JP2023095583A - 検出装置、検査装置、磁気テープカートリッジ、磁気テープ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、検出方法、検査方法、及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】サーボパターン信号を精度良く検出することができる検出装置、検査装置、磁気テープカートリッジ、磁気テープ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、検出方法、検査方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】検出装置は、処理装置と、格納媒体と、を備える。処理装置は、サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として格納媒体に格納し、サーボバンドがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得し、サーボパターンを示すサーボパターン信号を、格納媒体に格納されている理想波形信号とサーボバンド信号とを比較することで検出する。
【選択図】図１３

Description

本開示の技術は、検出装置、検査装置、磁気テープカートリッジ、磁気テープ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、検出方法、検査方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、磁気テープデバイスにおいて、テープが適切な張力および/またはスキュー角度でヘッドを通過していないときに、読み取り及び／又は書き込みエラーが発生する、という問題が挙げられている。この問題を解決するために、特許文献１に記載のシステムは、リーダ及びライタのうちの少なくとも１つのアレイを有するヘッド、ヘッド上に磁気記録テープを通過させるための駆動機構、ヘッドに結合されたスキュー誘導機構を含み、テープがヘッド上を移動する方向に垂直な方向に対するアレイの縦軸のスキュー角度、及びヘッドと通信するコントローラを調整する。また、特許文献１に記載のシステムは、テープのテープ寸法安定状態を決定し、テープの移動方向に対して法線から離れる方向にスキュー角度を調整し、テープ寸法安定状態が収縮状態にある場合、ヘッド全体のテープの張力を下げる。

特許文献２には、横方向の歪みが発生している磁気テープのデータトラックに対して、縦方向にオフセットされた読取素子が選択的に用いられることによって読み取りが行われる方法が開示されている。読取素子は、テープに対して方位角を有するテープヘッドの一部であり、読取素子間に横方向のオフセットを作る。この横方向のオフセットは、横方向のテープの歪みの影響を最小限に抑えるために利用される。

特許文献３には、磁気テープに設けられた複数のデータトラックに記録されているデータの再生および当該各データトラックに対するデータの記録の少なくとも一方をそれぞれ行う複数の磁気素子が第１直線上に等間隔で並設されたヘッド部と、当該ヘッド部を移動させる移動機構と、前記移動機構に対して前記ヘッド部を移動させることによって前記各データトラックに前記各磁気素子をそれぞれオントラックさせるトラッキング制御を実行する制御部とを備えたヘッド装置が開示されている。特許文献３に記載のヘッド装置では、移動機構が、磁気テープの幅に沿った第２直線と第１直線とのなす角度を増減させる向きにヘッド部を回動させる回動駆動を可能に構成され、制御部が、トラッキング制御の実行時において、各データトラックの間隔の変化に応じた角度の増減量で移動機構に対してヘッド部を回動駆動させて各データトラックに各磁気素子をオントラックさせる。

米国特許第８０９４４０２号 米国特許第６７８１７８４号 特開２００９－１２３２８８号公報

本開示の技術に係る一つの実施形態は、サーボパターン信号を精度良く検出することができる検出装置、検査装置、磁気テープカートリッジ、磁気テープ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、検出方法、検査方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、処理装置と、格納媒体と、を備え、処理装置が、サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として格納媒体に格納し、サーボバンドがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得し、サーボパターンを示すサーボパターン信号を、格納媒体に格納されている理想波形信号とサーボバンド信号とを比較することで検出する検出装置である。

本開示の技術に係る第２の態様は、理想波形信号が、サーボバンドの一部に記録されたサーボパターンがサーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号である第１の態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第３の態様は、一部が、ＢＯＴ領域及びＥＯＴ領域のうちの少なくとも一方である第２の態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第４の態様は、理想波形信号が、サーボパターンが読み取られた結果の統計値を示す信号である第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第５の態様は、理想波形信号を生成するためにサーボ読取素子によって読み取られるサーボパターンの幾何特性が、他のサーボパターンの幾何特性に対応している第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第６の態様は、サーボパターンが、少なくとも１つの第１線状磁化領域対であり、第１線状磁化領域対が、線状に磁化された第１線状磁化領域、及び線状に磁化された第２線状磁化領域であり、第１線状磁化領域及び第２線状磁化領域が、磁気テープの幅方向に沿った第１仮想直線に対して相反する方向に傾けられており、理想波形信号が、第１理想波形信号と第２理想波形信号とに類別され、第１理想波形信号が、第１線状磁化領域がサーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号であり、第２理想波形信号が、第２線状磁化領域がサーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号である第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第７の態様は、サーボパターンが、少なくとも１つの第２線状磁化領域対であり、第２線状磁化領域対が、線状に磁化された第３線状磁化領域、及び線状に磁化された第４線状磁化領域であり、第３線状磁化領域及び第４線状磁化領域が、磁気テープの幅方向に沿った第１仮想直線に対して相反する方向に傾けられており、サーボパターン信号が、第３線状磁化領域がサーボ読取素子によって読み取られた結果である第１信号と、第４線状磁化領域がサーボ読取素子によって読み取られた結果である第２信号とを有し、処理装置が、並列に接続された第１検出回路及び第２検出回路を有し、第１検出回路が、サーボバンド信号を取得し、サーボバンド信号と第１理想波形信号とを比較することで第１信号を検出し、第２検出回路が、サーボバンド信号を取得し、サーボバンド信号と第２理想波形信号とを比較することで第２信号を検出する第６の態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第８の態様は、処理装置が、サーボパターン信号を、自己相関係数を用いて検出する第１の態様から第７の態様の何れか１つの態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第９の態様は、磁気テープが、カートリッジに収容されており、カートリッジには、処理装置と非接触で通信可能な非接触式記憶媒体が格納媒体として設けられている第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第１０の態様は、格納媒体が、磁気テープである第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る検出装置である。

本開示の技術に係る第１１の態様は、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る検出装置に含まれる処理装置によってサーボバンド信号と比較される理想波形信号が格納されたメモリと、磁気テープと、備える磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第１２の態様は、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る検出装置に含まれる処理装置によってサーボバンド信号と比較される理想波形信号が格納された磁気テープである。

本開示の技術に係る第１３の態様は、ＢＯＴ領域及び／又はＥＯＴ領域を有し、ＢＯＴ領域及び／又はＥＯＴ領域に理想波形信号が格納された第１２の態様に係る磁気テープである。

本開示の技術に係る第１４の態様は、データバンドが形成されており、データバンドに理想波形信号が格納された第１２の態様又は第１３の態様に係る磁気テープである。

本開示の技術に係る第１５の態様は、第１２の態様から第１４の態様の何れか１つの態様に係る磁気テープが収容された磁気テープカートリッジである。

本開示の技術に係る第１６の態様は、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る検出装置と、検出装置によって検出されたサーボパターン信号に基づいて、磁気テープにおいてサーボパターンが記録されるサーボバンドの検査を行う検査プロセッサと、を備える検査装置である。

本開示の技術に係る第１７の態様は、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る検出装置と、検出装置によって検出されたサーボパターン信号に従って動作する磁気ヘッドと、を備える磁気テープドライブである。

本開示の技術に係る第１８の態様は、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る検出装置と、検出装置によって検出されたサーボパターン信号に従って動作する磁気ヘッドと、を有する磁気テープドライブと、磁気ヘッドによって磁気的処理が行われる磁気テープと、を備える磁気テープシステムである。

本開示の技術に係る第１９の態様は、サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として格納媒体に格納すること、サーボバンドがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得すること、及び、サーボパターンを示すサーボパターン信号を、格納媒体に格納されている理想波形信号とサーボバンド信号とを比較することで検出することを含む検出方法である。

本開示の技術に係る第２０の態様は、第１９の態様に係る検出方法によって検出されたサーボパターン信号に基づいて、磁気テープにおいてサーボパターンが記録されるサーボバンドの検査を行うことを含む検査方法である。

本開示の技術に係る第２１の態様は、コンピュータに、サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として格納媒体に格納すること、サーボバンドがサーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得すること、及び、サーボパターンを示すサーボパターン信号を、格納媒体に格納されている理想波形信号とサーボバンド信号とを比較することで検出することを含む処理を実行させるためのプログラムである。

実施形態に係る磁気テープシステムの構成の一例を示すブロック図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。 実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。 実施形態に係る磁気テープ上に磁気ヘッドが配置されている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープの幅が収縮する前後の磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープ上で磁気ヘッドがスキューされた状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる処理装置が有する機能の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる処理装置が有する第１位置検出装置の処理内容の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる処理装置が有する制御装置の処理内容の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープのＢＯＴ領域のサーボバンドからサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係る磁気テープドライブに含まれる制御装置によって理想波形信号が生成されてストレージに格納される態様の一例を示す概念図である。 実施形態に係るサーボライタの構成の一例を示す概念図である。 実施形態に係るサーボパターン検出処理の流れの一例を示すフローチャートである。 実施形態に係る理想波形信号取得処理の流れの一例を示すフローチャートである。 実施形態に係る磁気テープのＢＯＴ領域のサーボバンドからサーボ読取素子によって基準サーボパターンが読み取られる態様の一例を示す概念図である。 制御装置によって基準信号から理想波形信号が生成されてストレージに格納される態様の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第１変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせていない磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第１変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第２変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第２変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第３変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第３変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第４変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第５変形例を示す概念図であって、実際のサーボパターンの幾何特性と仮想的なサーボパターンの幾何特性との関係の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープの幅方向で隣接するサーボバンド間で対応するフレームが既定間隔でずれている状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第５変形例を示す概念図であって、磁気テープ上でスキューさせた磁気ヘッドに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターンが読み取られる状態を磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図である。 第６変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第６変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第７変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 第７変形例を示す概念図であって、磁気テープに含まれるサーボパターンの態様の一例を示す概念図である。 第８変形例を示す概念図であって、実施形態に係る磁気テープの変形例を示す概念図（磁気テープを磁気テープの表面側から観察した態様の一例を示す概念図）である。 記憶媒体に記憶されているプログラムが処理装置のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る検出装置、検査装置、磁気テープカートリッジ、磁気テープ、磁気テープドライブ、磁気テープシステム、検出方法、検査方法、及びプログラムの実施形態の一例について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＮＶＭとは、“Non-volatile memory”の略称を指す。ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＰＬＣとは、“Programmable Logic Controller”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-chip"の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＢＯＴとは、“Beginning Of Tape”の略称を指す。ＥＯＴとは、“End Of Tape”の略称を指す。ＵＩとは、“User Interface”の略称を指す。ＷＡＮとは、“Wide Area Network”の略称を指す。ＬＡＮとは、“Local Area Network”の略称を指す。また、以下の説明において、幾何特性とは、長さ、形状、向き、及び／又は位置等の一般的に認識されている幾何学的な特性を指す。

一例として図１に示すように、磁気テープシステム１０は、磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４を備えている。磁気テープドライブ１４には、磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ１４は、装填された磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。

本実施形態において、磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープシステム１０は、本開示の技術に係る「磁気テープシステム」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープドライブ１４は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープカートリッジ１２は、本開示の技術に係る「カートリッジ」及び「磁気テープカートリッジ」の一例である。

次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１２の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の磁気テープドライブ１４への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１２の前方向とし、磁気テープカートリッジ１２の前方向の側を磁気テープカートリッジ１２の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１２の前側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１２の右方向の側を磁気テープカートリッジ１２の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１２の右側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１２の左方向の側を磁気テープカートリッジ１２の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１２の左側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１２の上方向とし、磁気テープカートリッジ１２の上方向の側を磁気テープカートリッジ１２の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１２の上側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の後方向とし、磁気テープカートリッジ１２の後方向の側を磁気テープカートリッジ１２の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１２の後側を指す。

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の下方向とし、磁気テープカートリッジ１２の下方向の側を磁気テープカートリッジ１２の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１２の下側を指す。

一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１２は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１６を備えている。ケース１６には、磁気テープＭＴが収容されている。ケース１６は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１８及び下ケース２０を備えている。上ケース１８及び下ケース２０は、上ケース１８の下周縁面と下ケース２０の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。

ケース１６の内部には、送出リール２２が回転可能に収容されている。送出リール２２は、リールハブ２２Ａ、上フランジ２２Ｂ１、及び下フランジ２２Ｂ２を備えている。リールハブ２２Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ２２Ａは、送出リール２２の軸心部であり、軸心方向がケース１６の上下方向に沿っており、ケース１６の中央部に配置されている。上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ２２Ａの上端部には上フランジ２２Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ２２Ａの下端部には下フランジ２２Ｂ２の平面視中央部が固定されている。なお、リールハブ２２Ａと下フランジ２２Ｂ２は一体成型されていてもよい。

リールハブ２２Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ２２Ｂ１及び下フランジ２２Ｂ２によって保持されている。

ケース１６の右壁１６Ａの前側には、開口１６Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１６Ｂから引き出される。

下ケース２０にはカートリッジメモリ２４が設けられている。具体的には、下ケース２０の右後端部に、カートリッジメモリ２４が収容されている。カートリッジメモリ２４には、ＮＶＭを有するＩＣチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ２４として採用されており、カートリッジメモリ２４に対しては非接触で各種情報の読み書きが行われる。

カートリッジメモリ２４には、磁気テープカートリッジ１２を管理する管理情報が記憶されている。管理情報には、例えば、カートリッジメモリ２４に関する情報（例えば、磁気テープカートリッジ１２を特定可能な情報）、磁気テープＭＴに関する情報（例えば、磁気テープＭＴの記録容量を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの概要を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの項目を示す情報、磁気テープＭＴに記録されているデータの記録形式を示す情報など）、及び磁気テープドライブ１４に関する情報（例えば、磁気テープドライブ１４の仕様を示す情報、及び磁気テープドライブ１４で用いられる信号）等が含まれている。なお、カートリッジメモリ２４は、本開示の技術に係る「非接触式記憶媒体」及び「メモリ」の一例である。

一例として図３に示すように、磁気テープドライブ１４は、コントローラ２５、搬送装置２６、磁気ヘッド２８、ＵＩ系装置３４、及び通信インタフェース３５を備えている。コントローラ２５は、本開示の技術に係る「検出装置」の一例であり、処理装置３０及びストレージ３２を備えている。処理装置３０は、本開示の技術に係る「処理装置」の一例であり、ストレージ３２は、本開示の技術に係る「格納媒体」の一例である。

磁気テープドライブ１４には、矢印Ａ方向に沿って磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴが磁気テープカートリッジ１２から引き出されて用いられる。

磁気テープＭＴは、磁性層２９Ａ、ベースフィルム２９Ｂ、及びバックコート層２９Ｃを有する。磁性層２９Ａは、ベースフィルム２９Ｂの一方の面側に形成されており、バックコート層２９Ｃは、ベースフィルム２９Ｂの他方の面側に形成されている。磁性層２９Ａには、データが記録される。磁性層２９Ａは、強磁性粉末を含む。強磁性粉末としては、例えば、各種磁気記録媒体の磁性層において一般的に用いられる強磁性粉末が用いられる。強磁性粉末の好ましい具体例としては、六方晶フェライト粉末が挙げられる。六方晶フェライト粉末としては、例えば、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、又は六方晶バリウムフェライト粉末等が挙げられる。バックコート層２９Ｃは、例えば、カーボンブラック等の非磁性粉末を含む層である。ベースフィルム２９Ｂは、支持体とも称されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、又はポリアミド等で形成されている。なお、ベースフィルム２９Ｂと磁性層２９Ａとの間に非磁性層が形成されていてもよい。磁気テープＭＴにおいて、磁性層２９Ａが形成された面が磁気テープＭＴの表面３１であり、バックコート層２９Ｃが形成された面が磁気テープＭＴの裏面３３である。

磁気テープドライブ１４は、磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いて磁気的処理を行う。ここで、磁気的処理とは、磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録、及び磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取り（すなわち、データの再生）を指す。本実施形態では、磁気テープドライブ１４が磁気ヘッド２８を用いて磁気テープＭＴの表面３１に対するデータの記録と磁気テープＭＴの表面３１からのデータの読み取りとを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ１４は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いてデータを記録したり、引き出した磁気テープＭＴの表面３１から磁気ヘッド２８を用いてデータを読み取ったりする。

