JP2023095587A - 磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、メモリ、磁気テープ、磁気テープシステム、及び磁気テープドライブの動作方法 - Google Patents

磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、メモリ、磁気テープ、磁気テープシステム、及び磁気テープドライブの動作方法 Download PDF

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Abstract

【課題】磁気テープの幅の変形に伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、メモリ、磁気テープ、磁気テープシステム、及び磁気テープドライブの動作方法を提供する。【解決手段】磁気テープカートリッジは、磁気テープと、磁気テープに関する情報が格納された格納媒体と、を備える。磁気テープは、記録面を有する。記録面には、磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録される。磁気ヘッドは、記録面に沿って磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置される。格納媒体には、記録面にデータが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報が格納されている。角度調整情報は、磁気ヘッドを記録面に沿って幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である。【選択図】図１８

Description

本開示の技術は、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、メモリ、磁気テープ、磁気テープシステム、及び磁気テープドライブの動作方法に関する。
特許文献１には、磁気テープを収容するカートリッジケースと、カートリッジケースに設けられ、磁気テープのデータ記録時における情報であって、磁気テープのデータ再生時において磁気テープの幅を調整するための情報を記憶するメモリと、を具備し、情報は、データ記録時における磁気テープの周囲の温度の情報を含むカートリッジが開示されている。
特許第６６６９３２６号
本開示の技術に係る一つの実施形態は、磁気テープの幅の変形に伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、メモリ、磁気テープ、磁気テープシステム、及び磁気テープドライブの動作方法を提供する。
本開示の技術に係る第１の態様は、磁気テープと、磁気テープに関する情報が格納された格納媒体と、を備え、磁気テープが、記録面を有し、記録面には、磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録され、磁気ヘッドが、記録面に沿って磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、格納媒体には、記録面にデータが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報が格納されており、角度調整情報が、磁気ヘッドを記録面に沿って幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である、磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第２の態様は、角度調整情報が、磁気テープの幅に対応する幅対応情報を含み、幅対応情報が、記録面にデータが記録される間に磁気テープを走行させた状態で取得された情報である第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第３の態様は、幅対応情報が、磁気テープの全長方向において磁気テープの複数の箇所で取得される第２の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第４の態様は、角度調整情報が、環境を特定する第１環境情報を含む第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第５の態様は、第１環境情報が、温度を示す温度情報、及び湿度を示す湿度情報のうちの少なくとも一方を含む情報である第４の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第６の態様は、角度調整情報が、磁気ヘッドが記録面に沿って幅方向に対して傾斜している角度を示す角度情報を含む第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第７の態様は、角度調整情報が、磁気テープの物理的な特徴を示す物理的特徴情報を含む第１の態様から第６の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第８の態様は、物理的な特徴が、磁気テープの厚み、磁気テープの磁性層の厚み、磁気テープの表面の摩擦係数、磁気テープの裏面の摩擦係数、磁気テープの温度膨張係数、磁気テープの湿度膨張係数、磁気テープのポアソン比、及び磁気テープの基材のうちの少なくとも１つを含む第７の態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第９の態様は、格納媒体が、非接触式読み書き装置と非接触で通信可能なメモリを含む媒体である第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１０の態様は、格納媒体が、磁気テープの一部を含む媒体である第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジである。
本開示の技術に係る第１１の態様は、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジに対する処理を実行するプロセッサと、磁気ヘッドに動力を付与することで角度を調整する角度調整機構と、を備え、プロセッサが、格納媒体から角度調整情報を取得し、角度調整情報に基づいて角度調整機構に対して角度を調整させる磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第１２の態様は、磁気テープが、サーボバンドを有し、磁気ヘッドが、サーボ読取素子を有し、プロセッサが、角度調整情報に基づいて角度調整機構に対して角度を調整させることで、データ記録タイミングでのサーボバンドとサーボ読取素子との位置関係と記録面からデータが読み取られるタイミングである第１データ読取タイミングでのサーボバンドとサーボ読取素子との位置関係とを一致させる第１１の態様に係る磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第１３の態様は、磁気ヘッドが、記録面からデータを読み取り、
角度調整情報は、環境を特定する第２環境情報を含み、プロセッサが、磁気ヘッドによって記録面からデータが読み取られるタイミングで環境を特定する第３環境情報を取得し、第２環境情報と第３環境情報との相違度に基づいて角度調整機構に対して角度を調整させる第１１の態様又は第１２の態様に係る磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第１４の態様は、プロセッサが、記録面にデータが記録される第１タイミングで、環境を特定する第４環境情報を取得し、記録面にデータが記録される第２タイミングであって、第１タイミングとは異なる第２タイミングで環境を特定する第５環境情報を取得し、第４環境情報と第５環境情報との相違度に基づいて角度調整機構に対して角度を調整させる第１１の態様から第１３の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第１５の態様は、第２タイミングが、第１タイミングで記録面に記録されたデータに対して上書きを行うことでデータを更新するタイミング、及び／又は、第１タイミングでデータが記録された記録面に対して新たなデータを追記するタイミングである第１４の態様に係る磁気テープドライブである。
本開示の技術に係る第１６の態様は、磁気テープに対して磁気的処理を行う磁気ヘッドの動作を制御する制御情報が格納されたメモリであって、磁気テープが、記録面を有し、記録面には、磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録され、磁気ヘッドが、記録面に沿って磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、制御情報が、記録面にデータが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報を含み、角度調整情報が、磁気ヘッドを記録面に沿って幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である、メモリである。
本開示の技術に係る第１７の態様は、磁気ヘッドによって磁気的処理が行われる記録面を備える磁気テープであって、記録面には、磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録され、磁気ヘッドが、記録面に沿って磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、記録面には、記録面にデータが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報が記録されており、角度調整情報が、磁気ヘッドを記録面に沿って幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である、磁気テープである。
本開示の技術に係る第１８の態様は、第１７の態様に係る磁気テープと、磁気テープに対する処理を実行するプロセッサ、及び磁気ヘッドに動力を付与することで角度を調整する角度調整機構を有する磁気テープドライブと、を備え、プロセッサが、記録面から角度調整情報を取得し、角度調整情報に基づいて角度調整機構に対して角度を調整させる磁気テープシステムである。
本開示の技術に係る第１９の態様は、磁気テープドライブの動作方法であって、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープカートリッジに含まれる格納媒体から角度調整情報を取得すること、及び、角度調整情報に基づいて角度調整機構に対して角度を調整させることを含む磁気テープドライブの動作方法である。
磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 磁気テープ上に磁気ヘッドが配置されている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 磁気テープの表面に形成されたデータバンドの構成の一例を示す概念図である。 データ読み書き素子とデータトラックとの対応関係の一例を示す概念図である。 磁気テープの幅が収縮する前後の磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 磁気テープ上で磁気ヘッドがスキューされた状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 磁気テープドライブに含まれる処理装置が有する機能の一例を示す概念図である。 磁気テープドライブに含まれる処理装置が有する位置検出装置の処理内容の一例を示す概念図である。 磁気テープドライブに含まれる処理装置が有する制御装置の処理内容の一例を示す概念図である。 制御装置が有する機能の一例を示す概念図である。 基準スキュー角度導出部、第１傾斜機構制御部、及び第１走行制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 第１移動機構制御部及び第１読み書き素子制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 ピッチ算出部の処理内容の一例を示す概念図である。 カートリッジメモリに格納されている角度調整情報の内容の一例を示すブロック図である。 角度調整情報取得部及び第２傾斜機構制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 角度調整情報取得部、第２環境情報取得部、及び角度調整量算出部の処理内容の一例を示す概念図である。 角度調整量算出部の処理内容の一例を示す概念図である。 第２傾斜機構制御部、第２走行制御部、移動機構制御部、及び読み書き素子制御部の処理内容の一例を示す概念図である。 データ記録処理の流れの一例を示すフローチャートである。 データ読取処理の流れの一例を示すフローチャートである。 角度調整量決定処理の流れの一例を示すフローチャートである。 温度差及び湿度差を更新する場合の第２環境情報取得部及び角度調整量算出部の処理内容の一例を示す概念図である。 磁気テープの一部に角度調整情報が格納される態様の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第１変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせていない磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第２変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第２変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第３変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第３変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第４変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第５変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第６変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第６変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第７変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第７変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第８変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 記憶媒体に記憶されているプログラムが処理装置のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。
以下、添付図面に従って本開示の技術に係る磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、メモリ、磁気テープ、磁気テープシステム、及び磁気テープドライブの動作方法の実施形態の一例について説明する。
先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。
ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-volatile memory”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＰＬＣとは、“Programmable Logic Controller”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-chip"の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＢＯＴとは、“Beginning Of Tape”の略称を指す。ＥＯＴとは、“End Of Tape”の略称を指す。ＵＩとは、“User Interface”の略称を指す。ＷＡＮとは、“Wide Area Network”の略称を指す。ＬＡＮとは、“Local Area Network”の略称を指す。また、以下の説明において、幾何特性とは、長さ、形状、向き、及び／又は位置等の一般的に認識されている幾何学的な特性を指す。
一例として図１に示すように、磁気テープシステム１０は、磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４を備えている。磁気テープドライブ１４には、磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ１４は、装填された磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。
本実施形態において、磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープシステム１０は、本開示の技術に係る「磁気テープシステム」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープドライブ１４は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープカートリッジ１２は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。
次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１２の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の磁気テープドライブ１４への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１２の前方向とし、磁気テープカートリッジ１２の前方向の側を磁気テープカートリッジ１２の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１２の前側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１２の右方向の側を磁気テープカートリッジ１２の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１２の右側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１２の左方向の側を磁気テープカートリッジ１２の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１２の左側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１２の上方向とし、磁気テープカートリッジ１２の上方向の側を磁気テープカートリッジ１２の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１２の上側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の後方向とし、磁気テープカートリッジ１２の後方向の側を磁気テープカートリッジ１２の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１２の後側を指す。
また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の下方向とし、磁気テープカートリッジ１２の下方向の側を磁気テープカートリッジ１２の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１２の下側を指す。
一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１２は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１６を備えている。ケース１６には、磁気テープＭＴが収容されている。ケース１６は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１８及び下ケース２０を備えている。上ケース１８及び下ケース２０は、上ケース１８の下周縁面と下ケース２０の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。
ケース１６の内部には、送出リール２２が回転可能に収容されている。送出リール２２は、リールハブ２２Ａ、上フランジ２２Ｂ１、及び下フランジ２２Ｂ２を備えている。リールハブ２２Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ２２Ａは、送出リール２２の軸心部であり、軸心方向がケース１６の上下方向に沿っており、ケース１６の中央部に配置されている。上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ２２Ａの上端部には上フランジ２２Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ２２Ａの下端部には下フランジ２２Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ２２Ａと下フランジ２２Ｂ２は一体成型されていてもよい。
リールハブ２２Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２によって保持されている。
ケース１６の右壁１６Ａの前側には、開口１６Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１６Ｂから引き出される。
下ケース２０にはカートリッジメモリ２４が設けられている。具体的には、下ケース２０の右後端部に、カートリッジメモリ２４が収容されている。カートリッジメモリ２４には、ＮＶＭを有するＩＣチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ２４として採用されており、カートリッジメモリ２４に対しては非接触で各種情報の読み書きが行われる。なお、本実施形態では、カートリッジメモリ２４が下ケース２０に設けられている形態例が挙げられているが、本開示の技術はこれに限定されず、カートリッジメモリ２４は、非接触で各種情報の読み書きが可能な位置でケース１６に設けられていればよい。
カートリッジメモリ２４には、磁気テープカートリッジ１２を管理する管理情報１３が格納されている。管理情報１３には、例えば、カートリッジメモリ２４に関する情報（例えば、磁気テープカートリッジ１２を特定可能な情報）、磁気テープＭＴに関する情報、及び磁気テープドライブ１４に関する情報（例えば、磁気テープドライブ１４の仕様を示す情報、及び磁気テープドライブ１４で用いられる信号）等が含まれている。磁気テープＭＴに関する情報には、仕様情報１３Ａが含まれている。仕様情報１３Ａは、磁気テープＭＴの仕様を特定する情報である。また、磁気テープＭＴに関する情報には、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの項目を示す情報、及び磁気テープＭＴに記録されているデータの記録形式を示す情報等も含まれている。なお、カートリッジメモリ２４は、本開示の技術に係る「メモリ」の一例である。また、カートリッジメモリ２４及び磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「格納媒体」及び「メモリを含む媒体」の一例である。管理情報１３は、本開示の技術に係る「制御情報」の一例である。
一例として図３に示すように、磁気テープドライブ１４は、コントローラ２５、搬送装置２６、磁気ヘッド２８、ＵＩ系装置３４、通信インタフェース３５、及び環境センサＥＳを備えている。コントローラ２５は、処理装置３０及びストレージ３２を備えている。処理装置３０は、本開示の技術に係る「プロセッサ」の一例である。
磁気テープドライブ１４には、矢印Ａ方向に沿って磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴが磁気テープカートリッジ１２から引き出されて用いられる。磁気テープドライブ１４は、カートリッジメモリ２４に格納されている管理情報１３等を用いて磁気テープドライブ１４の全体（例えば、磁気ヘッド２８等）を制御する。
磁気テープＭＴは、磁性層２９Ａ、ベースフィルム２９Ｂ、及びバックコート層２９Ｃを有する。磁性層２９Ａは、ベースフィルム２９Ｂの一方の面側に形成されており、バックコート層２９Ｃは、ベースフィルム２９Ｂの他方の面側に形成されている。磁性層２９Ａには、データが記録される。磁性層２９Ａは、強磁性粉末を含む。強磁性粉末としては、例えば、各種磁気記録媒体の磁性層において一般的に用いられる強磁性粉末が用いられる。強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末が挙げられる。六方晶フェライト粉末としては、例えば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、又は六方晶バリウムフェライト粉末等が挙げられる。バックコート層２９Ｃは、例えば、カーボンブラック等の非磁性粉末を含む層である。ベースフィルム２９Ｂは、支持体とも称されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリアミド等で形成されている。なお、ベースフィルム２９Ｂと磁性層２９Ａとの間に非磁性層が形成されていてもよい。磁気テープＭＴにおいて、磁性層２９Ａが形成された面が磁気テープＭＴの表面３１であり、バックコート層２９Ｃが形成された面が磁気テープＭＴの裏面３３である。表面３１は、本開示の技術に係る「記録面」の一例である。
