JP6684865B2 - 磁気ディスク用基板及びその製造方法、並びに、当該磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスク - Google Patents
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Description
本発明に係る磁気ディスク用基板は、その表面の構成において特徴を有し、基板表面の平坦度に関する特性である。また、本発明に係る基板は、平坦度の制御に加えて、損失係数を向上させることが好ましい。以下、これらの特性に関して説明する。
1−1a.基板表面研磨の後の平坦度
本発明者等の検討によれば、磁性体付着前であって基板表面研磨の後の平坦度を小さくすることによって、基板のフラッタリング特性を向上させる効果が発揮される。この平坦度が大きい基板は、磁気ディスク装置作動時の空気抵抗が大きくなり、フラッタリング特性が低下する。一方、この平坦度が小さい基板は、フラッタリング特性の低下を抑制することができる。そのため、基板表面研磨の後の平坦度は30μm以下とする。基板表面研磨の後に行われるこの平坦度は、好ましくは20μm以下、より好ましくは10μm以下である。
そして、本発明者等によれば、上記した平坦度を有する基板について、190℃×20hの加熱処理を施したとき、当該処理前後の基板表面の平坦度の差を小さくすることによって、基板のフラッタリング特性を安定させる効果が発揮される。この加熱処理前後の平坦度の差が大きい基板は、内部歪が多く存在する。そのような基板においては、磁気ディスク装置作動時に温度が上昇した場合に内部歪が解放されて、基板の平坦度が悪化する。そのため、空気抵抗が大きくなりフラッタリング特性が低下する。
本発明に係る基板は、その損失係数を向上させることが好ましい。これにより、基板の耐衝撃性を向上させる効果が発揮される。基板の耐衝撃性の向上は、磁気ディスク装置の落下時等に基板に力が加わって振動が生じたとき、基板の平坦度の悪化を防止する効果を有する。基板の損失係数が高いほど、基板の振動が収束する時間が短時間で済むので、他の基板との接触を回避でき、基板同士の接触による平坦度悪化が防止されるからである。但し、基板の損失係数の適正値は、基板の板厚によって大きく変化する。これは板厚が薄くなるほど流体による励起力に対して抗力が失われるためである。
磁気ディスク用基板について、上述した平坦度に関する2つの基準を達成するには、その製造工程において、研磨工程を行った後に好適な加熱処理行うことが必要である。
本発明に係る磁気ディスク用基板は、アルミニウム合金で構成することができる。以下、本発明に係る磁気ディスク用のアルミニウム合金基板の合金組成及びその製造方法について、それぞれの詳細を説明する。
本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板に用いるアルミニウム合金は、第1の選択的元素として、Fe:0.10〜3.00mass%、及び、Mn:0.10〜3.00mass%の少なくともいずれかを含有することが好ましい(以下、mass%を単に「%」と記す。)。アルミニウム合金基板の耐フラッタリング性や耐衝撃性、めっき性を更に向上させるためである。
Feは、主として第二相粒子(Al−Fe系金属間化合物等)として存在すると共に、一部はマトリックスに固溶して存在する。第二相粒子生成とマトリックスへの固溶により、Feはアルミニウム合金基板のフラッタリング特性と損失係数を向上させる効果を発揮する。第二相粒子は、転位との相互作用により振動エネルギーを速やかに吸収し、良好なフラッタリング特性の材料を形成するからである。また、第二相粒子が増加することで、分散強化により合金の強度(ヤング率、耐力)も向上する。合金のヤング率や耐力が向上すると、磁気ディスク装置の落下時等に基板に力が加わって基板の振動が生じた際に、基板の振動による変形を弾性域内に留めることが可能となる。これにより、基板の平坦度変化を防止することが可能となる。
Mnは、主として第二相粒子(Al−Mn系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性と損失係数を向上させる効果を発揮する。第二相粒子は、転位との相互作用により振動エネルギーを速やかに吸収し、良好なフラッタリング特性の材料を形成する。また、第二相粒子が増加することで、分散強化により合金の強度(ヤング率、耐力)も向上する。これにより、基板の振動が生じた際に、基板の平坦度変化を防止することが可能となる。
Mgは、主としてマトリックスに固溶して存在し、一部は第二相粒子(Mg−Si系金属間化合物等)として存在する。これにより、アルミニウム合金基板の強度とヤング率を向上させる効果を発揮する。
Niは、主として第二相粒子(Al−Ni系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板のヤング率と強度を向上させる効果を発揮する。
