JPWO2017110052A1 - ペースト状熱硬化性樹脂組成物、半導体部品、半導体実装品、半導体部品の製造方法、半導体実装品の製造方法 - Google Patents

Abstract

半田付けの際に半田粉の溶融及び凝集を阻害しないペースト状熱硬化性樹脂組成物を提供する。本発明のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、半田粉と、熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有し、半田粉の融点が１００℃以上２４０℃以下であり、熱硬化性樹脂バインダーが、２官能以上のオキセタン化合物及び／又は２個以上のベンゾオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。

Description

本発明は、半田粉を含有するペースト状熱硬化性樹脂組成物、半導体部品、半導体実装品、半導体部品の製造方法、及び半導体実装品の製造方法に関する。

従来、電子部品の実装方法として、バンプ付きの電子部品を基板にはんだ接合することにより実装する方法が使用されている。電子部品のバンプを基板の電極にはんだ接合するだけでは接合性が低下するので、樹脂補強材によって電子部品を部分的に基板に固着して補強することが行われている（例えば、特許文献１を参照）。

はんだ粒子を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いて、半導体部品と回路基板とを接合する方法が知られている（例えば、特許文献２を参照）。この方法では、はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部の周囲を樹脂硬化部が被覆するので、半導体部品の実装構造の耐落下衝撃性が向上している。

パッケージ部品と実装基板とを接合するはんだボールの周囲を囲むように熱硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、パッケージ部品と実装基板との接合強度を向上させる方法も知られている（例えば、特許文献３を参照）。

国際公開第２０１２／０４２８０９号 特開２０１１−１７６０５０号公報 特開２０１２−８４８４５号公報

本発明に係るペースト状熱硬化性樹脂組成物は、半田粉と、熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。半田粉の融点が１００℃以上２４０℃以下であり、熱硬化性樹脂バインダーが、主剤及び硬化剤を含み、主剤が、２官能以上のオキセタン化合物を含む。あるいは、硬化剤が、２個以上のベンゾオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。

本発明によれば、半田粉の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

本発明に係る半導体部品は、半導体パッケージと、第１面に第１パッドが形成された第１基板と、半導体パッケージと第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、第１半田接合部に接触して形成され、第１半田接合部を補強する第１樹脂補強部とを備える。第１樹脂補強部が、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つを含む第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。

本発明に係る半導体実装品は、半導体パッケージと、第１面に第１パッド、第１面の反対側の第２面にランドが形成された第１基板と、半導体パッケージと第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、第１半田接合部に接触して形成され、第１半田接合部を補強する第１樹脂補強部とを備える。また、一面に第２パッドが形成された第２基板と、ランドと第２パッドとを電気的に接続する第２半田接合部と、第２半田接合部に接触して形成され、第２半田接合部を補強する第２樹脂補強部とを備える。第１樹脂補強部が、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つを含む第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第２樹脂補強部が、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つを含む第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。

本発明に係る半導体部品の製造方法は、以下の工程Ａ１〜Ｄ１を含む。工程Ａ１：第２面に第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第２面の反対側の第１面に第１パッドが形成された第１基板とを準備する工程、工程Ｂ１：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第１パッドに印刷する工程、工程Ｃ１：第１半田バンプを第１パッドに配置する工程、工程Ｄ１：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ及び第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。

本発明に係る半導体実装品の製造方法は、以下の工程Ａ２〜Ｈ２を含む。工程Ａ２：一面に第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第１面に第１パッド、第１面の反対側の第２面にランドが形成された第１基板と、一面に第２パッドが形成された第２基板とを準備する工程、工程Ｂ２：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第１パッドに印刷する工程、工程Ｃ２：第１半田バンプを第１パッドに配置する工程、工程Ｄ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ及び第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程、工程Ｅ２：ランドに第２半田バンプを形成する工程、工程Ｆ２：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第２パッドに印刷する工程、工程Ｇ２：第２半田バンプを第２パッドに配置する工程、工程Ｈ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ、第１基板及び第２基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。

本発明によれば、半田粉の凝集状態が良好である。

図１は、本発明の実施の形態２に係る半導体部品を示すと共に、本発明の実施の形態２に係る半導体実装品の製造方法における工程Ｅ２を示す概略断面図である。 図２Ａは、図１に示す半導体部品の一部を示す概略断面図である。 図２Ｂは、図１に示す半導体部品の他の一部を示す概略断面図である。 図３は、図１に示す半導体部品の製造方法における工程Ａ１、及び半導体実装品の製造方法における工程Ａ２を示す概略断面図である。 図４は、図１に示す半導体部品の製造方法における工程Ｂ１、及び半導体実装品の製造方法における工程Ｂ２を示す概略断面図である。 図５は、図１に示す半導体部品の製造方法における工程Ｃ１及び工程Ｄ１、並びに半導体実装品の製造方法における工程Ｃ２及びＤ２を示す概略断面図である。 図６Ａは、図５の一部を拡大した概略断面図である。 図６Ｂは、図１に示す半導体部品の一部を示す概略断面図である。 図６Ｃは、図１に示す半導体部品の他の一部を示す概略断面図である。 図７は、本発明の実施の形態２に係る半導体実装品を示す概略断面図である。 図８は、図７に示す半導体実装品の製造方法における工程Ｆ２を示す概略断面図である。 図９は、図７に示す半導体実装品の製造方法における工程Ｇ２及び工程Ｈ２を示す概略断面図である。 図１０は、本発明の実施の形態３に係る半導体部品を示すと共に、本発明の実施の形態３に係る半導体実装品の製造方法における工程Ｅ２を示す概略断面図である。 図１１Ａは、図１０に示す半導体部品の一部を示す概略断面図である。 図１１Ｂは、図１０に示す半導体部品の他の一部を示す概略断面図である。 図１２は、図１０に示す半導体部品の製造方法における工程Ａ３、及び半導体実装品の製造方法における工程Ａ４を示す概略断面図である。 図１３は、図１０に示す半導体部品の製造方法における工程Ｂ３、及び半導体実装品の製造方法における工程Ｂ４を示す概略断面図である。 図１４は、図１０に示す半導体部品の製造方法における工程Ｃ３及び工程Ｄ３、並びに半導体実装品の製造方法における工程Ｃ４及びＤ４を示す概略断面図である。 図１５Ａは、図１４の一部を拡大した概略断面図である。 図１５Ｂは、図１０に示す半導体部品の一部を示す概略断面図である。 図１５Ｃは、図１０に示す半導体部品の他の一部を示す概略断面図である。 図１６は、本発明の実施の形態３に係る半導体実装品を示す概略断面図である。 図１７は、図１６に示す半導体実装品の製造方法における工程Ｆ４を示す概略断面図である。 図１８は、図１６に示す半導体実装品の製造方法における工程Ｇ４及び工程Ｈ４を示す概略断面図である。

本発明の実施の形態の説明に先立ち、従来の装置における問題点を簡単に説明する。

特許文献２のように半田粉を含有するペースト状熱硬化性樹脂組成物については、次のような問題点がある。半田付けの際に半田粉は溶融し、半田同士が凝集して一体化（メタライズ）する。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のように比較的融点の高い半田粉を用いる場合に、一般的なエポキシ樹脂を熱硬化性樹脂バインダーとして用いると、この熱硬化性樹脂バインダーが上記の半田同士の凝集を阻害するようになる。このように半田粉の自己凝集が阻害されてしまうと、電気的な導通不良が発生する。

上記の原因の１つとして、溶融した半田同士が凝集する速度に比べて、熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度が速すぎることが挙げられる。この場合、半田粉が溶融して自己凝集するよりも速く、熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応が終了し得るため、熱硬化性樹脂バインダーの硬化物が半田粉同士の間に絶縁物として形成されてしまうと考えられる。

半田粉の自己凝集が阻害される別の原因として、半田粉の融点に比べて、熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低すぎることが挙げられる。この場合、半田付けの際の加熱により、先に熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度に達し、その後、半田粉の融点に達することが起こり得る。そのため、半田粉が溶融する前に、熱硬化性樹脂バインダーが先に硬化し始めて、半田粉同士の間に電気的な絶縁物が形成されてしまうと考えられる。

これまでの技術では、熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度を遅くしたり、熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度を高めたりすることが困難である。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、半田粉の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができるペースト状熱硬化性樹脂組成物を提供することを目的とする。

以下、本発明の実施の形態を説明する。

（実施の形態１）
［ペースト状熱硬化性樹脂組成物］
本実施の形態のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、半田粉と、熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。以下ではペースト状熱硬化性樹脂組成物を構成するこれらの成分について説明する。

（半田粉）
半田粉の具体例として、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系（ＳＡＣ系）、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系、及びＰｂ−Ａｇ系の半田粉が挙げられる。鉛は人体及び環境に有害であるので鉛フリーはんだが好ましい。鉛フリーはんだの具体例として、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ系の半田粉が挙げられる。半田粉を構成する各金属の含有率は特に限定されない。

半田粉の融点は１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。半田粉の融点が１００℃未満である場合、半田自身が弱くなり、溶融一体化しても十分な強度が得られないおそれがある。半田粉の融点が２４０℃を超える場合、２４０℃を超える温度で硬化反応を開始する熱硬化性樹脂バインダーは今のところ見つかっていないので、現状の熱硬化性樹脂バインダーを使用すると、半田付けの際に半田粉の自己凝集が阻害される可能性が高い。

上述のように半田粉は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の粉末であってよい。Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の融点は２１８〜２１９℃である。このようにＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田は融点が高く、ぬれ性があまり良くないという欠点があるが、信頼性が高いという利点がある。上記のような欠点を有するＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の粉末であっても、本実施の形態のペースト状熱硬化性樹脂組成物において半田粉として用いるようにすれば、上記の欠点を克服しつつ、信頼性が高いという利点をそのまま得ることができる。

上述のように、半田粉は、Ｓｎ−Ｂｉ系半田の粉末であってもよい。Ｓｎ−Ｂｉ系半田の融点は１３８〜１３９℃である。このようにＳｎ−Ｂｉ系半田は融点が低く、ぬれ性が良好であるという利点があり、本実施の形態のペースト状熱硬化性樹脂組成物において半田粉として用いるようにすれば、上記の利点をそのまま得ることができる。

半田粉の平均粒径は３μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。ここで、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。半田粉の平均粒径が３μｍ以上であることによって、ペースト状熱硬化性樹脂組成物の粘度及びチクソ性が高くなり過ぎることを抑制することができる。半田粉の平均粒径が３０μｍ以下であることによって、ファインピッチの印刷を容易に行うことができる。半田粉の粒度分布は、ペースト状熱硬化性樹脂組成物の用途に応じて適宜定められる。例えば、印刷用途では、印刷性を重視して、比較的広い粒度分布の半田粉を用い、ディスペンス用途では、ノズル径に応じた比較的狭い粒度分布の半田粉を用いることが好ましい。

ペースト状熱硬化性樹脂組成物の全質量に対して、半田粉の含有量は２０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上８５質量％以下であることがより好ましい。半田粉の含有量が２０質量％以上であることによって、半田粉の溶融時における自己凝集が阻害されにくくなったり、凝固した後における導電性の低下を抑制したりすることができる。半田粉の含有量が９０質量％以下であることによって、熱硬化性樹脂組成物をペースト状にすることができる。

（熱硬化性樹脂バインダー）
熱硬化性樹脂バインダーは、半田粉を粘性のあるペーストにするために練り込む場合の半田粉間のつなぎとなるものである。このような熱硬化性樹脂バインダーは、主剤及び硬化剤を含む。以下では主剤及び硬化剤について説明する。

