JPWO2017122376A1 - 多層伝送線路板 - Google Patents

Abstract

一対のグランド層と、前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線層と、前記差動配線層と前記一方のグランド層との間に配置された第一絶縁部と、前記差動配線層と前記他方のグランド層との間に配置された第二絶縁部とを有し、前記第一絶縁部は、樹脂層を有し、前記第一絶縁部又は前記第二絶縁部は、繊維基材を含有する繊維基材層を有し、前記第一絶縁部の厚さが、前記第二絶縁部の厚さ以下である、多層伝送線路板である。

Description

本発明は、多層伝送線路板に関し、より詳細には、Ｇｂｐｓオーダーの差動伝送方式による高速デジタル伝送に用いる多層伝送線路板に関する。

信号の高速化に伴い、差動伝送方式が広く用いられている。差動伝送方式はノイズ低減に有利であるが、信号が高速になるのに伴い、コモンモードノイズの発生による信号劣化が問題となってきている。

ところで、多層伝送線路板の絶縁層には、多層伝送線路板製造時における材料の取り扱い性、多層伝送線路板自体の機械的特性等を確保するため、ガラスクロス等の繊維基材と樹脂との複合材料が広く用いられている。
図１に示すように、ガラスクロスは、ガラス繊維を縦と横に織った構造を有するため、織り目部分ではガラス繊維が重なっている。したがって、ガラスクロスと樹脂との複合材料において、ガラス繊維の織り目部分は、ガラスの存在比率が高くなる。反対に、ガラス繊維の重なりが無い部分は、ガラスの存在比率が低くなる。一般的に樹脂とガラスとでは誘電率が異なるため、複合材料面内における樹脂とガラスとの存在比率が不均一であれば、複合材料面内における誘電率も不均一になる。
図２に示すように、差動配線が形成された多層伝送線路板では、ガラスの存在比率が高い部分と低い部分に配線が存在する場合が生ずるが、信号速度がそれぞれの場所で異なるため、受信側で信号の到達時間にずれ（スキュー）が生じ、信号品質を低下させる。

スキュー対策として、配線パターンをガラスの織り方向に対して斜めに配置する等の設計技術による対策が行われているが、この方法によると、配線パターンの面付けが非効率となり、材料ロスを招くことから、別の解決手段が求められている。

特許文献１には、ガラスクロスの織り目でない部分に誘電率の高いフィラーを集中的に添加して、複合材料面内における誘電率を均質化する手法が開示されている。

特開２００９−２５９８７９号公報

しかしながら、特許文献１の手法によると、材料の製造プロセスが複雑になるため、材料コストの上昇に加え、材料品質のコントロールが困難となる場合があった。

そこで、本発明は、複雑なプロセスを用いることなく、差動伝送においてスキューを低減することが可能で、更に取り扱い性に優れる多層伝送線路板を提供することを課題とする。

本発明者らは上記の課題を解決すべく検討を進めた結果、下記本発明により当該課題を解決できることを見出した。すなわち、本発明は、次の［１］〜［１０］を提供する。
［１］一対のグランド層と、
前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線層と、
前記差動配線層と前記一方のグランド層との間に配置された第一絶縁部と、
前記差動配線層と前記他方のグランド層との間に配置された第二絶縁部とを有し、
前記第一絶縁部は、樹脂層を有し、
前記第一絶縁部又は前記第二絶縁部は、繊維基材を含有する繊維基材層を有し、
前記第一絶縁部の厚さが、前記第二絶縁部の厚さ以下である、多層伝送線路板。
［２］前記第一絶縁部として、絶縁層（１−Ｉ）と、
前記第二絶縁部として、絶縁層（１−ＩＩ）とを含み、
前記絶縁層（１−Ｉ）は、樹脂層であり、
前記絶縁層（１−ＩＩ）は、繊維基材層である、上記［１］に記載の多層伝送線路板。
［３］前記第二絶縁部として、絶縁層（２−Ｉ）と、
前記第一絶縁部として、絶縁層（２−ＩＩ）とを含み、
前記絶縁層（２−ＩＩ）は、絶縁層（２−ＩＩＡ）と前記絶縁層（２−ＩＩＡ）に積層された絶縁層（２−ＩＩＢ）の二層以上を含有し、
前記絶縁層（２−Ｉ）は、繊維基材層であり、
前記絶縁層（２−ＩＩＡ）は、樹脂層であり、
前記絶縁層（２−ＩＩＢ）は、繊維基材層である、上記［１］に記載の多層伝送線路板。
［４］前記樹脂層が、（ａ１）少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基及び（ａ２）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を含有する（Ａ）マレイミド基含有化合物を含有する、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の多層伝送線路板。
［５］前記（ａ２）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基が、炭素数８〜１００の２価の脂肪族炭化水素基である、上記［４］に記載の多層伝送線路板。
［６］前記（Ａ）マレイミド基含有化合物が、Ｎ−脂肪族置換マレイミド基含有化合物である、上記［４］又は［５］に記載の多層伝送線路板。
［７］前記樹脂層が、更にＮ−芳香族置換マレイミド基含有化合物を含有する、上記［６］に記載の多層伝送線路板。
［８］前記繊維基材層が、繊維基材と樹脂組成物とを含有する層であり、該繊維基材と該樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、上記［１］〜［７］のいずれかに記載の多層伝送線路板。
［９］前記繊維基材の誘電率が５．０以下である、上記［１］〜［８］のいずれかに記載の多層伝送線路板。
［１０］一対のグランド層と、
前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線層と、
前記差動配線層と前記一方のグランド層との間に配置された絶縁層（３−Ｉ）と、
前記差動配線層と前記他方のグランド層との間に配置された絶縁層（３−ＩＩ）とを含み、
前記絶縁層（３−ＩＩ）は、絶縁層（３−ＩＩＡ）と前記絶縁層（３−ＩＩＡ）に積層された絶縁層（３−ＩＩＢ）の二層以上を含有し、
前記絶縁層（３−Ｉ）は、樹脂層であり、
前記絶縁層（３−ＩＩＡ）は、樹脂層であり、
前記絶縁層（３−ＩＩＢ）は、繊維基材層である、多層伝送線路板。

本発明によれば、複雑なプロセスを用いることなく、差動伝送においてスキューを低減することが可能で、更に取り扱い性に優れる多層伝送線路板を提供することができる。

ガラスクロスの織り目を示す模式図である。 ガラスクロスと差動配線の配置例を示す模式図である。 本発明の第一実施形態（実施例１）に係る多層伝送線路板を示す模式的断面図である。 本発明の第二実施形態（実施例７）に係る多層伝送線路板を示す模式的断面図である。 本発明の第三実施形態（実施例１０）に係る多層伝送線路板を示す模式的断面図である。 従来の多層伝送線路板を示す模式的断面図である。 本発明の比較例２で製造した多層伝送線路板を示す模式的断面図である。 本発明の比較例３で製造した多層伝送線路板を示す模式的断面図である。

本明細書及び添付の請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。端点による数値範囲の使用には、その範囲内に含まれる全ての数（例えば、１〜５には、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５が含まれる）及びその範囲内の任意の範囲が含まれる。
以下、図面を参照しながら、本発明の多層伝送線路板の実施形態について詳細に説明する。

なお、本開示における「差動配線」とは、製造された多層伝送線路板の差動配線として機能するような回路加工を施された導体層であれば、多層伝送線路板の製造過程での該導体層をも含む。同様に、「グランド層」とは、製造された多層伝送線路板のグランド層として機能するような導体層であれば、多層伝送線路板の製造過程での該導体層をも含む。

また、本開示における誘電率とは、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したときの値を示す。

［多層伝送線路板］
本実施形態に係る多層伝送線路板は、例えば、Ｇｂｐｓオーダーの差動伝送方式による高速デジタル伝送で使用される。
本発明の多層伝送線路板は、一対のグランド層と、前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線層と、前記差動配線層と前記一方のグランド層との間に配置された第一絶縁部と、前記差動配線層と前記他方のグランド層との間に配置された第二絶縁部とを有し、前記第一絶縁部は、樹脂層を有し、前記第一絶縁部又は前記第二絶縁部は、繊維基材を含有する繊維基材層を有し、前記第一絶縁部の厚さが、前記第二絶縁部の厚さ以下である、多層伝送線路板である。第一絶縁部又は第二絶縁部は単層に限定されず、複数の絶縁材料を有する複層の構造であってもよい。
本発明の多層伝送線路板は、従来の多層伝送線路板における繊維基材を含有する材料で構成される絶縁層の一部に繊維基材を含有しない材料を用いることで、誘電率の不均一性が軽減され、スキューを低減することができると考えられる。

＜グランド層＞
グランド層としては、特に限定されないが、従来のプリント配線板等の導電層に適用されるもの（例えば、金属箔等）を適用できる。
金属箔としては、例えば、銅箔、ニッケル箔、アルミ箔等を適用することができ、取り扱い性及びコストの観点からは、銅箔が好ましい。防錆性、耐薬品性、耐熱性の観点から、金属箔は、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルト等によるバリアー層が形成されていてもよい。また、絶縁層との接着性を向上させる観点から、金属箔は、表面粗化処理、シランカップリング剤等による処理などの表面処理が施されていてもよい。
グランド層に適用される金属箔は、市販品の金属箔でもよい。市販品の金属箔としては、例えば、銅箔である「Ｆ２−ＷＳ」（古河電気工業株式会社製、商品名、粗化面表面粗さＲｚ＝２．０μｍ）、「ＦＶ−ＷＳ」（古河電気工業株式会社製、商品名、粗化面表面粗さＲｚ＝１．５μｍ）、「３ＥＣＶＬＰ」（三井金属鉱業株式会社製、商品名、粗化面表面粗さＲｚ＝３．０μｍ）等が挙げられる。
グランド層は、１種の金属材料からなる単層構造であってもよく、複数の金属材料からなる単層構造であってもよく、更には異なる材質の金属層を複数積層した積層構造であってもよい。また、グランド層の厚さは、特に限定されない。
グランド層は、めっきにより形成されていてもよい。具体的には、例えば、第一絶縁部、第二絶縁部、又はそれらの上に設けられた接着用樹脂層の表面に、無電解めっき、電解めっき等を行うことによりグランド層を形成できる。

＜差動配線層＞
差動配線層は、前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置される層であり、差動配線を有する層である。なお、差動配線層には差動配線が存在しない部分があってもよく、当該部分は、例えば後述の絶縁層と同一の材料を備える。本明細書において「差動配線層の厚さ」とは、差動配線層の差動配線の厚さを指す。
差動配線を形成する材料は、特に限定されず、例えば、グランド層に適用可能な材料を使用できる。差動配線は、めっきにより形成されていてもよい。

＜樹脂層＞
第一絶縁部は、樹脂層を有する。本明細書中、「樹脂層」とは、繊維基材を含有しないか、本発明の効果を阻害しない範囲の繊維基材を含み、樹脂を含有する層を意味する。
なお、本明細書において「樹脂を含有する」とは、樹脂を単独で含有する場合だけでなく、樹脂組成物を含有する場合も包含する。また、本明細書において、「樹脂」は硬化前のモノマー、半硬化状態（所謂Ｂステージ状態）のオリゴマー、硬化後のポリマーのいずれの状態であってもよい。以下、樹脂層が含有する各成分について説明する。

