JPWO2018174015A1 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、位相差フィルム、円偏光板 - Google Patents

Abstract

本発明は、外光反射が抑制され、かつ、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制された、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、ならびに、位相差フィルムおよび円偏光板を提供する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板とを含み、有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを含み、位相差フィルムが、ポジティブＡプレート、および、ポジティブＣプレートを含み、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートが所定の要件を満たす。

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、位相差フィルム、および、円偏光板に関する。

従来から、外光反射による悪影響を抑制するために、円偏光板が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に使用されている。円偏光板としては、例えば、特許文献１に記載されるように、ポジティブＡプレート、および、ポジティブＣプレートを組み合わせた態様が開示されている。

特開２０１５−２００８６１号公報

一方、近年、有機ＥＬ表示装置に代表される表示装置においては、視野角特性のより一層の向上が求められている。より具体的には、円偏光板を含む表示装置においては、外光反射のより一層の低減が求められている。
また、斜め方向からの視認時において、方位角を変えて視認した際に、色味（反射色味）の変化が小さいことも求められている。つまり、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制されることが求められている。
本発明者が、特許文献１に記載の円偏光板を含む有機ＥＬ表示装置の特性について検討を行ったところ、外光反射の抑制、および、斜め方向からの視認時の色味変化の抑制が昨今求められるレベルまで到達しておらず、更なる改良が必要であった。

本発明は、上記実情に鑑みて、外光反射が抑制され、かつ、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制された、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを課題とする。
また、本発明は、表示装置に適用した際に、外光反射が抑制され、かつ、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制された、位相差フィルムおよび円偏光板を提供することも課題とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果、所定の要件を満たす位相差フィルムを用いることにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記課題を解決することができることを見出した。

（１） 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板と、を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを含み、
位相差フィルムが、ポジティブＡプレートと、ポジティブＣプレートとを含み、
ポジティブＡプレートが逆波長分散性を示し、
ポジティブＡプレートが以下の要件１を満たし、
ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートが以下の要件２を満たす、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
要件１：０．６５≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７８
要件２：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．１０｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．１０｝
ＲｅＡ（４５０）およびＲｅＡ（５５０）は、それぞれポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションを表し、
ＲｔｈＣ（４５０）およびＲｔｈＣ（５５０）は、それぞれポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションを表す。
（２） ポジティブＡプレートが、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成され、
液晶化合物が、後述する式（Ｉ）で表される化合物である、（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（３） Ａ^１およびＡ^２の少なくとも一方が、炭素数６以上のシクロアルキレン環である、（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（４） ポジティブＡプレートが以下の要件１Ａを満たす、（１）〜（３）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
要件１Ａ：０．６８≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７６
（５） ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートが以下の要件２Ａを満たす、（１）〜（４）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
要件２Ａ：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．０６｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．０６｝
（６） ポジティブＡプレートのＲｅＡ（５５０）が１００〜１８０ｎｍである、（１）〜（５）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（７） ポジティブＣプレートが、逆波長分散性を示す、（１）〜（６）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（８） ポジティブＡプレートと、ポジティブＣプレートとを含み、
ポジティブＡプレートが逆波長分散性を示し、
ポジティブＡプレートが以下の要件１を満たし、
ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートが以下の要件２を満たす、位相差フィルム。
要件１：０．６５≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７８
要件２：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．１０｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．１０｝
ＲｅＡ（４５０）およびＲｅＡ（５５０）は、それぞれポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションを表し、
ＲｔｈＣ（４５０）およびＲｔｈＣ（５５０）は、それぞれポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションを表す。
（９） ポジティブＡプレートが、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成され、
液晶化合物が、後述する式（Ｉ）で表される化合物である、（８）に記載の位相差フィルム。
（１０） Ａ^１およびＡ^２の少なくとも一方が、炭素数６以上のシクロアルキレン環である、（９）に記載の位相差フィルム。
（１１） ポジティブＡプレートが以下の要件１Ａを満たす、（８）〜（１０）のいずれかに記載の位相差フィルム。
要件１Ａ：０．６８≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７６
（１２） ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートが以下の要件２Ａを満たす、（８）〜（１１）のいずれかに記載の位相差フィルム。
要件２Ａ：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．０６｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．０６｝
（１３） ポジティブＡプレートのＲｅＡ（５５０）が１００〜１８０ｎｍである、（８）〜（１２）のいずれかに記載の位相差フィルム。
（１４） ポジティブＣプレートが、逆波長分散性を示す、（８）〜（１３）のいずれかに記載の位相差フィルム。
（１５） 偏光子と、（８）〜（１４）のいずれかに記載の位相差フィルムとを含む、円偏光板。

本発明によれば、外光反射が抑制され、かつ、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制された、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
また、本発明によれば、外光反射が抑制され、かつ、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制された、位相差フィルムおよび円偏光板を提供することもできる。

本発明の位相差フィルムの断面図である。 本発明の円偏光板の断面図である。 本発明の円偏光板における、偏光子の吸収軸、および、ポジティブＡプレートの面内遅相軸の関係を示す図である。 本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。まず、本明細書で用いられる用語について説明する。

本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。例えば、Ｒｅ（４５０）は、波長４５０ｎｍにおける面内レタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
また、ＲｅＡ（λ）およびＲｔｈＡ（λ）は、それぞれ、ポジティブＡプレートの波長λｎｍにおける面内レタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。また、ＲｅＣ（λ）およびＲｔｈＣ（λ）は、それぞれ、ポジティブＣプレートの波長λｎｍにおける面内レタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ−１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折率（ＮＡＲ−４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ−Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。
また、本明細書において、Ｎｚファクターとは、Ｎｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）で与えられる値である。

なお、本明細書では、「可視光」とは、３８０〜８００ｎｍのことをいう。
また、本明細書において、角度（例えば「９０°」などの角度）、およびその関係（例えば「直交」、「平行」、および「４５°で交差」など）については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±１０°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、５°以下であることが好ましく、３°以下であることがより好ましい。

なお、本明細書において、Ａプレートは以下のように定義される。
Ａプレートは、ポジティブＡプレート（正のＡプレート）とネガティブＡプレート（負のＡプレート）との２種があり、フィルム面内の遅相軸方向（面内での屈折率が最大となる方向）の屈折率をｎｘ、面内の遅相軸と面内で直交する方向の屈折率をｎｙ、厚み方向の屈折率をｎｚとしたとき、ポジティブＡプレートは式（Ａ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＡプレートは式（Ａ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＡプレートはＲｔｈが正の値を示し、ネガティブＡプレートはＲｔｈが負の値を示す。
式（Ａ１） ｎｘ＞ｎｙ≒ｎｚ
式（Ａ２） ｎｙ＜ｎｘ≒ｎｚ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｙ−ｎｚ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、−１０〜１０ｎｍ、好ましくは−５〜５ｎｍの場合も「ｎｙ≒ｎｚ」に含まれ、（ｎｘ−ｎｚ）×ｄが、−１０〜１０ｎｍ、好ましくは−５〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｚ」に含まれる。
Ｃプレートは、ポジティブＣプレート（正のＣプレート）とネガティブＣプレート（負のＣプレート）との２種があり、ポジティブＣプレートは式（Ｃ１）の関係を満たすものであり、ネガティブＣプレートは式（Ｃ２）の関係を満たすものである。なお、ポジティブＣプレートはＲｔｈが負の値を示し、ネガティブＣプレートはＲｔｈが正の値を示す。
式（Ｃ１） ｎｚ＞ｎｘ≒ｎｙ
式（Ｃ２） ｎｚ＜ｎｘ≒ｎｙ
なお、上記「≒」とは、両者が完全に同一である場合だけでなく、両者が実質的に同一である場合も包含する。「実質的に同一」とは、例えば、（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（ただし、ｄはフィルムの厚みである）が、０〜１０ｎｍ、好ましくは０〜５ｎｍの場合も「ｎｘ≒ｎｙ」に含まれる。

本明細書において、偏光子の「吸収軸」は、吸光度の最も高い方向を意味する。「透過軸」は、「吸収軸」と９０°の角度をなす方向を意味する。
本明細書において、ポジティブＡプレートの「遅相軸」は、面内において屈折率が最大となる方向を意味する。

本明細書において表記される二価の基（例えば、−Ｏ−ＣＯ−）の結合方向は特に制限されず、例えば、後述する式（Ｉ）中のＤ^１が−Ｏ−ＣＯ−である場合、Ａｒ側に結合している位置を＊１、Ｇ^１側に結合している位置を＊２とすると、Ｄ^１は＊１−Ｏ−ＣＯ−＊２であってもよく、＊１−ＣＯ−Ｏ−＊２であってもよい。

以下に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）、位相差フィルム、および、円偏光板について図面を参照して説明する。
なお、以下では、位相差フィルム、円偏光板、および、有機ＥＬ表示装置の順に説明する。