＜主剤＞
主剤は、２官能以上のオキセタン化合物を含む。２官能以上のオキセタン化合物は、オキセタン環を２つ以上持っている化合物である。オキセタン環は、酸素を１つ含む飽和の４員環である。以下では、特に断らない限り、単にオキセタン化合物といえば、２官能以上のオキセタン化合物を意味する。オキセタン化合物の４員環が開環して架橋することにより硬化反応が進行する。４員環は３員環に比べて開環する速度が遅いため、３員環を有する主剤に比べて４員環を有する主剤の方が硬化反応の速度を遅くすることができる。具体的には、３員環を有する化合物の代表例としてエポキシ化合物が挙げられる。このエポキシ化合物を主剤として使用する場合に比べて、オキセタン化合物を主剤として使用する方が、熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度を遅くすることができる。このように硬化速度が遅くなると、半田粉の溶融時における自己凝集を熱硬化性樹脂バインダーが阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。また、固形である半田粉がペースト状熱硬化性樹脂組成物の全質量に占める割合が比較的多くなることがある。このため、ペースト状の形態を保持する観点から、オキセタン化合物は常温（例えば２０℃以上４０℃以下）で液状であることが好ましい。なお、オキセタン環を１つのみ持つ１官能のオキセタン化合物が主剤に含まれていてもよい。

オキセタン化合物は、下記式（Ｏ１）〜（Ｏ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物であることが好ましい。

式（Ｏ１）のオキセタン化合物は、４，４’−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル］ビフェニルである。式（Ｏ１）のオキセタン化合物は、２つのベンゼンが単結合でつながった構造（ビフェニル骨格）を持っており、このビフェニル骨格は、ビスフェノールの基本骨格と類似している。そのため、式（Ｏ１）のオキセタン化合物は、ビスフェノールＦ型などのエポキシ化合物との相溶性が良好である。

式（Ｏ２）のオキセタン化合物は、ビス［（３−エチルオキセタン−３−イル）メチル］ベンゼン−１，３−ジカルボキシレートである。

式（Ｏ３）のオキセタン化合物は、キシリレンビスオキセタンである。

主剤の全質量に対して、オキセタン化合物は５０質量％以上であることが好ましく、１００質量％でもよい。オキセタン化合物が５０質量％以上を占めていれば、主剤にオキセタン化合物以外の成分が含まれていても、オキセタン化合物以外の成分の影響を受けにくくなり、熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度を遅くすることができる。

主剤が、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含むことが好ましい。２官能以上のエポキシ化合物は、エポキシ基を２つ以上持つ化合物である。エポキシ基は、３員環のエーテルであるオキサシクロプロパン（オキシラン）である。以下では、特に断らない限り、単にエポキシ化合物といえば、２官能以上のエポキシ化合物を意味する。上述のように、硬化反応の過程において、オキセタン化合物の４員環の開環速度は遅く、エポキシ化合物の３員環の開環速度は速い。そのため、オキセタン化合物とエポキシ化合物の量を調整して両者を併用すれば、熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度を遅めにしたり速めにしたりして調整することができる。さらにエポキシ化合物が含まれていると、最終的に熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、硬化物の強度を高めることもできる。オキセタン化合物とエポキシ化合物を併用する場合、相溶性を高めるため、両者の構造は類似していることが好ましい。例えば、上述のようにビフェニル骨格を持つオキセタン化合物は、ビスフェノールＦ型などのエポキシ化合物との相溶性が良好である。

＜硬化剤＞
硬化剤は、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。オキサジン環は、下記式（Ｂ０）の矢印の左側に示すように、１つの酸素原子と１つの窒素原子を含む６員環の複素環である。以下では、特に断らない限り、単にベンゾオキサジン化合物といえば、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を意味する。下記式（Ｂ０）に示すように、ベンゾオキサジン化合物は加熱されて２００℃前後になると、オキサジン環の−Ｏ−ＣＨ_２−間の結合が切断されて開環し、フェノール性水酸基及び第三級アミンが生成する。このようにして生成された第三級アミンが硬化促進剤として働くので、他の硬化促進剤の添加は不要である。フェノール性水酸基は主剤と反応して硬化反応が進行し、硬化物の架橋密度を上げることができる。このように硬化剤がベンゾオキサジン化合物を含む場合、２００℃前後にならないとオキサジン環が開環しないので、硬化反応の開始温度を高めることができる。従来は半田粉の融点に比べて熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が著しく低かったため、先に熱硬化性樹脂バインダーが硬化反応を開始し、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害していた。しかし、硬化開始温度が２００℃前後であれば、半田粉の融点が２４０℃であっても、半田粉の溶融時における自己凝集を熱硬化性樹脂バインダーが阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。つまり、半田粉の融点に到達した時点では、半田の自己凝集を阻害するほど熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応は進行していない。しかも、硬化剤がベンゾオキサジン化合物を含む場合、主剤と硬化剤とを常温で混合しただけでは硬化反応は進行しにくくなるので、ポットライフを長くすることができる。なお、一般的な硬化剤としてジシアンジアミドが知られているが、ジシアンジアミド単独では硬化反応が進行しないので、硬化促進剤の添加が必要となる。しかし、ジシアンジアミドに硬化促進剤を添加すると硬化反応が急速に進行するため、ベンゾオキサジン化合物と同様の効果を得ることは困難である。

ベンゾオキサジン化合物は、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物であることが好ましい。

式（Ｂ１）のベンゾオキサジン化合物は、Ｐ−ｄ型のベンゾオキサジン化合物である。式（Ｂ１）のベンゾオキサジン化合物は、オキサジン環が開環しても、アニリンを発生させないので、硬化物の耐湿性の低下を抑制することができる。

式（Ｂ２）のベンゾオキサジン化合物は、ビスフェノールＦ型のベンゾオキサジン化合物である。式（Ｂ３）のベンゾオキサジン化合物は、ビスフェノールＳ型のベンゾオキサジン化合物である。式（Ｂ２）と式（Ｂ３）のベンゾオキサジン化合物は、化学構造的に式（Ｏ１）のオキセタン化合物及びビスフェノールＦ型などのエポキシ化合物と類似しているため、これらの化合物との相溶性が良好である。

主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が１０質量部以上４０質量部以下であることが好ましい。ベンゾオキサジン化合物が１０質量部以上であることによって、最終的に熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、熱硬化性樹脂バインダーの硬化物の強度を高めることができる。ベンゾオキサジン化合物が４０質量部以下であることによって、熱硬化性樹脂バインダーが急速に硬化することを抑制することができ、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。

（活性剤）
活性剤は、フラックスとも呼ばれる。活性剤は、特に半田粉の溶融時において、半田粉の個々の粒子の表面を覆っている酸化膜を除去し、酸化を抑制し、かつ、表面張力を下げてぬれ性を促進させるための溶剤である。このような働きを有するものであれば、活性剤は特に限定されない。活性剤は、好ましくは、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む。活性剤は、より好ましくは、相乗効果の観点から、グルタル酸及びトリエタノールアミンの両方を含む。これらの活性剤は、半田粉の融点が２４０℃でも分解せずに安定しており、このような高温でも上記の働きを維持することができる。しかもこれらの活性剤は、半田付け後に変性物（フラックス残渣）として残存しにくく、ペースト状熱硬化性樹脂組成物の粘度を低くするのにも有効である。

（チクソ性付与剤）
チクソ性付与剤は、ペースト状熱硬化性樹脂組成物にチクソ性を付与する添加剤である。チクソ性は、ペースト状熱硬化性樹脂組成物の印刷時に重要となる性質の１つである。チクソ性がペースト状熱硬化性樹脂組成物に付与されていると、例えば、スクリーン印刷による印刷後において、印刷面からスクリーン版を離す際に、糸引きが発生することを抑制することができる。チクソ性付与剤は特に限定されない。好ましくは、チクソ性付与剤は、アミド系ワックスを含む。アミド系ワックスの具体例として、Ｎ−ヒドロキシエチル−１２−ヒドロキシステアリルアミドが挙げられる。

［ペースト状熱硬化性樹脂組成物の製造方法］
本実施の形態のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造することができる。

まず、チクソ性付与剤と、主剤となるオキセタン化合物と、必要に応じてその他の主剤（例えばエポキシ化合物）とを配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得る。

次に、第１混合物に、活性剤と硬化剤（例えばベンゾオキサジン化合物）とを配合し、これをプラネタリーミキサー等の混練機で混練することにより、第２混合物を得る。なお、活性剤及び硬化剤については、固形の場合、均一に分散させる観点から、例えば、規格番号ＪＩＳ Ｚ ８８０１、目開き１２５μｍ、線径９０μｍ、平織の篩を通過したものを用いることが好ましい。

最後に、第２混合物に半田粉を配合し、これを引き続き上記の混練機で混練することにより、ペースト状熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。

以上のように、本実施の形態のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、半田粉と、熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。半田粉の融点が１００℃以上２４０℃以下である。熱硬化性樹脂バインダーが、主剤及び硬化剤を含む。主剤が、２官能以上のオキセタン化合物を含む。

これにより、半田粉の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

また、オキセタン化合物が、下記式（Ｏ１）〜（Ｏ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物であってもよい。

また、主剤の全質量に対して、オキセタン化合物が５０質量％以上であってもよい。

また、硬化剤が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでもよい。

また、半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の粉末であってもよい。

また、半田粉が、Ｓｎ−Ｂｉ系半田の粉末であってもよい。

また、半田粉の平均粒径が３μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。

また、主剤が、２官能以上のエポキシ化合物を含んでもよい。

また、活性剤が、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含んでもよい。

また、チクソ性付与剤が、アミド系ワックスを含んでもよい。

また、本実施の形態のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、半田粉と、熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。半田粉の融点が１００℃以上２４０℃以下である。熱硬化性樹脂バインダーが、主剤及び硬化剤を含む。硬化剤が、２個以上のベンゾオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。

これにより、半田粉の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

また、ベンゾオキサジン化合物が、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物であってもよい。

また、主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が１０質量部以上４０質量部以下であってもよい。

また、主剤が、２官能以上のオキセタン化合物を含んでもよい。

（実施の形態２）
［半導体部品］
図１は、本発明の実施の形態２に係る半導体部品２を示す概略断面図である。半導体部品２は、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、第１半田接合部４１と、第１樹脂補強部５１とを備えている。以下では半導体部品２を構成するこれらの要素について説明する。なお、半導体部品２において、半導体パッケージ５を上、第１基板３１を下にして上下方向を規定するが、これは、説明する上での便宜的な規定に過ぎない。さらに「第１」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

（半導体パッケージ）
半導体パッケージ５は特に限定されない。半導体パッケージ５の具体例として、ＢＧＡ（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。

（第１基板）
第１基板３１は、プリント配線板であり、特に限定されない。第１基板３１の上面には第１パッド２１が形成されている。第１パッド２１は、少なくとも１つ以上形成されている。後述の第２基板３２に半導体部品２を実装する場合には、第１基板３１は、インターポーザであってよい。この場合、第１基板３１の下面にランド６１が形成され、ランド６１に第２半田バンプ８が形成されていることが好ましい。このようなインターポーザとしての第１基板３１によって、半導体部品２における半導体パッケージ５の配線ピッチを第２基板３２の配線ピッチに変換することができる。

（第１半田接合部）
第１半田接合部４１は、半導体パッケージ５と、第１基板３１の上面の第１パッド２１とを電気的に接合している。

第１半田接合部４１の融点は、１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。第１半田接合部４１の融点が１００℃未満である場合、半田自身が弱くなり、十分な強度が得られないおそれがある。第１半田接合部４１の融点が２４０℃を超える場合、第１樹脂補強部５１を形成する、後述の第１熱硬化性樹脂バインダーが、半田付けの際に半田粉の自己凝集を阻害する可能性が高くなる。

第１半田接合部４１は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第１半田接合部４１の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

（第１樹脂補強部）
第１樹脂補強部５１は、第１半田接合部４１に接触して形成され、第１半田接合部４１を補強している。第１樹脂補強部５１は、半導体パッケージ５の下面及び第１基板３１の上面の少なくともいずれかと接触している。

第１樹脂補強部５１は、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第１熱硬化性樹脂バインダーは、実施の形態１のペースト状熱硬化性樹脂組成物における熱硬化性樹脂バインダーと同様である。つまり、第１熱硬化性樹脂バインダーは、２官能以上のオキセタン化合物を含んでいる。そのため、半田付けのための加熱時には、半田粉が溶融して一体化する速度に比べて、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度が遅くなる。このようにして第１熱硬化性樹脂バインダーが、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。こうして、第１半田接合部４１が形成される。形成された第１半田接合部４１における半田粉の凝集状態は良好である。

