JP2023147011A - 信号処理装置、磁気テープドライブ、磁気テープ、磁気テープカートリッジ、プログラム、信号処理方法、及び磁気テープ製造方法 - Google Patents

信号処理装置、磁気テープドライブ、磁気テープ、磁気テープカートリッジ、プログラム、信号処理方法、及び磁気テープ製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応関係にあるサーボパターン間のずれ量を簡便に特定することができる信号処理装置、磁気テープドライブ、磁気テープ、磁気テープカートリッジ、プログラム、信号処理方法、及び磁気テープ製造方法を提供する。【解決手段】磁気ヘッドは、幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有する。プロセッサは、第１サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた第１結果に基づく第１信号を取得し、第２サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた第２結果に基づく第２信号を取得し、第１信号と第２信号との時間のずれ量に対応するずれ量信号を出力する。【選択図】図１４

Description

本開示の技術は、信号処理装置、磁気テープドライブ、磁気テープ、磁気テープカートリッジ、プログラム、信号処理方法、及び磁気テープ製造方法に関する。
特許文献１には、走行するテープ上にサーボ信号を記録または再生するためのヘッドを設けたサーボライタが開示されている。特許文献１に記載のサーボライタは、ベース部と、このベース部に片持ち支持され、自由端に設けられたヘッドをテープに対して位置調整可能に設けた支持アームと、を備える。また、特許文献１に記載のサーボライタは、ヘッドの近傍位置において、テープのエッジの位置を検出する検出手段と、テープとヘッドとの間における相対位置を調整する位置調整手段と、検出手段で検出されたエッジの位置に応じて、位置調整手段により相対位置を制御する制御部と、を具備する。
特開２００５－２５９２４１号公報
本開示の技術に係る一つの実施形態は、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応関係にあるサーボパターン間のずれ量を簡便に特定することができる信号処理装置、磁気テープドライブ、磁気テープ、磁気テープカートリッジ、プログラム、信号処理方法、及び磁気テープ製造方法を提供する。
本開示の技術に係る第１の態様は、複数のサーボバンドが形成された磁気テープから磁気ヘッドによって読み取られたデータを取得して処理するプロセッサを備え、複数のサーボバンドが、磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、複数のサーボバンドの各々には、磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、磁気ヘッドが、複数のサーボバンドのうちの幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有しており、プロセッサが、一対のサーボバンドに含まれる第１サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた第１結果に基づく第１信号を取得し、一対のサーボバンドに含まれる第２サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた第２結果に基づく第２信号を取得し、第１信号と第２信号との時間のずれ量を取得する信号処理装置である。
本開示の技術に係る第２の態様は、第１の態様に係る信号処理装置である。第２の態様に係る信号処理装置において、第１結果は、磁気テープのＢＯＴ領域上に第１サーボ読取素子が位置している間に第１サーボバンド内のサーボパターンが第１サーボ読取素子によって読み取られた結果であり、第２結果は、ＢＯＴ領域上に第２サーボ読取素子が位置している間に第２サーボバンド内のサーボパターンが第２サーボ読取素子によって読み取られた結果である。
本開示の技術に係る第３の態様は、第１の態様又は第２の態様に係る信号処理装置である。第３の態様に係る信号処理装置において、サーボパターンは、複数の線状磁化領域の集合であり、線状磁化領域は、複数の磁化直線の集合であり、第１結果は、複数の線状磁化領域に対応する第１パルス信号群であり、第２結果は、複数の線状磁化領域に対応する第２パルス信号群であり、Ｎが複数の線状磁化領域に含まれる磁化直線の個数を上限値とした自然数である場合、第１信号は、第１パルス信号群に含まれる指定されたＮ番目のパルス信号に対応する信号であり、第２信号は、第２パルス信号群に含まれるＮ番目のパルス信号に対応する信号である。
本開示の技術に係る第４の態様は、第３の態様に係る信号処理装置である。第４の態様に係る信号処理装置において、Ｎ番目は１番目である。
本開示の技術に係る第５の態様は、第１の態様又は第２の態様に係る信号処理装置である。第５の態様に係る信号処理装置において、サーボパターンは、複数の線状磁化領域の集合であり、第１結果は、複数の線状磁化領域に対応する第１パルス信号群であり、第２結果は、複数の線状磁化領域に対応する第２パルス信号群であり、第１信号は、第１パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号であり、第２信号は、第２パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号である。
本開示の技術に係る第６の態様は、第５の態様に係る信号処理装置である。第６の態様に係る信号処理装置において、ずれ量は、第１パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号と第２パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号との時間差の平均値、中央値、最頻値、最大値、又は最小値に基づいて規定されている。
本開示の技術に係る第７の態様は、第１の態様から第６の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置である。第７の態様に係る信号処理装置において、ずれ量は、第１サーボバンド内の複数のサーボパターンについて得られた複数の第１信号と第２サーボバンド内の複数のサーボパターンについて得られた複数の第２信号との時間差の統計値である。
本開示の技術に係る第８の態様は、第１の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置である。第８の態様に係る信号処理装置において、プロセッサは、ずれ量に応じた特定処理を実行する。
本開示の技術に係る第９の態様は、第８の態様に係る信号処理装置である。第９の態様に係る信号処理装置において、プロセッサは、磁気ヘッドをスキューさせるスキュー機構を制御し、特定処理は、スキュー機構に対して、ずれ量に基づいた角度に磁気ヘッドをスキューさせるスキュー処理を含む。
本開示の技術に係る第１０の態様は、第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置である。第１０の態様に係る信号処理装置において、プロセッサは、ずれ量に対応する信号を格納媒体に格納する。
本開示の技術に係る第１１の態様は、第１０の態様に係る信号処理装置である。第１１の態様に係る信号処理装置において、磁気テープは、磁気テープカートリッジに収容されており、磁気テープカートリッジには、非接触で通信可能な非接触式記憶媒体が設けられており、格納媒体は、非接触式記憶媒体を含む。
本開示の技術に係る第１２の態様は、第１０の態様又は第１１の態様に係る信号処理装置である。第１２の態様信号処理装置において、格納媒体は、磁気テープの一部領域を含む。
本開示の技術に係る第１３の態様は、第１の態様から第１２の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置から得られるずれ量に応じた処理を実行する磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第１４の態様は、複数のサーボバンドが形成された磁気テープであって、複数のサーボバンドは、磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、複数のサーボバンドの各々には、磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、複数のサーボバンドのうちの幅方向で隣接する一対のサーボバンド間で、磁気テープの長手方向の位置が対応しているサーボパターン間のずれ量が、第１の態様から第１２の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置から得られるずれ量に対応している磁気テープである。
本開示の技術に係る第１５の態様は、磁気テープの一部領域に、ずれ量に対応する信号が格納されている第１４の態様に係る磁気テープである。
本開示の技術に係る第１６の態様は、第１４の態様又は第１５の態様に係る磁気テープが収容された磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１７の態様は、非接触で通信可能な非接触式記憶媒体を備え、非接触式記憶媒体には、第１の態様から第１２の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置から得られたずれ量に対応する信号が記憶される第１６の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１８の態様は、複数のサーボバンドが形成された磁気テープから磁気ヘッドによって読み取られたデータを取得して処理することを備え、複数のサーボバンドが、磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、複数のサーボバンドの各々には、磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、磁気ヘッドが、複数のサーボバンドのうちの幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有しており、一対のサーボバンドに含まれる第１サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第１信号を取得すること、一対のサーボバンドに含まれる第２サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第２信号を取得すること、及び、第１信号と第２信号との時間のずれ量を取得することを備える信号処理方法である。
本開示の技術に係る第１９の態様は、第１の態様から第１２の態様の何れか１つの態様に係る信号処理装置から得られるずれ量に従ってサーボパターンを記録する磁気テープ製造方法である。
本開示の技術に係る第２０の態様は、第１８の態様に係る信号処理方法を用いて得られたずれ量に従ってサーボパターンが記録された磁気テープである。
本開示の技術に係る第２１の態様は、第１８の態様に係る信号処理方法を用いて得られたずれ量に従って磁気テープにサーボパターンを記録することを備える磁気テープ製造方法である。
本開示の技術に係る第２２の態様は、コンピュータに信号処理を実行させるためのプログラムであって、信号処理は、複数のサーボバンドが形成された磁気テープから磁気ヘッドによって読み取られたデータを取得して処理することを備え、複数のサーボバンドが、磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、複数のサーボバンドの各々には、磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、磁気ヘッドが、複数のサーボバンドのうちの幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有しており、信号処理が、一対のサーボバンドに含まれる第１サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第１信号を取得すること、一対のサーボバンドに含まれる第２サーボバンド内のサーボパターンが一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第２信号を取得すること、及び、第１信号と第２信号との時間のずれ量を取得することを備えるプログラムである。
磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気ヘッドが磁気テープ上を走行しながらデータバンドにデータを記録したり、データバンドの信号を再生したりする場合の磁気テープと磁気ヘッドとの相対関係の一例を示す概念図である。 磁気テープの表面に形成されたデータバンドの構成の一例を示す概念図である。 データ読み書き素子とデータトラックとの対応関係の一例を示す概念図である。 磁気テープの幅が収縮する前後の磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 磁気テープ上で磁気ヘッドがスキューされた状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 磁気テープドライブに含まれるコントローラが有する機能の一例を示す概念図である。 磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 磁気ヘッドから出力される第１サーボバンド信号及び第２サーボバンド信号の態様の一例を示す概念図である。 制御装置によって行われるＢＯＴ領域処理及びＢＯＴ領域外処理の一例を示す概念図である。 磁気テープドライブに含まれるコントローラが有する位置検出装置の処理内容の一例を示す概念図である。 磁気テープドライブに含まれるコントローラが有する制御装置の処理内容の一例を示す概念図である。 制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第１変形例に係る磁気テープシステムに含まれる制御装置による処理内容の一例を示す概念図である。 第２変形例に係る磁気テープシステムに含まれる制御装置による処理内容の一例を示す概念図である。 第３変形例に係る磁気テープシステムに含まれる制御装置による処理内容の一例を示す概念図である。 第４変形例に係る磁気テープシステムに含まれる制御装置による処理内容の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第５変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせていない磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第６変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第６変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第７変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第７変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第８変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第９変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第９変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第９変形例を示す概念図であって、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第９変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第１０変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第１０変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第１１変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第１１変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第２０変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 記憶媒体に記憶されているプログラムが制御装置のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る信号処理装置、磁気テープドライブ、磁気テープ、磁気テープカートリッジ、プログラム、信号処理方法、及び磁気テープ製造方法の実施形態の一例について説明する。
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-volatile memory”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＰＬＣとは、“Programmable Logic Controller”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-chip"の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＢＯＴとは、“Beginning Of Tape”の略称を指す。ＥＯＴとは、“End Of Tape”の略称を指す。ＵＩとは、“User Interface”の略称を指す。ＷＡＮとは、“Wide Area Network”の略称を指す。ＬＡＮとは、“Local Area Network”の略称を指す。また、以下の説明において、幾何特性とは、長さ、形状、向き、及び／又は位置等の一般的に認識されている幾何学的な特性を指す。
一例として図１に示すように、磁気テープシステム１０は、磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４を備えている。磁気テープドライブ１４には、磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープカートリッジ１２には、磁気テープＭＴが収容されている。磁気テープドライブ１４は、装填された磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。
本実施形態において、磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープドライブ１４は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープカートリッジ１２は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。
次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１２の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の磁気テープドライブ１４への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１２の前方向とし、磁気テープカートリッジ１２の前方向の側を磁気テープカートリッジ１２の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１２の前側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１２の右方向の側を磁気テープカートリッジ１２の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１２の右側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１２の左方向の側を磁気テープカートリッジ１２の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１２の左側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１２の上方向とし、磁気テープカートリッジ１２の上方向の側を磁気テープカートリッジ１２の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１２の上側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の後方向とし、磁気テープカートリッジ１２の後方向の側を磁気テープカートリッジ１２の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１２の後側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の下方向とし、磁気テープカートリッジ１２の下方向の側を磁気テープカートリッジ１２の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１２の下側を指す。
一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１２は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１６を備えている。ケース１６には、磁気テープＭＴが収容されている。ケース１６は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１８及び下ケース２０を備えている。上ケース１８及び下ケース２０は、上ケース１８の下周縁面と下ケース２０の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
ケース１６の内部には、送出リール２２が回転可能に収容されている。送出リール２２は、リールハブ２２Ａ、上フランジ２２Ｂ１、及び下フランジ２２Ｂ２を備えている。リールハブ２２Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ２２Ａは、送出リール２２の軸心部であり、軸心方向がケース１６の上下方向に沿っており、ケース１６の中央部に配置されている。上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ２２Ａの上端部には上フランジ２２Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ２２Ａの下端部には下フランジ２２Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ２２Ａと下フランジ２２Ｂ２は一体成型されていてもよい。
リールハブ２２Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２によって保持されている。
ケース１６の右壁１６Ａの前側には、開口１６Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１６Ｂから引き出される。
下ケース２０には、カートリッジメモリ２４が設けられている。具体的には、下ケース２０の右後端部に、カートリッジメモリ２４が収容されている。カートリッジメモリ２４は、非接触で通信可能なメモリである。カートリッジメモリ２４には、ＮＶＭを有するＩＣチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ２４として採用されており、カートリッジメモリ２４に対しては非接触で各種情報の読み書きが行われる。なお、本実施形態では、カートリッジメモリ２４が下ケース２０に設けられている形態例が挙げられているが、本開示の技術はこれに限定されず、カートリッジメモリ２４は、非接触で各種情報の読み書きが可能な位置でケース１６に設けられていればよい。
カートリッジメモリ２４には、磁気テープカートリッジ１２を管理する管理情報１３が格納されている。管理情報１３には、例えば、カートリッジメモリ２４に関する情報（例えば、磁気テープカートリッジ１２を特定可能な情報）、磁気テープＭＴに関する情報、及び磁気テープドライブ１４に関する情報（例えば、磁気テープドライブ１４の仕様を示す情報、及び磁気テープドライブ１４で用いられる信号）等が含まれている。磁気テープＭＴに関する情報には、仕様情報１３Ａが含まれている。仕様情報１３Ａは、磁気テープＭＴの仕様を特定する情報である。また、磁気テープＭＴに関する情報には、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの項目を示す情報、及び磁気テープＭＴに記録されているデータの記録形式を示す情報等も含まれている。なお、本実施形態において、カートリッジメモリ２４は、本開示の技術に係る「格納媒体」及び「非接触式記憶媒体」の一例である。
