JPWO2017057005A1 - 光学フィルム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層を備え、前記層は、第一面と、前記第一面とは反対側にある第二面とを有し、前記第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、２５モル％未満であり、前記第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、前記第二面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比が、０．５以下である、光学フィルム。

Description

本発明は、光学フィルム及びその製造方法に関する。

液晶化合物を用いて位相差フィルム等の光学フィルムを製造する場合、液晶化合物を含む液晶性組成物を樹脂フィルム等の適切な基材上に塗工して層を形成し、この液晶性組成物の層において液晶化合物を配向させ、液晶化合物の配向を維持した状態で層を硬化させることにより、所望の光学フィルムを得ることがある。また、このような方法で用いる液晶性組成物は、液晶化合物に組み合わせて、溶媒及び添加剤を含みうる（特許文献１〜３参照）。

特開２００７−１７７２４１号公報 特開２００９−２４２５６４号公報 特開２０１３−０７６８５１号公報

一般に、光学フィルムは、面内において均一な厚み及びレターデーションを有することを求められる。このような均一な厚み及びレターデーションを達成するためには、液晶性組成物を基材上に塗工する際、塗工を均一に行うことが求められる。このように塗工を均一に行うために、界面活性剤を含む液晶性組成物を用いることがある。また、この界面活性剤としては、フッ素原子を含むものを用いることが多い。

ところが、フッ素原子を含む界面活性剤を用いた場合、高輝度のＨＩＤランプ（高輝度放電ランプ）で光学フィルムを照らすと、ムラが観察されることがある。このムラは、均一な厚み及びレターデーションを有さない光学フィルムだけでなく、均一な厚み及びレターデーションを有する光学フィルムにおいても生じうる。前記のムラは、通常の使用態様では、光学フィルムの光学特性を損なうものでは無い。しかし、実際の商取引においては、前記のムラを理由として、光学フィルムの商品価値を低く評価されることがありうる。

本発明は前記の課題に鑑みて創案されたものであって、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層を備え、且つ、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できる光学フィルム；並びに、前記の光学フィルムの製造方法、を提供することを目的とする。

本発明者らは前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層において、その層の表面フッ素原子量を調整することによって、ＨＩＤランプで当該層を照らした場合のムラを抑制できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は下記の通りである。

〔１〕 重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層を備え、
前記層は、第一面と、前記第一面とは反対側にある第二面とを有し、
前記第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、２５モル％未満であり、
前記第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、前記第二面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比が、０．５以下である、光学フィルム。
〔２〕 前記光学フィルムが、基材を備え、
前記第一面が、前記基材とは反対側の前記層の面であり、
前記第二面が、前記基材側の前記層の面である、〔１〕記載の光学フィルム。
〔３〕 前記界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合が、３０重量％以下である、〔１〕又は〔２〕記載の光学フィルム。
〔４〕 前記重合性液晶化合物が、逆波長分散性の複屈折を発現しうる、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の光学フィルム。
〔５〕 前記重合性液晶化合物が、前記重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む、〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の光学フィルム。
〔６〕 前記重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）で表される、〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の光学フィルム。
（前記式（Ｉ）において、
Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
〔７〕 重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を、基材上に塗工する工程と、
前記基材上に塗工された前記液晶性組成物に含まれる前記重合性液晶化合物を重合させて、前記液晶性組成物を硬化させた硬化物の層を得る工程と、を含み、
前記層の前記基材とは反対側の面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、２５モル％未満であり、
前記層の前記基材とは反対側の面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、前記層の前記基材側の面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比が、０．５以下である、光学フィルムの製造方法。

本発明によれば、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層を備え、且つ、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できる光学フィルム；並びに、前記の光学フィルムの製造方法、を提供できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る光学フィルムの断面を模式的に示す断面図である。 図２は、実施例１〜３で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図３は、実施例４〜６で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図４は、実施例７〜９で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図５は、実施例１０及び１１で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図６は、実施例１２〜１４で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図７は、比較例１及び２で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図８は、比較例３及び４で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図９は、比較例５及び６で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図１０は、比較例７〜１１で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフである。 図１１は、ＨＩＤランプによって照らされた光学フィルムを示す写真である。 図１２は、白色蛍光灯によって照らされた光学フィルムを示す写真である。 図１３は、パラニコルとなるように重ねた２枚の直線偏光子の間に光学フィルムを置いた様子を示す写真である。

以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、用語「偏光板」及び用語「波長板」は、別に断らない限り、樹脂フィルム等の可撓性を有するフィルム及びシートを包含する。

以下の説明において、固有複屈折値が正の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなる樹脂を意味する。また、固有複屈折値が負の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなる樹脂を意味する。固有複屈折値は、誘電率分布から計算しうる。

以下の説明において、ある層のレターデーションとは、別に断らない限り、面内レターデーションＲｅを表す。この面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に垂直な方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。

以下の説明において、ある層の遅相軸の方向とは、別に断らない限り、面内方向の遅相軸の方向をいう。

以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

［１．光学フィルムの概要］
図１は、本発明の一実施形態に係る光学フィルムの断面を模式的に示す断面図である。図１に示すように、本発明の一実施形態に係る光学フィルム１００は、液晶性組成物を硬化した硬化物の層１１０を備える。以下、この硬化物の層１１０を、適宜、「液晶硬化層」ということがある。また、前記の液晶性組成物は、重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む。界面活性剤がフッ素原子を含むので、液晶硬化層１１０には、フッ素原子が含まれる。

前記の液晶硬化層１１０は、第一面１１０Ｕと、第一面１１０Ｕとは反対側にある第二面１１０Ｄとを有する。これらの第一面１１０Ｕ及び第二面１１０Ｄにあるフッ素原子の量は、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy；ＸＰＳ）によって測定しうる。以下の説明において、Ｘ線光電子分光法によって測定されるフッ素原子の量を、適宜「表面フッ素原子量」ということがある。

本発明の一実施形態に係る光学フィルム１００は、下記の要件（ａ）及び要件（ｂ）を満たす。
（ａ）：第一面１１０ＵにおいてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、所定範囲に収まる。
（ｂ）：第一面１１０ＵにおいてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、第二面１１０ＤにおいてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比が、所定範囲に収まる。
これらの要件（ａ）及び要件（ｂ）を組み合わせて満たすことにより、光学フィルム１００は、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できる。以下の説明において、「第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、第二面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比」を、適宜、「表面フッ素量比」ということがある。

また、光学フィルム１００は、基材１２０を備えうる。この基材１２０は、通常、液晶硬化層１１０を形成するために用いられたものである。光学フィルム１００が基材１２０を備える場合、通常は、基材１２０とは反対側の液晶硬化層１１０の面が、第一面１１０Ｕであり、基材１２０側の液晶硬化層の面が、第二面１１０Ｄである。そこで、以下の説明では、適宜、第一面１１０Ｕを「オモテ面」と呼び、第二面１１０Ｄを「ウラ面」と呼ぶ。

［２．液晶硬化層］
〔２．１．表面フッ素原子量に係る説明〕
液晶硬化層は、重合性液晶化合物及び界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層である。前記の界面活性剤がフッ素原子を含むので、液晶硬化層の表面（オモテ面及びウラ面）をＸ線光電子分光法によって分析すると、通常は、フッ素原子が検出される。

液晶硬化層のオモテ面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量は、通常２５モル％未満、好ましくは１０モル％以下である（要件（ａ）参照）。このように液晶硬化層のオモテ面における表面フッ素原子量を少なくすることにより、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できる。また、通常は、オモテ面の表面フッ素原子量が少ないことにより、搬送ロール等の製造設備に液晶硬化層からフッ素が移ることを抑制できるので、装置汚染を抑制することが可能である。液晶硬化層のオモテ面における表面フッ素原子量の下限値は、特段の制限は無いが、好ましくは１モル％以上である。液晶硬化層のオモテ面における表面フッ素原子量を前記下限値以上にすることにより、厚みの薄い液晶硬化層を製造する際に、基材への液晶性組成物の塗りつき性が良好になる。

一般に、界面活性剤を含む液晶性組成物において、界面活性剤は空気界面の近傍に集まる傾向がある。そうすると、界面活性剤が含むフッ素原子は液晶性組成物の空気界面の近傍に集中するので、当該液晶性組成物の硬化物の層においては、その空気界面に対応する面（液晶硬化層のオモテ面に相当。）においてフッ素原子量が大きくなり易い。このようにフッ素原子量が大きいと、フッ素原子を含む官能基及び分子等の化学種が凝集して、塊りを形成し、結果として、硬化物の層の面状態が粗くなる。通常、前記の塊りによって面状態が粗くなる程度は小さく、硬化物の層のレターデーション等の光学特性を損なうものでは無い。しかし、ＨＩＤランプによる高輝度の光を照射されると、微小な面状態の不均一さであっても質感又は色の違いとして視認されるので、従来はムラが観察されていた。これに対し、本実施形態に係る液晶硬化層では、空気界面に相当するオモテ面での表面フッ素原子量を低くすることで、フッ素原子を含む化学種の凝集による塊りの形成を抑制している。そのため、前記の塊りによって面状態が粗くならないので、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できていると推察される。ただし、本発明の技術的範囲は、前記の推察によって制限されるものでは無い。

液晶硬化層のオモテ面において表面フッ素原子量を前記の所定範囲に収める方法としては、例えば、重合性液晶化合物と界面活性剤との組み合わせを適切に調整する方法、及び、フッ素原子含有量が適切な界面活性剤を選択する方法、などが挙げられる。

さらに、液晶硬化層の表面フッ素量比（即ち、オモテ面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、ウラ面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比（ウラ面／オモテ面））は、所定値以下である。具体的には、前記の表面フッ素量比は、通常０．５以下である。このように表面フッ素量比を小さくすることにより、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できる。表面フッ素量比の下限値は、特段の制限は無いが、好ましくは０．０１以上である。表面フッ素量比を前記下限値以上にすることにより、所望の液晶硬化層の液晶配向性を良好にできる。