第１熱硬化性樹脂バインダーは、さらに２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでいることが好ましい。これにより、半田付けのための加熱時には、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が高くなる。このことは、半田粉の融点に比べて第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が高いことを必ずしも意味するのではなく、半田粉の融点に比べて第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低すぎないことを意味する。第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応の進行具合にもよるが、一応の目安として、半田粉の融点が高く、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低い場合、両者の差は４０℃以内であることが好ましい。このようにして、第１熱硬化性樹脂バインダーが、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。第１半田接合部４１における半田粉の凝集状態はより良好となる。

第１熱硬化性樹脂バインダーは、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含んでいることが好ましい。これにより、最終的に第１熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物である第１樹脂補強部５１の強度を高めることができる。

図２Ａは、図１に示す半導体部品２の一部を示す概略断面図である。図２Ａに示すように、第１半田接合部４１が外部に露出しないように、第１半田接合部４１の側面全体が第１樹脂補強部５１で被覆されていてもよい。この場合、第１樹脂補強部５１は、半導体パッケージ５の下面及び第１基板３１の上面とも接触しているため、第１樹脂補強部５１による第１半田接合部４１の補強効果が向上する。

図２Ｂは、図１に示す半導体部品２の他の一部を示す概略断面図である。図２Ｂに示すように、第１半田接合部４１の一部が外部に露出するように、第１樹脂補強部５１に隙間９が設けられていてもよい。第１半田接合部４１は、融点以上に加熱されると再度溶融して膨張するため、第１半田接合部４１の側面全体が第１樹脂補強部５１で被覆されていると、溶融した半田の行き場がなくなり、第１樹脂補強部５１が破裂して半田フラッシュ又は半田ブリッジが発生するおそれがある。図２Ｂのように、第１樹脂補強部５１に隙間９が設けられていると、第１半田接合部４１が溶融しても、体積が増加した分の半田は隙間９を通って一旦外部に出る。その後、融点未満の温度に冷却されると、外部に出ていた半田は隙間９を通って元の場所に戻って第１半田接合部４１を再度形成するので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生が抑制される。図２Ｂでは、第１樹脂補強部５１が半導体パッケージ５の下面に接触しないようにして隙間９が設けられているが、隙間９の形成箇所は特に限定されない。なお、一旦形成された第１半田接合部４１が再度融点以上に加熱されないのであれば、第１樹脂補強部５１に隙間９が設けられていなくてもよい。例えば、１次実装後に２次実装を行う場合には、１次実装した箇所が２次実装時に再度加熱され得るので、１次実装では図２Ｂに示す形態が採用されることが好ましい。

［半導体部品の製造方法］
本実施の形態の半導体部品２の製造方法は、工程Ａ１〜工程Ｄ１を含む。以下では各工程について順に説明する。

（工程Ａ１）
図３は、図１に示す半導体部品２の製造方法における工程Ａ１を示す概略断面図である。工程Ａ１では、図３に示すように、半導体パッケージ５と、第１基板３１とを準備する。

半導体パッケージ５は、上述のように具体的にはチップサイズパッケージ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ（ＣＳＰ））などである。半導体パッケージ５の下面には第１半田バンプ６が形成されている。第１半田バンプ６は、少なくとも１つ以上形成されている。第１半田バンプ６は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第１半田接合部４１の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

第１基板３１は、上述のように具体的にはプリント配線板である。第１基板３１の上面には第１パッド２１が形成されている。第１パッド２１は、第１半田バンプ６と同数形成されている。第１半田バンプ６と第１パッド２１とは、半導体パッケージ５の下面と第１基板３１の上面とを対向させたときに１対１に対応するように形成されている。第１基板３１の下面にはランド６１が形成されていてもよい。ランド６１は、２次実装に利用することができる。

（工程Ｂ１）
図４は、図１に示す半導体部品２の製造方法における工程Ｂ１を示す概略断面図である。工程Ｂ１では、図４に示すように、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１を第１基板３１の第１パッド２１に塗布する。第１基板３１に複数の第１パッド２１が形成されている場合には、第１パッド２１ごとに第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１を塗布することが好ましい。

ここで、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１は、実施の形態１のペースト状熱硬化性樹脂と同様である。すなわち、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１は、半田粉と、第１熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。第１熱硬化性樹脂バインダーは、主剤及び硬化剤を含む。主剤は、オキセタン化合物を含む。

このように、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１は、融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２官能以上のオキセタン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。オキセタン化合物が含有されていることにより、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度を遅くすることができる。したがって、半田粉の溶融時における自己凝集を第１熱硬化性樹脂バインダーが阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。

半田粉は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１は、さらに２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含有することが好ましい。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。

第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１は、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含有することが好ましい。このように、さらにエポキシ化合物が含有されていると、最終的に第１熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、硬化物の強度を高めることができる。

第１基板３１の第１パッド２１への第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１の塗布の方法は特に限定されない。塗布方法の具体例として、スクリーン印刷、及びディスペンス法が挙げられる。

（工程Ｃ１）
図５は、図１に示す半導体部品２の製造方法における工程Ｃ１及び工程Ｄ１を示す概略断面図である。工程Ｃ１では、図５に示すように、半導体パッケージ５の第１半田バンプ６を第１基板３１の第１パッド２１に配置する。このとき第１半田バンプ６と第１パッド２１との間に第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１が介在している。

（工程Ｄ１）
工程Ｄ１では、図５に示す状態で、ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５及び第１基板３１を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。加熱時間の上限は特に限定されないが、例えば１０分であり、特にピーク温度での加熱時間の上限は例えば１分である。図６Ａは、図５の一部を拡大した概略断面図である。半田粉４及び第１熱硬化性樹脂バインダー７を含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１が第１パッド２１に塗布され、第１半田バンプ６と接触している。活性剤及びチクソ性付与剤は図示省略されている。ピーク温度は、基本的には第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１に含有される半田粉４の融点より２０〜３０℃高い温度に設定される。

ここで、第１半田バンプ６及び半田粉４の材質によって、（１）第１半田バンプ６の融点と半田粉４の融点とが同じである場合、（２）第１半田バンプ６の融点が低く、半田粉４の融点が高い場合、（３）第１半田バンプ６の融点が高く、半田粉４の融点が低い場合の３つの場合が想定される。

図６Ｂは、図１に示す半導体部品２の一部を示す概略断面図である。（１）及び（２）の場合、ピーク温度を半田粉４の融点より２０〜３０℃高い温度に設定すれば、第１半田バンプ６も溶融させることができる。そのため、図６Ａに示す状態から、図６Ｂに示すように、第１半田バンプ６及び半田粉４の両方が溶融して渾然一体となって強固な第１半田接合部４１が形成される。しかも、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１にはオキセタン化合物が含有されているので、第１半田バンプ６及び半田粉４の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。

図６Ｃは、図１に示す半導体部品２の他の一部を示す概略断面図である。（３）の場合、ピーク温度を半田粉４の融点より２０〜３０℃高い温度に設定しても、第１半田バンプ６が溶融しないことがある。この場合の一例として、第１半田バンプ６がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉４がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合が挙げられる。この場合、ピーク温度を１６０℃に設定しても、第１半田バンプ６は溶融しない。そのため、図６Ａに示す状態から、図６Ｃに示すように、半田粉４のみが溶融して、くびれた部分を有する第１半田接合部４１が形成される。このくびれた部分において、第１半田バンプ６と、半田粉４が溶融後に一体化した半田との界面が存在する。図６Ｂに示す第１半田接合部４１に比べて、図６Ｃに示す第１半田接合部４１はくびれた部分があるため強度的には弱くなる。しかし、第１樹脂補強部５１で補強されているため、総合的には信頼性に特に問題はない。好ましくは、（３）の場合には、ピーク温度を第１半田バンプ６の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすれば、第１半田バンプ６及び半田粉４の両方が溶融するので、図６Ｂに示す強固な第１半田接合部４１を形成することができる。例えば、第１半田バンプ６がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉４がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合には、ピーク温度を２４０℃に設定すればよい。なお、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１にはオキセタン化合物が含有されているので、ピーク温度が半田粉４の融点以上であれば、半田粉４の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。好ましくは、上述のようにピーク温度を第１半田バンプ６の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすると、第１半田バンプ６及び半田粉４の両方が溶融し、これらの溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなり、くびれた部分のない強固な第１半田接合部４１を形成することができる。

ピーク温度に至るまでの昇温速度は、１℃／秒以上４℃／秒以下であることが好ましい。昇温速度が１℃／秒以上であることによって、半田粉４の融点に到達する前に、第１熱硬化性樹脂バインダー７の硬化反応が進行して、粘度が上昇することを抑制することができる。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。昇温速度が４℃／秒以下であることによって、活性剤の還元作用で半田粉４の酸化膜を除去する時間を十分に確保することができる。これにより、半田のぬれ性をさらに促進することができる。加熱開始温度は通常は常温であるが、特に限定されない。

リフロー半田付けが終了すると、図１に示すような半導体部品２を得ることができる。半導体部品２の第１基板３１の下面のランド６１に、第２半田バンプ８を形成しているが、２次実装しない場合には、ランド６１及び第２半田バンプ８は不要である。第１樹脂補強部５１には活性剤及びチクソ性付与剤が残存していないことが好ましい。しかし、信頼性を損なわなければ、微量の活性剤及びチクソ性付与剤が残存していてもよい。したがって、これらを洗浄により除去する必要はない。

上述のように、本実施の形態においては、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１がオキセタン化合物を含有しているので、半田粉４の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉４が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

［半導体実装品］
図７は、本発明の実施の形態２に係る半導体実装品３を示す概略断面図である。半導体実装品３は、半導体パッケージ５と、第１基板３１と、第１半田接合部４１と、第１樹脂補強部５１と、第２基板３２と、第２半田接合部４２と、第２樹脂補強部５２とを備えている。半導体実装品３を構成するこれらの要素について説明する。なお、半導体実装品３において、半導体パッケージ５を上、第２基板３２を下にして上下方向を規定するが、これは、説明する上での便宜的な規定に過ぎない。さらに「第１」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

（半導体パッケージ）
半導体パッケージ５は特に限定されない。半導体パッケージ５の具体例として、ＢＧＡ、ＣＳＰが挙げられる。

（第１基板及び第２基板）
第１基板３１及び第２基板３２は、プリント配線板であり、特に限定されない。第１基板３１の上面には第１パッド２１が形成されている。第１パッド２１は、少なくとも１つ以上形成されている。第１基板３１の下面にはランド６１が形成されている。ランド６１は、少なくとも１つ以上形成されている。第１基板３１は、インターポーザとして機能するので、半導体パッケージ５の配線ピッチを第２基板３２の配線ピッチに変換することができる。第２基板３２の上面には第２パッド２２が形成されている。第２パッド２２は、第１基板３１のランド６１と同数形成されている。第２基板３２は、マザーボード又はメインボードとなり得る。

（第１半田接合部及び第２半田接合部）
第１半田接合部４１は、半導体パッケージ５と、第１基板３１の上面の第１パッド２１とを電気的に接合している。

第２半田接合部４２は、第１基板３１の下面のランド６１と第２基板３２の上面の第２パッド２２とを電気的に接合している。

第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２の融点は、１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２の融点が１００℃未満である場合、半田自身が弱くなり、十分な強度が得られないおそれがある。第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２の融点が２４０℃を超える場合、第１樹脂補強部５１を形成する、後述の第１熱硬化性樹脂バインダーと第２樹脂補強部５２を形成する、後述の第２熱硬化性樹脂バインダーとが、半田付けの際に半田粉の自己凝集を阻害する可能性が高くなる。

第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

（第１樹脂補強部及び第２樹脂補強部）
第１樹脂補強部５１は、第１半田接合部４１に接触して形成され、第１半田接合部４１を補強している。第１樹脂補強部５１は、半導体パッケージ５の下面及び第１基板３１の上面の少なくともいずれかと接触している。

第２樹脂補強部５２は、第２半田接合部４２に接触して形成され、第２半田接合部４２を補強している。第２樹脂補強部５２は、第１基板３１の下面及び第２基板３２の上面の少なくともいずれかと接触している。