一例として図３に示すように、磁気テープドライブ１４は、コントローラ２５、搬送装置２６、磁気ヘッド２８、ＵＩ系装置３４、及び通信インタフェース３５を備えている。コントローラ２５は、制御装置３０及びストレージ３２を備えている。本実施形態において、コントローラ２５は、「信号処理装置」の一例である。また、制御装置３０は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。
磁気テープドライブ１４には、矢印Ａ方向に沿って磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴが磁気テープカートリッジ１２から引き出されて用いられる。コントローラ２５は、カートリッジメモリ２４に格納されている管理情報１３等を用いて磁気テープドライブ１４の全体（例えば、磁気ヘッド２８等）を制御する。
磁気テープＭＴは、磁性層２９Ａ、ベースフィルム２９Ｂ、及びバックコート層２９Ｃを有する。磁性層２９Ａは、ベースフィルム２９Ｂの一方の面側に形成されており、バックコート層２９Ｃは、ベースフィルム２９Ｂの他方の面側に形成されている。磁性層２９Ａには、データが記録される。磁性層２９Ａは、強磁性粉末を含む。強磁性粉末としては、例えば、各種磁気記録媒体の磁性層において一般的に用いられる強磁性粉末が用いられる。強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末が挙げられる。六方晶フェライト粉末としては、例えば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、又は六方晶バリウムフェライト粉末等が挙げられる。バックコート層２９Ｃは、例えば、カーボンブラック等の非磁性粉末を含む層である。ベースフィルム２９Ｂは、支持体とも称されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリアミド等で形成されている。なお、ベースフィルム２９Ｂと磁性層２９Ａとの間に非磁性層が形成されていてもよい。磁気テープＭＴにおいて、磁性層２９Ａが形成された面が磁気テープＭＴの表面３１であり、バックコート層２９Ｃが形成された面が磁気テープＭＴの裏面３３である。
磁気テープドライブ１４は、磁気テープＭＴを走行させた状態で磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いて磁気的処理を行う。ここで、磁気的処理とは、磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録（すなわち、データの書き込み）、及び磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取り（すなわち、データの再生）を指す。本実施形態では、磁気テープドライブ１４が磁気ヘッド２８を用いて磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録と磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取りとを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ１４は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いてデータを記録したり、引き出した磁気テープＭＴの表面３１から磁気ヘッド２８を用いてデータを読み取ったりする。
制御装置３０は、磁気テープドライブ１４の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３０は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３０は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３０は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３０は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
ストレージ３２は、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、ストレージ３２に対する各種情報の書き込み、及びストレージ３２からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ３２の一例としては、フラッシュメモリ及び／又はＨＤＤが挙げられる。フラッシュメモリ及びＨＤＤは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ１４に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。
ＵＩ系装置３４は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー（例えば、キーボード）、及び／又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び／又はスピーカ等によって実現される。ＵＩ系装置３４は、制御装置３０に接続されている。制御装置３０は、ＵＩ系装置３４によって受け付けられた指示信号を取得する。ＵＩ系装置３４は、制御装置３０の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。
通信インタフェース３５は、制御装置３０に接続されている。また、通信インタフェース３５は、ＷＡＮ及び／又はＬＡＮ等の通信網（図示省略）を介して外部装置３７に接続されている。通信インタフェース３５は、制御装置３０と外部装置３７との間の各種情報（例えば、磁気テープＭＴに対する記録用データ、磁気テープＭＴから読み取られたデータ、及び／又は制御装置３０に対して与えられる指示信号等）の授受を司る。なお、外部装置３７としては、例えば、パーソナル・コンピュータ又はメインフレーム等が挙げられる。
搬送装置２６は、磁気テープＭＴを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ３６、巻取リール３８、巻取モータ４０、及び複数のガイドローラＧＲを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。
送出モータ３６は、制御装置３０の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内の送出リール２２を回転させる。制御装置３０は、送出モータ３６を制御することで、送出リール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
巻取モータ４０は、制御装置３０の制御下で、巻取リール３８を回転させる。制御装置３０は、巻取モータ４０を制御することで、巻取リール３８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
磁気テープＭＴが巻取リール３８によって巻き取られる場合には、制御装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール３８に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３０によって調整されることで、磁気テープＭＴに対して張力が付与される。また、磁気テープＭＴに付与される張力は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３０によって調整されることによって制御される。
なお、磁気テープＭＴを送出リール２２に巻き戻す場合には、制御装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。
本実施形態では、送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール３８との間において磁気ヘッド２８を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
磁気ヘッド２８は、磁気素子ユニット４２及びホルダ４４を備えている。磁気素子ユニット４２は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４４によって保持されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子を有する。
磁気素子ユニット４２は、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。ここで、データとは、例えば、サーボパターン５２（図６参照）、及びサーボパターン５２以外のデータ、すなわち、データバンドＤＢ（図６参照）に記録されているデータを指す。ここで言うデータは、本開示の技術に係る「データ」の一例である。
磁気テープドライブ１４は、非接触式読み書き装置４６を備えている。非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２が装填された状態の磁気テープカートリッジ１２の下側にてカートリッジメモリ２４の裏面２４Ａに正対するように配置されており、カートリッジメモリ２４に対して非接触で情報の読み書きを行う。
一例として図４に示すように、非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２の下側からカートリッジメモリ２４に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ２４を貫通する。
非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０に接続されている。制御装置３０は、メモリ制御信号を非接触式読み書き装置４６に出力する。メモリ制御信号は、カートリッジメモリ２４を制御する信号である。非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０から入力されたメモリ制御信号に従って磁界ＭＦを生成し、生成した磁界ＭＦをカートリッジメモリ２４に向けて放出する。
非接触式読み書き装置４６は、磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４との間で非接触通信を行うことで、カートリッジメモリ２４に対して、メモリ制御信号に応じた処理を行う。例えば、非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０の制御下で、カートリッジメモリ２４から情報を読み取る処理と、カートリッジメモリ２４に対して情報を格納する処理（すなわち、カートリッジメモリ２４に対して情報を書き込む処理）とを選択的に行う。換言すると、制御装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介して、カートリッジメモリ２４と非接触で通信を行うことにより、カートリッジメモリ２４から情報を読み取ったり、カートリッジメモリ２４に対して情報を格納したりする。
一例として図５に示すように、磁気テープドライブ１４は、移動機構４８を備えている。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａを有する。移動アクチュエータ４８Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。移動アクチュエータ４８Ａは、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、移動アクチュエータ４８Ａを制御する。移動アクチュエータ４８Ａは、制御装置３０の制御下で動力を生成する。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤ（図６参照）に移動させる。
磁気テープドライブ１４は、傾斜機構４９を備えている。傾斜機構４９は、本開示の技術に係る「スキュー機構」の一例である。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａを有する。傾斜アクチュエータ４９Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。傾斜アクチュエータ４９Ａは、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、傾斜アクチュエータ４９Ａを制御する。傾斜アクチュエータ４９Ａは、制御装置３０の制御下で動力を生成する。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに対して磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜させる（図１０参照）。すなわち、磁気ヘッド２８は、制御装置３０の制御下で、傾斜機構４９から動力が付与されることで、磁気テープＭＴ上でスキューする。
一例として図６に示すように、磁気テープＭＴの表面３１には、サーボバンドＳＢ１、ＳＢ２及びＳＢ３と、データバンドＤＢ１及びＤＢ２と、が形成されている。なお、以下では、説明の便宜上、特に区別する必要がない場合、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３をサーボバンドＳＢと称し、データバンドＤＢ１及びＤＢ２をデータバンドＤＢと称する。
サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３とデータバンドＤＢ１及びＤＢ２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ（すなわち、全長方向）に沿って形成されている。ここで、磁気テープＭＴの全長方向とは、換言すると、磁気テープＭＴの走行方向を指す。磁気テープＭＴの走行方向は、磁気テープＭＴが送出リール２２側から巻取リール３８側に走行する方向である順方向（以下、単に「順方向」とも称する）と、磁気テープＭＴが巻取リール３８側から送出リール２２側に走行する方向である逆方向（以下、単に「逆方向」とも称する）との２つの方向で規定される。
サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤ（以下、単に「幅方向ＷＤ」とも称する）で離間した位置に配列されている。例えば、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、幅方向ＷＤに沿って等間隔に配列されている。なお、本実施形態において、「等間隔」とは、完全な等間隔の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等間隔を指す。
データバンドＤＢ１は、サーボバンドＳＢ１とサーボバンドＳＢ２との間に配されており、データバンドＤＢ２は、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間に配されている。つまり、サーボバンドＳＢとデータバンドＤＢとは、幅方向ＷＤに沿って交互に配列されている。
なお、図６に示す例では、説明の便宜上、３本のサーボバンドＳＢと２本のデータバンドＤＢとが示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、２本のサーボバンドＳＢと１本のデータバンドＤＢであってもよいし、４本以上のサーボバンドＳＢと３本以上のデータバンドＤＢであっても本開示の技術は成立する。
サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５２が形成されている。サーボパターン５２は、サーボパターン５２Ａとサーボパターン５２Ｂとに類別される。複数のサーボパターン５２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。なお、本実施形態において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの一定を指す。
サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５０で区切られている。フレーム５０は、一組のサーボパターン５２で規定されている。図６に示す例では、一組のサーボパターン５２の一例として、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂが示されている。サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５０内において、順方向の上流側にサーボパターン５２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５２Ｂが位置している。
サーボパターン５２は、線状磁化領域対５４からなる。線状磁化領域対５４は、線状磁化領域対５４Ａと線状磁化領域対５４Ｂとに類別される。
サーボパターン５２Ａは、線状磁化領域対５４Ａからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ａの一例として、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２による対が示されている。線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２が、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。
線状磁化領域５４Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ２ａの集合である。磁化直線５４Ａ１ａの集合及び磁化直線５４Ａ２ａの集合は、本開示の技術に係る「複数の磁化直線の集合」の一例である。
サーボパターン５２Ｂは、線状磁化領域対５４Ｂからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ｂの一例として、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２が、仮想直線Ｃ２に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。
線状磁化領域５４Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ２ａの集合である。磁化直線５４Ｂ１ａの集合及び磁化直線５４Ｂ２ａの集合は、本開示の技術に係る「複数の磁化直線の集合」の一例である。
このように構成された磁気テープＭＴの表面３１側に、磁気ヘッド２８は配置されている。ホルダ４４は、直方体状に形成されており、磁気テープＭＴの表面３１上を幅方向ＷＤに沿って横断するように配置されている。磁気素子ユニット４２の複数の磁気素子は、ホルダ４４の長手方向に沿って直線状に配列されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子として、一対のサーボ読取素子ＳＲ及び複数のデータ読み書き素子ＤＲＷを有する。本実施形態において、一対のサーボ読取素子ＳＲは、本開示の技術に係る「一対のサーボ読取素子」の一例である。
ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気テープＭＴの幅に対して十分に長い。例えば、ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気素子ユニット４２が磁気テープＭＴ上の何れの位置に配置されたとしても、磁気テープＭＴの幅を超える長さとされている。
磁気ヘッド２８には、一対のサーボ読取素子ＳＲが搭載されている。磁気ヘッド２８において、ホルダ４４と一対のサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。一対のサーボ読取素子ＳＲは、サーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２からなる。サーボ読取素子ＳＲ１は、磁気素子ユニット４２の一端に配置されており、サーボ読取素子ＳＲ２は、磁気素子ユニット４２の他端に配置されている。図６に示す例では、サーボ読取素子ＳＲ１が、サーボバンドＳＢ２に対応する位置に設けられており、サーボ読取素子ＳＲ２が、サーボバンドＳＢ３に対応する位置に設けられている。本実施形態において、サーボ読取素子ＳＲ１は、本開示の技術に係る「第１サーボ読取素子」の一例であり、サーボ読取素子ＳＲ２は、本開示の技術に係る「第２サーボ読取素子」の一例である。
複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に直線状に配置されている。複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている（例えば、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って等間隔に配置されている）。図６に示す例では、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが、データバンドＤＢ２に対応する位置に設けられている。
制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号を取得し、取得したサーボパターン信号に従ってトラッキング制御（「サーボ制御」とも称する）を行う。ここで、トラッキング制御とは、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られたサーボパターン５２に従って移動機構４８を介して磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに移動させることで磁気ヘッド２８を指定された箇所に位置させる制御（すなわち、オントラックとなるように磁気ヘッド２８の位置を調整する制御）を指す。
トラッキング制御が行われることにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、データバンドＤＢ内の指定された領域上に位置し、この状態で、データバンドＤＢ内の指定された領域に対して磁気的処理が行われる。図６に示す例では、データバンドＤＢ２内の指定された領域に対して複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによって磁気的処理が行われる。
また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢが変更される場合（図６に示す例では、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ２からＤＢ１に変更される場合）、移動機構４８は、制御装置３０の制御下で、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、一対のサーボ読取素子ＳＲの位置を変更する。すなわち、移動機構４８は、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、サーボ読取素子ＳＲ１をサーボバンドＳＢ１に対応する位置に移動させ、サーボ読取素子ＳＲ２をサーボバンドＳＢ２に対応する位置に移動させる。これにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷの位置は、データバンドＤＢ２上からデータバンドＤＢ１上に変更され、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによってデータバンドＤＢ１に対して磁気的処理が行われる。
一例として図７に示すように、データバンドＤＢ２には、データバンドＤＢ２が幅方向ＷＤに分割されることで得られる複数の分割エリアとして、サーボバンドＳＢ２側からサーボバンドＳＢ３側にかけて、データトラックＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４、ＤＴ５、ＤＴ６、ＤＴ７及びＤＴ８が形成されている。
磁気ヘッド２８は、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷとして、幅方向ＷＤに沿って、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に、データ読み書き素子ＤＲＷ１、ＤＲＷ２、ＤＲＷ３、ＤＲＷ４、ＤＲＷ５、ＤＲＷ６、ＤＲＷ７及びＤＲＷ８を有する。データ読み書き素子ＤＲＷ１～ＤＲＷ８は、データトラックＤＴ１～ＤＴ８に１対１で対応しており、データトラックＤＴ１～ＤＴ８からのデータの読み取り（すなわち、再生）、及びデータトラックＤＴ１～ＤＴ８に対するデータの記録（すなわち、書き込み）を行うことが可能である。