液晶化合物と界面活性剤とを含む液晶性組成物を基材に塗工したときに、上述したように一部の界面活性剤は空気界面の近傍に集まるが、ここでは、空気界面の近傍に集まらなかった界面活性剤を考える。液晶化合物と界面活性剤との親和性が低い場合、空気界面に集まらなかった界面活性剤は、液晶性組成物と基材との界面の近傍に集まる。そのため、その液晶性組成物の硬化物の層において、液晶性組成物と基材との界面に対応する面（液晶硬化層のウラ面に相当。）のフッ素原子量が大きくなり、結果として、表面フッ素量比は大きくなる。これに対し、液晶化合物と界面活性剤との親和性が高い場合、空気界面に集まらなかった界面活性剤は、液晶性組成物と基材との界面の近傍に集まらないで、液晶性組成物中に広く分散する。そのため、液晶性組成物の硬化物の層において、液晶性組成物と基材との界面に対応する面（液晶硬化層のウラ面に相当。）のフッ素原子量が小さくなり、結果として、表面フッ素量比は小さくなる。このように、本実施形態に係る液晶硬化層のように、表面フッ素量比が小さいことは、重合性液晶化合物と界面活性剤との親和性が高いことを表す。重合性液晶化合物と界面活性剤との親和性が高いことにより、界面活性剤の分散性を高めたり、基材上に塗工された液晶性組成物の組成を高いレベルで均一にしたりできるので、液晶硬化層の面状態を良好にできる。そのため、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できていると推察される。ただし、本発明の技術的範囲は、前記の推察によって制限されるものでは無い。

液晶硬化層の表面フッ素量比を前記の所定範囲に収める方法としては、例えば、重合性液晶化合物と界面活性剤との組み合わせを適切に調整する方法、などが挙げられる。

〔２．２．液晶性組成物に係る説明〕
液晶性組成物は、重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む。また、液晶性組成物は、溶媒及び重合開始剤等の任意の成分を含みうる。この液晶性組成物は、常温下においては紛体状、液体状の形態は問わないが、配向処理をされる温度域（通常は５０℃〜１５０℃）においては、通常、流体状であり、また、塗工をされる温度域において流体状であることが好ましい。

（２．２．１．重合性液晶化合物）
重合性液晶化合物は、重合性を有する液晶化合物である。この重合性液晶化合物は、液晶性を有する化合物であるので、当該重合性液晶化合物を配向させたときに、液晶相を呈しうる。また、重合性液晶化合物は、重合性を有する化合物であるので、前記のように液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向を維持したまま重合体となりうる。このように重合性液晶化合物を重合させることにより、液晶性組成物を硬化させて硬化物を得ることができる。

重合性液晶化合物としては、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を用いることが好ましい。以下の説明において、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物のことを、適宜「逆波長重合性液晶化合物」ということがある。逆波長重合性液晶化合物を用いることにより、本発明の所望の効果をより良好に発現させることができる。ここで、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物とは、前記のように重合体とした場合に、得られた重合体が逆波長分散性の複屈折を発現する重合性液晶化合物をいう。

逆波長分散性の複屈折とは、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長６５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（６５０）が、下記式（Ｄ１）を満たす複屈折をいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現しうる。したがって、通常、逆波長重合性液晶化合物を前述のように重合させた重合体の複屈折は、下記式（Ｄ２）を満たす。下記式（Ｄ２）において、Δｎ（５５０）は、測定波長５５０ｎｍにおける複屈折を表す。
Δｎ（４５０）＜Δｎ（６５０） （Ｄ１）
Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０）＜Δｎ（６５０） （Ｄ２）

このような逆波長重合性液晶化合物としては、当該逆波長重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む化合物を用いうる。主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンを含む前記の逆波長重合性液晶化合物は、当該逆波長重合性液晶化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンが主鎖メソゲンと異なる方向に配向しうる。そのため、このような配向を維持したまま逆波長重合性液晶化合物を重合させて得た重合体においては、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは、異なる方向に配向しうる。このような場合、複屈折は主鎖メソゲンに対応する屈折率と側鎖メソゲンに対応する屈折率との差として発現するので、結果として、逆波長重合性液晶化合物及びその重合体は、逆波長分散性の複屈折を発現できる。

前記のように主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンを有する化合物の立体形状は、一般的な順波長分散性液晶化合物の立体形状とは異なる特異的な形状である。ここで、「順波長重合性液晶化合物」とは、順波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物をいう。また、順波長分散性の複屈折とは、測定波長が大きいほど当該複屈折の絶対値が小さくなる複屈折を表す。重合性液晶化合物が前記のような特異的な立体形状を有する場合に、本発明の所望の効果をより良好に発現させることができる。

逆波長重合性液晶化合物の好適な具体例としては、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。以下の説明において、式（Ｉ）で表される化合物を、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。

化合物（Ｉ）は、通常、下記式で表すように、基−Ｙ^５−Ａ^４−（Ｙ^３−Ａ^２）_ｎ−Ｙ^１−Ａ^１−Ｙ^２−（Ａ^３−Ｙ^４）_ｍ−Ａ^５−Ｙ^６−からなる主鎖メソゲン１ａ、及び、基＞Ａ^１−Ｃ（Ｑ^１）＝Ｎ−Ｎ（Ａ^ｘ）Ａ^ｙからなる側鎖メソゲン１ｂの２つのメソゲン骨格を含む。また、これらの主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂは、互いに交差している。上記の主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂをあわせて１つのメソゲンとすることもできるが、本発明では、２つのメソゲンに分けて表記する。

主鎖メソゲン１ａの長軸方向における屈折率をｎ１、側鎖メソゲン１ｂの長軸方向における屈折率をｎ２とする。この際、屈折率ｎ１の絶対値及び波長分散性は、通常、主鎖メソゲン１ａの分子構造に依存する。また、屈折率ｎ２の絶対値及び波長分散性は、通常、側鎖メソゲン１ｂの分子構造に依存する。ここで、液晶相において逆波長重合性液晶化合物は、通常、主鎖メソゲン１ａの長軸方向を回転軸として回転運動を行うので、ここでいう屈折率ｎ１及びｎ２とは、回転体としての屈折率を表している。

主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂの分子構造に由来して、屈折率ｎ１の絶対値は屈折率ｎ２の絶対値より大きい。さらに、屈折率ｎ１及びｎ２は、通常、順波長分散性を示す。ここで、順波長分散性の屈折率とは、測定波長が大きいほど当該屈折率の絶対値が小さくなる屈折率を表す。主鎖メソゲン１ａの屈折率ｎ１は、順波長分散性が小さいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅には小さくならない。これに対し、側鎖メソゲン１ｂの屈折率ｎ２は、順波長分散性が大きいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅に小さくなる。そのため、測定波長が短いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎは小さく、測定波長が長いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎが大きくなる。このようにして、主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂに由来して逆波長分散性の複屈折が発現しうる。

前記式（Ｉ）において、Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。

ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^１の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基が挙げられる。
Ｒ^１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。

化合物（Ｉ）においては、Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であることが好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；が挙げられる。

Ｇ^１及びＧ^２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。

また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、例えば、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＮＲ^２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−が挙げられる。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ_２）_４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ_２）_６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ_２）_８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕が特に好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ^１及びＺ^２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−が挙げられる。

なかでも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｚ^１及びＺ^２としては、それぞれ独立して、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−がより好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−が特に好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の両方を有するものであってもよい。

前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；が挙げられる。

Ａ^ｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^５；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^５；−ＳＯ_２Ｒ^６；等が挙げられる。ここで、Ｒ^５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６は後述するＲ^４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

また、Ａ^ｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
さらに、Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、例えば、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；が挙げられる。

Ａ^ｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａ^ｘは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基

（２）芳香族複素環基

上記式中、Ｅは、ＮＲ^６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

上記式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、ＮＲ^７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ_２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ^７は、前記Ｒ^６ａと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
（３）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基

（４）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基

（５）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基

上記したＡ^ｘの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環基、又は炭素数４〜３０の芳香族複素環基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましい。

さらに、Ａ^ｘは、下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。

Ａ^ｘが有する環は、置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８；−ＳＯ_２Ｒ^６；が挙げられる。ここでＲ^８は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

Ａ^ｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は、単環であってもよく、縮合多環であってもよい。
Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

前記式（Ｉ）において、Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ａ；−ＳＯ_２Ｒ^８ａ；−ＳＲ^１０；−ＳＲ^１０で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；が挙げられる。ここで、Ｒ^７ａ及びＲ^１０は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^８ａは、前記Ｒ^４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ａ；−ＳＯ_２Ｒ^８ａ；水酸基；が挙げられる。ここでＲ^７ａ及びＲ^８ａは、前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。

Ａ^ｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３で表される基において、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａ^ｘで説明した芳香族炭化水素環基のうち炭素数が５〜１２のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、−ＳＯ_２−Ｒ^４で表される基において、Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^４の、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａ^ｙの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９で表される基において、Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａ^ｘで説明した芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基のうち炭素数が５〜２０のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａ^ｘで説明したのと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましい。さらに、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ^３及びＲ^４は、前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０が好ましい。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。

また、Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。

前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、及び、炭素数６〜３０の不飽和炭素環は、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。
Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって形成される環としては、例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の

として表される部分を示すものである。

（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｘとＡ^ｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、好ましくは４以上、より好ましくは６以上であり、好ましくは２４以下、より好ましくは２０以下、特に好ましくは１８以下である。

Ａ^ｘとＡ^ｙの好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（α）及び組み合わせ（β）が挙げられる。
（α）Ａ^ｘが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基であり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基及び−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。
（β）Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成している組み合わせ。
ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｘとＡ^ｙのより好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（γ）が挙げられる。
（γ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
Ａ^ｘとＡ^ｙの特に好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（δ）が挙げられる。
（δ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、及び、−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

