KR101963075B1 - 투명 도전성 필름 - Google Patents

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Abstract

투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 적층된 투명 도전성 필름이며, X선 회절 측정법에 의해 투명 도전막의 결정에 기인한 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값이 4 내지 25cpsㆍ°/㎚인 투명 도전성 필름이다.

Description

투명 도전성 필름
본 발명은 투명 플라스틱 필름 기재 위에 결정성의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막을 적층한 투명 도전성 필름, 특히, 저항막식 터치 패널에 사용했을 때의 펜 접동 내구성 및 유연성이 우수한 투명 도전성 필름에 관한 것이다.
투명 플라스틱 기재 위에, 투명하고 또한 저항이 작은 박막을 적층한 투명 도전성 필름은 그의 도전성을 이용한 용도, 예를 들어 액정 디스플레이나 일렉트로루미네센스(EL) 디스플레이 등과 같은 플랫 패널 디스플레이나, 터치 패널의 투명 전극 등으로서, 전기ㆍ전자 분야의 용도로 널리 사용되고 있다.
저항막식 터치 패널은 유리나 플라스틱의 기판에 투명 도전성 박막을 코팅한 고정 전극과, 플라스틱 필름에 투명 도전성 박막을 코팅한 가동 전극(=필름 전극)을 조합한 것이고, 표시체의 상측에 중첩하여 사용되고 있다. 손가락이나 펜으로 필름 전극을 누르고, 고정 전극과 필름 전극의 투명 도전성 박막끼리를 접촉시키는 것이, 터치 패널의 위치 인식을 위한 입력이 된다. 손가락과 비교하여, 펜은 터치 패널에 가해지는 힘이 강해지는 경우가 많다. 터치 패널에 펜으로 강하게 계속해서 입력하면, 필름 전극측의 투명 도전성 박막에 크랙, 박리 등의 파괴가 발생하는 경우가 있다. 또한, 터치 패널 제조 공정 등에서 필름 전극을 구부리거나 했을 때나, 터치 패널의 단부에 입력했을 때에 필름 전극의 투명 도전성 박막이 깨지거나 하는 경우가 있다. 이 투명 도전성 박막의 깨짐은 투명 도전성 박막의 유연성이 부족하기 때문에 발생하는 현상이다. 이들의 문제를 해결하기 위해, 우수한 펜 접동 내구성과 유연성을 양립하는 투명 도전성 필름이 요망되고 있다.
펜 접동 내구성을 향상시키는 수단으로서, 필름 전극측의 투명 도전성 박막을 결정성으로 하는 방법이 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 그러나, 종래의 투명 도전성 필름은 인듐-주석 복합 산화물의 결정성을 제어함으로써 펜 접동 내구성이 우수한 투명 도전성 필름을 실현하고 있다. 그러나, 종래의 투명 도전성 필름은 후술하는 유연성 시험을 실시하면, 불충분했다.
일본 특허 공개 제2004-071171호 공보
본 발명의 목적은 상기의 종래의 문제점을 감안하여, 터치 패널에 사용했을 때의 펜 접동 내구성이 우수함과 함께 유연성도 우수한 투명 도전성 필름을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 상기의 과제를 해결할 수 있는 본 발명의 투명 도전성 필름이란, 이하의 구성을 포함한다.
1. 투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 적층된 투명 도전성 필름이며, X선 회절 측정법에 의해 투명 도전막의 결정에 기인한 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값이 4 내지 25cpsㆍ°/㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
2. 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정립 직경이 10 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 상기 제1에 기재된 투명 도전성 필름.
3. 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 산화주석을 0.5 내지 10질량% 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 제1 또는 제2에 기재된 투명 도전성 필름.
4. 투명 도전막의 두께가 10 내지 30㎚인 상기 제1 내지 제3 중 어느 하나에 기재된 투명 도전성 필름.
본 발명에 따르면, 우수한 펜 접동 내구성 및 유연성을 겸비하는 투명 도전성 필름의 제공이 가능해진다. 얻어진 투명 도전성 필름은 저항막식 터치 패널 등의 용도에 매우 유용하다.
도 1은 본 발명에 있어서의 결정립의 최장부의 일례(제1)를 나타내는 모식도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 결정립의 최장부의 다른 일례(제2)를 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 결정립의 최장부의 다른 일례(제3)를 나타내는 모식도이다.
도 4는 본 발명에 있어서의 결정립의 최장부의 다른 일례(제4)를 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 발명에 있어서 적합하게 사용되는 스퍼터링 장치의 일례의 센터 롤의 위치를 설명하기 위한 모식도이다.
본 발명의 투명 도전성 필름은 투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 적층된 투명 도전성 필름이며, X선 회절 측정법에 의해 투명 도전막의 결정에 기인한 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값이 4 내지 25cpsㆍ°/㎚인 것이 바람직하다.
X선 회절 측정법으로 관측하고 있는 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값은 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정성의 정도를 나타내고 있다. 회절 피크의 적분 강도 규격화값이 클수록, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정성이 높다. 일반적으로 결정성이 높은 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막은 단단하기 때문에, 펜 접동 내구성은 우수하지만, 유연성이 떨어진다. 본 발명의 투명 도전성 필름은 결정성을 적절하게 제어하여 후술하는 반결정성의 상태로 함으로써, 우수한 펜 접동 내구성 및 유연성을 겸비시키고 있다.
