JPWO2020032146A1 - 磁気ディスク用基板及び磁気ディスク - Google Patents
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Abstract
Description
HDDに組み込む磁気ディスクの枚数を増大することで記憶容量の増大化を図る場合、HDD内の限られた空間内で磁気ディスクの厚さのうち大部分を占める磁気ディスク用基板の板厚を薄くする必要がある。さらに、記憶容量の大容量化のために、磁気ディスクのサイズの大型化も望まれている。
このように、磁気ディスク用基板の直径を大きくし、板厚を薄くすることにより、従来問題が生じなかった外部からの衝撃による振動及びこれに伴って生じるパーティクルが無視できなくなってきた。特に、磁気ディスクが公称3.5インチ(例えば直径95mm)以上の大きな磁気ディスク用基板では、基板の振動による上記接触により発生するパーティクルの問題が無視できない。
前記基板の直径Dは85mm以上であり、前記基板の板厚Tは、0.6mm以下であり、
前記基板には、ヤング率Eが90GPa以上の材料が用いられる。
前記基板の内周端部を固定した状態で前記基板に対して、2[m秒]で70[G]の衝撃を前記基板の主表面の法線方向に与えた際に、前記基板の外周端部の板厚方向の振動による最大振幅が0.25mm以下である、ことが好ましい。
前記基板の直径Dは85mm以上であり、前記基板の板厚Tは、0.6mm以下であり、
前記基板の内周端部を固定した状態で前記基板に対して、2[m秒]で70[G]の衝撃を前記基板の主表面の法線方向に与えた際に、前記基板の外周端部の板厚方向の振動による最大振幅が0.25mm以下である。
前記基板は、ガラス転移点が650℃以上のガラスで構成されているガラス基板である、ことが好ましい。
前記面取面の、前記基板の半径方向に沿った幅W1の、前記基板の半径Rに対する比W1/Rは、0.0025以下である、ことが好ましい。
ガラス基板の場合、ガラスとして、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、必要に応じて化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。
金属製基板の材料として、例えば、アルミニウム合金、チタン合金、及びSi単結晶等を用いることができる。
磁気ディスクは、この磁気ディスク用基板の表面に少なくとも磁性膜を形成することにより作製される。
基板1のサイズは、直径Dが85mm以上、好ましくは90mm以上であれば制限はないが、基板1は、例えば、公称で直径3.5インチの磁気ディスク用基板に好適に適用できる。公称で直径3.5インチの磁気ディスク用基板の場合、円盤形状の直径D(外径)は85mm以上、好ましくは90mm以上である。具体的に、円盤形状の外径の公称値は、95mmや97mmである。
上述したように、フラッタ振動とは異なる外部からの衝撃により生じる磁気ディスクの振動の振幅は、基板1の外径が大きいほど大きくなるとともに、減衰はしにくくなる。したがって、本実施形態の基板1は、公称3.5インチ規格以上の磁気ディスクに用いる場合に好ましい。
なお、基板1の直径Dの上限は、公称3.5インチサイズのHDDの規格サイズの観点から、例えば100mmである。また、基板1の板厚Tの下限は、成膜プロセス時にバイアス電圧を印加した際にアーキングを抑制する観点から例えば0.30mmである。ヤング率Eの上限は特に設ける必要はないが、加工容易性の観点から例えば120GPaである。
SiO2 56〜80モル%、
Li2O 1〜10モル%、
B2O3 0〜4モル%、
MgOとCaOの合計含有量(MgO+CaO) 9〜40モル%、
である。
ガラス1の比重は2.75g/cm3以下、ガラス転移温度Tgは650℃以上である。
SiO2 56〜80モル%、
Li2O 1〜10モル%、
B2O3 0〜4モル%、
MgOとCaOの合計含有量(MgO+CaO) 9〜40モル%、
であり、
Al2O3含有量に対するSiO2とZrO2の合計含有量のモル比((SiO2+ZrO2)/Al2O3)が2〜13、
である。
ガラス2のガラス転移温度Tgは650℃以上である。
モル%表示にて、
SiO2 56〜65%、
Al2O3 5〜20%、
B2O3 0〜4%、
MgO 3〜28%、
Li2O 1〜10%、
であり、
SiO2とAl2O3 の合計含有量(SiO2+Al2O3) 65〜80%、
