JP2023067268A - 磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、及びプログラム - Google Patents

磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、及びプログラム Download PDF

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Abstract

【課題】信頼性の高いサーボ信号を得る磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法及びプログラムを提供する。【解決手段】磁気テープドライブ14において、磁気テープカートリッジ12は、長手方向に沿って複数のサーボパターン58が記録された磁気テープMTと、格納媒体の一例であるカートリッジメモリ24と、を備える。格納媒体は、第1仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報SF1を含むサーボフォーマット情報SFを格納する。【選択図】図14

Description

本開示の技術は、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、及びプログラムに関する。
特許文献1には、同期型サーボ・チャンネル・パラメータの初期取得と、信号補間のためのタイミング基準の生成と、テープ速度推定値およびy位置推定値の生成と、長手方向の位置(LPOS:Longitudinal position)シンボルの最適な検出とを含むことによって、データ・テープ・ドライブ用の完全な同期型サーボ・チャンネルを提供することが開示されている。
特許文献2には、各々が変換器のアレイを有する少なくとも2つのモジュールであって、少なくとも2つのモジュールは、互いに対して固定されており、各アレイの軸線がその両端間に定められ、アレイの軸線は互いにほぼ平行に方向付けられ、モジュールのうちの第1のモジュールのアレイは、モジュールのうちの第2のモジュールのアレイから第2のモジュールのアレイの軸線に対して平行な第1の方向にオフセットされており、軸線が意図されたテープ移動方向に対して直角に方向付けられた線に対して0.2°より大きい角度で方向付けられたときに第1のモジュールの変換器が意図されたテープ移動方向において第2のモジュールの変換器とほぼ位置合わせされるようになっている、少なくとも2つのモジュールと、テープに対して提示される変換器ピッチを制御するようにモジュールを方向付けるための機構と、を含む、装置が開示されている。
米国特許第7365929号 米国特許第9754616号
本開示の技術に係る一つの実施形態は、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、サーボパターンの検出方法、プログラムを提供する。
本開示の技術に係る第1の態様は、長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープと、格納媒体と、を備え、格納媒体には、第1仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報が格納されている磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第2の態様は、第1仮想直線が、磁気テープの幅方向に沿った直線であり、サーボパターンは、少なくとも1つの線状磁化領域対であり、線状磁化領域対は、線状に磁化された第1線状磁化領域、及び線状に磁化された第2線状磁化領域であり、第1線状磁化領域及び第2線状磁化領域は、第1仮想直線に対して相反する方向に傾斜されており、第1線状磁化領域は、第2線状磁化領域よりも、第1仮想直線に対する傾斜角度が急であり、サーボパターン傾斜情報は、第1線状磁化領域の第1仮想直線に対する傾斜角度に関する情報、及び第2線状磁化領域の第1仮想直線に対する傾斜角度に関する情報を含む第1の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第3の態様は、磁気テープの幅方向について第1線状磁化領域の両端の位置と第2線状磁化領域の両端の位置とが揃っている第2の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第4の態様は、第1線状磁化領域の全長が、第2線状磁化領域の全長よりも短い第3の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第5の態様は、第1線状磁化領域が、複数の第1磁化直線の集合であり、第2線状磁化領域は、複数の第2磁化直線の集合である第2の態様から第4の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第6の態様は、線状磁化領域対の磁気テープ上での幾何特性は、第1仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を第1仮想直線に対して傾斜させることによって一対の仮想線状領域の全体を第1仮想直線に対して傾斜させた場合の一対の仮想線状領域に基づく幾何特性に相当する第2の態様から第5の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第7の態様は、線状磁化領域対の磁気テープ上での幾何特性が、第1仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を第1仮想直線に対して傾斜させることによって一対の仮想線状領域の全体を第1仮想直線に対して傾斜させた場合の一対の仮想線状領域のうちの一方の仮想線状領域の両端の位置と他方の仮想線状領域の両端の位置とを幅方向で揃えた幾何特性に相当する第3の態様、第4の態様、及び、第3の態様又は第4の態様に係る第5の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第8の態様は、サーボフォーマット情報が、サーボパターンがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号を含む第1の態様から第7の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第9の態様は、理想波形が、磁気テープ上でのサーボ読取素子の向きに応じて定められた波形である第8の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第10の態様は、理想波形が、サーボパターンの幾何特性と磁気テープ上でのサーボ読取素子の向きとに応じて定められた波形である第9の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第11の態様は、サーボ読取素子が、磁気ヘッドに搭載されており、理想波形は、磁気テープ上での磁気ヘッドの向きに応じて定められた波形である第8の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第12の態様は、理想波形が、サーボパターンの幾何特性と磁気テープ上での磁気ヘッドの向きとに応じて定められた波形である第11の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第13の態様は、サーボフォーマット情報が、磁気テープの幅に関する情報及び/又はサーボパターンの幾何特性に関する情報を含む第1の態様から第12の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第14の態様は、サーボフォーマット情報が、磁気テープの幅を調整するための幅調整情報を含む第1の態様から第13の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第15の態様は、幅調整情報が、磁気テープの全長方向における張力に関する情報を含む第14の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第16の態様は、張力に関する情報が、磁気テープの幅、磁気テープそのものが有する特性、磁気テープの使用履歴、磁気テープに対して与えられる温度、及び/又は磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる第15の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第17の態様は、サーボフォーマット情報が、サーボパターンを読み取るサーボ読取素子が搭載された磁気ヘッドを磁気テープ上でスキューさせる角度であるスキュー角度に関する情報を含む第1の態様から第16の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第18の態様は、スキュー角度に関する情報が、磁気テープの幅、磁気テープそのものが有する特性、磁気テープの使用履歴、磁気テープに対して与えられる温度、及び/又は磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる第17の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第19の態様は、磁気テープが、カートリッジに収容されており、カートリッジには、非接触式記憶媒体が格納媒体として設けられている第1の態様から第18の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第20の態様は、格納媒体は、磁気テープである第1の態様から第18の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第21の態様は、プロセッサを備え、プロセッサは、第1の態様から第20の態様の何れか一つに係る磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納されたサーボフォーマット情報を取得し、取得したサーボフォーマット情報に応じた処理を実行する磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第22の態様は、長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第1仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、取得したサーボフォーマット情報に応じた処理を実行することを含むサーボパターンの検出方法である。
本開示の技術に係る第23の態様は、コンピュータに、長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第1仮想直線に対するサーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、取得したサーボフォーマット情報に応じた処理を実行させることを含む処理を実行させるためのプログラムである。
実施形態に係る磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 従来既知の磁気テープ上に磁気ヘッドが配置されている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 従来既知の磁気テープの幅が収縮する前後の磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 従来既知の磁気テープ上で磁気ヘッドがスキューされた状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 実際のサーボパターンの傾斜角度の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上でスキューさせていない磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及び位置検出部の機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係るサーボライタの構成の一例を示す概念図である。 実施形態に係るサーボパターン検出処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第1変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及びPES算出部の機能の一例を示す概念図である。 第2変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第3変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 第3変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第3変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第4変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 第4変形例を示す概念図であって、カートリッジメモリにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第5変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及び角度検出部の機能の一例を示す概念図である。 第5変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する角度検出部の機能の一例を示す概念図である。 第5変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置が有する制御部及びPES算出部の機能の一例を示す概念図である。 第6変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図(磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図)である。 第6変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第7変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図(磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図)である。 第7変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第8変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図(磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図)である。 第8変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第8変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第9変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図(磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図)である。 第9変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第10変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図(磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図)である。 第10変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第11変形例を示す概念図であって、磁気テープにサーボフォーマット情報が記憶されている態様の一例を示す概念図である。 第12変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 記憶媒体に記憶されているサーボパターン検出プログラムが制御装置のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及びサーボパターンの検出方法の実施形態の一例について説明する。
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
NVMとは、“Non-volatile memory”の略称を指す。CPUとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。RAMとは、“Random Access Memory”の略称を指す。EEPROMとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。SSDとは、“Solid State Drive”の略称を指す。HDDとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ASICとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。FPGAとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。PLCとは、“Programmable Logic Controller”の略称を指す。ICとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。RFIDとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。BOTとは、“Beginning Of Tape”の略称を指す。EOTとは、“End Of Tape”の略称を指す。UIとは、“User Interface”の略称を指す。WANとは、“Wide Area Network”の略称を指す。LANとは、“Local Area Network”の略称を指す。PESとは、“Position Error Signal”の略称を指す。
一例として図1に示すように、磁気テープシステム10は、磁気テープカートリッジ12及び磁気テープドライブ14を備えている。磁気テープドライブ14には、磁気テープカートリッジ12が装填される。磁気テープカートリッジ12は、磁気テープMTを収容している。磁気テープドライブ14は、装填された磁気テープカートリッジ12から磁気テープMTを引き出し、引き出した磁気テープMTを走行させながら、磁気テープMTに対してデータを記録したり、磁気テープMTからデータを読み取ったりする。
本実施形態において、磁気テープドライブ14は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」の一例である。また、磁気テープカートリッジ12は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。また、磁気テープMTは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。
次に、図2~図4を参照しながら、磁気テープカートリッジ12の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図2~図4において、磁気テープカートリッジ12の磁気テープドライブ14への装填方向を矢印Aで示し、矢印A方向を磁気テープカートリッジ12の前方向とし、磁気テープカートリッジ12の前方向の側を磁気テープカートリッジ12の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ12の前側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図2~図4において、矢印A方向と直交する矢印B方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ12の右方向の側を磁気テープカートリッジ12の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ12の右側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図2~図4において、矢印B方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ12の左方向の側を磁気テープカートリッジ12の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ12の左側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図2~図4において、矢印A方向及び矢印B方向と直交する方向を矢印Cで示し、矢印C方向を磁気テープカートリッジ12の上方向とし、磁気テープカートリッジ12の上方向の側を磁気テープカートリッジ12の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ12の上側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図2~図4において、磁気テープカートリッジ12の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ12の後方向とし、磁気テープカートリッジ12の後方向の側を磁気テープカートリッジ12の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ12の後側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図2~図4において、磁気テープカートリッジ12の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ12の下方向とし、磁気テープカートリッジ12の下方向の側を磁気テープカートリッジ12の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ12の下側を指す。
一例として図2に示すように、磁気テープカートリッジ12は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース16を備えている。ケース16には、磁気テープMTが収容されている。ケース16は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース18及び下ケース20を備えている。上ケース18及び下ケース20は、上ケース18の下周縁面と下ケース20の上周縁面とを接触させた状態で、溶着(例えば、超音波溶着)及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。ケース16は、本開示の技術に係る「カートリッジ」の一例である。
ケース16の内部には、送出リール22が回転可能に収容されている。送出リール22は、リールハブ22A、上フランジ22B1、及び下フランジ22B2を備えている。リールハブ22Aは、円筒状に形成されている。リールハブ22Aは、送出リール22の軸心部であり、軸心方向がケース16の上下方向に沿っており、ケース16の中央部に配置されている。上フランジ22B1及び下フランジ22B2の各々は円環状に形成されている。リールハブ22Aの上端部には上フランジ22B1の平面視中央部が固定されており、リールハブ22Aの下端部には下フランジ22B2の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ22Aと下フランジ22B2は一体成型されていてもよい。
リールハブ22Aの外周面には、磁気テープMTが巻き回されており、磁気テープMTの幅方向の端部は上フランジ22B1及び下フランジ22B2によって保持されている。
ケース16の右壁16Aの前側には、開口16Bが形成されている。磁気テープMTは、開口16Bから引き出される。
下ケース20にはカートリッジメモリ24が設けられている。具体的には、下ケース20の右後端部に、カートリッジメモリ24が収容されている。カートリッジメモリ24には、NVMを有するICチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のRFIDタグがカートリッジメモリ24として採用されており、カートリッジメモリ24に対しては非接触で各種情報の読み書きが行われる。カートリッジメモリ24は、本開示の技術に係る「非接触式記憶媒体」及び「格納媒体」の一例である。
カートリッジメモリ24には、磁気テープカートリッジ12を管理する管理情報が記憶されている。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ24に関する情報(例えば、磁気テープカートリッジ12を特定可能な情報)、磁気テープMTに関する情報(例えば、磁気テープMTの記録容量を示す情報、磁気テープMTに記録されているデータの概要を示す情報、磁気テープMTに記録されているデータの項目を示す情報、磁気テープMTに記録されているデータの記録形式を示す情報など)、及び磁気テープドライブ14に関する情報(例えば、磁気テープドライブ14の仕様を示す情報、及び磁気テープドライブ14で用いられる信号)等が含まれている。また、詳細は後述するが、カートリッジメモリ24には、サーボフォーマット情報(図14参照)が記憶されている。
一例として図3に示すように、磁気テープドライブ14は、搬送装置26、磁気ヘッド28、制御装置30、ストレージ32、UI系装置34、及び通信インタフェース35を備えている。磁気テープドライブ14には、矢印A方向に沿って磁気テープカートリッジ12が装填される。磁気テープドライブ14では、磁気テープMTが磁気テープカートリッジ12から引き出されて用いられる。磁気ヘッド28は、本開示の技術に係る「磁気ヘッド」の一例である。
磁気テープMTは、磁性層29A、ベースフィルム29B、及びバックコート層29Cを有する。磁性層29Aは、ベースフィルム29Bの一方の面側に形成されており、バックコート層29Cは、ベースフィルム29Bの他方の面側に形成されている。磁性層29Aには、データが記録される。磁性層29Aは、強磁性粉末を含む。強磁性粉末としては、例えば、各種磁気記録媒体の磁性層において一般的に用いられる強磁性粉末が用いられる。強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末が挙げられる。六方晶フェライト粉末としては、例えば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、又は六方晶バリウムフェライト粉末等が挙げられる。バックコート層29Cは、例えば、カーボンブラック等の非磁性粉末を含む層である。ベースフィルム29Bは、支持体とも称されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリアミド等で形成されている。なお、ベースフィルム29Bと磁性層29Aとの間に非磁性層が形成されていてもよい。磁気テープMTにおいて、磁性層29Aが形成された面が磁気テープMTの表面31であり、バックコート層29Cが形成された面が磁気テープMTの裏面33である。
