JP6336692B1 - バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法 - Google Patents

バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6336692B1
JP6336692B1 JP2018513389A JP2018513389A JP6336692B1 JP 6336692 B1 JP6336692 B1 JP 6336692B1 JP 2018513389 A JP2018513389 A JP 2018513389A JP 2018513389 A JP2018513389 A JP 2018513389A JP 6336692 B1 JP6336692 B1 JP 6336692B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
actuator
valve
valve device
valve body
operation member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018513389A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018088326A1 (ja
Inventor
俊英 吉田
俊英 吉田
中田　知宏
知宏 中田
篠原　努
努 篠原
敏之 稲田
敏之 稲田
高志 船越
高志 船越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikin Inc
Original Assignee
Fujikin Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikin Inc filed Critical Fujikin Inc
Application granted granted Critical
Publication of JP6336692B1 publication Critical patent/JP6336692B1/ja
Publication of JPWO2018088326A1 publication Critical patent/JPWO2018088326A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K7/00—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
    • F16K7/12—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
    • F16K7/14—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat
    • F16K7/17—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat the diaphragm being actuated by fluid pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/004—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by piezoelectric means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/004—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by piezoelectric means
    • F16K31/007—Piezoelectric stacks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/12—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid
    • F16K31/122—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/12—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid
    • F16K31/122—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston
    • F16K31/1221—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston one side of the piston being spring-loaded
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/12—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid
    • F16K31/122—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston
    • F16K31/1225—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston with a plurality of pistons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
  • Fluid-Driven Valves (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Lift Valve (AREA)