また、図示は省略するが、データバンドＤＢ１（図６参照）にも、データトラックＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４、ＤＴ５、ＤＴ６、ＤＴ７及びＤＴ８に相当する複数のデータトラックＤＴが形成されている。
なお、以下では、特に区別する必要がない場合、データトラックＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４、ＤＴ５、ＤＴ６、ＤＴ７及びＤＴ８を「データトラックＤＴ」と表記する。また、以下では、特に区別する必要がない場合、データ読み書き素子ＤＲＷ１、ＤＲＷ２、ＤＲＷ３、ＤＲＷ４、ＤＲＷ５、ＤＲＷ６、ＤＲＷ７及びＤＲＷ８を「データ読み書き素子ＤＲＷ」と表記する。
一例として図８に示すように、データトラックＤＴは、分割データトラック群ＤＴＧを有する。データトラックＤＴ１～ＤＴ８は、分割データトラック群ＤＴＧ１～ＤＴＧ８に対応している。以下では、特に区別して説明する必要がない場合、分割データトラック群ＤＴＧ１～ＤＴＧ８を「分割データトラック群ＤＴＧ」と表記する。
データトラック群ＤＴＧ１は、データトラックＤＴが幅方向ＷＤに分割されることで得られる複数の分割データトラックの集合である。図８に示す例では、データトラック群ＤＴＧ１の一例として、データトラックＤＴが幅方向ＷＤに１２等分されることで得られた分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２が示されている。データ読み書き素子ＤＲＷ１は、データトラック群ＤＴＧ１に対する磁気的処理を担う。すなわち、データ読み書き素子ＤＲＷ１は、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２へのデータの記録と、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２からのデータの読み取りと、を担う。
データ読み書き素子ＤＲＷ２～ＤＲＷ８の各々も、データ読み書き素子ＤＲＷ１と同様に、各データ読み書き素子ＤＲＷに対応するデータトラックＤＴのデータトラック群ＤＴＧに対する磁気的処理を担う。
データ読み書き素子ＤＲＷは、移動機構４８（図６参照）による磁気ヘッド２８の幅方向ＷＤへの移動に伴い、複数のデータトラックＤＴのうちの指定された１本のデータトラックＤＴに対応する位置に移動する。データ読み書き素子ＤＲＷは、サーボパターン５２（図６及び図７参照）を用いたトラッキング制御により、指定された１本のデータトラックＤＴに対応する位置に留められる。
ところで、近年、ＴＤＳ（Transverse Dimensional Stability）の影響を低減する技術に関する研究が進められている。ＴＤＳは、温度、湿度、磁気テープがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等に左右され、何ら対策を施さない場合、ＴＤＳが大きくなり、データバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる場面でオフトラック（すなわち、データバンドＤＢ内のトラックに対するデータ読み書き素子ＤＲＷの位置ずれ）が生じてしまうことが知られている。
図９に示す例では、磁気テープＭＴの幅が時間の経過と共に収縮した態様が示されている。この場合、オフトラックとなる。オフトラックとは、データ読み書き素子ＤＲＷが、分割データトラック群ＤＴＧに含まれる分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２のうちの指定された分割データトラック上に位置しない状態（すなわち、幅方向ＷＤにおいて、指定された分割データトラックの位置とデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とがずれる状態）を指す。
磁気テープＭＴの幅は、拡がる場合もあり、この場合にも、オフトラックとなる。すなわち、磁気テープＭＴの幅が時間の経過と共に縮まったり拡がったりすると、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置（すなわち、線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々に対して設計的に定められた既定位置）から幅方向ＷＤに外れてしまう。サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置から幅方向ＷＤに外れると、トラッキング制御の精度が低下し、データバンドＤＢ内のトラック（例えば、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２のうちの指定された分割データトラック）とデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とがずれてしまう。そうすると、当初予定されていたトラックに対して磁気的処理が行われなくなる。
ＴＤＳの影響を低減する方法としては、磁気テープＭＴに対して付与する張力を調整することにより磁気テープＭＴの幅を調整する方法が考えられる。しかし、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤの変形量が多過ぎると、磁気テープＭＴに対して付与する張力を調整してもオフトラックが解消されない場合がある。また、磁気テープＭＴに対して付与する張力を強くすると、磁気テープＭＴに与える負荷も大きくなり、磁気テープＭＴの寿命を削ることにも繋がりかねない。更に、磁気テープＭＴに対して付与する張力が弱過ぎると磁気ヘッド２８と磁気テープＭＴとの接触状態が不安定になり、磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴに対して磁気的処理を行うことが困難になる。磁気テープＭＴに対して付与する張力を調整する方法以外でＴＤＳの影響を低減する方法としては、一例として図１０に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８をスキューさせることで、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置を設計的に定められた既定位置に保持する方法が知られている。
磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを備えている。回転軸ＲＡは、磁気ヘッド２８に含まれる磁気素子ユニット４２の平面視中央部に相当する位置に設けられている。磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを介して傾斜機構４９に回転可能に保持されている。なお、本実施形態では、回転軸ＲＡを中心軸として表面３１上で表面３１に沿って磁気ヘッド２８を回転させることで磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに対して傾斜させる動作を「スキュー」と称している。
磁気ヘッド２８には仮想的な中心線である仮想直線Ｃ３が設けられている。仮想直線Ｃ３は、回転軸ＲＡを通り、かつ、磁気ヘッド２８の平面視長手方向（すなわち、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが配列された方向）に延びた直線である。磁気ヘッド２８は、表面３１に沿って幅方向ＷＤに対して傾斜させた姿勢（換言すると、表面３１に沿って仮想直線Ｃ４に対して仮想直線Ｃ３を傾斜させた姿勢）で配置されている。図１０に示す例では、磁気ヘッド２８は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ４に対して仮想直線Ｃ３が磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜した姿勢となるように傾斜機構４９によって保持されている。図１０に示す例では、磁気ヘッド２８が、仮想直線Ｃ３を仮想直線Ｃ４に対して送出リール２２側に傾斜した姿勢（すなわち、図１０の紙面表側から見た場合の反時計回りで傾斜した姿勢）で傾斜機構４９によって保持されている。仮想直線Ｃ３と仮想直線Ｃ４とで成す角度は、回転軸ＲＡを中心軸として表面３１上で表面３１に沿って磁気ヘッド２８を回転させることで磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに対して傾斜させた角度に相当する。なお、以下では、仮想直線Ｃ３と仮想直線Ｃ４とで成す角度を「スキュー角度」又は「磁気ヘッド２８のスキュー角度」とも称する。スキュー角度は、図１０の紙面表側から見た場合の反時計回りの方向を正とし、図１０の紙面表側から見た場合の時計回りを負として規定された角度である。
傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａ（図５参照）の動力を受けることで、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させる。傾斜機構４９は、制御装置３０の制御下で、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度を変更する。仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度の変更は、磁気ヘッド２８を表面３１に沿って幅方向ＷＤに対して傾斜させる角度、すなわち、磁気ヘッド２８のスキュー角度が変更されることによって実現される。本実施要形態では、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度が、磁気ヘッド２８のスキュー角度によって表現される。
仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度、すなわち、スキュー角度が、温度、湿度、磁気テープＭＴがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等、又は、これらによる磁気テープＭＴの幅方向ＷＤの伸縮に応じて変更されることにより、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。この場合、オントラックとなる。オントラックとは、データ読み書き素子ＤＲＷが、分割データトラック群ＤＴＧに含まれる分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２のうちの指定された分割データトラック上に位置した状態（すなわち、幅方向ＷＤにおいて、指定された分割データトラックの位置とデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とが一致した状態）を指す。
サーボ読取素子ＳＲは、サーボパターン５２を読み取り、読取結果を示すサーボパターン信号を出力する。サーボ読取素子ＳＲは、仮想直線Ｃ３に沿って直線状に形成されている。そのため、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ａが読み取られる場合、線状磁化領域対５４Ａにおいて、線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度が異なる。このように角度が異なると、線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ１が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）と線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ２が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）との間にアジマス損失に起因するばらつき（例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等）が生じる。
図１０に示す例において、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ１とで成す角度は、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ２とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープＭＴが走行している状態でサーボ読取素子ＳＲがサーボバンドＳＢを横切って読み取ることで得たサーボパターン信号にばらつきが生じる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ｂが読み取られる場合にも、線状磁化領域５４Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域５４Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。
詳しくは後述するが、本実施形態では、上述したようなアジマス損失に起因するばらつきが生じるサーボパターン信号を検出する方法として、自己相関係数を用いてサーボパターン信号を検出する方法が用いられる（図１５参照）。
次に、制御装置３０によって行われる具体的な処理の内容の一例について図１１～図１７を参照しながら説明する。
一例として図１１に示すように、コントローラ２５は、制御装置３０の他に、位置検出装置３０Ｂも備えている。図１１に示す例において、位置検出装置３０Ｂは、制御装置３０と別体とされているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、制御装置３０に組み込まれることによって制御装置３０と一体化されていてもよい。
位置検出装置３０Ｂは、第１位置検出装置３０Ｂ１及び第２位置検出装置３０Ｂ２を有する。位置検出装置３０Ｂは、サーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢが読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得し、取得したサーボバンド信号に基づいて、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の位置を検出する。サーボバンド信号には、サーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号の他に、トラッキング制御に不要な信号（例えば、ノイズ等）も含まれている。
位置検出装置３０Ｂは、磁気ヘッド２８からサーボバンド信号を取得する。サーボバンド信号は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とに類別される。第１サーボバンド信号Ｓ１は、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５２が読み取られた結果を示す信号である。第２サーボバンド信号Ｓ２は、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５２が読み取られた結果を示す信号である。
サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢのサーボパターン５２が読み取られた結果とは、例えば、１つのサーボパターン５２に含まれる線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２がサーボ読取素子ＳＲ１によって読み取られた結果を指す。線状磁化領域５４Ａ１には、５本の磁化直線５４Ａ１ａが含まれている。また、線状磁化領域５４Ａ２には、５本の磁化直線５４Ａ２ａが含まれている。また、線状磁化領域５４Ｂ１には、４本の磁化直線５４Ｂ１ａが含まれている。また、線状磁化領域５４Ｂ２には、４本の磁化直線５４Ｂ２ａが含まれている。従って、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボパターン５２が読み取られた結果は、線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する１８個のパルス信号からなるパルス信号群（以下、「第１パルス信号群」とも称する）として得られる。
図１１に示す例において、第１パルス信号群は、サーボバンドＳＢ２内の線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する時系列のパルス信号の集合である。また、本実施形態では、第１パルス信号群が第１サーボバンド信号Ｓ１である。
ここでは、第１パルス信号群として、サーボバンドＳＢ２内の線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する時系列のパルス信号の集合を例示しているが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、第１パルス信号群は、サーボバンドＳＢ２内の線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２に対応する時系列のパルス信号の集合、又は、サーボバンドＳＢ２内の線状磁化領域４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する時系列のパルス信号の集合であってもよい。
サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢのサーボパターン５２が読み取られた結果とは、例えば、１つのサーボパターン５２に含まれる線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２がサーボ読取素子ＳＲ１によって読み取られた結果を指す。従って、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボパターン５２が読み取られた結果は、線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する１８個のパルス信号からなるパルス信号群（以下、「第２パルス信号群」とも称する）として得られる。また、本実施形態では、第２パルス信号群が第２サーボバンド信号Ｓ２である。
図１１に示す例において、第２パルス信号群は、サーボバンドＳＢ３内の線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する時系列のパルス信号の集合である。また、本実施形態では、第２パルス信号群が第２サーボバンド信号Ｓ１である。
ここでは、第２パルス信号群として、サーボバンドＳＢ３内の線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する時系列のパルス信号の集合を例示しているが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、第２パルス信号群は、サーボバンドＳＢ３内の線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２に対応する時系列のパルス信号の集合、又は、サーボバンドＳＢ３内の線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２に対応する時系列のパルス信号の集合であってもよい。
なお、本実施形態において、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５２が読み取られた結果は、本開示の技術に係る「第１結果」及び「第１パルス信号群」の一例である。第１サーボバンド信号Ｓ１は、本開示の技術に係る「第１信号」の一例である。サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５２が読み取られた結果は、本開示の技術に係る「第２結果」及び「第２パルス信号群」の一例である。第２サーボバンド信号Ｓ２は、本開示の技術に係る「第２信号」の一例である。
第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２位置検出装置３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。図１１に示す例では、第１サーボバンド信号Ｓ１の一例として、サーボバンドＳＢ２がサーボ読取素子ＳＲ１によって読み取られることで得られた信号が示されており、第２サーボバンド信号Ｓ２の一例として、サーボバンドＳＢ３がサーボ読取素子ＳＲ２によって読み取られることで得られた信号が示されている。なお、本実施形態では、説明の便宜上、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とを区別して説明する必要がない場合、符号を付さずに「サーボバンド信号」と称する。
一例として図１２に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５０は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに間隔Ｄでずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに間隔Ｄでずれていることを意味する。
間隔Ｄは、角度α、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間のピッチ（以下、「サーボバンドピッチ」とも称する）、及びフレーム長に基づいて規定されている。図１２に示す例では、角度αを視覚的に把握し易くするために、角度αが誇張して示されているが、実際のところ、角度αは、例えば、１５度程度である。角度αは、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にないフレーム５０間と仮想直線Ｃ１とで成す角度である。図１２に示す例では、角度αの一例として、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にある一対のフレーム５０のうちの一方のフレーム５０（図１２に示す例では、サーボバンドＳＢ３の１つのフレーム５０）と、一対のフレーム５０のうちの他方のフレーム５０（図１２に示す例では、サーボバンドＳＢ２内の複数のフレーム５０のうち、サーボバンドＳＢ３の１つのフレーム５０と対応関係にあるフレーム５０）に隣接するフレーム５０との間（図１２に示す例では、線分Ｌ１）と仮想直線Ｃ１とで成す角度が示されている。この場合、フレーム長とは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤについてのフレーム５０の全長を指す。間隔Ｄは、以下の数式（１）で規定される。なお、Ｍｏｄ（Ａ／Ｂ）は、“Ａ”を“Ｂ”で除した場合に生じる余りを意味する。
（間隔Ｄ）＝Mod｛（サーボバンドピッチ×tanα）／（フレーム長）｝・・・（１）
なお、図１２に示す例では、角度αとして、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にある一対のフレーム５０のうちの一方のフレーム５０（以下、「第１フレーム」とも称する）と、一対のフレーム５０のうちの他方のフレーム５０（以下、「第２フレーム」とも称する）に隣接するフレーム５０との間と仮想直線Ｃ１とで成す角度を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、角度αは、第１フレームと、第２フレームと同じサーボバンドＳＢ内で第２フレームから２フレーム以上離れたフレーム５０（以下、「第３フレーム」とも称する）との間と仮想直線Ｃ１とで成す角度であってもよい。この場合、数式（１）で用いられる“フレーム長”は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤについての第２フレームと第３フレームとの間のピッチ（例えば、第２フレームの先端から第３フレームの先端までの距離）である。
ところで、磁気テープドライブ１４では、トラッキング制御及びオフトラック抑制制御（以下、「各種制御」とも称する）が行われる。オフトラック抑制制御は、オフトラックの発生を抑制する制御である。オフトラック抑制制御としては、磁気テープＭＴに付与する張力を制御する張力制御、及び磁気ヘッド２８をスキューさせるスキュー制御が挙げられる。オフトラック抑制制御は、本開示の技術に係る「特定処理」及び「信号処理装置から得られるずれ量に応じた処理」の一例である。
オフトラック抑制制御は、サーボバンドピッチに基づいて行われる制御である。サーボバンドピッチは、第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２に基づいて算出される。そのため、隣接サーボバンドＳＢ間のフレーム５０の間隔Ｄ（すなわち、対応するサーボパターン５２間の長手方向ＬＤの間隔）がばらつくと、少なくともばらついた分だけ、サーボバンドピッチの算出にも影響を及ぼし、これに伴って各種制御の精度も低下する。
