JPWO2018096734A1 - 半導体モジュール - Google Patents
半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018096734A1 JPWO2018096734A1 JP2017558040A JP2017558040A JPWO2018096734A1 JP WO2018096734 A1 JPWO2018096734 A1 JP WO2018096734A1 JP 2017558040 A JP2017558040 A JP 2017558040A JP 2017558040 A JP2017558040 A JP 2017558040A JP WO2018096734 A1 JPWO2018096734 A1 JP WO2018096734A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode pad
- transistor
- wiring pattern
- main electrode
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Description
[実施形態の説明]
最初に、本開示の技術の実施形態の内容を列記して説明する。
[実施形態の詳細]
本開示の技術の実施形態の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲内と均等の範囲内とでのすべての変更が含まれることが意図される。図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
Claims (6)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の表面上に形成された第1入力用配線パターン、第2入力用配線パターン、第1制御用配線パターン及び第2制御用配線パターンとを有する回路基板と、
第1主電極パッド、第2主電極パッド及び第1ゲート電極パッドを有する第1縦型トランジスタであって、前記第2主電極パッド及び前記第1ゲート電極パッドは前記第1主電極パッドと反対側に形成されており、前記第1主電極パッドが前記第1入力用配線パターンと対向し且つ前記第1入力用配線パターンに電気的に接続された状態で前記回路基板に搭載され、前記第1ゲート電極パッドは前記第1制御用配線パターンに電気的に接続される前記第1縦型トランジスタと、
第3主電極パッド、第4主電極パッド及び第2ゲート電極パッドを有する第2縦型トランジスタであって、前記第4主電極パッド及び前記第2ゲート電極パッドは前記第3主電極パッドと反対側に形成されており、前記第4主電極パッドが前記第2入力用配線パターンと対向し且つ前記第2入力用配線パターンに電気的に接続されるとともに、前記第2ゲート電極パッドが前記第2制御用配線パターンと対向し且つ前記第2制御用配線パターンに電気的に接続された状態で前記回路基板に搭載される前記第2縦型トランジスタと、
前記第1入力用配線パターンと前記第2入力用配線パターンとの間を接続しておりサージ電圧を吸収するサージ電圧吸収素子と、
前記第1縦型トランジスタ及び前記第2縦型トランジスタ上に配置されており、裏面側導電領域を有する板状部材と、を備え、
前記第2主電極パッドと前記第3主電極パッドとは、前記板状部材の前記裏面側導電領域によって互いに電気的に接続される、
半導体モジュール。 - 前記板状部材は、切欠き部を有し、
前記板状部材は、前記切欠き部から前記第1ゲート電極パッドを露出するように、前記第1縦型トランジスタ上に配置されている、請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記板状部材は、前記板状部材を貫通する貫通孔を有し、
前記サージ電圧吸収素子は、前記貫通孔内に配置されている、請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記第1入力用配線パターンにおける前記第1縦型トランジスタが搭載される第1トランジスタ搭載領域と、前記第2入力用配線パターンにおける前記第2縦型トランジスタが搭載される第2トランジスタ搭載領域とは対向配置されており、
前記第1トランジスタ搭載領域と前記第2トランジスタ搭載領域の互いに対向する対向縁部は平行であり、
前記サージ電圧吸収素子は、前記第1トランジスタ搭載領域と前記第2トランジスタ搭載領域それぞれの前記対向縁部の間を接続している、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記回路基板は、前記絶縁基板上に出力用配線パターンを有し、
前記出力用配線パターンは、前記板状部材の前記裏面側導電領域と電気的に接続されている、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 上面に第1入力用配線パターン及び第2入力用配線パターンを有する回路基板と、
前記回路基板の上側に配置され前記回路基板に対向する下面に裏面側導電領域を有する板状部材と、
下面に第1主電極パッド、上面に第2主電極パッド及び第1ゲート電極パッドを有し、前記第1主電極パッドが前記第1入力用配線パターンと電気的に接続され且つ前記第2主電極パッドが前記裏面側導電領域と電気的に接続されるように前記回路基板と前記板状部材との間に挟まれて配置される第1縦型トランジスタと、
上面に第3主電極パッド、下面に第4主電極パッド及び第2ゲート電極パッドを有し、前記第4主電極パッドが前記第2入力用配線パターンと電気的に接続され且つ前記第3主電極パッドが前記裏面側導電領域と電気的に接続されるように前記回路基板と前記板状部材との間に挟まれて配置される第2縦型トランジスタと、
前記第1入力用配線パターンと前記第2入力用配線パターンとの間を接続する容量性素子と、
前記第1ゲート電極パッドに電気的に接続される第1制御端子と、
前記第2ゲート電極パッドに電気的に接続される第2制御端子と、
前記裏面側導電領域に電気的に接続される出力端子と、
を含む半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017250549A JP6907931B2 (ja) | 2016-11-24 | 2017-12-27 | 半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016227744 | 2016-11-24 | ||
JP2016227744 | 2016-11-24 | ||
PCT/JP2017/028626 WO2018096734A1 (ja) | 2016-11-24 | 2017-08-07 | 半導体モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017250549A Division JP6907931B2 (ja) | 2016-11-24 | 2017-12-27 | 半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6274380B1 JP6274380B1 (ja) | 2018-02-07 |
JPWO2018096734A1 true JPWO2018096734A1 (ja) | 2018-11-22 |
Family
ID=61158361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017558040A Active JP6274380B1 (ja) | 2016-11-24 | 2017-08-07 | 半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6274380B1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011036016A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Daikin Industries Ltd | 電力変換装置 |
CN103238269B (zh) * | 2010-12-01 | 2015-06-24 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
JP6181136B2 (ja) * | 2015-11-09 | 2017-08-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
-
2017
- 2017-08-07 JP JP2017558040A patent/JP6274380B1/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6274380B1 (ja) | 2018-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6907931B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US11183485B2 (en) | Semiconductor module | |
JP6750620B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US8373197B2 (en) | Circuit device | |
US11605613B2 (en) | Semiconductor device | |
US10217690B2 (en) | Semiconductor module that have multiple paths for heat dissipation | |
WO2015029159A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7428018B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP6583072B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2012175070A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2021141222A (ja) | 半導体モジュール | |
WO2021002132A1 (ja) | 半導体モジュールの回路構造 | |
JP6480856B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2017054842A (ja) | 配線基板、半導体装置、及び半導体パッケージ | |
JP2022050887A (ja) | 半導体装置 | |
JP2020184561A (ja) | 半導体装置 | |
JP6274380B1 (ja) | 半導体モジュール | |
JP7491043B2 (ja) | 半導体モジュール | |
CN113748509B (zh) | 半导体装置 | |
US11942452B2 (en) | Semiconductor module arrangement | |
JP2020202250A (ja) | 半導体装置 | |
JP6844668B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP5880663B1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2024013924A (ja) | 半導体モジュール | |
CN115411008A (zh) | 开关装置、半导体装置及开关装置的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171106 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20171106 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20171130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6274380 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |