JPWO2016194431A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
複数のバンプ（２２）が形成されているバンプ付部材（２）のバンプ形成面に樹脂層（１３）を形成する工程と、樹脂層（１３）にプラズマ処理を施して、バンプ（２２）の表面を覆っている樹脂層（１３）を除去する工程と、を備えることを特徴とする。
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
近年、電子機器の小型化や薄型化に伴い、半導体パッケージの薄型化や小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体素子の実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップの電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板の電極とチップの電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式の実装方法が提案されている。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付ウエハやバンプ付チップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付ウエハやバンプ付チップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
しかしながら、樹脂層がバンプを覆っている場合には、バンプ上の樹脂層を機械的に押しのけて、バンプと基板の電極との電気的な接続を確保しなければならない。そのため、バンプ付チップと基板との接続信頼性の点で問題があった。また、リフロー処理により、バンプ付チップと基板とを接続する場合には、バンプに由来する溶融はんだが樹脂層に覆われているため、セルフアライメント効果（チップおよび基板の電極同士の位置合わせ精度が悪く、ずれを生じていてもリフロー時に正常な位置へ自動的に補正される現象）が得られないという問題があった。
上記のような問題を解決するために、例えば、バンプ付ウエハの裏面を研削する工程において、回路面と接する熱硬化性樹脂層と、この層の上に積層され、バンプを埋め込むための柔軟性のある熱可塑性樹脂層と、この層の上に積層される最外層とを備える積層シートを用いる方法が提案されている（特許文献１参照）。
上記のような問題を解決するために、例えば、バンプ付ウエハの裏面を研削する工程において、回路面と接する熱硬化性樹脂層と、この層の上に積層され、バンプを埋め込むための柔軟性のある熱可塑性樹脂層と、この層の上に積層される最外層とを備える積層シートを用いる方法が提案されている（特許文献１参照）。
特許文献１に記載の積層シートを用いる場合には、バンプに熱硬化性樹脂層を貫通させた上で、この熱硬化性樹脂層以外の層を剥離する。そのため、バンプ付ウエハのバンプの形状を針状などにする必要があった。また、バンプの断面形状が半円形や台形の場合には、バンプ上に樹脂層が残りやすく、接続信頼性の点で問題があった。
そこで、本発明の目的は、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にプラズマ処理を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備えることを特徴とする方法である。
この構成によれば、バンプ付部材のバンプ形成面に、様々な目的に応じて、樹脂層を設けることができる。この樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
そして、この樹脂層に対してプラズマ処理を施すことで、バンプの表面を覆っている樹脂層を除去できる。また、プラズマ処理は、バンプ形成面上の樹脂層の全面に均一に処理ができる。そのため、バンプの表面を覆っている樹脂層を、機械的に除去するよりも、簡便で効率よく除去できる。そして、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる。
この構成によれば、バンプ付部材のバンプ形成面に、様々な目的に応じて、樹脂層を設けることができる。この樹脂層としては、例えば、バンプ付チップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付チップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付ウエハまたはバンプ付チップを保護するための保護層などが挙げられる。
そして、この樹脂層に対してプラズマ処理を施すことで、バンプの表面を覆っている樹脂層を除去できる。また、プラズマ処理は、バンプ形成面上の樹脂層の全面に均一に処理ができる。そのため、バンプの表面を覆っている樹脂層を、機械的に除去するよりも、簡便で効率よく除去できる。そして、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置を効率よく製造できる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記樹脂層が除去され、表面が露出された前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程を、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が得られる。
この構成によれば、バンプの表面を覆っている樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が得られる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記プラズマ処理における処理ガスが、酸素、アルゴン、三フッ化メタン、四フッ化メタン、および、六フッ化硫黄からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
このように、プラズマ処理における処理ガスとして、酸素、アルゴン、三フッ化メタン、四フッ化メタンおよび六フッ化硫黄などを用いる場合には、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
