JPWO2017170012A1 - 金属配線含有積層体の製造方法、金属配線含有積層体、被めっき層付き基板 - Google Patents
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Abstract
本発明は、抵抗が低い微細な金属配線を有する金属配線含有積層体を効率よく製造することができる金属配線含有積層体の製造方法、金属配線含有積層体、および、被めっき層付き基板を提供する。本発明の金属配線含有積層体の製造方法は、基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程と、感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程と、を有する。
Description
本発明は、金属配線含有積層体の製造方法、金属配線含有積層体、および、被めっき層付き基板に関する。
基板上に金属配線が配置された導電性フィルム（金属配線含有積層体）は、タッチパネル、および、プリント配線基板など種々の用途に使用されている。
金属配線含有積層体の製造方法として、例えば、特許文献１において、非硬化性樹脂層を用いる態様が開示されている。より具体的には、基板の表面に、硬化性樹脂層を介して非硬化性樹脂層を形成する工程と、非硬化性樹脂層側から、非硬化性樹脂層および硬化性樹脂層に凹部を形成する工程と、非硬化性樹脂層表面および凹部表面にめっき用触媒を付与する工程と、非硬化性樹脂層をその表面のめっき用触媒とともに除去する工程と、凹部表面に無電解めっきを施す工程とを有する態様が開示されている。
金属配線含有積層体の製造方法として、例えば、特許文献１において、非硬化性樹脂層を用いる態様が開示されている。より具体的には、基板の表面に、硬化性樹脂層を介して非硬化性樹脂層を形成する工程と、非硬化性樹脂層側から、非硬化性樹脂層および硬化性樹脂層に凹部を形成する工程と、非硬化性樹脂層表面および凹部表面にめっき用触媒を付与する工程と、非硬化性樹脂層をその表面のめっき用触媒とともに除去する工程と、凹部表面に無電解めっきを施す工程とを有する態様が開示されている。
一方で、近年、より微細な金属配線を有する金属配線含有積層体を効率よく生産することが求められている。
特許文献１に記載の方法では、非硬化性樹脂層を別途作製する必要があるとともに、それを除去する手間があるため、必ずしも昨今の要求を満たすものではなかった。
特許文献１に記載の方法では、非硬化性樹脂層を別途作製する必要があるとともに、それを除去する手間があるため、必ずしも昨今の要求を満たすものではなかった。
本発明は、上記実情に鑑みて、抵抗が低い微細な金属配線を有する金属配線含有積層体を効率よく製造できる、金属配線含有積層体の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、金属配線含有積層体、および、被めっき層付き基板を提供することも課題とする。
また、本発明は、金属配線含有積層体、および、被めっき層付き基板を提供することも課題とする。
本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討を行ったところ、溝部を有する被めっき層を用いることにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１） 基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程と、
感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程と、
被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程と、
めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程と、を有する、金属配線含有積層体の製造方法。
（２） 感光性層が、ネガ型感光性層であり、
露光の際に、遮光部の幅が１０μｍ以下のフォトマスクを介して感光性層を露光する、（１）に記載の金属配線含有積層体の製造方法。
（３） 感光性層が、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む、（１）または（２）に記載の金属配線含有積層体の製造方法。
（４） 基板と、
基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、
被めっき層の溝部を埋めるように配置された金属配線と、を有し、
被めっき層の基板側とは反対側の表面（表面上）に金属が散在している、金属配線含有積層体。
（５） 被めっき層の溝部の側壁面（側壁面上）に、被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属と同種の金属が散在しており、
被めっき層の溝部の側壁面に散在している金属の量が、被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属の量よりも多い、（４）に記載の金属配線含有積層体。
（６） 基板と、
基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、を有する被めっき層付き基板。
感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程と、
被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程と、
めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程と、を有する、金属配線含有積層体の製造方法。
（２） 感光性層が、ネガ型感光性層であり、
露光の際に、遮光部の幅が１０μｍ以下のフォトマスクを介して感光性層を露光する、（１）に記載の金属配線含有積層体の製造方法。
（３） 感光性層が、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む、（１）または（２）に記載の金属配線含有積層体の製造方法。
（４） 基板と、
基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、
被めっき層の溝部を埋めるように配置された金属配線と、を有し、
被めっき層の基板側とは反対側の表面（表面上）に金属が散在している、金属配線含有積層体。
（５） 被めっき層の溝部の側壁面（側壁面上）に、被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属と同種の金属が散在しており、
被めっき層の溝部の側壁面に散在している金属の量が、被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属の量よりも多い、（４）に記載の金属配線含有積層体。
（６） 基板と、
基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、を有する被めっき層付き基板。
本発明によれば、抵抗が低い微細な金属配線を有する金属配線含有積層体を効率よく製造できる、金属配線含有積層体の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、金属配線含有積層体、および、被めっき層付き基板を提供することもできる。
また、本発明によれば、金属配線含有積層体、および、被めっき層付き基板を提供することもできる。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明の製造方法の特徴点としては、後段で詳述するように、溝部を有する被めっき層を用いる点が挙げられる。このような被めっき層にめっき触媒またはその前駆体が吸着する際、被めっき層の基板側とは反対側の表面よりも溝部の側壁面にめっき触媒またはその前駆体が吸着しやすくなる。そのため、得られた被めっき層に対してめっき処理を施すと、溝部を埋めるように金属配線（めっき層）が形成される。つまり、溝部の大きさに合わせて、低抵抗で微細な金属配線を形成できる。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明の製造方法の特徴点としては、後段で詳述するように、溝部を有する被めっき層を用いる点が挙げられる。このような被めっき層にめっき触媒またはその前駆体が吸着する際、被めっき層の基板側とは反対側の表面よりも溝部の側壁面にめっき触媒またはその前駆体が吸着しやすくなる。そのため、得られた被めっき層に対してめっき処理を施すと、溝部を埋めるように金属配線（めっき層）が形成される。つまり、溝部の大きさに合わせて、低抵抗で微細な金属配線を形成できる。
本発明の金属配線含有積層体の製造方法は、以下の工程Ａ〜Ｄを有する。
工程Ａ：基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程
工程Ｂ：感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程
工程Ｃ：被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程
工程Ｄ：めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程
以下に、図面を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。
工程Ａ：基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程
工程Ｂ：感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程
工程Ｃ：被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程
工程Ｄ：めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程
以下に、図面を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。
＜工程Ａ（感光性層形成工程）＞
工程Ａは、基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程である。本工程を実施することにより、図１に示すように、基板１０上に感光性層１２が形成される。感光性層は、溝部を有する被めっき層を形成するための前駆体層（被めっき層形成用層）である。
以下では、まず、本工程で使用される各部材および各材料について詳述し、その後、工程の手順を詳述する。
工程Ａは、基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程である。本工程を実施することにより、図１に示すように、基板１０上に感光性層１２が形成される。感光性層は、溝部を有する被めっき層を形成するための前駆体層（被めっき層形成用層）である。
以下では、まず、本工程で使用される各部材および各材料について詳述し、その後、工程の手順を詳述する。
（基板）
基板は、後述する被めっき層などを支持することができれば特にその種類の限定はなく、公知の基板を使用できる。
基板としては、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、および、ガラス基板などが挙げられる。
樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリ（メタ）アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、および、シクロオレフィン系樹脂などが挙げられる。
基板の厚み（ｍｍ）は特に限定されないが、基板の取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．００５〜１ｍｍが好ましく、０．０２〜０．０８ｍｍがより好ましい。
また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５〜１００％が好ましい。
基板は、後述する被めっき層などを支持することができれば特にその種類の限定はなく、公知の基板を使用できる。
基板としては、例えば、絶縁基板が挙げられ、より具体的には、樹脂基板、セラミック基板、および、ガラス基板などが挙げられる。
樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリ（メタ）アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、および、シクロオレフィン系樹脂などが挙げられる。
基板の厚み（ｍｍ）は特に限定されないが、基板の取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．００５〜１ｍｍが好ましく、０．０２〜０．０８ｍｍがより好ましい。
また、基板は、光を適切に透過することが好ましい。具体的には、基板の全光線透過率は、８５〜１００％が好ましい。
なお、基板上には、必要に応じて、易接着層またはプライマー層などが配置されていてもよい。つまり、易接着層付き基板、または、プライマー層付き基板などを用いてもよい。
（感光性層）
感光性層は、上記基板上に配置される層であり、溝部を有する被めっき層を形成するための層である。
感光性層は、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、「相互作用性基」とも称する）を有する。
相互作用性基とは、被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図する。相互作用性基としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、並びに、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、および、含酸素官能基などが挙げられる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級アミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、キナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、および、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、および、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、および、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフェート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、および、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素原子、および、臭素原子などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用できる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、および、ボロン酸基などのイオン性極性基、エーテル基、または、シアノ基が好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がより好ましい。
感光性層は、上記基板上に配置される層であり、溝部を有する被めっき層を形成するための層である。
感光性層は、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基（以後、「相互作用性基」とも称する）を有する。
相互作用性基とは、被めっき層に付与されるめっき触媒またはその前駆体と相互作用できる官能基を意図する。相互作用性基としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体と静電相互作用を形成可能な官能基、並びに、めっき触媒またはその前駆体と配位形成可能な含窒素官能基、含硫黄官能基、および、含酸素官能基などが挙げられる。
相互作用性基としてより具体的には、アミノ基、アミド基、イミド基、ウレア基、３級アミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール基、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、キノリン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、キナゾリン基、キノキサリン基、プリン基、トリアジン基、ピペリジン基、ピペラジン基、ピロリジン基、ピラゾール基、アニリン基、アルキルアミン構造を含む基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、シアノ基、および、シアネート基などの含窒素官能基；エーテル基、水酸基、フェノール性水酸基、カルボン酸基、カーボネート基、カルボニル基、エステル基、Ｎ−オキシド構造を含む基、Ｓ−オキシド構造を含む基、および、Ｎ−ヒドロキシ構造を含む基などの含酸素官能基；チオフェン基、チオール基、チオウレア基、チオシアヌール酸基、ベンズチアゾール基、メルカプトトリアジン基、チオエーテル基、チオキシ基、スルホキシド基、スルホン基、サルファイト基、スルホキシイミン構造を含む基、スルホキシニウム塩構造を含む基、スルホン酸基、および、スルホン酸エステル構造を含む基などの含硫黄官能基；ホスフェート基、ホスフォロアミド基、ホスフィン基、および、リン酸エステル構造を含む基などの含リン官能基；塩素原子、および、臭素原子などのハロゲン原子を含む基などが挙げられ、塩構造をとりうる官能基においてはそれらの塩も使用できる。
なかでも、極性が高く、めっき触媒またはその前駆体などへの吸着能が高いことから、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、および、ボロン酸基などのイオン性極性基、エーテル基、または、シアノ基が好ましく、カルボン酸基（カルボキシル基）またはシアノ基がより好ましい。
感光性層は、ネガ型感光性層であっても、ポジ型感光性層であってもよい。なかでも、より微細な金属配線を形成しやすい点で、ネガ型感光性層が好ましい。
なお、ネガ型感光性層とは、現像処理の際に未露光部が除去される層である。また、ポジ型感光性層とは、現像処理の際に露光部が除去される層である。
感光性層がネガ型感光性層である場合、感光性層は上記相互作用性基とともに、重合性基を有することが好ましい。
なお、ネガ型感光性層とは、現像処理の際に未露光部が除去される層である。また、ポジ型感光性層とは、現像処理の際に露光部が除去される層である。
感光性層がネガ型感光性層である場合、感光性層は上記相互作用性基とともに、重合性基を有することが好ましい。
重合性基は、露光により、化学結合を形成しうる官能基であり、例えば、ラジカル重合性基、および、カチオン重合性基などが挙げられる。なかでも、反応性がより優れる点から、ラジカル重合性基が好ましい。ラジカル重合性基としては、例えば、アクリル酸エステル基（アクリロイルオキシ基）、メタクリル酸エステル基（メタクリロイルオキシ基）、イタコン酸エステル基、クロトン酸エステル基、イソクロトン酸エステル基、マレイン酸エステル基などの不飽和カルボン酸エステル基、スチリル基、ビニル基、アクリルアミド基、および、メタクリルアミド基などが挙げられる。なかでも、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、ビニル基、スチリル基、アクリルアミド基、または、メタクリルアミド基が好ましく、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、または、スチリル基がより好ましい。
感光性層は、より微細な金属配線を形成しやすい点で、以下の化合物Ｘまたは組成物Ｙを含むことが好ましい。
化合物Ｘ：相互作用性基、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
化合物Ｘ：相互作用性基、および、重合性基を有する化合物
組成物Ｙ：相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物
（化合物Ｘ）
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。化合物Ｘに含まれる相互作用性基の数は特に限定されず、１つでも、２つ以上でもよい。
化合物Ｘには、重合性基が２種以上含まれていてもよい。化合物Ｘに含まれる重合性基の数は特に限定されず、１つでも、２つ以上でもよい。
化合物Ｘは、相互作用性基と重合性基とを有する化合物である。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
化合物Ｘには、相互作用性基が２種以上含まれていてもよい。化合物Ｘに含まれる相互作用性基の数は特に限定されず、１つでも、２つ以上でもよい。
化合物Ｘには、重合性基が２種以上含まれていてもよい。化合物Ｘに含まれる重合性基の数は特に限定されず、１つでも、２つ以上でもよい。
上記化合物Ｘは、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。低分子化合物は分子量が１０００未満の化合物を意図し、高分子化合物とは分子量が１０００以上の化合物を意図する。
なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
なお、上記重合性基を有する低分子化合物とは、いわゆるモノマー（単量体）に該当する。また、高分子化合物とは、所定の繰り返し単位を有するポリマーであってもよい。
また、化合物としては１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの重量平均分子量は特に限定されないが、溶解性など取り扱い性がより優れる点で、１０００〜７０００００が好ましく、２０００〜２０００００がより好ましい。特に、重合感度の点から、２００００以上がさらに好ましい。
重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に限定されず、公知の合成方法（特開２００９−２８０９０５号公報の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。
重合性基および相互作用性基を有するポリマーの合成方法は特に限定されず、公知の合成方法（特開２００９−２８０９０５号公報の段落［００９７］〜［０１２５］参照）が使用される。
（ポリマーの好適態様１）
