JPWO2019102882A1 - バルブ装置およびその制御装置を用いた制御方法、流体制御装置および半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記したような流体制御装置で使用されるバルブ装置は、特許文献2等に開示されているように、リミットスイッチを用いてバルブの開閉状態を検出していた。
リミットスイッチを用いて開閉状態を検出するバルブ装置を半導体製造装置に用いると、半導体製造装置の小型化が妨げられる。
前記弁体を前記流路の閉鎖方向に付勢する付勢手段と、
前記弁体を前記付勢手段の付勢力に抗して移動させる主アクチュエータと、
前記弁体による前記流路の開度を調整するための圧電素子を利用した調整機構と、を有し、
前記圧電素子が発生する電圧または当該電圧に基づく信号を出力可能に形成されている。
前記バルブ装置は、
流体の流通する流路を開閉する弁体と、
前記弁体を前記流路の閉鎖方向に付勢する付勢手段と、
前記弁体を前記付勢手段の付勢力に抗して移動させるアクチュエータと、
前記弁体による前記流路の開度を調整するための圧電素子を利用した調整機構と、を有し、
前記圧電素子が発生する電圧に基づいて、前記流路の開閉状態を検出する検出部と、
前記検出部の検出信号を利用して前記バルブ装置を制御する制御部と、
を有する。
前記バルブ装置は、
流体の流通する流路を開閉する弁体と、
前記弁体を前記流路の閉鎖方向に付勢する付勢手段と、
前記弁体を前記付勢力に抗して駆動するアクチュエータと、
前記弁体による前記流路の開度を調整するための圧電素子を利用した調整機構と、を有し、
前記圧電素子が発生する電圧に基づいて、前記流路の開閉状態を検出し、
検出した検出信号を利用して前記バルブ装置を制御する。
図1は、本発明の一実施形態に係る制御装置としてのコントローラ200が適用されたバルブシステムの概略構成図である。
まず、このバルブシステムの説明をする前に、バルブシステムに使用されるバルブ装置1の一例を図5〜図10Bを参照して説明する。
図5において、10はバルブボディ、20は弁体としてのダイヤフラム、38はダイヤフラム押え、30はボンネット、40は操作部材、50はケーシング、60は主アクチュエータ、70は調整ボディ、80はアクチュエータ押え、90はコイルばね、100は調整用アクチュエータとしての圧電アクチュエータ、110はアクチュエータ受け、120は弾性部材としての皿ばね、ORはシール部材としてのOリングを示している。
ダイヤフラム20は、その周縁部が弁室14の内周面の突出部上に載置され、弁室14内へ挿入したボンネット30の下端部をバルブボディ10のねじ部16へねじ込むことにより、ステンレス合金製の押えアダプタ25を介してバルブボディ10の前記突出部側へ押圧され、気密状態で挾持固定されている。尚、ニッケル・コバルト合金薄膜は、接ガス側に配置されている。
なお、ダイヤフラムとしては、他の構成のものも使用可能である。
操作部材40の下端面にはダイヤフラム20の中央部上面に当接するポリイミド等の合成樹脂製のダイヤフラム押え38が装着されている。
操作部材40の外周面に形成された鍔部45の上面と、ケーシングの天井面との間には、コイルばね90が設けられ、操作部材40はコイルばね90により閉方向A2に向けて常時付勢されている。このため、図6に示すように、主アクチュエータ60が作動していない状態では、ダイヤフラム20は弁座15に押し付けられ、流路12,13の間は閉じられた状態となっている。
なお、鍔部45は、操作部材40と一体であっても、別体であっても良い。
ケーシング50は、その下端部内周がボンネット30の上端部外周に形成されたネジ部36にねじ込まれることで、ボンネット30に固定されている。なお、ボンネット30上端面とケーシング50との間には、環状のバルクヘッド63が固定されている。
操作部材40の外周面と、ケーシング50およびボンネット30との間には、バルクヘッド63によって上下に区画されたシリンダ室C1,C2が形成されている。
シリンダ室C1のピストン61の上側の空間は、通気路53により大気につながっている。シリンダ室C2のピストン62の上側の空間は、通気路h1により大気につながっている。
図5に示すように、圧電アクチュエータ100への給電は、配線105により行われる。配線105は、調整ボディ70の流通路71および管継手150を通じて管160に導かれており、管160の途中から外部に引き出されている。
圧電アクチュエータ100の先端部102は、図6に示すように円盤状のアクチュエータ受け110の上面に形成された円錐面状の受け面110aに当接している。アクチュエータ受け110は、開閉方向A1,A2に移動可能となっている。
皿ばね120の個数や向きは条件に応じて適宜変更できる。また、皿ばね120以外にもコイルばね、板ばね等の他の弾性部材を使用できるが、皿ばねを使用すると、ばね剛性やストローク等を調整しやすいという利点がある。