サーボパターン５２は、サーボライタによって記録される。サーボパターン５２の記録に用いられるサーボライタは様々であり、サーボライタ間で製造誤差及び／又は取付誤差等がある。サーボライタ間での製造誤差及び／又は取付誤差等は、隣接サーボバンドＳＢにおいて対応関係にあるサーボパターン５２間で物理的なずれ量（以下、「物理的ずれ量」とも称する）となって現れる。すなわち、物理的ずれ量が間隔Ｄのばらつきとなって現れる。
物理的ずれ量が測定できれば、物理的ずれ量を考慮した各種制御を行うことが可能となる。物理的ずれ量の測定方法としては、顕微鏡を用いた測定方法が考えられる。この場合、物理的ずれ量の測定精度は、顕微鏡の移動ステージの精度（すなわち、分解能）によって左右される。しかし、磁気テープＭＴの高密度化に伴って、顕微鏡の移動ステージの精度も高くしなければならない。例えば、顕微鏡の移動ステージの精度としては、０．５ｕｍ～１ｕｍレベルが要求される。このような顕微鏡を用意するのにもコストがかかる上、顕微鏡を用いた測定にも手間がかかる。
そこで、このような事項に鑑み、磁気テープシステム１０では、一例として図１３に示すように、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２との間の時間のずれ量Δが制御装置３０によって取得される。ずれ量Δは、物理的ずれ量を時間的なずれ量として表現した物理量である。すなわち、ずれ量Δは、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間で対応関係にあるフレーム５０間の一対のサーボパターン５２の位置のずれ量に対応している。
ずれ量Δは、磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａ上でスキューさせた状態の磁気ヘッド２８によって得られた第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２から算出される。図１３に示す例では、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図１３の紙面側から見た場合の半時計周りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａ上でスキューさせた状態が示されている。角度βは、間隔Ｄ（図１２参照）に対応する角度であり、ＢＯＴ領域３１Ａ上でのスキュー角度として予め定められている。例えば、角度βは、管理情報１３（図２参照）に含まれており、制御装置３０によって取得される。制御装置３０は、傾斜機構４９（図５及び図１０参照）を作動させることで、スキュー角度が角度βとなるように磁気ヘッド２８をＢＯＴ領域３１Ａ上でスキューさせる。これは、ずれ量Δ分だけ磁気ヘッド２８をＢＯＴ領域３１Ａ上でスキューさせることを意味する。制御装置３０は、角度βのスキュー角度を維持させた状態で、サーボ読取素子ＳＲ１から第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、かつ、サーボ読取素子ＳＲ２から第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。
ここで、ずれ量Δが“０”であれば、隣接サーボバンドＳＢにおいて対応関係にあるサーボパターン５２間で物理的ずれ量が生じていないと制御装置３０によって判定され、ずれ量Δが“０”以外の値であれば、物理的ずれ量が生じていると制御装置３０によって判定される。なお、物理的ずれ量が生じているか否かの判定結果は、ストレージ３２の記憶装置等に記憶されてもよいし、ディスプレイに表示されてもよい。また、本実施形態において、“０”とは、完全な“０”の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの“０”を指す。
一例として図１４に示すように、磁気テープＭＴの表面３１は、ＢＯＴ領域３１ＡとＢＯＴ領域外３１Ｂとに大別される。ＢＯＴ領域外３１Ｂとは、表面３１内のＢＯＴ領域３１Ａ以外の領域を指す。本実施形態において、ＢＯＴ領域３１Ａは、本開示の技術に係る「格納媒体」、「ＢＯＴ領域」、及び「磁気テープの一部領域」の一例である。
制御装置３０は、磁気テープＭＴを一方向（例えば、順方向）に一定の速度で走行させた状態でＢＯＴ領域処理とＢＯＴ領域外処理とを行う。ＢＯＴ領域処理は、ＢＯＴ領域３１Ａ上において磁気ヘッド２８を角度βでスキューさせた状態で行われる処理である。ＢＯＴ領域外処理は、ＢＯＴ領域外３１Ｂ上において磁気ヘッド２８を角度βでスキューさせた状態で行われる処理である。
ＢＯＴ領域処理において、制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲ１から第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、かつ、サーボ読取素子ＳＲ２から第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。そして、制御装置３０は、ずれ量Δとして第１ずれ量Δ１を取得する。第１ずれ量Δ１は、ＢＯＴ領域処理において制御装置３０によって取得された第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２との間の時間のずれ量（例えば、時間差）である。
ＢＯＴ領域外処理において、制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲ１から第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、かつ、サーボ読取素子ＳＲ２から第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。そして、制御装置３０は、ずれ量Δとして第２ずれ量Δ２を取得する。第２ずれ量Δ２は、ＢＯＴ領域外処理において制御装置３０によって取得された第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２との間の時間のずれ量（例えば、時間差）である。
ＢＯＴ領域外処理において、制御装置３０は、第１ずれ量Δ１と第２ずれ量Δ２との差分６４を算出する。差分６４の一例としては、第２ずれ量Δ２から第１ずれ量Δ１を減じた値が挙げられる。但し、これは、あくまでも一例に過ぎず、第１ずれ量Δ１から第２ずれ量Δ２を減じた値であってもよい。また、第２ずれ量Δ２に対する第１ずれ量Δ１の割合、又は第１ずれ量Δ１に対する第２ずれ量Δ２の割合であってもよい。このように、第１ずれ量Δ１と第２ずれ量Δ２との相違度が特定できる値であれば如何なる値であってもよい。
一例として図１５に示すように、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを有する。第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂは、並列に接続されており、互いに共通の入力端子３０Ｂ１ａ及び出力端子３０Ｂ１ｂを備えている。図１５に示す例では、入力端子３０Ｂ１ａに第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される態様例が示されている。第１サーボバンド信号Ｓ１には、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが含まれている。第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂは、サーボ読取素子ＳＲ１（図１１参照）によって読み取られた結果を示すサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）である。第２サーボバンド信号Ｓ２（図１１参照）にも、第１サーボバンド信号Ｓ１と同様のことが言える。すなわち、サーボパターン信号は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを有する。
ストレージ３２には、各フレーム５０につき、１つずつの理想波形信号６６が予め格納されている。例えば、理想波形信号６６は、磁気テープＭＴの先頭から後尾にかけての全てのフレーム５０の各々に対して個別に対応付けられている。磁気テープＭＴの先頭から後尾にかけて各フレーム５０に含まれるサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる場合、第１位置検出装置３０Ｂ１は、サーボ読取素子ＳＲによって各フレーム５０に含まれるサーボパターン５２が読み取られる毎に（例えば、サーボパターン５２に対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが開始されるタイミングに同期して）、各フレーム５０に対応する理想波形信号６６をストレージ３２から取得し、取得した理想波形信号６６を第１サーボバンド信号Ｓ１との比較に用いる。
理想波形信号６６は、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２（図１１参照）がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示すサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）の理想波形を示す信号である。理想波形信号６６は、第１サーボバンド信号Ｓ１と比較される見本信号とも言える。
理想波形信号６６は、第１理想波形信号６６Ａと第２理想波形信号６６Ｂとに類別される。第１理想波形信号６６Ａは、線状磁化領域５４Ａ２又は５４Ｂ２に由来する信号、すなわち、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂに対応しており、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの理想波形を示す信号である。第２理想波形信号６６Ｂは、線状磁化領域５４Ａ１又は５４Ｂ１に由来する信号、すなわち、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａに対応しており、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの理想波形を示す信号である。
より詳しく説明すると、例えば、第１理想波形信号６６Ａは、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂに含まれる単発（すなわち、１波長分）の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５２に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。また、例えば、第２理想波形信号６６Ｂは、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａに含まれる単発（すなわち、１波長分）の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５２に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。
第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形である。磁気ヘッド２８のホルダ４４（図１０参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。従って、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。例えば、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形である。
上述したように、磁気ヘッド２８のホルダ４４（図１０参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されているので、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ２と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。
なお、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、上述した要素に加え、サーボ読取素子ＳＲそのものの特性（材質、大きさ、形状、及び／又は使用履歴など）、磁気テープＭＴの特性（材質、及び／又は使用履歴など）、及び／又は磁気ヘッド２８の使用環境なども加味して定められてもよい。
第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形と同様に、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形も、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形、すなわち、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。例えば、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ１の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形、すなわち、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ１の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ１と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。
なお、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形も、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形と同様に、上述した要素に加え、サーボ読取素子ＳＲそのものの特性（材質、大きさ、形状、及び／又は使用履歴など）、磁気テープＭＴの特性（材質、及び／又は使用履歴など）、及び／又は磁気ヘッド２８の使用環境なども加味して定められてもよい。
第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、取得した第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。図１２に示す例において、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを用いることでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。
第１検出回路３９Ａには、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第１検出回路３９Ａは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを検出する。
第１検出回路３９Ａによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとの相関の度合いを示す係数である。第１検出回路３９Ａは、ストレージ３２から第１理想波形信号６６Ａを取得し、取得した第１理想波形信号６６Ａと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第１検出回路３９Ａは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第１検出回路３９Ａは、サーボバンドＳＢ（例えば、図９に示すサーボバンドＳＢ２）上において、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとの相関が高い位置（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。
一方、第２検出回路３９Ｂにも、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第２検出回路３９Ｂは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａを検出する。
第２検出回路３９Ｂによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとの相関の度合いを示す係数である。第２検出回路３９Ｂは、ストレージ３２から第２理想波形信号６６Ｂを取得し、取得した第２理想波形信号６６Ｂと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第２検出回路３９Ｂは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第２検出回路３９Ｂは、サーボバンドＳＢ（例えば、図９に示すサーボバンドＳＢ２）上において、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとの相関が高い位置（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。
第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａによる検出結果及び第２検出回路３９Ｂによる検出結果に基づいてサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。第１位置検出装置３０Ｂ１は、出力端子３０Ｂ１ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａを制御装置３０に出力する。サーボパターン信号Ｓ１Ａは、第１検出回路３９Ａによって検出された第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第２検出回路３９Ｂによって検出された第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとの論理和を示す信号（例えば、デジタル信号）である。
サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置は、例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂの長手方向ＬＤの間隔に基づいて検出される。例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂの長手方向ＬＤの間隔は、自己相関係数に従って検出される。サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５２の上側（すなわち、図１１中の紙面正面視の上側）に位置している場合、線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔は狭くなり、かつ、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔も狭くなる。これに対し、サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５２の下側（すなわち、図１１中の紙面正面視の下側）に位置している場合、線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔は広くなり、かつ、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔も広くなる。このようにして、第１位置検出装置３０Ｂ１は、自己相関係数に従って検出した線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔、及び、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔を用いて、サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置の検出を行う。
図１５に示す例では、第１位置検出装置３０Ｂ１が、第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する形態例を挙げて説明したが、これと同様に、第２位置検出装置３０Ｂ２も、第２サーボバンド信号Ｓ２と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ２Ａを検出し、検出したサーボパターン信号Ｓ２Ａを制御装置３０に出力する。
なお、本実施形態では、自己相関係数を用いて第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが検出される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、複数の閾値を用いて第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが検出されるようにしてもよい。複数の閾値の一例としては、第１閾値及び第２閾値が挙げられる。第１閾値と第２閾値との大小関係は、“第１閾値＞第２閾値”である。第１閾値は、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの波形に振幅として予想される振幅に基づいて事前に導かれた値であり、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの検出に用いられる。第２閾値は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの波形の振幅として予想される振幅と第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの波形の振幅として予想される振幅とに基づいて事前に導かれた値である。第１閾値及び第２閾値は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの検出に用いられる。
一例として図１６に示すように、制御装置３０は、位置検出部３０Ｂによって位置が検出された結果（すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａ）に基づいて各種制御を行う。例えば、制御装置３０は、位置検出部３０Ｂによって位置が検出された結果に基づいてトラッキング制御を行う。すなわち、制御装置３０は、位置検出部３０Ｂによって位置が検出された結果に基づいて移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８の位置を調整する。
また、制御装置３０は、ＴＤＳの影響を低減するための制御として、オフトラック抑制制御を行う。制御装置３０は、オフトラック抑制制御を行うために、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２ＡからサーボバンドピッチＳＢＰを算出する。
ここで、制御装置３０は、算出したサーボバンドピッチＳＢＰを差分６４に基づいて調整する。すなわち、物理的ずれ量が生じている場合、サーボバンドピッチＳＢＰも、物理的ずれ量分だけずれているので、サーボバンドピッチＳＢＰが、物理的ずれ量に対応する差分６４に基づいて調整される。
サーボバンドピッチＳＢＰを調整する方法としては、例えば、調整前のサーボバンドピッチＳＢＰと差分６４とを独立変数とし、調整後のサーボバンドピッチＳＢＰ（すなわち、物理的ずれ量分のずれが解消されたサーボバンドピッチＳＢＰ）を従属変数とする演算式を用いてサーボバンドピッチＳＢＰを調整する方法が挙げられる。また、これ以外の方法としては、例えば、調整前のサーボバンドピッチＳＢＰと差分６４とを入力とし、調整後のサーボバンドピッチＳＢＰを出力とするテーブルを用いてサーボバンドピッチＳＢＰを調整する方法が挙げられる。
制御装置３０は、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２に基づいて、張力制御を行ったり、スキュー制御をおこなったりする。例えば、制御装置３０は、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２から得られた差分６４を用いて調整されたサーボバンドピッチＳＢＰに従って、張力制御を行ったり、スキュー制御をおこなったりする。
張力制御は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が、差分６４を用いて調整されたサーボバンドピッチＳＢＰから一意に定まる回転速度及び回転トルク等となるように、送出モータ３６及び巻取モータ４０を作動させることによって実現される。スキュー制御は、仮想直線Ｃ１と仮想直線Ｃ２との成す角度が、差分６４を用いて調整されたサーボバンドピッチＳＢＰから一意に定まる角度θとなるように、傾斜機構４９を作動させることによって実現される。
次に、磁気テープシステム１０の作用について図１７を参照しながら説明する。