前記式（Ｉ）において、Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であってもよく、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ^１、Ｙ^２を便宜上記載している（Ｙ^１、Ｙ^２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。

これらの中でも、Ａ^１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。

Ａ^１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａ^ｘの芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。Ａ^１としては、置換基を有さないものが好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基が挙げられる。

炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；が挙げられる。

炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；が挙げられる。

これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ａ^ｘの芳香環の置換基として説明したものと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^２及びＡ^３としては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）〜（Ａ３４）で表される基がさらに好ましく、下記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。

前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ^１及びＹ^３（又はＹ^２及びＹ^４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型及びトランス型の立体異性体が存在しうる。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。

前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。中でも、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。Ａ^４及びＡ^５の芳香族基は、単環のものであっても、多環のものであってもよい。Ａ^４及びＡ^５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。

上記Ａ^４及びＡ^５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８ｂ基；が挙げられる。ここでＲ^８ｂは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）又は（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。

前記式（Ｉ）において、Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記Ａ^ｙで説明した置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基のうち、炭素数が１〜６のものが挙げられる。これらの中でも、Ｑ^１は、水素原子及び炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。

前記式（Ｉ）において、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。中でも、ｍは好ましくは１であり、また、ｎは好ましくは１である。

化合物（Ｉ）は、例えば、下記に示す反応により製造しうる。

（式中、Ｙ^１〜Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^５、Ｑ^１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。）

前記の反応式に示したように、式（３）で表されるヒドラジン化合物と式（４）で表されるカルボニル化合物とを反応させることにより、化合物（Ｉ）を製造することができる。以下、式（３）で表されるヒドラジン化合物を、適宜「ヒドラジン化合物（３）」ということがある。また、式（４）で表されるカルボニル化合物を、適宜「カルボニル化合物（４）」ということがある。

前記の反応において、「ヒドラジン化合物（３）：カルボニル化合物（４）」のモル比は、好ましくは１：２〜２：１、より好ましくは１：１．５〜１．５：１である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で、目的とする化合物（Ｉ）を製造できる。

この場合、反応系は、（±）−１０−カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を含んでいてもよい。酸触媒を用いることで、反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の量は、カルボニル化合物（４）１モルに対して、通常０．００１モル〜１モルである。また、酸触媒は、反応系にそのまま配合してもよく、適切な溶液に溶解させた溶液として配合してもよい。

この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン化合物（３）１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。

反応は、通常、−１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。

ヒドラジン化合物（３）は、次のようにして製造しうる。

（式中、Ａ^ｘ及びＡ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘ^ａは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）

前記の反応式に示したように、式（２ａ）で表される化合物とヒドラジン（１）とを、適切な溶媒中で反応させることで、対応するヒドラジン化合物（３ａ）を得ることができる。この反応における「化合物（２ａ）：ヒドラジン（１）」のモル比は、好ましくは１：１〜１：２０、より好ましくは１：２〜１：１０である。さらに、ヒドラジン化合物（３ａ）と式（２ｂ）で表される化合物とを反応させることで、ヒドラジン化合物（３）を得ることができる。

ヒドラジン（１）としては、通常１水和物のものを用いうる。ヒドラジン（１）は、市販品をそのまま使用することができる。

この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。

反応は、通常、−１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。

また、ヒドラジン化合物（３）は、次のように、公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５）を還元することによっても製造しうる。

式（５）中、Ａ^ｘ及びＡ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘ^ｂ−は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘ^ｂ−としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；が挙げられる。

上記反応に用いる還元剤としては、例えば金属塩還元剤が挙げられる。金属塩還元剤とは、一般に、低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編 丸善株式会社発行８１０ページを参照）。

金属塩還元剤としては、例えば、ＮａＡｌＨ_４、ＮａＡｌＨ_ｐ（Ｏｒ）_ｑ（ｐ及びｑは、それぞれ独立して１〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である。ｒは、炭素数１〜６のアルキル基を表す。）、ＬｉＡｌＨ_４、ｉＢｕ_２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ_４、ＮａＢＨ_４、ＳｎＣｌ_２、ＣｒＣｌ_２、ＴｉＣｌ_３が挙げられる。ここで「ｉＢｕ」は、イソブチル基を表す。

還元反応においては公知の反応条件を採用しうる。例えば、特開２００５−３３６１０３号公報、新実験化学講座 １９７８年 丸善株式会社発行 １４巻、実験化学講座 １９９２年 丸善株式会社発行 ２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行いうる。
また、ジアゾニウム塩（５）は、アニリン等の化合物から常法により製造しうる。

カルボニル化合物（４）は、例えば、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。

エーテル結合の形成は、以下のようにして行いうる。
（ｉ）式：Ｄ１−ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを、混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
（ii）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iii）式：Ｄ１−Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iv）式：Ｄ１−ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
（ｖ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅の存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。

エステル結合及びアミド結合の形成は、以下のようにして行いうる。
（vi）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
（vii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１−ＣＯ−ｈａｌで表される化合物を得て、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
（viii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを反応させる。
（ix）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。

カルボニル化合物（４）は、より具体的には、下記反応式に示す方法により製造しうる。

（式中、Ｙ^１〜Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^１〜Ａ^５、Ｑ^１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。−Ｙ^１ａは、−Ｌ^１と反応して−Ｙ^１−となりうる基を表し、−Ｙ^２ａは、−Ｌ^２と反応して−Ｙ^２−となりうる基を表す。）

前記の反応式に示したように、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、又は、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の形成反応を用いることにより、式（６ｄ）で表される化合物に、式（７ａ）で表される化合物、次いで、式（７ｂ）で表される化合物を反応させて、カルボニル化合物（４）を製造することができる。

具体例として、Ｙ^１が、式：Ｙ^１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基であり、且つ、式：Ｚ^２−Ｙ^８−Ｇ^２−Ｙ^６−Ａ^５−（Ｙ^４−Ａ^３）_ｍ−Ｙ^２−で表される基が、式：Ｚ^１−Ｙ^７−Ｇ^１−Ｙ^５−Ａ^４−（Ｙ^３−Ａ^２）_ｎ−Ｙ^１−で表される基と同一である、化合物（４’）の製造方法を以下に示す。

（式中、Ｙ^３、Ｙ^５、Ｙ^７、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^４、Ｑ^１、ｎ及びＬ^１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１１は、Ｙ^１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−がＹ^１となる基を表す。Ｙ^１は前記と同じ意味を表す。）

前記の反応式に示したように、式（６）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６））と式（７）で表される化合物（化合物（７））とを反応させることにより、化合物（４’）を製造し得る。この反応における「化合物（６）：化合物（７）」のモル比は、好ましくは１：２〜１：４、より好ましくは１：２〜１：３である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４’）を得ることができる。

化合物（７）が、Ｌ^１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。脱水縮合剤の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。

また、化合物（７）が、Ｌ^１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、メタンスルホニルクロリド、ｐ−トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下に反応させることによっても、目的物を得ることができる。スルホニルハライドの使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。また、塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。この場合、前記式（７）中、Ｌ^１がスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）を単離して、次の反応を行ってもよい。

さらに、化合物（７）が、Ｌ^１がハロゲン原子である化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。

上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。

化合物（６）の多くは公知物質であり、公知の方法により製造しうる。例えば、下記反応式に示す方法により製造しうる（国際公開第２００９／０４２５４４号、及び、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，７６，８０８２−８０８７等参照。）。化合物（６）として市販されているものを、所望により精製して用いてもよい。

（式中、Ａ^１及びＱ^１は、前記と同じ意味を表し、Ａ^１ａは、ホルミル化又はアシル化されることによりＡ^１になりうる２価の芳香族基を表し、Ｒ’は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、メトキシメチル基等の炭素数２〜６のアルコキシアルキル基等の、水酸基の保護基を表す。）

前記の反応式に示したように、式（６ａ）で表されるジヒドロキシ化合物（１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシナフタレン等）の水酸基をアルキル化して、式（６ｂ）で表される化合物を得る。その後、ＯＲ’基のオルト位を、公知の方法により、ホルミル化又はアシル化することにより、式（６ｃ）で表される化合物を得る。そして、このものを脱保護（脱アルキル化）することにより、目的とする化合物（６）を製造しうる。
また、化合物（６）として、市販されているものをそのまま、又は所望により精製して用いてもよい。

化合物（７）の多くは公知化合物であり、例えば、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。

例えば、化合物（７）が、下記式（７’）で表される化合物（化合物（７’））である場合には、式（９’）で表されるジカルボン酸（化合物（９’））を用いて、下記のようにして製造することができる。

（式中、Ｙ^５、Ｙ^７、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^２、Ａ^４及びＹ^１１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１２は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^１２がＹ^３となる基を表す。Ｒは、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；を表す。）

先ず、化合物（９’）に、式（１０）で表されるスルホニルクロライドを、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基存在下で反応させる。次いで、反応混合物に、化合物（８）と、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基を加えて反応を行う。
スルホニルクロライドの使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
また、化合物（８）の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．６当量である。
塩基の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
反応温度は、２０℃〜３０℃であり、反応時間は反応規模等にもよるが、数分から数時間である。

上記反応に用いる溶媒としては、前記化合物（４’）を製造する際に用いうる溶媒として例示したものが挙げられる。なかでも、エーテル溶媒が好ましい。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、化合物（９’）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。

いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行いうる。また、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離精製法を施すことにより、目的物を単離しうる。
目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定できる。

重合性液晶化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは７００以上、特に好ましくは１０００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。重合性液晶化合物が前記のような分子量を有することは、重合性液晶化合物が単量体であることを表す。重合体ではなく単量体としての重合性液晶化合物を用いることにより、液晶性組成物の塗工性を特に良好にできる。

重合性液晶化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

（２．２．２．界面活性剤）
液晶性組成物は、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を含む。この界面活性剤により、液晶性組成物の塗工性を良好にできる。そのため、液晶性組成物を硬化させた硬化物の層としての液晶硬化層の面状態を良好にできるので、液晶硬化層の厚み、配向性及びレターデーションの均一性を向上させることができる。

