのうちのＣＭ種類非依存記憶フィールドのみに書込部によって書き込みが行われるようにする場合の書込制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 カートリッジメモリのＣＰＵによって第１実施形態に係る書込制御プログラムが実行されることで実現されるＣＰＵの要部機能の一例を示すブロック図である。 ＣＰＵに対してフラグオンコマンド、フラグオフコマンド、及び基本情報量単位変更コマンドが選択的に与えられた場合の処理内容の一例を示すブロック図である。 基本情報量単位変更処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図２２Ａに示すフローチャートの続きである。 書込制御処理の流れの変形例を示すフローチャートである。 識別子記憶フィールドに識別子が書込部によって書き込まれて、ロック部によって識別子記憶フィールドがロックされる形態例を示すブロック図である。 誤り検出符号記憶フィールド、記憶容量関連情報記憶フィールド、及び型式関連情報記憶フィールドに書き込み部によって書き込みが行われ、ロック部によって各記憶フィールドがロックされる形態例を示すブロック図である。 プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータにプログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ”の略称を指す。ＣＭとは、“Ｃａｒｔｒｉｄｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の規格としてＬＴＯを例に挙げて説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２等の他の規格であってもよい。

［第１実施形態］
一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

カートリッジメモリ１９には、磁気テープＭＴに関する情報（図示省略）が記憶されている。磁気テープＭＴに関する情報とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０を管理する管理情報（図示省略）を指す。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ１９に関する情報、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が含まれている。

カートリッジメモリ１９は、外部通信装置（図示省略）との間で非接触通信を行う。外部通信装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４〜図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

外部通信装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部通信装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部通信装置と通信を行うことで外部通信装置との間で各種情報の授受を行う。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。ここで、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの平行を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１（図２参照）の傾斜角は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよい。

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアスキャン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

なお、磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。

図４に示す例では、非接触式読み書き装置５０が磁気テープドライブ３０に搭載されている態様例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階でも使用される。この場合、例えば、据え置き型又は携帯型の非接触式読み書き装置５０が用いられる。なお、非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「外部通信装置」の一例である。

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。

非接触式読み書き装置５０は、カートリッジメモリ１９との間で非接触通信を行うことでコマンド信号を非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与える。より詳しく説明すると、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。詳しく後述するが、コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。

なお、ここでは、制御装置３８の制御下で、非接触式読み書き装置５０がコマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８とは異なる制御装置の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。

コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によってコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。

カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、接着剤を封止材５６として使用してもよい。

一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、コイル６０がループ状に形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及びコンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。

一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。

一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８を備えている。ＩＣチップ５２は、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップである。

カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦがコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。

電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。

コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数と同一の周波数であり、ここでは、１３．５６ＭＨｚが採用されている。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。

共振回路９２は、磁界ＭＦがコイル６０を貫通することでコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。

電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、クロック信号生成器８６、及び信号処理回路８８が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。

コンピュータ８４は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。

クロック信号生成器８６は、クロック信号を生成して各種の駆動素子に出力する。各種の駆動素子は、クロック信号生成器８６から入力されたクロック信号に従って動作する。クロック信号生成器８６は、コンピュータ８４の指示に従って、クロック信号の周波数を変更する。

信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号を抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、コマンド信号に対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。

一例として図１０に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス９９に接続されている。

ＣＰＵ９４は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。ＣＰＵ９４は、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。ＮＶＭ９６は、本開示の技術に係る「メモリ」の一例である。ＮＶＭ９６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＮＶＭ９６は、複数の記憶ブロック１０４を有する。複数の記憶ブロック１０４には、管理情報（図示省略）等が記憶されている。

ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号に応じて、ポーリング処理、読出処理、書込処理、及びロック処理等を選択的に行う。ポーリング処理は、非接触式読み書き装置５０との間で通信を確立する処理であり、例えば、読出処理及び書込処理の前段階の準備処理として行われる。読出処理は、ＮＶＭ９６から管理情報等を読み出す処理である。書込処理は、ＮＶＭ９６に管理情報等を書き込む処理である。ロック処理は、複数の記憶ブロック１０４のうちの１つであるＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ（図１１参照）をロックする処理、換言すると、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに記憶されている情報の書き換えを不可にする処理である。ここで、「情報の書き換え」の意味には、「情報の消去」の意味も含まれる。

なお、本実施形態では、磁気テープカートリッジ１０のベンダに提供されるカートリッジメモリ１９、すなわち、磁気テープカートリッジ１０の製造工程に投入されるカートリッジメモリ１９内のＮＶＭ９６の複数の記憶ブロック１０４のうちの１つの記憶ブロック１０４（ここでは、一例として図１１に示すＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ）には後述のスペック依存情報１０８（図１２参照）が記憶されているが、後述のスペック非依存情報１１０（図１２参照）は記憶されていない。そのため、磁気テープカートリッジ１０のベンダが、磁気テープカートリッジ１０の製造工程で、ＣＰＵ９４に対して書込処理を実行させることによって、後述のスペック非依存情報１１０（図１２参照）が複数の記憶ブロック１０４のうちの１つの記憶ブロック１０４（ここでは、一例として図１１に示すＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ）に書き込まれる。

複数の記憶ブロック１０４のうちの１つには、書込制御プログラム１０６が記憶されている。ＣＰＵ９４は、複数の記憶ブロック１０４の１つから書込制御プログラム１０６を読み出し、ＲＡＭ９８上で書込制御プログラム１０６を実行する。後述の書込制御処理（図１９参照）は、書込制御プログラム１０６がＣＰＵ９４によって実行されることで実現される。

複数の記憶ブロック１０４のうちの１つ（例えば、複数の記憶ブロック１０４のうち、先頭アドレスを含む記憶ブロック１０４）は、一例として図１１に示すように、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａである。ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、本開示の技術に係る「記憶ブロック」の一例である。すなわち、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、カートリッジメモリ１９の属性を示す情報（以下、「ＣＭ属性情報」とも称する）を記憶する記憶ブロックである。ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの記憶容量は、例えば、数十バイト程度（一例として、３２バイト）である。

ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、複数の記憶フィールドを含む。複数の記憶フィールドは、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１とスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２とに大別される。

一例として図１２に示すように、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１には、スペック依存情報１０８が記憶される。スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１は、例えば、カートリッジメモリ１９のベンダによって使用される記憶フィールドであり、磁気テープカートリッジ１０のベンダが入手した段階（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階）では、読出専用の記憶フィールドとされている。すなわち、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１は、読出専用の記憶フィールド（一例として図１２に示すハッチング領域を参照）であり、書き換え不可の状態にロックされている。

スペック依存情報１０８とは、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに依存する情報、換言すると、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに応じて定まる情報を指す。

スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２には、スペック非依存情報１１０が記憶される。スペック非依存情報１１０とは、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに依存しない情報、換言すると、カートリッジメモリ１９が搭載される磁気テープカートリッジ１０のスペックに応じて定まる情報以外の情報を指す。

本実施形態では、スペック非依存情報１１０の一例として、付随情報が適用されている。付随情報は、磁気テープカートリッジ１０に関する情報である。付随情報は、主に磁気テープカートリッジ１０のベンダによってカートリッジメモリ１９に与えられる付加的な情報である。換言すると、付随情報は、カートリッジメモリ１９のベンダによってカートリッジメモリ１９に与えられた基礎的な情報（例えば、スペック依存情報１０８）に対して、後追いで付け足される情報とも言える。磁気テープカートリッジ１０に関する情報の一例としては、記録情報に関する情報が挙げられる。付随情報の内容は、磁気テープカートリッジ１０のベンダによって磁気テープカートリッジ１０に対して与えられた要求毎に異なっている。

ここで、磁気テープカートリッジ１０のベンダによって磁気テープカートリッジ１０に対して与えられた要求とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０のベンダが磁気テープカートリッジ１０の納品先（例えば、顧客）から受けた注文に基づく要求を指す。磁気テープカートリッジ１０のベンダが受けた注文が磁気テープカートリッジ１０の納品先（例えば、顧客）毎に異なれば、磁気テープカートリッジ１０のベンダによって磁気テープカートリッジ１０に対して与えられる要求も異なり、これに伴って、付随情報の内容も異なる。

なお、ここでは、磁気テープカートリッジ１０に対して与えられた要求毎に付随情報の内容を異ならせる例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、付随情報の内容は一定であってもよい。

スペック非依存情報１１０は、非接触式読み書き装置５０とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたスペック非依存情報１１０は、ＣＰＵ９４によってスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれる。

一例として図１３に示すように、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１は、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄを有する。また、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２は、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａとＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂとに大別される。ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａは、本開示の技術に係る「種類依存記憶フィールド」の一例であり、ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂは、本開示の技術に係る「種類非依存記憶フィールド」の一例である。

識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄ、及びＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａの各記憶容量は、例えば、数バイト程度であり、ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂの記憶容量は、例えば、数十バイト程度である。

より詳しく説明すると、例えば、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａの記憶容量は、４バイトであり、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ及び記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃの各記憶容量は、１バイトであり、型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄ及びＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａの各記憶容量は、２バイトであり、ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂの記憶容量は、２２バイトである。

識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａには、カートリッジメモリ１９を特定可能な識別子１０８Ａ（例えば、シリアルナンバー）が記憶される。誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂには、識別子１０８Ａについての誤り検出用の符号１０８Ｂ（以下、「誤り検出符号１０８Ｂ」とも称する）が記憶される。誤り検出符号１０８Ｂの一例としては、チェックサムが挙げられる。

なお、ここでは、識別子１０８Ａについての誤り検出符号１０８Ｂが例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、誤り検出符号１０８Ｂは、スペック依存情報１０８のうちの少なくとも識別子１０８Ａを含む複数の情報についての誤り検出用の符号であってもよい。また、ここでは、誤り検出符号１０８Ｂの一例として、チェックサムを挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、パリティビット又はハミング符号等の他の誤り検出用の符号であってもよい。

記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃには、記憶容量関連情報１０８Ｃが記憶される。記憶容量関連情報１０８Ｃは、ＮＶＭ９６の記憶容量（例えば、複数のブロック１０４の記憶容量）に関連する情報である。型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄには、型式関連情報１０８Ｄが記憶される。型式関連情報１０８Ｄは、カートリッジメモリ１９の型式に関連する情報である。

スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２は、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａ及びＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂを有する。スペック非依存情報１１０（図１２参照）は、ＣＭ種類依存情報１１０ＡとＣＭ種類非依存情報１１０Ｂとに大別される。ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａには、ＣＭ種類依存情報１１０Ａが記憶される。ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂには、ＣＭ種類非依存情報１１０Ｂが記憶される。ＣＭ種類依存情報１１０Ａとは、カートリッジメモリ１９の種類に依存する情報を指す。すなわち、ＣＭ種類依存情報１１０Ａは、カートリッジメモリ１９の種類に応じて定められた情報である。ＣＭ種類非依存情報１１０Ｂとは、カートリッジメモリ１９の種類に依存する情報しない情報を指す。すなわち、ＣＭ種類非依存情報１１０Ｂは、カートリッジメモリ１９の種類とは無関係に定められた情報である。

ＣＭ種類依存情報１１０Ａは、非接触式読み書き装置５０（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階で使用される非接触式読み書き装置５０）とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたＣＭ種類依存情報１１０Ａは、ＣＰＵ９４によってＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａに記憶される。

ＣＭ種類非依存情報１１０Ｂは、非接触式読み書き装置５０（例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階で使用される非接触式読み書き装置５０）とカートリッジメモリ１９との間で非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたＣＭ種類非依存情報１１０Ｂは、ＣＰＵ９４によってＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂに記憶される。

一例として図１４に示すように、ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から書込制御プログラム１０６を読み出し、読み出した書込制御プログラム１０６をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行する書込制御プログラム１０６に従って書込部９４Ａ及びロック部９４Ｂとして動作することで、後述の書込制御処理（図１７参照）を実行する。