여기서 X선 회절 측정법에 대하여 설명한다.
투명 플라스틱 필름에 적층된 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막으로부터의 회절 피크를 측정하는 경우, 투명 플라스틱 필름으로부터의 회절이 강하기 때문에 집중법 광학계에서는 정밀하게 측정하는 것이 곤란해지는 경우가 많다. 집중법 광학계에서 측정할 수 있는 것은, 예를 들어 결정성이 높은 투명 도전막인 경우가 많다. 특허문헌 1의 투명 도전막은 집중법 광학계에서 측정할 수 있고, 투명 도전막의 결정성이 높다. 본 발명의 투명 도전막은, 집중법 광학계에서는 (222)면의 회절 피크를 관측하는 것이 곤란하기 때문에, 시료 표면에 대하여 X선을 매우 얕은 각도로 입사하여 침입 깊이를 제한함으로써 투명 플라스틱 필름의 영향을 가능한 한 억제한 박막법에 의한 측정 방법을 사용하고 있다.
본 발명에 있어서의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정에 기인한 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값은 4cpsㆍ°/㎚ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7cpsㆍ°/㎚ 이상이다. 적분 강도 규격화값이 4cpsㆍ°/㎚ 이상이면, 펜 접동 내구성을 위한 결정성이 부족하지 않아 바람직하다. 한편, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정에 기인한 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값은 25cpsㆍ°/㎚ 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 23cpsㆍ°/㎚ 이하이다. 적분 강도 규격화값이 25cpsㆍ°/㎚ 이하이면, 결정성이 지나치게 높아지지 않고, 유연성이 유지되어 바람직하다.
본 발명에 있어서의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정립 직경은 10㎚ 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 30㎚ 이상이다. 결정립 직경이 10㎚ 이상이면, 결정립끼리의 결합력이 유지되고 펜 접동 내구성을 만족시키기 쉬워 바람직하다. 한편, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정립 직경은 1000㎚ 이하인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 500㎚ 이하이다. 결정립 직경이 1000㎚ 이하이면, 유연성이 유지되어 바람직하다.
본 발명에 있어서의 투명 도전막은 인듐-주석 복합 산화물을 포함하고, 산화주석을 0.5질량% 이상 10질량% 이하 포함하는 것이 바람직하다. 인듐-주석 복합 산화물 중의 산화주석은 산화인듐에 있어서의 불순물에 상당한다. 산화주석의 불순물이 함유되어 있음으로써, 인듐-주석 복합 산화물의 융점이 증대한다. 즉, 산화주석의 불순물 함유는 결정화를 저해하는 방향으로 작용한다. 산화주석이 0.5질량% 이상 함유되어 있으면, 투명 도전성 필름의 표면 저항이 실용적인 수준이 되어 바람직하다. 더욱 바람직하게는 산화주석의 함유율은 1질량% 이상이고, 2질량% 이상이면 특히 바람직하다. 산화주석의 함유율이 10질량% 이하이면, 후술하는 반결정 상태로 조절하기 위한 결정화가 일어나기 쉽고, 펜 접동 내구성이 양호해져 바람직하다. 산화주석의 함유율은 8질량% 이하이면 보다 바람직하고, 6질량% 이하이면 더욱 바람직하고, 4질량% 이하이면 특히 바람직하다. 또한, 본 발명의 투명 도전성 필름의 표면 저항은 50 내지 900Ω/□인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서 투명 도전막의 두께는 10㎚ 이상 30㎚ 이하인 것이 바람직하다. 투명 도전막의 두께가 10㎚ 이상이면, 투명 도전막이 지나치게 비정질이 되는 경우가 없고, 후술하는 반결정 상태로 하는 적당한 결정성을 부여하기 쉽고, 결과적으로 펜 접동 내구성이 유지되어 바람직하다. 보다 바람직하게는 투명 도전막의 두께는 13㎚ 이상, 보다 바람직하게는 16㎚ 이상이다. 또한, 투명 도전막의 두께가 30㎚ 이하이면, 투명 도전막의 결정성이 지나치게 높아지는 경우가 없고, 반결정 상태를 유지하기 쉽고, 유연성이 유지되어 바람직하다. 보다 바람직하게는 26㎚ 이하, 더욱 바람직하게는 22㎚ 이하이다.
본 발명의 투명 도전성 필름을 얻기 위한 제조 방법에 특별히 한정은 없지만, 예를 들어 이하와 같은 제조 방법을 바람직하게 예시할 수 있다.
