JPWO2019182002A1 - λ／４型電波吸収体 - Google Patents
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Abstract
本発明は、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体を提供することを目的とする。本発明は、モリブデンを含む抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層をこの順で有するλ／４型電波吸収体である。
Description
本発明は、優れた耐久性を有するλ／４型電波吸収体に関する。
近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯通信機器の普及が急速に進んでおり、また自動車等において多くの電子機器が搭載されるようになり、これらから発生する電波・ノイズが、電波障害、他の電子機器の誤動作等の問題が多発している。このような電波障害、誤動作等を防止する方策として、各種の電波吸収体が検討されている。例えば、特許文献１には、厚さがほぼλ／４（ここでλは、誘電体内での電波の波長を表す。）の誘電体スペーサの裏面に完全反射体を装着し、表面にイオンプレーティング、蒸着、スパッタ等によって作成した抵抗皮膜を有するλ／４型電波吸収体が開示されている。
従来のλ／４型電波吸収体は、抵抗皮膜であるＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）、誘電体及びアルミニウム等の導電層を積層させた構造である。このＩＴＯは、低コスト化等の理由からポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の高分子フィルムに成膜されていることが多い。高分子フィルムは高い温度にて加熱することができないため、ＩＴＯを加熱成膜することができず、アモルファス状態での成膜となる。アモルファス膜は比抵抗が高く、大気中での耐久性・薬品安定性等が低い。このため、通常は成膜されたＩＴＯ膜を後工程でアニールして結晶化させることにより膜物性を向上させる。
しかしながら、高分子フィルムはアニール温度を高くすることができないため、例えば１４０℃で１時間というような、比較的低い温度で長い時間でのアニールが必要となる。従って、アニール工程の必要がない金属膜をＩＴＯの代わりに抵抗皮膜として用いることができれば、成膜後のアニールは必要なくなり、大幅な生産性の向上とコストの低減が期待できる。また、ＩＴＯは、インジウムを多く含むが、インジウムは埋蔵量よりも多い使用量が見込まれている金属であり、資源枯渇が懸念されている。このため、ＩＴＯに代わる抵抗皮膜材料の開発が期待されている。
ただ、多くの金属膜は、３７６．７Ω／□を有するλ／４型電波吸収体用抵抗皮膜として用いた場合、大気中での耐久性に劣り、λ／４型電波吸収体の電波吸収性が経時的に低下してしまうことがあるという問題がある。λ／４型電波吸収体用抵抗皮膜は、表面抵抗値が３７６．７Ω／□±１０％でなければならない。
本発明は、上記現状に鑑み、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体を提供することを目的とする。
本発明は、モリブデンを含む抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層をこの順で有するλ／４型電波吸収体である。
以下に本発明を詳述する。
以下に本発明を詳述する。
本発明者らは、金属膜をλ／４型電波吸収体の抵抗皮膜として用いた場合に耐久性が劣る原因について検討した。その結果、λ／４型電波吸収体を構成する抵抗皮膜の表面抵抗値が、経時的に大きく変動してしまうことが電波吸収性低下の一因となっていることを見出した。
これまでにＩＴＯに代わるλ／４型電波吸収体の抵抗皮膜としてステンレス鋼（鉄・クロム合金、ＳＵＳ）やニッケル・クロム合金等の合金や、チタン等の金属が検討されてきた。例えば、抵抗皮膜としてＳＵＳやニッケル・クロム合金を用いた場合、抵抗皮膜の表面には厚さ１０ｎｍ以下の不動態皮膜が形成され、安定化する。しかしながら、このような抵抗皮膜を放置すると、大気中の塩分（塩素イオン）が表面に付着することにより、不動態皮膜が破壊され、抵抗皮膜自体も損傷して、表面抵抗値が変動してしまうものと考えられた。また、例えば、抵抗皮膜としてチタンを用いた場合には、表面抵抗値が３７６．７Ω／□を満足するチタンの膜厚が１ｎｍ程度と、薄くなる。このために、抵抗皮膜を放置すると、大気中の酸素によりチタンが酸化され、表面から酸化チタンに置換されて表面抵抗値が変動してしまうものと考えられた。
これまでにＩＴＯに代わるλ／４型電波吸収体の抵抗皮膜としてステンレス鋼（鉄・クロム合金、ＳＵＳ）やニッケル・クロム合金等の合金や、チタン等の金属が検討されてきた。例えば、抵抗皮膜としてＳＵＳやニッケル・クロム合金を用いた場合、抵抗皮膜の表面には厚さ１０ｎｍ以下の不動態皮膜が形成され、安定化する。しかしながら、このような抵抗皮膜を放置すると、大気中の塩分（塩素イオン）が表面に付着することにより、不動態皮膜が破壊され、抵抗皮膜自体も損傷して、表面抵抗値が変動してしまうものと考えられた。また、例えば、抵抗皮膜としてチタンを用いた場合には、表面抵抗値が３７６．７Ω／□を満足するチタンの膜厚が１ｎｍ程度と、薄くなる。このために、抵抗皮膜を放置すると、大気中の酸素によりチタンが酸化され、表面から酸化チタンに置換されて表面抵抗値が変動してしまうものと考えられた。