第１樹脂補強部５１は、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第２樹脂補強部５２は、第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーは、上述のペースト状熱硬化性樹脂組成物における熱硬化性樹脂バインダーと同様である。つまり、第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーは、２官能以上のオキセタン化合物を含んでいる。そのため、半田付けのための加熱時には、半田粉が溶融して一体化する速度に比べて、第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度が遅くなる。このようにして第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーが、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２における半田粉の凝集状態は良好である。なお、第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの構成成分の具体的な種類及び含有量は同じでも異なっていてもよい。

第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方は、さらに２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでいることが好ましい。これにより、半田付けのための加熱時には、第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方の硬化開始温度が高くなる。このことは、例えば第１熱硬化性樹脂バインダーがベンゾオキサジン化合物を含む場合に、半田粉の融点に比べて第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が高いことを必ずしも意味するのではなく、半田粉の融点に比べて第１熱硬化性樹脂バインダー７の硬化開始温度が低すぎないことを意味する。第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応の進行具合にもよるが、一応の目安として、半田粉の融点が高く、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低い場合、両者の差は４０℃以内であることが好ましい。第２熱硬化性樹脂バインダーがベンゾオキサジン化合物を含む場合も同様である。このようにして、半田粉の溶融時における自己凝集の阻害を抑制する効果をさらに高めることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２における半田粉の凝集状態はより良好となる。

第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方は、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含んでいることが好ましい。第１熱硬化性樹脂バインダーがエポキシ化合物を含んでいる場合には、最終的に第１熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物である第１樹脂補強部５１の強度を高めることができる。同様に、第２熱硬化性樹脂バインダーがエポキシ化合物を含んでいる場合には、最終的に第２熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化物である第２樹脂補強部５２の強度を高めることができる。

図２Ａと同様に、第１半田接合部４１が外部に露出しないように、第１半田接合部４１の側面全体が第１樹脂補強部５１で被覆されていてもよい。この場合、第１樹脂補強部５１は、半導体パッケージ５の下面及び第１基板３１の上面と接触しているため、第１樹脂補強部５１による第１半田接合部４１の補強効果が向上する。第２樹脂補強部５２についても第１樹脂補強部５１と同様である。

図２Ｂと同様に、第１半田接合部４１の一部が外部に露出するように、第１樹脂補強部５１に隙間９が設けられていてもよい。第１半田接合部４１が溶融して体積が増加する場合、増加した分の半田は、隙間９を通って一旦外部に出た後、第１半田接合部４１の融点未満の温度で再度隙間９を通って元の場所に戻るので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生が抑制される。第２樹脂補強部５２についても第１樹脂補強部５１と同様である。なお、第２半田接合部４２が再度融点以上に加熱されないのであれば、第２半田接合部４２については、図２Ｂに示す形態ではなく、図２Ａに示す形態が採用されることが好ましい。

［半導体実装品の製造方法］
本実施の形態の半導体実装品３の製造方法は、工程Ａ２〜工程Ｈ２を含む。以下では各工程について順に説明する。

（工程Ａ２）
図３は、図１に示す半導体実装品３の製造方法における工程Ａ２を示す概略断面図である。工程Ａ２は、図３に示すように、上述の半導体部品２の製造方法における工程Ａ１とほぼ同じであるが、２次実装を行うため、第１基板３１の下面にはランド６１が形成されている。ランド６１は、少なくとも１つ以上形成されている。

（工程Ｂ２）
図４は、図１に示す半導体実装品３の製造方法における工程Ｂ２を示す概略断面図である。工程Ｂ２は、図４に示すように、上述の半導体部品２の製造方法における工程Ｂ１と同じである。

（工程Ｃ２及び工程Ｄ２）
図５は、図１に示す半導体実装品３の製造方法における工程Ｃ２及びＤ２を示す概略断面図である。工程Ｃ２及び工程Ｄ２は、図５に示すように、上述の半導体部品２の製造方法における工程Ｃ１及び工程Ｄ１と同じである。工程Ａ２〜工程Ｄ２は１次実装の工程であり、工程Ｄ２の終了により１次実装が終了する。１次実装後に既述の半導体部品２が得られる。

（工程Ｅ２）
工程Ｅ２では、図１に示すように、第１基板３１の下面のランド６１に第２半田バンプ８を形成する。第１基板３１に複数のランド６１が形成されている場合には、ランド６１ごとに第２半田バンプ８を形成する。第２半田バンプ８は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第２半田接合部４２の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

（工程Ｆ２）
図８は、図７に示す半導体実装品３の製造方法における工程Ｆ２を示す概略断面図である。工程Ｆ２では、図８に示すように、第２基板３２を準備する。第２基板３２は、上述のように具体的にはプリント配線板である。第２基板３２の上面には第２パッド２２が形成されている。第２パッド２２は、第２半田バンプ８と同数形成されている。第２半田バンプ８と第２パッド２２とは、第１基板３１の下面と第２基板３２の上面とを対向させたときに１対１に対応するように形成されている。

さらに工程Ｆ２では、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２を第２基板３２の第２パッド２２に塗布する。第２基板３２に複数の第２パッド２２が形成されている場合には、第２パッド２２ごとに第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２を塗布することが好ましい。

ここで、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２は、上述のペースト状熱硬化性樹脂と同様である。すなわち、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２は、半田粉と、第２熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。第２熱硬化性樹脂バインダーは、主剤及び硬化剤を含む。主剤は、オキセタン化合物を含む。

このように、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２は、融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２官能以上のオキセタン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。オキセタン化合物が含有されていることにより、第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度を遅くすることができる。したがって、半田粉の溶融時における自己凝集を第２熱硬化性樹脂バインダーが阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。なお、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１及び第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２の構成成分の具体的な種類及び含有量は同じでも異なっていてもよい。

半田粉は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２は、さらに２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含有することが好ましい。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。

第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１１は、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含有することが好ましい。このように、さらにエポキシ化合物が含有されていると、最終的に第２熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、硬化物の強度を高めることができる。

第２基板３２の第２パッド２２への第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２の塗布の方法は特に限定されない。塗布方法の具体例として、スクリーン印刷、及びディスペンス法が挙げられる。

（工程Ｇ２）
図９は、図７に示す半導体実装品３の製造方法における工程Ｇ２及び工程Ｈ２を示す概略断面図である。工程Ｇ２では、図９に示すように、第１基板３１の第２半田バンプ８を第２基板３２の第２パッド２２に配置する。このとき第２半田バンプ８と第２パッド２２との間に第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２が介在している。

（工程Ｈ２）
工程Ｈ２では、図９に示す状態で、ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５、第１基板３１及び第２基板３２を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。加熱時間の上限は特に限定されないが、例えば１０分であり、特にピーク温度での加熱時間の上限は例えば１分である。ピーク温度は、基本的には第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２に含有される半田粉の融点より２０〜３０℃高い温度に設定される。

ここで、第２半田バンプ８及び半田粉の材質によって、（１）第２半田バンプ８の融点と半田粉の融点とが同じである場合、（２）第２半田バンプ８の融点が低く、半田粉の融点が高い場合、（３）第２半田バンプ８の融点が高く、半田粉の融点が低い場合の３つの場合が想定される。

（１）及び（２）の場合、ピーク温度を半田粉の融点より２０〜３０℃高い温度に設定すれば、第２半田バンプ８も溶融させることができる。そのため、第２半田バンプ８及び半田粉の両方が溶融して渾然一体となって強固な第２半田接合部４２が形成される。しかも、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２にはオキセタン化合物が含有されているので、第２半田バンプ８及び半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。

（１）及び（２）の場合において、第２ペースト状樹脂組成物１２における半田粉の融点よりも、１次実装で形成された第１半田接合部４１の融点の方が高いときには、半田粉の融点以上で、かつ、第１半田接合部４１の融点未満の温度をピーク温度としてもよい。このようなピーク温度であれば、２次実装の際に第１半田接合部４１が再度溶融しないので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生をさらに抑制することができる。

（３）の場合、ピーク温度を半田粉の融点より２０〜３０℃高い温度に設定しても、第２半田バンプ８が溶融しないことがある。この場合の一例として、第２半田バンプ８がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合が挙げられる。この場合、ピーク温度を１６０℃に設定しても、第２半田バンプ８は溶融しない。そのため、半田粉のみが溶融して、くびれた部分を有する第２半田接合部４２が形成される。このくびれた部分において、第２半田バンプ８と、半田粉が溶融後に一体化した半田との界面が存在する。第２半田接合部４２にくびれた部分があると強度的には弱くなる。しかし、第２樹脂補強部５２で補強されているため、総合的には信頼性に特に問題はない。好ましくは、（３）の場合には、ピーク温度を第２半田バンプ８の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすれば、第２半田バンプ８及び半田粉の両方が溶融するので、くびれた部分のない強固な第２半田接合部４２を形成することができる。例えば、上述のように第２半田バンプ８がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合には、ピーク温度を２４０℃に設定すればよい。なお、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２にはオキセタン化合物が含有されているので、ピーク温度が半田粉の融点以上であれば、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。好ましくは、上述のようにピーク温度を第２半田バンプ８の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすると、第２半田バンプ８及び半田粉の両方が溶融し、これらの溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなり、くびれた部分のない強固な第２半田接合部４２を形成することができる。

（３）の場合において、第２半田バンプ８の融点よりも、１次実装で形成された第１半田接合部４１の融点の方が高いときには、半田粉の融点以上（好ましくは第２半田バンプ８の融点以上）で、かつ、第１半田接合部４１の融点未満の温度をピーク温度としてもよい。このようなピーク温度であれば、２次実装の際に第１半田接合部４１が再度溶融しないので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生をさらに抑制することができる。

ピーク温度に至るまでの昇温速度は、１℃／秒以上４℃／秒以下であることが好ましい。昇温速度が１℃／秒以上であることによって、半田粉の融点に到達する前に、第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応が進行して、粘度が上昇することを抑制することができる。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。昇温速度が４℃／秒以下であることによって、活性剤の還元作用で半田粉の酸化膜を除去する時間を十分に確保することができる。これにより、半田のぬれ性をさらに促進することができる。加熱開始温度は通常は常温であるが、特に限定されない。

リフロー半田付けが終了すると、図７に示すような半導体実装品３を得ることができる。すなわち、工程Ｅ２〜工程Ｈ２は２次実装の工程であり、工程Ｈ２の終了により２次実装が終了する。２次実装後に既述の半導体実装品３が得られる。第２樹脂補強部５２には活性剤及びチクソ性付与剤が残存していないことが好ましい。しかし、信頼性を損なわなければ、微量の活性剤及びチクソ性付与剤が残存していてもよい。したがって、これらを洗浄により除去する必要はない。

上述のように、本実施の形態においては、第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物１２がオキセタン化合物を含有しているので、半田粉の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

以上のように、本実施の形態の半導体部品２は、半導体パッケージ５と、上面に相当する第１面に第１パッド２１が形成された第１基板３１と、半導体パッケージ５と第１パッド２１とを電気的に接続する第１半田接合部４１と、第１半田接合部４１に接触して形成され、第１半田接合部４１を補強する第１樹脂補強部５１とを備える。第１樹脂５１が、２官能以上のオキセタン化合物を含む第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。

これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第１熱硬化性樹脂バインダーが、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでもよい。

また、第１半田接合部４１の融点が１００℃以上２４０℃以下であってもよい。

また、第１半田接合部４１が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、第１熱硬化性樹脂バインダーが、２官能以上のエポキシ化合物を含んでもよい。

また、本実施の形態の半導体実装品３は、半導体パッケージ５と、上面に相当する第１面に第１パッド２１、第１面の反対側の下面に相当する第２面にランド６１が形成された第１基板３１と、半導体パッケージ５と第１パッド２１とを電気的に接続する第１半田接合部４１とを備える。また、第１半田接合部４１に接触して形成され、第１半田接合部４１を補強する第１樹脂補強部５１と、上面に相当する一面に第２パッド２２が形成された第２基板３２とを備える。また、ランド６１と第２パッド２２とを電気的に接続する第２半田接合部４２と、第２半田接合部４２に接触して形成され、第２半田接合部４２を補強する第２樹脂補強部５２とを備える。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでもよい。