図１７には、磁気テープＭＴをＢＯＴ領域３１ＡからＥＯＴ領域（図示省略）にかけて順方向に走行させた場合に制御装置３０によって実行される制御処理の流れの一例が示されている。制御処理は、本開示の技術に係る「信号処理」の一例である。制御処理には、ＢＯＴ領域処理及びＢＯＴ領域外処理が含まれる。なお、図１７に示すフローチャートの流れは、本開示の技術に係る「信号処理方法」の一例である。
図１７に示すステップＳＴ１０で、制御装置３０は、ＢＯＴ領域３１Ａが磁気ヘッド２８上を走行しているか否かを判定する。ステップＳＴ１０において、ＢＯＴ領域３１Ａが磁気ヘッド２８上を走行していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１０の判定が再び行われる。ステップＳＴ１０において、ＢＯＴ領域３１Ａが磁気ヘッド２８上を走行している場合は、判定が肯定されて、制御処理はステップＳＴ１２へ移行する。
ステップＳＴ１２で、制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲ１から第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、かつ、サーボ読取素子ＳＲ２から第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。ステップＳＴ１２の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ１４へ移行する。
ステップＳＴ１４で、制御装置３０は、ステップＳＴ１２で取得した第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２から第１ずれ量Δ１を算出する。ステップＳＴ１４の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ１６へ移行する。
ステップＳＴ１６で、制御装置３０は、ＢＯＴ領域外３１Ｂが磁気ヘッド２８上に存在しているか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、ＢＯＴ領域外３１Ｂが磁気ヘッド２８上に存在していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１６の判定が再び行われる。ステップＳＴ１６において、ＢＯＴ領域外３１Ｂが磁気ヘッド２８上に存在している場合は、判定が肯定されて、制御処理はステップＳＴ１８へ移行する。
ステップＳＴ１８で、制御装置３０は、サーボバンド信号を取得するタイミング（以下、「サーボバンド信号取得タイミング」と称する）が到来したか否かを判定する。サーボバンド信号取得タイミングの第１例としては、フレーム５０の先頭が磁気素子ユニット４２上に到達したタイミングが挙げられる。サーボバンド信号取得タイミングの第２例としては、予め定められた個数（例えば、数十個～数千万個の範囲内で定められた個数）のフレーム５０が磁気素子ユニット４２上を通過してからフレーム５０の先頭が磁気素子ユニット４２上に到達したタイミングが挙げられる。サーボバンド信号取得タイミングの第３例としては、ステップＳＴ１８の処理が開示されてから一定時間（例えば、数ミリ秒～数分の範囲内で定められた時間）が経過したタイミングが挙げられる。
ステップＳＴ１８において、サーボバンド信号取得タイミングが到来していない場合は、判定が否定されて、制御処理はステップＳＴ３０へ移行する。ステップＳＴ１８において、サーボバンド信号取得タイミングが到来した場合は、判定が肯定されて、制御処理はステップＳＴ２０へ移行する。
ステップＳＴ２０で、制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲ１から第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、かつ、サーボ読取素子ＳＲ２から第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。ステップＳＴ２０の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ２２へ移行する。
ステップＳＴ２２で、制御装置３０は、ステップＳＴ２０で取得した第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２から第２ずれ量Δ２を算出する。ステップＳＴ２２の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ２４へ移行する。
ステップＳＴ２４で、制御装置３０は、ステップＳＴ１４で算出した第１ずれ量Δ１とステップＳＴ２２で取得した第２ずれ量Δ２とから差分６４を算出する。ステップＳＴ２４の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ２６へ移行する。
ステップＳＴ２６で、制御装置３０は、ステップＳＴ２０で取得した第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２に基づいてサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａを生成する。そして、制御装置３０は、生成したサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２ＡからサーボパンドピッチＳＢＰを算出する。ステップＳＴ２６の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ２８へ移行する。
ステップＳＴ２８で、制御装置３０は、ステップＳＴ２６の処理においてサーボバンドピッチＳＢＰの算出で用いたサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａに基づいてトラッキング制御を行う。また、制御装置３０は、ステップＳＴ２６で算出したサーボバンドピッチＳＢＰを、ステップＳＴ２４で算出した差分６４を用いて調整し、調整したサーボバンドピッチＳＢＰに基づいて張力制御及びスキュー制御を行う。ステップＳＴ２８の処理が実行された後、制御処理はステップＳＴ３０へ移行する。
ステップＳＴ３０で、制御装置３０は、制御処理が終了する条件（以下、「終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。終了条件の第１例としては、制御処理を終了させる指示がＵＩ系装置３４によって受け付けられたという条件が挙げられる。終了条件の第２例としては、磁気素子ユニット４２上を通過したフレーム５０の個数が既定数（例えば、数個～数万個の範囲内で定められた個数）に達したという条件が挙げられる。終了条件の第３例としては、制御処理の実行が開始されてから既定時間（例えば、事前に指定された時間）が経過したという条件が挙げられる。
ステップＳＴ３０において、終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、制御処理はステップＳＴ１８へ移行する。ステップＳＴ３０において、終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、制御処理が終了する。
なお、ここでは、ＢＯＴ領域３１Ａ上で第１ずれ量Δ１が算出される形態例を挙げて説明したが（ステップＳＴ１２及びステップＳＴ１４参照）、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、カートリッジメモリ２４及び／又はＢＯＴ領域３１Ａ等の格納媒体に第１ずれ量Δ１が既に格納済みである場合は、ステップＳＴ１２及びステップＴ１４の処理に代えて、「格納媒体から第１ずれ量Δ１を読み出す」という処理を適用してもよい。
以上説明したように、磁気テープシステム１０では、磁気テープドライブ１４の磁気ヘッド２８にサーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２が設けられている。サーボ読取素子ＳＲ１は、サーボバンドＳＢ２に対応しており、サーボ読取素子ＳＲ２は、サーボバンドＳＢ３に対応している。サーボ読取素子ＳＲ１は、サーボバンドＳＢ２からサーボパターン５２を読み取ることで第１サーボバンド信号Ｓ１を出力し、サーボ読取素子ＳＲ２は、サーボバンドＳＢ３からサーボパターン５２を読み取ることで第２サーボバンド信号Ｓ２を出力する。
制御装置３０によって行われる各種制御は、第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２に基づく制御である。そのため、隣接サーボバンドＳＢ間のフレーム５０の間隔Ｄがばらつくと、少なくともばらついた分だけ、各種制御の精度も低下する。間隔Ｄのばらつきの一因としては、サーボライタ間での製造誤差及び／又は取付誤差等が挙げられる。サーボライタ間での製造誤差及び／又は取付誤差等は、物理的ずれ量となって現れる。物理的ずれ量は、間隔Ｄのばらつきとなって現れる。物理的ずれ量を顕微鏡で測定すれば、物理的ずれ量を考慮した各種制御を行うことが可能となるが、物理的ずれ量の測定精度は、顕微鏡の移動ステージの精度に左右される。顕微鏡の移動ステージの精度を高めるには、高価な顕微鏡が必要となる。
磁気テープシステム１０では、制御装置３０によって第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２が算出される。第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２の各々は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２との時間のずれ量であり、物理的ずれ量に相当する。従って、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２間のずれ量（すなわち、間隔Ｄのばらつき）を簡便に特定することができる。例えば、顕微鏡による測定を行う場合に比べ、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２間のずれ量を簡便に特定することができる。
また、磁気テープシステム１０では、ＢＯＴ領域３１Ａ上にサーボ読取素子ＳＲ１が位置している間にサーボバンドＳＢ２内のサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲ１によって読み取られることによって第１サーボバンド信号Ｓ１が得られる。また、ＢＯＴ領域３１Ａ上にサーボ読取素子ＳＲ２が位置している間にサーボバンドＳＢ３内のサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲ２によって読み取られることによって第２サーボバンド信号Ｓ２が得られる。そして、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２との時間のずれ量である第１ずれ量Δ１が算出される。第１ずれ量Δ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２との時間のずれ量であり、物理的ずれ量に相当する。従って、磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａにおいて幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２間のずれ量（すなわち、間隔Ｄのばらつき）を簡便に特定することができる。例えば、顕微鏡による測定を行う場合に比べ、磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａにおいて幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２間のずれ量（すなわち、間隔Ｄのばらつき）を簡便に特定することができる。
また、磁気テープシステム１０では、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２に応じたオフトラック抑制制御が行われる。すなわち、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２から得られる差分６４を用いて調整されたサーボバンドピッチＳＢＰに従ってオフトラック抑制制御（すなわち、張力制御及びスキュー制御）が行われる。従って、調整前のサーボバンドピッチＳＢＰに従ってオフトラック抑制制御が行われる場合に比べ、オフトラックの発生を抑制することができる。
なお、上記実施形態では、サーボバンドピッチＳＢＰが差分６４で調整される形態例を挙げて説明したが、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが差分６４で調整されるようにしてもよい。この場合、サーボバンドピッチＳＢＰを差分６４で調整する必要がなくなる。また、調整前のサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａを用いてトラッキング制御が行われる場合に比べ、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａを用いて行われるトラッキング制御の精度を高めることができる。なお、この場合のトラッキング制御は、本開示の技術に係る「特定処理」の一例である。
また、上記実施形態では、ＢＯＴ領域外処理において第１ずれ量Δ１と第２ずれ量Δ２との差分６４を用いてオフトラック抑制制御が行われる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ＢＯＴ領域処理において、第１ずれ量Δ１に応じたオフトラック抑制制御（すなわち、ＢＯＴ領域３１Ａでのオフトラックが解消される制御）が行われ、ＢＯＴ領域外処理において、第２ずれ量Δ２に応じたオフトラック抑制制御（すなわち、ＢＯＴ領域外３１Ｂでのオフトラックが解消される制御）が行われるようにしてもよい。第１ずれ量Δ１に応じたオフトラック抑制制御とは、例えば、第１ずれ量Δ１から一意に定まる張力を磁気テープＭＴに付与する制御、及び／又は、第１ずれ量Δ１から一意に定まるスキュー角度にする制御を指す。また、第２ずれ量Δ２に応じたオフトラック抑制制御とは、例えば、第２ずれ量Δ２から一意に定まる張力を磁気テープＭＴに付与する制御、及び／又は、第２ずれ量Δ２から一意に定まるスキュー角度にする制御を指す。
［第１変形例］
上記実施形態では、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２から得られる差分６４に基づいてオフトラック抑制制御が行われる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１８に示すように、第１ずれ量Δ１、第２ずれ量Δ２、及び差分６４のうちの少なくとも第１ずれ量Δ１が、制御装置３０によってストレージ３２、カートリッジメモリ２４、及び／又はＢＯＴ領域３１Ａ等の格納媒体に信号として格納されるようにしてもよい。この場合、格納媒体に格納されている信号を参照することで、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２間のずれ量を推測することができる。
また、第１ずれ量Δ１、第２ずれ量Δ２、及び差分６４のうちの少なくとも第１ずれ量Δ１がディスプレイ及び／又はスピーカ等に出力されるようにしてもよい。この場合、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５２間のずれ量をユーザ等に知覚させることができる。
また、サーボライタＳＷが、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢにサーボパターン５２を記録する場合にも本開示の技術を適用することができる。図１８に示す例において、サーボライタＳＷは、送出リールＳＷ１、巻取リールＳＷ２、駆動装置ＳＷ３、パルス信号生成器ＳＷ４、サーボライタコントローラＳＷ５、複数のガイドＳＷ６、搬送路ＳＷ７、サーボパターン記録ヘッドＷＨ、及びベリファイヘッドＶＨを備えている。サーボライタコントローラＳＷ５には、上述したコントローラ２５に相当する装置が組み込まれている。
サーボパターン記録工程では、サーボライタＳＷが用いられる。サーボライタＳＷは、送出リールＳＷ１、巻取リールＳＷ２、駆動装置ＳＷ３、パルス信号生成器ＳＷ４、サーボライタコントローラＳＷ５、複数のガイドＳＷ６、搬送路ＳＷ７、サーボパターン記録ヘッドＷＨ、及びベリファイヘッドＶＨを備えている。サーボライタコントローラＳＷ５には、上述したコントローラ２５（図３参照）に相当する装置が組み込まれている。
サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボライタＳＷの全体を制御する。本実施形態において、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、サーボライタコントローラＳＷ５は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
送出リールＳＷ１には、パンケーキがセットされている。パンケーキとは、サーボパターン５２の書き込み前に幅広のウェブ原反から製品幅に裁断された磁気テープＭＴがハブに巻き掛けられた大径ロールを指す。
駆動装置ＳＷ３は、モータ（図示省略）及びギア（図示省略）を有しており、送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に機械的に接続されている。磁気テープＭＴが巻取リールＳＷ２によって巻き取られる場合、駆動装置ＳＷ３は、サーボライタコントローラＳＷ５からの指示に従って、動力を生成し、生成した動力を送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に伝達することで送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２を回転させる。すなわち、送出リールＳＷ１は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、磁気テープＭＴを既定の搬送路ＳＷ７に送り出す。巻取リールＳＷ２は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、送出リールＳＷ１から送り出された磁気テープＭＴを巻き取る。送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２の回転速度及び回転トルク等は、巻取リールＳＷ２に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。なお、送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２の回転速度及び回転トルク等は、上記実施形態で説明した張力制御と同様の要領で調整されるようにしてもよい。
搬送路ＳＷ７上には、複数のガイドＳＷ６及びサーボパターン記録ヘッドＷＨが配置されている。サーボパターン記録ヘッドＷＨは、複数のガイドＳＷ６間で、磁気テープＭＴの表面３１側に配置されている。送出リールＳＷ１から搬送路ＳＷ７に送り出された磁気テープＭＴは、複数のガイドＳＷ６に案内されてサーボパターン記録ヘッドＷＨ上を経由して巻取リールＳＷ２によって巻き取られる。
サーボパターン記録工程では、パルス信号生成器ＳＷ４が、サーボライタコントローラＳＷ５の制御下で、パルス信号を生成し、生成したパルス信号をサーボパターン記録ヘッドＷＨに供給する。磁気テープＭＴが搬送路ＳＷ上を一定の速度で走行している状態で、サーボパターン記録ヘッドＷＨは、パルス信号生成器ＳＷ４から供給されたパルス信号に従って、サーボバンドＳＢにサーボパターン５２を記録する。これにより、例えば、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの全長にわたって複数のサーボパターン５２が記録される（図６～図９参照）。
なお、パルス信号生成器ＳＷ４によるパルス信号の生成タイミングは、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２を用いて調整されるようにしてもよい。例えば、ＢＯＴ領域３１Ａに対するサーボパターン５２の記録が行われる期間では、第１ずれ量Δ１を用いて、パルス信号の生成タイミングが調整されるようにする。また、例えば、ＢＯＴ領域外３１Ｂに対するサーボパターン５２の記録が行われる期間では、第２ずれ量Δ２を用いて、パルス信号の生成タイミングが調整されるようにする。これにより、パルス信号の生成タイミングが調整されない場合に比べ、サーボバンドＳＢにサーボパターン５２が記録されることによって定まる間隔ＤがサーボライタＳＷ間でばらつくことを抑制することができる。
また、ここでは、第１ずれ量Δ１及び第２ずれ量Δ２によるパルス信号の生成タイミングの調整がリアルタイムで行われる形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、サーボライタＳＷでサーボパターン５２を記録した磁気テープＭＴで事前に測定した第１ずれ量Δ１を用いて、パルス信号の生成タイミングを調整し、この後にサーボライタＳＷによる処理が施される磁気テープＭＴにおけるずれ量Δ（図１３参照）をゼロにするように調整することも可能である。
磁気テープＭＴの製造工程には、サーボパターン記録工程の他にも複数の工程が含まれている。複数の工程には、検査工程及び巻取工程が含まれている。
例えば、検査工程は、サーボパターン記録ヘッドＷＨによって磁気テープＭＴの表面３１に形成されたサーボバンドＳＢを検査する工程である。サーボバンドＳＢの検査とは、例えば、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２の正否を判定する処理を指す。サーボパターン５２の正否の判定とは、例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂが表面３１内の事前に決められた箇所に対して、磁化直線５４Ａ１ａ、５４Ａ２ａ、５４Ｂ１ａ及び５４Ｂ２ａが過不足なく、かつ、許容誤差内で記録されているか否かの判定（すなわち、サーボパターン５２のベリファイ）を指す。
検査工程は、サーボライタコントローラＳＷ５及びベリファイヘッドＶＨを用いることによって行われる。ベリファイヘッドＶＨは、サーボパターン記録ヘッドＷＨよりも、磁気テープＭＴの搬送方向の下流側に配置されている。また、ベリファイヘッドＶＨには、磁気ヘッド２８と同様に、複数のサーボ読取素子（図示省略）が設けられており、複数のサーボ読取素子によって複数のサーボバンドＳＢに対する読み取りが行われる。なお、この場合、上記実施形態で説明した要領で、トラッキング制御及び張力制御が行われるようにしてもよい。
ベリファイヘッドＶＨは、サーボライタコントローラＳＷ５に接続されている。ベリファイヘッドＶＨには、磁気テープＭＴの表面３１側（すなわち、ベリファイヘッドＶＨの背面側）から見てサーボバンドＳＢに対して正対する位置に配置されており、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２を読み取り、読み取った結果（以下、「サーボパターン読取結果」と称する）をサーボライタコントローラＳＷ５に出力する。サーボライタコントローラＳＷ５は、ベリファイヘッドＶＨから入力されたサーボパターン読取結果（例えば、サーボパターン信号）に基づいてサーボバンドＳＢの検査（例えば、サーボパターン５２の正否の判定）を行う。例えば、サーボライタコントローラＳＷ５には、上述したコントローラ２５（図３参照）に相当する装置が組み込まれているので、サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボパターン読取結果から位置検出結果を取得し、位置検出結果を用いてサーボパターン５２の正否を判定することでサーボバンドＳＢの検査を行う。
ここで、サーボライタコントローラＳＷ５は、例えば、サーボパターン検出処理を行うことで、サーボパターン読取結果から位置検出結果を取得する。サーボライタコントローラＳＷ５によるサーボパターン検出処理で用いられる理想波形信号６６は、サーボライタコントローラＳＷ５内のストレージ（図示省略）に格納されている理想波形信号６６である。
サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボバンドＳＢを検査した結果（例えば、サーボパターン５２の正否を判定した結果）を示す情報を既定の出力先（例えば、ストレージ、ディスプレイ、タブレット端末、パーソナル・コンピュータ、及び／又はサーバ等）に出力する。
例えば、検査工程が終了すると、次に、巻取工程が行われる。巻取工程は、複数の磁気テープカートリッジ１２（図１～図４参照）のそれぞれに対して用いられる送出リール２２（すなわち、磁気テープカートリッジ１２（図１～図４参照）に収容される送出リール２２（図２～図４参照））に磁気テープＭＴを巻回する工程である。巻取工程では、巻取モータ（図示省略）が用いられる。巻取モータは、送出リール２２にギア等を介して機械的に接続されている。巻取モータは、処理装置（図示省略）の制御下で、送出リール２２に対して回転力を付与することで送出リール２２を回転させる。巻取リールＳＷ２に巻き取られた磁気テープＭＴは、送出リール２２の回転によって送出リール２２に巻き取られる。巻取工程では、裁断装置（図示省略）が用いられる。複数の送出リール２２の各々について、送出リール２２によって必要な分の磁気テープＭＴが巻き取られると、巻取リールＳＷ２から送出リール２２に送出される磁気テープＭＴが裁断装置によって裁断される。