磁気テープドライブ14は、磁気テープMTの表面31に対して磁気ヘッド28を用いて磁気的処理を行う。ここで、磁気的処理とは、磁気テープMTの表面31に対するデータの記録、及び磁気テープMTの表面31からのデータの読み取り(すなわち、データの再生)を指す。本実施形態では、磁気テープドライブ14が磁気ヘッド28を用いて磁気テープMTの表面31に対するデータの記録と磁気テープMTの表面31からのデータの読み取りとを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ14は、磁気テープカートリッジ12から磁気テープMTを引き出し、引き出した磁気テープMTの表面31に対して磁気ヘッド28を用いてデータを記録したり、引き出した磁気テープMTの表面31から磁気ヘッド28を用いてデータを読み取ったりする。
制御装置30は、磁気テープドライブ14の全体を制御する。本実施形態において、制御装置30は、ASICによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置30は、FPGA及び/又はPLCによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置30は、CPU、フラッシュメモリ(例えば、EEPROM、及び/又は、SSD等)、及びRAMを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ASIC、FPGA、PLC、及びコンピュータのうちの2つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置30は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。なお、制御装置30は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。
ストレージ32は、制御装置30に接続されており、制御装置30は、ストレージ32に対する各種情報の書き込み、及びストレージ32からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ32の一例としては、フラッシュメモリ及び/又はHDDが挙げられる。フラッシュメモリ及びHDDは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ14に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。
UI系装置34は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー(例えば、キーボード)、及び/又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び/又はスピーカ等によって実現される。UI系装置34は、制御装置30に接続されている。制御装置30は、UI系装置34によって受け付けられた指示信号を取得する。UI系装置34は、制御装置30の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。
通信インタフェース35は、制御装置30に接続されている。また、通信インタフェース35は、WAN及び/又はLAN等の通信網(図示省略)を介して外部装置37に接続されている。通信インタフェース35は、制御装置30と外部装置37との間の各種情報(例えば、磁気テープMTに対する記録用データ、磁気テープMTから読み取られたデータ、及び/又は制御装置30に対して与えられる指示信号等)の授受を司る。なお、外部装置37としては、例えば、パーソナル・コンピュータ又はメインフレーム等が挙げられる。
搬送装置26は、磁気テープMTを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ36、巻取リール38、巻取モータ40、及び複数のガイドローラGRを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープMTの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープMTの巻き戻し方向を指す。
送出モータ36は、制御装置30の制御下で、磁気テープカートリッジ12内の送出リール22を回転させる。制御装置30は、送出モータ36を制御することで、送出リール22の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
巻取モータ40は、制御装置30の制御下で、巻取リール38を回転させる。制御装置30は、巻取モータ40を制御することで、巻取リール38の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
磁気テープMTが巻取リール38によって巻き取られる場合には、制御装置30は、磁気テープMTが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ36及び巻取モータ40を回転させる。送出モータ36及び巻取モータ40の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール38に対して磁気テープMTを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ36及び巻取モータ40の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置30によって調整されることで、磁気テープMTに対して張力が付与される。また、磁気テープMTに付与される張力は、送出モータ36及び巻取モータ40の各々の回転速度及び回転トルク等が制御装置30によって調整されることによって制御される。
なお、磁気テープMTを送出リール22に巻き戻す場合には、制御装置30は、磁気テープMTが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ36及び巻取モータ40を回転させる。
本実施形態では、送出モータ36及び巻取モータ40の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープMTに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープMTに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープMTを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
複数のガイドローラGRの各々は、磁気テープMTを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープMTの走行経路は、複数のガイドローラGRが磁気テープカートリッジ12と巻取リール38との間において磁気ヘッド28を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
磁気ヘッド28は、磁気素子ユニット42及びホルダ44を備えている。磁気素子ユニット42は、走行中の磁気テープMTに接触するようにホルダ44によって保持されている。磁気素子ユニット42は、複数の磁気素子を有する。
磁気素子ユニット42は、搬送装置26によって搬送される磁気テープMTにデータを記録したり、搬送装置26によって搬送される磁気テープMTからデータを読み取ったりする。ここで、データとは、例えば、サーボパターン58(図9参照)、及びサーボパターン58以外のデータ、すなわち、データバンドDB(図9参照)に記録されているデータを指す。
磁気テープドライブ14は、非接触式読み書き装置46を備えている。非接触式読み書き装置46は、磁気テープカートリッジ12が装填された状態の磁気テープカートリッジ12の下側にてカートリッジメモリ24の裏面24Aに正対するように配置されており、カートリッジメモリ24に対して非接触で情報の読み書きを行う。
一例として図4に示すように、非接触式読み書き装置46は、磁気テープカートリッジ12の下側からカートリッジメモリ24に向けて磁界MFを放出する。磁界MFは、カートリッジメモリ24を貫通する。
非接触式読み書き装置46は、制御装置30に接続されている。制御装置30は、制御信号を非接触式読み書き装置46に出力する。制御信号は、カートリッジメモリ24を制御する信号である。非接触式読み書き装置46は、制御装置30から入力された制御信号に従って磁界MFを生成し、生成した磁界MFをカートリッジメモリ24に向けて放出する。
非接触式読み書き装置46は、磁界MFを介してカートリッジメモリ24との間で非接触通信を行うことで、カートリッジメモリ24に対して、制御信号に応じた処理を行う。例えば、非接触式読み書き装置46は、制御装置30の制御下で、カートリッジメモリ24から情報を読み取る処理と、カートリッジメモリ24に対して情報を記憶させる処理(すなわち、カートリッジメモリ24に対して情報を書き込む処理)とを選択的に行う。
一例として図5に示すように、磁気テープドライブ14は、移動機構48を備えている。移動機構48は、移動アクチュエータ48Aを有する。移動アクチュエータ48Aとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び/又はピエゾアクチュエータが挙げられる。移動アクチュエータ48Aは、制御装置30に接続されており、制御装置30は、移動アクチュエータ48Aを制御する。移動アクチュエータ48Aは、制御装置30の制御下で動力を生成する。移動機構48は、移動アクチュエータ48Aによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド28を磁気テープMTの幅方向に移動させる。
磁気テープドライブ14は、傾斜機構49を備えている。傾斜機構49は、傾斜アクチュエータ49Aを有する。傾斜アクチュエータ49Aとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び/又はピエゾアクチュエータが挙げられる。傾斜アクチュエータ49Aは、制御装置30に接続されており、制御装置30は、傾斜アクチュエータ49Aを制御する。傾斜アクチュエータ49Aは、制御装置30の制御下で動力を生成する。傾斜機構49は、傾斜アクチュエータ49Aによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド28を磁気テープMTの幅方向WDに対して磁気テープMTの長手方向LD側に傾斜させる(図8参照)。すなわち、磁気ヘッド28は、制御装置30の制御下で、磁気テープMT上でスキューする。
ここで、磁気テープMTに対する比較例として、磁気テープMTに代えて、従来既知の磁気テープMT0が用いられる場合について図6~図8を参照して説明する。なお、磁気テープMT0と磁気テープMTとを比較すると、磁気テープMT0にはサーボパターン52(図6参照)が適用されているのに対し、磁気テープMTにはサーボパターン58(図9参照)が適用されている点が異なる。
一例として図6に示すように、磁気テープMT0の表面31には、サーボバンドSB1、SB2及びSB3と、データバンドDB1及びDB2と、が形成されている。なお、以下では、説明の便宜上、特に区別する必要がない場合、サーボバンドSB1~SB3をサーボバンドSBと称し、データバンドDB1及びDB2をデータバンドDBと称する。
サーボバンドSB1~SB3とデータバンドDB1及びDB2は、磁気テープMT0の長手方向LD(すなわち、全長方向)に沿って形成されている。ここで、磁気テープMT0の全長方向とは、換言すると、磁気テープMT0の走行方向を指す。磁気テープMT0の走行方向は、磁気テープMT0が送出リール22側から巻取リール38側に走行する方向である順方向(以下、単に「順方向」とも称する)と、磁気テープMT0が巻取リール38側から送出リール22側に走行する方向である逆方向(以下、単に「逆方向」とも称する)との2つの方向で規定される。
サーボバンドSB1~SB3は、磁気テープMT0の幅方向WD(以下、単に「幅方向WD」とも称する)で離間した位置に配列されている。例えば、サーボバンドSB1~SB3は、幅方向WDに沿って等間隔に配列されている。なお、本実施形態において、「等間隔」とは、完全な等間隔の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等間隔を指す。
データバンドDB1は、サーボバンドSB1とサーボバンドSB2との間に配されており、データバンドDB2は、サーボバンドSB2とサーボバンドSB3との間に配されている。つまり、サーボバンドSBとデータバンドDBとは、幅方向WDに沿って交互に配列されている。
なお、図6に示す例では、説明の便宜上、3本のサーボバンドSBと2本のデータバンドDBとが示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、2本のサーボバンドSBと1本のデータバンドDBであってもよいし、4本以上のサーボバンドSBと3本以上のデータバンドDBであっても本開示の技術は成立する。
サーボバンドSBには、磁気テープMT0の長手方向LDに沿って複数のサーボパターン52が記録されている。サーボパターン52は、サーボパターン52Aとサーボパターン52Bとに類別される。複数のサーボパターン52は、磁気テープMT0の長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。なお、本実施形態において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの一定を指す。
サーボバンドSBにおいて、隣り合うサーボパターン52は、一組とされている。図6に示す例では、一組のサーボパターン52の一例として、サーボパターン52A及び52Bが示されている。一組のサーボパターン52において、順方向の上流側にサーボパターン52Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン52Bが位置している。
サーボパターン52は、線状磁化領域対54からなる。線状磁化領域対54は、線状磁化領域対54Aと線状磁化領域対54Bとに類別される。
サーボパターン52Aは、線状磁化領域対54Aからなる。図6に示す例では、線状磁化領域対54Aの一例として、線状磁化領域54A1及び54A2が示されている。線状磁化領域54A1及び54A2の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域54A1及び54A2は、幅方向WDに沿った仮想的な直線である仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられている。図6に示す例では、線状磁化領域54A1及び54A2が、仮想直線C1に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域54A1及び54A2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C1を対称軸として磁気テープMT0の長手方向LD側の相反する方向に既定角度(例えば、5度)傾斜した状態で形成されている。本実施形態において、仮想直線C1は、本開示の技術に係る「第1仮想直線」の一例である。
線状磁化領域54A1は、5本の磁化された直線である磁化直線54A1aの集合である。線状磁化領域54A2は、5本の磁化された直線である磁化直線54A2aの集合である。
サーボパターン52Bは、線状磁化領域対54Bからなる。図6に示す例では、線状磁化領域対54Bの一例として、線状磁化領域54B1及び54B2が示されている。線状磁化領域54B1及び54B2の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域54B1及び54B2は、幅方向WDに沿った仮想的な直線である仮想直線C2に対して相反する方向に傾けられている。図6に示す例では、線状磁化領域54B1及び54B2が、仮想直線C2に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域54B1及び54B2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C2を対称軸として磁気テープMT0の長手方向LD側の相反する方向に既定角度(例えば、5度)傾斜した状態で形成されている。本実施形態において、仮想直線C2は、本開示の技術に係る「第1仮想直線」の一例である。
線状磁化領域54B1は、4本の磁化された直線である磁化直線54B1aの集合である。線状磁化領域54B2は、4本の磁化された直線である磁化直線54B2aの集合である。
このように構成された磁気テープMT0の表面31側に、磁気ヘッド28は配置されている。ホルダ44は、直方体状に形成されており、磁気テープMT0の表面31上を幅方向WDに沿って横断するように配置されている。磁気素子ユニット42の複数の磁気素子は、ホルダ44の長手方向に沿って直線状に配列されている。磁気素子ユニット42は、複数の磁気素子として、一対のサーボ読取素子SR及び複数のデータ読み書き素子DRWを有する。ホルダ44の長手方向の長さは、磁気テープMT0の幅に対して十分に長い。例えば、ホルダ44の長手方向の長さは、磁気素子ユニット42が磁気テープMT上の何れの位置に配置されたとしても、磁気テープMT0の幅を超える長さとされている。サーボ読取素子SRは、本開示の技術に係る「サーボ読取素子」の一例である。
一対のサーボ読取素子SRは、サーボ読取素子SR1及びSR2からなる。サーボ読取素子SR1は、磁気素子ユニット42の一端に配置されており、サーボ読取素子SR2は、磁気素子ユニット42の他端に配置されている。図6に示す例では、サーボ読取素子SR1が、サーボバンドSB2に対応する位置に設けられており、サーボ読取素子SR2が、サーボバンドSB3に対応する位置に設けられている。
複数のデータ読み書き素子DRWは、サーボ読取素子SR1とサーボ読取素子SR2との間に直線状に配置されている。複数のデータ読み書き素子DRWは、磁気ヘッド28の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている(例えば、磁気ヘッド28の長手方向に沿って等間隔に配置されている)。図6に示す例では、複数のデータ読み書き素子DRWが、データバンドDB2に対応する位置に設けられている。
制御装置30は、サーボ読取素子SRによってサーボパターン52が読み取られた結果であるサーボパターン信号を取得し、取得したサーボパターン信号に従ってサーボ制御を行う。ここで、サーボ制御とは、サーボ読取素子SRによって読み取られたサーボパターン52に従って移動機構48を動作させることで磁気ヘッド28を磁気テープMT0の幅方向WDに移動させる制御を指す。
サーボ制御が行われることにより、複数のデータ読み書き素子DRWは、データバンドDB内の指定された領域上に位置し、データバンドDB内の指定された領域に対して磁気的処理を行う。図6に示す例では、データバンドDB2内の指定された領域に対して複数のデータ読み書き素子DRWによって磁気的処理が行われる。
また、磁気素子ユニット42によるデータの読み取り対象とされるデータバンドDBが変更される場合(図6に示す例では、磁気素子ユニット42によるデータの読み取り対象とされるデータバンドDBがデータバンドDB2からDB1に変更される場合)、移動機構48は、制御装置30の制御下で、磁気ヘッド28を幅方向WDに移動させることで、一対のサーボ読取素子SRの位置を変更する。すなわち、移動機構48は、磁気ヘッド28を幅方向WDに移動させることで、サーボ読取素子SR1をサーボバンドSB1に対応する位置に移動させ、サーボ読取素子SR2をサーボバンドSB2に対応する位置に移動させる。これにより、複数のデータ読み書き素子DRWの位置は、データバンドDB2上からデータバンドDB1上に変更され、複数のデータ読み書き素子DRWによってデータバンドDB1に対して磁気的処理が行われる。
ところで、近年、TDS(Transverse Dimensional Stability)の影響を低減する技術に関する研究が進められている。TDSは、温度、湿度、磁気テープがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等に左右され、何ら対策を施さない場合、TDSが大きくなり、データバンドDBに対する磁気的処理が行われる場面でオフトラック(すなわち、データバンドDB内のトラックに対するデータ読み書き素子DRWの位置ずれ)が生じてしまうことが知られている。
図7に示す例では、磁気テープMT0の幅が時間の経過と共に収縮した態様が示されている。この場合、オフトラックが生じる。磁気テープMT0の幅は、拡がる場合もあり、この場合にも、オフトラックが生じる。すなわち、磁気テープMT0の幅が時間の経過と共に縮まったり拡がったりすると、サーボ読取素子SRのサーボパターン52に対する位置が設計的に定められた既定位置(例えば、線状磁化領域54A1、54A2、54B1及び54B2の各々の中心位置)から幅方向WDに外れてしまう。サーボ読取素子SRのサーボパターン52に対する位置が設計的に定められた既定位置から幅方向WDに外れると、サーボ制御の精度が低下し、データバンドDB内のトラックとデータ読み書き素子DRWの位置とがずれてしまう。そうすると、当初予定されていたトラックに対して磁気的処理が行われなくなる。
TDSの影響を低減する方法としては、一例として図8に示すように、磁気テープMT0上で磁気ヘッド28をスキューさせることで、サーボ読取素子SRのサーボパターン52に対する位置を設計的に定められた既定位置に保持する方法が知られている。
磁気ヘッド28は、回転軸RAを備えている。回転軸RAは、磁気ヘッド28に含まれる磁気素子ユニット42の平面視中央部に相当する位置に設けられている。磁気ヘッド28は、回転軸RAを介して傾斜機構49に回転可能に保持されている。磁気ヘッド28には仮想的な中心線である仮想直線C3が設けられている。仮想直線C3は、回転軸RAを通り、かつ、磁気ヘッド28の平面視長手方向(すなわち、複数のデータ読み書き素子DRWが配列された方向)に延びた直線である。磁気ヘッド28は、幅方向WDに沿った仮想的な直線である仮想直線C4に対して仮想直線C3が磁気テープMT0の長手方向LD側に傾斜した姿勢となるように傾斜機構49によって保持されている。図8に示す例では、磁気ヘッド28が、仮想直線C3を仮想直線C4に対して送出リール22側に傾斜した姿勢(すなわち、図8の紙面表側から見た場合の反時計回りで傾斜した姿勢)で傾斜機構49によって保持されている。
傾斜機構49は、傾斜アクチュエータ49A(図5参照)の動力を受けることで、磁気テープMT0の表面31上で回転軸RAを中心にして磁気ヘッド28を回転させる。傾斜機構49は、制御装置30の制御下で、磁気テープMT0の表面31上で回転軸RAを中心にして磁気ヘッド28を回転させることで、仮想直線C3の仮想直線C4に対する傾斜(すなわち、アジマス)の方向及び傾斜の角度を変更する。
仮想直線C3の仮想直線C4に対する傾斜の方向及び傾斜の角度が、温度、湿度、磁気テープMT0がリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等、又は、これらによる磁気テープMTの幅方向WDの伸縮に応じて変更されることにより、サーボ読取素子SRのサーボパターン52に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。
ところで、サーボ読取素子SRは、仮想直線C3に沿って直線状に形成されている。そのため、サーボ読取素子SRによってサーボパターン52Aが読み取られる場合、線状磁化領域対54Aにおいて、線状磁化領域54A1とサーボ読取素子SRとで成す角度と、線状磁化領域54A2とサーボ読取素子SRとで成す角度が異なる。このように角度が異なると、線状磁化領域54A1に由来するサーボパターン信号(すなわち、サーボ読取素子SRによって線状磁化領域54A1が読み取られることによって得られるサーボパターン信号)と線状磁化領域54A2に由来するサーボパターン信号(すなわち、サーボ読取素子SRによって線状磁化領域54A2が読み取られることによって得られるサーボパターン信号)との間にアジマス損失に起因するばらつき(例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等)が生じる。図8に示す例において、サーボ読取素子SRと線状磁化領域54A1とで成す角度は、サーボ読取素子SRと線状磁化領域54A2とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープMTが走行している状態でサーボ読取素子SRがサーボバンドSBを横切って読み取るサーボパターン信号にばらつきが生じることとなる。また、サーボ読取素子SRによってサーボパターン52Bが読み取られる場合にも、線状磁化領域54B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域54B2に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。このようなサーボパターン信号のばらつきは、サーボ制御の精度を低下させる一因になり得る。
そこで、このような事情に鑑み、本実施形態では、一例として図9に示すように、磁気テープMTが採用されている。磁気テープMTは、磁気テープMT0に比べ、サーボパターン52に代えてサーボパターン58を有する点が異なる。サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン58が記録されている。複数のサーボパターン58は、磁気テープMT0に記録されている複数のサーボパターン52と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
図9に示す例では、一組のサーボパターン58の一例として、サーボパターン58A及び58Bが示されている。サーボパターン58A及び58Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン58Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン58Bが位置している。