本発明者らは、鋭意検討の結果、モリブデンを含有する合金を用いて抵抗皮膜を形成した場合には、大気下に放置したときにでも抵抗皮膜の表面抵抗値の変動を小さくして、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体を製造できることを見出し、本発明を完成した。
本発明のλ／４型電波吸収体は、モリブデンを含む抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層をこの順で有する。すなわち、本発明のλ／４型電波吸収体は、抵抗被膜、誘電体及び反射層がこの順で積層された層構造を有する。抵抗被膜と誘電体及び、誘電体と反射層との間には、粘着層等の他の層が積層されてもよい。抵抗皮膜と反射層を、誘電体層を介してλ／４離れた位置に配置することによりλ／４型電波吸収体を得ることができる。また、抵抗皮膜がモリブデンを含有することにより、大気下に放置したときにでも抵抗皮膜の表面抵抗値の変動を小さくして、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体とすることができる。耐久性が向上する理由についてはこの理論に束縛されるものでないが、モリブデンを含有することで酸化性雰囲気下のみならず、還元性雰囲気下においても耐食性が向上するためではないかと考えられる。なお、ここでλは、上記誘電体内での電波の波長を表す。
上記モリブデンの含有量の下限は特に限定されないが、より耐久性を高める観点から、５重量％が好ましく、７重量％がより好ましく、９重量％が更に好ましく、１１重量％がより更に好ましく、１３重量％が特に好ましく、１５重量％が非常に好ましく、１６重量％が最も好ましい。また、上記モリブデンの含有量の上限は、表面抵抗値の調整の容易化の観点から、３０重量％が好ましく、２５重量％がより好ましく、２０重量％が更に好ましい。
上記抵抗皮膜は、上記モリブデンを含有していれば特に限定されないが、ニッケル及びクロムを更に含有することが好ましい。
抵抗皮膜にモリブデンに加えてニッケル及びクロムを含有することでより耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。ニッケル、クロム及びモリブデンを含有する合金としては、例えば、ハステロイＢ−２、Ｂ−３、Ｃ−４、Ｃ−２０００、Ｃ−２２、Ｃ−２７６、Ｇ−３０、Ｎ、Ｗ、Ｘ等の各種グレードが挙げられる。
抵抗皮膜にモリブデンに加えてニッケル及びクロムを含有することでより耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。ニッケル、クロム及びモリブデンを含有する合金としては、例えば、ハステロイＢ−２、Ｂ−３、Ｃ−４、Ｃ−２０００、Ｃ−２２、Ｃ−２７６、Ｇ−３０、Ｎ、Ｗ、Ｘ等の各種グレードが挙げられる。
上記抵抗皮膜がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、モリブデンの含有量が５重量％以上、ニッケルの含有量が４０重量％以上、クロムの含有量が１重量％以上であることが好ましい。
モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量が上記範囲であることで、より耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が７重量％以上、ニッケル含有量が４５重量％以上、クロム含有量が３重量％以上であることがより好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が９重量％以上、ニッケル含有量が４７重量％以上、クロム含有量が５重量％以上であることが更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１１重量％以上、ニッケル含有量が５０重量％以上、クロム含有量が１０重量％以上であることがより更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１３重量％以上、ニッケル含有量が５３重量％以上、クロム含有量が１２重量％以上であることが特に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１５重量％以上、ニッケル含有量が５５重量％以上、クロム含有量が１５重量％以上であることが非常に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１６重量％以上、ニッケル含有量が５７重量％以上、クロム含有量が１６重量％以上であることが最も好ましい。
また、上記ニッケルの含有量は、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることが更に好ましい。上記クロム含有量の上限は、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３５重量％以下であることが更に好ましい。
モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量が上記範囲であることで、より耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が７重量％以上、ニッケル含有量が４５重量％以上、クロム含有量が３重量％以上であることがより好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が９重量％以上、ニッケル含有量が４７重量％以上、クロム含有量が５重量％以上であることが更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１１重量％以上、ニッケル含有量が５０重量％以上、クロム含有量が１０重量％以上であることがより更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１３重量％以上、ニッケル含有量が５３重量％以上、クロム含有量が１２重量％以上であることが特に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１５重量％以上、ニッケル含有量が５５重量％以上、クロム含有量が１５重量％以上であることが非常に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１６重量％以上、ニッケル含有量が５７重量％以上、クロム含有量が１６重量％以上であることが最も好ましい。
また、上記ニッケルの含有量は、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることが更に好ましい。上記クロム含有量の上限は、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３５重量％以下であることが更に好ましい。
上記抵抗皮膜の上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属としては、例えば、鉄、コバルト、タングステン、マンガン、チタン等が挙げられる。上記抵抗皮膜がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の上限は、抵抗皮膜の耐久性の観点から、好ましくは４５重量％、より好ましくは４０重量％、更に好ましくは３５重量％、より更に好ましくは３０重量％、特に好ましくは２５重量％、非常に好ましくは２３重量％である。上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の下限は、例えば１重量％以上である。
上記抵抗皮膜が鉄を含有する場合、抵抗皮膜の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は２５重量％、より好ましい上限は２０重量％、更に好ましい上限は１５重量％であり、好ましい下限は１重量％である。上記抵抗皮膜がコバルト及び／又はマンガンを含有する場合、抵抗皮膜の耐久性の観点から、それぞれ独立して、含有量の好ましい上限は５重量％、より好ましい上限は４重量％、更に好ましい上限は３重量％であり、好ましい下限は０．１重量％である。上記抵抗皮膜がタングステンを含有する場合、抵抗皮膜の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は８重量％、より好ましい上限は６重量％、更に好ましい上限は４重量％であり、好ましい下限は１重量％である。
上記抵抗皮膜は、ケイ素及び／又は炭素を含有してもよい。抵抗皮膜がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、それぞれ独立して、１重量％以下であることが好ましく０．５重量％以下であることがより好ましい。また、抵抗皮膜がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、０．０１重量％以上であることが好ましい。
上記含有量の測定は、Ｘ線光電分光法（ＸＰＳ）により測定することができる。
より具体的には、（アルバックファイ社製、ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅＩＩ、又はその同等品）を用いて、Ｘ線源を単色化ＡｌＫα（１４８６．６ｅＶ）、Ａｒイオンの加速電圧を１ｋＶにして、表面のＸＰＳスペクトルを測定する。
より具体的には、（アルバックファイ社製、ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅＩＩ、又はその同等品）を用いて、Ｘ線源を単色化ＡｌＫα（１４８６．６ｅＶ）、Ａｒイオンの加速電圧を１ｋＶにして、表面のＸＰＳスペクトルを測定する。
上記抵抗被膜は、基材を有していてもよい。基材は樹脂フィルムであってよく、樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、並びにポリウレタンフィルム等が挙げられる。基材フィルムの厚みは、特に限定されず、例えば１０〜３００μｍである。
上記誘電体としては特に限定されず、有機発泡体、有機高分子シート、有機高分子フィルム等の、従来公知のλ／４型電波吸収体に用いられる誘電体を用いることができる。また、上記誘電体層の厚さは、上記誘電体層に用いる誘電体内における電波の波長の４分の１の長さである。
上記反射層の材料は特に限定されず、従来公知のλ／４型電波吸収体に用いられる電波反射膜を用いることができる。電磁反射膜としては、金属薄膜、例えば、アルミニウム薄膜、銅薄膜、銀薄膜、鉄薄膜、及び金属化合物薄膜、例えばＩＴＯ薄膜等が挙げられる。また、上記反射層の厚さは、特に限定されないが、好ましい下限は０．１ｍｍ、好ましい上限は２．０ｍｍである。
本発明のλ／４型電波吸収体は、上記抵抗皮膜の少なくとも一方の表面上にバリア層を有することが好ましく、上記抵抗皮膜の両方の表面上にバリア層を有することがより好ましい。