このように、プラズマ処理における処理ガスとして、酸素、アルゴン、三フッ化メタン、四フッ化メタンおよび六フッ化硫黄などを用いる場合には、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記プラズマ処理における処理ガスの流量が、１ｃｍ３／ｍｉｎ以上１０００ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることが好ましい。
この構成のように、プラズマ処理における処理ガスの流量を前記範囲内とすれば、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
この構成のように、プラズマ処理における処理ガスの流量を前記範囲内とすれば、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法においては、前記プラズマ処理における処理圧力が、１Ｐａ以上３０００Ｐａ以下である
この構成のように、プラズマ処理における処理圧力を前記範囲内とすれば、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
この構成のように、プラズマ処理における処理圧力を前記範囲内とすれば、バンプの表面を覆っている樹脂層を効率よく除去できる。
［第一実施形態］
以下、本発明について実施形態を例に挙げて、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
まず、本実施形態に用いる接着シートおよびバンプ付ウエハについて説明する。
以下、本発明について実施形態を例に挙げて、図面に基づいて説明する。本発明は実施形態の内容に限定されない。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
まず、本実施形態に用いる接着シートおよびバンプ付ウエハについて説明する。
（接着シート）
本実施形態に用いる接着シート１は、図１に示すように、支持体層１１と、粘着剤層１２と、接着剤を含有する樹脂層１３と、を備えている。なお、樹脂層１３の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
本実施形態に用いる接着シート１は、図１に示すように、支持体層１１と、粘着剤層１２と、接着剤を含有する樹脂層１３と、を備えている。なお、樹脂層１３の表面は、ウエハに貼着されるまでの間、剥離フィルムなどにより保護されていてもよい。
支持体層１１としては、接着シートの支持体として公知の支持体を用いることができ、例えば、プラスチックフィルムなどを用いることができる。このような支持体層１１は、被着体を加工している間に、被着体を支持する。
プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、およびフッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、積層フィルムであってもよい。また、積層フィルムの場合には、１種のフィルムを積層してもよく、２種以上のフィルムを積層してもよい。
プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、およびフッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのフィルムは、単層フィルムであってもよく、積層フィルムであってもよい。また、積層フィルムの場合には、１種のフィルムを積層してもよく、２種以上のフィルムを積層してもよい。
粘着剤層１２は、接着シートの粘着剤として公知の粘着剤を用いて形成することができる。このような粘着剤層１２により、被着体を加工している間は支持体層１１と樹脂層１３の間を強固に固定し、その後、樹脂層１３を被着体に固着残存させて支持体層１１から剥離することが容易となる。なお、粘着剤層１２に、紫外線などのエネルギー線を照射することで硬化させて、樹脂層１３との剥離が容易になるようにしてもよい。
粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびウレタン系粘着剤などが挙げられる。
粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤およびウレタン系粘着剤などが挙げられる。
樹脂層１３は、接着シートの接着剤として公知の接着剤を用いて形成することができる。このような接着剤を含有する樹脂層１３により、後述するバンプ付チップ２ａと基板４とを接着することができる。
接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化剤とを含有するものが挙げられる。また、接着剤は、硬化物の熱膨張係数を調整するという観点から、無機充填材をさらに含有していてもよい。無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、および窒化ホウ素などが挙げられる。
接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、熱硬化剤とを含有するものが挙げられる。また、接着剤は、硬化物の熱膨張係数を調整するという観点から、無機充填材をさらに含有していてもよい。無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、および窒化ホウ素などが挙げられる。
（バンプ付ウエハ）
本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２（バンプ付部材）は、図２に示すように、半導体ウエハ２１と、バンプ２２と、を備えている。なお、バンプ２２は、半導体ウエハ２１の回路のある側に形成される。
本実施形態に用いるバンプ付ウエハ２（バンプ付部材）は、図２に示すように、半導体ウエハ２１と、バンプ２２と、を備えている。なお、バンプ２２は、半導体ウエハ２１の回路のある側に形成される。
半導体ウエハ２１としては、公知の半導体ウエハを用いることができ、例えば、シリコンウエハなどを用いることができる。
