JP2023067268A - 磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、及びプログラム - Google Patents

磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、及びプログラム Download PDF

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Abstract

【課題】信頼性の高いサーボ信号を得る磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法及びプログラムを提供する。【解決手段】磁気テープドライブ１４において、磁気テープカートリッジ１２は、長手方向に沿って複数のサーボパターン５８が記録された磁気テープＭＴと、格納媒体の一例であるカートリッジメモリ２４と、を備える。格納媒体は、第１仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１を含むサーボフォーマット情報ＳＦを格納する。【選択図】図１４

Description

本開示の技術は、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、及びプログラムに関する。
特許文献１には、同期型サーボ・チャンネル・パラメータの初期取得と、信号補間のためのタイミング基準の生成と、テープ速度推定値およびｙ位置推定値の生成と、長手方向の位置（ＬＰＯＳ：Longitudinal position）シンボルの最適な検出とを含むことによって、データ・テープ・ドライブ用の完全な同期型サーボ・チャンネルを提供することが開示されている。
特許文献２には、各々が変換器のアレイを有する少なくとも２つのモジュールであって、少なくとも２つのモジュールは、互いに対して固定されており、各アレイの軸線がその両端間に定められ、アレイの軸線は互いにほぼ平行に方向付けられ、モジュールのうちの第１のモジュールのアレイは、モジュールのうちの第２のモジュールのアレイから第２のモジュールのアレイの軸線に対して平行な第１の方向にオフセットされており、軸線が意図されたテープ移動方向に対して直角に方向付けられた線に対して０．２°より大きい角度で方向付けられたときに第１のモジュールの変換器が意図されたテープ移動方向において第２のモジュールの変換器とほぼ位置合わせされるようになっている、少なくとも２つのモジュールと、テープに対して提示される変換器ピッチを制御するようにモジュールを方向付けるための機構と、を含む、装置が開示されている。
米国特許第７３６５９２９号 米国特許第９７５４６１６号
本開示の技術に係る一つの実施形態は、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、プログラムを提供する。
本開示の技術に係る第１の態様は、長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープと、格納媒体と、を備え、格納媒体には、第１仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報が格納されている磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第２の態様は、第１仮想直線が、磁気テープの幅方向に沿った直線であり、サーボパターンは、少なくとも１つの線状磁化領域対であり、線状磁化領域対は、線状に磁化された第１線状磁化領域、及び線状に磁化された第２線状磁化領域であり、第１線状磁化領域及び第２線状磁化領域は、第１仮想直線に対して相反する方向に傾斜されており、第１線状磁化領域は、第２線状磁化領域よりも、第１仮想直線に対する傾斜角度が急であり、サーボパターン傾斜情報は、第１線状磁化領域の第１仮想直線に対する傾斜角度に関する情報、及び第２線状磁化領域の第１仮想直線に対する傾斜角度に関する情報を含む第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第３の態様は、磁気テープの幅方向について第１線状磁化領域の両端の位置と第２線状磁化領域の両端の位置とが揃っている第２の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第４の態様は、第１線状磁化領域の全長が、第２線状磁化領域の全長よりも短い第３の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第５の態様は、第１線状磁化領域が、複数の第１磁化直線の集合であり、第２線状磁化領域は、複数の第２磁化直線の集合である第２の態様から第４の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第６の態様は、線状磁化領域対の磁気テープ上での幾何特性は、第１仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を第１仮想直線に対して傾斜させることによって一対の仮想線状領域の全体を第１仮想直線に対して傾斜させた場合の一対の仮想線状領域に基づく幾何特性に相当する第２の態様から第５の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第７の態様は、線状磁化領域対の磁気テープ上での幾何特性が、第１仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を第１仮想直線に対して傾斜させることによって一対の仮想線状領域の全体を第１仮想直線に対して傾斜させた場合の一対の仮想線状領域のうちの一方の仮想線状領域の両端の位置と他方の仮想線状領域の両端の位置とを幅方向で揃えた幾何特性に相当する第３の態様、第４の態様、及び、第３の態様又は第４の態様に係る第５の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第８の態様は、サーボフォーマット情報が、サーボパターンがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号を含む第１の態様から第７の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第９の態様は、理想波形が、磁気テープ上でのサーボ読取素子の向きに応じて定められた波形である第８の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１０の態様は、理想波形が、サーボパターンの幾何特性と磁気テープ上でのサーボ読取素子の向きとに応じて定められた波形である第９の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１１の態様は、サーボ読取素子が、磁気ヘッドに搭載されており、理想波形は、磁気テープ上での磁気ヘッドの向きに応じて定められた波形である第８の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１２の態様は、理想波形が、サーボパターンの幾何特性と磁気テープ上での磁気ヘッドの向きとに応じて定められた波形である第１１の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１３の態様は、サーボフォーマット情報が、磁気テープの幅に関する情報及び／又はサーボパターンの幾何特性に関する情報を含む第１の態様から第１２の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１４の態様は、サーボフォーマット情報が、磁気テープの幅を調整するための幅調整情報を含む第１の態様から第１３の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１５の態様は、幅調整情報が、磁気テープの全長方向における張力に関する情報を含む第１４の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１６の態様は、張力に関する情報が、磁気テープの幅、磁気テープそのものが有する特性、磁気テープの使用履歴、磁気テープに対して与えられる温度、及び／又は磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる第１５の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１７の態様は、サーボフォーマット情報が、サーボパターンを読み取るサーボ読取素子が搭載された磁気ヘッドを磁気テープ上でスキューさせる角度であるスキュー角度に関する情報を含む第１の態様から第１６の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１８の態様は、スキュー角度に関する情報が、磁気テープの幅、磁気テープそのものが有する特性、磁気テープの使用履歴、磁気テープに対して与えられる温度、及び／又は磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる第１７の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１９の態様は、磁気テープが、カートリッジに収容されており、カートリッジには、非接触式記憶媒体が格納媒体として設けられている第１の態様から第１８の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第２０の態様は、格納媒体は、磁気テープである第１の態様から第１８の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第２１の態様は、プロセッサを備え、プロセッサは、第１の態様から第２０の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納されたサーボフォーマット情報を取得し、取得したサーボフォーマット情報に応じた処理を実行する磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第２２の態様は、長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第１仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、取得したサーボフォーマット情報に応じた処理を実行することを含むサーボパターンの検出方法である。
本開示の技術に係る第２３の態様は、コンピュータに、長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第１仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、取得したサーボフォーマット情報に応じた処理を実行させることを含む処理を実行させるためのプログラムである。
実施形態に係る磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 従来既知の磁気テープ上に磁気ヘッドが配置されている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 従来既知の磁気テープの幅が収縮する前後の磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 従来既知の磁気テープ上で磁気ヘッドがスキューされた状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 実際のサーボパターンの傾斜角度の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上でスキューさせていない磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及び位置検出部の機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係るサーボライタの構成の一例を示す概念図である。 実施形態に係るサーボパターン検出処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第１変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及びＰＥＳ算出部の機能の一例を示す概念図である。 第２変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第３変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 第３変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第３変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第４変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 第４変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及び角度検出部の機能の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する角度検出部の機能の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及びＰＥＳ算出部の機能の一例を示す概念図である。 第６変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第６変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第７変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第７変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第８変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第８変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第８変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第９変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第９変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第１０変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第１０変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第１１変形例を示す概念図であって、磁気テープにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第１２変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 記憶媒体に記憶されているサーボパターン検出プログラムが制御装置のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及びサーボパターンの検出方法の実施形態の一例について説明する。
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
ＮＶＭとは、“Non-volatile memory”の略称を指す。ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＰＬＣとは、“Programmable Logic Controller”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＢＯＴとは、“Beginning Of Tape”の略称を指す。ＥＯＴとは、“End Of Tape”の略称を指す。ＵＩとは、“User Interface”の略称を指す。ＷＡＮとは、“Wide Area Network”の略称を指す。ＬＡＮとは、“Local Area Network”の略称を指す。ＰＥＳとは、“Position Error Signal”の略称を指す。
一例として図１に示すように、磁気テープシステム１０は、磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４を備えている。磁気テープドライブ１４には、磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ１４は、装填された磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。
本実施形態において、磁気テープドライブ１４は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」の一例である。また、磁気テープカートリッジ１２は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。また、磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。
次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１２の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の磁気テープドライブ１４への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１２の前方向とし、磁気テープカートリッジ１２の前方向の側を磁気テープカートリッジ１２の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１２の前側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１２の右方向の側を磁気テープカートリッジ１２の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１２の右側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１２の左方向の側を磁気テープカートリッジ１２の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１２の左側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１２の上方向とし、磁気テープカートリッジ１２の上方向の側を磁気テープカートリッジ１２の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１２の上側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の後方向とし、磁気テープカートリッジ１２の後方向の側を磁気テープカートリッジ１２の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１２の後側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の下方向とし、磁気テープカートリッジ１２の下方向の側を磁気テープカートリッジ１２の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１２の下側を指す。
一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１２は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１６を備えている。ケース１６には、磁気テープＭＴが収容されている。ケース１６は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１８及び下ケース２０を備えている。上ケース１８及び下ケース２０は、上ケース１８の下周縁面と下ケース２０の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。ケース１６は、本開示の技術に係る「カートリッジ」の一例である。
ケース１６の内部には、送出リール２２が回転可能に収容されている。送出リール２２は、リールハブ２２Ａ、上フランジ２２Ｂ１、及び下フランジ２２Ｂ２を備えている。リールハブ２２Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ２２Ａは、送出リール２２の軸心部であり、軸心方向がケース１６の上下方向に沿っており、ケース１６の中央部に配置されている。上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ２２Ａの上端部には上フランジ２２Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ２２Ａの下端部には下フランジ２２Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ２２Ａと下フランジ２２Ｂ２は一体成型されていてもよい。
リールハブ２２Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２によって保持されている。
ケース１６の右壁１６Ａの前側には、開口１６Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１６Ｂから引き出される。
下ケース２０にはカートリッジメモリ２４が設けられている。具体的には、下ケース２０の右後端部に、カートリッジメモリ２４が収容されている。カートリッジメモリ２４には、ＮＶＭを有するＩＣチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ２４として採用されており、カートリッジメモリ２４に対しては非接触で各種情報の読み書きが行われる。カートリッジメモリ２４は、本開示の技術に係る「非接触式記憶媒体」及び「格納媒体」の一例である。
カートリッジメモリ２４には、磁気テープカートリッジ１２を管理する管理情報が記憶されている。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ２４に関する情報（例えば、磁気テープカートリッジ１２を特定可能な情報）、磁気テープＭＴに関する情報（例えば、磁気テープＭＴの記録容量を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの項目を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの記録形式を示す情報など）、及び磁気テープドライブ１４に関する情報（例えば、磁気テープドライブ１４の仕様を示す情報、及び磁気テープドライブ１４で用いられる信号）等が含まれている。また、詳細は後述するが、カートリッジメモリ２４には、サーボフォーマット情報（図１４参照）が記憶されている。
一例として図３に示すように、磁気テープドライブ１４は、搬送装置２６、磁気ヘッド２８、制御装置３０、ストレージ３２、ＵＩ系装置３４、及び通信インタフェース３５を備えている。磁気テープドライブ１４には、矢印Ａ方向に沿って磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴが磁気テープカートリッジ１２から引き出されて用いられる。磁気ヘッド２８は、本開示の技術に係る「磁気ヘッド」の一例である。
磁気テープＭＴは、磁性層２９Ａ、ベースフィルム２９Ｂ、及びバックコート層２９Ｃを有する。磁性層２９Ａは、ベースフィルム２９Ｂの一方の面側に形成されており、バックコート層２９Ｃは、ベースフィルム２９Ｂの他方の面側に形成されている。磁性層２９Ａには、データが記録される。磁性層２９Ａは、強磁性粉末を含む。強磁性粉末としては、例えば、各種磁気記録媒体の磁性層において一般的に用いられる強磁性粉末が用いられる。強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末が挙げられる。六方晶フェライト粉末としては、例えば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、又は六方晶バリウムフェライト粉末等が挙げられる。バックコート層２９Ｃは、例えば、カーボンブラック等の非磁性粉末を含む層である。ベースフィルム２９Ｂは、支持体とも称されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリアミド等で形成されている。なお、ベースフィルム２９Ｂと磁性層２９Ａとの間に非磁性層が形成されていてもよい。磁気テープＭＴにおいて、磁性層２９Ａが形成された面が磁気テープＭＴの表面３１であり、バックコート層２９Ｃが形成された面が磁気テープＭＴの裏面３３である。
磁気テープドライブ１４は、磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いて磁気的処理を行う。ここで、磁気的処理とは、磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録、及び磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取り（すなわち、データの再生）を指す。本実施形態では、磁気テープドライブ１４が磁気ヘッド２８を用いて磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録と磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取りとを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ１４は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いてデータを記録したり、引き出した磁気テープＭＴの表面３１から磁気ヘッド２８を用いてデータを読み取ったりする。
制御装置３０は、磁気テープドライブ１４の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３０は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３０は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３０は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３０は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。なお、制御装置３０は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。
ストレージ３２は、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、ストレージ３２に対する各種情報の書き込み、及びストレージ３２からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ３２の一例としては、フラッシュメモリ及び／又はＨＤＤが挙げられる。フラッシュメモリ及びＨＤＤは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ１４に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。