［第２変形例］
上記実施形態では、ずれ量Δが、第１サーボバンド信号Ｓ１の全体と第２サーボバンド信号Ｓ２の全体との時間のずれ量として算出される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、一例として図１９に示すように、制御装置３０は、第１サーボバンド信号Ｓ１に含まれるＮ番目（例えば、１番目）のパルス信号と、第２サーボバンド信号Ｓ２に含まれるＮ番目のパルス信号との時間のずれ量をずれ量Δとして算出するようにしてもよい。ここで、Ｎとは、例えば、線状磁化領域５４Ａ１に含まれる５本の磁化直線５４Ａ１ａ及び線状磁化領域５４Ａ２に含まれる５本の磁化直線５４Ａ２ａの個数である“１０”を上限値とした任意の自然数を指す。この場合、サーボバンド信号に含まれる全てのパルス信号についてずれ量を算出する必要がないので、迅速にずれ量Δを算出することができる。また、“Ｎ＝１”とすることで、より迅速にずれ量Δを算出することができる。
［第３変形例］
上記第２変形例では、第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２の各々のＮ番目のパルス信号のずれ量Δが算出される形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１に含まれる複数のパルス信号と第１サーボバンド信号Ｓ２に含まれる複数のパルス信号との時間差の平均値、中央値、最頻値、最大値、又は最小値に基づいてずれ量Δが規定されてもよい。
この場合、例えば、図２０に示すように、制御装置３０は、第１サーボバンド信号Ｓ１に含まれる全てのパルス信号及び第２サーボバンド信号Ｓ２に含まれる全てのパルス信号に基づいて平均ずれ量６５を算出する。例えば、平均ずれ量６５は、第１サーボバンド信号Ｓ１に含まれる全てのパルス信号と第２サーボバンド信号Ｓ２に含まれる全てのパルス信号とを時系列に沿った順番で比較して算出した全てのずれ量Δの平均値である。このように、本第３変形例（例えば、図２０に示す例）によれば、ずれ量Δ間のばらつきが抑えられたずれ量（図２０に示す例では、平均ずれ量６５）を得ることができる。
なお、ここでは、平均値を例示しているが、全てのずれ量Δの中央値であってもよいし、最頻値であってもよいし、最大値であってもよいし、最小値であってもよい。また、平均値、中央値、最頻値、最大値、及び最小値のうちの２つ以上の組み合わせであってもよい。例えば、平均値、中央値、最頻値、最大値、及び／又は最小値、並びに、これらのうちの２つ以上の組み合わせは、カートリッジメモリ２４等の格納媒体に格納されてもよい。
また、ここでは、サーボバンド信号に含まれる全てのパルス信号がずれ量Δの算出対象とされたが、これは、あくまでも一例に過ぎず、例えば、偶数番目のパルス信号、奇数番目のパルス信号、時系列の前半の複数のパルス信号、又は時系列の後半の複数のパルス信号がずれ量Δの算出対象とされてもよい。
［第４変形例］
上記第３変形例では、サーボバンドＳＢ内の１つのサーボパターン５２に対応するサーボバンド信号を例に挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、隣接サーボバンドＳＢのうちの一方のサーボバンドＳＢ内の複数のサーボパターン５２について得られたサーボバンド信号と他方のサーボバンドＳＢ内の複数のサーボパターン５２について得られたサーボバンド信号との時間差の統計値であってもよい。
この場合、例えば、図２１に示すように、制御装置３０は、複数のサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２によって読み取られて得られた第１サーボバンド信号Ｓ１及び第２サーボバンド信号Ｓ２から、上記第２変形例（図１９参照）と同様の要領で、サーボパターン５２単位でずれ量Δを算出する。そして、制御装置３０は、平均ずれ量６７を算出する。平均ずれ量６７は、サーボパターン５２単位で算出した複数のずれ量Δの平均値である。このように、本第４変形例（例えば、図２１に示す例）によれば、サーボパターン５２単位で算出されたずれ量Δ間のばらつきが抑えられたずれ量（図２１に示す例では、平均ずれ量６７）を得ることができる。
なお、図２１に示す例では、サーボパターン５２単位で算出した複数のずれ量Δの平均値である平均ずれ量６７が示されているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、中央値、最頻値、最大値、又は最小値等の統計値であってもよい。
また、図２１に示す例では、上記第２変形例（図１９参照）と同様の要領で、サーボパターン５２毎にずれ量Δが算出される形態例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎず、上記第３変形例（図２０参照）と同様の要領で、サーボパターン５２毎に平均ずれ量６５が算出され、複数の平均ずれ量６５の平均値が算出されてもよい。なお、この場合も、平均値は、あくまでも一例に過ぎず、中央値、最頻値、最大値、又は最小値等の統計値であってもよい。
上記では、サーボパターン５２を例示したが、サーボパターン５２は、あくまでも一例に過ぎず、他種類のサーボパターン（すなわち、サーボパターン５２の幾何特性とは異なる幾何特性のサーボパターン）を用いたとしても、本開示の技術は成立する。以下の第５変形例～第１２変形例では、サーボパターン５２とは異なる種類のサーボパターンが記録された磁気テープＭＴの態様例について説明する。
［第５変形例］
一例として図２２に示すように、本第５変形例に係る磁気テープＭＴは、図６に示す磁気テープＭＴに比べ、フレーム５０に代えて、フレーム５１を有する点が異なる。フレーム５１は、一組のサーボパターン５３で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５３が記録されている。複数のサーボパターン５３は、図６に示す磁気テープＭＴに記録されている複数のサーボパターン５２と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図２２に示す例では、フレーム５１に含まれる一組のサーボパターン５３の一例として、サーボパターン５３Ａ及び５３Ｂが示されている。サーボパターン５３Ａ及び５３Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５１内において、順方向の上流側にサーボパターン５３Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５３Ｂが位置している。
サーボパターン５３は、線状磁化領域対６０からなる。線状磁化領域対６０は、線状磁化領域対６０Ａと線状磁化領域対６０Ｂとに類別される。
サーボパターン５３Ａは、線状磁化領域対６０Ａからなる。図２２に示す例では、線状磁化領域対６０Ａの一例として、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２による対が示されている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６０Ａ１の全長は、線状磁化領域６０Ａ２の全長よりも短い。
サーボパターン５３Ａにおいて、線状磁化領域６０Ａ１には、複数の磁化直線６０Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ａ２には、複数の磁化直線６０Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ａ１に含まれる磁化直線６０Ａ１ａの本数と線状磁化領域６０Ａ２に含まれる磁化直線６０Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域６０Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。なお、ここでは、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、５本の磁化直線６０Ａ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ１ａの両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。また、本実施形態において、「揃っている」という概念には、完全に揃っているという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「揃っている」という意味も含まれている。
サーボパターン５３Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂからなる。図２２に示す例では、線状磁化領域対６０Ｂの一例として、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ｂ１は、線状磁化領域６０Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６０Ｂ１の全長は、線状磁化領域６０Ｂ２の全長よりも短い。
サーボパターン５３Ｂにおいて、線状磁化領域６０Ｂ１には、複数の磁化直線６０Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ｂ２には、複数の磁化直線６０Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ｂ１に含まれる磁化直線６０Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６０Ｂ２に含まれる磁化直線６０Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン５３Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５３Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数と異なる。図２２に示す例では、サーボパターン５３Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５３Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域６０Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。
なお、ここでは、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、４本の磁化直線６０Ｂ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ１ａの両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。
また、ここでは、線状磁化領域６０Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域６０Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ１ａであり、線状磁化領域６０Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ２ａであり、線状磁化領域６０Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ１ａであり、線状磁化領域６０Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ２ａであればよい。
ここで、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図２３を参照しながら説明する。
一例として図２３に示すように、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。仮想線状領域対６２は、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂからなる。線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。
仮想線状領域対６２は、図６に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有する仮想的な線状の磁化領域対である。仮想線状領域対６２は、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性の説明のために便宜的に用いられる仮想的な磁化領域であり、実在する磁化領域ではない。
仮想線状領域６２Ａは、図６に示す線状磁化領域５４Ａ１と同じ幾何特性を有しており、図６に示す５本の磁化直線５４Ａ１ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ａ１からなる。仮想線状領域６２Ｂは、図６に示す線状磁化領域５４Ｂ１と同じ幾何特性を有しており、図６に示す５本の磁化直線５４Ａ２ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ｂ１からなる。
仮想線状領域対６２には、中心Ｏ１が設けられている。例えば、中心Ｏ１は、５本の直線６２Ａ１のうちの順方向の最上流側に位置する直線６２Ａ１の中心と、５本の直線６２Ｂ１のうちの順方向の最下流側に位置する直線６２Ｂ１の中心とを結ぶ線分Ｌ０の中心である。
仮想線状領域対６２は、図６に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有するので、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に対して、仮にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合について考える。この場合、仮想線状領域対６２のうち、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａは読み取られるが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られなかったり、仮想線状領域６２Ａは読み取られないが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られたりする箇所が生じる。すなわち、仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの各々において、サーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に、不足する部分と不要な部分とが生じる。
そこで、不足する部分を補い、かつ、不要な部分を削ることにより、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置）と、仮想線状領域６２Ｂの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置）とを揃える。
このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン５３Ａの幾何特性に相当する。すなわち、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対６２の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ａが記録される。
なお、線状磁化領域対６０Ｂは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、５本の磁化直線６０Ａ１ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線６０Ａ２ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ２ａを有する点のみが異なる。よって、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて４本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置と４本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対（図示省略）の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ｂが記録される。
一例として図２４に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５１は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５８が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれていることを意味する。既定間隔は、上述した数式（１）で規定される。すなわち、サーボバンドＳＢ間でのフレーム５１の位置関係及びサーボバンドＳＢ間でのサーボパターン５３の位置関係は、図１２に示す例と同様である。
一例として図２５に示すように、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５３Ａ（すなわち、線状磁化領域対６０Ａ）が読み取られると、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが生じる。また、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５３Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様の現象が生じる。
そこで、一例として図２６に示すように、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図２６の紙面表側から見た場合の反時計回りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。このように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度β傾くので、図２５に示す例に比べ、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５３Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
［第６変形例］
上記第５変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５１で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２７に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム７０で区切られていてもよい。フレーム７０は、一組のサーボパターン７２で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７２が記録されている。複数のサーボパターン７２は、複数のサーボパターン５２と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図２７に示す例では、一組のサーボパターン７２の一例として、サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂによる対が示されている。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム７０内において、順方向の上流側にサーボパターン７２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７２Ｂが位置している。
一例として図２８に示すように、サーボパターン７２は、線状磁化領域対７４からなる。線状磁化領域対７４は、線状磁化領域対７４Ａと線状磁化領域対７４Ｂとに類別される。
サーボパターン７２Ａは、一組の線状磁化領域対７４Ａからなる。一組の線状磁化領域対７４Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図２８に示す例では、線状磁化領域対７４Ａの一例として、線状磁化領域７４Ａ１及び７４Ａ２による対が示されている。線状磁化領域対７４Ａは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域対６０Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ａ１は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ａ２は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ２と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン７２Ｂは、一組の線状磁化領域対７４Ｂからなる。一組の線状磁化領域対７４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図２８に示す例では、線状磁化領域対７４Ｂの一例として、線状磁化領域７４Ｂ１及び７４Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域対７４Ｂは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域対６０Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ｂ１は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域６０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ｂ２は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域６０Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ２と同様の幾何特性を有する。
［第７変形例］
図２７に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム７０で区切られている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２９に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム７６で区切られていてもよい。フレーム７６は、一組のサーボパターン７８で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７８が記録されている。複数のサーボパターン７８は、複数のサーボパターン７２（図２７参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図２９に示す例では、一組のサーボパターン７８の一例として、サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂが示されている。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム７６内において、順方向の上流側にサーボパターン７８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７８Ｂが位置している。
一例として図３０に示すように、サーボパターン７８は、線状磁化領域群８０からなる。線状磁化領域群８０は、線状磁化領域群８０Ａと線状磁化領域群８０Ｂとに類別される。
サーボパターン７８Ａは、線状磁化領域群８０Ａからなる。線状磁化領域群８０Ａは、線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３からなる。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３の順に配置されている。
