WO2016171041A1 - 複層フィルムの製造方法及び複層フィルム - Google Patents

Abstract

基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造方法であって、前記基材の面に、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を塗布して、前記液晶性組成物の層を形成する工程と、前記液晶性組成物の層に含まれる前記重合性液晶化合物を重合させて、光学異方性層を得る工程と、を含み、前記基材の前記面の表面自由エネルギーが、５０ｍＮ／ｍ以下であり、前記液晶性組成物の表面張力が、２６ｍＮ／ｍ以上である、複層フィルムの製造方法。

Description

複層フィルムの製造方法及び複層フィルム

　本発明は、液晶性組成物を用いて製造された光学異方性層を備える複層フィルム及びその製造方法に関する。

　液晶化合物を用いて光学フィルムを製造する場合、液晶化合物を含む組成物を、適切な基材の面に塗布して層とし、この層を硬化させることにより、所望の光学フィルムを製造することがある。このような方法では、液晶化合物を適切に配向させることが求められうる。そこで、従来から、液晶化合物を配向させるために、様々な技術が検討されている（特許文献１～３参照）。
　また、特許文献４のような技術が知られている。

特開２００１－１００２１３号公報 特開２００８－２０９５０９号公報 特許第２６３１０１５号公報 特開２００６－２８１１７６号公報

　光学フィルムの一つとして、光学異方性層を備えるフィルムがある。このような光学異方性層は、通常はレターデーションを有し、１／４波長板及び１／２波長板等の用途に用いられうる。

　光学異方性層が広い波長帯域で均一に機能を発揮できるようにするため、光学異方性層は、逆波長分散性のレターデーションを有することが望まれる。そこで、光学異方性層の逆波長分散性のレターデーションを実現するために、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を用いて光学異方性層を製造する技術の開発が求められる。

　また、液晶性組成物を塗布して光学異方性層を形成する場合、製造される光学異方性層の品質向上のため、液晶性組成物の塗布性が良好であることが求められる。ここで、液晶性組成物の塗布性が良好であるとは、液晶性組成物の塗り付きが良く且つハジキが小さいことを表す。一般に、ある液体をある面に塗布する場合、前記の面の表面自由エネルギーが前記液体の表面張力より十分に高いと、液体を塗布する際の塗り付きが良く且つハジキが小さいことが知られている。そのため、従来は、液晶性組成物を基材に塗布して光学異方性層を形成する場合、基材の面に、配向膜形成処理及びコロナ処理等の表面処理を施して、基材の面の表面自由エネルギーを高めることが多かった。

　しかし、製造コストの抑制及び製造効率の改善のためには、基材の面に表面処理を施す工程は、省略することが望ましい。そこで、本発明者らは、液晶性組成物の表面張力を基材の面の表面自由エネルギーよりも十分に低くすることにより、液晶性組成物の塗布性を改善することを試みた。ところが、基材の面の表面自由エネルギーが低い場合、液晶性組成物の表面張力を十分に低くしても、塗り付きの不良又は大きなハジキが発生することが判明した。

　本発明は前記の課題に鑑みて創案されたもので、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を、表面自由エネルギーが低い基材の面に、良好な塗布性で塗布する工程を含む、基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造方法；並びに、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を、表面自由エネルギーが低い基材の面に、良好な塗布性で塗布して得られる複層フィルム；を提供することを目的とする。

　本発明者らは前記課題を解決するべく鋭意検討した結果、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を、表面自由エネルギーが低い基材の面に塗布する際、前記の液晶性組成物の表面張力を所定の範囲に収めることにより、液晶性組成物の塗布性を良化できることを見い出し、本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は下記の通りである。

　〔１〕　基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造方法であって、
　前記基材の面に、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を塗布して、前記液晶性組成物の層を形成する工程と、
　前記液晶性組成物の層に含まれる前記重合性液晶化合物を重合させて、光学異方性層を得る工程と、を含み、
　前記基材の前記面の表面自由エネルギーが、５０ｍＮ／ｍ以下であり、
　前記液晶性組成物の表面張力が、２６ｍＮ／ｍ以上である、複層フィルムの製造方法。
　〔２〕　前記重合性液晶化合物が、前記重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む、〔１〕記載の複層フィルムの製造方法。
　〔３〕　前記重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）で表される、〔１〕又は〔２〕記載の複層フィルムの製造方法。

（前記式（Ｉ）において、
　Ｙ^１～Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－Ｏ－ＮＲ^１－、又は、－ＮＲ^１－Ｏ－を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
　Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１～２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２－、－ＮＲ^２－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－が介在していてもよい。ただし、－Ｏ－又は－Ｓ－がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
　Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基を表す。
　Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。
　Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３、－ＳＯ_２－Ｒ^４、－Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ－Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５～１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４－メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５～２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
　Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
　Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３～３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
　Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６～３０の二価の芳香族基を表す。
　Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
　ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
　〔４〕　前記基材が、延伸フィルムである、〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
　〔５〕　前記基材が、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる、〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
　〔６〕　前記基材の前記面が、表面処理を施されていない非処理面である、〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
　〔７〕　基材と、
　５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギーを有する前記基材の面に、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含み且つ２６ｍＮ／ｍ以上の表面張力を有する液晶性組成物を塗布し、前記重合性液晶化合物を重合させて得られる光学異方性層とを備える、複層フィルム。

　本発明によれば、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を、表面自由エネルギーが低い基材の面に、良好な塗布性で塗布する工程を含む、基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造方法；並びに、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を、表面自由エネルギーが低い基材の面に、良好な塗布性で塗布して得られる複層フィルム；を提供できる。

図１は、基材の塗布面に液晶性組成物を塗布した直後の液晶性組成物の層の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、基材の塗布面に液晶性組成物を塗布してから時間が経過した後の液晶性組成物の層の一例を模式的に示す断面図である。 図３は、基材の塗布面に液晶性組成物を塗布してから時間が経過した後の液晶性組成物の層の一例を模式的に示す断面図である。 図４は、基材の塗布面に付着した異物に起因してハジキ部を生じた液晶性組成物の層の一例を模式的に示す斜視図である。

　以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

　以下の説明において、固有複屈折値が正の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなる樹脂を意味する。また、固有複屈折値が負の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなる樹脂を意味する。固有複屈折値は、誘電率分布から計算しうる。

　以下の説明において、ある層のレターデーションとは、別に断らない限り、面内レターデーションＲｅを表す。この面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。

　以下の説明において、ある層の遅相軸の方向とは、別に断らない限り、面内方向の遅相軸の方向をいう。

　以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」は、別に断らない限り、樹脂フィルム等の可撓性を有するフィルム及びシートを含む用語として用いる。

　以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±５°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

［１．複層フィルムの製造方法の概要］
　本発明の複層フィルムの製造方法は、基材の面に、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を塗布して、この液晶性組成物の層を形成する工程と、液晶性組成物の層に含まれる重合性液晶化合物を重合させて、光学異方性層を得る工程と、を含む。この製造方法により、基材及び光学異方性層を備える複層フィルムを製造できる。以下の説明において、液晶性組成物を塗布される基材の面を、適宜「塗布面」ということがある。また、以下の説明において、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物のことを、適宜「逆波長重合性液晶化合物」ということがある。

［２．基材の用意］
　基材としては、所定の表面自由エネルギーを有する面を有する部材を用い、通常はフィルムを用いる。基材は、所定の表面自由エネルギーを有する面を、その片面のみに有していてもよく、その両面に有していてもよい。本発明の複層フィルムの製造方法では、所定の表面自由エネルギーを有する基材の面を、液晶性組成物を塗布される塗布面として用いる。ただし、基材の塗布面は、当該塗布面に液晶性組成物が塗布される際に所定の表面自由エネルギーを有するものであり、液晶性組成物に含まれる逆波長重合性液晶化合物が重合した後における当該塗布面の表面自由エネルギーは任意である。

　基材の塗布面の表面自由エネルギーは、通常５０ｍＮ／ｍ以下、好ましくは４５ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは４０ｍＮ／以下である。このように表面自由エネルギーが低い面を有する基材は、従来、液晶性組成物を良好に塗布することは難しかったが、逆波長重合性液晶化合物を含む特定の液晶性組成物については、特異的に、良好に塗布することが可能である。基材の塗布面の表面自由エネルギーの下限値は、特に制限は無いが、好ましくは２５ｍＮ／ｍ以上、より好ましくは３０ｍＮ／ｍ以上、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以上である。前記範囲の前記下限値以上の表面自由エネルギーを有する塗布面を有する基材は、表面自由エネルギーを調整するための処理を行なわずに製造できるので、複層フィルムの製造コストを抑制できる。

　基材の塗布面の表面自由エネルギーを前記の範囲に収めるための方法としては、例えば、基材の材料として適切なものを選択すること、並びに、塗布面の表面自由エネルギーを高める処理を基材に施さないようにすること、などが挙げられる。

　基材の塗布面の表面自由エネルギーは、前記塗布面における純水（Ｈ_２Ｏ）の接触角及びジヨードメタン（ＣＨ_２Ｉ_２）の接触角を測定し、測定された接触角のデータから、Ｏｗｅｎｓ－Ｗｅｎｄｔの解析理論によって計算しうる。前記の解析理論については、「Ｄ．Ｋ．Ｏｗｅｎｓ，　Ｒ．Ｃ．Ｗｅｎｄｔ，　Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，１３，１７４１，（１９６９）」を参照しうる。

　具体的には、前記の表面自由エネルギーは、下記の方法により、測定しうる。
　基材の塗布面で、純水Ｈ_２Ｏの接触角θ_Ｈ２Ｏ及びジヨードメタンＣＨ_２Ｉ_２の接触角θ_{ＣＨ２Ｉ２}を、実験的に測定する。接触角の測定は、温度２５℃湿度６０％の条件下で、基材を１時間以上で調湿した後に、同条件下において実施する。
　測定された接触角θ_Ｈ２Ｏ及びθ_{ＣＨ２Ｉ２}から、下記の連立方程式（Ｘ）及び（Ｙ）により、成分γ^ｄ及び成分γ^ｈを計算する。下記の式（Ｘ）及び（Ｙ）において、γ_Ｈ２Ｏ ^ｄ＝２１．８、γ_Ｈ２Ｏ ^ｈ＝５１．０、γ_Ｈ２Ｏ ^ｖ＝７２．８、γ_{ＣＨ２Ｉ２} ^ｄ＝４９．５、γ_{ＣＨ２Ｉ２} ^ｈ＝１．３、γ_{ＣＨ２Ｉ２} ^ｖ＝５０．８である。
　そして、計算された成分γ^ｄ及び成分γ^ｈの和を計算することにより、基材の塗布面の表面自由エネルギーγ（＝γ^ｄ＋γ^ｈ）を求める。

　基材を形成する材料としては、通常、樹脂を用いる。樹脂としては、上述した所定の表面自由エネルギーを有する塗布面を有する基材が得られる任意の樹脂を用いうる。このような樹脂としては、配向規制力の高さ、機械的強度の高さ及びコストの低さといった観点から、正の固有複屈折値を有する樹脂が好ましい。中でも、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、脂環式構造含有重合体を含む樹脂を用いることが好ましい。

　脂環式構造含有重合体は、当該重合体の構造単位が脂環式構造を含有する重合体であり、通常は融点を有さない非晶性の重合体である。この脂環式構造含有重合体は、主鎖に脂環式構造を有していてもよく、側鎖に脂環式構造を有していてもよい。中でも、機械的強度及び耐熱性の観点から、脂環式構造含有重合体は、主鎖に脂環式構造を含有することが好ましい。

　脂環式構造としては、例えば、飽和脂環式炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和脂環式炭化水素（シクロアルケン、シクロアルキン）構造などが挙げられる。中でも、機械強度及び熱安定性の観点から、シクロアルカン構造及びシクロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造が特に好ましい。

　脂環式構造を構成する炭素原子数は、一つの脂環式構造あたり、好ましくは４個以上、より好ましくは５個以上、特に好ましくは６個以上であり、好ましくは３０個以下、より好ましくは２０個以下、特に好ましくは１５個以下の範囲である。脂環式構造を構成する炭素原子数をこの範囲にすることにより、基材の機械強度、耐熱性、及び成形性が高度にバランスされる。