ＵＩ系装置３４は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー（例えば、キーボード）、及び／又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び／又はスピーカ等によって実現される。ＵＩ系装置３４は、制御装置３０に接続されている。制御装置３０は、ＵＩ系装置３４によって受け付けられた指示信号を取得する。ＵＩ系装置３４は、制御装置３０の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。
通信インタフェース３５は、制御装置３０に接続されている。また、通信インタフェース３５は、ＷＡＮ及び／又はＬＡＮ等の通信網（図示省略）を介して外部装置３７に接続されている。通信インタフェース３５は、制御装置３０と外部装置３７との間の各種情報（例えば、磁気テープＭＴに対する記録用データ、磁気テープＭＴから読み取られたデータ、及び／又は制御装置３０に対して与えられる指示信号等）の授受を司る。なお、外部装置３７としては、例えば、パーソナル・コンピュータ又はメインフレーム等が挙げられる。
搬送装置２６は、磁気テープＭＴを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ３６、巻取リール３８、巻取モータ４０、及び複数のガイドローラＧＲを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。
送出モータ３６は、制御装置３０の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内の送出リール２２を回転させる。制御装置３０は、送出モータ３６を制御することで、送出リール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
巻取モータ４０は、制御装置３０の制御下で、巻取リール３８を回転させる。制御装置３０は、巻取モータ４０を制御することで、巻取リール３８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
磁気テープＭＴが巻取リール３８によって巻き取られる場合には、制御装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール３８に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３０によって調整されることで、磁気テープＭＴに対して張力が付与される。また、磁気テープＭＴに付与される張力は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置３０によって調整されることによって制御される。
なお、磁気テープＭＴを送出リール２２に巻き戻す場合には、制御装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。
本実施形態では、送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール３８との間において磁気ヘッド２８を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
磁気ヘッド２８は、磁気素子ユニット４２及びホルダ４４を備えている。磁気素子ユニット４２は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４４によって保持されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子を有する。
磁気素子ユニット４２は、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。ここで、データとは、例えば、サーボパターン５８（図９参照）、及びサーボパターン５８以外のデータ、すなわち、データバンドＤＢ（図９参照）に記録されているデータを指す。
磁気テープドライブ１４は、非接触式読み書き装置４６を備えている。非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２が装填された状態の磁気テープカートリッジ１２の下側にてカートリッジメモリ２４の裏面２４Ａに正対するように配置されており、カートリッジメモリ２４に対して非接触で情報の読み書きを行う。
一例として図４に示すように、非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２の下側からカートリッジメモリ２４に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ２４を貫通する。
非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０に接続されている。制御装置３０は、制御信号を非接触式読み書き装置４６に出力する。制御信号は、カートリッジメモリ２４を制御する信号である。非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０から入力された制御信号に従って磁界ＭＦを生成し、生成した磁界ＭＦをカートリッジメモリ２４に向けて放出する。
非接触式読み書き装置４６は、磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４との間で非接触通信を行うことで、カートリッジメモリ２４に対して、制御信号に応じた処理を行う。例えば、非接触式読み書き装置４６は、制御装置３０の制御下で、カートリッジメモリ２４から情報を読み取る処理と、カートリッジメモリ２４に対して情報を記憶させる処理（すなわち、カートリッジメモリ２４に対して情報を書き込む処理）とを選択的に行う。
一例として図５に示すように、磁気テープドライブ１４は、移動機構４８を備えている。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａを有する。移動アクチュエータ４８Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。移動アクチュエータ４８Ａは、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、移動アクチュエータ４８Ａを制御する。移動アクチュエータ４８Ａは、制御装置３０の制御下で動力を生成する。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向に移動させる。
磁気テープドライブ１４は、傾斜機構４９を備えている。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａを有する。傾斜アクチュエータ４９Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。傾斜アクチュエータ４９Ａは、制御装置３０に接続されており、制御装置３０は、傾斜アクチュエータ４９Ａを制御する。傾斜アクチュエータ４９Ａは、制御装置３０の制御下で動力を生成する。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに対して磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜させる（図８参照）。すなわち、磁気ヘッド２８は、制御装置３０の制御下で、磁気テープＭＴ上でスキューする。
ここで、磁気テープＭＴに対する比較例として、磁気テープＭＴに代えて、従来既知の磁気テープＭＴ０が用いられる場合について図６～図８を参照して説明する。なお、磁気テープＭＴ０と磁気テープＭＴとを比較すると、磁気テープＭＴ０にはサーボパターン５２（図６参照）が適用されているのに対し、磁気テープＭＴにはサーボパターン５８（図９参照）が適用されている点が異なる。
一例として図６に示すように、磁気テープＭＴ０の表面３１には、サーボバンドＳＢ１、ＳＢ２及びＳＢ３と、データバンドＤＢ１及びＤＢ２と、が形成されている。なお、以下では、説明の便宜上、特に区別する必要がない場合、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３をサーボバンドＳＢと称し、データバンドＤＢ１及びＤＢ２をデータバンドＤＢと称する。
サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３とデータバンドＤＢ１及びＤＢ２は、磁気テープＭＴ０の長手方向ＬＤ（すなわち、全長方向）に沿って形成されている。ここで、磁気テープＭＴ０の全長方向とは、換言すると、磁気テープＭＴ０の走行方向を指す。磁気テープＭＴ０の走行方向は、磁気テープＭＴ０が送出リール２２側から巻取リール３８側に走行する方向である順方向（以下、単に「順方向」とも称する）と、磁気テープＭＴ０が巻取リール３８側から送出リール２２側に走行する方向である逆方向（以下、単に「逆方向」とも称する）との２つの方向で規定される。
サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、磁気テープＭＴ０の幅方向ＷＤ（以下、単に「幅方向ＷＤ」とも称する）で離間した位置に配列されている。例えば、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、幅方向ＷＤに沿って等間隔に配列されている。なお、本実施形態において、「等間隔」とは、完全な等間隔の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等間隔を指す。
データバンドＤＢ１は、サーボバンドＳＢ１とサーボバンドＳＢ２との間に配されており、データバンドＤＢ２は、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間に配されている。つまり、サーボバンドＳＢとデータバンドＤＢとは、幅方向ＷＤに沿って交互に配列されている。
なお、図６に示す例では、説明の便宜上、３本のサーボバンドＳＢと２本のデータバンドＤＢとが示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、２本のサーボバンドＳＢと１本のデータバンドＤＢであってもよいし、４本以上のサーボバンドＳＢと３本以上のデータバンドＤＢであっても本開示の技術は成立する。
サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴ０の長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５２が記録されている。サーボパターン５２は、サーボパターン５２Ａとサーボパターン５２Ｂとに類別される。複数のサーボパターン５２は、磁気テープＭＴ０の長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。なお、本実施形態において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの一定を指す。
サーボバンドＳＢにおいて、隣り合うサーボパターン５２は、一組とされている。図６に示す例では、一組のサーボパターン５２の一例として、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂが示されている。一組のサーボパターン５２において、順方向の上流側にサーボパターン５２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５２Ｂが位置している。
サーボパターン５２は、線状磁化領域対５４からなる。線状磁化領域対５４は、線状磁化領域対５４Ａと線状磁化領域対５４Ｂとに類別される。
サーボパターン５２Ａは、線状磁化領域対５４Ａからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ａの一例として、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２が示されている。線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２が、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１を対称軸として磁気テープＭＴ０の長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。本実施形態において、仮想直線Ｃ１は、本開示の技術に係る「第１仮想直線」の一例である。
線状磁化領域５４Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ２ａの集合である。
サーボパターン５２Ｂは、線状磁化領域対５４Ｂからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ｂの一例として、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２が示されている。線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２が、仮想直線Ｃ２に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２を対称軸として磁気テープＭＴ０の長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。本実施形態において、仮想直線Ｃ２は、本開示の技術に係る「第１仮想直線」の一例である。
線状磁化領域５４Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ２ａの集合である。
このように構成された磁気テープＭＴ０の表面３１側に、磁気ヘッド２８は配置されている。ホルダ４４は、直方体状に形成されており、磁気テープＭＴ０の表面３１上を幅方向ＷＤに沿って横断するように配置されている。磁気素子ユニット４２の複数の磁気素子は、ホルダ４４の長手方向に沿って直線状に配列されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子として、一対のサーボ読取素子ＳＲ及び複数のデータ読み書き素子ＤＲＷを有する。ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気テープＭＴ０の幅に対して十分に長い。例えば、ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気素子ユニット４２が磁気テープＭＴ上の何れの位置に配置されたとしても、磁気テープＭＴ０の幅を超える長さとされている。サーボ読取素子ＳＲは、本開示の技術に係る「サーボ読取素子」の一例である。
一対のサーボ読取素子ＳＲは、サーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２からなる。サーボ読取素子ＳＲ１は、磁気素子ユニット４２の一端に配置されており、サーボ読取素子ＳＲ２は、磁気素子ユニット４２の他端に配置されている。図６に示す例では、サーボ読取素子ＳＲ１が、サーボバンドＳＢ２に対応する位置に設けられており、サーボ読取素子ＳＲ２が、サーボバンドＳＢ３に対応する位置に設けられている。
複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に直線状に配置されている。複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている（例えば、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って等間隔に配置されている）。図６に示す例では、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが、データバンドＤＢ２に対応する位置に設けられている。
制御装置３０は、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号を取得し、取得したサーボパターン信号に従ってサーボ制御を行う。ここで、サーボ制御とは、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られたサーボパターン５２に従って移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ０の幅方向ＷＤに移動させる制御を指す。
サーボ制御が行われることにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、データバンドＤＢ内の指定された領域上に位置し、データバンドＤＢ内の指定された領域に対して磁気的処理を行う。図６に示す例では、データバンドＤＢ２内の指定された領域に対して複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによって磁気的処理が行われる。
また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢが変更される場合（図６に示す例では、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ２からＤＢ１に変更される場合）、移動機構４８は、制御装置３０の制御下で、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、一対のサーボ読取素子ＳＲの位置を変更する。すなわち、移動機構４８は、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、サーボ読取素子ＳＲ１をサーボバンドＳＢ１に対応する位置に移動させ、サーボ読取素子ＳＲ２をサーボバンドＳＢ２に対応する位置に移動させる。これにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷの位置は、データバンドＤＢ２上からデータバンドＤＢ１上に変更され、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによってデータバンドＤＢ１に対して磁気的処理が行われる。
ところで、近年、ＴＤＳ（Transverse Dimensional Stability）の影響を低減する技術に関する研究が進められている。ＴＤＳは、温度、湿度、磁気テープがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等に左右され、何ら対策を施さない場合、ＴＤＳが大きくなり、データバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる場面でオフトラック（すなわち、データバンドＤＢ内のトラックに対するデータ読み書き素子ＤＲＷの位置ずれ）が生じてしまうことが知られている。
図７に示す例では、磁気テープＭＴ０の幅が時間の経過と共に収縮した態様が示されている。この場合、オフトラックが生じる。磁気テープＭＴ０の幅は、拡がる場合もあり、この場合にも、オフトラックが生じる。すなわち、磁気テープＭＴ０の幅が時間の経過と共に縮まったり拡がったりすると、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置（例えば、線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々の中心位置）から幅方向ＷＤに外れてしまう。サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置から幅方向ＷＤに外れると、サーボ制御の精度が低下し、データバンドＤＢ内のトラックとデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とがずれてしまう。そうすると、当初予定されていたトラックに対して磁気的処理が行われなくなる。
ＴＤＳの影響を低減する方法としては、一例として図８に示すように、磁気テープＭＴ０上で磁気ヘッド２８をスキューさせることで、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置を設計的に定められた既定位置に保持する方法が知られている。
磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを備えている。回転軸ＲＡは、磁気ヘッド２８に含まれる磁気素子ユニット４２の平面視中央部に相当する位置に設けられている。磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを介して傾斜機構４９に回転可能に保持されている。磁気ヘッド２８には仮想的な中心線である仮想直線Ｃ３が設けられている。仮想直線Ｃ３は、回転軸ＲＡを通り、かつ、磁気ヘッド２８の平面視長手方向（すなわち、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが配列された方向）に延びた直線である。磁気ヘッド２８は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ４に対して仮想直線Ｃ３が磁気テープＭＴ０の長手方向ＬＤ側に傾斜した姿勢となるように傾斜機構４９によって保持されている。図８に示す例では、磁気ヘッド２８が、仮想直線Ｃ３を仮想直線Ｃ４に対して送出リール２２側に傾斜した姿勢（すなわち、図８の紙面表側から見た場合の反時計回りで傾斜した姿勢）で傾斜機構４９によって保持されている。
傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａ（図５参照）の動力を受けることで、磁気テープＭＴ０の表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させる。傾斜機構４９は、制御装置３０の制御下で、磁気テープＭＴ０の表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度を変更する。
仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度が、温度、湿度、磁気テープＭＴ０がリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等、又は、これらによる磁気テープＭＴの幅方向ＷＤの伸縮に応じて変更されることにより、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。
ところで、サーボ読取素子ＳＲは、仮想直線Ｃ３に沿って直線状に形成されている。そのため、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ａが読み取られる場合、線状磁化領域対５４Ａにおいて、線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度が異なる。このように角度が異なると、線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ１が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）と線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ２が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）との間にアジマス損失に起因するばらつき（例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等）が生じる。図８に示す例において、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ１とで成す角度は、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ２とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープＭＴが走行している状態でサーボ読取素子ＳＲがサーボバンドＳＢを横切って読み取るサーボパターン信号にばらつきが生じることとなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ｂが読み取られる場合にも、線状磁化領域５４Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域５４Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。このようなサーボパターン信号のばらつきは、サーボ制御の精度を低下させる一因になり得る。
そこで、このような事情に鑑み、本実施形態では、一例として図９に示すように、磁気テープＭＴが採用されている。磁気テープＭＴは、磁気テープＭＴ０に比べ、サーボパターン５２に代えてサーボパターン５８を有する点が異なる。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８が記録されている。複数のサーボパターン５８は、磁気テープＭＴ０に記録されている複数のサーボパターン５２と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図９に示す例では、一組のサーボパターン５８の一例として、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂが示されている。サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン５８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５８Ｂが位置している。
サーボパターン５８は、線状磁化領域対６０からなる。線状磁化領域対６０は、線状磁化領域対６０Ａと線状磁化領域対６０Ｂとに類別される。本実施形態において、線状磁化領域対６０は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例である。
サーボパターン５８Ａは、線状磁化領域対６０Ａからなる。図９に示す例では、線状磁化領域対６０Ａの一例として、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２が示されている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
本実施形態において、線状磁化領域６０Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域６０Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域６０Ａ１の全長は、線状磁化領域６０Ａ２の全長よりも短い。
