TWI671483B - 閥裝置、使用此閥裝置的流量控制方法及半導體製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係在於提供可大幅地削減用來進行流量調整的工數之閥裝置。 　　用以解決課題之手段為，一種閥裝置，係具備有：用來劃定流路(12)之閥主體(10)；設置成可開閉閥主體的流路(12)之閥體(20)；在使閥體(20)開閉流路(12)之開閉方向(A1，A2)上，操作閥體之操作構件(40)，該閥體是在使預先設定的閥體(20)關閉流路之關閉位置(CP)與使閥體(20)打開流路(12)之打開位置(OP)之間可移動地設置；使操作構件(40)朝打開方向(A1)移動之主致動器(60)；及調整被定位於打開位置(OP)的操作構件(40)的位置之壓電致動器(100)。

Description

閥裝置、使用此閥裝置的流量控制方法及半導體製造方法
[0001] 本發明係關於閥裝置、使用此閥裝置的流量控制方法及半導體製造方法。
[0002] 在半導體製造程序，為了將正確地測量後的處理氣體供給至處理室，採用被稱為將開閉閥、調整器、質流量控制器等的各種流體控制機器積體化之積體化氣體系統的流體控制裝置。將此積體化氣體系統收容於箱者被稱為氣箱。 　　一般，將自前述氣箱所輸出的處理氣體直接供給至處理室，但，在藉由原子層沉積法(ALD：Atomic Layer Deposition法)使膜堆積於基板之處理程序，為了穩定地供給處理氣體，進行以下的處理，亦即，將自氣箱所供給的處理氣體暫時地儲存於作為緩衝區之槽，將設在處理室附近之閥高頻度進行開閉，將處理氣體供給至真空環境的處理室。再者，作為設在處理室附近的閥，例如參照專利文獻1，2。 　　ALD法為化學氣相成長法的一種，在溫度、時間等的成膜條件下，使2種以上的處理氣體以各1種類的方式交互地流動於基板表面上，與基板表面上的原子反應，以單層的方式進行膜堆積的方法，由於能以單原子層的方式進行控制，可形成均等的膜厚，可使膜品質極為緊緻的膜成長。 　　在藉由ALD法之半導體製造程序，需要精密地調整處理氣體的流量，並且因基板的大口徑化等，也需要某種程度地確保處理氣體的流量。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1] 日本特開2007-64333號公報 　　[專利文獻2] 日本特開2016-121776號公報
[發明所欲解決的課題] 　　[0004] 但，在空氣驅動式閥，藉由空壓調整、機械式調整來精密地調整流量一事並不容易。又，在藉由ALD法之半導體製造程序，由於處理室周邊會成為高溫，故，閥容易受到溫度的影響。且，因高頻度開閉閥，所以，閥容易隨著時間、年月產生變化，對於進行流量調整作業需要龐大的工時。 　　[0005] 本發明的一目的係在於提供既可確保流體的流量，又可精密地調整流量之閥裝置。 　　本發明的另一目的係在於提供可大幅地削減流量調整工時之閥裝置。 　　本發明的另一目的係在於提供可立即地執行流量調整之閥裝置。 　　本發明的另一目的係在於提供使用前述閥裝置之流量控制方法、流量控制裝置、半導體製造裝置及半導體製造方法。 [用以解決課題的手段] 　　[0006] 本發明之閥裝置係具備有：用來劃定流路的閥主體； 　　設置成可開閉前述閥主體的流路的閥體； 　　操作構件，其係在使前述閥體開閉流路之開閉方向上，操作前述閥體，該閥體是在使預先設定的前述閥體關閉流路之關閉位置與使預先設定的前述閥體打開流路之打開位置之間可移動地設置； 　　使前述操作構件朝前述打開位置或關閉位置移動之主致動器；及 　　用來調整被定位於前述打開位置的前述操作構件的位置之調整用致動器。 　　