半導体ウエハ２１の厚みは、通常、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上７５０μｍ以下である。
半導体ウエハ２１の厚みは、通常、１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上７５０μｍ以下である。
バンプ２２の材料としては、公知の導電性材料を用いることができ、例えば、ハンダなどを用いることができる。ハンダとしては、公知のハンダ材料を用いることができ、例えば、スズ、銀および銅を含有する鉛フリーハンダを用いることができる。
バンプ２２の高さは、通常、５μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上５００μｍ以下である。
バンプ２２の側方から見た断面形状は、特に限定されないが、半円形、半楕円形、円形、長方形または台形などであってもよい。
バンプ２２の種類としては、特に限定されないが、ボールバンプ、マッシュルームバンプ、スタッドバンプ、コーンバンプ、シリンダーバンプ、ドットバンプ、およびキューブバンプなどが挙げられる。
バンプ２２の高さは、通常、５μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上５００μｍ以下である。
バンプ２２の側方から見た断面形状は、特に限定されないが、半円形、半楕円形、円形、長方形または台形などであってもよい。
バンプ２２の種類としては、特に限定されないが、ボールバンプ、マッシュルームバンプ、スタッドバンプ、コーンバンプ、シリンダーバンプ、ドットバンプ、およびキューブバンプなどが挙げられる。
（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３Ａ〜図３Ｆは、第一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図３Ａ〜図３Ｃに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２の裏面に貼り合わせる工程（ダイシングテープ貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１および粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図３Ｄに示すように、樹脂層１３にプラズマ処理を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（プラズマ処理工程）。
そして、図３Ｅおよび図３Ｆに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする工程（ダイシング工程）と、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
以下、接着シート貼着工程、ダイシングテープ貼着工程、支持体剥離工程、プラズマ処理工程、ダイシング工程およびボンディング工程について、より詳細に説明する。
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３Ａ〜図３Ｆは、第一実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図３Ａ〜図３Ｃに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２の裏面に貼り合わせる工程（ダイシングテープ貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１および粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付ウエハ２のバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図３Ｄに示すように、樹脂層１３にプラズマ処理を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（プラズマ処理工程）。
そして、図３Ｅおよび図３Ｆに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする工程（ダイシング工程）と、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
以下、接着シート貼着工程、ダイシングテープ貼着工程、支持体剥離工程、プラズマ処理工程、ダイシング工程およびボンディング工程について、より詳細に説明する。
接着シート貼着工程においては、図３Ａに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されている面（バンプ形成面２Ａ）に貼り合わせる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、４０℃以上１２０℃以下が好ましい。ロール圧力は、０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。圧着速度は、１ｍｍ／ｓｅｃ以上２０ｍｍ／ｓｅｃ以下が好ましい。
また、接着シート１の樹脂層１３の厚みは、バンプ２２の高さ寸法より小さくすることが好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．８倍以下であることがより好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．１倍以上０．７倍以下であることが特に好ましい。樹脂層１３の厚みが前記上限以下であれば、バンプ２２の表面を覆う樹脂層１３を、より薄くすることができ、後述するプラズマ処理工程で容易に除去できる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は特に限定されないが、圧着温度は、４０℃以上１２０℃以下が好ましい。ロール圧力は、０．１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましい。圧着速度は、１ｍｍ／ｓｅｃ以上２０ｍｍ／ｓｅｃ以下が好ましい。