Crは、主として第二相粒子(Al−Cr系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板のヤング率と強度を向上させる効果を発揮する。アルミニウム合金中のCr含有量が0.010%以上であることによって、アルミニウム合金基板のヤング率と強度を向上させる効果を一層高めることができる。また、アルミニウム合金中のCr含有量が5.000%以下であることによって、粗大なAl−Cr系金属間化合物粒子が多数生成することを抑制する。これにより、エッチング時、ジンケート処理時、切削加工時や研削加工時において、大きな窪みが発生することを抑制する。そして、めっき表面の平滑性の低下及びめっき剥離が生じることを一層抑制することができる。また、圧延工程における加工性低下を一層抑制することができる。以上の理由により、アルミニウム合金中のCr含有量は、0.010〜5.000%の範囲とするのが好ましい。Cr含有量は、0.100〜1.000%の範囲とするのがより好ましい。
Zrは、主として第二相粒子(Al−Zr系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板のヤング率と強度を向上させる効果を発揮する。
Znは、ジンケート処理時のAl溶解量を減少させ、またジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっき工程での平滑性及び密着性を向上させる効果を発揮する。また、他の添加元素と第二相粒子を形成し、ヤング率と強度を向上させる効果を発揮する。
Cuは、主として第二相粒子(Al−Cu系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板の強度とヤング率を向上させる効果を発揮する。また、ジンケート処理時のAl溶解量を減少させる。更に、ジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させ、次工程のめっき工程での平滑性を向上させる効果を発揮する。
Siは、主に第二相粒子(Si粒子やAl−Fe−Si系金属間化合物等)として存在し、アルミニウム合金基板のフラッタリング特性と損失係数、ヤング率及び強度を向上させる効果を発揮する。このような材料に振動を加えると、第二相粒子と転位との相互作用により振動エネルギーが速やかに吸収され、良好なフラッタリング特性と損失係数が得られる。また、アルミニウムよりもヤング率が高い第二相粒子が増加することで、ヤング率が向上する。更に、第二相粒子が増加することで、分散強化により強度が向上する。
Ti、B及びVは、鋳造時の凝固過程において、第二相粒子(TiB2などのホウ化物、或いは、Al3TiやTi−V−B粒子等)を形成し、これらが結晶粒核となるため、結晶粒を微細化することが可能となる。その結果、めっき性が改善する。また、結晶粒が微細化することで、第二相粒子のサイズの不均一性を小さくし、アルミニウム合金基板中のフラッタリング特性と損失係数、ヤング率、強度のバラツキを低減させる効果を発揮する。
本発明に用いるアルミニウム合金の残部は、Al及び不可避的不純物からなる。ここで、不可避的不純物としてはGa、Sn等が挙げられる。不可避的不純物となる元素は、各々が0.10%未満で、かつ合計で0.20%未満であれば、本発明で得られるアルミニウム合金基板としての特性を損なうことはない。
以下に、本実施形態に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造工程の各工程及びプロセス条件を詳細に説明する。図1は、本実施形態に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板、並びに、これを用いた磁気ディスクの製造方法を説明するフローである。図1において、アルミニウム合金成分の調整工程(ステップS101)〜冷間圧延(ステップS105)は、溶解鋳造でアルミニウム合金素材を製造し、これをアルミニウム合金板にする工程である。次いで、加圧平坦工程(ステップS106)によって、アルミニウム合金のディスクブランクが製造される。そして、製造したディスクブランクに対して切削加工・研削加工工程(ステップS107)等の前処理を行い、ジンケート処理(ステップS109)及びNi−Pめっき処理(ステップS110)を行った後、表面研磨及び加熱処理(ステップS111)を経て、磁気ディスク用アルミニウム合金基板が製造される。製造された磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、磁性体の付着工程(ステップS111)によって磁気ディスクとなる。以下、この図1のフローに従いつつ、各工程の内容を詳細に説明する。
本発明に係る磁気ディスク用基板は、ガラス材料で構成することもできる。以下、本発明に係る磁気ディスク用のガラス基板について、適用されるガラス材料と基板の製造方法について、それぞれの詳細を説明する。