サーボパターン５８Ａにおいて、線状磁化領域６０Ａ１には、複数の磁化直線６０Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ａ２には、複数の磁化直線６０Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ａ１に含まれる磁化直線６０Ａ１ａの本数と線状磁化領域６０Ａ２に含まれる磁化直線６０Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域６０Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。なお、ここでは、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、５本の磁化直線６０Ａ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ１ａの両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。また、本実施形態において、「揃っている」という概念には、完全に揃っているという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「揃っている」という意味も含まれている。
サーボパターン５８Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂからなる。図９に示す例では、線状磁化領域対６０Ｂの一例として、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２が示されている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
本実施形態において、線状磁化領域６０Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域６０Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ｂ１は、線状磁化領域６０Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域６０Ｂ１の全長は、線状磁化領域６０Ｂ２の全長よりも短い。
サーボパターン５８Ｂにおいて、線状磁化領域６０Ｂ１には、複数の磁化直線６０Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ｂ２には、複数の磁化直線６０Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ｂ１に含まれる磁化直線６０Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６０Ｂ２に含まれる磁化直線６０Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン５８Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数と異なる。図９に示す例では、サーボパターン５８Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域６０Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。
なお、ここでは、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、４本の磁化直線６０Ｂ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ１ａの両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。
また、ここでは、線状磁化領域６０Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域６０Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ１ａであり、線状磁化領域６０Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ２ａであり、線状磁化領域６０Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ１ａであり、線状磁化領域６０Ｂ２磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ２ａであればよい。
ここで、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図１０を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、幾何特性とは、長さ、形状、向き、及び／又は位置等の一般的に認識されている幾何学的な特性を指す。
一例として図１０に示すように、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。仮想線状領域対６２は、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂからなる。線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。
本実施形態において、仮想線状領域対６２は、本開示の技術に係る「一対の仮想線状領域」の一例であり、仮想線状領域６２Ａは、本開示の技術に係る「一方の仮想線状領域」の一例であり、仮想線状領域６２Ｂは、本開示の技術に係る「他方の仮想線状領域」の一例である。
仮想線状領域対６２は、図６に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有する仮想的な線状の磁化領域対である。仮想線状領域対６２は、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性の説明のために便宜的に用いられる仮想的な磁化領域であり、実在する磁化領域ではない。
仮想線状領域６２Ａは、図６に示す線状磁化領域５４Ａ１と同じ幾何特性を有しており、図６に示す５本の磁化直線５４Ａ１ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ａ１からなる。仮想線状領域６２Ｂは、図６に示す線状磁化領域５４Ｂ１と同じ幾何特性を有しており、図６に示す５本の磁化直線５４Ａ２ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ｂ１からなる。
仮想線状領域対６２には、中心Ｏ１が設けられている。例えば、中心Ｏ１は、５本の直線６２Ａ１のうちの順方向の最上流側に位置する直線６２Ａ１の中心と、５本の直線６２Ｂ１のうちの順方向の最下流側に位置する直線６２Ｂ１の中心とを結ぶ線分Ｌ０の中心である。
仮想線状領域対６２は、図６に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有するので、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に対して、仮にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合について考える。この場合、仮想線状領域対６２のうち、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａは読み取られるが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られなかったり、仮想線状領域６２Ａは読み取られないが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られたりする箇所が生じる。すなわち、仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの各々において、サーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に、不足する部分と不要な部分とが生じる。
そこで、不足する部分を補い、かつ、不要な部分を削ることにより、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置）と、仮想線状領域６２Ｂの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置）とを揃える。
このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン５８Ａの幾何特性に相当する。すなわち、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対６２の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ａが記録される。
ここで、線状磁化領域対６０Ａの幾何特性のうちの仮想直線Ｃ１に対する傾きについて図１１を参照して説明する。線状磁化領域対６０Ａの幾何特性は、仮想線状領域対６２の幾何特性に相当する。従って、線状磁化領域対６０Ａは、仮想線状領域対６２と同様に、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ｂ２の対称軸ＳＡ２を角度α（すなわち、角度ａに相当）傾斜させて得られる。すなわち、線状磁化領域対６０Ａの全体が、仮想直線Ｃ１に対して角度α傾斜している。従って、線状磁化領域対６０Ａを含むサーボパターン５８も仮想直線Ｃ１に対して角度α（以下、サーボパターン５８の傾斜角度αと称する）傾斜している。
さらに、線状磁化領域対６０Ａのうちの線状磁化領域６０Ａ１は、仮想直線Ｃ１に対して角度θａ（以下、線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａと称する）傾斜している。また、線状磁化領域対６０Ａのうちの線状磁化領域６０Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して角度θｂ（以下、線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂと称する）傾斜している。線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａ及び線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂは、何れもサーボパターン５８の傾斜角度αに対応している。
なお、線状磁化領域対６０Ｂは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、５本の磁化直線６０Ａ１ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線６０Ａ２ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ２ａを有する点のみが異なる。よって、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて４本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置と４本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対（図示省略）の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ｂが記録される。
一例として図１２に示すように、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ａ（すなわち、線状磁化領域対６０Ａ）が読み取られると、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが生じる。また、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様の現象が生じる。
ここで、一例として図１３に示すように、傾斜機構４９（図８参照）は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図１３の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度β、）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる（以下、説明の便宜上、仮想直線Ｃ１に対する仮想直線Ｃ３の角度を「磁気ヘッドスキュー角度」と称する）。この場合であっても、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度との間に大きなずれ（例えば、サーボパターン５８の傾斜角度αが５度であり、磁気ヘッドスキュー角度が１０度）があると、アジマス損失によるサーボパターン信号のばらつきが生じる場合がある。
図１３に示す例において、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域６０Ａ１とで成す角度は、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域６０Ａ２とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープＭＴが走行している状態でサーボ読取素子ＳＲがサーボバンドＳＢを横切って読み取るサーボパターン信号にばらつきが生じることとなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂが読み取られる場合にも、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。
そこで、一例として図１４に示すように、制御装置３０は、磁気テープＭＴのサーボフォーマット情報ＳＦに基づいて、磁気ヘッド２８のスキュー角度制御を行う。サーボフォーマット情報ＳＦは、磁気テープカートリッジ１２に設けられたカートリッジメモリ２４に記憶されている。制御装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介して、カートリッジメモリ２４からサーボフォーマット情報ＳＦを取得する。
サーボフォーマット情報ＳＦには、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１が含まれている。サーボパターン傾斜情報ＳＦ１とは、サーボパターン５８の傾斜に関する情報を指す。サーボパターン傾斜情報ＳＦ１として、例えば、サーボパターン５８の傾斜角度αを示す情報が挙げられるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１としては、線状磁化領域６０Ａ１の仮想直線Ｃ１に対する角度θａ（図１１参照）及び線状磁化領域６０Ａ２の仮想直線Ｃ１に対する角度θｂ（図１１参照）を示す情報を含む。同様に、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１は、線状磁化領域６０Ｂ１の仮想直線Ｃ２に対する角度θａ（図１１参照）及び線状磁化領域６０Ｂ２の仮想直線Ｃ２に対する角度θｂ（図１１参照）を示す情報を含む。
サーボパターン５８の傾斜角度αは、例えば、磁気テープＭＴの製造段階においてサーボパターン５８が記録される場合のサーボパターン記録ヘッドＷＨ（図１８参照）のスキュー角度に相当し、磁気テープＭＴの製造段階で得られる角度であるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１は、磁気テープＭＴの製造段階におけるサーボパターン５８の傾斜角度αの設計値又は実測値（例えば、実際に磁気テープＭＴに対して記録されたサーボパターン５８の傾斜角度αそのもの）であってもよいし、磁気テープＭＴの幅の変化に伴うサーボパターン５８の傾斜角度αの変化に関するシミュレーション及び／又は実験等から求められた結果でもよい。また、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１は、磁気テープＭＴが現像されることで得られた画像に像として写っているサーボパターン５８の傾斜角度αであってもよい。更に、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１は、磁気テープＭＴの全長にわたって磁気テープＭＴの幅が変化する量の測定結果（以下、「幅変化量測定結果」とも称する）に基づいて、サーボパターン５８の傾斜角度αが算出された結果であってもよい。この場合、傾斜角度αの基準値として予め定められた固定値と幅変化量測定結果に基づく変数とを用いた関数からサーボパターン傾斜情報ＳＦ１が算出されるようにしてもよい。
制御装置３０は、サーボフォーマット情報ＳＦに基づいて傾斜機構４９を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。例えば、磁気ヘッドスキュー角度は、サーボパターン５８の傾斜角度αと同じ角度に調整される。また、本実施形態において、「同じ」という概念には、完全に同じという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「同じ」という意味も含まれている。
また、磁気ヘッドスキュー角度は、アジマス損失が許容範囲（以下、単に「許容範囲」とも称する）内に収まる角度に調整されるようにしてもよい。ここで、許容範囲とは、サーボパターン５８が検出される確度が一定以上となる範囲を指す。このように磁気ヘッドスキュー角度が許容範囲内に収まるようにする場合、例えば、制御装置３０は、サーボフォーマット情報ＳＦを参照して許容範囲内に収まる角度を磁気ヘッドスキュー角度として導出すればよい。なお、許容範囲内に収まる角度は、例えば、サーボフォーマット情報ＳＦと磁気ヘッドスキュー角度とを対応付けたテーブル又は演算式から導出されるようにすればよい。
一例として図１５に示すように、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度γ（すなわち、図１５の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。このように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度γ傾く。ここで、角度γは、サーボパターン５８の傾斜角度αと同じである。この結果、図１２及び図１３に示す例に比べ、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
一例として図１６に示すように、制御装置３０は、制御部３０Ａ及び位置検出部３０Ｂを有する。位置検出部３０Ｂは、第１位置検出部３０Ｂ１及び第２位置検出部３０Ｂ２を有する。位置検出部３０Ｂは、サーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢが読み取られた結果であるサーボバンド信号Ｓを取得し、取得したサーボバンド信号Ｓに基づいて、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の位置を検出する。サーボバンド信号Ｓには、サーボパターン５８が読み取られた結果であるサーボパターン信号の他に、サーボ制御に不要な信号（例えば、ノイズ等）も含まれている。従って、サーボパターン信号に基づく制御（例えば、サーボ制御等）を高精度に実現するためには、制御装置３０が、サーボバンド信号Ｓからサーボパターン信号を高精度に検出する必要がある。
サーボバンド信号Ｓは、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とに類別される。第１サーボバンド信号Ｓ１は、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢ２が読み取られた結果であるサーボバンド信号Ｓであり、第２サーボバンド信号Ｓ２は、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢ３が読み取られた結果であるサーボバンド信号Ｓである。
第１位置検出部３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２位置検出部３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。図１６に示す例では、第１位置検出部３０Ｂ１が、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢ２が読み取られることによって得られた第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２位置検出部３０Ｂ２が、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢ３が読み取られることによって得られた第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。第１位置検出部３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１に基づいて、サーボバンドＳＢ２に対するサーボ読取素子ＳＲ１の位置を検出し、第２位置検出部３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２に基づいて、サーボバンドＳＢ３に対するサーボ読取素子ＳＲ２の位置を検出する。
制御部３０Ａは、第１位置検出部３０Ｂ１での位置検出結果（すなわち、第１位置検出部３０Ｂ１によって位置が検出された結果）及び第２位置検出部３０Ｂ２での位置検出結果（すなわち、第２位置検出部３０Ｂ２によって位置が検出された結果）に基づいて各種制御を行う。ここで、各種制御とは、例えば、サーボ制御、スキュー角度制御、及び／又は張力制御等を指す。張力制御とは、磁気テープＭＴに付与する張力（例えば、ＴＤＳの影響を低減するための張力）の制御を指す。
一例として図１７に示すように、位置検出部３０Ｂは、磁気テープＭＴからサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８が読み取られた結果であるサーボパターン信号を、自己相関係数を用いて検出する。
カートリッジメモリ２４には、理想波形信号６６が記憶されている。すなわち、カートリッジメモリ２４に記憶されたサーボフォーマット情報ＳＦには、理想波形信号６６が含まれる。理想波形信号６６は、サーボバンド信号Ｓに含まれる単発の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５８に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。理想波形信号６６は、サーボバンド信号Ｓと比較される見本信号とも言える。なお、ここでは、カートリッジメモリ２４に理想波形信号６６が記憶されている形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、例えば、カートリッジメモリ２４と共に、理想波形信号６６がストレージ３２に記憶されていてもよい。また、磁気テープＭＴの先頭に設けられたＢＯＴ領域ＭＴ１（図４１参照）、及び／又は、磁気テープＭＴの後尾に設けられたＥＯＴ領域ＭＴ２（図４１参照）に理想波形信号６６が記録されていてもよい。
位置検出部３０Ｂによって用いられる自己相関係数は、サーボバンド信号Ｓと理想波形信号６６との相関の度合いを示す係数である。位置検出部３０Ｂは、ストレージ３２から理想波形信号６６を取得し、取得した理想波形信号６６とサーボバンド信号Ｓとを比較する。そして、位置検出部３０Ｂは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。位置検出部３０Ｂは、サーボバンドＳＢ上において、サーボバンド信号Ｓと理想波形信号６６との相関が高い位置（例えば、サーボバンド信号Ｓと理想波形信号６６とが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。
サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置は、例えば、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂの長手方向ＬＤの間隔に基づいて検出される。例えば、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂの長手方向ＬＤの間隔は、自己相関係数に従って検出される。サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５８の上側（すなわち、図１６中の紙面正面視の上側）に位置している場合、線状磁化領域６０Ａ１と線状磁化領域６０Ａ２との間隔は狭くなり、かつ、線状磁化領域６０Ｂ１と線状磁化領域６０Ｂ２との間隔も狭くなる。これに対し、サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５８の下側（すなわち、図１６中の紙面正面視の下側）に位置している場合、線状磁化領域６０Ａ１と線状磁化領域６０Ａ２との間隔は広くなり、かつ、線状磁化領域６０Ｂ１と線状磁化領域６０Ｂ２との間隔も広くなる。このようにして、位置検出部３０Ｂは、自己相関係数に従って検出した線状磁化領域６０Ａ１と線状磁化領域６０Ａ２との間隔、及び、線状磁化領域６０Ｂ１と線状磁化領域６０Ｂ２との間隔を用いて、サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置の検出を行う。
制御部３０Ａは、位置検出部３０Ｂでの位置検出結果（すなわち、位置検出部３０Ｂによって位置が検出された結果）に基づいて移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８の位置を調整する。また、制御部３０Ａは、磁気素子ユニット４２に対して磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに対して磁気的処理を行わせる。すなわち、制御部３０Ａは、磁気素子ユニット４２から読取信号（すなわち、磁気素子ユニット４２によって磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから読み取られたデータ）を取得したり、磁気素子ユニット４２に記録信号を供給することで記録信号に応じたデータを磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに記録したりする。
また、ＴＤＳの影響を低減するために、制御部３０Ａは、位置検出部３０Ｂでの位置検出結果からサーボバンドピッチを算出し、算出したサーボバンドピッチに従って、張力制御を行ったり、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８をスキューさせたりする。張力制御は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることによって実現される。磁気ヘッド２８のスキューは、傾斜機構４９を作動させることによって実現される。
次に、磁気テープＭＴの製造工程に含まれる複数の工程のうち、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢにサーボパターン５８を記録するサーボパターン記録工程、及び磁気テープＭＴを巻き取る巻取工程の一例について説明する。
一例として図１８に示すように、サーボパターン記録工程では、サーボライタＳＷが用いられる。サーボライタＳＷは、送出リールＳＷ１、巻取リールＳＷ２、駆動装置ＳＷ３、パルス信号生成器ＳＷ４、サーボライタコントローラＳＷ５、複数のガイドＳＷ６、搬送路ＳＷ７、サーボパターン記録ヘッドＷＨ、及びベリファイヘッドＶＨを備えている。
サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボライタＳＷの全体を制御する。本実施形態において、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、サーボライタコントローラＳＷ５は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
送出リールＳＷ１には、パンケーキがセットされている。パンケーキとは、サーボパターン５８の書き込み前に幅広のウェブ原反から製品幅に裁断された磁気テープＭＴがハブに巻き掛けられた大径ロールを指す。
駆動装置ＳＷ３は、モータ（図示省略）及びギア（図示省略）を有しており、送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に機械的に接続されている。磁気テープＭＴが巻取リールＳＷ２によって巻き取られる場合、駆動装置ＳＷ３は、サーボライタコントローラＳＷ５からの指示に従って、動力を生成し、生成した動力を送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に伝達することで送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２を回転させる。すなわち、送出リールＳＷ１は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、磁気テープＭＴを既定の搬送路ＳＷ７に送り出す。巻取リールＳＷ２は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、送出リールＳＷ１から送り出された磁気テープＭＴを巻き取る。送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２の回転速度及び回転トルク等は、巻取リールＳＷ２に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。
搬送路ＳＷ７上には、複数のガイドＳＷ６及びサーボパターン記録ヘッドＷＨが配置されている。サーボパターン記録ヘッドＷＨは、複数のガイドＳＷ６間で、磁気テープＭＴの表面３１側に配置されている。送出リールＳＷ１から搬送路ＳＷ７に送り出された磁気テープＭＴは、複数のガイドＳＷ６に案内されてサーボパターン記録ヘッドＷＨ上を経由して巻取リールＳＷ２によって巻き取られる。
磁気テープＭＴの製造工程には、サーボパターン記録工程の他にも複数の工程が含まれている。複数の工程には、検査工程及び巻取工程が含まれている。
例えば、検査工程は、サーボパターン記録ヘッドＷＨによって磁気テープＭＴの表面３１に形成されたサーボバンドＳＢを検査する工程である。サーボバンドＳＢの検査とは、例えば、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５８の正否を判定する処理を指す。サーボパターン５８の正否の判定とは、例えば、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂが表面３１内の事前に決められた箇所に対して、磁化直線６０Ａ１ａ、６０Ａ２ａ、６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａが過不足なく、かつ、許容誤差内で記録されているか否かの判定（すなわち、サーボパターン５８のベリファイ）を指す。
検査工程は、サーボライタコントローラＳＷ５及びベリファイヘッドＶＨを用いることによって行われる。ベリファイヘッドＶＨは、サーボパターン記録ヘッドＷＨよりも、磁気テープＭＴの搬送方向の下流側に配置されている。また、ベリファイヘッドＶＨには、磁気ヘッド２８と同様に、複数のサーボ読取素子（図示省略）が設けられており、複数のサーボ読取素子によって複数のサーボバンドＳＢに対する読み取りが行われる。更に、ベリファイヘッドＶＨは、磁気ヘッド２８と同様に、磁気テープＭＴの表面３１上でスキューされている。なお、ベリファイヘッドＶＨは、本開示の技術に係る「磁気ヘッド」の一例である。
ベリファイヘッドＶＨは、サーボライタコントローラＳＷ５に接続されている。ベリファイヘッドＶＨには、磁気テープＭＴの表面３１側（すなわち、ベリファイヘッドＶＨの背面側）から見てサーボバンドＳＢに対して正対する位置に配置されており、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５８を読み取り、読み取った結果（以下、「サーボパターン読取結果」と称する）をサーボライタコントローラＳＷ５に出力する。サーボライタコントローラＳＷ５は、ベリファイヘッドＶＨから入力されたサーボパターン読取結果（例えば、サーボバンド信号Ｓ）に基づいてサーボバンドＳＢの検査（例えば、サーボパターン５８の正否の判定）を行う。例えば、サーボライタコントローラＳＷ５は、図１７に示す位置検出部３０Ｂとして動作することによりサーボパターン読取結果から位置検出結果を取得し、位置検出結果を用いてサーボパターン５８の正否を判定することでサーボバンドＳＢの検査を行う。
サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボバンドＳＢを検査した結果（例えば、サーボパターン５８の正否を判定した結果）を示す情報を既定の出力先（例えば、ストレージ３２（図３参照）、ＵＩ系装置３４（図３参照）、及び／又は外部装置３７（図３参照）等）に出力する。
例えば、検査工程が終了すると、次に、巻取工程が行われる。巻取工程は、複数の磁気テープカートリッジ１２（図１～図４参照）のそれぞれに対して用いられる送出リール２２（すなわち、磁気テープカートリッジ１２（図１～図４参照）に収容される送出リール２２（図２～図４参照））に磁気テープＭＴを巻回する工程である。巻取工程では、巻取モータＭが用いられる。巻取モータＭは、送出リール２２にギア等を介して機械的に接続されている。巻取モータＭは、制御装置（図示省略）の制御下で、送出リール２２に対して回転力を付与することで送出リール２２を回転させる。巻取リールＳＷ２に巻き取られた磁気テープＭＴは、送出リール２２の回転によって送出リール２２に巻き取られる。巻取工程では、裁断装置（図示省略）が用いられる。複数の送出リール２２の各々について、送出リール２２によって必要な分の磁気テープＭＴが巻き取られると、巻取リールＳＷ２から送出リール２２に送出される磁気テープＭＴが裁断装置によって裁断される。
パルス信号生成器ＳＷ４は、サーボライタコントローラＳＷ５の制御下で、パルス信号を生成し、生成したパルス信号をサーボパターン記録ヘッドＷＨに供給する。磁気テープＭＴが搬送路ＳＷ７上を一定の速度で走行している状態で、サーボパターン記録ヘッドＷＨは、パルス信号生成器ＳＷ４から供給されたパルス信号に従ってサーボパターン５８をサーボバンドＳＢに記録する。
次に、磁気テープシステム１０の作用について説明する。
本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、一例として図１９に示すように、制御装置３０（図３等参照）によって、サーボパターン検出処理が行われる。なお、図１９に示すサーボパターン検出処理の流れは、本開示の技術に係る「サーボパターンの検出方法」の一例である。
図１９に示すサーボパターン検出処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、制御装置３０は、サーボフォーマット情報ＳＦを取得する。例えば、制御装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介して、カートリッジメモリ２４からサーボフォーマット情報ＳＦを取得する。ステップＳＴ１０の処理が実行された後、サーボパターン検出処理は、ステップＳＴ１２へ移行する。
ステップＳＴ１２で、制御装置３０は、ステップＳＴ１０でカートリッジメモリ２４から取得したサーボフォーマット情報ＳＦに応じた処理を実行する。例えば、制御装置３０は、サーボフォーマット情報ＳＦに含まれるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１に基づいて傾斜機構４９を動作させる。ステップＳＴ１２の処理が実行された後、サーボパターン検出処理が終了する。
以上説明したように、磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープドライブ１４に装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴに対して磁気素子ユニット４２（図３及び図１７参照）による磁気的処理が行われる場合、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴが引き出され、磁気ヘッド２８のサーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５８が読み取られる。
本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２には、カートリッジメモリ２４が設けられている。カートリッジメモリ２４には、サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１を含むサーボフォーマット情報ＳＦが格納されている。制御装置３０は、サーボフォーマット情報ＳＦに基づいて傾斜機構４９を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が、サーボパターン５８の傾斜角度αと近くなる。従って、本構成によれば、サーボパターン５８の傾斜に関する情報を考慮せずにサーボパターン５８を読み取る場合と比較して、サーボパターン信号のばらつきが小さくなるので、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
図９及び図１０に示すように、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢに記録されているサーボパターン５８Ａに含まれる線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。一方、図１４及び図１５に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８も、順方向の上流側に角度γ（すなわち、図１４及び１５の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ）傾けられている。この状態で、サーボパターン５８Ａがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られると、線状磁化領域６０Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域６０Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度とが近くなるため、アジマス損失に起因するサーボパターン信号のばらつきは、従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号との間で生じるばらつきよりも少なくなる。
この結果、従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきが小さくなり、従来既知のサーボパターン５２Ａから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる（以下、この効果を「第１の効果」とも称する）。なお、図１４及び図１５に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が、順方向の上流側に角度γ（すなわち、図１４及び図１５の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ）傾けられた状態で、サーボパターン５８Ｂがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる場合も、第１の効果と同様の効果（以下、この効果を「第２の効果」とも称する）が得られる。
また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２のカートリッジメモリ２４に記憶されたサーボパターン傾斜情報ＳＦ１は、線状磁化領域６０Ａ１の仮想直線Ｃ１に対する角度θａに関する情報、及び線状磁化領域６０Ａ２の仮想直線Ｃ１に対する角度θｂに関する情報を含む。従って、本構成によれば、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２の何れかの仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度の情報しか考慮しない場合、及び線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２の何れかの仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度の情報しか考慮しない場合と比較して、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
ところで、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置とが揃っていないと、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域６０Ａ１の一端部は読み取られるが、線状磁化領域６０Ａ２の一端部は読み取られなかったり、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域６０Ａ１の他端部は読み取られるが、線状磁化領域６０Ａ２の他端部は読み取られなかったりする。
そこで、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２の有する磁気テープＭＴでは、サーボバンドＳＢ内で幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置）とを揃えている。従って、サーボパターン５８Ａに対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置とが揃っていない場合に比べ、サーボ読取素子ＳＲに対して線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２を過不足なく読み取らせることができる。この結果、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置とが揃っていない場合に比べ、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる（以下、この効果を「第３の効果」と称する）。なお、サーボパターン５８Ｂに対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合も、第３の効果と同様の効果（以下、この効果を「第４の効果」とも称する）が得られる。
図９及び図１０に示すように線状磁化領域６０Ａ１の仮想直線Ｃ１に対する勾配が、線状磁化領域６０Ａ２の仮想直線Ｃ１に対する勾配よりも急であるにも拘らず、線状磁化領域６０Ａ１の全長を線状磁化領域６０Ａ２の全長よりも長くすると、線状磁化領域６０Ａ１と線状磁化領域６０Ａ２との間でサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる部分と読み取られない部分とが生じる。また、線状磁化領域６０Ｂ１の全長を線状磁化領域６０Ｂ２の全長よりも長くした場合であっても、線状磁化領域６０Ｂ１と線状磁化領域６０Ｂ２との間でサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる部分と読み取られない部分とが生じる。そこで、本実施形態に係る磁気テープＭＴでは、線状磁化領域６０Ａ１の全長が線状磁化領域６０Ａ２の全長よりも短くされており、線状磁化領域６０Ｂ１の全長が線状磁化領域６０Ｂ２の全長よりも長くされている。これにより、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２に対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取り、及び線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２に対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取りを過不足なく行うことができる（以下、この効果を「第５の効果」と称する）。
また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２の有する磁気テープＭＴでは、線状磁化領域６０Ａ１は、５本の磁化直線６０Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ａ２は、５本の磁化直線６０Ａ２ａの集合である。また、線状磁化領域６０Ｂ１は、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ｂ２は、４本の磁化直線６０Ｂ２ａの集合である。従って、各線状磁化領域が１本の磁化直線からなる場合に比べ、サーボパターン５８から得られる情報量を多くすることができ、この結果、高精度なサーボ制御を実現することができる（以下、この効果を「第６の効果」と称する）。
また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２の有する磁気テープＭＴでは、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性が、仮想線状領域対６２の対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを幅方向ＷＤで揃えた幾何特性に相当する。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ａに対してサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ａから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる（以下、この効果を「第７の効果」と称する）。
なお、線状磁化領域対６０Ｂは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に代えて線状磁化領域６０Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ａ２に代えて線状磁化領域６０Ｂ２を有する点のみが異なる。このように構成された線状磁化領域対６０Ｂに対しても、線状磁化領域対６０Ａと同様にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる。従って、本構成によれば、サーボパターン５８の傾斜に関する情報を考慮せずにサーボパターン５８を読み取る場合と比較して、サーボパターン信号のばらつきが小さくなる結果、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
また、線状磁化領域対６０Ｂは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に代えて線状磁化領域６０Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ａ２に代えて線状磁化領域６０Ｂ２を有する点のみが異なる。このように構成された線状磁化領域対６０Ｂに対しても、線状磁化領域対６０Ａと同様にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ｂに対してサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ｂから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる（以下、この効果を「第８の効果」と称する）。
また、線状磁化領域対６０Ｂに対して、線状磁化領域対６０Ａと同様にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ｂに対してサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ｂから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。
本実施形態では、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８が読み取られた結果であるサーボパターン信号が自己相関係数を用いて検出される（図１７参照）。これにより、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン信号を検出する場合に比べ、サーボパターン信号を精度良く検出することができる（以下、この効果を「第９の効果」と称する）。
本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１２は、カートリッジメモリ２４を有する。カートリッジメモリ２４には、サーボフォーマット情報ＳＦが記憶されている。従って、本構成によれば、サーボフォーマット情報ＳＦを記憶するための別途の手段を磁気テープカートリッジ１２に設ける場合と比較して、磁気テープカートリッジ１２を簡素な構成とすることができる。
［第１変形例］
上記第１実施形態では、制御部３０Ａが、位置検出部３０Ｂによるサーボ読取素子ＳＲの位置検出結果に基づいて、サーボ制御、スキュー角度制御、及び／又は張力制御等の各種制御を行う形態例を挙げて説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されない。本第１変形例では、位置検出部３０Ｂによるサーボ読取素子ＳＲの位置検出に代えて、ＰＥＳ算出部３０Ｃが、サーボバンド信号ＳからＰＥＳの算出を行う。そして、制御部３０Ａは、ＰＥＳ算出部３０ＣによるＰＥＳの算出結果に基づいて各種制御を行う。
先ず、位置検出部３０Ｂは、上述したように、自己相関係数を用いてサーボバンド信号Ｓからサーボパターン信号ＳＰを検出する。そして、一例として図２０に示すように、位置検出部３０Ｂは、サーボパターン信号ＳＰをＰＥＳ算出部３０Ｃに出力する。ここで、サーボパターン信号ＳＰには、第１位置検出部３０Ｂ１（図１６参照）が検出した第１サーボパターン信号ＳＰ１と、第２位置検出部３０Ｂ２（図１６参照）が検出した第２サーボパターン信号ＳＰ２とが含まれる。
制御装置３０は、ＰＥＳ算出部３０Ｃを有する。ＰＥＳ算出部３０Ｃは、位置検出部３０Ｂから取得したサーボパターン信号ＳＰに基づいて、ＰＥＳを算出する。例えば、ＰＥＳ算出部３０Ｃは、第１位置検出部３０Ｂ１から入力された第１サーボパターン信号ＳＰ１に基づいて第１ＰＥＳを算出する。また、ＰＥＳ算出部３０Ｃは、第２位置検出部３０Ｂ２から入力された第２サーボパターン信号ＳＰ２に基づいて第２ＰＥＳを算出する。
第１ＰＥＳとは、サーボバンドＳＢ２上でサーボ読取素子ＳＲ１が本来位置する箇所から幅方向ＷＤに沿ってずれている量を示す信号であるＰＥＳを指す。第２ＰＥＳとは、サーボバンドＳＢ３上でサーボ読取素子ＳＲ２が本来位置する箇所から幅方向ＷＤに沿ってずれている量を示す信号であるＰＥＳを指す。説明の便宜上、第１ＰＥＳと第２ＰＥＳとを区別して説明する必要がない場合、「ＰＥＳ」と称する。
ＰＥＳは、下記の数式（１）を用いて算出される。
Figure 2023067268000002
数式（１）に示されるθＡｉは、線状磁化領域６０Ａ１の仮想直線Ｃ１に対する角度である。また、θＢｉは、上述したように、線状磁化領域６０Ａ２の仮想直線Ｃ１に対する角度である。ここで、θＡｉは、図１１に示したθａに相当し、θＢｉは、図１１に示したθｂに相当する。
数式（１）において、第２距離Ａｉとは、例えば、１つのサーボパターン５８Ａ内において線状磁化領域６０Ａ１のうちの最下流側の磁化直線６０Ａ１ａと、線状磁化領域６０Ａ２のうちの最下流側の磁化直線６０Ａ２ａとがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。第１距離Ｂｉとは、例えば、サーボパターン５８のうちの一方のサーボパターン５８Ａ内の最下流側の磁化直線６０Ａ１ａと、隣接するサーボパターン５８Ｂ内の最下流側の磁化直線６０Ｂ１ａとがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。
制御部３０Ａは、ＰＥＳ算出部３０Ｃが算出したＰＥＳに基づいてサーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置を検出する。制御部３０Ａは、第１ＰＥＳに基づいてサーボバンドＳＢ２に対するサーボ読取素子ＳＲ１の位置を検出する。また、制御部３０Ａは、第２ＰＥＳに基づいてサーボバンドＳＢ３に対するサーボ読取素子ＳＲ２の位置を検出する。さらに、制御部３０Ａは、サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置検出結果に基づいてサーボ制御、スキュー角度制御、及び／又は張力制御等の各種制御を行う（図１７参照）。
以上説明したように、本第１変形例によれば、制御部３０Ａは、ＰＥＳ算出部３０Ｃが算出したＰＥＳを用いてサーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置検出を行う。さらに、制御部３０Ａは、サーボ読取素子ＳＲの位置検出結果に基づいてサーボ制御、スキュー角度制御、及び／又は張力制御等の各種制御を行う。これにより、サーボバンドＳＢ上のサーボ読取素子ＳＲの位置が調整される。従って、本構成によれば、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５８に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。
また、本第１変形例によれば、ＰＥＳは、上記数式（１）に基づいて算出される。上記数式（１）は、サーボパターン５８の傾斜を考慮した式である。そのため、上記数式（１）を用いることにより、サーボパターン５８の傾斜を考慮したＰＥＳの算出が可能となる。これにより、サーボパターン５８が傾斜を考慮した数式を用いてＰＥＳを算出した結果に基づいて各種制御が行われる。従って、本構成によれば、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５８に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。
［第２変形例］
上記第１実施形態では、サーボフォーマット情報ＳＦには、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１が含まれる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本題２変形例では、サーボフォーマット情報ＳＦには、磁気テープＭＴの幅に関する情報（以下、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２とも称する）、及びサーボパターン５８の幾何特性に関する情報（以下、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３とも称する）が含まれる。磁気テープ幅変化情報ＳＦ２とは、例えば、磁気テープＭＴの全長方向における幅変化（すなわち、経時的な幅変化の度合い）を示す情報である。また、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３とは、例えば、サーボパターン５８の長さ、形状、向き、及び位置を示す情報である。磁気テープ幅変化情報ＳＦ２は、本開示の技術に係る「磁気テープの幅に関する情報」の一例であり、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３は、本開示の技術に係る「磁気テープの幾何特性に関する情報」の一例である。