界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合は、好ましくは１重量％以上であり、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を、前記範囲の下限値以上にすることにより、液晶硬化層の面状態及び配向性を良好にできる。また、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を、前記範囲の上限値以下にすることにより、液晶硬化層の面状態及び配向性を良好にでき、更にはＨＩＤランプで照らされた場合の斑点状のシミ及びムラを抑制できる液晶硬化層を容易に形成できる。

界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合は、下記の方法によって測定しうる。
試料としての界面活性剤を秤量し、分析装置の燃焼管内で燃焼させる。燃焼により発生したガスを、適切な溶液に吸収させて、吸収液を得る。その後、吸収液の一部をイオンクロマトグラフィーにより分析することによって、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を測定しうる。

分子中にフッ素原子を含む前記の界面活性剤は、フルオロアルキル基を含むことが好ましい。フルオロアルキル基としては、面状態の改善、配向性の改善、位相差ムラの抑制、及び厚みムラの抑制といった効果を顕著に発揮する観点から、パーフルオロアルキル基またはパーフルオロアルケニル基が好ましく、特に−Ｃ_６Ｆ_１３基またはヘキサフルオロプロピレントリマー基が好ましい。

界面活性剤としては、当該界面活性剤の分子中に２単位以上含まれる繰り返し単位を有するオリゴマー構造を有するものを用いてもよく、繰り返し単位を含まないモノマー構造を有するものを用いてもよい。

また、界面活性剤としては、重合性を有さないものを用いてもよく、重合性を有するものを用いてもよい。重合性を有する界面活性剤は、重合性液晶化合物を重合させる際に重合しうるので、通常は、液晶硬化層においては重合体の分子の一部に含まれる。

前記のようにフッ素原子を含む界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ２４２、Ｓ３８６など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ２５１、Ｆ５５４、Ｆ５５６、Ｆ５６２、ＲＳ−７５、ＲＳ−７６−Ｅなど）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（ＦＴＸ６０１ＡＤ、ＦＴＸ６０２Ａ、ＦＴＸ６０１ＡＤＨ２、ＦＴＸ６５０Ａなど）等が挙げられる。また、これらの界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

フッ素原子を含む界面活性剤の量は、重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、特に好ましくは０．３重量部以上であり、好ましくは５．０重量部以下、より好ましくは１．０重量部以下、更に好ましくは０．７重量部以下、特に好ましくは０．５重量部未満である。界面活性剤の量が、前記範囲の下限値以上であることにより基材への液晶性組成物の塗り付き性が良好になり、前記範囲の上限値以下であることにより、配向性を保ちながら液晶性組成物の面状態の改良ができる。

〔２．２．３．任意の成分〕
液晶性組成物は、前述した重合性液晶化合物及び界面活性剤に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。
例えば、液晶性組成物は、溶媒を含みうる。溶媒としては、重合性液晶化合物を溶解できるものが好ましい。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；が挙げられる。

溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせた混合溶媒として用いてもよい。例えば、シクロペンタノン等のケトン溶媒と１，３−ジオキソラン等のエーテル溶媒とを組み合わせて用いることが好ましい。このように組み合わせる場合、ケトン溶媒とエーテル溶媒との重量比（ケトン溶媒／エーテル溶媒）は、好ましくは１０／９０以上、より好ましくは３０／７０以上、特に好ましくは４０／６０以上であり、好ましくは９０／１０以下、より好ましくは７０／３０以下、特に好ましくは５０／５０以下である。ケトン溶媒及びエーテル溶媒を前記の重量比で用いることにより、塗工時の欠陥発生の抑制ができる。

溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃である。

溶媒の量は、重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは３００重量部以上、より好ましくは３５０重量部以上、特に好ましくは４００重量部以上であり、好ましくは７００重量部以下、より好ましくは６００重量部以下、特に好ましくは５００重量部以下である。溶媒の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより異物発生の抑制ができ、前記範囲の上限値以下にすることにより乾燥負荷の低減ができる。

また、例えば、液晶性組成物は、重合開始剤を含みうる。重合開始剤は、重合性液晶化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、重合性液晶化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、重合性液晶化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、重合性液晶化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。

ラジカル重合開始剤としては、加熱によって重合性液晶化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である熱ラジカル発生剤；可視光線、紫外線（ｉ線など）、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光光の露光により、重合性液晶化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である光ラジカル発生剤；のいずれも使用可能である。中でも、ラジカル重合開始剤としては、光ラジカル発生剤が好適である。

光ラジカル発生剤としては、例えば、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物を挙げられる。これらの化合物は、露光によって、活性ラジカル、活性酸、又は、活性ラジカル及び活性酸の両方を発生しうる。

アセトフェノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシル・フェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，２−オクタンジオン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−４’−モルフォリノブチロフェノンを挙げることができる。

ビイミダゾール系化合物の具体例としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールを挙げることができる。

重合開始剤としてビイミダゾール系化合物を用いる場合、ビイミダゾール系化合物に組み合わせて水素供与体を用いることにより、感度を更に改良することができる。ここで「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。水素供与体としては、下記で例示するメルカプタン系化合物及びアミン系化合物が好ましい。

メルカプタン系化合物としては、例えば、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−２，５−ジメチルアミノピリジンを挙げることができる。アミン系化合物としては、例えば、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ジエチルアミノアセトフェノン、４−ジメチルアミノプロピオフェノン、エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノベンゾニトリルを挙げることができる。

トリアジン系化合物の具体例としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の、ハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げることができる。

Ｏ−アシルオキシム系化合物の具体例としては、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−ヘプタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（ベンゾイル）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−［９−エチル−６−（３−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−（９−エチル−６−ベンゾイル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）ベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）を挙げることができる。

光ラジカル発生剤としては、市販品をそのまま用いてもよい。具体例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９、及び商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２、ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９等が挙げられる。

アニオン重合開始剤としては、例えば、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩やトリリチウム塩等の多官能性開始剤；が挙げられる。

カチオン重合開始剤としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；が挙げられる。

重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合開始剤の量は、重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まることにより、重合性液晶化合物の重合を効率的に進行させることができる。

さらに、液晶性組成物が含みうる任意の成分としては、例えば、重合性液晶化合物以外の重合性化合物；金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等の添加剤が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

前記の添加剤の量は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で任意に設定しうる。添加剤の量は、具体的には、重合性液晶化合物１００重量部に対して、各々０．１重量部〜２０重量部としうる。

〔２．３．液晶硬化層の組成に係る説明〕
液晶硬化層は、上述した液晶性組成物を硬化した硬化物の層である。この硬化物において、重合性液晶化合物は、重合して重合体となっている。通常は、重合によって重合性液晶化合物の流動性は失われるので、液晶性組成物を硬化した硬化物の層としての液晶硬化層は、重合性液晶化合物の重合体を含む固体状の層となっている。

また、液晶硬化層は、液晶性組成物に含まれていた界面活性剤を含みうる。さらに、例えば界面活性剤が重合性を有する場合、液晶硬化層は、重合性液晶化合物と界面活性剤との重合体を含んでいてもよく、界面活性剤同士の重合体を含んでいてもよい。これらのいずれの場合でも、界面活性剤の分子に含まれていたフッ素原子は液晶硬化層に残留する。そのため、液晶硬化層の表面（オモテ面及びウラ面）をＸ線光電子分光法によって分析すると、フッ素原子が検出されうる。

〔２．４．液晶硬化層の物性の説明〕
液晶硬化層は、光学フィルムの用途に応じたレターデーションを有することが好ましい。例えば、液晶硬化層を１／４波長板として機能させたい場合には、液晶硬化層のレターデーションＲｅは、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１８０ｎｍ以下、より好ましくは１６０ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ以下である。また、例えば、液晶硬化層を１／２波長板として機能させたい場合には、液晶硬化層のレターデーションＲｅは、好ましくは２４５ｎｍ以上、より好ましくは２６５ｎｍ以上、特に好ましくは２７０ｎｍ以上であり、好ましくは３０５ｎｍ以下、より好ましくは２８５ｎｍ以下、特に好ましくは２８０ｎｍ以下である。

また、液晶硬化層は、逆波長分散性のレターデーションを有することが好ましい。ここで、逆波長分散性のレターデーションとは、波長４５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（４５０）、波長５５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（５５０）及び波長６５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（６５０）が、通常下記式（Ｄ３）を満たすレターデーションを言い、好ましくは下記式（Ｄ４）を満たすレターデーションを言う。逆波長分散性のレターデーションを有することにより、前記の液晶硬化層は、１／４波長板又は１／２波長板等の光学用途において、広い帯域において均一に機能を発現できる。
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（６５０） （Ｄ３）
Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０） （Ｄ４）

さらに、液晶硬化層は、光学用途に使用するために、高い透明性を有することが好ましい。液晶硬化層の全光線透過率は、好ましくは７０％〜９５％、より好ましくは８０％〜９５％、特に好ましくは９０％〜９５％である。全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で測定しうる。

〔２．５．液晶硬化層の寸法の説明〕
液晶硬化層の厚みは、レターデーション等の特性を所望の範囲にできるように、適切に設定しうる。具体的には、液晶硬化層の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。

液晶硬化層の形状並びに長さ及び幅は、特に限定されない。液晶硬化層の形状は、枚葉状でもよく、長尺状でもよい。ここで「長尺状」とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有する形状をいう。

［３．基材］
基材は、液晶硬化層を形成するために用いられる部材である。通常は、基材の面に液晶性組成物を塗工し、塗工された液晶性組成物を硬化させることによって、液晶硬化層が得られる。厚みの均一な液晶硬化層を得る観点から、基材としては、凹部及び凸部の無い平坦面を有する部材が好ましい。この平坦面は、光学フィルムにおいて、液晶硬化層側の基材の面となる。