Abstract

【課題】流量調整のための工数が大幅に削減されたバルブ装置を提供する。【解決手段】流路１２を画定するバルブボディ１０と、バルブボディの流路１２を開閉可能に設けられた弁体２０と、弁体２０に流路１２を開閉させる開閉方向Ａ１，Ａ２において、予め設定された弁体２０に流路を閉鎖させる閉位置ＣＰと弁体２０に流路１２を開放させる開位置ＯＰとの間で移動可能に設けられた弁体を操作する操作部材４０と、操作部材４０を開方向Ａ１に移動させる主アクチュエータ６０と、開位置ＯＰに位置付けられた操作部材４０の位置を調整するための圧電アクチュエータ１００とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法に関する。
半導体製造プロセスにおいては、正確に計量した処理ガスを処理チャンバに供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体制御機器を集積化した集積化ガスシステムと呼ばれる流体制御装置が用いられている。この集積化ガスシステムをボックスに収容したものがガスボックスと呼ばれている。
通常、上記のガスボックスから出力される処理ガスを処理チャンバに直接供給するが、原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 法）により基板に膜を堆積させる処理プロセスにおいては、処理ガスを安定的に供給するためにガスボックスから供給される処理ガスをバッファとしてのタンクに一時的に貯留し、処理チャンバの直近に設けられたバルブを高頻度で開閉させてタンクからの処理ガスを真空雰囲気の処理チャンバへ供給することが行われている。なお、処理チャンバの直近に設けられるバルブとしては、例えば、特許文献１，２を参照。
ＡＬＤ法は、化学気相成長法の１つであり、温度や時間等の成膜条件の下で、２種類以上の処理ガスを１種類ずつ基板表面上に交互に流し、基板表面上原子と反応させて単層ずつ膜を堆積させる方法であり、単原子層ずつ制御が可能である為、均一な膜厚を形成させることができ、膜質としても非常に緻密に膜を成長させることができる。
ＡＬＤ法による半導体製造プロセスでは、処理ガスの流量を精密に調整する必要があるとともに、基板の大口径化等により、処理ガスの流量をある程度確保する必要もある。
特開２００７−６４３３３号公報 特開２０１６−１２１７７６号公報
しかしながら、エア駆動式のバルブにおいて、空圧調整や機械的調整により流量を精密に調整するのは容易ではない。また、ＡＬＤ法による半導体製造プロセスでは、処理チャンバ周辺が高温となるため、バルブが温度の影響を受けやすい。さらに、高頻度でバルブを開閉するので、バルブの経時、経年変化が発生しやすく、流量調整作業に膨大な工数を要する。
本発明の一の目的は、流体の流量を確保しつつ流量を精密に調整可能なバルブ装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、流量調整工数を大幅に削減できるバルブ装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、流量調整を即座に実行できるバルブ装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記のバルブ装置を用いた流量制御方法、流量制御装置、半導体製造装置および半導体製造方法を提供することにある。
本発明に係るバルブ装置は、流路を画定するバルブボディと、
前記バルブボディの流路を開閉可能に設けられた弁体と、
前記弁体に流路を開閉させる開閉方向において、予め設定された前記弁体に流路を閉鎖させる閉位置と予め設定された前記弁体に流路を開放させる開位置との間で移動可能に設けられた前記弁体を操作する操作部材と、
前記操作部材を前記開位置又は閉位置に移動させる主アクチュエータと、
前記開位置に位置付けられた前記操作部材の位置を調整するための調整用アクチュエータと、を有することを特徴とする。
好適には、前記主アクチュエータは、前記操作部材を前記開位置に移動させ、
前記調整用アクチュエータは、前記主アクチュエータにより前記開位置に位置付けられた前記操作部材の前記開閉方向の位置を調整する、構成を採用できる。
さらに好適には、前記調整用アクチュエータは、前記バルブボディに対して所定の位置に配置されており、前記目標位置に到達した前記操作部材に作用する力を当該調整用アクチュエータの先端部で受け止めて当該操作部材の移動を規制しつつ、当該操作部材の前記開閉方向の位置を調整する構成を採用できる。
さらに好適には、前記調整用アクチュエータは、前記開閉方向において前記先端部から基端部までの全長が伸縮することで、前記操作部材の前記開閉方向の位置を調整する、構成を採用できる。前記調整用アクチュエータとしては、前記圧電素子の伸縮を利用したアクチュエータを採用でき、さらに好適には、前記開閉方向において基端部と先端部とを有するケースと、当該ケース内に収容され前記基端部と前記先端部との間で積層された圧電素子と、を有し、前記圧電素子の伸縮を利用して当該ケースの前記基端部と前記先端部との間の全長を伸縮させる、構成を採用できる。
本発明の流量制御方法は、上記バルブ装置を用いて流体の流量を制御することを特徴とし、主アクチュエータのストロークにより流量を確保しつつ、調整用アクチュエータを作動させることで、精密な流量制御が可能となる。
本発明の半導体製造方法は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの流量制御に上記のバルブ装置を用いたことを特徴とする。
本発明の流体制御装置は、
複数の流体機器を有する流体制御装置であって、
前記流体機器に上記構成のバルブ装置が含まれる。
本発明の半導体製造装置は、密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御のために上記構成のバルブ装置を含む。
本発明によれば、主アクチュエータに加えて調整アクチュエータを備えたことにより、流量の精密な調整作業が可能となるとともに、流量調整工数が大幅に削減される。
本発明によれば、主アクチュエータおよび調整アクチュエータを適宜選択することにより、必要なバルブ開度を得られるとともに精密な流量制御が可能となる。
本発明によれば、調整アクチュエータに指令を与えれば流量調整および流量制御が可能であるので、流量調整を即座に実行でき、調整用アクチュエータによりリアルタイムに流量制御することも可能となる。