一例として図２１に示すように、カートリッジメモリ２４には、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３が記憶されている。制御装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介してカートリッジメモリ２４から磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３を取得する。制御装置３０は、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２に基づいて傾斜機構４９を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。例えば、傾斜機構４９は、磁気テープＭＴの全長方向において磁気テープＭＴの幅が狭くなっている領域では、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１により示されたサーボパターン５８の傾斜角度αよりも磁気ヘッドスキュー角度を大きくする。一方、傾斜機構４９は、磁気テープＭＴの幅が広くなっている領域では、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１により示されたサーボパターン５８の傾斜角度αよりも磁気ヘッドスキュー角度を小さくする。
また、制御装置３０は、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３に基づいて傾斜機構４９を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。例えば、傾斜機構４９は、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３により示されたサーボパターン５８の磁気テープＭＴの全長方向における部分的な位置ずれ（例えば、幅方向ＷＤの位置ずれ）又は向きの変化に応じて磁気ヘッドスキュー角度を調整する。
以上説明したように、本第２変形例によれば、サーボフォーマット情報ＳＦには、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３が含まれる。そして、制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３を取得する。制御装置３０は、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３に基づいて傾斜機構４９の動作を制御する。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。従って、本構成によれば、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３が考慮されない場合と比較して、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
なお、本第２変形例として、サーボフォーマット情報ＳＦに磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３が含まれる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。サーボフォーマット情報ＳＦには、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２、及びサーボパターン幾何特性情報ＳＦ３のうちの何れかが含まれる形態であってもよい。
また、本第２変形例として、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３に、サーボパターン５８の長さ、形状、向き、及び位置を示す情報が含まれる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３として、サーボパターン５８の長さ、形状、向き、及び位置を示す情報のうちの何れか１つ又は２つ以上が、サーボパターン幾何特性情報ＳＦ３として用いられてもよい。
［第３変形例］
上記第１実施形態では、サーボフォーマット情報ＳＦにサーボパターン５８の傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１が含まれる形態について説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第３変形例では、一例として図２２に示すように、サーボフォーマット情報ＳＦは、磁気テープの幅を調整するための情報ＳＦ４（以下、「幅調整情報ＳＦ４」とも称する）を含む。幅調整情報ＳＦ４とは、磁気テープＭＴの幅Ｗ（すなわち、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに沿った距離、以下単に「テープ幅Ｗ」とも称する）を調整するための情報（すなわち、テープ幅Ｗの調整に用いられる情報）を指す。なお、幅調整情報ＳＦ４は、本開示の技術に係る「幅調整情報」の一例である。
上述したように、磁気テープＭＴは、カートリッジリール（図示省略）等に巻き掛けられる圧力、温度、湿度、及び経時劣化等によって幅方向ＷＤに伸縮する。これにより、サーボパターン５８の傾斜角度αも変化する場合がある。そのため、サーボフォーマット情報ＳＦに含まれるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度が調整されても、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くならない場合（すなわち、磁気ヘッドスキュー角度が許容範囲外の場合）がある。これにより、サーボパターン信号の信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本第３変形例に係るサーボフォーマット情報ＳＦには、幅調整情報ＳＦ４が含まれる。幅調整情報ＳＦ４は、カートリッジメモリ２４に記憶されている。幅調整情報ＳＦ４は、例えば、図２３に示すように、張力情報ＳＦ４ａを含む。張力情報ＳＦ４ａとは、磁気テープＭＴの全長方向における張力に関する情報を指す。張力情報ＳＦ４ａの一例としては、サーボパターン５８が磁気テープＭＴに記録される段階の磁気テープＭＴに生じていた張力を示す情報が挙げられるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。張力情報ＳＦ４ａは、例えば、磁気テープＭＴが過去（例えば、磁気テープＭＴの使用履歴の中から指定された時期）に使用された場合に磁気テープＭＴに生じていた張力を示す情報であってもよい。張力情報ＳＦ４ａは、本開示の技術に係る「磁気テープの全長方向における張力に関する情報」の一例である。
一例として図２２に示すように、制御装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介してカートリッジメモリ２４から幅調整情報ＳＦ４を取得する。制御装置３０は、幅調整情報ＳＦ４に基づいて、張力制御を行う。張力制御は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び／又は回転トルク等が調整されることによって実現される。例えば、制御装置３０は、磁気テープＭＴが幅方向ＷＤに伸びた場合に、磁気テープＭＴに対して付与する張力を強める。また、制御装置３０は、磁気テープＭＴが幅方向ＷＤに縮んだ場合に、磁気テープＭＴに対して付与する張力を弱めるようにしている。これにより、磁気テープＭＴの幅Ｗが調整される。
以上説明したように、本第３変形例によれば、サーボフォーマット情報ＳＦには、テープ幅Ｗを調整するための情報である幅調整情報ＳＦ４が含まれる。幅調整情報ＳＦ４は、カートリッジメモリ２４に記憶されている。制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から幅調整情報ＳＦ４を取得する。そして、制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から取得した幅調整情報ＳＦ４に基づいて張力制御を行う。これにより、磁気テープＭＴの幅Ｗが調整されるので、磁気テープＭＴの幅Ｗが伸縮した場合であっても、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
なお、本第３変形例では、張力情報ＳＦ４ａとして、サーボパターン５８が磁気テープＭＴに記録される段階又は過去に使用された段階の磁気テープＭＴに生じていた張力に関する情報が用いられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、張力情報ＳＦ４ａは、磁気テープＭＴの張力に影響する種々の因子に基づいて定められる。
一例として図２４に示すように、カートリッジメモリ２４には、張力影響因子情報ＴＦが記憶されている。張力影響因子情報ＴＦとは、磁気テープＭＴに生じる張力に影響を及ぼす因子を示す情報を指す。張力影響因子情報ＴＦは、磁気テープ幅情報ＴＦ１、磁気テープ特性情報ＴＦ２、使用履歴情報ＴＦ３、温度情報ＴＦ４、及び湿度情報ＴＦ５を含む。磁気テープ幅情報ＴＦ１とは、磁気テープＭＴの幅Ｗを示す情報を指す。磁気テープ特性情報ＴＦ２は、磁気テープＭＴそのものが有する特性（例えば、膨張係数、及び／又は材質）を示す情報を指す。使用履歴情報ＴＦ３は、磁気テープＭＴの使用履歴（例えば、使用時期、及び／又は使用回数）を示す情報を指す。温度情報ＴＦ４は、磁気テープＭＴに対して与えられる温度（例えば、磁気テープカートリッジ１２が保管される場合のケース１６内の平均温度）を示す情報を指す。湿度情報ＴＦ５は、磁気テープＭＴに対して与えられる湿度（例えば、磁気テープカートリッジ１２が保管される場合のケース１６内の平均湿度）を示す情報を指す。
制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から非接触式読み書き装置４６を介して張力影響因子情報ＴＦを取得する。制御装置３０は、張力影響因子情報ＴＦに基づいて磁気テープＭＴの全長方向における張力情報ＳＦ４ａを定める。例えば、制御装置３０は、張力演算式又は張力テーブルを用いて張力を算出するようにしてもよい。張力演算式とは、例えば、磁気テープ幅情報ＴＦ１、磁気テープ特性情報ＴＦ２、使用履歴情報ＴＦ３、温度情報ＴＦ４、及び湿度情報ＴＦ５を従属変数とし、磁気テープＭＴの全長方向における張力を示す情報を独立変数とした演算式を指す。また、張力テーブルとは、磁気テープ幅情報ＴＦ１、磁気テープ特性情報ＴＦ２、使用履歴情報ＴＦ３、温度情報ＴＦ４、及び湿度情報ＴＦ５を入力値とし、磁気テープＭＴの全長方向における張力を示す情報を出力値とするテーブルを指す。制御装置３０は、張力情報ＳＦ４ａに基づいて張力制御を行う。
以上説明したように、本第３変形例では、制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から取得した張力影響因子情報ＴＦに基づいて張力情報ＳＦ４ａを定める。そして、制御装置３０は、張力情報ＳＦ４ａに基づいて張力制御を行う。これにより、磁気テープＭＴの幅Ｗが調整されるので、磁気テープＭＴの幅Ｗが伸縮した場合であっても、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とを近くすることができる。
なお、張力影響因子情報ＴＦとして、磁気テープ幅情報ＴＦ１、磁気テープ特性情報ＴＦ２、使用履歴情報ＴＦ３、温度情報ＴＦ４、及び湿度情報ＴＦ５が用いられる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、磁気テープ幅情報ＴＦ１、磁気テープ特性情報ＴＦ２、使用履歴情報ＴＦ３、温度情報ＴＦ４、及び湿度情報ＴＦ５のうちの何れか１つ又は２つ以上が組み合わされて、張力影響因子情報ＴＦとして用いられてもよい。
［第４変形例］
上記第１実施形態では、サーボフォーマット情報ＳＦにサーボパターン５８の傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１が含まれる形態について説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第４変形例では、一例として図２５に示すように、サーボフォーマット情報ＳＦは、スキュー角度情報ＳＦ５を含んでいる。スキュー角度情報ＳＦ５とは、磁気ヘッド２８のスキュー角度に関する情報を指す。スキュー角度情報ＳＦ５は、本開示の技術に係る「スキュー角度に関する情報」の一例である。
ところで、同じ製造条件の磁気テープＭＴであっても、サーボパターン記録ヘッドＷＨの個体差に起因して、サーボパターン５８の傾斜角度αに違いが生じる場合がある。また、上述したように、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮によってもサーボパターン５８の傾斜角度αが変化する場合がある。そのため、サーボフォーマット情報ＳＦに含まれるサーボパターン傾斜情報ＳＦ１に基づいて磁気ヘッドスキュー角度が調整されても、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くならない場合がある。これにより、サーボパターン信号の信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本第４変形例に係るサーボフォーマット情報ＳＦには、スキュー角度情報ＳＦ５が含まれる。スキュー角度情報ＳＦ５は、カートリッジメモリ２４に記憶されている。スキュー角度情報ＳＦ５は、サーボパターン傾斜情報ＳＦ１に基づいて定まるサーボパターン５８の傾斜角度αと、種々の影響により変化したサーボパターン５８の傾斜角度αとの角度差（以下、単に「スキュー角度差」とも称する）を示す情報である。スキュー角度情報ＳＦ５としては、例えば、サーボパターン記録ヘッドＷＨの固体番号に応じたスキュー角度差を示す情報が挙げられるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、スキュー角度情報ＳＦ５は、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮の度合いに応じたスキュー角度差を示す情報であってもよい。
制御装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介してカートリッジメモリ２４からスキュー角度情報ＳＦ５を取得する。制御装置３０は、スキュー角度情報ＳＦ５に基づいてスキュー角度制御を行う。例えば、傾斜機構４９は、スキュー角度情報ＳＦ５に基づいて得られた角度差だけ、磁気ヘッドスキュー角度を変化させる。すなわち、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１と仮想直線Ｃ３との成す角を角度γ（図１５参照）から調整後の角度γ１に調整する。これにより、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
以上説明したように、本第４変形例によれば、サーボフォーマット情報ＳＦには、スキュー角度情報ＳＦ５が含まれる。制御装置３０は、カートリッジメモリ２４からスキュー角度情報ＳＦ５を取得する。そして、制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から取得したスキュー角度情報ＳＦ５に基づいて磁気ヘッド２８のスキュー角度の制御を行う。これにより、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
なお、本第４変形例では、スキュー角度情報ＳＦ５として、サーボパターン記録ヘッドＷＨの固体番号に応じたスキュー角度差を示す情報が用いられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、スキュー角度情報ＳＦ５は、サーボパターン５８の傾斜角度αに影響する種々の因子に基づいて定められる。図２６に示す例では、カートリッジメモリ２４に、サーボパターン５８の傾斜角度αに影響を及ぼす因子の情報（以下、単に「角度影響因子情報ＤＦ」とも称する）が記憶されている。
角度影響因子情報ＤＦは、磁気テープ幅情報ＤＦ１、磁気テープ特性情報ＤＦ２、使用履歴情報ＤＦ３、温度情報ＤＦ４、及び湿度情報ＤＦ５を含む。磁気テープ幅情報ＤＦ１とは、磁気テープＭＴの幅Ｗ（図２２参照）を示す情報を指す。磁気テープ特性情報ＤＦ２は、磁気テープＭＴそのものが有する特性（例えば、膨張係数、及び／又は材質）を示す情報を指す。使用履歴情報ＤＦ３は、磁気テープＭＴの使用履歴（例えば、使用時期、及び／又は使用回数）を示す情報を指す。温度情報ＤＦ４は、磁気テープＭＴに対して与えられる温度（例えば、磁気テープカートリッジ１２が保管される場合のケース１６内の平均温度）を示す情報を指す。湿度情報ＤＦ５は、磁気テープＭＴに対して与えられる湿度（例えば、磁気テープカートリッジ１２が保管される場合のケース１６内の平均湿度）を示す情報を指す。
制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から非接触式読み書き装置４６を介して角度影響因子情報ＤＦを取得する。制御装置３０は、角度影響因子情報ＤＦに応じて、スキュー角度情報ＳＦ５を定める。例えば、制御装置３０は、角度差演算式又は角度差テーブルを用いて角度差を導出するようにしてもよい。角度差演算式とは、例えば、磁気テープ幅情報ＤＦ１、磁気テープ特性情報ＤＦ２、使用履歴情報ＤＦ３、温度情報ＤＦ４、及び湿度情報ＤＦ５を従属変数とし、スキュー角度情報ＳＦ５を独立変数とした演算式を指す。また、張力テーブルとは、磁気テープ幅情報ＤＦ１、磁気テープ特性情報ＤＦ２、使用履歴情報ＤＦ３、温度情報ＤＦ４、及び湿度情報ＤＦ５を入力値とし、スキュー角度情報ＳＦ５を出力値とするテーブルを指す。制御装置３０は、角度影響因子情報ＤＦに応じてスキュー角度情報ＳＦ５を定める。制御装置３０は、スキュー角度情報ＳＦ５に基づいて磁気ヘッド２８のスキュー角度の制御を行う。
以上説明したように、本第４変形例では、制御装置３０は、カートリッジメモリ２４から取得した角度影響因子情報ＤＦに応じてスキュー角度情報ＳＦ５を定める。そして、制御装置３０は、スキュー角度情報ＳＦ５に基づいてスキュー角度制御を行う。これにより、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
なお、角度影響因子情報ＤＦとして、磁気テープ幅情報ＤＦ１、磁気テープ特性情報ＤＦ２、使用履歴情報ＤＦ３、温度情報ＤＦ４、及び湿度情報ＤＦ５が用いられる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、磁気テープ幅情報ＤＦ１、磁気テープ特性情報ＤＦ２、使用履歴情報ＤＦ３、温度情報ＤＦ４、及び湿度情報ＤＦ５のうちの何れか１つ又は２つ以上が組み合わされて、角度影響因子情報ＤＦとして用いられてもよい。
［第５変形例］
上記実施形態では、サーボフォーマット情報ＳＦにサーボパターン傾斜情報ＳＦ１が含まれる形態を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第５変形例では、サーボフォーマット情報ＳＦは、サーボパターン５８がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号６７を含んでいる。
上述したように、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度との間に大きなずれ（例えば、サーボパターン５８の傾斜角度αが５度であり、磁気ヘッドスキュー角度が１０度）があると、アジマス損失によるサーボパターン信号のばらつきが生じる場合がある（図１３参照）。このようなサーボパターン信号のばらつきは、サーボ制御の精度を低下させる一因になり得る。
ここで、上述したように、アジマス損失に起因するサーボパターン信号のばらつき（例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等）は、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度の違いに起因する。換言すれば、サーボパターン信号のばらつきは、サーボパターン５８の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度の違いを反映している。
そこで、本第５変形例では、サーボフォーマット情報ＳＦは、サーボパターン５８の傾斜角度αに応じたサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号６７を含む。また、制御部３０Ａは、サーボパターン５８の傾斜角度αを算出する。
一例として図２７に示すように、制御装置３０は、角度検出部３０Ｄを有する。角度検出部３０Ｄは、サーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢが読み取られた結果であるサーボバンド信号Ｓを取得し、取得したサーボバンド信号Ｓに基づいて、磁気テープＭＴ上でのサーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの角度を検出する。角度検出部３０Ｄは、第１角度検出部３０Ｄ１及び第２角度検出部３０Ｄ２を有する。
第１角度検出部３０Ｄ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２角度検出部３０Ｄ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。図２７に示す例では、第１角度検出部３０Ｄ１が、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢ２内のサーボパターン５８が読み取られることによって得られた第１サーボバンド信号Ｓ１を取得する。第２角度検出部３０Ｄ２が、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢ３内のサーボパターン５８が読み取られることによって得られた第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。第１角度検出部３０Ｄ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１に基づいて、サーボバンドＳＢ２に対するサーボ読取素子ＳＲ１の角度を検出し、第２角度検出部３０Ｄ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２に基づいて、サーボバンドＳＢ３に対するサーボ読取素子ＳＲ２の角度を検出する。
一例として図２８に示すように、角度検出部３０Ｄは、磁気テープＭＴからサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８が読み取られた結果であるサーボパターン信号から、理想波形信号及び自己相関係数を用いてサーボパターン５８の傾斜角度αを算出する。
次に、第１角度検出部３０Ｄ１の具体的な構成例について説明する。なお、第２角度検出部３０Ｄ２の構成は、第１角度検出部３０Ｄ１の構成と同一であるので、第２角度検出部３０Ｄ２の具体的な構成例についての説明を省略する。また、以下では、説明の便宜上、線状磁化領域６０Ａ１又は６０Ｂ１（図９及び図１０参照）に由来するサーボパターン信号を「第１線状磁化領域信号」とも称し、線状磁化領域６０Ａ２又は６０Ｂ２（図９及び図１０参照）に由来するサーボパターン信号を「第２線状磁化領域信号」とも称する。
一例として図２８に示すように、第１角度検出部３０Ｄ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを有する。第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂは、並列に接続されており、互いに共通の入力端子３０Ｅ１ａ及び出力端子３０Ｅ１ｂを備えている。図２８に示す例では、入力端子３０Ｅ１ａに第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される態様例が示されている。第１サーボバンド信号Ｓ１には、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが含まれている。第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂは、サーボ読取素子ＳＲ１（図２７参照）によって読み取られた結果であるサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）である。すなわち、サーボパターン信号は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを有する。
カートリッジメモリ２４には、サーボパターン５８の傾斜角度αに応じた理想波形信号６７が記憶されている。すなわち、カートリッジメモリ２４に記憶されたサーボフォーマット情報ＳＦには、理想波形信号６７が含まれる。理想波形信号６７は、サーボパターン５８の傾斜角度αに応じたサーボバンド信号Ｓに含まれる単発の理想波形を示す信号（例えば、仮想直線Ｃ１に対して既定の角度に傾斜したサーボパターン５８に含まれる理想的な磁化直線の１本が、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。理想波形信号６７は、サーボバンド信号Ｓと比較されるサーボパターン５８の傾斜角度αに応じた見本信号とも言える。なお、理想波形信号６７は、本開示の技術に係る「理想波形信号」の一例である。
第１理想波形信号６７Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形である。磁気ヘッド２８のホルダ４４（図８参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。従って、第１理想波形信号６７Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。換言すれば、第１理想波形信号６７Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５８の傾斜角度αに対応した波形である。例えば、第１理想波形信号６７Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５８の線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａに応じて定められた波形である。
