JP7376437B2 - 非接触式記憶媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラム - Google Patents

Description

本開示の技術は、非接触式記憶媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、磁気テープカートリッジが開示されている。磁気テープカートリッジには、磁気テープが収容されている。磁気テープカートリッジは、テープドライブ装置に装填されて使用される。テープドライブ装置には、ヘッドユニットが搭載されている。ヘッドユニットは、磁気テープに対してデータの書き込み及び読み出しを選択的に行う。

特許文献１に記載の磁気テープカートリッジには、カートリッジメモリが搭載されている。カートリッジメモリには、磁気テープを管理する情報が格納されている。カートリッジメモリは、基板上にアンテナコイル及びＩＣチップ等が搭載された非接触式通信媒体である。特許文献１では、非接触式通信媒体として、ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｄｅｔｉｆｅｒ）タグが例示されている。テープドライブ装置にはリーダライタが搭載されている。リーダライタは、カートリッジメモリとの間で無線通信を行うことでカートリッジメモリに対して非接触で情報の読み書きを行う。

国際公開第２０１９／１９８３２３号

本開示の技術に係る一つの実施形態は、磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体に備えられているＩＣチップが１つの通信規格のみを用いて通信先と非接触式の通信を行う場合に比べ、磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体に対して、様々な通信規格の通信先と非接触式の通信を行わせることができる非接触式記憶媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体であって、通信先から与えられた磁界を介して通信先と電磁誘導で結合するアンテナに接続されており、磁界を介して通信先と通信を行うＩＣチップを備え、ＩＣチップが、複数の通信規格に対応しており、複数の通信規格を選択的に用いて通信を行う非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第２の態様は、通信先が、複数の通信装置の何れかであり、複数の通信装置が、複数の通信規格のうちの何れかを有する第１の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第３の態様は、ＩＣチップが、磁界を介して通信先から与えられた通信コマンドの通信規格を判定する判定回路を有し、ＩＣチップが、複数の通信規格から判定回路での判定結果に応じて選択した通信規格である適応通信規格を用いて通信を行う第２の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第４の態様は、ＩＣチップが、判定回路によって通信規格が判定された通信コマンドをデコードし、通信コマンドをデコードすることで得られた指令に対応する応答信号を、適応通信規格を用いて磁界を介して通信先に送信する第３の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第５の態様は、ＩＣチップが、既定条件を満足する迄の間、適応通信規格を用いて通信先と通信を行う第４の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第６の態様は、既定条件が、ＩＣチップを駆動させる電力が不足する、という条件を含む第５の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第７の態様は、ＩＣチップが、不揮発性メモリを有し、判定結果に応じて選択した適応通信規格を示す適応通信規格情報を不揮発性メモリに記憶し、不揮発性メモリに記憶されている適応通信規格情報により示される適応通信規格を用いて通信先と通信を行い、電力が不足したことを条件に不揮発性メモリ内の適応通信規格情報を消去する第６の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第８の態様は、ＩＣチップが、揮発性メモリを有し、判定結果に応じて選択した適応通信規格を示す適応通信規格情報を揮発性メモリに記憶し、既定条件は、電力の不足に起因して揮発性メモリから適応通信規格情報が消去された、という条件を含む第６の態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第９の態様は、ＩＣチップが、既定条件を満足する迄の間、判定回路による判定をスキップする第５の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第１０の態様は、通信コマンドのデータ長が、通信規格毎に異なっており、判定回路が、データ長に基づいて通信コマンドの通信規格を判定する第３の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第１１の態様は、通信コマンドが、判定回路による通信規格の判定のみに用いられる特別コマンドである第３の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第１２の態様は、通信コマンドが、ポーリングコマンドである第３の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第１３の態様は、通信先が、磁気テープカートリッジが装填されるドライブに搭載されているリーダライタである第１の態様から第１２の態様の何れか１つの態様に係る非接触式記憶媒体である。

本開示の技術に係る第１４の態様は、第１の態様から第１３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式記憶媒体と、磁気テープと、を備え、非接触式記憶媒体が、磁気テープに関する情報を記憶する磁気テープカートッジである。

本開示の技術に係る第１５の態様は、磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体の動作方法であって、非接触式記憶媒体が、通信先から与えられた磁界を介して通信先と電磁誘導で結合するアンテナに接続されており、磁界を介して通信先と通信を行うＩＣチップを備え、ＩＣチップが、複数の通信規格に対応しており、ＩＣチップが、複数の通信規格を選択的に用いて通信を行うことを含む、非接触式記憶媒体の動作方法である。

本開示の技術に係る第１６の態様は、磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体に対して適用されるコンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、非接触式記憶媒体が、通信先から与えられた磁界を介して通信先と電磁誘導で結合するアンテナに接続されており、磁界を介して通信先と通信を行うＩＣチップを備え、ＩＣチップが、複数の通信規格に対応しており、処理が、ＩＣチップが複数の通信規格を選択的に用いて通信を行うことを含む処理である、プログラムである。

磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジの下ケースの内面に設けられた支持部材の一例を示す側面視断面図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに対して非接触式読み書き装置から磁界が付与されている態様の一例を示す概念図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の裏面の構造の一例を示す概略底面図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの基板の表面の構造の一例を示す概略平面図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリの回路構成の一例を示す概略回路図である。 磁気テープカートリッジ内のカートリッジメモリに搭載されているＩＣチップのコンピュータのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 ＣＰＵの機能の一例を示すブロック図である。 非接触式読み書き装置、通信部、判定部、及び設定部の処理内容の一例を示すブロック図である。 設定部の処理内容の一例を示すブロック図である。 通信部の処理内容の一例を示すブロック図である。 通信部及び設定部の処理内容の一例を示すブロック図である。 通信規格設定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 ＲＡＭに対して現設定パラメータを記憶させる場合の処理内容の一例を示すブロック図である。 通信コマンドのデータ長から通信規格が判定される場合の態様の一例を示すブロック図である。 通信規格設定プログラムが記憶されている記憶媒体からコンピュータに通信規格設定プログラムがインストールされる態様の一例を示すブロック図である。

