JPWO2016158606A1 - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016158606A1 JPWO2016158606A1 JP2016522065A JP2016522065A JPWO2016158606A1 JP WO2016158606 A1 JPWO2016158606 A1 JP WO2016158606A1 JP 2016522065 A JP2016522065 A JP 2016522065A JP 2016522065 A JP2016522065 A JP 2016522065A JP WO2016158606 A1 JPWO2016158606 A1 JP WO2016158606A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- film
- conductive film
- indium
- composite oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/045—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using resistive elements, e.g. a single continuous surface or two parallel surfaces put in contact
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
1. 透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面にインジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、X線回折測定法により透明導電膜の結晶に起因した(222)面の回折ピークの積分強度規格化値が、4〜25cps・°/nmであることを特徴とする透明導電性フィルム。
2. インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が、10〜1000nmであ
ることを特徴とする上記第1に記載の透明導電性フィルム。
3. インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜が、酸化スズを0.5〜10質量%含むことを特徴とする上記第1又は第2に記載の透明導電性フィルム。
4. 透明導電膜の厚みが、10〜30nmである上記第1〜第3のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
透明プラスチックフィルムに積層されたインジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜からの回折ピークを測定する場合、透明プラスチックフィルムからの回折が強いため集中法光学系では精密に測定することが困難となることが多い。集中法光学系で測定できるのは、例えば透明導電膜の結晶性が高い透明導電膜である場合が多い。特許文献1の透明導電膜は集中法光学系で測定することができており、透明導電膜の結晶性が高い。本発明の透明導電膜は、集中法光学系では(222)面の回折ピークを観測することが困難なため、試料表面に対してX線をごく浅い角度で入射し侵入深さを制限することにより透明プラスチックフィルムの影響を出来るだけ抑えた薄膜法による測定方法を用いている。
い、より好ましくは7cps・°/nm以上である。積分強度規格化値が、4cps・°/nm以上であると、ペン摺動耐久性のための結晶性が不足せず好ましい。一方、インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶に起因した(222)面の回折ピークの積分強度規格化値は、25cps・°/nm以下であることが好ましい。より好ましくは23cp
s・°/nm以下である。積分強度規格化値が、25cps・°/nm以下であると、結晶
性が高くなり過ぎず、柔軟性が保たれて好ましい。
透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶性のインジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜を成膜する方法としてはスパッタリング法が好ましく用いられる。スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比について、成膜開始時から成膜終了時までの最大値と最小値の差が2.0×10−4以下になるように精密制御し、かつ成膜中はフィルム温度を80℃以下にして透明プラスチックフィルム上に透明導電膜を成膜することが望ましい。成膜中のフィルム温度は、走行フィルムが接触するセンターロールの温度を調節する温調機の設定温度で代用する。ここで、図5に本発明において好適に使用されるスパッタリング装置の一例の模式図を示しており、走行するフィルム1がセンターロール2の表面に部分的に接触して走行している。チムニー3を介してインジウム−スズのスパッタリングターゲット4が設置され、センターロール2上を走行するフィルム1の表面にインジウム−スズ複合酸化物の薄膜が堆積して積層される。センターロール2は図示しない温調機によって温度制御される。また、不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンなどが挙げられる。さらに、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比の中心値(最大値と最小値の中間の値)は、4.0×10−4〜2.9×10−3であることが望ましい。ただし、不活性ガスに対する水分圧の比の中心値は、インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜中の酸化スズの含有率や、透明導電膜の厚みにもいくらか依存している。インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜中の酸化スズの添加量が多い場合や透明導電膜が薄い場合は、不活性ガスに対する水分圧の比の中心値を前記の範囲の中で低めに設定することが望ましい。逆に、イ
ンジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜中の酸化スズの含有率が少ない場合や透明導電膜が厚い場合は、不活性ガスに対する水分圧の比の中心値を前記の範囲のなかで高めに設定することが望ましい。また、透明導電性フィルムの表面抵抗および全光線透過率を実用的な水準にするために、スパッタリング時に酸素ガスを添加することが望ましい。
まず好ましくない理由の1点目として、スパッタリングで、プラスチックフィルムに成膜をすると、フィルムが加熱され、フィルムから水分が放出されるので、成膜雰囲気中の水分量が増加してしまい、到達真空度を測定したときの水分量より増加する。
リング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比を連続的に観測し、水分圧の観測結果をマスフローコントローラーにフィードバックして、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比の最大値と最小値の差が2.0×10−4以下になるように精密制御することが好ましく採用され得る。
、水素+アルゴン混合ガスなど、水素原子が含まれているガスであれば特に限定しない)を導入し、ガス分析装置でスパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比を連続的に観測し、水分圧の観測結果をマスフローコントローラーにフィードバックして、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比の最大値と最小値の差が2.0×10−4以下になるように精密制御することが好ましく採用され得る。スパッタリング時の成膜雰囲気中で、水素原子含有ガスは分離して、成膜雰囲気中の酸素などと結合して水となる。そのため、水素原子含有ガスの添加は水添加と同等の効果がある。
透明導電性フィルムを高い生産性で製造するためには、フィルムロールを供給し、成膜後、フィルムロールの形状に巻き上げる所謂ロール式スパッタリング装置を使用することが好ましい。生産性を向上させるために、ロール式スパッタリング装置に透明プラスチックフィルムの長尺フィルムロールをセットする。スパッタリング法で透明導電膜を成膜工程において、装置内部を略真空状態にする際に、フィルムロールの外層部分は水が抜けやすいが、ロールの内層部分は水が抜けにくい。スパッタリング開始直後は、フィルムロールの外層部分から繰り出され、繰り出されたフィルムから放出される水が少ないため、成膜雰囲気中の水の放出量が少ない。スパッタリングを継続していくと、フィルムロールからフィルムが外層から内層に順次連続的に繰り出されて走行し、水を多く含むフィルムロールの内層部分が繰り出されてくるため、成膜雰囲気中の水分量が増加する。また、フィルムは長手方向で含まれる水分量が異なることも多い。安定して透明導電膜を半結晶性にするためには、成膜雰囲気中の水分量が刻々と変化していくので、常時水分量を監視し、水分量の変化を察知したら、すばやく応答して目的の水分量に調節することが好ましい。上記の[1]と[2]はマスフローを使用しているため、水分量の変化を察知後、すばやく応答して目的の水分量に調節することが可能である。上記の[3]は、温度に対する応答速度の速い温調機を用いるため、水分量の変化を察知後、すばやく応答して目的の水分量に調節することが可能である。
なお、本発明の透明導電性フィルムの全光線透過率は70〜95%が好ましい。
本発明で用いる透明プラスチックフィルム基材とは、有機高分子をフィルム状に溶融押出し又は溶液押出しをして、必要に応じ、長手方向及び/又は幅方向に延伸、冷却、熱固定を施したフィルムであり、有機高分子としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ナイロン6、ナイロン4、ナイロン66、ナイロン12、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルファン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、セルロースプロピオネート、ポリ塩化ビニール、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキサイド、ポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ノルボルネン系ポリマー等が挙げられる。
みが10μm以上であると、機械的強度が保持され、特にタッチパネルに用いた際のペン入力に対する変形が小さく、耐久性の観点から好ましい。一方、厚みが300μm以下であると、タッチパネルに用いた際に、ペン入力で位置させるための荷重を特に大きくする必要がなく好ましい。
また、本発明で好ましく用いられる前記硬化型樹脂としては、加熱、紫外線照射、電子線照射等のエネルギー印加により硬化する樹脂であれば特に制限はなく、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。生産性の観点からは、紫外線硬化型樹脂を主成分とすることが好ましい。
ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等が例示される。
(1)全光線透過率
JIS−K7136に準拠し、日本電色工業(株)製NDH−2000を用いて、全光線透過率を測定した。
JIS−K7194に準拠し、4端子法にて測定した。測定機は、(株)三菱化学アナリテック製 Lotesta AX MCP−T370を用いた。
本発明の透明導電膜は、集中法光学系では(222)面の回折ピークを観測することが困難なため、試料表面に対してX線をごく浅い角度で入射し侵入深さを制限することにより透明プラスチックフィルムの影響を出来るだけ抑えた薄膜法の測定法を用いた。