磁気テープドライブ１４は、磁気テープＭＴを走行させた状態で磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いて磁気的処理を行う。ここで、磁気的処理とは、磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録、及び磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取り（すなわち、データの再生）を指す。本実施形態では、磁気テープドライブ１４が磁気ヘッド２８を用いて磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録と磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取りとを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ１４は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いてデータを記録したり、引き出した磁気テープＭＴの表面３１から磁気ヘッド２８を用いてデータを読み取ったりする。
処理装置３０は、磁気テープドライブ１４の全体を制御する。本実施形態において、処理装置３０は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、処理装置３０は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、処理装置３０は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、処理装置３０は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。
ストレージ３２は、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、ストレージ３２に対する各種情報の書き込み、及びストレージ３２からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ３２の一例としては、フラッシュメモリ及び／又はＨＤＤが挙げられる。フラッシュメモリ及びＨＤＤは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ１４に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。
ＵＩ系装置３４は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー（例えば、キーボード）、及び／又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び／又はスピーカ等によって実現される。ＵＩ系装置３４は、処理装置３０に接続されている。処理装置３０は、ＵＩ系装置３４によって受け付けられた指示信号を取得する。ＵＩ系装置３４は、処理装置３０の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。
通信インタフェース３５は、処理装置３０に接続されている。また、通信インタフェース３５は、ＷＡＮ及び／又はＬＡＮ等の通信網（図示省略）を介して外部装置３７に接続されている。通信インタフェース３５は、処理装置３０と外部装置３７との間の各種情報（例えば、磁気テープＭＴに対する記録用データ、磁気テープＭＴから読み取られたデータ、及び／又は処理装置３０に対して与えられる指示信号等）の授受を司る。なお、外部装置３７としては、例えば、パーソナル・コンピュータ又はメインフレーム等が挙げられる。
搬送装置２６は、磁気テープＭＴを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ３６、巻取リール３８、巻取モータ４０、及び複数のガイドローラＧＲを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。
送出モータ３６は、処理装置３０の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内の送出リール２２を回転させる。処理装置３０は、送出モータ３６を制御することで、送出リール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
巻取モータ４０は、処理装置３０の制御下で、巻取リール３８を回転させる。処理装置３０は、巻取モータ４０を制御することで、巻取リール３８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。
磁気テープＭＴが巻取リール３８によって巻き取られる場合には、処理装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール３８に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が処理装置３０によって調整されることで、磁気テープＭＴに対して張力が付与される。また、磁気テープＭＴに付与される張力は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が処理装置３０によって調整されることによって制御される。
なお、磁気テープＭＴを送出リール２２に巻き戻す場合には、処理装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。
本実施形態では、送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。
複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール３８との間において磁気ヘッド２８を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。
磁気ヘッド２８は、磁気素子ユニット４２及びホルダ４４を備えている。磁気素子ユニット４２は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４４によって保持されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子を有する。
磁気素子ユニット４２は、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。ここで、データとは、例えば、サーボパターン５２（図６参照）、及びサーボパターン５２以外のデータ、すなわち、データバンドＤＢ（図６参照）に記録されているデータを指す。
磁気テープドライブ１４は、非接触式読み書き装置４６を備えている。非接触式読み書き装置４６は、本開示の技術に係る「非接触式読み書き装置」の一例である。非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２が装填された状態の磁気テープカートリッジ１２の下側にてカートリッジメモリ２４の裏面２４Ａに正対するように配置されており、カートリッジメモリ２４に対して非接触で情報の読み書きを行う。
環境センサＥＳは、磁気テープドライブ１４に内蔵されている。環境センサＥＳは、磁気テープドライブ１４の環境（例えば、磁気テープドライブ１４の内部の環境）を特定する物理量を測定する。磁気テープドライブ１４の環境（以下、単に「環境」とも称する）を特定する物理量としては、例えば、温度及び湿度が挙げられる。本実施形態において、環境センサＥＳは、磁気テープドライブ１４の温度及び湿度を測定する。磁気テープドライブ１４の温度及び湿度とは、例えば、磁気テープドライブ１４の内部（例えば、磁気ヘッド２８の先端部の近傍、又は、磁気テープカートリッジ１２が装填された位置の近傍など）の温度及び湿度を指す。温度及び湿度が測定される箇所は、磁気テープドライブ１４内の磁気テープＭＴの周辺が好ましい。特に、温度及び湿度が磁気テープＭＴの幅の変形に最も影響を与えやすい箇所として事前に指定された箇所が好ましい。環境センサＥＳは、処理装置３０に接続されており、環境センサＥＳによって測定された温度及び湿度は、処理装置３０によって把握される。
一例として図４に示すように、非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２の下側からカートリッジメモリ２４に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ２４を貫通する。
非接触式読み書き装置４６は、処理装置３０に接続されている。処理装置３０は、制御信号を非接触式読み書き装置４６に出力する。制御信号は、カートリッジメモリ２４を制御する信号である。非接触式読み書き装置４６は、処理装置３０から入力された制御信号に従って磁界ＭＦを生成し、生成した磁界ＭＦをカートリッジメモリ２４に向けて放出する。
非接触式読み書き装置４６は、磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４との間で非接触通信を行うことで、カートリッジメモリ２４に対して、制御信号に応じた処理を行う。例えば、非接触式読み書き装置４６は、処理装置３０の制御下で、カートリッジメモリ２４から情報を読み取る処理と、カートリッジメモリ２４に対して情報を格納する処理（すなわち、カートリッジメモリ２４に対して情報を書き込む処理）とを選択的に行う。換言すると、処理装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介して、カートリッジメモリ２４と非接触で通信を行うことにより、カートリッジメモリ２４から情報を読み取ったり、カートリッジメモリ２４に対して情報を格納したりする。
一例として図５に示すように、磁気テープドライブ１４は、移動機構４８を備えている。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａを有する。移動アクチュエータ４８Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。移動アクチュエータ４８Ａは、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、移動アクチュエータ４８Ａを制御する。移動アクチュエータ４８Ａは、処理装置３０の制御下で動力を生成する。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤ（図６参照）に移動させる。
磁気テープドライブ１４は、傾斜機構４９を備えている。傾斜機構４９は、本開示の技術に係る「角度調整機構」の一例である。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａを有する。傾斜アクチュエータ４９Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。傾斜アクチュエータ４９Ａは、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、傾斜アクチュエータ４９Ａを制御する。傾斜アクチュエータ４９Ａは、処理装置３０の制御下で動力を生成する。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに対して磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜させる（図１０参照）。すなわち、磁気ヘッド２８は、処理装置３０の制御下で、傾斜機構４９から動力が付与されることで、磁気テープＭＴ上でスキューする。
一例として図６に示すように、磁気テープＭＴの表面３１には、サーボバンドＳＢ１、ＳＢ２及びＳＢ３と、データバンドＤＢ１及びＤＢ２と、が形成されている。なお、以下では、説明の便宜上、特に区別する必要がない場合、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３をサーボバンドＳＢと称し、データバンドＤＢ１及びＤＢ２をデータバンドＤＢと称する。
サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３とデータバンドＤＢ１及びＤＢ２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ（すなわち、全長方向）に沿って形成されている。ここで、磁気テープＭＴの全長方向とは、換言すると、磁気テープＭＴの走行方向を指す。磁気テープＭＴの走行方向は、磁気テープＭＴが送出リール２２側から巻取リール３８側に走行する方向である順方向（以下、単に「順方向」とも称する）と、磁気テープＭＴが巻取リール３８側から送出リール２２側に走行する方向である逆方向（以下、単に「逆方向」とも称する）との２つの方向で規定される。
サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤ（以下、単に「幅方向ＷＤ」とも称する）で離間した位置に配列されている。例えば、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、幅方向ＷＤに沿って等間隔に配列されている。なお、本実施形態において、「等間隔」とは、完全な等間隔の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等間隔を指す。
データバンドＤＢ１は、サーボバンドＳＢ１とサーボバンドＳＢ２との間に配されており、データバンドＤＢ２は、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間に配されている。つまり、サーボバンドＳＢとデータバンドＤＢとは、幅方向ＷＤに沿って交互に配列されている。
なお、図６に示す例では、説明の便宜上、３本のサーボバンドＳＢと２本のデータバンドＤＢとが示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、２本のサーボバンドＳＢと１本のデータバンドＤＢであってもよいし、４本以上のサーボバンドＳＢと３本以上のデータバンドＤＢであっても本開示の技術は成立する。
サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５２が記録されている。サーボパターン５２は、サーボパターン５２Ａとサーボパターン５２Ｂとに類別される。複数のサーボパターン５２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。なお、本実施形態において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの一定を指す。
サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５０で区切られている。フレーム５０は、一組のサーボパターン５２で規定されている。図６に示す例では、一組のサーボパターン５２の一例として、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂが示されている。サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５０内において、順方向の上流側にサーボパターン５２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５２Ｂが位置している。
サーボパターン５２は、線状磁化領域対５４からなる。線状磁化領域対５４は、線状磁化領域対５４Ａと線状磁化領域対５４Ｂとに類別される。
サーボパターン５２Ａは、線状磁化領域対５４Ａからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ａの一例として、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２による対が示されている。線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２が、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。
線状磁化領域５４Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ２ａの集合である。
サーボパターン５２Ｂは、線状磁化領域対５４Ｂからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ｂの一例として、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２が、仮想直線Ｃ２に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。
線状磁化領域５４Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ２ａの集合である。
このように構成された磁気テープＭＴの表面３１側に、磁気ヘッド２８は配置されている。ホルダ４４は、直方体状に形成されており、磁気テープＭＴの表面３１上を幅方向ＷＤに沿って横断するように配置されている。磁気素子ユニット４２の複数の磁気素子は、ホルダ４４の長手方向に沿って直線状に配列されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子として、一対のサーボ読取素子ＳＲ及び複数のデータ読み書き素子ＤＲＷを有する。サーボ読取素子ＳＲは、本開示の技術に係る「サーボ読取素子」の一例である。
ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気テープＭＴの幅に対して十分に長い。例えば、ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気素子ユニット４２が磁気テープＭＴ上の何れの位置に配置されたとしても、磁気テープＭＴの幅を超える長さとされている。
磁気ヘッド２８には、一対のサーボ読取素子ＳＲが搭載されている。磁気ヘッド２８において、ホルダ４４と一対のサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。一対のサーボ読取素子ＳＲは、サーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２からなる。サーボ読取素子ＳＲ１は、磁気素子ユニット４２の一端に配置されており、サーボ読取素子ＳＲ２は、磁気素子ユニット４２の他端に配置されている。図６に示す例では、サーボ読取素子ＳＲ１が、サーボバンドＳＢ２に対応する位置に設けられており、サーボ読取素子ＳＲ２が、サーボバンドＳＢ３に対応する位置に設けられている。
複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に直線状に配置されている。複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている（例えば、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って等間隔に配置されている）。図６に示す例では、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが、データバンドＤＢ２に対応する位置に設けられている。
処理装置３０は、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号を取得し、取得したサーボパターン信号に従ってサーボ制御を行う。ここで、サーボ制御とは、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られたサーボパターン５２に従って移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに移動させる制御を指す。
サーボ制御が行われることにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、データバンドＤＢ内の指定された領域上に位置し、この状態で、データバンドＤＢ内の指定された領域に対して磁気的処理が行われる。図６に示す例では、データバンドＤＢ２内の指定された領域に対して複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによって磁気的処理が行われる。
また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢが変更される場合（図６に示す例では、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ２からＤＢ１に変更される場合）、移動機構４８は、処理装置３０の制御下で、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、一対のサーボ読取素子ＳＲの位置を変更する。すなわち、移動機構４８は、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、サーボ読取素子ＳＲ１をサーボバンドＳＢ１に対応する位置に移動させ、サーボ読取素子ＳＲ２をサーボバンドＳＢ２に対応する位置に移動させる。これにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷの位置は、データバンドＤＢ２上からデータバンドＤＢ１上に変更され、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによってデータバンドＤＢ１に対して磁気的処理が行われる。
一例として図７に示すように、データバンドＤＢ２には、データバンドＤＢ２が幅方向ＷＤに分割されることで得られる複数の分割エリアとして、サーボバンドＳＢ２側からサーボバンドＳＢ３側にかけて、データトラックＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４、ＤＴ５、ＤＴ６、ＤＴ７及びＤＴ８が形成されている。
磁気ヘッド２８は、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷとして、幅方向ＷＤに沿って、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に、データ読み書き素子ＤＲＷ１、ＤＲＷ２、ＤＲＷ３、ＤＲＷ４、ＤＲＷ５、ＤＲＷ６、ＤＲＷ７及びＤＲＷ８を有する。データ読み書き素子ＤＲＷ１～ＤＲＷ８は、データトラックＤＴ１～ＤＴ８に１対１で対応しており、データトラックＤＴ１～ＤＴ８からのデータの読み取り（すなわち、再生）、及びデータトラックＤＴ１～ＤＴ８に対するデータの記録（すなわち、書き込み）を行うことが可能である。
また、図示は省略するが、データバンドＤＢ１（図６参照）にも、データトラックＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４、ＤＴ５、ＤＴ６、ＤＴ７及びＤＴ８に相当する複数のデータトラックＤＴが形成されている。
なお、以下では、特に区別する必要がない場合、データトラックＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４、ＤＴ５、ＤＴ６、ＤＴ７及びＤＴ８を「データトラックＤＴ」と表記する。また、以下では、特に区別する必要がない場合、データ読み書き素子ＤＲＷ１、ＤＲＷ２、ＤＲＷ３、ＤＲＷ４、ＤＲＷ５、ＤＲＷ６、ＤＲＷ７及びＤＲＷ８を「データ読み書き素子ＤＲＷ」と表記する。
一例として図８に示すように、データトラックＤＴは、分割データトラック群ＤＴＧを有する。データトラックＤＴ１～ＤＴ８は、分割データトラック群ＤＴＧ１～ＤＴＧ８に対応している。以下では、特に区別して説明する必要がない場合、分割データトラック群ＤＴＧ１～ＤＴＧ８を「分割データトラック群ＤＴＧ」と表記する。
データトラック群ＤＴＧ１は、データトラックＤＴが幅方向ＷＤに分割されることで得られる複数の分割データトラックの集合である。図８に示す例では、データトラック群ＤＴＧ１の一例として、データトラックＤＴが幅方向ＷＤに１２等分されることで得られた分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２が示されている。データ読み書き素子ＤＲＷ１は、データトラック群ＤＴＧ１に対する磁気的処理を担う。すなわち、データ読み書き素子ＤＲＷ１は、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２へのデータの記録と、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２からのデータの読み取りと、を担う。
データ読み書き素子ＤＲＷ２～ＤＲＷ８の各々も、データ読み書き素子ＤＲＷ１と同様に、各データ読み書き素子ＤＲＷに対応するデータトラックＤＴのデータトラック群ＤＴＧに対する磁気的処理を担う。