＜位相差フィルム＞
本発明の位相差フィルムについて図面を参照して説明する。図１に、本発明の位相差フィルムの断面図を示す。なお、本発明における図は模式図であり、各層の厚みの関係および位置関係などは必ずしもこの態様に限定されない。
位相差フィルム１０は、ポジティブＡプレート１２と、ポジティブＣプレート１４とを含む。なお、ポジティブＡプレート１２およびポジティブＣプレート１４は、それぞれ単層構造であることが好ましい。
以下、位相差フィルム１０に含まれる各部材について詳述する。

（ポジティブＡプレート）
ポジティブＡプレートは、以下の要件１を満たす。
要件１：０．６５≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７８
ＲｅＡ（４５０）およびＲｅＡ（５５０）は、それぞれポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションを表す。
要件１では、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（５５０）に対する、ポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（４５０）の比の範囲を表す。従来技術では、ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）は０．８０以上の場合が多く、本発明ではＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）を以下の範囲に調整することにより、所望の効果が得られることを知見している。
なかでも、有機ＥＬ表示装置の外光反射、および／または、斜め方向から視認した際の色味変化がより抑制される点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、ポジティブＡプレートは以下の要件１Ａを満たすことが好ましい。
要件１Ａ：０．６８≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７６

ポジティブＡプレートは、逆波長分散性を示す。なお、上記逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
ポジティブＡプレートが逆波長分散性を示すとは、ポジティブＡプレートの面内レタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブＡプレートの面内レタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。言い換えると、後述するＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）、ＲｅＡ（５００）／ＲｅＡ（５５０）、ＲｅＡ（６００）／ＲｅＡ（５５０）、および、ＲｅＡ（６５０）／ＲｅＡ（５５０）は、以下の関係Ｘを満たす。
関係Ｘ：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）｝＜｛ＲｅＡ（５００）／ＲｅＡ（５５０）｝＜｛ＲｅＡ（６００）／ＲｅＡ（５５０）｝＜｛ＲｅＡ（６５０）／ＲｅＡ（５５０）｝

ポジティブＡプレートの面内レタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、ポジティブＡプレートのＲｅＡ（５００）／ＲｅＡ（５５０）は、０．８３〜０．９９であることが好ましく、０．８９〜０．９７であることがより好ましい。上記ＲｅＡ（５００）／ＲｅＡ（５５０）は、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（５５０）に対する、ポジティブＡプレートの波長５００ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（５００）の比を表す。
また、ポジティブＡプレートのＲｅＡ（６００）／ＲｅＡ（５５０）は、１．０１〜１．１２であることが好ましく、１．０１〜１．０８であることがより好ましい。上記ＲｅＡ（６００）／ＲｅＡ（５５０）は、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（５５０）に対する、ポジティブＡプレートの波長６００ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（６００）の比を表す。
また、ポジティブＡプレートのＲｅＡ（６５０）／ＲｅＡ（５５０）は、１．０３〜１．１６であることが好ましく、１．０４〜１．１０であることがより好ましい。上記ＲｅＡ（６５０）／ＲｅＡ（５５０）は、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（５５０）に対する、ポジティブＡプレートの波長６５０ｎｍにおける面内レタデーションであるＲｅＡ（６５０）の比を表す。

ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＡ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、１００〜１８０ｎｍが好ましく、１２０〜１６０ｎｍがより好ましく、１３０〜１５０ｎｍがさらに好ましく、１３０〜１４０ｎｍが特に好ましい。
ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈＡ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、５０〜９０ｎｍが好ましく、６０〜１８０ｎｍがより好ましく、６５〜７５ｎｍがさらに好ましく、６５〜７０ｎｍが特に好ましい。

ポジティブＡプレートの厚みは特に制限されず、面内レタデーションが所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点から、１０μｍ以下が好ましく、０．５〜８．０μｍがより好ましく、０．５〜６．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、ポジティブＡプレートの厚みとは、ポジティブＡプレートの平均厚みを意図する。上記平均厚みは、ネガティブＡプレートの任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

ポジティブＡプレートは、液晶化合物を用いて形成される層であることが好ましい。ただし、上述した面内レタデーションなど所定の特性を満たせば、他の材料で構成されていてもよい。例えば、ポリマーフィルム（特に、延伸処理が施されたポリマーフィルム）から形成されていてもよい。
なお、従来、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）は剛直な平面型が主流であった。しかし、近年、折り畳みが可能なフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルが提案されている。このようなフレキシブルな有機ＥＬ表示パネルに用いる円偏光板としては、それ自体がフレキシブル性に優れることが求められる。この観点からは、液晶化合物を用いて形成されたポジティブＡプレートであれば、ポリマーフィルムよりもフレキシブル性に優れるため、フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルに好適に適用できる。
また、後段で詳述するポジティブＣプレートも、上記理由から、液晶化合物を用いて形成されたポジティブＣプレートであることが好ましい。
つまり、液晶化合物を用いて形成されたポジティブＡプレートおよび液晶化合物を用いて形成されたポジティブＣプレートを含む位相差フィルム（または、円偏光板）であれば、フレキシブルな有機ＥＬ表示パネルにより好適に適用できる。

液晶化合物の種類は特に制限されないが、その形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（円盤状液晶化合物。ディスコティック液晶化合物）とに分類できる。さらにそれぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。なお、２種以上の棒状液晶化合物、２種以上の円盤状液晶化合物、または、棒状液晶化合物と円盤状液晶化合物との混合物を用いてもよい。

ポジティブＡプレートは、光学特性の温度変化および湿度変化を小さくできることから、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）を用いて形成することがより好ましい。液晶化合物は２種類以上の混合物でもよく、その場合、少なくとも１つが２以上の重合性基を有していることが好ましい。
つまり、ポジティブＡプレートは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。
上記重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合またはカチオン重合が可能な重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基またはメタアクリロイル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基などが挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。

なかでも、ポジティブＡプレートを形成する際に用いられる液晶化合物としては、式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。
式（Ｉ） Ｌ^１−ＳＰ^１−Ａ^１−Ｄ^３−Ｇ^１−Ｄ^１−Ａｒ−Ｄ^２−Ｇ^２−Ｄ^４−Ａ^２−ＳＰ^２−Ｌ^２
上記式（Ｉ）中、Ｄ^１、Ｄ^２、Ｄ^３およびＤ^４は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
また、上記式（Ｉ）中、Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置換されていてもよい。
また、上記式（Ｉ）中、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数６以上の芳香環、または、炭素数６以上のシクロアルキレン環を表す。
また、上記式（Ｉ）中、ＳＰ^１およびＳＰ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、重合性基を表す。
また、上記式（Ｉ）中、Ｌ^１およびＬ^２は、それぞれ独立に１価の有機基（例えば、アルキル基、または、重合性基）を表す。
なお、Ａｒが後述する式（Ａｒ−１）、式（Ａｒ−２）、式（Ａｒ−４）、または、式（Ａｒ−５）で表される基である場合、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方は重合性基を表す。また、Ａｒが、後述する式（Ａｒ−３）で表される基である場合は、Ｌ^１およびＬ^２ならびに下記式（Ａｒ−３）中のＬ^３およびＬ^４の少なくとも１つが重合性基を表す。

上記式（Ｉ）中、Ｇ^１およびＧ^２が示す炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基としては、５員環または６員環が好ましい。また、脂環式炭化水素基は、飽和脂環式炭化水素基でも不飽和脂環式炭化水素基でもよいが、飽和脂環式炭化水素基が好ましい。Ｇ^１およびＧ^２で表される２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、特開２０１２−２１０６８号公報の段落００７８の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

上記式（Ｉ）中、Ａ^１およびＡ^２が示す炭素数６以上の芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、および、フェナンスロリン環などの芳香族炭化水素環；フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、チアゾール環、および、ベンゾチアゾール環などの芳香族複素環；が挙げられる。なかでも、ベンゼン環（例えば、１，４−フェニル基など）が好ましい。
また、上記式（Ｉ）中、Ａ^１およびＡ^２が示す炭素数６以上のシクロアルキレン環としては、例えば、シクロヘキサン環、および、シクロヘキセン環などが挙げられ、なかでも、シクロヘキサン環（例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基など）が好ましい。

上記式（Ｉ）中、ＳＰ^１およびＳＰ^２が示す炭素数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、または、ブチレン基が好ましい。

上記式（Ｉ）中、Ｌ^１およびＬ^２で表される重合性基は、特に制限されないが、ラジカル重合性基（ラジカル重合可能な基）またはカチオン重合性基（カチオン重合可能な基）が好ましい。
ラジカル重合性基の好適範囲は、上述の通りである。

一方、上記式（Ｉ）中、Ａｒは、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環を表す。なお、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、＊１はＤ^１との結合位置を表し、＊２はＤ^２との結合位置を表す。