투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 결정성의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막을 성막하는 방법으로서는 스퍼터링법이 바람직하게 사용된다. 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비에 대하여, 성막 개시 시부터 성막 종료 시까지의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하고, 또한 성막 중에는 필름 온도를 80℃ 이하로 하여 투명 플라스틱 필름 위에 투명 도전막을 성막하는 것이 바람직하다. 성막 중의 필름 온도는 주행 필름이 접촉하는 센터 롤의 온도를 조절하는 온도 조절기의 설정 온도에서 대용한다. 여기서, 도 5에 본 발명에 있어서 적합하게 사용되는 스퍼터링 장치의 일례의 모식도를 나타내고 있고, 주행하는 필름(1)이 센터 롤(2)의 표면에 부분적으로 접촉하여 주행하고 있다. 침니(3)를 통해 인듐-주석의 스퍼터링 타깃(4)이 설치되고, 센터 롤(2) 위를 주행하는 필름(1)의 표면에 인듐-주석 복합 산화물의 박막이 퇴적하여 적층된다. 센터 롤(2)은 도시하지 않은 온도 조절기에 의해 온도 제어된다. 또한, 불활성 가스로서는, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논 등을 들 수 있다. 또한, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값(최댓값과 최솟값의 중간의 값)은 4.0×10-4 내지 2.9×10-3인 것이 바람직하다. 단, 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값은 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막 중의 산화주석의 함유율이나, 투명 도전막의 두께에도 어느 정도 의존하고 있다. 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막 중의 산화주석의 첨가량이 많은 경우나 투명 도전막이 얇은 경우는, 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값을 상기한 범위 중에서 낮게 설정하는 것이 바람직하다. 반대로, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막 중의 산화주석의 함유율이 적은 경우나 투명 도전막이 두꺼운 경우는, 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값을 상기한 범위 중에서 높게 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 투명 도전성 필름의 표면 저항 및 전체 광선 투과율을 실용적인 수준으로 하기 위해, 스퍼터링 시에 산소 가스를 첨가하는 것이 바람직하다.
성막 분위기 중의 물이 많으면, 투명 도전막의 결정성이 저하되는 것이 알려져 있다. 그로 인해, 성막 분위기 중의 수분량은 중요한 인자이다. 플라스틱 필름 위에 인듐-주석 복합 산화물을 성막할 때의 수분량의 제어에는, 실제로 성막 시의 수분량을 관측하는 것이 바람직하다. 성막 분위기 중의 수분량의 제어에 도달 진공도를 사용하는 것은 이하의 2점과 같이 바람직하지 않다.
먼저 바람직하지 않은 이유의 1점째로서, 스퍼터링으로, 플라스틱 필름에 성막을 하면, 필름이 가열되고, 필름으로부터 수분이 방출되므로, 성막 분위기 중의 수분량이 증가해 버려, 도달 진공도를 측정했을 때의 수분량보다 증가한다.
2점째는, 대량으로 투명 플라스틱 필름을 투입하는 장치에 의한 경우이다. 이와 같은 장치에서는 필름을 필름 롤의 형태로 투입한다. 필름을 롤로 하여 진공조에 투입하면 롤의 외층 부분은 물이 빠지기 쉽지만, 롤의 내층 부분은 물이 빠지기 어렵다. 도달 진공도를 측정할 때, 필름 롤은 정지하고 있지만, 성막 시에는 필름 롤이 주행하기 때문에, 물을 많이 포함하는 필름 롤의 내층 부분이 권출되어 오기 때문에, 성막 분위기 중의 수분량이 증가하고, 도달 진공도를 측정했을 때의 수분량보다 증가한다. 본 발명에 있어서는, 성막 분위기 중의 수분량의 제어에 있어서, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 관측함으로써 바람직하게 대응할 수 있다.
본 발명에 있어서의 투명 도전막의 결정성은 지나치게 높지 않고, 지나치게 낮지 않다는 상태이다(이와 같은 결정성을 반결정성 또는 반결정질이라고 칭하는 것으로 함). 투명 도전막을 안정적으로 반결정성으로 하는 것은 매우 어렵다. 그것은, 비결성으로부터 결정성으로 급격하게 상변화되어 가는 도중에 멈춘 상태가 반결정성이기 때문이다. 그로 인해, 결정성에 관계가 있는 파라미터인 성막 분위기 중의 수분량에 매우 민감하고, 약간이라도 성막 분위기 중의 수분량이 적으면 거의 완전한 결정성(높은 결정성)이 되고, 반대로, 약간이라도 성막 분위기 중의 수분량이 많으면 비결성(낮은 결정성)이 된다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막을 성막하는 방법에 있어서, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비에 대하여, 성막 개시 시부터 성막 종료 시까지의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하이면, 결정성이 높은 부분이나 낮은 부분이 혼재하는 투명 도전막이 되기 어렵고, 균일한 반결정성의 투명 도전막을 얻기 쉬우므로, 우수한 펜 접동 내구성 및 유연성을 겸비하는 투명 도전성 필름을 적합하게 얻는 것이 가능해진다.
스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비에 대하여, 성막 개시 시부터 성막 종료 시까지의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하는 방법으로서, 예를 들어 이하의 [1], [2], [3]이 바람직하게 채용될 수 있다.
[1] 성막 분위기 중에 매스 플로우 컨트롤러로 물을 도입하고, 가스 분석 장치에서 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 연속적으로 관측하고, 수분압의 관측 결과를 매스 플로우 컨트롤러로 피드백하고, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하는 것이 바람직하게 채용될 수 있다.
[2] 성막 분위기 중에 매스 플로우 컨트롤러로 수소 원자 함유 가스(수소, 암모니아, 수소+아르곤 혼합 가스 등, 수소 원자가 포함되어 있는 가스라면 특별히 한정되지 않음)를 도입하고, 가스 분석 장치에서 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 연속적으로 관측하고, 수분압의 관측 결과를 매스 플로우 컨트롤러로 피드백하고, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하는 것이 바람직하게 채용될 수 있다. 스퍼터링 시의 성막 분위기 중에서, 수소 원자 함유 가스는 분리하여, 성막 분위기 중의 산소 등과 결합하여 물이 된다. 그로 인해, 수소 원자 함유 가스의 첨가는 물 첨가와 동등한 효과가 있다.