MgOとCaOの合計含有量(MgO+CaO) 11〜30%、
MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計含有量(MgO+CaO+SrO+BaO) 12〜30%、
MgO含有量、0.7×CaO含有量、Li2O含有量、TiO2含有量およびZrO2含有量の和(MgO+0.7CaO+Li2O+TiO2+ZrO2) 16%以上、
5×Li2O含有量、3×Na2O含有量、3×K2O含有量、2×B2O3含有量、MgO含有量、2×CaO含有量、3×SrO含有量およびBaO含有量の和(5Li2O+3Na2O+3K2O+2B2O3+MgO+2CaO+3SrO+BaO) 32〜58%、
SiO2含有量、Al2O3含有量、B2O3含有量、P2O5含有量、1.5×Na2O含有量、1.5×K2O含有量、2×SrO含有量、3×BaO含有量およびZnO含有量の和(SiO2+Al2O3+B2O3+P2O5+1.5Na2O+1.5K2O+2SrO+3BaO+ZnO) 86%以下、及び
SiO2含有量、Al2O3含有量、B2O3含有量、P2O5含有量、Na2O含有量、K2O含有量、CaO含有量、2×SrO含有量および3×BaO含有量の和(SiO2+Al2O3+B2O3+P2O5+Na2O+K2O+CaO+2SrO+3BaO) 92%以下、
であり、
MgO含有量に対するCaO含有量のモル比(CaO/MgO)が2.5以下、
Li2O含有量に対するNa2O含有量のモル比(Na2O/Li2O)が5以下、
MgOとCaOの合計含有量に対するLi2O含有量のモル比(Li2O/(MgO+CaO))が0.03〜0.4、
Li2O、Na2OおよびK2Oの合計含有量に対するSiO2含有量のモル比(SiO2/(Li2O+Na2O+K2O))が4〜22、
Al2O3 に対するSiO2とZrO2の合計含有量のモル比((SiO2+ZrO2)/Al2O3 )が2〜10、
MgOとCaOの合計含有量に対するTiO2とAl2O3の合計含有量のモル比((TiO2+Al2O3)/(MgO+CaO))が0.35〜2、
MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計含有量に対するMgOとCaOの合計含有量のモル比((MgO+CaO)/(MgO+CaO+SrO+BaO))が0.7〜1、
MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計含有量に対するBaO含有量のモル比(BaO/(MgO+CaO+SrO+BaO))が0.1以下、
B2O3、SiO2、Al2O3およびP2O5の合計含有量に対するP2O5含有量のモル比(P2O5/(B2O3+SiO2+Al2O3+P2O5))が0.005以下、
であり、
ガラス転移温度が670℃以上かつヤング率が90GPa以上、
比重が2.75以下、
100〜300℃における平均線膨張係数が40×10−7〜70×10−7/℃の範囲にある非晶質の酸化物ガラス。
したがって、一実施形態における基板1は、基板1の直径Dが85mm以上、好ましくは90mm以上であり、基板1の板厚Tが、0.6mm以下であり、基板1の内周端部を固定した状態で基板1に対して、2[m秒]で70[G]の衝撃を基板1の主表面の法線方向に与えた際に、基板1の外周端部の板厚方向の振動による最大振幅が0.25mm以下である。
具体的に、基板1に磁性膜等を含む金属膜を30nm程度形成して磁気ディスクを作製する際、基板1を加熱する。この加熱処理の際に、基板1は熱履歴を受けて変形し易い。このため、一実施形態によれば、基板1の、730℃で加熱後の平坦度と、基板1の加熱前の平坦度との間の変化量(加熱後の平坦度−加熱前の平坦度)は、4μm以下である、ことが好ましい。このように平坦度の変化量を制限することにより、平坦な磁気ディスクを得ることができ、さらに磁気ディスクの回転中の微小振動を低減することができる。
基板1は、一対の主表面3と、一対の主表面3に対して直交する方向に沿って配置された側壁面4と、一対の主表面3と側壁面4との間に配置された一対の面取面5とを有する。側壁面4及び面取面5は、基板1の外周端部及び内周端部のそれぞれに形成されている。