処理装置３０は、磁気テープドライブ１４の全体を制御する。本実施形態において、処理装置３０は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、処理装置３０は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、処理装置３０は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、処理装置３０は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

ストレージ３２は、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、ストレージ３２に対する各種情報の書き込み、及びストレージ３２からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ３２の一例としては、フラッシュメモリ及び／又はＨＤＤが挙げられる。フラッシュメモリ及びＨＤＤは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ１４に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。

ＵＩ系装置３４は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー（例えば、キーボード）、及び／又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び／又はスピーカ等によって実現される。ＵＩ系装置３４は、処理装置３０に接続されている。処理装置３０は、ＵＩ系装置３４によって受け付けられた指示信号を取得する。ＵＩ系装置３４は、処理装置３０の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。

通信インタフェース３５は、処理装置３０に接続されている。また、通信インタフェース３５は、ＷＡＮ及び／又はＬＡＮ等の通信網（図示省略）を介して外部装置３７に接続されている。通信インタフェース３５は、処理装置３０と外部装置３７との間の各種情報（例えば、磁気テープＭＴに対する記録用データ、磁気テープＭＴから読み取られたデータ、及び／又は処理装置３０に対して与えられる指示信号等）の授受を司る。なお、外部装置３７としては、例えば、パーソナル・コンピュータ又はメインフレーム等が挙げられる。

搬送装置２６は、磁気テープＭＴを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ３６、巻取リール３８、巻取モータ４０、及び複数のガイドローラＧＲを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。

送出モータ３６は、処理装置３０の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内の送出リール２２を回転させる。処理装置３０は、送出モータ３６を制御することで、送出リール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

巻取モータ４０は、処理装置３０の制御下で、巻取リール３８を回転させる。処理装置３０は、巻取モータ４０を制御することで、巻取リール３８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

磁気テープＭＴが巻取リール３８によって巻き取られる場合には、処理装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール３８に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が処理装置３０によって調整されることで、磁気テープＭＴに対して張力が付与される。また、磁気テープＭＴに付与される張力は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が処理装置３０によって調整されることによって制御される。

なお、磁気テープＭＴを送出リール２２に巻き戻す場合には、処理装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。

本実施形態では、送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴに掛けられる張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴに掛けられる張力は、ダンサローラを用いて制御されるようにしてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール３８との間において磁気ヘッド２８を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

磁気ヘッド２８は、磁気素子ユニット４２及びホルダ４４を備えている。磁気素子ユニット４２は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４４によって保持されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子を有する。

磁気素子ユニット４２は、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。ここで、データとは、例えば、サーボパターン５２（図６参照）、及びサーボパターン５２以外のデータ、すなわち、データバンドＤＢ（図６参照）に記録されているデータを指す。

磁気テープドライブ１４は、非接触式読み書き装置４６を備えている。非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２が装填された状態の磁気テープカートリッジ１２の下側にてカートリッジメモリ２４の裏面２４Ａに正対するように配置されており、カートリッジメモリ２４に対して非接触で情報の読み書きを行う。

一例として図４に示すように、非接触式読み書き装置４６は、磁気テープカートリッジ１２の下側からカートリッジメモリ２４に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ２４を貫通する。

非接触式読み書き装置４６は、処理装置３０に接続されている。処理装置３０は、制御信号を非接触式読み書き装置４６に出力する。制御信号は、カートリッジメモリ２４を制御する信号である。非接触式読み書き装置４６は、処理装置３０から入力された制御信号に従って磁界ＭＦを生成し、生成した磁界ＭＦをカートリッジメモリ２４に向けて放出する。

非接触式読み書き装置４６は、磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４との間で非接触通信を行うことで、カートリッジメモリ２４に対して、制御信号に応じた処理を行う。例えば、非接触式読み書き装置４６は、処理装置３０の制御下で、カートリッジメモリ２４から情報を読み取る処理と、カートリッジメモリ２４に対して情報を記憶させる処理（すなわち、カートリッジメモリ２４に対して情報を書き込む処理）とを選択的に行う。換言すると、処理装置３０は、非接触式読み書き装置４６を介して、カートリッジメモリ２４と非接触で通信を行うことにより、カートリッジメモリ２４から情報を読み取ったり、カートリッジメモリ２４に対して情報を記憶させたりする。

一例として図５に示すように、磁気テープドライブ１４は、移動機構４８を備えている。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａを有する。移動アクチュエータ４８Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。移動アクチュエータ４８Ａは、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、移動アクチュエータ４８Ａを制御する。移動アクチュエータ４８Ａは、処理装置３０の制御下で動力を生成する。移動機構４８は、移動アクチュエータ４８Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向に移動させる。

磁気テープドライブ１４は、傾斜機構４９を備えている。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａを有する。傾斜アクチュエータ４９Ａとしては、例えば、ボイスコイルモータ及び／又はピエゾアクチュエータが挙げられる。傾斜アクチュエータ４９Ａは、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、傾斜アクチュエータ４９Ａを制御する。傾斜アクチュエータ４９Ａは、処理装置３０の制御下で動力を生成する。傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａによって生成された動力を受けることで、磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに対して磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜させる（図８参照）。すなわち、磁気ヘッド２８は、処理装置３０の制御下で、磁気テープＭＴ上でスキューする。

一例として図６に示すように、磁気テープＭＴの表面３１には、サーボバンドＳＢ１、ＳＢ２及びＳＢ３と、データバンドＤＢ１及びＤＢ２と、が形成されている。なお、以下では、説明の便宜上、特に区別する必要がない場合、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３をサーボバンドＳＢと称し、データバンドＤＢ１及びＤＢ２をデータバンドＤＢと称する。

サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３とデータバンドＤＢ１及びＤＢ２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ（すなわち、全長方向）に沿って形成されている。ここで、磁気テープＭＴの全長方向とは、換言すると、磁気テープＭＴの走行方向を指す。磁気テープＭＴの走行方向は、磁気テープＭＴが送出リール２２側から巻取リール３８側に走行する方向である順方向（以下、単に「順方向」とも称する）と、磁気テープＭＴが巻取リール３８側から送出リール２２側に走行する方向である逆方向（以下、単に「逆方向」とも称する）との２つの方向で規定される。

サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、磁気テープＭＴの幅方向ＷＤ（以下、単に「幅方向ＷＤ」とも称する）で離間した位置に配列されている。例えば、サーボバンドＳＢ１～ＳＢ３は、幅方向ＷＤに沿って等間隔に配列されている。なお、本実施形態において、「等間隔」とは、完全な等間隔の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの等間隔を指す。

データバンドＤＢ１は、サーボバンドＳＢ１とサーボバンドＳＢ２との間に配されており、データバンドＤＢ２は、サーボバンドＳＢ２とサーボバンドＳＢ３との間に配されている。つまり、サーボバンドＳＢとデータバンドＤＢとは、幅方向ＷＤに沿って交互に配列されている。

なお、図６に示す例では、説明の便宜上、３本のサーボバンドＳＢと２本のデータバンドＤＢとが示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、２本のサーボバンドＳＢと１本のデータバンドＤＢであってもよいし、４本以上のサーボバンドＳＢと３本以上のデータバンドＤＢであっても本開示の技術は成立する。

サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５２が記録されている。サーボパターン５２は、サーボパターン５２Ａとサーボパターン５２Ｂとに類別される。複数のサーボパターン５２は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。なお、本実施形態において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの一定を指す。

サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５０で区切られている。フレーム５０は、一組のサーボパターン５２で規定されている。図６に示す例では、一組のサーボパターン５２の一例として、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂが示されている。サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５０内において、順方向の上流側にサーボパターン５２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５２Ｂが位置している。

サーボパターン５２は、線状磁化領域対５４からなる。線状磁化領域対５４は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域対」及び「第２線状磁化領域対」の一例である。線状磁化領域対５４は、線状磁化領域対５４Ａと線状磁化領域対５４Ｂとに類別される。

サーボパターン５２Ａは、線状磁化領域対５４Ａからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ａの一例として、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２による対が示されている。線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。線状磁化領域５４Ａ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」及び「第３線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域５４Ａ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」及び「第４線状磁化領域」の一例である。

線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２が、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。

線状磁化領域５４Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線５４Ａ２ａの集合である。

サーボパターン５２Ｂは、線状磁化領域対５４Ｂからなる。図６に示す例では、線状磁化領域対５４Ｂの一例として、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。線状磁化領域５４Ｂ１は、本開示の技術に係る「第１線状磁化領域」及び「第３線状磁化領域」の一例であり、線状磁化領域５４Ｂ２は、本開示の技術に係る「第２線状磁化領域」及び「第４線状磁化領域」の一例である。

線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。図６に示す例では、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２が、仮想直線Ｃ２に対して線対称に傾けられている。より具体的に説明すると、線状磁化領域５４Ｂ１及び５４Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２を対称軸として磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側の相反する方向に既定角度（例えば、５度）傾斜した状態で形成されている。

線状磁化領域５４Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ１ａの集合である。線状磁化領域５４Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線５４Ｂ２ａの集合である。

このように構成された磁気テープＭＴの表面３１側に、磁気ヘッド２８は配置されている。ホルダ４４は、直方体状に形成されており、磁気テープＭＴの表面３１上を幅方向ＷＤに沿って横断するように配置されている。磁気素子ユニット４２の複数の磁気素子は、ホルダ４４の長手方向に沿って直線状に配列されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子として、一対のサーボ読取素子ＳＲ及び複数のデータ読み書き素子ＤＲＷを有する。ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気テープＭＴの幅に対して十分に長い。例えば、ホルダ４４の長手方向の長さは、磁気素子ユニット４２が磁気テープＭＴ上の何れの位置に配置されたとしても、磁気テープＭＴの幅を超える長さとされている。

磁気ヘッド２８には、一対のサーボ読取素子ＳＲが搭載されている。磁気ヘッド２８において、ホルダ４４と一対のサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。一対のサーボ読取素子ＳＲは、サーボ読取素子ＳＲ１及びＳＲ２からなる。サーボ読取素子ＳＲ１は、磁気素子ユニット４２の一端に配置されており、サーボ読取素子ＳＲ２は、磁気素子ユニット４２の他端に配置されている。図６に示す例では、サーボ読取素子ＳＲ１が、サーボバンドＳＢ２に対応する位置に設けられており、サーボ読取素子ＳＲ２が、サーボバンドＳＢ３に対応する位置に設けられている。

複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、サーボ読取素子ＳＲ１とサーボ読取素子ＳＲ２との間に直線状に配置されている。複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って間隔を空けて配置されている（例えば、磁気ヘッド２８の長手方向に沿って等間隔に配置されている）。図６に示す例では、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが、データバンドＤＢ２に対応する位置に設けられている。

処理装置３０は、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号を取得し、取得したサーボパターン信号に従ってサーボ制御を行う。ここで、サーボ制御とは、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られたサーボパターン５２に従って移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴの幅方向ＷＤに移動させる制御を指す。

サーボ制御が行われることにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷは、データバンドＤＢ内の指定された領域上に位置し、データバンドＤＢ内の指定された領域に対して磁気的処理を行う。図６に示す例では、データバンドＤＢ２内の指定された領域に対して複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによって磁気的処理が行われる。

また、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢが変更される場合（図６に示す例では、磁気素子ユニット４２によるデータの読み取り対象とされるデータバンドＤＢがデータバンドＤＢ２からＤＢ１に変更される場合）、移動機構４８は、処理装置３０の制御下で、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、一対のサーボ読取素子ＳＲの位置を変更する。すなわち、移動機構４８は、磁気ヘッド２８を幅方向ＷＤに移動させることで、サーボ読取素子ＳＲ１をサーボバンドＳＢ１に対応する位置に移動させ、サーボ読取素子ＳＲ２をサーボバンドＳＢ２に対応する位置に移動させる。これにより、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷの位置は、データバンドＤＢ２上からデータバンドＤＢ１上に変更され、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷによってデータバンドＤＢ１に対して磁気的処理が行われる。

ところで、近年、ＴＤＳ（Transverse Dimensional Stability）の影響を低減する技術に関する研究が進められている。ＴＤＳは、温度、湿度、磁気テープがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等に左右され、何ら対策を施さない場合、ＴＤＳが大きくなり、データバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる場面でオフトラック（すなわち、データバンドＤＢ内のトラックに対するデータ読み書き素子ＤＲＷの位置ずれ）が生じてしまうことが知られている。

図７に示す例では、磁気テープＭＴの幅が時間の経過と共に収縮した態様が示されている。この場合、オフトラックが生じる。磁気テープＭＴの幅は、拡がる場合もあり、この場合にも、オフトラックが生じる。すなわち、磁気テープＭＴの幅が時間の経過と共に縮まったり拡がったりすると、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置（例えば、線状磁化領域５４Ａ１、５４Ａ２、５４Ｂ１及び５４Ｂ２の各々の中心位置）から幅方向ＷＤに外れてしまう。サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置から幅方向ＷＤに外れると、サーボ制御の精度が低下し、データバンドＤＢ内のトラックとデータ読み書き素子ＤＲＷの位置とがずれてしまう。そうすると、当初予定されていたトラックに対して磁気的処理が行われなくなる。

ＴＤＳの影響を低減する方法としては、一例として図８に示すように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８をスキューさせることで、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置を設計的に定められた既定位置に保持する方法が知られている。

磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを備えている。回転軸ＲＡは、磁気ヘッド２８に含まれる磁気素子ユニット４２の平面視中央部に相当する位置に設けられている。磁気ヘッド２８は、回転軸ＲＡを介して傾斜機構４９に回転可能に保持されている。磁気ヘッド２８には仮想的な中心線である仮想直線Ｃ３が設けられている。仮想直線Ｃ３は、回転軸ＲＡを通り、かつ、磁気ヘッド２８の平面視長手方向（すなわち、複数のデータ読み書き素子ＤＲＷが配列された方向）に延びた直線である。磁気ヘッド２８は、幅方向ＷＤに沿った仮想的な直線である仮想直線Ｃ４に対して仮想直線Ｃ３が磁気テープＭＴの長手方向ＬＤ側に傾斜した姿勢となるように傾斜機構４９によって保持されている。図８に示す例では、磁気ヘッド２８が、仮想直線Ｃ３を仮想直線Ｃ４に対して送出リール２２側に傾斜した姿勢（すなわち、図８の紙面表側から見た場合の反時計回りで傾斜した姿勢）で傾斜機構４９によって保持されている。なお、以下では、仮想直線Ｃ３と仮想直線Ｃ４とで成す角度を「スキュー角度」とも称する。スキュー角度は、図８の紙面表側から見た場合の反時計回りの方向を正とし、図８の紙面表側から見た場合の時計回りを負として規定された角度である。

傾斜機構４９は、傾斜アクチュエータ４９Ａ（図５参照）の動力を受けることで、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させる。傾斜機構４９は、処理装置３０の制御下で、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度を変更する。

仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜の方向及び傾斜の角度が、温度、湿度、磁気テープＭＴがリールに巻き掛けられる圧力、及び経時劣化等、又は、これらによる磁気テープＭＴの幅方向ＷＤの伸縮に応じて変更されることにより、サーボ読取素子ＳＲのサーボパターン５２に対する位置が設計的に定められた既定位置に保持される。

ところで、サーボ読取素子ＳＲは、仮想直線Ｃ３に沿って直線状に形成されている。そのため、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ａが読み取られる場合、線状磁化領域対５４Ａにおいて、線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度が異なる。このように角度が異なると、線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ１が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）と線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによって線状磁化領域５４Ａ２が読み取られることによって得られるサーボパターン信号）との間にアジマス損失に起因するばらつき（例えば、信号レベルのばらつき、及び、波形の歪み等）が生じる。図８に示す例において、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ１とで成す角度は、サーボ読取素子ＳＲと線状磁化領域５４Ａ２とで成す角度よりも大きいため、サーボパターン信号の出力が小さく、波形も広がることとなり、磁気テープＭＴが走行している状態でサーボ読取素子ＳＲがサーボバンドＳＢを横切って読み取ることで得たサーボパターン信号にばらつきが生じることとなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ｂが読み取られる場合にも、線状磁化領域５４Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域５４Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。このようなサーボパターン信号のばらつきは、サーボ制御の精度を低下させる一因になり得る。

