JPWO2020003824A1 - エポキシ樹脂組成物及びその硬化物 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、前記硬化剤が、活性エステル構造を有する、エポキシ樹脂組成物。
[2]前記α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が、以下の式(1)で表される構造を有する、[1]に記載のエポキシ樹脂組成物。
[3]前記硬化剤が、以下の式(2)で表される構造を有する、[1]又は[2]に記載のエポキシ樹脂組成物。
[4]前記硬化剤が、フェノール性水酸基を2つ以上有する化合物と芳香族モノカルボン酸またはその酸ハロゲン化物とを必須の反応原料とする活性エステル化合物又は樹脂である[1]又は[2]に記載のエポキシ樹脂組成物。
[5]さらに硬化促進剤を含有する、[1]から[4]のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
[6][1]から[5]のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物。
[7][1]から[5]のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いたプリント配線基板。
[8][1]から[5]のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体封止材料。
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物(以下、単に「樹脂組成物」ともいう。)は、α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂及び硬化剤を含有する。
α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂は、分子主骨格にα−ナフトール由来の官能基とビフェニル基とを有するエポキシ樹脂である。こうした分子主骨格を有するエポキシ樹脂と、後述する活性エステル構造を有する硬化剤とを組み合わせることで、優れた耐熱性及び密着性を有するとともに、従来よりも優れた誘電特性を有する硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
硬化剤は、活性エステル構造を有する。「活性エステル構造」とは、フェノール基及び芳香族カルボン酸基に由来するエステル構造を意味している。硬化剤は、活性エステル構造を有する化合物又は樹脂(以下、単に「活性エステル樹脂」ともいう。)で構成することができる。活性エステル樹脂の具体的な例としては、フェノール性水酸基を1つ有する化合物(a1)、フェノール性水酸基を2つ以上有する化合物(a2)及び芳香族ポリカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(a3)から選択される化合物を反応原料とする活性エステル樹脂(I)、フェノール性水酸基を2つ以上有する化合物(b1)、芳香族モノカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(b2)及び芳香族ポリカルボン酸又はその酸ハロゲン化物(b3)から選択される化合物を反応原料とする活性エステル樹脂(II)が挙げられる。これらは単独で使用しても、併用しても良い。
(但し式(8)中、lは1以上の整数、R3は水素原子、アルキル基、アリール基を示す。)
式(8)において、lは好ましくは1〜20、より好ましくは1〜15、さらに好ましくは1〜12の整数である。アルキル基としては、炭素原子数1〜20、好ましくは炭素原子数1〜6のアルキル基を挙げることができる。炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ノルマルヘキシル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。アリール基としては、ベンジル基、ナフチル基、メトキシナフチル基等を挙げることができる。
樹脂組成物中のα−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂及び活性エステル樹脂の配合量は、α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂中のエポキシ基1モルに対して、活性エステル樹脂中のアリールオキシカルボニル基が0.15〜5モルとなる配合量が好ましく、0.9〜2.0モルとなる配合量がさらに好ましい。上記配合量とするとα−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂の硬化が十分に行われ、誘電正接の低い硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を容易に得ることができる。