面取面5は、総型砥石で研削した後、ブラシ等を用いて端面研磨を行って形成されるが、ヤング率Eが90GPa以上のガラス材料で作られた基板の場合、従来のヤング率が低いガラスの基板よりも面取面5の表面に潜在クラックあるいは微細なクラックが多く存在することがわかってきた。この原因は必ずしも明らかではないが、例えば、高ヤング率のガラスは一般的に高硬度であるため研削加工において負荷が大きくなるために、従来よりも深いクラックが生じ、それらの一部が潜在クラックあるいは微細なクラックとして研磨後に残留すると推察される。このような状態で、上記角6がランプ部材等との接触により衝撃を受けると、潜在クラックあるいは微細なクラックが進展し、その結果、磁気ディスク10において基板1の角6又は面取面5の一部が欠け、その上層にある磁性膜と共にパーティクルを発生させる場合がある。このような場合、後述する幅W1が大きいほど、角6又は面取面5の一部は欠けやすくなる。角6又は面取面5で発生したパーティクルは、HDD収納容器内で飛散し、磁気ディスク10の読み書き領域に付着する場合が多い。
また、一実施形態によれば、ヤング率E[GPa]と密度ρ[g/cm3]に関して、E/ρで算出される比弾性率の値が36[GPa・cm3/g]以上であることが好ましい。ヤング率が高い場合でも、密度が高いと、基板自体の重みで振動が大きくなる場合がある。比弾性率の値の上限は特に設ける必要はないが、生産性の観点から、例えば41[GPa・cm3/g]としてもよい。
したがって、基板1の板厚Tを薄くして、搭載枚数を増やすことで、記憶容量の増大を図ることができる。このとき、本実施形態の基板1は、上述したように、板厚Tを薄くしても振動に起因した他の基板1や部材との接触が生じ難い。
また、一実施形態によれば、基板1は、磁気ディスクのクランプを再現するように基板1の内周端部を固定して基板1に対して2m秒で600Gの衝撃を与える衝撃試験において基板1は破損しないことが好ましい。このような基板1は、HDDに大きな衝撃が加わっても、基板1が破損しないので、耐久性向上の点から好ましい。この基板1は、例えば、上述のガラス1〜3を用いて達成することができる。
なお、3000HzにおけるQ値は以下のようにして得た。まず、レーザドップラ振動計(LDV)を用いてスピンスタンドで回転させた基板1に振動を発生させ、この基板1の略外周端部にレーザを当てて振動を測定し、得られたデータを適宜フーリエ変換して周波数応答関数(横軸:周波数(単位:Hz)、縦軸:NRRO(Non Repeatable Runout 非反復振れ) Amplitude(単位:nm))を得た。次に、周波数応答関数において観察されるピークのそれぞれについて、半値幅法(NRROのピーク値から3dB 低い値に対応する周波数f1、f2(>f1)と、当該ピーク値に対応する周波数f0(共振周波数)と、を用いて算出する方法)を用いてQ値(=f0/(f2−f1))を求めた。得られた測定結果を、横軸周波数、縦軸Q値とするXY平面にプロットし、最小二乗法による直線近似を行い、近似直線を求めた。求めた近似直線上においてあるいは必要に応じて近似直線を外挿して3000Hzの時のQ値を得た。
なお、レーザドップラ振動計による評価に用いた基板1は、外径95mm、内径25mm、板厚0.635mmに統一した。また、基板の回転数は6900rpm、測定位置は基板中心からの半径位置が46.5mm(外周端から1mm内側)、室温にて測定した。
なお、1000Hz未満の周波数帯域のフラッタ振動については、昨今のヘッドのサーボ技術の進歩により影響が少なくなってきており、他方、4000Hz超の帯域についてはそもそもフラッタ振動が小さい。したがって、1000〜4000Hzの帯域についてのフラッタ振動を低減することが重要になっている。
本実施形態の基板1は、このような特徴を有する。
まず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用基板の素材となるガラスブランクの成形処理が行われる。次に、このガラスブランクの粗研削が行われる。この後、ガラスブランクに形状加工及び端面研磨が施される。この後、ガラスブランクから得られた基板の主表面に固定砥粒を用いた精研削が行われる。この後、主表面の第1研磨、化学強化、及び、主表面の第2研磨が基板に施される。なお、本実施形態では、基板の作製を上記流れで行うが、上記処理を常に行う必要はなく、これらの処理の順序を適宜入れ替えたり、適宜省略してよい。例えば上記のうち、精研削、第1研磨、化学強化については実施されなくてもよい。以下、各処理について、説明する。
ガラスブランクの成形では、例えばプレス成形法を用いることができる。プレス成形法により、円形状のガラスブランクを得ることができる。さらに、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。これらの公知の製造方法で作られた板状ガラスブランクに対し、適宜形状加工を行うことによって磁気ディスク用基板の元となる円板状の基板が得られる。
