JPWO2020031114A5 - - Google Patents

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ここで、図面を参照して本出願をより詳細に説明する。
図1は、本出願の低温分子インク(NRC-848A3a)から生成された、プリントされ焼結されたトレースの3次元プロフィロメータ画像と、結果的に生じる断面を示していて、その断面は、インクで達成することができる線幅及び線間隔(L/S)を強調する。 図2は、低温分子インク(NRC-848A3a)から生成された、プリントされ焼結されたトレースの別の3次元プロフィロメータ画像と、結果的に生じる断面を示していて、その断面は、インクで達成することができる線幅及び線間隔(L/S)をさらに強調する。 図3は、(1)異なる温度で処理された本出願の別のインク(NRC-849A1)から生成された約512μmの線幅を有する導電性銀トレース(上)、及び(2)異なる温度で処理された本出願の別のインク(NRC-850A)から生成された約444μmの線幅を有する導電性銀トレース(下)についての、シート抵抗値(mΩ/□/ミル)対温度(℃)のグラフを示す。 図4は、(1)120℃で5分間熱焼結されており、チキソトロピー剤がインクに含まれず、且つインクが高湿度(>50%)でプリントされた場合のトレース形状に対する効果を実証しているインクNRC-849A1(左画像)、及び(2)120℃で5分間熱焼結されており、チキソトロピー剤がインクに含まれ、且つインクが高湿度(>50%)でプリントされた場合のトレース形状に対する効果を実証しているインクNRC-850A1(右画像)、から生成されたスクリーンプリントトレースを示す。 図5は、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PET-G)基板上にプリントされ、75℃で乾燥され、台形形状上に熱成形され、15J/cmのエネルギーで光焼結されて、インクを銀トレースに変換するインクNRC-850A2のトレースの上面図を示す。 図6は、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PET-G)基板上にプリントされ、75℃で乾燥され、120℃で焼結されてインクを銀トレースに変換し、続いてドーム及び半円筒形状上に熱成形されたインクNRC-850A3のトレースの上面図を示す。 図7は、インクNRC-850A及びDupontのPE873インクからプリントされた銀線の正規化抵抗を印加された歪みの関数として示していて、そこでは、線はオゾン処理されたポリエステルポリウレタン(American Polyfilm VLM-4001)上にプリントされている。 図8は、インクNRC-850A及びDupontのPE873インクからプリントされた銀線の正規化抵抗を印加された歪みの関数として示していて、そこでは、線はポリウレタンソフトシームテープ(Bemis ST604)上にプリントされている。 図9は、(1)インクNRC-850Aをポリウレタン上にプリントするために使用された蛇行パターン(上)、及びインクNRC-850Aを使用してプリントされた銀線に対する印加された歪みの関数としての正規化抵抗(下)を示していて、そこでは、線はオゾン処理されたポリエステルポリウレタン(American Polyfilm VLM-4001)上にプリントされている。「予歪みされた」サンプルでは、ポリウレタン基板は、インクが基板上に堆積されたときに線の方向に10%延伸されている。 図10は、本出願の実施形態による2つの片面がオーバーモールドされたプリント電子部品の概略図である。 図11は、本出願の一実施形態による両面がオーバーモールドされたプリント電子部品の概略図である。 図12は、本出願の一実施形態による両面がオーバーモールドされたプリント電子部品の概略図(上面図:左、断面:右)であり、ベンティング及びゲーティング機能の統合を示している。 図13は、熱成形の非存在下で同じ処理を受けるトレースと比較して、DYMAXフラッドランプシステムを用いたUV処理後に熱成形された3D線形トレース(青色の円及び青色の傾向線;上側の傾向線を参照)、及びUVコンベアシステム(緑色の円及び緑色の傾向線;下側の傾向線を参照)についての、抵抗対線幅のプロットであり、そこでは、DYMAXフラッドランプシステムで処理したサンプルは赤色の円として示され、UVコンベアシステムについてのサンプルは黄色の円として示される。 図14は、高さ1cmのドーム形状上に熱成形された線形トレースの写真(a)、及び「a」パネルの右上角まで黄色の長方形で強調された3つの最も幅の広いトレースの拡大である。熱成形のみによって生成されたトレースは亀裂が入る(bi-iii)が、DYMAXフラッドランプシステム(ci-iii)及びUVコンベアシステム(di-iii)からのUV光で処理されたトレースは亀裂がはるかに入りにくいことに留意されたい。 図15は、シュウ酸銀系分子インクのSEM画像であり、そこでスクリーンプリントインクはDYMAXフラッドライトシステム(a)又はUVコンベアシステム(b)を用いてUV光処理されて、銀ナノ粒子の形成を開始する。UV処理後、トレースは熱成形されて、相互接続された銀ナノ粒子を含む導電性銀フィルムを生成する。DYMAXフラッドライトシステムを用いた処理後に生成されたトレースは、UVコンベアシステム(d)で処理されたトレースで生成されたものよりもわずかに大きい粒子を有し、凝集が少ない(c)。 図16は、熱成形され、MPR121静電容量式タッチセンサブレイクアウトを有するArduino Microに取り付けられた、熱成形された静電容量式タッチHMI回路の線形トレースの写真(a)、及び導電性銀エポキシを使用して回路の表面に取り付けられた3つのLEDの照明の例(b)である。 図17は、UV処理を用いない直接型熱焼結から生成された熱成形されたトレースのSEM画像である。より大きな銀ナノ粒子が存在する場所に空隙及び亀裂が存在し、ナノ粒子がより小さい領域は均一であることに留意されたい。 図18は、本出願の一実施形態による両面がオーバーモールドされたプリント電子部品の概略図である。