[3] 가스 분석 장치에서 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 항상 관측하고, 수분압의 관측 결과를 투명 플라스틱 필름에 접촉하고 있는 센터 롤의 온도로 피드백하고, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하는 것이 바람직하다. 투명 플라스틱 필름에는 물이 포함되어 있기 때문에, 투명 플라스틱 필름에 가하는 온도를 바꿈으로써, 투명 플라스틱 필름으로부터의 방출되는 수분량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 높게 하고 싶은 경우에는, 투명 플라스틱 필름에 접촉하고 있는 센터 롤의 온도를 높게 높이면 된다. 반대로, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 낮게 하고 싶은 경우에는, 투명 플라스틱 필름에 접촉하고 있는 센터 롤의 온도를 낮추면 된다. 투명 플라스틱 필름에 접촉하고 있는 센터 롤의 온도를 제어하고 있는 온도 조절기의 열매체의 온도로 대용한다. 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 제어하기 위해서는, 온도에 대한 응답 속도가 빠른 온도 조절기를 사용하는 것이 바람직하다.
스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비에 대한 성막 개시 시부터 성막 종료 시까지의 최댓값과 최솟값의 차가 2.0×10-4 이하가 되도록 정밀 제어하는 방법으로서, 상기의 [1], [2], [3]이 바람직한 이유를 이하에 나타낸다.
투명 도전성 필름을 높은 생산성으로 제조하기 위해서는, 필름 롤을 공급하고, 성막 후, 필름 롤의 형상으로 감아 올리는, 소위 롤식 스퍼터링 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 생산성을 향상시키기 위해, 롤식 스퍼터링 장치에 투명 플라스틱 필름의 긴 필름 롤을 세트한다. 스퍼터링법으로 투명 도전막을 성막하는 공정에 있어서, 장치 내부를 대략 진공 상태로 할 때에, 필름 롤의 외층 부분은 물이 빠지기 쉽지만, 롤의 내층 부분은 물이 빠지기 어렵다. 스퍼터링 개시 직후에는 필름 롤의 외층 부분으로부터 조출되고, 조출된 필름으로부터 방출되는 물이 적기 때문에, 성막 분위기 중의 물의 방출량이 적다. 스퍼터링을 계속해 가면, 필름 롤로부터 필름이 외층으로부터 내층으로 순차 연속적으로 조출되어 주행하고, 물을 많이 포함하는 필름 롤의 내층 부분이 조출되어 오기 때문에, 성막 분위기 중의 수분량이 증가한다. 또한, 필름은 길이 방향에서 포함되는 수분량이 다른 경우도 많다. 안정적으로 투명 도전막을 반결정성으로 하기 위해서는, 성막 분위기 중의 수분량이 시시각각 변화되어 가므로, 상시 수분량을 감시하고, 수분량의 변화를 찰지하면, 신속하게 응답하여 목적의 수분량으로 조절하는 것이 바람직하다. 상기의 [1]과 [2]는 매스 플로우 컨트롤러를 사용하고 있기 때문에, 수분량의 변화를 찰지 후, 신속하게 응답하여 목적의 수분량으로 조절하는 것이 가능하다. 상기의 [3]은 온도에 대한 응답 속도가 빠른 온도 조절기를 사용하기 때문에, 수분량의 변화를 찰지 후, 신속하게 응답하여 목적의 수분량으로 조절하는 것이 가능하다.
투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 결정성의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막을 성막하는 방법에 있어서, 스퍼터링 시의 필름 온도를 80℃ 이하로 하여 투명 플라스틱 필름 위에 투명 도전막을 성막하는 것이 바람직하다. 80℃ 이하이면, 필름으로부터의 물, 유기 가스 등의 불순물 가스가 대량으로 발생하는 것을 방지할 수 있고, 필름이 센터 롤에 대하여 미끄러지는 문제가 발생할 우려가 없어 바람직하다.
투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 결정성의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막을 성막하는 방법에 있어서, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값(성막 개시 시부터 성막 종료 시의 최댓값과 최솟값의 정확히 중간의 값)은 4.0×10-4 내지 3.0×10-3인 것이 바람직하다. 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값이 4.0×10-4 이상이면, 투명 도전막의 결정성이 지나치게 높아지는 경우가 없고, 유연성이 유지되어 바람직하다. 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값이 3.0×10-3 이하이면, 투명 도전막의 결정성이 지나치게 낮아지지 않고, 펜 접동 내구성이 유지되어 바람직하다. 단, 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값은 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막 중의 산화주석의 첨가량이나, 투명 도전막의 두께에도 의존한다. 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막 중의 산화주석의 첨가량이 많은 경우나 투명 도전막이 얇은 경우는, 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값을 상기한 범위 중에서 낮게 설정하는 것이 바람직하다. 반대로, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막 중의 산화주석의 첨가량이 적은 경우나 투명 도전막이 두꺼운 경우는, 불활성 가스에 대한 수분압의 비의 중심값을 상기한 범위 중에서 높게 설정하는 것이 바람직하다.