ここで、上記式（Ａｒ−１）中、Ｑ^１は、ＮまたはＣＨを表し、Ｑ^２は、−Ｓ−、−Ｏ−、または、−Ｎ（Ｒ^５）−を表し、Ｒ^５は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｙ^１は、置換基を有してもよい、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
Ｒ^５が示す炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、および、ｎ−ヘキシル基などが挙げられる。
Ｙ^１が示す炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、および、ナフチル基などのアリール基が挙げられる。
Ｙ^１が示す炭素数３〜１２の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、チアゾリル基、フリル基、ピリジル基、および、ベンゾフリル基などのヘテロアリール基が挙げられる。なお、芳香族複素環基には、ベンゼン環と芳香族複素環とが縮合した基も含まれる。
また、Ｙ^１が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アルキルスルホニル基、アルキルオキシカルボニル基、シアノ基、および、ハロゲン原子などが挙げられる。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜１８の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、および、シクロヘキシル基）がより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基がさらに好ましく、メチル基またはエチル基が特に好ましい。
アルコキシ基としては、例えば、炭素数１〜１８のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜８のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、および、メトキシエトキシ基）がより好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基がさらに好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子、または、塩素原子が好ましい。

また、上記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ^６Ｒ^７、または、−ＳＲ^８を表し、Ｒ^６〜Ｒ^８は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｚ^１およびＺ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。環は、脂環式、複素環、および、芳香環のいずれであってもよく、芳香環であることが好ましい。なお、形成される環には、置換基が置換していてもよい。
炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１５のアルキル基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基（１，１−ジメチルプロピル基）、ｔｅｒｔ−ブチル基、または、１，１−ジメチル−３，３−ジメチル−ブチル基がさらに好ましく、メチル基、エチル基、または、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。
炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、メチルシクロヘキシル基、および、エチルシクロヘキシル基などの単環式飽和炭化水素基；シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデセニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタジエニル基、および、シクロデカジエン基などの単環式不飽和炭化水素基；ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．２］オクチル基、トリシクロ［５．２．１．０^２，６］デシル基、トリシクロ［３．３．１．１^３，７］デシル基、テトラシクロ［６．２．１．１^３，６．０^２，７］ドデシル基、および、アダマンチル基などの多環式飽和炭化水素基；が挙げられる。
炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、ナフチル基、および、ビフェニル基などが挙げられ、炭素数６〜１２のアリール基（特にフェニル基）が好ましい。
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子などが挙げられ、フッ素原子、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。
一方、Ｒ^６〜Ｒ^８が示す炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、および、ｎ−ヘキシル基などが挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−２）および（Ａｒ−３）中、Ａ^３およびＡ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^９）−、−Ｓ−、および、−ＣＯ−からなる群から選択される基を表し、Ｒ^９は、水素原子または置換基を表す。
Ｒ^９が示す置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−２）中、Ｘは、水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。
また、Ｘが示す第１４族〜第１６族の非金属原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、置換基を有する窒素原子、置換基を有する炭素原子が挙げられ、置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

また、上記式（Ａｒ−３）中、Ｄ^５およびＤ^６は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。

また、上記式（Ａｒ−３）中、ＳＰ^３およびＳＰ^４は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、重合性基を表す。

また、上記式（Ａｒ−３）中、Ｌ^３およびＬ^４は、それぞれ独立に１価の有機基（例えば、アルキル基、または、重合性基）を表し、上述したように、Ｌ^３およびＬ^４ならびに上記式（Ｉ）中のＬ^１およびＬ^２の少なくとも１つが重合性基を表す。

また、上記式（Ａｒ−４）〜（Ａｒ−５）中、Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
また、上記式（Ａｒ−４）〜（Ａｒ−５）中、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
ここで、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
また、Ｑ^３は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ＡｘおよびＡｙとしては、国際公開第２０１４／０１０３２５号パンフレットの段落００３９〜００９５に記載されたものが挙げられる。
また、Ｑ^３が示す炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、および、ｎ−ヘキシル基などが挙げられ、置換基としては、上記式（Ａｒ−１）中のＹ^１が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。

なかでも、本発明の効果がより優れる点で、Ａ^１およびＡ^２の少なくとも一方が、炭素数６以上のシクロアルキレン環であることが好ましく、Ａ^１およびＡ^２の一方が、炭素数６以上のシクロアルキレン環であることがより好ましい。

ポジティブＡプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なかでも、面内レタデーションの制御がしやすい点から、重合性基を有する液晶化合物（以後、単に「重合性液晶化合物」とも称する）を含むポジティブＡプレート形成用組成物（以後、単に「組成物」とも称する）を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させ、得られた塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施して、ポジティブＡプレートを形成する方法が好ましい。
以下、上記方法の手順について詳述する。

まず、支持体上に、組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜に配向処理を施して重合性液晶化合物を配向させる。
使用される組成物は、重合性液晶化合物を含む。重合性液晶化合物の定義は、上述した通りである。

組成物中における重合性液晶化合物の含有量は特に制限されないが、ポジティブＡプレートの面内レタデーションの制御がしやすい点から、組成物中の全固形分に対して、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、９９質量％以下の場合が多い。
なお、組成物中の全固形分には、溶媒は含まれない。

上記組成物には、上述した重合性液晶化合物以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、組成物には、重合性基を有さない液晶化合物が含まれていてもよい。重合性基を有さない液晶化合物としては、例えば、式（Ｉ）中のＬ^１およびＬ^２がいずれも重合性基以外の基である液晶化合物が挙げられる。

また、組成物には、重合開始剤が含まれていてもよい。使用される重合開始剤は、重合反応の形式に応じて選択され、例えば、熱重合開始剤、および、光重合開始剤が挙げられる。例えば、光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物、アシロインエーテル、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物、多核キノン化合物、および、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせなどが挙げられる。
組成物中における重合開始剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％が好ましく、０．５〜５質量％がより好ましい。

また、組成物には、重合性モノマーが含まれていてもよい。
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性またはカチオン重合性の化合物が挙げられる。なかでも、多官能性ラジカル重合性モノマーが好ましい。また、重合性モノマーとしては、上記の重合性基を有する液晶化合物と共重合性のモノマーが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報中の段落００１８〜００２０に記載の重合性モノマーが挙げられる。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、重合性液晶化合物の全質量に対して、１〜５０質量％が好ましく、２〜３０質量％がより好ましい。

また、組成物には、界面活性剤が含まれていてもよい。
界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。例えば、特開２００１−３３０７２５号公報中の段落００２８〜００５６に記載の化合物、および、特願２００３−２９５２１２号明細書中の段落００６９〜０１２６に記載の化合物が挙げられる。

また、組成物には、溶媒が含まれていてもよい。溶媒としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、アミド（例：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例：ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例：ピリジン）、炭化水素（例：ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例：クロロホルム、ジクロロメタン）、エステル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル）、ケトン（例：アセトン、メチルエチルケトン）、および、エーテル（例：テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が挙げられる。なお、２種類以上の有機溶媒を併用してもよい。

また、組成物には、垂直配向剤、および、水平配向剤などの各種配向制御剤が含まれていてもよい。これらの配向制御剤は、界面側において液晶化合物を水平または垂直に配向制御可能な化合物である。
さらに、組成物には、上記成分以外に、密着改良剤、可塑剤、および、ポリマーなどが含まれていてもよい。

使用される支持体は、組成物を塗布するための基材として機能を有する部材である。支持体は、組成物を塗布および硬化させた後に剥離される仮支持体であってもよい。
支持体（仮支持体）としては、プラスチックフィルムの他、ガラス基板を用いてもよい。プラスチックフィルムを構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、セルロース誘導体、シリコーン樹脂、および、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。
支持体の厚みは、５〜１０００μｍ程度であればよく、１０〜２５０μｍが好ましく、１５〜９０μｍがより好ましい。

なお、必要に応じて、支持体上には、配向膜を配置してもよい。
配向膜は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向膜用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。利用されるポリマーは、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向膜には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
配向膜の厚みは、０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０１〜１μｍがより好ましい。
また、配向膜としては、いわゆる光配向膜を用いてもよい。光配向膜とは、光配向性の素材に偏光または非偏光を照射して形成した膜である。光配向性の素材としては、例えば、アゾベンゼン基またはシンナメート基を有するポリマーが挙げられる。

組成物の塗布方法としては、カーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、および、ワイヤーバー法などが挙げられる。いずれの方法で塗布する場合においても、単層塗布が好ましい。

支持体上に形成された塗膜に、配向処理を施して、塗膜中の重合性液晶化合物を配向させる。
配向処理は、室温により塗膜を乾燥させる、または、塗膜を加熱することにより行うことができる。配向処理で形成される液晶相は、サーモトロピック性液晶化合物の場合、一般に温度または圧力の変化により転移させることができる。リオトロピック性液晶化合物の場合には、溶媒量などの組成比によっても転移させることができる。
なお、塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０〜１５０℃が好ましく、加熱時間としては１０秒間〜５分間が好ましい。

次に、重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して硬化処理を施す。
重合性液晶化合物が配向された塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ²の照射量が好ましい。