データ読み書き素子ＤＲＷは、移動機構４８（図６参照）による磁気ヘッド２８の幅方向ＷＤへの移動に伴い、複数のデータトラックＤＴのうちの指定された１本のデータトラックＤＴに対応する位置に移動する。データ読み書き素子ＤＲＷは、サーボパターン５２（図６及び図７参照）を用いたサーボ制御により、指定された１本のデータトラックＤＴに対応する位置に留められる。
ところで、近年、ＴＤＳ（Transverse Dimensional Stability）の影響を低減する技術に関する研究が進められている。ＴＤＳは、温度、湿度、磁気テープがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等に左右され、何ら対策を施さない場合、ＴＤＳが大きくなり、データバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる場面でオフトラック（すなわち、データバンドＤＢ内のトラックに対するデータ読み書き素子ＤＲＷの位置ずれ）が生じてしまうことが知られている。
図９に示す例では、磁気テープＭＴの幅が時間の経過と共に収縮した態様が示されている。この場合、オフトラックとなる。オフトラックとは、データ読み書き素子ＤＲＷが、分割データトラック群ＤＴＧに含まれる分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２のうちの指定された分割データトラック上に位置しない状態（すなわち、幅方向ＷＤにおいて、指定された分割データトラックの位置とデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とがずれる状態）を指す。
磁気テープＭＴの幅は、拡がる場合もあり、この場合にも、オフトラックとなる。すなわち、磁気テープＭＴの幅が時間の経過と共に縮まったり拡がったりすると、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置（すなわち、線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々に対して設計的に定められた既定位置）から幅方向ＷＤに外れてしまう。サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置から幅方向ＷＤに外れると、サーボ制御の精度が低下し、データバンドＤＢ内のトラック（例えば、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２のうちの指定された分割データトラック）とデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とがずれてしまう。そうすると、当初予定されていたトラックに対して磁気的処理が行われなくなる。
ＴＤＳの影響を低減する方法としては、磁気テープＭＴに対して付与する張力を調整することにより磁気テープＭＴの幅を調整する方法が考えられる。しかし、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤの変形量が多過ぎると、磁気テープＭＴに対して付与する張力を調整してもオフトラックが解消されない場合がある。また、磁気テープＭＴに対して付与する張力を強くすると、磁気テープＭＴに与える負荷も大きくなり、磁気テープＭＴの寿命を削ることにも繋がりかねない。更に、磁気テープＭＴに対して付与する張力が弱過ぎると磁気ヘッド２８と磁気テープＭＴとの接触状態が不安定になり、磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴに対して磁気的処理を行うことが困難になる。磁気テープＭＴに対して付与する張力を調整する方法以外でＴＤＳの影響を低減する方法としては、一例として図１０に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８をスキューさせることで、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置を設計的に定められた既定位置に保持する方法が知られている。
磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを備えている。回転軸ＲＡは、磁気ヘッド２８に含まれる磁気素子ユニット４２の平面視中央部に相当する位置に設けられている。磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを介して傾斜機構４９に回転可能に保持されている。なお、本実施形態では、回転軸ＲＡを中心軸として表面３１上で表面３１に沿って磁気ヘッド２８を回転させることで磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに対して傾斜させる動作を「スキュー」と称している。
磁気ヘッド２８には仮想的な中心線である仮想直線Ｃ３が設けられている。仮想直線Ｃ３は、回転軸ＲＡを通り、かつ、磁気ヘッド２８の平面視長手方向（すなわち、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが配列された方向）に延びた直線である。磁気ヘッド２８は、表面３１に沿って幅方向ＷＤに対して傾斜させた姿勢（換言すると、表面３１に沿って仮想直線Ｃ４に対して仮想直線Ｃ３を傾斜させた姿勢）で配置されている。図１０に示す例では、磁気ヘッド２８は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ４に対して仮想直線Ｃ３が磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜した姿勢となるように傾斜機構４９によって保持されている。図１０に示す例では、磁気ヘッド２８が、仮想直線Ｃ３を仮想直線Ｃ４に対して送出リール２２側に傾斜した姿勢（すなわち、図１０の紙面表側から見た場合の反時計回りで傾斜した姿勢）で傾斜機構４９によって保持されている。仮想直線Ｃ３と仮想直線Ｃ４とで成す角度は、回転軸ＲＡを中心軸として表面３１上で表面３１に沿って磁気ヘッド２８を回転させることで磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに対して傾斜させた角度に相当する。なお、以下では、仮想直線Ｃ３と仮想直線Ｃ４とで成す角度を「スキュー角度」又は「磁気ヘッド２８のスキュー角度」とも称する。スキュー角度は、図１０の紙面表側から見た場合の反時計回りの方向を正とし、図１０の紙面表側から見た場合の時計回りを負として規定された角度である。
傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａ（図５参照）の動力を受けることで、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させる。傾斜機構４９は、処理装置３０の制御下で、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度を変更する。仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度の変更は、磁気ヘッド２８を表面３１に沿って幅方向ＷＤに対して傾斜させる角度、すなわち、磁気ヘッド２８のスキュー角度が変更されることによって実現される。本実施要形態では、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度が、磁気ヘッド２８のスキュー角度によって表現される。
仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度、すなわち、スキュー角度が、温度、湿度、磁気テープＭＴがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等、又は、これらによる磁気テープＭＴの幅方向ＷＤの伸縮に応じて変更されることにより、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。この場合、オントラックとなる。オントラックとは、データ読み書き素子ＤＲＷが、分割データトラック群ＤＴＧに含まれる分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２のうちの指定された分割データトラック上に位置した状態（すなわち、幅方向ＷＤにおいて、指定された分割データトラックの位置とデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とが一致した状態）を指す。
サーボ読取素子ＳＲは、サーボパターン５２を読み取り、読取結果を示すサーボパターン信号を出力する。サーボ読取素子ＳＲは、仮想直線Ｃ３に沿って直線状に形成されている。そのため、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ａが読み取られる場合、線状磁化領域対５４Ａにおいて、線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度が異なる。このように角度が異なると、線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ１が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）と線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ２が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）との間にアジマス損失に起因するばらつき（例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等）が生じる。
図１０に示す例において、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ１とで成す角度は、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ２とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープＭＴが走行している状態でサーボ読取素子ＳＲがサーボバンドＳＢを横切って読み取ることで得たサーボパターン信号にばらつきが生じる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ｂが読み取られる場合にも、線状磁化領域５４Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域５４Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。
詳しくは後述するが、本実施形態では、上述したようなアジマス損失に起因するばらつきが生じるサーボパターン信号を検出する方法として、自己相関係数を用いてサーボパターン信号を検出する方法が用いられる（図１２参照）。
次に、処理装置３０によって行われる具体的な処理の内容の一例について図１１～図２１を参照しながら説明する。
一例として図１１に示すように、処理装置３０は、制御装置３０Ａ及び位置検出装置３０Ｂを有する。位置検出装置３０Ｂは、第１位置検出装置３０Ｂ１及び第２位置検出装置３０Ｂ２を有する。位置検出装置３０Ｂは、サーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢが読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得し、取得したサーボバンド信号に基づいて、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の位置を検出する。サーボバンド信号には、サーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号の他に、サーボ制御に不要な信号（例えば、ノイズ等）も含まれている。
位置検出装置３０Ｂは、磁気ヘッド２８からサーボバンド信号を取得する。サーボバンド信号は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とに類別される。第１サーボバンド信号Ｓ１は、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢが読み取られた結果を示す信号であり、第２サーボバンド信号Ｓ２は、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢが読み取られた結果を示す信号である。第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２位置検出装置３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。図１１に示す例では、第１サーボバンド信号Ｓ１の一例として、サーボバンドＳＢ２がサーボ読取素子ＳＲ１によって読み取られることで得られた信号が示されており、第２サーボバンド信号Ｓ２の一例として、サーボバンドＳＢ３がサーボ読取素子ＳＲ２によって読み取られることで得られた信号が示されている。なお、本実施形態では、説明の便宜上、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とを区別して説明する必要がない場合、符号を付さずに「サーボバンド信号」と称する。
第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１に基づいて、サーボバンドＳＢ２に対するサーボ読取素子ＳＲ１の位置を検出する。第２位置検出装置３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２に基づいて、サーボバンドＳＢ３に対するサーボ読取素子ＳＲ２の位置を検出する。
制御装置３０Ａは、第１位置検出装置３０Ｂ１での位置検出結果（すなわち、第１位置検出装置３０Ｂ１によって位置が検出された結果）及び第２位置検出装置３０Ｂ２での位置検出結果（すなわち、第２位置検出装置３０Ｂ２によって位置が検出された結果）に基づいて各種制御を行う。ここで、各種制御とは、例えば、サーボ制御及びスキュー角度制御等を指す。スキュー角度制御とは、スキュー角度を変更する制御を指す。本実施形態では、サーボ制御及びスキュー角度制御によってトラッキング制御が実現される。トラッキング制御とは、オントラックとなるように磁気ヘッド２８の位置を調整する制御を指す。なお、トラッキング制御は、サーボ制御、スキュー角度制御、及び張力制御によって実現されるようにしてもよい。張力制御とは、磁気テープＭＴに付与する張力（例えば、ＴＤＳの影響を低減するための張力）の制御を指す。
次に、位置検出装置３０Ｂの具体的な処理内容について説明する。なお、第２位置検出装置３０Ｂ２の構成は、第１位置検出装置３０Ｂ１の構成と同一であるので、以下では、位置検出装置３０Ｂの処理内容については、主に第１位置検出装置３０Ｂ１の具体的な処理内容を例に挙げて説明し、第２位置検出装置３０Ｂ２の具体的な処理内容についての説明を省略する。
また、以下では、説明の便宜上、線状磁化領域５４Ａ１又は５４Ｂ１に由来するサーボパターン信号を「第１線状磁化領域信号」とも称し、線状磁化領域５４Ａ２又は５４Ｂ２に由来するサーボパターン信号を「第２線状磁化領域信号」とも称する。また、本実施形態において、サーボパターン信号は、第１線状磁化領域信号と第２線状磁化領域信号とから構成された信号である。よって、位置検出装置３０Ｂによって第１線状磁化領域信号と第２線状磁化領域信号とが検出されることは、位置検出装置３０Ｂによってサーボパターン信号が検出されることを意味する。
一例として図１２に示すように、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを有する。第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂは、並列に接続されており、互いに共通の入力端子３０Ｂ１ａ及び出力端子３０Ｂ１ｂを備えている。図１２に示す例では、入力端子３０Ｂ１ａに第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される態様例が示されている。第１サーボバンド信号Ｓ１には、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが含まれている。第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂは、サーボ読取素子ＳＲ１（図１１参照）によって読み取られた結果であるサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）である。第２サーボバンド信号Ｓ２（図１１参照）にも、第１サーボバンド信号Ｓ１と同様のことが言える。すなわち、サーボパターン信号は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを有する。
ストレージ３２には、各フレーム５０につき、１つずつの理想波形信号６６が予め格納されている。例えば、理想波形信号６６は、磁気テープＭＴの先頭から後尾にかけての全てのフレーム５０の各々に対して個別に対応付けられている。磁気テープＭＴの先頭から後尾にかけて各フレーム５０に含まれるサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる場合、第１位置検出装置３０Ｂ１は、サーボ読取素子ＳＲによって各フレーム５０に含まれるサーボパターン５２が読み取られる毎に（例えば、サーボパターン５２に対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが開始されるタイミングに同期して）、各フレーム５０に対応する理想波形信号６６をストレージ３２から取得し、取得した理想波形信号６６を第１サーボバンド信号Ｓ１との比較に用いる。
理想波形信号６６は、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２（図１１参照）がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果であるサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）の理想波形を示す信号である。理想波形信号６６は、第１サーボバンド信号Ｓ１と比較される見本信号とも言える。
理想波形信号６６は、第１理想波形信号６６Ａと第２理想波形信号６６Ｂとに類別される。第１理想波形信号６６Ａは、線状磁化領域５４Ａ２又は５４Ｂ２に由来する信号、すなわち、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂに対応しており、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの理想波形を示す信号である。第２理想波形信号６６Ｂは、線状磁化領域５４Ａ１又は５４Ｂ１に由来する信号、すなわち、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａに対応しており、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの理想波形を示す信号である。より詳しく説明すると、例えば、第１理想波形信号６６Ａは、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂに含まれる単発（すなわち、１波長分）の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５２に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。また、例えば、第２理想波形信号６６Ｂは、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａに含まれる単発（すなわち、１波長分）の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５２に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。
第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形である。磁気ヘッド２８のホルダ４４（図１０参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。従って、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。例えば、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形である。上述したように、磁気ヘッド２８のホルダ４４（図１０参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されているので、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ２と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。なお、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、上述した要素に加え、サーボ読取素子ＳＲそのものの特性（材質、大きさ、形状、及び／又は使用履歴など）、磁気テープＭＴの特性（材質、及び／又は使用履歴など）、及び／又は磁気ヘッド２８の使用環境なども加味して定められてもよい。
第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形と同様に、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形も、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形、すなわち、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。例えば、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ１の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形、すなわち、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ１の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ１と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。なお、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形も、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形と同様に、上述した要素に加え、サーボ読取素子ＳＲそのものの特性（材質、大きさ、形状、及び／又は使用履歴など）、磁気テープＭＴの特性（材質、及び／又は使用履歴など）、及び／又は磁気ヘッド２８の使用環境なども加味して定められてもよい。
第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、取得した第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。図１２に示す例において、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを用いることでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。
第１検出回路３９Ａには、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第１検出回路３９Ａは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを検出する。
第１検出回路３９Ａによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとの相関の度合いを示す係数である。第１検出回路３９Ａは、ストレージ３２から第１理想波形信号６６Ａを取得し、取得した第１理想波形信号６６Ａと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第１検出回路３９Ａは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第１検出回路３９Ａは、サーボバンドＳＢ（例えば、図９に示すサーボバンドＳＢ２）上において、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとの相関が高い位置（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。
一方、第２検出回路３９Ｂにも、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第２検出回路３９Ｂは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａを検出する。