オーバーモールドされたプリントされた電子部品10では、任意選択で、導電性トレース14を調製するために使用される低温分子インクなどのインクの複数の層を、誘電体インク層20を調製するために使用される誘電体インク上に適用することができる。あるいは、低温分子インクなどのインクの1つの層を使用することができる。片面オーバーモールドされたプリントされた電子部品10では、インク層は典型的には重なり合っており、例えば、装飾インク層18は、照明のための窓を除いて基板12の表面の大部分を覆い、誘電インク層20は、基板12の表面を部分的に覆う。図10を参照すると、限定はしないが、発光ダイオード(LEDs)、有機発光ダイオード(OLEDs)及び超音波センサなどの電気構成要素22が、本出願の方法における熱成形の前に導電性接着剤を使用して、基板12に任意選択で結合される。ガラス繊維強化層24もまた任意であり、例えば、オーバーモールドされたプリント電子部品10の剛性を増加させながら重量を減少させるために使用されてもよい。図10はまた、例えば、最終的なオーバーモールドされたプリント電子部品10の耐引掻性を増加させるために適用されることもできる、基板12の第2の側に結合された任意の紫外線(UV)ハードコート層(26)を示す。本出願の方法では、UV硬化は、基板12の熱成形後に完了する。本出願のいくつかの実施形態では、オーバーモールド樹脂16は、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のいずれかであり得る。本出願の他の実施形態では、オーバーモールド樹脂16は熱硬化性樹脂である。オーバーモールド樹脂16は、任意選択で、発泡されるか、又はガラス微小球を含む。あるいは、オーバーモールド樹脂16は純樹脂である。場合によっては、着色オーバーモールド樹脂16が望ましい。例えば、照明機能が基板12に直接結合される場合である。あるいは、2つのスキンが使用される場合、透明又は不透明な樹脂は、オーバーモールドされたプリント電子部品10を通して光透過を可能にする。

Claims (17)

  1. オーバーモールドされたプリント電子部品を製造する方法であって、
    基板上に分子インクを堆積させて、前記基板の第1の表面上に前記インクの非導電性トレースを形成することと、
    前記基板上の前記インクの前記非導電性トレースを焼結して、前記基板の前記第1の表面上に導電性銀トレースを形成することと、
    前記基板の前記第1の表面上の前記導電性銀トレース上にオーバーモールド樹脂又はその前駆体を射出することと、
    前記オーバーモールド樹脂を硬化させるか、又はその前駆体を硬化させて、前記オーバーモールドされたプリント電子部品を得ることと、
    を含む方法。
  2. 前記方法は、前記分子インクを堆積させた後であって、且つ前記非導電性トレースを焼結する前に、前記基板を熱成形して成形基板を得ることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記方法は、前記非導電性トレースを焼結した後であって、且つ前記オーバーモールド樹脂又はその前駆体を射出する前に、前記基板を熱成形して成形基板を得ることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記方法は、前記基板を熱成形する前に、1つ以上の電子部品を前記基板の前記第1の表面に結合することをさらに含前記1つ以上の電子部品が、ダイオード、発光ダイオード(LEDs)、有機発光ダイオード(OLEDs)、集積配線コネクタ、基本電気ハードウェア、集積チップ、抵抗器、コンデンサ、トランジスタ、及び超音波センサから選択される、請求項2又は3に記載の方法。
  5. 前記方法は、前記基板を熱成形した後であって、且つ前記オーバーモールド樹脂又はその前記前駆体を射出する前に、前記基板の前記第1の表面上にガラス繊維強化層を導入することをさらに含む、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記方法は、前記分子インクを堆積させる前に、前記基板の前記第1の表面上に1つ以上の装飾インクを堆積させることをさらに含む、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記方法は、前記分子インクを堆積させる前に、又は前記分子インクを堆積させた後であって、且つ前記非導電性トレースを焼結する前、又は任意選択で前記基板を熱成形する前に、前記基板の前記第1の表面上に誘電体インクを堆積させることをさらに含む、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記方法は、前記基板上への前記分子インクの堆積を繰り返して、導電性銀トレースの複数の層を得ることを含む、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記方法は、前記基板を熱成形した後に、前記基板の第2の表面に紫外線硬化性ハードコートを適用することをさらに含む、請求項2からのいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記基板が、ポリエチレンテレフタレート(PET:polyethylene