（樹脂）
樹脂層が含有する樹脂は、特に限定されず、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂で変性した樹脂等が挙げられ、高周波特性、低熱膨張性及び耐熱性の観点から、熱硬化性樹脂が好ましい。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、マレイミド基含有化合物等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、高周波特性、低熱膨張性及び耐熱性の観点から、マレイミド基含有化合物が好ましく、１分子内にマレイミド基を２つ以上有する化合物がより好ましく、１分子内にマレイミド基を２つ有するビスマレイミド化合物が更に好ましい。

マレイミド基含有化合物は、マレイミド基を含有する化合物であり、低誘電特性と低熱膨張性とを両立させる観点から、（ａ１）少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基（以下、「構造（ａ１）」ともいう）及び（ａ２）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基（以下、「構造（ａ２）」ともいう）から選ばれる１種以上の基を含有するものが好ましく、構造（ａ１）及び構造（ａ２）を含有するものがより好ましい。なお、マレイミド基は構造（ａ１）に含まれない。
なお、構造（ａ２）は、構造（ａ１）中に含まれていてもよく、構造（ａ２）を含む構造（ａ１）を含有するものも、本実施形態においては、「構造（ａ１）及び構造（ａ２）を含有する」ものと定義する。
以下、構造（ａ１）及び構造（ａ２）を含有するマレイミド基含有化合物を、「（Ａ）マレイミド基含有化合物」又は「（Ａ）成分」ともいう。

〔（Ａ）成分：構造（ａ１）及び構造（ａ２）を含有するマレイミド基含有化合物〕
（Ａ）成分は、構造（ａ１）及び構造（ａ２）を含有するマレイミド基含有化合物である。
樹脂層に（Ａ）成分を用いることで、高周波特性及び導体との高い接着性を有する第一絶縁部を得ることができる。
（Ａ）成分が有するマレイミド基は、芳香環に結合していても、脂肪族鎖に結合していてもよいが、誘電特性の観点からは、脂肪族鎖に結合していることが好ましい。すなわち、（Ａ）成分は、Ｎ−脂肪族置換マレイミド基含有化合物であることが好ましい。

構造（ａ１）は、少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基であり、例えば、下記一般式（Ｉ）で表される基が挙げられる。

一般式（Ｉ）中、Ｒ_１は４価の有機基を示す。Ｒ_１は４価の有機基であれば特に限定されないが、Ｒ_１の炭素数は、取り扱い性の観点から、１〜１００であってもよく、２〜５０であってもよく、４〜３０であってもよい。

Ｒ_１が示す４価の有機基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、シロキサン骨格を有する炭化水素基等が挙げられる。シロキサン骨格を有する炭化水素基としては、例えば、ジメチルシロキサン、メチルフェニルシロキサン、ジフェニルシロキサン等に由来する基が挙げられる。
Ｒ_１が示す有機基は、置換基によって置換されていてもよい。置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、ヘテロ環基、置換ヘテロ環基、アリール基、置換アリール基、ヘテロアリール基、置換ヘテロアリール基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、アミド基、−Ｃ（＝Ｏ）Ｈ、−ＮＲ_ｘＣ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ_ｘ）_２、−ＯＣ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ_ｘ）_２、アシル基、オキシアシル基、カルボキシ基、カルバメート基、スルホンアミド基等が挙げられる。ここで、Ｒ_ｘは水素原子又はアルキル基を示す。これらの置換基は目的、用途等に合わせて、１種類又は２種類以上を選択できる。

Ｒ_１としては、例えば、１分子中に２個以上の無水物環を有する酸無水物の４価の残基、すなわち、酸無水物から酸無水物基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（＝Ｏ）−）を２個除いた４価の基が好ましい。酸無水物としては、後述する（Ａ）成分の製造に用いられる酸無水物が例示できる。

以上のＲ_１が示す基の中でも、機械強度の観点から、Ｒ_１は芳香族炭化水素基であることが好ましい。４価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ビフェニルテトライル基、ジフェニルエーテルテトライル基、２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパンテトライル基等が挙げられる。これらの中でも、機械強度の観点からは、ベンゼンテトライル基が好ましく、誘電特性の観点からは、ジフェニルエーテルテトライル基、２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパンテトライル基が好ましい。

構造（ａ１）は、機械強度の観点からは、下記式（ＩＩ−１）で表される基であることが好ましく、誘電特性の観点からは、下記式（ＩＩ−２）又は下記式（ＩＩ−３）で表される基であることが好ましい。

構造（ａ１）は、流動性及び回路埋め込み性の観点から、（Ａ）成分中に複数存在することが好ましい。その場合、複数の構造（ａ１）は、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。（Ａ）成分が含有する構造（ａ１）の数は、２〜４０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることが更に好ましい。

構造（ａ２）は、飽和又は不飽和の２価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。（Ａ）成分が構造（ａ２）を含有することで、樹脂組成物の可とう性が向上し、該樹脂組成物から作製される樹脂フィルムの取り扱い性（タック性、割れ、粉落ち等）及び強度を高めることが可能である。
構造（ａ２）の炭素数は、８〜１００であってもよく、１０〜７０であってもよく、１５〜５０であってもよい。

構造（ａ２）としては、例えば、直鎖状、分岐状又は環状の２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、これらを組み合わせた２価の基等が挙げられる。
２価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルケニレン基、これらを組み合わせた２価の基等が挙げられる。これらの中でも、アルキレン基、シクロアルキレン基、これらを組み合わせた２価の基が好ましい。
アルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、テトラデシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基等が挙げられる。シクロアルキレン基としては、例えば、シクロへキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン基、シクロデシレン基等が挙げられる。
構造（ａ２）がアルキレン基、シクロアルキレン基、又はこれらを組み合わせた２価の基である場合、その炭素数は、８〜１００が好ましく、１０〜７０がより好ましく、１５〜５０が更に好ましい。上記炭素数を有する構造（ａ２）は、分子構造を三次元化しやすく、ポリマーの自由体積を増大させて低密度化、すなわち低誘電率化できるため好ましい。
２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンジレン基、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、２価の脂肪族炭化水素基と２価の芳香族炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、フェニレンメチレン基、フェニレンエチレン基、ベンジルプロピレン基、ナフチレンメチレン基、ナフチレンエチレン基等のアリーレンアルキレン基；フェニレンジメチレン基、フェニレンジエチレン基等のアリーレンジアルキレン基などが挙げられる。

構造（ａ２）としては、高周波特性、低熱膨張性、導体との接着性、耐熱性及び低吸湿性の観点から、下記一般式（ＩＩＩ）で表される基が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、炭素数４〜５０のアルキレン基を示す。柔軟性の更なる向上及び合成容易性の観点から、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、炭素数５〜２５のアルキレン基であることが好ましく、炭素数６〜１０のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数７〜１０のアルキレン基であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_４は炭素数４〜５０のアルキル基を示す。柔軟性の更なる向上及び合成容易性の観点から、Ｒ_４は炭素数５〜２５のアルキル基であることが好ましく、炭素数６〜１０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数７〜１０のアルキル基であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ_５は炭素数２〜５０のアルキル基を示す。柔軟性の更なる向上及び合成容易性の観点から、Ｒ_５は炭素数３〜２５のアルキル基であることが好ましく、炭素数４〜１０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数５〜８のアルキル基であることが更に好ましい。

構造（ａ２）は、流動性及び回路埋め込み性の観点からは、（Ａ）成分中に複数存在することが好ましい。その場合、複数の構造（ａ２）はそれぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。（Ａ）成分が含有する構造（ａ２）の数は、２〜４０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることが更に好ましい。

（Ａ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は特に限定されないが、流動性の観点からは、５００以上、１，０００以上、１，５００以上又は１，７００以上であってもよい。また、取り扱い性の観点からは、１０，０００以下、９，０００以下、７，０００以下又は５，０００以下であってもよい。また、（Ａ）成分の重量平均分子量は、取り扱い性、流動性及び回路埋め込み性の観点から、５００〜１０，０００であることが好ましく、１，０００〜９，０００であることがより好ましく、１，５００〜９，０００であることが更に好ましく、１，５００〜７，０００であることがより一層好ましく、１，７００〜５，０００であることが特に好ましい。

（Ａ）成分の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定することができる。ＧＰＣの測定条件は下記のとおりである。
ポンプ：Ｌ−６２００型［株式会社日立ハイテクノロジーズ製］
検出器：Ｌ−３３００型ＲＩ［株式会社日立ハイテクノロジーズ製］
カラムオーブン：Ｌ−６５５Ａ−５２［株式会社日立ハイテクノロジーズ製］
カラム：ＴＳＫ Ｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＨＨＲ−Ｌ、ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００ＨＨＲ、ＴＳＫｇｅｌ Ｇ２０００ＨＨＲ［すべて東ソー株式会社製、商品名］
カラムサイズ：６．０×４０ｍｍ（ガードカラム）、７．８×３００ｍｍ（カラム）
溶離液：テトラヒドロフラン
試料濃度：３０ｍｇ／５ｍＬ
注入量：２０μＬ
流量：１．００ｍＬ／分
測定温度：４０℃

（Ａ）成分を製造する方法は限定されない。（Ａ）成分は、例えば、酸無水物とジアミンとを反応させてアミン末端化合物を合成した後、該アミン末端化合物を過剰の無水マレイン酸と反応させることで作製してもよい。

酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらの酸無水物は目的、用途等に合わせて、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。なお、前述のとおり、前記一般式（Ｉ）のＲ_１として、上記に挙げられる酸無水物に由来する４価の有機基を用いることができる。より良好な誘電特性の観点から、酸無水物は、無水ピロメリット酸であることが好ましい。

ジアミンとしては、例えば、ダイマージアミン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジヒドロキシビフェニル、１，３−ビス［２−（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス［２−（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、ポリオキシアルキレンジアミン、［３，４−ビス（１−アミノヘプチル）−６−ヘキシル−５−（１−オクテニル）］シクロヘキセン、［１，２−ビス（１−アミノオクチル）−３−オクチル−４−ヘキシル］シクロヘキサン等が挙げられる。これらは目的、用途等に合わせて、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。

（Ａ）成分としては、例えば、下記一般式（ＩＶ）で表される化合物であってもよい。

一般式（ＩＶ）中、Ｒ及びＱは、各々独立に、２価の有機基を示し、ｎは１〜１０の整数を示す。
一般式（ＩＶ）中、Ｒが示す２価の有機基としては、上述の構造（ａ２）として挙げられた２価の基と同様のものが挙げられ、好ましい態様も同様である。
一般式（ＩＶ）中、Ｑが示す２価の有機基としては、上述のＲ_１として挙げられた基と同様のものが挙げられ、好ましい態様も同様である。

（Ａ）成分としては市販されている化合物を使用することもできる。市販されている化合物としては、例えば、Ｄｅｓｉｇｎｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ Ｉｎｃ．製の「ＢＭＩ−１５００」、「ＢＭＩ−１７００」、「ＢＭＩ−３０００」、「ＢＭＩ−５０００」、「ＢＭＩ−９０００」（いずれも商品名）等が挙げられる。これらの中でも、より良好な高周波特性を得る観点から、「ＢＭＩ−３０００」が好ましい。

なお、上記市販されている化合物の推定される構造は下記のとおりである。
ＢＭＩ−１５００：下記一般式（Ｖ−１）
ＢＭＩ−１７００：下記一般式（Ｖ−２）
ＢＭＩ−３０００、ＢＭＩ−５０００、ＢＭＩ−９０００：いずれも下記一般式（Ｖ−３）の構造を有し、重量平均分子量が異なる。