このような基材としては、通常は、樹脂フィルムを用いる。樹脂フィルムに含まれる樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂を用いる。中でも、配向規制力の高さ、機械的強度の高さ及びコストの低さといった観点から、正の固有複屈折値を有する樹脂が好ましい。更には、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、脂環式構造含有重合体を含む樹脂を用いることが好ましい。

脂環式構造含有重合体は、当該重合体の構造単位が脂環式構造を含有する重合体であり、通常は融点を有さない非晶性の重合体である。この脂環式構造含有重合体は、主鎖に脂環式構造を有していてもよく、側鎖に脂環式構造を有していてもよい。中でも、機械的強度及び耐熱性の観点から、脂環式構造含有重合体は、主鎖に脂環式構造を含有することが好ましい。

脂環式構造としては、例えば、飽和脂環式炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和脂環式炭化水素（シクロアルケン、シクロアルキン）構造などが挙げられる。中でも、機械強度及び熱安定性の観点から、シクロアルカン構造及びシクロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造が特に好ましい。

脂環式構造を構成する炭素原子数は、一つの脂環式構造あたり、好ましくは４個以上、より好ましくは５個以上、特に好ましくは６個以上であり、好ましくは３０個以下、より好ましくは２０個以下、特に好ましくは１５個以下の範囲である。脂環式構造を構成する炭素原子数をこの範囲にすることにより、基材の機械強度、耐熱性、及び成形性が高度にバランスされる。

脂環式構造含有重合体において、脂環式構造を有する構造単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択しうる。脂環式構造含有重合体における脂環式構造を有する構造単位の割合は、好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造含有重合体における脂環式構造を有する構造単位の割合がこの範囲にあると、基材の透明性及び耐熱性が良好となる。

脂環式構造含有重合体としては、例えば、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。これらの中でも、透明性及び成形性が良好であるので、ノルボルネン系重合体がより好ましい。

ノルボルネン系重合体の例としては、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体及びその水素添加物；ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体及びその水素添加物が挙げられる。また、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体の例としては、ノルボルネン構造を有する１種類の単量体の開環単独重合体、ノルボルネン構造を有する２種類以上の単量体の開環共重合体、並びに、ノルボルネン構造を有する単量体及びこれと共重合しうる任意の単量体との開環共重合体が挙げられる。さらに、ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体の例としては、ノルボルネン構造を有する１種類の単量体の付加単独重合体、ノルボルネン構造を有する２種類以上の単量体の付加共重合体、並びに、ノルボルネン構造を有する単量体及びこれと共重合しうる任意の単量体との付加共重合体が挙げられる。これらの中で、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体の水素添加物は、成形性、耐熱性、低吸湿性、寸法安定性、軽量性などの観点から、特に好適である。

ノルボルネン構造を有する単量体としては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、７，８−ベンゾトリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ−３−エン（慣用名：メタノテトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、およびこれらの化合物の誘導体（例えば、環に置換基を有するもの）などを挙げることができる。ここで、置換基としては、例えばアルキル基、アルキレン基、極性基などを挙げることができる。これらの置換基は、同一または相異なって、複数個が環に結合していてもよい。ノルボルネン構造を有する単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

極性基の種類としては、例えば、ヘテロ原子、またはヘテロ原子を有する原子団などが挙げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、ハロゲン原子などが挙げられる。極性基の具体例としては、カルボキシル基、カルボニルオキシカルボニル基、エポキシ基、ヒドロキシル基、オキシ基、エステル基、シラノール基、シリル基、アミノ基、ニトリル基、スルホン酸基などが挙げられる。

ノルボルネン構造を有する単量体と開環共重合可能な単量体としては、例えば、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等のモノ環状オレフィン類及びその誘導体；シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン等の環状共役ジエン及びその誘導体；などが挙げられる。ノルボルネン構造を有する単量体と開環共重合可能な単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体は、例えば、単量体を開環重合触媒の存在下に重合又は共重合することにより製造しうる。

ノルボルネン構造を有する単量体と付加共重合可能な単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン等の炭素原子数２〜２０のα−オレフィン及びこれらの誘導体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロオレフィン及びこれらの誘導体；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン等の非共役ジエン；などが挙げられる。これらの中でも、α−オレフィンが好ましく、エチレンがより好ましい。また、ノルボルネン構造を有する単量体と付加共重合可能な単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体は、例えば、単量体を付加重合触媒の存在下に重合又は共重合することにより製造しうる。

上述した開環重合体及び付加重合体の水素添加物は、例えば、開環重合体及び付加重合体の溶液において、ニッケル、パラジウム等の遷移金属を含む水素添加触媒の存在下で、炭素−炭素不飽和結合を、好ましくは９０％以上水素添加することによって製造しうる。

脂環式構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００以上、より好ましくは１５，０００以上、特に好ましくは２５，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは８０，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。重量平均分子量がこのような範囲にあるときに、基材の機械的強度および成型加工性が高度にバランスされる。

脂環式構造含有重合体の分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））は、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．２以上、特に好ましくは１．５以上であり、好ましくは１０．０以下、より好ましくは４．０以下、特に好ましくは３．５以下である。分子量分布を前記範囲の下限値以上にすることにより、重合体の生産性を高め、製造コストを抑制できる。また、上限値以下にすることにより、低分子成分の量が小さくなるので、高温曝露時の緩和を抑制して、基材の安定性を高めることができる。

前記の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、溶媒としてシクロヘキサンを用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリイソプレン換算の重量平均分子量として測定しうる。但し、前記のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにおいて、試料がシクロヘキサンに溶解しない場合には、溶媒としてトルエンを用いてもよい。また、溶媒としてトルエンを用いたときは、重量平均分子量は、ポリスチレン換算として測定しうる。

脂環式構造含有重合体のガラス転移温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。脂環式構造含有重合体のガラス転移温度を前記範囲の下限値以上にすることにより、高温環境下における変形及び応力発生を抑制できるので、基材の耐久性を高めることができる。また、脂環式構造含有重合体のガラス転移温度を前記範囲の上限値以下にすることにより、基材の延伸処理を容易に行える。

脂環式構造含有重合体を含む樹脂は、その分子量２，０００以下の樹脂成分の含有量が、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下である。ここで、分子量２，０００以下の樹脂成分とは、即ち、オリゴマー成分を示す。オリゴマー成分の量が前記範囲内にあると、基材の表面における微細な凸部の発生が減少し、厚みむらが小さくなり面精度が向上する。オリゴマー成分の量を低減する方法としては、重合触媒や水素化触媒の選択、重合、水素化等の反応条件、樹脂を成形用材料としてペレット化する工程における温度条件を最適化する方法が挙げられる。このようなオリゴマーの成分量は、前述のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによって測定しうる。

脂環式構造含有重合体を含む樹脂における脂環式構造含有重合体の割合は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。これにより、基材の耐熱性を効果的に高めることができる。

基材を形成する樹脂は、上述した重合体に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、顔料、染料等の着色剤；可塑剤；蛍光増白剤；分散剤；熱安定剤；光安定剤；帯電防止剤；紫外線吸収剤；酸化防止剤；界面活性剤等の配合剤が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

脂環式構造含有重合体を含む樹脂の好適な具体例としては、日本ゼオン社製「ゼオノア１４２０」及び「ゼオノア１４２０Ｒ」が挙げられる。

基材には、当該基材の面に塗工される液晶性組成物中の重合性液晶化合物の配向を促進するために、基材の面に配向規制力を付与するための処理が施されていてもよい。ここで、「配向規制力」とは、ある面に塗工された液晶性組成物中の重合性液晶化合物を配向させうる、その面の性質をいう。

基材の面に配向規制力を付与するための処理としては、例えば、ラビング処理が挙げられる。ラビング処理の方法としては、例えば、ナイロン等の合成繊維、木綿等の天然繊維からなる布又はフェルトを巻き付けたロールで、一定方向に基材の表面を擦る方法が挙げられる。ラビング処理した時に発生する微粉末を除去して処理された面を清浄な状態とするために、ラビング処理後に、処理された面をイソプロピルアルコール等の洗浄液によって洗浄することが好ましい。

また、基材の面に配向規制力を付与するための処理としては、例えば、基材の表面に配向層を形成する処理が挙げられる。配向層は、当該配向層上に塗工された液晶性組成物中の重合性液晶化合物を、面内で一方向に配向させうる層である。よって、配向層を設けた場合、この配向層の表面に液晶性組成物を塗工しうる。

配向層は、通常、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等のポリマーを含有する。配向層は、このようなポリマーを含む溶液を基材上に膜状に塗工し、乾燥させ、そして一方向にラビング処理を施すことで、製造できる。また、ラビング処理以外に、配向層の表面に偏光紫外線を照射する方法によっても、配向層に配向規制力を付与しうる。配向層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。

さらに、基材の面に配向規制力を付与するための処理としては、例えば、延伸処理が挙げられる。基材に適切な条件で延伸処理を施すことにより、基材に含まれる重合体の分子を配向させることができる。これにより、基材に含まれる重合体の分子の配向方向に重合性液晶化合物を配向させる配向規制力を、基材の表面に付与できる。

基材の延伸は、基材に異方性を付与して、当該基材に遅相軸を発現させられるように行うことが好ましい。これにより、通常は、基材の遅相軸と平行又は垂直な方向に重合性液晶化合物を配向させる配向規制力が、基材の面に付与される。例えば、基材の材料として正の固有複屈折値を有する樹脂を用いた場合、通常は、基材に含まれる重合体の分子が延伸方向に配向することにより延伸方向に平行な遅相軸が発現するので、基材の遅相軸と平行な方向に重合性液晶化合物を配向させる配向規制力が、基材の面に付与される。したがって、基材の延伸方向は、重合性液晶化合物を配向させようとする所望の配向方向に応じて設定しうる。また、延伸は、１の方向のみに行ってもよく、２以上の方向に行ってもよい。