ところで、ＣＰＵ９４は、信号処理回路８８から入力されるコマンド信号に従って動作する。コマンド信号により示されるコマンドは、ポーリングコマンド、読出コマンド、又は書込コマンド等である。コマンド信号により示されるコマンドがポーリングコマンドの場合、ＣＰＵ９４は、ポーリング処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが読出コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、読出処理を実行する。コマンド信号により示されるコマンドが書込コマンドの場合、ＣＰＵ９４は、書込処理を実行する。

書込コマンドの種類は複数存在する。書込部９４Ａは、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号により示される書込コマンドの種類に応じた書込処理を実行する。書込コマンドの種類の一例としては、ＣＭ属性情報記憶ブロック用書込コマンド及び通常記憶ブロック用書込コマンドが挙げられる。ＣＭ属性情報記憶ブロック用書込コマンドは、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに対する情報の書き込みを指示するコマンドである。通常記憶ブロック用書込コマンドは、複数の記憶ブロック１０４のうち、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ以外の記憶ブロック１０４に対する情報の書き込みを指示するコマンドである。

本実施形態では、ＣＭ属性情報記憶ブロック用書込コマンドの一例として、スペック非依存情報書込コマンドが適用されている。一例として図１５に示すように、書込部９４Ａは、信号処理回路８８から入力されたコマンド信号により示される書込コマンドがスペック非依存情報書込コマンドの場合、スペック非依存情報書込コマンドに従ってスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に対して書き込みを行う。書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示される書込コマンドがスペック非依存情報書込コマンドの場合、コマンド信号にはスペック非依存情報１１０が含まれている。書込部９４Ａは、コマンド信号からスペック非依存情報１１０を抽出し、抽出したスペック非依存情報１１０をスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込む。

ロック部９４Ｂは、書込部９４ＡによるＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアを基本情報量単位でロックする。基本情報量単位は、バイト単位である。ロック部９４Ｂは、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアをロックすることで読出専用エリア（一例として図１５に示すハッチング領域を参照）を生成する。

ここでは、基本情報量単位の一例として、２バイトを適用している。なお、２バイトは、あくまでも一例に過ぎず、基本情報量単位は、２バイト未満（例えば、１バイト）であってもよいし、２バイトを超える情報量単位（例えば、３バイト）であってもよい。また、ここでは、基本情報量単位をバイト単位で規定しているが、本開示の技術はこれに限定されず、基本情報量単位は、ビット単位等の他の単位で規定されていてもよい。

ロック部９４Ｂは、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２から非ロック情報の情報量を取得する。ここで、非ロック情報とは、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に記憶されているスペック非依存情報１１０のうち、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に固定されていないスペック非依存情報１１０を指す。スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に固定されていないスペック非依存情報１１０とは、書き換え不可の状態にロックされていないスペック非依存情報１１０を意味する。

ロック部９４Ｂは、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２から取得した非ロック情報の情報量が基本情報量単位以上である場合に、基本情報量分の非ロック情報（例えば、２バイト分の非ロック情報）を書き換え不可の状態にロックする。

一例として図１６に示すように、スペック非依存情報書込コマンドは、ＣＭ種類依存情報書込コマンドとＣＭ種類非依存情報書込コマンドとに大別される。ＣＭ種類依存情報書込コマンドは、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａに対するＣＭ種類依存情報１１０Ａの書き込みを指示するコマンドである。ＣＭ種類非依存情報書込コマンドは、ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂに対するＣＭ種類非依存情報１１０Ｂの書き込みを指示するコマンドである。

ここで、コマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類依存情報書込コマンドの場合、書込部９４Ａは、ＣＭ種類依存情報書込コマンドに従ってＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａに書き込みを行う。書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類依存情報書込コマンドの場合、コマンド信号にはＣＭ種類依存情報１１０Ａが含まれている。書込部９４Ａは、コマンド信号からＣＭ種類依存情報１１０Ａを抽出し、抽出したＣＭ種類依存情報１１０ＡをＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａに書き込む。

また、コマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類非依存情報書込コマンドの場合、書込部９４Ａは、ＣＭ種類非依存情報書込コマンドに従ってＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂに書き込みを行う。書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類非依存情報書込コマンドの場合、コマンド信号にはＣＭ種類非依存情報１１０Ｂが含まれている。書込部９４Ａは、コマンド信号からＣＭ種類非依存情報１１０Ｂを抽出し、抽出したＣＭ種類非依存情報１１０ＢをＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂに書き込む。

次に、第１実施形態に係るカートリッジメモリ１９の作用について図１７を参照して説明する。

図１７には、磁気テープカートリッジ１０の製造工程でＣＰＵ９４によって実行される書込制御処理の流れの一例が示されている。図１７に示す書込制御処理の流れは、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体の動作方法」の一例である。

なお、ここでは、磁気テープカートリッジ１０の製造工程でＣＰＵ９４によって書込制御処理が実行される形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階等のように磁気テープカートリッジ１０のベンダによる作業段階で、ＣＰＵ９４によって書込制御処理が実行されるようにすればよい。

また、以下の図１７に係る書込制御処理の説明では、説明の便宜上、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１が読出専用の記憶フィールドとされており、かつ、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２にスペック非依存情報１１０が記憶されていない状態でカートリッジメモリ１９が磁気テープカートリッジ１０の製造工程に投入された場合について説明する。また、以下の図１７に係る書込制御処理の説明では、説明の便宜上、書込コマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信されることを前提として説明する。

図１７に示す書込制御処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、書込部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０から送信されたコマンド信号が信号処理回路８８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１０において、コマンド信号が信号処理回路８８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。ステップＳＴ１０において、コマンド信号が信号処理回路８８によって受信された場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１２へ移行する。

ステップＳＴ１２で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類依存情報書込コマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ１２において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類依存情報書込コマンドである場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１４へ移行する。ステップＳＴ１２において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類依存情報書込コマンド以外の書込コマンドである場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２０へ移行する。

ステップＳＴ１４で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号に含まれるＣＭ種類依存情報１１０Ａを、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａに書き込み、その後、書込制御処理はステップＳＴ１６へ移行する。

