JPWO2017158742A1 - 欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に説明する実施例は、潜傷等の検出が可能なミラー電子顕微鏡であって、特に検査の高速化や高精度化の実現が可能なミラー電子顕微鏡を備えた欠陥検査装置に関する。エピタキシアル層形成前のSiCウェハの不純物濃度は、エピタキシアル層自体の不純物濃度に比べ1万倍から10万倍程度濃く導電性が高いため、紫外線による照射で潜傷を帯電させようとしても、帯電電荷が保持されないと考えられていた。しかしながら、発明者らの研究により、潜傷の場合はその存在領域がウェハ表面近傍に限定されるため、ウェハの不純物濃度が高くとも観察に必要な十分な時間局所帯電が保持されることがわかった。
被検査ウェハ104表面に負電位を形成するため、高圧電源110(負電圧印加電源)は、電子線の加速電圧とほぼ等しい負電圧をウェハホルダ109に印加している。照射電子線100aは、ウェハホルダ109(試料支持部材)に印加された負電圧によって形成される減速電界によって被検査ウェハ104の手前で減速される。ウェハホルダ109に印加する負電圧は、被検査ウェハ104に衝突する前に反対方向に電子軌道が反転する様に、微調整しておく。ウェハで反射された電子は、ミラー電子100cとなる。
Claims (10)
- 電子源から放出された電子ビームが照射される試料を支持する試料支持部材と、当該試料支持部材に支持された試料に照射される前記電子ビームに対する減速電界を形成するための負電圧印加電源と、前記減速電界によって、前記試料に到達することなく反射した電子が結像される撮像素子と、前記試料に向かって紫外光を照射する紫外光源と、前記撮像素子によって得られた信号に基づいて生成される画像を処理する演算処理装置を備え、当該演算処理装置は、前記紫外光を少なくとも2つの照射条件で照射したときに得られる複数の画像信号に基づいて、前記試料の欠陥の種類を判定することを特徴とする欠陥検査装置。
- 請求項1において、
前記演算処理装置は、前記紫外光を照射した状態にて得られた画像信号と、前記紫外光を照射しない状態にて得られた画像信号に基づいて、前記欠陥の種類を判定することを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1において、
前記演算処理装置は、前記紫外光を少なくとも2つの照射条件で照射したときに得られる複数の画像間に所定の変化があったときに、前記試料上に欠陥があると判定することを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項3において、
前記少なくとも2つの照射条件には、前記紫外光の照射状態と非照射状態が含まれることを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項3において、
前記少なくとも2つの照射条件には、前記紫外光強度が異なる照射条件が含まれることを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項3において、
前記少なくとも2つの照射条件には、波長が異なる照射条件が含まれることを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1において、
前記試料を移動させる移動ステージを備え、
前記演算処理装置は、前記紫外光が照射された状態で、前記電子ビームを照射したときに得られる画像信号に基づいて、前記移動ステージを停止すると共に、前記紫外光の照射条件を変化させた状態にて、前記電子ビーム照射に基づく画像信号取得を行うか否かの判定を行うことを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1において、
前記演算処理装置は、前記複数の画像信号から抽出される特徴の組み合わせに基づいて、前記欠陥の種類を判定することを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1において、
前記演算処理装置は、前記複数の画像間の変化に応じて、前記欠陥の種類を判定することを特徴とする欠陥検査装置。 - 電子源から放出された電子ビームが照射される試料を支持する試料支持部材と、当該試料支持部材に支持された試料に照射される前記電子ビームに対する減速電界を形成するための負電圧印加電源と、前記減速電界によって、前記試料に到達することなく反射した電子が結像される撮像素子と、前記試料に向かって紫外光を照射する紫外光源と、前記撮像素子によって得られた信号に基づいて生成される画像を処理する演算処理装置を備え、当該演算処理装置は、前記紫外光を第1の照射条件で照射したときに得られる第1の画像に基づいて、前記紫外光の照射条件を変えて第2の画像を取得するか、次の検査領域に移行するかの判定を行うことを特徴とする欠陥検査装置。
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