JPWO2019142546A1 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示される本実施形態に係る半導体集積回路が備えるマルチビットフリップフロップ10aは、第1のフリップフロップ1aと、第2のフリップフロップ2aと、クロック生成回路3とを備える。
図4に示される本実施形態に係る半導体集積回路が備えるマルチビットフリップフロップ10bは、第1のフリップフロップ1bと、第2のフリップフロップ2bと、クロック生成回路3とを備え、スキャンテスト対応構成となっており、第1のフリップフロップ1bから第2のフリップフロップ2bへシリアルにスキャン接続される。すなわち、第1のフリップフロップ1bが備える第1の入力回路は、実施形態1と異なり、第1のデータ入力信号であるデータD1、第1のスキャン入力信号であるスキャン入力データDT、その2つを切り替えるスキャンイネーブルNTを入力とするセレクタSL1で構成される。第2のフリップフロップ2bが備える第2の入力回路は、実施形態1と異なり、第2のデータ入力信号であるデータD2、第1のフリップフロップ1b内のノードn13をスキャン入力とし、その2つを切り替えるスキャンイネーブルNTを入力とするセレクタSL2で構成される。それ以外は、図1に示される実施形態1と同様である。
図5に示される本実施形態に係る半導体集積回路が備えるマルチビットフリップフロップ10cは、第1のフリップフロップ1cと、第2のフリップフロップ2cと、クロック生成回路3とを備え、実施形態2と同様に、スキャンテスト対応構成となっている。第2のフリップフロップ2cが備える第2の入力回路は、実施形態2と異なり、第2のデータ入力信号であるデータD2とフリップフロップ1内のノードn14をスキャン入力とし、その2つを切り替えるスキャンイネーブルNTを入力とするセレクタSL2で構成される以外は、図4に示される実施形態2と同様の構成である。
図6に示される本実施形態に係る半導体集積回路が備えるマルチビットフリップフロップ10dは、第1のフリップフロップ1dと、第2のフリップフロップ2dと、クロック生成回路3とを備え、実施形態3に対してリセット機能が付加された構成となっている。トライステート2入力NAND C11およびC21は、それぞれ、第1のフリップフロップ1dおよび第2のフリップフロップ2dのマスターラッチのフィードバックインバータとして用いられ、2入力NAND C12およびC22は、それぞれ、第1のフリップフロップ1dおよび第2のフリップフロップ2dのスレーブラッチのインバータとして用いられる。2入力NAND C11、C21、C12およびC22のそれぞれ一方の入力端子にはリセット信号Rが入力され、リセット信号Rがローレベルのとき、出力信号Q1およびQ2がローレベルとなる。
図7に示される本実施形態に係る半導体集積回路が備えるマルチビットフリップフロップ10eは、第1のフリップフロップ1eと、第2のフリップフロップ2eと、クロック生成回路3とを備え、実施形態3に対してセット機能が付加された構成となっている。トライステート2入力NAND C11およびC21は、それぞれ、第1のフリップフロップ1eおよび第2のフリップフロップ2eのマスターラッチのインバータとして用いられ、2入力NAND C12およびC22は、それぞれ、第1のフリップフロップ1eおよび第2のフリップフロップ2eのスレーブラッチのフィードバックインバータとして用いられる。2入力NAND C11、C21、C12およびC22のそれぞれ一方の入力端子にはセット信号Sが入力され、セット信号Sがローレベルのとき、出力信号Q1、Q2がハイレベルとなる。
2a〜2e 第2のフリップフロップ
3 クロック生成回路
10a〜10e マルチビットフリップフロップ
CK クロック
NCK、PCK クロック内部信号
D1、D2 データ
DT スキャン入力データ
NT スキャンイネーブル
Q1、Q2 出力信号
R リセット信号
S セット信号
I11、I12 インバータ
I14 第1のインバータ
I15 第1のフィードバックインバータ
I21、I22 インバータ
I24 第2のインバータ
I25 第2のフィードバックインバータ
Ia、Ib インバータ
I13、I23 フィードバックトライステートインバータ
S11、S12、S13、S21、S22、S23 スイッチ
SL1、SL2 セレクタ
n11、n12、n13、n14 ノード
n21、n22、n23、n24 ノード
C11、C21、C12、C22 2入力NAND
Claims (5)
- 第1の入力回路、前記第1の入力回路からの出力信号を入力とする第1のマスターラッチ、および前記第1のマスターラッチからの出力信号を入力とする第1のスレーブラッチを備える第1のフリップフロップと、
第2の入力回路、前記第2の入力回路からの出力信号を入力とする第2のマスターラッチ、および前記第2のマスターラッチからの出力信号を入力とする第2のスレーブラッチを備える第2のフリップフロップと、
前記第1のフリップフロップと前記第2のフリップフロップとに共通のクロック信号を供給するクロック生成回路とを備え、
前記第1のスレーブラッチは、第1のインバータと、前記第1のインバータからの出力信号を入力とする第1のフィードバックインバータと、前記第1のインバータの入力端子と前記第1のフィードバックインバータの出力端子との間に接続された第1のスイッチとを有し、
前記第1のフィードバックインバータの出力端子から前記第1のフリップフロップの出力信号が出力される、半導体集積回路。 - 前記第1の入力回路には、第1のデータ入力信号と第1のスキャン入力信号とが入力され、
前記第2の入力回路には、第2のデータ入力信号と前記第1のインバータから出力される信号とが入力される、請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記第1の入力回路には、第1のデータ入力信号と第1のスキャン入力信号とが入力され、
前記第2の入力回路には、第2のデータ入力信号と前記第1のインバータに入力される信号とが入力される、請求項1記載の半導体集積回路。 - 前記第1のインバータは、一方の入力端子にリセット信号が入力される2入力NANDである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
- 前記第1のフィードバックインバータは、一方の入力端子にセット信号が入力される2入力NANDである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路。
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