サーボパターン58は、線状磁化領域対60からなる。線状磁化領域対60は、線状磁化領域対60Aと線状磁化領域対60Bとに類別される。本実施形態において、線状磁化領域対60は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例である。
サーボパターン58Aは、線状磁化領域対60Aからなる。図9に示す例では、線状磁化領域対60Aの一例として、線状磁化領域60A1及び60A2が示されている。線状磁化領域60A1及び60A2の各々は、線状に磁化された領域である。
本実施形態において、線状磁化領域60A1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域60A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域60A1及び60A2は、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域60A1及び60A2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C1に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域60A1は、線状磁化領域60A2よりも、仮想直線C1に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線C1に対する線状磁化領域60A1の角度が、仮想直線C1に対する線状磁化領域60A2の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域60A1の全長は、線状磁化領域60A2の全長よりも短い。
サーボパターン58Aにおいて、線状磁化領域60A1には、複数の磁化直線60A1aが含まれており、線状磁化領域60A2には、複数の磁化直線60A2aが含まれている。線状磁化領域60A1に含まれる磁化直線60A1aの本数と線状磁化領域60A2に含まれる磁化直線60A2aの本数は同じである。
線状磁化領域60A1は、5本の磁化された直線である磁化直線60A1aの集合であり、線状磁化領域60A2は、5本の磁化された直線である磁化直線60A2aの集合である。サーボバンドSB内では、幅方向WDについて線状磁化領域60A1の両端の位置(すなわち、5本の磁化直線60A1aの各々の両端の位置)と線状磁化領域60A2の両端の位置(すなわち、5本の磁化直線60A2aの各々の両端の位置)とが揃っている。なお、ここでは、5本の磁化直線60A1aの各々の両端の位置と5本の磁化直線60A2aの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、5本の磁化直線60A1aのうちの1本以上の磁化直線60A1aの両端の位置と5本の磁化直線60A2aのうちの1本以上の磁化直線60A2aの両端の位置とが揃っていればよい。また、本実施形態において、「揃っている」という概念には、完全に揃っているという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「揃っている」という意味も含まれている。
サーボパターン58Bは、線状磁化領域対60Bからなる。図9に示す例では、線状磁化領域対60Bの一例として、線状磁化領域60B1及び60B2が示されている。線状磁化領域60B1及び60B2の各々は、線状に磁化された領域である。
本実施形態において、線状磁化領域60B1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域60B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域60B1及び60B2は、仮想直線C2に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域60B1及び60B2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C2に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域60B1は、線状磁化領域60B2よりも、仮想直線C2に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線C2に対する線状磁化領域60B1の角度が、仮想直線C2に対する線状磁化領域60B2の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域60B1の全長は、線状磁化領域60B2の全長よりも短い。
サーボパターン58Bにおいて、線状磁化領域60B1には、複数の磁化直線60B1aが含まれており、線状磁化領域60B2には、複数の磁化直線60B2aが含まれている。線状磁化領域60B1に含まれる磁化直線60B1aの本数と線状磁化領域60B2に含まれる磁化直線60B2aの本数は同じである。
サーボパターン58Bに含まれる磁化直線60B1a及び60B2aの総本数は、サーボパターン58Aに含まれる磁化直線60A1a及び60A2aの総本数と異なる。図9に示す例では、サーボパターン58Aに含まれる磁化直線60A1a及び60A2aの総本数が10本であるのに対し、サーボパターン58Bに含まれる磁化直線60B1a及び60B2aの総本数は8本である。
線状磁化領域60B1は、4本の磁化された直線である磁化直線60B1aの集合であり、線状磁化領域60B2は、4本の磁化された直線である磁化直線60B2aの集合である。サーボバンドSB内では、幅方向WDについて線状磁化領域60B1の両端の位置(すなわち、4本の磁化直線60B1aの各々の両端の位置)と線状磁化領域60B2の両端の位置(すなわち、4本の磁化直線60B2aの各々の両端の位置)とが揃っている。
なお、ここでは、4本の磁化直線60B1aの各々の両端の位置と4本の磁化直線60B2aの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、4本の磁化直線60B1aのうちの1本以上の磁化直線60B1aの両端の位置と4本の磁化直線60B2aのうちの1本以上の磁化直線60B2aの両端の位置とが揃っていればよい。
また、ここでは、線状磁化領域60A1の一例として、5本の磁化された直線である磁化直線60A1aの集合を挙げ、線状磁化領域60A2の一例として、5本の磁化された直線である磁化直線60A2aの集合を挙げ、線状磁化領域60B1の一例として、4本の磁化された直線である磁化直線60B1aの集合を挙げ、線状磁化領域60B2の一例として、4本の磁化された直線である磁化直線60B2aの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域60A1は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置の特定に寄与する本数の磁化直線60A1aであり、線状磁化領域60A2は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置の特定に寄与する本数の磁化直線60A2aであり、線状磁化領域60B1は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置を特定に寄与する本数の磁化直線60B1aであり、線状磁化領域60B2磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置の特定に寄与する本数の磁化直線60B2aであればよい。
ここで、線状磁化領域対60Aの磁気テープMT上での幾何特性について、図10を参照しながら説明する。なお、本実施形態において、幾何特性とは、長さ、形状、向き、及び/又は位置等の一般的に認識されている幾何学的な特性を指す。
一例として図10に示すように、線状磁化領域対60Aの磁気テープMT上での幾何特性は、仮想線状領域対62を用いて表現することが可能である。仮想線状領域対62は、仮想線状領域62A及び仮想線状領域62Bからなる。線状磁化領域対60Aの磁気テープMT上での幾何特性は、仮想直線C1に対して線対称に傾けられた仮想線状領域62A及び仮想線状領域62Bの対称軸SA1を仮想直線C1に対して傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対62に基づく幾何特性に相当する。
本実施形態において、仮想線状領域対62は、本開示の技術に係る「一対の仮想線状領域」の一例であり、仮想線状領域62Aは、本開示の技術に係る「一方の仮想線状領域」の一例であり、仮想線状領域62Bは、本開示の技術に係る「他方の仮想線状領域」の一例である。
仮想線状領域対62は、図6に示す線状磁化領域対54Aと同じ幾何特性を有する仮想的な線状の磁化領域対である。仮想線状領域対62は、線状磁化領域対60Aの磁気テープMT上での幾何特性の説明のために便宜的に用いられる仮想的な磁化領域であり、実在する磁化領域ではない。
仮想線状領域62Aは、図6に示す線状磁化領域54A1と同じ幾何特性を有しており、図6に示す5本の磁化直線54A1aに対応する5本の仮想的な直線62A1からなる。仮想線状領域62Bは、図6に示す線状磁化領域54B1と同じ幾何特性を有しており、図6に示す5本の磁化直線54A2aに対応する5本の仮想的な直線62B1からなる。
仮想線状領域対62には、中心O1が設けられている。例えば、中心O1は、5本の直線62A1のうちの順方向の最上流側に位置する直線62A1の中心と、5本の直線62B1のうちの順方向の最下流側に位置する直線62B1の中心とを結ぶ線分L0の中心である。
仮想線状領域対62は、図6に示す線状磁化領域対54Aと同じ幾何特性を有するので、仮想線状領域62A及び仮想線状領域62Bは、仮想直線C1に対して線対称に傾けられている。ここで、中心O1を回転軸として仮想直線C1に対して仮想線状領域62A及び62Bの対称軸SA1を角度a(例えば、10度)傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対62に対して、仮にサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合について考える。この場合、仮想線状領域対62のうち、幅方向WDについて、仮想線状領域62Aは読み取られるが、仮想線状領域62Bは読み取られなかったり、仮想線状領域62Aは読み取られないが、仮想線状領域62Bは読み取られたりする箇所が生じる。すなわち、仮想線状領域62A及び62Bの各々において、サーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合に、不足する部分と不要な部分とが生じる。
そこで、不足する部分を補い、かつ、不要な部分を削ることにより、幅方向WDについて、仮想線状領域62Aの両端の位置(すなわち、5本の直線62A1の各々の両端の位置)と、仮想線状領域62Bの両端の位置(すなわち、5本の直線62B1の各々の両端の位置)とを揃える。
このようにして得られた仮想線状領域対62の幾何特性(すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性)は、実際のサーボパターン58Aの幾何特性に相当する。すなわち、サーボバンドSBには、幅方向WDについて仮想線状領域62Aの両端の位置と仮想線状領域62Bの両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対62の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対60Aが記録される。
ここで、線状磁化領域対60Aの幾何特性のうちの仮想直線C1に対する傾きについて図11を参照して説明する。線状磁化領域対60Aの幾何特性は、仮想線状領域対62の幾何特性に相当する。従って、線状磁化領域対60Aは、仮想線状領域対62と同様に、中心O1を回転軸として仮想直線C1に対して線状磁化領域60A1及び60B2の対称軸SA2を角度α(すなわち、角度aに相当)傾斜させて得られる。すなわち、線状磁化領域対60Aの全体が、仮想直線C1に対して角度α傾斜している。従って、線状磁化領域対60Aを含むサーボパターン58も仮想直線C1に対して角度α(以下、サーボパターン58の傾斜角度αと称する)傾斜している。
さらに、線状磁化領域対60Aのうちの線状磁化領域60A1は、仮想直線C1に対して角度θa(以下、線状磁化領域60A1の傾斜角度θaと称する)傾斜している。また、線状磁化領域対60Aのうちの線状磁化領域60A2は、仮想直線C1に対して角度θb(以下、線状磁化領域60A2の傾斜角度θbと称する)傾斜している。線状磁化領域60A1の傾斜角度θa及び線状磁化領域60A2の傾斜角度θbは、何れもサーボパターン58の傾斜角度αに対応している。
なお、線状磁化領域対60Bは、線状磁化領域対60Aに比べ、5本の磁化直線60A1aに代えて4本の磁化直線60B1aを有する点、及び、5本の磁化直線60A2aに代えて4本の磁化直線60B2aを有する点のみが異なる。よって、サーボバンドSBには、幅方向WDについて4本の直線62A1の各々の両端の位置と4本の直線62B1の各々の両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対(図示省略)の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対60Bが記録される。
一例として図12に示すように、仮想直線C1の方向と仮想直線C3の方向とが一致している状態(すなわち、磁気ヘッド28の長手方向と幅方向WDが一致している状態)でサーボ読取素子SRによってサーボパターン58A(すなわち、線状磁化領域対60A)が読み取られると、線状磁化領域60A1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60A2に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが生じる。また、仮想直線C1の方向と仮想直線C3の方向とが一致している状態(すなわち、磁気ヘッド28の長手方向と幅方向WDが一致している状態)でサーボ読取素子SRによってサーボパターン58B(すなわち、線状磁化領域対60B)が読み取られた場合も、同様の現象が生じる。
ここで、一例として図13に示すように、傾斜機構49(図8参照)は、仮想直線C1に対して仮想直線C3が順方向の上流側に角度β(すなわち、図13の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度β、)傾くように回転軸RAを中心として磁気ヘッド28を磁気テープMT上でスキューさせる(以下、説明の便宜上、仮想直線C1に対する仮想直線C3の角度を「磁気ヘッドスキュー角度」と称する)。この場合であっても、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度との間に大きなずれ(例えば、サーボパターン58の傾斜角度αが5度であり、磁気ヘッドスキュー角度が10度)があると、アジマス損失によるサーボパターン信号のばらつきが生じる場合がある。
図13に示す例において、サーボ読取素子SRと線状磁化領域60A1とで成す角度は、サーボ読取素子SRと線状磁化領域60A2とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープMTが走行している状態でサーボ読取素子SRがサーボバンドSBを横切って読み取るサーボパターン信号にばらつきが生じることとなる。また、サーボ読取素子SRによってサーボパターン58Bが読み取られる場合にも、線状磁化領域60B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60B2に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。
そこで、一例として図14に示すように、制御装置30は、磁気テープMTのサーボフォーマット情報SFに基づいて、磁気ヘッド28のスキュー角度制御を行う。サーボフォーマット情報SFは、磁気テープカートリッジ12に設けられたカートリッジメモリ24に記憶されている。制御装置30は、非接触式読み書き装置46を介して、カートリッジメモリ24からサーボフォーマット情報SFを取得する。
サーボフォーマット情報SFには、サーボパターン傾斜情報SF1が含まれている。サーボパターン傾斜情報SF1とは、サーボパターン58の傾斜に関する情報を指す。サーボパターン傾斜情報SF1として、例えば、サーボパターン58の傾斜角度αを示す情報が挙げられるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、サーボパターン傾斜情報SF1としては、線状磁化領域60A1の仮想直線C1に対する角度θa(図11参照)及び線状磁化領域60A2の仮想直線C1に対する角度θb(図11参照)を示す情報を含む。同様に、サーボパターン傾斜情報SF1は、線状磁化領域60B1の仮想直線C2に対する角度θa(図11参照)及び線状磁化領域60B2の仮想直線C2に対する角度θb(図11参照)を示す情報を含む。
サーボパターン58の傾斜角度αは、例えば、磁気テープMTの製造段階においてサーボパターン58が記録される場合のサーボパターン記録ヘッドWH(図18参照)のスキュー角度に相当し、磁気テープMTの製造段階で得られる角度であるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、サーボパターン傾斜情報SF1は、磁気テープMTの製造段階におけるサーボパターン58の傾斜角度αの設計値又は実測値(例えば、実際に磁気テープMTに対して記録されたサーボパターン58の傾斜角度αそのもの)であってもよいし、磁気テープMTの幅の変化に伴うサーボパターン58の傾斜角度αの変化に関するシミュレーション及び/又は実験等から求められた結果でもよい。また、サーボパターン傾斜情報SF1は、磁気テープMTが現像されることで得られた画像に像として写っているサーボパターン58の傾斜角度αであってもよい。更に、サーボパターン傾斜情報SF1は、磁気テープMTの全長にわたって磁気テープMTの幅が変化する量の測定結果(以下、「幅変化量測定結果」とも称する)に基づいて、サーボパターン58の傾斜角度αが算出された結果であってもよい。この場合、傾斜角度αの基準値として予め定められた固定値と幅変化量測定結果に基づく変数とを用いた関数からサーボパターン傾斜情報SF1が算出されるようにしてもよい。
制御装置30は、サーボフォーマット情報SFに基づいて傾斜機構49を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。例えば、磁気ヘッドスキュー角度は、サーボパターン58の傾斜角度αと同じ角度に調整される。また、本実施形態において、「同じ」という概念には、完全に同じという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「同じ」という意味も含まれている。
また、磁気ヘッドスキュー角度は、アジマス損失が許容範囲(以下、単に「許容範囲」とも称する)内に収まる角度に調整されるようにしてもよい。ここで、許容範囲とは、サーボパターン58が検出される確度が一定以上となる範囲を指す。このように磁気ヘッドスキュー角度が許容範囲内に収まるようにする場合、例えば、制御装置30は、サーボフォーマット情報SFを参照して許容範囲内に収まる角度を磁気ヘッドスキュー角度として導出すればよい。なお、許容範囲内に収まる角度は、例えば、サーボフォーマット情報SFと磁気ヘッドスキュー角度とを対応付けたテーブル又は演算式から導出されるようにすればよい。
一例として図15に示すように、傾斜機構49は、仮想直線C1に対して仮想直線C3が順方向の上流側に角度γ(すなわち、図15の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ)傾くように回転軸RAを中心として磁気ヘッド28を磁気テープMT上でスキューさせる。このように、磁気テープMT上で磁気ヘッド28が順方向の上流側に角度γ傾く。ここで、角度γは、サーボパターン58の傾斜角度αと同じである。この結果、図12及び図13に示す例に比べ、線状磁化領域60A1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60A2に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子SRによってサーボパターン58B(すなわち、線状磁化領域対60B)が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域60B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60B2に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
一例として図16に示すように、制御装置30は、制御部30A及び位置検出部30Bを有する。位置検出部30Bは、第1位置検出部30B1及び第2位置検出部30B2を有する。位置検出部30Bは、サーボ読取素子SRによってサーボバンドSBが読み取られた結果であるサーボバンド信号Sを取得し、取得したサーボバンド信号Sに基づいて、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の位置を検出する。サーボバンド信号Sには、サーボパターン58が読み取られた結果であるサーボパターン信号の他に、サーボ制御に不要な信号(例えば、ノイズ等)も含まれている。従って、サーボパターン信号に基づく制御(例えば、サーボ制御等)を高精度に実現するためには、制御装置30が、サーボバンド信号Sからサーボパターン信号を高精度に検出する必要がある。
サーボバンド信号Sは、第1サーボバンド信号S1と第2サーボバンド信号S2とに類別される。第1サーボバンド信号S1は、サーボ読取素子SR1によってサーボバンドSB2が読み取られた結果であるサーボバンド信号Sであり、第2サーボバンド信号S2は、サーボ読取素子SR2によってサーボバンドSB3が読み取られた結果であるサーボバンド信号Sである。
第1位置検出部30B1は、第1サーボバンド信号S1を取得し、第2位置検出部30B2は、第2サーボバンド信号S2を取得する。図16に示す例では、第1位置検出部30B1が、サーボ読取素子SR1によってサーボバンドSB2が読み取られることによって得られた第1サーボバンド信号S1を取得し、第2位置検出部30B2が、サーボ読取素子SR2によってサーボバンドSB3が読み取られることによって得られた第2サーボバンド信号S2を取得する。第1位置検出部30B1は、第1サーボバンド信号S1に基づいて、サーボバンドSB2に対するサーボ読取素子SR1の位置を検出し、第2位置検出部30B2は、第2サーボバンド信号S2に基づいて、サーボバンドSB3に対するサーボ読取素子SR2の位置を検出する。
制御部30Aは、第1位置検出部30B1での位置検出結果(すなわち、第1位置検出部30B1によって位置が検出された結果)及び第2位置検出部30B2での位置検出結果(すなわち、第2位置検出部30B2によって位置が検出された結果)に基づいて各種制御を行う。ここで、各種制御とは、例えば、サーボ制御、スキュー角度制御、及び/又は張力制御等を指す。張力制御とは、磁気テープMTに付与する張力(例えば、TDSの影響を低減するための張力)の制御を指す。
一例として図17に示すように、位置検出部30Bは、磁気テープMTからサーボ読取素子SRによってサーボパターン58が読み取られた結果であるサーボパターン信号を、自己相関係数を用いて検出する。
カートリッジメモリ24には、理想波形信号66が記憶されている。すなわち、カートリッジメモリ24に記憶されたサーボフォーマット情報SFには、理想波形信号66が含まれる。理想波形信号66は、サーボバンド信号Sに含まれる単発の理想波形を示す信号(例えば、サーボパターン58に含まれる理想的な磁化直線の1本がサーボ読取素子SRによって読み取られた結果である理想的な信号)である。理想波形信号66は、サーボバンド信号Sと比較される見本信号とも言える。なお、ここでは、カートリッジメモリ24に理想波形信号66が記憶されている形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、例えば、カートリッジメモリ24と共に、理想波形信号66がストレージ32に記憶されていてもよい。また、磁気テープMTの先頭に設けられたBOT領域MT1(図41参照)、及び/又は、磁気テープMTの後尾に設けられたEOT領域MT2(図41参照)に理想波形信号66が記録されていてもよい。
位置検出部30Bによって用いられる自己相関係数は、サーボバンド信号Sと理想波形信号66との相関の度合いを示す係数である。位置検出部30Bは、ストレージ32から理想波形信号66を取得し、取得した理想波形信号66とサーボバンド信号Sとを比較する。そして、位置検出部30Bは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。位置検出部30Bは、サーボバンドSB上において、サーボバンド信号Sと理想波形信号66との相関が高い位置(例えば、サーボバンド信号Sと理想波形信号66とが一致する位置)を、自己相関係数に従って検出する。
サーボバンドSBに対するサーボ読取素子SRの位置は、例えば、サーボパターン58A及び58Bの長手方向LDの間隔に基づいて検出される。例えば、サーボパターン58A及び58Bの長手方向LDの間隔は、自己相関係数に従って検出される。サーボ読取素子SRがサーボパターン58の上側(すなわち、図16中の紙面正面視の上側)に位置している場合、線状磁化領域60A1と線状磁化領域60A2との間隔は狭くなり、かつ、線状磁化領域60B1と線状磁化領域60B2との間隔も狭くなる。これに対し、サーボ読取素子SRがサーボパターン58の下側(すなわち、図16中の紙面正面視の下側)に位置している場合、線状磁化領域60A1と線状磁化領域60A2との間隔は広くなり、かつ、線状磁化領域60B1と線状磁化領域60B2との間隔も広くなる。このようにして、位置検出部30Bは、自己相関係数に従って検出した線状磁化領域60A1と線状磁化領域60A2との間隔、及び、線状磁化領域60B1と線状磁化領域60B2との間隔を用いて、サーボバンドSBに対するサーボ読取素子SRの位置の検出を行う。
制御部30Aは、位置検出部30Bでの位置検出結果(すなわち、位置検出部30Bによって位置が検出された結果)に基づいて移動機構48を動作させることで磁気ヘッド28の位置を調整する。また、制御部30Aは、磁気素子ユニット42に対して磁気テープMTのデータバンドDBに対して磁気的処理を行わせる。すなわち、制御部30Aは、磁気素子ユニット42から読取信号(すなわち、磁気素子ユニット42によって磁気テープMTのデータバンドDBから読み取られたデータ)を取得したり、磁気素子ユニット42に記録信号を供給することで記録信号に応じたデータを磁気テープMTのデータバンドDBに記録したりする。