　脂環式構造含有重合体において、脂環式構造を有する構造単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択しうる。脂環式構造含有重合体における脂環式構造を有する構造単位の割合は、好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造含有重合体における脂環式構造を有する構造単位の割合がこの範囲にあると、基材の透明性及び耐熱性が良好となる。

　脂環式構造含有重合体としては、例えば、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィン系重合体、環状共役ジエン系重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物が挙げられる。これらの中でも、透明性及び成形性が良好であるので、ノルボルネン系重合体がより好ましい。

　ノルボルネン系重合体の例としては、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体及びその水素添加物；ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体及びその水素添加物が挙げられる。また、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体の例としては、ノルボルネン構造を有する１種類の単量体の開環単独重合体、ノルボルネン構造を有する２種類以上の単量体の開環共重合体、並びに、ノルボルネン構造を有する単量体及びこれと共重合しうる任意の単量体との開環共重合体が挙げられる。さらに、ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体の例としては、ノルボルネン構造を有する１種類の単量体の付加単独重合体、ノルボルネン構造を有する２種類以上の単量体の付加共重合体、並びに、ノルボルネン構造を有する単量体及びこれと共重合しうる任意の単量体との付加共重合体が挙げられる。これらの中で、ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体の水素添加物は、成形性、耐熱性、低吸湿性、寸法安定性、軽量性などの観点から、特に好適である。

　ノルボルネン構造を有する単量体としては、例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－エン（慣用名：ノルボルネン）、トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ－３，７－ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、７，８－ベンゾトリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ－３－エン（慣用名：メタノテトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］ドデカ－３－エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、およびこれらの化合物の誘導体（例えば、環に置換基を有するもの）などを挙げることができる。ここで、置換基としては、例えばアルキル基、アルキレン基、極性基などを挙げることができる。これらの置換基は、同一または相異なって、複数個が環に結合していてもよい。ノルボルネン構造を有する単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　極性基の種類としては、例えば、ヘテロ原子、またはヘテロ原子を有する原子団などが挙げられる。ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、ハロゲン原子などが挙げられる。極性基の具体例としては、カルボキシル基、カルボニルオキシカルボニル基、エポキシ基、ヒドロキシル基、オキシ基、エステル基、シラノール基、シリル基、アミノ基、ニトリル基、スルホン酸基などが挙げられる。

　ノルボルネン構造を有する単量体と開環共重合可能な単量体としては、例えば、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等のモノ環状オレフィン類及びその誘導体；シクロヘキサジエン、シクロヘプタジエン等の環状共役ジエン及びその誘導体；などが挙げられる。ノルボルネン構造を有する単量体と開環共重合可能な単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　ノルボルネン構造を有する単量体の開環重合体は、例えば、単量体を開環重合触媒の存在下に重合又は共重合することにより製造しうる。

　ノルボルネン構造を有する単量体と付加共重合可能な単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン、１－ブテン等の炭素原子数２～２０のα－オレフィン及びこれらの誘導体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロオレフィン及びこれらの誘導体；１，４－ヘキサジエン、４－メチル－１，４－ヘキサジエン、５－メチル－１，４－ヘキサジエン等の非共役ジエン；などが挙げられる。これらの中でも、α－オレフィンが好ましく、エチレンがより好ましい。また、ノルボルネン構造を有する単量体と付加共重合可能な単量体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　ノルボルネン構造を有する単量体の付加重合体は、例えば、単量体を付加重合触媒の存在下に重合又は共重合することにより製造しうる。

　上述した開環重合体及び付加重合体の水素添加物は、例えば、開環重合体及び付加重合体の溶液において、ニッケル、パラジウム等の遷移金属を含む水素添加触媒の存在下で、炭素－炭素不飽和結合を、好ましくは９０％以上水素添加することによって製造しうる。

　脂環式構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００以上、より好ましくは１５，０００以上、特に好ましくは２５，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは８０，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。重量平均分子量がこのような範囲にあるときに、基材の機械的強度および成型加工性が高度にバランスされる。

　脂環式構造含有重合体の分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））は、好ましくは１．０以上、より好ましくは１．２以上、特に好ましくは１．５以上であり、好ましくは１０．０以下、より好ましくは４．０以下、特に好ましくは３．５以下である。分子量分布を前記範囲の下限値以上にすることにより、重合体の生産性を高め、製造コストを抑制できる。また、上限値以下にすることにより、低分子成分の量が小さくなるので、高温曝露時の緩和を抑制して、基材の安定性を高めることができる。

　前記の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、溶媒としてシクロヘキサンを用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリイソプレン換算の値として測定しうる。また、前記のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーでは、試料がシクロヘキサンに溶解しない場合、溶媒としてトルエンを用いてもよい。溶媒としてトルエンを用いたとき、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ポリスチレン換算の値として測定しうる。

　脂環式構造含有重合体のガラス転移温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは１６０℃以下、特に好ましくは１４０℃以下である。脂環式構造含有重合体のガラス転移温度を前記範囲の下限値以上にすることにより、高温環境下における変形及び応力発生を抑制できるので、基材の耐久性を高めることができる。また、脂環式構造含有重合体のガラス転移温度を前記範囲の上限値以下にすることにより、基材の延伸処理を容易に行える。

　脂環式構造含有重合体を含む樹脂は、その分子量２，０００以下の樹脂成分（すなわち、オリゴマー成分）の含有量が、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下である。オリゴマー成分の量が前記範囲内にあると、基材の表面における微細な凸部の発生が減少し、厚みむらが小さくなり面精度が向上する。オリゴマー成分の量を低減する方法としては、重合触媒や水素化触媒の選択、重合、水素化等の反応条件、樹脂を成形用材料としてペレット化する工程における温度条件を最適化する方法が挙げられる。このようなオリゴマーの成分量は、前述のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによって測定しうる。

　脂環式構造含有重合体を含む樹脂における脂環式構造含有重合体の割合は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。これにより、基材の耐熱性を効果的に高めたり、基材の塗布面の表面自由エネルギーを低くしたりできる。

　基材を形成する樹脂は、上述した重合体に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、顔料、染料等の着色剤；可塑剤；蛍光増白剤；分散剤；熱安定剤；光安定剤；帯電防止剤；紫外線吸収剤；酸化防止剤；界面活性剤等の配合剤が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　脂環式構造含有重合体を含む樹脂の好適な具体例としては、日本ゼオン社製「ゼオノア１４２０」及び「ゼオノア１４２０Ｒ」を挙げうる。

　基材の塗布面は、液晶性組成物の層における逆波長重合性液晶化合物の配向を促進するため、配向規制力を有することが好ましい。配向規制力とは、塗布面に塗布された液晶性組成物中の逆波長重合性液晶化合物を配向させうる、塗布面の性質をいう。塗布面が配向規制力を有することにより、塗布面上に光学異方性層を形成することができる。

　塗布面の表面自由エネルギーを上述した範囲に収めながら、塗布面に配向規制力を付与する方法としては、延伸処理が挙げられる。よって、基材としては、延伸フィルムを用いることが好ましい。基材に適切な条件で延伸処理を施すことにより、基材に含まれる重合体の分子を配向させることができる。これにより、基材に含まれる重合体の分子の配向方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させる配向規制力を、基材の塗布面に付与できる。特に、このような延伸処理では、基材の厚み方向全体に亘って分子ダイレクターが略均一に配向する。そのため、延伸処理によれば、ラビング処理のように基材の表面近傍の分子配向のみで基材に配向規制力を付与する方法に比べ、環境の影響（熱、光、酸素など）による経時的な配向規制力の緩和が生じ難い。さらに、延伸処理は、ラビング処理のような発塵、キズ及び異物混入を抑制できるので、配向欠陥の少ない光学異方性層が得られ易い。

　基材の延伸は、基材に異方性を付与して、当該基材に遅相軸を発現させられるように行うことが好ましい。これにより、通常は、基材の遅相軸と平行又は垂直な方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させる配向規制力が、基材の表面に付与される。例えば、基材の材料として正の固有複屈折値を有する樹脂を用いた場合、通常は、基材に含まれる重合体の分子が延伸方向に配向することにより延伸方向に平行な遅相軸が発現するので、基材の遅相軸と平行な方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させる配向規制力が、基材の表面に付与される。したがって、基材の延伸方向は、逆波長重合性液晶化合物を配向させようとする所望の配向方向に応じて設定しうる。また、延伸は、１の方向のみに行ってもよく、２以上の方向に行ってもよい。

　延伸倍率は、延伸後の基材の複屈折Δｎが所望の範囲となるように設定しうる。延伸後の基材の複屈折Δｎは、好ましくは０．００００５０以上、より好ましくは０．００００７０以上であり、好ましくは０．００７５００以下、より好ましくは０．００７０００以下である。延伸後の基材の複屈折Δｎが前記範囲の下限値以上であることにより、当該基材の表面に良好な配向規制力を付与できる。また、複屈折Δｎが前記範囲の上限値以下であることにより、基材のレターデーションを小さくできるので、基材を光学異方性層から剥離しなくても、光学異方性層と基材とを組み合わせて各種の用途に用いうる。
　前記の延伸は、テンター延伸機などの延伸機を用いて行いうる。

　基材の塗布面は、表面処理を施されていない非処理面であることが好ましい。前記の表面処理としては、例えば、ラビング処理、配向膜形成処理、エネルギー線照射処理及び薬品処理等が挙げられる。エネルギー線照射処理としては、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、電子線照射処理、紫外線照射処理等が挙げられる。また、薬品処理としては、例えば、ケン化処理、酸化剤溶液処理等が挙げられる。非処理面を塗布面として有する基材を用いることにより、基材の製造に要する手間及びコストを削減できるので、複層フィルムの製造効率を高めることができる。

　基材の塗布面は、光学異方性層の面状態を良好にする観点から、凹部及び凸部の無い平坦面であることが好ましい。

　基材は、用途に応じて、レターデーションを有していてもよい。例えば、複層フィルムを位相差フィルム、光学補償フィルム等の光学フィルムとして用いる場合には、基材はレターデーションを有することが好ましい。基材のレターデーションＲｅは、複層フィルムの用途に応じて設定でき、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下であり、より好ましくは３００ｎｍ以下である。

　基材は、透明性に優れることが好ましい。具体的には、基材の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８％以上である。また、基材のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。基材の全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲で測定しうる。また、基材のヘイズは、当該基材を選択した任意の部位で５０ｍｍ×５０ｍｍの正方形の薄膜サンプルに切り出し、その後、薄膜サンプルについて、ヘイズメーターを用いて測定しうる。

　基材としては、枚葉のフィルムを用いてもよいが、ロールトゥロールによる製造を可能にして製造効率を高めるために、長尺状のフィルムを用いることが好ましい。ここで「長尺状」とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。

　さらに、長尺状の基材を用いた場合、基材の遅相軸は、当該基材の長手方向に平行であってもよく、基材の長手方向に垂直であってもよく、基材の長手方向に平行でも垂直でもない斜め方向にあってもよい。基材の具体的な遅相軸方向は、光学異方性層に発現させようとする遅相軸の方向に応じて設定しうる。基材の遅相軸と基材の長手方向とがなす角度の例としては、１５°±５°、２２．５°±５°、４５°±５°、６７．５±５°、７５°±５°などが挙げられる。

　基材の厚みは、特に制限されないが、生産性の向上、薄型化及び軽量化を容易にする観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは３０μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。

　基材の製造方法に制限は無い。例えば、脂環式構造含有重合体を含む樹脂のような熱可塑性樹脂からなる基材は、樹脂をフィルムの形状に成形して延伸前基材を得る工程と、延伸前基材を延伸して配向規制力を発現させることにより所望の基材を得る工程とを含む製造方法により、製造しうる。

　樹脂の成形方法としては、例えば、溶融成形法及び溶液流延法が挙げられる。溶融成形法の例としては、溶融押し出しにより成形する溶融押出法、並びに、プレス成形法、インフレーション成形法、射出成形法、ブロー成形法、及び延伸成形法が挙げられる。これらの方法の中でも、機械強度及び表面精度に優れた延伸前基材を得る観点から、溶融押出法、インフレーション成形法及びプレス成形法が好ましい。その中でも特に、残留溶媒の量を減らせること、並びに、効率よく簡単な製造が可能なことから、溶融押出法が特に好ましい。