（ポジティブＣプレート）
ポジティブＣプレートは、上記ポジティブＡプレートとの間で、以下の要件２を満たす。
要件２：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．１０｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．１０｝
ＲｅＡ（４５０）およびＲｅＡ（５５０）は、それぞれポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションを表し、
ＲｔｈＣ（４５０）およびＲｔｈＣ（５５０）は、それぞれポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションを表す。

上記要件２は、ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）が、ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）±０．１０の範囲にあることを表す。この要件を満たすことにより、所望の効果（特に、色味変化の抑制）が得られる。

なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ポジティブＣプレートおよびポジティブＡプレートは以下の要件２Ａを満たすことが好ましい。
要件２Ａ：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．０６｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．０６｝
上記要件２は、ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）が、ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）±０．０６の範囲にあることを表す。

ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）は特に制限されず、０．６５以上１．００未満である場合が多い。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ポジティブＣプレートは以下の要件３を満たすことが好ましい。
要件３：０．６７≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）≦０．８０

ポジティブＣプレートは、本発明の効果がより優れる点で、逆波長分散性を示すことが好ましい。なお、上記逆波長分散性は、可視光域において示されることが好ましい。
ポジティブＣプレートが逆波長分散性を示すとは、ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが逆波長分散性を示すことを意味する。つまり、ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなることを意味する。言い換えると、後述するＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）、ＲｔｈＣ（５００）／ＲｔｈＣ（５５０）、ＲｔｈＣ（６００）／ＲｔｈＣ（５５０）、および、ＲｔｈＣ（６５０）／ＲｔｈＣ（５５０）は、以下の関係Ｙを満たす。
関係Ｙ：｛ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）｝＜｛ＲｔｈＣ（５００）／ＲｔｈＣ（５５０）｝＜｛ＲｔｈＣ（６００）／ＲｔｈＣ（５５０）｝＜｛ＲｔｈＣ（６５０）／ＲｔｈＣ（５５０）｝

ポジティブＣプレートの厚み方向のレタデーションを適切に逆波長分散性とするためには、具体的には、ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）は、０．６３〜０．９０であることが好ましく、０．６７〜０．８０であることがより好ましい。上記ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（５５０）に対する、ポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（４５０）の比を表す。
また、ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（５００）／ＲｔｈＣ（５５０）は、０．８３〜０．９９であることが好ましく、０．８９〜０．９７であることがより好ましい。上記ＲｔｈＣ（５００）／ＲｔｈＣ（５５０）は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（５５０）に対する、ポジティブＣプレートの波長５００ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（５００）の比を表す。
また、ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（６００）／ＲｔｈＣ（５５０）は、１．０１〜１．１０であることが好ましく、１．０１〜１．０６であることがより好ましい。上記ＲｔｈＣ（６００）／ＲｔｈＣ（５５０）は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（５５０）に対する、ポジティブＣプレートの波長６００ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（６００）の比を表す。
また、ポジティブＣプレートのＲｔｈＣ（６５０）／ＲｔｈＣ（５５０）は、１．０３〜１．１６であることが好ましく、１．０４〜１．１０であることがより好ましい。上記ＲｔｈＣ（６５０）／ＲｔｈＣ（５５０）は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（５５０）に対する、ポジティブＣプレートの波長６５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（６５０）の比を表す。

ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションであるＲｔｈＣ（５５０）は特に制限されないが、本発明の効果がよりすぐれる点で、−９０〜−５０ｎｍが好ましく、−８０〜−６０ｎｍがより好ましく、−７５〜−６５ｎｍがさらに好ましい。
ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＣ（５５０）は、本発明の効果がより優れる点で、０〜１０ｎｍが好ましく、０〜５ｎｍがより好ましい。

ポジティブＣプレートの厚みは特に制限されず、上記要件２を満たす所定の範囲となるように調整されるが、位相差フィルムの薄型化の点から、６μｍ以下が好ましく、０．５〜５．０μｍがより好ましく、１〜３．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、ポジティブＣプレートの厚みとは、ポジティブＣプレートの平均厚みを意図する。上記厚みは、ポジティブＣプレートの任意の５点以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

ポジティブＣプレートを構成する材料は上記特性を示せば特に制限されず、上述したポジティブＡプレートで述べた態様が挙げられる。なかでも、上記特性の制御がしやすい点で、ポジティブＣプレートは、重合性基を有する液晶化合物（棒状液晶化合物または円盤状液晶化合物）が重合などによって固定されて形成された層であることが好ましく、この場合、層となった後はもはや液晶性を示す必要はない。なかでも、ポジティブＣプレートは、ポジティブＡプレートと同様に、式（Ｉ）で表される化合物を用いて形成されることが好ましい。
ポジティブＣプレートの形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用でき、例えば、上述したポジティブＡプレートを形成する方法が挙げられる。

なお、ポジティブＡプレートが液晶化合物を含む組成物Ａを用いて形成され、ポジティブＣプレートも液晶化合物を含む組成物Ｃを用いて形成される場合、組成物Ａ中に含まれる液晶化合物と組成物Ｃ中に含まれる液晶化合物とは同一の種類であることが好ましい。

（その他の層）
上記位相差フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲で、ポジティブＡプレート、および、ポジティブＣプレート以外の他の層を含んでいてもよい。
例えば、位相差フィルムは、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向膜を含んでいてもよい。配向膜の配置位置は特に制限されないが、例えば、ポジティブＡプレートとポジティブＣプレートとの間が挙げられる。
配向膜を構成する材料、および、配向膜の厚みは、上述した通りである。
また、位相差フィルムは、各層間を接着するための接着層または粘着層を含んでいてもよい。

また、位相差フィルムは、支持体を含んでいてもよい。支持体としては、いわゆる透明支持体が好ましい。
また、透明支持体としては、公知の透明支持体が挙げられる。また、透明支持体を形成する材料としては、トリアセチルセルロースに代表されるセルロース系ポリマー（以下、セルロースアシレートという）、熱可塑性ノルボルネン系樹脂（日本ゼオン（株）製のゼオネックスおよびゼオノア、ならびに、ＪＳＲ（株）製のアートンなど）、（メタ）アクリル系樹脂、および、ポリエステル系樹脂が挙げられる。

位相差フィルムの製造方法は特に制限されず、例えば、それぞれ用意したポジティブＡプレート、および、ポジティブＣプレートを接着剤または粘着剤を介して貼り合わせる方法が挙げられる。

上記位相差フィルムは、種々の用途に適用でき、特に、反射防止用途に好適に適用できる。より具体的には、有機ＥＬ表示装置などの表示装置の反射防止用途に好適に適用できる。

＜円偏光板＞
本発明の円偏光板について図面を参照して説明する。図２に、本発明の円偏光板の断面図を示す。
円偏光板１６は、偏光子１８と、ポジティブＡプレート１２と、ポジティブＣプレート１４とをこの順で含む。なお、図２においては、円偏光板は、偏光子、ポジティブＡプレート、および、ポジティブＣプレートの順に配置されているが、この態様に限定されず、例えば、偏光子、ポジティブＣプレート、および、ポジティブＡプレートの順に配置されていてもよい。
また、図３において、偏光子１８の吸収軸、および、ポジティブＡプレート１２の面内遅相軸の関係を示す。図３中、偏光子１８中の矢印は吸収軸の方向を表し、ポジティブＡプレート１２中の矢印は層中の面内遅相軸の方向を表す。なお、図３中においては、ポジティブＣプレート１４の記載は省略する。
以下、円偏光板１６に含まれる各部材について詳述する。
まず、円偏光板１６に含まれるポジティブＡプレート１２およびポジティブＣプレート１４の態様は、上述した通りである。

（偏光子）
偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材（直線偏光子）であればよく、例えば、吸収型偏光子が挙げられる。
吸収型偏光子としては、例えば、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、および、ポリエン系偏光子が挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できる。なかでも、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
また、基材上にポリビニルアルコール層を形成した積層フィルムの状態で延伸および染色を施すことで偏光子を得る方法として、特許第５０４８１２０号公報、特許第５１４３９１８号公報、特許第５０４８１２０号公報、特許第４６９１２０５号公報、特許第４７５１４８１号公報、および、特許第４７５１４８６号公報に記載の方法が挙げられ、これらの偏光子に関する公知の技術も好ましく利用できる。
なかでも、取り扱い性の点から、偏光子は、ポリビニルアルコール系樹脂（−ＣＨ_２−ＣＨＯＨ−を繰り返し単位として含むポリマー、特に、ポリビニルアルコールおよびエチレン−ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１つが好ましい。）を含む偏光子であることが好ましい。

偏光子の厚みは特に制限されないが、取り扱い性に優れると共に、光学特性にも優れる点より、３５μｍ以下が好ましく、３〜２５μｍがより好ましく、４〜１５μｍがさらに好ましい。上記厚みであれば、画像表示装置の薄型化にも対応可能となる。