また、接着シート１の樹脂層１３の厚みは、バンプ２２の高さ寸法より小さくすることが好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．８倍以下であることがより好ましく、バンプ２２の高さ寸法の０．１倍以上０．７倍以下であることが特に好ましい。樹脂層１３の厚みが前記上限以下であれば、バンプ２２の表面を覆う樹脂層１３を、より薄くすることができ、後述するプラズマ処理工程で容易に除去できる。
ダイシングテープ貼着工程においては、図３Ｂに示すように、ダイシングテープ３をバンプ付ウエハ２のバンプ２２の形成されていない面（裏面２Ｂ）に貼り合わせる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は、特に限定されず、適宜設定できる。また、ダイシングテープ３についても、公知のダイシングテープを用いることができる。
ここで、貼着方法としては公知の方法を採用でき、特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロールなどにより押圧しながら行われる。圧着の条件は、特に限定されず、適宜設定できる。また、ダイシングテープ３についても、公知のダイシングテープを用いることができる。
支持体剥離工程においては、図３Ｃに示すように、接着シート１の支持体層１１および粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する。
粘着剤層１２が紫外線硬化性を有する場合には、必要に応じて、支持体層１１側から紫外線を照射する。これにより、粘着剤層１２が硬化し、粘着剤層１２と樹脂層１３との界面の接着力が低下して、粘着剤層１２を樹脂層１３から剥離しやすくなる。
粘着剤層１２が紫外線硬化性を有する場合には、必要に応じて、支持体層１１側から紫外線を照射する。これにより、粘着剤層１２が硬化し、粘着剤層１２と樹脂層１３との界面の接着力が低下して、粘着剤層１２を樹脂層１３から剥離しやすくなる。
プラズマ処理工程においては、図３Ｄに示すように、樹脂層１３にプラズマ処理を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する。ここで、樹脂層１３は、その目的に応じて、除去できる。例えば、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２との電気的な接続が目的であれば、電気的な接続ができる程度に除去すればよい。具体的には、接続信頼性と樹脂層１３の機能の確保とのバランスの観点から、樹脂層１３の除去量を調整できる。
プラズマ処理を行うプラズマ処理装置は、特に限定されず、公知のプラズマ処理装置を用いることができる。また、プラズマ処理の条件は、樹脂層１３の種類などに応じて異なり、特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用できる。
プラズマ処理における処理ガスとしては、樹脂層の除去性の観点から、酸素、アルゴン、三フッ化メタン、四フッ化メタンおよび六フッ化硫黄などが挙げられる。これらの中でも、樹脂層がシリカなどの無機充填材を含有する場合にも除去性が優れるという観点から、三フッ化メタン、四フッ化メタンおよび六フッ化硫黄からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、六フッ化硫黄がより好ましい。また、これらの処理ガスは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
プラズマ処理を行うプラズマ処理装置は、特に限定されず、公知のプラズマ処理装置を用いることができる。また、プラズマ処理の条件は、樹脂層１３の種類などに応じて異なり、特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用できる。
プラズマ処理における処理ガスとしては、樹脂層の除去性の観点から、酸素、アルゴン、三フッ化メタン、四フッ化メタンおよび六フッ化硫黄などが挙げられる。これらの中でも、樹脂層がシリカなどの無機充填材を含有する場合にも除去性が優れるという観点から、三フッ化メタン、四フッ化メタンおよび六フッ化硫黄からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、六フッ化硫黄がより好ましい。また、これらの処理ガスは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
プラズマ処理における処理ガスの流量は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、１ｃｍ３／ｍｉｎ以上１０００ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることが好ましく、１０ｃｍ３／ｍｉｎ以上１００ｃｍ３／ｍｉｎ以下であることがより好ましい。
プラズマ処理における処理圧力は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、１Ｐａ以上３０００Ｐａ以下であることが好ましく、１０Ｐａ以上２００Ｐａ以下であることがより好ましい。
プラズマ処理における出力は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、１０Ｗ以上６００Ｗ以下であることが好ましい。
プラズマ処理における処理時間は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、３０秒間以上６０分間以下であることが好ましい。
プラズマ処理における処理圧力は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、１Ｐａ以上３０００Ｐａ以下であることが好ましく、１０Ｐａ以上２００Ｐａ以下であることがより好ましい。
プラズマ処理における出力は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、１０Ｗ以上６００Ｗ以下であることが好ましい。
プラズマ処理における処理時間は、樹脂層を効率よく除去するという観点から、３０秒間以上６０分間以下であることが好ましい。