　溶融押出法では、通常、樹脂を溶融させ、その溶融樹脂をダイスから押し出すことにより、フィルム状に成形する。この際、ダイスを備える押出機における樹脂の溶融温度は、好ましくはＴｇ＋８０℃以上、より好ましくはＴｇ＋１００℃以上であり、好ましくはＴｇ＋１８０℃以下、より好ましくはＴｇ＋１５０℃以下である。ここでＴｇは、樹脂のガラス転移温度を表す。押出機での樹脂の溶融温度を前記範囲の下限値以上とすることにより樹脂の流動性を十分に高めることができ、上限値以下とすることにより樹脂の劣化を抑制することができる。

　前記のように樹脂をフィルム状に成形することにより、当該樹脂からなる延伸前基材が得られる。通常、この延伸前基材は、長尺のフィルムとして得られる。この延伸前基材に延伸処理を施すことにより、配向規制力を付与された所望の基材を製造できる。

　延伸は、一方向のみに延伸処理を行う一軸延伸処理を行ってもよく、異なる２方向に延伸処理を行う二軸延伸処理を行ってもよい。また、二軸延伸処理では、２方向に同時に延伸処理を行う同時二軸延伸処理を行ってもよく、ある方向に延伸処理を行った後で別の方向に延伸処理を行う逐次二軸延伸処理を行ってもよい。さらに、延伸は、延伸前基材の長手方向に延伸処理を行う縦延伸処理、延伸前基材の幅方向に延伸処理を行う横延伸処理、延伸前基材の長手方向に平行でもなく垂直でもない斜め方向に延伸処理を行う斜め延伸処理のいずれを行ってもよく、これらを組み合わせて行ってもよいが、斜め延伸処理が特に好ましい。延伸処理の方式は、例えば、ロール方式、フロート方式、テンター方式などが挙げられる。

　延伸温度及び延伸倍率は、所望の表面自由エネルギー及び配向規制力を有する塗布面を有する基材が得られる範囲で任意に設定しうる。具体的な範囲を挙げると、延伸温度は、好ましくはＴｇ－３０℃以上、より好ましくはＴｇ－１０℃以上であり、好ましくはＴｇ＋１０℃以下、より好ましくはＴｇ以下である。また、延伸倍率は、好ましくは１．１倍以上、より好ましくは１．２倍以上、特に好ましくは１．５倍以上であり、好ましくは３０倍以下、より好ましくは１０倍以下、特に好ましくは５倍以下である。

［３．液晶性組成物の用意］
　液晶性組成物は、所定の表面張力を有し、且つ、逆波長重合性液晶化合物を含む。この液晶性組成物は、基材の塗布面に塗布される際の環境（例えば、温度２５℃湿度６０％）においては、通常、流体状の組成物である。

　〔３．１．液晶性組成物の表面張力〕
　液晶性組成物の表面張力は、通常２６ｍＮ／ｍ以上、好ましくは２８ｍＮ／ｍ以上、より好ましくは３０ｍＮ／ｍ以上であり、好ましくは４５ｍＮ／ｍ以下、より好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。このような範囲の表面張力を有し且つ逆波長重合性液晶化合物を含む液晶性組成物は、上述したように低い所定の表面自由エネルギーを有する基材の塗布面に、良好な塗布性で塗布することが可能である。

　液晶性組成物の表面張力を前記の範囲に収めるための方法としては、例えば、液晶性組成物における溶媒の種類及び複数溶媒を用いる際の比率を適切に選択すること、並びに、界面活性剤の種類、組み合わせ及び量を適切に選択すること、などが挙げられる。

　液晶性組成物の表面張力は、温度２５℃湿度６０％の環境下において、Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法によって測定しうる。

　〔３．２．逆波長重合性液晶化合物〕
　液晶性組成物が含む逆波長重合性液晶化合物は、重合性を有する液晶化合物である。この逆波長重合性液晶化合物は、液晶性を有する液晶化合物であるので、当該逆波長重合性液晶化合物を配向させたときに、液晶相を呈しうる。また、逆波長重合性液晶化合物は、重合性を有する化合物であるので、前記のように液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向を維持したままま重合体となりうる。

　さらに、逆波長重合性液晶化合物は、逆波長分散性の複屈折を発現しうる化合物である。ここで、逆波長分散性の複屈折を発現しうる化合物とは、前記のように重合体とした場合に、得られた重合体が逆波長分散性の複屈折を発現する化合物をいう。

　逆波長分散性の複屈折とは、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長６５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（６５０）が、下記式（Ｄ１）を満たす複屈折をいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現しうる前記の逆波長重合性液晶化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現しうる。したがって、通常、逆波長重合性液晶化合物を前述のように重合させた重合体の複屈折は、下記式（Ｄ２）を満たす。下記式（Ｄ２）において、Δｎ（５５０）は、測定波長５５０ｎｍにおける複屈折を表す。
　Δｎ（４５０）＜Δｎ（６５０）　　（Ｄ１）
　Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０）＜Δｎ（６５０）　　（Ｄ２）

　逆波長重合性液晶化合物としては、例えば、当該逆波長重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む化合物を用いうる。主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンを含む前記の逆波長重合性液晶化合物は、当該逆波長重合性液晶化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンが主鎖メソゲンと異なる方向に配向しうる。したがって、このような配向を維持したまま逆波長重合性液晶化合物を重合させて得た重合体において、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは異なる方向に配向しうる。この配向により、前記の重合体は逆波長分散性の複屈折を発現できる。

　逆波長重合性液晶化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは７００以上、特に好ましくは１０００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。逆波長重合性液晶化合物が前記のような分子量を有することは、逆波長重合性液晶化合物が単量体であることを表す。重合体ではなく単量体としての逆波長重合性液晶化合物を用いることにより、液晶性組成物の塗布性を特に良好にできる。

　逆波長重合性液晶化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　逆波長重合性液晶化合物の好適な具体例としては、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。以下の説明において、式（Ｉ）で表される化合物を、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。

　化合物（Ｉ）は、通常、下記式で表すように、基－Ｙ^５－Ａ^４－（Ｙ^３－Ａ^２）_ｎ－Ｙ^１－Ａ^１－Ｙ^２－（Ａ^３－Ｙ^４）_ｍ－Ａ^５－Ｙ^６－からなる主鎖メソゲン１ａ、及び、基＞Ａ^１－Ｃ（Ｑ^１）＝Ｎ－Ｎ（Ａ^ｘ）Ａ^ｙからなる側鎖メソゲン１ｂの２つのメソゲン骨格を含む。また、これらの主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂは、互いに交差している。上記の主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂをあわせて１つのメソゲンとすることもできるが、本発明では、２つのメソゲンに分けて表記する。

　主鎖メソゲン１ａの長軸方向における屈折率をｎ１、側鎖メソゲン１ｂの長軸方向における屈折率をｎ２とする。この際、屈折率ｎ１の絶対値及び波長分散性は、通常、主鎖メソゲン１ａの分子構造に依存する。また、屈折率ｎ２の絶対値及び波長分散性は、通常、側鎖メソゲン１ｂの分子構造に依存する。ここで、液晶相において逆波長重合性液晶化合物は、通常、主鎖メソゲン１ａの長軸方向を回転軸として回転運動を行うので、ここでいう屈折率ｎ１及びｎ２とは、回転体としての屈折率を表している。

　主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂの分子構造に由来して、屈折率ｎ１の絶対値は屈折率ｎ２の絶対値より大きい。さらに、屈折率ｎ１及びｎ２は、通常、順波長分散性を示す。ここで、順波長分散性の屈折率とは、測定波長が大きいほど当該屈折率の絶対値が小さくなる屈折率を表す。主鎖メソゲン１ａの屈折率ｎ１は、順波長分散性が小さいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅には小さくならない。これに対し、側鎖メソゲン１ｂの屈折率ｎ２は、順波長分散性が大きいので、短波長で測定した屈折率よりも、長波長で測定した屈折率は、大幅に小さくなる。そのため、測定波長が短いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎは小さく、測定波長が長いと屈折率ｎ１と屈折率ｎ２との差Δｎが大きくなる。このようにして、主鎖メソゲン１ａ及び側鎖メソゲン１ｂに由来して逆波長分散性の複屈折率が発現しうる。

　前記式（Ｉ）において、Ｙ^１～Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－Ｏ－ＮＲ^１－、又は、－ＮＲ^１－Ｏ－を表す。

　ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
　Ｒ^１の炭素数１～６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－へキシル基が挙げられる。
　Ｒ^１としては、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基が好ましい。

　化合物（Ｉ）においては、Ｙ^１～Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、又は、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－であることが好ましい。

　前記式（Ｉ）において、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１～２０の二価の脂肪族基を表す。
　炭素数１～２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１～２０のアルキレン基、炭素数２～２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３～２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４～２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０～３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；が挙げられる。

　Ｇ^１及びＧ^２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－へキシルオキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。

　また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２－、－ＮＲ^２－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－が介在していてもよい。ただし、－Ｏ－又は－Ｓ－がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
　前記脂肪族基に介在する基としては、－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－が好ましい。

　これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、例えば、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｓ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－ＮＲ^２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＮＲ^２－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－Ｃ（＝Ｏ）－ＣＨ_２－が挙げられる。

　これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、炭素数１～２０のアルキレン基、炭素数２～２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔－（ＣＨ_２）_１０－〕等の、炭素数１～１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔－（ＣＨ_２）_４－〕、ヘキサメチレン基〔－（ＣＨ_２）_６－〕、オクタメチレン基〔－（ＣＨ_２）_８－〕、及び、デカメチレン基〔－（ＣＨ_２）_１０－〕が特に好ましい。

　前記式（Ｉ）において、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基を表す。
　該アルケニル基の炭素数としては、２～６が好ましい。Ｚ^１及びＺ^２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。

　Ｚ^１及びＺ^２の炭素数２～１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ_２＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－、ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ－ＣＨ_２－、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、ＣＨ_３－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ_２－が挙げられる。

　なかでも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｚ^１及びＺ^２としては、それぞれ独立して、ＣＨ_２＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）－、ＣＨ_２＝ＣＨ－ＣＨ_２－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ－、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）－、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）－がより好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ－が特に好ましい。

　前記式（Ｉ）において、Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。

　Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の両方を有するものであってもよい。

　前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；が挙げられる。

　Ａ^ｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２～６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１～６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^５；－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^５；－ＳＯ_２Ｒ^６；等が挙げられる。ここで、Ｒ^５は炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、又は、炭素数３～１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６は後述するＲ^４と同様の、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４－メチルフェニル基を表す。

　また、Ａ^ｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
　さらに、Ａ^ｘの炭素数２～３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

　Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基としては、例えば、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３～３０のアルキル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４～３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４～３０のアルキニル基；が挙げられる。

　Ａ^ｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａ^ｘは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「－」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
　（１）芳香族炭化水素環基

　（２）芳香族複素環基

　上記式中、Ｅは、ＮＲ^６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基を表す。

　上記式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、ＮＲ^７、酸素原子、硫黄原子、－ＳＯ－、又は、－ＳＯ_２－を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、－ＳＯ－、－ＳＯ_２－が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ^７は、前記Ｒ^６ａと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基を表す。

　（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
　（３）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基

　（４）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基

　（５）芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基

　上記したＡ^ｘの中でも、炭素数６～３０の芳香族炭化水素環基、又は炭素数４～３０の芳香族複素環基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましい。

　さらに、Ａ^ｘは、下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。

　Ａ^ｘが有する環は、置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２～６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１～６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^８；－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^８；－ＳＯ_２Ｒ^６；が挙げられる。ここでＲ^８は、メチル基、エチル基等の炭素数１～６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６～１４のアリール基；を表す。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、及び炭素数１～６のアルコキシ基が好ましい。

　Ａ^ｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は、単環であってもよく、縮合多環であってもよい。
　Ａ^ｘの炭素数２～３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