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、非接触式通信媒体の動作方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＤＲＡＭとは、“Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＲＡＭとは、“Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Ｎｏｎ－Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－ｃｈｉｐ”の略称を指す。ＩＣとは、“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ”の略称を指す。ＬＴＯとは、“Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ－Ｏｐｅｎ”の略称を指す。ＩＢＭとは、“Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ”の略称を指す。

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図４参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

また、以下の説明では、磁気テープカートリッジ１０の規格としてＬＴＯを例に挙げて説明するが、これはあくまでも一例に過ぎず、ＩＢＭ３５９２等の他の規格であってもよい。

一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１０にはカートリッジメモリ１９が搭載されている。図２に示す例では、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。なお、カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式記憶媒体」の一例である。

カートリッジメモリ１９には、磁気テープＭＴに関する情報（図示省略）が記憶されている。磁気テープＭＴに関する情報とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０を管理する管理情報（図示省略）を指す。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ１９に関する情報、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が含まれている。

カートリッジメモリ１９は、外部通信装置（図示省略）との間で非接触通信を行う。外部通信装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図４に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図４～図６に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

外部通信装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部通信装置から与えられた磁界ＭＦ（図５参照）に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部通信装置と通信を行うことで外部通信装置との間で各種情報の授受を行う。

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面に一体化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、第２傾斜台２０Ｂは、傾斜面２０Ｂ１を有しており、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端部の位置を規制する。

一例として図３に示すように、底板１６Ａの外面には基準面１６Ａ１が形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。ここで、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの平行を指す。支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１（図２参照）の傾斜角度は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよい。

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、基板２６の裏面２６Ａを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ａを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ａの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に接触しており、基板２６の表面２６Ｂは、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１側に露出している。

上ケース１４は、複数のリブ２４を備えている。複数のリブ２４は、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されている。複数のリブ２４は、上ケース１４の天板１４Ａの内面１４Ａ１から下側に突設されており、各リブ２４の先端面２４Ａは、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１（図２参照）に対応した傾斜面を有する。すなわち、各リブ２４の先端面２４Ａは、基準面１６Ａ１に対して４５度に傾斜している。

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ２４の先端面２４Ａは、基板２６に対して表面２６Ｂ側から接触し、基板２６は、各リブ２４の先端面２４Ａと支持部材２０の傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１で挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ２４によって規制される。

一例として図４に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアスキャン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。また、ここでは、読取ヘッド３６による記録情報の読み取りが例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、書込ヘッドによってデータが磁気テープＭＴに書き込まれるようにしてもよいし、磁気ヘッドによってデータが磁気テープＭＴに書き込まれたり、データが磁気テープＭＴから読み取られたりするようにしてもよい。

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体の動作を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように送出モータ４０を回転させる。送出モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが順方向に走行するように巻取モータ４４を回転させる。巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

なお、磁気テープＭＴをカートリッジリール１８に巻き戻す場合には、制御装置３８は、磁気テープＭＴが逆方向に走行するように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、本開示の技術に係る「通信先」及び「リーダライタ」の一例である。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が装填された状態の磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ａに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に、磁気テープカートリッジ１０が到達した状態を指す。

図４に示す例では、非接触式読み書き装置５０が磁気テープドライブ３０に搭載されている態様例が示されているが、本開示の技術はこれに限定されない。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階においても使用される。この場合、例えば、据え置き型又は携帯型の非接触式読み書き装置５０が用いられる。

一例として図５に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。

一例として図６に示すように、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａ側から表面２６Ｂ側に貫通する。

非接触式読み書き装置５０は、カートリッジメモリ１９との間で非接触通信を行うことで、制御信号に応じた通信コマンドをカートリッジメモリ１９に与える。より詳しく説明すると、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、通信コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する。通信コマンドは、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。

通信コマンドとしては、例えば、ポーリングコマンド、書込コマンド、及び読出コマンド等が挙げられる。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた通信コマンドがポーリングコマンドの場合、カートリッジメモリ１９は、ポーリング処理を実行する。ポーリングコマンドは、１種類であってもよいし、複数種類であってもよく、種類に応じたポーリング処理がカートリッジメモリ１９によって実行される。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた通信コマンドが書込コマンドの場合、カートリッジメモリ１９は、書込処理を実行する。非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられた通信コマンドが読出コマンドの場合、カートリッジメモリ１９は、読出処理を実行する。なお、ここでは、説明の便宜上、ポーリングコマンドとして１種類のコマンドを例示しているが、ポーリング信号は、複数種類の信号であってもよい。

なお、ここでは、制御装置３８の制御下で、非接触式読み書き装置５０が通信コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が製造される段階、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階では、非接触式読み書き装置５０が、制御装置３８とは異なる制御装置の制御下で、通信コマンドをカートリッジメモリ１９に空間伝送する。

通信コマンドが非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０によって、制御装置３８からの指示に応じた通信コマンドが含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、非接触式読み書き装置５０によって通信コマンドが重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介して通信コマンドをカートリッジメモリ１９に送信する。

