JP6402229B1 - 磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法、ならびに、当該磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いた磁気ディスク - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板(以下、「本発明に係るアルミニウム合金基板」又は、単に「アルミニウム合金基板」と略記する)について詳細に説明する。
以下、本発明に係るAl−Fe系合金を用いた磁気ディスク用アルミニウム合金基板のアルミニウム合金成分及びその含有量について説明する。
Feは必須元素であり、主として第二相粒子(Al−Fe系金属間化合物等)として、一部はマトリックスに固溶して存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のFe含有量が0.4%未満では、十分な強度とフラッタリング特性が得られない。一方、Fe含有量が3.0%を超えると、粗大なAl−Fe系金属間化合物粒子が多数生成する。このような粗大なAl−Fe系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時において脱落して大きな窪みが発生し、めっきピット発生によるめっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離を発生させる。また、圧延工程における加工性低下も生じる。そのため、アルミニウム合金中のFe含有量は、0.4〜3.0%の範囲とする。Fe含有量は、好ましくは0.6〜2.0%、より好ましくは0.8〜1.8%の範囲である。
Siは、主に第二相粒子(Si粒子やMg−Si系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮するが、Mg−Si系金属間化合物が多数存在すると、めっき表面に微細なピットが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。これは、Mg−Si系金属間化合物がめっき処理までのところで一部がSi−Oに変質することが関係していると考えられる。すなわち、Si−Oはその高耐食性によって、エッチングなどのめっき前処理によっては除去され難いためと考えられる。アルミニウム合金基板の表面に存在するMg−Si系金属間化合物は、エッチング処理などのめっき前処理で一部は溶解するが、一部は高耐食性のSi−Oに変質し残存する。その結果、Si−Oの周囲でAlマトリックスの溶解反応が集中的に起こると考えられる。更に、このSi−Oが一部残存した部分ではめっき処理中にAlマトリックスの溶解が続き、Si−Oを中心とした微細な凹部が形成される。この凹部においては、Alマトリックスの溶解が続くことによりめっきが付着し難く、その結果、めっき表面に微細ピットが発生すると考えられる。アルミニウム合金中のSi含有量が0.10%以上であると、Mg−Si系金属間化合物が多数生成し、めっき表面に微細なピットが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。そのため、アルミニウム合金中のSi含有量は、0.10%未満の範囲とする。Si含有量は、0.08%以下に規制するのが好ましく、0.02%以下に規制するのがより好ましい。なお、Siの下限値は特に限定されるものではないが、本発明では0.01%とする。
Mgは、主として第二相粒子(Mg−Si系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮するが、Mg−Si系金属間化合物が多数存在すると、めっき表面に微細なピットが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。アルミニウム合金中のMg含有量が0.10%以上であると、Mg−Si系金属間化合物が多数生成し、めっき表面に微細なピットが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。そのため、アルミニウム合金中のMg含有量は、0.10%未満の範囲とする。Mg含有量は、0.08%以下に規制するのが好ましく、0.02%以下に規制するのがより好ましい。なお、Mgの下限値は特に限定されるものではないが、本発明では0.00%とする。
Mnは、主として第二相粒子(Al−Mn系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のMn含有量が0.1%以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のMn含有量が3.0%以下であることによって、粗大なAl−Mn系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なAl−Mn系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のMn含有量は、0.1〜3.0%の範囲とするのが好ましく、0.1〜1.0%の範囲とするのがより好ましい。
Niは、主として第二相粒子(Al−Ni系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子とマトリックスとの界面における粘性流動により振動エネルギーが速やかに吸収され、極めて良好なフラッタリング特性が得られる。アルミニウム合金中のNi含有量が0.1%以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のNi含有量が3.0%以下であることによって、粗大なAl−Ni系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なAl−Ni系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のNi含有量は、0.1〜3.0%の範囲とするのが好ましく、0.1〜1.0%の範囲とするのがより好ましい。