図8に示すように、管160を通じて所定圧力の操作ガスGをバルブ装置1内に供給すると、操作ガスGは流通路71を通り、操作部材40の内周面43とケース本体101の外周面との間に形成された流通路Chを通り、流通路41,42を通って、シリンダ室C1,C2のピストン61,62の下側の空間に供給される。これにより、ピストン61,62から操作部材40へ開方向A1に押し上げる推力が作用する。操作ガスGの圧力は、操作部材40にコイルばね90および皿ばね120から作用する閉方向A2の付勢力に抗して操作部材40を開方向A1に移動させるのに十分な値に設定されている。このような操作ガスGが供給されると、図9に示すように、操作部材40は皿ばね120をさらに圧縮しつつ開方向A1に移動し、アクチュエータ受け110の規制面110tに操作部材40の当接面40tが当接し、アクチュエータ受け110は操作部材40から開方向A1へ向かう力を受ける。この開方向A1へ向かう力は、圧電アクチュエータ100の先端部102を通じて、圧電アクチュエータ100を開方向A1に圧縮する力として作用するが、圧電アクチュエータ100はこの力に抗する十分な剛性を有する。したがって、操作部材40に作用する開方向A1の力は、圧電アクチュエータ100の先端部102で受け止められ、操作部材40のA1方向の移動は、開位置OPにおいて規制される。この状態において、ダイヤフラム20は、弁座15から上記したリフト量Lfだけ離隔する。
図10Aおよび図10Bの中心線Ctの左側は、図9に示す状態を示しており、中心線Ctの右側は操作部材40の開閉方向A1,A2の位置を調整した後の状態を示している。
流体の流量を減少させる方向に調整する場合には、図10Aに示すように、圧電アクチュエータ100を伸長させて、操作部材40を閉方向A2に移動させる。これにより、ダイヤフラム20と弁座15との距離である調整後のリフト量Lf-は、調整前のリフト量Lfよりも小さくなる。
流体の流量を増加させる方向に調整する場合には、図10Bに示すように、圧電アクチュエータ100を短縮させて、操作部材40を開方向A1に移動させる。これにより、ダイヤフラム20と弁座15との距離である調整後のリフト量Lf+は、調整前のリフト量Lfよりも大きくなる。
すなわち、圧電アクチュエータ100のストロークでは、ダイヤフラム20のリフト量をカバーすることができないが、操作ガスGで動作する主アクチュエータ60と圧電アクチュエータ100を併用することで、相対的にストロークの長い主アクチュエータ60でバルブ装置1の供給する流量を確保しつつ、相対的にストロークの短い圧電アクチュエータ100で精密に流量調整することができる。
コントローラ200は、CPU(Central Processing Unit)、メモリ、入出力回路等のハードウエアと所要のソフトウエアで構成されている。コントローラ200は、開閉バルブV1を開閉制御するとともに、バルブ装置1に内蔵された圧電アクチュエータ100を駆動制御する。
加えて、コントローラ200は、圧電アクチュエータ100の圧電素子に外力が作用することにより生じる電圧を検出する機能を有する。
本実施形態では、圧電アクチュエータ100の圧電素子に外力、すなわち操作圧により生じた電圧を検出することで、ダイヤフラム20により開閉されるバルブ装置1の流路の開閉状態を検出する。
まず、コントローラ200は、制御信号線CLを通じて駆動エア供給指令を開閉バルブV1に出力する(ステップS1)。
開閉バルブV1が開放されると、図3の(1)に示すように、バルブ装置1における駆動エアによる操作圧が時間t0から上昇していく。これに伴って、図3の(2)に示すように、バルブ装置1のピストン61,62が移動を開始し、操作部材40を開方向A1に移動させる。圧電アクチュエータ100は操作部材40から開方向A1の力を受け、図3の(3)に示すように、圧電アクチュエータ100の圧電素子は電圧(ピエゾ電圧)を発生する。
その後、コントローラ200は、通常制御を開始する(ステップS5)。
コントローラ200は、所定周期(例えば数ms)で開閉バルブV1に開閉指令を与えて、バルブ装置1の開閉制御を実行する。
図4Aに示すグラフ(1)は、バルブ装置1を所定周期で開閉制御した際の、圧電素子の電圧信号を示している。図4Aに示すグラフ(2)は、比較例として、バルブ装置1の開閉の検出をリミットスイッチで検出したときの信号を示している。
圧電素子の信号およびリミットスイッチの信号の双方は、バルブ装置1の開閉に応答して周期的に変化している。
ここで重要な点は、図4Bのグラフ(1)に示すように、圧電素子の信号の立ち上がりが、リミットスイッチの信号よりもはるかに速いことである。このことは、周期が数msの高い周波数でバルブ装置1を開閉制御した際に、圧電素子の信号を用いることによりバルブ装置1の開閉状態をリミットスイッチと比較して速やかに検出できることを意味している。
圧電アクチュエータ100の圧電素子の信号を使用してバルブ装置1の開閉状態を検出すると、リミットスイッチの信号を用いた場合と比べて、バルブ装置1の開閉制御をより高い周波数で実行することが可能となる。
図11に示す半導体製造装置1000は、ALD法による半導体製造プロセスを実行するためのシステムであり、300はプロセスガス供給源、400はガスボックス、500はタンク、700は処理チャンバ、800は排気ポンプを示している。
ALD法による半導体製造プロセスでは、処理ガスの流量を精密に調整する必要があるとともに、基板の大口径化により、処理ガスの流量をある程度確保する必要もある。