粗研削では、ガラスブランクの両側の主表面の研削が行われる。研削材として、例えば遊離砥粒が用いられる。粗研削では、ガラスブランクが目標とする板厚寸法及び主表面の平坦度に略近づくように研削される。なお、粗研削は、成形されたガラスブランクの寸法精度あるいは表面粗さに応じて行われるものであり、場合によっては行われなくてもよい。
次に、形状加工が行われる。形状加工では、まず、ガラスブランクの成形後、公知の加工方法を用いて円孔と外周を形成することにより、円孔があいた円盤形状の基板を得る(円孔形成工程)。その後、基板の端面の面取りを実施する(面取工程)。これにより、基板の端面には、主表面3と直交している側壁面4と、側壁面4と両側の主表面3との間に、主表面3に対して傾斜した面取面5が形成される。面取工程では、総型砥石を用いて基板の端面を研削することによって、側壁面4と2つの面取面5を同時に形成してもよい。
次に基板の端面研磨が行われる。端面研磨は、例えば研磨ブラシと基板の外周端面(側壁面4と面取面5)及び内周端面(側壁面4と面取面5)との間に遊離砥粒を含む研磨液を供給して研磨ブラシと基板とを相対的に移動させることにより研磨を行う処理である。端面研磨では、基板の内周端面及び外周端面を研磨対象とし、内周端面及び外周端面を鏡面状態にする。
次に、基板の主表面に精研削が施される。例えば、遊星歯車機構の両面研削装置を用いて、基板の主表面3に対して研削を行う。この場合、例えば固定砥粒を定盤に設けて研削する。あるいは遊離砥粒を用いた研削を行うこともできる。なお、精研削は、場合によっては行なわれなくてもよい。
次に、基板の主表面3に第1研磨が施される。第1研磨は、遊離砥粒を用いて、定盤に貼り付けられた研磨パッドを用いる。第1研磨は、例えば固定砥粒による精研削を行った場合に主表面3に残留したクラックや歪みの除去をする。第1研磨では、主表面3の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面3の表面粗さ、例えば算術平均粗さRaを低減することができる。
第1研磨に用いる遊離砥粒は特に制限されないが、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒などが用いられる。なお、第1研磨は、場合によっては行なわれなくてもよい。
一実施形態の基板1によっては適宜化学強化してもよい。化学強化をする場合、化学強化液として、例えば硝酸カリウム,硝酸ナトリウム、またはそれらの混合物を加熱して得られる溶融液を用いることができる。そして、基板を化学強化液に浸漬することによって、基板の表層にあるガラス組成中のリチウムイオンやナトリウムイオンが、それぞれ化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオンやカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、基板が強化される。
化学強化を行うタイミングは、適宜決定することができるが、化学強化の後に研磨を行うようにすると、表面の平滑化とともに化学強化によって基板の表面に固着した異物を取り除くことができるので特に好ましい。
次に、化学強化後の基板に第2研磨が施される。第2研磨は、主表面3の鏡面研磨を目的とする。第2研磨においても、第1研磨と同様の構成の研磨装置を用いて研磨する。第2研磨では、第1研磨に対して遊離砥粒の種類及び粒子サイズを変え、樹脂ポリッシャの硬度が軟らかいものを研磨パッドとして用いて鏡面研磨を行う。こうすることで主表面3の端部の形状が過度に落ち込んだり突出したりすることを防止しつつ、主表面3の粗さを低減することができる。主表面3の粗さは、算術平均粗さRa(JIS B 0601 2001)は、0.2nm以下であることが好ましい。
この後、基板を洗浄することにより、基板1を得ることができる。
基板1の効果を調べるために、基板を種々作製した(従来例1,2、比較例1,2、及び実施例1〜12、実施例61〜67、実施例81〜84、実施例111〜114、実施例121〜124)。