ステップＳＴ１６で、ロック部９４Ｂは、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に記憶されている非ロック情報の情報量が基本情報量以上であるか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に記憶されている非ロック情報の情報量が基本情報量以上の場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１８へ移行する。ステップＳＴ１６において、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に記憶されている非ロック情報の情報量が基本情報量未満の場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。なお、ここでは、ステップＳＴ１６の処理が実行される形態例を挙げて説明しているが、ステップＳＴ１６の処理が無くても本開示の技術は成立する。

ステップＳＴ１８で、ロック部９４Ｂは、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に記憶されている非ロック情報のうち、基本情報量分の非ロック情報をロックし、その後、書込制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。

なお、ここでは、ステップＳＴ１８で、基本情報量分の非ロック情報のエリアがロックされる形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ステップＳＴ１８の処理に代えて、ステップＳＴ１４又はステップＳＴ２２でスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれた非ロック情報の全てのエリアがロック部９４Ｂによってロックされる処理が実行されるようにしてもよい。すなわち、ステップＳＴ１４又はステップＳＴ２２で非ロック情報の書き込みが行われる毎に、非ロック情報の書き込みが行われた分のエリアだけロック部９４Ｂによってロックされるようにすればよい。例えば、２バイト分の非ロック情報の書き込みが行われた場合に、２バイト分の非ロック情報のエリアがロックされるようにすればよい。

ステップＳＴ２０で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類非依存情報書込コマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ２０において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類非依存情報書込コマンドである場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ２０において、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドがＣＭ種類非依存情報書込コマンド以外の書込コマンドである場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２４へ移行する。

ステップＳＴ２２で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号に含まれるＣＭ種類非依存情報１１０Ｂを、ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂに書き込み、その後、書込制御処理はステップＳＴ１６へ移行する。

ステップＳＴ２４で、書込部９４Ａは、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される書込コマンドに応じた書込処理を実行し、その後、書込制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。なお、ここで、書込コマンドに応じた書込処理とは、ＣＭ属性情報記憶ブロック用書込コマンド以外の書込コマンド（例えば、通常記憶ブロック用書込コマンド）を指す。

ステップＳＴ２６で、書込部９４Ａは、書込制御処理を終了する条件（以下、「書込制御処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。書込制御処理終了条件としては、例えば、磁界ＭＦが消失した、との条件、又は、書込制御処理を終了させるコマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信された、との条件が挙げられる。なお、磁界ＭＦが消失したか否かは、磁界ＭＦの強度を測定可能な磁界強度測定回路（図示省略）によって測定された磁界ＭＦの強度に基づいてＣＰＵ９４によって判定される。

ステップＳＴ２６において、書込制御処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ１０へ移行する。ステップＳＴ２６において、書込制御処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、書込制御処理が終了する。

以上説明したように、カートリッジメモリ１９では、ＮＶＭ９６がＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａを有する。ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａは、スペック非依存情報１１０が記憶されるスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２を含んでいる。そして、非接触通信が行われることによって非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたスペック非依存情報書込コマンドに従って、スペック非依存情報１１０（例えば、付随情報）がスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれる。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報が記憶されるＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａにスペック非依存情報１１０が記憶されない場合に比べ、ＮＶＭ９６に多くのスペック非依存情報１１０を記憶させることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアがロック部９４Ｂによって基本情報量単位でロックされる。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内のロックされるエリアを、書き込み量に従って少しずつ拡げることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアがロック部９４Ｂによってバイト単位でロックされる。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内のロックされるエリアを、書き込み量に従ってバイト単位で拡げることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアがロック部９４Ｂによってロックされることで読出専用エリアが生成される。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアのみを読出専用エリアにすることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１が、読出専用の記憶フィールドとされている。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内のスペック依存記憶フィールド１０４Ａ１に記憶されているスペック依存情報１０８に影響を与えることなく、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに対してスペック非依存情報１１０を記憶させることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、上述したように、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１が、読出専用の記憶フィールドとされている。また、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１は、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄを有する。従って、本構成によれば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ、及び型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄに記憶される情報に影響を与えることなく、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに対してスペック非依存情報１１０を記憶させることができる。

更に、カートリッジメモリ１９では、スペック非依存情報の一例として、付随情報が適用されている。付随情報は、磁気テープカートリッジ１０に関する情報である。付随情報の内容は、磁気テープカートリッジ１０のベンダによって磁気テープカートリッジ１０に対して与えられた要求毎に異なっている。従って、本構成によれば、磁気テープカートロッジ１０に対して与えられた要求毎に内容が異なっている付随情報をＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａに記憶させることができる。

なお、上記第１実施形態では、書込部９４Ａが、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａにＣＭ種類依存情報１１０Ａを書き込み、かつ、ＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂにＣＭ種類非依存情報１１０Ｂを書き込む形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１８に示すように、書込部９４Ａは、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａ及びＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂのうちのＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂのみにスペック非依存情報１１０、すなわち、ＣＭ種類非依存情報１１０Ｂを書き込むようにしてもよい。なお、図１８に示す例では、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａが読出専用エリアとされている。ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａが読出専用エリアとされるタイミング、すなわち、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａがロックされるタイミングは、例えば、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１がロックされるタイミングと同じタイミングである。ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａのロックは、例えば、磁気テープカートリッジ１０のベンダがカートリッジメモリ１９を入手する前段階（例えば、磁気テープカートリッジ１０の製造工程に投入される前段階）に、カートリッジメモリ１９のベンダによって実行される。

ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａ及びＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂのうちのＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂのみにスペック非依存情報１１０が書き込まれるようにする場合、一例として図１９に示す書込制御処理がＣＰＵ９４によって実行される。図１９に示すフローチャートは、図１７に示すステップＳＴ２０及びＳＴ２２の各処理を有しない点が図１７に示すフローチャートと異なる。すなわち、図１９に示す例では、ステップＳＴ１２において、判定が否定された場合、書込制御処理はステップＳＴ２４へ移行する。

このように、図１８及び図１９に示す例では、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａ及びＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂのうちのＣＭ種類非依存記憶フィールド１０４Ａ２ｂのみにスペック非依存情報１１０が書き込まれる。そして、ＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａは、読出専用エリアとされている。従って、本構成によれば、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２内のＣＭ種類依存記憶フィールド１０４Ａ２ａに記憶されているＣＭ種類依存情報１１０Ａに影響を与えることなく、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に対してスペック非依存情報１１０（図１８に示す例では、ＣＭ種類非依存情報１１０Ｂ）を記憶させることができる。