延伸倍率は、延伸後の基材の複屈折Δｎが所望の範囲となるように設定しうる。延伸後の基材の複屈折Δｎは、好ましくは０．００００５０以上、より好ましくは０．００００７０以上であり、好ましくは０．００７５００以下、より好ましくは０．００７０００以下である。延伸後の基材の複屈折Δｎが前記範囲の下限値以上であることにより、当該基材の面に良好な配向規制力を付与できる。また、複屈折Δｎが前記範囲の上限値以下であることにより、基材のレターデーションを小さくできるので、基材を液晶硬化層から剥離しなくても、液晶硬化層と基材とを組み合わせて各種の用途に用いうる。
前記の延伸は、テンター延伸機などの延伸機を用いて行いうる。

また、基材の面に配向規制力を付与するための処理としては、例えば、イオンビーム配向処理が挙げられる。イオンビーム配向処理では、Ａｒ^＋等のイオンビームを基材に対して入射させることにより、基材の面に配向規制力を付与することができる。

前記の処理の中でも、特に、延伸処理が好ましい。延伸処理では、基材の厚み方向全体に亘って分子ダイレクターが略均一に配向する。そのため、延伸処理によれば、ラビング処理のように基材の表面近傍の分子配向のみで基材の面に配向規制力を付与する方法に比べ、環境の影響（熱、光、酸素など）による経時的な配向規制力の緩和が生じ難い。さらに、延伸処理は、発塵、キズ及び異物混入を抑制できるので、配向欠陥の少ない液晶硬化層が得られ易い。

基材は、用途に応じて、レターデーションを有していてもよい。例えば、光学フィルムを位相差フィルム、光学補償フィルム等の用途に用いる場合には、基材はレターデーションを有することが好ましい。基材の具体的なレターデーションＲｅは、光学フィルムの用途に応じて設定でき、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下であり、より好ましくは３００ｎｍ以下である。

基材は、透明性に優れることが好ましい。具体的には、基材の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８％以上である。また、基材のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。基材の全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で測定しうる。また、基材のヘイズは、当該基材を選択した任意の部位で５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形の薄膜サンプルに切り出し、その後、薄膜サンプルについて、ヘイズメーターを用いて測定しうる。

基材としては、枚葉のフィルムを用いてもよいが、ロールトゥロールによる製造を可能にして製造効率を高めるために、長尺状のフィルムを用いることが好ましい。

さらに、長尺状の基材を用いた場合、基材の遅相軸は、当該基材の長手方向に平行であってもよく、基材の長手方向に垂直であってもよく、基材の長手方向に平行でも垂直でもない斜め方向にあってもよい。基材の具体的な遅相軸方向は、液晶硬化層に発現させようとする遅相軸の方向に応じて設定しうる。基材の遅相軸と基材の長手方向とがなす角度の例としては、１５°±５°、２２．５°±５°、４５°±５°、６７．５±５°、７５°±５°などが挙げられる。

基材の厚みは、特に制限されないが、生産性の向上、薄型化及び軽量化を容易にする観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは３０μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。

基材の製造方法に制限は無い。例えば、脂環式構造含有重合体を含む樹脂のような熱可塑性樹脂からなる基材は、樹脂をフィルムの形状に成形して基材を得る工程を含む製造方法により、製造しうる。

樹脂の成形方法としては、例えば、溶融成形法及び溶液流延法が挙げられる。溶融成形法の例としては、溶融押し出しにより成形する溶融押出法、並びに、プレス成形法、インフレーション成形法、射出成形法、ブロー成形法、及び延伸成形法が挙げられる。これらの方法の中でも、機械強度及び表面精度に優れた基材を得る観点から、溶融押出法、インフレーション成形法及びプレス成形法が好ましい。その中でも特に、残留溶媒の量を減らせること、並びに、効率よく簡単な製造が可能なことから、溶融押出法が特に好ましい。

溶融押出法では、通常、樹脂を溶融させ、その溶融樹脂をダイスから押し出すことにより、フィルム状に成形する。この際、ダイスを備える押出機における樹脂の溶融温度は、好ましくはＴｇ＋８０℃以上、より好ましくはＴｇ＋１００℃以上であり、好ましくはＴｇ＋１８０℃以下、より好ましくはＴｇ＋１５０℃以下である。ここでＴｇは、樹脂のガラス転移温度を表す。押出機での樹脂の溶融温度を前記範囲の下限値以上とすることにより樹脂の流動性を十分に高めることができ、上限値以下とすることにより樹脂の劣化を抑制することができる。

前記のように樹脂をフィルム状に成形することにより、当該樹脂からなる基材が得られる。こうして得られた基材には、当該基材の面に配向規制力を付与する工程を行ってもよく、中でも、延伸処理を施す工程を行うことが好ましい。

延伸処理は、一方向のみに延伸を行う一軸延伸処理を行ってもよく、異なる２方向に延伸を行う二軸延伸処理を行ってもよい。また、二軸延伸処理では、２方向に同時に延伸を行う同時二軸延伸処理を行ってもよく、ある方向に延伸を行った後で別の方向に延伸を行う逐次二軸延伸処理を行ってもよい。さらに、延伸は、基材の長手方向に延伸処理を行う縦延伸処理、基材の幅方向に延伸処理を行う横延伸処理、基材の長手方向に平行でもなく垂直でもない斜め方向に延伸処理を行う斜め延伸処理のいずれを行ってもよく、これらを組み合わせて行ってもよいが、斜め延伸処理が特に好ましい。延伸処理の方式は、例えば、ロール方式、フロート方式、テンター方式などが挙げられる。

延伸温度及び延伸倍率は、所望の配向規制力を有する面を有する基材が得られる範囲で任意に設定しうる。具体的な範囲を挙げると、延伸温度は、好ましくはＴｇ−３０℃以上、より好ましくはＴｇ−１０℃以上であり、好ましくはＴｇ＋１０℃以下、より好ましくはＴｇ以下である。また、延伸倍率は、好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．２倍以上、特に好ましくは１．５倍以上であり、好ましくは３０倍以下、より好ましくは１０倍以下、特に好ましくは５倍以下である。

［４．光学フィルムの製造方法］
光学フィルムは、任意の面に液晶性組成物を塗工して前記液晶性組成物の層を得る工程と、塗工された液晶性組成物中の重合性液晶化合物を重合させて液晶硬化層を得る工程とを含む製造方法によって、製造しうる。ここで、液晶性組成物を塗工する面としては、通常、基材の面を用いる。したがって、光学フィルムは、通常、液晶性組成物を基材上に塗工して、液晶性組成物の層を得る工程と、基材上に塗工された液晶性組成物に含まれる重合性液晶化合物を重合させて、液晶硬化層を得る工程と、を含む製造方法によって、製造される。

基材上に液晶性組成物を塗工する工程（塗工工程）では、通常、基材の面に直接に液晶性組成物を塗工する。ここで、基材の面への液晶性組成物の「直接」の塗工とは、塗工により形成される液晶性組成物の層と基材の面との間に他の層が無い態様での塗工をいう。ただし、基材の面に配向層が形成されている場合は、配向層上に液晶性組成物を塗工することにより、前記配向層を介して基材上に液晶性組成物を塗工してもよい。

液晶性組成物の塗工方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。塗工される液晶性組成物の層の厚みは、液晶硬化層に求められる厚みに応じて適切に設定しうる。

基材上に液晶性組成物を塗工する工程の後、塗工された液晶性組成物に含まれる重合性液晶化合物を重合する工程の前に、必要に応じて、塗工された液晶性組成物を乾燥させる工程（乾燥工程）を行ってもよい。この乾燥により、基材上に形成された液晶性組成物の層から溶媒が除去される。かかる乾燥は、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の乾燥方法で達成しうる。

また、例えばレターデーションを有する液晶硬化層を得たい場合のように、液晶性組成物中の重合性液晶化合物を配向させたい場合には、基材上に液晶性組成物を塗工する工程の後で、塗工された液晶性組成物の層に含まれる重合性液晶化合物を配向させる工程（配向工程）を行ってもよい。

配向工程では、基材上に形成された液晶性組成物の層に、加温等の配向処理を施すことにより、基材の配向規制力に応じた方向に重合性液晶化合物を配向させうる。例えば、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる基材を用いた場合、配向処理を施すことにより、基材の遅相軸方向と略同一方向に沿ったホモジニアス配向を達成しうる。配向処理の条件は、使用する液晶性組成物の性質に応じて適切に設定しうる。配向処理の条件の具体例を挙げると、５０℃〜１６０℃の温度条件において、３０秒間〜５分間、処理する条件としうる。

ただし、重合性液晶化合物の配向は、液晶性組成物の塗工により直ちに達成される場合がありえる。その場合、配向処理を施さなくても配向が進行するので、重合性液晶化合物を配向させるための配向処理は、必ずしも液晶性組成物の層に施さなくてもよい。

必要に応じて重合性液晶化合物を配向させた後で、基材上に塗工された液晶性組成物の層に含まれる重合性液晶化合物を重合させる工程（重合工程）を行う。通常、前記の重合によって重合性液晶化合物の液晶相は失われ、液晶性組成物が硬化するので、所望の液晶硬化層が得られる。

重合性液晶化合物の重合方法としては、液晶性組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。

なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下、特に好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは６００ｍＷ／ｃｍ^２以下である。

上述した製造方法により、基材、及び、この基材上に形成された液晶硬化層を備える複層構造の光学フィルムが得られる。この液晶硬化層は、基材とは反対側のオモテ面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量、及び、基材側のウラ面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、上述した要件（ａ）及び要件（ｂ）を満たす。そのため、製造された光学フィルムは、ＨＩＤランプで照らされた場合のムラを抑制できる。

また、製造された光学フィルムに含まれる液晶硬化層は、重合性液晶化合物を重合させた重合体を含む。液晶硬化層に含まれる前記の重合体は、重合性液晶化合物が液晶相における分子の配向を維持したまま重合して得られる。そのため、液晶硬化層に含まれる前記の重合体は、ホモジニアス配向規則性を有しうる。