上述したように、磁気ヘッド２８のホルダ４４（図８参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されているので、第１理想波形信号６７Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５８の線状磁化領域対６０Ａの幾何特性（例えば、磁化直線６０Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域６０Ａ１と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域６０Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。
第１理想波形信号６７Ａにより示される理想波形と同様に、第２理想波形信号６７Ｂにより示される理想波形も、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形、すなわち、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。換言すれば、第２理想波形信号６７Ｂにより示される理想波形は、サーボパターン５８の傾斜角度αに対応した波形である。例えば、第２理想波形信号６７Ｂにより示される理想波形は、サーボパターン５８の線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂに応じて定められた波形である。
例えば、第２理想波形信号６７Ｂにより示される理想波形は、サーボパターン５８Ａの線状磁化領域６０Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線６０Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形、すなわち、サーボパターン５８Ａの線状磁化領域６０Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線６０Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域６０Ａ２と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域６０Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。
第１角度検出部３０Ｄ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６７とを比較することで、サーボバンドＳＢ３における線状磁化領域６０Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとが成す角度を算出する。図２８に示す例において、第１角度検出部３０Ｄ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを用いることでサーボパターン５８の傾斜角度αを検出する。
第１検出回路３９Ａには、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第１検出回路３９Ａは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、サーボバンドＳＢ３のサーボパターン５８における線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａを検出する。
第１検出回路３９Ａによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６７Ａとの相関の度合いを示す係数である。第１検出回路３９Ａは、カートリッジメモリ２４から第１理想波形信号６７Ａを取得し、取得した第１理想波形信号６７Ａと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第１検出回路３９Ａは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第１検出回路３９Ａは、サーボバンドＳＢ２上において、第１サーボバンド信号Ｓ１との相関が最も高い理想波形信号を、自己相関係数に従って検出する。第１検出回路３９Ａは、検出した理想波形信号に対応する線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａを出力する。
一方、第２検出回路３９Ｂにも、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第２検出回路３９Ｂは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、サーボバンドＳＢ２のサーボパターン５８における線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂを検出する。
第２検出回路３９Ｂによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６７Ｂとの相関の度合いを示す係数である。第２検出回路３９Ｂは、ストレージ３２から第２理想波形信号６７Ｂを取得し、取得した第２理想波形信号６７Ｂと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第２検出回路３９Ｂは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第２検出回路３９Ｂは、サーボバンドＳＢ２上において、第１サーボバンド信号Ｓ１との相関が最も高い理想波形信号を、自己相関係数に従って検出する。第２検出回路３９Ｂは、検出した理想波形信号に対応する線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂを出力する。
一例として図２９に示すように、第１角度検出部３０Ｄ１は、第１検出回路３９Ａによる検出結果及び第２検出回路３９Ｂによる検出結果に基づいて線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａ及び線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂを検出する。
出力端子３０Ｂ１ｂからサーボパターン５８の傾斜角度αが制御部３０Ａに出力される。また、制御装置３０は、ＰＥＳ算出部３０Ｃを有する。ＰＥＳ算出部３０Ｃは、角度検出部３０Ｄから取得した線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａ及び線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂ、並びに上記数式（１）を用いてＰＥＳを算出する。すなわち、上記数式（１）におけるθＡｉとして線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａを用い、θＢｉとして線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂを用いる。
一例として図２９に示すように、制御部３０Ａは、ＰＥＳ算出部３０ＣによるＰＥＳの算出結果に基づいて傾斜機構４９（図１４参照）を動作させることで磁気ヘッド２８のスキュー角度を調整する。また、制御部３０Ａは、磁気素子ユニット４２（図１７参照）に対して磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに対して磁気的処理を行わせる。すなわち、制御部３０Ａは、磁気素子ユニット４２から読取信号（すなわち、磁気素子ユニット４２によって磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから読み取られたデータ）を取得したり、磁気素子ユニット４２に記録信号を供給することで記録信号に応じたデータを磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに記録したりする。
また、ＴＤＳの影響を低減するために、制御部３０Ａは、角度検出部３０Ｄでの角度検出結果に従って、張力制御を行ったり、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８（図１４参照）をスキューさせたりする。張力制御は、送出モータ３６（図３参照）及び巻取モータ４０（図３参照）の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることによって実現される。磁気ヘッド２８のスキューは、傾斜機構４９（図１４参照）を作動させることによって実現される。
以上説明したように、本第５変形例では、理想波形信号６７により示される理想波形として、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向き、すなわち、磁気テープＭＴ上での傾斜機構４９の向きに応じて定められた波形が用いられる。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向き、すなわち、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは無関係に理想波形を定めた場合に比べ、サーボバンド信号Ｓからサーボパターン信号を精度良く検出することができる。
本第５変形例では、理想波形信号６７により示される理想波形として、サーボパターン５８の幾何特性と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向き、すなわち、サーボパターン５８の幾何特性と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとに応じて定められた波形が用いられる。従って、本構成によれば、サーボパターン５８の幾何特性と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向き、すなわち、サーボパターン５８の幾何特性と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは無関係に理想波形を定めた場合に比べ、サーボバンド信号Ｓからサーボパターン信号を精度良く検出することができる。
また、本第５変形例では、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられた線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる。この場合、上述したように、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ（図２８参照）と、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂ（図２８参照）との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。本第５変形例では、カートリッジメモリ２４に理想波形信号６７が格納されており、サーボパターン信号と理想波形信号６７とが比較されることによってサーボパターン５８の傾斜角度αが検出される。従って、本構成によれば、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられた線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られたとしても、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン５８の傾斜角度αを検出する場合に比べ、サーボパターン５８の傾斜角度αを精度良く検出することができる。
また、本第５変形例では、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂが並列に接続されており、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂには、共通のサーボバンド信号Ｓが取り込まれる。そして、第１検出回路３９Ａによって、サーボバンド信号Ｓと第１理想波形信号６７Ａとが比較されることで線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａが検出され、第２検出回路３９Ｂによって、サーボバンド信号Ｓと第２理想波形信号６７Ｂとが比較されることで線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂが検出される。例えば、第１位置検出部３０Ｂ１では、第１検出回路３９Ａによって検出された線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａ、及び第２検出回路３９Ｂによって検出された線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂが検出される。また、第２位置検出部３０Ｂ２では、第１検出回路３９Ａによって検出された線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａ、及び第２検出回路３９Ｂによって検出された線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂが検出される。従って、本構成によれば、１つのサーボバンド信号Ｓに対して異なる理想波形信号を順に比較することで線状磁化領域６０Ａ１の傾斜角度θａ及び線状磁化領域６０Ａ２の傾斜角度θｂを順に検出する場合に比べ、サーボパターン５８の傾斜角度αを迅速に検出することができる。
［第６変形例］
上記実施形態では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のＶ字状のサーボパターン５８が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３０に示すように、サーボパターン７２は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７２が記録されている。複数のサーボパターン７２は、複数のサーボパターン５８と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３０に示す例では、一組のサーボパターン７２の一例として、サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂが示されている。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン７２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７２Ｂが位置している。
一例として図３１に示すように、サーボパターン７２は、線状磁化領域対７４からなる。線状磁化領域対７４は、線状磁化領域対７４Ａと線状磁化領域対７４Ｂとに類別される。サーボパターン７２Ａは、一組の線状磁化領域対７４Ａからなる。一組の線状磁化領域対７４Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３１に示す例では、線状磁化領域対７４Ａの一例として、線状磁化領域７４Ａ１及び７４Ａ２が示されている。線状磁化領域対７４Ａは、上記実施形態で説明した線状磁化領域対６０Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ａ１は、上記実施形態で説明した線状磁化領域６０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ａ２は、上記実施形態で説明した線状磁化領域６０Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ２と同様の幾何特性を有する。
図３１に示す例において、線状磁化領域対７４Ａは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域７４Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域７４Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン７２Ｂは、一組の線状磁化領域対７４Ｂからなる。一組の線状磁化領域対７４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３１に示す例では、線状磁化領域対７４Ｂの一例として、線状磁化領域７４Ｂ１及び７４Ｂ２が示されている。線状磁化領域対７４Ｂは、上記実施形態で説明した線状磁化領域対６０Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ｂ１は、上記実施形態で説明した線状磁化領域６０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ｂ２は、上記実施形態で説明した線状磁化領域６０Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ２と同様の幾何特性を有する。
図３１に示す例において、線状磁化領域対７４Ｂは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域７４Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域７４Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
［第７変形例］
図３２に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のＭ字状のサーボパターン５８が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３３に示すように、サーボパターン７２は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７８が記録されている。複数のサーボパターン７８は、複数のサーボパターン７２（図３０参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３２に示す例では、一組のサーボパターン７８の一例として、サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂが示されている。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン７８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７８Ｂが位置している。
一例として図３３に示すように、サーボパターン７８は、線状磁化領域群８０からなる。線状磁化領域群８０は、線状磁化領域群８０Ａと線状磁化領域群８０Ｂとに類別される。
サーボパターン７８Ａは、線状磁化領域群８０Ａからなる。線状磁化領域群８０Ａは、線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３からなる。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３の順に配置されている。
線状磁化領域８０Ａ１及び８０Ａ２は、図３１に示す線状磁化領域対７４Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ａ１は、図３１に示す線状磁化領域７４Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ａ２は、図３１に示す線状磁化領域７４Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ａ３は、線状磁化領域８０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ａ１と同様の幾何特性を有する。
図３３に示す例において、線状磁化領域８０Ａ１及び８０Ａ２は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域８０Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域８０Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域８０Ａ２及び８０Ａ３も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域８０Ａ３は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域８０Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン７８Ｂは、線状磁化領域群８０Ｂからなる。線状磁化領域群８０Ｂは、線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３からなる。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３の順に配置されている。
線状磁化領域８０Ｂ１及び８０Ｂ２は、図３１に示す線状磁化領域対７４Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ｂ１は、図３１に示す線状磁化領域７４Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ｂ２は、図３１に示す線状磁化領域７４Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ｂ３は、線状磁化領域８０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ｂ１と同様の幾何特性を有する。
図３３に示す例において、線状磁化領域８０Ｂ１及び８０Ｂ２は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域８０Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域８０Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域８０Ｂ２及び８０Ｂ３も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域８０Ｂ３は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域８０Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
［第８変形例］
上記実施形態では、サーボパターン５８において、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置とが揃っている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３４に示すように、サーボパターン８４において、線状磁化領域８６Ａ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ａ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれていてもよい。
図３４に示す例では、サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン８４が記録されている。複数のサーボパターン８４は、磁気テープＭＴ０（図６参照）に記録されている複数のサーボパターン５２（図６参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３４に示す例では、一組のサーボパターン８４の一例として、サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂが示されている。サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン８４Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン８４Ｂが位置している。
サーボパターン８４は、線状磁化領域対８６からなる。線状磁化領域対８６は、線状磁化領域対８６Ａと線状磁化領域対８６Ｂとに類別される。本第８変形例において、線状磁化領域対８６は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例である。
サーボパターン８４Ａは、線状磁化領域対８６Ａからなる。図３４に示す例では、線状磁化領域対８６Ａの一例として、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２が示されている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
本第８変形例において、線状磁化領域８６Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域８６Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ａ１は、線状磁化領域８６Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域８６Ａ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ａ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ａ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ａ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。
サーボパターン８４Ａにおいて、線状磁化領域８６Ａ１には、複数の磁化直線８６Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ａ２には、複数の磁化直線８６Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ａ１に含まれる磁化直線８６Ａ１ａの本数と線状磁化領域８６Ａ２に含まれる磁化直線８６Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域８６Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合である。
サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。
サーボパターン８４Ｂは、線状磁化領域対８６Ｂからなる。図３４に示す例では、線状磁化領域対８６Ｂの一例として、線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２が示されている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
本第８変形例において、線状磁化領域８６Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域８６Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ｂ１は、線状磁化領域８６Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域８６Ｂ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ｂ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ｂ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。