本発明の一実施形態に係るバルブ装置の縦断面図。 閉状態にある図１のバルブ装置の要部の拡大断面図。 圧電アクチュエータの動作を示す説明図。 開状態にある図１のバルブ装置の縦断面図。 図４のバルブ装置の要部の拡大断面図。 図４のバルブ装置の流量調整時（流量減少時）の状態を説明するための要部の拡大断面図。 図４のバルブ装置の流量調整時（流量増加時）の状態を説明するための要部の拡大断面図。 本発明の一実施形態に係るバルブ装置の変形例を示す縦断面図。 本発明の一実施形態に係るバルブ装置の半導体製造プロセスへの適用例を示す概略図。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面においては、機能が実質的に同様の構成要素には、同じ符号を使用することにより重複した説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係るバルブ装置の構成を示す図であって、バルブが全閉時の状態を示しており、図２は図１の要部の拡大断面図、図３は調整用アクチュエータとしての圧電アクチュエータの動作を説明するための図である。なお、以下の説明において上方向を開方向Ａ１、下方向を閉方向Ａ２とする。
図１において、１はバルブ装置、１０はバルブボディ、２０は弁体としてのダイヤフラム、３８はダイヤフラム押え、３０はボンネット、４０は操作部材、５０はケーシング、６０は主アクチュエータ、７０は調整ボディ、８０はアクチュエータ押え、９０はコイルばね、１００は調整用アクチュエータとしての圧電アクチュエータ、１１０はアクチュエータ受け、１２０は弾性部材としての皿ばね、ＯＲはシール部材としてのＯリングを示している。
バルブボディ１０は、ステンレス鋼により形成されており、ブロック状のバルブボディ本体１０ａと、バルブボディ本体１０ａの側方からそれぞれ突出する接続部１０ｂ,１０ｃを有し、流路１２，１３を画定している。流路１２,１３の一端は、接続部１０ｂ,１０ｃの端面でそれぞれ開口し、他端は上方が開放された凹状の弁室１４に連通している。弁室１４の底面には、流路１２の他端側の開口周縁に設けられた装着溝に合成樹脂（ＰＦＡ、ＰＡ、ＰＩ、ＰＣＴＦＥ等）製の弁座１５が嵌合固定されている。尚、本実施形態では、図２から明らかなように、加締め加工により弁座１５が装着溝内に固定されている。
ダイヤフラム２０は、バルブボディ１０の流路１２，１３を開閉可能に設けられた弁体であり、弁座１５の上方に配設されており、弁室１４の気密を保持すると共に、その中央部が上下動して弁座１５に当離座することにより、流路１２,１３を開閉する。本実施形態では、ダイヤフラム２０は、特殊ステンレス鋼等の金属製薄板及びニッケル・コバルト合金薄板の中央部を上方へ膨出させることにより、上に凸の円弧状が自然状態の球殻状とされている。この特殊ステンレス鋼薄板３枚とニッケル・コバルト合金薄板１枚とが積層されてダイヤフラム２０が構成されている。
ダイヤフラム２０は、その周縁部が弁室１４の内周面の突出部上に載置され、弁室１４内へ挿入したボンネット３０の下端部をバルブボディ１０のねじ部１６へねじ込むことにより、ステンレス合金製の押えアダプタ２５を介してバルブボディ１０の前記突出部側へ押圧され、気密状態で挾持固定されている。尚、ニッケル・コバルト合金薄膜は、接ガス側に配置されている
なお、ダイヤフラムとしては、他の構成のものも使用可能である。
操作部材４０は、ダイヤフラム２０に流路１２,１３を開閉させるようにダイヤフラム２０を操作するための部材であり、略円筒状に形成され、下端側が閉塞部４８により閉塞し、上端側が開口しており、ボンネット３０の内周面とケーシング５０内に形成された筒状部５１の内周面に嵌合し、上下方向に移動自在に支持されている。なお、図１および図２に示すＡ１，Ａ２は操作部材４０の開閉方向であり、Ａ１は開方向、Ａ２は閉方向を示している。本実施形態では、バルブボディ１０に対して上方向が開方向Ａ１であり、下方向が閉方向Ａ２であるが、本発明はこれに限定されるわけではない。
操作部材４０の下端面にはダイヤフラム２０の中央部上面に当接するポリイミド等の合成樹脂製のダイヤフラム押え３８が装着されている。
操作部材４０の外周面に形成された鍔部４５の上面と、ケーシングの天井面との間には、コイルばね９０が設けられ、操作部材４０はコイルばね９０により閉方向Ａ２に向けて常時付勢されている。このため、図２に示すように、主アクチュエータ６０が作動していない状態では、ダイヤフラム２０は弁座１５に押し付けられ、流路１２，１３の間は閉じられた状態となっている。
なお、鍔部４５は、操作部材４０と一体であっても、別体であっても良い。
コイルばね９０は、ケーシング５０の内周面と筒状部５１との間に形成された保持部５２に収容されている。本実施形態では、コイルばね９０を使用しているが、これに限定されるわけではなく、皿ばねや板バネ等の他の種類のばねを使用できる。
ケーシング５０は、その下端部内周がボンネット３０の上端部外周に形成されたネジ部３６にねじ込まれることで、ボンネット３０に固定されている。なお、ボンネット３０上端面とケーシング５０との間には、環状のバルクヘッド６３が固定されている。
操作部材４０の外周面と、ケーシング５０およびボンネット３０との間には、バルクヘッド６３によって上下に区画されたシリンダ室Ｃ１，Ｃ２が形成されている。
上側のシリンダ室Ｃ１には、環状に形成されたピストン６１が嵌合挿入され、下側のシリンダ室Ｃ２には、環状に形成されたピストン６２が嵌合挿入されている。これらシリンダ室Ｃ１，Ｃ２およびピストン６１，６２は、操作部材４０を開方向Ａ１に移動させる主アクチュエータ６０を構成している。主アクチュエータ６０は、２つのピストン６１，６２を用いて圧力の作用面積を増加させることにより、操作ガスによる力を増力できるようになっている。
シリンダ室Ｃ１のピストン６１の上側の空間は、通気路５３により大気につながっている。シリンダ室Ｃ２のピストン６２の上側の空間は、通気路ｈ１により大気につながっている。
シリンダ室Ｃ１，Ｃ２のピストン６１，６２の下側の空間は高圧の操作ガスが供給されるため、ＯリングＯＲにより気密が保たれている。これらの空間は、操作部材４０に形成された流通路４１，４２とそれぞれ連通している。流通路４１，４２は、操作部材４０の内周面と圧電アクチュエータ１００のケース本体１０１の外周面との間に形成された流通路Ｃｈに連通し、この流通路Ｃｈは、操作部材４０の上端面と、ケーシング５０の筒状部５１と調整ボディ７０の下端面とで形成される空間ＳＰと連通している。そして、環状のアクチュエータ押え８０に形成された流通路８１は、空間ＳＰと調整ボディ７０の中心部を貫通する流通路７１とを接続している。調整ボディ７０の流通路７１は、管継手１５０を介して管１６０と連通している。