[0007] 理想為可採用下述的結構，亦即，前述主致動器係使前述操作構件朝前述打開位置， 　　前述調整用致動器係用來調整藉由前述主致動器定位於前述打開位置的前述操作構件之前述開閉方向的位置。 　　[0008] 理想為可採用下述的結構，亦即，前述調整用致動器係對前述閥主體配置於預定的位置，以該調整用致動器的前端部承接作用於到達了前述目標位置的前述操作構件之力，限制該操作構件的移動，並且調整該操作構件的前述開閉方向之位置。 　　[0009] 理想為可採用下述的結構，亦即，前述調整用致動器係藉由在前述開閉方向上，前述前端部到基端部之全長伸縮，調整前述操作構件的前述開閉方向之位置。作為前述調整用致動器，可採用利用前述壓電元件的伸縮之致動器，理想為可採用下述的結構，亦即，具備：在前述開閉方向上具有基端部與前端部之外殼、收容於該外殼內並在前述基端部與前述前端部之間層積的壓電元件，利用前述壓電元件的伸縮，使該外殼的前述基端部與前述前端部之間的全長伸縮。 　　[0010] 本發明的流量控制方法，其特徵為使用前述閥裝置來控制流體的流量，藉由以主致動器的行程，確保流量且使調整用致動器，能夠進行精密的流量控制。 　　[0011] 本發明的半導體製造方法，其特徵為：在密閉的室內，需要進行藉由程序氣體的處理製程之半導體裝置的製造程序中，使用前述閥裝置，進行前述程序氣體之流量控制。 　　[0012] 本發明的流體控制裝置係具有複數個流體機器之流體控制裝置，其特徵為： 　　前述流體機器係含有前述結構的閥裝置。 　　[0013] 本發明的半導體製造裝置，其特徵為：在密閉的室內，需要進行藉由程序氣體的處理製程之半導體裝置的製造程序中，包含有前述結構的閥裝置，用以進行前述程序氣體之控制。 [發明效果] 　　[0014] 若依據本發明，藉由除了具備主致動器外，還具備調整用致動器，能夠進行流量的精密的調整作業，並且可大幅地削減流量調整工時。 　　若依據本發明，藉由適宜選擇主致動器及調整用致動器，能夠獲得需要的閥開度，並且可進行精密的流量控制。 　　若依據本發明，若對調整用致動器賦予指令，則可進行流量調整及流量控制，因此，可立即執行流量調整，藉由調整用致動器可即時進行流量控制。
[0016] 以下，參照圖面等說明關於本發明的實施形態。再者，在本說明書及圖面中，針對功能實質上相同之構成要件，使用相同的符號，並省略重複的說明。 　　圖1係顯示本發明的一實施形態之閥裝置的結構之圖，顯示閥全關時的狀態，圖2係圖1的主要部分放大斷面圖，圖3係用來說明作為調整用致動器的壓電致動器之動作的圖。再者，在以下的說明中，將上方向設為打開方向A1、將下方向設為關閉方向A2。 　　在圖1中，1為閥裝置、10為閥主體、20是作為閥體之隔膜、38為隔膜按壓件、30為閥帽、40為操作構件、50為外殼、60為主致動器、70為調整主體、80為致動器按壓件、90為線圈彈簧、100為作為調整用致動器之壓電致動器、110為致動器接收部、120為作為彈性構件之圓盤形彈簧、OR為作為密封構件之O型環。 　　[0017] 閥主體10係藉由不銹鋼所形成，具有塊狀的閥主體本體10a及分別自閥主體本體10a的側面突出之連接部10b，10c，用來劃定流路12，13。流路12、13的一端係在連接部10b、10c的端面分別開口，另一端係連通於上方開放的凹狀閥室14。在閥室14的底面，合成樹脂(PFA、PA、PI、PCTFE等)製的閥座15嵌合固定於設在流路12的另一端側的開口周緣之裝設溝。再者，在本實施形態，如圖2所示，藉由鉚接加工，將閥座15固定於裝設溝內。 　　[0018] 隔膜20係為設置成可將閥主體10的流路12、13開閉之閥體，配設於閥座15的上方，用來保持閥室14的氣密，並且藉由其中央部上下移動而對閥座15進行固定、分離，藉此將流路12、13開閉。