線状磁化領域８０Ａ１及び８０Ａ２は、図３０に示す線状磁化領域対７４Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ａ１は、図３０に示す線状磁化領域７４Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ａ２は、図３０に示す線状磁化領域７４Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ａ３は、線状磁化領域８０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ａ１と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン７８Ｂは、線状磁化領域群８０Ｂからなる。線状磁化領域群８０Ｂは、線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３からなる。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３の順に配置されている。
線状磁化領域８０Ｂ１及び８０Ｂ２は、図３０に示す線状磁化領域対７４Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ｂ１は、図３０に示す線状磁化領域７４Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ｂ２は、図３０に示す線状磁化領域７４Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ｂ３は、線状磁化領域８０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ｂ１と同様の幾何特性を有する。
［第８変形例］
上記第５変形例では、既定間隔が、角度α、サーボバンドピッチ、及びフレーム長に基づいて規定された形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、フレーム長を用いずに既定間隔を規定してもよい。例えば、図３１に示すように、既定間隔は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５１間（図３１に示す例では、線分Ｌ３）と仮想直線Ｃ１とで成す角度α、及び幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間のピッチ（すなわち、サーボバンドピッチ）に基づいて規定されている。この場合、例えば、既定間隔は、以下の数式（２）から算出される。
（既定間隔）＝（サーボバンドピッチ）×tanα・・・・（２）
このように、数式（２）には、フレーム長が含まれていない。これは、フレーム長を考慮せずとも既定間隔が算出されることを意味する。従って、本構成によれば、数式（１）から既定間隔を算出する場合に比べ、簡易に既定間隔を算出することができる。
［第９変形例］
上記第５変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５１で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３２に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム８２で区切られていてもよい。
フレーム８２は、一組のサーボパターン８４で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン８４が記録されている。複数のサーボパターン８４は、磁気テープＭＴに記録されている複数のサーボパターン５２（図６参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３２に示す例では、フレーム８２に含まれる一組のサーボパターン８４の一例として、サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂが示されている。サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム８２内において、順方向の上流側にサーボパターン８４Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン８４Ｂが位置している。
サーボパターン８４Ａは、線状磁化領域対８６Ａからなる。図３２に示す例では、線状磁化領域対８６Ａの一例として、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２による対が示されている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ａ１は、線状磁化領域８６Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域８６Ａ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ａ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ａ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ａ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。
サーボパターン８４Ａにおいて、線状磁化領域８６Ａ１には、複数の磁化直線８６Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ａ２には、複数の磁化直線８６Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ａ１に含まれる磁化直線８６Ａ１ａの本数と線状磁化領域８６Ａ２に含まれる磁化直線８６Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域８６Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合である。
サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。
サーボパターン８４Ｂは、線状磁化領域対８６Ｂからなる。図３２に示す例では、線状磁化領域対８６Ｂの一例として、線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ｂ１は、線状磁化領域８６Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域８６Ｂ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ｂ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ｂ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。
サーボパターン８４Ｂにおいて、線状磁化領域８６Ｂ１には、複数の磁化直線８６Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ｂ２には、複数の磁化直線８６Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる磁化直線８６Ｂ１ａの本数と線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる磁化直線８６Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数と異なる。図３８に示す例では、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域８６Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合である。
サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。
なお、ここでは、線状磁化領域８６Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域８６Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ１ａであり、線状磁化領域８６Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ２ａであり、線状磁化領域８６Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ１ａであり、線状磁化領域８６Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ２ａであればよい。
ここで、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図２８を参照しながら説明する。
一例として図３３に示すように、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させる。そして、この状態での仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。また、同様に、仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。これにより、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、幅方向ＷＤにずれる。
すなわち、仮想線状領域６２Ａの一端と仮想線状領域６２Ｂの一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれており、仮想線状領域６２Ａの他端と仮想線状領域６２Ｂの他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれている。
このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン８４Ａの幾何特性に相当する。すなわち、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。
仮想線状領域６２Ａは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ１に対応しており、仮想線状領域６２Ｂは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ２に対応している。従って、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ａ１の一端と線状磁化領域８６Ａ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ａ１の他端と線状磁化領域８６Ａ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ａからなるサーボパターン８４Ａが記録される（図３２参照）。
なお、線状磁化領域対８６Ｂは、線状磁化領域対８６Ａに比べ、５本の磁化直線８６Ａ１ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線８６Ａ２ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ２ａを有する点のみが異なる（図３２参照）。よって、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ｂ１の一端と線状磁化領域８６Ｂ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ｂ１の他端と線状磁化領域８６Ｂ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ｂからなるサーボパターン８４Ｂが記録される（図３２参照）。
一例として図３４に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム８２は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン８４が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに、上記第１変形例で説明した既定間隔でずれていることを意味する。既定間隔は、上述した数式（１）によって規定されている。
上記第５変形例と同様に、本第７変形例においても、一例として図３５に示すように、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図３５の紙面表側から見た場合の反時計回りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。すなわち、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度β傾く。この状態で、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２が幅方向ＷＤで重複する範囲Ｒ内で長手方向ＬＤに沿って、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ａが読み取られた場合、図３４に示す例に比べ、線状磁化領域８６Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ｂ（すなわち、線状磁化領域対８６Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域８６Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
［第１０変形例］
上記第９変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム８２で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３６に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム８８で区切られていてもよい。フレーム８８は、一組のサーボパターン９０で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９０が記録されている。複数のサーボパターン９０は、複数のサーボパターン８４（図３２参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３６に示す例では、一組のサーボパターン９０の一例として、サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂによる対が示されている。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム８８内において、順方向の上流側にサーボパターン９０Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９０Ｂが位置している。
一例として図３７に示すように、サーボパターン９０は、線状磁化領域対９２からなる。線状磁化領域対９２は、線状磁化領域対９２Ａと線状磁化領域対９２Ｂとに類別される。
サーボパターン９０Ａは、一組の線状磁化領域対９２Ａからなる。一組の線状磁化領域対９２Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３７に示す例では、線状磁化領域対９２Ａの一例として、線状磁化領域９２Ａ１及び９２Ａ２による対が示されている。線状磁化領域対９２Ａは、上記第９変形例で説明した線状磁化領域対８６Ａ（図３２参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ａ１は、上記第９変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ１（図３２参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ａ２は、上記第９変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ２（図３２参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ２と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン９０Ｂは、一組の線状磁化領域対９２Ｂからなる。一組の線状磁化領域対９２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３７に示す例では、線状磁化領域対９２Ｂの一例として、線状磁化領域９２Ｂ１及び９２Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域対９２Ｂは、上記第９変形例で説明した線状磁化領域対８６Ｂ（図３２参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ｂ１は、上記第９変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ１（図３２参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ｂ２は、上記第９変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ２（図３２参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ２と同様の幾何特性を有する。
［第１１変形例］
図３６に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム８８で区切られている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３８に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム９４で区切られていてもよい。フレーム９４は、一組のサーボパターン９６で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９６が記録されている。複数のサーボパターン９６は、複数のサーボパターン９０（図３６参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３８に示す例では、一組のサーボパターン９６の一例として、サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂが示されている。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム９４内において、順方向の上流側にサーボパターン９６Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９６Ｂが位置している。
一例として図３９に示すように、サーボパターン９６は、線状磁化領域群９８からなる。線状磁化領域群９８は、線状磁化領域群９８Ａと線状磁化領域群９８Ｂとに類別される。
サーボパターン９６Ａは、線状磁化領域群９８Ａからなる。線状磁化領域群９８Ａは、線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３からなる。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３の順に配置されている。
線状磁化領域９８Ａ１及び９８Ａ２は、図３７に示す線状磁化領域対９２Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ａ１は、図３７に示す線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ａ２は、図３７に示す線状磁化領域９２Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ａ３は、線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン９６Ｂは、線状磁化領域群９８Ｂからなる。線状磁化領域群９８Ｂは、線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３からなる。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３の順に配置されている。
線状磁化領域９８Ｂ１及び９８Ｂ２は、図３７に示す線状磁化領域対９２Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ｂ１は、図３７に示す線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ｂ２は、図３７に示す線状磁化領域９２Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ｂ３は、線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有する。
［第１２変形例］
上記第５変形例（例えば、図２２に示す例）では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５１で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図４０に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム５６０で区切られていてもよい。フレーム５６０は、一組のサーボパターン５８０で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８０が記録されている。複数のサーボパターン５８０は、複数のサーボパターン５１と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
サーボパターン５８０は、線状磁化領域対６００からなる。線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６００Ａと線状磁化領域対６００Ｂとに類別される。すなわち、線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６０（図２２参照）に比べ、線状磁化領域対６０Ａに代えて線状磁化領域対６００Ａを有する点、及び線状磁化領域対６０Ｂに代えて線状磁化領域対６００Ｂを有する点が異なる。
サーボパターン５８０Ａは、線状磁化領域対６００Ａからなる。線状磁化領域対６００Ａは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に代えて線状磁化領域６００Ａ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ａ２に代えて線状磁化領域６００Ａ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６００Ａ１よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６００Ａ２の全長は、線状磁化領域６００Ａ２の全長よりも短い。
線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ１に比べ、複数の磁化直線６０Ａ１ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ１ａを有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ２に比べ、複数の磁化直線６０Ａ２ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ２ａを有する点が異なる。
線状磁化領域６００Ａ１には、複数の磁化直線６００Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ａ２には、複数の磁化直線６００Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ａ１に含まれる磁化直線６００Ａ１ａの本数と線状磁化領域６００Ａ２に含まれる磁化直線６００Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域６００Ａ１は、第１線対称領域に相当する線状磁化領域である。第１線対称領域とは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ２（図２２参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２（図２２参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ２（図２２参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。
線状磁化領域６００Ａ２は、第２線対称領域に相当する線状磁化領域である。第２線対称領域とは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ１（図２２参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ１（図２２参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ１（図２２参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。