（式中、ｎ_１は、１〜１０の整数を示す。）

（式中、ｎ_２は、１〜１０の整数を示す。）

（式中、ｎ_３は、１〜１０の整数を示す。）

樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は特に限定されないが、耐熱性の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、２質量％以上又は１０質量％以上であってもよい。また、（Ａ）成分の含有量は、低熱膨張係数の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、９８質量％以下、５０質量％以下又は３０質量％以下であってもよい。また、（Ａ）成分の含有量は、耐熱性及び低熱膨張係数の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、２〜９８質量％であることが好ましく、１０〜５０質量％であることがより好ましく、１０〜３０質量％であることが更に好ましい。
なお、本実施形態における固形分とは、水分、後述する溶剤等の揮発する物質以外の組成物中の成分のことをいう。すなわち、固形分は、２５℃付近の室温で液状、水飴状及びワックス状のものも含み、必ずしも固体であることを意味するものではない。

本実施形態の樹脂組成物は、１種の（Ａ）成分を含有していてもよく、２種以上の（Ａ）成分を含有していてもよい。
２種以上の（Ａ）成分を含有する場合は、低誘電特性と低熱膨張性とを両立させる観点から、一方の（Ａ）成分と、該一方の（Ａ）成分より熱膨張率が低い他方の（Ａ）成分とを併用することが好ましい。その場合、他方の（Ａ）成分は、一方の（Ａ）成分よりも分子量が低いもの、多くの芳香環を有するもの又は主鎖が短いものであることが好ましい。

〔（Ｂ）成分：マレイミド基含有化合物〕
本実施形態の樹脂組成物は、（Ａ）成分以外のマレイミド基含有化合物（以下、「（Ｂ）マレイミド基含有化合物」又は「（Ｂ）成分」ともいう）を含有していてもよく、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有することが好ましい。
（Ｂ）成分は、（Ａ）成分よりも熱膨張係数が低いものであることが好ましい。（Ａ）成分と、（Ａ）成分よりも熱膨張係数が低い（Ｂ）成分とを併用することにより、良好な誘電特性を維持しつつ、低熱膨張性等を更に向上させることができる。この理由として、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを含有する樹脂組成物から得られる硬化物は、低誘電特性を有する（Ａ）成分に由来する構造単位と、低熱膨張性を有する（Ｂ）成分に由来する構造単位とを有するポリマーを含有するためであると推測される。

樹脂組成物中の（Ｂ）成分の含有量は、特に限定されないが、低熱膨張性の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、１質量％以上、３質量％以上又は４質量％以上であってもよい。また、（Ｂ）成分の含有量は、誘電特性の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、５０質量％以下、３０質量％以下又は１０質量％以下であってもよい。また、（Ｂ）成分の含有量は、低熱膨張性及び誘電特性の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、１〜５０質量％であることが好ましく、３〜３０質量％であることがより好ましく、５〜１０質量％であることが更に好ましい。

樹脂組成物中の（Ａ）成分と（Ｂ）成分との配合割合は特に限定されない。誘電特性及び低熱膨張係数の観点から、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比〔（Ｂ）／（Ａ）〕が、０．０１〜３であることが好ましく、０．０３〜２であることがより好ましく、０．０５〜１であることが更に好ましい。

（Ｂ）成分は特に限定されないが、芳香環を有することが好ましい。芳香環は剛直で低熱膨張であるため、芳香環を有する（Ｂ）成分を用いることで、更に熱膨張係数を低減させることができる。
（Ｂ）成分が有するマレイミド基は芳香環に結合していても、脂肪族鎖に結合していてもよいが、誘電特性の観点からは、芳香環に結合していることが好ましい。すなわち、（Ｂ）成分は、Ｎ−芳香族置換マレイミド基含有化合物であることが好ましい。
また、（Ｂ）成分は、マレイミド基を２個以上含有するポリマレイミド化合物であることが好ましく、マレイミド基を２個含有するビスマレイミド化合物であることがより好ましい。

（Ｂ）成分は、例えば、下記一般式（ＶＩ）で表される化合物であってもよい。

一般式（ＶＩ）中、Ａ_１は下記一般式（ＶＩ−１）、（ＶＩ−２）、（ＶＩ−３）又は（ＶＩ−４）で表される２価の基を示す。

一般式（ＶＩ−１）中、Ｒ_１０は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を示す。

一般式（ＶＩ−２）中、Ｒ_１１及びＲ_１２は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を示し、Ａ_２は炭素数１〜５のアルキレン基若しくはアルキリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、ケトン基、単結合又は下記一般式（ＶＩ−２’）で表される基を示す。

一般式（ＶＩ−２’）中、Ｒ_１３及びＲ_１４は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を示し、Ａ_３は炭素数１〜５のアルキレン基若しくはアルキリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、ケトン基又は単結合を示す。

一般式（ＶＩ−３）中、ｉは１〜１０の整数である。

一般式（ＶＩ−４）中、Ｒ_１５及びＲ_１６は各々独立に、水素原子又は炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を示し、ｊは１〜８の整数である。

一般式（ＶＩ−１）中のＲ_１０、一般式（ＶＩ−２）中のＲ_１１及びＲ_１２、一般式（ＶＩ−２’）中のＲ_１３及びＲ_１４、一般式（ＶＩ−４）中のＲ_１５及びＲ_１６が示す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であってもよく、メチル基であってもよい。
一般式（ＶＩ−２）中のＡ_２及び一般式（ＶＩ−２’）中のＡ_３が示す炭素数１〜５のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基等が挙げられる。
一般式（ＶＩ−２）中のＡ_２及び一般式（ＶＩ−２’）中のＡ_３が示す炭素数１〜５のアルキリデン基としては、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基、ブチリデン基、イソブチリデン基、ペンチリデン基等が挙げられる。

（Ｂ）成分の具体例としては、１，２−ジマレイミドエタン、１，３−ジマレイミドプロパン、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３−エチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、２，７−ジマレイミドフルオレン、Ｎ，Ｎ’−（１，３−フェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−［１，３−（４−メチルフェニレン）］ビスマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、ビス（４−マレイミドフェニル）スルフィド、ビス（４−マレイミドフェニル）エ−テル、１，３−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス［３−（３−マレイミドフェノキシ）フェノキシ］ベンゼン、ビス（４−マレイミドフェニル）ケトン、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］スルホキシド、４，４’−ビス（３−マレイミドフェノキシ）ビフェニル、１，３−ビス［２−（３−マレイミドフェニル）プロピル］ベンゼン、１，３−ビス｛１−［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１−プロピル｝ベンゼン、ビス（マレイミドシクロヘキシル）メタン、２，２−ビス［４−（３−マレイミドフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス（マレイミドフェニル）チオフェン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、吸湿性及び熱膨張係数をより低下させる観点からは、ビス（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンが好ましい。樹脂組成物から形成される樹脂フィルムの破壊強度及び金属箔引き剥がし強さを更に高める観点からは、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンが好ましい。

〔（Ｃ）成分：（Ａ）成分及び（Ｂ）成分とは異なる熱硬化性樹脂〕
本実施形態の樹脂組成物は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分とは異なる（Ｃ）熱硬化性樹脂（以下、「（Ｃ）成分」ともいう）を更に含有していてもよい。（Ｃ）熱硬化性樹脂を含有することで、樹脂組成物の低熱膨張性等を更に向上させることができる。

（Ｃ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂としては、特に制限されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有型エポキシ樹脂、２官能ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロアントラセン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、高周波特性及び熱膨張特性の観点からは、ナフタレン骨格含有型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。ナフタレン骨格含有型エポキシ樹脂としては、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等が挙げられる。

シアネートエステル樹脂としては、特に限定されないが、例えば、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン、ビス（４−シアナトフェニル）エタン、ビス（３，５−ジメチル−４−シアナトフェニル）メタン、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、α，α’−ビス（４−シアナトフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、フェノール付加ジシクロペンタジエン重合体のシアネートエステル化合物、フェノールノボラック型シアネートエステル化合物、クレゾールノボラック型シアネートエステル化合物等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、安価である点、高周波特性及びその他特性の総合バランスを考慮すると、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパンが好ましい。

樹脂組成物中の（Ｃ）成分の含有量は、特に限定されないが、低熱膨張性の観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、１〜４０質量％であることが好ましく、２〜２０質量％であることがより好ましく、３〜１０質量％であることが更に好ましい。

本実施形態の樹脂組成物は、（Ｃ）熱硬化性樹脂の硬化剤を更に含有していてもよい。これにより、樹脂組成物の硬化反応を円滑に進めることができるとともに、得られる樹脂組成物の硬化物の物性を適度に調節することが可能となる。
エポキシ樹脂を用いる場合、硬化剤としては特に制限されないが、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジシアンジアミド等のポリアミン化合物；ビスフェノールＡ、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等のポリフェノール化合物；無水フタル酸、無水ピロメリット酸等の酸無水物；各種カルボン酸化合物；各種活性エステル化合物などが挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
シアネートエステル樹脂を用いる場合、硬化剤としては特に限定されないが、例えば、各種モノフェノール化合物、各種ポリフェノール化合物、各種アミン化合物、各種アルコール化合物、各種酸無水物、各種カルボン酸化合物等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。

本実施形態の樹脂組成物には、（Ｃ）熱硬化性樹脂の種類に応じて硬化促進剤を更に含有していてもよい。エポキシ樹脂用の硬化促進剤としては、例えば、潜在性の硬化促進剤である各種イミダゾール類、ＢＦ_３アミン錯体、リン系硬化促進剤等が挙げられる。これらの中でも、樹脂組成物の保存安定性、半硬化の樹脂組成物の取り扱い性及びはんだ耐熱性の観点から、イミダゾール類、リン系硬化促進剤が好ましい。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
本実施形態の樹脂組成物がエポキシ樹脂及びエポキシ樹脂用の硬化促進剤を含有する場合、エポキシ樹脂用の硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂の固形分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であってもよく、１〜５質量部であってもよい。

〔（Ｄ）成分：一般式（ＶＩＩ）で表される化合物及びポリアミノビスマレイミド化合物から選ばれる１種以上〕
本実施形態の樹脂組成物は、成形性の観点から、（Ｄ）下記一般式（ＶＩＩ）で表される化合物及びポリアミノビスマレイミド化合物から選ばれる１種以上（以下、「（Ｄ）成分」ともいう）を含有していてもよい。

一般式（ＶＩＩ）中、Ａ_４は、前記一般式（ＶＩ）中のＡ_１と同様に説明される。Ａ_５は下記一般式（ＶＩＩ−１）で表される基を示す。

一般式（ＶＩＩ−１）中、Ｒ_１７及びＲ_１８は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜５のアルコキシ基、水酸基又はハロゲン原子を示し、Ａ_６は、炭素数１〜５のアルキレン基若しくはアルキリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、ケトン基、フルオレニレン基、単結合、下記一般式（ＶＩＩ−１’）で表される基又は下記一般式（ＶＩＩ−１’’）で表される基を示す。

一般式（ＶＩＩ−１’）中、Ｒ_１９及びＲ_２０は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を示し、Ａ_７は、炭素数１〜５のアルキレン基、イソプロピリデン基、ｍ−フェニレンジイソプロピリデン基、ｐ−フェニレンジイソプロピリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、ケトン基又は単結合を示す。