圧電アクチュエータ１００は、図３に示す円筒状のケース本体１０１に図示しない積層された圧電素子を内蔵している。ケース本体１０１は、ステンレス合金等の金属製で、半球状の先端部１０２側の端面および基端部１０３側の端面が閉塞している。積層された圧電素子に電圧を印可して伸長させることで、ケース本体１０１の先端部１０２側の端面が弾性変形し、半球状の先端部１０２が長手方向において変位する。積層された圧電素子の最大ストロークを２ｄとすると、圧電アクチュエータ１００の伸びがｄとなる所定電圧Ｖ０を予めかけておくことで、圧電アクチュエータ１００の全長はＬ０となる。そして、所定電圧Ｖ０よりも高い電圧をかけると、圧電アクチュエータ１００の全長は最大でＬ０＋ｄとなり、所定電圧Ｖ０よりも低い電圧（無電圧を含む）をかけると、圧電アクチュエータ１００の全長は最小でＬ０−ｄとなる。したがって、開閉方向Ａ１，Ａ２において先端部１０２から基端部１０３までの全長を伸縮させることができる。なお、本実施形態では、圧電アクチュエータ１００の先端部１０２を半球状としたが、これに限定されるわけではなく、先端部が平坦面であってもよい。
図１に示すように、圧電アクチュエータ１００への給電は、配線１０５により行われる。配線１０５は、調整ボディ７０の流通路７１および管継手１５０を通じて管１６０に導かれており、管１６０の途中から外部に引き出されている。
圧電アクチュエータ１００の基端部１０３の開閉方向の位置は、アクチュエータ押え８０を介して調整ボディ７０の下端面により規定されている。調整ボディ７０は、ケーシング５０の上部に形成されたネジ孔５６に調整ボディ７０の外周面に設けられたネジ部がねじ込まれており、調整ボディ７０の開閉方向Ａ１，Ａ２の位置を調整することで、圧電アクチュエータ１００の開閉方向Ａ１，Ａ２の位置を調整できる。
圧電アクチュエータ１００の先端部１０２は、図２に示すように円盤状のアクチュエータ受け１１０の上面に形成された円錐面状の受け面１１０ａに当接している。アクチュエータ受け１１０は、開閉方向Ａ１，Ａ２に移動可能となっている。
アクチュエータ受け１１０の下面と操作部材４０の閉塞部４８の上面との間には、弾性部材としての皿ばね１２０が設けられている。図２に示す状態において、皿ばね１２０は既にある程度圧縮されて弾性変形しており、この皿ばね１２０の復元力により、アクチュエータ受け１１０は開方向Ａ１に向けて常時付勢されている。これにより、圧電アクチュエータ１００も開方向Ａ１に向けて常時付勢され、基端部１０３の上面がアクチュエータ押え８０に押し付けられた状態となっている。これにより、圧電アクチュエータ１００は、バルブボディ１０に対して所定の位置に配置される。圧電アクチュエータ１００は、いずれの部材にも連結されていないので、操作部材４０に対して開閉方向Ａ１，Ａ２において相対的に移動可能である。
皿ばね１２０の個数や向きは条件に応じて適宜変更できる。また、皿ばね１２０以外にもコイルばね、板ばね等の他の弾性部材を使用できるが、皿ばねを使用すると、ばね剛性やストローク等を調整しやすいという利点がある。
図２に示すように、ダイヤフラム２０が弁座１５に当接してバルブが閉じた状態では、アクチュエータ受け１１０の下面側の規制面１１０ｔと、操作部材４０の閉塞部４８の上面側の当接面４０ｔとの間には隙間が形成されている。この隙間の距離がダイヤフラム２０のリフト量Ｌｆに相当する。リフト量Ｌｆは、バルブの開度、すなわち、流量を規定する。リフト量Ｌｆが、上記した調整ボディ７０の開閉方向Ａ１，Ａ２の位置を調整することで変更できる。図２に示す状態の操作部材４０は、当接面４０ｔを基準にすると、閉位置ＣＰに位置する。この当接面４０ｔが、アクチュエータ受け１１０の規制面１１０ｔに当接する位置、すなわち、開位置ＯＰに移動すると、ダイヤフラム２０が弁座１５からリフト量Ｌｆ分だけ離れる。
次に、上記構成のバルブ装置１の動作について図４〜図６Ｂを参照して説明する。
図４に示すように、管１６０を通じて所定圧力の操作ガスＧをバルブ装置１内に供給すると、ピストン６１，６２から操作部材４０へ開方向Ａ１に押し上げる推力が作用する。操作ガスＧの圧力は、操作部材４０にコイルばね９０および皿ばね１２０から作用する閉方向Ａ２の付勢力に抗して操作部材４０を開方向Ａ１に移動させるのに十分な値に設定されている。このような操作ガスＧが供給されると、図５に示すように、操作部材４０は皿ばね１２０をさらに圧縮しつつ開方向Ａ１に移動し、アクチュエータ受け１１０の規制面１１０ｔに操作部材４０の当接面４０ｔが当接し、アクチュエータ受け１１０は操作部材４０から開方向Ａ１へ向かう力を受ける。この力は、圧電アクチュエータ１００の先端部１０２を通じて、圧電アクチュエータ１００を開閉方向Ａ１，Ａ２に圧縮する力として作用するが、圧電アクチュエータ１００はこの力に抗する十分な剛性を有する。したがって、操作部材４０に作用する開方向Ａ１の力は、圧電アクチュエータ１００の先端部１０２で受け止められ、操作部材４０のＡ１方向の移動は、開位置ＯＰにおいて規制される。この状態において、ダイヤフラム２０は、弁座１５から上記したリフト量Ｌｆだけ離隔する。
図５に示す状態におけるバルブ装置１の流路１３から出力し供給される流体の流量を調整したい場合には、圧電アクチュエータ１００を作動させる。
図６Ａおよび図６Ｂの中心線Ｃｔの左側は、図５に示す状態を示しており、中心線Ｃｔの右側は操作部材４０の開閉方向Ａ１，Ａ２の位置を調整した後の状態を示している。
流体の流量を減少させる方向に調整する場合には、図６Ａに示すように、圧電アクチュエータ１００を伸長させて、操作部材４０を閉方向Ａ２に移動させる。これにより、ダイヤフラム２０と弁座１５との距離である調整後のリフト量Ｌｆ-は、調整前のリフト量Ｌｆよりも小さくなる。
流体の流量を増加させる方向に調整する場合には、図６Ｂに示すように、圧電アクチュエータ１００を短縮させて、操作部材４０を開方向Ａ１に移動させる。これにより、ダイヤフラム２０と弁座１５との距離である調整後のリフト量Ｌｆ+は、調整前のリフト量Ｌｆよりも大きくなる。
本実施形態では、ダイヤフラム２０のリフト量の最大値は１００〜２００μｍ程度で、圧電アクチュエータ１００による調整量は±２０μｍ程度である。