サーボパターン信号を検出する方法としては、自己相関係数を用いてサーボパターン信号を検出する方法が考えられる。この方法では、理想波形を示す理想波形信号とサーボバンド信号（すなわち、サーボバンドＳＢがサーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号）とが比較される。サーボバンド信号と比較される理想波形信号は事前に準備される。しかし、磁気テープの種類（例えば、主にサーボパターン５２の傾き）及び／又は磁気ヘッド２８の傾き等によってサーボバンド信号と比較される理想波形信号は異なる。また、磁気テープＭＴの経時変化及び／又は磁気ヘッド２８の傾き（すなわち、スキュー角度）が想定範囲を逸脱すると、事前に準備した理想波形信号の波形と実際のサーボパターン信号の波形とが乖離し、精度良くサーボパターン信号を検出することが困難となる。

そこで、このような事情に鑑み、本実施形態に係る磁気テープドライブ１４のコントローラ２５（図３参照）の処理装置３０（図３及び図９参照）では、サーボパターン検出処理（図１５参照）及び理想波形信号取得処理（図１６参照）が行われる。以下、サーボパターン検出処理及び理想波形信号取得処理について、具体的に説明する。

先ず、サーボパターン検出処理の一例について図９及び図１０を参照しながら説明する。一例として図９に示すように、処理装置３０は、制御装置３０Ａ及び位置検出装置３０Ｂを有する。位置検出装置３０Ｂは、第１位置検出装置３０Ｂ１及び第２位置検出装置３０Ｂ２を有する。位置検出装置３０Ｂは、サーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢが読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得し、取得したサーボバンド信号に基づいて、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の位置を検出する。サーボバンド信号には、サーボパターン５２が読み取られた結果であるサーボパターン信号の他に、サーボ制御に不要な信号（例えば、ノイズ等）も含まれている。従って、サーボパターン信号に基づく制御（例えば、サーボ制御等）を高精度に実現するためには、処理装置３０が、サーボバンド信号からサーボパターン信号を高精度に検出する必要がある。

位置検出装置３０Ｂは、磁気ヘッド２８からサーボバンド信号を取得する。サーボバンド信号は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とに類別される。第１サーボバンド信号Ｓ１は、サーボ読取素子ＳＲ１によってサーボバンドＳＢが読み取られた結果を示す信号であり、第２サーボバンド信号Ｓ２は、サーボ読取素子ＳＲ２によってサーボバンドＳＢが読み取られた結果を示す信号である。第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２位置検出装置３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。図９に示す例では、第１サーボバンド信号Ｓ１の一例として、サーボバンドＳＢ２がサーボ読取素子ＳＲ１によって読み取られることで得られた信号が示されており、第２サーボバンド信号Ｓ２の一例として、サーボバンドＳＢ３がサーボ読取素子ＳＲ２によって読み取られることで得られた信号が示されている。なお、以下では、説明の便宜上、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２サーボバンド信号Ｓ２とを区別して説明する必要がない場合、符号を付さずに「サーボバンド信号」と称する。

第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１に基づいて、サーボバンドＳＢ２に対するサーボ読取素子ＳＲ１の位置を検出する。第２位置検出装置３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２に基づいて、サーボバンドＳＢ３に対するサーボ読取素子ＳＲ２の位置を検出する。

制御装置３０Ａは、第１位置検出装置３０Ｂ１での位置検出結果（すなわち、第１位置検出装置３０Ｂ１によって位置が検出された結果）及び第２位置検出装置３０Ｂ２での位置検出結果（すなわち、第２位置検出装置３０Ｂ２によって位置が検出された結果）に基づいて各種制御を行う。ここで、各種制御とは、例えば、サーボ制御、スキュー角度制御、及び／又は張力制御等を指す。張力制御とは、磁気テープＭＴに付与する張力（例えば、ＴＤＳの影響を低減するための張力）の制御を指す。

次に、位置検出装置３０Ｂの具体的な処理内容について説明する。なお、第２位置検出装置３０Ｂ２の構成は、第１位置検出装置３０Ｂ１の構成と同一であるので、以下では、位置検出装置３０Ｂの処理内容については、主に第１位置検出装置３０Ｂ１の具体的な処理内容を例に挙げて説明し、第２位置検出装置３０Ｂ２の具体的な処理内容についての説明を省略する。

また、以下では、説明の便宜上、線状磁化領域５４Ａ１又は５４Ｂ１（図６～図９参照）に由来するサーボパターン信号を「第１線状磁化領域信号」とも称し、線状磁化領域５４Ａ２又は５４Ｂ２（図６～図９参照）に由来するサーボパターン信号を「第２線状磁化領域信号」とも称する。また、本実施形態において、サーボパターン信号は、第１線状磁化領域信号と第２線状磁化領域信号とから構成された信号である。よって、位置検出装置３０Ｂによって第１線状磁化領域信号と第２線状磁化領域信号とが検出されることは、位置検出装置３０Ｂによってサーボパターン信号が検出されることを意味する。

一例として図１０に示すように、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを有する。第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂは、並列に接続されており、互いに共通の入力端子３０Ｂ１ａ及び出力端子３０Ｂ１ｂを備えている。図１０に示す例では、入力端子３０Ｂ１ａに第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される態様例が示されている。第１サーボバンド信号Ｓ１には、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが含まれている。第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂは、サーボ読取素子ＳＲ１（図９参照）によって読み取られた結果であるサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）である。第２サーボバンド信号Ｓ２（図９参照）にも、第１サーボバンド信号Ｓ１と同様のことが言える。すなわち、サーボパターン信号は、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを有する。

ストレージ３２には、理想波形信号６６が予め格納されている。理想波形信号６６は、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２（図６～図９参照）がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果であるサーボパターン信号（すなわち、アナログのサーボパターン信号）の理想波形を示す信号である。理想波形信号６６は、第１サーボバンド信号Ｓ１と比較される見本信号とも言える。

理想波形信号６６は、第１理想波形信号６６Ａと第２理想波形信号６６Ｂとに類別される。第１理想波形信号６６Ａは、線状磁化領域５４Ａ２又は５４Ｂ２に由来する信号、すなわち、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂに対応しており、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂの理想波形を示す信号である。第２理想波形信号６６Ｂは、線状磁化領域５４Ａ１又は５４Ｂ１に由来する信号、すなわち、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａに対応しており、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａの理想波形を示す信号である。より詳しく説明すると、例えば、第１理想波形信号６６Ａは、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂに含まれる単発（すなわち、１波長分）の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５２に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。また、例えば、第２理想波形信号６６Ｂは、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａに含まれる単発（すなわち、１波長分）の理想波形を示す信号（例えば、サーボパターン５２に含まれる理想的な磁化直線の１本がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果である理想的な信号）である。

第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形である。磁気ヘッド２８のホルダ４４（図８参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されている。従って、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。例えば、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形である。上述したように、磁気ヘッド２８のホルダ４４（図８参照）とサーボ読取素子ＳＲとの相対的な位置関係は固定されているので、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ２の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ２ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形とも言える。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ２と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。なお、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形は、上述した要素に加え、サーボ読取素子ＳＲそのものの特性（材質、大きさ、形状、及び／又は使用履歴など）、磁気テープＭＴの特性（材質、及び／又は使用履歴など）、及び／又は磁気ヘッド２８の使用環境なども加味して定められてもよい。

第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形と同様に、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形も、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きに応じて定められた波形、すなわち、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。例えば、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形は、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ１の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとに応じて定められた波形、すなわち、サーボパターン５２Ａの線状磁化領域５４Ａ１の幾何特性（例えば、磁化直線５４Ａ１ａの幾何特性）と磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きに応じて定められた波形である。ここで、磁気テープＭＴ上での磁気ヘッド２８の向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ１と磁気ヘッド２８とで成す角度を指す。また、磁気テープＭＴ上でのサーボ読取素子ＳＲの向きとは、例えば、磁気テープＭＴ上において線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度を指す。なお、第２理想波形信号６６Ｂにより示される理想波形も、第１理想波形信号６６Ａにより示される理想波形と同様に、上述した要素に加え、サーボ読取素子ＳＲそのものの特性（材質、大きさ、形状、及び／又は使用履歴など）、磁気テープＭＴの特性（材質、及び／又は使用履歴など）、及び／又は磁気ヘッド２８の使用環境なども加味して定められてもよい。

第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、取得した第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。図１０に示す例において、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂを用いることでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。第１検出回路３９Ａは、本開示の技術に係る「第１検出回路」の一例であり、第２検出回路３９Ｂは、本開示の技術に係る「第２検出回路」の一例である。

第１検出回路３９Ａには、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第１検出回路３９Ａは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを検出する。第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂは、本開示の技術に係る「第１信号」の一例である。

第１検出回路３９Ａによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとの相関の度合いを示す係数である。第１検出回路３９Ａは、ストレージ３２から第１理想波形信号６６Ａを取得し、取得した第１理想波形信号６６Ａと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第１検出回路３９Ａは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第１検出回路３９Ａは、サーボバンドＳＢ（例えば、図９に示すサーボバンドＳＢ２）上において、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとの相関が高い位置（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。

一方、第２検出回路３９Ｂにも、入力端子３０Ｂ１ａを介して第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。第２検出回路３９Ｂは、入力された第１サーボバンド信号Ｓ１から、自己相関係数を用いて、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａを検出する。第１線状磁化領域信号Ｓ１ａは、本開示の技術に係る「第２信号」の一例である。

第２検出回路３９Ｂによって用いられる自己相関係数は、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとの相関の度合いを示す係数である。第２検出回路３９Ｂは、ストレージ３２から第２理想波形信号６６Ｂを取得し、取得した第２理想波形信号６６Ｂと第１サーボバンド信号Ｓ１とを比較する。そして、第２検出回路３９Ｂは、比較結果に基づいて自己相関係数を算出する。第２検出回路３９Ｂは、サーボバンドＳＢ（例えば、図９に示すサーボバンドＳＢ２）上において、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとの相関が高い位置（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとが一致する位置）を、自己相関係数に従って検出する。

第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１検出回路３９Ａによる検出結果及び第２検出回路３９Ｂによる検出結果に基づいてサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する。第１位置検出装置３０Ｂ１は、出力端子３０Ｂ１ｂからサーボパターン信号Ｓ１Ａを制御装置３０Ａに出力する。サーボパターン信号Ｓ１Ａは、第１検出回路３９Ａによって検出された第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第２検出回路３９Ｂによって検出された第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとの論理和を示す信号（例えば、デジタル信号）である。

サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置は、例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂの長手方向ＬＤの間隔に基づいて検出される。例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂの長手方向ＬＤの間隔は、自己相関係数に従って検出される。サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５２の上側（すなわち、図９中の紙面正面視の上側）に位置している場合、線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔は狭くなり、かつ、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔も狭くなる。これに対し、サーボ読取素子ＳＲがサーボパターン５２の下側（すなわち、図９中の紙面正面視の下側）に位置している場合、線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔は広くなり、かつ、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔も広くなる。このようにして、第１位置検出装置３０Ｂ１は、自己相関係数に従って検出した線状磁化領域５４Ａ１と線状磁化領域５４Ａ２との間隔、及び、線状磁化領域５４Ｂ１と線状磁化領域５４Ｂ２との間隔を用いて、サーボバンドＳＢに対するサーボ読取素子ＳＲの位置の検出を行う。

なお、図１０に示す例では、第１位置検出装置３０Ｂ１が、第１サーボバンド信号Ｓ１と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ１Ａを検出する形態例を挙げて説明したが、これと同様に、第２位置検出装置３０Ｂ２も、第２サーボバンド信号Ｓ２と理想波形信号６６とを比較することでサーボパターン信号Ｓ２Ａを検出し、検出したサーボパターン信号Ｓ２Ａを制御装置３０Ａに出力する。

一例として図１１に示すように、制御装置３０Ａは、位置検出装置３０Ｂでの位置検出結果（すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａ）に基づいて移動機構４８を動作させることで磁気ヘッド２８の位置を調整する。また、制御装置３０Ａは、磁気素子ユニット４２に対して磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに対して磁気的処理を行わせる。すなわち、制御装置３０Ａは、磁気素子ユニット４２から読取信号（すなわち、磁気素子ユニット４２によって磁気テープＭＴのデータバンドＤＢから読み取られたデータ）を取得したり、磁気素子ユニット４２に記録信号を供給することで記録信号に応じたデータを磁気テープＭＴのデータバンドＤＢに記録したりする。

また、ＴＤＳの影響を低減するために、制御装置３０Ａは、位置検出装置３０Ｂでの位置検出結果（すなわち、サーボパターン信号Ｓ１Ａ及びＳ２Ａ）からサーボバンドピッチを算出し、算出したサーボバンドピッチに従って、張力制御を行ったり、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８をスキューさせたりする。張力制御は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることによって実現される。磁気ヘッド２８のスキューは、傾斜機構４９を作動させることによって実現される。

次に、理想波形信号取得処理の一例について図１２及び図１３を参照しながら説明する。なお、理想波形信号取得処理は、制御装置３０Ａ（図１３参照）によって行われる。

一例として図１２に示すように、磁気テープＭＴは、ＢＯＴ領域３１Ａを有する。ＢＯＴ領域３１Ａは、磁気テープＭＴの先頭に設けられた領域を指す。これに対し、磁気テープＭＴには、ＥＯＴ領域（図示省略）も設けられている。ＥＯＴ領域は、磁気テープＭＴの後尾に設けられて領域を指す。

ＢＯＴ領域３１Ａは、磁気テープＭＴの表面３１に形成されており、複数のサーボバンドＳＢ（図１２に示す例では、サーボバンドＳＢ１、ＳＢ２及びＳＢ３）と複数のデータバンドＤＢ（図１２に示す例では、データバンドＤＢ１及びＤＢ２）と、を有する。

理想波形信号取得処理では、磁気ヘッド２８がＢＯＴ領域３１Ａに対向しており、かつ、磁気テープＭＴが定速（例えば、ＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域（図示省略）との間の領域で磁気ヘッド２８によって磁気的処理が行われる速度として指定された一定の速度と同じ速度）で走行している状態で、サーボ読取素子ＳＲによってＢＯＴ領域３１Ａのサーボパターン５２が読み取られる。図１２に示す例では、サーボ読取素子ＳＲ２によってＢＯＴ領域３１Ａのサーボパターン５２Ａが読み取られる態様の一例が示されている。

ＢＯＴ領域３１ＡのサーボバンドＳＢに記録されているサーボパターン５２の幾何特性は、磁気テープＭＴのうちのＢＯＴ領域３１Ａ以外に記録されているサーボパターン５２の幾何特性と同一である。ここで、「同一」とは、完全な同一の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めた意味合いでの同一を指す。

一例として図１３に示すように、制御装置３０Ａには、第１サーボバンド信号Ｓ１が入力される。図１３に示す例において、制御装置３０Ａに入力される第１サーボバンド信号Ｓ１は、ＢＯＴ領域３１ＡのサーボバンドＳＢ３がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られることで得られる信号である。なお、図１３には、第１サーボバンド信号Ｓ１が例示されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、第１サーボバンド信号Ｓ１に代えて第２サーボバンド信号Ｓ２を適用してもよい。

制御装置３０Ａは、サーボパターン５２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度（すなわち、磁気ヘッド２８のスキュー角度）に応じて定められた閾値ＴＨを有する。例えば、閾値ＴＨは、磁気ヘッド２８のスキュー角度を独立変数とし、閾値ＴＨを従属変数とする演算式（図示省略）、又は、磁気ヘッド２８のスキュー角度と閾値ＴＨとが対応付けられたテーブル（図示省略）から導出される。