また、第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２の融点が１００℃以上２４０℃以下であってもよい。

また、第１半田接合部４１及び第２半田接合部４２が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、第１熱硬化性樹脂バインダー及び第２熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方が、２官能以上のエポキシ化合物を含んでもよい。

また、本実施の形態の半導体部品２の製造方法は、以下の工程Ａ１〜Ｄ１を含む。工程Ａ１：下面に相当する第２面に第１半田バンプ６が形成された半導体パッケージ５と、第２面の反対側の上面に相当する第１面に第１パッド２１が形成された第１基板３１とを準備する工程、工程Ｂ１：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２官能以上のオキセタン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第１パッド２１に印刷する工程、工程Ｃ１：第１半田バンプ６を第１パッド２１に配置する工程、工程Ｄ１：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５及び第１基板３１を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含有してもよい。

また、第１半田バンプ６が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

また、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物が、２官能以上のエポキシ化合物を含有してもよい。

また、ピーク温度に至るまでの昇温速度が１℃／秒以上４℃／秒以下であってもよい。

また、本実施の形態の半導体実装品３の製造方法は、以下の工程Ａ２〜Ｈ２を含む。工程Ａ２：下面に相当する一面に第１半田バンプ６が形成された半導体パッケージ５と、上面に相当する第１面に第１パッド２１、第１面の反対側の下面に相当する第２面にランド６１が形成された第１基板３１と、上面に相当する一面に第２パッド２２が形成された第２基板３２とを準備する工程、工程Ｂ２：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２官能以上のオキセタン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第１パッド２１に印刷する工程、工程Ｃ２：第１半田バンプ６を第１パッド２１に配置する工程、工程Ｄ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５及び第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程、工程Ｅ２：ランド６１に第２半田バンプ８を形成する工程、工程Ｆ２：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２官能以上のオキセタン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第２パッド２２に印刷する工程、工程Ｇ２：第２半田バンプ８を第２パッド２２に配置する工程、工程Ｈ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ５、第１基板３１及び第２基板３２を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物及び第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物の一方又は両方が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含有してもよい。

また、第１半田バンプ６及び第２半田バンプ８の一方又は両方が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

また、第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物及び第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物の一方又は両方が、２官能以上のエポキシ化合物を含有してもよい。

また、ピーク温度に至るまでの昇温速度が１℃／秒以上４℃／秒以下であってもよい。

（実施の形態３）
［半導体部品］
図１０は、本発明の実施の形態３に係る半導体部品８２を示す概略断面図である。半導体部品８２は、半導体パッケージ８５と、第３基板３３と、第３半田接合部４３と、第３樹脂補強部５３とを備えている。以下では半導体部品８２を構成するこれらの要素について説明する。なお、半導体部品８２において、半導体パッケージ８５を上、第３基板３３を下にして上下方向を規定するが、これは、説明する上での便宜的な規定に過ぎない。さらに「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

（半導体パッケージ）
半導体パッケージ８５は特に限定されない。半導体パッケージ８５の具体例として、ＢＧＡ、ＣＳＰが挙げられる。

（第３基板）
第３基板３３は、プリント配線板であり、特に限定されない。第３基板３３の上面には第３パッド２３が形成されている。第３パッド２３は、少なくとも１つ以上形成されている。後述の第４基板３４に半導体部品８２を実装する場合には、第３基板３３は、インターポーザであってよい。この場合、第３基板３３の下面にランド６３が形成され、ランド６３に第４半田バンプ８８が形成されていることが好ましい。このようなインターポーザとしての第３基板３３によって、半導体部品８２における半導体パッケージ８５の配線ピッチを第４基板３４の配線ピッチに変換することができる。

（第３半田接合部）
第３半田接合部４３は、半導体パッケージ８５と、第３基板３３の上面の第３パッド２３とを電気的に接合している。

第３半田接合部４３の融点は１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。第３半田接合部４３の融点が１００℃未満である場合、半田自身が弱くなり、十分な強度が得られないおそれがある。第３半田接合部４３の融点が２４０℃を超える場合、第３樹脂補強部５３を形成する、後述の第３熱硬化性樹脂バインダーが、半田付けの際に半田粉の自己凝集を阻害する可能性が高くなる。

第３半田接合部４３は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第３半田接合部４３の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

（第３樹脂補強部）
第３樹脂補強部５３は、第３半田接合部４３に接触して形成され、第３半田接合部４３を補強している。第３樹脂補強部５３は、半導体パッケージ８５の下面及び第３基板３３の上面の少なくともいずれかと接触している。

第３樹脂補強部５３は、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第３熱硬化性樹脂バインダーは、実施の形態１述のペースト状熱硬化性樹脂組成物における熱硬化性樹脂バインダーと同様である。つまり、第３熱硬化性樹脂バインダーは、さらに２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでいる。これにより、半田付けのための加熱時には、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が高くなる。このことは、半田粉の融点に比べて第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が高いことを必ずしも意味するのではなく、半田粉の融点に比べて第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低すぎないことを意味する。第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応の進行具合にもよるが、一応の目安として、半田粉の融点が高く、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低い場合、両者の差は４０℃以内であることが好ましい。このようにして第３熱硬化性樹脂バインダーが、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。第３半田接合部４３における半田粉の凝集状態は良好である。

第３熱硬化性樹脂バインダーは、さらに２官能以上のオキセタン化合物を含んでいることが好ましい。これにより、半田付けのための加熱時には、半田粉が溶融して一体化する速度に比べて、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度が遅くなる。このようにして第３熱硬化性樹脂バインダーが、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。このように一体化して第３半田接合部４３が形成される。第３半田接合部４３における半田粉の凝集状態はより良好となる。

第３熱硬化性樹脂バインダーは、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含んでいることが好ましい。これにより、最終的に第３熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化物である第３樹脂補強部５３の強度を高めることができる。

図１１Ａは、図１０に示す半導体部品８２の一部を示す概略断面図である。図１１Ａに示すように、第３半田接合部４３が外部に露出しないように、第３半田接合部４３の側面全体が第３樹脂補強部５３で被覆されていてもよい。この場合、第３樹脂補強部５３は、半導体パッケージ８５の下面及び第３基板３３の上面とも接触しているため、第３樹脂補強部５３による第３半田接合部４３の補強効果が向上する。

図１１Ｂは、図１０に示す半導体部品８２の他の一部を示す概略断面図である。図１１Ｂに示すように、第３半田接合部４３の一部が外部に露出するように、第３樹脂補強部５３に隙間８９が設けられていてもよい。第３半田接合部４３は、融点以上に加熱されると再度溶融して膨張するため、第３半田接合部４３の側面全体が第３樹脂補強部５３で被覆されていると、溶融した半田の行き場がなくなり、第３樹脂補強部５３が破裂して半田フラッシュ又は半田ブリッジが発生するおそれがある。図１１Ｂのように第３樹脂補強部５３に隙間８９が設けられていると、第３半田接合部４３が溶融しても、体積が増加した分の半田は隙間８９を通って一旦外部に出る。その後、融点未満の温度に冷却されると、外部に出ていた半田は隙間８９を通って元の場所に戻って第３半田接合部４３を再度形成するので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生が抑制される。図１１Ｂでは、第３樹脂補強部５３が半導体パッケージ８５の下面に接触しないようにして隙間８９が設けられているが、隙間８９の形成箇所は特に限定されない。なお、一旦形成された第３半田接合部４３が再度融点以上に加熱されないのであれば、第３樹脂補強部５３に隙間８９が設けられていなくてもよい。例えば、１次実装後に２次実装を行う場合には、１次実装した箇所が２次実装時に再度加熱され得るので、１次実装では図１１Ｂに示す形態が採用されることが好ましい。

［半導体部品の製造方法］
本実施の形態の半導体部品８２の製造方法は、工程Ａ３〜工程Ｄ３を含む。以下では各工程について順に説明する。

（工程Ａ３）
図１２は、図１０に示す半導体部品８２の製造方法における工程Ａ３を示す概略断面図である。工程Ａ３では、図１２に示すように、半導体パッケージ８５と、第３基板３３とを準備する。

半導体パッケージ８５は、上述のように具体的にはチップサイズパッケージなどである。半導体パッケージ８５の下面には第３半田バンプ８６が形成されている。第３半田バンプ８６は、少なくとも１つ以上形成されている。第３半田バンプ８６は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第３半田接合部４３の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

第３基板３３は、上述のように具体的にはプリント配線板である。第３基板３３の上面には第３パッド２３が形成されている。第３パッド２３は、第３半田バンプ８６と同数形成されている。第３半田バンプ８６と第３パッド２３とは、半導体パッケージ８５の下面と第３基板３３の上面とを対向させたときに１対１に対応するように形成されている。第３基板３３の下面にはランド６３が形成されていてもよい。ランド６３は、２次実装に利用することができる。

（工程Ｂ３）
図１３は、図１０に示す半導体部品の製造方法における工程Ｂ３を示す概略断面図である。工程Ｂ３では、図１３に示すように、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３を第３基板３３の第３パッド２３に塗布する。第３基板３３に複数の第３パッド２３が形成されている場合には、第３パッド２３ごとに第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３を塗布することが好ましい。

ここで、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３は、実施の形態１のペースト状熱硬化性樹脂と同様である。すなわち、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３は、半田粉と、第３熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。第３熱硬化性樹脂バインダーは、主剤及び硬化剤を含む。硬化剤は、ベンゾオキサジン化合物を含む。

このように、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３は、融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。ベンゾオキサジン化合物が含有されていることにより、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応の開始温度を高めることができる。したがって、半田粉の溶融時における自己凝集を第３熱硬化性樹脂バインダーが阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。

半田粉は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３は、さらに２官能以上のオキセタン化合物を含有することが好ましい。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。

第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３は、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含有することが好ましい。このように、さらにエポキシ化合物が含有されていると、最終的に第３熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、硬化物の強度を高めることができる。

第３基板３３の第３パッド２３への第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３の塗布の方法は特に限定されない。塗布方法の具体例として、スクリーン印刷、及びディスペンス法が挙げられる。

（工程Ｃ３）
図１４は、図１０に示す半導体部品の製造方法における工程Ｃ３及び工程Ｄ３を示す概略断面図である。工程Ｃ３では、図１４に示すように、半導体パッケージ８５の第３半田バンプ８６を第３基板３３の第３パッド２３に配置する。このとき第３半田バンプ８６と第３パッド２３との間に第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３が介在している。

（工程Ｄ３）
工程Ｄ３では、図１４に示す状態で、ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ８５及び第３基板３３を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。加熱時間の上限は特に限定されないが、例えば１０分であり、特にピーク温度での加熱時間の上限は例えば１分である。図１５Ａは、図１４の一部を拡大した概略断面図である。半田粉８４及び第３熱硬化性樹脂バインダー８７を含有する第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３が第３パッド２３に塗布され、第３半田バンプ８６と接触している。活性剤及びチクソ性付与剤は図示省略されている。ピーク温度は、基本的には第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３に含有される半田粉８４の融点より２０〜３０℃高い温度に設定される。

ここで、第３半田バンプ８６及び半田粉８４の材質によって、（１）第３半田バンプ８６の融点と半田粉８４の融点とが同じである場合、（２）第３半田バンプ８６の融点が低く、半田粉８４の融点が高い場合、（３）第３半田バンプ８６の融点が高く、半田粉８４の融点が低い場合の３つの場合が想定される。

図１５Ｂは、図１０に示す半導体部品８２の一部を示す概略断面図である。（１）及び（２）の場合、ピーク温度を半田粉８４の融点より２０〜３０℃高い温度に設定すれば、第３半田バンプ８６も溶融させることができる。そのため、図１５Ａに示す状態から、図１５Ｂに示すように、第３半田バンプ８６及び半田粉８４の両方が溶融して渾然一体となって強固な第３半田接合部４３が形成される。しかも、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３にはベンゾオキサジン化合物が含有されているので、第３半田バンプ８６及び半田粉８４の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。