terephthalate)、非晶質ポリエチレンテレフタレート(APET:amorphous polyethylene terephthalate)、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート(PET-G:glycol modified polyethylene terephthalate)、ポリオレフィン(polyolefin)、ポリジメチルシロキサン(PDMS:polydimethylsiloxane)、ポリスチレン(polystyrene)、ポリカーボネート(polycarbonate)、ポリイミド(polyimide)、熱可塑性ポリウレタン(TPU:thermoplastic polyurethane)、シリコーン膜(silicone membrane)、ポリカーボネート-アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS:polycarbonate-acrylonitrile butadiene styrene)ブレンド、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS:acrylonitrile butadiene styrene)、熱可塑性オレフィン(TPO:thermoplastic olefins)、ポリフェニレンスルフィド(PPS:polyphenylene sulfide)、ポリベンズイミダゾール(PBI:polybenzimidazole)、ポリプロピレンポリベンジルイソシアネート(PPI:polypropylene polybenzyl isocyanate)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK:polyether ether ketone)又はポリフッ化ビニリデン(PVDF:polyvinylidene fluoride)を含前記基板は好ましくはポリカーボネートである、請求項1からのいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記分子インクは、
    カルボン酸銀(silver carboxylate)、好ましくはシュウ酸銀(silver oxalate)および/または、
    有機アミン化合物(organic amine compound)、好ましくはアミノ-2-プロパノール(amino-2-propanol)および/または、
    有機ポリマーバインダー(organic polymer binder)、好ましくはヒドロキシエチルセルロース(hydroxyethyl cellulose)および/または、
    表面張力調整剤、好ましくはグリコール酸(glycolic acid)もしくは乳酸(lactic acid)および/または、
    溶剤、好ましくはジプロピレングリコールメチルエーテル(dipropylene glycol methyl ether)を、含み、
    前記オーバーモールド樹脂が熱可塑性樹脂であり、
    前記オーバーモールド樹脂の前記前駆体が、熱硬化性樹脂の前駆体である、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記焼結が、光焼結、熱焼結又はUV焼結を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
  13. 前記分子インク又は導電性トレースインクが、カルボン酸銀(silver carboxylate)又はカルボン酸銅(copper carboxylate)及び有機アミン化合物(organic amine compound)を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記カルボン酸銀がC1~10アルカノエート(C1~10 alkanoate)であるか、又は前記カルボン酸銅がC1~12アルカノエート(C1~12 alkanoate)である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記非導電性トレースが、焼結又は硬化の前に広帯域UV光で処理される、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
  16. オーバーモールドされたプリント電子部品であって、
    基板の第1の表面に結合された導電性トレースと、
    前記基板の前記第1の表面に結合された前記導電性トレース上にオーバーモールドされた熱硬化性樹脂と、
    を含むプリント電子部品。
  17. 前記導電性トレースが、低温分子インクから製造された導電性銀トレースであ前記分子インクは、カルボン酸銀(silver carboxylate)、有機アミン化合物(organic amine compound)、有機ポリマーバインダー(organic polymer binder)、表面張力調整剤、および、溶剤を含む、請求項16に記載のオーバーモールドされたプリント電子部品。
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