一般式（ＶＩＩ−１’’）中、Ｒ_２１は各々独立に、水素原子、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子を示し、Ａ_８及びＡ_９は各々独立に、炭素数１〜５のアルキレン基、イソプロピリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、ケトン基又は単結合を示す。

ポリアミノビスマレイミド化合物としては、例えば、分子中に２個のＮ−置換マレイミド基を有するビスマレイミド化合物と、分子中に２個の一級アミノ基を有する芳香族ジアミン化合物とを有機溶媒中でマイケル付加反応させてなるものが挙げられる。
分子中に２個のＮ−置換マレイミド基を有するビスマレイミド化合物としては、前記（Ａ）成分として挙げられたビスマレイミド化合物及び前記（Ｂ）成分として挙げられたビスマレイミド化合物から選ばれる１種以上が好ましく、（Ｂ）成分として挙げられたビスマレイミド化合物がより好ましく、前記一般式（ＶＩ）で表される化合物が更に好ましい。これらの中でも、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン及び３，３’−ジメチル−５，５’−ジエチル−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミドから選ばれる１種以上が特に好ましい。
分子中に２個の一級アミノ基を有する芳香族ジアミン化合物は特に限定されないが、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、有機溶媒への溶解性が高く、合成時の反応率が高く、かつ耐熱性を高くできる観点からは、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリンが好ましい。

ポリアミノビスマレイミド化合物を製造する際に使用される有機溶媒は特に制限はないが、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類；メトキシエチルアセテート、エトキシエチルアセテート、ブトキシエチルアセテート、酢酸エチル等のエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の含窒素類などが挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが溶解性の観点から好ましい。

〔（Ｅ）成分：熱可塑性樹脂〕
本実施形態の樹脂組成物は、樹脂フィルムの取り扱い性を高める観点から、（Ｅ）熱可塑性樹脂（以下、「（Ｅ）成分」ともいう）を更に含有していてもよい。（Ｅ）熱可塑性樹脂の種類は特に限定されず、分子量も限定されないが、（Ａ）成分との相溶性をより高める点から、数平均分子量（Ｍｎ）が２００〜６０，０００であることが好ましい。（Ｅ）成分の数平均分子量は、ＧＰＣ法を用いて、ポリスチレン換算により求めることができる。

〔（Ｆ）成分：熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂で変性した樹脂〕
本実施形態の樹脂組成物は、誘電特性、耐熱性、耐溶剤性及びプレス成形性を向上させる観点から、（Ｆ）熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂で変性した樹脂（以下、「（Ｆ）成分」ともいう）を含有していてもよい。
（Ｆ）成分としては、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド基を有するポリフェニレンエーテル誘導体（以下、「（ｆ）ポリフェニレンエーテル誘導体」ともいう）等が挙げられる。

（ｆ）ポリフェニレンエーテル誘導体は、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド構造含有基及び下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される構造単位を有するものが好ましい。

一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒ_２２は、各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。ｘは０〜４の整数である。

Ｒ_２２が示す脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であってもよく、メチル基であってもよい。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
ｘは０〜４の整数であり、０〜２の整数であってもよく、２であってもよい。なお、ｘが１又は２である場合、Ｒ_２２はベンゼン環上のオルト位（但し、酸素原子の置換位置を基準とする。）に置換していてもよい。
前記一般式（ＶＩＩＩ）で表される構造単位としては、具体的には、下記一般式（ＶＩＩＩ'）で表される構造単位であると好ましい。

Ｎ−置換マレイミド構造含有基としては、高周波特性、導体との接着性、耐熱性、ガラス転移温度、熱膨張係数及び難燃性の観点から、２つのマレイミド基の窒素原子同士が有機基を介して結合しているビスマレイミド構造を含有する基であってもよく、下記一般式（ＩＸ）で表される基であってもよい。

一般式（ＩＸ）中、Ａ_１０は、前記一般式（ＶＩ）中のＡ_１と同様に説明される。Ｒ_２３は、各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。ｙは０〜４の整数である。

Ｒ_２３が示す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子としては、Ｒ_２２の場合と同様に説明される。ｙは０〜４の整数であり、０〜２の整数であってもよく、０であってもよい。

（ｆ）ポリフェニレンエーテル誘導体は、例えば、以下の製造方法によって得ることができる。まず、下記一般式（Ｘ）で表されるアミノフェノール化合物と、例えば、数平均分子量１５，０００〜２５，０００のポリフェニレンエーテルとを有機溶媒中で、公知の再分配反応をさせることにより、ポリフェニレンエーテルの低分子量化を伴いながら、分子中に第一級アミノ基を有する（ｆ’）ポリフェニレンエーテル化合物を製造し、次いで、該（ｆ’）ポリフェニレンエーテル化合物とビスマレイミド化合物とをマイケル付加反応させることによって、（ｆ）ポリフェニレンエーテル誘導体を製造することができる。

一般式（Ｘ）中、Ｒ_２３及びｙは、前記一般式（ＩＸ）中のＲ_２３及びｙと同様である。
前記アミノフェノール化合物としては、例えば、ｏ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール等が挙げられる。

ポリフェニレンエーテルの数平均分子量は、５，０００〜４０，０００が好ましく、１０，０００〜３０，０００がより好ましく、１３，０００〜２０，０００が更に好ましい。ポリフェニレンエーテルの数平均分子量は、ＧＰＣ法を用いて、ポリスチレン換算により求めることができる。

前記ビスマレイミド化合物としては、前記（Ａ）成分として挙げられたビスマレイミド化合物及び前記（Ｂ）成分として挙げられたビスマレイミド化合物から選ばれる１種以上が好ましく、（Ｂ）成分として挙げられたビスマレイミド化合物がより好ましく、前記一般式（ＶＩ）で表される化合物が更に好ましい。これらの中でも、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパンが特に好ましい。

上記ビスマレイミド化合物及び必要により反応触媒等を、（ｆ’）ポリフェニレンエーテル化合物溶液中に所定量仕込み、加熱、保温、攪拌しながらマイケル付加反応させることにより（ｆ）ポリフェニレンエーテル誘導体が得られる。この工程での反応条件としては、作業性及びゲル化抑制の観点から、例えば、反応温度は５０〜１６０℃、反応時間は１〜１０時間の範囲であってもよい。

このようにして得られる（ｆ）ポリフェニレンエーテル誘導体としては、下記一般式（ＸＩ）で表される構造を有するものが好ましい。

一般式（ＸＩ）中、Ａ_１０、Ｒ_２３及びｙは、前記一般式（ＩＸ）中のＡ_１０、Ｒ_２３及びｙと同様であり、Ｒ_２２及びｘは、前記一般式（ＶＩＩＩ）中のＲ_２２及びｘと同様である。ｍは１以上の整数である。

（触媒）
本実施形態の樹脂組成物は、（Ａ）成分の硬化を促進するための触媒を更に含有していてもよい。触媒の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物の全固形分質量に対して０．１〜５質量％であってもよい。触媒としては、例えば、過酸化物、アゾ化合物等が挙げられる。
過酸化物としては、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、２−ブタノンパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエイト、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシド等が挙げられる。アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパンニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルブタンニトリル）、１，１’―アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。

（無機充填材）
本実施形態の樹脂組成物は、無機充填材を更に含有していてもよい。任意に適切な無機充填材を含有させることで、樹脂組成物の低熱膨張性、高弾性率性、耐熱性、難燃性等を向上させることができる。無機充填材としては特に制限されないが、例えば、シリカ、アルミナ、酸化チタン、マイカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー、タルク、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。

無機充填材の形状及び粒径についても特に制限はない。無機充填材の粒径は、例えば、０．０１〜２０μｍであっても、０．１〜１０μｍであってもよい。ここで、粒径とは、体積平均粒子径を指し、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径のことである。体積平均粒子径はレーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。

無機充填材を用いる場合、その使用量は特に制限されないが、例えば、樹脂組成物中の固形分を全量として無機充填材の含有比率が、３〜７５体積％であることが好ましく、５〜７０体積％であることがより好ましい。樹脂組成物中の無機充填材の含有比率が上記の範囲である場合、良好な硬化性、成形性及び耐薬品性が得られ易くなる。

無機充填材を用いる場合、無機充填材の分散性、有機成分との密着性を向上させる等の目的で、必要に応じ、カップリング剤を併用できる。カップリング剤としては特に限定されず、例えば、各種のシランカップリング剤、チタネートカップリング剤等を用いることができる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。また、カップリング剤の使用量も特に限定されず、例えば、使用する無機充填材１００質量％に対して０．１〜５質量％としてもよいし、０．５〜３質量％としてもよい。この範囲であれば、諸特性の低下が少なく、無機充填材の使用による特長を効果的に発揮し易くなる。

カップリング剤を用いる場合、樹脂組成物中に無機充填材を配合した後、カップリング剤を添加する、いわゆるインテグラルブレンド処理方式であってもよいが、予め無機充填材にカップリング剤を、乾式又は湿式で表面処理した無機充填材を使用する方式が好ましい。この方法を用いることで、より効果的に上記無機充填材の特長を発現できる。

（難燃剤）
本実施形態の樹脂組成物は、難燃剤を更に含有していてもよい。難燃剤としては特に限定されないが、臭素系難燃剤、リン系難燃剤、金属水酸化物等が好適に用いられる。臭素系難燃剤としては、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化エポキシ樹脂；ヘキサブロモベンゼン、ペンタブロモトルエン、エチレンビス（ペンタブロモフェニル）、エチレンビステトラブロモフタルイミド、１，２−ジブロモ−４−（１，２−ジブロモエチル）シクロヘキサン、テトラブロモシクロオクタン、ヘキサブロモシクロドデカン、ビス（トリブロモフェノキシ）エタン、臭素化ポリフェニレンエーテル、臭素化ポリスチレン、２，４，６−トリス（トリブロモフェノキシ）−１，３，５−トリアジン等の臭素化添加型難燃剤；トリブロモフェニルマレイミド、トリブロモフェニルアクリレート、トリブロモフェニルメタクリレート、テトラブロモビスフェノールＡ型ジメタクリレート、ペンタブロモベンジルアクリレート、臭素化スチレン等の不飽和二重結合基含有の臭素化反応型難燃剤などが挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。

リン系難燃剤としては、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、クレジルジ−２，６−キシレニルホスフェート、レゾルシノールビス（ジフェニルホスフェート）等の芳香族系リン酸エステル；フェニルホスホン酸ジビニル、フェニルホスホン酸ジアリル、フェニルホスホン酸ビス（１−ブテニル）等のホスホン酸エステル；ジフェニルホスフィン酸フェニル、ジフェニルホスフィン酸メチル、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド誘導体等のホスフィン酸エステル；ビス（２−アリルフェノキシ）ホスファゼン、ジクレジルホスファゼン等のホスファゼン化合物；リン酸メラミン、ピロリン酸メラミン、ポリリン酸メラミン、ポリリン酸メラム、ポリリン酸アンモニウム、リン含有ビニルベンジル化合物、赤リン等のリン系難燃剤などが挙げられる。金属水酸化物難燃剤としては、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等が挙げられる。これらの難燃剤は１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。