ダイシング工程においては、図３Ｅに示すように、ダイシングブレードによりバンプ付ウエハ２をダイシングする。このようにして、バンプ付ウエハ２をバンプ付チップ２ａに個片化できる。
ダイシング装置は、特に限定されず、公知のダイシング装置を用いることができる。また、ダイシングの条件についても、特に限定されない。なお、ダイシングブレードの代わりに、レーザーダイシングおよびステルスダイシングなどを用いてもよい。
ダイシング装置は、特に限定されず、公知のダイシング装置を用いることができる。また、ダイシングの条件についても、特に限定されない。なお、ダイシングブレードの代わりに、レーザーダイシングおよびステルスダイシングなどを用いてもよい。
ボンディング工程においては、図３Ｆに示すように、ダイシングにより個片化したバンプ付チップ２ａをピックアップし、基材４１と電極４２とを備える基板４に接着固定する。バンプ付チップ２ａのバンプ２２は、樹脂層１３が除去され、表面が露出されているため、バンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することができる。
基板４としては、特に限定されないが、リードフレーム、配線基板、並びに、表面に回路が形成されたシリコンウエハおよびシリコンチップなどを用いることができる。基材４１の材質としては、特に限定されないが、セラミックおよびプラスチックなどが挙げられる。また、プラスチックとしては、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、およびポリイミドなどが挙げられる。
基板４としては、特に限定されないが、リードフレーム、配線基板、並びに、表面に回路が形成されたシリコンウエハおよびシリコンチップなどを用いることができる。基材４１の材質としては、特に限定されないが、セラミックおよびプラスチックなどが挙げられる。また、プラスチックとしては、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン、およびポリイミドなどが挙げられる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、加熱処理を施して、接着剤を硬化させてもよい。
加熱処理の条件は、接着剤の種類などに応じて、適宜設定できる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、リフロー処理を施して、バンプ付チップ２ａのバンプ２２を溶融させて、バンプ付チップ２ａと基板４とをはんだ接合させてもよい。
リフロー処理の条件は、はんだの種類などに応じて、適宜設定できる。
以上のようにして、半導体装置１００を製造することができる。
加熱処理の条件は、接着剤の種類などに応じて、適宜設定できる。
ボンディング工程においては、必要に応じて、リフロー処理を施して、バンプ付チップ２ａのバンプ２２を溶融させて、バンプ付チップ２ａと基板４とをはんだ接合させてもよい。
リフロー処理の条件は、はんだの種類などに応じて、適宜設定できる。
以上のようにして、半導体装置１００を製造することができる。
（第一実施形態の作用効果）
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏することができる。
（１）樹脂層１３に対してプラズマ処理を施すことで、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。プラズマ処理は、バンプ形成面２Ａ上の樹脂層の全面に均一に処理ができる。そのため、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を、機械的に除去するよりも、簡便で効率よく除去できる。また、バンプ２２の側方から見た断面形状が半円形、半楕円形、円形、長方形または台形である場合でも、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。さらに、プラズマ処理においては、バンプ２２を削ることなく、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３のみを容易に除去できる。
（２）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することで、表面が露出されたバンプ２２により、バンプ付チップ２ａおよび基板４の電極同士をはんだ接合で接続できる。このようにして、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（３）バンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層（樹脂層１３）を設けることができる。
（４）バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を設け、プラズマ処理をした後に、バンプ付チップ２ａに個片化しているので、複数のバンプ付チップ２ａにまとめて樹脂層１３を設けることができる。
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏することができる。
（１）樹脂層１３に対してプラズマ処理を施すことで、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。プラズマ処理は、バンプ形成面２Ａ上の樹脂層の全面に均一に処理ができる。そのため、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を、機械的に除去するよりも、簡便で効率よく除去できる。また、バンプ２２の側方から見た断面形状が半円形、半楕円形、円形、長方形または台形である場合でも、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去できる。さらに、プラズマ処理においては、バンプ２２を削ることなく、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３のみを容易に除去できる。