第２検出回路３９Ｂによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとの相関の度合いを示す係数である。第２検出回路３９Ｂは、ストレージ３２から第２理想波形信号６６Ｂを取得し、取得した第２理想波形信号６６Ｂと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第２検出回路３９Ｂは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第２検出回路３９Ｂは、サーボバンドＳＢ（例えば、図９に示すサーボバンドＳＢ２）上において、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとの相関が高い位置（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。
第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａによる検出結果及び第２検出回路３９Ｂによる検出結果に基づいてサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。第１位置検出装置３０Ｂ１は、出力端子３０Ｂ１ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａを制御装置３０Ａに出力する。サーボパターン信号Ｓ１Ａは、第１検出回路３９Ａによって検出された第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第２検出回路３９Ｂによって検出された第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとの論理和を示す信号（例えば、デジタル信号）である。
サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置は、例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂの長手方向ＬＤの間隔に基づいて検出される。例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂの長手方向ＬＤの間隔は、自己相関係数に従って検出される。サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５２の上側（すなわち、図１１中の紙面正面視の上側）に位置している場合、線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔は狭くなり、かつ、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔も狭くなる。これに対し、サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５２の下側（すなわち、図１１中の紙面正面視の下側）に位置している場合、線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔は広くなり、かつ、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔も広くなる。このようにして、第１位置検出装置３０Ｂ１は、自己相関係数に従って検出した線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔、及び、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔を用いて、サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置の検出を行う。
図１２に示す例では、第１位置検出装置３０Ｂ１が、第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する形態例を挙げて説明したが、これと同様に、第２位置検出装置３０Ｂ２も、第２サーボバンド信号Ｓ２と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ２Ａを検出し、検出したサーボパターン信号Ｓ２Ａを制御装置３０Ａに出力する。
なお、本実施形態では、自己相関係数を用いて第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが検出される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、複数の閾値を用いて第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが検出されるようにしてもよい。複数の閾値の一例としては、第１閾値及び第２閾値が挙げられる。第１閾値と第２閾値との大小関係は、“第１閾値＞第２閾値”である。第１閾値は、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの波形に振幅として予想される振幅に基づいて事前に導かれた値であり、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの検出に用いられる。第２閾値は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの波形の振幅として予想される振幅と第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの波形の振幅として予想される振幅とに基づいて事前に導かれた値である。第１閾値及び第２閾値は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの検出に用いられる。
一例として図１３に示すように、制御装置３０Ａは、位置検出装置３０Ｂでの位置検出結果（すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａ）に基づいて移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８の位置を調整する。また、制御装置３０Ａは、磁気素子ユニット４２に対して磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに対して磁気的処理を行わせる。すなわち、制御装置３０Ａは、磁気素子ユニット４２から読取信号（すなわち、磁気素子ユニット４２によって磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから読み取られたデータ）を取得したり、磁気素子ユニット４２に記録信号を供給することで記録信号に応じたデータを磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに記録したりする。
また、ＴＤＳの影響を低減するために、制御装置３０Ａは、位置検出装置３０Ｂでの位置検出結果（すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａ）から、サーボバンドピッチＳＢＰを算出し、算出したサーボバンドピッチＳＢＰに応じて傾斜機構４９を作動させることでスキュー角度を調整する。サーボバンドピッチＳＢＰとは、幅方向ＷＤ（図１１参照）で隣接するサーボバンドＳＢ（図１１参照）間の距離（図１１に示す例では、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間の幅方向ＷＤでの距離）を指す。サーボバンドピッチＳＢＰは、本開示の技術に係る「幅対応情報」の一例である。
なお、制御装置３０Ａは、算出したサーボバンドピッチＳＢＰに従って、張力制御を行うようにしてもよい。張力制御は、送出モータ３６（図３参照）及び巻取モータ４０（図３参照）の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることによって実現される。
本実施形態では、本開示の技術に係る「幅対応情報」の一例としてサーボバンドピッチＳＢＰを挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、本開示の技術に係る「幅対応情報」として、サーボバンドピッチＳＢＰに代えて、磁気テープＭＴの幅を用いても本開示の技術は成立する。
一例として図１４に示すように、制御装置３０Ａは、データ記録処理及びデータ読取処理を行う。データ記録処理は、データ記録タイミングで行われる処理である。データ記録タイミングとは、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに対して磁気ヘッド２８によってデータの記録が行われるタイミングを指す。データ記録タイミングは、本開示の技術に係る「データ記録タイミング」及び「第１タイミング」の一例である。データ読取処理は、データ読取タイミングで行われる処理である。データ読取タイミングとは、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから磁気ヘッド２８によって読み取られるタイミングを指す。
制御装置３０Ａは、基準スキュー角度導出部３０Ａ１、第１傾斜機構制御部３０Ａ２、第１走行制御部３０Ａ３、ピッチ算出部３０Ａ４、第１環境情報取得部３０Ａ５、第１移動機構制御部３０Ａ６、及び第１読み書き素子制御部３０Ａ７を有する。データ記録処理は、基準スキュー角度導出部３０Ａ１、第１傾斜機構制御部３０Ａ２、第１走行制御部３０Ａ３、ピッチ算出部３０Ａ４、第１環境情報取得部３０Ａ５、第１移動機構制御部３０Ａ６、及び第１読み書き素子制御部３０Ａ７によって実現される。
制御装置３０Ａは、角度調整情報取得部３０Ａ８、第２傾斜機構制御部３０Ａ９、第２環境情報取得部３０Ａ１０、角度調整量算出部３０Ａ１１、第２走行制御部３０Ａ１２、第２移動機構制御部３０Ａ１３、及び第２読み書き素子制御部３０Ａ１４を有する。データ読取処理は、角度調整情報取得部３０Ａ８、第２傾斜機構制御部３０Ａ９、第２環境情報取得部３０Ａ１０、角度調整量算出部３０Ａ１１、第２走行制御部３０Ａ１２、第２移動機構制御部３０Ａ１３、及び第２読み書き素子制御部３０Ａ１４によって実現される。
ここで、データ記録処理の一例について図１５及び図１６を参照しながら説明する。
一例として図１５に示すように、基準スキュー角度導出部３０Ａ１は、カートリッジメモリ２４から仕様情報１３Ａを取得し、テーブル１００を用いて基準スキュー角度情報１０２を導出する。基準スキュー角度情報１０２は、本開示の技術に係る「角度情報」の一例である。基準スキュー角度情報１０２とは、基準スキュー角度を示す情報を指す。基準スキュー角度とは、データ記録処理において磁気テープＭＴの走行を開始させる場合に用いられるスキュー角度を指す。テーブル１００は、ストレージ３２に格納されている。テーブル１００は、複数の仕様情報１３Ａと複数の基準スキュー角度情報１０２とが１対１で対応付けられた情報である。
基準スキュー角度導出部３０Ａ１は、カートリッジメモリ２４から取得した仕様情報１３Ａに対応する基準スキュー角度情報１０２をテーブル１００から導出し、導出した基準スキュー角度情報１０２をカートリッジメモリ２４に格納する。なお、ここでは、基準スキュー角度情報１０２がカートリッジメモリ２４に格納される形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、基準スキュー角度情報１０２はカートリッジメモリ２４に格納されなくてもよく、既定タイミングが到来するたび（例えば、データ記録前処理が行われるたび）に、仕様情報１３Ａに対応する基準スキュー角度情報１０２がテーブル１００から導出されるようにしてもよい。
第１傾斜機構制御部３０Ａ２は、基準スキュー角度導出部３０Ａ１によって導出された基準スキュー角度情報１０２に従って傾斜機構４９を制御することで、磁気ヘッド２８のスキュー角度θを、基準スキュー角度導出部３０Ａ１によって導出された基準スキュー角度情報１０２により示される基準スキュー角度に設定する。
磁気ヘッド２８のスキュー角度θが基準スキュー角度に設定されると、第１傾斜機構制御部３０Ａ２は、第１走行制御部３０Ａ３に対して角度設定完了信号１０４を出力する。角度設定完了信号１０４とは、スキュー角度θが基準スキュー角度に設定されたことを示す信号を指す。第１走行制御部３０Ａ３は、角度設定完了信号１０４が入力されたことを条件に走行開始制御を行う。走行開始制御とは、送出モータ３６及び巻取モータ４０を介して磁気テープＭＴの走行（例えば、順方向への走行）を開始させる制御を指す。すなわち、第１走行制御部３０Ａ３は、角度設定完了信号１０４が入力されると、送出モータ３６及び巻取モータ４０から磁気テープＭＴに対して動力を付与することで、磁気テープＭＴの走行を開始させる。
磁気テープＭＴが走行を開始すると、サーボ読取素子ＳＲによるサーボパターン５２の読み取りは連続的に行われ、これに伴って、一例として図１６に示すように、位置検出装置３０Ｂから位置検出結果、すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが、連続的に第１移動機構制御部３０Ａ６及び第１読み書き素子制御部３０Ａ７に入力される。第１移動機構制御部３０Ａ６及び第１読み書き素子制御部３０Ａ７は、位置検出装置３０Ｂから入力されたサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａを基に同期して動作する。
磁気テープＭＴが走行を開始すると、第１移動機構制御部３０Ａ６は、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａに基づいてサーボ制御を行う。第１読み書き素子制御部３０Ａ７は、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａの入力に従って記録信号を磁気素子ユニット４２に供給する。これにより、磁気素子ユニット４２に含まれる複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが、記録信号に応じたデータをデータバンドＤＢ（図１０参照）に記録する。
一例として図１７に示すように、ピッチ算出部３０Ａ４は、位置検出装置３０Ｂでの位置検出結果（すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａ）から、フレーム５０単位でサーボバンドピッチＳＢＰを算出する。ピッチ算出部３０Ａ４は、サーボバンドピッチＳＢＰを算出する毎に、算出したサーボバンドピッチＳＢＰをカートリッジメモリ２４に時系列で格納する。
カートリッジメモリ２４に格納されているサーボバンドピッチＳＢＰは、磁気テープＭＴを走行させた状態で且つデータバンドＤＢにデータが記録されるタイミングで取得された情報である。サーボバンドピッチＳＢＰは、磁気テープＭＴの全長方向の複数の箇所で取得される。すなわち、サーボバンドピッチＳＢＰは、磁気テープＭＴを走行させた状態で且つデータバンドＤＢにデータが記録されるタイミングで、ピッチ算出部３０Ａ４によって、磁気テープＭＴの全長方向の複数の箇所について算出される。ここでは、一例として、サーボバンドピッチＳＢＰが、磁気テープＭＴの全長方向の全てのフレーム５０の箇所について算出される。しかし、これは、あくまでも一例に過ぎず、例えば、サーボバンドピッチＳＢＰは、磁気テープＭＴの全長方向において、数メートル単位、数十メートル単位、又は数百メートル単位で算出されてもよい。つまり、サーボバンドピッチＳＢＰは、磁気テープＭＴの全長方向において一定の間隔で算出されればよい。また、磁気テープＭＴの全長方向において、磁気テープＭＴの一部領域内の予め定められた複数のポイントの各々でサーボバンドピッチＳＢＰが算出され、サーボバンドピッチＳＢＰが算出されたポイント以外のポイントでは、内挿又は外挿などを用いてサーボバンドピッチＳＢＰが推定されてもよい。
第１環境情報取得部３０Ａ５は、環境センサＥＳから環境情報１０６を取得する。環境情報１０６は、環境を特定する情報（例えば、環境を特定する物理量を示す情報）である。環境情報１０６は、本開示の技術に係る「第１環境情報」、「第２環境情報」及び「第４環境情報」の一例である。
環境情報１０６には、温度情報１０６Ａ及び湿度情報１０６Ｂが含まれている。温度情報１０６Ａは、環境センサＥＳによって測定された温度を示す情報である。湿度情報１０６Ｂは、環境センサＥＳによって測定された湿度を示す情報である。温度情報１０６Ａは、本開示の技術に係る「温度情報」の一例であり、湿度情報１０６Ｂは、本開示の技術に係る「湿度情報」の一例である。第１環境情報取得部３０Ａ５は、環境センサＥＳから取得した環境情報１０６をカートリッジメモリ２４に格納する。
一例として図１８に示すように、カートリッジメモリ２４には、角度調整情報１０８が格納されている。角度調整情報１０８は、スキュー角度θ（図１５参照）を調整するための情報である。角度調整情報１０８は、磁気テープＭＴの表面３１のデータバンドＤＢにデータが記録されるタイミングで得られた情報である。
角度調整情報１０８は、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから磁気ヘッド２８によってデータが読み取られるタイミングで制御装置３０Ａによって使用される情報である。すなわち、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから磁気ヘッド２８によってデータが読み取られるタイミングで角度調整情報１０８が制御装置３０Ａによって用いられることでスキュー角度θが調整される。
角度調整情報１０８には、基準スキュー角度情報１０２、複数のサーボバンドピッチＳＢＰ、環境情報１０６、及び物理的特徴情報１１０が含まれている。基準スキュー角度情報１０２は、基準スキュー角度導出部３０Ａ１によってカートリッジメモリ２４に格納され（図１５参照）、複数のサーボバンドピッチＳＢＰは、ピッチ算出部３０Ａ４によってカートリッジメモリ２４に格納され（図１６参照）、環境情報１０６は、第１環境情報取得部３０Ａ５によってカートリッジメモリ２４に格納される（図１６参照）。物理的特徴情報１１０は、磁気テープＭＴの物理的な特徴を示す情報である。物理的特徴情報１１０は、磁気テープカートリッジ１２又は磁気テープＭＴの製造工程で、カートリッジメモリ２４に格納される。なお、物理的特徴情報１１０がカートリッジメモリ２４に格納されるタイミングは、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから磁気ヘッド２８によってデータが読み取られる前段階（例えば、データ読取処理が行われる前段階）であれば、何れのタイミングであってもよい。
物理的特徴情報１１０には、磁気テープ厚み情報１１０Ａ、磁性層厚み情報１１０Ｂ、表面摩擦係数情報１１０Ｃ、裏面摩擦係数情報１１０Ｄ、温度膨張係数情報１１０Ｅ、湿度膨張係数情報１１０Ｆ、ポアソン比情報１１０Ｇ、及び基材情報１１０Ｈ等が含まれている。
磁気テープ厚み情報１１０Ａは、磁気テープＭＴの厚みを示す情報である。磁性層厚み情報１１０Ｂは、磁性層２９Ａ（図３参照）の厚みを示す情報である。表面摩擦係数情報１１０Ｃは、磁気テープＭＴの表面３１（図３参照）の摩擦係数を示す情報である。裏面摩擦係数情報１１０Ｄは、磁気テープＭＴの裏面３３（図３参照）の摩擦係数を示す情報である。温度膨張係数情報１１０Ｅは、磁気テープＭＴの温度膨張係数（例えば、磁気テープＭＴが温度に依存して幅方法ＷＤに沿って伸縮する度合いを示す線膨張係数）を示す情報である。湿度膨張係数情報１１０Ｆは、磁気テープＭＴの湿度膨張係数（例えば、磁気テープＭＴが湿度に依存して幅方法ＷＤに沿って伸縮する度合いを示す線膨張係数）を示す情報である。ポアソン比情報１１０Ｇは、磁気テープＭＴのポアソン比を示す情報である。基材情報１１０Ｈは、磁気テープＭＴの基材を示す情報である。
なお、ここでは、物理的特徴情報１１０に、磁気テープ厚み情報１１０Ａ、磁性層厚み情報１１０Ｂ、表面摩擦係数情報１１０Ｃ、裏面摩擦係数情報１１０Ｄ、温度膨張係数情報１１０Ｅ、湿度膨張係数情報１１０Ｆ、ポアソン比情報１１０Ｇ、及び基材情報１１０Ｈが含まれる形態例を挙げて説明しているが、本開示の技術は、これに限定されない。例えば、物理的特徴情報１１０には、磁気テープ厚み情報１１０Ａ、磁性層厚み情報１１０Ｂ、表面摩擦係数情報１１０Ｃ、裏面摩擦係数情報１１０Ｄ、温度膨張係数情報１１０Ｅ、湿度膨張係数情報１１０Ｆ、ポアソン比情報１１０Ｇ、及び基材情報１１０Ｈのうちの少なくとも１つが含まれていればよい。
次に、データ読取処理の一例について図１９～図２２を参照しながら説明する。
ここでは、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢからデータの読み取りを行う条件（例えば、データバンドＤＢからのデータの読み取りを開始する指示がＵＩ系装置３４によって受け付けられた、という条件）を満足したタイミングでデータ読取処理が行われることを前提として説明する。なお、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢからデータの読み取りを行う条件を満足したタイミングは、本開示の技術に係る「第１データ読取タイミング」及び「記録面からデータが読み取られるタイミング」の一例である。
一例として図１９に示すように、角度調整情報取得部３０Ａ８は、カートリッジメモリ２４から角度調整情報１０８を取得する。第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報取得部３０Ａ８によってカートリッジメモリ２４から取得された角度調整情報１０８から基準スキュー角度情報１０２を抽出する。第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報１０８から抽出した基準スキュー角度情報１０２に従って傾斜機構４９を制御することで、磁気ヘッド２８のスキュー角度θを、基準スキュー角度情報１０２により示される基準スキュー角度に設定する。
一例として図２０に示すように、第２環境情報取得部３０Ａ１０は、環境センサＥＳから環境情報１１２を取得する。環境情報１１２は、環境を特定する情報（例えば、環境を特定する物理量を示す情報）である。環境情報１１２は、本開示の技術に係る「第３環境情報」の一例である。
環境情報１１２には、温度情報１１２Ａ及び湿度情報１１２Ｂが含まれている。温度情報１１２Ａは、環境センサＥＳによって測定された温度を示す情報である。湿度情報１１２Ｂは、環境センサＥＳによって測定された湿度を示す情報である。
角度調整量算出部３０Ａ１１は、角度調整情報取得部３０Ａ８によって取得された角度調整情報１０８に含まれる環境情報１０６と第２環境情報取得部３０Ａ１０によって取得された環境情報１１２との相違度を算出する。環境情報１０６と環境情報１１２との相違度の一例としては、温度差１１４及び湿度差１１６が挙げられる。
温度差１１４は、環境情報１０６に含まれる温度情報１０６Ａにより示される温度と環境情報１１２に含まれる温度情報１１２Ａにより示される温度との差（例えば、温度情報１０６Ａにより示される温度から温度情報１１２Ａにより示される温度を減じて得た値）である。なお、ここでは、温度差１１４を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されず、温度差１１４に代えて、温度情報１０６Ａにより示される温度及び温度情報１１２Ａにより示される温度のうちの一方に対する他方の割合を適用してもよい。
湿度差１１６は、環境情報１０６に含まれる湿度情報１０６Ｂにより示される湿度と環境情報１１２に含まれる湿度情報１１２Ｂにより示される湿度との差（例えば、湿度情報１０６Ｂにより示される湿度から湿度情報１１２Ｂにより示される湿度を減じて得た値）である。なお、ここでは、湿度差１１６を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されず、湿度差１１６に代えて、湿度情報１０６Ｂにより示される湿度及び湿度情報１１２Ｂにより示される湿度のうちの一方に対する他方の割合を適用してもよい。
一例として図２１に示すように、角度調整量算出部３０Ａ１１は、角度調整情報取得部３０Ａ８によって取得された角度調整情報１０８から物理的特徴情報１１０及び複数のサーボバンドピッチＳＢＰ（例えば、全てのサーボバンドピッチＳＢＰ）を抽出する。そして、角度調整量算出部３０Ａ８は、物理的特徴情報１１０、温度差１１４、湿度差１１６、及びサーボバンドピッチＳＢＰに基づいて角度調整量１１８を算出する。角度調整量１１８とは、スキュー角度θの調整量を指す。例えば、角度調整量１１８は、演算式１２０から算出される。演算式１２０は、物理的特徴情報１１０、温度差１１４、湿度差１１６、及びサーボバンドピッチＳＢＰを独立変数とし、オントラックが実現される角度調整量１１８を従属変数とした演算式である。なお、演算式１２０は、例えば、物理的特徴情報１１０、温度差１１４、湿度差１１６、及びサーボバンドピッチＳＢＰの様々な組み合わせの下で行われた実機による試験及び／又はコンピュータ・シミュレーション等によって、オントラックが実現される角度調整量１１８が算出される演算式として事前に得られた演算式である。
なお、ここでは、演算式１２０から角度調整量１１８が算出される形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、物理的特徴情報１１０、温度差１１４、及び湿度差１１６を入力とし、角度調整量１１８を出力とするテーブル（図示省略）から角度調整量１１８が導出されるようにしてもよい。