　前記式（Ｉ）において、Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３、－ＳＯ_２－Ｒ^４、－Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ－Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５～１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４－メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５～２０の芳香族基を表す。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基の炭素数１～２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、１－メチルペンチル基、１－エチルペンチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ－へキシル基、イソヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１～２０のアルキル基の炭素数は、１～１２であることが好ましく、４～１０であることが更に好ましい。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基の炭素数２～２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基の炭素数は、２～１２であることが好ましい。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基の炭素数３～１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基が挙げられる。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基の炭素数２～２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、ペンチニル基、２－ペンチニル基、ヘキシニル基、５－ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２－オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７－デカニル基が挙げられる。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１～２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３～８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２～１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６～１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、－ＣＨ_２ＣＦ_３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１～１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^７ａ；－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^７ａ；－ＳＯ_２Ｒ^８ａ；－ＳＲ^１０；－ＳＲ^１０で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基；水酸基；が挙げられる。ここで、Ｒ^７ａ及びＲ^１０は、それぞれ独立して、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^８ａは、前記Ｒ^４と同様の、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４－メチルフェニル基を表す。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１～６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１～６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～８のシクロアルキル基；－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^７ａ；－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^７ａ；－ＳＯ_２Ｒ^８ａ；水酸基；が挙げられる。ここでＲ^７ａ及びＲ^８ａは、前記と同じ意味を表す。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。

　Ａ^ｙの、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３で表される基において、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５～１２の芳香族炭化水素環基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａ^ｘで説明した芳香族炭化水素環基のうち炭素数が５～１２のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

　Ａ^ｙの、－ＳＯ_２－Ｒ^４で表される基において、Ｒ^４は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４－メチルフェニル基を表す。Ｒ^４の、炭素数１～２０のアルキル基、及び炭素数２～２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａ^ｙの、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

　Ａ^ｙの、－Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ－Ｒ^９で表される基において、Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５～２０の芳香族基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基；並びに、前記Ａ^ｘで説明した芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基のうち炭素数が５～２０のものの例として挙げたものと同様のものが挙げられる。

　Ａ^ｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基としては、前記Ａ^ｘで説明したのと同様のものが挙げられる。

　これらの中でも、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３、－ＳＯ_２－Ｒ^４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基で表される基が好ましい。さらに、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３～９の芳香族複素環基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３、－ＳＯ_２－Ｒ^４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ^３及びＲ^４は、前記と同じ意味を表す。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２～１２の環状エーテル基、炭素数６～１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４－メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、－ＳＲ^１０が好ましい。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

　Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい炭素数３～９の芳香族複素環基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。

　また、Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数４～３０の不飽和複素環、炭素数６～３０の不飽和炭素環が挙げられる。

　前記炭素数４～３０の不飽和複素環、及び、炭素数６～３０の不飽和炭素環は、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。
　Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって形成される環としては、例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の

　として表される部分を示すものである。

　（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
　また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。

　Ａ^ｘとＡ^ｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、好ましくは４以上、より好ましくは６以上であり、好ましくは２４以下、より好ましくは２０以下、特に好ましくは１８以下である。

　Ａ^ｘとＡ^ｙの好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（α）及び組み合わせ（β）が挙げられる。
　（α）Ａ^ｘが炭素数４～３０の、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基であり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３～８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、若しくは炭素数３～８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３～９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２～１２の環状エーテル基、炭素数６～１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基及び－ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。
　（β）Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成している組み合わせ。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

　Ａ^ｘとＡ^ｙのより好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（γ）が挙げられる。
　（γ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３～８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、若しくは炭素数３～８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３～９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２～１２の環状エーテル基、炭素数６～１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、－ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

　（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
　Ａ^ｘとＡ^ｙの特に好ましい組み合わせとしては、下記の組み合わせ（δ）が挙げられる。
　（δ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３～８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、若しくは炭素数３～８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６～１２の芳香族炭化水素環基、（ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３～９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～１２のアルコキシ基で置換された炭素数１～１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２～１２の環状エーテル基、炭素数６～１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、及び、－ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

　前記式（Ｉ）において、Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であってもよく、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ^１、Ｙ^２を便宜上記載している（Ｙ^１、Ｙ^２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。

　これらの中でも、Ａ^１としては、下記に示す式（Ａ１１）～（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。

　Ａ^１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記Ａ^ｘの芳香環の置換基として説明したのと同様のものが挙げられる。Ａ^１としては、置換基を有さないものが好ましい。

　前記式（Ｉ）において、Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３～３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。炭素数３～３０の二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３～３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０～３０の二価の脂環式縮合環基が挙げられる。

　炭素数３～３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン－１，２－ジイル基、シクロブタン－１，３－ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン－１，２－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン－１，２－ジイル基、シクロヘキサン－１，３－ジイル基、シクロヘキサン－１，４－ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン－１，２－ジイル基、シクロヘプタン－１，３－ジイル基、シクロヘプタン－１，４－ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン－１，２－ジイル基、シクロオクタン－１，３－ジイル基、シクロオクタン－１，４－ジイル基、シクロオクタン－１，５－ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン－１，２－ジイル基、シクロデカン－１，３－ジイル基、シクロデカン－１，４－ジイル基、シクロデカン－１，５－ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン－１，２－ジイル基、シクロドデカン－１，３－ジイル基、シクロドデカン－１，４－ジイル基、シクロドデカン－１，５－ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン－１，２－ジイル基、シクロテトラデカン－１，３－ジイル基、シクロテトラデカン－１，４－ジイル基、シクロテトラデカン－１，５－ジイル基、シクロテトラデカン－１，７－ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン－１，２－ジイル基、シクロエイコサン－１，１０－ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；が挙げられる。

　炭素数１０～３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン－２，５－ジイル基、デカリン－２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン－１，２－ジイル基、アダマンタン－１，３－ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン－２，３－ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン－２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン－２，６－ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；が挙げられる。

　これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記Ａ^ｘの芳香環の置換基として説明したものと同様のものが挙げられる。

　これらの中でも、Ａ^２及びＡ^３としては、炭素数３～１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３～１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）～（Ａ３４）で表される基がさらに好ましく、下記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。

　前記炭素数３～３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ^１及びＹ^３（又はＹ^２及びＹ^４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型及びトランス型の立体異性体が存在しうる。例えば、シクロヘキサン－１，４－ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。

　前記炭素数３～３０の二価の脂環式炭化水素基は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。中でも、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。

　前記式（Ｉ）において、Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６～３０の二価の芳香族基を表す。Ａ^４及びＡ^５の芳香族基は、単環のものであっても、多環のものであってもよい。Ａ^４及びＡ^５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。

　上記Ａ^４及びＡ^５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、ニトロ基、－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^８ｂ基；が挙げられる。ここでＲ^８ｂは、炭素数１～６のアルキル基である。なかでも、置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子がより好ましく、炭素数１～６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

　これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）又は（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。

　前記式（Ｉ）において、Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基としては、前記Ａ^ｙで説明した置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基のうち、炭素数が１～６のものが挙げられる。これらの中でも、Ｑ^１は、水素原子及び炭素数１～６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。

　前記式（Ｉ）において、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。中でも、ｍは好ましくは１であり、また、ｎは好ましくは１である。

　化合物（Ｉ）は、例えば、下記に示す反応により製造しうる。

　（式中、Ｙ^１～Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１～Ａ^５、Ｑ^１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。）

　前記の反応式に示したように、式（３）で表されるヒドラジン化合物と式（４）で表されるカルボニル化合物とを反応させることにより、化合物（Ｉ）を製造することができる。以下、式（３）で表されるヒドラジン化合物を、適宜「ヒドラジン化合物（３）」ということがある。また、式（４）で表されるカルボニル化合物を、適宜「カルボニル化合物（４）」ということがある。

　前記の反応において、「ヒドラジン化合物（３）：カルボニル化合物（４）」のモル比は、好ましくは１：２～２：１、より好ましくは１：１．５～１．５：１である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で、目的とする化合物（Ｉ）を製造できる。

　この場合、反応系は、（±）－１０－カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を含んでいてもよい。酸触媒を用いることで、反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の量は、カルボニル化合物（４）１モルに対して、通常０．００１モル～１モルである。また、酸触媒は、反応系にそのまま配合してもよく、適切な溶液に溶解させた溶液として配合してもよい。

　この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、ｔ－ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

　溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン化合物（３）１ｇに対し、通常１ｇ～１００ｇである。

　反応は、通常、－１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。

　ヒドラジン化合物（３）は、次のようにして製造しうる。

　（式中、Ａ^ｘ及びＡ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘ^ａは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ－トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）

　前記の反応式に示したように、式（２ａ）で表される化合物とヒドラジン（１）とを、適切な溶媒中で反応させることで、対応するヒドラジン化合物（３ａ）を得ることができる。この反応における「化合物（２ａ）：ヒドラジン（１）」のモル比は、好ましくは１：１～１：２０、より好ましくは１：２～１：１０である。さらに、ヒドラジン化合物（３ａ）と式（２ｂ）で表される化合物とを反応させることで、ヒドラジン化合物（３）を得ることができる。

　ヒドラジン（１）としては、通常１水和物のものを用いうる。ヒドラジン（１）は、市販品をそのまま使用することができる。

　この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものを用いうる。溶媒としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、ｔ－ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２－ジメトキシエタン、１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；が挙げられる。これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及び、アルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

　溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドラジン１ｇに対し、通常１ｇ～１００ｇである。

　反応は、通常、－１０℃以上、用いる溶媒の沸点以下の温度範囲で、円滑に進行しうる。各反応の反応時間は、反応規模によるが、通常、数分から数時間である。

　また、ヒドラジン化合物（３）は、次のように、公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５）を還元することによっても製造しうる。

　式（５）中、Ａ^ｘ及びＡ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘ^ｂ－は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘ^ｂ－としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；が挙げられる。

　上記反応に用いる還元剤としては、例えば金属塩還元剤が挙げられる。金属塩還元剤とは、一般に、低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編　丸善株式会社発行８１０ページを参照）。

　金属塩還元剤としては、例えば、ＮａＡｌＨ_４、ＮａＡｌＨ_ｐ（Ｏｒ）_ｑ（ｐ及びｑは、それぞれ独立して１～３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である。ｒは、炭素数１～６のアルキル基を表す。）、ＬｉＡｌＨ_４、ｉＢｕ_２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ_４、ＮａＢＨ_４、ＳｎＣｌ_２、ＣｒＣｌ_２、ＴｉＣｌ_３が挙げられる。ここで「ｉＢｕ」は、イソブチル基を表す。

　還元反応においては公知の反応条件を採用しうる。例えば、特開２００５－３３６１０３号公報、新実験化学講座　１９７８年　丸善株式会社発行　１４巻、実験化学講座　１９９２年　丸善株式会社発行　２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行いうる。
　また、ジアゾニウム塩（５）は、アニリン等の化合物から常法により製造しうる。

　カルボニル化合物（４）は、例えば、エーテル結合（－Ｏ－）、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、カーボネート結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）及びアミド結合（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。

　エーテル結合の形成は、以下のようにして行いうる。
　（ｉ）式：Ｄ１－ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを、混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
　（ii）式：Ｄ１－ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
　（iii）式：Ｄ１－Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＨで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
　（iv）式：Ｄ１－ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＭｅｔで表される化合物とを、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
　（ｖ）式：Ｄ１－ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅の存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。

　エステル結合及びアミド結合の形成は、以下のようにして行いうる。
　（vi）式：Ｄ１－ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＨ又はＤ２－ＮＨ_２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ－ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
　（vii）式：Ｄ１－ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１－ＣＯ－ｈａｌで表される化合物を得て、このものと式：Ｄ２－ＯＨ又はＤ２－ＮＨ_２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
　（viii）式：Ｄ１－ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものと式：Ｄ２－ＯＨ又はＤ２－ＮＨ_２で表される化合物とを反応させる。
　（ix）式：Ｄ１－ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２－ＯＨ又はＤ２－ＮＨ_２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。

　カルボニル化合物（４）は、より具体的には、下記反応式に示す方法により製造しうる。

　（式中、Ｙ^１～Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^１～Ａ^５、Ｑ^１、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表す。Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ－トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。－Ｙ^１ａは、－Ｌ^１と反応して－Ｙ^１－となりうる基を表し、－Ｙ^２ａは、－Ｌ^２と反応して－Ｙ^２－となりうる基を表す。）

　前記の反応式に示したように、エーテル結合（－Ｏ－）、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、又は、カーボネート結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）の形成反応を用いることにより、式（６ｄ）で表される化合物に、式（７ａ）で表される化合物、次いで、式（７ｂ）で表される化合物を反応させて、カルボニル化合物（４）を製造することができる。

　具体例として、Ｙ^１が、式：Ｙ^１１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－で表される基であり、且つ、式：Ｚ^２－Ｙ^８－Ｇ^２－Ｙ^６－Ａ^５－（Ｙ^４－Ａ^３）_ｍ－Ｙ^２－で表される基が、式：Ｚ^１－Ｙ^７－Ｇ^１－Ｙ^５－Ａ^４－（Ｙ^３－Ａ^２）_ｎ－Ｙ^１－で表される基と同一である、化合物（４’）の製造方法を以下に示す。

　（式中、Ｙ^３、Ｙ^５、Ｙ^７、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^４、Ｑ^１、ｎ及びＬ^１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１１は、Ｙ^１１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－がＹ^１となる基を表す。Ｙ^１は前記と同じ意味を表す。）

　前記の反応式に示したように、式（６）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６））と式（７）で表される化合物（化合物（７））とを反応させることにより、化合物（４’）を製造し得る。この反応における「化合物（６）：化合物（７）」のモル比は、好ましくは１：２～１：４、より好ましくは１：２～１：３である。このようなモル比で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４’）を得ることができる。

　化合物（７）が、Ｌ^１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。脱水縮合剤の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル～３モルである。

　また、化合物（７）が、Ｌ^１が水酸基である化合物（カルボン酸）である場合には、メタンスルホニルクロリド、ｐ－トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下に反応させることによっても、目的物を得ることができる。スルホニルハライドの使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル～３モルである。また、塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル～３モルである。この場合、前記式（７）中、Ｌ^１がスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）を単離して、次の反応を行ってもよい。

　さらに、化合物（７）が、Ｌ^１がハロゲン原子である化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル～３モルである。

　上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３－ジオキソラン等のエーテル溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
　溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１ｇ～５０ｇである。

　化合物（６）の多くは公知物質であり、公知の方法により製造しうる。例えば、下記反応式に示す方法により製造しうる（国際公開第２００９／０４２５４４号、及び、Ｔｈｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，７６，８０８２－８０８７等参照。）。化合物（６）として市販されているものを、所望により精製して用いてもよい。

　（式中、Ａ^１及びＱ^１は、前記と同じ意味を表し、Ａ^１ａは、ホルミル化又はアシル化されることによりＡ^１になりうる２価の芳香族基を表し、Ｒ’は、メチル基、エチル基等の炭素数１～６のアルキル基、メトキシメチル基等の炭素数２～６のアルコキシアルキル基等の、水酸基の保護基を表す。）

　前記の反応式に示したように、式（６ａ）で表されるジヒドロキシ化合物（１，４－ジヒドロキシベンゼン、１，４－ジヒドロキシナフタレン等）の水酸基をアルキル化して、式（６ｂ）で表される化合物を得る。その後、ＯＲ’基のオルト位を、公知の方法により、ホルミル化又はアシル化することにより、式（６ｃ）で表される化合物を得る。そして、このものを脱保護（脱アルキル化）することにより、目的とする化合物（６）を製造しうる。
　また、化合物（６）として、市販されているものをそのまま、又は所望により精製して用いてもよい。

　化合物（７）の多くは公知化合物であり、例えば、エーテル結合（－Ｏ－）、エステル結合（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、カーボネート結合（－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－）及びアミド結合（－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適切に結合及び修飾することにより、製造しうる。

　例えば、化合物（７）が、下記式（７’）で表される化合物（化合物（７’））である場合には、式（９’）で表されるジカルボン酸（化合物（９’））を用いて、下記のようにして製造することができる。

　（式中、Ｙ^５、Ｙ^７、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^２、Ａ^４及びＹ^１１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１２は、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^１２がＹ^３となる基を表す。Ｒは、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、ｐ－メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；を表す。）

　先ず、化合物（９’）に、式（１０）で表されるスルホニルクロライドを、トリエチルアミン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基存在下で反応させる。次いで、反応混合物に、化合物（８）と、トリエチルアミン、４－（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基を加えて反応を行う。
　スルホニルクロライドの使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量～０．７当量である。
　また、化合物（８）の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量～０．６当量である。
　塩基の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量～０．７当量である。
　反応温度は、２０℃～３０℃であり、反応時間は反応規模等にもよるが、数分から数時間である。

　上記反応に用いる溶媒としては、前記化合物（４’）を製造する際に用いうる溶媒として例示したものが挙げられる。なかでも、エーテル溶媒が好ましい。
　溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類及び反応規模等を考慮して設定しうる。溶媒の具体的な使用量は、化合物（９’）１ｇに対し、通常１ｇ～５０ｇである。

　いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行いうる。また、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離精製処理を施すことにより、目的物を単離しうる。
　目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定できる。

　〔３．３．界面活性剤〕
　液晶性組成物の表面張力を所望の範囲に調整するために、液晶性組成物は界面活性剤を含むことが好ましい。

　界面活性剤としては、液晶性組成物の表面張力を所望の範囲に調整しうる任意の種類の界面活性剤を用いうる。中でも、界面活性剤としては、当該界面活性剤の分子中にフッ素原子を含むものが好ましい。分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を用いることにより、液晶性組成物の表面張力を所望の範囲に容易に調整できる。

　分子中にフッ素原子を含む前記の界面活性剤は、フルオロアルキル基を含むことが好ましい。フルオロアルキル基としては、光学異方性層の面状態の改善、配向性の改善、レターデーションのムラの抑制、及び、厚みムラの抑制の観点から、パーフルオロアルキル基が好ましく、特に－Ｃ_６Ｆ_１３基が好ましい。

　前記の界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは１５重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは３０重量％以下である。界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を、前記範囲の下限値以上にすることにより、光学異方性層の面状態及び配向性を良好にできる。また、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を、前記範囲の上限値以上にすることにより、光学異方性層の面状態及び配向性を良好にでき、更には光学異方性層のレターデーションのムラ及び厚みムラを抑制できる。

　界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合は、下記の方法によって測定しうる。
　試料としての界面活性剤を秤量し、分析装置の燃焼管内で燃焼させる。燃焼により発生したガスを、適切な溶液に吸収させて、吸収液を得る。その後、吸収液の一部をイオンクロマトグラフィーにより分析することによって、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を測定しうる。

　界面活性剤としては、当該界面活性剤の分子中に２単位以上含まれる繰り返し単位を有するオリゴマー構造を有するものを用いてもよく、繰り返し単位を含まないモノマー構造を有するものを用いてもよい。

　また、界面活性剤としては、重合性を有さないものを用いてもよく、重合性を有するものを用いてもよい。重合性を有する界面活性剤は、逆波長重合性液晶化合物を重合させる際に重合しうるので、通常は、液晶性組成物から製造される光学異方性層においては重合体の分子の一部に含まれる。

　前記のようにフッ素原子を含む界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ２４２、Ｓ２４３、Ｓ３８６、Ｓ６１１、Ｓ６５１など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ２５１、Ｆ５５４、Ｆ５５６、Ｆ５６２、ＲＳ－７５、ＲＳ－７６－Ｅなど）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（ＦＴＸ６０１ＡＤ、ＦＴＸ６０２Ａ、ＦＴＸ６０１ＡＤＨ２、ＦＴＸ６５０Ａなど）等が挙げられる。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　液晶性組成物における界面活性剤の量は、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは０．０５重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、特に好ましくは０．３重量部以上であり、好ましくは５．０重量部以下、より好ましくは１．０重量部以下、特に好ましくは０．５重量部以下である。界面活性剤の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより基材の塗布面への液晶性組成物の塗り付き性を特に良好にでき、前記範囲の上限値以下にすることにより配向性を保ちながら液晶性組成物の面状を改良できる。

　〔３．４．任意の成分〕
　液晶性組成物は、前述した逆波長重合性液晶化合物及び界面活性剤に組み合わせて、更に任意の成分を含みうる。

　例えば、液晶性組成物は、溶媒を含みうる。溶媒としては、逆波長重合性液晶化合物を溶解できるものが好ましい。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４－ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３－ジオキソラン、１，２－ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素；が挙げられる。

　溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせた混合溶媒として用いてもよい。例えば、シクロペンタノン等のケトン溶媒と１，３－ジオキソラン等のエーテル溶媒とを組み合わせて用いることが好ましい。このように組み合わせる場合、ケトン溶媒とエーテル溶媒との重量比（ケトン溶媒／エーテル溶媒）は、好ましくは１０／９０以上、より好ましくは３０／７０以上、特に好ましくは４０／６０以上であり、好ましくは９０／１０以下、より好ましくは７０／３０以下、特に好ましくは５０／５０以下である。ケトン溶媒及びエーテル溶媒を前記の重量比で用いることにより、塗布時の欠陥発生の抑制ができる。

　溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃～２５０℃、より好ましくは６０℃～１５０℃である。

　溶媒の量は、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは３００重量部以上、より好ましくは３５０重量部以上、特に好ましくは４００重量部以上であり、好ましくは７００重量部以下、より好ましくは６００重量部以下、特に好ましくは５００重量部以下である。溶媒の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより異物発生の抑制ができ、前記範囲の上限値以下にすることにより乾燥負荷の低減ができる。

　例えば、液晶性組成物は、重合開始剤を含みうる。重合開始剤は、逆波長重合性液晶化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、逆波長重合性液晶化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、逆波長重合性液晶化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、逆波長重合性液晶化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。

　ラジカル重合開始剤としては、加熱によって逆波長重合性液晶化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である熱ラジカル発生剤；可視光線、紫外線（ｉ線など）、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光光の露光により、逆波長重合性液晶化合物の重合を開始しうる活性種を発生する化合物である光ラジカル発生剤；のいずれも使用可能である。中でも、ラジカル重合開始剤としては、光ラジカル発生剤が好適である。

　光ラジカル発生剤としては、例えば、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ－アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α－ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物を挙げられる。これらの化合物は、露光によって、活性ラジカル、活性酸、又は、活性ラジカル及び活性酸の両方を発生しうる。

　アセトフェノン系化合物の具体例としては、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、２－メチル－１－〔４－（メチルチオ）フェニル〕－２－モルフォリノプロパン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）ブタン－１－オン、１－ヒドロキシシクロヘキシル・フェニルケトン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１，２－オクタンジオン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－４’－モルフォリノブチロフェノンを挙げることができる。

　ビイミダゾール系化合物の具体例としては、２，２’－ビス（２－クロロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス（４－エトキシカルボニルフェニル）－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２－ブロモフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス（４－エトキシカルボニルフェニル）－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２－クロロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２，４－ジクロロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２，４，６－トリクロロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２－ブロモフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２，４－ジブロモフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾール、２，２’－ビス（２，４，６－トリブロモフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾールを挙げることができる。

　重合開始剤としてビイミダゾール系化合物を用いる場合、ビイミダゾール系化合物に組み合わせて水素供与体を用いることにより、感度を更に改良することができる。ここで「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。水素供与体としては、下記で例示するメルカプタン系化合物及びアミン系化合物が好ましい。

　メルカプタン系化合物としては、例えば、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾオキサゾール、２－メルカプトベンゾイミダゾール、２，５－ジメルカプト－１，３，４－チアジアゾール、２－メルカプト－２，５－ジメチルアミノピリジンを挙げることができる。アミン系化合物としては、例えば、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４－ジエチルアミノアセトフェノン、４－ジメチルアミノプロピオフェノン、エチル－４－ジメチルアミノベンゾエート、４－ジメチルアミノ安息香酸、４－ジメチルアミノベンゾニトリルを挙げることができる。

　トリアジン系化合物の具体例としては、２，４，６－トリス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－メチル－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－〔２－（５－メチルフラン－２－イル）エテニル〕－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－〔２－（フラン－２－イル）エテニル〕－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－〔２－（４－ジエチルアミノ－２－メチルフェニル）エテニル〕－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－〔２－（３，４－ジメトキシフェニル）エテニル〕－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（４－メトキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（４－エトキシスチリル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－（４－ｎ－ブトキシフェニル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等の、ハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げることができる。