在本實施形態，隔膜20係藉由將特殊不銹鋼等的金屬製薄板及鎳鈷合金薄板的中央部朝上方膨出，藉此作成為朝上方凸的圓弧狀為自然狀態之球殼狀。將3片此特殊不銹鋼薄板與1片鎳鈷合金薄板層積而構成隔膜20。 　　隔膜20係其周緣部配置於閥室14的內周面的突出部上，藉由將插入到閥室14內的閥帽30的下端部旋入至閥主體10的螺絲部16，經由不銹鋼合金製的按壓接合器25朝閥主體10的前述突出部側按壓，使得在氣密狀態下挾持固定。再者，鎳鈷合金薄膜係配置於接氣側。 　　再者，作為隔膜，亦可使用其它結構者。 　　[0019] 操作構件40係為用來操作隔膜20，使隔膜20開閉流路12、13之構件，形成為略圓筒狀，下端側被封閉部48封閉，上端側形成為開口，嵌合於閥帽30的內周面與形成於外殼50內的筒狀部51之內周面，可朝上下方向自由移動地支承。再者，如圖1及圖2所示的A1、A2係為操作構件40的開閉方向，A1為打開方向，A2為關閉方向。在本實施形態，對閥主體10，上方向為打開方向A1，下方向為關閉方向A2，但本發明不限於此。 　　在操作構件40的下端面，裝設有聚醯亞胺等的合成樹脂製之隔膜按壓件38，隔膜按壓件38是抵接於隔膜20的中央部上面。 　　線圈彈簧90設在形成於操作構件40的外周面的鍔部45的上面與外殼的天頂面之間，操作構件40係藉由線圈彈簧90朝關閉方向A2始終被彈推。因此，如圖2所示，在主致動器60未作動之狀態下，隔膜20是按壓於閥座15流路12，13之間形成為關閉的狀態。 　　再者，鍔部45，可與操作構件40一體，亦可為不同體。 　　[0020] 線圈彈簧90係收容於保持部52，該保持部52形成於外殼50的內周面與筒狀部51之間。在本實施形態，使用線圈彈簧90，但不限於此，亦可使用圓盤形彈簧、板簧等的其他種類的彈簧。 　　[0021] 外殼50係藉由其下端部內周旋入於形成在上端部外周的螺絲部36，固定於閥帽30。再者，在閥帽30的上端面與外殼50之間，固定有環狀的艙壁63。 　　操作構件40的外周面與外殼50及閥帽30之間，形成有藉由艙壁63向上下區劃之壓缸室C1，C2。 　　[0022] 在上側的壓缸室C1，嵌合插入有形成為環狀的活塞61，在下側的壓缸室C2，嵌合插入有形成為環狀的活塞62。該等壓缸室C1，C2及活塞61，62係構成為使操作構件40朝打開方向A1移動之主致動器60。主致動器60係藉由使用2個活塞61、62使壓力的作用面積增加，能夠使藉由操作氣體之力增大。 　　壓缸室C1的活塞61的上側空間係藉由通氣路徑53與大氣相連。壓缸室C2的活塞62的上側空間係藉由通氣路徑h1與大氣相連。 　　[0023] 壓缸室C1、C2的活塞61、62的下側空間係為了被供給高壓的操作氣體，故藉由O型環OR保持成氣密。該等空間係分別與形成在操作構件40的流通路徑41、42相連通。流通路徑41，42係連通於形成在操作構件40的內周面與壓電致動器100的外殼本體101的外周面之間的流通路徑Ch相連通，此流通路徑Ch係與藉由操作構件40的上端面和外殼50的筒狀部51與調整主體70的下端面所形成的空間SP相連通。又，形成於環狀的致動器按壓件80之流通路徑81係將空間SP與貫通調整主體70的中心部的流通路徑71相連接。調整主體70的流通路徑71係經由管接頭150與管160相連通。 　　[0024] 壓電致動器100係內置有層積於如圖3所示的圓筒狀之外殼本體101的未圖示的壓電元件。外殼本體101係為不銹鋼合金等的金屬製，半球狀的前端部102側之端面及基端部103側之端面被封閉。藉由對已被層積的壓電元件施加電壓並使其伸長，使得外殼本體101的前端部102側之端面彈性變形，半球狀的前端部102朝長度方向位移。