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜「重合性基ユニット」とも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜「相互作用性基ユニット」とも称する）を含む共重合体が挙げられる。
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの第１の好ましい態様として、下記式（ａ）で表される重合性基を有する繰り返し単位（以下、適宜「重合性基ユニット」とも称する）、および、下記式（ｂ）で表される相互作用性基を有する繰り返し単位（以下、適宜「相互作用性基ユニット」とも称する）を含む共重合体が挙げられる。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など）を表す。なお、置換基の種類は特に限定されないが、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、および、フッ素原子などが挙げられる。
なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
なお、Ｒ1としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ2としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。Ｒ3としては、水素原子が好ましい。Ｒ4としては、水素原子が好ましい。Ｒ5としては、水素原子、メチル基、または、臭素原子で置換されたメチル基が好ましい。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｘ、Ｙ、およびＺは、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換または無置換の２価の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数（炭素原子数）１〜８。例えば、メチレン基、エチレン基、および、プロピレン基などのアルキレン基）、置換または無置換の２価の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２。例えば、フェニレン基）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、および、これらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
Ｘ、Ｙ、およびＺとしては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましく、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、または、アミド基（−ＣＯＮＨ−）がより好ましい。
上記式（ａ）および式（ｂ）中、Ｌ1およびＬ2は、それぞれ独立して、単結合、または、置換若しくは無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義としては、上述したＸ、Ｙ、およびＺで述べた２価の有機基と同義である。
Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、２価の脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましい。また、Ｌ１に含まれる総炭素数は、１〜９が好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素数を意味する。
Ｌ1としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、２価の脂肪族炭化水素基、または、ウレタン結合若しくはウレア結合を有する２価の有機基（例えば、脂肪族炭化水素基）が好ましい。また、Ｌ１に含まれる総炭素数は、１〜９が好ましい。なお、ここで、Ｌ1の総炭素数とは、Ｌ1で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素数を意味する。
また、Ｌ2は、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、若しくは、これらを組み合わせた基であることが好ましい。なかでも、Ｌ2は単結合、または、総炭素数が１〜１５である置換若しくは無置換の２価の有機基であることが好ましい。なお、ここで、Ｌ2の総炭素数とは、Ｌ2で表される置換または無置換の２価の有機基に含まれる総炭素数を意味する。また、Ｌ2で表される２価の有機基は、無置換であることが好ましい。
上記式（ｂ）中、Ｗは、相互作用性基を表す。相互作用性基の定義は、上述の通りである。
上記重合性基ユニットの含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜６０モル％が好ましく、５〜４０モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。
また、上記相互作用性基ユニットの含有量は、めっき触媒またはその前駆体に対する吸着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９５モル％が好ましく、１０〜９５モル％がより好ましい。
（ポリマーの好適態様２）
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。
上記化合物Ｘがポリマーである場合、ポリマーの第２の好ましい態様としては、下記式（Ａ）、式（Ｂ）、および式（Ｃ）で表される繰り返し単位を含む共重合体が挙げられる。
式（Ａ）で表される繰り返し単位は上記式（ａ）で表される繰り返し単位と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基が好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2は、上記式（ｂ）で表される繰り返し単位中のＲ5、ＸおよびＬ2と同じであり、各基の説明も同じである。
式（Ｂ）中のＷａは、後述するＶで表される親水性基またはその前駆体基を除く、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する基を表す。なかでも、シアノ基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｒ6は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される２価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、若しくは、これらを組み合わせた基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｕは、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＸ、ＹおよびＺで表される２価の有機基と同義である。Ｕとしては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、単結合、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、エーテル基（−Ｏ−）、または、置換若しくは無置換の２価の芳香族炭化水素基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｌ3は、単結合、または、置換若しく無置換の２価の有機基を表す。２価の有機基の定義は、上述したＬ1およびＬ2で表される２価の有機基と同義である。Ｌ3としては、ポリマーの合成が容易で、被めっき層と金属配線との密着性がより優れる点で、単結合、または、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、若しくは、これらを組み合わせた基が好ましい。
式（Ｃ）中、Ｖは親水性基またはその前駆体基を表す。親水性基とは親水性を示す基であれば特に限定されず、例えば、水酸基、および、カルボン酸基などが挙げられる。また、親水性基の前駆体基とは、所定の処理（例えば、酸またはアルカリにより処理）により親水性基を生じる基を意味し、例えば、ＴＨＰ（２−テトラヒドロピラニル基）で保護したカルボン酸基などが挙げられる。
親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基が好ましい。イオン性極性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、および、ボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
親水性基としては、めっき触媒またはその前駆体との相互作用の点で、イオン性極性基が好ましい。イオン性極性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基、および、ボロン酸基が挙げられる。なかでも、適度な酸性（他の官能基を分解しない）という点から、カルボン酸基が好ましい。
上記ポリマーの第２の好ましい態様における各ユニットの好ましい含有量は、以下の通りである。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、被めっき層に対するめっき触媒またはその前駆体の吸着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による感光性層の現像性と被めっき層の耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。
式（Ａ）で表される繰り返し単位の含有量は、反応性（硬化性、重合性）および合成の際のゲル化の抑制の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましい。
式（Ｂ）で表される繰り返し単位の含有量は、被めっき層に対するめっき触媒またはその前駆体の吸着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜７５モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
式（Ｃ）で表される繰り返し単位の含有量は、水溶液による感光性層の現像性と被めっき層の耐湿密着性の点から、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜７０モル％が好ましく、２０〜６０モル％がより好ましく、３０〜５０モル％がさらに好ましい。
上記ポリマーの具体例としては、特開２００９−００７５４０号公報の段落［０１０６］〜［０１１２］に記載のポリマー、特開２００６−１３５２７１号公報の段落［００６５］〜［００７０］に記載のポリマー、および、ＵＳ２０１０−０８０９６４号の段落［００３０］〜［０１０８］に記載のポリマーなどが挙げられる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
このポリマーは、公知の方法（例えば、上記で列挙された文献中の方法）により製造することができる。
（モノマーの好適態様）