角度調整量算出部３０Ａ１１は、演算式１２０に従って、サーボバンドピッチＳＢＰ毎の角度調整量１１８を算出し、算出結果を示す数式１２２を生成する。数式１２２は、磁気テープＭＴの全長方向の位置と角度調整量１１８との対応関係を示している。磁気テープＭＴの全長方向の位置と角度調整量１１８との対応関係は、磁気テープの全長方向に沿って連続性を有しており、連続性は補間法（例えば、線形補間）によって実現される。磁気テープＭＴの全長方向の位置は、磁気テープＭＴの全長方向において一定の間隔で定められている。ここで、一定の間隔とは、例えば、磁気テープＭＴの全長方向においてフレーム５０で規定された間隔（すなわち、サーボバンドピッチＳＢＰが取得された間隔）を指す。角度調整量算出部３０Ａ１１は、生成した数式１２２をストレージ３２に格納する。
一例として図２２に示すように、第２走行制御部３０Ａ１２は、走行開始制御を行うことで、磁気テープＭＴの走行を開始させる。第２傾斜機構制御部３０Ａ９、第２移動機構制御部３０Ａ１３、及び第２読み書き素子制御部３０Ａ１４には、位置検出装置３０Ｂから位置検出結果、すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力される。第２傾斜機構制御部３０Ａ９、第２移動機構制御部３０Ａ１３、及び第２読み書き素子制御部３０Ａ１４は、位置検出装置３０Ｂから入力されたサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａを基に同期して動作する。
磁気テープＭＴが走行を開始すると、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、ストレージ３２に格納されている数式１２２から得られる角度調整量１１８に従って傾斜機構４９を制御することで、数式１２２から得られる角度調整量１１８でスキュー角度θを調整する。第２移動機構制御部３０Ａ１３は、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａに基づいてサーボ制御を行う。
また、磁気テープＭＴが走行を開始すると、サーボ読取素子ＳＲによるサーボパターン５２の読み取りは連続的に行われ、これに伴ってサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが連続的に第２読み書き素子制御部３０Ａ１４に入力される。磁気テープＭＴの表面３１のデータバンドＤＢにデータが記録されている場合（例えば、磁気テープＭＴの全長にわたってデータバンドＤＢにデータが記録されている場合）、第２読み書き素子制御部３０Ａ１４は、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａの入力に従って読取信号を取得することで、データバンドＤＢからデータを読み取る。
次に、磁気テープシステム１０の作用について図２３～図２５を参照しながら説明する。
図２３には、制御装置３０Ａによって行われるデータ記録処理の流れの一例が示されている。図２３に示すデータ記録処理は、データ読取タイミングが到来した場合（例えば、データ記録処理の実行を開始させる指示がＵＩ系装置３４によって受け付けられた、という条件を満足した場合）に行われる。
図２３に示すデータ記録処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、基準スキュー角度導出部３０Ａ１は、カートリッジメモリ２４から仕様情報１３Ａを取得する。ステップＳＴ１０の処理が実行された後、データ記録処理は、ステップＳＴ１２へ移行する。
ステップＳＴ１２で、基準スキュー角度導出部３０Ａ１は、テーブル１００から、ステップＳＴ１２で取得した仕様情報１３Ａに対応する基準スキュー角度情報１０２を導出する。そして、基準スキュー角度導出部３０Ａ１は、導出した基準スキュー角度情報１０２をカートリッジメモリ２４に格納する。ステップＳＴ１２の処理が実行された後、データ記録処理は、ステップＳＴ１４へ移行する。
ステップＳＴ１４で、第１傾斜機構制御部３０Ａ２は、スキュー角度θを、ステップＳＴ１２で導出した基準スキュー角度情報１０２により示される基準スキュー角度に設定する。ステップＳＴ１４の処理が実行された後、データ記録処理は、ステップＳＴ１６へ移行する。
ステップＳＴ１６で、第１走行制御部３０Ａ３は、走行開始制御を行うことで、磁気テープＭＴの走行を開始させる。ステップＳＴ１６の処理が実行された後、データ記録処理は、ステップＳＴ１８へ移行する。
ステップＳＴ１８で、ピッチ算出部３０Ａ４は、位置検出部３０Ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力されたか否かを判定する。ステップＳＴ１８において、位置検出部３０Ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力されていない場合は、判定が否定されて、データ記録処理は、ステップＳＴ２６へ移行する。ステップＳＴ１８において、位置検出部３０Ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力された場合は、判定が肯定されて、データ記録処理は、ステップＳＴ２０へ移行する。
ステップＳＴ２０で、ピッチ算出部３０Ａ４は、位置検出部３０Ｂから入力されたサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａに基づいてサーボバンドピッチＳＢＰを算出する。そして、ピッチ算出部３０Ａ４は、算出したサーボバンドピッチＳＢＰをカートリッジメモリ２４に格納する。ステップＳＴ２０の処理が実行された後、データ記録処理は、ステップＳＴ２２へ移行する。
ステップＳＴ２２で、第１移動機構制御部３０Ａ６は、位置検出部３０Ｂから入力されたサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａに従ってサーボ制御を行う。ステップＳＴ２２の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ２４へ移行する。
ステップＳＴ２４で、第１読み書き素子制御部３０Ａ７は、記録信号を磁気素子ユニット４２に供給する。これにより、磁気素子ユニット４２に含まれる複数のデータ読み書き素子は、記録信号に応じたデータをデータバンドＤＢに記録する。ステップＳＴ４２の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ２６へ移行する。
ステップＳＴ２６で、ピッチ算出部３０Ａ４は、第１既定条件を満足したか否かを判定する。第１既定条件の一例としては、磁気テープＭＴの全長にわたる所定のサーボパターン５２（例えば、ＢＯＴ区間３１Ａ（図２７参照）とＥＯＴ区間３１Ｂ（図２７参照）との間の区間に含まれる全てのサーボパターン５２）に対する磁気ヘッド２８による読み取りが終了したという条件、又は、所定のデータ記録が完了した（例えば、記録されたデータの大きさが所定の大きさに達した）という条件が挙げられる。ステップＳＴ２６において、第１既定条件を満足していない場合は、判定が否定されて、データ記録処理は、ステップＳＴ１８へ移行する。ステップＳＴ２６において、第１既定条件を満足した場合は、判定が肯定されて、データ記録処理は、ステップＳＴ２８へ移行する。
ステップＳＴ２８で、第１走行制御部３０Ａ３は、送出モータ３６及び巻取モータ４０を制御することで、磁気テープＭＴの走行を停止させる。ステップＳＴ２８の処理が実行された後、データ記録処理は、ステップＳＴ３０へ移行する。
ステップＳＴ３０で、第１環境情報取得部３０Ａ５は、環境センサＥＳから環境情報１０６を取得する。そして、第１環境情報取得部３０Ａ５は、取得した環境情報１０６をカートリッジメモリ２４に格納する。ステップＳＴ３０の処理が実行された後、データ記録処理が終了する。
図２４には、制御装置３０Ａによって行われるデータ読取処理の流れの一例が示されている。図２４に示すデータ読取処理は、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢからデータの読み取りを行う条件（例えば、データバンドＤＢからのデータの読み取りを開始する指示がＵＩ系装置３４によって受け付けられた、という条件）を満足した場合に行われる。
図２４に示すデータ読取処理では、先ず、ステップＳＴ４０で、制御装置３０Ａは、一例として図２５に示す角度調整量決定処理を実行する。ステップＳＴ４０の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ４２へ移行する。
図２５に示す角度調整量決定処理では、先ず、ステップＳＴ４０Ａで、角度調整情報取得部３０Ａ８は、カートリッジメモリ２４から角度調整情報１０８を取得する。ステップＳＴ４０Ａの処理が実行された後、角度調整量決定処理は、ステップＳＴ４０Ｂへ移行する。
ステップＳＴ４０Ｂで、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、ステップＳＴ４０Ａで取得した角度調整情報１０８から基準スキュー角度情報１０２を抽出する。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、傾斜機構４９を制御することで、スキュー角度θを、基準スキュー角度情報１０２により示される基準スキュー角度に設定する。ステップＳＴ４０Ｂの処理が実行された後、角度調整量決定処理は、ステップＳＴ４０Ｃへ移行する。
ステップＳＴ４０Ｃで、第２環境情報取得部３０Ａ１０は、環境センサＥＳから環境情報１１２を取得する。角度調整量算出部３０Ａ１１は、第２環境情報取得部３０Ａ１０によって取得された環境情報１１２とステップＳＴ４０Ａで取得された角度調整情報１０８に含まれる環境情報１０６とに基づいて温度差１１４及び湿度差１１６を算出する。ステップＳＴ４０Ｃの処理が実行された後、角度調整量決定処理は、ステップＳＴ４０Ｄへ移行する。
ステップＳＴ４０Ｄで、角度調整量算出部３０Ａ１１は、ステップＳＴ４０Ｃで算出した温度差１１４、ステップＳＴ４０Ｃで算出した湿度差１１６、ステップＳＴ４０Ａで取得された角度調整情報１０８に含まれる物理的特徴情報１１０、及びステップＳＴ４０Ａで取得された角度調整情報１０８に含まれる複数のサーボバンドピッチＳＢＰから、演算式１２０を用いて、サーボバンドピッチＳＢＰ毎の角度調整量１１８を算出する。ステップＳＴ４０Ｄの処理が実行された後、角度調整量決定処理は、ステップＳＴ４０Ｅへ移行する。
ステップＳＴ４０Ｅで、角度調整量算出部３０Ａ１１は、ステップＳＴ４０Ｄでの算出結果に基づいて数式１２２を生成し、生成した数式１２２をストレージ３２に格納する。ステップＳＴ４０Ｅの処理が実行された後、角度調整量決定処理が終了する。
図２４に示すステップＳＴ４２で、第２走行制御部３０Ａ１２は、走行開始制御を行うことで、磁気テープＭＴの走行を開始させる。ステップＳＴ４２の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ４４へ移行する。
ステップＳＴ４４で、制御装置３０Ａは、位置検出部３０Ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力されたか否かを判定する。ステップＳＴ４４において、位置検出部３０Ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力されていない場合は、判定が否定されて、データ読取処理は、ステップＳＴ５２へ移行する。ステップＳＴ４４において、位置検出部３０Ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａが入力された場合は、判定が肯定されて、データ読取処理は、ステップＳＴ４６へ移行する。
ステップＳＴ４６で、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、ストレージ３２に格納されている数式１２２から得られる角度調整量１１８でスキュー角度θを調整する。ステップＳＴ４６の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ４８へ移行する。
ステップＳＴ４８で、第２移動機構制御部３０Ａ１３は、位置検出部３０Ｂから入力されたサーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａに従ってサーボ制御を行う。ステップＳＴ４８の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ５０へ移行する。
ステップＳＴ５０で、第２読み書き素子制御部３０Ａ１４は、磁気素子ユニット４２に含まれる複数のデータ読み書き素子ＤＲＷから読取信号を取得することで、データバンドＤＢからデータを取得する。ステップＳＴ５０の処理が実行された後、データ読取処理は、ステップＳＴ５２へ移行する。
ステップＳＴ５２で、制御装置３０Ａは、第２既定条件を満足したか否かを判定する。第２既定条件の一例としては、磁気テープＭＴの全長にわたる全て所定のサーボパターン５２に対するサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが終了したという条件、又は、所定のデータ読み取りが完了した（例えば、読み取られたデータの大きさが所定の大きさに達した）という条件が挙げられる。ステップＳＴ５２において、第２既定条件を満足していない場合は、判定が否定されて、データ読取処理は、ステップＳＴ４４へ移行する。ステップＳＴ４４において、第２既定条件を満足した場合は、判定が肯定されて、データ記録処理は、ステップＳＴ５４へ移行する。
ステップＳＴ５４で、第２走行制御部３０Ａ１２は、送出モータ３６及び巻取モータ４０を制御することで、磁気テープＭＴの走行を停止させる。ステップＳＴ５４の処理が実行された後、データ読取処理が終了する。
以上説明したように、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、データ記録タイミング（すなわち、磁気テープＭＴのデータバンドＤＢにデータが記録されるタイミング）で得られた角度調整情報１０８がカートリッジメモリ２４に格納されている。スキュー角度θ（図１５参照）を調整するための情報である。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、カートリッジメモリ２４に格納されている角度調整情報１０８に応じて定められた角度調整量１１８（図２１参照）に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの幅の変形に伴って生じるオフトラックを、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することによって抑制する場合に比べ、磁気テープＭＴの幅の変形に伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、角度調整情報１０８に、データ記録タイミングで取得された複数のサーボバンドピッチＳＢＰが含まれている。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報１０８に含まれている複数のサーボバンドピッチＳＢＰに応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、データ記録タイミングで得られた複数のサーボバンドピッチＳＢＰを考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。なお、角度調整情報１０８には、サーボバンドピッチＳＢＰに代えて、磁気テープＭＴの幅が含まれていてもよい。この場合、データバンドＤＢにデータが記録される前の複数の幅を考慮してスキュー角度θを調整することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、磁気テープＭＴの全長方向において磁気テープＭＴの複数の箇所でサーボバンドピッチＳＢＰが取得され、取得されたサーボバンドピッチＳＢＰが角度調整情報１０８に含まれる。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報１０８に含まれている複数のサーボバンドピッチＳＢＰに応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、磁気テープＭＴの全長方向において磁気テープＭＴの複数の箇所で取得されたサーボバンドピッチＳＢＰを考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。なお、角度調整情報１０８には、磁気テープＭＴの全長方向において磁気テープＭＴの複数の箇所で取得された磁気テープＭＴの幅が含まれていてもよい。この場合、磁気テープＭＴの全長方向において磁気テープＭＴの複数の箇所で取得された磁気テープＭＴの幅を考慮してスキュー角度θを調整することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、角度調整情報１０８に環境情報１０６が含まれている。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報１０８に含まれている環境情報１０６に応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、データ記録タイミングでの磁気テープドライブ１４の環境を考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、角度調整情報１０８に環境情報１０６が含まれている。環境情報１０６には、温度情報１０６Ａ及び湿度情報１０６Ｂが含まれている。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、環境情報１０６に含まれている温度情報１０６Ａ及び湿度情報１０６Ｂに応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、データ記録タイミングでの磁気テープドライブ１４の温度及び湿度を考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、角度調整情報１０８に基準スキュー角度情報１０２が含まれている。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報１０８に含まれている基準スキュー角度情報１０２に応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、データ記録タイミングでの基準スキュー角度を考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、角度調整情報１０８に物理的特徴情報１１０が含まれている。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、角度調整情報１０８に含まれている物理的特徴情報１１０に応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、データ記録タイミング以前の磁気テープＭＴの物理的な特徴を考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、物理的特徴情報１１０に、磁気テープ厚み情報１１０Ａ、磁性層厚み情報１１０Ｂ、表面摩擦係数情報１１０Ｃ、裏面摩擦係数情報１１０Ｄ、温度膨張係数情報１１０Ｅ、湿度膨張係数情報１１０Ｆ、ポアソン比情報１１０Ｇ、及び基材情報１１０Ｈが含まれている。そして、第２傾斜機構制御部３０Ａ９は、物理的特徴情報１１０に含まれている磁気テープ厚み情報１１０Ａ、磁性層厚み情報１１０Ｂ、表面摩擦係数情報１１０Ｃ、裏面摩擦係数情報１１０Ｄ、温度膨張係数情報１１０Ｅ、湿度膨張係数情報１１０Ｆ、ポアソン比情報１１０Ｇ、及び基材情報１１０Ｈに応じて定められた角度調整量１１８に従ってスキュー角度θを調整する。従って、本構成によれば、データ記録タイミング以前の磁気テープＭＴの厚み、磁性層２９Ａの厚み、磁気テープＭＴの表面３１の摩擦係数、磁気テープＭＴの裏面３３の摩擦係数、磁気テープＭＴの温度膨張係数、磁気テープＭＴの湿度膨張係数、磁気テープＭＴのポアソン比、及び磁気テープＭＴの基材を考慮してスキュー角度θを調整することができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、高精度なトラッキング制御を実現することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、カートリッジメモリ２４に角度調整情報１０８が格納されている。従って、本構成によれば、カートリッジメモリ２４から非接触で角度調整情報１０８を取得することができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、角度調整情報１０８に基づいて傾斜機構４９に対してスキュー角度θを調整させることで、データ記録タイミングでのサーボバンドＳＢとサーボ読取素子ＳＲとの位置関係とデータバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングでのサーボバンドＳＢとサーボ読取素子ＳＲとの位置関係とを一致させている。従って、本構成によれば、データ記録タイミングでのサーボバンドＳＢとサーボ読取素子ＳＲとの位置関係と、データバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングでのサーボバンドＳＢとサーボ読取素子ＳＲとの位置関係とを、磁気テープＭＴに付与する張力の調整によって一致させる場合に比べ、データ記録タイミングでのサーボバンドＳＢとサーボ読取素子ＳＲとの位置関係と、データバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングでのサーボバンドＳＢとサーボ読取素子ＳＲとの位置関係とを精度良く一致させることができる。この結果、磁気テープＭＴに付与する張力を調整することのみによってオントラックの実現を試みる場合に比べ、オントラックの精度、すなわち、分割データトラックＤＴ１＿１、ＤＴ１＿２、ＤＴ１＿３、ＤＴ１＿４、・・・、ＤＴ１＿１１及びＤＴ１＿１２に対してデータ読取素子ＤＲＷを位置合わせする精度を向上させることができる。
また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、カートリッジメモリ２４に格納されている角度調整情報１０８に環境情報１０６が含まれている。環境情報１０６は、データ記録タイミングで取得された情報である。また、データバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングで環境情報１１２が取得される。そして、環境情報１０６と環境情報１１２との相違度（一例として、温度差１１４及び湿度差１１６）に基づいてスキュー角度θが調整される。従って、本構成によれば、スキュー角度θの調整が、データバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングで取得した環境情報１１２のみに依拠して行われる場合に比べ、データ記録タイミングでの環境とデータバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングでの環境との違いが一因となって磁気テープＭＴの幅が変形することに伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる。
なお、上記実施形態では、環境情報１０６に温度情報１０６Ａ及び湿度情報１０６Ｂが含まれており、環境情報１１２に温度情報１１２Ａ及び湿度情報１１２Ｂが含まれている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、環境情報１０６に湿度情報１０６Ｂが含まれずに温度情報１０６Ａが含まれており、環境情報１１２に湿度情報１１２Ｂが含まれずに温度情報１１２Ａが含まれていてもよい。この場合、角度調整量算出部３０Ａ１１によって湿度差１１６は算出されず温度差１１４が算出される。そして、角度調整量算出部３０Ａ１１では、湿度差１１６を用いずに角度調整量１１８が算出される。また、例えば、環境情報１０６に温度情報１０６Ａが含まれずに湿度情報１０６Ｂが含まれており、環境情報１１２に温度情報１１２Ａが含まれずに湿度情報１１２Ｂが含まれていてもよい。この場合、角度調整量算出部３０Ａ１１によって温度差１１４は算出されず湿度差１１６が算出される。そして、角度調整量算出部３０Ａ１１では、温度差１１４を用いずに角度調整量１１８が算出される。
また、上記実施形態では、データ記録タイミングで取得された環境情報１０６と、データバンドＤＢからデータが読み取られるタイミングで取得された環境情報１１２との相違度に基づいて傾斜機構４９に対してスキュー角度θを調整させる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、データバンドＤＢにデータが記録されるタイミングである第１タイミング（すなわち、データ記録タイミング）で取得された環境情報１１２と、第１タイミングとは異なる第２タイミングで取得された環境情報１２４（図２６参照）との相違度に基づいて傾斜機構４９に対してスキュー角度θを調整させるようにしてもよい。この場合、第１タイミングで取得された環境情報１１２のみに依拠してスキュー角度θの調整が行われる場合に比べ、第１タイミングでの環境と第２タイミングでの環境との違いが一因となって磁気テープＭＴの幅が変形することに伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる。なお、環境情報１２４（図２６参照）は、本開示の技術に係る「第５環境情報」の一例である。