すなわち、圧電アクチュエータ１００のストロークでは、ダイヤフラム２０のリフト量をカバーすることができないが、操作ガスＧで動作する主アクチュエータ６０と圧電アクチュエータ１００を併用することで、相対的にストロークの長い主アクチュエータ６０でバルブ装置１の供給する流量を確保しつつ、相対的にストロークの短い圧電アクチュエータ１００で精密に流量調整することができ、調整ボディ７０等により手動で流量調整をする必要がなくなるので、流量調整工数が大幅に削減される。
本実施形態によれば、圧電アクチュエータ１００に印可する電圧を変化させるだけで精密な流量調整が可能であるので、流量調整を即座に実行できるとともに、リアルタイムに流量制御をすることも可能となる。
次に、図７に上記実施形態の変形例を示す。
上記実施形態では、調整ボディ７０をケーシング５０のネジ孔５６にねじ込むだけであったが、図７では、調整ボディ７０Ａの上にロックナット１８０を設け、ネジ孔５６にロックナット１８０をねじ込んで調整ボディ７０Ａの上面をロックナット１８０の下面で押圧して調整ボディ７０Ａの回動を阻止する。調整ボディ７０Ａの回転により、操作部材４０の開位置ＯＰがずれる、配線１０５が捩れる等の不具合を防ぐことができる。
次に、図８を参照して、上記したバルブ装置１の適用例について説明する。
図８に示す半導体製造装置１０００は、ＡＬＤ法による半導体製造プロセスを実行するための装置であり、３００はプロセスガス供給源、４００はガスボックス、５００はタンク、６００は制御部、７００は処理チャンバ、８００は排気ポンプを示している。
ＡＬＤ法による半導体製造プロセスでは、処理ガスの流量を精密に調整する必要があるとともに、基板の大口径化により、処理ガスの流量をある程度確保する必要もある。
ガスボックス４００は、正確に計量したプロセスガスを処理チャンバ７００に供給するために、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体制御機器を集積化してボックスに収容した集積化ガスシステム（流体制御装置）である。
タンク５００は、ガスボックス４００から供給される処理ガスを一時的に貯留するバッファとして機能する。
制御部６００は、バルブ装置１への操作ガスＧの供給制御や圧電アクチュエータ１００による流量調整制御を実行する。
処理チャンバ７００は、ＡＬＤ法による基板への膜形成のための密閉処理空間を提供する。
排気ポンプ８００は、処理チャンバ７００内を真空引きする。
上記のようなシステム構成によれば、制御部６００からバルブ装置１に流量調整のための指令を送れば、処理ガスの初期調整が可能になる。
また、処理チャンバ７００内で成膜プロセスを実行途中であっても、処理ガスの流量調整が可能であり、リアルタイムに処理ガス流量の最適化ができる。
上記適用例では、バルブ装置１をＡＬＤ法による半導体製造プロセスに用いる場合について例示したが、これに限定されるわけではなく、本発明は、例えば原子層エッチング法（ＡＬＥ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｅｔｃｈｉｎｇ 法）等、精密な流量調整が必要なあらゆる対象に適用可能である。
上記実施形態では、主アクチュエータとして、ガス圧で作動するシリンダ室に内蔵されたピストンを用いたが、本発明はこれに限定されるわけではなく、制御対象に応じて最適なアクチュエータを種々選択可能である。
上記実施形態では、調整用アクチュエータとして、圧電アクチュエータを用いたが、これに限定されるわけではなく、ステッピングモータなどのモータと回転運動を直線運動に変換させるボールねじとナット等の機構を、ソレノイドコイル、温度変化により伸縮するサーモアクチュエータ等、種々のアクチュエータを採用できる。なお、圧電アクチュエータ１００は、熱の放出が少ない、耐熱性が百数十度℃ある、初期調整時だけでなく流体制御時に常時作動させることができる、伸縮の際にバックラッシ等の非線形特性が少ないため位置決め精度が非常に高い、比較的大きな圧縮荷重を支持できる等の点で、本願発明の調整用アクチュエータとして好ましい。また、調整ボディ７０により、操作部材４０の開位置ＯＰを予め精度良く機械的に調整すれば、その後の操作部材４０の位置の高精度な制御を圧電アクチュエータ１００に担わせることで、圧電アクチュエータ１００の最大ストロークを可能な限り小さくできるとともに（圧電アクチュエータの小型化が可能になるとともに）、操作部材４０の位置の高精度な微調整および高精度な位置制御が可能となる。
上記実施形態では、いわゆるノーマリクローズタイプのバルブを例に挙げたが、本発明はこれに限定されるわけではなく、ノーマリオープンタイプのバルブにも適用可能である。この場合には、例えば、弁体の開度調整を調整用アクチュエータで行うようにすればよい。
上記実施形態では、圧電アクチュエータ１００で操作部材４０に作用する力を支える（受け止める）構成としたが、本発明はこれに限定されるわけではなく、操作部材４０の開位置ＯＰでの位置決めを機械的に行い、操作部材４０に作用する力を支持することなく操作部材４０の開閉方向の位置調整のみを調整用アクチュエータで実行する構成も可能である。
上記実施形態では、弁体としてダイヤフラムを例示したが、本発明はこれに限定されるわけではなく、他の種類の弁体を採用することも可能である。
上記実施形態では、バルブ装置１を流体制御装置としてのガスボックス４００の外部に配置する構成としたが、開閉バルブ、レギュレータ、マスフローコントローラ等の各種の流体機器を集積化してボックスに収容した流体制御装置に上記実施形態のバルブ装置１を含ませることも可能である。
１ バルブ装置
１０ バルブボディ
１５ 弁座
２０ ダイヤフラム
２５ 押えアダプタ
３０ ボンネット
３８ ダイヤフラム押え
４０ 操作部材
４０ｔ 当接面
４５ 鍔部
４８ 閉塞部
５０ ケーシング
６０ 主アクチュエータ
６１，６２ ピストン
６３ バルクヘッド
７０，７０Ａ 調整ボディ
７１ 流通路
８０ アクチュエータ押え
８１ 流通路
９０ コイルばね
１００ 圧電アクチュエータ（調整用アクチュエータ）
１０１ ケース本体
１０２ 先端部
１０３ 基端部
１０５ 配線
１１０ アクチュエータ受け
１１０ｔ 規制面
１２０ 皿ばね（弾性部材）
１５０ 管継手
１６０ 管
１８０ ロックナット
３００ プロセスガス供給源
４００ ガスボックス
５００ タンク
６００ 制御部
７００ 処理チャンバ
８００ 排気ポンプ
１０００ 半導体製造装置
Ａ１ 開方向
Ａ２ 閉方向
Ｃ１，Ｃ２ シリンダ室
Ｃｈ 流通路
ＳＰ 空間
ＯＰ 開位置
ＣＰ 閉位置
ＯＲ Ｏリング
Ｇ 操作ガス
Ｌｆ 調整前のリフト量
Ｌｆ＋，Ｌｆ− 調整後のリフト量