図１５Ｃは、図１０に示す半導体８２の他の一部を示す概略断面図である。（３）の場合、ピーク温度を半田粉８４の融点より２０〜３０℃高い温度に設定しても、第３半田バンプ８６が溶融しないことがある。この場合の一例として、第３半田バンプ８６がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉８４がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合が挙げられる。この場合、ピーク温度を１６０℃に設定しても、第３半田バンプ８６は溶融しない。そのため、図１５Ａに示す状態から、図１５Ｃに示すように、半田粉８４のみが溶融して、くびれた部分を有する第３半田接合部４３が形成される。このくびれた部分において、第３半田バンプ８６と、半田粉８４が溶融後に一体化した半田との界面が存在する。図１５Ｂに示す第３半田接合部４３に比べて、図１５Ｃに示す第３半田接合部４３はくびれた部分があるため強度的には弱くなる。しかし、第３樹脂補強部５３で補強されているため、総合的には信頼性特に問題はない。好ましくは、（３）の場合には、ピーク温度を第３半田バンプ８６の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすれば、第３半田バンプ８６及び半田粉８４の両方が溶融するので、図１５Ｂに示す強固な第３半田接合部４３を形成することができる。例えば、第３半田バンプ８６がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉８４がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合には、ピーク温度を２４０℃に設定すればよい。なお、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３にはベンゾオキサジン化合物が含有されているので、ピーク温度が半田粉８４の融点以上であれば、半田粉８４の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。好ましくは、上述のようにピーク温度を第３半田バンプ８６の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすると、第３半田バンプ８６及び半田粉８４の両方が溶融し、これらの溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなり、くびれた部分のない強固な第３半田接合部４３を形成することができる。

ピーク温度に至るまでの昇温速度は１℃／秒以上４℃／秒以下であることが好ましい。昇温速度が１℃／秒以上であることによって、半田粉８４の融点に到達する前に第３熱硬化性樹脂バインダー８７の硬化反応が進行して粘度が上昇することを抑制することができる。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。昇温速度が４℃／秒以下であることによって、活性剤の還元作用で半田粉８４の酸化膜を除去する時間を十分に確保することができる。これにより、半田のぬれ性をさらに促進することができる。加熱開始温度は通常は常温であるが特に限定されない。

リフロー半田付けが終了すると、図１０に示すような半導体部品８２を得ることができる。この半導体部品８２の第３基板３３の下面のランド６３に、第４半田バンプ８８を形成しているが、２次実装しない場合には、ランド６３及び第４半田バンプ８８は不要である。第３樹脂補強部５３には活性剤及びチクソ性付与剤が残存していないことが好ましい。しかし、信頼性を損なわなければ、微量の活性剤及びチクソ性付与剤が残存していてもよい。したがって、これらを洗浄により除去する必要はない。

上述のように、本実施の形態においては、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３がベンゾオキサジン化合物を含有しているので、半田粉８４の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉８４が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

［半導体実装品］
図１６は、本発明の実施の形態３に係る半導体実装品８３の一例を示す概略断面図である。半導体実装品８３は、半導体パッケージ８５と、第３基板３３と、第３半田接合部４３と、第３樹脂補強部５３と、第４基板３４と、第４半田接合部４４と、第４樹脂補強部５４とを備えている。半導体実装品８３を構成するこれらの要素について説明する。なお、半導体実装品８３において、半導体パッケージ８５を上、第４基板３４を下にして上下方向を規定するが、これは、説明する上での便宜的な規定に過ぎない。さらに「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

（半導体パッケージ）
半導体パッケージ８５は特に限定されない。半導体パッケージ８５の具体例として、ＢＧＡ、ＣＳＰが挙げられる。

（第３基板及び第４基板）
第３基板３３及び第４基板３４は、プリント配線板であり、特に限定されない。第３基板３３の上面には第３パッド２３が形成されている。第３パッド２３は、少なくとも１つ以上形成されている。第３基板３３の下面にはランド６３が形成されている。ランド６３は、少なくとも１つ以上形成されている。第３基板３３は、インターポーザとして機能するので、半導体パッケージ８５の配線ピッチを第４基板３４の配線ピッチに変換することができる。第４基板３４の上面には第４パッド２４が形成されている。第４パッド２４は、第３基板３３のランド６３と同数形成されている。第４基板３４は、マザーボード又はメインボードとなり得る。

（第３半田接合部及び第４半田接合部）
第３半田接合部４３は、半導体パッケージ８５と、第３基板３３の上面の第３パッド２３とを電気的に接合している。

第４半田接合部４４は、第３基板３３の下面のランド６３と第４基板３４の上面の第４パッド２４とを電気的に接合している。

第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４の融点は１００℃以上２４０℃以下であることが好ましく、１３０℃以上２４０℃以下であることがより好ましい。第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４の融点が１００℃未満である場合、半田自身が弱くなり、十分な強度が得られないおそれがある。第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４の融点が２４０℃を超える場合、第３樹脂補強部５３を形成する、後述の第３熱硬化性樹脂バインダーと第４樹脂補強部５４を形成する、後述の第４熱硬化性樹脂バインダーとが、半田付けの際に半田粉の自己凝集を阻害する可能性が高くなる。

第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

（第３樹脂補強部及び第４樹脂補強部）
第３樹脂補強部５３は、第３半田接合部４３に接触して形成され、第３半田接合部４３を補強している。第３樹脂補強部５３は、半導体パッケージ８５の下面及び第３基板３３の上面の少なくともいずれかと接触している。

第４樹脂補強部５４は、第４半田接合部４４に接触して形成され、第４半田接合部４４を補強している。第４樹脂補強部５４は、第３基板３３の下面及び第４基板３４の上面の少なくともいずれかと接触している。

第３樹脂補強部５３は、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第４樹脂補強部５４は、第４熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーは、上述のペースト状熱硬化性樹脂組成物における熱硬化性樹脂バインダーと同様である。つまり、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーは、さらに２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含んでいる。これにより、半田付けのための加熱時には、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方の硬化開始温度が高くなる。このことは、例えば第３熱硬化性樹脂バインダーがベンゾオキサジン化合物を含む場合に、半田粉の融点に比べて第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が高いことを必ずしも意味するのではなく、半田粉の融点に比べて第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低すぎないことを意味する。第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応の進行具合にもよるが、一応の目安として、半田粉８４の融点が高く、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化開始温度が低い場合、両者の差は４０℃以内であることが好ましい。第４熱硬化性樹脂バインダーがベンゾオキサジン化合物を含む場合も同様である。このようにして半田粉の溶融時における自己凝集の阻害を抑制する効果をさらに高めることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４における半田粉の凝集状態は良好である。

第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方は、さらに２官能以上のオキセタン化合物を含んでいることが好ましい。これにより、半田付けのための加熱時には、半田粉が溶融して一体化する速度に比べて、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの硬化速度が遅くなる。このようにして、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーが、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４における半田粉の凝集状態はより良好となる。なお、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの構成成分の具体的な種類及び含有量は同じでも異なっていてもよい。

第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方は、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含んでいることが好ましい。第３熱硬化性樹脂バインダーがエポキシ化合物を含んでいる場合には、最終的に第３熱硬化性樹脂バインダー８７の未硬化部分の発生を抑制し、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化物である第３樹脂補強部５３の強度を高めることができる。同様に、第４熱硬化性樹脂バインダーがエポキシ化合物を含んでいる場合には、最終的に第４熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、第４熱硬化性樹脂バインダーの硬化物である第４樹脂補強部５４の強度を高めることができる。

図１１Ａと同様に、第３半田接合部４３が外部に露出しないように、第３半田接合部４３の側面全体が第３樹脂補強部５３で被覆されていてもよい。この場合、第３樹脂補強部５３は、半導体パッケージ８５の下面及び第３基板３３の上面と接触しているため、第３樹脂補強部５３による第３半田接合部４３の補強効果が向上する。第４樹脂補強部５４についても第３樹脂補強部５３と同様である。

図１１Ｂと同様に、第３半田接合部４３の一部が外部に露出するように、第３樹脂補強部５３に隙間８９が設けられていてもよい。第３半田接合部４３が溶融して体積が増加する場合、増加した分の半田は、隙間８９を通って一旦外部に出た後、第３半田接合部４３の融点未満の温度で再度隙間８９を通って元の場所に戻るので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生が抑制される。第４樹脂補強部５４についても第３樹脂補強部５３と同様である。なお、第４半田接合部４４が再度融点以上に加熱されないのであれば、第４半田接合部４４については、図１１Ｂに示す形態ではなく、図１１Ａに示す形態が採用されることが好ましい。

［半導体実装品の製造方法］
本実施の形態の半導体実装品８３の製造方法は、以下の工程Ａ４〜工程Ｈ４を含む。以下では各工程について順に説明する。

（工程Ａ４）
図１２は、図１０に示す半導体実装品８３の製造方法における工程Ａ４を示す概略断面図である。工程Ａ４は、図１２に示すように、上述の半導体部品８２の製造方法における工程Ａ３とほぼ同じであるが、２次実装を行うため、第３基板３３の下面にはランド６３が形成されている。ランド６３は、少なくとも１つ以上形成されている。

（工程Ｂ４）
図１３は、図１０に示す半導体実装品８３の製造方法における工程Ｂ４を示す概略断面図である。工程Ｂ４は、図１３に示すように、上述の半導体部品８２の製造方法における工程Ｂ３と同じである。

（工程Ｃ４及び工程Ｄ４）
図１４は、図１０に示す半導体実装品８３の製造方法における工程Ｃ４及びＤ４を示す概略断面図である。工程Ｃ４及び工程Ｄ４は、図１４に示すように、上述の半導体部品８２の製造方法における工程Ｃ３及び工程Ｄ３と同じである。工程Ａ４〜工程Ｄ４は１次実装の工程であり、工程Ｄ４の終了により１次実装が終了する。１次実装後に既述の半導体部品８２が得られる。

（工程Ｅ４）
工程Ｅ４では、図１０に示すように、第３基板３３の下面のランド６３に第４半田バンプ８８を形成する。第３基板３３に複数のランド６３が形成されている場合には、ランド６３ごとに第４半田バンプ８８を形成する。第４半田バンプ８８は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていることが好ましい。このような半田であれば、第４半田接合部４４の接合強度を高め、クラックなどの欠陥の発生を抑制することができる。

（工程Ｆ４）
図１７は、図１６に示す半導体実装品８３の製造方法における工程Ｆ４を示す概略断面図である。工程Ｆ４では、図１７に示すように、第４基板３４を準備する。第４基板３４は、上述のように具体的にはプリント配線板である。第４基板３４の上面には第４パッド２４が形成されている。第４パッド２４は、第４半田バンプ８８と同数形成されている。第４半田バンプ８８と第４パッド２４とは、第３基板３３の下面と第４基板３４の上面とを対向させたときに１対１に対応するように形成されている。

さらに工程Ｆ４では、第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４を第４基板３４の第４パッド２４に塗布する。第４基板３４に複数の第４パッド２４が形成されている場合には、第４パッド２４ごとに第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４を塗布することが好ましい。

ここで、第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４は、上述のペースト状熱硬化性樹脂と同様である。すなわち、第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４は、半田粉と、第４熱硬化性樹脂バインダーと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。第４熱硬化性樹脂バインダーは、主剤及び硬化剤を含む。硬化剤は、ベンゾオキサジン化合物を含む。

このように、第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４は、融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する。ベンゾオキサジン化合物が含有されていることにより、第４熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応の開始温度を高めることができる。したがって、半田粉の溶融時における自己凝集を第４熱硬化性樹脂バインダーが阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。なお、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物１３及び第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４の構成成分の具体的な種類及び含有量は同じでも異なっていてもよい。

半田粉は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４は、さらに２官能以上のオキセタン化合物を含有することが好ましい。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。

第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４は、さらに２官能以上のエポキシ化合物を含有することが好ましい。このように、さらにエポキシ化合物が含有されていると、最終的に第４熱硬化性樹脂バインダーの未硬化部分の発生を抑制し、硬化物の強度を高めることができる。