また、TDSの影響を低減するために、制御部30Aは、位置検出部30Bでの位置検出結果からサーボバンドピッチを算出し、算出したサーボバンドピッチに従って、張力制御を行ったり、磁気テープMT上で磁気ヘッド28をスキューさせたりする。張力制御は、送出モータ36及び巻取モータ40の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることによって実現される。磁気ヘッド28のスキューは、傾斜機構49を作動させることによって実現される。
次に、磁気テープMTの製造工程に含まれる複数の工程のうち、磁気テープMTのサーボバンドSBにサーボパターン58を記録するサーボパターン記録工程、及び磁気テープMTを巻き取る巻取工程の一例について説明する。
一例として図18に示すように、サーボパターン記録工程では、サーボライタSWが用いられる。サーボライタSWは、送出リールSW1、巻取リールSW2、駆動装置SW3、パルス信号生成器SW4、サーボライタコントローラSW5、複数のガイドSW6、搬送路SW7、サーボパターン記録ヘッドWH、及びベリファイヘッドVHを備えている。
サーボライタコントローラSW5は、サーボライタSWの全体を制御する。本実施形態において、サーボライタコントローラSW5は、ASICによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、サーボライタコントローラSW5は、FPGA及び/又はPLCによって実現されるようにしてもよい。また、サーボライタコントローラSW5は、CPU、フラッシュメモリ(例えば、EEPROM、及び/又は、SSD等)、及びRAMを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ASIC、FPGA、PLC、及びコンピュータのうちの2つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、サーボライタコントローラSW5は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
送出リールSW1には、パンケーキがセットされている。パンケーキとは、サーボパターン58の書き込み前に幅広のウェブ原反から製品幅に裁断された磁気テープMTがハブに巻き掛けられた大径ロールを指す。
駆動装置SW3は、モータ(図示省略)及びギア(図示省略)を有しており、送出リールSW1及び巻取リールSW2に機械的に接続されている。磁気テープMTが巻取リールSW2によって巻き取られる場合、駆動装置SW3は、サーボライタコントローラSW5からの指示に従って、動力を生成し、生成した動力を送出リールSW1及び巻取リールSW2に伝達することで送出リールSW1及び巻取リールSW2を回転させる。すなわち、送出リールSW1は、駆動装置SW3から動力を受けて回転することで、磁気テープMTを既定の搬送路SW7に送り出す。巻取リールSW2は、駆動装置SW3から動力を受けて回転することで、送出リールSW1から送り出された磁気テープMTを巻き取る。送出リールSW1及び巻取リールSW2の回転速度及び回転トルク等は、巻取リールSW2に対して磁気テープMTを巻き取らせる速度に応じて調整される。
搬送路SW7上には、複数のガイドSW6及びサーボパターン記録ヘッドWHが配置されている。サーボパターン記録ヘッドWHは、複数のガイドSW6間で、磁気テープMTの表面31側に配置されている。送出リールSW1から搬送路SW7に送り出された磁気テープMTは、複数のガイドSW6に案内されてサーボパターン記録ヘッドWH上を経由して巻取リールSW2によって巻き取られる。
磁気テープMTの製造工程には、サーボパターン記録工程の他にも複数の工程が含まれている。複数の工程には、検査工程及び巻取工程が含まれている。
例えば、検査工程は、サーボパターン記録ヘッドWHによって磁気テープMTの表面31に形成されたサーボバンドSBを検査する工程である。サーボバンドSBの検査とは、例えば、サーボバンドSBに記録されたサーボパターン58の正否を判定する処理を指す。サーボパターン58の正否の判定とは、例えば、サーボパターン58A及び58Bが表面31内の事前に決められた箇所に対して、磁化直線60A1a、60A2a、60B1a及び60B2aが過不足なく、かつ、許容誤差内で記録されているか否かの判定(すなわち、サーボパターン58のベリファイ)を指す。
検査工程は、サーボライタコントローラSW5及びベリファイヘッドVHを用いることによって行われる。ベリファイヘッドVHは、サーボパターン記録ヘッドWHよりも、磁気テープMTの搬送方向の下流側に配置されている。また、ベリファイヘッドVHには、磁気ヘッド28と同様に、複数のサーボ読取素子(図示省略)が設けられており、複数のサーボ読取素子によって複数のサーボバンドSBに対する読み取りが行われる。更に、ベリファイヘッドVHは、磁気ヘッド28と同様に、磁気テープMTの表面31上でスキューされている。なお、ベリファイヘッドVHは、本開示の技術に係る「磁気ヘッド」の一例である。
ベリファイヘッドVHは、サーボライタコントローラSW5に接続されている。ベリファイヘッドVHには、磁気テープMTの表面31側(すなわち、ベリファイヘッドVHの背面側)から見てサーボバンドSBに対して正対する位置に配置されており、サーボバンドSBに記録されたサーボパターン58を読み取り、読み取った結果(以下、「サーボパターン読取結果」と称する)をサーボライタコントローラSW5に出力する。サーボライタコントローラSW5は、ベリファイヘッドVHから入力されたサーボパターン読取結果(例えば、サーボバンド信号S)に基づいてサーボバンドSBの検査(例えば、サーボパターン58の正否の判定)を行う。例えば、サーボライタコントローラSW5は、図17に示す位置検出部30Bとして動作することによりサーボパターン読取結果から位置検出結果を取得し、位置検出結果を用いてサーボパターン58の正否を判定することでサーボバンドSBの検査を行う。
サーボライタコントローラSW5は、サーボバンドSBを検査した結果(例えば、サーボパターン58の正否を判定した結果)を示す情報を既定の出力先(例えば、ストレージ32(図3参照)、UI系装置34(図3参照)、及び/又は外部装置37(図3参照)等)に出力する。
例えば、検査工程が終了すると、次に、巻取工程が行われる。巻取工程は、複数の磁気テープカートリッジ12(図1~図4参照)のそれぞれに対して用いられる送出リール22(すなわち、磁気テープカートリッジ12(図1~図4参照)に収容される送出リール22(図2~図4参照))に磁気テープMTを巻回する工程である。巻取工程では、巻取モータMが用いられる。巻取モータMは、送出リール22にギア等を介して機械的に接続されている。巻取モータMは、制御装置(図示省略)の制御下で、送出リール22に対して回転力を付与することで送出リール22を回転させる。巻取リールSW2に巻き取られた磁気テープMTは、送出リール22の回転によって送出リール22に巻き取られる。巻取工程では、裁断装置(図示省略)が用いられる。複数の送出リール22の各々について、送出リール22によって必要な分の磁気テープMTが巻き取られると、巻取リールSW2から送出リール22に送出される磁気テープMTが裁断装置によって裁断される。
パルス信号生成器SW4は、サーボライタコントローラSW5の制御下で、パルス信号を生成し、生成したパルス信号をサーボパターン記録ヘッドWHに供給する。磁気テープMTが搬送路SW7上を一定の速度で走行している状態で、サーボパターン記録ヘッドWHは、パルス信号生成器SW4から供給されたパルス信号に従ってサーボパターン58をサーボバンドSBに記録する。
次に、磁気テープシステム10の作用について説明する。
本実施形態に係る磁気テープシステム10では、一例として図19に示すように、制御装置30(図3等参照)によって、サーボパターン検出処理が行われる。なお、図19に示すサーボパターン検出処理の流れは、本開示の技術に係る「サーボパターンの検出方法」の一例である。
図19に示すサーボパターン検出処理では、先ず、ステップST10で、制御装置30は、サーボフォーマット情報SFを取得する。例えば、制御装置30は、非接触式読み書き装置46を介して、カートリッジメモリ24からサーボフォーマット情報SFを取得する。ステップST10の処理が実行された後、サーボパターン検出処理は、ステップST12へ移行する。
ステップST12で、制御装置30は、ステップST10でカートリッジメモリ24から取得したサーボフォーマット情報SFに応じた処理を実行する。例えば、制御装置30は、サーボフォーマット情報SFに含まれるサーボパターン傾斜情報SF1に基づいて傾斜機構49を動作させる。ステップST12の処理が実行された後、サーボパターン検出処理が終了する。
以上説明したように、磁気テープカートリッジ12は、磁気テープドライブ14に装填される。磁気テープドライブ14では、磁気テープMTに対して磁気素子ユニット42(図3及び図17参照)による磁気的処理が行われる場合、磁気テープカートリッジ12から磁気テープMTが引き出され、磁気ヘッド28のサーボ読取素子SRによってサーボバンドSB内のサーボパターン58が読み取られる。
本実施形態に係る磁気テープカートリッジ12には、カートリッジメモリ24が設けられている。カートリッジメモリ24には、サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報SF1を含むサーボフォーマット情報SFが格納されている。制御装置30は、サーボフォーマット情報SFに基づいて傾斜機構49を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が、サーボパターン58の傾斜角度αと近くなる。従って、本構成によれば、サーボパターン58の傾斜に関する情報を考慮せずにサーボパターン58を読み取る場合と比較して、サーボパターン信号のばらつきが小さくなるので、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
図9及び図10に示すように、磁気テープMTのサーボバンドSBに記録されているサーボパターン58Aに含まれる線状磁化領域60A1及び60A2は、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられている。一方、図14及び図15に示すように、磁気テープMT上で磁気ヘッド28も、順方向の上流側に角度γ(すなわち、図14及び15の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ)傾けられている。この状態で、サーボパターン58Aがサーボ読取素子SRによって読み取られると、線状磁化領域60A1とサーボ読取素子SRとで成す角度と、線状磁化領域60A2とサーボ読取素子SRとで成す角度とが近くなるため、アジマス損失に起因するサーボパターン信号のばらつきは、従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A1に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A2に由来するサーボパターン信号との間で生じるばらつきよりも少なくなる。
この結果、従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A1に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきに比べ、線状磁化領域60A1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60A2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきが小さくなり、従来既知のサーボパターン52Aから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる(以下、この効果を「第1の効果」とも称する)。なお、図14及び図15に示すように、磁気テープMT上で磁気ヘッド28が、順方向の上流側に角度γ(すなわち、図14及び図15の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ)傾けられた状態で、サーボパターン58Bがサーボ読取素子SRによって読み取られる場合も、第1の効果と同様の効果(以下、この効果を「第2の効果」とも称する)が得られる。
また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ12のカートリッジメモリ24に記憶されたサーボパターン傾斜情報SF1は、線状磁化領域60A1の仮想直線C1に対する角度θaに関する情報、及び線状磁化領域60A2の仮想直線C1に対する角度θbに関する情報を含む。従って、本構成によれば、線状磁化領域60A1及び60A2の何れかの仮想直線C1に対する傾斜角度の情報しか考慮しない場合、及び線状磁化領域60B1及び60B2の何れかの仮想直線C2に対する傾斜角度の情報しか考慮しない場合と比較して、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
ところで、幅方向WDについて線状磁化領域60A1の両端の位置と線状磁化領域60A2の両端の位置とが揃っていないと、サーボ読取素子SRによって線状磁化領域60A1の一端部は読み取られるが、線状磁化領域60A2の一端部は読み取られなかったり、サーボ読取素子SRによって線状磁化領域60A1の他端部は読み取られるが、線状磁化領域60A2の他端部は読み取られなかったりする。
そこで、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ12の有する磁気テープMTでは、サーボバンドSB内で幅方向WDについて線状磁化領域60A1の両端の位置(すなわち、5本の磁化直線60A1aの各々の両端の位置)と線状磁化領域60A2の両端の位置(すなわち、5本の磁化直線60A2aの各々の両端の位置)とを揃えている。従って、サーボパターン58Aに対するサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合、幅方向WDについて線状磁化領域60A1の両端の位置と線状磁化領域60A2の両端の位置とが揃っていない場合に比べ、サーボ読取素子SRに対して線状磁化領域60A1及び60A2を過不足なく読み取らせることができる。この結果、幅方向WDについて線状磁化領域60A1の両端の位置と線状磁化領域60A2の両端の位置とが揃っていない場合に比べ、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる(以下、この効果を「第3の効果」と称する)。なお、サーボパターン58Bに対するサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合も、第3の効果と同様の効果(以下、この効果を「第4の効果」とも称する)が得られる。
図9及び図10に示すように線状磁化領域60A1の仮想直線C1に対する勾配が、線状磁化領域60A2の仮想直線C1に対する勾配よりも急であるにも拘らず、線状磁化領域60A1の全長を線状磁化領域60A2の全長よりも長くすると、線状磁化領域60A1と線状磁化領域60A2との間でサーボ読取素子SRによって読み取られる部分と読み取られない部分とが生じる。また、線状磁化領域60B1の全長を線状磁化領域60B2の全長よりも長くした場合であっても、線状磁化領域60B1と線状磁化領域60B2との間でサーボ読取素子SRによって読み取られる部分と読み取られない部分とが生じる。そこで、本実施形態に係る磁気テープMTでは、線状磁化領域60A1の全長が線状磁化領域60A2の全長よりも短くされており、線状磁化領域60B1の全長が線状磁化領域60B2の全長よりも長くされている。これにより、線状磁化領域60A1及び60A2に対するサーボ読取素子SRによる読み取り、及び線状磁化領域60B1及び60B2に対するサーボ読取素子SRによる読み取りを過不足なく行うことができる(以下、この効果を「第5の効果」と称する)。
また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ12の有する磁気テープMTでは、線状磁化領域60A1は、5本の磁化直線60A1aの集合であり、線状磁化領域60A2は、5本の磁化直線60A2aの集合である。また、線状磁化領域60B1は、4本の磁化直線60B1aの集合であり、線状磁化領域60B2は、4本の磁化直線60B2aの集合である。従って、各線状磁化領域が1本の磁化直線からなる場合に比べ、サーボパターン58から得られる情報量を多くすることができ、この結果、高精度なサーボ制御を実現することができる(以下、この効果を「第6の効果」と称する)。
また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ12の有する磁気テープMTでは、線状磁化領域対60Aの磁気テープMT上での幾何特性が、仮想線状領域対62の対称軸SA1を仮想直線C1に対して傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させた場合の仮想線状領域62Aの両端の位置と仮想線状領域62Bの両端の位置とを幅方向WDで揃えた幾何特性に相当する。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Aに対してサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域60A1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60A2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Aから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる(以下、この効果を「第7の効果」と称する)。
なお、線状磁化領域対60Bは、線状磁化領域対60Aに比べ、線状磁化領域60A1に代えて線状磁化領域60B1を有する点、及び線状磁化領域60A2に代えて線状磁化領域60B2を有する点のみが異なる。このように構成された線状磁化領域対60Bに対しても、線状磁化領域対60Aと同様にサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる。従って、本構成によれば、サーボパターン58の傾斜に関する情報を考慮せずにサーボパターン58を読み取る場合と比較して、サーボパターン信号のばらつきが小さくなる結果、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
また、線状磁化領域対60Bは、線状磁化領域対60Aに比べ、線状磁化領域60A1に代えて線状磁化領域60B1を有する点、及び線状磁化領域60A2に代えて線状磁化領域60B2を有する点のみが異なる。このように構成された線状磁化領域対60Bに対しても、線状磁化領域対60Aと同様にサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Bに対してサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域60B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60B2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Bから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる(以下、この効果を「第8の効果」と称する)。
また、線状磁化領域対60Bに対して、線状磁化領域対60Aと同様にサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Bに対してサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域60B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域60B2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Bから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。
本実施形態では、サーボ読取素子SRによってサーボパターン58が読み取られた結果であるサーボパターン信号が自己相関係数を用いて検出される(図17参照)。これにより、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン信号を検出する場合に比べ、サーボパターン信号を精度良く検出することができる(以下、この効果を「第9の効果」と称する)。
本実施形態に係る磁気テープカートリッジ12は、カートリッジメモリ24を有する。カートリッジメモリ24には、サーボフォーマット情報SFが記憶されている。従って、本構成によれば、サーボフォーマット情報SFを記憶するための別途の手段を磁気テープカートリッジ12に設ける場合と比較して、磁気テープカートリッジ12を簡素な構成とすることができる。
[第1変形例]
上記第1実施形態では、制御部30Aが、位置検出部30Bによるサーボ読取素子SRの位置検出結果に基づいて、サーボ制御、スキュー角度制御、及び/又は張力制御等の各種制御を行う形態例を挙げて説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されない。本第1変形例では、位置検出部30Bによるサーボ読取素子SRの位置検出に代えて、PES算出部30Cが、サーボバンド信号SからPESの算出を行う。そして、制御部30Aは、PES算出部30CによるPESの算出結果に基づいて各種制御を行う。
先ず、位置検出部30Bは、上述したように、自己相関係数を用いてサーボバンド信号Sからサーボパターン信号SPを検出する。そして、一例として図20に示すように、位置検出部30Bは、サーボパターン信号SPをPES算出部30Cに出力する。ここで、サーボパターン信号SPには、第1位置検出部30B1(図16参照)が検出した第1サーボパターン信号SP1と、第2位置検出部30B2(図16参照)が検出した第2サーボパターン信号SP2とが含まれる。
制御装置30は、PES算出部30Cを有する。PES算出部30Cは、位置検出部30Bから取得したサーボパターン信号SPに基づいて、PESを算出する。例えば、PES算出部30Cは、第1位置検出部30B1から入力された第1サーボパターン信号SP1に基づいて第1PESを算出する。また、PES算出部30Cは、第2位置検出部30B2から入力された第2サーボパターン信号SP2に基づいて第2PESを算出する。
第1PESとは、サーボバンドSB2上でサーボ読取素子SR1が本来位置する箇所から幅方向WDに沿ってずれている量を示す信号であるPESを指す。第2PESとは、サーボバンドSB3上でサーボ読取素子SR2が本来位置する箇所から幅方向WDに沿ってずれている量を示す信号であるPESを指す。説明の便宜上、第1PESと第2PESとを区別して説明する必要がない場合、「PES」と称する。
PESは、下記の数式(1)を用いて算出される。
Figure 2023067268000002
数式(1)に示されるθAiは、線状磁化領域60A1の仮想直線C1に対する角度である。また、θBiは、上述したように、線状磁化領域60A2の仮想直線C1に対する角度である。ここで、θAiは、図11に示したθaに相当し、θBiは、図11に示したθbに相当する。
数式(1)において、第2距離Aiとは、例えば、1つのサーボパターン58A内において線状磁化領域60A1のうちの最下流側の磁化直線60A1aと、線状磁化領域60A2のうちの最下流側の磁化直線60A2aとがサーボ読取素子SRによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。第1距離Biとは、例えば、サーボパターン58のうちの一方のサーボパターン58A内の最下流側の磁化直線60A1aと、隣接するサーボパターン58B内の最下流側の磁化直線60B1aとがサーボ読取素子SRによって読み取られることで得た結果から算出された距離を指す。
制御部30Aは、PES算出部30Cが算出したPESに基づいてサーボバンドSBに対するサーボ読取素子SRの位置を検出する。制御部30Aは、第1PESに基づいてサーボバンドSB2に対するサーボ読取素子SR1の位置を検出する。また、制御部30Aは、第2PESに基づいてサーボバンドSB3に対するサーボ読取素子SR2の位置を検出する。さらに、制御部30Aは、サーボバンドSBに対するサーボ読取素子SRの位置検出結果に基づいてサーボ制御、スキュー角度制御、及び/又は張力制御等の各種制御を行う(図17参照)。
以上説明したように、本第1変形例によれば、制御部30Aは、PES算出部30Cが算出したPESを用いてサーボバンドSBに対するサーボ読取素子SRの位置検出を行う。さらに、制御部30Aは、サーボ読取素子SRの位置検出結果に基づいてサーボ制御、スキュー角度制御、及び/又は張力制御等の各種制御を行う。これにより、サーボバンドSB上のサーボ読取素子SRの位置が調整される。従って、本構成によれば、サーボ読取素子SRのサーボパターン58に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。
また、本第1変形例によれば、PESは、上記数式(1)に基づいて算出される。上記数式(1)は、サーボパターン58の傾斜を考慮した式である。そのため、上記数式(1)を用いることにより、サーボパターン58の傾斜を考慮したPESの算出が可能となる。これにより、サーボパターン58が傾斜を考慮した数式を用いてPESを算出した結果に基づいて各種制御が行われる。従って、本構成によれば、サーボ読取素子SRのサーボパターン58に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。
[第2変形例]
上記第1実施形態では、サーボフォーマット情報SFには、サーボパターン傾斜情報SF1が含まれる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本題2変形例では、サーボフォーマット情報SFには、磁気テープMTの幅に関する情報(以下、磁気テープ幅変化情報SF2とも称する)、及びサーボパターン58の幾何特性に関する情報(以下、サーボパターン幾何特性情報SF3とも称する)が含まれる。磁気テープ幅変化情報SF2とは、例えば、磁気テープMTの全長方向における幅変化(すなわち、経時的な幅変化の度合い)を示す情報である。また、サーボパターン幾何特性情報SF3とは、例えば、サーボパターン58の長さ、形状、向き、及び位置を示す情報である。磁気テープ幅変化情報SF2は、本開示の技術に係る「磁気テープの幅に関する情報」の一例であり、サーボパターン幾何特性情報SF3は、本開示の技術に係る「磁気テープの幾何特性に関する情報」の一例である。