抵抗皮膜の少なくとも一方の表面にバリア層を形成することによって高温高湿下における耐久性が向上し、更に耐久性に優れるλ／４型電波吸収体とすることができる。また、抵抗皮膜の両方の表面にバリア層を形成することによって、高温高湿下における耐久性を更に向上させ、同時に耐久性に更に優れるλ／４型電波吸収体とすることができる。上記バリア層の材料としては、例えば、金属化合物が挙げられ、具体的にはＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｕＯ、ＣｕＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）等が挙げられる。なかでも高温高湿下での耐久性をより向上できることから、ケイ素、チタン及び銅の、酸化物又は窒化物を含むことが好ましい。なお、上記バリア層の材料は、単独で用いてもよく複数を組み合わせて用いてもよい。
抵抗皮膜の少なくとも一方の表面にバリア層を形成することによって高温高湿下における耐久性が向上し、更に耐久性に優れるλ／４型電波吸収体とすることができる。また、抵抗皮膜の両方の表面にバリア層を形成することによって、高温高湿下における耐久性を更に向上させ、同時に耐久性に更に優れるλ／４型電波吸収体とすることができる。上記バリア層の材料としては、例えば、金属化合物が挙げられ、具体的にはＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｕＯ、ＣｕＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）等が挙げられる。なかでも高温高湿下での耐久性をより向上できることから、ケイ素、チタン及び銅の、酸化物又は窒化物を含むことが好ましい。なお、上記バリア層の材料は、単独で用いてもよく複数を組み合わせて用いてもよい。
上記バリア層の厚みは特に限定されないが９ｎｍ以下であることが好ましい。
バリア層が９ｎｍ以下であることでより高温高湿下の耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。高温高湿下の耐久性をさらに高める観点から、上記バリア層の厚みのより好ましい上限は８ｎｍ、更に好ましい上限は７ｎｍ、さらにより好ましい上限は６ｎｍ、特に好ましい上限は５ｎｍ、とりわけ好ましい上限は４ｎｍ、非常に好ましい上限は３．４ｎｍである。驚くべきことに、上記上限以下であることにより高温高湿下の耐久性をより向上できることが見出だされた。上記バリア層の厚みの下限は特に限定されないが、高温高湿下の耐久性を高める観点から、０．３ｎｍであることが好ましく、０．５ｎｍであることがより好ましく、０．７ｎｍであることが更に好ましく、０．８ｎｍであることが特に好ましい。
バリア層が９ｎｍ以下であることでより高温高湿下の耐久性に優れたλ／４型電波吸収体とすることができる。高温高湿下の耐久性をさらに高める観点から、上記バリア層の厚みのより好ましい上限は８ｎｍ、更に好ましい上限は７ｎｍ、さらにより好ましい上限は６ｎｍ、特に好ましい上限は５ｎｍ、とりわけ好ましい上限は４ｎｍ、非常に好ましい上限は３．４ｎｍである。驚くべきことに、上記上限以下であることにより高温高湿下の耐久性をより向上できることが見出だされた。上記バリア層の厚みの下限は特に限定されないが、高温高湿下の耐久性を高める観点から、０．３ｎｍであることが好ましく、０．５ｎｍであることがより好ましく、０．７ｎｍであることが更に好ましく、０．８ｎｍであることが特に好ましい。
上記バリア層の厚みは、断面測定により測定できる。
より具体的には、抵抗皮膜にカーボン蒸着を施し、ＦＩＢ−ＳＥＭ（ＦＥＩ社製、Ｓｃｉｏｓ、又はその同等品）により断面を作製後、その断面をＴＥＭ（日本電子社製、ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ、又はその同等品）を用いて、加速電圧２００ｋＶで測定する。
より具体的には、抵抗皮膜にカーボン蒸着を施し、ＦＩＢ−ＳＥＭ（ＦＥＩ社製、Ｓｃｉｏｓ、又はその同等品）により断面を作製後、その断面をＴＥＭ（日本電子社製、ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ、又はその同等品）を用いて、加速電圧２００ｋＶで測定する。
本発明のλ／４型電波吸収体の製造方法は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の基材にイオンプレーティング、蒸着、スパッタ等の方法により抵抗皮膜と、必要に応じてバリア層を形成し、抵抗皮膜又はバリア層上に粘着テープを介して誘電体層と反射層を積層することによって製造することができる。なお、各層の積層方法は粘着テープに限定されない。
本発明によれば、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体を提供することができる。
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．９ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、形成した抵抗皮膜上に粘着テープ（寺岡製作所７０７＃４、厚み３０μｍ）を介して厚み３００μｍのポリカーボネートからなる誘電体層を積層し、更に誘電体層上に粘着テープを介して厚さ２ｍｍのアルミニウムからなる反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
