JP7271358B2 - 電気特性を導出するシステム及び非一時的コンピューター可読媒体 - Google Patents
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Description
更に、電気抵抗系の欠陥の方が、遮断時間が短くなるにつれて、電気抵抗ごとの明度の違いが明確になる傾向にある。このような特徴を利用して、例えば、遮断時間が短い領域における明度と、遮断時間が短い領域にて、予め登録しておいた明度の平均値(異なる電気抵抗欠陥の明度の平均値)との差分から、欠陥種の判定を行うようにしても良い。この場合、例えば、差分が所定の閾値を超えていた場合は、電気抵抗系欠陥、所定の閾値以下の場合は、静電容量系欠陥と判定することが考えられる。
本実施例では、図1記載の走査電子顕微鏡を用いた。
明度の増大が飽和するときの遮断時間TS2は3.0μsであり、残留帯電による補正量は、遮断時間の明度解析結果表示部144からパターンa、パターンb、及びパターンcでそれぞれ抽出できる。数式10より求められる補正明度と数式3から、静電容量Cを解析できる。
Claims (11)
- 試料の画像を取得する荷電粒子線装置と、1以上のプロセッサを有し、前記荷電粒子線装置と通信可能に構成されたコンピューターシステムを含むシステムであって、
前記荷電粒子線装置の少なくとも2つのビーム照射条件によって得られた少なくとも2以上の画像データから抽出される2以上の特徴に関する情報と、試料上に形成された素子の電気特性との関連情報を記憶するメモリを備え、
前記関連情報は、電気抵抗、静電容量、前記2以上の特徴に関する情報、及び前記少なくとも2つのビーム照射条件に基づく関係式であって、
前記プロセッサは、
前記荷電粒子線装置から、少なくとも2つの異なるビーム照射条件によって取得された複数の画像に含まれる特定パターンの2以上の特徴に関する情報を受け取り、前記ビーム照射条件は、前記荷電粒子線装置を用いて、前記試料に対しビームをパルス状に照射するときのビームの遮断時間及び照射時間の少なくとも一方であって、
前記関係式に、前記電気抵抗と前記静電容量のいずれか一方、前記2以上の特徴に関する情報、及び前記少なくとも2つのビーム照射条件を入力することにより、前記電気抵抗と前記静電容量の他方を演算するシステム。 - 請求項1において、
前記プロセッサは、前記演算した演算結果に基づいて、前記素子の欠陥の種類を分類する、システム。 - 請求項2において、
前記プロセッサは、前記演算結果に基づいて、前記試料の面内における前記欠陥の発生分布又は平均欠陥密度を出力する、システム。 - 請求項2において、
前記欠陥の種類は、電気抵抗系の欠陥と静電容量系の欠陥を含む、システム。 - 請求項7において、
前記メモリには、前記遮断時間及び照射時間の異なる複数のビーム照射条件の変化と前記特徴の変化の関連情報が記憶されているシステム。 - プロセッサに、
荷電粒子線装置の少なくとも2つのビーム照射条件によって得られた少なくとも2以上の画像データから抽出される2以上の特徴に関する情報と、試料上に形成された素子の電気特性との関連情報を受け取らせ、前記ビーム照射条件は、前記荷電粒子線装置を用いて、前記試料に対しビームをパルス状に照射するときのビームの遮断時間及び照射時間の少なくとも一方であって、
前記関連情報は、電気抵抗、静電容量、前記2以上の特徴に関する情報、及び前記少なくとも2つのビーム照射条件に基づく関係式であって、
前記関係式に、前記電気抵抗と前記静電容量のいずれか一方、前記2以上の特徴に関する情報、及び前記少なくとも2つのビーム照射条件を入力することにより、前記電気抵抗と前記静電容量の他方を演算する
命令をするように構成されたプログラムを格納する非一時的コンピューター可読媒体。 - 請求項9において、
前記プログラムは、前記演算した演算結果に基づいて、前記素子の欠陥の種類を分類する命令をするように構成されている、非一時的コンピューター可読媒体。 - 請求項9において、
前記電気特性は、欠陥の特徴であり、電気抵抗及び静電容量の少なくとも一方である非一時的コンピューター可読媒体。
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