（樹脂組成物の製造方法）
本実施形態の樹脂組成物は、上記した各成分を均一に分散及び混合することによって得ることができ、その調製手段、条件等は特に限定されない。例えば、所定配合量の各種成分をミキサー等によって十分に均一に撹拌及び混合した後、ミキシングロール、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等を用いて混練し、更に得られた混練物を冷却及び粉砕する方法が挙げられる。なお、混練形式についても特に限定されない。

樹脂層を形成する方法は特に限定されないが、例えば、上記の樹脂組成物から樹脂フィルムを作製し、積層することで形成できる。樹脂フィルムの製造方法は後述のとおりである。

本実施形態の樹脂組成物の硬化物の比誘電率は特に限定されないが、高周波帯で好適に用いる観点から、１０ＧＨｚでの比誘電率は、３．６以下であることが好ましく、３．１以下であることがより好ましく、３．０以下であることが更に好ましい。比誘電率の下限については特に限定されないが、例えば、１．０程度であってもよい。また、高周波帯で好適に用いる観点から、本実施形態の樹脂組成物の硬化物の誘電正接は、０．００４以下であることが好ましく、０．００３以下であることがより好ましい。誘電正接の下限については特に限定されないが、例えば、０．０００１程度であってもよい。比誘電率及び誘電正接は実施例で示す方法で測定できる。

＜繊維基材層＞
第二絶縁部は、繊維基材層を有する。本明細書中、「繊維基材層」とは、繊維基材と樹脂とを含有する層を意味する。
繊維基材層は、繊維基材と樹脂組成物とを含有する層であってもよい。繊維基材層に含まれる樹脂組成物は、樹脂を含むものであれば特に限定されず、必要に応じて前記無機充填材、難燃剤、各種添加剤等のその他の成分を更に含有していてもよい。

（繊維基材）
繊維基材は特に限定されないが、ヤーンを高密度に編んだもの、開繊された繊維糸（開繊糸）が、誘電率の不均一性をより軽減する観点から好ましい。
繊維基材の材質としては、紙、コットンリンター等の天然繊維；ガラス繊維、アスベスト等の無機物繊維；アラミド、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、アクリル等の有機繊維；これらの混合物などが挙げられる。これらの中でも、誘電率の不均一性をより軽減する観点から、ガラス繊維が好ましい。
ガラス繊維としては、Ｅガラス、ＮＥガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラスクロスが好ましい。ガラスクロスは、縦糸と横糸に、含浸する樹脂に近い誘電率のガラス繊維糸を用いたもの等を用いることで誘電率の不均一性を更に軽減できる。また、縦糸と横糸に同種のガラス繊維糸を用いれば、同様に誘電率の不均一性をより軽減できる。
繊維基材の誘電率は、誘電率の不均一性を軽減する観点から、５．０以下であることが好ましく、４．５以下であることがより好ましい。

繊維基材層に含まれる樹脂又は樹脂組成物としては、前記樹脂層に含まれるものと同様のものを使用できる。これらの中でも、誘電率の不均一性をより軽減する観点から、前記（Ｄ）成分及び前記（Ｆ）成分から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、前記（Ｄ）成分と前記（Ｆ）成分とを含有することがより好ましく、前記（Ｄ）成分として、ポリアミノビスマレイミド化合物、前記（Ｆ）成分として、ポリフェニレンエーテル誘導体を含有することが更に好ましい。
繊維基材層に含まれる樹脂組成物中の（Ｄ）成分の含有量は特に限定されないが、誘電率の不均一性をより軽減する観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、１〜５０質量％であることが好ましく、２〜３０質量％であることがより好ましく、３〜１０質量％であることが更に好ましい。
繊維基材層に含まれる樹脂組成物中の（Ｆ）成分の含有量は特に限定されないが、誘電率の不均一性をより軽減する観点から、樹脂組成物の全固形分質量に対して、５〜８０質量％であることが好ましく、１０〜６０質量％であることがより好ましく、２０〜４０質量％であることが更に好ましい。

繊維基材層に含まれる繊維基材と樹脂組成物との誘電率の差は、低伝送損失性の観点から、１．０以下であることが好ましく、０．５以下であることがより好ましく、０．１以下であることが更に好ましい。
繊維基材と樹脂組成物との誘電率の差を１．０以下にするためには、使用する繊維基材の誘電率に、樹脂組成物の誘電率を近づければよい。例えば、樹脂として前述の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用すれば、樹脂種、配合比率等の選択によって誘電率を２〜４程度に制御できる。繊維基材の誘電率が大きいために誘電率の差が更に大きい場合、この樹脂に、樹脂よりも高い誘電率を有する無機充填材、難燃剤等を加えれば、当該樹脂の誘電率を更に高められる。例えば、Ｅガラスの誘電率は６．８程度で、一般的なエポキシ樹脂の誘電率は３．８程度であるため、Ｅガラスの繊維基材に対して、エポキシ樹脂１００質量部と誘電率１０程度のアルミナフィラー３００質量部とを混合した樹脂組成物を用いることで、繊維基材と樹脂組成物との誘電率の差を１．０以下にできる。

繊維基材層は、公知のプリプレグを単独で、又は複数貼り合わせて、加熱及び／又は加圧して得られるものを用いることもできる。公知のプリプレグとしては、例えば、市販品として、日立化成株式会社製の「ＧＷＡ−９００Ｇ」、「ＧＷＡ−９１０Ｇ」、「ＧＨＡ−６７９Ｇ」、「ＧＨＡ−６７９Ｇ（Ｓ）」、「ＧＺＡ−７１Ｇ」（いずれも商品名）等が挙げられる。

（多層伝送線路板の製造方法）
本発明の多層伝送線路板は、繊維基材層を形成するためのプリプレグ、及び、樹脂層を形成するための樹脂フィルムを用いて、実施形態に応じて適宜組み合わせ、積層することにより得られる。例えば、両面に銅箔を積層した当該プリプレグを硬化して得られた積層板の片側の銅箔に回路加工を施すことにより、一方の面に差動配線を、他方の面にグランド層を配置した絶縁層を形成し、次いで差動配線が形成された面に、当該樹脂フィルムと、グランド層を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造できる。

〔プリプレグ〕
繊維基材層を形成するためのプリプレグは、前記繊維基材層に用いられる繊維基材及び樹脂又は樹脂組成物を含む。前記プリプレグは、例えば、前記樹脂又は樹脂組成物を有機溶媒に溶解及び／又は分散して得られた樹脂ワニスを、前記繊維基材に含浸する方法により得られる。
樹脂ワニスを繊維基材に含浸する方法としては、特に限定されないが、例えば、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーによって樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、樹脂ワニスの含浸性を向上させる観点から、繊維基材を樹脂ワニスに浸漬する方法を用いることができる。

樹脂ワニスを繊維基材に含浸した後の乾燥条件は、例えば、乾燥後のプリプレグ中の有機溶媒の含有量が１０質量％以下又は５質量％以下となる条件とすることができる。例えば、３０〜６０質量％の有機溶媒を含む樹脂ワニスを５０〜１５０℃で３〜１０分程度乾燥させることにより、プリプレグを形成することができる。

プリプレグを硬化させた際の繊維基材と樹脂組成物との誘電率の差は、低伝送損失性の観点から、１．０以下であることが好ましく、０．５以下であることがより好ましく、０．１以下であることが更に好ましい。
プリプレグを硬化させた際の誘電率は特に限定されないが、高周波領域での使用により適合する観点から、４．０以下であることが好ましく、３．８以下であることがより好ましい。
プリプレグの厚さは、形成する絶縁層の厚さに応じて適宜決定すればよい。

〔樹脂フィルム〕
樹脂層を形成するための樹脂フィルムは、前記樹脂層に用いられる樹脂又は樹脂組成物を含有する。
樹脂フィルムは、公知の方法で得ることができ、例えば、前記樹脂を、必要に応じて前記その他の成分と混合した後、支持体上に層形成する方法により得られる。混合方法は特に制限されず、公知の方法を用いることができる。樹脂又は樹脂組成物を支持体上に層形成する方法としては、例えば、樹脂又は樹脂組成物を有機溶媒に溶解又は分散することにより樹脂ワニスを調製し、該樹脂ワニスを各種コーターを用いて支持体に塗布し、加熱、熱風吹きつけ等により乾燥する方法が挙げられる。
このようにして得られる樹脂フィルムは、半硬化（Ｂステージ化）させたものであってもよい。半硬化した樹脂フィルムは、積層し硬化する際に接着力が確保される状態、且つ差動配線への埋めこみ性（流動性）が確保される状態としてもよい。

樹脂ワニスに用いる有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類；エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノメチルエーテル、カルビトール、ブチルカルビトール等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類；メトキシエチルアセテート、エトキシエチルアセテート、ブトキシエチルアセテート、酢酸エチル等のエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の含窒素類などが挙げられる。これらの有機溶媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂ワニスの固形分（不揮発分）濃度は、特に限定されないが、例えば、５〜８０質量％とすることができる。

樹脂ワニスを支持体上に塗布する際に用いるコーターは、形成する樹脂フィルムの厚さ等に応じて適宜選択すればよく、例えば、ダイコーター、コンマコーター、バーコーター、キスコーター、ロールコーター等を用いることができる。

樹脂ワニスを支持体上に塗布した後の乾燥条件は、例えば、乾燥後の樹脂フィルム中の有機溶媒の含有量が１０質量％以下又は５質量％以下となる条件とすることができる。例えば、３０〜６０質量％の有機溶媒を含む樹脂ワニスを５０〜１５０℃で３〜１０分程度乾燥させることにより、樹脂フィルムを形成できる。乾燥条件は、予め簡単な実験により適宜、好適な乾燥条件を設定できる。
樹脂フィルムの厚さは、形成する絶縁層の厚さに応じて適宜決定すればよい。

樹脂フィルムの支持体は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリカーボネート、ポリイミド等からなるフィルム、更には離型紙、金属箔（銅箔、アルミニウム箔等）などが挙げられる。なお、支持体及び後述する保護フィルムには、マット処理、コロナ処理、離型処理等を施してもよい。
支持体の厚さは、例えば、１０〜１５０μｍとすることができ、また、２５〜５０μｍとすることができる。樹脂フィルムの支持体が設けられていない面には、保護フィルムを更に積層できる。保護フィルムは、支持体の材質と同じであってもよく、異なっていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、異物混入を防止でき、樹脂フィルムをロール状に巻き取って保管することもできる。

〔積層成形条件〕
本発明に係る多層伝送線路板の成形方法及び成形条件は、特に限定されないが、例えば、電気絶縁材料用積層板及び多層板の成形方法及び成形条件を適用できる。具体的には、例えば、多段プレス、多段真空プレス、連続成形、オートクレーブ成形機等を使用し、温度１００〜２５０℃、圧力０．２〜１０ＭＰａ、加熱時間０．１〜５時間の範囲で成形できる。
なお、グランド層は、上記のとおり金属箔の積層によって形成してもよく、乾式メッキ等の公知の方法を使用して形成してもよい。

得られた多層伝送線路板の絶縁層に穴開けを行ってビアホール、スルーホールを形成してもよい。穴開けは、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができる。

以下、本発明の多層伝送線路板の実施態様として、第一〜第三実施形態に係る多層伝送線路板を例として挙げ、各態様について図面を参照しながら説明する。
第一〜第三実施形態に係る多層伝送線路板に含まれる層を構成する各材料、各層の態様、積層条件等は、前述の本発明の多層伝送線路板として説明したとおりであり、好ましい態様も同様である。