上記化合物Ｘがいわゆるモノマーである場合、モノマーの好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。
上記化合物Ｘがいわゆるモノマーである場合、モノマーの好適態様の一つとして式（Ｘ）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｘ）中、Ｒ11〜Ｒ13は、それぞれ独立して、水素原子、または、置換若しくは無置換のアルキル基を表す。無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、および、ブチル基が挙げられる。また、置換アルキル基としては、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、またはフッ素原子などで置換された、メチル基、エチル基、プロピル基、および、ブチル基が挙げられる。なお、Ｒ11としては、水素原子、または、メチル基が好ましい。Ｒ12としては、水素原子が好ましい。Ｒ13としては、水素原子が好ましい。
Ｌ10は、単結合、または、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、置換または無置換の脂肪族炭化水素基（好ましくは炭素数１〜８）、置換または無置換の芳香族炭化水素基（好ましくは炭素数６〜１２）、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ(Ｒ)−（Ｒ：アルキル基）、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、および、これらを組み合わせた基（例えば、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基、アルキレンカルボニルオキシ基など）などが挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子などで置換された基が好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子などで置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ10の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。
置換または無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、若しくはブチレン基、または、これらの基が、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子などで置換された基が好ましい。
置換または無置換の芳香族炭化水素基としては、無置換のフェニレン基、または、メトキシ基、塩素原子、臭素原子、若しくはフッ素原子などで置換されたフェニレン基が好ましい。
式（Ｘ）中、Ｌ10の好適態様の一つとしては、−ＮＨ−脂肪族炭化水素基−、または、−ＣＯ−脂肪族炭化水素基−が挙げられる。
Ｗの定義は、式（ｂ）中のＷの定義の同義であり、相互作用性基を表す。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。
式（Ｘ）中、Ｗの好適態様としては、イオン性極性基が挙げられ、カルボン酸基がより好ましい。
（組成物Ｙ）
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、感光性層は、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。なかでも、相互作用性基を有するポリマーが好ましい。
相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有するポリマー（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれないことが好ましい。
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーであることが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、２００〜７００がより好ましい。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５が好ましく、６〜１０がより好ましい。
重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。
組成物Ｙは、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む組成物である。つまり、感光性層は、相互作用性基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物の２種を含む。相互作用性基および重合性基の定義は、上述の通りである。
相互作用性基を有する化合物としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。なかでも、相互作用性基を有するポリマーが好ましい。
相互作用性基を有する化合物の好適態様としては、上述した式（ｂ）で表される繰り返し単位を有するポリマー（例えば、ポリアクリル酸）が挙げられる。なお、相互作用性基を有する化合物には、重合性基は含まれないことが好ましい。
重合性基を有する化合物とは、いわゆるモノマーであり、形成される被めっき層の硬度がより優れる点で、２個以上の重合性基を有する多官能モノマーであることが好ましい。多官能モノマーとは、具体的には、２〜６個の重合性基を有するモノマーであることが好ましい。反応性に影響を与える架橋反応中の分子の運動性の点から、用いる多官能モノマーの分子量としては１５０〜１０００が好ましく、２００〜７００がより好ましい。また、複数存在する重合性基同士の間隔（距離）としては原子数で１〜１５が好ましく、６〜１０がより好ましい。
重合性基を有する化合物には、相互作用性基が含まれていてもよい。
重合性基を有する化合物の好適態様としては、式（１）で表される化合物が挙げられる。
式（１）中、Ｑは、ｎ価の連結基を表し、Ｒａは、水素原子またはメチル基を表す。ｎは、２以上の整数を表す。
Ｒａは、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。
Ｑの価数ｎは、２以上であり、被めっき層と金属配線との密着性をより向上させる観点から、２〜６が好ましく、２〜５がより好ましく、２〜４がさらに好ましい。
Ｑで表されるｎ価の連結基としては、例えば、式（１Ａ）で表される基、式（１Ｂ）で表される基、
Ｑの価数ｎは、２以上であり、被めっき層と金属配線との密着性をより向上させる観点から、２〜６が好ましく、２〜５がより好ましく、２〜４がさらに好ましい。
Ｑで表されるｎ価の連結基としては、例えば、式（１Ａ）で表される基、式（１Ｂ）で表される基、
−ＮＨ−、−ＮＲ（Ｒ：アルキル基を表す）−、−Ｏ−、−Ｓ−、カルボニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、芳香族基、ヘテロ環基、および、これらを２種以上組み合わせた基などが挙げられる。
式（１）で表される化合物の好適態様として、式（Ｙ）で表される化合物が挙げられる。
式（Ｙ）中、Ｒ1は、それぞれ独立に、水素原子またはメチル基を表す。Ｒ2は、それぞれ独立に、炭素数２〜４の直鎖または分岐のアルキレン基を表す。但し、Ｒ2において、Ｒ2の両端に結合する酸素原子と窒素原子とがＲ2の同一の炭素原子に結合した構造をとることはない。Ｒ3は、それぞれ独立に、２価の連結基を表す。ｋは、２または３を表す。ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、０〜６の整数を表し、ｘ＋ｙ＋ｚは、０〜１８を満たす。
Ｒ2は、炭素数２〜４の直鎖または分岐のアルキレン基を表す。複数のＲ2は、互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ2は、炭素数３〜４のアルキレン基であることが好ましく、炭素数３のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数３の直鎖のアルキレン基であることがさらに好ましい。Ｒ2のアルキレン基は、さらに置換基を有していてもよく、この置換基としては、アリール基、または、アルコキシ基などが挙げられる。
但し、Ｒ2において、Ｒ2の両端に結合する酸素原子と窒素原子とがＲ2の同一の炭素原子に結合した構造をとることはない。Ｒ2は、酸素原子と（メタ）アクリルアミド基の窒素原子とを連結する直鎖または分岐のアルキレン基であり、このアルキレン基が分岐構造をとる場合、両端の酸素原子と（メタ）アクリルアミド基の窒素原子とがアルキレン基中の同一の炭素原子に結合した、−Ｏ−Ｃ−Ｎ−構造（ヘミアミナール構造）をとることも考えられる。しかし、式（Ｙ）で表される化合物には、このような構造の化合物は含まれない。
但し、Ｒ2において、Ｒ2の両端に結合する酸素原子と窒素原子とがＲ2の同一の炭素原子に結合した構造をとることはない。Ｒ2は、酸素原子と（メタ）アクリルアミド基の窒素原子とを連結する直鎖または分岐のアルキレン基であり、このアルキレン基が分岐構造をとる場合、両端の酸素原子と（メタ）アクリルアミド基の窒素原子とがアルキレン基中の同一の炭素原子に結合した、−Ｏ−Ｃ−Ｎ−構造（ヘミアミナール構造）をとることも考えられる。しかし、式（Ｙ）で表される化合物には、このような構造の化合物は含まれない。
Ｒ3の２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、複素環基、および、これらの組み合わせからなる基などが挙げられ、アルキレン基であることが好ましい。なお、２価の連結基がアルキレン基を含む場合、このアルキレン基中は、さらに、−Ｏ−、−Ｓ−、および、ＮＲｂ−から選ばれる少なくとも１種の基を含んでいてもよい。
Ｒｂは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒｂは、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、０〜６の整数を表し、０〜５の整数が好ましく、０〜３の整数がより好ましい。ｘ＋ｙ＋ｚは、０〜１８を満たし、０〜１５であることが好ましく、０〜９であることがより好ましい。
なお、相互作用性基を有する化合物と重合性基を有する化合物との質量比（相互作用性基を有する化合物の質量／重合性基を有する化合物の質量）は特に限定されないが、形成される被めっき層の強度およびめっき適性のバランスの点で、０．１〜１０が好ましく、０．５〜５がより好ましい。良好な透過性を示す被めっき層が得られる点で、上記質量比は０．５〜１が好ましい。
感光性層中の化合物Ｘ（または、組成物Ｙ）の含有量は特に限定されないが、感光性層全質量に対して、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。上限は特に限定されないが、９９．５質量％以下が好ましい。
感光性層には、上記化合物Ｘおよび上記組成物Ｙ以外の成分が含まれていてもよい。
感光性層には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、露光処理の際の重合性基間の反応がより効率的に進行する。