つまり、図２３に示す例において、仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を、中心Ｏ１を回転軸として、図２３の紙面表側から見た場合の時計回りに角度ａ傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることで得られた仮想線状領域対６２の幾何特性が、サーボパターン５８０Ａの幾何特性に相当する。
サーボパターン５８０Ｂは、線状磁化領域対６００Ｂからなる。線状磁化領域対６００Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂに比べ、線状磁化領域６０Ｂ１に代えて線状磁化領域６００Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ｂ２に代えて線状磁化領域６００Ｂ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ｂ２は、線状磁化領域６００Ｂ１よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
線状磁化領域６００Ｂ１には、複数の磁化直線６００Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ｂ２には、複数の磁化直線６００Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ｂ１に含まれる磁化直線６００Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６００Ｂ２に含まれる磁化直線６００Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数と異なる。図４０に示す例では、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域６００Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６００Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６００Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６００Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。
このように、サーボパターン５８０Ａの幾何特性は、線状磁化領域６０Ａ２（図２２参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ａ２（図２２参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図２２に示すサーボパターン５３Ａの鏡像の幾何特性）に相当し、サーボパターン５８０Ｂの幾何特性は、線状磁化領域６０Ｂ２（図２２参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ｂ２（図２２参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図２２に示すサーボパターン５３Ｂの鏡像の幾何特性）に相当する。しかし、これは、あくまでも一例に過ぎず、サーボパターン５８０に代えて、図２７に示すサーボパターン７２の鏡像の幾何特性、図２９に示すサーボパターン７８の鏡像の幾何特性、図３２に示すサーボパターン８４の鏡像の幾何特性、図３６に示すサーボパターン９０の鏡像の幾何特性、又は、図３８に示すサーボパターン９６の鏡像の幾何特性で形成されたサーボパターンを適用してもよい。
なお、このように、サーボパターンの幾何特性を変えた場合も、傾斜機構４９は、サーボパターンの幾何特性に応じて仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度（例えば、図２６に示す角度β）を変更する。つまり、サーボパターンの幾何特性を変えた場合であっても、図２６に示す例と同様に、傾斜機構４９は、制御装置３０Ａの制御下で、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、サーボパターン信号のばらつきを小さくするように、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度（例えば、図２６に示す角度β）を変更する。
［その他の変形例］
上記実施形態では、磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８による磁気的処理が行われる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの裏面３３が磁性層の面で形成されており、裏面３３に対して磁気ヘッド２８による磁気的処理が行われるようにしてもよい。
上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に対して磁気テープカートリッジ１２が挿脱自在な磁気テープシステム１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ１４に対して少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２が事前に装填されている磁気テープシステム（すなわち、少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２と磁気テープドライブ１４又は磁気テープＭＴとが事前（例えば、データバンドＤＢに対するデータの記録前）に一体化された磁気テープシステム）であっても本開示の技術は成立する。
上記実施形態では、単一の磁気ヘッド２８を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、複数の磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。例えば、読み取り用の磁気ヘッド２８と、少なくとも１つの書き込み用の磁気ヘッド２８とが磁気テープＭＴ上に配置されるようにしてもよい。読み取り用の磁気ヘッド２８は、書き込み用の磁気ヘッド２８によってデータバンドＤＢに記録されたデータのベリファイに用いてもよい。また、読み取り用の磁気素子ユニット４２と、少なくとも１つの書き込み用の磁気素子ユニット４２とが搭載された１つの磁気ヘッドが磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。
上記実施形態では、制御装置３０（図３参照）がＡＳＩＣによって実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、制御装置３０は、ソフトウェア構成によって実現されてもよい。また、制御装置３０に含まれる制御装置３０及び位置検出装置３０Ｂのみがソフトウェア構成によって実現されてもよい。制御装置３０及び位置検出装置３０Ｂがソフトウェア構成によって実現される場合、例えば、図４１に示すように、制御装置３０は、コンピュータ２００を備えている。コンピュータ２００は、プロセッサ２００Ａ（例えば、単数のＣＰＵ又は複数のＣＰＵなど）、ＮＶＭ２００Ｂ、及びＲＡＭ２００Ｃを有する。プロセッサ２００Ａ、ＮＶＭ２００Ｂ、及びＲＡＭ２００Ｃは、バス２００Ｄに接続されている。コンピュータ読取可能な非一時的記憶媒体である可搬型の記憶媒体２０２（例えば、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなど）には、プログラムＰＧが記憶されている。
記憶媒体２０２に記憶されているプログラムＰＧは、コンピュータ２００にインストールされる。プロセッサ２００Ａは、プログラムＰＧに従って制御処理（図１７参照）を実行する。
また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ２００に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置にプログラムＰＧを記憶させておき、制御装置３０からの要求に応じてプログラムＰＧがダウンロードされ、コンピュータ２００にインストールされるようにしてもよい。なお、プログラムＰＧは、本開示の技術に係る「プログラム」の一例であり、コンピュータ２００は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例である。
図４１に示す例では、コンピュータ２００が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ２００に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＣを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ２００に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
制御装置３０（図３参照）の処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、又は例示のＡＳＩＣ等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電子回路が挙げられる。いずれのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、いずれのプロセッサもメモリを使用することで処理を実行する。
制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷの処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣ等に代表されるように、処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電子回路を用いることができる。また、上記の制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１０ 磁気テープシステム
１２ 磁気テープカートリッジ
１３ 管理情報
１３Ａ 仕様情報
１４ 磁気テープドライブ
１６ ケース
１６Ａ 右壁
１６Ｂ 開口
１８ 上ケース
２０ 下ケース
２２ 送出リール
２２Ａ リールハブ
２２Ｂ１ 上フランジ
２２Ｂ２ 下フランジ
２４ カートリッジメモリ
３３ 裏面
２５ コントローラ
２６ 搬送装置
２８ 磁気ヘッド
２９Ａ 磁性層
２９Ｂ ベースフィルム
２９Ｃ バックコート層
３０ 制御装置
３０Ｂ 位置検出装置
３０Ｂ１ 第１位置検出装置
３０Ｂ１ａ 入力端子
３０Ｂ１ｂ 出力端子
３０Ｂ２ 第２位置検出装置
３１ 表面
３１Ａ ＢＯＴ領域
３１Ｂ ＢＯＴ領域外
３２ ストレージ
３３ 裏面
３４ ＵＩ系装置
３５ 通信インタフェース
３６ 送出モータ
３７ 外部装置
３８，ＳＷ２ 巻取リール
３９Ａ 第１検出回路
３９Ｂ 第２検出回路
４０ 巻取モータ
４２ 磁気素子ユニット
４４ ホルダ
４６ 非接触式読み書き装置
４８ 移動機構
４８Ａ 移動アクチュエータ
４９ 傾斜機構
４９Ａ 傾斜アクチュエータ
５０，５１，７０，７６，８２，８８，９４，５６０ フレーム
５２，５２Ａ，５２Ｂ，５３，５３Ａ，５３Ｂ，７２，７２Ａ，７２Ｂ，７８，７８Ａ，７８Ｂ，８４，８４Ａ，８４Ｂ，９０，９０Ａ，９０Ｂ，５８０，５８０Ａ，５８０Ｂ サーボパターン
５４，５４Ａ，５４Ｂ，６０，６０Ａ，６０Ｂ，７４，７４Ａ，７４Ｂ，８６，８６Ａ，８６Ｂ，９２，９２Ａ，９２Ｂ，５４０Ａ，５４２，６００，６００Ａ，６００Ｂ 線状磁化領域対
５４Ａ１，５４Ａ２，５４Ｂ１，５４Ｂ２，６０Ａ１，６０Ａ２，６０Ｂ１，６０Ｂ２，７４Ａ１，７４Ａ２，７４Ｂ１，７４Ｂ２，８０Ａ１，８０Ａ２，８０Ａ３，８６Ａ１，８６Ａ２，８６Ｂ１，８６Ｂ２，９２Ａ１，９２Ａ２，９２Ｂ１，９２Ｂ２，５４０Ａ１，５４０Ａ２，６００Ａ１，６００Ａ２，６００Ｂ１，６００Ｂ２ 線状磁化領域
５４Ａ１ａ，５４Ａ２ａ，５４Ｂ１ａ，５４Ｂ２ａ，６０Ａ１ａ，６０Ａ２ａ，６０Ｂ１ａ，６０Ｂ２ａ，８６Ａ１ａ，８６Ａ２ａ，８６Ｂ１ａ，８６Ｂ２ａ，５４０Ａ１ａ，５４０Ａ２ａ，５４２Ａ，５４２Ｂ，６００Ａ１ａ，６００Ａ２ａ，６００Ｂ１ａ，６００Ｂ２ａ 磁化直線
５６，５６Ａ 第１領域
５８，５８Ａ 第２領域
６２ 仮想線状領域対
６２Ａ，６２Ｂ 仮想線状領域
６２Ａ１，６２Ｂ１ 直線
６４ 差分
６５，６７ 平均ずれ量
６６ 理想波形信号
６６Ａ 第１理想波形信号
６６Ｂ 第２理想波形信号
６８ 仮想直線領域対
６８Ａ，６８Ｂ 仮想直線領域
８０，８０Ａ，８０Ｂ 線状磁化領域群
２００ コンピュータ
２００Ａ プロセッサ
２００Ｂ ＮＶＭ
２００Ｃ ＲＡＭ
２００Ｄ バス
２０２ 記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ａ，α，β 角度
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ 仮想直線
ＣＬ 中心線
ＤＢ，ＤＢ１，ＤＢ２ データバンド
ＤＲＷ，ＤＲＷ１，ＤＲＷ２，ＤＲＷ３，ＤＲＷ４，ＤＲＷ５，ＤＲＷ６，ＤＲＷ７，ＤＲＷ８ データ読み書き素子
ＤＴ，ＤＴ１，ＤＴ２，ＤＴ３，ＤＴ４，ＤＴ５，ＤＴ６，ＤＴ７，ＤＴ８ データトラック
ＤＴ１＿１～ＤＴ１＿１２，ＤＴ２＿１～ＤＴ２＿１２，ＤＴ３＿１～ＤＴ３＿１２，ＤＴ４＿１～ＤＴ４＿１２，ＤＴ５＿１～ＤＴ５＿１２，ＤＴ６＿１～ＤＴ６＿１２，ＤＴ７＿１～ＤＴ７＿１２，ＤＴ８＿１～ＤＴ＿１２ 分割データトラック
ＤＴＧ，ＤＴＧ１，ＤＴＧ２，ＤＴＧ３，ＤＴＧ４，ＤＴＧ５，ＤＴＧ６，ＤＴＧ７，ＤＴＧ８ 分割データトラック群
ＧＲ ガイドローラ
Ｉｎｔ１，Ｉｎｔ２ 間隔
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２ 線分
ＬＤ 長手方向
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
Ｏ１，Ｏ２ 中心
ＰＧ プログラム
ＲＡ 回転軸
ＳＡ１，ＳＡ２ 対称軸
ＳＢ，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３ サーボバンド
ＳＢＰ サーボバンドピッチ
Ｓ１ 第１サーボバンド信号
Ｓ１ａ 第１線状磁化領域信号
Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ サーボパターン信号
Ｓ１ｂ 第２線状磁化領域信号
Ｓ２ 第２サーボバンド信号
ＳＡ１，ＳＡ２ 対称軸
ＳＢ，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３ サーボバンド
ＳＢＰ サーボバンドピッチ
ＳＲ，ＳＲ１，ＳＲ２ サーボ読取素子
ＳＷ サーボライタ
ＳＷ３ 駆動装置
ＳＷ４ パルス信号生成器
ＳＷ５ サーボライトコントローラ
ＳＷ６ ガイド
ＳＷ７ 搬送路
ＶＨ ベリファイヘッド
ＷＤ 幅方向
ＷＨ サーボパターン記録ヘッド
Δ ずれ量
Δ１ 第１ずれ量
Δ２ 第２ずれ量

Claims (22)

  1. 複数のサーボバンドが形成された磁気テープから磁気ヘッドによって読み取られたデータを取得して処理するプロセッサを備え、
    前記複数のサーボバンドは、前記磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、
    前記複数のサーボバンドの各々には、前記磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、
    前記磁気ヘッドは、前記複数のサーボバンドのうちの前記幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有しており、
    前記プロセッサは、
    前記一対のサーボバンドに含まれる第１サーボバンド内の前記サーボパターンが前記一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた第１結果に基づく第１信号を取得し、
    前記一対のサーボバンドに含まれる第２サーボバンド内の前記サーボパターンが前記一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた第２結果に基づく第２信号を取得し、
    前記第１信号と前記第２信号との時間のずれ量を取得する
    信号処理装置。
  2. 前記第１結果は、前記磁気テープのＢＯＴ領域上に前記第１サーボ読取素子が位置している間に前記第１サーボバンド内の前記サーボパターンが前記第１サーボ読取素子によって読み取られた結果であり、
    前記第２結果は、前記ＢＯＴ領域上に前記第２サーボ読取素子が位置している間に前記第２サーボバンド内の前記サーボパターンが前記第２サーボ読取素子によって読み取られた結果である
    請求項１に記載の信号処理装置。
  3. 前記サーボパターンは、複数の線状磁化領域の集合であり、
    前記線状磁化領域は、複数の磁化直線の集合であり、
    前記第１結果は、前記複数の線状磁化領域に対応する第１パルス信号群であり、
    前記第２結果は、前記複数の線状磁化領域に対応する第２パルス信号群であり、
    Ｎが前記複数の線状磁化領域に含まれる磁化直線の個数を上限値とした自然数である場合、
    前記第１信号は、前記第１パルス信号群に含まれる指定されたＮ番目のパルス信号に対応する信号であり、
    前記第２信号は、前記第２パルス信号群に含まれる前記Ｎ番目のパルス信号に対応する信号である
    請求項１又は請求項２に記載の信号処理装置。
  4. 前記Ｎ番目は１番目である
    請求項３に記載の信号処理装置。
  5. 前記サーボパターンは、複数の線状磁化領域の集合であり、
    前記第１結果は、前記複数の線状磁化領域に対応する第１パルス信号群であり、
    前記第２結果は、前記複数の線状磁化領域に対応する第２パルス信号群であり、
    前記第１信号は、前記第１パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号であり、
    前記第２信号は、前記第２パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号である
    請求項１又は請求項２に記載の信号処理装置。
  6. 前記ずれ量は、前記第１パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号と前記第２パルス信号群に含まれる複数のパルス信号に対応する複数の信号との時間差の平均値、中央値、最頻値、最大値、又は最小値に基づいて規定されている
    請求項５に記載の信号処理装置。
  7. 前記ずれ量は、前記第１サーボバンド内の複数の前記サーボパターンについて得られた複数の前記第１信号と前記第２サーボバンド内の複数の前記サーボパターンについて得られた複数の前記第２信号との時間差の統計値である
    請求項１から請求項６の何れか一項に記載の信号処理装置。
  8. 前記プロセッサは、前記ずれ量に応じた特定処理を実行する
    請求項１から請求項７の何れか一項に記載の信号処理装置。
  9. 前記プロセッサは、前記磁気ヘッドをスキューさせるスキュー機構を制御し、
    前記特定処理は、前記スキュー機構に対して、前記ずれ量に基づいた角度に前記磁気ヘッドをスキューさせるスキュー処理を含む
    請求項８に記載の信号処理装置。
  10. 前記プロセッサは、前記ずれ量に対応する信号を格納媒体に格納する
    請求項１から請求項９の何れか一項に記載の信号処理装置。
  11. 前記磁気テープは、磁気テープカートリッジに収容されており、
    前記磁気テープカートリッジには、非接触で通信可能な非接触式記憶媒体が設けられており、
    前記格納媒体は、前記非接触式記憶媒体を含む
    請求項１０に記載の信号処理装置。
  12. 前記格納媒体は、前記磁気テープの一部領域を含む
    請求項１０又は請求項１１の何れか一項に記載の信号処理装置。
  13. 請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の信号処理装置から得られる前記ずれ量に応じた処理を実行する磁気テープドライブ。
  14. 複数のサーボバンドが形成された磁気テープであって、
    前記複数のサーボバンドは、前記磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、
    前記複数のサーボバンドの各々には、前記磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、
    前記複数のサーボバンドのうちの前記幅方向で隣接する一対のサーボバンド間で、前記磁気テープの長手方向の位置が対応している前記サーボパターン間のずれ量が、請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の信号処理装置から得られる前記ずれ量に対応している
    磁気テープ。
  15. 前記磁気テープの一部領域に、前記ずれ量に対応する信号が格納されている
    請求項１４に記載の磁気テープ。
  16. 請求項１４又は請求項１５に記載の磁気テープが収容された磁気テープカートリッジ。
  17. 非接触で通信可能な非接触式記憶媒体を備え、
    前記非接触式記憶媒体には、請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の信号処理装置から得られた前記ずれ量に対応する信号が記憶される
    請求項１６に記載の磁気テープカートリッジ。
  18. 複数のサーボバンドが形成された磁気テープから磁気ヘッドによって読み取られたデータを取得して処理することを備え、
    前記複数のサーボバンドは、前記磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、
    前記複数のサーボバンドの各々には、前記磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、
    前記磁気ヘッドは、前記複数のサーボバンドのうちの前記幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有しており、
    前記一対のサーボバンドに含まれる第１サーボバンド内の前記サーボパターンが前記一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第１信号を取得すること、
    前記一対のサーボバンドに含まれる第２サーボバンド内の前記サーボパターンが前記一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第２信号を取得すること、及び、
    前記第１信号と前記第２信号との時間のずれ量を取得することを備える
    信号処理方法。
  19. 請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の信号処理装置から得られる前記ずれ量に従ってサーボパターンを記録する磁気テープ製造方法。
  20. 請求項１８に記載の信号処理方法を用いて得られた前記ずれ量に従ってサーボパターンが記録された磁気テープ。
  21. 請求項１８に記載の信号処理方法を用いて得られた前記ずれ量に従って磁気テープにサーボパターンを記録することを備える磁気テープ製造方法。
  22. コンピュータに信号処理を実行させるためのプログラムであって、
    前記信号処理は、複数のサーボバンドが形成された磁気テープから磁気ヘッドによって読み取られたデータを取得して処理することを備え、
    前記複数のサーボバンドは、前記磁気テープの幅方向に間隔を空けて配置されており、
    前記複数のサーボバンドの各々には、前記磁気テープの長手方向に沿って複数のサーボパターンが形成されており、
    前記磁気ヘッドは、前記複数のサーボバンドのうちの前記幅方向で隣接する一対のサーボバンドに対応する一対のサーボ読取素子を有しており、
    前記信号処理は、
    前記一対のサーボバンドに含まれる第１サーボバンド内の前記サーボパターンが前記一対のサーボ読取素子に含まれる第１サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第１信号を取得すること、
    前記一対のサーボバンドに含まれる第２サーボバンド内の前記サーボパターンが前記一対のサーボ読取素子に含まれる第２サーボ読取素子によって読み取られた結果に基づく第２信号を取得すること、及び、
    前記第１信号と前記第２信号との時間のずれ量を取得することを備える
    プログラム。
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