＜第一実施形態に係る多層伝送線路板＞
図３は、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａを示す模式的断面図である。
図３に示すように、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、一対のグランド層１１、２１と、一対のグランド層１１、２１のうち一方のグランド層１１と他方のグランド層２１との間に配置された差動配線９１を含む差動配線層１０１と、差動配線層１０１と一方のグランド層１１との間に配置された絶縁層（１−Ｉ）３１と、差動配線層１０１と他方のグランド層２１との間に配置された絶縁層（１−ＩＩ）３２とを含む。絶縁層（１−Ｉ）３１は、樹脂層であり、絶縁層（１−ＩＩ）３２は、繊維基材層であり、絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さが、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さ以下である、多層伝送線路板である。

図６に従来の多層伝送線路板４Ａの模式的断面図を示す。従来の多層伝送線路板４Ａは、プリプレグの両面に銅箔を積層して硬化することにより得られた積層板の片側の銅箔に回路加工を施すことにより、一方の面に差動配線９４を、他方の面にグランド層２４を配置した絶縁層６２を形成し、その差動配線９４側の面に更に絶縁層６１を形成するためのプリプレグとグランド層１４を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造していた。
本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、図６に示す従来の多層伝送線路板４Ａにおける絶縁層６１を、樹脂層である絶縁層（１−Ｉ）３１に変更することで、取り扱い性を損なうことなくスキューの低減を図ることができる。
このとき、絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さは、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さ以下とすることが重要である。
これは、信号伝送時には薄い絶縁層側に、より強い電界が生じるため、その絶縁層の電気特性が信号の伝送特性に、より強く反映されるためである。すなわち、樹脂層である絶縁層（１−Ｉ）３１の誘電率の均一性を反映させるためには、絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さが、繊維基材層である絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さと同じか、又は絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さよりも薄いことが重要である。スキューをより低減させる観点からは、絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さは絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さよりも薄いことが好ましい。また、同様の観点から、絶縁層（１−Ｉ）と絶縁層（１−ＩＩ）３２は、差動配線層を中心として非対称であることが好ましい。

絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０〜３００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、２０〜２５０μｍとすることができ、同様の観点から、３０〜２００μｍとすることができる。
絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さは、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さ以下であり、基板の反り抑制の観点からは、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さ未満とすることができる。
また、同様の観点から、絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さと、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さとの差は、０〜１５０μｍとすることができ、０．０１〜１００μｍとすることができる。

絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さは、特に限定されないが、例えば、３０〜４００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、４０〜３００μｍとすることができ、同様の観点から、５０〜２００μｍとすることができる。

（第一実施形態に係る多層伝送線路板の製造方法）
次に、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａの製造方法について説明する。
本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、例えば、両面に銅箔を積層したプリプレグを硬化して得られた積層板の片側の銅箔に回路加工を施すことにより、一方の面に差動配線９１を、他方の面にグランド層２１を配置した絶縁層（１−ＩＩ）３２を形成し、次いで差動配線９１が形成された面に絶縁層（１−Ｉ）３１を形成するための樹脂フィルムと、グランド層１１を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造できる。

以上述べた本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板では、図３に示す絶縁層（１−Ｉ）３１と絶縁層（１−ＩＩ）３２が上下反対になる構成を、上記と同様に形成して用いることもできる。
次に、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板について説明する。

＜第二実施形態に係る多層伝送線路板＞
図４は、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａを示す模式的断面図である。
図４に示すように、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａは、一対のグランド層１２、２２と、一対のグランド層１２、２２のうち一方のグランド層１２と他方のグランド層２２との間に配置された差動配線９２を含む差動配線層１０２と、差動配線層１０２と一方のグランド層１２との間に配置された絶縁層（２−Ｉ）４１と、差動配線層１０２と他方のグランド層２２との間に配置された絶縁層（２−ＩＩ）４２とを含み、絶縁層（２−ＩＩ）４２は、絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａと絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａに積層された絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの２層以上を有し、絶縁層（２−Ｉ）４１は、繊維基材層であり、絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａは、樹脂層であり、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂは、繊維基材層であり、絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さが、絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さ以下である、多層伝送線路板である。

図４は、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂが、差動配線層１０２と絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａとの間に配置された例を示すものであるが、絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａが、差動配線層１０２と絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂとの間に配置された態様であってもよい。

本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａは、図６に示す従来の多層伝送線路板４Ａにおける絶縁層６２を、樹脂層である絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａ、及び繊維基材層である絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂを有する絶縁層（２−ＩＩ）４２に変更することで誘電率の不均一性を軽減し、取り扱い性を損なうことなくスキューの低減を図ることができる。このとき、前述した理由から、絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａを含む絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さが、繊維基材層である絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さと同じか、又は絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さよりも薄いことが重要である。スキューをより低減させる観点からは、絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さは絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さよりも薄いことが好ましい。また、同様の観点から、絶縁層（２−ＩＩ）４２と絶縁層（２−Ｉ）４１は、差動配線層を中心として非対称であることが好ましい。

絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さは、特に限定されないが、例えば、４０〜４００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、５０〜３００μｍとすることができ、同様の観点から、６０〜２００μｍとすることができる。
絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さは、特に限定されないが、例えば、４０〜４００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、６０〜３００μｍとすることができ、同様の観点から、８０〜２００μｍとすることができる。
絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａの厚さは、特に限定されないが、例えば、１０〜３００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、２０〜２６０μｍとすることができ、同様の観点から、３０〜１５０μｍとすることができる。
絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さは、特に限定されないが、例えば、３０〜３９０μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、４０〜２８０μｍとすることができ、同様の観点から、５０〜１７０μｍとすることができる。
絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａの厚さと、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さとの比〔絶縁層（２−ＩＩＡ）／絶縁層（２−ＩＩＢ）〕は、特に限定されないが、例えば、０．１〜３．０であり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、０．３〜２．０とすることができ、同様の観点から、０．５〜１．８とすることができる。
絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さは、絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さ以下であり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さ未満とすることができる。
また、同様の観点から、絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さと、絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さとの差は、０〜１５０μｍとすることができ、０．０１〜１００μｍとすることができる。

（第二実施形態に係る多層伝送線路板の製造方法）
次に、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａの製造方法について説明する。
本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａは、例えば、両面に銅箔を積層したプリプレグを硬化して得られた積層板の一方の面の銅箔に回路加工を施し、他方の面の銅箔を除去することにより、一方の面に差動配線９２を配置した絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂを形成し、次いで差動配線９２が形成された面に、絶縁層（２−Ｉ）４１を形成するためのプリプレグと、グランド層１２を構成する銅箔とをこの順に積層し、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの差動配線９２とは反対側の面に、絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａを形成するための樹脂フィルムと、グランド層２２を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造できる。

＜第三実施形態に係る多層伝送線路板＞
図５は、本発明の第三実施形態に係る多層伝送線路板３Ａを示す、模式的断面図である。
図５に示すように、本発明の第三実施形態に係る多層伝送線路板３Ａは、一対のグランド層１３、２３と、一対のグランド層１３、２３のうち一方のグランド層１３と他方のグランド層２３との間に配置された差動配線９３を含む差動配線層１０３と、差動配線層１０３と一方のグランド層１３との間に配置された絶縁層（３−Ｉ）５１と、差動配線層１０３と他方のグランド層２３との間に配置された絶縁層（３−ＩＩ）５２とを含み、絶縁層（３−ＩＩ）５２は、絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａと絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａに積層された絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの二層以上を含有し、絶縁層（３−Ｉ）５１は、樹脂層であり、絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａは、樹脂層であり、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂは、繊維基材層である、多層伝送線路板である。

図５は、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂが、差動配線層１０３と絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａとの間に配置された例を示すが、絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａが、差動配線層１０３と絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂとの間に配置されてもよい。

本発明の第三実施形態に係る多層伝送線路板３Ａは、図６に示す従来の多層伝送線路板４Ａにおける絶縁層６２を、樹脂層である絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａ、及び繊維基材層である絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂを有する絶縁層（３−ＩＩ）５２に、絶縁層６１を、樹脂層である絶縁層（３−Ｉ）５１に変更することで、取り扱い性を損なうことなくスキューを低減させることができる。
本発明の第三実施形態に係る多層伝送線路板３Ａは、差動配線層１０３と一方のグランド層１３との間と、差動配線層１０３と他方のグランド層２３との間のいずれにも樹脂層が介在するため、絶縁層（３−Ｉ）５１及び絶縁層（３−ＩＩ）５２の厚さによらず、スキュー低減効果を得られる。

絶縁層（３−Ｉ）５１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０〜３００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、２０〜２５０μｍとすることができ、同様の観点から、３０〜２００μｍとすることができる。
絶縁層（３−ＩＩ）５２の厚さは、特に限定されないが、例えば、４０〜３００μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、６０〜２５０μｍとすることができ、同様の観点から、８０〜２００μｍとすることができる。
絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａの厚さは、特に限定されないが、例えば、１０〜２７０μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、２０〜２１０μｍとすることができ、同様の観点から、３０〜１５０μｍとすることができる。
絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの厚さは、特に限定されないが、例えば、３０〜２９０μｍであり、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、４０〜２３０μｍとすることができ、同様の観点から、５０〜１７０μｍとすることができる。
絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａの厚さと、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの厚さとの比〔絶縁層（３−ＩＩＡ）／絶縁層（３−ＩＩＢ）〕は、特に限定されないが、薄型化と伝送損失低減を両立する観点からは、０．２〜３．０とすることができ、同様の観点から、０．３〜２．０とすることができ、０．５〜１．５とすることができる。

（第三実施形態に係る多層伝送線路板の製造方法）
次に、本発明の第三実施形態に係る多層伝送線路板３Ａの製造方法について説明する。
本発明の第三実施形態に係る多層伝送線路板３Ａは、例えば、両面に銅箔を積層したプリプレグを硬化して得られた積層板の一方の面の銅箔に回路加工を施し、他方の面の銅箔を除去することにより、一方の面に差動配線９３を配置した絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂを形成し、次いで差動配線９３が形成された面に、絶縁層（３−Ｉ）５１を形成するための樹脂フィルムと、グランド層１３を構成する銅箔とをこの順に積層し、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの差動配線９３とは反対側の面に、絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａを形成するための樹脂フィルムと、グランド層２３を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造できる。

本発明の第一、第二、及び第三実施形態のいずれの多層伝送線路板においても、低損失材を用いれば伝送損失が低減され、信号品質を一層向上できる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で変形できる。

なお、本発明の多層伝送線路板は、１ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う電子機器に好適に用いられ、特に１０ＧＨｚ以上の高周波信号又は３０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う電子機器に好適に用いられる。

以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されない。

［合成例１］
（ポリフェニレンエーテル誘導体の製造）
下記手順に従って、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド基を有するポリフェニレンエーテル誘導体を製造した。
温度計、還流冷却管、撹拌装置を備えた加熱及び冷却可能な容積２リットルのガラス製フラスコ容器に、トルエン１９０質量部、ＰＰＯ６４０（ポリフェニレンエーテル、数平均分子量：約１６，０００、ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチックス社製）１００質量部、ｐ−アミノフェノール１．３５質量部を投入し、フラスコ内の温度を９０℃に設定し、保温して撹拌しながら溶解した。溶解を目視で確認後、パーブチル−Ｉ（ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート、日油株式会社製）２質量部とナフテン酸マンガン０．１５質量部とを添加し、溶液温度９０℃で４時間反応させた後、７０℃に冷却して分子末端に一級アミノ基を有するポリフェニレンエーテル化合物を含む反応溶液を得た。
次に上記反応溶液に、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（大和化成工業株式会社製、商品名：ＢＭＩ−４０００）７．２質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル１９０質量部を加えて、攪拌しながら液温を昇温し、１２０℃で保温しながら４時間反応させた後、冷却及び２００メッシュ濾過してポリフェニレンエーテル誘導体を製造した。