Cuは、主として第二相粒子(Al−Cu系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。また、ジンケート処理時のAl溶解量を減少させる。更に、ジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっき工程での平滑性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のCu含有量が0.005%以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果及び平滑生を向上させる効果とを一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のCu含有量が1.000%以下であることによって、粗大なAl−Cu系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なAl−Cu系金属間化合物粒子が、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性を向上させる効果を一層高めることができ、また、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のCu含有量は、0.005〜1.000%の範囲とするのが好ましく、0.005〜0.400%の範囲とするのがより好ましい。
Crは、主として第二相粒子(Al−Cr系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のCr含有量が0.01%以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のCr含有量が1.00%以下であることによって、粗大なAl−Cr系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なAl−Cr系金属間化合物粒子がエッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のCr含有量は、0.01〜1.00%の範囲とするのが好ましく、0.10〜0.50%の範囲とするのがより好ましい。
Zrは、主として第二相粒子(Al−Zr系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のZr含有量が0.01%以上であることによって、アルミニウム合金基板の強度とフラッタリング特性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のZr含有量が1.00%以下であることによって、粗大なAl−Zr系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。このような粗大なAl−Zr系金属間化合物粒子がエッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時に脱落して大きな窪みが発生することを抑制し、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のZr含有量は、0.01〜1.00%の範囲とするのが好ましく、0.10〜0.50%の範囲とするのがより好ましい。
Znは、ジンケート処理時のAl溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっき工程での平滑性及び密着性を向上させる効果を発揮する。また、他の添加元素と第二相粒子を形成し、フラッタリング特性を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のZn含有量が0.005%以上であることによって、ジンケート処理時のAl溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、めっきの平滑性を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のZn含有量が1.000%以下であることによって、ジンケート皮膜が均一となりめっき表面の平滑性が低下することを一層抑制することができ、また、めっき剥離が生じることを一層抑制することができる。そのため、アルミニウム合金中のZn含有量は、0.005〜1.000%の範囲とするのが好ましく、0.100〜0.700の範囲とするのがより好ましい。
Ti、B及びVは、鋳造時の凝固過程において、第二相粒子(TiB2などのホウ化物、或いは、Al3TiやTi−V−B粒子等)を形成し、これらが結晶粒核となるため、結晶粒を微細化することが可能となる。その結果、めっき性が改善する。また、結晶粒が微細化することで、第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中の強度とフラッタリング特性のバラツキを低減させる効果を発揮する。但し、Ti、B及びVの含有量の合計が0.005%未満では、上記の効果が得られない。一方、Ti、B及びVの含有量の合計が0.500%を超えてもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。そのため、Ti、B及びVを添加する場合のTi、B及びVの含有量の合計は、0.005〜0.500%の範囲とするのが好ましく、0.005〜0.100%の範囲とするのがより好ましい。なお、合計量とは、Ti、B及びVのいずれか1種のみを含有する場合にはこの1種の量であり、いずれか2種を含有する場合にはこれら2種の合計量であり、3種全てを含有する場合にはこれら3種の合計量である。
また、本発明に用いるアルミニウム合金の残部は、Al及び不可避的不純物からなる。ここで、不可避的不純物としてはGa、Snなどが挙げられ、各々が0.10%未満で、かつ合計で0.20%未満であれば、本発明で得られるアルミニウム合金基板としての特性を損なうことはない。
次に、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板における金属間化合物の分布状態について説明する。
次にフラッタリング特性であるが、フラッタリング特性は、ハードディスクドライブのモーター特性によっても影響を受ける。本発明においては、フラッタリング特性は、空気中では、50nm以下であることが好ましく、30nm以下であることがより好ましい。50nm以下であれば一般的なHDD向けの使用に耐え得ると判断される。50nmを超える場合は、読み取り部であるヘッドの位置決め誤差が増加する。
次に、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板における平坦度について説明する。
次に、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板の引張強度について説明する。
以下に、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造工程の各工程及びプロセス条件を詳細に説明する。