前記の重合体の配向規則性は、通常、基材の配向規制力に応じた方向に沿ったものとなる。例えば、基材が脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる場合、当該基材は、基材の遅相軸と平行な方向に重合性液晶化合物を配向させる配向規制力を有する。そのため、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる基材を用いて製造された光学フィルムにおいて、重合性液晶化合物を重合させた重合体は、基材の遅相軸の方向と略同一方向に沿ったホモジニアス配向規則性を有する。

ここで、「ホモジニアス配向規則性を有する」とは、重合体の分子のメソゲンの長軸方向が、液晶硬化層の面に平行なある一の方向に整列することをいう。また、ある所定の方向に「沿った」ホモジニアス配向規則性とは、当該整列方向が、所定の方向であることをいう。さらに、基材の遅相軸の方向と「略」同一方向に沿った配向とは、基材の遅相軸の方向と、メソゲンの整列方向とがなす角が、通常５°以内、好ましくは３°以内、より好ましくは１°以内であることをいう。

重合性液晶化合物を重合させた前記の重合体の分子のメソゲンの長軸方向は、当該重合体に対応する重合性液晶化合物のメソゲンの長軸方向となる。さらに、重合性液晶化合物として化合物（Ｉ）を用いた場合のように、液晶硬化層中に配向方向の異なる複数種類のメソゲンが存在する場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンが整列する方向が、前記の整列方向となる。

このような液晶硬化層は、通常、重合性液晶化合物を重合させた前記の重合体の配向規則性に対応して、前記の重合体の整列方向と平行な遅相軸を有する。重合性液晶化合物を重合させて得た重合体がホモジニアス配向規則性を有しているか否か、及びその整列方向は、ＡｘｏＳｃａｎ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）に代表されるような位相差計を用いた遅相軸方向の測定と、遅相軸方向における入射角毎のレターデーション分布の測定とにより確認しうる。

光学フィルムの製造方法は、上述した工程に加えて、更に任意の工程を含みうる。例えば、光学フィルムの製造方法は、形成された液晶硬化層を基材から剥離する工程を含んでいてもよい。

［５．光学フィルムの用途］
光学フィルムは、そのまま任意の用途に用いてもよく、任意の層を備えていてもよい。任意の層の例としては、他の部材と接着するための接着層、フィルムの滑り性を良くするマット層、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、反射防止層、防汚層等が挙げられる。用途としては、光学用途が好ましく、特に、１／４波長板及び１／２波長板等の波長板が好適である。

波長板以外の用途としては、例えば、円偏光板が挙げられる。この円偏光板は、直線偏光子及び前記の光学フィルムを備える。

直線偏光子としては、液晶表示装置等の装置に用いられている公知の直線偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるもの；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるもの；が挙げられる。直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうちポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。直線偏光子の偏光度は、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。また、直線偏光子の平均厚みは、好ましくは５μｍ〜８０μｍである。

光学フィルムは、１／４波長板として機能しうるように、液晶硬化層が適切なレターデーションを有することが好ましい。また、光学フィルムの遅相軸と直線偏光子の透過軸とがなす角は、厚み方向から見て４５°またはそれに近い角度であることが好ましく、具体的には４０°〜５０°であることが好ましい。

このような円偏光板の用途の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置の反射防止フィルムとしての用途が挙げられる。表示装置の表面に、円偏光板を、直線偏光子側の面が視認側に向くように設けることにより、装置外部から入射した光が装置内で反射して装置外部へ出射することを抑制することができ、その結果、表示装置の表示面のぎらつきを抑制できる。具体的には、装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子を通過し、次にそれが光学フィルムを通過することにより円偏光となる。円偏光は、装置内の光を反射する構成要素（反射電極等）により反射され、再び光学フィルムを通過することにより、入射した直線偏光の偏光軸と直交する方向に偏光軸を有する直線偏光となり、直線偏光子を通過しなくなる。これにより、反射防止の機能が達成される。

また、円偏光板は、直線偏光子及び光学フィルムに加えて、更に任意の層を備えていてもよい。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。

［評価方法］
〔１．液晶硬化層の表面フッ素原子量の測定方法〕
基材及び液晶硬化層を備える光学フィルムから、基板を剥がして、液晶硬化層を得た。この液晶硬化層を１ｃｍ角に切り取って、サンプルフィルムを得た。表面フッ素原子量を測定したい側の面を表にして、前記のサンプルフィルムをサンプルホルダーに固定した。この際、サンプルフィルムの固定には、導電性テープを用いた。前記のサンプルホルダーを、下記のＸ線光電子分光分析システムに取り付け、下記の条件に従って液晶硬化層のオモテ面及びウラ面の表面フッ素原子量を測定した。この方法によれば、液晶硬化層の面に存在する、水素（Ｈ）を除く全原子中に含まれるフッ素（Ｆ）原子のモル含有率を測定できる。

システム：Ｋｒａｔｏｓ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製「ＡＸＩＳ ＵＬＴＲＡ」
励起Ｘ線：Ａｌ Ｋα線
フィラメントＥｍｉｓｓｉｏｎ：１０ｍＡ
ＡｎｏｄｅＨＴ：１５ｋＶ
中和銃：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｎｅｕｔｒａｌｉｚｅｒ
中和条件 Ｆｉｌａｍｅｎｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：１．５５Ａ
Ｃｈａｒｇｅ Ｂａｌａｎｃｅ：３．３Ｖ
Ｆｉｌａｍｅｎｔ Ｂｉａｓ：１．５Ｖ
分析エリア：約７００μｍ×３００μｍ
光電子検出角度：０°（試料面と検出器のなす角度：９０°）

〔２．ＨＩＤランプによる液晶硬化層の面状評価方法〕
基材及び液晶硬化層を備える光学フィルムを、暗室内で、黒い布の前に吊るした。この光学フィルムに、ＨＩＤランプ（ポラリオン社製「ポラリオンライト ＮＰ−１」、出力３５Ｗ）を用いて、光学フィルム表面に斜めに光が当たるように、光を照射した。この際の光学フィルムを目視にて観察し、下記の基準にて評価した。
Ａ：斑点状又はシミ状のムラや濁りが一切なく、見た目のクリア感が秀でている（表面をふき取ってもふき取りによる痕跡が見られない）。
Ｂ：斑点状又はシミ状のムラが無く、且つ、濁りが無い（実害はないが表面をふき取るとわずかにふき取り跡が痕跡として残る懸念が完全には拭えない）。
Ｃ：斑点状又はシミ状のムラは無いが、表面にうっすらと濁りがある。
Ｄ：斑点状又はシミ状のムラ、及び、濁りがはっきりとある。

また、別途、暗室内で、黒い布の前に、液晶硬化層の無い基材を吊るし、前記のＨＩＤランプを用いて、基材表面に斜めに光が当たるように、光を照射した。このように基材を単体で前記光学フィルムの代わりに用いて観察した結果、斑点状又はシミ状のムラが無く、且つ、濁りは無かった。この結果から、前記の評価で観察されるムラ及び濁りは、液晶硬化層の面状態に起因して生じていることを確認した。

〔３．直線偏光子を用いた液晶硬化層の面状態の評価方法〕
基材及び液晶硬化層を備える光学フィルムを１６ｃｍ角サイズに裁断して、サンプルフィルムを用意した。
ライトテーブル上に、２枚の直線偏光子（偏光子及び検光子）を、これらの直線偏光子の偏光吸収軸が平行な状態（パラニコル）で重ねた。これらの直線偏光子の間に、前記のサンプルフィルムを、サンプルフィルムの遅相軸が直線偏光子の偏光吸収軸に対して、厚み方向から見て略４５°になる向きで置いた。その後、ライトテーブルを点灯させた状態において目視で観察して、見た目の均一性（レターデーションの均一性）に応じて、下記の基準で面状態を評価した。
Ａ：見た目が全面ほぼ均一で、ムラ及び欠陥が認められない。
Ｂ：見た目が全面ほぼ均一であるが、僅かに微小なムラが認められる。
Ｃ：はっきりとムラが認められる。
Ｄ：全面に強いムラが見られる。

また、別途、前記のライトテーブル上に設置された一対の直線偏光子の間に、液晶硬化層の無い基材を置き、目視で観察した。このように基材を単体で前記サンプルの代わりに用いて観察した結果、見た目が全面ほぼ均一で、ムラ及び欠陥が認められなかった。この結果から、前記の評価で観察されるムラ及び欠陥は、液晶硬化層の面状態に起因して生じていることを確認した。

〔４．液晶硬化層の配向性の評価方法〕
基材及び液晶硬化層を備える光学フィルムの、液晶硬化層側の面をガラス板に粘着剤を介して貼り合わせた後、基材を液晶硬化層から剥離した。これにより、ガラス板及び液晶硬化層を備えたサンプル板を得た。このサンプル板の液晶硬化層を、偏光顕微鏡を用いて、対物５倍及び５０倍で観察した。観察の際、偏光顕微鏡は、当該偏光顕微鏡が備える偏光板の偏光吸収軸が垂直になる状態（クロスニコル）に設定した。また、観察の際、サンプル板の位置は、（ｉ）消光位及び（ii）液晶硬化層の遅相軸を消光位から数°ずらした位置に合わせた。そして、観察された配向欠陥の程度及び漏れ光の状態から、下記の基準で配向性を評価した。
Ａ：配向欠陥が見られず、消光位での漏れ光がほとんど無い。
Ｂ：配向欠陥がわずかに見られ、消光位での漏れ光が僅かにある。
Ｃ：配向欠陥が明らかに見られ、消光位で光が漏れる。

〔５．液晶硬化層のレターデーションの測定方法〕
基材及び液晶硬化層を備える光学フィルムの、液晶硬化層側の面をガラス板に粘着剤を介して貼り合わせた後、基材を液晶硬化層から剥離した。これにより、ガラス板及び液晶硬化層を備えたサンプル板を得た。このサンプル板を用いて、液晶硬化層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍでの面内レターデーションＲｅを、ポラリメータ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）で測定した。