ガラスの材料としては、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどのガラスセラミックスを用いることができる。尚、成形性や加工性の観点からアモルファスガラスを用いることが好ましい。例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることが好ましい。
次に、本実施形態に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一例について説明する。図2は、本実施形態に係る磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクの製造方法の一例を示すフロー図である。以下、この図2のフローに従いつつ、各工程の内容に説明する。
まず、表1〜3に示す成分組成の各合金素材を常法に従って溶解し、アルミニウム合金溶湯を溶製した(ステップS101)。表1〜3中「−」は、測定限界値未満を示す。
表7に示す実施例57〜63、比較例7〜13として、リドロー法を用いてアルミノシリケートガラスからなるガラス板を製造して、磁気ディスク用ガラス基板を製造した。
加熱処理(ステップS112、S206)後の磁気ディスク用基板について、以下の方法により、平坦度(加熱処理後、190℃×20hの加熱処理後)、ディスクフラッタリング特性、損失係数特性の評価を行った。
まず、上記の通り研磨後の加熱処理を行った磁気ディスク用基板について平坦度を測定した。その後、基板について190℃×20hの加熱処理を行って、加熱処理後の平坦度を測定し、加熱処理前の平坦度との差を算出した。尚、平坦度の意義については上述のとおりである。また、平坦度の測定は、ZyGO非接触フラットネス測定機にて行った。
研磨後の加熱処理(ステップS112、S206)後の磁気ディスク用基板について、190℃×20hの加熱処理を行った後、ディスクフラッタリングの測定を行った。ディスクフラッタリング特性は、ハードディスクドライブに空気の存在下、アルミニウム合金基板、ガラス基板を設置して測定を行った。ハードディスクドライブは市販の3.5インチハードディスクドライブであり、モーター駆動は、ブラシレスモータドライバ(商品名:SLD102 テクノハンズ株式会社製)をモーターに直結することにより駆動させた。
研磨後の加熱処理(ステップS112、S206)後の磁気ディスク用基板から、60mm×8mmのサンプルを採取し、減衰法により損失係数を測定した。そして、基板の厚さ(mm)を基に、損失係数×板厚を算出した。尚、損失係数の測定は、日本テクノプラス株式会社製のJE−RT型の測定装置を用い室温で行った。
Claims (7)
- ガラス材料からなる磁気ディスク用基板において、
前記ガラス材料は、アルミノシリケートガラスであり、
平坦度が30μm以下であり、
190℃×20hの加熱処理をした前後の平坦度の差が20μm以下となることを特徴とする磁気ディスク用基板。 - アルミニウム合金からなる磁気ディスク用基板において、
前記アルミニウム合金は、Fe:0.10〜3.00mass%、及び、Mn:0.10〜3.00mass%の少なくともいずれかを含有し、残部Al及び不可避的不純物からなり、
平坦度が30μm以下であり、
190℃×20hの加熱処理をした前後の平坦度の差が20μm以下となることを特徴とする磁気ディスク用基板。 - アルミニウム合金は、Mg:0.100〜5.000mass%、Ni:0.100〜5.000mass%、Cr:0.010〜5.000mass%、Zr:0.010〜5.000mass%、Zn:0.005〜5.000mass%、Cu:0.005〜5.000mass%、及び、Si:0.10〜0.40mass%、からなる群から選択される1種又は2種以上の元素を更に含有する、請求項2に記載の磁気ディスク用基板。
- アルミニウム合金は、Ti、B、及び、Vからなる群から選択される1種又は2種以上の元素を、合計含有量で0.005〜5.000mass%更に含有する、請求項2又は請求項3に記載の磁気ディスク用基板。
- 板厚(mm)と損失係数との積が、0.10×10−3以上である請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の製造方法であって、
少なくとも1回の研磨工程を行って磁気ディスク用基板とする工程を含み、
更に、前記研磨工程の最後の研磨工程での研磨後72h以内に、研磨後の磁気ディスク用基板を100〜250℃で加熱処理する工程を含む磁気ディスク用基板の製造方法。 - 磁気ディスクにおいて、
請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の表面に、磁性体層が設けられていることを特徴とする磁気ディスク。
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