なお、本開示の技術は、上述した構成に限定されない。例えば、この構成の一部を必要に応じて削除したり、この構成以外の構成を必要に応じて追加したりしてもよい。

［第２実施形態］
上記第１実施形態では、非ロック情報がロックされる基本情報量単位が固定されている形態例について説明したが、本第２実施形態では、基本情報量単位が変動する形態例について説明する。なお、本第２実施形態では、上記第１実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。本第２実施形態では、主に、上記第１実施形態と異なる箇所について説明する。

一例として図２０に示すように、ＮＶＭ９６には、書込制御プログラム１０６の他に、基本情報量単位変更プログラム１１２が記憶されている。なお、以下では、説明の便宜上、書込制御プログラム１０６と基本情報量単位変更プログラム１１２とを区別して説明する必要がない場合、「プログラムＰＧ」と称する。

ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から基本情報量単位変更プログラム１１２を読み出し、読み出した基本情報量単位変更プログラム１１２をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行する基本情報量単位変更プログラム１１２に従って切替部９４Ｃ及び変更部９４Ｄとして動作することで、後述の基本情報量単位変更処理（図２２参照）を実行する。なお、以下では、説明の便宜上、書込制御処理と基本情報量単位変更処理とを区別して説明する必要がない場合、「カートリッジメモリ側処理」とも称する。

一例として図２１に示すように、ＮＶＭ９６には、フラグ設定領域１０４Ｂが設けられている。フラグ設定領域１０４Ｂには、基本情報量単位の変更を制限することを示すフラグ（以下、単に「フラグ」とも称する）が設定される。

なお、以下では、フラグを設定することを「フラグをオンする」とも称し、フラグの設定状態を解除することを「フラグをオフする」とも称する。また、ここでは、フラグ設定領域１０４ＢがＮＶＭ９６に設けられている形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されず、フラグ設定領域１０４ＢはＲＡＭ９８又はＣＰＵ９４の内部メモリ（図示省略）に設けられていてもよい。

ＣＰＵ９４には、信号処理回路８８から、フラグオンコマンドを示すコマンド信号、フラグオフコマンドを示すコマンド信号、及び基本情報量単位変更コマンドを示すコマンド信号が選択的に入力される。フラグオンコマンドは、フラグのオンを指示するコマンドである。フラグオフコマンドは、フラグのオフを指示するコマンドである。基本情報量単位変更コマンドは、基本情報量単位の変更を指示するコマンドである。以下では、説明の便宜上、フラグオンコマンドとフラグオフコマンドとを区別して説明する必要がない場合、「フラグ切替コマンド」とも称する。

切替部９４Ｃは、信号処理回路８８から与えられたフラグ切替コマンドに応じて、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグのオンとオフとを切り替える。フラグは、オフからオンに切り替えられた後、オンからオフに切り替えられないように切替部９４Ｃによってフラグがオンに固定される。

切替部９４Ｃは、フラグがオフの状態で、フラグオンコマンドが与えられた場合、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグをオンする。また、切替部９４Ｃは、フラグがオンの状態で、かつ、フラグがオンに固定されていない状態で、フラグオフコマンドが与えられた場合、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグをオフする。なお、ここで、フラグがオンの状態で、かつ、フラグがオンに固定されていない状態の一例としては、初期設定時のフラグがオンの状態が挙げられる。

変更部９４Ｄは、基本情報量単位変更コマンドに従って、基本情報量単位を変更する。変更部９４Ｄは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオフの場合、基本情報量単位を無制限に変更する。すなわち、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオフの場合、基本情報量単位の変更範囲は無制限となり、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂで用いられる基本情報量単位を、基本情報量単位変更コマンドに応じた基本情報量単位に変更する。

変更部９４Ｄは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオンの場合、ロック部９４で用いられている基本情報量単位の現在値を下限として基本情報量単位を変更する。すなわち、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオンの場合、基本情報量単位の変更範囲は、ロック部９４で用いられている基本情報量単位の現在値を下限として制限され、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂで用いられる基本情報量単位を、制限された範囲内で、基本情報量単位変更コマンドに応じた基本情報量単位に変更する。

例えば、ロック部９４Ｂで用いられている基本情報量単位の現在値が２バイトの場合、仮に基本情報量単位変更コマンドによって１バイトの基本情報量単位への変更が指示されたとしても、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂで用いられている基本情報量単位の２バイト単位を維持する。また、ロック部９４Ｂで用いられている基本情報量単位の現在値が２バイトであり、かつ、基本情報量単位変更コマンドによって３バイトの基本情報量単位への変更が指示された場合、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂで用いられている基本情報量単位を２バイト単位から３バイト単位に変更する。

ロック部９４Ｂは、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に記憶されているスペック非依存情報１１０のうちの非ロック情報を、変更部９４Ｄによって変更された基本情報量単位でロックする。

次に、第２実施形態に係るカートリッジメモリ１９の作用について図２２Ａ及び図２２Ｂを参照して説明する。

図２２Ａ及び図２２Ｂには、磁気テープカートリッジ１０の製造工程でＣＰＵ９４によって実行される基本情報量単位変更処理の流れの一例が示されている。

なお、以下の図２２Ａ及び図２２Ｂに係る基本情報量単位変更処理の説明では、説明の便宜上、フラグオンコマンドを示すコマンド信号、フラグオフコマンドを示すコマンド信号、及び基本情報量単位変更コマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に選択的に送信されることを前提として説明する。

図２２Ａに示す基本情報量単位変更処理では、先ず、ステップＳＴ５０で、切替部９４Ｃは、非接触式読み書き装置５０から送信されたコマンド信号が信号処理回路８８によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ５０において、コマンド信号が信号処理回路８８によって受信されていない場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ７４へ移行する。ステップＳＴ５０において、コマンド信号が信号処理回路８８によって受信された場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ５２へ移行する。