一例として図21に示すように、カートリッジメモリ24には、磁気テープ幅変化情報SF2及びサーボパターン幾何特性情報SF3が記憶されている。制御装置30は、非接触式読み書き装置46を介してカートリッジメモリ24から磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3を取得する。制御装置30は、磁気テープ幅変化情報SF2に基づいて傾斜機構49を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。例えば、傾斜機構49は、磁気テープMTの全長方向において磁気テープMTの幅が狭くなっている領域では、サーボパターン傾斜情報SF1により示されたサーボパターン58の傾斜角度αよりも磁気ヘッドスキュー角度を大きくする。一方、傾斜機構49は、磁気テープMTの幅が広くなっている領域では、サーボパターン傾斜情報SF1により示されたサーボパターン58の傾斜角度αよりも磁気ヘッドスキュー角度を小さくする。
また、制御装置30は、サーボパターン幾何特性情報SF3に基づいて傾斜機構49を動作させる。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。例えば、傾斜機構49は、サーボパターン幾何特性情報SF3により示されたサーボパターン58の磁気テープMTの全長方向における部分的な位置ずれ(例えば、幅方向WDの位置ずれ)又は向きの変化に応じて磁気ヘッドスキュー角度を調整する。
以上説明したように、本第2変形例によれば、サーボフォーマット情報SFには、磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3が含まれる。そして、制御装置30は、カートリッジメモリ24から磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3を取得する。制御装置30は、磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3に基づいて傾斜機構49の動作を制御する。これにより、磁気ヘッドスキュー角度が調整される。従って、本構成によれば、磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3が考慮されない場合と比較して、信頼性の高いサーボパターン信号が得られる。
なお、本第2変形例として、サーボフォーマット情報SFに磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3が含まれる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。サーボフォーマット情報SFには、磁気テープ幅変化情報SF2、及びサーボパターン幾何特性情報SF3のうちの何れかが含まれる形態であってもよい。
また、本第2変形例として、サーボパターン幾何特性情報SF3に、サーボパターン58の長さ、形状、向き、及び位置を示す情報が含まれる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。サーボパターン幾何特性情報SF3として、サーボパターン58の長さ、形状、向き、及び位置を示す情報のうちの何れか1つ又は2つ以上が、サーボパターン幾何特性情報SF3として用いられてもよい。
[第3変形例]
上記第1実施形態では、サーボフォーマット情報SFにサーボパターン58の傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報SF1が含まれる形態について説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第3変形例では、一例として図22に示すように、サーボフォーマット情報SFは、磁気テープの幅を調整するための情報SF4(以下、「幅調整情報SF4」とも称する)を含む。幅調整情報SF4とは、磁気テープMTの幅W(すなわち、磁気テープMTの幅方向WDに沿った距離、以下単に「テープ幅W」とも称する)を調整するための情報(すなわち、テープ幅Wの調整に用いられる情報)を指す。なお、幅調整情報SF4は、本開示の技術に係る「幅調整情報」の一例である。
上述したように、磁気テープMTは、カートリッジリール(図示省略)等に巻き掛けられる圧力、温度、湿度、及び経時劣化等によって幅方向WDに伸縮する。これにより、サーボパターン58の傾斜角度αも変化する場合がある。そのため、サーボフォーマット情報SFに含まれるサーボパターン傾斜情報SF1に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度が調整されても、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くならない場合(すなわち、磁気ヘッドスキュー角度が許容範囲外の場合)がある。これにより、サーボパターン信号の信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本第3変形例に係るサーボフォーマット情報SFには、幅調整情報SF4が含まれる。幅調整情報SF4は、カートリッジメモリ24に記憶されている。幅調整情報SF4は、例えば、図23に示すように、張力情報SF4aを含む。張力情報SF4aとは、磁気テープMTの全長方向における張力に関する情報を指す。張力情報SF4aの一例としては、サーボパターン58が磁気テープMTに記録される段階の磁気テープMTに生じていた張力を示す情報が挙げられるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。張力情報SF4aは、例えば、磁気テープMTが過去(例えば、磁気テープMTの使用履歴の中から指定された時期)に使用された場合に磁気テープMTに生じていた張力を示す情報であってもよい。張力情報SF4aは、本開示の技術に係る「磁気テープの全長方向における張力に関する情報」の一例である。
一例として図22に示すように、制御装置30は、非接触式読み書き装置46を介してカートリッジメモリ24から幅調整情報SF4を取得する。制御装置30は、幅調整情報SF4に基づいて、張力制御を行う。張力制御は、送出モータ36及び巻取モータ40の各々の回転速度及び/又は回転トルク等が調整されることによって実現される。例えば、制御装置30は、磁気テープMTが幅方向WDに伸びた場合に、磁気テープMTに対して付与する張力を強める。また、制御装置30は、磁気テープMTが幅方向WDに縮んだ場合に、磁気テープMTに対して付与する張力を弱めるようにしている。これにより、磁気テープMTの幅Wが調整される。
以上説明したように、本第3変形例によれば、サーボフォーマット情報SFには、テープ幅Wを調整するための情報である幅調整情報SF4が含まれる。幅調整情報SF4は、カートリッジメモリ24に記憶されている。制御装置30は、カートリッジメモリ24から幅調整情報SF4を取得する。そして、制御装置30は、カートリッジメモリ24から取得した幅調整情報SF4に基づいて張力制御を行う。これにより、磁気テープMTの幅Wが調整されるので、磁気テープMTの幅Wが伸縮した場合であっても、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
なお、本第3変形例では、張力情報SF4aとして、サーボパターン58が磁気テープMTに記録される段階又は過去に使用された段階の磁気テープMTに生じていた張力に関する情報が用いられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、張力情報SF4aは、磁気テープMTの張力に影響する種々の因子に基づいて定められる。
一例として図24に示すように、カートリッジメモリ24には、張力影響因子情報TFが記憶されている。張力影響因子情報TFとは、磁気テープMTに生じる張力に影響を及ぼす因子を示す情報を指す。張力影響因子情報TFは、磁気テープ幅情報TF1、磁気テープ特性情報TF2、使用履歴情報TF3、温度情報TF4、及び湿度情報TF5を含む。磁気テープ幅情報TF1とは、磁気テープMTの幅Wを示す情報を指す。磁気テープ特性情報TF2は、磁気テープMTそのものが有する特性(例えば、膨張係数、及び/又は材質)を示す情報を指す。使用履歴情報TF3は、磁気テープMTの使用履歴(例えば、使用時期、及び/又は使用回数)を示す情報を指す。温度情報TF4は、磁気テープMTに対して与えられる温度(例えば、磁気テープカートリッジ12が保管される場合のケース16内の平均温度)を示す情報を指す。湿度情報TF5は、磁気テープMTに対して与えられる湿度(例えば、磁気テープカートリッジ12が保管される場合のケース16内の平均湿度)を示す情報を指す。
制御装置30は、カートリッジメモリ24から非接触式読み書き装置46を介して張力影響因子情報TFを取得する。制御装置30は、張力影響因子情報TFに基づいて磁気テープMTの全長方向における張力情報SF4aを定める。例えば、制御装置30は、張力演算式又は張力テーブルを用いて張力を算出するようにしてもよい。張力演算式とは、例えば、磁気テープ幅情報TF1、磁気テープ特性情報TF2、使用履歴情報TF3、温度情報TF4、及び湿度情報TF5を従属変数とし、磁気テープMTの全長方向における張力を示す情報を独立変数とした演算式を指す。また、張力テーブルとは、磁気テープ幅情報TF1、磁気テープ特性情報TF2、使用履歴情報TF3、温度情報TF4、及び湿度情報TF5を入力値とし、磁気テープMTの全長方向における張力を示す情報を出力値とするテーブルを指す。制御装置30は、張力情報SF4aに基づいて張力制御を行う。
以上説明したように、本第3変形例では、制御装置30は、カートリッジメモリ24から取得した張力影響因子情報TFに基づいて張力情報SF4aを定める。そして、制御装置30は、張力情報SF4aに基づいて張力制御を行う。これにより、磁気テープMTの幅Wが調整されるので、磁気テープMTの幅Wが伸縮した場合であっても、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とを近くすることができる。
なお、張力影響因子情報TFとして、磁気テープ幅情報TF1、磁気テープ特性情報TF2、使用履歴情報TF3、温度情報TF4、及び湿度情報TF5が用いられる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、磁気テープ幅情報TF1、磁気テープ特性情報TF2、使用履歴情報TF3、温度情報TF4、及び湿度情報TF5のうちの何れか1つ又は2つ以上が組み合わされて、張力影響因子情報TFとして用いられてもよい。
[第4変形例]
上記第1実施形態では、サーボフォーマット情報SFにサーボパターン58の傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報SF1が含まれる形態について説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第4変形例では、一例として図25に示すように、サーボフォーマット情報SFは、スキュー角度情報SF5を含んでいる。スキュー角度情報SF5とは、磁気ヘッド28のスキュー角度に関する情報を指す。スキュー角度情報SF5は、本開示の技術に係る「スキュー角度に関する情報」の一例である。
ところで、同じ製造条件の磁気テープMTであっても、サーボパターン記録ヘッドWHの個体差に起因して、サーボパターン58の傾斜角度αに違いが生じる場合がある。また、上述したように、磁気テープMTの幅方向の伸縮によってもサーボパターン58の傾斜角度αが変化する場合がある。そのため、サーボフォーマット情報SFに含まれるサーボパターン傾斜情報SF1に基づいて磁気ヘッドスキュー角度が調整されても、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くならない場合がある。これにより、サーボパターン信号の信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本第4変形例に係るサーボフォーマット情報SFには、スキュー角度情報SF5が含まれる。スキュー角度情報SF5は、カートリッジメモリ24に記憶されている。スキュー角度情報SF5は、サーボパターン傾斜情報SF1に基づいて定まるサーボパターン58の傾斜角度αと、種々の影響により変化したサーボパターン58の傾斜角度αとの角度差(以下、単に「スキュー角度差」とも称する)を示す情報である。スキュー角度情報SF5としては、例えば、サーボパターン記録ヘッドWHの固体番号に応じたスキュー角度差を示す情報が挙げられるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、スキュー角度情報SF5は、磁気テープMTの幅方向の伸縮の度合いに応じたスキュー角度差を示す情報であってもよい。
制御装置30は、非接触式読み書き装置46を介してカートリッジメモリ24からスキュー角度情報SF5を取得する。制御装置30は、スキュー角度情報SF5に基づいてスキュー角度制御を行う。例えば、傾斜機構49は、スキュー角度情報SF5に基づいて得られた角度差だけ、磁気ヘッドスキュー角度を変化させる。すなわち、傾斜機構49は、仮想直線C1と仮想直線C3との成す角を角度γ(図15参照)から調整後の角度γ1に調整する。これにより、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
以上説明したように、本第4変形例によれば、サーボフォーマット情報SFには、スキュー角度情報SF5が含まれる。制御装置30は、カートリッジメモリ24からスキュー角度情報SF5を取得する。そして、制御装置30は、カートリッジメモリ24から取得したスキュー角度情報SF5に基づいて磁気ヘッド28のスキュー角度の制御を行う。これにより、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
なお、本第4変形例では、スキュー角度情報SF5として、サーボパターン記録ヘッドWHの固体番号に応じたスキュー角度差を示す情報が用いられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、スキュー角度情報SF5は、サーボパターン58の傾斜角度αに影響する種々の因子に基づいて定められる。図26に示す例では、カートリッジメモリ24に、サーボパターン58の傾斜角度αに影響を及ぼす因子の情報(以下、単に「角度影響因子情報DF」とも称する)が記憶されている。
角度影響因子情報DFは、磁気テープ幅情報DF1、磁気テープ特性情報DF2、使用履歴情報DF3、温度情報DF4、及び湿度情報DF5を含む。磁気テープ幅情報DF1とは、磁気テープMTの幅W(図22参照)を示す情報を指す。磁気テープ特性情報DF2は、磁気テープMTそのものが有する特性(例えば、膨張係数、及び/又は材質)を示す情報を指す。使用履歴情報DF3は、磁気テープMTの使用履歴(例えば、使用時期、及び/又は使用回数)を示す情報を指す。温度情報DF4は、磁気テープMTに対して与えられる温度(例えば、磁気テープカートリッジ12が保管される場合のケース16内の平均温度)を示す情報を指す。湿度情報DF5は、磁気テープMTに対して与えられる湿度(例えば、磁気テープカートリッジ12が保管される場合のケース16内の平均湿度)を示す情報を指す。
制御装置30は、カートリッジメモリ24から非接触式読み書き装置46を介して角度影響因子情報DFを取得する。制御装置30は、角度影響因子情報DFに応じて、スキュー角度情報SF5を定める。例えば、制御装置30は、角度差演算式又は角度差テーブルを用いて角度差を導出するようにしてもよい。角度差演算式とは、例えば、磁気テープ幅情報DF1、磁気テープ特性情報DF2、使用履歴情報DF3、温度情報DF4、及び湿度情報DF5を従属変数とし、スキュー角度情報SF5を独立変数とした演算式を指す。また、張力テーブルとは、磁気テープ幅情報DF1、磁気テープ特性情報DF2、使用履歴情報DF3、温度情報DF4、及び湿度情報DF5を入力値とし、スキュー角度情報SF5を出力値とするテーブルを指す。制御装置30は、角度影響因子情報DFに応じてスキュー角度情報SF5を定める。制御装置30は、スキュー角度情報SF5に基づいて磁気ヘッド28のスキュー角度の制御を行う。
以上説明したように、本第4変形例では、制御装置30は、カートリッジメモリ24から取得した角度影響因子情報DFに応じてスキュー角度情報SF5を定める。そして、制御装置30は、スキュー角度情報SF5に基づいてスキュー角度制御を行う。これにより、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度とが近くなる。
なお、角度影響因子情報DFとして、磁気テープ幅情報DF1、磁気テープ特性情報DF2、使用履歴情報DF3、温度情報DF4、及び湿度情報DF5が用いられる例を挙げたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、磁気テープ幅情報DF1、磁気テープ特性情報DF2、使用履歴情報DF3、温度情報DF4、及び湿度情報DF5のうちの何れか1つ又は2つ以上が組み合わされて、角度影響因子情報DFとして用いられてもよい。
[第5変形例]
上記実施形態では、サーボフォーマット情報SFにサーボパターン傾斜情報SF1が含まれる形態を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第5変形例では、サーボフォーマット情報SFは、サーボパターン58がサーボ読取素子SRによって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号67を含んでいる。
上述したように、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度との間に大きなずれ(例えば、サーボパターン58の傾斜角度αが5度であり、磁気ヘッドスキュー角度が10度)があると、アジマス損失によるサーボパターン信号のばらつきが生じる場合がある(図13参照)。このようなサーボパターン信号のばらつきは、サーボ制御の精度を低下させる一因になり得る。
ここで、上述したように、アジマス損失に起因するサーボパターン信号のばらつき(例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等)は、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度の違いに起因する。換言すれば、サーボパターン信号のばらつきは、サーボパターン58の傾斜角度αと磁気ヘッドスキュー角度の違いを反映している。
そこで、本第5変形例では、サーボフォーマット情報SFは、サーボパターン58の傾斜角度αに応じたサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号67を含む。また、制御部30Aは、サーボパターン58の傾斜角度αを算出する。
一例として図27に示すように、制御装置30は、角度検出部30Dを有する。角度検出部30Dは、サーボ読取素子SRによってサーボバンドSBが読み取られた結果であるサーボバンド信号Sを取得し、取得したサーボバンド信号Sに基づいて、磁気テープMT上でのサーボバンドSBに対するサーボ読取素子SRの角度を検出する。角度検出部30Dは、第1角度検出部30D1及び第2角度検出部30D2を有する。
第1角度検出部30D1は、第1サーボバンド信号S1を取得し、第2角度検出部30D2は、第2サーボバンド信号S2を取得する。図27に示す例では、第1角度検出部30D1が、サーボ読取素子SR1によってサーボバンドSB2内のサーボパターン58が読み取られることによって得られた第1サーボバンド信号S1を取得する。第2角度検出部30D2が、サーボ読取素子SR2によってサーボバンドSB3内のサーボパターン58が読み取られることによって得られた第2サーボバンド信号S2を取得する。第1角度検出部30D1は、第1サーボバンド信号S1に基づいて、サーボバンドSB2に対するサーボ読取素子SR1の角度を検出し、第2角度検出部30D2は、第2サーボバンド信号S2に基づいて、サーボバンドSB3に対するサーボ読取素子SR2の角度を検出する。
一例として図28に示すように、角度検出部30Dは、磁気テープMTからサーボ読取素子SRによってサーボパターン58が読み取られた結果であるサーボパターン信号から、理想波形信号及び自己相関係数を用いてサーボパターン58の傾斜角度αを算出する。
次に、第1角度検出部30D1の具体的な構成例について説明する。なお、第2角度検出部30D2の構成は、第1角度検出部30D1の構成と同一であるので、第2角度検出部30D2の具体的な構成例についての説明を省略する。また、以下では、説明の便宜上、線状磁化領域60A1又は60B1(図9及び図10参照)に由来するサーボパターン信号を「第1線状磁化領域信号」とも称し、線状磁化領域60A2又は60B2(図9及び図10参照)に由来するサーボパターン信号を「第2線状磁化領域信号」とも称する。
一例として図28に示すように、第1角度検出部30D1は、第1検出回路39A及び第2検出回路39Bを有する。第1検出回路39A及び第2検出回路39Bは、並列に接続されており、互いに共通の入力端子30E1a及び出力端子30E1bを備えている。図28に示す例では、入力端子30E1aに第1サーボバンド信号S1が入力される態様例が示されている。第1サーボバンド信号S1には、第1線状磁化領域信号S1a及び第2線状磁化領域信号S1bが含まれている。第1線状磁化領域信号S1a及び第2線状磁化領域信号S1bは、サーボ読取素子SR1(図27参照)によって読み取られた結果であるサーボパターン信号(すなわち、アナログのサーボパターン信号)である。すなわち、サーボパターン信号は、第1線状磁化領域信号S1a及び第2線状磁化領域信号S1bを有する。
カートリッジメモリ24には、サーボパターン58の傾斜角度αに応じた理想波形信号67が記憶されている。すなわち、カートリッジメモリ24に記憶されたサーボフォーマット情報SFには、理想波形信号67が含まれる。理想波形信号67は、サーボパターン58の傾斜角度αに応じたサーボバンド信号Sに含まれる単発の理想波形を示す信号(例えば、仮想直線C1に対して既定の角度に傾斜したサーボパターン58に含まれる理想的な磁化直線の1本が、サーボ読取素子SRによって読み取られた結果である理想的な信号)である。理想波形信号67は、サーボバンド信号Sと比較されるサーボパターン58の傾斜角度αに応じた見本信号とも言える。なお、理想波形信号67は、本開示の技術に係る「理想波形信号」の一例である。
第1理想波形信号67Aにより示される理想波形は、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向きに応じて定められた波形である。磁気ヘッド28のホルダ44(図8参照)とサーボ読取素子SRとの相対的な位置関係は固定されている。従って、第1理想波形信号67Aにより示される理想波形は、磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きに応じて定められた波形とも言える。換言すれば、第1理想波形信号67Aにより示される理想波形は、サーボパターン58の傾斜角度αに対応した波形である。例えば、第1理想波形信号67Aにより示される理想波形は、サーボパターン58の線状磁化領域60A1の傾斜角度θaに応じて定められた波形である。
上述したように、磁気ヘッド28のホルダ44(図8参照)とサーボ読取素子SRとの相対的な位置関係は固定されているので、第1理想波形信号67Aにより示される理想波形は、サーボパターン58の線状磁化領域対60Aの幾何特性(例えば、磁化直線60A1aの幾何特性)と磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きに応じて定められた波形とも言える。ここで、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向きとは、例えば、磁気テープMT上において線状磁化領域60A1と磁気ヘッド28とで成す角度を指す。また、磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きとは、例えば、磁気テープMT上において線状磁化領域60A1とサーボ読取素子SRとで成す角度を指す。
第1理想波形信号67Aにより示される理想波形と同様に、第2理想波形信号67Bにより示される理想波形も、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向きに応じて定められた波形、すなわち、磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きに応じて定められた波形である。換言すれば、第2理想波形信号67Bにより示される理想波形は、サーボパターン58の傾斜角度αに対応した波形である。例えば、第2理想波形信号67Bにより示される理想波形は、サーボパターン58の線状磁化領域60A2の傾斜角度θbに応じて定められた波形である。
例えば、第2理想波形信号67Bにより示される理想波形は、サーボパターン58Aの線状磁化領域60A2の幾何特性(例えば、磁化直線60A2aの幾何特性)と磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向きとに応じて定められた波形、すなわち、サーボパターン58Aの線状磁化領域60A2の幾何特性(例えば、磁化直線60A2aの幾何特性)と磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きに応じて定められた波形である。ここで、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向きとは、例えば、磁気テープMT上において線状磁化領域60A2と磁気ヘッド28とで成す角度を指す。また、磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きとは、例えば、磁気テープMT上において線状磁化領域60A2とサーボ読取素子SRとで成す角度を指す。
第1角度検出部30D1は、第1サーボバンド信号S1と理想波形信号67とを比較することで、サーボバンドSB3における線状磁化領域60A1とサーボ読取素子SRとが成す角度を算出する。図28に示す例において、第1角度検出部30D1は、第1検出回路39A及び第2検出回路39Bを用いることでサーボパターン58の傾斜角度αを検出する。
第1検出回路39Aには、入力端子30B1aを介して第1サーボバンド信号S1が入力される。第1検出回路39Aは、入力された第1サーボバンド信号S1から、自己相関係数を用いて、サーボバンドSB3のサーボパターン58における線状磁化領域60A1の傾斜角度θaを検出する。