若將已被層積的壓電元件的最大行程設為2d的話，預先施加使壓電致動器100的伸長率成為d之預定電壓V0，使得壓電致動器100的全長成為L0。又，若施加較預定電壓V0高之電壓的話，壓電致動器100的全長則形成為最大的L0+d，若施加較預定電壓V0低之電壓(包含無電壓)的話，壓電致動器100的全長則形成為最小的L0-d。因此，在開閉方向A1、A2，可使從前端部102到基端部103為止的全長伸縮。再者，在本實施形態，將壓電致動器100的前端部102作成半球狀，但不限於此，前端部亦可為平坦面。 　　如圖1所示，朝壓電致動器100之供電是藉由配線105進行。配線105係透過調整主體70的流通路徑71及管接頭150導引至管160，從管160的途中拉引至外部。 　　[0025] 壓電致動器100的基端部103之開閉方向的位置係經由致動器按壓件80，以調整主體70的下端面來規定。調整主體70係將設在調整主體70的外周面之螺絲部旋入至形成在外殼50的上部之螺孔56，藉由調整調整主體70的開閉方向A1、A2的位置，能夠調整壓電致動器100的開閉方向A1、A2的位置。 　　壓電致動器100的前端部102係如圖2所示，抵接於形成在圓盤狀的致動器接收部110的上面之圓錐面狀的接收面110a。致動器接收部110係可朝開閉方向A1，A2移動。 　　[0026] 在致動器接收部110的下表面與操作構件40的封閉部48的上表面之間，設有作為彈性構件之圓盤形彈簧120。在如圖2所示的狀態，圓盤形彈簧120已被某種程度壓縮而彈性變形，藉由此圓盤形彈簧120的復原力，將致動器接收部110始終朝打開方向A1彈推。藉此，壓電致動器100亦朝打開方向A1始終被彈推，形成為基端部103的上表面按壓於致動器按壓件80之狀態。藉此，壓電致動器100係對閥主體10配置於預定的位置。因壓電致動器100係未與任何的構件連結，所以，對操作構件40在開閉方向A1、A2上可相對地移動。 　　圓盤形彈簧120的數量、方向係可因應條件適宜變更。又，除了圓盤形彈簧120以外，亦可使用線圈彈簧、板簧等的其他彈性構件，但若使用圓盤形彈簧的話，則具有容易調整彈簧剛性、行程等之優點。 　　[0027] 如圖2所示，在隔膜20抵接於閥座15而使閥關閉之狀態，在致動器接收部110的下表面側的限制面110t與操作構件40的封閉部48的上表面側的抵接面40t之間形成間隙。此間隙的距離是相當於隔膜20的升降量Lf。升降量Lf係用來規定閥的開度，亦即，用來規定流量。升降量Lf可藉由調整前述調整主體70的開閉方向A1、A2的位置加以變更。如圖2所示的狀態之操作構件40，若以抵接面40t為基準，則位於關閉位置CP。若此抵接面40t朝抵接至致動器接收部110的限制面110t之位置，亦即，打開位置OP移動的話，則隔膜20自閥座15分離相當於升降量Lf之距離。 　　[0028] 其次，參照圖4至圖6B，說明關於前述結構的閥裝置1的動作。 　　如圖4所示，若透過管160，將預定壓力的操作氣體G供給至閥裝置1內的話，則從活塞61，62會有將操作構件40朝打開方向A1推起的推力作用。操作氣體G的壓力係設定成：克服從線圈彈簧90及圓盤形彈簧120作用於操作構件40之關閉方向A2的彈推力而使操作構件40朝打開方向A1移動之充分的值。若供給這樣的操作氣體G的話，則如圖5所示，操作構件40將圓盤形彈簧120進一步壓縮並朝打開方向A1移動，操作構件40的抵接面40t抵接於致動器接收部110的限制面110t，致動器接收部110接受從操作構件40朝打開方向A1之力。此力係作為透過壓電致動器100的前端部102，將壓電致動器100朝開閉方向A1，A2壓縮之力發揮作用，但，壓電致動器100具有可克服此力之充分的剛性。因此，作用於操作構件40之打開方向A1的力係被壓電致動器100的前端部102所接收，使得操作構件40之A1方向的移動被限制在打開位置OP。在此狀態，隔膜20係從閥座15分離相當於前述升降量Lf之距離。 　　[0029] 在欲調整從如圖5所示的狀態之閥裝置1的流路13輸出並供給的流體的流量之情況，使壓電致動器100作動。 　　圖6A及圖6B的中心線Ct的左側係顯示圖5所示的狀態，中心線Ct的右側係顯示將操作構件40的開閉方向A1、A2的位置進行了調整後的狀態。 　　在朝使流體的流量減少的方向調整之情況，如圖6A所示，使壓電致動器100伸長，讓操作構件40朝關閉方向A2移動。藉此，隔膜20與閥座15之距離亦即調整後的升降量Lf-係變得較調整前的升降量Lf小。 　　在朝使流體的流量增加的方向調整之情況，如圖6B所示，使壓電致動器100縮短，讓操作構件40朝打開方向A1移動。藉此，隔膜20與閥座15之距離亦即調整後的升降量Lf+係變得較調整前的升降量Lf大。 　　[0030] 在本實施形態，隔膜20的升降量之最大值為100～200μm左右，藉由壓電致動器100之調整量為±20μm左右。 　　亦即，在壓電致動器100的行程，無法負荷隔膜20的升降量，但，藉由併用以操作氣體G作動的主致動器60與壓電致動器100，能藉由行程相對長的主致動器60確保閥裝置1所供給的流量，且能藉由行程相對短的壓電致動器100精密地進行流量調整，使得不需要藉由調整主體70等，以手動進行流量調整，因此，可大幅地削減流量調整工時。 　　若依據本實施形態，僅使施加至壓電致動器100的電壓改變，能夠進行精密的流量調整，因此，可立即執行流量調整，並且可即時進行流量控制。 　　[0031] 其次，在圖7顯示前述實施形態的變形例。 　　在前述實施形態，僅將調整主體70旋入至外殼50的螺孔56，但，在圖7中，於調整主體70A上設置鎖定螺帽180，將鎖定螺帽180旋入至螺孔56，以鎖定螺帽180的下表面按壓調整主體70A的上表面，阻止調整主體70A轉動。藉由調整主體70A的旋轉，可防止操作構件40的打開位置OP偏移、配線105扭轉等的缺失產生。 　　[0032] 其次，參照圖8，說明關於前述閥裝置1的適用例。 　　如圖8所示的半導體製造裝置1000係用來執行藉由ALD法之半導體製造程序的裝置，300為程序氣體供給源、400為氣箱、500為槽、600為控制部、700為處理室、800為排氣泵浦。 　　在藉由ALD法之半導體製造程序，需要精密地調整處理氣體的流量，並且因基板的大口徑化，也需要某種程度地確保處理氣體的流量。 　　氣箱400係為了將正確地測量後的程序氣體供給至處理室700，將開閉閥、調整器、質流量控制器等的各種流體控制機器積體化後收容於箱中之積體化氣體系統(流體控制裝置)。 　　槽500係作為將自氣箱400所供給的處理氣體暫時地儲存的緩衝區發揮功能。 　　控制部600係執行朝閥裝置1之操作氣體MG的供給控制、藉由壓電致動器100之流量調整控制等。 　　處理室700係用來提供藉由ALD法之朝基板進行膜形成用的密閉處理空間。 　　排氣泵浦800係將處理室700內進行真空吸引。 　　[0033] 若依據前述系統結構，從控制部600朝閥裝置1傳送進行流量調整用的指令的話，則可進行處理氣體的初期調整。 　　又，即使在處理室700內執行成膜程序的途中，亦可進行處理氣體的流量調整，能夠即時地將處理氣體流量最佳化。 　　[0034] 在前述適用例，以將閥裝置1使用於藉由ALD法之半導體製造程序的情況為例進行了說明，但，不限於此，本發明亦可適用於例如原子層蝕刻法(ALE：Atomic Layer Etching 法)等，需要進行精密的流量調整之所有對象。 　　