ところで、一般的に知られている磁気テープカートリッジに搭載されているカートリッジメモリと非接触式読み書き装置（いわゆる、リーダライタとも称されている装置）との間の無線通信で用いられる通信規格としては、ＩＳＯ１８０９２、ＩＳＯ１４４４３Ａ、ＩＳＯ１４４４３Ｂ、及びＩＳＯ１５６９３等の複数の通信規格が存在する。

しかし、複数の通信規格が存在するということは、製品別（例えば、従来の磁気テープカートリッジの種類毎）に通信規格が異なることもあり得るので、通信規格に対応するＩＣチップをカートリッジメモリに搭載する必要が生じる。カートリッジメモリに用いられている複数の部品のうち、ＩＣチップ以外の部品の大半（例えば、基板、ワイヤ、及び保護剤等）については、カートリッジメモリ間で同種のものを使用することができるものの、製品別にＩＣチップを変えなければならなくなると、製造コストが増大してしまう。

このような事情に鑑み、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、カートリッジメモリ１９にＩＣチップ５２が搭載されている。以下、ＩＣチップ５２及びその周辺について詳しく説明する。

カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ｂに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、他の接着剤を封止材５６として使用してもよい。

一例として図７に示すように、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、コイル６０がループ状に形成されている。コイル６０は、本開示の技術に係る「アンテナ」の一例である。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図５及び図６参照）が作用することで誘導電流を誘起する。

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ａには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＢのＩＣチップ５２（図６及び図８参照）及びコンデンサ５４（図６及び図８参照）に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。

一例として図８に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ｂにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図８に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。

一例として図９に示すように、ＩＣチップ５２は、内蔵コンデンサ８０、電源回路８２、コンピュータ８４、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０を備えている。ここでは、ＩＣチップ５２の一例として、磁気テープカートリッジ１０以外の用途にも使用可能な汎用タイプのＩＣチップが用いられている。なお、汎用タイプのＩＣチップは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープカートリッジ１０のみに使用されるタイプのＩＣチップであってもよい。

カートリッジメモリ１９は、電力生成器７０を備えている。電力生成器７０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦがコイル６０に対して作用することで電力を生成する。具体的には、電力生成器７０は、共振回路９２を用いて交流電力を生成し、生成した交流電力を直流電力に変換して出力する。

電力生成器７０は、共振回路９２及び電源回路８２を有する。共振回路９２は、コンデンサ５４、コイル６０、及び内蔵コンデンサ８０を備えている。内蔵コンデンサ８０は、ＩＣチップ５２に内蔵されているコンデンサであり、電源回路８２もＩＣチップ５２に内蔵されている回路である。内蔵コンデンサ８０は、コイル６０に対して並列に接続されている。

コンデンサ５４は、ＩＣチップ５２に対して外付けされたコンデンサである。ＩＣチップ５２は、本来、磁気テープカートリッジ１０とは異なる用途でも用いることが可能な汎用のＩＣチップである。そのため、内蔵コンデンサ８０の容量は、磁気テープカートリッジ１０で用いられるカートリッジメモリ１９で要求される共振周波数を実現するには不足している。そこで、カートリッジメモリ１９では、磁界ＭＦが作用することで共振回路９２を予め定められた共振周波数で共振させる上で必要な容量値を有するコンデンサとして、ＩＣチップ５２に対してコンデンサ５４が後付けされている。なお、予め定められた共振周波数は、磁界ＭＦの周波数と同一の周波数であり、ここでは、１３．５６ＭＨｚが採用されている。また、コンデンサ５４の容量は、内蔵コンデンサ８０の容量の実測値に基づいて定められている。

共振回路９２は、磁界ＭＦがコイル６０を貫通することでコイル６０によって誘起された誘導電流を用いて、予め定められた共振周波数の共振現象を発生させることで交流電力を生成し、生成した交流電力を電源回路８２に出力する。

電源回路８２は、整流回路及び平滑回路等を有する。整流回路は、複数のダイオードを有する全波整流回路である。全波整流回路は、あくまでも一例に過ぎず、半波整流回路であってもよい。平滑回路は、コンデンサ及び抵抗を含んで構成されている。電源回路８２は、共振回路９２から入力された交流電力を直流電力に変換し、変換して得た直流電力（以下、単に「電力」とも称する）をＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に供給する。各種の駆動素子としては、コンピュータ８４、信号処理回路８８、及び磁界強度測定回路９０が挙げられる。このように、ＩＣチップ５２内の各種の駆動素子に対して電力が電力生成器７０によって供給されることで、ＩＣチップ５２は、電力生成器７０によって生成された電力を用いて動作する。

コンピュータ８４は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体に対して適用されるコンピュータ」の一例であり、カートリッジメモリ１９の全体を制御する。

信号処理回路８８は、共振回路９２に接続されている。信号処理回路８８は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路８８の復号回路は、コイル６０によって受信された磁界ＭＦから通信コマンドを抽出して復号し、コンピュータ８４に出力する。コンピュータ８４は、通信コマンドに対する応答信号を信号処理回路８８に出力する。すなわち、コンピュータ８４は、信号処理回路８８から入力された通信コマンドに応じた処理を実行し、処理結果を応答信号として信号処理回路８８に出力する。信号処理回路８８では、コンピュータ８４から応答信号が入力されると、信号処理回路８８の符号化回路は、応答信号を符号化することで変調して共振回路９２に出力する。共振回路９２は、信号処理回路８８の符号化回路から入力された応答信号を、磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。すなわち、カートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に応答信号が送信される場合、磁界ＭＦには、応答信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには応答信号が重畳される。

磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力に基づいて磁界ＭＦの強度を測定する。電源回路８２によって生成された電力は、共振回路９２に与えられる磁界ＭＦの強度が大きいほど制限範囲内で大きくなる。磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力と共振回路９２に与えられる磁界ＭＦの強度との相関に基づいて、電源回路８２によって生成された電力に応じた信号レベルの信号を出力する。つまり、磁界強度測定回路９０は、電源回路８２によって生成された電力が測定し、測定結果に基づいて磁界ＭＦの強度を示す磁界強度信号を生成してコンピュータ８４に出力する。これにより、コンピュータ８４は、磁界強度測定回路９０から入力された磁界強度信号に応じた処理を実行することが可能となる

このように、ＩＣチップ５２は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０と電磁誘導で結合するコイル６０に接続されており、磁界ＭＦ（図５及び図６参照）を介して非接触式読み書き装置５０と通信を行う。また、ＩＣチップ５２は、複数の通信規格に対応しており、複数の通信規格を選択的に用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行う。ここで、複数の通信規格とは、例えば、ＩＳＯ１８０９２、ＩＳＯ１４４４３Ａ、ＩＳＯ１４４３Ｂ、及びＩＳＯ１５６９３等を指す。非接触式読み書き装置５０は、複数の通信規格のうちの何れかを有する。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、図４に示す磁気テープドライブ３０のみに搭載されているだけではなく、製造工程及び検品工程等にも複数存在しており、それぞれの非接触式読み書き装置５０は、複数の通信規格のうちの何れかを有する。

一例として図１０に示すように、コンピュータ８４は、ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８を備えている。ＣＰＵ９４、ＮＶＭ９６、及びＲＡＭ９８は、バス１００に接続されている。

ＣＰＵ９４は、コンピュータ８４の動作を制御する。ＮＶＭ９６は、本開示の技術に係る「不揮発性メモリ」の一例である。ＮＶＭ９６の一例としては、ＥＥＰＲＯＭが挙げられる。ＥＥＰＲＯＭは、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、ＥＥＰＲＯＭに代えて強誘電体メモリであってもよく、ＩＣチップ５２に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。ＲＡＭ９８は、本開示の技術に係る「揮発性メモリ」の一例である。ＲＡＭ９８は、各種情報を一時的に記憶し、ワークメモリとして用いられる。ＲＡＭ９８の一例としては、ＤＲＡＭ又はＳＲＡＭ等が挙げられる。

ＮＶＭ９６は、設定可能パラメータ記憶ブロック１０２、現設定パラメータ記憶ブロック１０４、及びプログラム記憶ブロック１０６を含む複数の記憶ブロックを有する。複数の記憶ブロックには、管理情報（図示省略）等が記憶されている。

設定可能パラメータ記憶ブロック１０２には、ＩＣチップ５２において設定可能な通信規格を特定可能な複数の通信規格パラメータ１０８が記憶されている。現設定パラメータ記憶ブロック１０４には、現設定パラメータ１１０が記憶されている。現設定パラメータ１１０は、複数の通信規格パラメータ１０８のうち、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格に対応する通信規格パラメータ１０８である。

プログラム記憶ブロック１０６には、通信規格設定プログラム１１２が記憶されている。通信規格設定プログラム１１２は、本開示の技術に係る「プログラム」の一例である。また、プログラム記憶ブロック１０６には、複数の通信規格専用プログラム１１４も記憶されている。複数の通信規格専用プログラム１１４は、複数の通信規格パラメータ１０８に１対１で対応している。ＣＰＵ９４は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０に対応する通信規格専用プログラム１１４をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出したプログラム記憶ブロック１０６を実行することで、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０に対応する通信規格での通信を実現する。

現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格は、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格である。つまり、ＣＰＵ９４が、現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０に対応する通信規格専用プログラム１１４を実行することで、ＩＣチップ５２は、現在設定されている通信規格でコイル６０（図９）を介して非接触式読み書き装置５０と通信を行うことが可能となる。

一例として図１１に示すように、ＣＰＵ９４は、ＮＶＭ９６から通信規格設定プログラム１１２を読み出し、読み出した通信規格設定プログラム１１２をＲＡＭ９８上で実行する。ＣＰＵ９４は、ＲＡＭ９８上で実行する通信規格設定プログラム１１２に従って通信部９４Ａ、判定部９４Ｂ、及び設定部９４Ｃとして動作することで、後述の通信規格設定処理（図１６参照）を実行する。

一例として図１２に示すように、非接触式読み書き装置５０は、コイル６０に対して磁界ＭＦ（図５及び図６参照）を与えることで、コイル６０と電磁誘導で結合する。非接触式読み書き装置５０とコイル６０とが電磁誘導で結合された状態で、非接触式読み書き装置５０は、通信コマンドとしてポーリングコマンドを通信部９４に送信する。通信部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０からのポーリングコマンドを、コイル６０を介して受信する。判定部９４Ｂは、本開示の技術に係る「判定回路」の一例であり、通信部９４Ａによってコイル６０を介して受信されたポーリングコマンドの通信規格を判定する。設定部９４Ｃは、複数の通信規格から判定部９４Ｂでの判定結果に応じた通信規格を適応通信規格として選択して設定する。適応通信規格とは、非接触式読み書き装置５０との通信に最も適応している通信規格を指す。非接触式読み書き装置５０との通信に最も適応している通信規格とは、例えば、複数の通信規格のうち、非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられたポーリングコマンドの通信規格と合致する通信規格を指す。