〔６．界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合の測定方法〕
試料としての界面活性剤を秤量し、分析装置の燃焼管内で燃焼させた。燃焼により発生したガスを、溶液に吸収させて、吸収液を得た。その後、吸収液の一部をイオンクロマトグラフィーにより分析して、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を測定した。各工程における条件は、下記の通りである。

（６．１．燃焼・吸収条件）
システム：ＡＱＦ−２１００、ＧＡ−２１０（三菱化学製）
電気炉温度：Ｉｎｌｅｔ ９００℃、Ｏｕｔｌｅｔ １０００℃
ガス：Ａｒ／Ｏ_２ ２００ｍＬ／ｍｉｎ
Ｏ_２ ４００ｍＬ／ｍｉｎ
吸収液：溶媒 Ｈ_２Ｏ_２ ９０μｇ／ｍＬ、
内標物質 Ｐ ４μｇ／ｍＬ 又は Ｂｒ ８μｇ／ｍＬ
吸収液量：２０ｍＬ

（６．２．イオンクロマトグラフィー・アニオン分析条件）
システム：ＩＣＳ１６００（ＤＩＯＮＥＸ製）
移動相：２．７ｍｍｏｌ／Ｌ Ｎａ_２ＣＯ_３ ／ ０．３ｍｍｏｌ／Ｌ ＮａＨＣＯ_３
流速：１．５０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：電気伝導度検出器
注入量：２０μＬ

［実施例１］
（１−１．脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる延伸前基材の製造）
熱可塑性ノルボルネン樹脂のペレット（日本ゼオン社製「ＺＥＯＮＯＲ１４２０Ｒ」）を９０℃で５時間乾燥させた。乾燥させたペレットを押し出し機に供給し、押し出し機内で溶融させ、ポリマーパイプ及びポリマーフィルターを通し、Ｔダイからキャスティングドラム上にシート状に押し出し、冷却して、厚み６０μｍ、幅１４９０ｍｍの長尺の延伸前基材を製造した。この製造した延伸前基材を巻き取って、ロールを得た。

（１−２．脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる延伸基材の製造）
前記の延伸前基材を、ロールから引き出し、テンター延伸機に供給した。そして、テンター延伸機を用いて、延伸後に得られる延伸基材の遅相軸が延伸基材の巻取方向に対して４５°の角度をなすように延伸を行い、さらにフィルム幅方向の両端をトリミングし、巻き取って、幅１３５０ｍｍの長尺の延伸基材のロールを得た。得られた延伸基材の測定波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅは１４８ｎｍ、厚みは４７μｍであった。

（１−３．液晶性組成物の製造）
下記式（Ｅ１）で表される逆波長重合性液晶化合物（Ｅ１）１００．０部、界面活性剤（ＤＩＣ社製「メガファックＦ５６２」）０．３０部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）３．０部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン（日本ゼオン株式会社製）１８８．０部及び１，３−ジオキソラン（東邦化学製）２８２．０部を混合して、液状の液晶性組成物を製造した。

（１−４．液晶硬化層の形成）
前記工程（１−２）で製造した延伸基材を、ロールから引き出して、その長手方向に搬送させた。この延伸基材の一方の表面に、前記工程（１−３）で製造した液晶性組成物を、ダイコーターを用いて塗工し、液晶性組成物の層を形成した。液晶性組成物の層を１１０℃で２分間配向処理し、Ｎ_２雰囲気下で４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して硬化させて、液晶硬化層を形成した。これにより、延伸基材と、延伸基材上に形成された乾燥厚み２．０μｍの液晶硬化層とを備える長尺の光学フィルムを得た。形成された液晶硬化層には、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、液晶硬化層の遅相軸の角度は、塗布に用いた延伸基材の遅相軸と同じく、巻取方向に対して４５°の角度をなしていることが確認された。

製造された光学フィルムの液晶硬化層の面内レターデーションを前述した方法で測定したところ、測定波長４５０ｎｍではＲｅ（４５０）＝１０８ｎｍ、測定波長５５０ｎｍではＲｅ（５５０）＝１３８ｎｍ、測定波長６５０ｎｍではＲｅ（６５０）＝１４３ｎｍであった。この結果から、実施例１において使用した逆波長重合性液晶化合物（Ｅ１）の複屈折Δｎは、測定波長が大きくなるにつれて大きくなる特性（逆波長分散性）を有していることが確認された。

前記の光学フィルムを用いて、上述した方法により、液晶硬化層のオモテ面及びウラ面それぞれの表面フッ素原子量を測定した。さらに、上述した方法により、ＨＩＤランプによる液晶硬化層の面状評価、直線偏光子を用いた液晶硬化層の面状評価、及び、液晶硬化層の配向性の評価を行った。

［実施例２〜１４及び比較例１〜１１］
界面活性剤の種類及び量を、表１又は表２に示す通りに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、光学フィルムの製造及び評価を行った。

製造された光学フィルムが備える液晶硬化層には、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、液晶硬化層の遅相軸の角度は、巻取方向に対して４５°の角度をなしていた。

［結果］
実施例及び比較例の結果を、下記の表１及び表２に示す。下記の表１及び表２において、略称の意味は、下記の通りである。
界面活性剤「Ｆ５６２」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−５６２」。
界面活性剤「Ｓ３８６」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ３８６」。
界面活性剤「６５０Ａ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−６５０Ａ」。
界面活性剤「６０１ＡＤ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−６０１ＡＤ」。
界面活性剤「Ｆ５５６」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ−５５６」。
界面活性剤「Ｓ２４３」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４３」。
界面活性剤「Ｓ６５１」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ６５１」。
界面活性剤「Ｓ４２０」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ４２０」。
界面活性剤「Ｓ６１１」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ６１１」。
Ｆ量：界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合。
活性剤量：界面活性剤の量。

また、実施例及び比較例で製造した光学フィルムにおいて測定された液晶硬化層の表面フッ素原子量を、使用した界面活性剤の量に対してプロットしたグラフを、図２〜図１０に示す。図２〜図１０において、ひし形のプロットは液晶硬化層のオモテ面の表面フッ素原子量を示し、四角形のプロットは液晶硬化層のウラ面の表面フッ素原子量を示す。

［評価］
表１及び表２から明らかな通り、実施例に係る光学フィルムは高輝度のＨＩＤランプによって照らされた場合でも、ムラ及び濁りが無く、良好な面状態を実現できていることが分かる。
これに対し、比較例においては、ＨＩＤランプによって照らされた場合の面状態が良好でない。特に、液晶硬化層のオモテ面の表面フッ素原子量が２５モル％未満である比較例７〜９でも、表面フッ素量比が０．５以下である比較例１〜３、５及び６でも、高輝度のＨＩＤランプによって照らされた場合の面状態として良好な結果が得られていない。このことから、高輝度のＨＩＤランプによって照らされた場合の面状態を良好にするとの効果は、（ａ）液晶硬化層のオモテ面の表面フッ素原子量と、（ｂ）表面フッ素量比とを組み合わせて所定の範囲に収めることによってはじめて得られることが確認された。

［参考］
ＨＩＤランプによって照らされた場合に観察されうるムラについて、以下、例を示して説明する。
図１１〜図１３は、いずれも同一の光学フィルムを示す写真であり、図１１は、ＨＩＤランプによって照らされた光学フィルムの様子を示し、図１２は、白色蛍光灯によって照らされた光学フィルムの様子を示し、図１３は、前記〔３．直線偏光子を用いた液晶硬化層の面状態の評価方法〕で説明したように、パラニコルとなるように重ねた２枚の直線偏光子の間に光学フィルムを置いた様子を示す。

図１１に示すように、高輝度のＨＩＤランプによって照らされた光学フィルムには、破線で囲んだ部分のように、ムラが観察されることがある。図１２のように白色蛍光灯によって照らされた場合、及び、図１３のようにパラニコルとなるように重ねた２枚の直線偏光子の間に置かれた場合のいずれにおいても、前記のムラは観察されない。よって、このムラは、高輝度のＨＩＤランプによって照らされた場合にのみ光学フィルムに現れるものである。このように、前記のムラは、一般的な使用環境において現れるものでないことから、従来は課題として認識されていなかった。上述した本発明の光学フィルムは、このように従来は当業者に認識されていなかった新たな課題を解決できるものである。

１００ 光学フィルム
１１０ 硬化物の層
１１０Ｕ 第一面
１１０Ｄ 第二面
１２０ 基材

Claims (7)

1. 重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を硬化した硬化物の層を備え、
   前記層は、第一面と、前記第一面とは反対側にある第二面とを有し、
   前記第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、２５モル％未満であり、
   前記第一面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、前記第二面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比が、０．５以下である、光学フィルム。
2. 前記光学フィルムが、基材を備え、
   前記第一面が、前記基材とは反対側の前記層の面であり、
   前記第二面が、前記基材側の前記層の面である、請求項１記載の光学フィルム。
3. 前記界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合が、３０重量％以下である、請求項１又は２記載の光学フィルム。
4. 前記重合性液晶化合物が、逆波長分散性の複屈折を発現しうる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学フィルム。
5. 前記重合性液晶化合物が、前記重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学フィルム。
6. 前記重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）で表される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学フィルム。
   （前記式（Ｉ）において、
   Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
   Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。
   Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
   Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
   Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
   Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
7. 重合性液晶化合物、及び、フッ素原子を含む界面活性剤を含む液晶性組成物を、基材上に塗工する工程と、
   前記基材上に塗工された前記液晶性組成物に含まれる前記重合性液晶化合物を重合させて、前記液晶性組成物を硬化させた硬化物の層を得る工程と、を含み、
   前記層の前記基材とは反対側の面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量が、２５モル％未満であり、
   前記層の前記基材とは反対側の面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量に対する、前記層の前記基材側の面においてＸ線光電子分光法によって測定される表面フッ素原子量のモル比が、０．５以下である、光学フィルムの製造方法。