第1検出回路39Aによって用いられる自己相関係数は、第1サーボバンド信号S1と第1理想波形信号67Aとの相関の度合いを示す係数である。第1検出回路39Aは、カートリッジメモリ24から第1理想波形信号67Aを取得し、取得した第1理想波形信号67Aと第1サーボバンド信号S1とを比較する。そして、第1検出回路39Aは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第1検出回路39Aは、サーボバンドSB2上において、第1サーボバンド信号S1との相関が最も高い理想波形信号を、自己相関係数に従って検出する。第1検出回路39Aは、検出した理想波形信号に対応する線状磁化領域60A1の傾斜角度θaを出力する。
一方、第2検出回路39Bにも、入力端子30B1aを介して第1サーボバンド信号S1が入力される。第2検出回路39Bは、入力された第1サーボバンド信号S1から、自己相関係数を用いて、サーボバンドSB2のサーボパターン58における線状磁化領域60A2の傾斜角度θbを検出する。
第2検出回路39Bによって用いられる自己相関係数は、第1サーボバンド信号S1と第2理想波形信号67Bとの相関の度合いを示す係数である。第2検出回路39Bは、ストレージ32から第2理想波形信号67Bを取得し、取得した第2理想波形信号67Bと第1サーボバンド信号S1とを比較する。そして、第2検出回路39Bは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第2検出回路39Bは、サーボバンドSB2上において、第1サーボバンド信号S1との相関が最も高い理想波形信号を、自己相関係数に従って検出する。第2検出回路39Bは、検出した理想波形信号に対応する線状磁化領域60A2の傾斜角度θbを出力する。
一例として図29に示すように、第1角度検出部30D1は、第1検出回路39Aによる検出結果及び第2検出回路39Bによる検出結果に基づいて線状磁化領域60A1の傾斜角度θa及び線状磁化領域60A2の傾斜角度θbを検出する。
出力端子30B1bからサーボパターン58の傾斜角度αが制御部30Aに出力される。また、制御装置30は、PES算出部30Cを有する。PES算出部30Cは、角度検出部30Dから取得した線状磁化領域60A1の傾斜角度θa及び線状磁化領域60A2の傾斜角度θb、並びに上記数式(1)を用いてPESを算出する。すなわち、上記数式(1)におけるθAiとして線状磁化領域60A1の傾斜角度θaを用い、θBiとして線状磁化領域60A2の傾斜角度θbを用いる。
一例として図29に示すように、制御部30Aは、PES算出部30CによるPESの算出結果に基づいて傾斜機構49(図14参照)を動作させることで磁気ヘッド28のスキュー角度を調整する。また、制御部30Aは、磁気素子ユニット42(図17参照)に対して磁気テープMTのデータバンドDBに対して磁気的処理を行わせる。すなわち、制御部30Aは、磁気素子ユニット42から読取信号(すなわち、磁気素子ユニット42によって磁気テープMTのデータバンドDBから読み取られたデータ)を取得したり、磁気素子ユニット42に記録信号を供給することで記録信号に応じたデータを磁気テープMTのデータバンドDBに記録したりする。
また、TDSの影響を低減するために、制御部30Aは、角度検出部30Dでの角度検出結果に従って、張力制御を行ったり、磁気テープMT上で磁気ヘッド28(図14参照)をスキューさせたりする。張力制御は、送出モータ36(図3参照)及び巻取モータ40(図3参照)の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることによって実現される。磁気ヘッド28のスキューは、傾斜機構49(図14参照)を作動させることによって実現される。
以上説明したように、本第5変形例では、理想波形信号67により示される理想波形として、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向き、すなわち、磁気テープMT上での傾斜機構49の向きに応じて定められた波形が用いられる。従って、本構成によれば、磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向き、すなわち、磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きとは無関係に理想波形を定めた場合に比べ、サーボバンド信号Sからサーボパターン信号を精度良く検出することができる。
本第5変形例では、理想波形信号67により示される理想波形として、サーボパターン58の幾何特性と磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向き、すなわち、サーボパターン58の幾何特性と磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きとに応じて定められた波形が用いられる。従って、本構成によれば、サーボパターン58の幾何特性と磁気テープMT上での磁気ヘッド28の向き、すなわち、サーボパターン58の幾何特性と磁気テープMT上でのサーボ読取素子SRの向きとは無関係に理想波形を定めた場合に比べ、サーボバンド信号Sからサーボパターン信号を精度良く検出することができる。
また、本第5変形例では、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられた線状磁化領域60A1及び60A2がサーボ読取素子SRによって読み取られる。この場合、上述したように、第1線状磁化領域信号S1a(図28参照)と、第2線状磁化領域信号S1b(図28参照)との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。本第5変形例では、カートリッジメモリ24に理想波形信号67が格納されており、サーボパターン信号と理想波形信号67とが比較されることによってサーボパターン58の傾斜角度αが検出される。従って、本構成によれば、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられた線状磁化領域60A1及び60A2がサーボ読取素子SRによって読み取られたとしても、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン58の傾斜角度αを検出する場合に比べ、サーボパターン58の傾斜角度αを精度良く検出することができる。
また、本第5変形例では、第1検出回路39A及び第2検出回路39Bが並列に接続されており、第1検出回路39A及び第2検出回路39Bには、共通のサーボバンド信号Sが取り込まれる。そして、第1検出回路39Aによって、サーボバンド信号Sと第1理想波形信号67Aとが比較されることで線状磁化領域60A1の傾斜角度θaが検出され、第2検出回路39Bによって、サーボバンド信号Sと第2理想波形信号67Bとが比較されることで線状磁化領域60A2の傾斜角度θbが検出される。例えば、第1位置検出部30B1では、第1検出回路39Aによって検出された線状磁化領域60A1の傾斜角度θa、及び第2検出回路39Bによって検出された線状磁化領域60A2の傾斜角度θbが検出される。また、第2位置検出部30B2では、第1検出回路39Aによって検出された線状磁化領域60A1の傾斜角度θa、及び第2検出回路39Bによって検出された線状磁化領域60A2の傾斜角度θbが検出される。従って、本構成によれば、1つのサーボバンド信号Sに対して異なる理想波形信号を順に比較することで線状磁化領域60A1の傾斜角度θa及び線状磁化領域60A2の傾斜角度θbを順に検出する場合に比べ、サーボパターン58の傾斜角度αを迅速に検出することができる。
[第6変形例]
上記実施形態では、サーボバンドSBが磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のV字状のサーボパターン58が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図30に示すように、サーボパターン72は、M字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン72が記録されている。複数のサーボパターン72は、複数のサーボパターン58と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
図30に示す例では、一組のサーボパターン72の一例として、サーボパターン72A及び72Bが示されている。サーボパターン72A及び72Bの各々は、M字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン72A及び72Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン72Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン72Bが位置している。
一例として図31に示すように、サーボパターン72は、線状磁化領域対74からなる。線状磁化領域対74は、線状磁化領域対74Aと線状磁化領域対74Bとに類別される。サーボパターン72Aは、一組の線状磁化領域対74Aからなる。一組の線状磁化領域対74Aは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。
図31に示す例では、線状磁化領域対74Aの一例として、線状磁化領域74A1及び74A2が示されている。線状磁化領域対74Aは、上記実施形態で説明した線状磁化領域対60Aと同様に構成されており、線状磁化領域対60Aと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域74A1は、上記実施形態で説明した線状磁化領域60A1と同様に構成されており、線状磁化領域60A1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域74A2は、上記実施形態で説明した線状磁化領域60A2と同様に構成されており、線状磁化領域60A2と同様の幾何特性を有する。
図31に示す例において、線状磁化領域対74Aは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域74A1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域74A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン72Bは、一組の線状磁化領域対74Bからなる。一組の線状磁化領域対74Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。
図31に示す例では、線状磁化領域対74Bの一例として、線状磁化領域74B1及び74B2が示されている。線状磁化領域対74Bは、上記実施形態で説明した線状磁化領域対60Bと同様に構成されており、線状磁化領域対60Bと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域74B1は、上記実施形態で説明した線状磁化領域60B1と同様に構成されており、線状磁化領域60B1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域74B2は、上記実施形態で説明した線状磁化領域60B2と同様に構成されており、線状磁化領域60B2と同様の幾何特性を有する。
図31に示す例において、線状磁化領域対74Bは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域74B1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域74B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
[第7変形例]
図32に示す例では、サーボバンドSBが磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のM字状のサーボパターン58が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図33に示すように、サーボパターン72は、N字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン78が記録されている。複数のサーボパターン78は、複数のサーボパターン72(図30参照)と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
図32に示す例では、一組のサーボパターン78の一例として、サーボパターン78A及び78Bが示されている。サーボパターン78A及び78Bの各々は、N字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン78A及び78Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン78Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン78Bが位置している。
一例として図33に示すように、サーボパターン78は、線状磁化領域群80からなる。線状磁化領域群80は、線状磁化領域群80Aと線状磁化領域群80Bとに類別される。
サーボパターン78Aは、線状磁化領域群80Aからなる。線状磁化領域群80Aは、線状磁化領域80A1、80A2及び80A3からなる。線状磁化領域80A1、80A2及び80A3は、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域80A1、80A2及び80A3は、順方向の上流側から線状磁化領域80A1、80A2及び80A3の順に配置されている。
線状磁化領域80A1及び80A2は、図31に示す線状磁化領域対74Aと同様に構成されており、線状磁化領域対74Aと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域80A1は、図31に示す線状磁化領域74A1と同様に構成されており、線状磁化領域74A1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域80A2は、図31に示す線状磁化領域74A2と同様に構成されており、線状磁化領域74A2と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域80A3は、線状磁化領域80A1と同様に構成されており、線状磁化領域80A1と同様の幾何特性を有する。
図33に示す例において、線状磁化領域80A1及び80A2は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域80A1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域80A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域80A2及び80A3も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域80A3は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域80A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン78Bは、線状磁化領域群80Bからなる。線状磁化領域群80Bは、線状磁化領域80B1、80B2及び80B3からなる。線状磁化領域80B1、80B2及び80B3は、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域80B1、80B2及び80B3は、順方向の上流側から線状磁化領域80B1、80B2及び80B3の順に配置されている。
線状磁化領域80B1及び80B2は、図31に示す線状磁化領域対74Bと同様に構成されており、線状磁化領域対74Bと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域80B1は、図31に示す線状磁化領域74B1と同様に構成されており、線状磁化領域74B1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域80B2は、図31に示す線状磁化領域74B2と同様に構成されており、線状磁化領域74B2と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域80B3は、線状磁化領域80B1と同様に構成されており、線状磁化領域80B1と同様の幾何特性を有する。
図33に示す例において、線状磁化領域80B1及び80B2は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域80B1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域80B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域80B2及び80B3も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域80B3は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域80B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
[第8変形例]
上記実施形態では、サーボパターン58において、4本の磁化直線60B1aの各々の両端の位置と4本の磁化直線60B2aの各々の両端の位置とが揃っている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図34に示すように、サーボパターン84において、線状磁化領域86A1の全体の位置と線状磁化領域86A2の全体の位置は、幅方向WDにずれていてもよい。
図34に示す例では、サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン84が記録されている。複数のサーボパターン84は、磁気テープMT0(図6参照)に記録されている複数のサーボパターン52(図6参照)と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
図34に示す例では、一組のサーボパターン84の一例として、サーボパターン84A及び84Bが示されている。サーボパターン84A及び84Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン84Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン84Bが位置している。
サーボパターン84は、線状磁化領域対86からなる。線状磁化領域対86は、線状磁化領域対86Aと線状磁化領域対86Bとに類別される。本第8変形例において、線状磁化領域対86は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例である。
サーボパターン84Aは、線状磁化領域対86Aからなる。図34に示す例では、線状磁化領域対86Aの一例として、線状磁化領域86A1及び86A2が示されている。線状磁化領域86A1及び86A2の各々は、線状に磁化された領域である。
本第8変形例において、線状磁化領域86A1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域86A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域86A1及び86A2は、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域86A1及び86A2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C1に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域86A1は、線状磁化領域86A2よりも、仮想直線C1に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線C1に対する線状磁化領域86A1の角度が、仮想直線C1に対する線状磁化領域86A2の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域86A1の全体の位置と線状磁化領域86A2の全体の位置は、幅方向WDにずれている。すなわち、線状磁化領域86A1の一端の位置と線状磁化領域86A2の一端の位置が、幅方向WDで不揃いであり、線状磁化領域86A1の他端の位置と線状磁化領域86A2の他端の位置が、幅方向WDで不揃いである。
サーボパターン84Aにおいて、線状磁化領域86A1には、複数の磁化直線86A1aが含まれており、線状磁化領域86A2には、複数の磁化直線86A2aが含まれている。線状磁化領域86A1に含まれる磁化直線86A1aの本数と線状磁化領域86A2に含まれる磁化直線86A2aの本数は同じである。
線状磁化領域86A1は、5本の磁化された直線である磁化直線86A1aの集合であり、線状磁化領域86A2は、5本の磁化された直線である磁化直線86A2aの集合である。
サーボバンドSB内において、線状磁化領域86A1に含まれる全ての磁化直線86A1aの一端の幅方向WDの位置は揃っており、線状磁化領域86A1に含まれる全ての磁化直線86A1aの他端の幅方向WDの位置も揃っている。また、サーボバンドSB内において、線状磁化領域86A2に含まれる全ての磁化直線86A2aの一端の幅方向WDの位置は揃っており、線状磁化領域86A2に含まれる全ての磁化直線86A2aの他端の幅方向WDの位置も揃っている。
サーボパターン84Bは、線状磁化領域対86Bからなる。図34に示す例では、線状磁化領域対86Bの一例として、線状磁化領域86B1及び86B2が示されている。線状磁化領域86B1及び86B2の各々は、線状に磁化された領域である。
本第8変形例において、線状磁化領域86B1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域86B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域86B1及び86B2は、仮想直線C2に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域86B1及び86B2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C2に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域86B1は、線状磁化領域86B2よりも、仮想直線C2に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線C2に対する線状磁化領域86B1の角度が、仮想直線C2に対する線状磁化領域86B2の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域86B1の全体の位置と線状磁化領域86B2の全体の位置は、幅方向WDにずれている。すなわち、線状磁化領域86B1の一端の位置と線状磁化領域86B2の一端の位置が、幅方向WDで不揃いであり、線状磁化領域86B1の他端の位置と線状磁化領域86B2の他端の位置が、幅方向WDで不揃いである。
サーボパターン84Bにおいて、線状磁化領域86B1には、複数の磁化直線86B1aが含まれており、線状磁化領域86B2には、複数の磁化直線86B2aが含まれている。線状磁化領域86B1に含まれる磁化直線86B1aの本数と線状磁化領域86B2に含まれる磁化直線86B2aの本数は同じである。
サーボパターン84Bに含まれる磁化直線86B1a及び86B2aの総本数は、サーボパターン84Aに含まれる磁化直線86A1a及び86A2aの総本数と異なる。図34に示す例では、サーボパターン84Aに含まれる磁化直線86A1a及び86A2aの総本数が10本であるのに対し、サーボパターン84Bに含まれる磁化直線86B1a及び86B2aの総本数は8本である。
線状磁化領域86B1は、4本の磁化された直線である磁化直線86B1aの集合であり、線状磁化領域86B2は、4本の磁化された直線である磁化直線86B2aの集合である。
サーボバンドSB内において、線状磁化領域86B1に含まれる全ての磁化直線86B1aの一端の幅方向WDの位置は揃っており、線状磁化領域86B1に含まれる全ての磁化直線86B1aの他端の幅方向WDの位置も揃っている。また、サーボバンドSB内において、線状磁化領域86B2に含まれる全ての磁化直線86B2aの一端の幅方向WDの位置は揃っており、線状磁化領域86B2に含まれる全ての磁化直線86B2aの他端の幅方向WDの位置も揃っている。
なお、ここでは、線状磁化領域86A1の一例として、5本の磁化された直線である磁化直線86A1aの集合を挙げ、線状磁化領域86A2の一例として、5本の磁化された直線である磁化直線86A2aの集合を挙げ、線状磁化領域86B1の一例として、4本の磁化された直線である磁化直線86B1aの集合を挙げ、線状磁化領域86B2の一例として、4本の磁化された直線である磁化直線86B2aの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域86A1は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置の特定に寄与する本数の磁化直線86A1aであり、線状磁化領域86A2は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置の特定に寄与する本数の磁化直線86A2aであり、線状磁化領域86B1は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置を特定に寄与する本数の磁化直線86B1aであり、線状磁化領域86B2は、磁気テープMT上の磁気ヘッド28の位置の特定に寄与する本数の磁化直線86B2aであればよい。
ここで、線状磁化領域対86Aの磁気テープMT上での幾何特性について、図35を参照しながら説明する。
一例として図35に示すように、線状磁化領域対86Aの磁気テープMT上での幾何特性は、仮想線状領域対62を用いて表現することが可能である。ここで、中心O1を回転軸として仮想直線C1に対して仮想線状領域62A及び62Bの対称軸SA1を角度a(例えば、10度)傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させる。そして、この状態での仮想線状領域対62の仮想線状領域62Aに含まれる全ての直線62A1の一端の幅方向WDの位置を揃え、かつ、仮想線状領域62Aに含まれる全ての直線62A1の他端の幅方向WDの位置も揃える。また、同様に、仮想線状領域対62の仮想線状領域62Bに含まれる全ての直線62B1の一端の幅方向WDの位置を揃え、かつ、仮想線状領域62Bに含まれる全ての直線62B1の他端の幅方向WDの位置も揃える。これにより、仮想線状領域62A及び仮想線状領域62Bは、幅方向WDにずれる。