투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 결정성의 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막을 성막하는 방법에 있어서, 스퍼터링 시에 산소 가스를 도입하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 시에 산소 가스를 도입하면, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 산소 결핍에 의한 문제가 없고, 투명 도전성 필름의 표면 저항은 낮고, 전체 광선 투과율은 높아져 바람직하다. 그로 인해, 투명 도전성 필름의 표면 저항 및 전체 광선 투과율을 실용적인 수준으로 하기 위해, 스퍼터링 시에 산소 가스를 도입하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 투명 도전성 필름의 전체 광선 투과율은 70 내지 95%가 바람직하다.
본 발명의 투명 도전성 필름은 투명 플라스틱 필름 기재 위에 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 성막 적층된 후, 산소를 포함하는 분위기 하에서, 80 내지 200℃, 0.1 내지 12시간 가열 처리가 실시되어 이루어지는 것이 바람직하다. 80℃ 이상이면 반결정 상태로 하기 때문에 결정성을 약간 높이는 처치가 용이하고, 펜 접동 내구성이 향상되어 바람직하다. 200℃ 이하이면, 투명 플라스틱 필름의 평면성이 확보되어 바람직하다.
<투명 플라스틱 필름 기재>
본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름 기재란, 유기 고분자를 필름상으로 용융 압출 또는 용액 압출을 하고, 필요에 따라, 길이 방향 및/또는 폭 방향으로 연신, 냉각, 열 고정을 실시한 필름이고, 유기 고분자로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 나일론6, 나일론4, 나일론66, 나일론12, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카르보네이트, 폴리아릴레이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌술피드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리스티렌, 신디오택틱폴리스티렌, 노르보르넨계 중합체 등을 들 수 있다.
이들의 유기 고분자 중에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 신디오택틱폴리스티렌, 노르보르넨계 중합체, 폴리카르보네이트, 폴리아릴레이트 등이 적합하다. 또한, 이들의 유기 고분자는 다른 유기 중합체의 단량체를 소량 공중합하거나, 다른 유기 고분자를 블렌드해도 된다.
본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름 기재의 두께는 10 내지 300㎛의 범위인 것이 바람직하고, 70 내지 260㎛의 범위가 특히 바람직하다. 플라스틱 필름의 두께가 10㎛ 이상이면, 기계적 강도가 유지되고, 특히 터치 패널에 사용했을 때의 펜 입력에 대한 변형이 작고, 내구성의 관점에서 바람직하다. 한편, 두께가 300㎛ 이하이면, 터치 패널에 사용했을 때에, 펜 입력으로 위치시키기 위한 하중을 특별히 크게 할 필요가 없어 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 투명 플라스틱 필름 기재는 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서, 상기 필름을 코로나 방전 처리, 글로우 방전 처리, 화염 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 오존 처리 등의 표면 활성화 처리를 실시해도 된다.
투명 플라스틱 필름 기재에 경화형 수지층을 도포하고, 또한 그 경화형 수지층의 표면을 요철로 한 후에 투명 도전막을 성막하면, 펜 접동 내구성의 향상 효과를 기대할 수 있다. 이 효과는 주로 2점 있다. 1점째는 투명 도전성 박막과 경화형 수지층의 부착력이 증가함으로써, 펜 접동에 의한 투명 도전막의 박리의 방지를 할 수 있기 때문에 펜 접동 내구성이 향상된다는 점이다. 2점째는 펜 접동에 의해 투명 도전 박막이 유리와 접촉할 때의 실제의 접촉 면적이 감소하고, 유리면과 투명 도전막의 미끄럼성이 양호해지기 때문에 펜 접동 내구성이 향상된다는 점이다. 경화형 수지층의 상세에 대하여 이하에 기재한다.
<경화형 수지층>
또한, 본 발명에서 바람직하게 사용되는 상기 경화형 수지로서는, 가열, 자외선 조사, 전자선 조사 등의 에너지 인가에 의해 경화되는 수지라면 특별히 제한은 없고, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 생산성의 관점에서는, 자외선 경화형 수지를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같은 자외선 경화형 수지로서는, 예를 들어 다가 알코올의 아크릴산 또는 메타크릴산에스테르와 같은 다관능성의 아크릴레이트 수지, 디이소시아네이트, 다가 알코올 및 아크릴산 또는 메타크릴산의 히드록시알킬에스테르 등으로부터 합성되는 다관능성의 우레탄아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 필요에 따라, 이들의 다관능성의 수지에 단관능성의 단량체, 예를 들어 비닐피롤리돈, 메틸메타크릴레이트, 스티렌 등을 더하여 공중합시킬 수 있다.
또한, 투명 도전성 박막과 경화형 수지층의 부착력을 향상시키기 위해, 경화형 수지층의 표면을 이하에 기재하는 방법으로 처리하는 것이 유효하다. 구체적인 방법으로서는, 카르보닐기, 카르복실기, 수산기를 증가시키기 위해 글로우 또는 코로나 방전을 조사하는 방전 처리법, 아미노기, 수산기, 카르보닐기 등의 극성기를 증가시키기 위해 산 또는 알칼리로 처리하는 화학 약품 처리법 등을 들 수 있다.