図３に示す、偏光子１８の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度θは、本発明の効果がより優れる点で、４５±１０°が好ましい。つまり、上記角度θは、３５〜５５°が好ましい。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、偏光子１８の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度θは、４０〜５０°がより好ましく、４２〜４８°がさらに好ましい。
なお、上記角度とは、偏光子１８表面の法線方向から視認した際の、偏光子１８の吸収軸とポジティブＡプレート１２の面内遅相軸とのなす角度を意図する。

（その他の層）
上記円偏光板１６は、本発明の効果を損なわない範囲で、偏光子１８、ポジティブＡプレート１２、および、ポジティブＣプレート１４以外の他の層を含んでいてもよい。
例えば、円偏光板１６は、液晶化合物の配向方向を規定する機能を有する配向膜を含んでいてもよい。配向膜の配置位置は特に制限されないが、例えば、ポジティブＡプレート１２とポジティブＣプレート１４との間が挙げられる。
配向膜を構成する材料、および、配向膜の厚みは、上述した通りである。
また、円偏光板１６は、各層間を接着するための接着層または粘着層を含んでいてもよい。

さらに、偏光子の表面上には、偏光子保護フィルムが配置されていてもよい。
偏光子保護フィルムの構成は特に制限されず、例えば、透明支持体またはハードコート層であってもよく、透明支持体とハードコート層との積層体であってもよい。
ハードコート層としては、公知の層を使用でき、例えば、上述した多官能モノマーを重合硬化して得られる層であってもよい。
また、透明支持体としては、公知の透明支持体が挙げられる。また、透明支持体を形成する材料としては、トリアセチルセルロースに代表されるセルロース系ポリマー（以下、セルロースアシレートという）、熱可塑性ノルボルネン系樹脂（日本ゼオン（株）製のゼオネックスおよびゼオノア、ならびに、ＪＳＲ（株）製のアートンなど）、（メタ）アクリル系樹脂、および、ポリエステル系樹脂が挙げられる。
偏光子保護フィルムの厚みは特に限定されないが、円偏光板の厚みを薄くできる点から、４０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以下がより好ましい。

円偏光板の製造方法は特に制限されず、例えば、それぞれ用意した偏光子、ポジティブＡプレート、および、ポジティブＣプレートを接着剤または粘着剤を介して貼り合わせる方法が挙げられる。

上記円偏光板は、種々の用途に適用でき、特に、反射防止用途に好適に適用できる。より具体的には、有機ＥＬ表示装置などの表示装置の反射防止用途に好適に適用できる。

＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の有機ＥＬ表示装置について図面を参照して説明する。図４に、本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図を示す。
有機ＥＬ表示装置２０は、偏光子１８と、ポジティブＡプレート１２と、ポジティブＣプレート１４と、有機ＥＬ表示パネル２２とをこの順で有する。なお、図４に示すように、円偏光板１６中の偏光子１８が視認側に配置される。
有機ＥＬ表示パネル２２は、電極間（陰極および陽極間）に有機発光層（有機エレクトロルミネッセンス層）を挟持してなる有機ＥＬ素子を用いて構成された表示パネルである。
有機ＥＬ表示パネル２２の構成は特に制限されず、公知の構成が採用される。

以下に、実施例および比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜実施例１＞
（配向膜Ｐ−１の形成）
下記の配向膜Ｐ−１形成用塗布液をスピンコート法によってガラス基板上に塗布し、配向膜Ｐ−１形成用塗布液が塗布されたガラス基板を１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、配向膜Ｐ−１を形成した。
───────────────────────────────
配向膜Ｐ−１形成用塗布液
───────────────────────────────
ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ２０３） ２．０質量部
水 ９８．０質量部
───────────────────────────────

（ポジティブＡプレートＡ−１の形成）
配向膜Ｐ−１をラビング法により配向処理したのち、下記の組成物Ａ−１を、スピンコート法によって配向膜Ｐ−１上に塗布した。配向膜Ｐ−１上に形成された塗膜をホットプレート上で１８０℃に加熱し、その後、１４０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて波長３６５ｎｍにて５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜に照射することにより、液晶化合物の配向を固定化し、ポジティブＡプレートＡ−１を含むフィルムＡ−１を作製した。ポジティブＡプレートＡ−１の厚みは、表１に示す。

――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−１
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ９０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−２ ５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

液晶化合物Ｌ−１

液晶化合物Ｌ−２

液晶化合物Ｌ−３

重合開始剤ＰＩ−１

レベリング剤Ｔ−１

（ポジティブＣプレートＣ−１の形成）
下記の組成物Ｃ−１を、スピンコート法によって配向膜Ｐ−１上に塗布した。配向膜Ｐ−１上に形成された塗膜をホットプレート上で１８０℃に加熱し、その後、１３０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて波長３６５ｎｍにて５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜に照射することにより、液晶化合物の配向を固定化し、ポジティブＣプレートＣ−１を含むフィルムＣ−１を作製した。ポジティブＣプレートＣ−１の厚みは、表１に示す。

―――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−１
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ９０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−２ ５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

レベリング剤Ｔ−２

レベリング剤Ｔ−３

化合物Ｌ−４

化合物Ｌ−５

（円偏光板１の形成）
支持体であるＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム社製）の表面を、アルカリ鹸化処理した。具体的には、上記支持体を１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬し、取り出した支持体を室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。その後、再度、得られた支持体を室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。
続いて、ヨウ素水溶液中で厚み８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムを連続して５倍に延伸し、延伸後のフィルムを乾燥して、厚み２０μｍの偏光子を得た。
得られた偏光子と、アルカリ鹸化処理が施された支持体（ＴＤ８０ＵＬ）とを貼りあわせ、片側に偏光子が露出した偏光板を得た。
次に、偏光子の吸収軸とポジティブＡプレートＡ−１の遅相軸が４５°となるように、偏光板中の偏光子とフィルムＡ−１中のポジティブＡプレートＡ−１とを粘着剤を介して貼り合せ、続いてガラス基板を剥離し、ポジティブＡプレートＡ−１のみを偏光子上に転写した。
続いて、同様の手順に従って、ポジティブＣプレートＣ−１をポジティブＡプレートＡ−１上に転写し、円偏光板１を作製した。

＜実施例２＞
（支持体の鹸化）
支持体として、市販されているトリアセチルセルロースフィルム「Ｚ−ＴＡＣ」（富士フイルム社製）を用いた。支持体を温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、支持体表面温度を４０℃に昇温した。その後、支持体の片面に下記に示すアルカリ溶液をバーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ^２で塗布し、１１０℃に加熱し、さらに、（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、支持体表面上に純水を３ｍｌ／ｍ^２塗布した。次いで、ファウンテンコーターによる水洗およびエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して支持体を乾燥し、アルカリ鹸化処理した支持体を作製した。
─────────────────────────────────
アルカリ溶液
─────────────────────────────────
水酸化カリウム ４．７０質量部
水 １５．８０質量部
イソプロパノール ６３．７０質量部
界面活性剤
ＳＦ−１：Ｃ_１４Ｈ_２９Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_２ＯＨ １．０質量部
プロピレングリコール １４．８質量部
─────────────────────────────────

（配向膜Ｐ−２の形成）
下記の配向膜Ｐ−２形成用塗布液を＃８のワイヤーバーで連続的に上記アルカリ鹸化処理した支持体上に塗布した。塗膜が形成された支持体を６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、配向膜Ｐ−２を形成した。
─────────────────────────────────
配向膜Ｐ−２形成用塗布液
─────────────────────────────────
下記変性ポリビニルアルコール ２．４０質量部
イソプロピルアルコール １．６０質量部
メタノール ３６．００質量部
水 ６０．００質量部
─────────────────────────────────

（ポジティブＡプレートＡ−２の形成）
配向膜Ｐ−２をラビング法により配向処理したのち、下記の組成物Ａ−２を、ワイヤーバーによって配向膜Ｐ−２上に塗布した。配向膜Ｐ−２上に形成された塗膜をホットプレート上で１４０℃に加熱し、その後、６０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて波長３６５ｎｍにて５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜に照射することにより、液晶化合物の配向を固定化し、ポジティブＡプレートＡ−２を含むフィルムＡ−２を作製した。ポジティブＡプレートＡ−２の厚みは、表１に示す。
―――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−２
―――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−６ １００．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・メチルエチルケトン ３０２．１０質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――

液晶化合物Ｌ−６

（配向膜Ｐ−２の形成）
配向膜Ｐ−２形成用塗布液を＃８のワイヤーバーで連続的に支持体（ＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム社製））上に塗布した。塗膜が形成されたＴＤ８０ＵＬを６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、配向膜Ｐ−２を形成した。