重合開始剤としては特に限定はなく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、および、アゾ化合物、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
感光性層中における重合開始剤の含有量は特に限定されないが、被めっき層の硬化性の点で、感光性層全質量に対して、０．０１〜１質量％が好ましく、０．１〜０．５質量％がより好ましい。
感光性層には、重合開始剤が含まれていてもよい。重合開始剤が含まれることにより、露光処理の際の重合性基間の反応がより効率的に進行する。
重合開始剤としては特に限定はなく、公知の重合開始剤（いわゆる光重合開始剤）などを用いることができる。重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、ベンゾイン類、ケトン類、チオキサントン類、ベンジル類、ベンジルケタール類、オキスムエステル類、アンソロン類、テトラメチルチウラムモノサルファイド類、ビスアシルフォスフィノキサイド類、アシルフォスフィンオキサイド類、アントラキノン類、および、アゾ化合物、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
感光性層中における重合開始剤の含有量は特に限定されないが、被めっき層の硬化性の点で、感光性層全質量に対して、０．０１〜１質量％が好ましく、０．１〜０．５質量％がより好ましい。
感光性層には、他の添加剤（例えば、増感剤、硬化剤、重合禁止剤、酸化防止剤、帯電防止剤、フィラー、粒子、難燃剤、界面活性剤、滑剤、および、可塑剤など）が含まれていてもよい。
感光性層の厚みは特に限定されないが、０．０１〜２０μｍが好ましく、０．１〜１０μｍがより好ましく、０．１〜５μｍがさらに好ましい。
上記の感光性層の厚みは平均厚みであり、感光性層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
上記の感光性層の厚みは平均厚みであり、感光性層の任意の１０点の厚みを測定して、算術平均した値である。
（工程の手順）
基板上に感光性層を形成する方法は特に限定されず、基板上に上述した各種成分を含む組成物（被めっき層形成用組成物）を塗布して感光性層を形成する方法（塗布法）、および、仮基板上に感光性層を形成して、基板上に転写する方法（転写法）などが挙げられる。なかでも、厚みの制御がしやすい点、塗布法が好ましい。
以下、塗布法の態様について詳述する。
基板上に感光性層を形成する方法は特に限定されず、基板上に上述した各種成分を含む組成物（被めっき層形成用組成物）を塗布して感光性層を形成する方法（塗布法）、および、仮基板上に感光性層を形成して、基板上に転写する方法（転写法）などが挙げられる。なかでも、厚みの制御がしやすい点、塗布法が好ましい。
以下、塗布法の態様について詳述する。
塗布法で使用される組成物には、上述した成分（例えば、化合物Ｘまたは組成物Ｙ）が含まれる。
なお、組成物には、取り扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
溶剤の種類は特に限定されず、例えば、水、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、ニトリル系溶剤、エステル系溶剤、カーボネート系溶剤、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、および、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
組成物中の溶剤の含有量は特に限定されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取り扱い性に優れ、感光性層の層厚を制御しやすい。
なお、組成物には、取り扱い性の点から、溶剤が含まれることが好ましい。
溶剤の種類は特に限定されず、例えば、水、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、ニトリル系溶剤、エステル系溶剤、カーボネート系溶剤、エーテル系溶剤、グリコール系溶剤、アミン系溶剤、チオール系溶剤、および、ハロゲン系溶剤などが挙げられる。
組成物中の溶剤の含有量は特に限定されないが、組成物全量に対して、５０〜９８質量％が好ましく、７０〜９５質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の取り扱い性に優れ、感光性層の層厚を制御しやすい。
塗布法の場合に、組成物を基板上に塗布する方法は特に限定されず、公知の方法（例えば、スピンコート、ダイコート、ディップコートなど）を使用できる。
組成物の取り扱い性および感光性層の製造効率の点からは、組成物を基板上に塗布し、必要に応じて乾燥処理を行って塗膜に残存する溶剤を除去して、感光性層を形成する態様が好ましい。
なお、乾燥処理の条件は特に限定されないが、生産性がより優れる点で、室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）実施することが好ましい。
組成物の取り扱い性および感光性層の製造効率の点からは、組成物を基板上に塗布し、必要に応じて乾燥処理を行って塗膜に残存する溶剤を除去して、感光性層を形成する態様が好ましい。
なお、乾燥処理の条件は特に限定されないが、生産性がより優れる点で、室温〜２２０℃（好ましくは５０〜１２０℃）で、１〜３０分間（好ましく１〜１０分間）実施することが好ましい。
＜工程Ｂ（被めっき層形成工程Ｂ）＞
工程Ｂは、感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程である。
例えば、感光性層がネガ型感光性層である場合（例えば、感光性層に上記化合物Ｘまたは組成物Ｙが含まれる場合）、まず、図２に示すように、所定の遮光部１４を有するフォトマスクを介して感光性層１２に対してパターン露光を施す。次に、露光された感光性層に対して現像処理を施すことにより、未露光部が除去されて、図３に示すように、溝部１６を有する被めっき層１８が形成される。
図３においては、２本の溝部が形成されているが、その数は特に限定されない。
また、上記では、感光性層がネガ型感光性層である場合について述べたが、この態様には限定されない。つまり、感光性層としてポジ型感光性層を用いてもよい。ポジ型感光性層を用いる場合、露光部が除去されて、溝部を有する被めっき層が形成される。
工程Ｂは、感光性層をパターン状に露光して、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程である。
例えば、感光性層がネガ型感光性層である場合（例えば、感光性層に上記化合物Ｘまたは組成物Ｙが含まれる場合）、まず、図２に示すように、所定の遮光部１４を有するフォトマスクを介して感光性層１２に対してパターン露光を施す。次に、露光された感光性層に対して現像処理を施すことにより、未露光部が除去されて、図３に示すように、溝部１６を有する被めっき層１８が形成される。
図３においては、２本の溝部が形成されているが、その数は特に限定されない。
また、上記では、感光性層がネガ型感光性層である場合について述べたが、この態様には限定されない。つまり、感光性層としてポジ型感光性層を用いてもよい。ポジ型感光性層を用いる場合、露光部が除去されて、溝部を有する被めっき層が形成される。
上記のように溝部１６を形成する際には、遮光部１４の縁部の直下にある感光性層の部分は露光されづらい。結果として、図３においては、溝部１６の側壁面１８ｂでの硬化は、被めっき層１８の基板１０側とは反対側の表面１８ａ（被めっき層の上面）での硬化よりも進行しづらい。そのため、溝部１６を有する被めっき層１８が溶液と接触すると、溝部１６の側壁面１８ｂ部分の硬化度が低いため、溝部１６の側壁面１８ｂ部分でより膨潤しやすい。
また、感光性層が上述したような組成物Ｙを含む場合、溝部１６の側壁面１８ｂ部分において重合性基を有する化合物の重合が進行しづらい。そのため、現像処理を実施すると、重合性基を有する化合物に由来する成分がより溶出して、相互作用性基を有する化合物の濃度がより高まる。つまり、溝部１６の側壁面１８ｂでの相互作用性基の濃度が、被めっき層１８の表面１８ａでの相互作用性基の濃度よりもより高くなる。
上記のような現象が生じると、溝部を有する被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する際に、めっき触媒またはその前駆体が優先的に溝部１６の側壁面１８ｂ部分に吸着する。つまり、溝部１６の側壁面１８ｂに吸着するめっき触媒またはその前駆体の量が、被めっき層１８の表面１８ａに吸着するめっき触媒またはその前駆体の量よりもより多くなる。そのため、このような被めっき層に対してめっき処理を施すと、溝部内で優先的にめっきが析出し、結果として、溝部内を埋めるように金属配線が形成される。
また、感光性層が上述したような組成物Ｙを含む場合、溝部１６の側壁面１８ｂ部分において重合性基を有する化合物の重合が進行しづらい。そのため、現像処理を実施すると、重合性基を有する化合物に由来する成分がより溶出して、相互作用性基を有する化合物の濃度がより高まる。つまり、溝部１６の側壁面１８ｂでの相互作用性基の濃度が、被めっき層１８の表面１８ａでの相互作用性基の濃度よりもより高くなる。
上記のような現象が生じると、溝部を有する被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する際に、めっき触媒またはその前駆体が優先的に溝部１６の側壁面１８ｂ部分に吸着する。つまり、溝部１６の側壁面１８ｂに吸着するめっき触媒またはその前駆体の量が、被めっき層１８の表面１８ａに吸着するめっき触媒またはその前駆体の量よりもより多くなる。そのため、このような被めっき層に対してめっき処理を施すと、溝部内で優先的にめっきが析出し、結果として、溝部内を埋めるように金属配線が形成される。
以下では、まず、露光処理の方法について詳述し、その後、現像処理について詳述する。
露光処理（光照射処理）では、使用される感光性層の材料に応じて最適な波長の光での露光が実施される。例えば、紫外線、および、可視光線などによる光照射が実施される。光源としては、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、および、カーボンアーク灯などが挙げられる。また、電子線、Ｘ線、イオンビーム、および、遠赤外線なども使用可能である。
露光時間としては、感光性層の材料の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜１００００ｍＪ程度であればよく、２０００〜１００００ｍＪが好ましい。
露光時間としては、感光性層の材料の反応性および光源により異なるが、通常、１０秒〜５時間の間である。露光エネルギーとしては、１０〜１００００ｍＪ程度であればよく、２０００〜１００００ｍＪが好ましい。
なお、上記露光をパターン状に実施する方法は特に限定されず、公知の方法が採用される。例えば、所定の開口部（開口パターン）を有するフォトマスクを介して光を感光性層に照射すればよい。
使用されるフォトマスクの態様は特に限定されないが、感光性層がネガ型感光性層である場合、遮光部の幅が１０μｍ以下のフォトマスクを用いることが好ましい。上記遮光部の幅は、５μｍ以下が好ましく、２μｍ以下がより好ましい。下限は特に限定されないが、０．５μｍ以上の場合が多い。
なお、遮光部の幅とは、例えば、図２に示すＷ、および、図４に示すＷを意図する。