X線回折装置はRigaku製 薄膜評価用試料水平型X線回折装置SmartLabを用いて測定した。多層膜ミラーを用いた平行ビーム光学系を用い、光源にはCuKα線(波長:1.54186Å)を40kV、30mAの出力で用いた。入射側スリット系はソーラスリット5.0°、入射スリット0.2mm,長手制御スリット10mmを用い、受光側スリットにはパラレルスリットアナライザー(PSA)0.114degを用いた。試料は20mm角としステージに両面テープで固定するか、または多孔質吸着試料ホルダを用いて吸着固定してもよい。X線の入射角0.25°とし、アウトオブプレーン方向にシンチレーションカウンター検出器を走査し,ステップ間隔0.02°、測定スピード2.0°/minで測定した。ITO膜の(222)面からの回折線は、CuKα線を使用する場合、およそ30.5°(2θ)の位置にピークとして現れる。Sonneveld−Visser法(Sonneveld,E.J.&Visser,J.W.,J.Appl.Cryst.8, 1(1975))によりバックグラウンド除去処理を行い、(222)面の回折ピークの積分強度を算出した。前記の積分強度を、透明導電膜の厚みで割った値を、(222)面の回折ピークの積分強度規格化値とする。透明度電膜の厚みは、下記「(5)透明導電膜の厚み(膜厚)」に記載した方法で得た。
透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を1mm×10mmの大きさに切り出し、導電性薄膜面を外向きにして適当な樹脂ブロックの上面に貼り付けた。これをトリミングしたのち、一般的なウルトラミクロトームの技法によってフィルム表面にほぼ平行な超薄切片を作製した。
この切片を透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM−2010)で観察して著しい損傷がない導電性薄膜表面部分を選び、加速電圧200kV、直接倍率40000倍で写真撮影を行った。
透過型電子顕微鏡下で観察される結晶粒において、すべての結晶粒の最長部を測定し、それらの測定値の平均値を結晶粒径とする。ここで、図1〜4に結晶粒の最長部の測定時における最長部の認定方法に関する例を示す。即ち、最も各結晶粒の粒径を最も大きく測定できる直線の長さによって最長部を認定している。
透明導電性薄膜層を積層したフィルム試料片を1mm×10mmの大きさに切り出し、電子顕微鏡用エポキシ樹脂に包埋した。これをウルトラミクロトームの試料ホルダに固定し、包埋した試料片の短辺に平行な断面薄切片を作製した。次いで、この切片の薄膜の著しい損傷がない部位において、透過型電子顕微鏡(JEOL社製、JEM−2010)を
用い、加速電圧200kV、明視野で観察倍率1万倍にて写真撮影を行って得られた写真から膜厚を求めた。
透明導電性フィルムを一方のパネル板として用い、他方のパネル板として、ガラス基板上にプラズマCVD法で厚みが20nmのインジウム−スズ複合酸化物薄膜(酸化スズ含有量:10質量%)からなる透明導電性薄膜(日本曹達社製、S500)を用いた。この2枚のパネル板を透明導電性薄膜が対向するように、直径30μmのエポキシビーズを介して、配置しタッチパネルを作製した。次にポリアセタール製のペン(先端の形状:0.8mmR)に2.5Nの荷重をかけ、15万往復の直線摺動試験をタッチパネルに行った。この時の摺動距離は30mm、摺動速度は180mm/秒とした。この摺動耐久性試験後に、まず、摺動部が白化しているかを目視によって観察した。さらに、ペン荷重0.8Nで摺動部を押さえた際の、ON抵抗(可動電極(フィルム電極)と固定電極とが接触した時の抵抗値)を測定した。ON抵抗は10kΩ以下であるのが望ましい。
透明導電性フィルムを20mm×80mmの長方形状にカットする。次に、長方形の短辺をテスターでつなぎ抵抗値を観測する。透明導電膜を外側にして、透明導電性フィルムを曲げていき、テスターの抵抗値が増加し始めた時の透明導電性フィルムの曲げ直径を記録する。曲げ直径は15.5mm以下が望ましい。
試料を切りとって(約15 cm2)石英製三角フラスコにいれ、6mol/l塩酸20 mlを加え、
酸の揮発がないようにフィルムシールをした。室温で時々揺り動かしながら9日間放置し、ITO層を溶解させた。残フィルムを取り出し、ITO層が溶解した塩酸を測定液とした。溶解液中のIn、Snは、ICP発光分析装置(メーカー名;リガク、装置型式;CIROS-120 EOP)を用いて、検量線法により求めた。各元素の測定波長は、干渉のない、感度の高い波長を選択した。また、標準溶液は、市販のIn、Snの標準溶液を希釈して用いた。
各実施例水準は表1に示した条件のもと、以下の通り実施した。
真空槽にフィルムを投入し、1.5×10−4Paまで真空引きをした。次に、酸素導入後に不活性ガスとしてアルゴンを導入し全圧を0.5Paにした。
インジウム−スズ複合酸化物の焼結ターゲット、あるいは酸化スズを含まない酸化インジウム焼結ターゲットに2W/cm2の電力密度で電力を投入し、DCマグネトロンスパッタリング法により、透明導電膜を成膜した。膜厚についてはフィルムがターゲット上を通過するときの速度を変えて制御した。また、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比については、ガス分析装置(インフィコン社製、トランスペクターXPR3)を用いて測定した。各実施例水準において、スパッタリング時の成膜雰囲気の
不活性ガスに対する水分圧の比を調節すべく、表1に記載されるように、水又は水素原子含有ガスの導入量や、フィルムが接触走行しているセンターロールの温度を制御する温調機の温媒の温度を調節した。上記のスパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比についての成膜開始時から成膜終了時までの変化を小さく精密制御するための上記[3]の方法を採用する実施例水準においては、温調機の温度は可変に制御されており、成膜開始時から成膜終了時までの温度の最大値と最小値の丁度真ん中に当たる温度を中心値として表1に記載した。
透明導電膜を成膜積層したフィルムは、表1に記載の熱処理をした後、測定を実施した。測定結果を表1に示した。
表1に記載の条件で実施例1と同様に透明導電性フィルムを作製して評価した。結果を表1に示した。
2.センターロール
3.チムニー
4.インジウム−スズ複合酸化物のターゲット