制御装置３０Ａは、閾値ＴＨを用いて第１サーボバンド信号Ｓ１から小波形信号ＳＷＳ及び大波形信号ＬＷＳを抽出する。閾値ＴＨは、第１閾値ＴＨ１と第２閾値ＴＨ２とに類別される。第１閾値ＴＨ１は、第１角度に応じて定められており、第２閾値ＴＨ２は、第２角度に応じて定められている。第１角度とは、線状磁化領域５４Ａ１又は５４Ｂ１（図６～図９参照）とサーボ読取素子ＳＲ（図６～図９参照）とで成す角度（例えば、磁化直線５４Ａ１ａ又は５４Ｂ１ａ（図６～図８参照）とサーボ読取素子ＳＲ（図６～図９参照）とで成す角度）を指す。第２角度とは、線状磁化領域５４Ａ２又は５４Ｂ２（図６～図９参照）とサーボ読取素子ＳＲ（図６～図９参照）とで成す角度（例えば、磁化直線５４Ａ２ａ又は５４Ｂ２ａ（図６～図８参照）とサーボ読取素子ＳＲ（図６～図９参照）とで成す角度）を指す。

図１３に示す例において、第１閾値ＴＨ１は第２閾値ＴＨ２よりも小さい。制御装置３０Ａは、第１サーボバンド信号Ｓ１から、信号レベルが“０”で立ち上がる点Ｐを検出し、かつ、隣接する点Ｐ間で第１閾値ＴＨ１以上第２閾値ＴＨ２未満の１つのピーク値を有する１波長分の信号を小波形信号ＳＷＳとして抽出する。また、制御装置３０Ａは、隣接する点Ｐ間で第２閾値ＴＨ２以上の１つのピーク値を有する１波長分の信号を大波形信号ＬＷＳとして抽出する。

小波形信号ＳＷＳ及び大波形信号ＬＷＳの各々は、１波長分の信号である。小波形信号ＳＷＳの振幅は、大波形信号ＬＷＳの振幅よりも小さい。図１３に示す例では、制御装置３０Ａによって、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａから５個の小波形信号ＳＷＳが抽出され、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂから５個の大波形信号ＬＷＳが抽出される。

制御装置３０Ａは、複数の小波形信号ＳＷＳ（図１３に示す例では、５個の小波形信号ＳＷＳ）を平均化することで第２理想波形信号６６Ｂを生成し、生成した第２理想波形信号６６Ｂをストレージ３２に格納する。ここで、複数の小波形信号ＳＷＳの平均化とは、複数の小波形信号ＳＷＳの平均的な波形を示す信号を生成することを意味する。

また、ここでは、複数の小波形信号ＳＷＳの平均的な波形を示す信号が第２理想波形信号６６Ｂとしてストレージ３２に格納される形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、複数の小波形信号ＳＷＳのうちの中央値に位置する波形を示す信号が第２理想波形信号６６Ｂとされてもよいし、複数の小波形信号ＳＷＳのうちの最も高い頻度で現れる波形を示す信号が第２理想波形信号６６Ｂとされてもよく、複数の小波形信号ＳＷＳのうちの統計値に従って導出された波形（すなわち、複数の小波形信号ＳＷＳから導出された統計的な波形）を示す信号が第２理想波形信号６６Ｂとされるようにすればよい。

また、本実施形態では、第２理想波形信号６６Ｂを生成するために用いる複数の小波形信号ＳＷＳの個数は５個であるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、第２理想波形信号６６Ｂを生成するために用いる複数の小波形信号ＳＷＳの個数は６個以上であってもよい。この場合、例えば、複数の線状磁化領域５４Ａ１（図６～図９参照）に対応する複数の第１線状磁化領域信号Ｓ１ａから抽出された複数の小波形信号ＳＷＳから第２理想波形信号６６Ｂが生成されるようにしてもよい。また、第２理想波形信号６６Ｂを生成するために用いる複数の小波形信号ＳＷＳの個数は５個未満であってもよい。

制御装置３０Ａは、複数の大波形信号ＬＷＳ（図１３に示す例では、５個の大波形信号ＬＷＳ）を平均化することで第１理想波形信号６６Ａを生成し、生成した第１理想波形信号６６Ａをストレージ３２に格納する。ここで、複数の大波形信号ＬＷＳの平均化とは、複数の大波形信号ＬＷＳの平均的な波形を示す信号を生成することを意味する。

また、ここでは、複数の大波形信号ＬＷＳの平均的な波形を示す信号が第１理想波形信号６６Ａとしてストレージ３２に格納される形態例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、複数の大波形信号ＬＷＳのうちの中央値に位置する波形を示す信号が第１理想波形信号６６Ａとされてもよいし、複数の大波形信号ＬＷＳのうちの最も高い頻度で現れる波形を示す信号が第１理想波形信号６６Ａとされてもよく、複数の大波形信号ＬＷＳの統計値に従って導出された波形（すなわち、複数の大波形信号ＬＷＳから導出された統計的な波形）を示す信号が第１理想波形信号６６Ａとされるようにすればよい。

また、本実施形態では、第１理想波形信号６６Ａを生成するために用いる複数の大波形信号ＬＷＳの個数は５個であるが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、第１理想波形信号６６Ａを生成するために用いる複数の大波形信号ＬＷＳの個数は６個以上であってもよい。この場合、例えば、複数の線状磁化領域５４Ａ２（図６～図９参照）に対応する複数の第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂから抽出された複数の大波形信号ＬＷＳから第１理想波形信号６６Ａが生成されるようにしてもよい。また、第１理想波形信号６６Ａを生成するために用いる複数の大波形信号ＬＷＳの個数は５個未満であってもよい。

このように、制御装置３０Ａによって理想波形信号取得処理が実行されることで、サーボバンドＳＢの一部（図１２に示す例では、ＢＯＴ領域３１Ａ）に記録されたサーボパターン５２Ａがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号が理想波形信号６６としてストレージ３２に格納される。

なお、図１２及び図１３に示す例では、ＢＯＴ領域３１Ａに記録されたサーボパターン５２Ａがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号を理想波形信号６６としたが、これは、あくまでも一例に過ぎない。例えば、サーボバンドＳＢの一部（図１２に示す例では、ＢＯＴ領域３１Ａ）に記録されたサーボパターン５２Ｂがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号を理想波形信号６６としてもよい。また、ＢＯＴ領域３１Ａに代えてＥＯＴ領域（図示省略）に記録されたサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号を理想波形信号６６としてもよい。また、ＢＯＴ領域３１Ａに代えて、ＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間のサーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２Ａがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号理想波形信号６６としてもよい。また、ＢＯＴ領域３１ＡのサーボバンドＳＢ、ＥＯＴ領域のサーボバンドＳＢ、及びＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間のサーボバンドＳＢのうちの少なくとも２箇所に記録されたサーボパターン５２Ａがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号理想波形信号６６としてもよい。

次に、磁気テープＭＴの製造工程に含まれる複数の工程のうち、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢにサーボパターン５２を記録するサーボパターン記録工程、及び磁気テープＭＴを巻き取る巻取工程の一例について説明する。

一例として図１４に示すように、サーボパターン記録工程では、サーボライタＳＷが用いられる。サーボライタＳＷは、送出リールＳＷ１、巻取リールＳＷ２、駆動装置ＳＷ３、パルス信号生成器ＳＷ４、サーボライタコントローラＳＷ５、複数のガイドＳＷ６、搬送路ＳＷ７、サーボパターン記録ヘッドＷＨ、及びベリファイヘッドＶＨを備えている。サーボライタコントローラＳＷ５には、上述したコントローラ２５（図３参照）に相当する装置が組み込まれている。

本実施形態において、サーボライタＳＷは、本開示の技術に係る「検出装置」及び「検査装置」の一例である。また、本実施形態において、サーボライタコントローラＳＷ５は、本開示の技術に係る「処置装置」、「検査プロセッサ」及び「格納媒体」の一例である。

サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボライタＳＷの全体を制御する。本実施形態において、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＣによって実現されるようにしてもよい。また、サーボライタコントローラＳＷ５は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、サーボライタコントローラＳＷ５は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

送出リールＳＷ１には、パンケーキがセットされている。パンケーキとは、サーボパターン５２の書き込み前に幅広のウェブ原反から製品幅に裁断された磁気テープＭＴがハブに巻き掛けられた大径ロールを指す。

駆動装置ＳＷ３は、モータ（図示省略）及びギア（図示省略）を有しており、送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に機械的に接続されている。磁気テープＭＴが巻取リールＳＷ２によって巻き取られる場合、駆動装置ＳＷ３は、サーボライタコントローラＳＷ５からの指示に従って、動力を生成し、生成した動力を送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２に伝達することで送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２を回転させる。すなわち、送出リールＳＷ１は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、磁気テープＭＴを既定の搬送路ＳＷ７に送り出す。巻取リールＳＷ２は、駆動装置ＳＷ３から動力を受けて回転することで、送出リールＳＷ１から送り出された磁気テープＭＴを巻き取る。送出リールＳＷ１及び巻取リールＳＷ２の回転速度及び回転トルク等は、巻取リールＳＷ２に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。

搬送路ＳＷ７上には、複数のガイドＳＷ６及びサーボパターン記録ヘッドＷＨが配置されている。サーボパターン記録ヘッドＷＨは、複数のガイドＳＷ６間で、磁気テープＭＴの表面３１側に配置されている。送出リールＳＷ１から搬送路ＳＷ７に送り出された磁気テープＭＴは、複数のガイドＳＷ６に案内されてサーボパターン記録ヘッドＷＨ上を経由して巻取リールＳＷ２によって巻き取られる。

サーボパターン記録工程では、パルス信号生成器ＳＷ４が、サーボライタコントローラＳＷ５の制御下で、パルス信号を生成し、生成したパルス信号をサーボパターン記録ヘッドＷＨに供給する。磁気テープＭＴが搬送路ＳＷ上を一定の速度で走行している状態で、サーボパターン記録ヘッドＷＨは、パルス信号生成器ＳＷ４から供給されたパルス信号に従って、サーボバンドＳＢにサーボパターン５２を記録する。これにより、例えば、磁気テープＭＴのサーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの全長にわたって複数のサーボパターン５２が記録される（図６～図９参照）。

また、磁気テープＭＴに複数のサーボパターン５２が記録された後、サーボライタＳＷでは、サーボライタコントローラＳＷ５によって理想波形信号取得処理が行われる。これにより、サーボライタコントローラＳＷ５内のストレージ（図示省略）には理想波形信号６６が格納される。

磁気テープＭＴの製造工程には、サーボパターン記録工程の他にも複数の工程が含まれている。複数の工程には、検査工程及び巻取工程が含まれている。

例えば、検査工程は、サーボパターン記録ヘッドＷＨによって磁気テープＭＴの表面３１に形成されたサーボバンドＳＢを検査する工程である。サーボバンドＳＢの検査とは、例えば、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２の正否を判定する処理を指す。サーボパターン５２の正否の判定とは、例えば、サーボパターン５２Ａ及び５２Ｂが表面３１内の事前に決められた箇所に対して、磁化直線５４Ａ１ａ、５４Ａ２ａ、５４Ｂ１ａ及び５４Ｂ２ａが過不足なく、かつ、許容誤差内で記録されているか否かの判定（すなわち、サーボパターン５２のベリファイ）を指す。

検査工程は、サーボライタコントローラＳＷ５及びベリファイヘッドＶＨを用いることによって行われる。ベリファイヘッドＶＨは、サーボパターン記録ヘッドＷＨよりも、磁気テープＭＴの搬送方向の下流側に配置されている。また、ベリファイヘッドＶＨには、磁気ヘッド２８と同様に、複数のサーボ読取素子（図示省略）が設けられており、複数のサーボ読取素子によって複数のサーボバンドＳＢに対する読み取りが行われる。また、サーボライタコントローラＳＷ５によって理想波形信号取得処理が行われる場合、磁気テープドライブ１４での磁気ヘッド２８のサーボ読取素子ＳＲによるサーボパターン５２に対する読み取りと同様の要領で、ベリファイヘッドＶＨに含まれるサーボ読取素子によってサーボパターン５２に対する読み取りも行われる。

ベリファイヘッドＶＨは、サーボライタコントローラＳＷ５に接続されている。ベリファイヘッドＶＨには、磁気テープＭＴの表面３１側（すなわち、ベリファイヘッドＶＨの背面側）から見てサーボバンドＳＢに対して正対する位置に配置されており、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２を読み取り、読み取った結果（以下、「サーボパターン読取結果」と称する）をサーボライタコントローラＳＷ５に出力する。サーボライタコントローラＳＷ５は、ベリファイヘッドＶＨから入力されたサーボパターン読取結果（例えば、サーボパターン信号）に基づいてサーボバンドＳＢの検査（例えば、サーボパターン５２の正否の判定）を行う。例えば、サーボライタコントローラＳＷ５には、上述したコントローラ２５（図３参照）に相当する装置が組み込まれているので、サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボパターン読取結果から位置検出結果を取得し、位置検出結果を用いてサーボパターン５２の正否を判定することでサーボバンドＳＢの検査を行う。

ここで、サーボライタコントローラＳＷ５は、例えば、サーボパターン検出処理を行うことで、サーボパターン読取結果から位置検出結果を取得する。サーボライタコントローラＳＷ５によるサーボパターン検出処理で用いられる理想波形信号６６は、サーボライタコントローラＳＷ５内のストレージ（図示省略）に格納されている理想波形信号６６である。

サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボバンドＳＢを検査した結果（例えば、サーボパターン５２の正否を判定した結果）を示す情報を既定の出力先（例えば、ストレージ３２（図３参照）、ＵＩ系装置３４（図３参照）、及び／又は外部装置３７（図３参照）等）に出力する。

例えば、検査工程が終了すると、次に、巻取工程が行われる。巻取工程は、複数の磁気テープカートリッジ１２（図１～図４参照）のそれぞれに対して用いられる送出リール２２（すなわち、磁気テープカートリッジ１２（図１～図４参照）に収容される送出リール２２（図２～図４参照））に磁気テープＭＴを巻回する工程である。巻取工程では、巻取モータＭが用いられる。巻取モータＭは、送出リール２２にギア等を介して機械的に接続されている。巻取モータＭは、処理装置（図示省略）の制御下で、送出リール２２に対して回転力を付与することで送出リール２２を回転させる。巻取リールＳＷ２に巻き取られた磁気テープＭＴは、送出リール２２の回転によって送出リール２２に巻き取られる。巻取工程では、裁断装置（図示省略）が用いられる。複数の送出リール２２の各々について、送出リール２２によって必要な分の磁気テープＭＴが巻き取られると、巻取リールＳＷ２から送出リール２２に送出される磁気テープＭＴが裁断装置によって裁断される。

パルス信号生成器ＳＷ４は、サーボライタコントローラＳＷ５の制御下で、パルス信号を生成し、生成したパルス信号をサーボパターン記録ヘッドＷＨに供給する。磁気テープＭＴが搬送路ＳＷ上を一定の速度で走行している状態で、サーボパターン記録ヘッドＷＨは、パルス信号生成器ＳＷ４から供給されたパルス信号に従ってサーボパターン５２をサーボバンドＳＢに記録する。

次に、磁気テープシステム１０の作用について説明する。

磁気テープカートリッジ１２には、図６に示す磁気テープＭＴが収容されている。磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープドライブ１４に装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴに対して磁気素子ユニット４２による磁気的処理が行われる場合、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴが引き出され、磁気ヘッド２８のサーボ読取素子ＳＲによってサーボバンドＳＢ内のサーボパターン５２が読み取られる（図８及び図９参照）。

図８に示すように、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２Ａが読み取られる場合、線状磁化領域対５４Ａにおいて、線状磁化領域５４Ａ１とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度と、線状磁化領域５４Ａ２とサーボ読取素子ＳＲとで成す角度が異なる。このように角度が異なると、線状磁化領域５４Ａ１に由来するサーボパターン信号、すなわち、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ（図１０参照）と、線状磁化領域５４Ａ２に由来するサーボパターン信号、すなわち、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂ（図１０参照）との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。第１線状磁化領域信号Ｓ１ａと第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂとのばらつきは、サーボ制御等の精度を低下させる一因になり得る。

そこで、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、一例として図１５に示すように、処理装置３０（図９参照）によって、サーボパターン検出処理が行われる。例えば、図１５に示すサーボパターン検出処理は、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５２の読み取りが開始される毎（すなわち、サーボ読取素子ＳＲによってフレーム５０単位でのサーボパターン５２に対する読み取りが開始される毎）に行われる。なお、図１５に示すサーボパターン検出処理の流れは、本開示の技術に係る「検出方法」の一部の一例である。