一例として図１３に示すように、設定部９４Ｃは、設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から、判定部９４Ｂでの判定結果に応じた通信規格に対応する通信規格パラメータ１０８、すなわち、適応通信規格に対応する通信規格パラメータ１０８を取得する。そして、設定部９４Ｃは、設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から取得した通信規格パラメータ１０８を現設定パラメータ記憶ブロック１０４に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０を更新する。すなわち、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０が設定部９４Ｃによって新たな現設定パラメータ１１０に書き換えられることで現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０が更新される。

現設定パラメータ記憶ブロック１０４に記憶されている現設定パラメータ１１０から特定される通信規格は、ＩＣチップ５２において現在設定されている通信規格である。ＩＣチップ５２の通信規格の設定は、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０が設定部９４Ｃによって書き換えられることで変更される。

一例として図１４に示すように、通信部９４Ａは、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を取得する。そして、通信部９４Ａは、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から取得した現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１４をプログラム記憶ブロック１０６から読み出し、読み出した通信規格専用プログラム１１４を実行する。

通信部９４Ａは、磁界強度測定回路９０から磁界強度信号を取得し、取得した磁界強度信号からＩＣチップ５２の電力、すなわち、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足しているか否かを判定する。そして、通信部９４Ａは、既定条件を満足する迄の間、プログラム記憶ブロック１０６から読み出した通信規格専用プログラム１１４を実行する。すなわち、通信部９４Ａは、既定条件を満足する迄の間、判定部９４Ｂによる判定をスキップして、プログラム記憶ブロック１０６から読み出した通信規格専用プログラム１１４を実行し続ける。既定条件を満足する迄の間とは、例えば、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足する迄の間を指す。設定部９４Ｃは、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格専用プログラム１１４を実行することで、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格でコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０と通信する。

ここで、「電力が不足している」とは、例えば、磁界強度測定回路９０から取得した磁界強度信号の信号レベルが既定レベル未満であることを指す。既定レベルは、例えば、ＩＣチップ５２と非接触式読み書き装置５０との間で安定した通信を行うことができない電力に相当する磁界強度信号の信号レベルとして、実機による試験及び／又はコンピュータ・シミュレーション等によって予め導き出された固定値である。ここでは、既定レベルとして固定値を例示しているが、既定レベルは、外部から与えられた指示（例えば、コマンド）及び／又はＩＣチップ５２の動作状態に応じて変更される可変値であってもよい。

設定部９４Ｃは、現設定パラメータ１１０に応じた通信規格でコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０と通信することで、判定部９４Ｂ（図１２参照）によって通信規格が判定された通信コマンドに対応する応答信号を非接触式読み書き装置５０に送信する。この場合、先ず、設定部９４Ｃは、判定部９４Ｂによって通信規格が判定された通信コマンド（図１２に示す例では、ポーリングコマンド）をデコードする。そして、設定部９４Ｃは、通信コマンドをデコードすることで得た指令に対応する応答信号を、現在設定されている通信規格（適応通信規格）を用いて磁界ＭＦを介して非接触式読み書き装置５０に送信する。

一例として図１５に示すように、通信部９４Ａは、磁界強度測定回路９０から磁界強度信号を取得し、取得した磁界強度信号からＩＣチップ５２内の電力が不足しているか否かを判定する。そして、通信部９４Ａは、ＩＣチップ５２内の電力が不足したことを条件に、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０、すなわち、適応通信規格に対応している現設定パラメータ１１０を現設定パラメータ記憶ブロック１０４から消去する。これにより、ＩＣチップ５２内での適応通信規格の設定が解除され、通信部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０との通信を終了する。

次に、実施形態に係るカートリッジメモリ１９の作用について図１６を参照して説明する。

図１６には、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填されることでカートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０とが電磁誘導で結合してＩＣチップ５２に駆動用の電力が供給された場合にＣＰＵ９４によって実行される通信規格設定処理の流れの一例が示されている。図１６に示す通信規格設定処理の流れは、本開示の技術に係る「非接触式記憶媒体の動作方法」の一例である。

なお、ここでは、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態でＣＰＵ９４によって通信規格設定処理が実行される形態例を挙げているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープカートリッジ１０が検品される段階、又は磁気テープカートリッジ１０が出荷される段階等のように磁気テープカートリッジ１０のベンダによる作業段階で、ＣＰＵ９４によって通信規格設定処理が実行されるようにすればよい。

図１６に示す通信規格設定処理では、先ず、ステップＳＴ１００で、通信部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０からのポーリングコマンドがコイル６０によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１００において、ポーリングコマンドがコイル６０によって受信されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１００の判定が再び行われる。ステップＳＴ１００において、ポーリングコマンドがコイル６０によって受信された場合は、判定が肯定されて、通信規格設定処理はステップＳＴ１０２へ移行する。

ステップＳＴ１０２で、判定部９４Ｂは、ステップＳＴ１００で受信されたポーリングコマンドの通信規格を判定する。

次のステップＳＴ１０４で、設定部９４Ｃは、ステップＳＴ１０２での判定結果に応じた通信規格パラメータ１０８を設定可能パラメータ記憶ブロック１０２から取得する。

次のステップＳＴ１０６で、設定部９４Ｃは、ステップＳＴ１０４で取得した通信規格パラメータ１０８を現設定パラメータ記憶ブロック１０４に上書き保存することで、現設定パラメータ記憶ブロック１０４内の現設定パラメータ１１０を更新する。

次のステップＳＴ１０８で、通信部９４Ａは、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を取得し、取得した現設定パラメータ１１０に対応する通信規格専用プログラム１１４を実行することで、現設定パラメータ１１０に対応する通信規格でコイル６０を介して非接触式読み書き装置５０との通信を開始する。