1. 透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面にインジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、X線回折測定法により透明導電膜の結晶に起因した(222)面の回折ピークの積分強度規格化値が、4〜25cps・°/nmであることを特徴とする透明導電性フィルム。
ここで、(222)面の回折ピークの積分強度規格化値は、以下の測定法を用いた。
X線回折装置はRigaku製 薄膜評価用試料水平型X線回折装置SmartLabを用いて測定した。多層膜ミラーを用いた平行ビーム光学系を用い、光源にはCuKα線(波長:1.54186Å)を40kV、30mAの出力で用いた。入射側スリット系はソーラスリット5.0°、入射スリット0.2mm,長手制御スリット10mmを用い、受光側スリットにはパラレルスリットアナライザー(PSA)0.114degを用いた。試料は20mm角としステージに両面テープで固定するか、または多孔質吸着試料ホルダを用いて吸着固定する。X線の入射角0.25°とし、アウトオブプレーン方向にシンチレーションカウンター検出器を走査し,ステップ間隔0.02°、測定スピード2.0°/minで測定した。ITO膜の(222)面からの回折線は、CuKα線を使用する場合、およそ30.5°(2θ)の位置にピークとして現れる。Sonneveld−Visser法(Sonneveld,E.J.&Visser,J.W.,J.Appl.Cryst.8, 1(1975))によりバックグラウンド除去処理を行い、(222)面の回折ピークの積分強度を算出した。前記の積分強度を、透明導電膜の厚みで割った値を、(222)面の回折ピークの積分強度規格化値とする。
2. インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が、10〜1000nmであ
ることを特徴とする上記第1に記載の透明導電性フィルム。
3. インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜が、酸化スズを0.5〜10質量%含むことを特徴とする上記第1又は第2に記載の透明導電性フィルム。
4. 透明導電膜の厚みが、10〜30nmである上記第1〜第3のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
Claims (4)
- 透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面にインジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、X線回折測定法により透明導電膜の結晶に起因した(222)面の回折ピークの積分強度規格化値が、4〜25cps・°/nmであることを特徴とする透明導電性フィルム。
- インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜の結晶粒径が、10〜1000nmであることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性フィルム。
- インジウム−スズ複合酸化物の透明導電膜が、酸化スズを0.5〜10質量%含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の透明導電性フィルム。
- 透明導電膜の厚みが、10〜30nmである請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015071243 | 2015-03-31 | ||
JP2015071243 | 2015-03-31 | ||
JP2016012142 | 2016-01-26 | ||
JP2016012142 | 2016-01-26 | ||
PCT/JP2016/059171 WO2016158606A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-23 | 透明導電性フィルム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017115716A Division JP6753361B2 (ja) | 2015-03-31 | 2017-06-13 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016158606A1 true JPWO2016158606A1 (ja) | 2017-05-25 |
JP6172389B2 JP6172389B2 (ja) | 2017-08-02 |
Family
ID=57007129
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016522065A Active JP6172389B2 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-23 | 透明導電性フィルム |
JP2017115716A Active JP6753361B2 (ja) | 2015-03-31 | 2017-06-13 | 透明導電性フィルム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017115716A Active JP6753361B2 (ja) | 2015-03-31 | 2017-06-13 | 透明導電性フィルム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10585505B2 (ja) |
EP (1) | EP3278977B1 (ja) |
JP (2) | JP6172389B2 (ja) |
KR (1) | KR101963075B1 (ja) |
CN (1) | CN107428124B (ja) |
TW (2) | TWI697917B (ja) |
WO (1) | WO2016158606A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111081826A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 苏州联诺太阳能科技有限公司 | 一种异质结电池制备方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020196015A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 東洋紡株式会社 | 透明導電性フィルム |