すなわち、仮想線状領域62Aの一端と仮想線状領域62Bの一端とが幅方向WDに一定の間隔Int1でずれており、仮想線状領域62Aの他端と仮想線状領域62Bの他端とが幅方向WDに一定の間隔Int2でずれている。
このようにして得られた仮想線状領域対62の幾何特性(すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性)は、実際のサーボパターン84Aの幾何特性に相当する。すなわち、線状磁化領域対86Aの磁気テープMT上での幾何特性は、仮想直線C1に対して線対称に傾けられた仮想線状領域62A及び仮想線状領域62Bの対称軸SA1を仮想直線C1に対して傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対62に基づく幾何特性に相当する。
仮想線状領域62Aは、サーボパターン84Aの線状磁化領域86A1に対応しており、仮想線状領域62Bは、サーボパターン84Aの線状磁化領域86A2に対応している。従って、サーボバンドSBには、線状磁化領域86A1の一端と線状磁化領域86A2の一端とが幅方向WDに一定の間隔Int1でずれ、かつ、線状磁化領域86A1の他端と線状磁化領域86A2の他端とが幅方向WDに一定の間隔Int2でずれた線状磁化領域対86Aからなるサーボパターン84Aが記録される(図35参照)。
なお、線状磁化領域対86Bは、線状磁化領域対86Aに比べ、5本の磁化直線86A1aに代えて4本の磁化直線86B1aを有する点、及び、5本の磁化直線86A2aに代えて4本の磁化直線86B2aを有する点のみが異なる(図35参照)。よって、サーボバンドSBには、線状磁化領域86B1の一端と線状磁化領域86B2の一端とが幅方向WDに一定の間隔Int1でずれ、かつ、線状磁化領域86B1の他端と線状磁化領域86B2の他端とが幅方向WDに一定の間隔Int2でずれた線状磁化領域対86Bからなるサーボパターン84Bが記録される(図35参照)。
上記実施形態と同様に、本第8変形例においても、一例として図35に示すように、傾斜機構49は、仮想直線C1に対して仮想直線C3が順方向の上流側に角度γ(すなわち、図36の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ)傾くように回転軸RAを中心として磁気ヘッド28を磁気テープMT上でスキューさせる。すなわち、磁気テープMT上で磁気ヘッド28が順方向の上流側に角度γ傾く。角度γは、サーボパターン86の傾斜角度と近くなる。この状態で、線状磁化領域86A1及び86A2が幅方向WDで重複する範囲R内で長手方向LDに沿って、サーボ読取素子SRによってサーボパターン84Aが読み取られた場合、図12及び図13に示す例に比べ、線状磁化領域86A1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域86A2に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子SRによってサーボパターン84B(すなわち、線状磁化領域対86B)が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域86B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域86B2に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
次に、本第8変形例に係る磁気テープシステム10の作用について、上記実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
本第8変形例に係る磁気テープドライブ14では、磁気テープMTに対して磁気素子ユニット42(図3及び図17参照)による磁気的処理が行われる場合、磁気テープカートリッジ12から磁気テープMTが引き出され、磁気ヘッド28のサーボ読取素子SRによってサーボバンドSB内のサーボパターン84が読み取られる。
図34及び図35に示すように、磁気テープMTのサーボバンドSBに記録されているサーボパターン84Aに含まれる線状磁化領域86A1及び86A2は、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられている。一方、図36に示すように、磁気テープMT上で磁気ヘッド28も、順方向の上流側に角度γ(すなわち、図36の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ)傾けられている。この状態で、サーボパターン84Aが範囲R(図36参照)内で長手方向LDに沿ってサーボ読取素子SRによって読み取られると、線状磁化領域86A1とサーボ読取素子SRとで成す角度と、線状磁化領域86A2とサーボ読取素子SRとで成す角度とが近くなるため、アジマス損失に起因するサーボパターン信号のばらつきは、従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A1に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A2に由来するサーボパターン信号との間で生じるばらつきよりも少なくなる。
この結果、従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A1に由来するサーボパターン信号と従来既知のサーボパターン52Aに含まれる線状磁化領域54A2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきに比べ、線状磁化領域86A1に由来するサーボ信号と線状磁化領域86A2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきが小さくなり、従来既知のサーボパターン52Aから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。すなわち、上記実施形態で説明した第1の効果と同様の効果が得られる。なお、図36に示すように、磁気テープMT上で磁気ヘッド28が、順方向の上流側に角度γ(すなわち、図36の紙面表側から見た場合の半時計周りに角度γ)傾けられた状態で、サーボパターン84Bがサーボ読取素子SRによって読み取られる場合も、上記実施形態で説明した第2の効果と同様の効果が得られる。
また、本第8変形例に係る磁気テープMTでは、線状磁化領域86A1は、5本の磁化直線86A1aの集合であり、線状磁化領域86A2は、5本の磁化直線86A2aの集合である。また、線状磁化領域86B1は、4本の磁化直線86B1aの集合であり、線状磁化領域86B2は、4本の磁化直線86B2aの集合である。従って、各線状磁化領域が1本の磁化直線からなる場合に比べ、サーボパターン84から得られる情報量を多くすることができ、この結果、高精度なサーボ制御を実現することができる。すなわち、上記実施形態で説明した第6の効果と同様の効果が得られる。
また、本第8変形例に係る磁気テープMTでは、線状磁化領域対86Aの磁気テープMT上での幾何特性が、仮想線状領域対62の対称軸SA1を仮想直線C1に対して傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対62の幾何特性に相当する。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Aに対してサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域86A1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域86A2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Aから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。すなわち、上記実施形態で説明した第7の効果と同様の効果が得られる。
なお、線状磁化領域対86Bは、線状磁化領域対86Aに比べ、線状磁化領域86A1に代えて線状磁化領域86B1を有する点、及び線状磁化領域86A2に代えて線状磁化領域86B2を有する点のみが異なる。このように構成された線状磁化領域対86Bに対しても、線状磁化領域対86Aと同様に、範囲R(図36参照)内で長手方向LDに沿ってサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる。従って、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Bに対してサーボ読取素子SRによる読み取りが行われる場合に比べ、線状磁化領域86B1に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域86B2に由来するサーボパターン信号との間でのばらつきを小さくすることができる。この結果、従来既知の幾何特性を有するサーボパターン52Bから得られるサーボパターン信号よりも、信頼性の高いサーボパターン信号を得ることができる。すなわち、上記実施形態で説明した第8の効果と同様の効果が得られる。
[第9変形例]
上記第8変形例では、サーボバンドSBが磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のV字状のサーボパターン84が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図37に示すように、サーボパターン90は、M字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン90が記録されている。複数のサーボパターン72は、複数のサーボパターン84と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
図37に示す例では、一組のサーボパターン90の一例として、サーボパターン90A及び90Bが示されている。サーボパターン90A及び90Bの各々は、M字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン90A及び90Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン90Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン90Bが位置している。
一例として図38に示すように、サーボパターン90は、線状磁化領域対92からなる。線状磁化領域対92は、線状磁化領域対92Aと線状磁化領域対92Bとに類別される。サーボパターン90Aは、一組の線状磁化領域対92Aからなる。一組の線状磁化領域対92Aは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。
図38に示す例では、線状磁化領域対92Aの一例として、線状磁化領域92A1及び92A2が示されている。線状磁化領域対92Aは、上記第8変形例で説明した線状磁化領域対86A(図34参照)と同様に構成されており、線状磁化領域対86Aと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域92A1は、上記第8変形例で説明した線状磁化領域86A1(図34参照)と同様に構成されており、線状磁化領域86A1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域92A2は、上記第8変形例で説明した線状磁化領域86A2(図34参照)と同様に構成されており、線状磁化領域86A2と同様の幾何特性を有する。
図38に示す例において、線状磁化領域対92Aは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域92A1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域92A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン90Bは、一組の線状磁化領域対92Bからなる。一組の線状磁化領域対92Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。
図38に示す例では、線状磁化領域対92Bの一例として、線状磁化領域92B1及び92B2が示されている。線状磁化領域対92Bは、上記第8変形例で説明した線状磁化領域対86B(図34参照)と同様に構成されており、線状磁化領域対86Bと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域92B1は、上記第8変形例で説明した線状磁化領域86B1(図34参照)と同様に構成されており、線状磁化領域86B1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域92B2は、上記第8変形例で説明した線状磁化領域86B2(図34参照)と同様に構成されており、線状磁化領域86B2と同様の幾何特性を有する。
図38に示す例において、線状磁化領域対92Bは、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、線状磁化領域92B1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域92B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
[第10変形例]
図37に示す例では、サーボバンドSBが磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のM字状のサーボパターン90が記録されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図39に示すように、サーボパターン96は、N字状に磁化されたサーボパターンであってもよい。サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン96が記録されている。複数のサーボパターン96は、複数のサーボパターン90(図37参照)と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
図39に示す例では、一組のサーボパターン96の一例として、サーボパターン96A及び96Bが示されている。サーボパターン96A及び96Bの各々は、N字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン96A及び96Bは、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合っている。順方向の上流側にサーボパターン96Aが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン96Bが位置している。
一例として図40に示すように、サーボパターン96は、線状磁化領域群98からなる。線状磁化領域群98は、線状磁化領域群98Aと線状磁化領域群98Bとに類別される。
サーボパターン96Aは、線状磁化領域群98Aからなる。線状磁化領域群98Aは、線状磁化領域98A1、98A2及び98A3からなる。線状磁化領域98A1、98A2及び98A3は、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域98A1、98A2及び98A3は、順方向の上流側から線状磁化領域98A1、98A2及び98A3の順に配置されている。
線状磁化領域98A1及び98A2は、図38に示す線状磁化領域対92Aと同様に構成されており、線状磁化領域対92Aと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域98A1は、図38に示す線状磁化領域92A1と同様に構成されており、線状磁化領域92A1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域98A2は、図38に示す線状磁化領域92A2と同様に構成されており、線状磁化領域92A2と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域98A3は、線状磁化領域92A1と同様に構成されており、線状磁化領域92A1と同様の幾何特性を有する。
図40に示す例において、線状磁化領域98A1及び98A2は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域98A1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域98A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域98A2及び98A3も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域98A3は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域98A2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
サーボパターン96Bは、線状磁化領域群98Bからなる。線状磁化領域群98Bは、線状磁化領域98B1、98B2及び98B3からなる。線状磁化領域98B1、98B2及び98B3は、磁気テープMTの長手方向LDに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域98B1、98B2及び98B3は、順方向の上流側から線状磁化領域98B1、98B2及び98B3の順に配置されている。
線状磁化領域98B1及び98B2は、図38に示す線状磁化領域対92Bと同様に構成されており、線状磁化領域対92Bと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域98B1は、図38に示す線状磁化領域92B1と同様に構成されており、線状磁化領域92B1と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域98B2は、図38に示す線状磁化領域92B2と同様に構成されており、線状磁化領域92B2と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域98B3は、線状磁化領域92B1と同様に構成されており、線状磁化領域92B1と同様の幾何特性を有する。
図40に示す例において、線状磁化領域98B1及び98B2は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域98B1は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域98B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。また、線状磁化領域98B2及び98B3も、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例であり、この場合、線状磁化領域98B3は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域98B2は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例である。
[第11変形例]
上記実施形態では、カートリッジメモリ24にサーボフォーマット情報SFが記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。本第11変形例では、サーボフォーマット情報SFが磁気テープMTに記憶されている。磁気テープMTは、本開示の技術に係る「格納媒体」の一例である。
一例として図41に示すように、サーボフォーマット情報SFが、磁気テープMTの先頭に設けられたBOT領域MT1に記憶されている。制御装置30は、BOT領域MT1のデータバンドDBがデータ読み書き素子DRW(図6参照)よって読み取られた結果であるデータバンド信号(すなわち、サーボフォーマット情報SFを示す信号)を取得する。制御装置30は、サーボ制御、スキュー角度制御、及び/又は張力制御等を行う。なお、サーボフォーマット情報SFは、磁気テープMTの後尾に設けられたEOT領域MT2に記録されていてもよいし、サーボフォーマット情報SFは、BOT領域MT1及びEOT領域MT2に記録されていてもよい。サーボフォーマット情報SFの一部が磁気テープMTに記録され、サーボフォーマット情報SFの残部がカートリッジメモリ24に記憶されている態様であってもよい。
以上説明したように、本第11変形例によれば、サーボフォーマット情報SFが磁気テープMTのBOT領域MT1に記録される。従って、本構成によれば、磁気テープカートリッジ12に対して別途の記憶媒体を設ける場合と比較して、サーボフォーマット情報SFを格納させることが簡便に実現される。
[第12変形例]
上記実施形態では、サーボパターン58において、線状磁化領域60A1が、線状磁化領域60A2よりも、仮想直線C1に対する傾斜角度が急である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図42に示すように、線状磁化領域600A2は、線状磁化領域600A1よりも、仮想直線C1に対する傾斜角度が急であってもよい。サーボバンドSBには、磁気テープMTの長手方向LDに沿って複数のサーボパターン580が記録されている。複数のサーボパターン580は、複数のサーボパターン58と同様に、磁気テープMTの長手方向LDに沿って一定の間隔で配置されている。
サーボパターン580は、線状磁化領域対600からなる。本第12変形例において、線状磁化領域対600は、本開示の技術に係る「線状磁化領域対」の一例である。
線状磁化領域対600は、線状磁化領域対600Aと線状磁化領域対600Bとに類別される。すなわち、線状磁化領域対600は、線状磁化領域対60に比べ、線状磁化領域対60Aに代えて線状磁化領域600Aを有する点、及び線状磁化領域60Bに代えて線状磁化領域600Bを有する点が異なる。
サーボパターン580Aは、線状磁化領域対600Aからなる。線状磁化領域対600Aは、線状磁化領域対60Aに比べ、線状磁化領域60A1に代えて線状磁化領域600A1を有する点、及び線状磁化領域60A2に代えて線状磁化領域600A2を有する点が異なる。線状磁化領域600A1及び600A2の各々は、線状に磁化された領域である。本第12変形例において、線状磁化領域600A1は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域600A2は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域600A1及び600A2は、仮想直線C1に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域600A1及び600A2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C1に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域600A2は、線状磁化領域600A1よりも、仮想直線C1に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線C1に対する線状磁化領域600A2の角度が、仮想直線C1に対する線状磁化領域600A2の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域600A2の全長は、線状磁化領域600A2の全長よりも短い。
線状磁化領域600A1は、線状磁化領域60A1に比べ、複数の磁化直線60A1aに代えて複数の磁化直線600A1aを有する点が異なる。線状磁化領域600A2は、線状磁化領域60A2に比べ、複数の磁化直線60A2aに代えて複数の磁化直線600A2aを有する点が異なる。
線状磁化領域600A1には、複数の磁化直線600A1aが含まれており、線状磁化領域600A2には、複数の磁化直線600A2aが含まれている。線状磁化領域600A1に含まれる磁化直線600A1aの本数と線状磁化領域600A2に含まれる磁化直線600A2aの本数は同じである。
線状磁化領域600A1は、第1線対称領域に相当する線状磁化領域である。第1線対称領域とは、上記第1実施形態で説明した線状磁化領域60A2(図9参照)が仮想直線C1に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域600A1は、線状磁化領域60A2(図9参照)の鏡像の幾何特性(すなわち、仮想直線C1を線対称軸として線状磁化領域60A2(図9参照)に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性)で形成された線状磁化領域とも言える。
線状磁化領域600A2は、第2線対称領域に相当する線状磁化領域である。第2線対称領域とは、上記第1実施形態で説明した線状磁化領域60A1(図9参照)が仮想直線C1に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域600A2は、線状磁化領域60A1(図9参照)の鏡像の幾何特性(すなわち、仮想直線C1を線対称軸として線状磁化領域60A1(図9参照)に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性)で形成された線状磁化領域とも言える。
つまり、図10に示す例において、仮想直線C1に対して仮想線状領域62A及び62Bの対称軸SA1を、中心O1を回転軸として、図10の紙面表側から見た場合の時計周りに角度a傾斜させることによって仮想線状領域対62の全体を仮想直線C1に対して傾斜させた場合の仮想線状領域62Aの両端の位置と仮想線状領域62Bの両端の位置とを揃えることで得られた仮想線状領域対62の幾何特性が、サーボパターン580Aの幾何特性に相当する。
サーボパターン580Bは、線状磁化領域対600Bからなる。線状磁化領域対600Bは、線状磁化領域対60Bに比べ、線状磁化領域60B1に代えて線状磁化領域600B1を有する点、及び線状磁化領域60B2に代えて線状磁化領域600B2を有する点が異なる。線状磁化領域600B1及び600B2の各々は、線状に磁化された領域である。本第12変形例において、線状磁化領域600B1は、本開示の技術に係る「第2線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域600B2は、本開示の技術に係る「第1線状磁化領域」の一例である。