[0035] 在前述實施形態，作為主致動器，使用內置於以氣壓作動的壓缸室內之活塞，但，本發明不限於此，可因應控制對象，適宜選擇最適合的其他種類之致動器。 　　[0036] 在前述實施形態，作為調整用致動器，使用壓電致動器，但，不限於此，可採用步進馬達等的馬達、將旋轉運動變換成直線運動的滾珠螺絲與螺帽等的機構、螺線管線圈、藉由溫度變化進行伸縮的熱致動器等各種的致動器。再者，在熱的釋出少、耐熱性為一百幾十度、不僅初期調整時就連流體控制時也始終作動、當伸縮時反彈等的非線性特性少而定位精度高、能夠支承較大的壓縮負載等的點上，壓電致動器100作為本發明的調整用致動器為佳。又，藉由調整主體70，將操作構件40的打開位置OP預先精度良好地機械性調整的話，讓壓電致動器100承擔後續的操作構件40的位置之高精度的控制，藉此可將壓電致動器100的最大行程作成最小限度(可達到壓電致動器的小型化)，並且能夠進行操作構件40的位置的高精度的微調整及高精度的位置控制。 　　[0037] 在前述實施形態，以所謂的常閉型閥為例進行了說明，但本發明不限於此，亦可適用於常開型閥。在此情況，例如，以調整用致動器進行閥體的開度調整即可。 　　[0038] 在前述實施形態，作成為以壓電致動器100支承(接受)作用於操作構件40的力之結構，但，本發明不限於此，亦可作成為以下的結構，亦即，機械性地進行操作構件40在打開位置OP的定位，不需要支承作用於操作構件40的力，藉由調整用致動器僅執行操作構件40的開閉方向之位置調整。 　　[0039] 在前述實施形態，以隔膜作為閥體為例進行了說明，但，本發明不限於此，亦可採用其他種類的閥體。 　　[0040] 在前述實施形態，作成將閥裝置1配置於作為流體控制裝置之氣箱400的外部的結構，但，亦可使前述實施形態的閥裝置1，包含於將開閉閥、調整器、質流量控制器等各種的流體機器積體化後收容於箱內之流體控制裝置。
[0041]
1‧‧‧閥裝置
10‧‧‧閥主體
15‧‧‧閥座
20‧‧‧隔膜
25‧‧‧按壓接合器
30‧‧‧閥帽
38‧‧‧隔膜按壓件
40‧‧‧操作構件
40t‧‧‧抵接面
45‧‧‧鍔部
48‧‧‧封閉部
50‧‧‧外殼
60‧‧‧主致動器
61、62‧‧‧活塞
63‧‧‧艙壁
70、70A‧‧‧調整主體
71‧‧‧流通路徑
80‧‧‧致動器按壓件
81‧‧‧流通路徑
90‧‧‧線圈彈簧
100‧‧‧壓電致動器(調整用致動器)
101‧‧‧外殼本體
102‧‧‧前端部
103‧‧‧基端部
105‧‧‧配線
110‧‧‧致動器接收部
110t‧‧‧限制面
120‧‧‧圓盤形彈簧(彈性構件)
150‧‧‧管接頭
160‧‧‧管
180‧‧‧鎖定螺帽
300‧‧‧程序氣體供給源
400‧‧‧氣箱
500‧‧‧槽
600‧‧‧控制部
700‧‧‧處理室
800‧‧‧排氣泵浦
1000‧‧‧半導體製造裝置
A1‧‧‧打開方向
A2‧‧‧關閉方向
C1、C2‧‧‧壓缸室
Ch‧‧‧流通路徑
SP‧‧‧空間
OP‧‧‧打開位置
CP‧‧‧關閉位置
OR‧‧‧O型環
G‧‧‧操作氣體
Lf‧‧‧調整前的升降量
Lf+、Lf-‧‧‧調整後的升降量
[0015] 　　圖1係本發明的一實施形態之閥裝置的縱斷面圖。 　　圖2係處於關閉狀態之圖1的閥裝置之主要部分放大斷面圖。 　　圖3係顯示壓電致動器的動作之說明圖。 　　圖4係處於打開狀態之圖1的閥裝置之縱斷面圖。 　　圖5係圖4的閥裝置之主要部分放大斷面圖。 　　圖6A係用來說明圖4的閥裝置的流量調整時(流量減少時)之狀態的主要部分放大斷面圖。 　　圖6B係用來說明圖4的閥裝置的流量調整時(流量增加時)之狀態的主要部分放大斷面圖。 　　圖7係本發明的一實施形態之閥裝置的變形例之縱斷面圖。 　　圖8係顯示本發明的一實施形態之閥裝置適用至半導體製造程序的適用例之示意圖。