第４基板３４の第４パッド２４への第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４の塗布の方法は特に限定されない。塗布方法の具体例として、スクリーン印刷、及びディスペンス法が挙げられる。

（工程Ｇ４）
図１８は、図１６に示す半導体実装品８３の製造方法における工程Ｇ４及び工程Ｈ４を示す概略断面図である。工程Ｇ４では、図１８に示すように、第３基板３３の第４半田バンプ８８を第４基板３４の第４パッド２４に配置する。このとき第４半田バンプ８８と第４パッド２４との間に第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４が介在している。

（工程Ｈ４）
工程Ｈ４では、図１８に示す状態で、ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ８５、第３基板３３及び第４基板３４を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う。加熱時間の上限は特に限定されないが、例えば１０分であり、特にピーク温度での加熱時間の上限は例えば１分である。ピーク温度は、基本的には第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４に含有される半田粉の融点より２０〜３０℃高い温度に設定される。

ここで、第４半田バンプ８８及び半田粉の材質によって、（１）第４半田バンプ８８の融点と半田粉の融点とが同じである場合、（２）第４半田バンプ８８の融点が低く、半田粉の融点が高い場合、（３）第４半田バンプ８８の融点が高く、半田粉の融点が低い場合の３つの場合が想定される。

（１）及び（２）の場合、ピーク温度を半田粉の融点より２０〜３０℃高い温度に設定すれば、第４半田バンプ８８も溶融させることができる。そのため、第４半田バンプ８８及び半田粉の両方が溶融して渾然一体となって強固な第４半田接合部４４が形成される。しかも第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４にはベンゾオキサジン化合物が含有されているので、第４半田バンプ８８及び半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができ、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。

（１）及び（２）の場合において、第２ペースト状樹脂組成物１２における半田粉の融点よりも、１次実装で形成された第３半田接合部４３の融点の方が高いときには、半田粉の融点以上で、かつ、第３半田接合部４３の融点未満の温度をピーク温度としてもよい。このようなピーク温度であれば、２次実装の際に第３半田接合部４３が再度溶融しないので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生をさらに抑制することができる。

（３）の場合、ピーク温度を半田粉の融点より２０〜３０℃高い温度に設定しても、第４半田バンプ８８が溶融しないことがある。この場合の一例として、第４半田バンプ８８がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合が挙げられる。この場合、ピーク温度を１６０℃に設定しても、第４半田バンプ８８は溶融しない。そのため、半田粉のみが溶融して、くびれた部分を有する第４半田接合部４４が形成される。このくびれた部分において、第４半田バンプ８８と、半田粉が溶融後に一体化した半田との界面が存在する。第４半田接合部４４にくびれた部分があると強度的には弱くなる。しかし、第４樹脂補強部５４で補強されているため、総合的には信頼性において特に問題はない。好ましくは、（３）の場合には、ピーク温度を第４半田バンプ８８の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすれば、第４半田バンプ８８及び半田粉の両方が溶融するので、くびれた部分のない強固な第４半田接合部４４を形成することができる。例えば、上述のように第４半田バンプ８８がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田（融点２１８〜２１９℃）で形成されており、半田粉がＳｎ−Ｂｉ系半田（融点１３８〜１３９℃）の粉末である場合には、ピーク温度を２４０℃に設定すればよい。なお、第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４にはベンゾオキサジン化合物が含有されているので、ピーク温度が半田粉の融点以上であれば、半田粉の溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなる。好ましくは、上述のようにピーク温度を第４半田バンプ８８の融点より２０〜３０℃高い温度に設定する。このようにすると、第４半田バンプ８８及び半田粉８４の両方が溶融し、これらの溶融時における自己凝集を阻害しないようにすることができる。これにより、溶融した半田が自己凝集して一体化しやすくなり、くびれた部分のない強固な第４半田接合部４４を形成することができる。

（３）の場合において、第４半田バンプ８８の融点よりも、１次実装で形成された第３半田接合部４３の融点の方が高いときには、半田粉の融点以上（好ましくは第４半田バンプ８８の融点以上）で、かつ、第３半田接合部４３の融点未満の温度をピーク温度としてもよい。このようなピーク温度であれば、２次実装の際に第３半田接合部４３が再度溶融しないので、半田フラッシュ及び半田ブリッジの発生をさらに抑制することができる。

ピーク温度に至るまでの昇温速度は１℃／秒以上４℃／秒以下であることが好ましい。昇温速度が１℃／秒以上であることによって、半田粉の融点に到達する前に、第４熱硬化性樹脂バインダーの硬化反応が進行して粘度が上昇することを抑制することができる。これにより、溶融した半田の自己凝集による一体化をさらに促進することができる。昇温速度が４℃／秒以下であることによって、活性剤の還元作用で半田粉の酸化膜を除去する時間を十分に確保することができる。これにより、半田のぬれ性をさらに促進することができる。加熱開始温度は通常は常温であるが、特に限定されない。

リフロー半田付けが終了すると、図１６に示すような半導体実装品８３を得ることができる。すなわち、工程Ｅ４〜工程Ｈ４は２次実装の工程であり、工程Ｈ４の終了により２次実装が終了する。２次実装後に既述の半導体実装品８３が得られる。第４樹脂補強部５４には活性剤及びチクソ性付与剤が残存していないことが好ましい。しかし、信頼性を損なわなければ、微量の活性剤及びチクソ性付与剤が残存していてもよい。したがって、これらを洗浄により除去する必要はない。

上述のように、本実施の形態においては、第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物１４がベンゾオキサジン化合物を含有しているので、半田粉の融点の高低にかかわりなく、半田付けの際に半田粉が溶融して凝集することを阻害しないようにすることができる。

以上のように、本実施の形態の半導体部品８２は、半導体パッケージ８５と、上面に相当する第１面に第３パッド２３が形成された第３基板３３と、半導体パッケージ８５と第３パッド２３とを電気的に接続する第３半田接合部４３とを備える。また、第３半田接合部４３に接触して形成され、第３半田接合部４３を補強する第３樹脂補強部５３を備える。また、第３樹脂補強部５３が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第３熱硬化性樹脂バインダーが、２官能以上のオキセタン化合物を含んでもよい。

また、第３半田接合部４３の融点が１００℃以上２４０℃以下であってもよい。

また、第３半田接合部４３が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、第３熱硬化性樹脂バインダーが、２官能以上のエポキシ化合物を含んでもよい。

また、本実施の形態の半導体実装品８３は、半導体パッケージ８５と、上面に相当する第１面に第３パッド２３、第１面の反対側の下面に相当する第２面にランド６３が形成された第３基板３３とを備える。また、半導体パッケージ８５と第３パッド２３とを電気的に接続する第３半田接合部４３と、第３半田接合部４３に接触して形成され、第３半田接合部４３を補強する第３樹脂補強部５３とを備える。また、上面に相当する一面に第４パッド２４が形成された第４基板３４と、ランド６３と第４パッド２４とを電気的に接続する第４半田接合部４４と、第４半田接合部４４に接触して形成され、第４半田接合部４４を補強する第４樹脂補強部５４とを備える。また、第３樹脂補強部５３が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む。また、第３熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されており、第４樹脂補強部５４が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む第４熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方が、２官能以上のオキセタン化合物を含んでもよい。

また、第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４の融点が１００℃以上２４０℃以下であってもよい。

また、第３半田接合部４３及び第４半田接合部４４が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、第３熱硬化性樹脂バインダー及び第４熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方が、２官能以上のエポキシ化合物を含んでもよい。

また、本実施の形態の半導体部品８２の製造方法は、以下の工程Ａ３〜Ｄ３を含む。工程Ａ３：下面に相当する第２面に第３半田バンプ８５が形成された半導体パッケージ８５と、第２面の反対側の上面に相当する第１面に第３パッド２３が形成された第３基板３３とを準備する工程、工程Ｂ３：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第３パッド２３に印刷する工程、工程Ｃ３：第３半田バンプ８６を第３パッド２３に配置する工程、工程Ｄ３：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ８５及び第３基板３３を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物が、２官能以上のオキセタン化合物を含有してもよい。

また、第３半田バンプ８６が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

また、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物が、２官能以上のエポキシ化合物を含有してもよい。

また、ピーク温度に至るまでの昇温速度が１℃／秒以上４℃／秒以下であってもよい。

また、本実施の形態の半導体実装品８３の製造方法は、以下の工程Ａ４〜Ｈ４を含む。工程Ａ４：下面に相当する一面に第３半田バンプ８６が形成された半導体パッケージ８５と、上面に相当する第１面に第３パッド２３、第１面の反対側の下面に相当する第２面にランド６３が形成された第３基板３３と、上面に相当する第３面に第４パッド２４が形成された第４基板３４とを準備する工程、工程Ｂ４：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第３パッド２３に印刷する工程、工程Ｃ４：第３半田バンプ８６を第３パッド２３に配置する工程、工程Ｄ４：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ８５及び第３基板３３を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程、工程Ｅ４：ランド６３に第４半田バンプ８８を形成する工程、工程Ｆ４：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物と、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、第４パッド８８に印刷する工程、工程Ｇ４：第４半田バンプ８８を第４パッド２４に配置する工程、工程Ｈ４：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、半導体パッケージ８５、第３基板３３及び第４基板３４を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。これにより、半田粉の凝集状態が良好である。

また、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物及び第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物の一方又は両方が、２官能以上のオキセタン化合物を含有してもよい。

また、第３半田バンプ８６及び第４半田バンプ８８の一方又は両方が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されていてもよい。

また、半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されていてもよい。

また、第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物及び第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物の一方又は両方が、２官能以上のエポキシ化合物を含有してもよい。

また、ピーク温度に至るまでの昇温速度が１℃／秒以上４℃／秒以下であってもよい。

以下、本発明を実施例を用いて具体的に説明する。

［ペースト状熱硬化性樹脂組成物］
ペースト状熱硬化性樹脂組成物の構成成分として以下のものを用いる。

（半田粉）
・Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の粉末（ＳＡＣ３０５（Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ））
・Ｓｎ−Ｂｉ系半田の粉末（Ｓｎ−５８Ｂｉ）
（熱硬化性樹脂バインダー）
＜主剤＞
・式（Ｏ１）のオキセタン化合物（宇部興産株式会社製「ＥＴＥＲＮＡＣＯＬＬ ＯＸＢＰ」（略号ＯＸＢＰ））
・式（Ｏ２）のオキセタン化合物（宇部興産株式会社製「ＥＴＥＲＮＡＣＯＬＬ ＯＸＩＰＡ」（略号ＯＸＩＰＡ））
・式（Ｏ３）のオキセタン化合物（東亞合成株式会社製「ＯＸＴ−１２１」（略号ＸＤＯ））
・エポキシ化合物（三菱化学株式会社製「エピコート８０６」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂））
＜硬化剤＞
・式（Ｂ１）のベンゾオキサジン化合物（四国化成工業株式会社製「Ｐ−ｄ型」）
・式（Ｂ２）のベンゾオキサジン化合物（小西化学工業株式会社製「ＢＦ−ＢＸＺ」（ビスフェノールＦタイプ））
・式（Ｂ３）のベンゾオキサジン化合物（小西化学工業株式会社製「ＢＳ−ＢＸＺ」（ビスフェノールＳタイプ））
（硬化促進剤）
・２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製「２ＰＨＺ−ＰＷ」）
（活性剤）
・グルタル酸
・トリエタノールアミン
（チクソ性付与剤）
・アミド系ワックス（伊藤製油株式会社製「ＩＴＯＨＷＡＸ Ｊ−４２０」（Ｎ−ヒドロキシエチル−１２−ヒドロキシステアリルアミド））
（実施例１〜１７）
実施例１〜１７のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造する。各構成成分の含有量は（表１）に示す通りである。

チクソ性付与剤と、オキセタン化合物とエポキシ化合物（実施例１０では不使用）とを配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得る。

第１混合物に活性剤と、硬化剤とを配合し、これをプラネタリーミキサーで混練することにより、第２混合物を得る。なお、活性剤及び硬化剤については、１２０メッシュの篩を通過したものを用いる。