자외선 경화형 수지는, 통상, 광중합 개시제를 첨가하여 사용된다. 광중합 개시제로서는, 자외선을 흡수하여 라디칼을 발생하는 공지의 화합물을 특별히 제한없이 사용할 수 있고, 이와 같은 광중합 개시제로서는, 예를 들어 각종 벤조인류, 페닐케톤류, 벤조페논류 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 첨가량은 자외선 경화형 수지 100질량부당 통상 1 내지 5질량부로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서 경화형 수지층에는 주된 구성 성분인 경화형 수지 외에, 경화형 수지에 비상용의 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 매트릭스의 경화형 수지에 비상용의 수지를 소량 병용함으로써, 경화형 수지 중에서 상분리가 일어나 비상용 수지를 입자상으로 분산시킬 수 있다. 이 비상용 수지의 분산 입자에 의해, 경화형 수지 표면에 요철을 형성시켜, 광영역에 있어서의 표면 조도를 향상시킬 수 있다.
경화형 수지가 상기한 자외선 경화형 수지인 경우, 비상용 수지로서는 폴리에스테르 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리아미드 수지 등이 예시된다.
본 발명에 있어서, 경화형 수지층의 주된 구성 성분인 경화형 수지로서 자외선 경화형 수지를 사용하고, 경화형 수지에 비상용의 고분자 수지로서 고분자량의 폴리에스테르 수지를 사용하는 경우, 그것들의 배합 비율은 자외선 경화형 수지 100질량부당 폴리에스테르 수지 0.1 내지 20질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 10질량부, 특히 바람직하게는 0.5 내지 5질량부이다.
상기 폴리에스테르 수지의 배합량이 자외선 경화형 수지 100질량부당 0.1질량부 이상이면, 경화형 수지층 표면에 형성되는 볼록부가 지나치게 작지 않아, 효과적으로 표면 조도를 부여할 수 있고, 펜 접동 내구성의 가일층의 개량 효과가 얻어져 바람직하다. 한편, 상기 폴리에스테르 수지의 배합량이 자외선 경화형 수지 100질량부당 20질량부 이하이면, 이 경화형 수지층의 강도가 유지되는 것 외에, 내약품성도 유지되어 바람직하다.
그러나, 폴리에스테르 수지는 자외선 경화형 수지와 굴절률에 차이가 있기 때문에, 경화형 수지층의 헤이즈값이 상승하여 투명성이 저하되는 경향이 있으므로 그다지 바람직하지 않은 경우도 있다. 반대로, 고분자량의 폴리에스테르 수지의 분산 입자에 의한 투명성의 악화를 적극적으로 이용하여, 헤이즈값이 높고 방현 기능을 갖는 방현 필름으로서 바람직하게 사용될 수도 있다.
상기한 자외선 경화형 수지, 광중합 개시제 및 고분자량의 폴리에스테르 수지는 각각에 공통의 용제에 용해하여 도포액을 제조한다. 사용하는 용제에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 에틸알코올, 이소프로필알코올 등과 같은 알코올계 용제, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등과 같은 에스테르계 용제, 디부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등과 같은 에테르계 용제, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등과 같은 케톤계 용제, 톨루엔, 크실렌, 솔벤트나프타 등과 같은 방향족 탄화수소계 용제 등을 단독으로, 혹은 혼합하여 사용할 수 있다.
도포액 중의 수지 성분의 농도는 코팅법에 따른 점도 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다. 예를 들어, 도포액 중에 자외선 경화형 수지, 광중합 개시제 및 고분자량의 폴리에스테르 수지의 합계량이 차지하는 비율은, 통상은 20 내지 80질량%이다. 또한, 이 도포액에는 필요에 따라, 그 밖의 공지의 첨가제, 예를 들어 실리콘계 레벨링제 등을 첨가해도 된다.
본 발명에 있어서, 제조된 도포액은 투명 플라스틱 필름 기재 위에 코팅된다. 코팅법에는 특별히 제한은 없고, 바 코트법, 그라비아 코트법, 리버스 코트법 등의 종래부터 알려져 있는 방법을 사용할 수 있다.
코팅된 도포액은 다음의 건조 공정에서 용제가 증발 제거된다. 이 공정에서, 도포액 중에서 균일하게 용해되어 있던 고분자량의 폴리에스테르 수지는 미립자가 되어 자외선 경화형 수지 중에 석출된다. 도막을 건조한 후, 플라스틱 필름에 자외선을 조사함으로써, 자외선 경화형 수지가 가교ㆍ경화되어 경화형 수지층을 형성한다. 이 경화의 공정에서, 고분자량의 폴리에스테르 수지의 미립자는 하드 코트층 중에 고정됨과 함께, 경화형 수지층의 표면에 돌기를 형성하여 광영역에 있어서의 표면 조도를 향상시킨다.
또한, 경화형 수지층의 두께는 0.1 내지 15㎛의 범위인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 0.5 내지 10㎛의 범위이고, 특히 바람직하게는 1 내지 8㎛의 범위이다. 경화형 수지층의 두께가 0.1㎛ 이상인 경우에는, 충분한 돌기가 형성되어 바람직하다. 한편, 15㎛ 이하이면, 생산성이 양호해 바람직하다.
실시예
이하에 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예에 있어서의 각종 측정 평가는 하기의 방법에 의해 행하였다.