KR20220025706A (ko) * | 2019-06-27 | 2022-03-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 투명 도전성 필름 |
JP2021034204A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
CN110986821A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-04-10 | 广东谨诺科技有限公司 | 一种透可见光且反紫外光工件影像测量仪 |
WO2021200710A1 (ja) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 東洋紡株式会社 | 透明導電性フィルム |
TWI814068B (zh) * | 2020-09-17 | 2023-09-01 | 日商柯尼卡美能達股份有限公司 | 披覆構件、披覆構件用之基材薄膜,及具備該等之顯示裝置 |
WO2023013734A1 (ja) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 日東電工株式会社 | 積層体 |
JP7377382B2 (ja) * | 2021-08-06 | 2023-11-09 | 日東電工株式会社 | 積層体 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226148A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-08-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 熱線遮断ガラス、熱線遮断合わせガラスおよび熱線遮断電熱合わせガラス |
JP2004071171A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Teijin Ltd | タッチパネル用透明導電積層体 |
JP2012107336A (ja) * | 2010-05-06 | 2012-06-07 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
JP5490955B1 (ja) * | 2013-09-30 | 2014-05-14 | 帝人株式会社 | 導電性積層体およびそれを用いるタッチパネル |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225273A (en) | 1989-12-28 | 1993-07-06 | Teijin Limited | Transparent electroconductive laminate |
JP2000238178A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-05 | Teijin Ltd | 透明導電積層体 |
EP1591554A4 (en) * | 2003-01-24 | 2010-04-07 | Bridgestone Corp | THIN FILM OF TIN OXIDE AND INDIUM (ITO), PROCESS FOR FORMING THE FILM, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TOUCH SCREEN |
KR101000436B1 (ko) | 2006-06-09 | 2010-12-13 | 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤 | 투명 도전막 형성용 조성물, 투명 도전막 및 디스플레이 |
WO2010035598A1 (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性フィルム及びタッチパネル |
AU2013260538A1 (en) | 2012-05-11 | 2014-11-20 | Kyodo Printing Co., Ltd. | Antimony-doped tin oxide, infrared-ray-absorbable pigment, infrared-ray-absorbable ink, printed matter, and method for producing antimony-doped tin oxide |
US9343202B2 (en) | 2013-08-07 | 2016-05-17 | The Regents Of The University Of California | Transparent metal oxide nanoparticle compositions, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
-
2016
- 2016-03-23 US US15/562,960 patent/US10585505B2/en active Active
- 2016-03-23 JP JP2016522065A patent/JP6172389B2/ja active Active
- 2016-03-23 WO PCT/JP2016/059171 patent/WO2016158606A1/ja active Application Filing
- 2016-03-23 EP EP16772487.1A patent/EP3278977B1/en active Active
- 2016-03-23 KR KR1020177030725A patent/KR101963075B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-23 CN CN201680020651.4A patent/CN107428124B/zh active Active