第２混合物に半田粉を配合し、これを引き続きプラネタリーミキサーで混練することにより、ペースト状熱硬化性樹脂組成物を得る。

（比較例１）
比較例１のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、次のようにして製造する。各構成成分の含有量は（表１）に示す通りである。

チクソ性付与剤と、エポキシ化合物を配合し、加温してチクソ性付与剤を溶解させることにより、第１混合物を得る。

第１混合物に活性剤と、硬化促進剤とを配合し、これをプラネタリーミキサーで混練することにより、第２混合物を得る。なお、活性剤及び硬化促進剤については、１２０メッシュの篩を通過したものを用いる。

第２混合物に半田粉を配合し、これを引き続きプラネタリーミキサーで混練することにより、ペースト状熱硬化性樹脂組成物を得る。

（ソルダボール試験）
上記のようにして得られるペースト状熱硬化性樹脂組成物を試料として用いて、規格番号ＪＩＳ Ｚ ３２８４の附属書１１に規定されたソルダボール試験を行う。ソルダバスの温度は２４０℃に設定し、加熱時間は６分とする。半田の凝集度合いを以下のレベル１〜５に分け、レベル１〜３を「ＧＤ」、レベル４を「ＯＫ」、レベル５を「ＮＧ」として評価する。

＜レベル１＞
半田粉が溶融して、半田は一つの大きな球となり、周囲にソルダボールがない。

＜レベル２＞
半田粉が溶融して、半田は一つの大きな球となり、周囲に直径７５μｍ以下のソルダボールが三つ以下ある。

＜レベル３＞
半田粉が溶融して、半田は一つの大きな球となり、周囲に直径７５μｍ以下のソルダボールが四つ以上あり、半連続の環状に並んではいない。

＜レベル４＞
半田粉が溶融して、半田は一つの大きな球となり、周囲に多数の細かい球が半連続の環状に並んでいる。

＜レベル５＞
上記以外のもの。

（樹脂硬化度合い）
ソルダボール試験後の樹脂の硬化度合いを以下のレベル１〜３に分け、レベル１を「ＧＤ」、レベル２を「ＯＫ」、レベル３を「ＮＧ」として評価する。

＜レベル１＞
十分に硬化している。

＜レベル２＞
未硬化部分がわずかに残っている。

＜レベル３＞
未硬化部分が残っており、タック性がある。

（表１）から明らかなように、オキセタン化合物を使用しないで硬化促進剤を使用する比較例１では、溶融した半田粉の凝集が阻害されているのに対して、オキセタン化合物を使用する実施例１〜１７では、溶融した半田粉の凝集が阻害されにくいことが確認される。

（表１）から明らかなように、ベンゾオキサジン化合物を使用しないで硬化促進剤を使用する比較例１では、溶融した半田粉の凝集が阻害されているのに対して、ベンゾオキサジン化合物を使用して硬化促進剤を使用しない実施例１〜１７では、溶融した半田粉の凝集が阻害されにくいことが確認される。

実施例１、１０、１１と実施例１２との対比から、主剤の全質量に対して、オキセタン化合物が５０質量％以上であることが好ましいことが確認される。すなわち、実施例１、１０、１１では、オキセタン化合物による硬化反応の遅延が優勢となり、溶融した半田粉の凝集が阻害されにくくなっている。これに対して、実施例１２では、エポキシ化合物による硬化反応の促進が若干優勢となり、溶融した半田粉の凝集がわずかに阻害されている。

実施例１５の評価結果から、主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が１０質量部未満であると、熱硬化性樹脂バインダーの硬化物にわずかに未硬化部分が発生することが確認される。

実施例１６の評価結果から、主剤１００質量部に対して、ベンゾオキサジン化合物が４０質量部を超えると、熱硬化性樹脂バインダーの硬化が若干速くなり、溶融した半田粉の凝集がわずかに阻害されることが確認される。

本発明のペースト状熱硬化性樹脂組成物は、半導体部品及び半導体実装品などに有用である。

２ 半導体部品
３ 半導体実装品
４ 半田粉
５ 半導体パッケージ
６ 第１半田バンプ
７ 第１熱硬化性樹脂バインダー
８ 第２半田バンプ
９ 隙間
１１ 第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物
１２ 第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物
１３ 第３ペースト状熱硬化性樹脂組成物
１４ 第４ペースト状熱硬化性樹脂組成物
２１ 第１パッド
２２ 第２パッド
２３ 第３パッド
２４ 第４パッド
３１ 第１基板
３２ 第２基板
３３ 第３基板
３４ 第４基板
４１ 第１半田接合部
４２ 第２半田接合部
４３ 第３半田接合部
４４ 第４半田接合部
５１ 第１樹脂補強部
５２ 第２樹脂補強部
５３ 第３樹脂補強部
５４ 第４樹脂補強部
６１ ランド
６３ ランド
８２ 半導体部品
８３ 半導体実装品
８４ 半田粉
８５ 半導体パッケージ
８６ 第３半田バンプ
８７ 第３熱硬化性樹脂バインダー
８８ 第４半田バンプ
８９ 隙間

Claims (38)

1. 半田粉と、
   熱硬化性樹脂バインダーと、
   活性剤と、
   チクソ性付与剤とを含有するペースト状熱硬化性樹脂組成物であって、
   前記半田粉の融点が１００℃以上２４０℃以下であり、
   前記熱硬化性樹脂バインダーが、主剤及び硬化剤を含み、
   前記主剤が、２官能以上のオキセタン化合物を含む
   ペースト状熱硬化性樹脂組成物。
2. 前記オキセタン化合物が、下記式（Ｏ１）〜（Ｏ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物である
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
   

   
3. 前記主剤の全質量に対して、前記オキセタン化合物が５０質量％以上である
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
4. 前記硬化剤が、２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
5. 前記半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の粉末である
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
6. 前記半田粉が、Ｓｎ−Ｂｉ系半田の粉末である
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
7. 前記半田粉の平均粒径が３μｍ以上３０μｍ以下である
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
8. 前記主剤が、２官能以上のエポキシ化合物を含む
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
9. 前記活性剤が、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む
   請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
10. 前記チクソ性付与剤が、アミド系ワックスを含む
    請求項１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
11. 半田粉と、
    熱硬化性樹脂バインダーと、
    活性剤と、
    チクソ性付与剤とを含有するペースト状熱硬化性樹脂組成物であって、
    前記半田粉の融点が１００℃以上２４０℃以下であり、
    前記熱硬化性樹脂バインダーが、主剤及び硬化剤を含み、
    前記硬化剤が、２個以上のベンゾオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物を含む
    ペースト状熱硬化性樹脂組成物。
12. 前記ベンゾオキサジン化合物が、下記式（Ｂ１）〜（Ｂ３）からなる群より選ばれた１種以上の化合物である
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
    

    
13. 前記主剤１００質量部に対して、前記ベンゾオキサジン化合物が１０質量部以上４０質量部以下である
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
14. 前記主剤が、２官能以上のオキセタン化合物を含む
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
15. 前記半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田の粉末である
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
16. 前記半田粉が、Ｓｎ−Ｂｉ系半田の粉末である
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
17. 前記半田粉の平均粒径が３μｍ以上３０μｍ以下である
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
18. 前記主剤が、２官能以上のエポキシ化合物を含む
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
19. 前記活性剤が、グルタル酸及びトリエタノールアミンからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
20. 前記チクソ性付与剤が、アミド系ワックスを含む
    請求項１１に記載のペースト状熱硬化性樹脂組成物。
21. 半導体パッケージと、
    第１面に第１パッドが形成された第１基板と、
    前記半導体パッケージと前記第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、
    前記第１半田接合部に接触して形成され、前記第１半田接合部を補強する第１樹脂補強部とを備え、
    前記第１樹脂補強部が、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つを含む第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている
    半導体部品。
22. 前記第１半田接合部の融点が１００℃以上２４０℃以下である
    請求項２１に記載の半導体部品。
23. 前記第１半田接合部が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されている
    請求項２１に記載の半導体部品。
24. 前記第１熱硬化性樹脂バインダーが、２官能以上のエポキシ化合物を含む
    請求項２１に記載の半導体部品。
25. 半導体パッケージと、
    第１面に第１パッド、前記第１面の反対側の第２面にランドが形成された第１基板と、
    前記半導体パッケージと前記第１パッドとを電気的に接続する第１半田接合部と、
    前記第１半田接合部に接触して形成され、前記第１半田接合部を補強する第１樹脂補強部と、
    一面に第２パッドが形成された第２基板と、
    前記ランドと前記第２パッドとを電気的に接続する第２半田接合部と、
    前記第２半田接合部に接触して形成され、前記第２半田接合部を補強する第２樹脂補強部とを備え、
    前記第１樹脂補強部が、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つを含む第１熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されており、
    前記第２樹脂補強部が、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つを含む第２熱硬化性樹脂バインダーの硬化物で形成されている
    半導体実装品。
26. 前記第１半田接合部及び前記第２半田接合部の融点が１００℃以上２４０℃以下である
    請求項２５に記載の半導体実装品。
27. 前記第１半田接合部及び前記第２半田接合部が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されている
    請求項２５に記載の半導体実装品。
28. 前記第１熱硬化性樹脂バインダー及び前記第２熱硬化性樹脂バインダーの一方又は両方が、２官能以上のエポキシ化合物を含む
    請求項２５に記載の半導体実装品。
29. 以下の工程Ａ１〜Ｄ１を含む半導体部品の製造方法。
    工程Ａ１：第２面に第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、前記第２面の反対側の第１面に第１パッドが形成された第１基板とを準備する工程、
    工程Ｂ１：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、前記第１パッドに印刷する工程、
    工程Ｃ１：前記第１半田バンプを前記第１パッドに配置する工程、
    工程Ｄ１：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ及び前記第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。
30. 前記第１半田バンプが、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されている
    請求項２９に記載の半導体部品の製造方法。
31. 前記半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されている
    請求項２９に記載の半導体部品の製造方法。
32. 前記第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物が、２官能以上のエポキシ化合物を含有する
    請求項２９に記載の半導体部品の製造方法。
33. 前記ピーク温度に至るまでの昇温速度が１℃／秒以上４℃／秒以下である
    請求項２９に記載の半導体部品の製造方法。
34. 以下の工程Ａ２〜Ｈ２を含む半導体実装品の製造方法。
    工程Ａ２：一面に第１半田バンプが形成された半導体パッケージと、第１面に第１パッド、前記第１面の反対側の第２面にランドが形成された第１基板と、一面に第２パッドが形成された第２基板とを準備する工程、
    工程Ｂ２：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、前記第１パッドに印刷する工程、
    工程Ｃ２：前記第１半田バンプを前記第１パッドに配置する工程、
    工程Ｄ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ及び前記第１基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程、
    工程Ｅ２：前記ランドに第２半田バンプを形成する工程、
    工程Ｆ２：融点が１００℃以上２４０℃以下である半田粉と、少なくとも２官能以上のオキセタン化合物と２個以上のオキサジン環を有するベンゾオキサジン化合物のうちの一つと、活性剤と、チクソ性付与剤とを含有する第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物を、前記第２パッドに印刷する工程、
    工程Ｇ２：前記第２半田バンプを前記第２パッドに配置する工程、
    工程Ｈ２：ピーク温度が２２０℃以上２６０℃以下となるように、前記半導体パッケージ、前記第１基板及び前記第２基板を４分以上加熱してリフロー半田付けを行う工程。
35. 前記第１半田バンプ及び前記第２半田バンプの一方又は両方が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田で形成されている
    請求項３４に記載の半導体実装品の製造方法。
36. 前記半田粉が、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田及びＳｎ−Ｂｉ系半田からなる群より選ばれた１種以上の半田の粉末で形成されている
    請求項３４に記載の半導体実装品の製造方法。
37. 前記第１ペースト状熱硬化性樹脂組成物及び前記第２ペースト状熱硬化性樹脂組成物の一方又は両方が、２官能以上のエポキシ化合物を含有する
    請求項３４に記載の半導体実装品の製造方法。
38. 前記ピーク温度に至るまでの昇温速度が１℃／秒以上４℃／秒以下である
    請求項３４に記載の半導体実装品の製造方法。

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