露光時には、フォトマスクを感光性層（好ましくは、ネガ型感光性層）に密着させた状態で、露光を行うことが好ましい。フォトマスクが感光性層表面から離れた位置にある状態で露光を行うと、回折光の広がりのため、形成される溝が浅くなりやすく、結果として金属配線の抵抗が上がりやすい。
使用されるフォトマスクの態様は特に限定されないが、感光性層がネガ型感光性層である場合、遮光部の幅が１０μｍ以下のフォトマスクを用いることが好ましい。上記遮光部の幅は、５μｍ以下が好ましく、２μｍ以下がより好ましい。下限は特に限定されないが、０．５μｍ以上の場合が多い。
なお、遮光部の幅とは、例えば、図２に示すＷ、および、図４に示すＷを意図する。
露光時には、フォトマスクを感光性層（好ましくは、ネガ型感光性層）に密着させた状態で、露光を行うことが好ましい。フォトマスクが感光性層表面から離れた位置にある状態で露光を行うと、回折光の広がりのため、形成される溝が浅くなりやすく、結果として金属配線の抵抗が上がりやすい。
また、フォトマスク中の遮光部の形状も特に限定されず、溝部のパターンに合わせて適宜選択できる。
例えば、感光性層がネガ型感光性層であり、メッシュパターン状の溝部を形成する場合には、図４に示すような、遮光部１４がメッシュパターン状のフォトマスクを用いることが好ましい。メッシュパターン状のフォトマスクの場合、メッシュパターン内の格子２０（開口部）の一辺の長さＬは、８００μｍ以下が好ましく、６００μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上が好ましく、４０μｍ以上がより好ましい。
なお、格子の形状は特に限定されず、略ひし形の形状、または、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形）としてもよい。また、格子の一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。
例えば、感光性層がネガ型感光性層であり、メッシュパターン状の溝部を形成する場合には、図４に示すような、遮光部１４がメッシュパターン状のフォトマスクを用いることが好ましい。メッシュパターン状のフォトマスクの場合、メッシュパターン内の格子２０（開口部）の一辺の長さＬは、８００μｍ以下が好ましく、６００μｍ以下がより好ましく、２０μｍ以上が好ましく、４０μｍ以上がより好ましい。
なお、格子の形状は特に限定されず、略ひし形の形状、または、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形）としてもよい。また、格子の一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。
感光性層がネガ型感光性層である場合に用いられるフォトマスク（ポジマスク）における遮光部の面積の割合は特に限定されないが、より微細な金属配線が得られる点で、５０％以下が好ましく、３０％以下がより好ましい。上限は特に限定されないが、２．５％以上の場合が多い。
なお、上記遮光部の面積の割合（％）は、｛（遮光部の面積）／（遮光部の面積＋開口部の面積）｝×１００によって求めることができる。
なお、上記遮光部の面積の割合（％）は、｛（遮光部の面積）／（遮光部の面積＋開口部の面積）｝×１００によって求めることができる。
次に、露光された感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する。
現像処理の方法は特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば、感光性層がネガ型感光性層である場合、未露光部にある感光性層が溶解する溶剤を感光性層に接触させる方法が挙げられる。より具体的には、水を現像液として用いる方法が挙げられる。水を用いて、未露光部を除去する場合は、露光処理が施された感光性層を有する基板を水中に浸漬する方法（浸漬法）、感光性層上に水を塗布する方法（塗布法）、および、感光性層上に水を噴霧する方法（噴霧法）などが挙げられ、噴霧法が好ましい。噴霧法の場合、噴霧時間としては生産性および作業性などの点から、１〜３０分程度が好ましい。
なお、上記では、現像液として水を挙げたが、この態様に限定されず、他の現像液（例えば、アルカリ性溶液）などを用いてもよい。
現像処理の方法は特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば、感光性層がネガ型感光性層である場合、未露光部にある感光性層が溶解する溶剤を感光性層に接触させる方法が挙げられる。より具体的には、水を現像液として用いる方法が挙げられる。水を用いて、未露光部を除去する場合は、露光処理が施された感光性層を有する基板を水中に浸漬する方法（浸漬法）、感光性層上に水を塗布する方法（塗布法）、および、感光性層上に水を噴霧する方法（噴霧法）などが挙げられ、噴霧法が好ましい。噴霧法の場合、噴霧時間としては生産性および作業性などの点から、１〜３０分程度が好ましい。
なお、上記では、現像液として水を挙げたが、この態様に限定されず、他の現像液（例えば、アルカリ性溶液）などを用いてもよい。
上記処理によって、基板と、基板上に配置された、溝部を有し、かつ、相互作用性基を有する被めっき層と、有する被めっき層付き基板が得られる。
溝部の幅は特に限定されないが、より微細な金属配線を形成できる点で、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、２μｍ以下がさらに好ましい。下限は特に限定されないが、０．００１μｍ以上の場合が多い。
溝部の深さは特に限定されないが、被めっき層の厚みの１／１０以上であることが好ましく、被めっき層の厚みと同じであることがより好ましい。つまり、基板表面が露出するように、被めっき層中に溝部を形成することが好ましい。
溝部のパターン形状は特に限定されない。例えば、上述したように、遮光部がメッシュパターン状のフォトマスクを用いた場合、メッシュ状の溝部を形成できる。
溝部の幅は特に限定されないが、より微細な金属配線を形成できる点で、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、２μｍ以下がさらに好ましい。下限は特に限定されないが、０．００１μｍ以上の場合が多い。
溝部の深さは特に限定されないが、被めっき層の厚みの１／１０以上であることが好ましく、被めっき層の厚みと同じであることがより好ましい。つまり、基板表面が露出するように、被めっき層中に溝部を形成することが好ましい。
溝部のパターン形状は特に限定されない。例えば、上述したように、遮光部がメッシュパターン状のフォトマスクを用いた場合、メッシュ状の溝部を形成できる。
＜工程Ｃ（めっき触媒付与工程Ｃ）＞
工程Ｃは、上記工程Ｂで得られた溝部を有する被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。被めっき層に含まれる相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。なお、上述したように、本工程を実施することにより、被めっき層の表面よりも、溝部の側壁面により多くのめっき触媒またはその前駆体が付与される。
工程Ｃは、上記工程Ｂで得られた溝部を有する被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程である。被めっき層に含まれる相互作用性基が、その機能に応じて、付与されためっき触媒またはその前駆体を付着（吸着）する。なお、上述したように、本工程を実施することにより、被めっき層の表面よりも、溝部の側壁面により多くのめっき触媒またはその前駆体が付与される。
めっき触媒またはその前駆体は、めっき処理の触媒および電極として機能する。そのため、使用されるめっき触媒またはその前駆体の種類は、めっき処理の種類により適宜決定される。
なお、めっき触媒またはその前駆体としては、無電解めっき触媒またはその前駆体が好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。
なお、めっき触媒またはその前駆体としては、無電解めっき触媒またはその前駆体が好ましい。以下で、主に、無電解めっき触媒またはその前駆体などについて詳述する。
無電解めっき触媒は、無電解めっき時の活性核となるものであれば、特に限定されない。具体的には、自己触媒還元反応の触媒能を有する金属（例えば、Ｎｉよりイオン化傾向の低い無電解めっきできる金属として知られるもの）などが挙げられる。より具体的には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、および、Ｃｏなどが挙げられる。なかでも、触媒能の高さから、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、または、Ｃｕが好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば特に限定されず、上記無電解めっき触媒として挙げた金属のイオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
なお、めっき触媒またはその前駆体として用いられる金属と、後述するめっき処理により析出される金属とは、その種類が異なることが好ましい。
この無電解めっき触媒としては、金属コロイドを用いてもよい。
無電解めっき触媒前駆体とは、化学反応により無電解めっき触媒となりうるものであれば特に限定されず、上記無電解めっき触媒として挙げた金属のイオンが用いられる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、還元反応により無電解めっき触媒である０価金属になる。無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは被めっき層へ付与された後、無電解めっき浴への浸漬前に、別途還元反応により０価金属に変化させて無電解めっき触媒としてもよい。また、無電解めっき触媒前駆体のまま無電解めっき浴に浸漬し、無電解めっき浴中の還元剤により金属（無電解めっき触媒）に変化させてもよい。
なお、めっき触媒またはその前駆体として用いられる金属と、後述するめっき処理により析出される金属とは、その種類が異なることが好ましい。
無電解めっき触媒前駆体である金属イオンは、金属塩を用いて被めっき層に付与することが好ましい。金属塩としては、適切な溶剤に溶解して金属イオンと塩基（陰イオン）とに解離されるものであれば特に限定はなく、例えば、Ｍ(ＮＯ3)n、ＭＣｌn、Ｍ2/n(ＳＯ4)、および、Ｍ3/n(ＰＯ4)（Ｍは、ｎ価の金属原子を表す）などが挙げられる。金属イオンとしては、上記の金属塩が解離したものを好適に用いることができる。例えば、Ａｇイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、Ｃｏイオン、Ｐｔイオン、および、Ｐｄイオンが挙げられる。なかでも、多座配位可能な金属イオンが好ましく、特に、配位可能な官能基の種類数および触媒能の点で、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、または、Ｃｕイオンがより好ましい。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用できる。