一例として図２６に示すように、環境情報１２４は、環境センサＥＳによって測定された温度を示す温度情報１２４Ａ、及び環境センサＥＳによって測定された湿度を示す湿度情報１２４Ｂが含まれている。環境情報１２４が取得される第２タイミングは、データバンドＤＢに対して上書きが行われることで、データバンドＤＢに記録されているデータが更新されるタイミングであってもよいし、既にデータが記録済みのデータバンドＤＢに対して新たなデータが追記されるタイミングであってもよい。すなわち、環境情報１２４は、データバンドＤＢに対して上書きが行われることで、データバンドＤＢに記録されているデータが更新されるタイミングで第２環境情報取得部３０Ａ１０によって環境センサＥＳから取得されてもよいし、既にデータが記録済みのデータバンドＤＢに対して新たなデータが追記されるタイミングで第２環境情報取得部３０Ａ１０によって環境センサＥＳから取得されてもよい。
この場合、角度調整量算出部３０Ａ１１は、温度情報１１２Ａにより示される温度と温度情報１２４Ａにより示される温度との差を算出することで温度差１１４を更新し、湿度情報１１２Ｂにより示される湿度と湿度情報１２４Ｂにより示される湿度との差を算出することで湿度差１１６を更新する。そして、角度調整量算出部３０Ａ１１は、上記実施形態と同様の要領で角度調整量１１８（図２１参照）を算出する。従って、本構成によれば、第１タイミングで取得された環境情報１１２のみに依拠してスキュー角度θの調整が行われる場合に比べ、第１タイミングでの環境とデータバンドＤＢに対して上書きが行われることでデータバンドＤＢ内のデータが更新されるタイミングでの環境との違いが一因となって磁気テープＭＴの幅が変形することに伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる。また、本構成によれば、第１タイミングで取得された環境情報１１２のみに依拠してスキュー角度θの調整が行われる場合に比べ、第１タイミングでの環境と既にデータが記録済みのデータバンドＤＢに対して新たなデータが追記されるタイミングでの環境との違いが一因となって磁気テープＭＴの幅が変形することに伴って生じるオフトラックを精度良く抑制することができる。
また、上記実施形態では、カートリッジメモリ２４に角度調整情報１０８が格納される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、カートリッジメモリ２４に加え、又は、カートリッジメモリ２４に代えて、磁気テープＭＴの一部に角度調整情報１０８が格納されてもよい。この場合、磁気テープＭＴから角度調整情報１０８を取得することができる。また、仮にカートリッジメモリ２４から角度調整情報１０８を読み出すことができない状況に陥ったとしても、磁気テープＭＴから角度調整情報１０８を取得することができる。
なお、磁気テープＭＴの一部に角度調整情報１０８を格納する場合、例えば、図２７に示すように、ＢＯＴ区間３１Ａ及び／又はＥＯＴ区間３１Ｂに角度調整情報１０８が格納されるようにすればよい。ＢＯＴ区間３１Ａとは、磁気テープＭＴの先頭に設けられた領域を指す。ＥＯＴ区間３１Ｂとは、磁気テープＭＴの後尾に設けられて領域を指す。
ＢＯＴ区間３１Ａ及び／又はＥＯＴ区間３１Ｂに角度調整情報１０８が格納される場合、例えば、物理的特徴情報１１０（図１８参照）は、磁気テープＭＴ又は磁気テープカートリッジ１２の製造工程でＢＯＴ区間３１Ａ及び／又はＥＯＴ区間３１Ｂに格納される。基準スキュー角度情報１０２、環境情報１０６、及びサーボバンドピッチＳＢＰは、上記実施形態でカートリッジメモリ２４に格納されたタイミングと同じタイミング（すなわち、データ記録タイミング以前のタイミング）で、磁気ヘッド２８によってＢＯＴ区間３１Ａ及び／又はＥＯＴ区間３１Ｂに記録される。
また、角度調整情報１０８は、データトラックＤＴにデータが記録されている間にデータトラックＤＴに格納されるようにしてもよい。例えば、角度調整情報１０８に含まれる複数のサーボバンドピッチＳＢＰの各々は、データトラックＤＴの長手方向ＬＤにおいてサーボバンドピッチＳＢＰが取得された位置に格納されるようにしてもよい。これにより、データトラックＤＴに対して磁気ヘッド２８による磁気的処理が行われている間に、データトラックＤＴに格納されている各サーボバンドピッチＳＢＰを利用したトラッキング制御を実現することができる。
また、上記実施形態では、サーボパターン５２を例示したが、サーボパターン５２は、あくまでも一例に過ぎず、他種類のサーボパターン（すなわち、サーボパターン５２の幾何特性とは異なる幾何特性のサーボパターン）を用いたとしても、本開示の技術は成立する。以下の第１変形例～第８変形例では、サーボパターン５２とは異なる種類のサーボパターンが記録された磁気テープＭＴの態様例について説明する。
［第１変形例］
一例として図２８に示すように、第１変形例に係る磁気テープＭＴは、図６に示す磁気テープＭＴに比べ、フレーム５０に代えて、フレーム５６を有する点が異なる。フレーム５６は、一組のサーボパターン５８で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８が記録されている。複数のサーボパターン５８は、図６に示す磁気テープＭＴに記録されている複数のサーボパターン５２と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図２８に示す例では、フレーム５６に含まれる一組のサーボパターン５８の一例として、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂが示されている。サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５６内において、順方向の上流側にサーボパターン５８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５８Ｂが位置している。
サーボパターン５８は、線状磁化領域対６０からなる。線状磁化領域対６０は、線状磁化領域対６０Ａと線状磁化領域対６０Ｂとに類別される。
サーボパターン５８Ａは、線状磁化領域対６０Ａからなる。図２８に示す例では、線状磁化領域対６０Ａの一例として、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２による対が示されている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６０Ａ１の全長は、線状磁化領域６０Ａ２の全長よりも短い。
サーボパターン５８Ａにおいて、線状磁化領域６０Ａ１には、複数の磁化直線６０Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ａ２には、複数の磁化直線６０Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ａ１に含まれる磁化直線６０Ａ１ａの本数と線状磁化領域６０Ａ２に含まれる磁化直線６０Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域６０Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。なお、ここでは、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、５本の磁化直線６０Ａ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ１ａの両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。また、本実施形態において、「揃っている」という概念には、完全に揃っているという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「揃っている」という意味も含まれている。
サーボパターン５８Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂからなる。図２８に示す例では、線状磁化領域対６０Ｂの一例として、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ｂ１は、線状磁化領域６０Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６０Ｂ１の全長は、線状磁化領域６０Ｂ２の全長よりも短い。
サーボパターン５８Ｂにおいて、線状磁化領域６０Ｂ１には、複数の磁化直線６０Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ｂ２には、複数の磁化直線６０Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ｂ１に含まれる磁化直線６０Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６０Ｂ２に含まれる磁化直線６０Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン５８Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数と異なる。図２８に示す例では、サーボパターン５８Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域６０Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。
なお、ここでは、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、４本の磁化直線６０Ｂ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ１ａの両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。
また、ここでは、線状磁化領域６０Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域６０Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ１ａであり、線状磁化領域６０Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ２ａであり、線状磁化領域６０Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ１ａであり、線状磁化領域６０Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ２ａであればよい。
ここで、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図２９を参照しながら説明する。
一例として図２９に示すように、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。仮想線状領域対６２は、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂからなる。線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。
仮想線状領域対６２は、図６に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有する仮想的な線状の磁化領域対である。仮想線状領域対６２は、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性の説明のために便宜的に用いられる仮想的な磁化領域であり、実在する磁化領域ではない。
仮想線状領域６２Ａは、図６に示す線状磁化領域５４Ａ１と同じ幾何特性を有しており、図６に示す５本の磁化直線５４Ａ１ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ａ１からなる。仮想線状領域６２Ｂは、図６に示す線状磁化領域５４Ｂ１と同じ幾何特性を有しており、図６に示す５本の磁化直線５４Ａ２ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ｂ１からなる。
仮想線状領域対６２には、中心Ｏ１が設けられている。例えば、中心Ｏ１は、５本の直線６２Ａ１のうちの順方向の最上流側に位置する直線６２Ａ１の中心と、５本の直線６２Ｂ１のうちの順方向の最下流側に位置する直線６２Ｂ１の中心とを結ぶ線分Ｌ０の中心である。
仮想線状領域対６２は、図６に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有するので、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に対して、仮にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合について考える。この場合、仮想線状領域対６２のうち、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａは読み取られるが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られなかったり、仮想線状領域６２Ａは読み取られないが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られたりする箇所が生じる。すなわち、仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの各々において、サーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に、不足する部分と不要な部分とが生じる。
そこで、不足する部分を補い、かつ、不要な部分を削ることにより、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置）と、仮想線状領域６２Ｂの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置）とを揃える。
このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン５８Ａの幾何特性に相当する。すなわち、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対６２の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ａが記録される。
なお、線状磁化領域対６０Ｂは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、５本の磁化直線６０Ａ１ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線６０Ａ２ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ２ａを有する点のみが異なる。よって、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて４本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置と４本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対（図示省略）の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ｂが記録される。
一例として図３０に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５６は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５８が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれていることを意味する。
既定間隔は、角度α、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間のピッチ（以下、「サーボバンドピッチ」とも称する）、及びフレーム長に基づいて規定されている。図３０に示す例では、角度αを視覚的に把握し易くするために、角度αが誇張して示されているが、実際のところ、角度αは、例えば、１５度程度である。角度αは、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にないフレーム５６間と仮想直線Ｃ１とで成す角度である。図３０に示す例では、角度αの一例として、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にある一対のフレーム５６のうちの一方のフレーム５６（図３０に示す例では、サーボバンドＳＢ３の１つのフレーム５６）と、一対のフレーム５６のうちの他方のフレーム５６（図３０に示す例では、サーボバンドＳＢ２内の複数のフレーム５６のうち、サーボバンドＳＢ３の１つのフレーム５６と対応関係にあるフレーム５６）に隣接するフレーム５６との間（図３０に示す例では、線分Ｌ１）と仮想直線Ｃ１とで成す角度が示されている。この場合、フレーム長とは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤについてのフレーム５６の全長を指す。既定間隔は、以下の数式（１）で規定される。なお、Ｍｏｄ（Ａ／Ｂ）は、“Ａ”を“Ｂ”で除した場合に生じる余りを意味する。
（既定間隔）＝Mod｛（サーボバンドピッチ×tanα）／（フレーム長）｝・・・（１）
なお、図３０に示す例では、角度αとして、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にある一対のフレーム５６のうちの一方のフレーム５６（以下、「第１フレーム」とも称する）と、一対のフレーム５６のうちの他方のフレーム５６（以下、「第２フレーム」とも称する）に隣接するフレーム５６との間と仮想直線Ｃ１とで成す角度を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、角度αは、第１対応フレームと、第２フレームと同じサーボバンドＳＢ内で第２フレームから２フレーム以上離れたフレーム５６（以下、「第３フレーム」とも称する）との間と仮想直線Ｃ１とで成す角度であってもよい。この場合、数式（１）で用いられる“フレーム長”は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤについての第２フレームと第３フレームとの間のピッチ（例えば、第２フレームの先端から第３フレームの先端までの距離）である。
一例として図３１に示すように、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ａ（すなわち、線状磁化領域対６０Ａ）が読み取られると、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが生じる。また、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様の現象が生じる。
そこで、一例として図３２に示すように、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図３２の紙面表側から見た場合の反時計回りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。このように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度β傾くので、図３１に示す例に比べ、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
［第２変形例］
上記第１変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３３に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム７０で区切られていてもよい。フレーム７０は、一組のサーボパターン７２で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７２が記録されている。複数のサーボパターン７２は、複数のサーボパターン５８と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３３に示す例では、一組のサーボパターン７２の一例として、サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂによる対が示されている。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム７０内において、順方向の上流側にサーボパターン７２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７２Ｂが位置している。
一例として図３４に示すように、サーボパターン７２は、線状磁化領域対７４からなる。線状磁化領域対７４は、線状磁化領域対７４Ａと線状磁化領域対７４Ｂとに類別される。
サーボパターン７２Ａは、一組の線状磁化領域対７４Ａからなる。一組の線状磁化領域対７４Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３４に示す例では、線状磁化領域対７４Ａの一例として、線状磁化領域７４Ａ１及び７４Ａ２による対が示されている。線状磁化領域対７４Ａは、上記第１変形例で説明した線状磁化領域対６０Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ａ１は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ａ２は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ２と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン７２Ｂは、一組の線状磁化領域対７４Ｂからなる。一組の線状磁化領域対７４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図３４に示す例では、線状磁化領域対７４Ｂの一例として、線状磁化領域７４Ｂ１及び７４Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域対７４Ｂは、上記第１変形例で説明した線状磁化領域対６０Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ｂ１は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ｂ２は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ２と同様の幾何特性を有する。
［第３変形例］
図３３に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム７０で区切られている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３５に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム７６で区切られていてもよい。フレーム７６は、一組のサーボパターン７８で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７８が記録されている。複数のサーボパターン７８は、複数のサーボパターン７２（図３３参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３５に示す例では、一組のサーボパターン７８の一例として、サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂが示されている。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム７６内において、順方向の上流側にサーボパターン７８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７８Ｂが位置している。
一例として図３６に示すように、サーボパターン７８は、線状磁化領域群８０からなる。線状磁化領域群８０は、線状磁化領域群８０Ａと線状磁化領域群８０Ｂとに類別される。
サーボパターン７８Ａは、線状磁化領域群８０Ａからなる。線状磁化領域群８０Ａは、線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３からなる。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３の順に配置されている。
線状磁化領域８０Ａ１及び８０Ａ２は、図３４に示す線状磁化領域対７４Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ａ１は、図３４に示す線状磁化領域７４Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ａ２は、図３４に示す線状磁化領域７４Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ａ３は、線状磁化領域８０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ａ１と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン７８Ｂは、線状磁化領域群８０Ｂからなる。線状磁化領域群８０Ｂは、線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３からなる。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３の順に配置されている。