次のステップＳＴ１１０で、通信部９４Ａは、ステップＳＴ１１０又は後述のステップＳＴ１１６で受信した通信コマンドをデコードする。

次のステップＳＴ１１２で、通信部９４Ａは、ステップＳＴ１１０でのデコード結果に対応する応答信号を非接触式読み書き装置５０に送信する。すなわち、通信コマンドがデコードされることによって得られた指令に応じた処理がＣＰＵ９４によって実行されることで得られた結果を示す信号が応答信号として非接触式読み書き装置５０に送信される。

次のステップＳＴ１１４で、通信部９４Ａは、磁界強度測定回路９０からの磁気強度信号に基づいて、ＩＣチップ５２内の電力が不足しているか否かを判定する。ステップＳＴ１１４において、ＩＣチップ５２内の電力が不足していない場合は、判定が否定されて、通信規格設定処理はステップＳＴ１１６へ移行する。ステップＳＴ１１４において、ＩＣチップ５２内の電力が不足している場合は、判定が肯定されて、通信規格設定処理はステップＳＴ１１８へ移行する。

ステップＳＴ１１６で、通信部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０から送信されるコマンドがコイル６０によって受信されたか否かを判定する。ステップＳＴ１１６において、非接触式読み書き装置５０から送信されるコマンドがコイル６０によって受信されていない場合は、判定が否定されて、通信規格設定処理はステップＳＴ１１４へ移行する。ステップＳＴ１１６において、非接触式読み書き装置５０から送信される通信コマンドがコイル６０によって受信された場合は、判定が肯定されて、通信規格設定処理はステップＳＴ１１０へ移行する。

ステップＳＴ１１８で、設定部９４Ｃは、現設定パラメータ記憶ブロック１０４から現設定パラメータ１１０を消去することで、現設定パラメータ１１０に対応する通信規格、すなわち、現在設定されている通信規格を解除する。

次のステップＳＴ１２０で、通信部９４Ａは、非接触式読み書き装置５０との通信を終了し、その後、通信規格設定処理が終了する。

以上説明したように、カートリッジメモリ１９では、ＩＣチップ５２が、複数の通信規格に対応しており、複数の通信規格を選択的に用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行う。従って、本構成によれば、磁気テープカートリッジに搭載されるカートリッジメモリに備えられているＩＣチップが１つの通信規格のみを用いて非接触式読み書き装置と非接触式の通信を行う場合に比べ、磁気テープカートリッジ１０に搭載されるカートリッジメモリ１９に対して、様々な通信規格の非接触式読み書き装置５０と非接触式の通信を行わせることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、非接触式読み書き装置５０は、図４に示す磁気テープドライブ３０のみに搭載されているだけではなく、製造工程及び検品工程等にも複数存在しており、それぞれの非接触式読み書き装置５０は、複数の通信規格のうちの何れかを有する。従って、本構成によれば、非接触式読み書き装置５０が複数の通信規格のうちの何れの通信規格を有していたとしても、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０との間で非接触式の通信を実現することができる。

また、カートリッジメモリ１９では、非接触式読み書き装置５０からＩＣチップ５２に与えられた通信コマンドの通信規格が判定部９４Ｂによって判定される。そして、ＩＣチップ５２は、複数の通信規格から判定部９４Ｂでの判定結果に応じて選択した通信規格である適応通信規格を用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行う。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式読み書き装置５０の通信規格に合致する通信規格で非接触式読み書き装置５０との通信を行わせることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、通信部９４Ａが、判定部９４Ｂによって通信規格が判定された通信コマンドをデコードし、デコード結果に対応する応答信号を、適応通信規格を用いて磁界ＭＦを介して非触式読み書き装置５０に送信する。従って、本構成によれば、ＩＣチップ５２に適応通信規格以外の通信規格が設定されている場合に比べ、通信コマンドに応じた応答信号を高精度に非触式読み書き装置５０に送信することができる。

また、カートリッジメモリ１９では、通信部９４Ａが、既定条件を満足する迄の間、適応通信規格を用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行う。従って、本構成によれば、既定条件を満足している間、カートリッジメモリ１９に対して非接触式読み書き装置５０との通信を継続させることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、通信部９４Ａが、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足する、という条件を満足する迄の間、適応通信規格を用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行う。従って、本構成によれば、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足していない間、カートリッジメモリ１９に対して非接触式読み書き装置５０との通信を継続させることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足したことを条件に現設定パラメータ記憶ブロック１０４から設定部９４Ｃによって現設定パラメータ１１０が消去される。これにより、ＩＣチップ５２に対して現在設定されている適応通信規格が解除される。従って、本構成によれば、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足したことを契機に、ＩＣチップ５２に対して設定される適応通信規格を改めることができる。

また、カートリッジメモリ１９では、既定条件を満足する迄の間（例えば、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足する迄の間）、判定部９４Ｂによる判定がスキップされる。すなわち、既定条件を満足する迄の間、判定部９４Ｂによる判定は行われない。従って、本構成によれば、常に判定部９４Ｂによる判定が行われる場合に比べ、判定にかかる処理負荷を軽減することができる。また、判定部９４Ｂによる判定が行われない分だけ通信コマンドが受信されてから応答信号が送信されるまでに要する時間を短くすることができる。換言すると、非接触式読み書き装置５０から通信コマンドが送信されてから、応答信号がカートリッジメモリ１９から非接触式読み書き装置５０に送信されるまでのレスポンス時間が短くなる。