図１５に示すサーボパターン検出処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、位置検出装置３０Ｂは、サーボバンド信号を取得する。例えば、第１位置検出装置３０Ｂ１は、第１サーボバンド信号Ｓ１を取得し、第２位置検出装置３０Ｂ２は、第２サーボバンド信号Ｓ２を取得する。ステップＳＴ１０の処理が実行された後、サーボパターン検出処理は、ステップＳＴ１２へ移行する。

ステップＳＴ１２で、位置検出装置３０Ｂは、ストレージ３２から第１理想波形信号６６Ａ及び第２理想波形信号６６Ｂを取得する。ここで、ストレージ３２からは、サーボ読取素子ＳＲによって読み取られるサーボパターン５２を含むフレーム５０に対応する第１理想波形信号６６Ａ及び第２理想波形信号６６Ｂが位置検出装置３０Ｂによって取得される。ステップＳＴ１２の処理が実行された後、サーボパターン検出処理は、ステップＳＴ１４へ移行する。なお、サーボパターン検出処理において、ステップＳＴ１０の処理とステップＳＴ１２の処理とを入れ替えても、本開示の技術は成立する。

ステップＳＴ１４で、位置検出装置３０Ｂは、ステップＳＴ１０で取得したサーボバンド信号とステップＳＴ１２で取得した理想波形信号６６とを比較する。すなわち、第１位置検出装置３０Ｂ１において、第１検出回路３９Ａは、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとを比較し、第２検出回路３９Ｂは、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとを比較する。一方、第２位置検出装置３０Ｂ２において、第１検出回路３９Ａは、第２サーボバンド信号Ｓ２と第１理想波形信号６６Ａとを比較し、第２検出回路３９Ｂは、第２サーボバンド信号Ｓ２と第２理想波形信号６６Ｂとを比較する。ステップＳＴ１４の処理が実行された後、サーボパターン検出処理は、ステップＳＴ１６へ移行する。

ステップＳＴ１６で、第１位置検出装置３０Ｂ１の第１検出回路３９Ａは、ステップＳＴ１４での比較結果に基づいて第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを取得し、第１位置検出装置３０Ｂ１の第２検出回路３９Ｂは、ステップＳＴ１４での比較結果に基づいて第１線状磁化領域信号Ｓ１ａを取得する。また、第２位置検出装置３０Ｂ２の第１検出回路３９Ａは、ステップＳＴ１４での比較結果に基づいて第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを取得し、第２位置検出装置３０Ｂ２の第２検出回路３９Ｂは、ステップＳＴ１４での比較結果に基づいて第１線状磁化領域信号Ｓ１ａを取得する。ステップＳＴ１６の処理が実行された後、サーボパターン検出処理は、ステップＳＴ１８へ移行する。

ステップＳＴ１８で、第１位置検出装置３０Ｂ１は、ステップＳＴ１６で取得した第１線状磁化領域信号Ｓ１ａと第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂとの論理和であるサーボパターン信号Ｓ１Ａを生成して制御装置３０Ａに出力する。また、第２位置検出装置３０Ｂ２は、ステップＳＴ１６で取得した第１線状磁化領域信号Ｓ１ａと第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂとの論理和であるサーボパターン信号Ｓ２Ａを生成して制御装置３０Ａに出力する。ステップＳＴ１８の処理が実行された後、サーボパターン検出処理が終了する。

本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、一例として図１６に示すように、処理装置３０（図９参照）によって、理想波形信号取得処理が行われる。理想波形信号取得処理は、既定条件を満足した場合に処理装置３０によって行われる。ここで、既定条件の一例としては、例えば、サーボ読取素子ＳＲを磁気テープＭＴの長手方向ＬＤの先頭に位置させ、かつ、幅方向ＬＤの中央部に位置させた状態で磁気テープＭＴが順方向に走行を開始した、という条件が挙げられる。磁気テープＭＴの走行方法は、例えば、順方向である。なお、図１６に示す理想波形信号取得処理の流れは、本開示の技術に係る「検出方法」の一部の一例である。

図１６に示す理想波形信号取得処理では、先ず、ステップＳＴ２０で、制御装置３０Ａは、磁気ヘッド２８上で磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａ（図１２参照）が定速で走行しているか否かを判定する。ステップＳＴ２０において、磁気ヘッド２８上で磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａが定速で走行していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ２０の判定が再び行われる。ステップＳＴ２０において、磁気ヘッド２８上で磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａが定速で走行している場合は、判定が肯定されて、理想波形信号取得処理はステップＳＴ２２へ移行する。

ステップＳＴ２２で、制御装置３０Ａは、ＢＯＴ領域３１ＡのサーボバンドＳＢがサーボ読取素子ＳＲによって読み取られることで得られたサーボバンド信号（例えば、第１サーボバンド信号Ｓ１）を取得する。ステップＳＴ２２の処理が実行された後、理想波形信号取得処理はステップＳＴ２４へ移行する。

ステップＳＴ２４で、制御装置３０Ａは、ステップＳＴ２２で取得したサーボバンド信号から小波形信号ＳＷＳを取得する。例えば、制御装置３０Ａは、第１サーボバンド信号Ｓ１から、隣接する点Ｐ間で第１閾値ＴＨ１以上第２閾値ＴＨ２未満の１つのピーク値を有する１波長分の信号を小波形信号ＳＷＳとして抽出することで、小波形信号ＳＷＳを取得する。ステップＳＴ２４の処理が実行された後、理想波形信号取得処理はステップＳＴ２６へ移行する。

ステップＳＴ２６で、制御装置３０Ａは、ステップＳＴ２４で取得した小波形信号ＳＷＳの個数が既定個数（例えば、５個）に達したか否かを判定する。ステップＳＴ２６において、小波形信号ＳＷＳの個数が既定個数に達していない場合は、判定が否定されて、理想波形信号取得処理はステップＳＴ２４へ移行する。ステップＳＴ２６において、小波形信号ＳＷＳの個数が既定個数に達した場合は、判定が肯定されて、理想波形信号取得処理はステップＳＴ２８へ移行する。

ステップＳＴ２８で、制御装置３０Ａは、ステップＳＴ２２で取得したサーボバンド信号から大波形信号ＬＷＳを取得する。例えば、制御装置３０Ａは、第１サーボバンド信号Ｓ１から、隣接する点Ｐ間で第２閾値ＴＨ２以上の１つのピーク値を有する１波長分の信号を大波形信号ＬＷＳとして抽出することで、大波形信号ＬＷＳを取得する。ステップＳＴ２８の処理が実行された後、理想波形信号取得処理はステップＳＴ３０へ移行する。

ステップＳＴ３０で、制御装置３０Ａは、ステップＳＴ２８で取得した大波形信号ＬＷＳの個数が既定個数（例えば、５個）に達したか否かを判定する。ステップＳＴ３０において、大波形信号ＬＷＳの個数が既定個数に達していない場合は、判定が否定されて、理想波形信号取得処理はステップＳＴ２８へ移行する。ステップＳＴ３０において、大波形信号ＬＷＳの個数が既定個数に達した場合は、判定が肯定されて、理想波形信号取得処理はステップＳＴ３２へ移行する。

ステップＳＴ３２で、制御装置３０Ａは、ステップＳＴ２８の処理及びステップＳＴ３０の処理を繰り返し行うことで得た複数の大波形信号ＬＷＳの平均的な波形を示す信号を第１理想波形信号６６Ａとして生成し、第１理想波形信号６６Ａをストレージ３２に格納する。ここで、格納とは、例えば、第１理想波形信号６６Ａのストレージ３２への上書き保存を指す。なお、第１理想波形信号６６Ａのストレージ３２への上書き保存は、あくまでも一例に過ぎず、第１理想波形信号６６Ａが時系列で（例えば、ストレージ３２に格納した時刻と対応付けた状態で）ストレージ３２に格納されていてもよい。ステップＳＴ３２の処理が実行された後、理想波形信号取得処理はステップＳＴ３４へ移行する。

ステップＳＴ３４で、制御装置３０Ａは、ステップＳＴ２４の処理及びステップＳＴ２６の処理を繰り返し行うことで得た複数の小波形信号ＳＷＳの平均的な波形を示す信号を第２理想波形信号６６Ｂとして生成し、第２理想波形信号６６Ｂをストレージ３２に格納する。なお、第２理想波形信号６６Ｂのストレージ３２への上書き保存は、あくまでも一例に過ぎず、第２理想波形信号６６Ｂが時系列で（例えば、ストレージ３２に格納した時刻と対応付けた状態で）ストレージ３２に格納されていてもよい。ステップＳＴ３４の処理が実行された後、理想波形信号取得処理が終了する。

このようにしてストレージ３２に格納された理想波形信号６６は、サーボパターン検出処理にてサーボバンド信号との比較に用いられる。

なお、上述した理想波形信号取得処理は、ＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間のデータバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる直前に行われることが好ましい。すなわち、理想波形信号取得処理とＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間のデータバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる場合のサーボパターン検出処理とがシーケンシャルに行われることが好ましい。なぜならば、磁気テープＭＴの幅の経時的な変化及び／又は磁気テープＭＴの経時劣化等に起因してサーボパターン５２が変形したり劣化したりする可能性があることを考慮すると、サーボバンド信号と比較される理想波形信号６６としては、ＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間のデータバンドＤＢに対する磁気的処理が行われる直前に理想波形信号取得処理が行われることによって得られた理想波形信号６６の方が、数日前、数か月前、又は数年前に理想波形信号取得処理が行われることによって得られた理想波形信号６６よりも信頼性が高いからである。

以上説明したように、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、サーボバンドＳＢに記録されたサーボパターン５２が読み取られた結果が、理想波形信号６６としてストレージ３２に格納され、サーボバンド信号と理想波形信号とが比較されることによってサーボパターン信号が検出される。従って、本構成によれば、サーボバンド信号と比較される理想波形信号６６が経験則又は勘のみによって設定された信号である場合に比べ、サーボパターン信号を精度良く検出することができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、理想波形信号６６として、サーボバンドＳＢの一部に記録されたサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号が採用されている。従って、本構成によれば、サーボバンドＳＢの全領域に記録された全てのサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号を理想波形信号６６として用いる場合に比べ、簡単に理想波形信号６６を得ることができる。また、経験則又は勘のみによって設定された信号を理想波形信号６６として用いる場合に比べ、信頼性の高い理想波形信号６６を得ることができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、理想波形信号６６として、サーボバンドＳＢのＢＯＴ領域３１Ａ及びＥＯＴ領域のうちの少なくとも一方に記録されたサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号が採用されている。従って、本構成によれば、ＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間でサーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られた結果を示す信号を理想波形信号６６とする必要がないので、ＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域との間においてデータバンドＤＢに対する磁気的処理を中断せずに行うことができる。また、サーボ読取素子ＳＲがＢＯＴ領域３１ＡとＥＯＴ領域に戻って再度サーボパターン５２を読み取ることで、理想波形信号６６を更新することができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、複数の大波形信号ＬＷＳが統計化されて得られた信号（例えば、複数の大波形信号ＬＷＳのうちの平均的な波形を示す信号）を第１理想波形信号６６Ａとして採用している。従って、本構成によれば、複数の大波形信号ＬＷＳからランダムに選択された大波形信号ＬＷＳを第１理想波形信号６６Ａとして用いる場合に比べ、信頼性の高い第１理想波形信号６６Ａを得ることができる。また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、複数の小波形信号ＳＷＳが統計化されて得られた信号（例えば、複数の小波形信号ＳＷＳのうちの平均的な波形を示す信号）を第２理想波形信号６６Ｂとして採用している。従って、本構成によれば、複数の小波形信号ＳＷＳからランダムに選択された小波形信号ＳＷＳを第２理想波形信号６６Ｂとして用いる場合に比べ、信頼性の高い第２理想波形信号６６Ｂを得ることができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、理想波形信号６６を生成するためにサーボ読取素子ＳＲによって読み取られるサーボパターン５２の幾何特性は、他のサーボパターン５２の幾何特性と同一である。従って、本構成によれば、理想波形信号６６を生成するためにサーボ読取素子ＳＲによって読み取られるサーボパターン５２の幾何特性が他のサーボパターン５２の幾何特性と全く異なる幾何特性である場合に比べ、信頼性の高い理想波形信号６６を生成することができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられた線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られる。この場合、上述したように、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ（図１０参照）と、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂ（図１０参照）との間にアジマス損失に起因するばらつきが生じる。しかし、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａと第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂとの間でばらつきが生じたとしても、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、ストレージ３２に理想波形信号６６が予め格納されており、サーボバンド信号と理想波形信号６６とが比較されることによってサーボパターン信号が検出される。従って、本構成によれば、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられた線状磁化領域５４Ａ１及び５４Ａ２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られたとしても、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン信号を検出する場合に比べ、サーボパターン信号を精度良く検出することができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂが並列に接続されており、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂには、共通のサーボバンド信号が取り込まれる。この場合、例えば、第１検出回路３９Ａによって、第１サーボバンド信号Ｓ１と第１理想波形信号６６Ａとが比較されることで第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂが検出され、第２検出回路３９Ｂによって、第１サーボバンド信号Ｓ１と第２理想波形信号６６Ｂとが比較されることで第１線状磁化領域信号Ｓ１ａが検出される。すなわち、第１検出回路３９Ａ及び第２検出回路３９Ｂによって第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとが並行して検出される。そして、第１位置検出装置３０Ｂ１では、第１検出回路３９Ａによって検出された第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第２検出回路３９Ｂによって検出された第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとの論理和がサーボパターン信号Ｓ１Ａとして検出される。また、第２位置検出装置３０Ｂ２でも、第１位置検出装置３０Ａと同様の要領で、第２サーボバンド信号Ｓ２から、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとが並行して検出され、第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂと第１線状磁化領域信号Ｓ１ａとの論理和がサーボパターン信号Ｓ２Ａとして検出される。従って、本構成によれば、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａと第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂとが並行して検出されるので、１つのサーボバンド信号に対して異なる理想波形信号（例えば、第１理想波形信号６６Ａと第２理想波形信号６６Ｂ）を順に比較することで第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを順に検出する場合に比べ、第１線状磁化領域信号Ｓ１ａ及び第２線状磁化領域信号Ｓ１ｂを迅速に検出することができる。

また、本実施形態に係る磁気テープシステム１０では、サーボ―パターン信号が自己相関係数を用いて検出される。従って、本構成によれば、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン信号を検出する場合に比べ、サーボパターン信号を精度良く検出することができる。

また、本実施形態に係るサーボライタＳＷでは、サーボライタコントローラＳＷ５に、図９に示す処理装置３０に相当する装置が組み込まれている。そのため、サーボライタコントローラＳＷ５によって理想波形信号取得処理が行われ、そして、理想波形信号取得処理によって得られた理想波形信号６６を用いたサーボパターン検出処理が行われる。従って、サーボライタコントローラＳＷ５は、サーボパターン読取結果から位置検出結果を取得し、位置検出結果を用いてサーボパターン５２の正否を判定することでサーボバンドＳＢの検査を行うことができる。よって、図９に示す処理装置３０に相当する装置が組み込まれたサーボライタコントローラＳＷ５は、信号レベルが閾値を超えたか否かを判定する手法のみを用いてサーボパターン信号を検出する場合に比べ、サーボパターン信号を精度良く検出することができるので、サーボライタコントローラＳＷ５が組み込まれたサーボライタＳＷは、サーボバンドＳＢの検査を精度良く行うことができる。

なお、上記実施形態では、ストレージ３２に理想波形信号６６が予め格納されているが、これはあくまでも一例に過ぎず、例えば、理想波形信号６６がカートリッジメモリ２４に格納されていてもよい。また、例えば、理想波形信号６６は、外部装置３７のメモリ（図示省略）に格納されてもよい。また、磁気テープＭＴのＢＯＴ領域３１Ａ、及び／又は、磁気テープＭＴのＥＯＴ領域（図示省略）に理想波形信号６６が格納されていてもよい。また、データバンドＤＢの空き領域に理想波形信号６６が格納されていてもよい。これらの場合、ストレージ３２に理想波形信号６６を格納しておく必要がなくなるので、理想波形信号６６が格納されない分だけ、ストレージ３２の容量を増やすことができる。