　Ｏ－アシルオキシム系化合物の具体例としては、１－〔４－（フェニルチオ）フェニル〕－ヘプタン－１，２－ジオン　２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、１－〔４－（フェニルチオ）フェニル〕－オクタン－１，２－ジオン　２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、１－〔４－（ベンゾイル）フェニル〕－オクタン－１，２－ジオン　２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－エタノン　１－（Ｏ－アセチルオキシム）、１－［９－エチル－６－（３－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－エタノン　１－（Ｏ－アセチルオキシム）、１－（９－エチル－６－ベンゾイル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－エタノン　１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－［９－エチル－６－（２－メチル－４－テトラヒドロフラニルベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル］－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－（２－メチル－４－テトラヒドロピラニルベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－（２－メチル－５－テトラヒドロフラニルベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－（２－メチル－５－テトラヒドロピラニルベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－｛２－メチル－４－（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソラニル）ベンゾイル｝－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－［９－エチル－６－（２－メチル－４－テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル］－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－（２－メチル－４－テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－（２－メチル－５－テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－（２－メチル－５－テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）、エタノン－１－〔９－エチル－６－｛２－メチル－４－（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝－９．Ｈ．－カルバゾール－３－イル〕－１－（Ｏ－アセチルオキシム）を挙げることができる。

　光ラジカル発生剤としては、市販品をそのまま用いてもよい。具体例としては、ＢＡＳＦ社製の、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７、商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９、及び商品名：Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０２、ＡＤＥＫＡ社製の、商品名：アデカオプトマーＮ１９１９等が挙げられる。

　アニオン重合開始剤としては、例えば、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩やトリリチウム塩等の多官能性開始剤；が挙げられる。

　カチオン重合開始剤としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；が挙げられる。

　重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　重合開始剤の量は、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まることにより、逆波長重合性液晶化合物の重合を効率的に進行させることができる。

　さらに、液晶性組成物が含みうる任意の成分としては、例えば、逆波長重合性液晶化合物以外の重合性化合物；金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等の添加剤が挙げられる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

　前記の添加剤の量は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で任意に設定しうる。添加剤の量は、具体的には、逆波長重合性液晶化合物１００重量部に対して、各々０．１重量部～２０重量部としうる。

　液晶性組成物は、上に述べた成分を混合することにより、製造しうる。

［４．塗布工程］
　本発明の複層フィルムの製造方法では、基材の塗布面に液晶性組成物を塗布して、前記液晶性組成物の層を形成する工程（塗布工程）を行う。この際、液晶性組成物は、基材の塗布面に直接に塗布する。ここで、塗布面への液晶性組成物の「直接」の塗布とは、塗布により形成される液晶性組成物の層と基材の塗布面との間に他の層が無い態様での塗布をいう。

　液晶性組成物を塗布する方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、キャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。塗布される液晶性組成物の層の厚みは、光学異方性層に求められる厚さに応じて適切に設定しうる。

　本発明の複層フィルムの製造方法では、基材の塗布面に液晶性組成物を塗布する際の塗布性が良好である。具体的には、基材の塗布面に対する液晶性組成物の塗り付き性が良好であるので、塗布した液晶性組成物を基材の塗布面に安定して定着させることができる。また、液晶性組成物に対する基材の塗布面のハジキ性が小さいので、液晶性組成物の層におけるハジキ部の発生を抑制できる。
　前記の塗り付き性及びハジキ性は、下記の方法によって評価方法しうる。

　（塗り付き性）
　図１は、基材１００の塗布面１１０に液晶性組成物を塗布した直後の液晶性組成物の層２００の一例を模式的に示す断面図である。また、図２は、基材１００の塗布面１１０に液晶性組成物を塗布してから時間が経過した後の液晶性組成物の層２００の一例を模式的に示す断面図である。さらに、図３は、基材１００の塗布面１１０に液晶性組成物を塗布してから時間が経過した後の液晶性組成物の層２００の一例を模式的に示す断面図である。

　図１に示すように、基材１００の塗布面１１０に液晶性組成物を塗布すると、塗布面１１０上に液晶性組成物の層２００が形成される。この際、液晶性組成物を塗布した直後における、液晶性組成物を塗布された部分の外縁２１０の位置を、「塗り付け位置１２０」と呼ぶ。

　塗布面１１０に対する液晶性組成物の塗り付き性が良好であると、液晶性組成物は塗布面１１０に馴染み易い。そのため、液晶性組成物は、図１に示すように塗布された直後の領域に留まるか、図２に示すように塗布された直後の領域よりも広がる傾向がある。よって、液晶性組成物の層２００の外縁２１０は、通常、時間が経過すると、塗り付け位置１２０に留まるか、塗り付け位置１２０よりも外側に移動する。

　他方、塗布面１１０に対する液晶性組成物の塗り付き性が低いと、液晶性組成物は塗布面１１０に馴染み難い。そのため、液晶性組成物は、図３に示すように塗布面１１０にはじかれて集合する傾向がある。よって、液晶性組成物の層２００の外縁２１０は、通常、時間が経過すると、塗り付け位置１２０よりも内側に移動する。液晶性組成物の塗り付き性が更に不良になると、液晶性組成物を塗布された領域の全体において液晶性組成物が塗布面１１０によってはじかれて、液晶性組成物の層２００が複数に分割されることがある。

　したがって、製造される複層フィルムの光学異方性層を観察し、その光学異方性層の端部と液晶性組成物の塗り付け位置との関係に基づき、塗り付き性を評価しうる。この際、光学異方性層は、下記の方法によって観察しうる。
　複層フィルムを、所定のサイズ（例えば、１６ｃｍ角）に裁断して、試料片を得る。ライトテーブル上に、２枚の直線偏光子（偏光子及び検光子）を、これらの直線偏光子の偏光吸収軸が平行な状態（パラニコル）で重ねる。これらの直線偏光子の間に、前記の試料片を、試料片の遅相軸が直線偏光子の偏光吸収軸に対して４５°の角度をなす向きで置く。そして、ライトテーブルから出て直線偏光子、試験片及び直線偏光子を透過した光を目視することにより、光学異方性層を観察しうる。

　（ハジキ性）
　図４は、基材１００の塗布面１１０に付着した異物１３０に起因してハジキ部２２０を生じた液晶性組成物の層２００の一例を模式的に示す斜視図である。
　基材１００の塗布面１１０に、ゴミ、ホコリ、汚れ等の異物１３０が付着している場合、塗布面１１０に塗布された液晶性組成物は、前記の異物１３０にはじかれる。そのため、液晶性組成物が塗布された領域において異物１３０の周囲には、通常、液晶性組成物が塗布面１１０に定着できないハジキ部２２０が形成される。このハジキ部２２０のサイズＤは、塗布面１１０が液晶性組成物をはじく性質が強いほど、大きくなる傾向がある。

　したがって、製造される複層フィルムの光学異方性層を観察し、液晶性組成物を塗布された領域において異物に起因して生じたハジキ部のサイズを測定することにより、そのハジキ部のサイズに基づいて、ハジキ性を評価しうる。この際、光学異方性層は、塗り付き性の評価方法の説明で述べたのと同様の方法により、観察しうる。

［５．配向工程］
　通常は、液晶性組成物の層を形成した後で、当該層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を配向させる工程（配向工程）を行う。液晶性組成物の層に、加温等の配向処理を施すことにより、基材の配向規制力に応じた方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させうる。例えば、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる基材を用いた場合、配向工程により、基材の遅相軸方向と略同一方向に沿ったホモジニアス配向を達成しうる。配向処理の条件は、使用する液晶性組成物の性質に応じて適切に設定しうる。配向処理の条件の具体例を挙げると、５０℃～１６０℃の温度条件において、３０秒間～５分間、処理する条件としうる。

　ただし、逆波長重合性液晶化合物の配向は、液晶性組成物の塗布により直ちに達成される場合がありえる。その場合、配向処理を施さなくても配向工程が進行するので、逆波長重合性液晶化合物を配向させるための配向処理は、必ずしも液晶性組成物の層に施さなくてもよい。

［６．重合工程］
　逆波長重合性液晶化合物を配向させた後で、逆波長重合性液晶化合物を重合させて、光学異方性層を得る工程（重合工程）を行う。逆波長重合性液晶化合物の重合方法としては、液晶性組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。

　なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下、特に好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは６００ｍＷ／ｃｍ^２以下である。

［７．任意の工程］
　本発明の複層フィルムの製造方法は、前記の工程に加えて、更に任意の工程を含みうる。例えば、前記の製造方法は、塗布工程又は配向工程の後、重合工程の前に、必要に応じて、液晶性組成物の層を乾燥させる工程を含んでいてもよい。かかる乾燥は、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の乾燥方法で達成しうる。かかる乾燥により、液晶性組成物の層から、溶媒を除去することができる。

［８．複層フィルム］
　上述した製造方法により、基材、及び、この基材の塗布面に形成された光学異方性層を備える複層フィルムが得られる。上述した製造方法によれば、基材の塗布面に液晶性組成物を塗布する際の塗布性が良好である。そのため、液晶性組成物の層を逆波長重合性液晶化合物の重合により硬化させて得られた前記の光学異方性層は、液晶性組成物を塗布した領域に安定して形成される。したがって、上述した製造方法によれば、複層フィルムの歩留まりを向上させて、生産性を高めることができる。さらに、塗布面による液晶性組成物のハジキを抑制できるので、液晶性組成物の層の厚みを均一にでき、ひいては、光学異方性層の厚みを均一にすることが可能である。

　前記の光学異方性層は、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体を含む。この重合体は、逆波長重合性液晶化合物が液晶相における分子の配向を維持したまま重合して得られたものであるので、ホモジニアス配向規則性を有する。

　前記の重合体の配向規則性は、通常、基材の配向規制力に応じた方向に沿ったものとなる。例えば、基材が脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる場合、当該基材は、基材の遅相軸と平行な方向に逆波長重合性液晶化合物を配向させる配向規制力を有する。そのため、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる基材を用いて製造された複層フィルムにおいて、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体は、基材の遅相軸の方向と略同一方向に沿ったホモジニアス配向規則性を有する。

　ここで、「ホモジニアス配向規則性を有する」とは、重合体の分子のメソゲンの長軸方向が、光学異方性層の面に平行なある一の方向に整列することをいう。また、ある所定の方向に「沿った」ホモジニアス配向規則性とは、当該整列方向が、所定の方向であることをいう。さらに、基材の遅相軸の方向と「略」同一方向に沿った配向とは、基材の遅相軸の方向と、メソゲンの整列方向とがなす角が、通常５°以内、好ましくは３°以内、より好ましくは１°以内であることをいう。

　逆波長重合性液晶化合物を重合させた前記の重合体の分子のメソゲンの長軸方向は、当該重合体に対応する逆波長重合性液晶化合物のメソゲンの長軸方向となる。さらに、逆波長重合性液晶化合物として化合物（Ｉ）を用いた場合のように、光学異方性層中に配向方向の異なる複数種類のメソゲンが存在する場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンが整列する方向が、前記の整列方向となる。

　このような光学異方性層は、通常、逆波長重合性液晶化合物を重合させた前記の重合体の配向規則性に対応して、前記の重合体の整列方向と平行な遅相軸を有する。逆波長重合性液晶化合物を重合させて得た重合体がホモジニアス配向規則性を有しているか否か、及びその整列方向は、ＡｘｏＳｃａｎ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）に代表されるような位相差計を用いた遅相軸方向の測定と、遅相軸方向における入射角毎のレターデーション分布の測定とにより確認しうる。

　逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体を含むので、光学異方性層は、逆波長分散性の複屈折を有する。したがって、光学異方性層は、逆波長分散性のレターデーションを有することができる。ここで、逆波長分散性のレターデーションとは、波長４５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（４５０）、波長５５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（５５０）及び波長６５０ｎｍにおけるレターデーションＲｅ（６５０）が、通常下記式（Ｄ３）を満たすレターデーションを言い、好ましくは下記式（Ｄ４）を満たすレターデーションを言う。逆波長分散性のレターデーションを有することにより、前記の光学異方性層は、１／４波長板又は１／２波長板等の光学用途において、広い帯域において均一に機能を発現できる。
　Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（６５０）　　（Ｄ３）
　Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）＜Ｒｅ（６５０）　　（Ｄ４）