また、カートリッジメモリ１９では、非接触式読み書き装置５０から与えられたポーリングコマンドの通信規格が判定部９４Ｂによって判定され、判定結果に応じて選択された通信規格を適応通信規格として設定され、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０との間で、設定された適応通信規格で通信が行われる。従って、本構成によれば、ポーリングコマンドよりも後で非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に与えられる通信コマンド（例えば、書込コマンド及び読出コマンド等）の通信規格が判定部９４Ｂによって判定される場合に比べ、カートリッジメモリ１９と非接触式読み書き装置５０との間での通信を迅速に確立することができる。

更に、カートリッジメモリ１９では、磁気テープドライブ３０に搭載されている非接触式読み書き装置５０とＩＣチップ５２との間で複数の通信規格が選択的に用いられて通信が行われる。従って、本構成によれば、磁気テープドライブ３０に搭載されている非接触式読み書き装置５０が複数の通信規格のうちの何れかの通信規格を有していれば、ＩＣチップ５２に対して、非接触式読み書き装置５０が有する通信規格で非接触式読み書き装置５０と通信を行わせることができる。

なお、上記実施形態では、ＮＶＭ９６内の現設定パラメータ記憶ブロック１０４に現設定パラメータ１１０が記憶される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１７に示すように、ＮＶＭ９６内の現設定パラメータ記憶ブロック１０４に代えて、ＲＡＭ９８に現設定パラメータ１１０が記憶（上書き保存）されるようにしてもよい。ＲＡＭ９８は、揮発性メモリである。そのため、例えば、磁界ＭＦの強度が弱まったりすること等に起因してＩＣチップ５２内の電力が不足すること（例えば、ＲＡＭ９８からデータが消失する電力として予め定められた電力（例えば、ゼロ）になること）で、ＲＡＭ９８内の現設定パラメータ１１０が消去される。よって、図１６のステップＳＴ１１６の処理が不要となり、この結果、ＣＰＵ９４による処理負荷が軽減される。

上記実施形態では、判定部９４Ｂがポーリングコマンドの通信規格を判定する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１８に示すように、複数種類の通信コマンドのデータ長が、通信規格毎に（図１８に示す例では、第１～第４通信規格の各々で）異なっており、判定部９４Ｂが、データ長に基づいて通信コマンドの通信規格を判定するようにしてもよい。これにより、通信コマンドの詳細を解析しなくても通信規格が特定される。従って、本構成によれば、通信コマンドの詳細を解析して通信規格を特定する場合に比べ、通信コマンドの受信から適応通信規格の設定までに要する時間を短くすることができる。

また、一例として図１８に示すように、判定部９４Ｂによる通信規格の判定対象とされる通信コマンドは、判定部９４Ｂによる通信規格の判定のみに用いられる特別コマンドであってもよい。この場合、多種類の通信コマンドが判定部９４Ｂによる通信規格の判定対象とされる場合に比べ、通信コマンドの通信規格を判定するのに要する処理を簡素化することができる。

上記実施形態では、ＩＣチップ５２を駆動させる電力が不足する迄の間、通信部９４Ａが適応通信規格を用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行うようにしているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、外部から特定の指示（例えば、通信を終了させる指示）が与えられる迄の間、通信部９４Ａが適応通信規格を用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行うようにしてもよいし、ＩＣチップ５２の動作状態が特定の動作状態に達する迄（例えば、ＣＰＵ９４の動作速度が既定速度未満になる迄）の間、通信部９４Ａが適応通信規格を用いて非接触式読み書き装置５０と通信を行うようにしてもよい。

上記実施形態では、ＮＶＭ９６に通信規格設定プログラム１１２が記憶されている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１９に示すように、通信規格設定プログラム１１２が記憶媒体２００に記憶されていてもよい。

記憶媒体２００は、非一時的記憶媒体である。記憶媒体２００の一例としては、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。記憶媒体２００に記憶されている通信規格設定プログラム１１２は、コンピュータ８４にインストールされる。ＣＰＵ９４は、通信規格設定プログラム１１２に従って通信規格設定処理を実行する。図１９に示す例では、ＣＰＵ９４は、単数のＣＰＵであるが、複数のＣＰＵであってもよい。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ８４に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置に通信規格設定プログラム１１２を記憶させておき、カートリッジメモリ１９からの要求に応じて通信規格設定プログラム１１２がダウンロードされ、コンピュータ８４にインストールされるようにしてもよい。

図１９に示す例では、コンピュータ８４が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ８４に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＤを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ８４に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。

通信規格設定処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで通信規格設定処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することで通信規格設定処理を実行する。

通信規格設定処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、通信規格設定処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、通信規格設定処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、通信規格設定処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、通信規格設定処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の通信規格設定処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ 天板
１４Ａ１ 内面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２４ リブ
２４Ａ 先端面
２６ 基板
２６Ａ 裏面
２６Ｂ 表面
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
７０ 電力生成器
８０ 内蔵コンデンサ
８２ 電源回路
８４ コンピュータ
８８ 信号処理回路
９０ 磁界強度測定回路
９２ 共振回路
９４ ＣＰＵ
９４Ａ 通信部
９４Ｂ 判定部
９４Ｃ 設定部
９６ ＮＶＭ
９８ ＲＡＭ
１００ バス
１０２ 設定可能パラメータ記憶ブロック
１０４ 現設定パラメータ記憶ブロック
１０６ プログラム記憶ブロック
１０８ 通信規格パラメータ
１１０ 現設定パラメータ
１１２ 通信規格設定プログラム
１１４ 通信規格専用プログラム
２００ 記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ

Claims (11)