(1) 전체 광선 투과율
JIS-K7136에 준거하여, 닛폰 덴쇼쿠 고교(주)제 NDH-2000을 사용하여, 전체 광선 투과율을 측정했다.
(2) 표면 저항값
JIS-K7194에 준거하여, 4단자법으로 측정했다. 측정기는 (주)미츠비시 가가쿠 어널리테크제 Loresta AX MCP-T370을 사용했다.
(3) (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값
본 발명의 투명 도전막은 집중법 광학계에서는 (222)면의 회절 피크를 관측하는 것이 곤란하기 때문에, 시료 표면에 대하여 X선을 매우 얕은 각도로 입사하여 침입 깊이를 제한함으로써 투명 플라스틱 필름의 영향을 가능한 한 억제한 박막법의 측정법을 사용했다.
X선 회절 장치는 Rigaku제 박막 평가용 시료 수평형 X선 회절 장치 Smart Lab을 사용하여 측정했다. 다층막 미러를 사용한 평행 빔 광학계를 사용하고, 광원에는 CuKα선(파장: 1.54186Å)을 40㎸, 30㎃의 출력으로 사용했다. 입사측 슬릿계는 솔러 슬릿 5.0°, 입사 슬릿 0.2㎜, 길이 제어 슬릿 10㎜를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패러렐 슬릿 애널라이저(PSA) 0.114deg를 사용했다. 시료는 한 변이 20㎜인 사각형으로 하여 스테이지에 양면 테이프로 고정하거나 또는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여 흡착 고정해도 된다. X선의 입사각 0.25°로 하고, 아웃 오브 플랜 방향으로 신틸레이션 카운터 검출기를 주사하고, 스텝 간격 0.02°, 측정 스피드 2.0°/min으로 측정했다. ITO막의 (222)면으로부터의 회절선은 CuKα선을 사용하는 경우, 약 30.5°(2θ)의 위치에 피크로서 나타난다. Sonneveld-Visser법(Sonneveld, E.J. & Visser, J.W., J.Appl.Cryst. 8, 1(1975))에 의해 백그라운드 제거 처리를 행하여, (222)면의 회절 피크의 적분 강도를 산출했다. 상기한 적분 강도를, 투명 도전막의 두께로 나눈 값을, (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값으로 한다. 투명 도전막의 두께는 하기 「(5) 투명 도전막의 두께(막 두께)」에 기재한 방법으로 얻었다.
(4) 결정립 직경
투명 도전성 박막층을 적층한 필름 시료편을 1㎜×10㎜의 크기로 잘라내고, 도전성 박막면을 외향으로 하여 적당한 수지 블록의 상면에 부착했다. 이것을 트리밍한 후, 일반적인 울트라 마이크로톰의 기법에 의해 필름 표면에 거의 평행한 초박 절편을 제작했다.
이 절편을 투과형 전자 현미경(JEOL사제, JEM-2010)으로 관찰하여 현저한 손상이 없는 도전성 박막 표면 부분을 선택하고, 가속 전압 200㎸, 직접 배율 40000배로 사진 촬영을 행하였다.
투과형 전자 현미경 하에서 관찰되는 결정립에 있어서, 모든 결정립의 최장부를 측정하고, 그것들의 측정값의 평균값을 결정립 직경으로 한다. 여기서, 도 1 내지 도 4에 결정립의 최장부의 측정 시에 있어서의 최장부의 인정 방법에 관한 예를 나타낸다. 즉, 각 결정립의 입경을 가장 크게 측정할 수 있는 직선의 길이에 의해 최장부를 인정하고 있다.
(5) 투명 도전막의 두께(막 두께)
투명 도전성 박막층을 적층한 필름 시료편을 1㎜×10㎜의 크기로 잘라내고, 전자 현미경용 에폭시 수지에 포매했다. 이것을 울트라 마이크로톰의 시료 홀더에 고정하고, 포매한 시료편의 짧은 변에 평행한 단면 박 절편을 제작했다. 계속해서, 이 절편의 박막의 현저한 손상이 없는 부위에 있어서, 투과형 전자 현미경(JEOL사제, JEM-2010)을 사용하고, 가속 전압 200㎸, 명시야에서 관찰 배율 1만배로 사진 촬영을 행하여 얻어진 사진으로부터 막 두께를 구했다.
(6) 펜 접동 내구성 시험
투명 도전성 필름을 한쪽의 패널판으로서 사용하고, 다른 쪽의 패널판으로서, 유리 기판 위에 플라즈마 CVD법으로 두께가 20㎚인 인듐-주석 복합 산화물 박막(산화주석 함유량: 10질량%)을 포함하는 투명 도전성 박막(닛폰 소다사제, S500)을 사용했다. 이 2매의 패널판을 투명 도전성 박막이 대향하도록, 직경 30㎛의 에폭시 비즈를 통해 배치하여 터치 패널을 제작했다. 이어서 폴리아세탈제의 펜(선단의 형상: 0.8㎜R)에 2.5N의 하중을 가하고, 15만 왕복의 직선 접동 시험을 터치 패널에 행하였다. 이때의 접동 거리는 30㎜, 접동 속도는 180㎜/초로 했다. 이 접동 내구성 시험 후에, 먼저, 접동부가 백화되어 있는지를 눈으로 관찰했다. 또한, 펜 하중 0.8N으로 접동부를 눌렀을 때의, ON 저항(가동 전극(필름 전극)과 고정 전극이 접촉했을 때의 저항값)을 측정했다. ON 저항은 10㏀ 이하인 것이 바람직하다.