また、上記実施形態では、サーボパターン５２がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られることで得られた結果が理想波形信号６６として用いられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術にはこれに限定されない。例えば、図１７に示すように、サーボパターン５２に代えて、基準サーボパターン５２０がサーボ読取素子ＳＲによって読み取られることによって得られた結果が理想波形信号６６として用いられるようにしてもよい。

基準サーボパターン５２０は、線状磁化領域対５４０からなる。基準サーボパターン５２０の幾何特性は、上記実施形態で説明したサーボパターン５２の幾何特性に対応している。線状磁化領域対５４０は、磁化直線５４０Ａ及び５４０Ｂによる対からなる。磁化直線５４０Ａは、線状磁化領域５４Ａ１に含まれる１本の磁化直線５４Ａ１ａ（図６～図８参照）に相当する磁化直線であり、磁化直線５４０Ｂは、線状磁化領域５４Ａ２に含まれる１本の磁化直線５４Ａ２ａ（図６～図８参照）に相当する磁化直線である。

サーボ読取素子ＳＲは、ＢＯＴ領域３１ＡのサーボバンドＳＢから基準サーボパターン５２０を読み取ることで、基準サーボパターン５２０の読み取り結果を示す基準信号ＲＳを出力する。

一例として図１８に示すように、制御装置３０Ａには、基準信号ＲＳが入力される。基準信号ＲＳには、上記実施形態で説明した小波形信号ＳＷＳと大波形信号ＬＷＳが含まれている。制御装置３０Ａは、上記実施形態で説明した要領で、基準信号ＲＳから小波形信号ＳＷＳと大波形信号ＬＷＳとを抽出する。そして、制御装置３０Ａは、基準信号ＲＳから抽出した大波形信号ＬＷＳを第１理想波形信号６６Ａとしてストレージ３２に格納し、基準信号ＲＳから抽出した小波形信号ＳＷＳを第２理想波形信号６６Ｂとしてストレージ３２に格納する。このようにしてストレージ３２に格納された第１理想波形信号６６Ａ及び第２理想波形信号６６Ｂは、サーボパターン検出処理にてサーボバンド信号との比較に用いられる。

また、上記実施形態では、サーボパターン５２を例示したが、サーボパターン５２は、あくまでも一例に過ぎず、他種類のサーボパターン（すなわち、サーボパターン５２の幾何特性とは異なる幾何特性のサーボパターン）を用いたとしても、本開示の技術は成立する。以下の第１変形例～第８変形例では、サーボパターン５２とは異なる種類のサーボパターンについて説明する。

［第１変形例］
一例として図１９に示すように、第１変形例に係る磁気テープＭＴは、図６に示す磁気テープＭＴに比べ、フレーム５０に代えて、フレーム５６を有する点が異なる。フレーム５６は、一組のサーボパターン５８で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８が記録されている。複数のサーボパターン５８は、図６に示す磁気テープＭＴに記録されている複数のサーボパターン５２と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

図１９に示す例では、フレーム５６に含まれる一組のサーボパターン５８の一例として、サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂが示されている。サーボパターン５８Ａ及び５８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム５６内において、順方向の上流側にサーボパターン５８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン５８Ｂが位置している。

サーボパターン５８は、線状磁化領域対６０からなる。線状磁化領域対６０は、線状磁化領域対６０Ａと線状磁化領域対６０Ｂとに類別される。

サーボパターン５８Ａは、線状磁化領域対６０Ａからなる。図１９に示す例では、線状磁化領域対６０Ａの一例として、線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２による対が示されている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ａ１及び６０Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６０Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６０Ａ１の全長は、線状磁化領域６０Ａ２の全長よりも短い。

サーボパターン５８Ａにおいて、線状磁化領域６０Ａ１には、複数の磁化直線６０Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ａ２には、複数の磁化直線６０Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ａ１に含まれる磁化直線６０Ａ１ａの本数と線状磁化領域６０Ａ２に含まれる磁化直線６０Ａ２ａの本数は同じである。

線状磁化領域６０Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ａ１の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ａ２の両端の位置（すなわち、５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。なお、ここでは、５本の磁化直線６０Ａ１ａの各々の両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、５本の磁化直線６０Ａ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ１ａの両端の位置と５本の磁化直線６０Ａ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ａ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。また、本実施形態において、「揃っている」という概念には、完全に揃っているという意味の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差であって、本開示の技術の趣旨に反しない程度の誤差を含めての「揃っている」という意味も含まれている。

サーボパターン５８Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂからなる。図１９に示す例では、線状磁化領域対６０Ｂの一例として、線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６０Ｂ１及び６０Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６０Ｂ１は、線状磁化領域６０Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６０Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６０Ｂ１の全長は、線状磁化領域６０Ｂ２の全長よりも短い。

サーボパターン５８Ｂにおいて、線状磁化領域６０Ｂ１には、複数の磁化直線６０Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６０Ｂ２には、複数の磁化直線６０Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６０Ｂ１に含まれる磁化直線６０Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６０Ｂ２に含まれる磁化直線６０Ｂ２ａの本数は同じである。

サーボパターン５８Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数と異なる。図１９に示す例では、サーボパターン５８Ａに含まれる磁化直線６０Ａ１ａ及び６０Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８Ｂに含まれる磁化直線６０Ｂ１ａ及び６０Ｂ２ａの総本数は８本である。

線状磁化領域６０Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６０Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６０Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６０Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。

なお、ここでは、４本の磁化直線６０Ｂ１ａの各々の両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａの各々の両端の位置とが揃っている例を挙げているが、これは、あくまでも一例に過ぎず、４本の磁化直線６０Ｂ１ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ１ａの両端の位置と４本の磁化直線６０Ｂ２ａのうちの１本以上の磁化直線６０Ｂ２ａの両端の位置とが揃っていればよい。

また、ここでは、線状磁化領域６０Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線６０Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域６０Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線６０Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域６０Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ１ａであり、線状磁化領域６０Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ａ２ａであり、線状磁化領域６０Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ１ａであり、線状磁化領域６０Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線６０Ｂ２ａであればよい。

ここで、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図２０を参照しながら説明する。

一例として図２０に示すように、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。仮想線状領域対６２は、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂからなる。線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。

仮想線状領域対６２は、図８に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有する仮想的な線状の磁化領域対である。仮想線状領域対６２は、線状磁化領域対６０Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性の説明のために便宜的に用いられる仮想的な磁化領域であり、実在する磁化領域ではない。

仮想線状領域６２Ａは、図８に示す線状磁化領域５４Ａ１と同じ幾何特性を有しており、図８に示す５本の磁化直線５４Ａ１ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ａ１からなる。仮想線状領域６２Ｂは、図８に示す線状磁化領域５４Ｂ１と同じ幾何特性を有しており、図８に示す５本の磁化直線５４Ａ２ａに対応する５本の仮想的な直線６２Ｂ１からなる。

仮想線状領域対６２には、中心Ｏ１が設けられている。例えば、中心Ｏ１は、５本の直線６２Ａ１のうちの順方向の最上流側に位置する直線６２Ａ１の中心と、５本の直線６２Ｂ１のうちの順方向の最下流側に位置する直線６２Ｂ１の中心とを結ぶ線分Ｌ０の中心である。

仮想線状領域対６２は、図８に示す線状磁化領域対５４Ａと同じ幾何特性を有するので、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられている。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に対して、仮にサーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合について考える。この場合、仮想線状領域対６２のうち、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａは読み取られるが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られなかったり、仮想線状領域６２Ａは読み取られないが、仮想線状領域６２Ｂは読み取られたりする箇所が生じる。すなわち、仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの各々において、サーボ読取素子ＳＲによる読み取りが行われる場合に、不足する部分と不要な部分とが生じる。

そこで、不足する部分を補い、かつ、不要な部分を削ることにより、幅方向ＷＤについて、仮想線状領域６２Ａの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置）と、仮想線状領域６２Ｂの両端の位置（すなわち、５本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置）とを揃える。

このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン５８Ａの幾何特性に相当する。すなわち、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対６２の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ａが記録される。

なお、線状磁化領域対６０Ｂは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、５本の磁化直線６０Ａ１ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線６０Ａ２ａに代えて４本の磁化直線６０Ｂ２ａを有する点のみが異なる。よって、サーボバンドＳＢには、幅方向ＷＤについて４本の直線６２Ａ１の各々の両端の位置と４本の直線６２Ｂ１の各々の両端の位置とを揃えることによって得られた仮想線状領域対（図示省略）の幾何特性に相当する幾何特性の線状磁化領域対６０Ｂが記録される。

一例として図２１に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５６は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン５８が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれていることを意味する。

既定間隔は、角度α、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間のピッチ（以下、「サーボバンドピッチ」とも称する）、及びフレーム長に基づいて規定されている。図２１に示す例では、角度αを視覚的に把握し易くするために、角度αが誇張して示されているが、実際のところ、角度αは、例えば、１５度程度である。角度αは、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にないフレーム５６間と仮想直線Ｃ１とで成す角度である。図２１に示す例では、角度αの一例として、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にある一対のフレーム５６のうちの一方のフレーム５６（図２１に示す例では、サーボバンドＳＢ３の１つのフレーム５６）と、一対のフレーム５６のうちの他方のフレーム５６（図２１に示す例では、サーボバンドＳＢ２内の複数のフレーム５６のうち、サーボバンドＳＢ３の１つのフレーム５６と対応関係にあるフレーム５６）に隣接するフレーム５６との間（図２１に示す例では、線分Ｌ１）と仮想直線Ｃ１とで成す角度が示されている。この場合、フレーム長とは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤについてのフレーム５６の全長を指す。既定間隔は、以下の数式（１）で規定される。なお、Ｍｏｄ（Ａ／Ｂ）は、“Ａ”を“Ｂ”で除した場合に生じる余りを意味する。

（既定間隔）＝Mod｛（サーボバンドピッチ×tanα）／（フレーム長）｝・・・（１）

なお、図２１に示す例では、角度αとして、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にある一対のフレーム５６のうちの一方のフレーム５６（以下、「第１フレーム」とも称する）と、一対のフレーム５６のうちの他方のフレーム５６（以下、「第２フレーム」とも称する）に隣接するフレーム５６との間と仮想直線Ｃ１とで成す角度を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、角度αは、第１対応フレームと、第２フレームと同じサーボバンドＳＢ内で第２フレームから２フレーム以上離れたフレーム５６（以下、「第３フレーム」とも称する）との間と仮想直線Ｃ１とで成す角度であってもよい。この場合、数式（１）で用いられる“フレーム長”は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤについての第２フレームと第３フレームとの間のピッチ（例えば、第２フレームの先端から第３フレームの先端までの距離）である。

一例として図２２に示すように、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ａ（すなわち、線状磁化領域対６０Ａ）が読み取られると、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが生じる。また、仮想直線Ｃ１の方向と仮想直線Ｃ３の方向とが一致している状態（すなわち、磁気ヘッド２８の長手方向と幅方向ＷＤが一致している状態）でサーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様の現象が生じる。

そこで、一例として図２３に示すように、傾斜機構４９（図８参照）は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図２３の紙面表側から見た場合の反時計回りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。このように、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度β傾くので、図２２に示す例に比べ、線状磁化領域６０Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン５８Ｂ（すなわち、線状磁化領域対６０Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域６０Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域６０Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。

［第２変形例］
上記第１変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２４に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム７０で区切られていてもよい。フレーム７０は、一組のサーボパターン７２で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７２が記録されている。複数のサーボパターン７２は、複数のサーボパターン５８と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

図２４に示す例では、一組のサーボパターン７２の一例として、サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂによる対が示されている。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７２Ａ及び７２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム７０内において、順方向の上流側にサーボパターン７２Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７２Ｂが位置している。

一例として図２５に示すように、サーボパターン７２は、線状磁化領域対７４からなる。線状磁化領域対７４は、線状磁化領域対７４Ａと線状磁化領域対７４Ｂとに類別される。

サーボパターン７２Ａは、一組の線状磁化領域対７４Ａからなる。一組の線状磁化領域対７４Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。

図２５に示す例では、線状磁化領域対７４Ａの一例として、線状磁化領域７４Ａ１及び７４Ａ２による対が示されている。線状磁化領域対７４Ａは、上記第１変形例で説明した線状磁化領域対６０Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ａ１は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ａ２は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ａ２と同様の幾何特性を有する。

サーボパターン７２Ｂは、一組の線状磁化領域対７４Ｂからなる。一組の線状磁化領域対７４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。

図２５に示す例では、線状磁化領域対７４Ｂの一例として、線状磁化領域７４Ｂ１及び７４Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域対７４Ｂは、上記第１変形例で説明した線状磁化領域対６０Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対６０Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域７４Ｂ１は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域７４Ｂ２は、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域６０Ｂ２と同様の幾何特性を有する。

［第３変形例］
図２４に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム７０で区切られている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２６に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム７６で区切られていてもよい。フレーム７６は、一組のサーボパターン７８で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン７８が記録されている。複数のサーボパターン７８は、複数のサーボパターン７２（図２４参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

図２６に示す例では、一組のサーボパターン７８の一例として、サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂが示されている。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン７８Ａ及び７８Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム７６内において、順方向の上流側にサーボパターン７８Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン７８Ｂが位置している。

一例として図２７に示すように、サーボパターン７８は、線状磁化領域群８０からなる。線状磁化領域群８０は、線状磁化領域群８０Ａと線状磁化領域群８０Ｂとに類別される。

サーボパターン７８Ａは、線状磁化領域群８０Ａからなる。線状磁化領域群８０Ａは、線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３からなる。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ａ１、８０Ａ２及び８０Ａ３の順に配置されている。

線状磁化領域８０Ａ１及び８０Ａ２は、図２５に示す線状磁化領域対７４Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ａ１は、図２５に示す線状磁化領域７４Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ａ２は、図２５に示す線状磁化領域７４Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ａ３は、線状磁化領域８０Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ａ１と同様の幾何特性を有する。

サーボパターン７８Ｂは、線状磁化領域群８０Ｂからなる。線状磁化領域群８０Ｂは、線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３からなる。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域８０Ｂ１、８０Ｂ２及び８０Ｂ３の順に配置されている。

線状磁化領域８０Ｂ１及び８０Ｂ２は、図２５に示す線状磁化領域対７４Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対７４Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域８０Ｂ１は、図２５に示す線状磁化領域７４Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域８０Ｂ２は、図２５に示す線状磁化領域７４Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域７４Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域８０Ｂ３は、線状磁化領域８０Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域８０Ｂ１と同様の幾何特性を有する。

［第４変形例］
上記第１変形例では、既定間隔が、角度α、サーボバンドピッチ、及びフレーム長に基づいて規定された形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、フレーム長を用いずに既定間隔を規定してもよい。例えば、図２８に示すように、既定間隔は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム５６間（図２８に示す例では、線分Ｌ３）と仮想直線Ｃ１とで成す角度α、及び幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間のピッチ（すなわち、サーボバンドピッチ）に基づいて規定されている。この場合、例えば、既定間隔は、以下の数式（２）から算出される。

（既定間隔）＝（サーボバンドピッチ）×tanα・・・・（２）

このように、数式（２）には、フレーム長が含まれていない。これは、フレーム長を考慮せずとも既定間隔が算出されることを意味する。従って、本構成によれば、数式（１）から既定間隔を算出する場合に比べ、簡易に既定間隔を算出することができる。

［第５変形例］
上記第１変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２９に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム８２で区切られていてもよい。

フレーム８２は、一組のサーボパターン８４で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン８４が記録されている。複数のサーボパターン８４は、磁気テープＭＴ（図６参照）に記録されている複数のサーボパターン５２（図６参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

図２９に示す例では、フレーム８２に含まれる一組のサーボパターン８４の一例として、サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂが示されている。サーボパターン８４Ａ及び８４Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム８２内において、順方向の上流側にサーボパターン８４Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン８４Ｂが位置している。

サーボパターン８４Ａは、線状磁化領域対８６Ａからなる。図２９に示す例では、線状磁化領域対８６Ａの一例として、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２による対が示されている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ａ１は、線状磁化領域８６Ａ２よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ１の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域８６Ａ２の角度よりも小さいことを指す。

また、線状磁化領域８６Ａ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ａ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ａ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ａ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ａ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。