線状磁化領域８０Ｂ１及び８０Ｂ２は、図３４に示す線状磁化領域対７４Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ｂ１は、図３４に示す線状磁化領域７４Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ｂ２は、図３４に示す線状磁化領域７４Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ｂ３は、線状磁化領域８０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ｂ１と同様の幾何特性を有する。
［第４変形例］
上記第１変形例では、既定間隔が、角度α、サーボバンドピッチ、及びフレーム長に基づいて規定された形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、フレーム長を用いずに既定間隔を規定してもよい。例えば、図３７に示すように、既定間隔は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５６間（図３７に示す例では、線分Ｌ３）と仮想直線Ｃ１とで成す角度α、及び幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間のピッチ（すなわち、サーボバンドピッチ）に基づいて規定されている。この場合、例えば、既定間隔は、以下の数式（２）から算出される。
（既定間隔）＝（サーボバンドピッチ）×tanα・・・・（２）
このように、数式（２）には、フレーム長が含まれていない。これは、フレーム長を考慮せずとも既定間隔が算出されることを意味する。従って、本構成によれば、数式（１）から既定間隔を算出する場合に比べ、簡易に既定間隔を算出することができる。
［第５変形例］
上記第１変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３８に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム８２で区切られていてもよい。
フレーム８２は、一組のサーボパターン８４で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン８４が記録されている。複数のサーボパターン８４は、磁気テープＭＴに記録されている複数のサーボパターン５２（図６参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図３８に示す例では、フレーム８２に含まれる一組のサーボパターン８４の一例として、サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂが示されている。サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム８２内において、順方向の上流側にサーボパターン８４Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン８４Ｂが位置している。
サーボパターン８４Ａは、線状磁化領域対８６Ａからなる。図３８に示す例では、線状磁化領域対８６Ａの一例として、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２による対が示されている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ａ１は、線状磁化領域８６Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域８６Ａ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ａ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ａ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ａ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。
サーボパターン８４Ａにおいて、線状磁化領域８６Ａ１には、複数の磁化直線８６Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ａ２には、複数の磁化直線８６Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ａ１に含まれる磁化直線８６Ａ１ａの本数と線状磁化領域８６Ａ２に含まれる磁化直線８６Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域８６Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合である。
サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。
サーボパターン８４Ｂは、線状磁化領域対８６Ｂからなる。図３８に示す例では、線状磁化領域対８６Ｂの一例として、線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ｂ１は、線状磁化領域８６Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
また、線状磁化領域８６Ｂ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ｂ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ｂ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。
サーボパターン８４Ｂにおいて、線状磁化領域８６Ｂ１には、複数の磁化直線８６Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ｂ２には、複数の磁化直線８６Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる磁化直線８６Ｂ１ａの本数と線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる磁化直線８６Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数と異なる。図３８に示す例では、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域８６Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合である。
サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。
なお、ここでは、線状磁化領域８６Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域８６Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ１ａであり、線状磁化領域８６Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ２ａであり、線状磁化領域８６Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ１ａであり、線状磁化領域８６Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ２ａであればよい。
ここで、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図３９を参照しながら説明する。
一例として図３９に示すように、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させる。そして、この状態での仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。また、同様に、仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。これにより、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、幅方向ＷＤにずれる。
すなわち、仮想線状領域６２Ａの一端と仮想線状領域６２Ｂの一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれており、仮想線状領域６２Ａの他端と仮想線状領域６２Ｂの他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれている。
このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン８４Ａの幾何特性に相当する。すなわち、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。
仮想線状領域６２Ａは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ１に対応しており、仮想線状領域６２Ｂは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ２に対応している。従って、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ａ１の一端と線状磁化領域８６Ａ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ａ１の他端と線状磁化領域８６Ａ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ａからなるサーボパターン８４Ａが記録される（図３８参照）。
なお、線状磁化領域対８６Ｂは、線状磁化領域対８６Ａに比べ、５本の磁化直線８６Ａ１ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線８６Ａ２ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ２ａを有する点のみが異なる（図３８参照）。よって、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ｂ１の一端と線状磁化領域８６Ｂ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ｂ１の他端と線状磁化領域８６Ｂ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ｂからなるサーボパターン８４Ｂが記録される（図３８参照）。
一例として図４０に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム８２は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン８４が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに、上記第１変形例で説明した既定間隔でずれていることを意味する。既定間隔は、上記第１変形例で説明した数式（１）によって規定されている。
上記第１変形例と同様に、本第５変形例においても、一例として図４１に示すように、傾斜機構４９は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図４１の紙面表側から見た場合の反時計回りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。すなわち、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度β傾く。この状態で、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２が幅方向ＷＤで重複する範囲Ｒ内で長手方向ＬＤに沿って、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ａが読み取られた場合、図３１に示す例に比べ、線状磁化領域８６Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ｂ（すなわち、線状磁化領域対８６Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域８６Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。
［第６変形例］
上記第５変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム８２で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図４２に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム８８で区切られていてもよい。フレーム８８は、一組のサーボパターン９０で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９０が記録されている。複数のサーボパターン９０は、複数のサーボパターン８４（図３８参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図４２に示す例では、一組のサーボパターン９０の一例として、サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂによる対が示されている。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム８８内において、順方向の上流側にサーボパターン９０Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９０Ｂが位置している。
一例として図４３に示すように、サーボパターン９０は、線状磁化領域対９２からなる。線状磁化領域対９２は、線状磁化領域対９２Ａと線状磁化領域対９２Ｂとに類別される。
サーボパターン９０Ａは、一組の線状磁化領域対９２Ａからなる。一組の線状磁化領域対９２Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図４３に示す例では、線状磁化領域対９２Ａの一例として、線状磁化領域９２Ａ１及び９２Ａ２による対が示されている。線状磁化領域対９２Ａは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域対８６Ａ（図３８参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ａ１は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ１（図３８参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ａ２は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ２（図３８参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ２と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン９０Ｂは、一組の線状磁化領域対９２Ｂからなる。一組の線状磁化領域対９２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。
図４３に示す例では、線状磁化領域対９２Ｂの一例として、線状磁化領域９２Ｂ１及び９２Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域対９２Ｂは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域対８６Ｂ（図３８参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ｂ１は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ１（図３８参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ｂ２は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ２（図３８参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ２と同様の幾何特性を有する。
［第７変形例］
図４２に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム８８で区切られている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図４４に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム９４で区切られていてもよい。フレーム９４は、一組のサーボパターン９６で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９６が記録されている。複数のサーボパターン９６は、複数のサーボパターン９０（図４２参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
図４４に示す例では、一組のサーボパターン９６の一例として、サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂが示されている。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム９４内において、順方向の上流側にサーボパターン９６Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９６Ｂが位置している。
一例として図４５に示すように、サーボパターン９６は、線状磁化領域群９８からなる。線状磁化領域群９８は、線状磁化領域群９８Ａと線状磁化領域群９８Ｂとに類別される。
サーボパターン９６Ａは、線状磁化領域群９８Ａからなる。線状磁化領域群９８Ａは、線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３からなる。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３の順に配置されている。
線状磁化領域９８Ａ１及び９８Ａ２は、図４３に示す線状磁化領域対９２Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ａ１は、図４３に示す線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ａ２は、図４３に示す線状磁化領域９２Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ａ３は、線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有する。
サーボパターン９６Ｂは、線状磁化領域群９８Ｂからなる。線状磁化領域群９８Ｂは、線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３からなる。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３の順に配置されている。
線状磁化領域９８Ｂ１及び９８Ｂ２は、図４３に示す線状磁化領域対９２Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ｂ１は、図４３に示す線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ｂ２は、図４３に示す線状磁化領域９２Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ｂ３は、線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有する。
［第８変形例］
上記第１変形例（例えば、図２８に示す例）では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図４６に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム５６０で区切られていてもよい。フレーム５６０は、一組のサーボパターン５８０で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８０が記録されている。複数のサーボパターン５８０は、複数のサーボパターン５８と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。
サーボパターン５８０は、線状磁化領域対６００からなる。線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６００Ａと線状磁化領域対６００Ｂとに類別される。すなわち、線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６０（図２８参照）に比べ、線状磁化領域対６０Ａに代えて線状磁化領域対６００Ａを有する点、及び線状磁化領域対６０Ｂに代えて線状磁化領域対６００Ｂを有する点が異なる。
サーボパターン５８０Ａは、線状磁化領域対６００Ａからなる。線状磁化領域対６００Ａは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に代えて線状磁化領域６００Ａ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ａ２に代えて線状磁化領域６００Ａ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６００Ａ１よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６００Ａ２の全長は、線状磁化領域６００Ａ２の全長よりも短い。
線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ１に比べ、複数の磁化直線６０Ａ１ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ１ａを有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ２に比べ、複数の磁化直線６０Ａ２ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ２ａを有する点が異なる。
線状磁化領域６００Ａ１には、複数の磁化直線６００Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ａ２には、複数の磁化直線６００Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ａ１に含まれる磁化直線６００Ａ１ａの本数と線状磁化領域６００Ａ２に含まれる磁化直線６００Ａ２ａの本数は同じである。
線状磁化領域６００Ａ１は、第１線対称領域に相当する線状磁化領域である。第１線対称領域とは、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ２（図２８参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２（図２８参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ２（図２８参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。
線状磁化領域６００Ａ２は、第２線対称領域に相当する線状磁化領域である。第２線対称領域とは、上記第１実施形態で説明した線状磁化領域６０Ａ１（図２８参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ１（図２８参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ１（図２８参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。
つまり、図２９に示す例において、仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を、中心Ｏ１を回転軸として、図２９の紙面表側から見た場合の時計回りに角度ａ傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることで得られた仮想線状領域対６２の幾何特性が、サーボパターン５８０Ａの幾何特性に相当する。