1. 磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体であって、
   通信先から与えられた磁界を介して前記通信先と電磁誘導で結合するアンテナに接続されており、前記磁界を介して前記通信先と通信を行うＩＣチップを備え、
   前記ＩＣチップは、複数の通信規格に対応しており、
   前記通信先は、複数の通信装置の何れかであり、
   前記複数の通信装置は、前記複数の通信規格のうちの何れかを有し、
   前記ＩＣチップは、
   前記磁界を介して前記通信先から与えられた通信コマンドの通信規格を判定する判定回路を有し、
   既定条件を満足する迄の間、前記複数の通信規格から前記判定回路での判定結果に応じて選択した通信規格である適応通信規格を用いて前記通信先と前記通信を行い、
   前記判定回路によって前記通信規格が判定された前記通信コマンドをデコードし、
   前記通信コマンドをデコードすることで得られた指令に対応する応答信号を、前記適応通信規格を用いて前記磁界を介して前記通信先に送信し、
   前記既定条件は、前記ＩＣチップを駆動させる電力が不足する、という条件を含む
   非接触式記憶媒体。
2. 前記ＩＣチップは、
   不揮発性メモリを有し、
   前記判定結果に応じて選択した適応通信規格を示す適応通信規格情報を前記不揮発性メモリに記憶し、
   前記不揮発性メモリに記憶されている前記適応通信規格情報により示される適応通信規格を用いて前記通信先と前記通信を行い、
   前記電力が不足したことを条件に前記不揮発性メモリ内の前記適応通信規格情報を消去する
   請求項１に記載の非接触式記憶媒体。
3. 前記ＩＣチップは、
   揮発性メモリを有し、
   前記判定結果に応じて選択した適応通信規格を示す適応通信規格情報を前記揮発性メモリに記憶し、
   前記既定条件は、前記電力の不足に起因して前記揮発性メモリから前記適応通信規格情報が消去された、という条件を含む
   請求項１に記載の非接触式記憶媒体。
4. 前記ＩＣチップは、前記既定条件を満足する迄の間、前記判定回路による判定をスキップする
   請求項１から請求項３の何れか一項に記載の非接触式記憶媒体。
5. 前記通信コマンドのデータ長は、前記通信規格毎に異なっており、
   前記判定回路は、前記データ長に基づいて前記通信コマンドの前記通信規格を判定する
   請求項１から請求項４の何れか一項に記載の非接触式記憶媒体。
6. 前記通信コマンドは、前記判定回路による前記通信規格の判定のみに用いられる特別コマンドである
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の非接触式記憶媒体。
7. 前記通信コマンドは、ポーリングコマンドである
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の非接触式記憶媒体。
8. 前記通信先は、前記磁気テープカートリッジが装填されるドライブに搭載されているリーダライタである
   請求項１から請求項７の何れか一項に記載の非接触式記憶媒体。
9. 請求項１から請求項８の何れか一項に記載の非接触式記憶媒体と、
   磁気テープと、を備え、
   前記非接触式記憶媒体は、前記磁気テープに関する情報を記憶する
   磁気テープカートッジ。
10. 磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体の動作方法であって、
    前記非接触式記憶媒体は、通信先から与えられた磁界を介して前記通信先と電磁誘導で結合するアンテナに接続されており、前記磁界を介して前記通信先と通信を行うＩＣチップを備え、
    前記ＩＣチップは、複数の通信規格に対応しており、
    前記通信先は、複数の通信装置の何れかであり、
    前記複数の通信装置は、前記複数の通信規格のうちの何れかを有し、
    前記ＩＣチップは、前記磁界を介して前記通信先から与えられた通信コマンドの通信規格を判定する判定回路を有し、
    前記ＩＣチップは、
    既定条件を満足する迄の間、前記複数の通信規格から前記判定回路での判定結果に応じて選択した通信規格である適応通信規格を用いて前記通信先と前記通信を行うこと、
    前記判定回路によって前記通信規格が判定された前記通信コマンドをデコードすること、及び
    前記通信コマンドをデコードすることで得られた指令に対応する応答信号を、前記適応通信規格を用いて前記磁界を介して前記通信先に送信すること、を含み、
    前記既定条件は、前記ＩＣチップを駆動させる電力が不足する、という条件を含む
    非接触式記憶媒体の動作方法。
11. 磁気テープカートリッジに搭載される非接触式記憶媒体に対して適用されるコンピュータに処理を実行させるためのプログラムであって、
    前記非接触式記憶媒体は、通信先から与えられた磁界を介して前記通信先と電磁誘導で結合するアンテナに接続されており、前記磁界を介して前記通信先と通信を行うＩＣチップを備え、
    前記ＩＣチップは、複数の通信規格に対応しており、
    前記通信先は、複数の通信装置の何れかであり、
    前記複数の通信装置は、前記複数の通信規格のうちの何れかを有し、
    前記ＩＣチップは、前記磁界を介して前記通信先から与えられた通信コマンドの通信規格を判定する判定回路を有し、
    前記処理は、
    前記ＩＣチップが、既定条件を満足する迄の間、前記複数の通信規格から前記判定回路での判定結果に応じて選択した通信規格である適応通信規格を用いて前記通信先と前記通信を行うこと、
    前記ＩＣチップが、前記判定回路によって前記通信規格が判定された前記通信コマンドをデコードすること、及び
    前記ＩＣチップが、前記通信コマンドをデコードすることで得られた指令に対応する応答信号を、前記適応通信規格を用いて前記磁界を介して前記通信先に送信すること、を含む処理であり、
    前記既定条件は、前記ＩＣチップを駆動させる電力が不足する、という条件を含む
    プログラム。