樹脂組成物は、必要に応じて、硬化促進剤を含有することができる。硬化促進剤としては、例えば、リン系化合物、第3級アミン、イミダゾール、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等を挙げることができる。特にビルドアップ材料用途や回路基板用途として使用する場合には、耐熱性、誘電特性、耐ハンダ性等に優れる点から、ジメチルアミノピリジンやイミダゾールが好ましい。特に半導体封止材料用途として使用する場合には、硬化性、耐熱性、電気特性、耐湿信頼性等に優れる点から、リン系化合物ではトリフェニルフォスフィン、第3級アミンでは1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−ウンデセン(DBU)が好ましい。硬化促進剤の使用量は、α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂100質量部に対して、0.01〜5.0質量部の範囲であることが好ましく、0.01〜2.0質量部の範囲であることがより好ましい。上記範囲にすることで、十分な硬化反応速度が得られるとともに、より耐熱性に優れた硬化物を与える樹脂組成物を得ることができる。
樹脂組成物は、更にその他の樹脂成分を含有しても良い。その他の樹脂成分としては、例えば、シアン酸エステル樹脂;ビスマレイミド樹脂;ベンゾオキサジン樹脂;ジアリルビスフェノールやトリアリルイソシアヌレートに代表されるアリル基含有樹脂;ポリリン酸エステルやリン酸エステル−カーボネート共重合体等を挙げることができる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、2種類以上を併用しても良い。
樹脂組成物は、公知慣用の熱硬化法により、例えば、20〜250℃程度の温度範囲で加熱硬化させ、成型することができる。
本実施形態に係る樹脂組成物の硬化物は、140℃以上のガラス転移温度を有し耐熱性に優れているとともに、1GHzにおける誘電正接が2.0×10−3未満という低い誘電正接を示すことができ、密着性も従来材料と同等以上である。以上のことから、プリント配線基板や半導体封止材料、レジスト材料等の電子材料用途に好ましく用いることができる。
樹脂組成物をプリント配線基板用途やビルドアップ接着フィルム用途に用いる場合、一般には有機溶剤を配合して希釈して用いることが好ましい。有機溶剤としては、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等を挙げることができる。有機溶剤の種類や配合量は樹脂組成物の使用環境に応じて適宜調整できるが、例えば、プリント配線基板用途では、メチルエチルケトン、アセトン、ジメチルホルムアミド等の沸点が160℃以下の極性溶剤であることが好ましく、不揮発分が40〜80質量%となる割合で使用することが好ましい。ビルドアップ接着フィルム用途では、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等を用いることが好ましく、不揮発分が30〜70質量%となる割合で使用することが好ましい。
樹脂組成物を半導体封止材料用途に用いる場合、一般には上記のような無機質充填材を配合することが好ましい。半導体封止材料は、例えば、押出機、ニーダー、ロール等を用いて配合物を混合して調製することができる。得られた半導体封止材料を用いて半導体パッケージを成型する方法は、例えば、該半導体封止材料を注型或いはトランスファー成形機、射出成型機などを用いて成形し、更に50〜200℃の温度条件下で2〜10時間加熱する方法を挙げることができ、このような方法により、成形物である半導体装置を得ることができる。
JIS K7234に準拠した。
(2)GPC測定
装置:東ソー株式会社製「HLC−8220 GPC」により下記の条件下に測定した。
・カラム:東ソー株式会社製ガードカラム「HXL−L」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G2000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G3000HXL」
+東ソー株式会社製「TSK−GEL G4000HXL」
・カラム温度: 40℃、
・溶媒:テトラヒドロフラン
・流速:1mL/min
・検出器:RI
(3)溶融粘度測定
(東亜工業株式会社)製「コーンプレート粘度計CV−1S」により測定した。
[合成例1]α−ナフトールビフェニルアラルキル型樹脂(A−1)の合成
撹拌機、冷却管、及び窒素封入口が備わったフラスコに、窒素ガスを吹き込みながら、α−ナフトール360部、トルエン586部、ビスクロロメチルビフェニル377部を仕込み、80℃に加熱した。ここに、49%水酸化ナトリウム水溶液245部を1時間かけて滴下したのち、90℃に加熱して11時間ホールドした。85%リン酸を使用してpHが中性になるまで中和し、撹拌を停止し下層を抜き出した。パラトルエンスルホン酸15部を添加し、揮発成分を留去しながら2時間かけて180℃まで加熱したのち、49%水酸化ナトリウム水溶液を使用してpHが中性になるまで中和し、内温を維持しながら減圧し、揮発分を留去したのち、得られた樹脂を取り出してα−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(A−1)を得た。水酸基当量は272g/eqであった。
温度計、冷却管、及び撹拌器を取り付けたフラスコに窒素ガスパージを施しながら、合成例1−1で得られたα−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(A−1)272g(水酸基当量1.0g/eq)、エピクロルヒドリン740g(8.0モル)、n−ブタノール53gを仕込み溶解させた。50℃に昇温した後に、20%水酸化ナトリウム水溶液220g(1.10モル)を3時間要して添加し、その後更に50℃で1時間反応させた。反応終了後、150℃減圧下で未反応エピクロルヒドリンを留去した。次に、得られた粗エポキシ樹脂にメチルイソブチルケトン600gとn−ブタノール100gとを加え溶解した。更にこの溶液に10重量%水酸化ナトリウム水溶液15部を添加して80℃で2時間反応させた後に洗浄液のpHが中性となるまで水200gで水洗を3回繰り返した。次いで共沸によって系内を脱水し、精密濾過を経た後に、溶媒を減圧下で留去してエポキシ樹脂(A−2)を得た。得られたエポキシ樹脂(A−2)の軟化点は100℃であり、エポキシ当量は325g/eqであった。図1に、得られたエポキシ樹脂(A−2)のGPCチャートを示す。
ビスクロロメチルビフェニルをパラキシレンジクロリド263部に変更した以外は合成例1−1と同様に操作して、α−ナフトールアラルキル樹脂(B−1)を得た。水酸基当量は224g/eqであった。
α−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(A−1)を比較合成例1で得られたα−ナフトールアラルキル樹脂(B−1)224部に変更した以外は、合成例2と同様の操作を行い、エポキシ樹脂(B−2)を得た。得られたエポキシ樹脂(B−2)の軟化点は83℃、エポキシ当量は274g/eqであった。図2に、得られたエポキシ樹脂(B−2)のGPCチャートを示す。
ビスクロロメチルビフェニルをパラキシレンジクロリド263部に変更し、α−ナフトールをβ―ナフトール360部に変更した以外は合成例1と同様に操作して、β−ナフトールアラルキル樹脂(B−3)を得た。水酸基当量は224g/eqであった。
α−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(A−1)を比較合成例3で得られたβ−ナフトールアラルキル樹脂(B−3)224部に変更した以外は合成例2と同様の操作を行い、エポキシ樹脂(B−4)を得た。得られたエポキシ樹脂(B−4)の軟化点は95℃、エポキシ当量は292g/eqであった。図3に、得られたエポキシ樹脂(B−4)のGPCチャートを示す。
撹拌機、冷却管、及び窒素封入口が備わったフラスコに、窒素ガスを吹き込みながら、α−ナフトール360部、パラキシレングリコールジメチルエーテル208部、パラトルエンスルホン酸11部を仕込み、揮発分を留去しながら内温180℃まで加熱した。そのまま2時間ホールドしたのち、49%水酸化ナトリウム水溶液を使用してpHが中性になるまで中和した。190℃まで加熱後、内温を維持しながら減圧、水蒸気蒸留を行い、揮発分を留去した。得られた樹脂を取り出してメトキシ変性α−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(B−5)を得た。水酸基当量は298g/eqであった。GPCの2核体ピークから計算したメトキシ化率は20%であった。
α−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(A−1)を比較合成例5で得られたメトキシ変性α−ナフトールビフェニルアラルキル樹脂(B−5)298部に変更した以外は、合成例2と同様の操作を行い、エポキシ樹脂(B−6)を得た。得られたエポキシ樹脂の軟化点は96℃、エポキシ当量は357g/eqであった。図4に、得られたエポキシ樹脂(B−6)のGPCチャートを示す。
[合成例3]活性エステル樹脂(C−1)の合成
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、及び攪拌器を取り付けたフラスコにイソフタル酸クロリド202.0g(酸クロリド基のモル数:2.0モル)及びトルエン1250gを仕込み、系内を減圧窒素置換し、溶解させた。次いで、α−ナフトール288.0g(2.0モル)を仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。その後、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.63gを溶解させ、窒素ガスパージを施しながら、系内を60℃以下に制御して、20%水酸化ナトリウム水溶液420gを3時間かけて滴下した。次いでこの条件下で1.0時間攪拌を続けた。反応終了後、静置分液し、水層を取り除いた。更に反応物が溶解しているトルエン層に水を投入して約15分間攪拌混合し、静置分液して水層を取り除いた。水層のpHが7になるまでこの操作を繰り返した。その後、熱減圧下乾燥して活性エステル樹脂(C−1)を得た。この活性エステル樹脂1のエステル化当量は209g/eq、溶融粘度は0.04dPa・s(200℃)であった。軟化点は79℃であった。なお、活性エステル樹脂C−1は、上記した式(2)においてXがα―ナフトール残基であり、nが0である示す構造を有する活性エステル樹脂に相当する。