サーボパターン８４Ａにおいて、線状磁化領域８６Ａ１には、複数の磁化直線８６Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ａ２には、複数の磁化直線８６Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ａ１に含まれる磁化直線８６Ａ１ａの本数と線状磁化領域８６Ａ２に含まれる磁化直線８６Ａ２ａの本数は同じである。

線状磁化領域８６Ａ１は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ａ２は、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合である。

サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ１に含まれる全ての磁化直線８６Ａ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ａ２に含まれる全ての磁化直線８６Ａ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。

サーボパターン８４Ｂは、線状磁化領域対８６Ｂからなる。図２９に示す例では、線状磁化領域対８６Ｂの一例として、線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域８６Ｂ１及び８６Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域８６Ｂ１は、線状磁化領域８６Ｂ２よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ１の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域８６Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。

また、線状磁化領域８６Ｂ１の全体の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の全体の位置は、幅方向ＷＤにずれている。すなわち、線状磁化領域８６Ｂ１の一端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の一端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いであり、線状磁化領域８６Ｂ１の他端の位置と線状磁化領域８６Ｂ２の他端の位置が、幅方向ＷＤで不揃いである。

サーボパターン８４Ｂにおいて、線状磁化領域８６Ｂ１には、複数の磁化直線８６Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域８６Ｂ２には、複数の磁化直線８６Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる磁化直線８６Ｂ１ａの本数と線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる磁化直線８６Ｂ２ａの本数は同じである。

サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数と異なる。図２９に示す例では、サーボパターン８４Ａに含まれる磁化直線８６Ａ１ａ及び８６Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン８４Ｂに含まれる磁化直線８６Ｂ１ａ及び８６Ｂ２ａの総本数は８本である。

線状磁化領域８６Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域８６Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合である。

サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ１に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ１ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。また、サーボバンドＳＢ内において、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの一端の幅方向ＷＤの位置は揃っており、線状磁化領域８６Ｂ２に含まれる全ての磁化直線８６Ｂ２ａの他端の幅方向ＷＤの位置も揃っている。

なお、ここでは、線状磁化領域８６Ａ１の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ａ２の一例として、５本の磁化された直線である磁化直線８６Ａ２ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ１の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ１ａの集合を挙げ、線状磁化領域８６Ｂ２の一例として、４本の磁化された直線である磁化直線８６Ｂ２ａの集合を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、線状磁化領域８６Ａ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ１ａであり、線状磁化領域８６Ａ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ａ２ａであり、線状磁化領域８６Ｂ１は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置を特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ１ａであり、線状磁化領域８６Ｂ２は、磁気テープＭＴ上の磁気ヘッド２８の位置の特定に寄与する本数の磁化直線８６Ｂ２ａであればよい。

ここで、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性について、図３０を参照しながら説明する。

一例として図３０に示すように、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想線状領域対６２を用いて表現することが可能である。ここで、中心Ｏ１を回転軸として仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を角度ａ（例えば、１０度）傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させる。そして、この状態での仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ａに含まれる全ての直線６２Ａ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。また、同様に、仮想線状領域対６２の仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の一端の幅方向ＷＤの位置を揃え、かつ、仮想線状領域６２Ｂに含まれる全ての直線６２Ｂ１の他端の幅方向ＷＤの位置も揃える。これにより、仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂは、幅方向ＷＤにずれる。

すなわち、仮想線状領域６２Ａの一端と仮想線状領域６２Ｂの一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれており、仮想線状領域６２Ａの他端と仮想線状領域６２Ｂの他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれている。

このようにして得られた仮想線状領域対６２の幾何特性（すなわち、仮想的なサーボパターンの幾何特性）は、実際のサーボパターン８４Ａの幾何特性に相当する。すなわち、線状磁化領域対８６Ａの磁気テープＭＴ上での幾何特性は、仮想直線Ｃ１に対して線対称に傾けられた仮想線状領域６２Ａ及び仮想線状領域６２Ｂの対称軸ＳＡ１を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域対６２に基づく幾何特性に相当する。

仮想線状領域６２Ａは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ１に対応しており、仮想線状領域６２Ｂは、サーボパターン８４Ａの線状磁化領域８６Ａ２に対応している。従って、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ａ１の一端と線状磁化領域８６Ａ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ａ１の他端と線状磁化領域８６Ａ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ａからなるサーボパターン８４Ａが記録される（図２９参照）。

なお、線状磁化領域対８６Ｂは、線状磁化領域対８６Ａに比べ、５本の磁化直線８６Ａ１ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ１ａを有する点、及び、５本の磁化直線８６Ａ２ａに代えて４本の磁化直線８６Ｂ２ａを有する点のみが異なる（図２９参照）。よって、サーボバンドＳＢには、線状磁化領域８６Ｂ１の一端と線状磁化領域８６Ｂ２の一端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ１でずれ、かつ、線状磁化領域８６Ｂ１の他端と線状磁化領域８６Ｂ２の他端とが幅方向ＷＤに一定の間隔Ｉｎｔ２でずれた線状磁化領域対８６Ｂからなるサーボパターン８４Ｂが記録される（図２９参照）。

一例として図３１に示すように、磁気テープＭＴには、幅方向ＷＤに複数のサーボバンドＳＢが形成されており、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるフレーム８２は、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに既定間隔でずれている。これは、サーボバンドＳＢ間で対応関係にあるサーボパターン８４が、幅方向ＷＤで隣接するサーボバンドＳＢ間で、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに、上記第１変形例で説明した既定間隔でずれていることを意味する。既定間隔は、上記第１変形例で説明した数式（１）によって規定されている。

上記第１変形例と同様に、本第５変形例においても、一例として図３２に示すように、傾斜機構４９（図８参照）は、仮想直線Ｃ１に対して仮想直線Ｃ３が順方向の上流側に角度β（すなわち、図３２の紙面表側から見た場合の反時計回りに角度β）傾くように回転軸ＲＡを中心として磁気ヘッド２８を磁気テープＭＴ上でスキューさせる。すなわち、磁気テープＭＴ上で磁気ヘッド２８が順方向の上流側に角度β傾く。この状態で、線状磁化領域８６Ａ１及び８６Ａ２が幅方向ＷＤで重複する範囲Ｒ内で長手方向ＬＤに沿って、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ａが読み取られた場合、図２２に示す例に比べ、線状磁化領域８６Ａ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ａ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。また、サーボ読取素子ＳＲによってサーボパターン８４Ｂ（すなわち、線状磁化領域対８６Ｂ）が読み取られた場合も、同様に、線状磁化領域８６Ｂ１に由来するサーボパターン信号と線状磁化領域８６Ｂ２に由来するサーボパターン信号との間でアジマス損失によるばらつきが小さくなる。

［第６変形例］
上記第５変形例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム８２で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３３に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム８８で区切られていてもよい。フレーム８８は、一組のサーボパターン９０で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９０が記録されている。複数のサーボパターン９０は、複数のサーボパターン８４（図２９参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

図３３に示す例では、一組のサーボパターン９０の一例として、サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂによる対が示されている。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂの各々は、Ｍ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９０Ａ及び９０Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム８８内において、順方向の上流側にサーボパターン９０Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９０Ｂが位置している。

一例として図３４に示すように、サーボパターン９０は、線状磁化領域対９２からなる。線状磁化領域対９２は、線状磁化領域対９２Ａと線状磁化領域対９２Ｂとに類別される。

サーボパターン９０Ａは、一組の線状磁化領域対９２Ａからなる。一組の線状磁化領域対９２Ａは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。

図３４に示す例では、線状磁化領域対９２Ａの一例として、線状磁化領域９２Ａ１及び９２Ａ２による対が示されている。線状磁化領域対９２Ａは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域対８６Ａ（図２９参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ａ１は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ１（図２９参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ａ２は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ａ２（図２９参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ａ２と同様の幾何特性を有する。

サーボパターン９０Ｂは、一組の線状磁化領域対９２Ｂからなる。一組の線状磁化領域対９２Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。

図３４に示す例では、線状磁化領域対９２Ｂの一例として、線状磁化領域９２Ｂ１及び９２Ｂ２による対が示されている。線状磁化領域対９２Ｂは、上記第５変形例で説明した線状磁化領域対８６Ｂ（図２９参照）と同様に構成されており、線状磁化領域対８６Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９２Ｂ１は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ１（図２９参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９２Ｂ２は、上記第５変形例で説明した線状磁化領域８６Ｂ２（図２９参照）と同様に構成されており、線状磁化領域８６Ｂ２と同様の幾何特性を有する。

［第７変形例］
図３３に示す例では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム８８で区切られている形態例を挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３５に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム９４で区切られていてもよい。フレーム９４は、一組のサーボパターン９６で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン９６が記録されている。複数のサーボパターン９６は、複数のサーボパターン９０（図３３参照）と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

図３５に示す例では、一組のサーボパターン９６の一例として、サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂが示されている。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂの各々は、Ｎ字状に磁化されたサーボパターンである。サーボパターン９６Ａ及び９６Ｂは、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合っており、フレーム９４内において、順方向の上流側にサーボパターン９６Ａが位置しており、順方向の下流側にサーボパターン９６Ｂが位置している。

一例として図３６に示すように、サーボパターン９６は、線状磁化領域群９８からなる。線状磁化領域群９８は、線状磁化領域群９８Ａと線状磁化領域群９８Ｂとに類別される。

サーボパターン９６Ａは、線状磁化領域群９８Ａからなる。線状磁化領域群９８Ａは、線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３からなる。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ａ１、９８Ａ２及び９８Ａ３の順に配置されている。

線状磁化領域９８Ａ１及び９８Ａ２は、図３４に示す線状磁化領域対９２Ａと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ａと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ａ１は、図３４に示す線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ａ２は、図３４に示す線状磁化領域９２Ａ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ａ３は、線状磁化領域９２Ａ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ａ１と同様の幾何特性を有する。

サーボパターン９６Ｂは、線状磁化領域群９８Ｂからなる。線状磁化領域群９８Ｂは、線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３からなる。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って隣り合った状態で配置されている。線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３は、順方向の上流側から線状磁化領域９８Ｂ１、９８Ｂ２及び９８Ｂ３の順に配置されている。

線状磁化領域９８Ｂ１及び９８Ｂ２は、図３４に示す線状磁化領域対９２Ｂと同様に構成されており、線状磁化領域対９２Ｂと同様の幾何特性を有する。すなわち、線状磁化領域９８Ｂ１は、図３４に示す線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有し、線状磁化領域９８Ｂ２は、図３４に示す線状磁化領域９２Ｂ２と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ２と同様の幾何特性を有する。また、線状磁化領域９８Ｂ３は、線状磁化領域９２Ｂ１と同様に構成されており、線状磁化領域９２Ｂ１と同様の幾何特性を有する。

［第８変形例］
上記第１変形例（例えば、図１９に示す例）では、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のフレーム５６で区切られている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図３７に示すように、サーボバンドＳＢが磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿ってフレーム５６０で区切られていてもよい。フレーム５６０は、一組のサーボパターン５８０で規定されている。サーボバンドＳＢには、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って複数のサーボパターン５８０が記録されている。複数のサーボパターン５８０は、複数のサーボパターン５８と同様に、磁気テープＭＴの長手方向ＬＤに沿って一定の間隔で配置されている。

サーボパターン５８０は、線状磁化領域対６００からなる。線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６００Ａと線状磁化領域対６００Ｂとに類別される。すなわち、線状磁化領域対６００は、線状磁化領域対６０（図１９参照）に比べ、線状磁化領域対６０Ａに代えて線状磁化領域対６００Ａを有する点、及び線状磁化領域対６０Ｂに代えて線状磁化領域対６００Ｂを有する点が異なる。

サーボパターン５８０Ａは、線状磁化領域対６００Ａからなる。線状磁化領域対６００Ａは、線状磁化領域対６０Ａに比べ、線状磁化領域６０Ａ１に代えて線状磁化領域６００Ａ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ａ２に代えて線状磁化領域６００Ａ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、仮想直線Ｃ１に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ａ１及び６００Ａ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ１に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６００Ａ１よりも、仮想直線Ｃ１に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度が、仮想直線Ｃ１に対する線状磁化領域６００Ａ２の角度よりも小さいことを指す。また、線状磁化領域６００Ａ２の全長は、線状磁化領域６００Ａ２の全長よりも短い。

線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ１に比べ、複数の磁化直線６０Ａ１ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ１ａを有する点が異なる。線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ２に比べ、複数の磁化直線６０Ａ２ａに代えて複数の磁化直線６００Ａ２ａを有する点が異なる。

線状磁化領域６００Ａ１には、複数の磁化直線６００Ａ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ａ２には、複数の磁化直線６００Ａ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ａ１に含まれる磁化直線６００Ａ１ａの本数と線状磁化領域６００Ａ２に含まれる磁化直線６００Ａ２ａの本数は同じである。

線状磁化領域６００Ａ１は、第１線対称領域に相当する線状磁化領域である。第１線対称領域とは、上記第１変形例で説明した線状磁化領域６０Ａ２（図１９参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ１は、線状磁化領域６０Ａ２（図１９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ２（図１９参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。

線状磁化領域６００Ａ２は、第２線対称領域に相当する線状磁化領域である。第２線対称領域とは、上記第１実施形態で説明した線状磁化領域６０Ａ１（図１９参照）が仮想直線Ｃ１に対して線対称に形成された領域を指す。すなわち、線状磁化領域６００Ａ２は、線状磁化領域６０Ａ１（図１９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、仮想直線Ｃ１を線対称軸として線状磁化領域６０Ａ１（図１９参照）に対しての鏡像が行われることによって得られる幾何特性）で形成された線状磁化領域とも言える。

つまり、図２０に示す例において、仮想直線Ｃ１に対して仮想線状領域６２Ａ及び６２Ｂの対称軸ＳＡ１を、中心Ｏ１を回転軸として、図２０の紙面表側から見た場合の時計回りに角度ａ傾斜させることによって仮想線状領域対６２の全体を仮想直線Ｃ１に対して傾斜させた場合の仮想線状領域６２Ａの両端の位置と仮想線状領域６２Ｂの両端の位置とを揃えることで得られた仮想線状領域対６２の幾何特性が、サーボパターン５８０Ａの幾何特性に相当する。

サーボパターン５８０Ｂは、線状磁化領域対６００Ｂからなる。線状磁化領域対６００Ｂは、線状磁化領域対６０Ｂに比べ、線状磁化領域６０Ｂ１に代えて線状磁化領域６００Ｂ１を有する点、及び線状磁化領域６０Ｂ２に代えて線状磁化領域６００Ｂ２を有する点が異なる。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２の各々は、線状に磁化された領域である。

線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、仮想直線Ｃ２に対して相反する方向に傾けられている。線状磁化領域６００Ｂ１及び６００Ｂ２は、互いに非平行であり、かつ、仮想直線Ｃ２に対して異なる角度で傾斜している。線状磁化領域６００Ｂ２は、線状磁化領域６００Ｂ１よりも、仮想直線Ｃ２に対する傾斜角度が急である。ここで「急」とは、例えば、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度が、仮想直線Ｃ２に対する線状磁化領域６００Ｂ２の角度よりも小さいことを指す。

線状磁化領域６００Ｂ１には、複数の磁化直線６００Ｂ１ａが含まれており、線状磁化領域６００Ｂ２には、複数の磁化直線６００Ｂ２ａが含まれている。線状磁化領域６００Ｂ１に含まれる磁化直線６００Ｂ１ａの本数と線状磁化領域６００Ｂ２に含まれる磁化直線６００Ｂ２ａの本数は同じである。

サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数と異なる。図３４に示す例では、サーボパターン５８０Ａに含まれる磁化直線６００Ａ１ａ及び６００Ａ２ａの総本数が１０本であるのに対し、サーボパターン５８０Ｂに含まれる磁化直線６００Ｂ１ａ及び６００Ｂ２ａの総本数は８本である。

線状磁化領域６００Ｂ１は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ１ａの集合であり、線状磁化領域６００Ｂ２は、４本の磁化された直線である磁化直線６００Ｂ２ａの集合である。サーボバンドＳＢ内では、幅方向ＷＤについて線状磁化領域６００Ｂ１の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ１ａの各々の両端の位置）と線状磁化領域６００Ｂ２の両端の位置（すなわち、４本の磁化直線６００Ｂ２ａの各々の両端の位置）とが揃っている。