サーボパターン５８０Ｂは、線状磁化領域対６００Ｂからなる。線状磁化領域対６００Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂに比べ、線状磁化領域６０Ｂ１に代えて線状磁化領域６００Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ｂ２に代えて線状磁化領域６００Ｂ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。
線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ｂ２は、線状磁化領域６００Ｂ１よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。
線状磁化領域６００Ｂ１には、複数の磁化直線６００Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ｂ２には、複数の磁化直線６００Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ｂ１に含まれる磁化直線６００Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６００Ｂ２に含まれる磁化直線６００Ｂ２ａの本数は同じである。
サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数と異なる。図４６に示す例では、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は８本である。
線状磁化領域６００Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６００Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６００Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６００Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。
このように、サーボパターン５８０Ａの幾何特性は、線状磁化領域６０Ａ２（図２８参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ａ２（図２８参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図２８に示すサーボパターン５８Ａの鏡像の幾何特性）に相当し、サーボパターン５８０Ｂの幾何特性は、線状磁化領域６０Ｂ２（図２８参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ｂ２（図２８参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図２８に示すサーボパターン５８Ｂの鏡像の幾何特性）に相当する。しかし、これは、あくまでも一例に過ぎず、サーボパターン５８０に代えて、図３３に示すサーボパターン７２の鏡像の幾何特性、図３５に示すサーボパターン７８の鏡像の幾何特性、図３８に示すサーボパターン８４の鏡像の幾何特性、図４２に示すサーボパターン９０の鏡像の幾何特性、又は、図４４に示すサーボパターン９６の鏡像の幾何特性で形成されたサーボパターンを適用してもよい。
なお、このように、サーボパターンの幾何特性を変えた場合も、傾斜機構４９は、サーボパターンの幾何特性に応じて仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度（例えば、図３２に示す角度β）を変更する。つまり、サーボパターンの幾何特性を変えた場合であっても、上記第１変形例と同様に、傾斜機構４９は、制御装置３０Ａの制御下で、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、サーボパターン信号のばらつきを小さくするように、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度（例えば、図３２に示す角度β）を変更する。
［その他の変形例］
上記実施形態では、磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８による磁気的処理が行われる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの裏面３３が磁性層の面で形成されており、裏面３３に対して磁気ヘッド２８による磁気的処理が行われるようにしてもよい。この場合、裏面３３は、本開示の技術に係る「記録面」の一例である。
上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に対して磁気テープカートリッジ１２が挿脱自在な磁気テープシステム１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ１４に対して少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２が事前に装填されている磁気テープシステム（すなわち、少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２と磁気テープドライブ１４又は磁気テープＭＴとが事前（例えば、データバンドＤＢに対するデータの記録前）に一体化された磁気テープシステム）であっても本開示の技術は成立する。
上記実施形態では、単一の磁気ヘッド２８を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、複数の磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。例えば、読み取り用の磁気ヘッド２８と、少なくとも１つの書き込み用の磁気ヘッド２８とが磁気テープＭＴ上に配置されるようにしてもよい。読み取り用の磁気ヘッド２８は、書き込み用の磁気ヘッド２８によってデータバンドＤＢに記録されたデータのベリファイに用いてもよい。また、読み取り用の磁気素子ユニット４２と、少なくとも１つの書き込み用の磁気素子ユニット４２とが搭載された１つの磁気ヘッドが磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。
上記実施形態では、処理装置３０（図３参照）がＡＳＩＣによって実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、処理装置３０は、ソフトウェア構成によって実現されてもよい。また、処理装置３０に含まれる制御装置３０Ａ及び位置検出装置３０Ｂのみがソフトウェア構成によって実現されてもよい。制御装置３０Ａ及び位置検出装置３０Ｂがソフトウェア構成によって実現される場合、例えば、図４７に示すように、処理装置３０は、コンピュータ２００を備えている。コンピュータ２００は、プロセッサ２００Ａ（例えば、単数のＣＰＵ又は複数のＣＰＵなど）、ＮＶＭ２００Ｂ、及びＲＡＭ２００Ｃを有する。プロセッサ２００Ａ、ＮＶＭ２００Ｂ、及びＲＡＭ２００Ｃは、バス２００Ｄに接続されている。コンピュータ読取可能な非一時的記憶媒体である可搬型の記憶媒体２０２（例えば、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなど）には、プログラムＰＧが記憶されている。
記憶媒体２０２に記憶されているプログラムＰＧは、コンピュータ２００にインストールされる。プロセッサ２００Ａは、プログラムＰＧに従ってデータ記録処理（図２３参照）及びデータ読取処理（図２４及び図２５参照）を実行する。
また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ２００に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置にプログラムＰＧを記憶させておき、処理装置３０からの要求に応じてプログラムＰＧがダウンロードされ、コンピュータ２００にインストールされるようにしてもよい。なお、プログラムＰＧは、本開示の技術に係る「プログラム」の一例であり、コンピュータ２００は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例である。
図４７に示す例では、コンピュータ２００が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ２００に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＣを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ２００に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。
処理装置３０（図３参照）の処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、又は例示のＡＳＩＣ等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電子回路が挙げられる。いずれのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、いずれのプロセッサもメモリを使用することで処理を実行する。
処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷの処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。
１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣ等に代表されるように、処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。
更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電子回路を用いることができる。また、上記の処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。
以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。
本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
記録面を有する磁気テープに関する情報が格納される格納媒体に、上記記録面に磁気ヘッドによってデータが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報を格納することを含み、
上記磁気テープは、記録面を有し、
上記記録面には、上記磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録され、
上記磁気ヘッドは、上記記録面に沿って上記磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、
上記角度調整情報は、上記磁気ヘッドを上記記録面に沿って上記幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である
情報格納方法。
（付記２）
記録面を有する磁気テープに、上記記録面に磁気ヘッドによってデータが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報を格納することを含み、
上記磁気テープは、記録面を有し、
上記記録面には、上記磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録され、
上記磁気ヘッドは、上記記録面に沿って上記磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、
上記角度調整情報は、上記磁気ヘッドを上記記録面に沿って上記幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である
情報格納方法。
１０ 磁気テープシステム
１２ 磁気テープカートリッジ
１３ 管理情報
１３Ａ 仕様情報
１４ 磁気テープドライブ
１６ ケース
１６Ａ 右壁
１６Ｂ 開口
１８ 上ケース
２０ 下ケース
２２，ＳＷ１ 送出リール
２２Ａ リールハブ
２２Ｂ１ 上フランジ
２２Ｂ２ 下フランジ
２４ カートリッジメモリ
２４Ｂ，３３ 裏面
２５ コントローラ
２６ 搬送装置
２８ 磁気ヘッド
２９Ａ 磁性層
２９Ｂ ベースフィルム
２９Ｃ バックコート層
３０ 処理装置
３０Ａ 制御装置
３０Ａ１ 基準スキュー角度導出部
３０Ａ２ 第１傾斜機構制御部
３０Ａ３ 第１走行制御部
３０Ａ４ ピッチ算出部
３０Ａ５ 第１環境情報取得部
３０Ａ６ 第１移動機構制御部
３０Ａ７ 第１読み書き素子制御部
３０Ａ８ 角度調整情報取得部
３０Ａ９ 第２傾斜機構制御部
３０Ａ１０ 第２環境情報取得部
３０Ａ１１ 角度調整量算出部
３０Ａ１２ 第２走行制御部
３０Ａ１３ 第２移動機構制御部
３０Ａ１４ 第２読み書き素子制御部
３０Ｂ 位置検出装置
３０Ｂ１ 第１位置検出装置
３０Ｂ２ 第２位置検出装置
３１ 表面
３１Ａ ＢＯＴ区間
３１Ｂ ＥＯＴ区間
３２ ストレージ
３４ ＵＩ系装置
３５ 通信インタフェース
３６ 送出モータ
３７ 外部装置
３８，ＳＷ２ 巻取リール
３９Ａ 第１検出回路
３９Ｂ 第２検出回路
４０，Ｍ 巻取モータ
４２ 磁気素子ユニット
４４ ホルダ
４６ 非接触式読み書き装置
４８ 移動機構
４８Ａ 移動アクチュエータ
４９ 傾斜機構
４９Ａ 傾斜アクチュエータ
５０，５６，７０，７６，８２，８８，９４，５６０ フレーム
５２，５２Ａ，５２Ｂ，５８，５８Ａ，５８Ｂ，７２，７２Ａ，７２Ｂ，７８，７８Ａ，７８Ｂ，８４，８４Ａ，８４Ｂ，９０，９０Ａ，９０Ｂ，５８０，５８０Ａ，５８０Ｂ サーボパターン
５４，５４Ａ，５４Ｂ，６０，６０Ａ，６０Ｂ，７４，７４Ａ，７４Ｂ，８６，８６Ａ，８６Ｂ，９２，９２Ａ，９２Ｂ，５４０Ａ，５４２，６００，６００Ａ，６００Ｂ 線状磁化領域対
５４Ａ１，５４Ａ２，５４Ｂ１，５４Ｂ２，６０Ａ１，６０Ａ２，６０Ｂ１，６０Ｂ２，７４Ａ１，７４Ａ２，７４Ｂ１，７４Ｂ２，８０Ａ１，８０Ａ２，８０Ａ３，８６Ａ１，８６Ａ２，８６Ｂ１，８６Ｂ２，９２Ａ１，９２Ａ２，９２Ｂ１，９２Ｂ２，５４０Ａ１，５４０Ａ２，６００Ａ１，６００Ａ２，６００Ｂ１，６００Ｂ２ 線状磁化領域
５４Ａ１ａ，５４Ａ２ａ，５４Ｂ１ａ，５４Ｂ２ａ，６０Ａ１ａ，６０Ａ２ａ，６０Ｂ１ａ，６０Ｂ２ａ，８６Ａ１ａ，８６Ａ２ａ，８６Ｂ１ａ，８６Ｂ２ａ，５４０Ａ１ａ，５４０Ａ２ａ，５４２Ａ，５４２Ｂ，６００Ａ１ａ，６００Ａ２ａ，６００Ｂ１ａ，６００Ｂ２ａ 磁化直線
６２ 仮想線状領域対
６２Ａ，６２Ｂ 仮想線状領域
６２Ａ１，６２Ｂ１ 直線
６６ 理想波形信号
６６Ａ 第１理想波形信号
６６Ｂ 第２理想波形信号
６８ 仮想直線領域対
６８Ａ，６８Ｂ 仮想直線領域
８０，８０Ａ，８０Ｂ 線状磁化領域群
１００ テーブル
１０２ 基準スキュー角度情報
１０４ 角度設定完了信号
１０６，１１２，１２４ 環境情報
１０６Ａ，１１２Ａ，１２４Ａ 温度情報
１０６Ｂ，１１２Ｂ，１２４Ｂ 湿度情報
１０８ 角度調整情報
１１０ 物理的特徴情報
１１０Ａ 磁気テープ厚み情報
１１０Ｂ 磁性層厚み情報
１１０Ｃ 表面摩擦係数情報
１１０Ｄ 裏面摩擦係数情報
１１０Ｅ 温度膨張係数情報
１１０Ｆ 湿度膨張係数情報
１１０Ｇ ポアソン比情報
１１０Ｈ 基材情報
１１４ 温度差
１１６ 湿度差
１１８ 角度調整量
１２０ 演算式
１２２ 数式
２００ コンピュータ
２００Ａ プロセッサ
２００Ｂ ＮＶＭ
２００Ｃ ＲＡＭ
２００Ｄ バス
２０２ 記憶媒体
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ａ，α，β 角度
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ 仮想直線
ＤＢ，ＤＢ１，ＤＢ２ データバンド
ＤＲＷ，ＤＲＷ１，ＤＲＷ２，ＤＲＷ３，ＤＲＷ４，ＤＲＷ５，ＤＲＷ６，ＤＲＷ７，ＤＲＷ８ データ読み書き素子
ＤＴ，ＤＴ１，ＤＴ２，ＤＴ３，ＤＴ４，ＤＴ５，ＤＴ６，ＤＴ７，ＤＴ８ データトラック
ＤＴ１＿１～ＤＴ１＿１２，ＤＴ２＿１～ＤＴ２＿１２，ＤＴ３＿１～ＤＴ３＿１２，ＤＴ４＿１～ＤＴ４＿１２，ＤＴ５＿１～ＤＴ５＿１２，ＤＴ６＿１～ＤＴ６＿１２，ＤＴ７＿１～ＤＴ７＿１２，ＤＴ８＿１～ＤＴ＿１２ 分割データトラック
ＤＴＧ，ＤＴＧ１，ＤＴＧ２，ＤＴＧ３，ＤＴＧ４，ＤＴＧ５，ＤＴＧ６，ＤＴＧ７，ＤＴＧ８ 分割データトラック群
ＥＳ 環境センサ
ＧＲ ガイドローラ
Ｉｎｔ１，Ｉｎｔ２ 間隔
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２ 線分
ＬＤ 長手方向
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
Ｏ１，Ｏ２ 中心
ＰＧ プログラム
ＲＡ 回転軸
Ｓ１ 第１サーボバンド信号
Ｓ１ａ 第１線状磁化領域信号
Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ サーボパターン信号
Ｓ１ｂ 第２線状磁化領域信号
Ｓ２ 第２サーボバンド信号
ＳＡ１，ＳＡ２ 対称軸
ＳＢ，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３ サーボバンド
ＳＢＰ サーボバンドピッチ
ＳＲ，ＳＲ１，ＳＲ２ サーボ読取素子
ＷＤ 幅方向

Claims (19)

  1. 磁気テープと、
    前記磁気テープに関する情報が格納された格納媒体と、を備え、
    前記磁気テープは、記録面を有し、
    前記記録面には、前記磁気テープを走行させた状態で磁気ヘッドによってデータが記録され、
    前記磁気ヘッドは、前記記録面に沿って前記磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、
    前記格納媒体には、前記記録面に前記データが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報が格納されており、
    前記角度調整情報は、前記磁気ヘッドを前記記録面に沿って前記幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である
    磁気テープカートリッジ。
  2. 前記角度調整情報は、前記磁気テープの幅に対応する幅対応情報を含み、
    前記幅対応情報は、前記記録面に前記データが記録される間に前記磁気テープを走行させた状態で取得された情報である
    請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。
  3. 前記幅対応情報は、前記磁気テープの全長方向において前記磁気テープの複数の箇所で取得される
    請求項２に記載の磁気テープカートリッジ。
  4. 前記角度調整情報は、環境を特定する第１環境情報を含む
    請求項１から請求項３の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  5. 前記第１環境情報は、温度を示す温度情報、及び湿度を示す湿度情報のうちの少なくとも一方を含む情報である
    請求項４に記載の磁気テープカートリッジ。
  6. 前記角度調整情報は、前記磁気ヘッドが前記記録面に沿って前記幅方向に対して傾斜している角度を示す角度情報を含む
    請求項１から請求項５の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  7. 前記角度調整情報は、磁気テープの物理的な特徴を示す物理的特徴情報を含む
    請求項１から請求項６の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  8. 前記物理的な特徴は、前記磁気テープの厚み、前記磁気テープの磁性層の厚み、前記磁気テープの表面の摩擦係数、前記磁気テープの裏面の摩擦係数、前記磁気テープの温度膨張係数、前記磁気テープの湿度膨張係数、前記磁気テープのポアソン比、及び前記磁気テープの基材のうちの少なくとも１つを含む
    請求項７に記載の磁気テープカートリッジ。
  9. 前記格納媒体は、非接触式読み書き装置と非接触で通信可能なメモリを含む媒体である
    請求項１から請求項８の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  10. 前記格納媒体は、磁気テープの一部を含む媒体である
    請求項１から請求項９の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジ。
  11. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに対する処理を実行するプロセッサと、
    前記磁気ヘッドに動力を付与することで前記角度を調整する角度調整機構と、を備え、
    前記プロセッサは、
    前記格納媒体から前記角度調整情報を取得し、
    前記角度調整情報に基づいて前記角度調整機構に対して前記角度を調整させる
    磁気テープドライブ。
  12. 前記磁気テープは、サーボバンドを有し、
    前記磁気ヘッドは、サーボ読取素子を有し、
    前記プロセッサは、前記角度調整情報に基づいて前記角度調整機構に対して前記角度を調整させることで、前記データ記録タイミングでの前記サーボバンドと前記サーボ読取素子との位置関係と前記記録面から前記データが読み取られるタイミングである第１データ読取タイミングでの前記サーボバンドと前記サーボ読取素子との位置関係とを一致させる
    請求項１１に記載の磁気テープドライブ。
  13. 前記磁気ヘッドは、前記記録面から前記データを読み取り、
    前記角度調整情報は、環境を特定する第２環境情報を含み、
    前記プロセッサは、
    前記磁気ヘッドによって前記記録面から前記データが読み取られるタイミングで前記環境を特定する第３環境情報を取得し、
    前記第２環境情報と前記第３環境情報との相違度に基づいて前記角度調整機構に対して前記角度を調整させる
    請求項１１又は請求項１２に記載の磁気テープドライブ。
  14. 前記プロセッサは、
    前記記録面に前記データが記録される第１タイミングで、環境を特定する第４環境情報を取得し、
    前記記録面に前記データが記録される第２タイミングであって、前記第１タイミングとは異なる第２タイミングで前記環境を特定する第５環境情報を取得し、
    前記第４環境情報と前記第５環境情報との相違度に基づいて前記角度調整機構に対して前記角度を調整させる
    請求項１１から請求項１３の何れか一項に記載の磁気テープドライブ。
  15. 前記第２タイミングは、前記第１タイミングで前記記録面に記録された前記データに対して上書きを行うことで前記データを更新するタイミング、及び／又は、前記第１タイミングで前記データが記録された前記記録面に対して新たな前記データを追記するタイミングである
    請求項１４に記載の磁気テープドライブ。
  16. 磁気テープに対して磁気的処理を行う磁気ヘッドの動作を制御する制御情報が格納されたメモリであって、
    前記磁気テープは、記録面を有し、
    前記記録面には、前記磁気テープを走行させた状態で前記磁気ヘッドによってデータが記録され、
    前記磁気ヘッドは、前記記録面に沿って前記磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、
    前記制御情報は、前記記録面に前記データが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報を含み、
    前記角度調整情報は、前記磁気ヘッドを前記記録面に沿って前記幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である
    メモリ。
  17. 磁気ヘッドによって磁気的処理が行われる記録面を備える磁気テープであって、
    前記記録面には、前記磁気テープを走行させた状態で前記磁気ヘッドによってデータが記録され、
    前記磁気ヘッドは、前記記録面に沿って前記磁気テープの幅方向に対して傾斜させた姿勢で配置され、
    前記記録面には、前記記録面に前記データが記録されるタイミングであるデータ記録タイミングで得られた角度調整情報が記録されており、
    前記角度調整情報は、前記磁気ヘッドを前記記録面に沿って前記幅方向に対して傾斜させる角度を調整するための情報である
    磁気テープ。
  18. 請求項１７に記載の磁気テープと、
    前記磁気テープに対する処理を実行するプロセッサ、及び前記磁気ヘッドに動力を付与することで前記角度を調整する角度調整機構を有する磁気テープドライブと、を備え、
    前記プロセッサは、
    前記記録面から前記角度調整情報を取得し、
    前記角度調整情報に基づいて前記角度調整機構に対して前記角度を調整させる
    磁気テープシステム。
  19. 磁気テープドライブの動作方法であって、
    請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の磁気テープカートリッジに含まれる前記格納媒体から前記角度調整情報を取得すること、及び、
    前記角度調整情報に基づいて角度調整機構に対して前記角度を調整させることを含む
    磁気テープドライブの動作方法。
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