基板は、ガラス基板あるいはアルミニウム合金基板を用いた。従来例1及び比較例1の基板には、以下の組成のガラス4を用いた。実施例1,2の基板1には、上述のガラス1を用い、実施例3〜5の基板1には、上述のガラス2を用い、実施例6〜10の基板1には、上述のガラス3を用い、実施例11,12の基板1には、ガラス1〜4と異なる組成で、ヤング率Eが100 [GPa]以上のアモルファスのアルミノシリケートガラスであるガラス5,6を用い、実施例61〜67及び実施例81〜84の基板1には、上述のガラス3を用いた。また、実施例111〜114の基板1には、ガラス5を用い、実施例121〜124の基板1には、ガラス6を用いた。なお、いずれの基板においても化学強化は実施しなかった。
また、ガラス1〜3,5,6は、比弾性率の値が36[GPa・cm3/g]以上である。ガラス4は36未満である。
SiO2、Al2O3と、Li2O、Na2O、およびK2Oからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ金属酸化物と、MgO、CaO、SrO、およびBaOからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ土類金属酸化物と、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、La2O3、Y2O3、およびTiO2からなる群から選ばれる一種以上の酸化物と、を含み、
SiO2 50モル%以上、
Al2O3 3モル%以上、
かつ、SiO2とAl2O3の合計含有量 70〜85モル%、
Li2OおよびNa2Oを含有し、Li2O 4.3モル%以上、
Na2O 5モル%以上、
かつLi2OおよびNa2Oの合計含有量 24モル%以下、
前記アルカリ金属酸化物と前記アルカリ土類金属酸化物の合計含有量 8モル%以上、
含有し、
前記アルカリ金属酸化物と前記アルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対する前記酸化物の合計含有量のモル比((ZrO2+HfO2+Nb2O5+Ta2O5+La2O3+Y2O3+TiO2)/(Li2O+Na2O+K2O+MgO+CaO+SrO+BaO))は0.035以上であり、
MgOおよびCaOを含み、
MgO 3モル%未満、
CaO 4モル%以下、
かつCaOの含有量に対するMgOの含有量のモル比(MgO/CaO)が0.130〜0.700、
である非晶質のガラス。
作製した従来例1,2、比較例1,2、及び実施例1〜12の基板を、高速度カメラを備える評価装置に取り付けて最大振幅を求めた。この評価装置では、任意の大きさの外部衝撃(加速度)を加えることが可能であり、それに伴い発生する基板の外周端部の動き(振動)を動画として撮影することができる。そして、その動画を解析することで、主表面の法線方向における外周端部の変位を測定することができる。
この評価装置を用いて、基板に対して2[m秒]で70[G]の衝撃を、基板の主表面の法線方向に加える衝撃試験を行い、外周端部の主表面の法線方向への振動を測定した。測定結果は図2のような波形データとして表される。この波形データから、基板の外周端部の変位量0の中心に対して法線方向のいずれかの向きにおける最大変位量を最大振幅として求めた。
なお、メディア工程で成膜される磁性膜等の厚さは、主表面において、100nm以下程度なので実質的に無視できる。
従来例2及び比較例2のアルミニウム合金(「Al合金」)は、以下の組成を有するAl−Mg合金である。質量%で、Mg:3.5〜5%、Si:0〜0.05%、Fe:0〜0.1%、Cu:0〜0.12%、Mn:0〜0.3%、Cr:0〜0.1%、Zn:0〜0.5%、Ti:0〜0.1%、残部はAl、である。さらに、Al−Mg合金製の基板の表面に、Ni−P合金(P:10質量%、残部Ni)の膜を無電解メッキにより基板の表面全体を覆うように形成した。メッキ膜を形成した基板の板厚は、膜も含めた板厚をいう。
さらに、実施例6、実施例8、実施例11、実施例12の基板1を基準として、面取面5の幅W1,W2を種々変更した基板1(実施例61〜67、実施例81〜84、実施例111〜114、実施例121〜124)を用いて、衝撃試験を行った後の基板1の品質評価を行った。
なお、幅W1,W2は、総型砥石を用いて面取加工を行う際の砥石形状や加工条件を種々変更することにより、種々変更した。実施例61〜67は、実施例6の基板1の幅W1,W2を変更したものであり、実施例81〜84は、実施例8の基板1の幅W1,W2を変更したものであり、実施例111〜114は、実施例11の基板1の幅W1,W2を変更したものであり、実施例121〜124は、実施例12の基板1の幅W1,W2を変更したものである。したがって、実施例61〜67の材料、ヤング率E、板厚、及び外径は、実施例6と同じであり、実施例81〜84の材料、ヤング率E、板厚、及び外径は、実施例8と同じであり、実施例111〜114の材料、ヤング率E、板厚、及び外径は、実施例11と同じであり、実施例121〜124の材料、ヤング率E、板厚、及び外径は、実施例12と同じである。