- 2016-03-28 TW TW109104400A patent/TWI697917B/zh active
- 2016-03-28 TW TW105109618A patent/TWI686822B/zh active
-
2017
- 2017-06-13 JP JP2017115716A patent/JP6753361B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-23 US US16/750,356 patent/US11181998B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001226148A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-08-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 熱線遮断ガラス、熱線遮断合わせガラスおよび熱線遮断電熱合わせガラス |
JP2004071171A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Teijin Ltd | タッチパネル用透明導電積層体 |
JP2012107336A (ja) * | 2010-05-06 | 2012-06-07 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
JP5490955B1 (ja) * | 2013-09-30 | 2014-05-14 | 帝人株式会社 | 導電性積層体およびそれを用いるタッチパネル |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111081826A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 苏州联诺太阳能科技有限公司 | 一种异质结电池制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3278977A1 (en) | 2018-02-07 |
US10585505B2 (en) | 2020-03-10 |
EP3278977B1 (en) | 2021-08-18 |
EP3278977A4 (en) | 2018-10-03 |
TWI697917B (zh) | 2020-07-01 |
JP2017170914A (ja) | 2017-09-28 |
JP6753361B2 (ja) | 2020-09-09 |
US20200159349A1 (en) | 2020-05-21 |
TW201640523A (zh) | 2016-11-16 |
CN107428124B (zh) | 2019-10-01 |
CN107428124A (zh) | 2017-12-01 |
TWI686822B (zh) | 2020-03-01 |
TW202020898A (zh) | 2020-06-01 |
KR20170131599A (ko) | 2017-11-29 |
US11181998B2 (en) | 2021-11-23 |
KR101963075B1 (ko) | 2019-03-27 |
JP6172389B2 (ja) | 2017-08-02 |
US20180113526A1 (en) | 2018-04-26 |
WO2016158606A1 (ja) | 2016-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6172389B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP6769345B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
WO2010035598A1 (ja) | 透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
JP7160100B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP5374998B2 (ja) | 透明導電性フィルムの製造方法 | |
JP2011028945A (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP4888603B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP6137433B1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP5509683B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP7060850B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
WO2022049898A1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
WO2022070610A1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
WO2021200709A1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
WO2022070609A1 (ja) | 透明導電性フィルム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170327 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170619 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6172389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |