JPWO2019224993A1 - 透過型電子顕微鏡試料の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
被加工体であるレーザダイオードから当該レーザダイオードが有する多重量子井戸活性層を含む直方体形状の塊状体を切り出す工程、
前記塊状体の上面の隣接する2つの角部に、前記塊状体の上面に対して傾斜した傾斜斜めカット部を形成した試料を作製する工程、
前記試料を表面から加工して前記多重量子井戸活性層が観察できる厚さまで前記試料を薄膜化する工程、
および、
前記多重量子井戸活性層の一部である表面部活性層を2つ用いて、前記傾斜斜めカット部を形成した試料から柱状の観察用試料を切り出す工程、
を含むことを特徴とするものである。
化合物半導体デバイス内の所望の観察個所を観察するための加工方法を提供することができる。また、所望の観察個所を観察する加工の際、簡便に観察用試料を作製することが可能となる。
以下、本願の実施の形態1による透過型電子顕微鏡試料の作製方法を、図を用いて説明する。図1は、本願の実施の形態1による透過型電子顕微鏡試料の一例を示す図である。この図は、化合物半導体デバイスであるレーザダイオード(以下では簡略化してLDと称する。LD:Laser Diode)を平面で切り出した試料を示す図である。
なお、一点鎖線で囲まれた領域は、平面試料をさらに断面観察するためにカットされる加工領域11a、11bである(これらの加工領域はスライス加工により除去される)。これらの加工領域11a、11bは、上記のMQW活性層4の状態をさらに詳しく観察するために加工される領域であり、傾斜斜めカット部5a、5bの一部を含んでいる。
従来、試料の加工中は、LD平面に相当する図の上面からはMQW活性層4は見えなかった。また一般的に、平面TEM試料は薄いため、さらに断面加工を行い断面から観察することは通常考えられていない。
この傾斜斜めカット部5aが作製された試料を使用して、LD平面に相当する試料24bの上面、およびLD正面に相当する図の側面の各面から観察しつつ、試料24bのうち、図の左側の点線の直方体で囲った領域C、及び図の右側の点線の直方体で囲った領域DをGaイオンビームでカットすることにより、観察用の試料を取り出す加工を行う。
なお、実際には、1箇所の表面部活性層10だけでは所望の観察用の試料を加工して取り出すことはできず、後述するように、2箇所の表面部活性層10を観察しながら、所望の観察用の試料を加工して取り出す必要がある。また、上述の方法によらず、断面加工時に傾斜面を持つ斜めカット部を形成する追加工程を含んだ加工方法を採用しても良いが、本実施の形態では、この追加工程を省略できる効果がある。
以上においては、MQW活性層をSEM像ではなくSIM像で観察する例を示したが、単純なSIM像では活性層が鮮明に見えない場合が多い。このような場合でも、鮮明な像を利用して確実に所望のMQW活性層全体を切り出す方法について以下説明する。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
Claims (5)
- 被加工体であるレーザダイオードから当該レーザダイオードが有する多重量子井戸活性層を含む直方体形状の塊状体を切り出す工程、
前記塊状体の上面の隣接する2つの角部に、前記塊状体の上面に対して傾斜した傾斜斜めカット部を形成した試料を作製する工程、
前記試料を表面から加工して前記多重量子井戸活性層が観察できる厚さまで前記試料を薄膜化する工程、
および、
前記多重量子井戸活性層の一部である表面部活性層を2つ用いて、前記傾斜斜めカット部を形成した試料から柱状の観察用試料を切り出す工程、
を含むことを特徴とする透過型電子顕微鏡試料の作製方法。 - 前記傾斜斜めカット部は、複数の異なる傾斜角を持つ傾斜面を有することを特徴とする請求項1に記載の透過型電子顕微鏡試料の作製方法。
- 前記表面部活性層を走査イオン顕微鏡像により観察しつつ、前記傾斜斜めカット部をFIB装置で加工するとともに、前記試料を薄膜化する工程において、当該試料の観察は超高圧透過型電子顕微鏡で行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の透過型電子顕微鏡試料の作製方法。
- 前記表面部活性層を前記走査イオン顕微鏡像として観察する際に、前記FIB装置のGaイオン電流の値が26pA以下に設定されることを特徴とする請求項3に記載の透過型電子顕微鏡試料の作製方法。
- 前記傾斜斜めカット部は、2つの前記表面部活性層のうち、一方の表面部活性層が視認される最小のサイズで作製されたものであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の透過型電子顕微鏡試料の作製方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/020100 WO2019224993A1 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 透過型電子顕微鏡試料の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019224993A1 true JPWO2019224993A1 (ja) | 2021-02-18 |
JP6925522B2 JP6925522B2 (ja) | 2021-08-25 |
Family
ID=68615968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020520974A Active JP6925522B2 (ja) | 2018-05-25 | 2018-05-25 | 透過型電子顕微鏡試料の作製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11747243B2 (ja) |
JP (1) | JP6925522B2 (ja) |
CN (1) | CN112204374B (ja) |
WO (1) | WO2019224993A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112204374B (zh) * | 2018-05-25 | 2023-12-26 | 三菱电机株式会社 | 透射型电子显微镜样品的制作方法 |
JP7468402B2 (ja) | 2021-02-24 | 2024-04-16 | 三菱電機株式会社 | サンプル作成方法 |
CN113654866B (zh) * | 2021-09-22 | 2024-03-01 | 河北光兴半导体技术有限公司 | 一种含有微米级一维铂铑缺陷的薄玻璃样品的制备及缺陷测试方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2018
- 2018-05-25 CN CN201880093642.7A patent/CN112204374B/zh active Active
- 2018-05-25 US US16/976,005 patent/US11747243B2/en active Active
- 2018-05-25 JP JP2020520974A patent/JP6925522B2/ja active Active
- 2018-05-25 WO PCT/JP2018/020100 patent/WO2019224993A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6925522B2 (ja) | 2021-08-25 |
CN112204374A (zh) | 2021-01-08 |
WO2019224993A1 (ja) | 2019-11-28 |
US20210102872A1 (en) | 2021-04-08 |
CN112204374B (zh) | 2023-12-26 |
US11747243B2 (en) | 2023-09-05 |
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