サーボパターン８４Ｂにおいて、線状磁化領域８６Ｂ１には、複数の磁化直線８６Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ｂ２には、複数の磁化直線８６Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる磁化直線８６Ｂ１ａの本数と線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる磁化直線８６Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数と異なる。図３４に示す例では、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域８６Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合である。
サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。
なお、ここでは、線状磁化領域８６Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域８６Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ１ａであり、線状磁化領域８６Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ２ａであり、線状磁化領域８６Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ１ａであり、線状磁化領域８６Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ２ａであればよい。
ここで、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図３５を参照しながら説明する。
一例として図３５に示すように、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させる。そして、この状態での仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。また、同様に、仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。これにより、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、幅方向ＷＤにずれる。
すなわち、仮想線状領域６２Ａの一端と仮想線状領域６２Ｂの一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれており、仮想線状領域６２Ａの他端と仮想線状領域６２Ｂの他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれている。
このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン８４Ａの幾何特性に相当する。すなわち、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。
仮想線状領域６２Ａは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ１に対応しており、仮想線状領域６２Ｂは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ２に対応している。従って、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ａ１の一端と線状磁化領域８６Ａ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ａ１の他端と線状磁化領域８６Ａ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ａからなるサーボパターン８４Ａが記録される（図３５参照）。
なお、線状磁化領域対８６Ｂは、線状磁化領域対８６Ａに比べ、５本の磁化直線８６Ａ１ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線８６Ａ２ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ２ａを有する点のみが異なる（図３５参照）。よって、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ｂ１の一端と線状磁化領域８６Ｂ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ｂ１の他端と線状磁化領域８６Ｂ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ｂからなるサーボパターン８４Ｂが記録される（図３５参照）。
上記実施形態と同様に、本第８変形例においても、一例として図３５に示すように、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度γ（すなわち、図３６の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。すなわち、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度γ傾く。角度γは、サーボパターン８６の傾斜角度と近くなる。この状態で、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２が幅方向ＷＤで重複する範囲Ｒ内で長手方向ＬＤに沿って、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ａが読み取られた場合、図１２及び図１３に示す例に比べ、線状磁化領域８６Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ｂ（すなわち、線状磁化領域対８６Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域８６Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
次に、本第８変形例に係る磁気テープシステム１０の作用について、上記実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
本第８変形例に係る磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴに対して磁気素子ユニット４２（図３及び図１７参照）による磁気的処理が行われる場合、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴが引き出され、磁気ヘッド２８のサーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン８４が読み取られる。
図３４及び図３５に示すように、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢに記録されているサーボパターン８４Ａに含まれる線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。一方、図３６に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８も、順方向の上流側に角度γ（すなわち、図３６の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ）傾けられている。この状態で、サーボパターン８４Ａが範囲Ｒ（図３６参照）内で長手方向ＬＤに沿ってサーボ読取素子ＳＲによって読み取られると、線状磁化領域８６Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域８６Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度とが近くなるため、アジマス損失に起因するサーボパターン信号のばらつきは、従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号との間で生じるばらつきよりも少なくなる。
この結果、従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン５２Ａに含まれる線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきに比べ、線状磁化領域８６Ａ１に由来するサーボ信号と線状磁化領域８６Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきが小さくなり、従来既知のサーボパターン５２Ａから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。すなわち、上記実施形態で説明した第１の効果と同様の効果が得られる。なお、図３６に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が、順方向の上流側に角度γ（すなわち、図３６の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ）傾けられた状態で、サーボパターン８４Ｂがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる場合も、上記実施形態で説明した第２の効果と同様の効果が得られる。
また、本第８変形例に係る磁気テープＭＴでは、線状磁化領域８６Ａ１は、５本の磁化直線８６Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ａ２は、５本の磁化直線８６Ａ２ａの集合である。また、線状磁化領域８６Ｂ１は、４本の磁化直線８６Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ｂ２は、４本の磁化直線８６Ｂ２ａの集合である。従って、各線状磁化領域が１本の磁化直線からなる場合に比べ、サーボパターン８４から得られる情報量を多くすることができ、この結果、高精度なサーボ制御を実現することができる。すなわち、上記実施形態で説明した第６の効果と同様の効果が得られる。
また、本第８変形例に係る磁気テープＭＴでは、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性が、仮想線状領域対６２の対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２の幾何特性に相当する。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ａに対してサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域８６Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ａから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。すなわち、上記実施形態で説明した第７の効果と同様の効果が得られる。
なお、線状磁化領域対８６Ｂは、線状磁化領域対８６Ａに比べ、線状磁化領域８６Ａ１に代えて線状磁化領域８６Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域８６Ａ２に代えて線状磁化領域８６Ｂ２を有する点のみが異なる。このように構成された線状磁化領域対８６Ｂに対しても、線状磁化領域対８６Ａと同様に、範囲Ｒ（図３６参照）内で長手方向ＬＤに沿ってサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ｂに対してサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域８６Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン５２Ｂから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。すなわち、上記実施形態で説明した第８の効果と同様の効果が得られる。
［第９変形例］
上記第８変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のＶ字状のサーボパターン８４が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３７に示すように、サーボパターン９０は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９０が記録されている。複数のサーボパターン７２は、複数のサーボパターン８４と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３７に示す例では、一組のサーボパターン９０の一例として、サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂが示されている。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン９０Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９０Ｂが位置している。
一例として図３８に示すように、サーボパターン９０は、線状磁化領域対９２からなる。線状磁化領域対９２は、線状磁化領域対９２Ａと線状磁化領域対９２Ｂとに類別される。サーボパターン９０Ａは、一組の線状磁化領域対９２Ａからなる。一組の線状磁化領域対９２Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３８に示す例では、線状磁化領域対９２Ａの一例として、線状磁化領域９２Ａ１及び９２Ａ２が示されている。線状磁化領域対９２Ａは、上記第８変形例で説明した線状磁化領域対８６Ａ（図３４参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ａ１は、上記第８変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ１（図３４参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ａ２は、上記第８変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ２（図３４参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ２と同様の幾何特性を有する。
図３８に示す例において、線状磁化領域対９２Ａは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域９２Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域９２Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン９０Ｂは、一組の線状磁化領域対９２Ｂからなる。一組の線状磁化領域対９２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３８に示す例では、線状磁化領域対９２Ｂの一例として、線状磁化領域９２Ｂ１及び９２Ｂ２が示されている。線状磁化領域対９２Ｂは、上記第８変形例で説明した線状磁化領域対８６Ｂ（図３４参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ｂ１は、上記第８変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ１（図３４参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ｂ２は、上記第８変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ２（図３４参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ２と同様の幾何特性を有する。
図３８に示す例において、線状磁化領域対９２Ｂは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域９２Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域９２Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
［第１０変形例］
図３７に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のＭ字状のサーボパターン９０が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３９に示すように、サーボパターン９６は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９６が記録されている。複数のサーボパターン９６は、複数のサーボパターン９０（図３７参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３９に示す例では、一組のサーボパターン９６の一例として、サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂが示されている。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン９６Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９６Ｂが位置している。
一例として図４０に示すように、サーボパターン９６は、線状磁化領域群９８からなる。線状磁化領域群９８は、線状磁化領域群９８Ａと線状磁化領域群９８Ｂとに類別される。
サーボパターン９６Ａは、線状磁化領域群９８Ａからなる。線状磁化領域群９８Ａは、線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３からなる。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３の順に配置されている。
線状磁化領域９８Ａ１及び９８Ａ２は、図３８に示す線状磁化領域対９２Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ａ１は、図３８に示す線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ａ２は、図３８に示す線状磁化領域９２Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ａ３は、線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有する。
図４０に示す例において、線状磁化領域９８Ａ１及び９８Ａ２は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域９８Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域９８Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域９８Ａ２及び９８Ａ３も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域９８Ａ３は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域９８Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン９６Ｂは、線状磁化領域群９８Ｂからなる。線状磁化領域群９８Ｂは、線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３からなる。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３の順に配置されている。
線状磁化領域９８Ｂ１及び９８Ｂ２は、図３８に示す線状磁化領域対９２Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ｂ１は、図３８に示す線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ｂ２は、図３８に示す線状磁化領域９２Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ｂ３は、線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有する。
図４０に示す例において、線状磁化領域９８Ｂ１及び９８Ｂ２は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域９８Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域９８Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域９８Ｂ２及び９８Ｂ３も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域９８Ｂ３は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域９８Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例である。
［第１１変形例］
上記実施形態では、カートリッジメモリ２４にサーボフォーマット情報ＳＦが記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第１１変形例では、サーボフォーマット情報ＳＦが磁気テープＭＴに記憶されている。磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「格納媒体」の一例である。
一例として図４１に示すように、サーボフォーマット情報ＳＦが、磁気テープＭＴの先頭に設けられたＢＯＴ領域ＭＴ１に記憶されている。制御装置３０は、ＢＯＴ領域ＭＴ１のデータバンドＤＢがデータ読み書き素子ＤＲＷ（図６参照）よって読み取られた結果であるデータバンド信号（すなわち、サーボフォーマット情報ＳＦを示す信号）を取得する。制御装置３０は、サーボ制御、スキュー角度制御、及び／又は張力制御等を行う。なお、サーボフォーマット情報ＳＦは、磁気テープＭＴの後尾に設けられたＥＯＴ領域ＭＴ２に記録されていてもよいし、サーボフォーマット情報ＳＦは、ＢＯＴ領域ＭＴ１及びＥＯＴ領域ＭＴ２に記録されていてもよい。サーボフォーマット情報ＳＦの一部が磁気テープＭＴに記録され、サーボフォーマット情報ＳＦの残部がカートリッジメモリ２４に記憶されている態様であってもよい。
以上説明したように、本第１１変形例によれば、サーボフォーマット情報ＳＦが磁気テープＭＴのＢＯＴ領域ＭＴ１に記録される。従って、本構成によれば、磁気テープカートリッジ１２に対して別途の記憶媒体を設ける場合と比較して、サーボフォーマット情報ＳＦを格納させることが簡便に実現される。
［第１２変形例］
上記実施形態では、サーボパターン５８において、線状磁化領域６０Ａ１が、線状磁化領域６０Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図４２に示すように、線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６００Ａ１よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急であってもよい。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８０が記録されている。複数のサーボパターン５８０は、複数のサーボパターン５８と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
サーボパターン５８０は、線状磁化領域対６００からなる。本第１２変形例において、線状磁化領域対６００は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例である。
線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６００Ａと線状磁化領域対６００Ｂとに類別される。すなわち、線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６０に比べ、線状磁化領域対６０Ａに代えて線状磁化領域６００Ａを有する点、及び線状磁化領域６０Ｂに代えて線状磁化領域６００Ｂを有する点が異なる。
サーボパターン５８０Ａは、線状磁化領域対６００Ａからなる。線状磁化領域対６００Ａは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に代えて線状磁化領域６００Ａ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ａ２に代えて線状磁化領域６００Ａ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。本第１２変形例において、線状磁化領域６００Ａ１は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域６００Ａ２は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６００Ａ１よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６００Ａ２の全長は、線状磁化領域６００Ａ２の全長よりも短い。
線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ１に比べ、複数の磁化直線６０Ａ１ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ１ａを有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ２に比べ、複数の磁化直線６０Ａ２ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ２ａを有する点が異なる。
線状磁化領域６００Ａ１には、複数の磁化直線６００Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ａ２には、複数の磁化直線６００Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ａ１に含まれる磁化直線６００Ａ１ａの本数と線状磁化領域６００Ａ２に含まれる磁化直線６００Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域６００Ａ１は、第１線対称領域に相当する線状磁化領域である。第１線対称領域とは、上記第１実施形態で説明した線状磁化領域６０Ａ２（図９参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２（図９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ２（図９参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。