［合成例２］
（ポリアミノビスマレイミド化合物の製造）
温度計、還流冷却管、撹拌装置を備えた加熱及び冷却可能な容積１リットルのガラス製フラスコ容器に、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン５０質量部、３，３’−ジメチル−５，５’−ジエチル−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミド（大和化成工業株式会社製、商品名：ＢＭＩ−５１００）５０質量部、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン（三井化学株式会社製、商品名：ビスアニリンＭ）１４質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテル５０質量部を投入し、液温を１２０℃に保ったまま、撹拌しながら３時間反応させた後、冷却及び２００メッシュ濾過してポリアミノビスマレイミド化合物を製造した。

［製造例１］
（熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１の調製）
上記で得られたポリフェニレンエーテル誘導体１００質量部、ポリアミノビスマレイミド化合物４５０質量部、無機充填材としてＡｌＯＯＨ（ベーマイト型水酸化アルミニウム、密度３．０ｇ／ｃｍ^３、河合石灰工業株式会社製）８７０質量部、硬化促進剤としてパーブチル−Ｐ（α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、日油株式会社製）７質量部、Ｇ−８００９Ｌ（イソシアネートマスクイミダゾール、第一工業製薬株式会社製）７質量部、メチルエチルケトン８００質量部を用いて、６０℃で加熱しながら攪拌及び混合して、固形分（不揮発分）濃度約５５質量％の熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１を調製した。

［製造例２］
（熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）２の調製）
ＡｌＯＯＨの使用量を６４０質量部、メチルエチルケトンの使用量を６２０質量部とした以外は、製造例１と同様にして、固形分（不揮発分）濃度約５５質量％の熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）２を調製した。

［製造例３］
（熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）３の調製）
ＡｌＯＯＨの使用量を４６０質量部、メチルエチルケトンの使用量を４７０質量部とした以外は、製造例１と同様にして、固形分（不揮発分）濃度約５５質量％の熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）３を調製した。

［製造例４］
（銅張積層板１の作製）
前記熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１を、厚さ０．１ｍｍのガラスクロス（ＮＥガラス、日東紡績株式会社製、誘電率：４．４）に塗工した後、１６０℃で７分間加熱乾燥して、樹脂含有量（樹脂分）約５４質量％のプリプレグを作製した。このプリプレグの上下に、厚さ１８μｍのロープロファイル銅箔（ＦＶ−ＷＳ、粗化面表面粗さＲｚ：１．５μｍ、古河電気工業株式会社製）を粗化面が接するように配置し、温度２３０℃、圧力３．９ＭＰａ、時間１８０分間の条件で加熱及び加圧を行い、銅張積層板１（厚さ：１３０μｍ）を作製した。なお、熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１を温度２３０℃、時間１８０分の条件で加熱硬化して作製した樹脂板の誘電率を、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したところ、４．４（１０ＧＨｚ）であった。すなわち、銅張積層板１に含まれるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は０であった。

［製造例５］
（銅張積層板２の作製）
熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）を前記熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）２とした以外は、製造例４と同様にして、銅張積層板２（厚さ：１３０μｍ）を作製した。なお、この樹脂ワニスから、製造例４と同様の条件で作製した樹脂板の誘電率を、製造例４と同様の条件で測定したところ、４．０（１０ＧＨｚ）であった。すなわち、銅張積層板２に含まれるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は０．４であった。

［製造例６］
（銅張積層板３の作製）
熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）を前記熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）３とした以外は、製造例４と同様にして、銅張積層板３（厚さ：１３０μｍ）を作製した。なお、この樹脂ワニスから、製造例４と同様の条件で作製した樹脂板の誘電率を、製造例４と同様の条件で測定したところ、３．６（１０ＧＨｚ）であった。すなわち、銅張積層板３に含まれるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は０．８であった。

［実施例１］
（多層伝送線路板１Ａの作製）
図３に示す多層伝送線路板１Ａを次の手順で作製した。
まず、絶縁層（１−ＩＩ）３２の両面に銅箔が形成された積層板（日立化成株式会社製、商品名：ＬＷ−９００Ｇ）を準備した。この積層板の絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さは１３０μｍであり、銅箔の厚さは１８μｍ、絶縁層（１−ＩＩ）３２側の銅箔表面粗さ（Ｒｚ）は３．０μｍである。
次に、前記積層板の片面の銅箔をエッチングでパターニングすることにより、内層回路板Ｐを形成した。すなわち、内層回路板Ｐとは絶縁層（１−ＩＩ）３２の一方の面に差動配線９１を、他方の面にグランド層２１を配置したものを指す。

次に、絶縁層（１−Ｉ）３１を形成するための樹脂フィルムを次の手順で作製した。
まず、温度計、還流冷却管及び攪拌装置を備えた３００ｍＬの４つ口フラスコに、ＢＭＩ−３０００（Ｍｗ：約３０００、デジグナーモレキュールズインコーポレイテッド社製、商品名）１６．８ｇ、ＢＭＩ−１０００（ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、大和化成工業株式会社製、商品名）４．９ｇ、ＮＣ−３０００Ｈ（ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製、商品名）４．０ｇ、ＫＡ１１６５（ノボラック型フェノール樹脂、ＤＩＣ株式会社製、商品名）１．６ｇ、シリカスラリー（球状溶融シリカ、表面処理：フェニルアミノシランカップリング剤（１質量％／スラリー中の全固形分）、分散媒：メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、固形分濃度：７０質量％、平均粒子径：０．５μｍ、密度：２．２ｇ／ｃｍ^３、株式会社アドマテックス製、商品名：ＳＣ−２０５０ＫＮＫ）１０４．４ｇ、パーヘキシン２５Ｂ（２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、日油株式会社製、商品名）０．４２ｇ、２Ｅ４ＭＺ（２−エチル−４メチル−イミダゾール、四国化成工業株式会社製、商品名）０．１１ｇ、トルエン８．９ｇ、メチルエチルケトン２．４ｇを投入し、２５℃で１時間攪拌した後、＃２００ナイロンメッシュ（開口７５μｍ）によりろ過して樹脂組成物を得た。該樹脂組成物を、コンマコーターを用いて、支持基材として厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム（Ｇ２−３８、帝人株式会社製）上に塗工した後、１３０℃で乾燥して、６５μｍ厚の樹脂フィルムを作製した。なお、当該樹脂フィルムを温度２３０℃、時間１８０分の条件で加熱硬化して作製した樹脂板の誘電率を、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したところ、３．０（１０ＧＨｚ）であった。

次に、作製した樹脂フィルムを内層回路板Ｐの差動配線９１側の面に２枚重ね合わせ、温度１２０℃、圧力０．５ＭＰａ、時間４０秒の条件で仮圧着した。更に、仮圧着した樹脂フィルムの差動配線９１とは反対側の面に、グランド層１１を構成する厚さ１８μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ−１８、粗化面表面粗さＲｚ：３．０μｍ）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．０ＭＰａ、時間８０分の条件で積層し、層間接続前の多層伝送線路板を得た。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１１、２１をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリルにより穴を開け、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板１Ａを作製した。

［実施例２］
（多層伝送線路板１Ｂの作製）
実施例１において、樹脂フィルムの厚さを８０μｍに変更した点、及び内層回路板Ｐの差動配線９１側の面に重ねる樹脂フィルムの枚数を１枚に変更した点以外は、実施例１と同様の手順により、多層伝送線路板１Ｂを作製した。

［実施例３］
（多層伝送線路板１Ｃの作製）
実施例１において、樹脂フィルムの厚さを５０μｍに変更した点、及び内層回路板Ｐの差動配線９１側の面に重ねる樹脂フィルムの枚数を１枚に変更した点以外は、実施例１と同様の手順により、多層伝送線路板１Ｃを作製した。

次に、各製造例で得られた銅張積層板１〜３を用いて、図３に示す多層伝送線路板を作製した。

［実施例４］
（多層伝送線路板１Ｄの作製）
まず、前記銅張積層板１の片面の銅箔をエッチングでパターニングすることにより、内層回路板Ｑを形成した。すなわち、内層回路板Ｑとは絶縁層（１−ＩＩ）３２の一方の面に差動配線９１を、他方の面にグランド層２１を配置したものを指す。
次に、実施例１で作製した樹脂フィルムと前記内層回路板Ｑとを用いて、実施例１と同様の工程を経て多層伝送線路板１Ｄを作製した。

［実施例５］
（多層伝送線路板１Ｅの作製）
実施例４において、銅張積層板１を銅張積層板２とした以外は、実施例４と同様にして、多層伝送線路板１Ｅを作製した。

［実施例６］
（多層伝送線路板１Ｆの作製）
実施例４において、銅張積層板１を銅張積層板３とした以外は、実施例４と同様にして、多層伝送線路板１Ｆを作製した。

［実施例７］
（多層伝送線路板２Ａの作製）
図４に示す多層伝送線路板２Ａを次の手順で作製した。
まず、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの両面に銅箔が形成された積層板（日立化成株式会社製、商品名：ＬＷ−９００Ｇ）を準備した。この積層板の絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さは８０μｍであり、銅箔の厚さは１８μｍ、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂ側の銅箔表面粗さ（Ｒｚ）は３．０μｍである。
次に、上記積層板の一方の面の銅箔をエッチングによりパターニングし、他方の面の銅箔をエッチングにより除去することにより、内層回路板Ｒを形成した。すなわち、内層回路板Ｒとは絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの一方の面に差動配線９２を配置したものを指す。

次に、実施例１と同様の手順に従い、５０μｍ厚の半硬化の樹脂フィルムを作製した。

次に、上記樹脂フィルム１枚を内層回路板Ｒの銅箔を除去した面に重ね、温度１２０℃、圧力０．５ＭＰａ、時間４０秒の条件で仮圧着した。次に、厚さが１３０μｍのプリプレグ（日立化成株式会社製、商品名：ＧＷＡ−９００Ｇ）を内層回路板Ｒの差動配線９２側の面に重ね、更に仮圧着した樹脂フィルムの内層回路板Ｒとは反対側の面及び該プリプレグの差動配線９２とは反対側の面にそれぞれグランド層２２、１２を構成する厚さ１８μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ−１８、粗化面表面粗さＲｚ：３．０μｍ）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．０ＭＰａ、時間８０分の条件で積層し、層間接続前の多層伝送線路板を作製した。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１２、２２をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリルにより穴を開け、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板２Ａを作製した。

［実施例８］
（多層伝送線路板２Ｂの作製）
実施例７において、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さを５０μｍに変更した点、及び樹脂フィルムの厚さを８０μｍに変更した点以外は、実施例７と同様にして、多層伝送線路板２Ｂを作製した。

［実施例９］
（多層伝送線路板２Ｃの作製）
実施例７において、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さを５０μｍに変更した点以外は、実施例７と同様にして、多層伝送線路板２Ｃを作製した。