　光学異方性層の具体的なレターデーションの範囲は、光学異方性層の用途に応じて任意に設定しうる。例えば、光学異方性層を１／４波長板として機能させたい場合には、光学異方性層のレターデーションＲｅ（５５０）は、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１８０ｎｍ以下、より好ましくは１６０ｎｍ以下、特に好ましくは１５０ｎｍ以下である。また、例えば、光学異方性層を１／２波長板として機能させたい場合には、光学異方性層のレターデーションＲｅ（５５０）は、好ましくは２４５ｎｍ以上、より好ましくは２６５ｎｍ以上、特に好ましくは２７０ｎｍ以上であり、好ましくは３０５ｎｍ以下、より好ましくは２８５ｎｍ以下、特に好ましくは２８０ｎｍ以下である。

　光学異方性層の厚みは、レターデーション等の特性を所望の範囲にできるように、適切に設定しうる。具体的には、光学異方性層の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。

　光学異方性層の形状並びに長さ及び幅は、特に限定されないが、基材と同様に、枚葉にしてもよく、長尺状にしてもよい。

［９．用途］
　上述した製造方法で製造した複層フィルムは、そのまま任意の用途に用いてもよく、光学異方性層から基材を剥離して光学異方性層のみを任意の用途に用いてもよく、光学異方性層を任意の部材に貼り合わせて任意の用途に用いてもよい。用途としては、光学用途が好ましく、特に、１／４波長板及び１／２波長板等の波長板が好適である。

　例えば、前記の波長板は、光学異方性層のみを備えていてもよい。このように光学異方性層のみを備える波長板は、例えば、基材上で形成された光学異方性層を基材から剥離し、矩形などの用途に応じた所望の形状に裁断して製造し得る。

　また、前記の波長板は、光学異方性層に加えて、光学異方性層の製造に用いた基材を更に備えていてもよい。このように光学異方性層及び基材を備えた波長板は、例えば、基材上で形成された光学異方性層を基材から剥離せず、基材及び光学異方性層を備える複層フィルムをそのまま、波長板として用いてもよい。

　さらに、前記の波長板は、光学異方性層及び基材以外に任意の層を備えていてもよい。任意の層の例としては、他の部材と接着するための接着層、フィルムの滑り性を良くするマット層、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、反射防止層、防汚層等が挙げられる。

［１０．円偏光板］
　上述した製造方法によって製造された複層フィルムが備える光学異方性を用いて、円偏光板を製造することができる。この円偏光板は、直線偏光子及び光学異方性層を備える。

　直線偏光子としては、液晶表示装置等の装置に用いられている公知の直線偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるもの；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるもの；が挙げられる。直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうちポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

　直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。直線偏光子の偏光度は、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。また、直線偏光子の平均厚みは、好ましくは５μｍ～８０μｍである。

　光学異方性層は、１／４波長板として機能しうるように、適切なレターデーションを有することが好ましい。また、光学異方性層の遅相軸と直線偏光子の透過軸とがなす角は、厚み方向から見て４５°またはそれに近い角度であることが好ましく、具体的には４０°～５０°であることが好ましい。

　このような円偏光板の用途の一つとして、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の表示装置の反射防止フィルムとしての用途が挙げられる。表示装置の表面に、円偏光板を、直線偏光子側の面が視認側に向くように設けることにより、装置外部から入射した光が装置内で反射して装置外部へ出射することを抑制することができ、その結果、表示装置の表示面のぎらつきを抑制できる。具体的には、装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子を通過し、次にそれが光学異方性層を通過することにより円偏光となる。円偏光は、装置内の光を反射する構成要素（反射電極等）により反射され、再び光学異方性層を通過することにより、入射した直線偏光の偏光軸と直交する方向に偏光軸を有する直線偏光となり、直線偏光子を通過しなくなる。これにより、反射防止の機能が達成される。

　また、円偏光板は、直線偏光子及び光学異方性層に加えて、更に任意の層を備えていてもよい。

　以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
　以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。さらに、以下の説明において、順波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を、適宜「順波長重合性液晶化合物」と呼ぶことがある。

［評価及び測定方法］
　〔１．界面活性剤のフッ素原子含有量の測定方法〕
　試料としての界面活性剤を秤量し、分析装置の燃焼管内で燃焼させた。燃焼により発生したガスを、溶液に吸収させた。その後、吸収液の一部をイオンクロマトグラフィーにより分析して、界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合を測定した。各工程における条件は、下記の通りである。

　（１．１．燃焼・吸収条件）
　システム：ＡＱＦ－２１００、ＧＡ－２１０（三菱化学製）
　電気炉温度：Ｉｎｌｅｔ　９００℃、Ｏｕｔｌｅｔ　１０００℃
　ガス：Ａｒ／Ｏ_２　２００ｍＬ／ｍｉｎ
　　　　Ｏ_２　４００ｍＬ／ｍｉｎ
　吸収液：溶媒　Ｈ_２Ｏ_２　９０μｇ／ｍＬ、
　　　　　内標準物質　Ｐ　４μｇ／ｍＬ　又は　Ｂｒ　８μｇ／ｍＬ
　吸収液量：２０ｍＬ

　（１．２．イオンクロマトグラフィー・アニオン分析条件）
　システム：ＩＣＳ１６００（ＤＩＯＮＥＸ製）
　移動相：２．７ｍｍｏｌ／Ｌ　Ｎａ_２ＣＯ_３　／　０．３ｍｍｏｌ／Ｌ　ＮａＨＣＯ_３
　流速：１．５０ｍＬ／ｍｉｎ
　検出器：電気伝導度検出器
　注入量：２０μＬ

　〔２．基材の面の表面自由エネルギーの測定方法〕
　基材を、１０ｃｍ角程度の大きさに切り出して、基材片を得た。この基材片の面において、純水（Ｈ_２Ｏ）の接触角及びジヨードメタン（ＣＨ_２Ｉ_２）の接触角を、自動接触角計によって実測した。こうして測定された接触角のデータから、接触角計付属のソフトウェアによって、基材の面の表面自由エネルギーを算出した。測定時の条件は、下記の通りである。

　（２．１．接触角測定）
　システム：ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ７００（協和界面科学製）
　　　ＡｕｔｏＤｉｓｐｅｎｓｅｒ　ＡＤ－３１（協和界面科学製）
　制御解析ソフトウェア：ＦＡＭＡＳ　ｖｅｒ３．１３
　接触角測定法：懸滴法
　視野：ＳＴＤ
　解析法：Ｙｏｕｎｇ－Ｌａｐｌａｃｅ法
　テフロン（登録商標）コート針：１８Ｇ（もしくは２２Ｇ）
　液量：３μＬ～４μＬ
　測定待ち時間：１０００ｍｓ
　測定回数：ｎ＝１０測定　平均値

　（２．２．表面自由エネルギーの計算方法）
　解析ソフトウェア：ＦＡＭＡＳ　ｖｅｒ３．１３
　解析理論名：Ｏｗｅｎｓ－Ｗｅｎｄｔ

　〔３．塗布液の表面張力の測定方法〕
　約５ｍｌ～１０ｍｌの塗布液を、測定装置の付属シャーレの規定液量ラインまで注いだ。その後、温度２５℃湿度６０％の環境下において、Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法（プレート法、垂直板法）によって、塗布液の表面張力を測定した。
　システム：ＤＹ－２００（協和界面科学製）
　測定子：白金プレート
　測定回数：ｎ＝３測定　平均値

　〔４．液晶性組成物の塗り付き性及びハジキ性の評価方法〕
　延伸基材及び光学異方性層を備える複層フィルムを、所定のサイズ（例えば、１６ｃｍ角）に裁断して、試料片を得た。

　ライトテーブル上に、２枚の直線偏光子（偏光子及び検光子）を、これらの直線偏光子の偏光吸収軸が平行な状態（パラニコル）で重ねた。これらの直線偏光子の間に、前記の試料片を、試料片の遅相軸が直線偏光子の偏光吸収軸に対して４５°の角度をなす向きで置いた。そして、目視で観察して、液晶性組成物としての塗布液の塗り付き性及びハジキ性を、下記の基準で評価した。

　（４．１．塗り付き性）
　「Ｉ」：光学異方性層の端部が、所望の塗り付け位置にあるか、所望の塗り付け位置よりも外側にある。
　「II」：光学異方性層の端部が、所望の塗り付け位置より内側に明らかに寄っている。
　「III」：塗布液を塗布した部分の全体において塗布液がはじかれ、光学異方性層が複数に分割されている。
　「IV」：塗布液のはじきが著しく、基材にまるで塗り付かず光学異方性層が複数に全面分割されている。

　（４．２．ハジキ性）
　「Ｉ」：塗布面内に異物起因で生じたハジキ部のサイズが、直径０．５ｍｍ以下。
　「II」：塗布面内に異物起因で生じたハジキ部のサイズが、直径０．５ｍｍより大きく５ｍｍ以下。
　「III」：塗布面内に異物起因で生じたハジキ部のサイズが、直径５ｍｍより大きい。
　「IV」：塗り付き性が悪く、塗布面の全面でハジキ部が形成されているので、ハジキ部のサイズが議論できない。

　〔５．光学異方性層の面内レターデーションの測定方法〕
　複層フィルムの光学異方性層をガラス板に貼り合わせ、この光学異方性層から延伸基材を剥離して、ガラス板及び光学異方性層を備えるサンプルを得た。このサンプルを用いて、光学異方性層の波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ及び６５０ｎｍでの面内レターデーションＲｅを、ポラリメータ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて測定した。

［実施例１：逆波長重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を用いた複層フィルムの製造］
　〔１－１．延伸前基材の製造〕
　熱可塑性ノルボルネン樹脂のペレット（日本ゼオン社製「ＺＥＯＮＯＲ１４２０Ｒ」）を９０℃で５時間乾燥させた。乾燥させたペレットを押し出し機に供給し、押し出し機内で溶融させ、ポリマーパイプおよびポリマーフィルターを通し、Ｔダイからキャスティングドラム上にシート状に押し出し、冷却して、厚み６０μｍ、幅１４９０ｍｍの長尺状の延伸前基材を製造した。この製造した延伸前基材を巻き取って、ロールを得た。

　〔１－２．延伸処理〕
　前記の延伸前基材を、ロールから引き出し、テンター延伸機に供給した。そして、テンター延伸機を用いて、延伸後に得られる延伸基材の遅相軸が延伸基材の巻取方向に対して４５°の角度をなすように延伸を行い、さらにフィルム幅方向の両端をトリミングし、巻き取って、幅１３５０ｍｍの長尺状の延伸基材のロールを得た。得られた延伸基材の測定波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅは１４８ｎｍ、膜厚は４７μｍであった。

　〔１－３．液晶性組成物の製造〕
　逆波長重合性液晶化合物（Ａ）１００．０部、界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４３」）０．３０部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９ＥＧ」）３．０部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン（日本ゼオン株式会社製）１８８．０部及び１，３－ジオキソラン（東邦化学製）２８２．０部を混合して、液晶性組成物としての塗布液（Ｌ１）を製造した。

　（１－４．複層フィルムの製造）
　前記の延伸基材を、ロールから引き出し、長手方向に搬送しながら、下記の工程を行った。まず、ロールから引き出した延伸基材の一方の面（塗布面）に、前記の塗布液（Ｌ１）を、ダイコーターを用いて塗布して、塗布液（Ｌ１）の層を形成した。この際、塗布液（Ｌ１）は、延伸基材の面の所望の部分（具体的には、延伸基材の両端部から１０ｍｍ程度以上内側の部分）だけに選択的に塗布した。その後、塗布液（Ｌ１）の層に、１１０℃で４分間、配向処理を施して、塗布液（Ｌ１）の層に含まれる逆波長重合性液晶化合物を配向させた。その後、Ｎ_２雰囲気下で４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、逆波長重合性液晶化合物を重合させた。これにより、延伸基材と、延伸基材上に形成された逆波長重合性液晶化合物が重合した重合体を含む光学異方性層とを備える複層フィルムを得た。光学異方性層の乾燥膜厚は、２．２μｍであった。