（２）バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続することで、表面が露出されたバンプ２２により、バンプ付チップ２ａおよび基板４の電極同士をはんだ接合で接続できる。このようにして、接続信頼性に優れた半導体装置１００が得られる。
（３）バンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層（樹脂層１３）を設けることができる。
（４）バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を設け、プラズマ処理をした後に、バンプ付チップ２ａに個片化しているので、複数のバンプ付チップ２ａにまとめて樹脂層１３を設けることができる。
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の接着シート１および基板４は、前記第一実施形態における接着シート１および基板４とそれぞれ実質的に同様であるから、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図４Ａ〜図４Ｄは、第二実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
前記第一実施形態では、バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を形成した後に、プラズマ処理を施し、その後、ダイシングによりバンプ付チップ２ａに個片化した。これに対し、第二実施形態では、予め個片化されたバンプ付チップ２ａに樹脂層１３を形成した後に、プラズマ処理を施している。
次に、本発明の第二実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態の接着シート１および基板４は、前記第一実施形態における接着シート１および基板４とそれぞれ実質的に同様であるから、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図４Ａ〜図４Ｄは、第二実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す説明図である。
前記第一実施形態では、バンプ付ウエハ２に樹脂層１３を形成した後に、プラズマ処理を施し、その後、ダイシングによりバンプ付チップ２ａに個片化した。これに対し、第二実施形態では、予め個片化されたバンプ付チップ２ａに樹脂層１３を形成した後に、プラズマ処理を施している。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。具体的には、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、接着シート１の樹脂層１３をバンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに貼り合わせる工程（接着シート貼着工程）と、接着シート１の支持体層１１および粘着剤層１２を、樹脂層１３から剥離する工程（支持体剥離工程）と、を備える方法により、複数のバンプ２２が形成されているバンプ付チップ２ａのバンプ形成面２Ａに樹脂層１３を形成する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図４Ｃに示すように、樹脂層１３にプラズマ処理を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（プラズマ処理工程）。
そして、図４Ｄに示すように、バンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、次に、図４Ｃに示すように、樹脂層１３にプラズマ処理を施して、バンプ２２の表面を覆っている樹脂層１３を除去する（プラズマ処理工程）。
そして、図４Ｄに示すように、バンプ付チップ２ａをピックアップし、被着体である基板４に接着固定する工程（ボンディング工程）と、を備える方法により、樹脂層１３が除去され、表面が露出されたバンプ２２と、基板４の電極４２とを電気的に接続する。
本実施形態における接着シート貼着工程、支持体剥離工程、プラズマ処理工程およびボンディング工程については、前記第一実施形態における接着シート貼着工程、支持体剥離工程、プラズマ処理工程およびボンディング工程と同様の方法を採用できる。
本実施形態によれば、前記第一実施形態における作用効果（１）〜（３）と同様の作用効果を奏することができる。
本実施形態によれば、前記第一実施形態における作用効果（１）〜（３）と同様の作用効果を奏することができる。
［実施形態の変形］
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層として設けられているが、これに限定されない。すなわち、本発明においては、樹脂層を、様々な目的に応じて、設けることができる。例えば、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４との接続を補強するためのアンダーフィル層として設けられてもよい。また、樹脂層１３は、バンプ付ウエハ２またはバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられてもよい。なお、このような場合、樹脂層１３の材料としては、アンダーフィルまたは保護層の材料として公知の材料を用いることができる。
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａおよび基板４の両方に接しているが、これに限定されない。例えば、樹脂層１３がバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられる場合には、樹脂層１３はバンプ付チップ２ａに接していればよく、基板４に接していなくともよい。
本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