ガスボックス400は、正確に計量したプロセスガスを処理チャンバ700に供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体制御機器を集積化してボックスに収容した集積化ガスシステム(流体制御装置)である。
タンク500は、ガスボックス400から供給される処理ガスを一時的に貯留するバッファとして機能する。
処理チャンバ700は、ALD法による基板への膜形成のための密閉処理空間を提供する。
排気ポンプ800は、処理チャンバ700内を真空引きする。
また、コントローラ200からバルブ装置1を高い周波数で開閉制御する制御信号SG1を開閉バルブV1に出力することで、図4Aを参照して説明したバルブ装置1の開閉制御を実行できる。
図12に示す流体制御装置には、幅方向W1,W2に沿って配列され長手方向G1,G2に延びる金属製のベースプレートBSが設けられている。なお、W1は正面側、W2は背面側,G1は上流側、G2は下流側の方向を示している。ベースプレートBSには、複数の流路ブロック992を介して各種流体機器991A〜991Eが設置され、複数の流路ブロック992によって、上流側G1から下流側G2に向かって流体が流通する図示しない流路がそれぞれ形成されている。
10 :バルブボディ
10a :バルブボディ本体
10b,10c :接続部
12,13 :流路
14 :弁室
15 :弁座
16 :ねじ部
20 :ダイヤフラム
25 :押えアダプタ
30 :ボンネット
36 :ネジ部
38 :ダイヤフラム押え
40 :操作部材
40t :当接面
41,42 :流通路
42 :流通路
43 :内周面
45 :鍔部
48 :閉塞部
50 :ケーシング
51 :筒状部
52 :保持部
53 :通気路
56 :ネジ孔
60 :主アクチュエータ
61,62 :ピストン
63 :バルクヘッド
70 :調整ボディ
71,81 :流通路
80 :アクチュエータ押え
90 :コイルばね
100 :圧電アクチュエータ
101 :ケース本体
102 :先端部
103 :基端部
105 :配線
110 :アクチュエータ受け
110a :受け面
110t :規制面
120 :皿ばね
150 :管継手
160 :管
200 :コントローラ
250 :駆動エア供給源
300 :プロセスガス供給源
400 :ガスボックス
500 :タンク
700 :処理チャンバ
800 :排気ポンプ
991A :開閉弁(2方弁)
991B :レギュレータ
991C :プレッシャーゲージ
991D :開閉弁(3方弁)
991E :マスフローコントローラ
992 :流路ブロック
993 :導入管
1000 :半導体製造装置
A1 :開方向
A2 :閉方向
BS :ベースプレート
C1,C2 :シリンダ室
CL :制御信号線
CP :閉位置
Ch :流通路
Ct :中心線
FL :供給管
G :操作ガス(駆動エア)
G1 :長手方向(上流側)
G2 :長手方向(下流側)
Lf,Lf+,Lf− :リフト量
OP :開位置
OR :Oリング
SG1 :制御信号
SG2 :指令
SL :配線
SP :空間
V0 :所定電圧
V1 :開閉バルブ
W1,W2 :幅方向
h1 :通気路
Claims (7)
- 流体の流通する流路を開閉する弁体と、
前記弁体を前記流路の閉鎖方向に付勢する付勢手段と、
前記弁体を前記付勢手段の付勢力に抗して移動させる主アクチュエータと、
前記弁体による前記流路の開度を調整するための圧電素子を利用した調整機構と、を有し、
前記圧電素子が発生する電圧または当該電圧に基づく信号を出力可能に形成されている、バルブ装置。 - バルブ装置の制御装置であって、
前記バルブ装置は、
流体の流通する流路を開閉する弁体と、
前記弁体を前記流路の閉鎖方向に付勢する付勢手段と、
前記弁体を前記付勢手段の付勢力に抗して移動させるアクチュエータと、
前記弁体による前記流路の開度を調整するための圧電素子を利用した調整機構と、を有し、
前記圧電素子が発生する電圧に基づいて、前記流路の開閉状態を検出する検出部と、
前記検出部の検出信号を利用して前記バルブ装置を制御する制御部と、
を有する制御装置。 - バルブ装置の制御方法であって、
前記バルブ装置は、
流体の流通する流路を開閉する弁体と、
前記弁体を前記流路の閉鎖方向に付勢する付勢手段と、
前記弁体を前記付勢手段の付勢力に抗して駆動するアクチュエータと、
前記弁体による前記流路の開度を調整するための圧電素子を利用した調整機構と、を有し、
前記圧電素子が発生する電圧に基づいて、前記流路の開閉状態を検出し、
検出した検出信号を利用して前記バルブ装置を制御する、バルブ装置の制御方法。 - 請求項2の制御装置を用いて、流体の流量を制御する流量制御方法。
- 複数の流体機器が配列された流体制御装置であって、
前記複数の流体機器は、請求項1に記載のバルブ装置を含む、流体制御装置。 - 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの流量制御に請求項2の制御装置を用いる半導体製造方法。
- 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項2の制御装置を用いる半導体製造装置。
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