　こうして得られた複層フィルムの光学異方性層において、逆波長重合性液晶化合物が重合した重合体がホモジニアス配向していることを、ポラリメータ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、下記の方法で確認した。
　光学異方性層の遅相軸方向を測定した。光学異方性層の遅相軸の角度は、延伸基材と同じく、巻取方向に対して４５°の角度をなしていた。次に、この遅相軸方向における入射角毎の面内レターデーションＲｅを、入射角－７０°～７０°の範囲について、１０°毎に測定した。測定波長は、５５０ｎｍとした。入射角０°を中心に、マイナス入射角の面内レターデーションＲｅと、プラス入射角の面内レターデーションＲｅとが、概ね対称となっていれば、逆波長重合性液晶化合物が重合した重合体がホモジニアス配向しているといえる。実施例１で得られた光学異方性層は、入射角毎の面内レターデーションＲｅが０°を中心に対称となっており、ホモジニアス配向していることが確認された。

　また、得られた複層フィルムの光学異方性層の面内レターデーションＲｅを測定したところ、測定波長４５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（４５０）＝１１１ｎｍ、測定波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）＝１４０ｎｍ、測定波長６５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（６５０）＝１４５ｎｍであった。この結果から、実施例１で使用した逆波長重合性液晶化合物（Ａ）の複屈折Δｎは、測定波長が大きくなるにつれて大きくなる特性（逆波長分散性）を有していることが確認された。

［実施例２～９並びに比較例１及び２：逆波長重合性液晶化合物を用いた実施例及び比較例］
　液晶性組成物の調製に用いる（ｉ）逆波長重合性液晶化合物の種類、及び、（ii）界面活性剤の種類を、表１に示すように変更した。以上の事項以外は実施例１と同様にして、延伸基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造を行った。

　製造された複層フィルムに含まれる光学異方性層には、逆波長重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、光学異方性層の遅相軸の角度は、巻取方向に対して４５°の角度をなしていた。さらに、光学異方性層の面内レターデーションＲｅを測定したところ、使用した逆波長重合性液晶化合物の複屈折Δｎが、測定波長が大きくなるにつれて大きくなる特性（逆波長分散性）を有していることが確認された。

［比較例３：順波長重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を用いた複層フィルムの製造］
　〔Ｃ３－１．液晶性組成物の製造〕
　順波長重合性液晶化合物（ＬＣ２４２）（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ２４２」）１００．０部、界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４３」）０．３０部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９ＥＧ」）３．０部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン（日本ゼオン社製）１８８．０部及び１，３－ジオキソラン（東邦化学社製）２８２．０部を混合して、液晶性組成物としての塗布液（Ｌ２）を製造した。

　〔Ｃ３－２．複層フィルムの製造〕
　実施例１で製造した延伸基材を用意した。この延伸基材を、ロールから引き出し、長手方向に搬送しながら、下記の工程を行った。まず、ロールから引き出した延伸基材の一方の面（塗布面）に、前記の塗布液（Ｌ２）を、ダイコーターを用いて塗布して、塗布液（Ｌ２）の層を形成した。この際、塗布液（Ｌ２）は、延伸基材の面の所望の部分（具体的には、延伸基材の両端部から１０ｍｍ程度以上内側の部分）だけに選択的に塗布した。その後、塗布液（Ｌ２）の層に、１００℃で２分間、配向処理を施して、塗布液（Ｌ２）の層に含まれる順波長重合性液晶化合物を配向させた。その後、Ｎ_２雰囲気下で４００ｍＪ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射して、順波長重合性液晶化合物を重合させた。これにより、延伸基材と、延伸基材上に形成された順波長重合性液晶化合物が重合した重合体を含む光学異方性層とを備える複層フィルムを得た。光学異方性層の乾燥膜厚は、１．２μｍであった。こうして得られた複層フィルムの光学異方性層において、順波長重合性液晶化合物が重合した重合体がホモジニアス配向していることを、実施例１と同様の方法で確認した。また、光学異方性層の遅相軸の角度は、延伸基材と同じく、巻取方向に対して４５°の角度をなしていた。

　得られた複層フィルムの光学異方性層の面内レターデーションＲｅを測定したところ、測定波長４５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（４５０）＝１５１ｎｍ、測定波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）＝１４０ｎｍ、測定波長６５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（６５０）＝１３６ｎｍであった。この結果から、比較例３で使用した順波長重合性液晶化合物（ＬＣ２４２）の複屈折Δｎは、測定波長が大きくなるにつれて小さくなる特性（順波長分散性）を有していることが確認された。

［比較例４～１２：順波長重合性液晶化合物を用いた比較例］
　液晶性組成物の調製に用いる（ｉ）順波長重合性液晶化合物の種類、及び、（ii）界面活性剤の種類を、表１に示すように変更した。以上の事項以外は比較例３と同様にして、延伸基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造を行った。

　製造された複層フィルムに含まれる光学異方性層には、順波長重合性液晶化合物を重合させた重合体が、ホモジニアス配向規則性を有して含まれていた。また、光学異方性層の遅相軸の角度は、巻取方向に対して４５°の角度をなしていた。さらに、光学異方性層の面内レターデーションＲｅを測定したところ、使用した順波長重合性液晶化合物の複屈折Δｎが、測定波長が大きくなるにつれて小さくなる特性（順波長分散性）を有していることが確認された。

［評価］
　上述した実施例及び比較例で使用した界面活性剤のフッ素原子含有量、及び、液晶性組成物としての塗布液の表面張力を上述した方法で測定した。結果を、下記の表１に示す。
　また、実施例１で製造した延伸基材の塗布面の表面自由エネルギーを、上述した方法で測定した。結果を、表２に示す。表２において、「Ｔｏｔａｌγ」の値が、延伸基材の塗布面の表面自由エネルギーを表す。
　さらに、上述した実施例及び比較例で製造された複層フィルムの塗り付き性及びハジキ性を、上述した方法で評価した。結果を、表１に示す。
　下記の表において、略称の意味は、下記の通りである。

　液晶化合物「Ａ」：式（Ａ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
　液晶化合物「Ｂ」：式（Ｂ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
　液晶化合物「Ｃ」：式（Ｃ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
　液晶化合物「Ｄ」：式（Ｄ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
　液晶化合物「Ｅ」：式（Ｅ）で表される逆波長重合性液晶化合物。
　液晶化合物「ＬＣ２４２」：式（Ｆ１）で表される、順波長分散性を発現しうる重合性液晶化合物（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ２４２」）。
　液晶化合物「Ｋ３５」：式（Ｆ２）で表される、順波長分散性を発現しうる重合性液晶化合物。

　界面活性剤「Ｓ２４２」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４２」。
　界面活性剤「Ｓ２４３」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ２４３」。
　界面活性剤「Ｓ６１１」：ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ６１１」。
　界面活性剤「２０８Ｇ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ－２０８Ｇ」。
　界面活性剤「２０９Ｆ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ－２０９Ｆ」。
　界面活性剤「ＦＴＸ２１８」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ－２１８」。
　界面活性剤「６０１ＡＤ」：ネオス社製「フタージェントＦＴＸ－６０１ＡＤ」。
　界面活性剤「Ｆ２５１」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ－２５１」。
　界面活性剤「Ｆ４４４」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ－４４４」。
　界面活性剤「Ｆ５５４」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ－５５４」。
　界面活性剤「Ｆ５５６」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ－５５６」。
　界面活性剤「Ｆ５５８」：ＤＩＣ社製「メガファックＦ－５５８」。
　界面活性剤「ＮＳ９０１３」：ダイキン社製「ＮＳ－９０１３」。
　界面活性剤「ＰＦ６５６」：ＯＭＮＯＶＡ社製「ポリフォックスＰＦ－６５６」。
　界面活性剤「ＰＦ６５２０」：ＯＭＮＯＶＡ社製「ポリフォックスＰＦ－６５２０」。
　Ｆ量：界面活性剤の分子中のフッ素原子の割合。

［検討］
　表１及び表２に示した結果から明らかな通り、実施例において、表面張力が２６ｍＮ／ｍ以上の液晶性組成物としての塗布液は、表面自由エネルギーが３９．１ｍＮ／ｍと低い塗布面に塗布されていながら、塗り付き性が高く且つハジキ性が小さい。他方、表面張力が２６ｍＮ／ｍ未満の比較例１～２に係る塗布液は、塗り付き性が低く且つハジキ性が大きいので、塗布性に劣る。一般的な技術常識によれば、ある液体をある面に塗布する場合、前記の面の表面自由エネルギーよりも前記液体の表面張力が低いほど塗布性が良好になると考えられていた。この技術常識に鑑みると、液晶性組成物の表面張力を２６ｍＮ／ｍ以上の所定範囲に収めることには、表面自由エネルギーが低い塗布面に塗布する際の塗布性を改善する上で、特異的な作用があるといえる。

　さらに、表１及び表２に示した結果から明らかな通り、逆波長重合性液晶化合物ではなく順波長重合性液晶化合物を含む比較例３～１２に係る塗布液は、塗り付き性が低く且つハジキ性が大きいので、塗布性に劣る。よって、前記のように塗布性を改善する特異的な作用は、表面張力を２６ｍＮ／ｍ以上の所定範囲に収めることと逆波長重合性液晶化合物を含むこととを組み合わせて備える液晶性組成物に特有の作用であることが確認された。

　１００　基材
　１１０　塗布面
　１２０　塗り付け位置
　１３０　異物
　２００　液晶性組成物の層
　２１０　液晶性組成物の層の外縁
　２２０　ハジキ部

Claims (7)

1. 　基材及び光学異方性層を備える複層フィルムの製造方法であって、
   　前記基材の面に、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含む液晶性組成物を塗布して、前記液晶性組成物の層を形成する工程と、
   　前記液晶性組成物の層に含まれる前記重合性液晶化合物を重合させて、光学異方性層を得る工程と、を含み、
   　前記基材の前記面の表面自由エネルギーが、５０ｍＮ／ｍ以下であり、
   　前記液晶性組成物の表面張力が、２６ｍＮ／ｍ以上である、複層フィルムの製造方法。
2. 　前記重合性液晶化合物が、前記重合性液晶化合物の分子中に、主鎖メソゲンと、前記主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを含む、請求項１記載の複層フィルムの製造方法。
3. 　前記重合性液晶化合物が、下記式（Ｉ）で表される、請求項１又は２記載の複層フィルムの製造方法。
   

   

   （前記式（Ｉ）において、
   　Ｙ^１～Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^１－、－Ｏ－ＮＲ^１－、又は、－ＮＲ^１－Ｏ－を表す。ここで、Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
   　Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１～２０の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－ＮＲ^２－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ^２－、－ＮＲ^２－、又は、－Ｃ（＝Ｏ）－が介在していてもよい。ただし、－Ｏ－又は－Ｓ－がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
   　Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２～１０のアルケニル基を表す。
   　Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。
   　Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルキニル基、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３、－ＳＯ_２－Ｒ^４、－Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ－Ｒ^９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２～３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５～１２の芳香族炭化水素環基を表す。Ｒ^４は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４－メチルフェニル基を表す。Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２～２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３～１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５～２０の芳香族基を表す。前記Ａ^ｘ及びＡ^ｙが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記Ａ^ｘとＡ^ｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。
   　Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
   　Ａ^２及びＡ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３～３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
   　Ａ^４及びＡ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６～３０の二価の芳香族基を表す。
   　Ｑ^１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
   　ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。）
4. 　前記基材が、延伸フィルムである、請求項１～３のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
5. 　前記基材が、脂環式構造含有重合体を含む樹脂からなる、請求項１～４のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
6. 　前記基材の前記面が、表面処理を施されていない非処理面である、請求項１～５のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
7. 　基材と、
   　５０ｍＮ／ｍ以下の表面自由エネルギーを有する前記基材の面に、逆波長分散性の複屈折を発現しうる重合性液晶化合物を含み且つ２６ｍＮ／ｍ以上の表面張力を有する液晶性組成物を塗布し、前記重合性液晶化合物を重合させて得られる光学異方性層とを備える、複層フィルム。

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