なお、抵抗皮膜の厚さは、上記バリア層の厚みと同様にして測定した。
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．９ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、形成した抵抗皮膜上に粘着テープ（寺岡製作所７０７＃４、厚み３０μｍ）を介して厚み３００μｍのポリカーボネートからなる誘電体層を積層し、更に誘電体層上に粘着テープを介して厚さ２ｍｍのアルミニウムからなる反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
なお、抵抗皮膜の厚さは、上記バリア層の厚みと同様にして測定した。
（実施例２）
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上にケイ素ターゲットを使い、ＤＣパルススパッタリングにより、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整し、厚みが３．４ｎｍのバリア層１を形成した。次いで、バリア層１上にＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．１ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。その後、抵抗皮膜上に実施例１と同様の方法で誘電体層と反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上にケイ素ターゲットを使い、ＤＣパルススパッタリングにより、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整し、厚みが３．４ｎｍのバリア層１を形成した。次いで、バリア層１上にＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．１ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。その後、抵抗皮膜上に実施例１と同様の方法で誘電体層と反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
（実施例３）
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．１ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、抵抗皮膜上にケイ素ターゲットを使い、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａの条件でＤＣパルススパッタリングを行うことにより、厚さ２．２ｎｍの二酸化ケイ素からなるバリア層２を形成した。その後、バリア層２上に実施例１と同様の方法で誘電体層と反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．１ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、抵抗皮膜上にケイ素ターゲットを使い、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａの条件でＤＣパルススパッタリングを行うことにより、厚さ２．２ｎｍの二酸化ケイ素からなるバリア層２を形成した。その後、バリア層２上に実施例１と同様の方法で誘電体層と反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
（実施例４）
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上にケイ素ターゲットを使い、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａの条件でＤＣパルススパッタリングを行うことにより、厚みが３．４ｎｍのバリア層１を形成した。次いで、バリア層１上にＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．２ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、抵抗皮膜上にケイ素ターゲットを使い、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａの条件でＤＣパルススパッタリングを行うことより、厚さ２．２ｎｍの二酸化ケイ素からなるバリア層２を形成した。その後、バリア層２上に実施例１と同様の方法で誘電体層と反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
基材として、厚み７５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意した。上記ＰＥＴフィルム上にケイ素ターゲットを使い、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａの条件でＤＣパルススパッタリングを行うことにより、厚みが３．４ｎｍのバリア層１を形成した。次いで、バリア層１上にＤＣパルススパッタリングにより、厚みが９．２ｎｍの抵抗皮膜を形成した。スパッタリングは表１の組成を持つ合金をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、抵抗皮膜上にケイ素ターゲットを使い、出力１．０ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ及び酸素ガス流量１０ｓｃｃｍを導入して圧力０．１２Ｐａの条件でＤＣパルススパッタリングを行うことより、厚さ２．２ｎｍの二酸化ケイ素からなるバリア層２を形成した。その後、バリア層２上に実施例１と同様の方法で誘電体層と反射層を積層してλ／４型電波吸収体を得た。