線状磁化領域600B1及び600B2は、仮想直線C2に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域600B1及び600B2は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線C2に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域600B2は、線状磁化領域600B1よりも、仮想直線C2に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線C2に対する線状磁化領域600B2の角度が、仮想直線C2に対する線状磁化領域600B2の角度よりも小さいことを指す。
線状磁化領域600B1には、複数の磁化直線600B1aが含まれており、線状磁化領域600B2には、複数の磁化直線600B2aが含まれている。線状磁化領域600B1に含まれる磁化直線600B1aの本数と線状磁化領域600B2に含まれる磁化直線600B2aの本数は同じである。
サーボパターン580Bに含まれる磁化直線600B1a及び600B2aの総本数は、サーボパターン580Aに含まれる磁化直線600A1a及び600A2aの総本数と異なる。図42に示す例では、サーボパターン580Aに含まれる磁化直線600A1a及び600A2aの総本数が10本であるのに対し、サーボパターン580Bに含まれる磁化直線600B1a及び600B2aの総本数は8本である。
線状磁化領域600B1は、4本の磁化された直線である磁化直線600B1aの集合であり、線状磁化領域600B2は、4本の磁化された直線である磁化直線600B2aの集合である。サーボバンドSB内では、幅方向WDについて線状磁化領域600B1の両端の位置(すなわち、4本の磁化直線600B1aの各々の両端の位置)と線状磁化領域600B2の両端の位置(すなわち、4本の磁化直線600B2aの各々の両端の位置)とが揃っている。
このように、サーボパターン580Aの幾何特性は、線状磁化領域60A2(図9参照)の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域60A2(図9参照)の鏡像の幾何特性(すなわち、図9に示すサーボパターン58A(図9参照)の鏡像の幾何特性)に相当し、サーボパターン580Bの幾何特性は、線状磁化領域60B2(図9参照)の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域60B2(図9参照)の鏡像の幾何特性(すなわち、図9に示すサーボパターン58B(図9参照)の鏡像の幾何特性)に相当する。しかし、これは、あくまでも一例に過ぎず、サーボパターン580に代えて、図30に示すサーボパターン72の鏡像の幾何特性、図32に示すサーボパターン78の鏡像の幾何特性、図34に示すサーボパターン84の鏡像の幾何特性、図37に示すサーボパターン90の鏡像の幾何特性、又は、図39に示すサーボパターン96の鏡像の幾何特性で形成されたサーボパターンを適用してもよい。
本実施形態に係る磁気テープシステム10を用いて、磁気テープMTのPES変動幅を評価した。評価結果を表1に示す。
Figure 2023067268000003
一例として表1に示すように、実施例1では、サーボフォーマット情報SFとしてサーボパターン記録ヘッドWHのスキュー角度(すなわち、サーボパターン58を記録した場合のサーボパターン58の傾斜角度α)を示す情報をカートリッジメモリ24に記憶させた。そして、サーボパターン記録ヘッドWHのスキュー角度を示す情報に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープMTに対するデータの読み書きを行った。その結果、PES変動幅は、16nmであった。実施例2では、サーボフォーマット情報SFとして磁気現像により見積もったサーボパターン58の傾斜角度αをカートリッジメモリ24に記憶させた。そして、磁気現像により見積もったサーボパターン58の傾斜角度αに基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープMTに対するデータの読み書きを行った。その結果、PES変動幅は、13nmであった。
実施例3では、サーボフォーマット情報SFとして、実施例1及び2で用いたサーボフォーマット情報SFをカートリッジメモリ24に記憶させた。そして、実施例1及び2で用いたサーボフォーマット情報SFに基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープMTに対するデータの読み書きを行った。その結果、PES変動幅は、12nmであった。実施例4では、サーボフォーマット情報SFとして、実施例1及び2で用いたサーボフォーマット情報SFに加えて、サーボパターン58の傾斜角度αに応じた理想波形信号67をカートリッジメモリ24に記憶させた。そして、実施例1及び2で用いたサーボフォーマット情報SF、並びにサーボパターン58の傾斜角度αに応じた理想波形信号67に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープMTに対する読み書きを行った。その結果、PES変動幅は、10nmであった。
実施例5では、サーボフォーマット情報SFとして、実施例1~4で用いたサーボフォーマット情報SFに加えて、磁気テープ幅変化情報SF2を記憶させた。そして、実施例1~4で用いたサーボフォーマット情報SF、及び磁気テープ幅変化情報SF2に基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整して磁気テープMTに対する読み書きを行った。この結果、PES変動幅は、8nmであった。実施例6では、サーボフォーマット情報SFとして、実施例1~5で用いたサーボフォーマット情報SFに加えて、幅調整情報SF4をカートリッジメモリ24に記憶させた。そして、実施例1~5で用いたサーボフォーマット情報SFに基づいて、磁気ヘッドスキュー角度を調整し、さらに幅調整情報SF4に基づいて、テープ幅Wを調整して磁気テープMTに対する読み書きを行った。この結果、PES変動幅は、7nmであった。実施例1~6のPES変動幅は、何れも好ましいPES変動幅の範囲である18nm以下であった。
比較例1では、サーボフォーマット情報SFとしてサーボパターン傾斜情報SF1を用いずに、磁気テープMTに対する読み書きを行った。この結果、PES変動幅は、23nmであった。比較例2では、磁気テープ幅変化情報SF2及び幅調整情報SF4をカートリッジメモリ24に記憶させた。そして、磁気テープ幅変化情報SF2及び幅調整情報SF4に基づいて、テープ幅Wの調整を行って磁気テープMTに対する読み書きを行った。この結果、PES変動幅は、20nmであった。比較例1及び比較例2のPES変動幅は、何れも好ましいPES変動幅の範囲(すなわち、18nm以下)を超えていた。
[その他の変形例]
上記実施形態では、磁気テープドライブ14に対して磁気テープカートリッジ12が挿脱自在な磁気テープシステム10を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ14に対して少なくとも1つの磁気テープカートリッジ12が事前に装填されている磁気テープシステム(すなわち、少なくとも1つの磁気テープカートリッジ12と磁気テープドライブ14とが事前に一体化された磁気テープシステム)であっても本開示の技術は成立する。
上記実施形態では、単一の磁気ヘッド28を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、複数の磁気ヘッド28が磁気テープMT上に配置されてもよい。例えば、読み取り用の磁気ヘッド28と、少なくとも1つの書き込み用の磁気ヘッド28とが磁気テープMT上に配置されるようにしてもよい。読み取り用の磁気ヘッド28は、書き込み用の磁気ヘッド28によってデータバンドDBに記録されたデータのベリファイに用いてもよい。また、読み取り用の磁気素子ユニット42と、少なくとも1つの書き込み用の磁気素子ユニット42とが搭載された1つの磁気ヘッドが磁気テープMT上に配置されてもよい。
上記実施形態では、サーボフォーマット情報SFが、磁気テープカートリッジ12の製造段階でカートリッジメモリ24に記憶される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、サーボフォーマット情報SFは、磁気テープカートリッジ12の出荷後に記録されてもよいし、磁気テープカートリッジ12の使用段階(すなわち、磁気テープMTに対するデータの読み書きが行われる段階)で記録されてもよい。また、カートリッジメモリ24に記憶されたサーボフォーマット情報SFは、更新されてもよい。
また、上記実施形態では、PESは、上記数式(1)を用いて算出される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、PESは、下記数式(2)を用いて算出されてもよい。
Figure 2023067268000004
ここで、上記数式(2)において、ΣAiの意味は、例えば、1つのサーボパターン58A内での全ての磁化領域対から得られる第2距離の総和を指す。また、ΣBiの意味は、例えば、1つのサーボパターン58A内での全ての磁化領域対から得られる第1距離の総和を指す。磁化領域対とは、位置が対応関係にある磁化直線60A1aと磁化直線60B1aとの組み合わせを指す。
また、上記実施形態では、理想波形信号67は、磁気ヘッド28に設けられたサーボ読取素子SRによって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、理想波形信号は、ベリファイヘッドVHによって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号であってもよい。
また、上記実施形態では、制御装置30(図3参照)がASICによって実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、制御装置30は、ソフトウェア構成によって実現されてもよい。また、制御装置30に含まれる位置検出部30Bのみがソフトウェア構成によって実現されてもよい。位置検出部30Bがソフトウェア構成によって実現される場合、例えば、図43に示すように、位置検出部30Bは、コンピュータ100を備えている。コンピュータ100は、プロセッサ100A(例えば、単数のCPU又は複数のCPUなど)、NVM100B、及びRAM100Cを有する。プロセッサ100A、NVM100B、及びRAM100Cは、バス100Dに接続されている。コンピュータ読取可能な非一時的記憶媒体である可搬型の記憶媒体102(例えば、SSD又はUSBメモリなど)には、サーボパターン検出プログラムPGが記憶されている。
記憶媒体102に記憶されているサーボパターン検出プログラムPGは、コンピュータ100にインストールされる。CPU100Aは、サーボパターン検出プログラムPGに従ってサーボパターン検出処理(図19参照)を実行する。
また、通信網(図示省略)を介してコンピュータ100に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置にサーボパターン検出プログラムPGを記憶させておき、位置検出部30Bからの要求に応じてサーボパターン検出プログラムPGがダウンロードされ、コンピュータ100にインストールされるようにしてもよい。なお、サーボパターン検出プログラムPGは、本開示の技術に係る「プログラム」の一例であり、コンピュータ100は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例である。
図43に示す例では、コンピュータ100が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ100に代えて、ASIC、FPGA、及び/又はPLCを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ100に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
制御装置30(図3参照)及び/又はサーボライタコントローラSW5(図18参照)の処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるCPUが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、FPGA、PLC、又は例示のASIC等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。いずれのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、いずれのプロセッサもメモリを使用することで処理を実行する。
制御装置30及び/又はサーボライタコントローラSW5の処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの1つで構成されてもよいし、同種または異種の2つ以上のプロセッサの組み合わせ(例えば、複数のFPGAの組み合わせ、又はCPUとFPGAとの組み合わせ)で構成されてもよい。また、制御装置30及び/又はサーボライタコントローラSW5の処理を実行するハードウェア資源は1つのプロセッサであってもよい。
1つのプロセッサで構成する例としては、第1に、1つ以上のCPUとソフトウェアの組み合わせで1つのプロセッサを構成し、このプロセッサが処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第2に、SoC等に代表されるように、処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を1つのICチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、制御装置30及び/又はサーボライタコントローラSW5の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの1つ以上を用いて実現される。
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。また、上記の制御装置30及び/又はサーボライタコントローラSW5の処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
本明細書において、「A及び/又はB」は、「A及びBのうちの少なくとも1つ」と同義である。つまり、「A及び/又はB」は、Aだけであってもよいし、Bだけであってもよいし、A及びBの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、3つ以上の事柄を「及び/又は」で結び付けて表現する場合も、「A及び/又はB」と同様の考え方が適用される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
10 磁気テープシステム
12 磁気テープカートリッジ
14 磁気テープドライブ
16 ケース
16A 右壁
16B 開口
18 上ケース
20 下ケース
22,SW1 送出リール
22A リールハブ
22B1 上フランジ
22B2 下フランジ
24 カートリッジメモリ
24B,33 裏面
26 搬送装置
28 磁気ヘッド
29A 磁性層
29B ベースフィルム
29C バックコート層
30,SW5 制御装置
30A 制御部
30B 位置検出部
30B1 第1位置検出部
30B2 第2位置検出部
30C PES算出部
30D 角度検出部
30D1 第1角度検出部
30D2 第2角度検出部
31 表面
32 ストレージ
34 UI系装置
35 通信インタフェース
36 送出モータ
37 外部装置
38,SW2 巻取リール
40,M 巻取モータ
42 磁気素子ユニット
44 ホルダ
46 非接触式読み書き装置
48 移動機構
48A 移動アクチュエータ
49 傾斜機構
49A 傾斜アクチュエータ
52,52A,52B,58,58A,58B,72,72A,72B,78,78A,78B,84,84A,84B,90,90A,90B,580,580A,580B サーボパターン
54,54A,54B,60,60A,60B,74,74A,74B,86,86A,86B,92,92A,92B,600,600A,600B 線状磁化領域対
54A1,54A2,54B1,54B2,60A1,60A2,60B1,60B2,74A1,74A2,74B1,74B2,80A1,80A2,80A3,86A1,86A2,86B1,86B2,92A1,92A2,92B1,92B2,600A1,600A2,600B1,600B2 線状磁化領域
54A1a,54A2a,54B1a,54B2a,60A1a,60A2a,60B1a,60B2a,86A1a,86A2a,86B1a,86B2a,600A1a,600A2a,600B1a,600B2a 磁化直線
62 仮想線状領域対
62A,62B 仮想線状領域
62A1,62B1 直線
66,67 理想波形信号
68 仮想直線領域対
68A,68B 仮想直線領域
80,80A,80B 線状磁化領域群
A,B,C 矢印
α,β,γ,θa,θb,θAi,θBi 角度
VH ベリファイヘッド
C1,C2,C3,C4 仮想直線
DB,DB1,DB2 データバンド
DRW データ読み書き素子
GR ガイドローラ
Int1,Int2 間隔
L0 線分
LD 長手方向
MF 磁界
MT,MT0 磁気テープ
O1 中心
RA 回転軸
S サーボバンド信号
S1 第1サーボバンド信号
S2 第2サーボバンド信号
SP サーボパターン信号
SP1 第1サーボパターン信号
SP2 第2サーボパターン信号
SA1,SA2 対称軸
SB,SB1,SB2,SB3 サーボバンド
SR,SR1,SR2 サーボ読取素子
SW サーボライタ
SW3 駆動装置
SW4 パルス信号生成器
SW4A 第1パルス信号生成器
SW4B 第2パルス信号生成器
SW4C 第3パルス信号生成器
SW5 サーボライタコントローラ
SW6 ガイド
SW7 搬送路
SF サーボフォーマット情報
SF1 サーボパターン傾斜情報
SF2 磁気テープ幅変化情報
SF3 サーボパターン幾何特性情報
SF4 幅調整情報
SF4a 張力情報
SF5 スキュー角度情報
TF 張力影響因子情報
TF1,DF1 磁気テープ幅情報
TF2,DF2 磁気テープ特性情報
TF3,DF3 使用履歴情報
TF4,DF4 温度情報
TF5,DF5 湿度情報
DF 角度影響因子情報
W 磁気テープ幅
WD 幅方向
WH サーボパターン記録ヘッド

Claims (23)

  1. 長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープと、
    格納媒体と、を備え、
    前記格納媒体には、第1仮想直線に対する前記サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報が格納されている
    磁気テープカートリッジ。
  2. 前記第1仮想直線は、前記磁気テープの幅方向に沿った直線であり、
    前記サーボパターンは、少なくとも1つの線状磁化領域対であり、
    前記線状磁化領域対は、線状に磁化された第1線状磁化領域、及び線状に磁化された第2線状磁化領域であり、
    前記第1線状磁化領域及び前記第2線状磁化領域は、前記第1仮想直線に対して相反する方向に傾斜されており、
    前記第1線状磁化領域は、前記第2線状磁化領域よりも、前記第1仮想直線に対する傾斜角度が急であり、
    前記サーボパターン傾斜情報は、前記第1線状磁化領域の前記第1仮想直線に対する傾斜角度に関する情報、及び前記第2線状磁化領域の前記第1仮想直線に対する傾斜角度に関する情報を含む
    請求項1に記載の磁気テープカートリッジ。
  3. 前記磁気テープの幅方向について前記第1線状磁化領域の両端の位置と前記第2線状磁化領域の両端の位置とが揃っている
    請求項2に記載の磁気テープカートリッジ。
  4. 前記第1線状磁化領域の全長は、前記第2線状磁化領域の全長よりも短い
    請求項3に記載の磁気テープカートリッジ。
  5. 前記第1線状磁化領域は、複数の第1磁化直線の集合であり、
    前記第2線状磁化領域は、複数の第2磁化直線の集合である
    請求項2から請求項4の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  6. 前記線状磁化領域対の前記磁気テープ上での幾何特性は、前記第1仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を前記第1仮想直線に対して傾斜させることによって前記一対の仮想線状領域の全体を前記第1仮想直線に対して傾斜させた場合の前記一対の仮想線状領域に基づく幾何特性に相当する
    請求項2から請求項5の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  7. 前記線状磁化領域対の前記磁気テープ上での幾何特性は、前記第1仮想直線に対して線対称に傾けられた一対の仮想線状領域の対称軸を前記第1仮想直線に対して傾斜させることによって前記一対の仮想線状領域の全体を前記第1仮想直線に対して傾斜させた場合の前記一対の仮想線状領域のうちの一方の仮想線状領域の両端の位置と他方の仮想線状領域の両端の位置とを前記幅方向で揃えた幾何特性に相当する
    請求項3、請求項4、及び、請求項3又は請求項4に従属する請求項5の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  8. 前記サーボフォーマット情報は、前記サーボパターンがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボパターン信号の理想波形を示す理想波形信号を含む
    請求項1から請求項7の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  9. 前記理想波形は、前記磁気テープ上での前記サーボ読取素子の向きに応じて定められた波形である
    請求項8に記載の磁気テープカートリッジ。
  10. 前記理想波形は、前記サーボパターンの幾何特性と前記磁気テープ上での前記サーボ読取素子の向きとに応じて定められた波形である
    請求項9に記載の磁気テープカートリッジ。
  11. 前記サーボ読取素子は、磁気ヘッドに搭載されており、
    前記理想波形は、前記磁気テープ上での前記磁気ヘッドの向きに応じて定められた波形である
    請求項8に記載の磁気テープカートリッジ。
  12. 前記理想波形は、前記サーボパターンの幾何特性と前記磁気テープ上での前記磁気ヘッドの向きとに応じて定められた波形である
    請求項11に記載の磁気テープカートリッジ。
  13. 前記サーボフォーマット情報は、前記磁気テープの幅に関する情報及び/又は前記サーボパターンの幾何特性に関する情報を含む
    請求項1から請求項12の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  14. 前記サーボフォーマット情報は、前記磁気テープの幅を調整するための幅調整情報を含む
    請求項1から請求項13の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  15. 前記幅調整情報は、前記磁気テープの全長方向における張力に関する情報を含む
    請求項14に記載の磁気テープカートリッジ。
  16. 前記張力に関する情報は、前記磁気テープの幅、前記磁気テープそのものが有する特性、前記磁気テープの使用履歴、前記磁気テープに対して与えられる温度、及び/又は前記磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる
    請求項15に記載の磁気テープカートリッジ。
  17. 前記サーボフォーマット情報は、前記サーボパターンを読み取るサーボ読取素子が搭載された磁気ヘッドを前記磁気テープ上でスキューさせる角度であるスキュー角度に関する情報を含む
    請求項1から請求項16の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  18. 前記スキュー角度に関する情報は、前記磁気テープの幅、前記磁気テープそのものが有する特性、前記磁気テープの使用履歴、前記磁気テープに対して与えられる温度、及び/又は前記磁気テープに対して与えられる湿度に応じて定められる
    請求項17に記載の磁気テープカートリッジ。
  19. 前記磁気テープは、カートリッジに収容されており、
    前記カートリッジには、非接触式記憶媒体が前記格納媒体として設けられている
    請求項1から請求項18の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  20. 前記格納媒体は、前記磁気テープである
    請求項1から請求項18の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  21. プロセッサを備え、
    前記プロセッサは、
    請求項1から請求項20の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに設けられた前記格納媒体に格納された前記サーボフォーマット情報を取得し、
    取得した前記サーボフォーマット情報に応じた処理を実行する
    磁気テープドライブ。
  22. 長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第1仮想直線に対する前記サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、
    取得した前記サーボフォーマット情報に応じた処理を実行すること
    を含むサーボパターンの検出方法。
  23. コンピュータに、
    長手方向に沿って複数のサーボパターンが記録された磁気テープを有する磁気テープカートリッジに設けられた格納媒体に格納され、かつ第1仮想直線に対する前記サーボパターンの傾斜に関する情報であるサーボパターン傾斜情報を含むサーボフォーマット情報を取得すること、及び、
    取得した前記サーボフォーマット情報に応じた処理を実行させること
    を含む処理を実行させるためのプログラム。
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