ステップＳＴ５２で、切替部９４Ｃは、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがフラグオンコマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ５２において、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがフラグオンコマンドでない場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ６０へ移行する。ステップＳＴ５２において、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがフラグオンコマンドである場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ５４へ移行する。

ステップＳＴ５４で、切替部９４Ｃは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオフされているか否かを判定する。ステップＳＴ５４において、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオンされている場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ７４へ移行する。ステップＳＴ５４において、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオフされている場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ５６へ移行する。

ステップＳＴ５６で、切替部９４Ｃは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグをオンし、その後、基本情報量変更処理はステップＳＴ５８へ移行する。

ステップＳＴ５８で、切替部９４Ｃは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグをオンに固定し、その後、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ７４へ移行する。

ステップＳＴ６０で、切替部９４Ｃは、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがフラグオフコマンドであるか否かを判定する。ステップＳＴ６０において、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがフラグオフコマンドでない場合（基本情報量単位変更コマンドである場合）は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理は、図２２Ｂに示すステップＳＴ６６へ移行する。ステップＳＴ６０において、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示されるコマンドがフラグオフコマンドである場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ６２へ移行する。

ステップＳＴ７２で、切替部９４Ｃは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグが未固定であるか否かを判定する。ステップＳＴ７２において、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグが固定されている場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ７４へ移行する。ステップＳＴ７２において、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグが固定されていない場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ６４へ移行する。

ステップＳＴ６４で、切替部９４Ｃは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグをオフし、その後、基本情報量変更処理はステップＳＴ７４へ移行する。

図２２Ｂに示すステップＳＴ６６で、変更部９４Ｄは、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される基本情報量単位変更コマンドによって指示された基本情報量単位が、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位よりも小さいか否かを判定する。ステップＳＴ６６において、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される基本情報量単位変更コマンドによって指示された基本情報量単位が、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位以上の場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ７０へ移行する。ステップＳＴ６６において、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される基本情報量単位変更コマンドによって指示された基本情報量単位が、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位よりも小さい場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ６８へ移行する。

ステップＳＴ６８で、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位を指示通りに変更する。すなわち、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位を、ステップＳＴ５０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される基本情報量単位変更コマンドによって指示された基本情報量単位に変更する。ステップＳＴ６８の処理が実行された後、基本情報量単位変更処理は、図２２Ａに示すステップＳＴ７４へ移行する。

ステップＳＴ７０で、変更部９４Ｄは、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオフであるか否かを判定する。ステップＳＴ７０において、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオフである場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ６８へ移行する。ステップＳＴ７０において、フラグ設定領域１０４Ｂ内のフラグがオンである場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ７２へ移行する。

ステップＳＴ７２で、変更部９４Ｄは、現在の基本情報量単位を下限として基本情報量単位を変更する。すなわち、変更部９４Ｄは、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位を、ロック部９４Ｂによって現在用いられている基本情報量単位を下限として、ステップＳＴ１０で信号処理回路８８によって受信されたコマンド信号により示される基本情報量単位変更コマンドによって指示された基本情報量単位に変更する。ステップＳＴ７２の処理が実行された後、基本情報量単位変更処理は、図２２Ａに示すステップＳＴ７４へ移行する。

図２２Ａに示すステップＳＴ７４で、変更部９４Ｄは、基本情報量単位変更処理を終了する条件（以下、「基本情報量単位変更処理終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。基本情報量単位変更処理終了条件としては、例えば、磁界ＭＦが消失した、との条件、又は、基本情報量単位変更処理を終了させるコマンドを示すコマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に送信された、との条件が挙げられる。なお、磁界ＭＦが消失したか否かは、磁界ＭＦの強度を測定可能な磁界強度測定回路（図示省略）によって測定された磁界ＭＦの強度に基づいてＣＰＵ９４によって判定される。

ステップＳＴ７４において、基本情報量単位変更処理終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、基本情報量単位変更処理はステップＳＴ５０へ移行する。ステップＳＴ７４において、基本情報量単位変更処理終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、基本情報量単位変更処理が終了する。

以上説明したように、本第２実施形態では、フラグがオフされている場合に、基本情報量単位が無制限に変更され、フラグがオンされている場合に、基本情報量単位の現在値を下限として基本情報量単位が変更される。従って、本構成によれば、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２内でロックされるエリアの広さを変更することができる。

また、本第２実施形態では、フラグがオフからオンに切り替えられた後、フラグがオンからオフに切り替えられないようにフラグがオンに固定される。従って、本構成によれば、一旦書き込まれた非ロック情報が、現在設定されている基本情報量単位未満の単位で書き換えられることを阻止することができる。

なお、本開示の技術は、上記第２実施形態で説明した構成に限定されない。例えば、この構成の一部を必要に応じて削除したり、この構成以外の構成（例えば、図１〜図１９で説明した実施形態の構成）を必要に応じて追加したりしてもよい。

上記各実施形態では、非ロック情報が基本情報量単位でロックされる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ（例えば、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２）内の初期値（例えば、００）以外の値の書き込みが行われたエリアがロック部９４Ｂによってロックされるようにしてもよい。

この場合、例えば、図２３に示す書込制御処理がＣＰＵ９４によって実行される。図２３に示すフローチャートは、ステップＳＴ１６に代えてステップＳＴ１６Ａを有する点、及びステップＳＴ１８に代えてステップＳＴ１８Ａを有する点が図１７に示すフローチャートと異なる。

ステップＳＴ１６Ａで、ロック部９４Ｂは、ステップＳＴ１４又はステップＳＴ２２でスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれた非ロック情報が初期値以外の値であるか否かを判定する。ステップＳＴ１６Ａにおいて、ステップＳＴ１４又はステップＳＴ２２でスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれた非ロック情報が初期値である場合は、判定が否定されて、書込制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。ステップＳＴ１６Ａにおいて、ステップＳＴ１４又はステップＳＴ２２でスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれた非ロック情報が初期値以外の値である場合は、判定が肯定されて、書込制御処理はステップＳＴ１８Ａへ移行する。

ステップＳＴ１８Ａで、ロック部９４Ｂは、ステップＳＴ１４又はステップＳＴ２２でスペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に書き込まれた非ロック情報のエリアをロックし、その後、書込制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。