（ポジティブＣプレートＣ−２の形成）
下記の組成物Ｃ−２を、ワイヤーバーによって配向膜Ｐ−２上に塗布した。配向膜Ｐ−２上に形成された塗膜をホットプレート上で１４０℃に加熱し、その後、１００℃に冷却した後、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて波長３６５ｎｍにて５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜に照射することにより、液晶化合物の配向を固定化し、ポジティブＣプレートＣ−２を含むフィルムＣ−２を作製した。ポジティブＣプレートＣ−２の厚みは、表１に示す。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−２
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−６ １００．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ９０６．３０質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

（円偏光板２の形成）
支持体であるＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム社製）の表面を、アルカリ鹸化処理した。具体的には、上記支持体を１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬し、取り出した支持体を室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。その後、再度、得られた支持体を室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。
続いて、ヨウ素水溶液中で厚み８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムを連続して５倍に延伸し、延伸後のフィルムを乾燥して厚み２０μｍの偏光子を得た。
得られた偏光子と、アルカリ鹸化処理が施された支持体（ＴＤ８０ＵＬ）とを貼りあわせ、片側に偏光子が露出した偏光板を得た。
次に、フィルムＡ−２中のポジティブＡプレートＡ−２とフィルムＣ−２中のポジティブＣプレートＣ−２とを粘着剤を用いて貼り合わせ、フィルムＣ−２中の支持体を剥離することで、位相差フィルムを作製した。続いて、偏光子の吸収軸とポジティブＡプレートＡ−２の遅相軸が４５°となるように、上記偏光板中の偏光子と位相差フィルムに含まれるフィルムＡ−２中の支持体とを粘着剤を用いて貼り合わせて、円偏光板２を作製した。

＜実施例３＞
組成物Ａ−２を下記の組成物Ａ−３に変更し、組成物Ｃ−２を組成物Ｃ−３に変更し、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例２と同様の方法によって、円偏光板３を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−３
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−７ ４２．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−８ ４２．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−２ ７．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ７．５０質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・メチルエチルケトン ２１４．００質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

液晶化合物Ｌ−７

液晶化合物Ｌ−８

――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−３
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−７ ４２．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−８ ４２．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−２ ７．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ７．５０質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・メチルエチルケトン ５７０．６０質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例４＞
組成物Ａ−１を下記の組成物Ａ−４に変更し、組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−４に変更し、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板４を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−４
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ２５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ７５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−４
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ２５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ７５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例５＞
組成物Ａ−２を下記の組成物Ａ−５に変更し、組成物Ｃ−２を下記の組成物Ｃ−５に変更し、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例２と同様の方法によって、円偏光板５を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−５
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ９５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・メチルエチルケトン ２１４．００質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−５
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ９５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・メチルエチルケトン ５７０．６０質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例６＞
組成物Ａ−１を下記の組成物Ａ−６に変更し、組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−６に変更し、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板６を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−６
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ７５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−９ ２５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

液晶化合物Ｌ−９

――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−６
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ８０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−９ ２０．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例７＞
組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−７に変更し、ポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板７を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−７
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ７０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−９ ３０．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例８＞
組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−８に変更し、ポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板８を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−８
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−７ １００．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例９＞
組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−９に変更し、ポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板９を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−９
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ８０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−２ １０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ １０．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例１０＞
組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−１０に変更し、ポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、偏光板１０を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−１０
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−６ ７０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ３０．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例１１＞
組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−１１に変更し、ポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板１１を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−１１
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１ ５０．００質量部
・液晶化合物Ｌ−２ ２５．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ２５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜実施例１２＞
組成物Ａ−１を用い、ポジティブＡプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板１２を作製した。

＜実施例１３＞
組成物Ｃ−１を用い、ポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、円偏光板１３を作製した。

＜比較例１＞
ポジティブＣプレートＣ−１のかわりに、特開２０１５−２００８６１号公報の段落０１２４に記載のポジティブＣプレートと同様の方法で作製したポジティブＣプレートＣ−１４（ただし、Ｒｔｈ（５５０）が−６９ｎｍとなるように、ポジティブＣプレートの厚みは制御している）を用いたことを除き、実施例１と同様の方法によって、円偏光板１４を作製した。

＜比較例２＞
ポジティブＡプレートＡ−１を、下記方法で作製したポジティブＡプレートＡ−１５に変更した以外は、比較例１と同様の方法によって、円偏光板１５を作製した。

（ポジティブＡプレートＡ−１５の作製）
組成物Ａ−１を下記の組成物Ａ−１５に変更し、紫外線照射時の温度を１４０℃から１５７℃に変更し、ポジティブＡプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法によって、ポジティブＡプレートＡ−１５を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−１５
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−１０ １００．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

液晶化合物Ｌ−１０

＜比較例３＞
組成物Ａ−１５を下記の組成物Ａ−１６に変更し、乾燥時の温度を１８０℃から１１５℃に変更し、紫外線照射時の温度を１４０℃から８０℃に変更し、ポジティブＡプレートの厚みを調整した以外は、比較例２と同様の方法で、円偏光板１６を作製した。

――――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ａ−１６
――――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−２ ４２．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ４２．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１１ １６．００質量部
・ハイソルブＭＴＥＭ（東邦化学製） ２．００質量部
・ＮＫエステルＡ−２００（新中村化学工業株式会社製） １．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・メチルエチルケトン ８３．００質量部
・シクロペンタノン ２１．００質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――

液晶化合物Ｌ−１１

＜比較例４＞
組成物Ａ−１を上記の組成物Ａ−１６に変更し、乾燥時の温度を１８０℃から１１５℃、紫外線照射時の温度を１４０℃から８０℃に変更し、組成物Ｃ−１を下記の組成物Ｃ−１７に変更し、乾燥時および紫外線照射時の温度を８０℃に変更し、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートの厚みを調整した以外は、実施例１と同様の方法で、円偏光板１７を作製した。
――――――――――――――――――――――――――――――――
組成物Ｃ−１７
――――――――――――――――――――――――――――――――
・液晶化合物Ｌ−２ ４２．００質量部
・液晶化合物Ｌ−３ ４２．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１１ １６．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６３質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――

＜比較例５＞
特開２０１５−２００８６１号公報の実施例４２で作製した反射防止板を、比較例５として用いた。

＜実施例１４＞
（光配向性基を有する重合体ＰＡ−１の合成）
Ｌａｎｇｍｕｉｒ，３２（３６），９２４５−９２５３（２０１６年）に記載された方法に従い、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）（東京化成試薬）と下記桂皮酸クロリド誘導体を用いて、以下に示すモノマーｍ−１を合成した。

桂皮酸クロリド誘導体

モノマーｍ−１

冷却管、温度計、および撹拌機を備えたフラスコに、溶媒として２−ブタノン（５質量部）を仕込み、フラスコ内に窒素を５ｍＬ／ｍｉｎ流しながら、水浴加熱により還流させた。次に、モノマーｍ−１（５質量部）、サイクロマーＭ１００（ダイセル社製）（５質量部）、重合開始剤として２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）（１質量部）、および、溶媒として２−ブタノン（５質量部）を混合した溶液を、３時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに３時間還流状態を維持したまま撹拌した。反応終了後、フラスコ内の反応液を室温まで放冷し、２−ブタノン（３０質量部）を加えて希釈することで約２０質量％の重合体溶液を得た。得られた重合体溶液を大過剰のメタノール中へ投入して重合体を沈殿させ、回収した沈殿物をろ別し、大量のメタノールで洗浄した後、５０℃において１２時間送風乾燥することにより、以下式で表される光配向性基を有する重合体ＰＡ−１を得た。

（配向膜Ｐ−３の作製）
市販されているトリアセチルセルロースフィルム「Ｚ−ＴＡＣ」（富士フイルム社製）上に、下記の配向膜Ｐ−３形成用塗布液を＃２．４のワイヤーバーで連続的に塗布した。塗膜が形成された支持体を１４０℃の温風で１２０秒間乾燥し、続いて偏光紫外線照射（１０ｍＪ／ｃｍ^２、超高圧水銀ランプ使用）することで、配向膜Ｐ−３を形成した。
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配向膜Ｐ−３成用塗布液
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重合体ＰＡ−１ １００．００質量部
イソプロピルアルコール １６．５０質量部
酢酸ブチル １０７２．００質量部
メチルエチルケトン ２６８．００質量部
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（ポジティブＡプレートＡ−１９の形成）
下記の組成物Ａ−１９を、バーコーターを用い配向膜Ｐ−３上に塗布した。配向膜Ｐ−３上に形成された塗膜を温風にて１３５℃に加熱し、その後、６０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて波長３６５ｎｍにて１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜に照射し、続いて１２０℃に加熱しながら５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射することにより、液晶化合物の配向を固定化し、ポジティブＡプレートＡ−１９を含むフィルムＡ−１９を作製した。ポジティブＡプレートＡ−１９の厚みは、表１に示す。

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組成物Ａ−１９
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・液晶化合物Ｌ−１２ ４３．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１３ ４３．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１４ ９．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１１ ５．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・シクロペンタノン ２３５．００質量部
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液晶化合物Ｌ−１２

