JPWO2017195864A1 - バイアス電流回路、信号処理装置及びバイアス電流制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施の形態1に係る信号処理装置1の構成を図1に示す。本実施の形態に係る信号処理装置1は、図1に示すように、複数のセンサ素子を含むセンサ部10と、各センサ素子から出力されるセンサ信号を順次読み出して増幅する機能を有する読出・増幅IC(Integrated Circuit:半導体集積回路)11とを備える。
本発明の実施の形態2における信号処理装置1の全体の構成は実施の形態1の構成と同様である。読出・増幅IC11に含まれるバイアス電流回路316の構成が実施の形態1と異なる。読出・増幅IC11の他の構成は実施の形態1と同様である。
本発明の実施の形態3に係る信号処理装置2の構成を図7に示す。本実施の形態に係る信号処理装置2は、図7に示すように、紙葉検知器15と電流供給・停止制御回路17との間に、スリープモード制御回路18を備える点が実施の形態1の信号処理装置1と異なる。スリープモード制御回路18以外の構成は実施の形態1の構成と同様である。
Claims (10)
- ドレイン端子及びゲート端子に電流源を接続した第1の電界効果トランジスタと、
ドレイン端子にバイアス電流を供給する電子回路を接続した第2の電界効果トランジスタと、
前記第1の電界効果トランジスタのゲート端子と、前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子と、の間に接続される第1のスイッチング素子と、
前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子と、ソース端子と、の間に接続される第2のスイッチング素子と、を備え、
前記第1のスイッチング素子の制御端子には前記バイアス電流を供給するか否かに応じて切り替える制御信号が入力され、前記第2のスイッチング素子の制御端子には前記制御信号の反転信号が入力され、
前記制御信号に基づいて、前記電子回路に対し前記バイアス電流を供給する際には前記第1のスイッチング素子を導通にして前記第2のスイッチング素子を非導通にし、前記電子回路に対し前記バイアス電流を停止する際には前記第1のスイッチング素子を非導通にして前記第2のスイッチング素子を導通にする、
バイアス電流回路。 - 前記第1のスイッチング素子は、前記第1の電界効果トランジスタのゲート端子及び前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子を、それぞれドレイン端子とソース端子のいずれか一方及び他方に接続した第3の電界効果トランジスタであり、
前記第2のスイッチング素子は、前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子及びソース端子に、それぞれドレイン端子及びソース端子を接続した第4の電界効果トランジスタである、
請求項1に記載のバイアス電流回路。 - 前記第1、第2、第3及び第4の電界効果トランジスタは、N形MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であって、
前記第1、第2及び第4の電界効果トランジスタは、ソース端子を接地し、
前記第3の電界効果トランジスタのゲート端子に入力される前記制御信号は、前記バイアス電流を供給する際にHighレベルとなり前記バイアス電流を停止する際にLowレベルとなる、
請求項2に記載のバイアス電流回路。 - 前記第1、第2、第3及び第4の電界効果トランジスタは、P形MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であって、
前記第1、第2及び第4の電界効果トランジスタは、ソース端子に正の電圧源を接続し、
前記第3の電界効果トランジスタのゲート端子に入力される前記制御信号は、前記バイアス電流を供給する際にLowレベルとなり前記バイアス電流を停止する際にHighレベルとなる、
請求項2に記載のバイアス電流回路。 - 前記第2の電界効果トランジスタと、互いのゲート端子を接続し互いのソース端子を接続した、1以上の電界効果トランジスタを更に備え、
前記1以上の電界効果トランジスタのドレイン端子に、前記バイアス電流を供給する他の1以上の電子回路をそれぞれ接続する、
請求項1から4のいずれか1項に記載のバイアス電流回路。 - センサ信号を増幅用の電子回路で増幅した増幅信号を出力する信号処理装置であって、
前記増幅信号を出力する場合には前記電子回路に対してバイアス電流を供給し、前記増幅信号を出力しない場合には前記電子回路に対して前記バイアス電流を停止する、請求項1から5のいずれか1項に記載のバイアス電流回路を有する、
信号処理装置。 - 前記センサ信号は複数のセンサ素子から複数出力され、それぞれの前記センサ信号を複数の前記電子回路で増幅した前記増幅信号を出力し、
前記バイアス電流回路は、互いのゲート端子を接続し互いのソース端子を接続した前記第2の電界効果トランジスタを複数備え、
複数の前記第2の電界効果トランジスタのドレイン端子に、複数の前記電子回路をそれぞれ接続する、
請求項6に記載の信号処理装置。 - 紙葉の有無を検知する紙葉検知器と、
前記紙葉検知器が一定時間前記紙葉を検知しないときにスリープモードをオフからオンに切り替えるスリープモード制御回路と、を更に備え、
前記バイアス電流回路は、前記スリープモードがオンであるときに前記バイアス電流を停止する、
請求項6又は7に記載の信号処理装置。 - 前記センサ信号は、紙葉に含まれる磁気情報を検出した信号である、
請求項6から8のいずれか1項に記載の信号処理装置。 - ドレイン端子及びゲート端子に電流源を接続した第1の電界効果トランジスタと、ドレイン端子にバイアス電流を供給する電子回路を接続した第2の電界効果トランジスタと、を備えたカレントミラー回路を用いたバイアス電流制御方法であって、
前記第1の電界効果トランジスタのゲート端子と、前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子と、が第1のスイッチング素子を介して接続されており、
前記第2の電界効果トランジスタのゲート端子と、ソース端子と、が第2のスイッチング素子を介して接続されており、
前記第1のスイッチング素子を導通して前記第2のスイッチング素子を非導通にして前記電子回路に前記バイアス電流を供給するバイアス電流供給ステップと、
前記第1のスイッチング素子を非導通にして前記第2のスイッチング素子を導通して前記電子回路に前記バイアス電流を停止するバイアス電流停止ステップと、
を有するバイアス電流制御方法。
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