例えば、前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４とを接着するための接着剤層として設けられているが、これに限定されない。すなわち、本発明においては、樹脂層を、様々な目的に応じて、設けることができる。例えば、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａと基板４との接続を補強するためのアンダーフィル層として設けられてもよい。また、樹脂層１３は、バンプ付ウエハ２またはバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられてもよい。なお、このような場合、樹脂層１３の材料としては、アンダーフィルまたは保護層の材料として公知の材料を用いることができる。
前述の実施形態では、樹脂層１３は、バンプ付チップ２ａおよび基板４の両方に接しているが、これに限定されない。例えば、樹脂層１３がバンプ付チップ２ａを保護するための保護層として設けられる場合には、樹脂層１３はバンプ付チップ２ａに接していればよく、基板４に接していなくともよい。
前述の実施形態では、バンプ付部材として、バンプ付ウエハ２またはバンプ付チップ２ａを用いているが、これに限定されない。例えば、バンプ付部材は、バンプを有するパッケージ（例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐａｃｋａｇｅ）など）であってもよい。
前述の実施形態では、接着シート１を用いて樹脂層１３をバンプ形成面２Ａに形成し、バンプ２２を覆っているが、これに限定されない。例えば、樹脂組成物をバンプ形成面２Ａに塗布し硬化させることにより樹脂層１３を形成し、バンプ２２を覆ってもよい。
前述の実施形態では、支持体層１１、粘着剤層１２および樹脂層１３を備える接着シート１を用いているが、これに限定されない。例えば、接着シート１は、支持体層１１および樹脂層１３を備える積層シートであってもよい。この場合、支持体剥離工程において、樹脂層１３から支持体層１１を剥離すればよい。
前述の実施形態では、接着シート１を用いて樹脂層１３をバンプ形成面２Ａに形成し、バンプ２２を覆っているが、これに限定されない。例えば、樹脂組成物をバンプ形成面２Ａに塗布し硬化させることにより樹脂層１３を形成し、バンプ２２を覆ってもよい。
前述の実施形態では、支持体層１１、粘着剤層１２および樹脂層１３を備える接着シート１を用いているが、これに限定されない。例えば、接着シート１は、支持体層１１および樹脂層１３を備える積層シートであってもよい。この場合、支持体剥離工程において、樹脂層１３から支持体層１１を剥離すればよい。
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
［実施例１］
バンプ付チップ（チップの大きさ：６ｍｍ×６ｍｍ、チップの厚み：２００μｍ、バンプの種類：ボールバンプ、バンプの高さ：２００μｍ、バンプの直径：２５０μｍ、バンプのピッチ：４００μｍ）を準備した。また、下記樹脂組成物からなる樹脂層と、粘着剤層（ＵＶ硬化系）と、支持体層とを備える積層シートを準備した。
（樹脂組成物）
アクリル重合体：１００質量部
エポキシ樹脂：３０質量部
エポキシ樹脂硬化剤：１質量部
積層シートの樹脂層をバンプ付チップのバンプ形成面に貼り合わせた後、積層シート側からＵＶ照射（積算光量：１５０ｍＪ／ｃｍ２）を行い、積層シートの粘着剤層を硬化させた。その後、積層シートの支持体層および粘着剤層を、樹脂層から剥離し、この樹脂層に、熱処理（処理温度：１３０℃、処理時間：２時間）を施した。このようにして、バンプ付チップのバンプ形成面に樹脂層を形成した。そして、このバンプ付チップの樹脂層に、下記の条件にて、プラズマ処理を施し、バンプの表面を覆っている樹脂層を除去して、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
（プラズマ処理の条件）
処理ガス：アルゴン
処理ガスの流量：４０ｃｍ３／ｍｉｎ
処理圧力：１００Ｐａ
出力：２５０Ｗ
処理時間：１５分間
パージ：１回
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、下記基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
Ａ：バンプ上の樹脂層を残渣なく完全に除去できた。
Ｂ：バンプ上の樹脂層を概ね除去できたが、僅かに残渣が残っている。
Ｃ：バンプ上の樹脂層が除去されずに残っている。
［実施例１］
バンプ付チップ（チップの大きさ：６ｍｍ×６ｍｍ、チップの厚み：２００μｍ、バンプの種類：ボールバンプ、バンプの高さ：２００μｍ、バンプの直径：２５０μｍ、バンプのピッチ：４００μｍ）を準備した。また、下記樹脂組成物からなる樹脂層と、粘着剤層（ＵＶ硬化系）と、支持体層とを備える積層シートを準備した。
（樹脂組成物）
アクリル重合体：１００質量部
エポキシ樹脂：３０質量部
エポキシ樹脂硬化剤：１質量部
積層シートの樹脂層をバンプ付チップのバンプ形成面に貼り合わせた後、積層シート側からＵＶ照射（積算光量：１５０ｍＪ／ｃｍ２）を行い、積層シートの粘着剤層を硬化させた。その後、積層シートの支持体層および粘着剤層を、樹脂層から剥離し、この樹脂層に、熱処理（処理温度：１３０℃、処理時間：２時間）を施した。このようにして、バンプ付チップのバンプ形成面に樹脂層を形成した。そして、このバンプ付チップの樹脂層に、下記の条件にて、プラズマ処理を施し、バンプの表面を覆っている樹脂層を除去して、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
（プラズマ処理の条件）
処理ガス：アルゴン
処理ガスの流量：４０ｃｍ３／ｍｉｎ
処理圧力：１００Ｐａ
出力：２５０Ｗ
処理時間：１５分間
パージ：１回
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、下記基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
Ａ：バンプ上の樹脂層を残渣なく完全に除去できた。
Ｂ：バンプ上の樹脂層を概ね除去できたが、僅かに残渣が残っている。
Ｃ：バンプ上の樹脂層が除去されずに残っている。
［実施例２〜７］
表１に示す条件に従い、プラズマ処理における処理ガスの種類および流量を変更した以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
表１に示す条件に従い、プラズマ処理における処理ガスの種類および流量を変更した以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例１］
プラズマ処理を施さなかった以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
プラズマ処理を施さなかった以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表１に示す。
表１に示す結果からも明らかなように、実施例１〜７で得られた樹脂層形成バンプ付チップでは、バンプ上の樹脂を除去できることが確認された。そのため、樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が製造できる。
これに対し、比較例１で得られた樹脂層形成バンプ付チップでは、バンプ上の樹脂が残っていることが分かった。
これに対し、比較例１で得られた樹脂層形成バンプ付チップでは、バンプ上の樹脂が残っていることが分かった。
［実施例８］
下記樹脂組成物からなる樹脂層と、粘着剤層（ＵＶ硬化系）と、支持体層とを備える積層シートを用いた以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
（樹脂組成物）
アクリル重合体：１００質量部
エポキシ樹脂：３０質量部
シリカフィラー：３０質量部
エポキシ樹脂硬化剤：１質量部
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表２に示す。
下記樹脂組成物からなる樹脂層と、粘着剤層（ＵＶ硬化系）と、支持体層とを備える積層シートを用いた以外は実施例１と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
（樹脂組成物）
アクリル重合体：１００質量部
エポキシ樹脂：３０質量部
シリカフィラー：３０質量部
エポキシ樹脂硬化剤：１質量部
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表２に示す。
［実施例９〜１４］
表２に示す条件に従い、プラズマ処理における処理ガスの種類および流量を変更した以外は実施例８と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表２に示す。
表２に示す条件に従い、プラズマ処理における処理ガスの種類および流量を変更した以外は実施例８と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表２に示す。
［比較例２］
プラズマ処理を施さなかった以外は実施例８と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表２に示す。
プラズマ処理を施さなかった以外は実施例８と同様にして、樹脂層形成バンプ付チップを得た。
得られた樹脂層形成バンプ付チップのバンプの表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、実施例１と同様の基準に従い、樹脂層の除去性を評価した。得られた結果を表２に示す。
表２に示す結果からも明らかなように、実施例８〜１４で得られた樹脂層形成バンプ付チップでは、バンプ上の樹脂を除去できることが確認された。そのため、樹脂層が除去され、表面が露出されたバンプと、基板の電極とを電気的に接続することで、接続信頼性に優れた半導体装置が製造できる。
また、実施例１〜７と実施例８〜１４との結果を比較すると、樹脂層がシリカフィラーを含有しない場合の方が、樹脂層の除去性が優れることが分かった。ただし、樹脂層がシリカフィラーを含有する場合でも、処理ガスとして少なくとも六フッ化硫黄を用いた場合や、処理ガスとして四フッ化メタンおよび酸素を併用した場合には、樹脂層の除去性が優れることが確認された。
これに対し、比較例２で得られた樹脂層形成バンプ付チップでは、バンプ上の樹脂が残っていることが分かった。
また、実施例１〜７と実施例８〜１４との結果を比較すると、樹脂層がシリカフィラーを含有しない場合の方が、樹脂層の除去性が優れることが分かった。ただし、樹脂層がシリカフィラーを含有する場合でも、処理ガスとして少なくとも六フッ化硫黄を用いた場合や、処理ガスとして四フッ化メタンおよび酸素を併用した場合には、樹脂層の除去性が優れることが確認された。
これに対し、比較例２で得られた樹脂層形成バンプ付チップでは、バンプ上の樹脂が残っていることが分かった。
本発明は、半導体装置の製造方法に利用できる。
１３…樹脂層、２…バンプ付ウエハ、２２…バンプ、２ａ…バンプ付チップ、４…基板、４２…電極、１００…半導体装置。
Claims (5)
- 複数のバンプが形成されているバンプ付部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層にプラズマ処理を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層が除去され、表面が露出された前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程を、さらに備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プラズマ処理における処理ガスが、酸素、アルゴン、三フッ化メタン、四フッ化メタン、および、六フッ化硫黄からなる群から選択される少なくとも１種である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プラズマ処理における処理ガスの流量が、１ｃｍ３／ｍｉｎ以上１０００ｃｍ３／ｍｉｎ以下である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プラズマ処理における処理圧力が、１Ｐａ以上３０００Ｐａ以下である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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