液晶化合物Ｌ−１３

液晶化合物Ｌ−１４

（ポジティブＣプレートＣ−１９の形成）
下記の組成物Ｃ−１９を、スピンコート法によって配向膜Ｐ−１上に塗布した。配向膜Ｐ−１上に形成された塗膜をホットプレート上で１２０℃に加熱し、その後、１２０℃に冷却した後、窒素雰囲気下で高圧水銀灯を用いて波長３６５ｎｍにて５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を塗膜に照射することにより、液晶化合物の配向を固定化し、ポジティブＣプレートＣ−１９を含むフィルムＣ−１９を作製した。ポジティブＣプレートＣ−１９の厚みは、表１に示す。

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組成物Ｃ−１９
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・液晶化合物Ｌ−１２ ４３．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１３ ４３．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１４ １６．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ３．００質量部
・レベリング剤Ｔ−２ ０．４０質量部
・レベリング剤Ｔ−３ ０．２０質量部
・化合物Ｌ−４ １．００質量部
・化合物Ｌ−５ ２．５０質量部
・クロロホルム ５７０．６０質量部
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（円偏光板２０の形成）
実施例１と同様の方法により、片側に偏光子が露出した偏光板を得た。
次に、偏光子の吸収軸とポジティブＡプレートＡ−１９の遅相軸とが４５°となるように、上記偏光板中の偏光子とフィルムＡ−１９中のポジティブＡプレートＡ−１９とを粘着剤を用いて貼り合わせ、フィルムＡ−１９の支持体を剥離することで、ポジティブＡプレートＡ−１９のみを偏光板に転写した。続いて、粘着剤を用いて、転写されたポジティブＡプレートＡ−１９の表面にフィルムＣ−１９中のポジティブＣプレートＣ−１９を貼り合わせ、フィルムＣ−１９の支持体を剥離することで、ポジティブＣプレートＣ−１９のみをポジティブＡプレートＡ−１９上に転写し、円偏光板１９を作製した。

＜比較例６＞
組成物Ａ−１９を下記の組成物Ａ−２０に変更し、厚みを調整した以外は、実施例１４と同様の方法によって、ポジティブＡプレートＡ−２０を作製し、ポジティブＣプレートＣ−１９のかわりに、特開２０１５−２００８６１号公報の段落０１２４に記載のポジティブＣプレートと同様の方法で作製したポジティブＣプレートＣ−１４（ただし、Ｒｔｈ（５５０）が−６９ｎｍとなるように、ポジティブＣプレートの厚みは制御している）を用いたことを除き、実施例１と同様の方法によって、円偏光板２０を作製した。
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組成物Ａ−２０
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・液晶化合物Ｌ−１２ ３８．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−１３ ３８．５０質量部
・液晶化合物Ｌ−１４ １６．００質量部
・液晶化合物Ｌ−１１ ２０．００質量部
・重合開始剤ＰＩ−１ ０．５０質量部
・レベリング剤Ｔ−１ ０．２０質量部
・シクロペンタノン ２３５．００質量部
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実施例１〜１４、および、比較例１〜６で作製したポジティブＡプレート、ポジティブＣプレートおよび円偏光板の各種評価結果を表１にまとめて示す。

＜光学特性の測定＞
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、波長４５０ｎｍ、５００ｎｍ、５５０ｎｍ、６００ｎｍおよび６５０ｎｍにおいて、Ｒｅの光入射角度依存性および光軸の傾斜角（即ち、層の屈折率が最大となる方向の、上記層面に対する傾き）を測定し、ポジティブＡプレートに関してはＲｅＡ（４５０）、ＲｅＡ（５００）、ＲｅＡ（５５０）、ＲｔｈＡ（５５０）、ＲｅＡ（６００）、および、ＲｅＡ（６５０）をそれぞれ求め、ポジティブＣプレートに関してはＲｔｈＣ（４５０）、ＲｔｈＣ（５００）、ＲｔｈＣ（５５０）、ＲｅＣ（５５０）、ＲｔｈＣ（６００）、および、ＲｔｈＣ（６５０）をそれぞれ求めた。

＜膜厚測定＞
反射分光膜厚計ＦＥ３０００（大塚電子株式会社製）を用いて、ポジティブＡプレートおよびポジティブＣプレートの厚みを測定した。

＜有機ＥＬ表示パネルへの実装および表示性能の評価＞
（有機ＥＬ表示装置への実装）
有機ＥＬ表示パネル搭載のＳＡＭＳＵＮＧ社製ＧＡＬＡＸＹ Ｓ ＩＶを分解し、円偏光板を剥離して、実施例１〜１４および比較例１〜６の円偏光板をそれぞれ有機ＥＬ表示パネル上に貼合し、有機ＥＬ表示装置を作製した。

（表示性能の評価）
作製した有機ＥＬ表示装置について、明光下にて反射率および反射色味変化を評価した。
（反射率）
測色計（コニカミノルタ製、ＣＭ−２０２２）を用い、ＳＣＥ（Specular component excluded）モードで測定し、得られたＹ値を、比較例５を基準として下記の基準で評価した。
Ａ：比較例５でのＹ値に対し、Ｙ値の割合が７０％以下である場合
Ｂ：比較例５でのＹ値に対し、Ｙ値の割合が７０％超９０％以下である場合
Ｃ：比較例５でのＹ値に対し、Ｙ値の割合が９０％超である場合

（反射色味変化）
外光反射光が最も視認されやすい黒表示にて、極角４５度から蛍光灯を映し込んだときの反射光を観察した。具体的には、視野角方向（極角４５度、方位角を１５度刻みで０〜１６５度）の反射光を分光放射計ＳＲ―３（トプコン社製）により測定し、比較例５を基準として下記の基準で評価した。
反射色味変化は、全測定角度での反射光の色味ａ^＊およびｂ^＊の変化の大きさΔａ^＊ｂ^＊を下記式で定義した。

Ａ：比較例５での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が５５％以下である場合
Ｂ：比較例５での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が５５％超７５％以下である場合
Ｃ：比較例５での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が７５％超９５％以下である場合
Ｄ：比較例５での反射光の反射色味変化に対する、反射光の反射色味変化の割合が９５％超である場合

表１中、「Ｒｅ５５０」は、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＡ（５５０）を表す。
「Ｒｅ４５０／Ｒｅ５５０」は、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＡ（５５０）に対する、ポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＡ（４５０）の比を表す。
なお、「Ｒｅ５００／Ｒｅ５５０」、「Ｒｅ６００／Ｒｅ５５０」、および、「Ｒｅ６５０／Ｒｅ５５０」も、上記「Ｒｅ４５０／Ｒｅ５５０」と同様に、それぞれポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＡ（５５０）に対する、ポジティブＡプレートの各測定波長（波長５００ｎｍ、波長６００ｎｍ、および、波長６５０ｎｍ）における面内レタデーションＲｅＡの比を表す。
「Ｒｔｈ５５０」は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈＣ（５５０）を表す。
また、「Ｒｔｈ４５０／Ｒｔｈ５５０」は、ポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈＣ（５５０）に対する、ポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈＣ（４５０）の比を表す。
なお、「Ｒｔｈ５００／Ｒｔｈ５５０」、「Ｒｔｈ６００／Ｒｔｈ５５０」、および、「Ｒｔｈ６５０／Ｒｔｈ５５０」も、上記「Ｒｔｈ４５０／Ｒｔｈ５５０」と同様に、それぞれポジティブＣプレートの波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションＲｔｈＣ（５５０）に対する、ポジティブＣプレートの各測定波長（波長５００ｎｍ、波長６００ｎｍ、および、波長６５０ｎｍ）における厚み方向のレタデーションＲｔｈＣの比を表す。
「要件１」欄においては、要件１を満たす場合を「Ａ」、満たさない場合を「Ｂ」として示す。
「要件２」欄においては、「差」欄は、｛Ｒｔｈ４５０／Ｒｔｈ５５０｝−｛Ｒｅ５００／Ｒｅ５５０｝の値を示す。「判定」欄は、要件２を満たす場合を「Ａ」、満たさない場合を「Ｂ」として示す。

表１に示すように、本発明の有機ＥＬ表示装置（および、位相差フィルム）であれば、所望の効果が確認された。
なかでも、実施例１〜６の比較より、上記要件１Ａ（０．６８≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７６）を満たす場合、反射率の点で効果がより優れることが確認された。
また、実施例７〜１１の比較より、上記要件２Ａを満たす場合、反射色味変化の点で効果がより優れることが確認された。
また、実施例１と実施例１２との比較より、ポジティブＡプレートの波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅＡ（５５０）が１４０ｎｍ以下である場合、反射率の点で効果がより優れることが確認された。

１０ 位相差フィルム
１２ ポジティブＡプレート
１４ ポジティブＣプレート
１６ 円偏光板
１８ 偏光子
２０ 有機ＥＬ表示装置
２２ 有機ＥＬ表示パネル

Claims (15)