このように、サーボパターン５８０Ａの幾何特性は、線状磁化領域６０Ａ２（図１９参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ａ２（図１９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図１９に示すサーボパターン５８Ａの鏡像の幾何特性）に相当し、サーボパターン５８０Ｂの幾何特性は、線状磁化領域６０Ｂ２（図１９参照）の鏡像の幾何特性及び線状磁化領域６０Ｂ２（図１９参照）の鏡像の幾何特性（すなわち、図１９に示すサーボパターン５８Ｂの鏡像の幾何特性）に相当する。しかし、これは、あくまでも一例に過ぎず、サーボパターン５８０に代えて、図２４に示すサーボパターン７２の鏡像の幾何特性、図２６に示すサーボパターン７８の鏡像の幾何特性、図２９に示すサーボパターン８４の鏡像の幾何特性、図３３に示すサーボパターン９０の鏡像の幾何特性、又は、図３５に示すサーボパターン９６の鏡像の幾何特性で形成されたサーボパターンを適用してもよい。

なお、このように、サーボパターンの幾何特性を変えた場合も、傾斜機構４９は、サーボパターンの幾何特性に応じて仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度（例えば、図２３に示す角度β）を変更する。つまり、サーボパターンの幾何特性を変えた場合であっても、上記第１変形例と同様に、傾斜機構４９は、制御装置３０Ａの制御下で、磁気テープＭＴの表面３１上で回転軸ＲＡを中心にして磁気ヘッド２８を回転させることで、サーボパターン信号のばらつきを小さくするように、仮想直線Ｃ３の仮想直線Ｃ４に対する傾斜（すなわち、アジマス）の方向及び傾斜の角度（例えば、図２３に示す角度β）を変更する。

［その他の変形例］
上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に対して磁気テープカートリッジ１２が挿脱自在な磁気テープシステム１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ１４に対して少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２が事前に装填されている磁気テープシステム（すなわち、少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２又は磁気テープＭＴと磁気テープドライブ１４とが事前に一体化された磁気テープシステム）であっても本開示の技術は成立する。

上記実施形態では、単一の磁気ヘッド２８を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、複数の磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。例えば、読み取り用の磁気ヘッド２８と、少なくとも１つの書き込み用の磁気ヘッド２８とが磁気テープＭＴ上に配置されるようにしてもよい。読み取り用の磁気ヘッド２８は、書き込み用の磁気ヘッド２８によってデータバンドＤＢに記録されたデータのベリファイに用いてもよい。また、読み取り用の磁気素子ユニット４２と、少なくとも１つの書き込み用の磁気素子ユニット４２とが搭載された１つの磁気ヘッドが磁気テープＭＴ上に配置されてもよい。

上記実施形態では、処理装置３０（図３参照）がＡＳＩＣによって実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、処理装置３０は、ソフトウェア構成によって実現されてもよい。また、処理装置３０に含まれる制御装置３０Ａ及び位置検出装置３０Ｂのみがソフトウェア構成によって実現されてもよい。制御装置３０Ａ及び位置検出装置３０Ｂがソフトウェア構成によって実現される場合、例えば、図３８に示すように、処理装置３０は、コンピュータ２００を備えている。コンピュータ２００は、プロセッサ２００Ａ（例えば、単数のＣＰＵ又は複数のＣＰＵなど）、ＮＶＭ２００Ｂ、及びＲＡＭ２００Ｃを有する。プロセッサ２００Ａ、ＮＶＭ２００Ｂ、及びＲＡＭ２００Ｃは、バス２００Ｄに接続されている。コンピュータ読取可能な非一時的記憶媒体である可搬型の記憶媒体２０２（例えば、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなど）には、プログラムＰＧが記憶されている。

記憶媒体２０２に記憶されているプログラムＰＧは、コンピュータ２００にインストールされる。プロセッサ２００Ａは、プログラムＰＧに従ってサーボパターン検出処理（図１５参照）及び理想波形信号取得処理（図１６参照）を実行する。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ２００に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶装置にプログラムＰＧを記憶させておき、処理装置３０からの要求に応じてプログラムＰＧがダウンロードされ、コンピュータ２００にインストールされるようにしてもよい。なお、プログラムＰＧは、本開示の技術に係る「プログラム」の一例であり、コンピュータ２００は、本開示の技術に係る「コンピュータ」の一例である。

図３８に示す例では、コンピュータ２００が例示されているが、本開示の技術はこれに限定されず、コンピュータ２００に代えて、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及び／又はＰＬＣを含むデバイスを適用してもよい。また、コンピュータ２００に代えて、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせを用いてもよい。

処理装置３０（図３参照）及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５（図１４参照）の処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＣ、又は例示のＡＳＩＣ等の特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電子回路が挙げられる。いずれのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、いずれのプロセッサもメモリを使用することで処理を実行する。

処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種または異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷの処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣ等に代表されるように、処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子等の回路素子を組み合わせた電子回路を用いることができる。また、上記の処理装置３０及び／又はサーボライタコントローラＳＷ５の処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

１０ 磁気テープシステム
１２ 磁気テープカートリッジ
１４ 磁気テープドライブ
１６ ケース
１６Ａ 右壁
１６Ｂ 開口
１８ 上ケース
２０ 下ケース
２２，ＳＷ１ 送出リール
２２Ａ リールハブ
２２Ｂ１ 上フランジ
２２Ｂ２ 下フランジ
２４ カートリッジメモリ
２４Ｂ，３３ 裏面
２５ コントローラ
２６ 搬送装置
２８ 磁気ヘッド
２９Ａ 磁性層
２９Ｂ ベースフィルム
２９Ｃ バックコート層
３０，ＳＷ５ 処理装置
３０Ａ 制御装置
３０Ｂ 位置検出装置
３０Ｂ１ 第１位置検出装置
３０Ｂ２ 第２位置検出装置
３１ 表面
３１Ａ ＢＯＴ領域
３２ ストレージ
３４ ＵＩ系装置
３５ 通信インタフェース
３６ 送出モータ
３７ 外部装置
３８，ＳＷ２ 巻取リール
３９Ａ 第１検出回路
３９Ｂ 第２検出回路
４０，Ｍ 巻取モータ
４２ 磁気素子ユニット
４４ ホルダ
４６ 非接触式読み書き装置
４８ 移動機構
４８Ａ 移動アクチュエータ
４９ 傾斜機構
４９Ａ 傾斜アクチュエータ
５０，５６，７０，７６，８２，８８，５６０ フレーム
５２，５２Ａ，５２Ｂ，５８，５８Ａ，５８Ｂ，７２，７２Ａ，７２Ｂ，７８，７８Ａ，７８Ｂ，８４，８４Ａ，８４Ｂ，９０，９０Ａ，９０Ｂ，５８０，５８０Ａ，５８０Ｂ サーボパターン
５４，５４Ａ，５４Ｂ，６０，６０Ａ，６０Ｂ，７４，７４Ａ，７４Ｂ，８６，８６Ａ，８６Ｂ，９２，９２Ａ，９２Ｂ，５４０，６００，６００Ａ，６００Ｂ 線状磁化領域対
５４Ａ１，５４Ａ２，５４Ｂ１，５４Ｂ２，６０Ａ１，６０Ａ２，６０Ｂ１，６０Ｂ２，７４Ａ１，７４Ａ２，７４Ｂ１，７４Ｂ２，８０Ａ１，８０Ａ２，８０Ａ３，８６Ａ１，８６Ａ２，８６Ｂ１，８６Ｂ２，９２Ａ１，９２Ａ２，９２Ｂ１，９２Ｂ２，６００Ａ１，６００Ａ２，６００Ｂ１，６００Ｂ２ 線状磁化領域
５４Ａ１ａ，５４Ａ２ａ，５４Ｂ１ａ，５４Ｂ２ａ，６０Ａ１ａ，６０Ａ２ａ，６０Ｂ１ａ，６０Ｂ２ａ，８６Ａ１ａ，８６Ａ２ａ，８６Ｂ１ａ，８６Ｂ２ａ，５４０Ａ，５４０Ｂ，６００Ａ１ａ，６００Ａ２ａ，６００Ｂ１ａ，６００Ｂ２ａ 磁化直線
６２ 仮想線状領域対
６２Ａ，６２Ｂ 仮想線状領域
６２Ａ１，６２Ｂ１ 直線
６６，６６Ａ，６６Ｂ，６６Ｃ 理想波形信号
６８ 仮想直線領域対
６８Ａ，６８Ｂ 仮想直線領域
８０，８０Ａ，８０Ｂ 線状磁化領域群
２００ コンピュータ
２００Ａ プロセッサ
２００Ｂ ＮＶＭ
２００Ｃ ＲＡＭ
２００Ｄ バス
２０２ 記憶媒体
５２０ 基準サーボパターン
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ａ，ｂ，α，β 角度
ＶＨ ベリファイヘッド
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４ 仮想直線
ＤＢ，ＤＢ１，ＤＢ２ データバンド
ＤＲＷ データ読み書き素子
ＧＲ ガイドローラ
Ｉｎｔ１，Ｉｎｔ２ 間隔
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ２ 線分
ＬＤ 長手方向
ＬＤ１，ＷＤ１ 方向
ＬＷＳ 大波形信号
ＭＦ 磁界
ＭＴ，ＭＴ 磁気テープ
Ｏ１，Ｏ２ 中心
Ｐ 点
ＰＧ サーボパターン検出プログラム
ＲＡ 回転軸
ＲＳ 基準信号
Ｓ１ 第１サーボバンド信号
Ｓ１ａ，Ｓ１ｃ 第１線状磁化領域信号
Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ サーボパターン信号
Ｓ１ｂ，Ｓ１ｄ 第２線状磁化領域信号
Ｓ２ 第２サーボバンド信号
ＳＡ１，ＳＡ２ 対称軸
ＳＢ，ＳＢ１，ＳＢ２，ＳＢ３ サーボバンド
ＳＲ，ＳＲ１，ＳＲ２ サーボ読取素子
ＳＷ サーボライタ
ＳＷ３ 駆動装置
ＳＷ４ パルス信号生成器
ＳＷ６ ガイド
ＳＷ７ 搬送路
ＳＷＳ 小波形信号
ＷＤ 幅方向
ＷＨ サーボパターン記録ヘッド

Claims (21)

1. 処理装置と、
   格納媒体と、を備え、
   前記処理装置は、
   サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によって前記サーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として前記格納媒体に格納し、
   前記サーボバンドが前記サーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得し、
   前記サーボパターンを示すサーボパターン信号を、前記格納媒体に格納されている前記理想波形信号と前記サーボバンド信号とを比較することで検出する
   検出装置。
2. 前記理想波形信号は、前記サーボバンドの一部に記録された前記サーボパターンが前記サーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号である
   請求項１に記載の検出装置。
3. 前記一部は、ＢＯＴ領域及びＥＯＴ領域のうちの少なくとも一方である
   請求項２に記載の検出装置。
4. 前記理想波形信号は、前記サーボパターンが読み取られた結果の統計値を示す信号である
   請求項１から請求項３の何れか一項に記載の検出装置。
5. 前記理想波形信号を生成するために前記サーボ読取素子によって読み取られる前記サーボパターンの幾何特性は、他の前記サーボパターンの幾何特性に対応している
   請求項１から請求項４の何れか一項に記載の検出装置。
6. 前記サーボパターンは、少なくとも１つの第１線状磁化領域対であり、
   前記第１線状磁化領域対は、線状に磁化された第１線状磁化領域、及び線状に磁化された第２線状磁化領域であり、
   前記第１線状磁化領域及び前記第２線状磁化領域は、前記磁気テープの幅方向に沿った第１仮想直線に対して相反する方向に傾けられており、
   前記理想波形信号は、第１理想波形信号と第２理想波形信号とに類別され、
   前記第１理想波形信号は、前記第１線状磁化領域が前記サーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号であり、
   前記第２理想波形信号は、前記第２線状磁化領域が前記サーボ読取素子によって読み取られた結果を示す信号である
   請求項１から請求項５の何れか一項に記載の検出装置。
7. 前記サーボパターンは、少なくとも１つの第２線状磁化領域対であり、
   前記第２線状磁化領域対は、線状に磁化された第３線状磁化領域、及び線状に磁化された第４線状磁化領域であり、
   前記第３線状磁化領域及び前記第４線状磁化領域は、前記磁気テープの幅方向に沿った第１仮想直線に対して相反する方向に傾けられており、
   前記サーボパターン信号は、前記第３線状磁化領域が前記サーボ読取素子によって読み取られた結果である第１信号と、前記第４線状磁化領域が前記サーボ読取素子によって読み取られた結果である第２信号とを有し、
   前記処理装置は、並列に接続された第１検出回路及び第２検出回路を有し、
   前記第１検出回路は、
   前記サーボバンド信号を取得し、
   前記サーボバンド信号と前記第１理想波形信号とを比較することで前記第１信号を検出し、
   前記第２検出回路は、
   前記サーボバンド信号を取得し、
   前記サーボバンド信号と前記第２理想波形信号とを比較することで前記第２信号を検出する
   請求項６に記載の検出装置。
8. 前記処理装置は、前記サーボパターン信号を、自己相関係数を用いて検出する
   請求項１から請求項７の何れか一項に記載の検出装置。
9. 前記磁気テープは、カートリッジに収容されており、
   前記カートリッジには、前記処理装置と非接触で通信可能な非接触式記憶媒体が前記格納媒体として設けられている
   請求項１から請求項８の何れか一項に記載の検出装置。
10. 前記格納媒体は、前記磁気テープである
    請求項１から請求項９の何れか一項に記載の検出装置。
11. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の検出装置に含まれる前記処理装置によって前記サーボバンド信号と比較される前記理想波形信号が格納されたメモリと、前記磁気テープと、備える磁気テープカートリッジ。
12. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の検出装置に含まれる前記処理装置によって前記サーボバンド信号と比較される前記理想波形信号が格納された磁気テープ。
13. ＢＯＴ領域及び／又はＥＯＴ領域を有し、
    前記ＢＯＴ領域及び／又は前記ＥＯＴ領域に前記理想波形信号が格納された
    請求項１２に記載の磁気テープ。
14. データバンドが形成されており、
    前記データバンドに前記理想波形信号が格納された
    請求項１２又は請求項１３に記載の磁気テープ。
15. 請求項１２から請求項１４の何れか一項に記載の磁気テープが収容された磁気テープカートリッジ。
16. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の検出装置と、
    前記検出装置によって検出された前記サーボパターン信号に基づいて、前記磁気テープにおいて前記サーボパターンが記録されるサーボバンドの検査を行う検査プロセッサと、
    を備える検査装置。
17. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の検出装置と、
    前記検出装置によって検出された前記サーボパターン信号に従って動作する磁気ヘッドと、
    を備える磁気テープドライブ。
18. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載の検出装置と、前記検出装置によって検出された前記サーボパターン信号に従って動作する磁気ヘッドと、を有する磁気テープドライブと、
    前記磁気ヘッドによって磁気的処理が行われる磁気テープと、
    を備える磁気テープシステム。
19. サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によって前記サーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として格納媒体に格納すること、
    前記サーボバンドが前記サーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得すること、及び、
    前記サーボパターンを示すサーボパターン信号を、前記格納媒体に格納されている前記理想波形信号と前記サーボバンド信号とを比較することで検出することを含む
    検出方法。
20. 請求項１９に記載の検出方法によって検出された前記サーボパターン信号に基づいて、前記磁気テープにおいて前記サーボパターンが記録されるサーボバンドの検査を行うことを含む
    検査方法。
21. コンピュータに、
    サーボバンドにサーボパターンが記録された磁気テープからサーボ読取素子によって前記サーボパターンが読み取られた結果を、理想波形を示す理想波形信号として格納媒体に格納すること、
    前記サーボバンドが前記サーボ読取素子によって読み取られた結果であるサーボバンド信号を取得すること、及び、
    前記サーボパターンを示すサーボパターン信号を、前記格納媒体に格納されている前記理想波形信号と前記サーボバンド信号とを比較することで検出することを含む処理を実行させるためのプログラム。

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