Claims (12)

  1. 一種閥裝置，其特徵為具備有：用來劃定流路的閥主體；設置成可開閉前述閥主體的流路的閥體；操作構件，其是在使前述閥體開閉流路之開閉方向上，操作前述閥體，該閥體是在使預先設定的前述閥體關閉流路之關閉位置與使前述閥體打開流路之打開位置之間可移動地設置；使前述操作構件朝前述打開位置或關閉位置移動之主致動器；及用來調整被定位於前述打開位置的前述操作構件的位置之調整用致動器，前述調整用致動器係為利用前述壓電元件的伸縮之致動器。
  2. 如申請專利範圍第1項之閥裝置，其中，前述主致動器係使前述操作構件朝前述打開位置移動，前述調整用致動器係用來調整藉由前述主致動器定位於前述打開位置的前述操作構件之前述開閉方向的位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之閥裝置，其中，前述調整用致動器係對前述閥主體配置於預定位置，以該調整用致動器的前端部承接作用於到達前述打開位置的前述操作構件之力，限制該操作構件的移動，並且調整該操作構件的前述開閉方向之位置。
  4. 如申請專利範圍第3項之閥裝置，其中，前述調整用致動器係藉由在前述開閉方向上，前述前端部到基端部之全長伸縮，調整前述操作構件的前述開閉方向之位置。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之閥裝置，其中，在前述操作構件與前述調整用致動器之間，中介有彈性構件，該彈性構件是將該調整用致動器始終朝前述預定位置彈推。
  6. 如申請專利範圍第1項之閥裝置，其中，前述調整用致動器，係具備：在前述開閉方向上具有基端部與前端部之外殼、收容於該外殼內並在前述基端部與前述前端部之間層積的壓電元件，利用前述壓電元件的伸縮，使該外殼的前述基端部與前述前端部之間的全長伸縮。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之閥裝置，其中，前述主致動器係為以氣壓作為驅動源之致動器。
  8. 一種流量控制方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1至7項中任一項之閥裝置，調整流體的流量。
  9. 一種流體控制裝置，係具有複數個流體機器之流體控制裝置，其特徵為：前述流體機器中包含有如申請專利範圍第1至8項中任一項之閥裝置。
  10. 一種半導體製造方法，其特徵為：於在密閉的室內，需要藉由程序氣體所進行的處理製程之半導體裝置的製造程序中，使用如申請專利範圍第1至8項中任一項之閥裝置，進行前述程序氣體之流量控制。
  11. 一種半導體製造裝置，其特徵為：於在密閉的室內，需要藉由程序氣體所進行的處理製程之半導體裝置的製造程序中，使用如申請專利範圍第1至8項中任一項之閥裝置，進行前述程序氣體之控制。
  12. 一種閥裝置，其特徵為具備有：用來劃定流路的閥主體；設置成可開閉前述閥主體的流路的閥體；操作構件，其是在使前述閥體開閉流路之開閉方向上，操作前述閥體，該閥體是在使預先設定的前述閥體關閉流路之關閉位置與使前述閥體打開流路之打開位置之間可移動地設置；使前述操作構件朝前述打開位置或關閉位置移動之主致動器；及用來調整被定位於前述打開位置的前述操作構件的位置之調整用致動器，前述調整用致動器，是利用：將被賦予的電力轉換成伸縮之力的受動要件之致動器。
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