1. 有機エレクトロルミネッセンス表示パネルと、前記有機エレクトロルミネッセンス表示パネル上に配置された円偏光板と、を含む有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記円偏光板が、偏光子と、位相差フィルムとを含み、
   前記位相差フィルムが、ポジティブＡプレートと、ポジティブＣプレートとを含み、
   前記ポジティブＡプレートが逆波長分散性を示し、
   前記ポジティブＡプレートが以下の要件１を満たし、
   前記ポジティブＡプレートおよび前記ポジティブＣプレートが以下の要件２を満たす、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   要件１：０．６５≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７８
   要件２：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．１０｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．１０｝
   ＲｅＡ（４５０）およびＲｅＡ（５５０）は、それぞれ前記ポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションを表し、
   ＲｔｈＣ（４５０）およびＲｔｈＣ（５５０）は、それぞれ前記ポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションを表す。
2. 前記ポジティブＡプレートが、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成され、
   前記液晶化合物が、式（Ｉ）で表される化合物である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   式（Ｉ） Ｌ^１−ＳＰ^１−Ａ^１−Ｄ^３−Ｇ^１−Ｄ^１−Ａｒ−Ｄ^２−Ｇ^２−Ｄ^４−Ａ^２−ＳＰ^２−Ｌ^２
   式（Ｉ）中、Ｄ^１、Ｄ^２、Ｄ^３およびＤ^４は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置換されていてもよい。
   Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数６以上の芳香環、または、炭素数６以上のシクロアルキレン環を表す。
   ＳＰ^１およびＳＰ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、重合性基を表す。
   Ｌ^１およびＬ^２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。
   Ａｒは、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環を表す。
   式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、＊１は、Ｄ^１との結合位置を表し、＊２は、Ｄ^２との結合位置を表す。
   また、Ｑ^１は、ＮまたはＣＨを表す。
   また、Ｑ^２は、−Ｓ−、−Ｏ−、または、−Ｎ（Ｒ^５）−を表し、Ｒ^５は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   また、Ｙ^１は、置換基を有してもよい、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
   また、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ^６Ｒ^７、または、−ＳＲ^８を表し、Ｒ^６〜Ｒ^８は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｚ^１およびＺ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。
   また、Ａ^３およびＡ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^９）−、−Ｓ−、および、−ＣＯ−からなる群から選択される基を表し、Ｒ^９は、水素原子または置換基を表す。
   また、Ｘは、水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。
   また、Ｄ^５およびＤ^６は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   また、ＳＰ^３およびＳＰ^４は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、重合性基を表す。
   また、Ｌ^３およびＬ^４は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。
   また、Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   また、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   また、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
   また、Ｑ^３は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   なお、Ａｒが式（Ａｒ−１）、式（Ａｒ−２）、式（Ａｒ−４）または式（Ａｒ−５）で表される基である場合、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方は重合性基を表す。また、Ａｒが式（Ａｒ−３）で表される基である場合、式（Ａｒ−３）中のＬ^３およびＬ^４ならびに式（Ｉ）中のＬ^１およびＬ^２の少なくとも１つが重合性基を表す。
3. Ａ^１およびＡ^２の少なくとも一方が、炭素数６以上のシクロアルキレン環である、請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 前記ポジティブＡプレートが以下の要件１Ａを満たす、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   要件１Ａ：０．６８≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７６
5. 前記ポジティブＡプレートおよび前記ポジティブＣプレートが以下の要件２Ａを満たす、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
   要件２Ａ：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．０６｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．０６｝
6. 前記ポジティブＡプレートのＲｅＡ（５５０）が１００〜１８０ｎｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. 前記ポジティブＣプレートが、逆波長分散性を示す、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. ポジティブＡプレートと、ポジティブＣプレートとを含み、
   前記ポジティブＡプレートが逆波長分散性を示し、
   前記ポジティブＡプレートが以下の要件１を満たし、
   前記ポジティブＡプレートおよび前記ポジティブＣプレートが以下の要件２を満たす、位相差フィルム。
   要件１：０．６５≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７８
   要件２：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．１０｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．１０｝
   ＲｅＡ（４５０）およびＲｅＡ（５５０）は、それぞれ前記ポジティブＡプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションを表し、
   ＲｔｈＣ（４５０）およびＲｔｈＣ（５５０）は、それぞれ前記ポジティブＣプレートの波長４５０ｎｍおよび波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションを表す。
9. 前記ポジティブＡプレートが、重合性基を有する液晶化合物を用いて形成され、
   前記液晶化合物が、式（Ｉ）で表される化合物である、請求項８に記載の位相差フィルム。
   式（Ｉ） Ｌ^１−ＳＰ^１−Ａ^１−Ｄ^３−Ｇ^１−Ｄ^１−Ａｒ−Ｄ^２−Ｇ^２−Ｄ^４−Ａ^２−ＳＰ^２−Ｌ^２
   式（Ｉ）中、Ｄ^１、Ｄ^２、Ｄ^３およびＤ^４は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   Ｇ^１およびＧ^２は、それぞれ独立に、炭素数５〜８の２価の脂環式炭化水素基を表し、前記脂環式炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置換されていてもよい。
   Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数６以上の芳香環、または、炭素数６以上のシクロアルキレン環を表す。
   ＳＰ^１およびＳＰ^２は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１〜１４の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、重合性基を表す。
   Ｌ^１およびＬ^２は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。
   Ａｒは、下記式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの芳香環を表す。
   式（Ａｒ−１）〜（Ａｒ−５）中、＊１は、Ｄ^１との結合位置を表し、＊２は、Ｄ^２との結合位置を表す。
   また、Ｑ^１は、ＮまたはＣＨを表す。
   また、Ｑ^２は、−Ｓ−、−Ｏ−、または、−Ｎ（Ｒ^５）−を表し、Ｒ^５は、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   また、Ｙ^１は、置換基を有してもよい、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、または、炭素数３〜１２の芳香族複素環基を表す。
   また、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化水素基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、−ＮＲ^６Ｒ^７、または、−ＳＲ^８を表し、Ｒ^６〜Ｒ^８は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｚ^１およびＺ^２は、互いに結合して環を形成してもよい。
   また、Ａ^３およびＡ^４は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ^９）−、−Ｓ−、および、−ＣＯ−からなる群から選択される基を表し、Ｒ^９は、水素原子または置換基を表す。
   また、Ｘは、水素原子または置換基が結合していてもよい第１４〜１６族の非金属原子を表す。
   また、Ｄ^５およびＤ^６は、それぞれ独立に、単結合、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｃ（＝Ｓ）Ｏ−、−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＲ^３Ｒ^４−、−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＣＲ^１Ｒ^２−Ｏ−ＣＯ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＣＲ^１Ｒ^２−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ^３Ｒ^４−、−ＮＲ^１−ＣＲ^２Ｒ^３−、または、−ＣＯ−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、または、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   また、ＳＰ^３およびＳＰ^４は、それぞれ独立に、単結合、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または、炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を構成する−ＣＨ_２−の１個以上が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ）−、もしくは、−ＣＯ−に置換された２価の連結基を表し、Ｑは、重合性基を表す。
   また、Ｌ^３およびＬ^４は、それぞれ独立に、１価の有機基を表す。
   また、Ａｘは、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   また、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基、または、芳香族炭化水素環および芳香族複素環からなる群から選択される少なくとも１つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   また、ＡｘおよびＡｙにおける芳香環は、置換基を有していてもよく、ＡｘとＡｙとが結合して環を形成していてもよい。
   また、Ｑ^３は、水素原子、または、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   なお、Ａｒが式（Ａｒ−１）、式（Ａｒ−２）、式（Ａｒ−４）または式（Ａｒ−５）で表される基である場合、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方は重合性基を表す。また、Ａｒが式（Ａｒ−３）で表される基である場合、式（Ａｒ−３）中のＬ^３およびＬ^４ならびに式（Ｉ）中のＬ^１およびＬ^２の少なくとも１つが重合性基を表す。
10. Ａ^１およびＡ^２の少なくとも一方が、炭素数６以上のシクロアルキレン環である、請求項９に記載の位相差フィルム。
11. 前記ポジティブＡプレートが以下の要件１Ａを満たす、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
    要件１Ａ：０．６８≦ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）≦０．７６
12. 前記ポジティブＡプレートおよび前記ポジティブＣプレートが以下の要件２Ａを満たす、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
    要件２Ａ：｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）−０．０６｝≦ＲｔｈＣ（４５０）／ＲｔｈＣ（５５０）／≦｛ＲｅＡ（４５０）／ＲｅＡ（５５０）＋０．０６｝
13. 前記ポジティブＡプレートのＲｅＡ（５５０）が１００〜１８０ｎｍである、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
14. 前記ポジティブＣプレートが、逆波長分散性を示す、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の位相差フィルム。
15. 偏光子と、請求項８〜１４のいずれか１項に記載の位相差フィルムとを含む、円偏光板。