このように、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の初期値以外の値の書き込みが行われたエリアがロック部９４Ｂによってロックされることで、記憶ブロック１０４内のロックされるエリアを、非ロック情報の書き込み量に従って拡げることができる。

なお、本開示の技術は、図２３に示す例、すなわち、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の初期値以外の値の書き込みが行われたエリアがロック部９４Ｂによってロックされる、という構成に限定されない。例えば、この構成の一部を必要に応じて削除したり、この構成以外の構成（例えば、図１〜図２２で説明した実施形態の構成）を必要に応じて追加したりしてもよい。

また、上記各実施形態では、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２内のエリアがロックされる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、先ず、スペック依存記憶フィールド１０４Ａ１に対して書き込みが行われ、次いで、スペック非依存記憶フィールド１０４Ａ２に対して書き込みが行われ、書き込みが行われたエリアが、書き込みが行われた順にロック部９４Ｂによってロックされるようにしてもよい。この場合、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの先頭アドレスから末尾アドレスにかけて順に書込部９４Ａによって書き込みが行われるようにし、先頭アドレスのエリアから末尾アドレスのエリアにかけて順次にロック部９４Ｂによってロックされる形態例が考えられる。

より詳しく説明すると、例えば、書込部９４Ａが、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの先頭アドレスから順に書き込みを行い、ロック部９４Ｂが、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の初期値以外の値の書き込みが行われたアドレスから特定されるエリアをロックする。

この場合、コマンド信号により示される書込コマンドとして、スペック依存情報書込コマンドの他に、スペック非依存情報書込コマンドが信号処理回路８８から書込部９４Ａに与えられる。書込部９４Ａは、スペック依存情報書込コマンドに従ってスペック依存記憶フィールド１０４Ａ１に書き込みを行う。スペック依存情報書込コマンドは、識別子書込コマンド、誤り検出符号書込コマンド、記憶容量関連情報書込コマンド、及び型式関連情報書込コマンドである。

一例として図２４に示すように、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが識別子書込コマンドの場合、コマンド信号には識別子１０８Ａが含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号から識別子１０８Ａを抽出し、抽出した識別子１０８Ａを識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａに書き込む。ここで、ロック部９４Ｂは、初期値以外の値の書き込みが行われたエリア（図２４に示す例では、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａ）をロックする。図２４に示す例では、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａがロックされるので、識別子記憶フィールド１０４Ａ１ａが情報の書き換え不可の読出専用エリアに変更される。

一例として図２５に示すように、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが誤り検出符号書込コマンドの場合、書込部９４Ａは、識別子１０８Ａについての誤り検出符号１０８Ｂを算出し、算出した誤り検出符号１０８Ｂを誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂに書き込む。ここで、ロック部９４Ｂは、初期値以外の値の書き込みが行われたエリア（図２５に示す例では、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂ）をロックする。図２５に示す例では、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂがロックされるので、誤り検出符号記憶フィールド１０４Ａ１ｂが情報の書き換え不可の読出専用エリアに変更される。

また、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが記憶容量関連情報書込コマンドの場合、コマンド信号には記憶容量関連情報１０８Ｃが含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号から記憶容量関連情報１０８Ｃを抽出し、抽出した記憶容量関連情報１０８Ｃを記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃに書き込む。ここで、ロック部９４Ｂは、初期値以外の値の書き込みが行われたエリア（図２５に示す例では、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃ）をロックする。図２５に示す例では、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃがロックされるので、記憶容量関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｃが情報の書き換え不可の読出専用エリアに変更される。

更に、書込部９４Ａに入力されたコマンド信号により示されるスペック依存情報書込コマンドが型式関連情報書込コマンドの場合、コマンド信号には型式関連情報１０８Ｄが含まれている。この場合、書込部９４Ａは、コマンド信号から型式関連情報１０８Ｄを抽出し、抽出した型式関連情報１０８Ｄを型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄに書き込む。ここで、ロック部９４Ｂは、初期値以外の値の書き込みが行われたエリア（図２５に示す例では、型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄ）をロックする。図２５に示す例では、型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄがロックされるので、型式関連情報記憶フィールド１０４Ａ１ｄが情報の書き換え不可の読出専用エリアに変更される。

このように、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの先頭アドレスから順に書き込みが行われ、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の初期値以外の値の書き込みが行われたアドレスから特定されるエリアがロック部９４Ｂによってロックされることで、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の書き込みが行われたエリアのみをロックすることができる。

なお、本開示の技術は、図２４及び図２５に示す例、すなわち、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａの先頭アドレスから順に書き込みが行われ、ＣＭ属性情報記憶ブロック１０４Ａ内の初期値以外の値の書き込みが行われたアドレスから特定されるエリアがロック部９４Ｂによってロックされる、という構成に限定されない。例えば、この構成の一部を必要に応じて削除したり、この構成以外の構成（例えば、図１〜図２３で説明した実施形態の構成）を必要に応じて追加したりしてもよい。

また、上記第１実施形態では、ＮＶＭ９６に書込制御プログラム１０６が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２６に示すように、書込制御プログラム１０６が記憶媒体３００に記憶されていてもよい。また、上記第２実施形態では、ＮＶＭ９６に基本情報量単位変更プログラム１１２が記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２６に示すように、基本情報量単位変更プログラム１１２が記憶媒体３００に記憶されていてもよい。

記憶媒体３００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体３００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。記憶媒体３００に記憶されているプログラムＰＧは、コンピュータ８４にインストールされる。ＣＰＵ９４は、プログラムＰＧに従ってカートリッジメモリ側処理を実行する。図２６に示す例では、ＣＰＵ９４は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ８４に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部にプログラムＰＧを記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じてプログラムＰＧがダウンロードされ、コンピュータ８４にインストールされるようにしてもよい。

図２６に示す例では、コンピュータ８４が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ８４に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ８４に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。

カートリッジメモリ側処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、カートリッジメモリ側処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することでカートリッジメモリ側処理を実行する。