（実施例５、６）
抵抗皮膜及びバリア層１、２の厚さを表１の通りとした以外は実施例４と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
抵抗皮膜及びバリア層１、２の厚さを表１の通りとした以外は実施例４と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
（実施例７）
バリア層１の厚さを表１の通りとした以外は実施例２と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
バリア層１の厚さを表１の通りとした以外は実施例２と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
（実施例８）
バリア層２の厚さを表１の通りとした以外は実施例３と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
バリア層２の厚さを表１の通りとした以外は実施例３と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
（実施例９〜１２）
スパッタリングのターゲットに用いる合金の組成及び抵抗皮膜の厚さを表１の通りとした以外は実施例４と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
スパッタリングのターゲットに用いる合金の組成及び抵抗皮膜の厚さを表１の通りとした以外は実施例４と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
（比較例１）
抵抗皮膜の組成及び厚さを表１の通りとした以外は実施例１と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
抵抗皮膜の組成及び厚さを表１の通りとした以外は実施例１と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
（比較例２）
抵抗皮膜の組成及び厚さと、バリア層１、２の厚さを表１の通りとした以外は実施例４と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
抵抗皮膜の組成及び厚さと、バリア層１、２の厚さを表１の通りとした以外は実施例４と同様にしてλ／４型電波吸収体を得た。
＜評価＞
実施例及び比較例で得られたλ／４型電波吸収体について、以下の方法により評価を行った。
結果を表１に示した。
実施例及び比較例で得られたλ／４型電波吸収体について、以下の方法により評価を行った。
結果を表１に示した。
（電磁波吸収性能の評価）
ＰＮＡマイクロ波ネットワーク・アナライザ Ｎ５２２７Ａ（キーサイト社製）、ＰＮＡ−Ｘシリーズ２ポート用ミリ波コントローラ Ｎ５２６１Ａ（キーサイト社製）、ホーンアンテナ ＦＳＳ−０７（ＨＶＳ社製）を用いて電波吸収測定装置を構成した。この電波吸収測定装置を用いて、得られたλ／４型電波電磁波吸収体のＷバンド（７５〜１１０ＧＨｚ）での電波吸収量をＪＩＳ Ｒ１６７９に基づいて測定した。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直入射かつ基材側からの入射となるようにセットした。得られた吸収量について、測定範囲における最大の電波吸収量が２０ｄＢ以上であった場合をＡ、２０ｄＢ未満であった場合をＢとして電磁波吸収性能を評価した。
ＰＮＡマイクロ波ネットワーク・アナライザ Ｎ５２２７Ａ（キーサイト社製）、ＰＮＡ−Ｘシリーズ２ポート用ミリ波コントローラ Ｎ５２６１Ａ（キーサイト社製）、ホーンアンテナ ＦＳＳ−０７（ＨＶＳ社製）を用いて電波吸収測定装置を構成した。この電波吸収測定装置を用いて、得られたλ／４型電波電磁波吸収体のＷバンド（７５〜１１０ＧＨｚ）での電波吸収量をＪＩＳ Ｒ１６７９に基づいて測定した。なお、λ／４型電波吸収体は、電波入射方向が垂直入射かつ基材側からの入射となるようにセットした。得られた吸収量について、測定範囲における最大の電波吸収量が２０ｄＢ以上であった場合をＡ、２０ｄＢ未満であった場合をＢとして電磁波吸収性能を評価した。
（電磁波吸収能耐久性の評価）
各実施例、比較例における抵抗被膜の両端部に銀ペーストで電極を作り、その電極間に実施例１と同様にして誘電体層及び反射層を積層し、各実施例、比較例に対応する測定用λ／４型電波吸収体を作製した。作製した後抵抗を測定した（試験前の抵抗）。次いで、測定用のλ／４型電波吸収体を温度８５℃、湿度８５％下で５００時間放置する高温高湿試験を行い、その後抵抗を測定した。得られた抵抗の値から試験前後での抵抗の変化率（試験後の抵抗／試験前の抵抗）を求めることで電磁波吸収能耐久性を評価した。