Claims (11)

  1. 流路を画定するバルブボディと、
    前記バルブボディの流路を開閉可能に設けられた弁体と、
    前記弁体に流路を開閉させる開閉方向において、予め設定された前記弁体に流路を閉鎖させる閉位置と予め設定された前記弁体に流路を開放させる開位置との間で移動可能に設けられた前記弁体を操作する操作部材と、
    前記操作部材を前記開位置又は閉位置に移動させる主アクチュエータと、
    前記開位置に位置付けられた前記操作部材の位置を調整するための調整用アクチュエータと、を有し、
    前記調整用アクチュエータは、圧電素子の伸縮を利用したアクチュエータである、バルブ装置。
  2. 前記主アクチュエータは、前記操作部材を前記開位置に移動させ、
    前記調整用アクチュエータは、前記主アクチュエータにより前記開位置に位置付けられた前記操作部材の前記開閉方向の位置を調整することを特徴とする、請求項1に記載のバルブ装置。
  3. 前記調整用アクチュエータは、前記バルブボディに対して所定位置に配置されており、前記開位置に到達した前記操作部材に作用する力を当該調整用アクチュエータの先端部で受け止めて当該操作部材の移動を規制しつつ、当該操作部材の前記開閉方向の位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のバルブ装置。
  4. 前記調整用アクチュエータは、前記開閉方向において前記先端部から基端部までの全長が伸縮することで、前記操作部材の前記開閉方向の位置を調整する、ことを特徴とする請求項３に記載のバルブ装置。
  5. 前記操作部材と前記調整用アクチュエータの間には、当該調整用アクチュエータを前記所定位置に向けて常時付勢する弾性部材が介在している、ことを特徴とする請求項３又は４に記載のバルブ装置。
  6. 前記調整用アクチュエータは、前記開閉方向において基端部と先端部とを有するケースと、当該ケース内に収容され前記基端部と前記先端部との間で積層された圧電素子と、を有し、前記圧電素子の伸縮を利用して当該ケースの前記基端部と前記先端部との間の全長を伸縮させる、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のバルブ装置。
  7. 前記主アクチュエータはガス圧を駆動源とするアクチュエータである、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のバルブ装置。
  8. 請求項１ないし７のいずれかに記載のバルブ装置を用いて、流体の流量を調整する流量制御方法。
  9. 複数の流体機器を有する流体制御装置であって、
    前記流体機器に請求項１ないし７のいずれかに記載のバルブ装置が含まれる、ことを特徴とする流体制御装置。
  10. 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの流量制御に請求項１ないし７のいずれかに記載のバルブ装置を用いたことを特徴とする半導体製造方法。
  11. 密閉されたチャンバ内においてプロセスガスによる処理工程を要する半導体装置の製造プロセスにおいて、前記プロセスガスの制御に請求項１ないし７のいずれかに記載のバルブ装置を用いたことを特徴とする半導体製造装置。