ランク1:パーティクルがほとんどなし
ランク2:パーティクルの数が中程度
ランク3:パーティクルの数が多い
下記表3A〜3Dにその評価結果を示す。
ランクの値が小さい程、品質評価が優れていることを意味し、ランク1が最高評価を表わす。
2 内孔
3 主表面
4 側壁面
5 面取面
6 角
10 磁気ディスク
Claims (16)
- 円盤形状の磁気ディスク用基板であって、
前記基板の直径Dは85mm以上であり、前記基板の板厚Tは、0.6mm以下であり、
前記基板には、ヤング率Eが90GPa以上の材料が用いられる、ことを特徴とする磁気ディスク用基板。 - 直径Dは、90mm以上である、請求項1に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板の内周端部を固定した状態で前記基板に対して、2[m秒]で70[G]の衝撃を前記基板の主表面の法線方向に与えた際に、前記基板の外周端部の板厚方向の振動による最大振幅が0.25mm以下である、請求項1または2に記載の磁気ディスク用基板。
- 円盤形状の磁気ディスク用基板であって、
前記基板の直径Dは85mm以上であり、前記基板の板厚Tは、0.6mm以下であり、
前記基板の内周端部を固定した状態で前記基板に対して、2[m秒]で70[G]の衝撃を前記基板の主表面の法線方向に与えた際に、前記基板の外周端部の板厚方向の振動による最大振幅が0.25mm以下である、ことを特徴とする磁気ディスク用基板。 - 直径Dは、90mm以上である、請求項4に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板は、ガラス転移点が650℃以上のガラスで構成されているガラス基板である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板の、730℃で加熱後の平坦度と、前記基板の加熱前の平坦度との間の変化量は、4μm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板は、線膨張係数が70×10−7[1/K〕以下の材料で構成される、請求項1〜7のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板のビッカース硬度Hvは、650[kgf/mm2]以上である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板のヌープ硬度Hkは、600[kgf/mm2]以上である、請求項1〜9のいずれか1項に磁気ディスク用基板。
- 少なくとも前記基板の外周端部の面には、面取面が設けられ、
前記面取面の、前記基板の半径方向に沿った幅W1は、120μm以下である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。 - 前記面取面の前記基板の板厚方向に沿った幅W2の2倍の、前記板厚Tに対する比(2・W2)/Tは、0.4以下である、請求項1〜11のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記基板におけるヤング率Eと前記板厚Tに関して、E・T3の値が3〜18[GPa・mm3]である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 前記材料の、室温での3000HzにおけるQ値は、1500以下である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- ρを前記材料の室温での密度[g/cm3]、Qを前記材料の室温での3000HzにおけるQ値、Eを前記材料の室温でのヤング率[GPa]とし、νを前記材料の室温でのポアソン比として、前記材料のρ・(1−ν)2・Q/Eの値が25[g/cm3/GPa]未満である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の表面に少なくとも磁性膜を有する、磁気ディスク。
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