本工程において、無電解めっきを行わず直接電気めっきを行うために用いられる触媒として、０価金属を使用できる。
めっき触媒またはその前駆体を被めっき層に付与する方法としては、例えば、めっき触媒またはその前駆体を適切な溶剤に分散または溶解させた触媒付与溶液を調製し、その溶液を被めっき層上に塗布する方法、または、その溶液中に被めっき層を有する基板を浸漬する方法が挙げられる。上記溶剤としては、水または有機溶剤が挙げられる。
上記触媒付与溶液のｐＨは特に限定されないが、酸性であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。
上記触媒付与溶液のｐＨは特に限定されないが、酸性であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。
触媒付与溶液中のめっき触媒またはその前駆体の濃度は特に限定されないが、０．００１〜５０質量％であることが好ましく、０．００５〜３０質量％であることがより好ましい。
また、被めっき層と触媒付与溶液との接触時間としては、３０秒間〜２４時間程度であることが好ましく、１分間〜１時間程度であることがより好ましい。
また、被めっき層と触媒付与溶液との接触時間としては、３０秒間〜２４時間程度であることが好ましく、１分間〜１時間程度であることがより好ましい。
被めっき層のめっき触媒またはその前駆体の吸着量は、使用するめっき浴種、触媒金属種、被めっき層の相互作用性基種、および、使用方法などにより異なるが、めっきの析出性の点から、５〜１０００ｍｇ／ｍ2が好ましく、１０〜８００ｍｇ／ｍ2がより好ましく、２０〜６００ｍｇ／ｍ2がさらに好ましい。
＜工程Ｄ（めっき処理工程）＞
工程Ｄは、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、図３の溝部１６を埋めるように、図５に示す金属配線２２が形成される。
工程Ｄは、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行い、溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程である。本工程を実施することにより、図３の溝部１６を埋めるように、図５に示す金属配線２２が形成される。
めっき処理の方法は特に限定されず、例えば、無電解めっき処理、または、電解めっき処理（電気めっき処理）が挙げられる。本工程では、無電解めっき処理を単独で実施してもよいし、無電解めっき処理を実施した後にさらに電解めっき処理を実施してもよい。
以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。
以下、無電解めっき処理、および、電解めっき処理の手順について詳述する。
無電解めっき処理は、めっきとして析出させたい金属イオンを溶かした溶液を用いて、化学反応によって金属を析出させる処理である。
無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された被めっき層を有する基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、水洗された基板を無電解めっき浴に浸漬することにより行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用できる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された被めっき層を有する基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、水洗した基板を無電解めっき浴中へ浸漬することが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用できる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。
無電解めっきは、例えば、無電解めっき触媒が付与された被めっき層を有する基板を、水洗して余分な無電解めっき触媒（金属）を除去した後、水洗された基板を無電解めっき浴に浸漬することにより行うことが好ましい。使用される無電解めっき浴としては、公知の無電解めっき浴を使用できる。
また、無電解めっき触媒前駆体が付与された被めっき層を有する基板を、無電解めっき触媒前駆体が被めっき層に吸着または含浸した状態で無電解めっき浴に浸漬する場合には、基板を水洗して余分な無電解めっき触媒前駆体（金属塩など）を除去した後、水洗した基板を無電解めっき浴中へ浸漬することが好ましい。この場合には、無電解めっき浴中において、無電解めっき触媒前駆体の還元とこれに引き続き無電解めっきが行われる。ここで使用される無電解めっき浴としても、上記同様、公知の無電解めっき浴を使用できる。
なお、無電解めっき触媒前駆体の還元は、上記のような無電解めっき液を用いる態様とは別に、触媒活性化液（還元液）を準備し、無電解めっき前の別工程として行うことも可能である。
一般的な無電解めっき浴には、溶剤（例えば、水）の他に、１．めっき用の金属イオン、２．還元剤、３．金属イオンの安定性を向上させる添加剤（安定剤）が主に含まれる。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤など公知の添加剤が含まれていてもよい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤が好ましく、アセトンなどのケトン類、並びに、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールなどのアルコール類がより好ましい。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、および、ロジウムが挙げられ、なかでも、金属配線の導電性がより優れる点で、銅、銀、または、金が好ましく、銅がより好ましい。なお、上記金属に合わせて最適な還元剤、および、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分間〜６時間程度が好ましく、１分間〜３時間程度がより好ましい。
無電解めっき浴に用いられる有機溶剤としては、水に可能な溶剤が好ましく、アセトンなどのケトン類、並びに、メタノール、エタノール、および、イソプロパノールなどのアルコール類がより好ましい。無電解めっき浴に用いられる金属の種類としては、銅、すず、鉛、ニッケル、金、銀、パラジウム、および、ロジウムが挙げられ、なかでも、金属配線の導電性がより優れる点で、銅、銀、または、金が好ましく、銅がより好ましい。なお、上記金属に合わせて最適な還元剤、および、添加剤が選択される。
無電解めっき浴への浸漬時間としては、１分間〜６時間程度が好ましく、１分間〜３時間程度がより好ましい。
被めっき層に付与されためっき触媒またはその前駆体が電極としての機能を有する場合、その触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対して、電解めっきを行うことができる。
なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属配線の厚みを適宜調整できる。
電解めっきの方法としては、従来公知の方法が挙げられる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛などが挙げられ、金属配線の導電性がより優れる点で、銅、金、または、銀が好ましく、銅がより好ましい。
なお、上述したように、本工程においては、上記無電解めっき処理の後に、必要に応じて、電解めっき処理を行うことができる。このような態様では、形成される金属配線の厚みを適宜調整できる。
電解めっきの方法としては、従来公知の方法が挙げられる。なお、電解めっきに用いられる金属としては、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛などが挙げられ、金属配線の導電性がより優れる点で、銅、金、または、銀が好ましく、銅がより好ましい。
＜金属配線含有積層体＞
上述した方法により、基板と、基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、被めっき層の溝部を埋めるように配置された金属配線と、を有する金属配線含有積層体（導電性フィルム）が得られる。
金属配線含有積層体の被めっき層の基板側とは反対側の表面には、金属が散在している。より具体的には、図５に示す、被めっき層１８の基板１０とは反対側の表面１８ａ上には、金属が散在している。この金属としては、上述した工程Ｃにおいて被めっき層に付与しためっき触媒またはその前駆体に由来する金属が挙げられる。被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属と、金属配線を構成する金属とは種類が異なることが好ましい。
上述した方法により、基板と、基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、被めっき層の溝部を埋めるように配置された金属配線と、を有する金属配線含有積層体（導電性フィルム）が得られる。
金属配線含有積層体の被めっき層の基板側とは反対側の表面には、金属が散在している。より具体的には、図５に示す、被めっき層１８の基板１０とは反対側の表面１８ａ上には、金属が散在している。この金属としては、上述した工程Ｃにおいて被めっき層に付与しためっき触媒またはその前駆体に由来する金属が挙げられる。被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属と、金属配線を構成する金属とは種類が異なることが好ましい。
なお、金属配線含有積層体の好適態様の一つとしては、被めっき層の溝部の側壁面に、被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属と同種の金属が散在しており、被めっき層の溝部の側壁面に散在している金属の量が、被めっき層の基板側とは反対側の表面に散在している金属の量よりも多い態様が挙げられる。
上述したように、工程Ｃで用いられる被めっき層においては、その表面よりも溝部の側壁面においてめっき触媒またはその前駆体が吸着しやすい。結果として、上記のような金属の量の差異が生じる。
上述したように、工程Ｃで用いられる被めっき層においては、その表面よりも溝部の側壁面においてめっき触媒またはその前駆体が吸着しやすい。結果として、上記のような金属の量の差異が生じる。
金属配線含有積層体中における金属配線の幅は特に限定されないが、微細化の点から、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、２μｍ以下がより好ましい。下限は特に限定されないが、０．００５μｍ以上の場合が多い。
＜用途＞
金属配線含有積層体は、種々の用途に適用できる。例えば、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、指紋認証装置の指紋の検出電極、および、マザーボードなどの種々の用途が挙げられる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。金属配線含有積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、金属配線含有積層体中の金属配線がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置）とを組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。