各実施例、比較例における抵抗被膜の両端部に銀ペーストで電極を作り、その電極間に実施例１と同様にして誘電体層及び反射層を積層し、各実施例、比較例に対応する測定用λ／４型電波吸収体を作製した。作製した後抵抗を測定した（試験前の抵抗）。次いで、測定用のλ／４型電波吸収体を温度８５℃、湿度８５％下で５００時間放置する高温高湿試験を行い、その後抵抗を測定した。得られた抵抗の値から試験前後での抵抗の変化率（試験後の抵抗／試験前の抵抗）を求めることで電磁波吸収能耐久性を評価した。
本発明によれば、優れた耐久性を発揮するλ／４型電波吸収体を提供できる。
Claims (6)
- モリブデンを含む抵抗皮膜、誘電体層、及び反射層をこの順で有するλ／４型電波吸収体。
- 前記抵抗皮膜の少なくとも一方の表面上にバリア層を有する、請求項１に記載のλ／４型電波吸収体。
- 前記バリア層の厚みが９ｎｍ以下である、請求項２に記載のλ／４型電波吸収体。
- 前記バリア層は、ケイ素、チタン及び銅の、酸化物または窒化物を含む、請求項２又は３に記載のλ／４型電波吸収体。
- 前記抵抗皮膜は、ニッケル及びクロムを更に含有する、請求項１、２、３又は４のいずれかに記載のλ／４型電波吸収体。
- 前記抵抗皮膜におけるモリブデンの含有量が５重量％以上、ニッケルの含有量が４０重量％以上、クロムの含有量が１重量％以上である、請求項５に記載のλ／４型電波吸収体。
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| US6650478B1 (en) * | 1999-08-20 | 2003-11-18 | Cpfilms Inc. | Optical filter for a window |
| JP2001156487A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 電波吸収体及びその製造方法 |
| JP2001339193A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Daido Steel Co Ltd | 電磁波吸収体 |
| US7405872B2 (en) * | 2003-05-28 | 2008-07-29 | Astic Signals Defenses Llc | System and method for filtering electromagnetic transmissions |
| JP2004311743A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 測温抵抗体膜 |
| JP2004319788A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Mitsui Chemicals Inc | インピーダンスシートおよびそれを用いた電波吸収体 |
| US20070196671A1 (en) * | 2004-03-30 | 2007-08-23 | Geltec Co., Ltd. | Electromagnetic wave absorber |
| JP2006179901A (ja) * | 2005-12-14 | 2006-07-06 | Tdk Corp | 電磁波吸収シート |
| JP2007299907A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nitto Denko Corp | 電磁波を伝導又は吸収する特性を有する構造体 |
| KR101399022B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-05-27 | 주식회사 아모센스 | 전자파 흡수시트 및 그의 제조방법과 이를 포함하는 전자기기 |
| JP6387789B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2018-09-12 | シヤチハタ株式会社 | 電波吸収材、並びにその電波吸収材を具備する電子機器、自動料金収受システム、及び車載レーダー装置 |
| JP6184579B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2017-08-23 | 日東電工株式会社 | 電磁波吸収体およびそれを備えた電磁波吸収体付成形体 |
| WO2017104710A1 (ja) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | 日東電工株式会社 | 電磁波吸収体およびそれを備えた電磁波吸収体付成形体 |
| JP6943704B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-10-06 | 積水化学工業株式会社 | λ／４型電波吸収体用抵抗皮膜及びλ／４型電波吸収体 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100090879A1 (en) * | 2006-10-19 | 2010-04-15 | Jaenis Anna | Microwave absorber, especially for high temperature applications |
| JP2017181609A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 三菱ケミカル株式会社 | フォトレジスト用保護フィルム |
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