250〜430℃の温度範囲が好ましく、250〜400℃の温度範囲がより好ましい。なお、250〜450℃の温度範囲で圧下率40%以上の熱間圧延を実施するには、熱間圧延開始温度を280〜600℃とし、熱間圧延終了温度は150〜400℃とすることが好ましい。なお、熱間圧延温度は、150〜600℃の範囲をとることができ、この温度範囲のうち250〜450℃にあるときの圧下率を40%以上とすることで、2μm以上3μm未満の最長径を有するAl−Fe系金属間化合物の分布密度を1000個/mm2以上とすることができ、めっき表面の平滑性が向上する。
最後に、下地めっき処理した磁気ディスク用のアルミニウム合金基盤の表面を研磨により平滑し、表面に下地層、磁性層、保護膜及び潤滑層等からなる磁性媒体をスパッタリングにより付着させ磁気ディスクとする(ステップS111)。
引張強度は、JISZ2241に準拠し、冷間圧延(ステップS105)後のアルミニウム合金板を250℃で3時間の焼鈍(加圧平坦化処理模擬加熱)を行った後、圧延方向に沿ってJIS5号試験片を採取してn=2にて測定した。強度の評価は、引張強度が130MPa以上の場合をA(優)、110MPa以上130MPa未満をB(良)、90MPa以上110MPa未満をC(可)、90MPa未満はD(劣)とした。
研削加工(ステップS108)後のアルミニウム合金基板断面を研磨後、光学顕微鏡により400倍の倍率で観察視野1mm2の範囲を観察し、粒子解析ソフトA像くん(商品名、旭化成エンジニアリング(株)社製)を用いて金属間化合物の最長径及び分布密度(個/mm2)の測定を行った。測定は、表面から厚さ方向に板厚の1/4部における断面を用いた。
めっき処理研磨(ステップS110)工程後のアルミニウム合金基盤を用いディスク・フラッタの測定を行った。ディスク・フラッタの測定は、市販のハードディスクドライブに空気の存在下、アルミニウム合金基盤を設置して測定を行った。ドライブはSeagate製ST2000(商品名)を用いて、モーター駆動はテクノアライブ製SLD102(商品名)をモーターに直結することにより駆動させた。回転数は7200rpmとし、ディスクは常に複数枚設置してその上部の磁気ディスクの表面にレーザードップラー計である小野測器製LDV1800(商品名)によって表面の振動を観察した。観察した振動は、小野測器製FFT解析装置DS3200(商品名)によってスペクトル分析した。観察はハードディスクドライブの蓋に孔を開けることにより、その穴からディスク表面を観察して行った。また、市販のハードディスクに設置されていたスクイーズプレートは外して評価を行った。
加圧平坦処理後のブランク50枚の平坦度を、平坦度測定器により測定した。平坦度の最大値が20μm以下のものをA(優)とし、平坦度の最大値が20μmを超えて30μm未満のものをB(良)とし、平坦度の最大値が30μm以上のものをD(劣)とした。なお、この平坦度はZyGO非接触フラットネス測定機で測定した値である。
めっき処理研磨(ステップS110)工程後のアルミニウム合金基盤表面における微細ピットの個数を求めた。SEMにより2000倍の倍率で観察視野を1mm2とし、最長径0.4μm以上0.9μm未満の大きさの微細ピットの個数を計測し、単位面積当たりの個数(個数密度:個/mm2)を求めた。
Claims (10)
- Fe:0.4〜3.0mass%、Si:0.10mass%未満、Mg:0.10mass%未満を含有し、残部Al及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、2μm以上3μm未満の最長径を有するAl−Fe系金属間化合物が1000個/mm2以上の分布密度で分散し、1μm以上の最長径を有するMg−Si系金属間化合物が1個/mm2以下の分布密度で分散することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
- 前記アルミニウム合金が、Mn:0.1〜3.0mass%、Ni:0.1〜3.0mass%、Cu:0.005〜1.000mass%、Cr:0.01〜1.00mass%及びZr:0.01〜1.00mass%からなる群から選択される1種又は2種以上を更に含有する、請求項1に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
- 前記アルミニウム合金が、Zn:0.005〜1.000massを更に含有する、請求項1又は2に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
- 前記アルミニウム合金が、含有量の合計が0.005〜0.500mass%以下のTi、B及びVからなる群から選択される1種又は2種以上を更に含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
- 平坦度が30μm以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
- 引張強度が90MPa以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の表面に、無電解Ni−Pめっき処理層とその上の磁性体層が設けられていることを特徴とする磁気ディスク。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳塊を鋳造する鋳造工程と、鋳塊を熱間圧延する熱間圧延工程と、熱間圧延板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したディスクブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程とを含み、前記熱間圧延工程において、250〜450℃の温度範囲で40%以上の圧下率で鋳塊を熱間圧延することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
- 前記鋳造工程と熱間圧延工程の間に、鋳塊を280〜620℃で0.5〜60時間加熱処理する均質化熱処理工程を更に含む、請求項8に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
- 前記冷間圧延の前又は途中において、圧延板を焼鈍する焼鈍処理工程であって、300〜390℃で0.1〜10時間のバッチ焼鈍処理工程、又は400〜500℃で0〜60秒の連続焼鈍処理工程を更に含む、請求項8又は9に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法。
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