線状磁化領域６００Ａ２は、第２線対称領域に相当する線状磁化領域である。第２線対称領域とは、上記第１実施形態で説明した線状磁化領域６０Ａ１（図９参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ１（図９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ１（図９参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。
つまり、図１０に示す例において、仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を、中心Ｏ１を回転軸として、図１０の紙面表側から見た場合の時計周りに角度ａ傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることで得られた仮想線状領域対６２の幾何特性が、サーボパターン５８０Ａの幾何特性に相当する。
サーボパターン５８０Ｂは、線状磁化領域対６００Ｂからなる。線状磁化領域対６００Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂに比べ、線状磁化領域６０Ｂ１に代えて線状磁化領域６００Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ｂ２に代えて線状磁化領域６００Ｂ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。本第１２変形例において、線状磁化領域６００Ｂ１は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域６００Ｂ２は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ｂ２は、線状磁化領域６００Ｂ１よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
線状磁化領域６００Ｂ１には、複数の磁化直線６００Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ｂ２には、複数の磁化直線６００Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ｂ１に含まれる磁化直線６００Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６００Ｂ２に含まれる磁化直線６００Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数と異なる。図４２に示す例では、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域６００Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６００Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６００Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６００Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。
このように、サーボパターン５８０Ａの幾何特性は、線状磁化領域６０Ａ２（図９参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ａ２（図９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図９に示すサーボパターン５８Ａ（図９参照）の鏡像の幾何特性）に相当し、サーボパターン５８０Ｂの幾何特性は、線状磁化領域６０Ｂ２（図９参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ｂ２（図９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図９に示すサーボパターン５８Ｂ（図９参照）の鏡像の幾何特性）に相当する。しかし、これは、あくまでも一例に過ぎず、サーボパターン５８０に代えて、図３０に示すサーボパターン７２の鏡像の幾何特性、図３２に示すサーボパターン７８の鏡像の幾何特性、図３４に示すサーボパターン８４の鏡像の幾何特性、図３７に示すサーボパターン９０の鏡像の幾何特性、又は、図３９に示すサーボパターン９６の鏡像の幾何特性で形成されたサーボパターンを適用してもよい。
本実施形態に係る磁気テープシステム１０を用いて、磁気テープＭＴのＰＥＳ変動幅を評価した。評価結果を表１に示す。
Figure 2023067268000003
一例として表１に示すように、実施例１では、サーボフォーマット情報ＳＦとしてサーボパターン記録ヘッドＷＨのスキュー角度（すなわち、サーボパターン５８を記録した場合のサーボパターン５８の傾斜角度α）を示す情報をカートリッジメモリ２４に記憶させた。そして、サーボパターン記録ヘッドＷＨのスキュー角度を示す情報に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープＭＴに対するデータの読み書きを行った。その結果、ＰＥＳ変動幅は、１６ｎｍであった。実施例２では、サーボフォーマット情報ＳＦとして磁気現像により見積もったサーボパターン５８の傾斜角度αをカートリッジメモリ２４に記憶させた。そして、磁気現像により見積もったサーボパターン５８の傾斜角度αに基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープＭＴに対するデータの読み書きを行った。その結果、ＰＥＳ変動幅は、１３ｎｍであった。
実施例３では、サーボフォーマット情報ＳＦとして、実施例１及び２で用いたサーボフォーマット情報ＳＦをカートリッジメモリ２４に記憶させた。そして、実施例１及び２で用いたサーボフォーマット情報ＳＦに基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープＭＴに対するデータの読み書きを行った。その結果、ＰＥＳ変動幅は、１２ｎｍであった。実施例４では、サーボフォーマット情報ＳＦとして、実施例１及び２で用いたサーボフォーマット情報ＳＦに加えて、サーボパターン５８の傾斜角度αに応じた理想波形信号６７をカートリッジメモリ２４に記憶させた。そして、実施例１及び２で用いたサーボフォーマット情報ＳＦ、並びにサーボパターン５８の傾斜角度αに応じた理想波形信号６７に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープＭＴに対する読み書きを行った。その結果、ＰＥＳ変動幅は、１０ｎｍであった。
実施例５では、サーボフォーマット情報ＳＦとして、実施例１～４で用いたサーボフォーマット情報ＳＦに加えて、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２を記憶させた。そして、実施例１～４で用いたサーボフォーマット情報ＳＦ、及び磁気テープ幅変化情報ＳＦ２に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープＭＴに対する読み書きを行った。この結果、ＰＥＳ変動幅は、８ｎｍであった。実施例６では、サーボフォーマット情報ＳＦとして、実施例１～５で用いたサーボフォーマット情報ＳＦに加えて、幅調整情報ＳＦ４をカートリッジメモリ２４に記憶させた。そして、実施例１～５で用いたサーボフォーマット情報ＳＦに基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整し、さらに幅調整情報ＳＦ４に基づいて、テープ幅Ｗを調整して磁気テープＭＴに対する読み書きを行った。この結果、ＰＥＳ変動幅は、７ｎｍであった。実施例１～６のＰＥＳ変動幅は、何れも好ましいＰＥＳ変動幅の範囲である１８ｎｍ以下であった。
比較例１では、サーボフォーマット情報ＳＦとしてサーボパターン傾斜情報ＳＦ１を用いずに、磁気テープＭＴに対する読み書きを行った。この結果、ＰＥＳ変動幅は、２３ｎｍであった。比較例２では、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２及び幅調整情報ＳＦ４をカートリッジメモリ２４に記憶させた。そして、磁気テープ幅変化情報ＳＦ２及び幅調整情報ＳＦ４に基づいて、テープ幅Ｗの調整を行って磁気テープＭＴに対する読み書きを行った。この結果、ＰＥＳ変動幅は、２０ｎｍであった。比較例１及び比較例２のＰＥＳ変動幅は、何れも好ましいＰＥＳ変動幅の範囲（すなわち、１８ｎｍ以下）を超えていた。
［その他の変形例］
上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に対して磁気テープカートリッジ１２が挿脱自在な磁気テープシステム１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ１４に対して少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２が事前に装填されている磁気テープシステム（すなわち、少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２と磁気テープドライブ１４とが事前に一体化された磁気テープシステム）であっても本開示の技術は成立する。
上記実施形態では、単一の磁気ヘッド２８を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、複数の磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。例えば、読み取り用の磁気ヘッド２８と、少なくとも１つの書き込み用の磁気ヘッド２８とが磁気テープＭＴ上に配置されるようにしてもよい。読み取り用の磁気ヘッド２８は、書き込み用の磁気ヘッド２８によってデータバンドＤＢに記録されたデータのベリファイに用いてもよい。また、読み取り用の磁気素子ユニット４２と、少なくとも１つの書き込み用の磁気素子ユニット４２とが搭載された１つの磁気ヘッドが磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。
上記実施形態では、サーボフォーマット情報ＳＦが、磁気テープカートリッジ１２の製造段階でカートリッジメモリ２４に記憶される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、サーボフォーマット情報ＳＦは、磁気テープカートリッジ１２の出荷後に記録されてもよいし、磁気テープカートリッジ１２の使用段階（すなわち、磁気テープＭＴに対するデータの読み書きが行われる段階）で記録されてもよい。また、カートリッジメモリ２４に記憶されたサーボフォーマット情報ＳＦは、更新されてもよい。
また、上記実施形態では、ＰＥＳは、上記数式（１）を用いて算出される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、ＰＥＳは、下記数式（２）を用いて算出されてもよい。
Figure 2023067268000004
ここで、上記数式（２）において、ΣＡｉの意味は、例えば、１つのサーボパターン５８Ａ内での全ての磁化領域対から得られる第２距離の総和を指す。また、ΣＢｉの意味は、例えば、１つのサーボパターン５８Ａ内での全ての磁化領域対から得られる第１距離の総和を指す。磁化領域対とは、位置が対応関係にある磁化直線６０Ａ１ａと磁化直線６０Ｂ１ａとの組み合わせを指す。
また、上記実施形態では、理想波形信号６７は、磁気ヘッド２８に設けられたサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、理想波形信号は、ベリファイヘッドＶＨによって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号であってもよい。
また、上記実施形態では、制御装置３０（図３参照）がＡＳＩＣによって実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、制御装置３０は、ソフトウェア構成によって実現されてもよい。また、制御装置３０に含まれる位置検出部３０Ｂのみがソフトウェア構成によって実現されてもよい。位置検出部３０Ｂがソフトウェア構成によって実現される場合、例えば、図４３に示すように、位置検出部３０Ｂは、コンピュータ１００を備えている。コンピュータ１００は、プロセッサ１００Ａ（例えば、単数のＣＰＵ又は複数のＣＰＵなど）、ＮＶＭ１００Ｂ、及びＲＡＭ１００Ｃを有する。プロセッサ１００Ａ、ＮＶＭ１００Ｂ、及びＲＡＭ１００Ｃは、バス１００Ｄに接続されている。コンピュータ読取可能な非一時的記憶媒体である可搬型の記憶媒体１０２（例えば、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなど）には、サーボパターン検出プログラムＰＧが記憶されている。
記憶媒体１０２に記憶されているサーボパターン検出プログラムＰＧは、コンピュータ１００にインストールされる。ＣＰＵ１００Ａは、サーボパターン検出プログラムＰＧに従ってサーボパターン検出処理（図１９参照）を実行する。
また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ１００に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置にサーボパターン検出プログラムＰＧを記憶させておき、位置検出部３０Ｂからの要求に応じてサーボパターン検出プログラムＰＧがダウンロードされ、コンピュータ１００にインストールされるようにしてもよい。なお、サーボパターン検出プログラムＰＧは、本開示の技術に係る「プログラム」の一例であり、コンピュータ１００は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例である。
図４３に示す例では、コンピュータ１００が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ１００に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＣを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ１００に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
制御装置３０（図３参照）及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５（図１８参照）の処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、又は例示のＡＳＩＣ等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。いずれのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、いずれのプロセッサもメモリを使用することで処理を実行する。
制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣ等に代表されるように、処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の制御装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
１０ 磁気テープシステム
１２ 磁気テープカートリッジ
１４ 磁気テープドライブ
１６ ケース
１６Ａ 右壁
１６Ｂ 開口
１８ 上ケース
２０ 下ケース
２２，ＳＷ１ 送出リール
２２Ａ リールハブ
２２Ｂ１ 上フランジ
２２Ｂ２ 下フランジ
２４ カートリッジメモリ
２４Ｂ，３３ 裏面
２６ 搬送装置
２８ 磁気ヘッド
２９Ａ 磁性層
２９Ｂ ベースフィルム
２９Ｃ バックコート層
３０，ＳＷ５ 制御装置
３０Ａ 制御部
３０Ｂ 位置検出部
３０Ｂ１ 第１位置検出部
３０Ｂ２ 第２位置検出部
３０Ｃ ＰＥＳ算出部
３０Ｄ 角度検出部
３０Ｄ１ 第１角度検出部
３０Ｄ２ 第２角度検出部
３１ 表面
３２ ストレージ
３４ ＵＩ系装置
３５ 通信インタフェース
３６ 送出モータ
３７ 外部装置
３８，ＳＷ２ 巻取リール
４０，Ｍ 巻取モータ
４２ 磁気素子ユニット
４４ ホルダ
４６ 非接触式読み書き装置
４８ 移動機構
４８Ａ 移動アクチュエータ
４９ 傾斜機構
４９Ａ 傾斜アクチュエータ
５２，５２Ａ，５２Ｂ，５８，５８Ａ，５８Ｂ，７２，７２Ａ，７２Ｂ，７８，７８Ａ，７８Ｂ，８４，８４Ａ，８４Ｂ，９０，９０Ａ，９０Ｂ，５８０，５８０Ａ，５８０Ｂ サーボパターン
５４，５４Ａ，５４Ｂ，６０，６０Ａ，６０Ｂ，７４，７４Ａ，７４Ｂ，８６，８６Ａ，８６Ｂ，９２，９２Ａ，９２Ｂ，６００，６００Ａ，６００Ｂ 線状磁化領域対
５４Ａ１，５４Ａ２，５４Ｂ１，５４Ｂ２，６０Ａ１，６０Ａ２，６０Ｂ１，６０Ｂ２，７４Ａ１，７４Ａ２，７４Ｂ１，７４Ｂ２，８０Ａ１，８０Ａ２，８０Ａ３，８６Ａ１，８６Ａ２，８６Ｂ１，８６Ｂ２，９２Ａ１，９２Ａ２，９２Ｂ１，９２Ｂ２，６００Ａ１，６００Ａ２，６００Ｂ１，６００Ｂ２ 線状磁化領域
５４Ａ１ａ，５４Ａ２ａ，５４Ｂ１ａ，５４Ｂ２ａ，６０Ａ１ａ，６０Ａ２ａ，６０Ｂ１ａ，６０Ｂ２ａ，８６Ａ１ａ，８６Ａ２ａ，８６Ｂ１ａ，８６Ｂ２ａ，６００Ａ１ａ，６００Ａ２ａ，６００Ｂ１ａ，６００Ｂ２ａ 磁化直線
６２ 仮想線状領域対
６２Ａ，６２Ｂ 仮想線状領域
６２Ａ１，６２Ｂ１ 直線
６６,６７ 理想波形信号
６８ 仮想直線領域対
６８Ａ，６８Ｂ 仮想直線領域
８０，８０Ａ，８０Ｂ 線状磁化領域群
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
α，β，γ,θａ,θｂ，θＡｉ，θＢｉ 角度
ＶＨ ベリファイヘッド
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ 仮想直線
ＤＢ，ＤＢ１，ＤＢ２ データバンド
ＤＲＷ データ読み書き素子
ＧＲ ガイドローラ
Ｉｎｔ１，Ｉｎｔ２ 間隔
Ｌ０ 線分
ＬＤ 長手方向
ＭＦ 磁界
ＭＴ，ＭＴ０ 磁気テープ
Ｏ１ 中心
ＲＡ 回転軸
Ｓ サーボバンド信号
Ｓ１ 第１サーボバンド信号
Ｓ２ 第２サーボバンド信号
ＳＰ サーボパターン信号
ＳＰ１ 第１サーボパターン信号
ＳＰ２ 第２サーボパターン信号
ＳＡ１，ＳＡ２ 対称軸
ＳＢ，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３ サーボバンド
ＳＲ，ＳＲ１，ＳＲ２ サーボ読取素子
ＳＷ サーボライタ
ＳＷ３ 駆動装置
ＳＷ４ パルス信号生成器
ＳＷ４Ａ 第１パルス信号生成器
ＳＷ４Ｂ 第２パルス信号生成器
ＳＷ４Ｃ 第３パルス信号生成器
ＳＷ５ サーボライタコントローラ
ＳＷ６ ガイド
ＳＷ７ 搬送路
ＳＦ サーボフォーマット情報
ＳＦ１ サーボパターン傾斜情報
ＳＦ２ 磁気テープ幅変化情報
ＳＦ３ サーボパターン幾何特性情報
ＳＦ４ 幅調整情報
ＳＦ４ａ 張力情報
ＳＦ５ スキュー角度情報
ＴＦ 張力影響因子情報
ＴＦ１，ＤＦ１ 磁気テープ幅情報
ＴＦ２，ＤＦ２ 磁気テープ特性情報
ＴＦ３，ＤＦ３ 使用履歴情報
ＴＦ４，ＤＦ４ 温度情報
ＴＦ５，ＤＦ５ 湿度情報
ＤＦ 角度影響因子情報
Ｗ 磁気テープ幅
ＷＤ 幅方向
ＷＨ サーボパターン記録ヘッド

Claims (23)

  1. 長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープと、
    格納媒体と、を備え、
    前記格納媒体には、第１仮想直線に対する前記サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報が格納されている
    磁気テープカートリッジ。
  2. 前記第１仮想直線は、前記磁気テープの幅方向に沿った直線であり、
    前記サーボパターンは、少なくとも１つの線状磁化領域対であり、
    前記線状磁化領域対は、線状に磁化された第１線状磁化領域、及び線状に磁化された第２線状磁化領域であり、
    前記第１線状磁化領域及び前記第２線状磁化領域は、前記第１仮想直線に対して相反する方向に傾斜されており、
    前記第１線状磁化領域は、前記第２線状磁化領域よりも、前記第１仮想直線に対する傾斜角度が急であり、
    前記サーボパターン傾斜情報は、前記第１線状磁化領域の前記第１仮想直線に対する傾斜角度に関する情報、及び前記第２線状磁化領域の前記第１仮想直線に対する傾斜角度に関する情報を含む
    請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。
  3. 前記磁気テープの幅方向について前記第１線状磁化領域の両端の位置と前記第２線状磁化領域の両端の位置とが揃っている
    請求項２に記載の磁気テープカートリッジ。
  4. 前記第１線状磁化領域の全長は、前記第２線状磁化領域の全長よりも短い
    請求項３に記載の磁気テープカートリッジ。
  5. 前記第１線状磁化領域は、複数の第１磁化直線の集合であり、
    前記第２線状磁化領域は、複数の第２磁化直線の集合である
    請求項２から請求項４の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  6. 前記線状磁化領域対の前記磁気テープ上での幾何特性は、前記第１仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を前記第１仮想直線に対して傾斜させることによって前記一対の仮想線状領域の全体を前記第１仮想直線に対して傾斜させた場合の前記一対の仮想線状領域に基づく幾何特性に相当する
    請求項２から請求項５の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  7. 前記線状磁化領域対の前記磁気テープ上での幾何特性は、前記第１仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を前記第１仮想直線に対して傾斜させることによって前記一対の仮想線状領域の全体を前記第１仮想直線に対して傾斜させた場合の前記一対の仮想線状領域のうちの一方の仮想線状領域の両端の位置と他方の仮想線状領域の両端の位置とを前記幅方向で揃えた幾何特性に相当する
    請求項３、請求項４、及び、請求項３又は請求項４に従属する請求項５の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  8. 前記サーボフォーマット情報は、前記サーボパターンがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号を含む
    請求項１から請求項７の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  9. 前記理想波形は、前記磁気テープ上での前記サーボ読取素子の向きに応じて定められた波形である
    請求項８に記載の磁気テープカートリッジ。
  10. 前記理想波形は、前記サーボパターンの幾何特性と前記磁気テープ上での前記サーボ読取素子の向きとに応じて定められた波形である
    請求項９に記載の磁気テープカートリッジ。
  11. 前記サーボ読取素子は、磁気ヘッドに搭載されており、
    前記理想波形は、前記磁気テープ上での前記磁気ヘッドの向きに応じて定められた波形である
    請求項８に記載の磁気テープカートリッジ。
  12. 前記理想波形は、前記サーボパターンの幾何特性と前記磁気テープ上での前記磁気ヘッドの向きとに応じて定められた波形である
    請求項１１に記載の磁気テープカートリッジ。
  13. 前記サーボフォーマット情報は、前記磁気テープの幅に関する情報及び／又は前記サーボパターンの幾何特性に関する情報を含む
    請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  14. 前記サーボフォーマット情報は、前記磁気テープの幅を調整するための幅調整情報を含む
    請求項１から請求項１３の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  15. 前記幅調整情報は、前記磁気テープの全長方向における張力に関する情報を含む
    請求項１４に記載の磁気テープカートリッジ。
  16. 前記張力に関する情報は、前記磁気テープの幅、前記磁気テープそのものが有する特性、前記磁気テープの使用履歴、前記磁気テープに対して与えられる温度、及び／又は前記磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる
    請求項１５に記載の磁気テープカートリッジ。
  17. 前記サーボフォーマット情報は、前記サーボパターンを読み取るサーボ読取素子が搭載された磁気ヘッドを前記磁気テープ上でスキューさせる角度であるスキュー角度に関する情報を含む
    請求項１から請求項１６の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  18. 前記スキュー角度に関する情報は、前記磁気テープの幅、前記磁気テープそのものが有する特性、前記磁気テープの使用履歴、前記磁気テープに対して与えられる温度、及び／又は前記磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる
    請求項１７に記載の磁気テープカートリッジ。
  19. 前記磁気テープは、カートリッジに収容されており、
    前記カートリッジには、非接触式記憶媒体が前記格納媒体として設けられている
    請求項１から請求項１８の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  20. 前記格納媒体は、前記磁気テープである
    請求項１から請求項１８の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  21. プロセッサを備え、
    前記プロセッサは、
    請求項１から請求項２０の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに設けられた前記格納媒体に格納された前記サーボフォーマット情報を取得し、
    取得した前記サーボフォーマット情報に応じた処理を実行する
    磁気テープドライブ。
  22. 長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第１仮想直線に対する前記サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、
    取得した前記サーボフォーマット情報に応じた処理を実行すること
    を含むサーボパターンの検出方法。
  23. コンピュータに、
    長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第１仮想直線に対する前記サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、
    取得した前記サーボフォーマット情報に応じた処理を実行させること
    を含む処理を実行させるためのプログラム。
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