JP2018513389A 2016-11-08 2017-11-02 バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法 Active JP6336692B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016218093 2016-11-08
JP2016218093 2016-11-08
PCT/JP2017/039729 WO2018088326A1 (ja) 2016-11-08 2017-11-02 バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018088543A Division JP2018132195A (ja) 2016-11-08 2018-05-02 バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6336692B1 true JP6336692B1 (ja) 2018-06-06
JPWO2018088326A1 JPWO2018088326A1 (ja) 2018-11-15

Family

ID=62110580

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018513389A Active JP6336692B1 (ja) 2016-11-08 2017-11-02 バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法
JP2018088543A Pending JP2018132195A (ja) 2016-11-08 2018-05-02 バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018088543A Pending JP2018132195A (ja) 2016-11-08 2018-05-02 バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11098819B2 (ja)
EP (1) EP3540280A4 (ja)
JP (2) JP6336692B1 (ja)
KR (2) KR20190077477A (ja)
CN (1) CN109952459B (ja)
TW (1) TWI671483B (ja)
WO (1) WO2018088326A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018100968A1 (ja) * 2016-11-30 2019-10-17 株式会社フジキン バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法
JP2021032391A (ja) * 2019-08-29 2021-03-01 株式会社フジキン バルブ装置および流量制御装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110462269B (zh) 2017-06-22 2021-06-15 株式会社富士金 流量控制装置及流量控制装置的流量控制方法
CN111133239A (zh) * 2017-09-25 2020-05-08 株式会社富士金 阀装置、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法
JP7179377B2 (ja) * 2018-08-30 2022-11-29 株式会社フジキン 流体制御機器
WO2020158459A1 (ja) * 2019-01-31 2020-08-06 株式会社フジキン バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法、流体制御装置、半導体製造方法、および半導体製造装置
US20220082176A1 (en) * 2019-01-31 2022-03-17 Fujikin Incorporated Valve device, flow control method, fluid control device, semiconductor manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus
JP7308506B2 (ja) * 2019-01-31 2023-07-14 株式会社フジキン バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法、半導体製造方法、および半導体製造装置
CN110307351A (zh) * 2019-07-10 2019-10-08 广东工业大学 一种压电陶瓷限流阀
IL268254A (en) * 2019-07-24 2021-01-31 Ham Let Israel Canada Ltd Flow control accessory
US11927274B2 (en) 2019-11-25 2024-03-12 M-System Co., Ltd. Actuator and fluid control device
KR20230131613A (ko) 2022-03-07 2023-09-14 주식회사 코일넷 미생물 분뇨처리조가 구비된 변기