［実施例１０］
（多層伝送線路板３Ａの作製）
図５に示す多層伝送線路板３Ａを、以下の手順で作製した。
まず、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの両面に銅箔が形成された積層板（日立化成株式会社製、商品名：ＬＷ−９００Ｇ）を準備した。絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの厚さは８０μｍであり、銅箔の厚さは１８μｍ、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂ側の銅箔表面粗さ（Ｒｚ）は３．０μｍである。
次に、上記積層板の一方の面の銅箔をエッチングによりパターニングし、他方の面の銅箔をエッチングにより除去することにより、内層回路板Ｓを形成した。すなわち、内層回路板Ｓとは絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの一方の面に差動配線９３を配置したものを指す。

次に、実施例１と同様の手順に従い、５０μｍ厚と６５μｍ厚の半硬化の樹脂フィルムを各々作製した。

次に、５０μｍ厚の樹脂フィルム１枚を内層回路板Ｓの銅箔を除去した面に重ね、６５μｍ厚の樹脂フィルム２枚を内層回路板Ｓの差動配線９３側の面に重ね、それぞれ温度１２０℃、圧力０．５ＭＰａ、時間４０秒の条件で仮圧着した。更に該５０μｍ厚の樹脂フィルムの内層回路板Ｓとは反対側の面及び該６５μｍ厚の樹脂フィルムの差動配線９３とは反対側の面に、それぞれグランド層２３、１３を構成する厚さ１８μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ−１８、粗化面表面粗さＲｚ：３．０μｍ）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．０ＭＰａ、時間８０分の条件で積層し、層間接続前の多層伝送線路板を作製した。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１３、２３をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリルにより穴を開け、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板３Ａを作製した。

［実施例１１］
（多層伝送線路板３Ｂの作製）
実施例１０において、内層回路板Ｓの銅箔を除去した面に仮圧着した樹脂フィルムの厚さを８０μｍに変更した点以外は、実施例１０と同様にして、多層伝送線路板３Ｂを作製した。

［実施例１２］
（多層伝送線路板３Ｃの作製）
実施例１０において、絶縁層（３−ＩＩＢ）５２ｂの厚さを５０μｍに変更した点以外は、実施例１０と同様にして、多層伝送線路板３Ｃを作製した。

［比較例１］
（多層伝送線路板４Ａの作製）
図６に示す多層伝送線路板４Ａを、以下の手順で作製した。
まず、絶縁層６２の両面に銅箔が形成された積層板（日立化成株式会社製、商品名：ＬＷ−９００Ｇ）を準備した。絶縁層６２の厚さは１３０μｍであり、銅箔の厚さは１８μｍ、絶縁層６２側の銅箔表面粗さ（Ｒｚ）は３．０μｍである。
次に、前記積層板の片面の銅箔をエッチングでパターニングすることにより、内層回路板Ｔを形成した。すなわち、内層回路板Ｔとは絶縁層６２の一方の面に差動配線９４を、他方の面にグランド層２４を配置したものを指す。

次に、厚さが１３０μｍのプリプレグ（日立化成株式会社製、商品名：ＧＷＡ−９００Ｇ）を内層回路板Ｔの差動配線９４側の面に重ね、更にそのプリプレグの差動配線９４とは反対側の面に、グランド層１４を構成する厚さ１８μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製、商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ−１８、粗化面表面粗さＲｚ：３．０μｍ）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．０ＭＰａ、時間８０分の条件で積層し、層間接続前の多層伝送線路板を得た。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１４、２４をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリルにより穴を開け、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板４Ａを作製した。

［比較例２］
（多層伝送線路板５Ａの作製）
図７に示す多層伝送線路板５Ａを、以下の手順で作製した。
実施例１において、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さを５０μｍに変更した点以外は、実施例１と同様にして、多層伝送線路板５Ａを作製した。

［比較例３］
（多層伝送線路板６Ａの作製）
実施例７において、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さを１３０μｍに変更した点以外は、実施例７と同様にして、多層伝送線路板６Ａを作製した。

［スキューの測定方法］
上記で得られた各多層伝送線路板のスキューを、以下に示す方法により測定した。
同軸ケーブル（ＨＵＢＥＲ−ＳＵＨＮＥＲ社製、商品名：ＳＵＣＯＦＬＥＸ１０４）を介して接続されたネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製、商品名：Ｎ５２２７Ａ）から差動配線に１０ＧＨｚの高周波信号を入射し、信号が配線を伝搬する際の遅延時間を測定した。配線間の遅延時間差からスキューを算出した。
従来構造を有する比較例１の多層伝送線路板のスキューを１００％と定義し、比較例１のスキューに対する割合（％）をそれぞれ表１〜３に示した。該数値が小さい方が、スキュー低減効果が高いことを示す。

実施例１〜６は、従来構造を有する比較例１の多層伝送線路板４Ａにおいて、繊維基材層の一部を、樹脂層に変更した例である。実施例１〜６は、各々絶縁層の厚さが異なるが、いずれもスキューは１〜８％に大幅に低減している。これは、材料の置き換えにより、誘電率の不均一性が大きく改善されたためであると考えられる。

比較例２は、実施例１の多層伝送線路板１Ａにおいて、絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さを、絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さより薄くした例である。比較例２は、スキューが３９％であり、実施例１に比べてスキュー低減効果が低い。これは、比較例２の多層伝送線路板５Ａでは、差動配線９５とグランド層１５、２５との間に形成される電界が、差動配線９５とグランド層との距離が近い、絶縁層７２側でより強くなるため、繊維基材（ガラスクロス）を含む材料の影響をより強く受けるためであると考えられる。すなわち、誘電率の不均一性の影響をより受けることになり、その結果としてスキュー低減効果が低下すると考えられる。

実施例７〜９は、従来構造を有する比較例１の多層伝送線路板４Ａにおいて、繊維基材層である絶縁層６２の一部を、樹脂層である絶縁層（２−ＩＩＡ）４２ａに変更した例である。実施例７〜９は、いずれもスキューは１３〜２２％に低減している。これは、材料の置き換えにより誘電率の不均一性が大きく改善されたためであると考えられる。

比較例３は、実施例７〜９の多層伝送線路板において、絶縁層（２−ＩＩＢ）４２ｂの厚さを厚くした例である。
比較例３の多層伝送線路板６Ａのように、樹脂層である絶縁層８２ａを積層した場合であっても、樹脂層である絶縁層８２ａを含む絶縁層８２の厚さが、絶縁層８１の厚さよりも厚くなると、比較例２と同様に、繊維基材（ガラスクロス）を含む材料の影響、すなわち誘電率の不均一な層の影響をより受けることになり、その結果としてスキュー低減効果が低下すると考えられる。

実施例１０〜１２は、従来構造を有する比較例１の多層伝送線路板４Ａにおいて、繊維基材層である絶縁層６２の一部を、樹脂層である絶縁層（３−ＩＩＡ）５２ａに変更し、絶縁層６１を樹脂層である絶縁層（３−Ｉ）５１に変更した例である。実施例１０〜１２は、いずれもスキューが１０％未満となり、大幅に低減している。これは、材料の置き換えにより、誘電率の不均一性が大きく改善されたためであると考えられる。

上述した測定結果から、本発明の多層伝送線路板が、複雑なプロセスを用いることなく、差動伝送においてスキューを低減可能であることが分かる。更に、これらの構造はいずれも繊維基材を含んだ絶縁層を有しており、取り扱い性を損なうことなく上記の効果を得ることができる。

１Ａ〜６Ａ 多層伝送線路板
１１〜１６、２１〜２６ グランド層
３１ 絶縁層（１−Ｉ）
３２ 絶縁層（１−ＩＩ）
４１ 絶縁層（２−Ｉ）
４２ 絶縁層（２−ＩＩ）
４２ａ 絶縁層（２−ＩＩＡ）
４２ｂ 絶縁層（２−ＩＩＢ）
５１ 絶縁層（３−Ｉ）
５２ 絶縁層（３−ＩＩ）
５２ａ 絶縁層（３−ＩＩＡ）
５２ｂ 絶縁層（３−ＩＩＢ）
６１、６２、７２、８１、８２ｂ 絶縁層（繊維基材層）
７１、８２ａ 樹脂層
９１〜９６ 差動配線
１０１〜１０６ 差動配線層

Claims (10)

1. 一対のグランド層と、
   前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線層と、
   前記差動配線層と前記一方のグランド層との間に配置された第一絶縁部と、
   前記差動配線層と前記他方のグランド層との間に配置された第二絶縁部とを有し、
   前記第一絶縁部は、樹脂層を有し、
   前記第一絶縁部又は前記第二絶縁部は、繊維基材を含有する繊維基材層を有し、
   前記第一絶縁部の厚さが、前記第二絶縁部の厚さ以下である、多層伝送線路板。
2. 前記第一絶縁部として、絶縁層（１−Ｉ）と、
   前記第二絶縁部として、絶縁層（１−ＩＩ）とを含み、
   前記絶縁層（１−Ｉ）は、樹脂層であり、
   前記絶縁層（１−ＩＩ）は、繊維基材層である、請求項１に記載の多層伝送線路板。
3. 前記第二絶縁部として、絶縁層（２−Ｉ）と、
   前記第一絶縁部として、絶縁層（２−ＩＩ）とを含み、
   前記絶縁層（２−ＩＩ）は、絶縁層（２−ＩＩＡ）と前記絶縁層（２−ＩＩＡ）に積層された絶縁層（２−ＩＩＢ）の二層以上を含有し、
   前記絶縁層（２−Ｉ）は、繊維基材層であり、
   前記絶縁層（２−ＩＩＡ）は、樹脂層であり、
   前記絶縁層（２−ＩＩＢ）は、繊維基材層である、請求項１に記載の多層伝送線路板。
4. 前記樹脂層が、（ａ１）少なくとも２つのイミド結合を有する２価の基及び（ａ２）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を含有する（Ａ）マレイミド基含有化合物を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層伝送線路板。
5. 前記（ａ２）飽和又は不飽和の２価の炭化水素基が、炭素数８〜１００の２価の脂肪族炭化水素基である、請求項４に記載の多層伝送線路板。
6. 前記（Ａ）マレイミド基含有化合物が、Ｎ−脂肪族置換マレイミド基含有化合物である、請求項４又は５に記載の多層伝送線路板。
7. 前記樹脂層が、更にＮ−芳香族置換マレイミド基含有化合物を含有する、請求項６に記載の多層伝送線路板。
8. 前記繊維基材層が、繊維基材と樹脂組成物とを含有する層であり、該繊維基材と該樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の多層伝送線路板。
9. 前記繊維基材の誘電率が５．０以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層伝送線路板。
10. 一対のグランド層と、
    前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線層と、
    前記差動配線層と前記一方のグランド層との間に配置された絶縁層（３−Ｉ）と、
    前記差動配線層と前記他方のグランド層との間に配置された絶縁層（３−ＩＩ）とを含み、
    前記絶縁層（３−ＩＩ）は、絶縁層（３−ＩＩＡ）と前記絶縁層（３−ＩＩＡ）に積層された絶縁層（３−ＩＩＢ）の二層以上を含有し、
    前記絶縁層（３−Ｉ）は、樹脂層であり、
    前記絶縁層（３−ＩＩＡ）は、樹脂層であり、
    前記絶縁層（３−ＩＩＢ）は、繊維基材層である、多層伝送線路板。