温度計、滴下ロート、冷却管、分留管、撹拌器を取り付けたフラスコにジシクロペンタジエンとフェノールとの重付加反応樹脂(水酸基当量:165g/eq、軟化点85℃)165g、α−ナフトール72g(0.5モル)、及びトルエン630gを仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。次いで、イソフタル酸クロライド152g(0.75モル)を仕込み、系内を減圧窒素置換し溶解させた。その後、窒素ガスパージを施しながら、系内を60℃以下に制御して、20%水酸化ナトリウム水溶液210gを3時間かけて滴下した。次いでこの条件下で1.0時間撹拌を続けた。反応終了後、静置分液し、水層を取り除いた。更に反応物が溶解しているトルエン層に水を投入して約15分間撹拌混合し、静置分液して水層を取り除いた。水層のpHが7になるまでこの操作を繰り返した。その後、熱減圧下乾燥して活性エステル樹脂(C−2)を合成した。この活性エステル樹脂(C−2)のエステル化当量は223g/eq、軟化点は150℃であった。溶融粘度は100dPa・s(200℃)であった。なお、活性エステル樹脂(C−2)は、上記した式(2)においてXがα―ナフトール残基であり、nが平均して2であり、Yが化学式(4)で表され、Zが(5−3)、Ar1がフェノール残基である構造を有する活性エステル樹脂に相当する。
α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(A−2)、活性エステル(C−1)、及び硬化促進剤(N,N−ジメチル−4−アミノピリジン、和光純薬工業株式会社製、特級)を、表1に示す配合で、熱風乾燥機を用いて150℃で加熱混合した後、冷却して固形化してエポキシ樹脂組成物を得た。
表1に示す配合とした以外は実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を得た。なお、比較例4では、エポキシ樹脂として、日本化薬株式会社製のフェノール・ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(エポキシ当量278g/eq)を用いた。
実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を用いて、以下の方法で作製した試験片について、以下の方法で耐熱性及び誘電特性を評価した。結果を表1に示した。
実施例及び比較例のエポキシ樹脂組成物を150℃プレスにて10分間プレスして、硬化させ、成形した後、更に175℃で5時間加熱して、80mm×100mm×厚さ1.6mmの試験片を得た。
粘弾性測定装置(DMA:レオメトリック社製固体粘弾性測定装置RSAII、レクタンギュラーテンション法;周波数1Hz、昇温速度3℃/min)を用いて、弾性率変化が最大となる(tanδが最も大きい)温度をガラス転移温度として評価した。
JIS−C−6481に準拠し、アジレント・テクノロジー株式会社製インピーダンス・マテリアル・アナライザ「HP4291B」により、絶乾後23℃、湿度50%の室内に24時間保管した後の試験片の1GHzでの値を測定した。実施例1のエポキシ樹脂組成物は、硬化物の誘電正接が0.0020以下であり、優れた誘電特性を有する硬化物を得ることができる。
エポキシ樹脂(A−2)及び活性エステル樹脂(C−2)を、表2に示す配合で計量したのち、メチルエチルケトン(MEK)にて不揮発分60%に調整し自転公転ミキサーを使用して溶解した。触媒であるN,N−ジメチル−4−アミノピリジンをゲルタイムが5〜7分以内となるように調整して配合した後、下記の通りの条件でガラスクロス積層板を作成した。
(積層板の作成条件)
基材:日東紡績株式会社製ガラスクロス「#2116」(210×280mm)
銅箔:JX日鉱日石金属株式会社製「JTC箔」(18μm)
プライ数:6
プリプレグ化条件:160℃
硬化条件:200℃、40kg/cm2で1.5時間
成型後板厚:0.8mm
表2の配合とした以外は、実施例2と同様にして、積層板を作成した。
[ピール強度]
実施例及び比較例の積層板について、JIS−6911に準拠し、先で得た積層板を幅10mm、長さ200mmのサイズに切り出し、これを試験片として銅箔のピール強度を測定した結果を表2に示した。実施例の積層板は従来と同等かそれ以上のピール強度を有している。
Claims (8)
- α−ナフトールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、及び硬化剤を含有し、前記硬化剤が、活性エステル構造を有する、エポキシ樹脂組成物。
- 前記硬化剤が、フェノール性水酸基を2つ以上有する化合物と芳香族モノカルボン酸またはその酸ハロゲン化物とを必須の反応原料とする活性エステル化合物又は樹脂である、請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- さらに硬化促進剤を含有する、請求項1から4のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物を用いたプリント配線基板。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体封止材料。
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