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08170755A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Koganei Corp 流体圧作動弁装置
WO2004079243A1 (ja) * 2003-03-07 2004-09-16 Ckd Corporation 流量制御弁

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5092360A (en) 1989-11-14 1992-03-03 Hitachi Metals, Ltd. Flow rated control valve using a high-temperature stacked-type displacement device
JPH10318385A (ja) 1997-05-21 1998-12-04 Hitachi Metals Ltd 金属ダイアフラム式流量調節弁
JP2001317646A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Smc Corp 圧電式流体制御弁
IT1320475B1 (it) 2000-06-30 2003-11-26 Fiat Ricerche Attuatore piezoelettrico autocompensato per una valvola di controllo.
JP5054904B2 (ja) 2005-08-30 2012-10-24 株式会社フジキン ダイレクトタッチ型メタルダイヤフラム弁
KR100812560B1 (ko) * 2005-09-07 2008-03-13 씨케이디 가부시키 가이샤 유량 제어 밸브
JP4743763B2 (ja) 2006-01-18 2011-08-10 株式会社フジキン 圧電素子駆動式金属ダイヤフラム型制御弁
JP4933936B2 (ja) * 2007-03-30 2012-05-16 株式会社フジキン 圧電素子駆動式制御弁
JP5082989B2 (ja) * 2008-03-31 2012-11-28 日立金属株式会社 流量制御装置、その検定方法及び流量制御方法
US20130000759A1 (en) 2011-06-30 2013-01-03 Agilent Technologies, Inc. Microfluidic device and external piezoelectric actuator
US8783652B2 (en) * 2012-03-12 2014-07-22 Mps Corporation Liquid flow control for film deposition
JP5775110B2 (ja) * 2013-03-26 2015-09-09 株式会社フジキン 流量制御装置用の流量制御弁
JP6491878B2 (ja) 2014-12-25 2019-03-27 株式会社フジキン 流体制御器
SG11201707344SA (en) * 2015-03-13 2017-10-30 Technoprobe Spa Testing head with vertical probes having an improved sliding movement within respective guide holes and correct holding of the probes within the testing head under different operative conditions
CN110462269B (zh) 2017-06-22 2021-06-15 株式会社富士金 流量控制装置及流量控制装置的流量控制方法
CN111133239A (zh) 2017-09-25 2020-05-08 株式会社富士金 阀装置、流量调整方法、流体控制装置、流量控制方法、半导体制造装置和半导体制造方法
KR102259108B1 (ko) 2017-09-25 2021-06-01 가부시키가이샤 후지킨 밸브장치, 조정 정보 생성방법, 유량 조정방법, 유체 제어장치, 유량 제어방법, 반도체 제조장치 및 반도체 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08170755A (ja) * 1994-12-20 1996-07-02 Koganei Corp 流体圧作動弁装置
WO2004079243A1 (ja) * 2003-03-07 2004-09-16 Ckd Corporation 流量制御弁

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018100968A1 (ja) * 2016-11-30 2019-10-17 株式会社フジキン バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法
JP2021032391A (ja) * 2019-08-29 2021-03-01 株式会社フジキン バルブ装置および流量制御装置
JP7382054B2 (ja) 2019-08-29 2023-11-16 株式会社フジキン バルブ装置および流量制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109952459B (zh) 2021-02-26
WO2018088326A1 (ja) 2018-05-17
KR20190077477A (ko) 2019-07-03
US11098819B2 (en) 2021-08-24
EP3540280A4 (en) 2019-11-27
US20190285176A1 (en) 2019-09-19
EP3540280A1 (en) 2019-09-18
TW201825817A (zh) 2018-07-16
JPWO2018088326A1 (ja) 2018-11-15
KR102312480B1 (ko) 2021-10-14
TWI671483B (zh) 2019-09-11
KR20210079403A (ko) 2021-06-29
JP2018132195A (ja) 2018-08-23
CN109952459A (zh) 2019-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6336692B1 (ja) バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法
JP6923220B2 (ja) バルブ装置、このバルブ装置を用いた流量制御方法および半導体製造方法
JP7113529B2 (ja) バルブ装置、流量調整方法、流体制御装置、流量制御方法、半導体製造装置および半導体製造方法
JP7030359B2 (ja) バルブ装置
JP7174430B2 (ja) バルブ装置、調整情報生成方法、流量調整方法、流体制御装置、流量制御方法、半導体製造装置および半導体製造方法
US11174949B2 (en) Actuator and valve device using the same
US20220082176A1 (en) Valve device, flow control method, fluid control device, semiconductor manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus
JPWO2019171604A1 (ja) バルブ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180312

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180312

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180312

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20180416

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180420

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180502

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6336692

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250