金属配線含有積層体は、種々の用途に適用できる。例えば、タッチパネル（または、タッチパネルセンサー）、半導体チップ、各種電気配線板、ＦＰＣ（Flexible printed circuits）、ＣＯＦ（Chip on Film）、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）、アンテナ、多層配線基板、指紋認証装置の指紋の検出電極、および、マザーボードなどの種々の用途が挙げられる。なかでも、タッチパネルセンサー（静電容量式タッチパネルセンサー）に用いることが好ましい。金属配線含有積層体をタッチパネルセンサーに適用する場合、金属配線含有積層体中の金属配線がタッチパネルセンサー中の検出電極または引き出し配線として機能する。
なお、本明細書においては、タッチパネルセンサーと、各種表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置）とを組み合わせたものを、タッチパネルと呼ぶ。タッチパネルとしては、いわゆる静電容量式タッチパネルが好ましく挙げられる。
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。よって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。
＜実施例１＞
（被めっき層形成用組成物の調製）
イソプロパノール中に、ポリアクリル酸（粘度８０００〜１２０００ｃｐ（なお、１ｃｐ＝１ｍＰａ・ｓ）、重量平均分子量３７万、和光純薬工業株式会社製）と、下記構造の４官能アクリルアミドＡ（ただし、構造式中のＲは水素である。）とを６：４の固形分質量比で添加して、溶液を調製した。続いて、上記４官能アクリルアミドＡに対して含有量が５質量％となるようにオキシム系重合開始剤（ｉｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０２、ＢＡＳＦジャパン社製）を上記溶液に添加した。次いで、オキシム系重合開始剤が添加された溶液に、界面活性剤としてＷ−ＡＨＥ（富士フイルム株式会社製）を組成物全質量に対する濃度が０．０２質量％となるように添加し、被めっき層形成用組成物を調製した。
（被めっき層形成用組成物の調製）
イソプロパノール中に、ポリアクリル酸（粘度８０００〜１２０００ｃｐ（なお、１ｃｐ＝１ｍＰａ・ｓ）、重量平均分子量３７万、和光純薬工業株式会社製）と、下記構造の４官能アクリルアミドＡ（ただし、構造式中のＲは水素である。）とを６：４の固形分質量比で添加して、溶液を調製した。続いて、上記４官能アクリルアミドＡに対して含有量が５質量％となるようにオキシム系重合開始剤（ｉｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０２、ＢＡＳＦジャパン社製）を上記溶液に添加した。次いで、オキシム系重合開始剤が添加された溶液に、界面活性剤としてＷ−ＡＨＥ（富士フイルム株式会社製）を組成物全質量に対する濃度が０．０２質量％となるように添加し、被めっき層形成用組成物を調製した。
４官能アクリルアミドＡ（以下構造式参照。Ｒは水素原子を表す。）
易接着層付ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）フィルム（東レ製、ルミラーＵ４８）の易接着層上に、被めっき層形成用組成物をバー塗布した。被めっき層形成用組成物が塗布されたＰＥＴフィルムを８０℃にて２分間乾燥させ、ＰＥＴフィルム上に感光性層（厚み：約０．５μｍ）を形成した。
次に、真空下にて、マスク幅（遮光部の幅。図４中のＷに該当）０．９μｍのメッシュパターンを有するフォトマスク越しに、感光性層にＵＶ（Ultraviolet）照射（エネルギー量：７．５Ｊ、１４ｍＷ、波長２５４ｎｍ）を施した。ＵＶ照射された感光性層を水現像することで、メッシュパターン状の溝部を有する被めっき層を得た。
なお、上記ＵＶ照射は、フォトマスクを感光性層に密着させた状態で行った。
次に、真空下にて、マスク幅（遮光部の幅。図４中のＷに該当）０．９μｍのメッシュパターンを有するフォトマスク越しに、感光性層にＵＶ（Ultraviolet）照射（エネルギー量：７．５Ｊ、１４ｍＷ、波長２５４ｎｍ）を施した。ＵＶ照射された感光性層を水現像することで、メッシュパターン状の溝部を有する被めっき層を得た。
なお、上記ＵＶ照射は、フォトマスクを感光性層に密着させた状態で行った。
次に、得られた被めっき層を有するＰＥＴフィルムを水洗し、その後、このＰＥＴフィルムを３０℃のＰｄ触媒付与液（Ｒ＆Ｈ社製）に５分浸漬させた。次に、Ｐｄ触媒付与液から取り出したＰＥＴフィルムを水洗し、その後、このＰＥＴフィルムを３０℃の金属触媒還元液（Ｒ＆Ｈ社製）に浸漬させた。次に、金属触媒還元液から取り出したＰＥＴフィルムを再び水洗し、その後、このＰＥＴフィルムを３０℃の銅めっき液（Ｒ＆Ｈ社製）に１５分浸漬させ、メッシュパターン状の溝部に金属配線が充填するように形成された金属配線含有積層体を製造した。
＜実施例２＞
フォトマスクのマスク幅を０．９μｍから１．５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、金属配線含有積層体を製造した。
フォトマスクのマスク幅を０．９μｍから１．５μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、金属配線含有積層体を製造した。
＜実施例３＞
フォトマスクのマスク幅を０．９μｍから２μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、金属配線含有積層体を製造した。
フォトマスクのマスク幅を０．９μｍから２μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、金属配線含有積層体を製造した。
＜実施例４＞
フォトマスクのマスク幅を０．９μｍから４μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、金属配線含有積層体を製造した。
フォトマスクのマスク幅を０．９μｍから４μｍに変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、金属配線含有積層体を製造した。
なお、上記実施例１〜４にて得られた金属配線含有積層体の被めっき層の基板側とは反対側の表面には、金属Ｐｄが散在していた。
また、上記実施例１〜４にて得られた金属配線含有積層体の被めっき層の溝部の側壁面にも、金属Ｐｄが散在していた。
また、上記実施例１〜４にて得られた金属配線含有積層体の被めっき層の溝部の側壁面にも、金属Ｐｄが散在していた。
＜評価＞
（金属濃度評価）
得られた金属配線含有積層体中の金属配線の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真を撮影し、側壁面部と表面部との金属Ｐｄ濃度を以下の基準に沿って評価した。なお、「Ａ」が好ましい。
「Ａ」：側壁面部の金属Ｐｄ濃度／表面部の金属Ｐｄ濃度が１超
「Ｂ」：側壁面部の金属Ｐｄ濃度／表面部の金属Ｐｄ濃度が１以下
（金属濃度評価）
得られた金属配線含有積層体中の金属配線の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）写真を撮影し、側壁面部と表面部との金属Ｐｄ濃度を以下の基準に沿って評価した。なお、「Ａ」が好ましい。
「Ａ」：側壁面部の金属Ｐｄ濃度／表面部の金属Ｐｄ濃度が１超
「Ｂ」：側壁面部の金属Ｐｄ濃度／表面部の金属Ｐｄ濃度が１以下
（抵抗評価）
得られた金属配線含有積層体中の金属配線の抵抗値を、ロレスタＭＣＰ−Ｔ６１０（三菱アナリテック）によって測定し、以下の基準に沿って評価した。実用上、「Ａ」が好ましい。
「Ａ」：抵抗値が１００Ω/□未満
「Ｂ」：抵抗値が１００Ω/□以上
得られた金属配線含有積層体中の金属配線の抵抗値を、ロレスタＭＣＰ−Ｔ６１０（三菱アナリテック）によって測定し、以下の基準に沿って評価した。実用上、「Ａ」が好ましい。
「Ａ」：抵抗値が１００Ω/□未満
「Ｂ」：抵抗値が１００Ω/□以上
（細線化評価）
得られた金属配線含有積層体中の金属配線の幅をＳＥＭにより観察し、以下の基準に沿って評価した。実用上、「Ａ」が好ましい。
「Ａ」：金属配線の幅がマスク幅＋０．１μｍ以内の幅である場合
「Ｂ」：金属配線の幅がマスク幅＋０．１μｍ超の幅である場合
得られた金属配線含有積層体中の金属配線の幅をＳＥＭにより観察し、以下の基準に沿って評価した。実用上、「Ａ」が好ましい。
「Ａ」：金属配線の幅がマスク幅＋０．１μｍ以内の幅である場合
「Ｂ」：金属配線の幅がマスク幅＋０．１μｍ超の幅である場合
上記結果を以下の表１にまとめて示す。
上記表１に示すように、本発明の製造方法によれば、微細で、かつ、低抵抗の金属配線を有する金属配線含有積層体を効率よく製造できた。
１０ 基板
１２ 感光性層
１４ 遮光部
１６ 溝部
１８ 被めっき層
１８ａ 表面
１８ｂ 側壁面
２０ 格子
２２ 金属配線
１２ 感光性層
１４ 遮光部
１６ 溝部
１８ 被めっき層
１８ａ 表面
１８ｂ 側壁面
２０ 格子
２２ 金属配線
Claims (6)
- 基板上に、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する感光性層を形成する工程と、
前記感光性層をパターン状に露光して、露光された前記感光性層に対して現像処理を施し、溝部を有する被めっき層を形成する工程と、
前記被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程と、
めっき触媒またはその前駆体が付与された前記被めっき層に対してめっき処理を行い、前記溝部を埋めるように、金属配線を形成する工程と、を有する、金属配線含有積層体の製造方法。 - 前記感光性層が、ネガ型感光性層であり、
前記露光の際に、遮光部の幅が１０μｍ以下のフォトマスクを介して前記感光性層を露光する、請求項１に記載の金属配線含有積層体の製造方法。 - 前記感光性層が、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する化合物、および、重合性基を有する化合物を含む、請求項１または２に記載の金属配線含有積層体の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、
前記被めっき層の前記溝部を埋めるように配置された金属配線と、を有し、
前記被めっき層の前記基板側とは反対側の表面に金属が散在している、金属配線含有積層体。 - 前記被めっき層の前記溝部の側壁面に、前記被めっき層の前記基板側とは反対側の表面に散在している前記金属と同種の金属が散在しており、
前記被めっき層の前記溝部の側壁面に散在している前記金属の量が、前記被めっき層の前記基板側とは反対側の表面に散在している前記金属の量よりも多い、請求項４に記載の金属配線含有積層体。 - 基板と、
前記基板上に配置された、溝部を有し、かつ、めっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する被めっき層と、を有する被めっき層付き基板。
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