カートリッジメモリ側処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、カートリッジメモリ側処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、カートリッジメモリ側処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、カートリッジメモリ側処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、カートリッジメモリ側処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記のカートリッジメモリ側処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０，１５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８６ クロック信号生成器
８８ 信号処理回路
９２ 共振回路
９４ ＣＰＵ
９４Ａ 書込部
９４Ｂ ロック部
９４Ｃ 切替部
９４Ｄ 変更部
９６ ＮＶＭ
９８ ＲＡＭ
９９ バス
１０４ 記憶ブロック
１０４Ａ ＣＭ属性情報記憶ブロック
１０４Ａ１ スペック依存記憶フィールド
１０４Ａ１ａ 識別子記憶フィールド
１０４Ａ１ｂ 誤り検出符号記憶フィールド
１０４Ａ１ｃ 記憶容量関連情報記憶フィールド
１０４Ａ１ｄ 型式関連情報記憶フィールド
１０４Ａ２ スペック非依存記憶フィールド
１０４Ａ２ａ ＣＭ種類依存記憶フィールド
１０４Ａ２ｂ ＣＭ種類非依存記憶フィールド
１０４Ｂ フラグ設定領域
１０６ 書込制御処理プログラム
１０８ スペック依存情報
１０８Ａ 識別子
１０８Ｂ 誤り検出符号
１０８Ｃ 記憶容量関連情報
１０８Ｄ 型式関連情報
１１０ スペック非依存情報
１１０Ａ ＣＭ種類依存情報
１１０Ｂ ＣＭ種類非依存情報
１１２ 基本情報量単位変更プログラム
３００ 記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
ＰＧ プログラム
θ 傾斜角度

Claims (14)

1. プロセッサと、
   前記プロセッサに内蔵又は接続されたメモリと、を備え、
   外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体であって、
   前記メモリは、前記非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックを有し、
   前記複数の記憶フィールドは、前記非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含み、
   前記プロセッサは、
   前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、前記磁気テープカートリッジに関する付随情報を前記スペック非依存記憶フィールドに書き込み、
   前記非接触式通信媒体属性情報記憶ブロック内の書き込みが行われたエリアを基本情報量単位でロックし、
   前記基本情報量単位の変更を制限することを示すフラグが設定されていない場合に、前記基本情報量単位を無制限に変更する
   非接触式通信媒体。
2. 前記基本情報量単位はバイト単位である請求項１に記載の非接触式通信媒体。
3. 前記プロセッサは、前記フラグが設定された場合に、前記基本情報量単位の現在値を下限として前記基本情報量単位を変更する請求項１又は請求項２に記載の非接触式通信媒体。
4. 前記フラグは、非設定状態から設定状態に切り替えられた後、前記設定状態から前記非設定状態に切り替えられない請求項１から請求項３の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
5. 前記プロセッサは、
   前記非接触式通信媒体属性情報記憶ブロック内の初期値以外の値の書き込みが行われたエリアをロックする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
6. 前記プロセッサは、
   前記非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックの先頭アドレスから順に書き込みを行い、
   前記エリアは、前記非接触式通信媒体属性情報記憶ブロック内の前記初期値以外の値の書き込みが行われたアドレスから特定されるエリアである請求項５に記載の非接触式通信媒体。
7. 前記プロセッサは、前記エリアをロックすることで読出専用エリアを生成する請求項１から請求項６の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
8. 前記複数の記憶フィールドは、前記スペックに依存する情報が記憶されるスペック依存記憶フィールドと、前記スペック非依存記憶フィールドを含み、
   前記スペック依存記憶フィールドは、読出専用の記憶フィールドである請求項１から請求項７の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
9. 前記スペック依存記憶フィールドは、前記非接触式通信媒体を特定可能な識別子を記憶する識別子記憶フィールド、前記識別子を含む情報についての誤り検出用の符号が記憶される誤り検出符号記憶フィールド、前記メモリの記憶容量に関する情報が記憶される記憶容量関連情報記憶フィールド、及び前記非接触式通信媒体の型式に関する情報が記憶される型式関連情報記憶フィールドを有する請求項８に記載の非接触式通信媒体。
10. 前記スペック非依存記憶フィールドは、前記非接触式通信媒体の種類に依存する情報が記憶される種類依存記憶フィールド、及び前記種類に依存しない情報が記憶される種類非依存記憶フィールドを有し、
    前記プロセッサは、前記種類非依存記憶フィールドのみに前記付随情報を書き込む請求項１から請求項９の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
11. 前記付随情報は、前記磁気テープカートリッジに対して与えられた要求毎に内容が異なっている請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の非接触式通信媒体。
12. 請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
    磁気テープと、を備え、
    前記メモリは、前記磁気テープに関する管理情報を記憶している
    磁気テープカートリッジ。
13. プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体の動作方法であって、
    前記メモリは、前記非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックを有し、
    前記複数の記憶フィールドは、前記非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含み、
    前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、前記磁気テープカートリッジに関する付随情報を前記スペック非依存記憶フィールドに書き込み、
    前記非接触式通信媒体属性情報記憶ブロック内の書き込みが行われたエリアを基本情報量単位でロックし、
    前記基本情報量単位の変更を制限することを示すフラグが設定されていない場合に、前記基本情報量単位を無制限に変更することを含む、
    非接触式通信媒体の動作方法。
14. プロセッサに内蔵又は接続されたメモリを備え、外部通信装置との間で非接触通信を行う非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、
    前記メモリは、前記非接触式通信媒体の属性に関する情報が記憶される非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックであって、複数の記憶フィールドを含む非接触式通信媒体属性情報記憶ブロックを有し、
    前記複数の記憶フィールドは、前記非接触式通信媒体が搭載される磁気テープカートリッジのスペックに依存しない情報が記憶されるスペック非依存記憶フィールドを含み、
    前記処理は、前記非接触通信が行われることによって前記外部通信装置から前記非接触式通信媒体に与えられた指示に従って、前記磁気テープカートリッジに関する付随情報を前記スペック非依存記憶フィールドに書き込み、
    前記非接触式通信媒体属性情報記憶ブロック内の書き込みが行われたエリアを基本情報量単位でロックし、
    前記基本情報量単位の変更を制限することを示すフラグが設定されていない場合に、前記基本情報量単位を無制限に変更することを含む、
    プログラム。

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