(7) 유연성 시험
투명 도전성 필름을 20㎜×80㎜의 직사각형으로 커트한다. 이어서, 직사각형의 짧은 변을 테스터로 연결하여 저항값을 관측한다. 투명 도전막을 외측으로 하여, 투명 도전성 필름을 구부려 가고, 테스터의 저항값이 증가하기 시작했을 때의 투명 도전성 필름의 굽힘 직경을 기록한다. 굽힘 직경은 15.5㎜ 이하가 바람직하다.
(8) 투명 도전막 중에 포함되는 산화주석의 함유율의 측정
시료를 잘라내어(약 15㎠) 석영제 삼각 플라스크에 넣고, 6mol/l 염산 20ml를 더하고, 산의 휘발이 없도록 필름 시일을 했다. 실온에서 때때로 요동시키면서 9일간 방치하여, ITO층을 용해시켰다. 남은 필름을 취출하고, ITO층이 용해된 염산을 측정액으로 했다. 용해액 중의 In, Sn은 ICP 발광 분석 장치(메이커명; 리가쿠, 장치 형식; CIROS-120 EOP)를 사용하여, 검량선법에 의해 구했다. 각 원소의 측정 파장은 간섭이 없는, 감도가 높은 파장을 선택했다. 또한, 표준 용액은 시판의 In, Sn의 표준 용액을 희석하여 사용했다.
실시예, 비교예에 있어서 사용한 투명 플라스틱 필름 기재는 양면에 접착 용이층을 갖는 2축 배향 투명 PET 필름(도요보사제, A4340, 두께 188㎛)이다. 경화형 수지층으로서, 광중합 개시제 함유 아크릴계 수지(다이니치 세이카 고교사제, 세이카 빔(등록 상표) EXF-01J) 100질량부에, 공중합 폴리에스테르 수지(도요보사제, 바이런 200, 중량 평균 분자량 18,000)를 3질량부 배합하고, 용제로서 톨루엔/MEK(8/2:질량비)의 혼합 용매를, 고형분 농도가 50질량%가 되도록 더하고, 교반하여 균일하게 용해하여 도포액을 제조했다(이 도포액을 이하 도포액 A라고 칭함). 도막의 두께가 5㎛가 되도록, 제조한 도포액을 메이어 바를 사용하여 도포했다. 80℃에서 1분간 건조를 행한 후, 자외선 조사 장치(아이그라픽스사제, UB042-5AM-W형)를 사용하여 자외선을 조사(광량: 300mJ/㎠)하고, 도막을 경화시켰다.
(실시예 1 내지 9)
각 실시예 수준은 표 1에 나타낸 조건 하에서, 이하와 같이 실시했다.
진공조에 필름을 투입하고, 1.5×10-4㎩까지 진공화를 했다. 이어서, 산소 도입 후에 불활성 가스로서 아르곤을 도입하여 전압을 0.5㎩로 했다.
인듐-주석 복합 산화물의 소결 타깃, 혹은 산화주석을 포함하지 않는 산화인듐 소결 타깃에 2W/㎠의 전력 밀도로 전력을 투입하고, DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 투명 도전막을 성막했다. 막 두께에 대해서는 필름이 타깃 위를 통과할 때의 속도를 바꾸어 제어했다. 또한, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비에 대해서는, 가스 분석 장치(인피콘사제, 트랜스펙터 XPR3)를 사용하여 측정했다. 각 실시예 수준에 있어서, 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비를 조절하기 위해, 표 1에 기재된 바와 같이, 물 또는 수소 원자 함유 가스의 도입량이나, 필름이 접촉 주행하고 있는 센터 롤의 온도를 제어하는 온도 조절기의 열매체의 온도를 조절했다. 상기의 스퍼터링 시의 성막 분위기의 불활성 가스에 대한 수분압의 비에 대한 성막 개시 시부터 성막 종료 시까지의 변화를 작게 정밀 제어하기 위한 상기 [3]의 방법을 채용하는 실시예 수준에 있어서는, 온도 조절기의 온도는 가변으로 제어되어 있고, 성막 개시 시부터 성막 종료 시까지의 온도의 최댓값과 최솟값의 정확히 가운데에 해당하는 온도를 중심값으로 하여 표 1에 기재했다.
투명 도전막을 성막 적층한 필름은 표 1에 기재된 열처리를 한 후, 측정을 실시했다. 측정 결과를 표 1에 나타냈다.
(비교예 1 내지 7)
표 1에 기재된 조건에서 실시예 1과 마찬가지로 투명 도전성 필름을 제작하여 평가했다. 결과를 표 1에 나타냈다.
Figure 112017105386847-pct00007
표 1에 기재된 바와 같이, 실시예 1 내지 9에 기재된 투명 도전성 필름은 펜 접동 내구성 및 유연성이 우수하고, 양 특성을 겸비하고 있다. 그러나, 비교예 1 내지 7은 펜 접동 내구성 및 유연성을 양립할 수 없다.
상기와 같이, 본 발명에 따르면, 펜 접동 내구성 및 유연성이 우수한 투명 도전성 필름을 제작할 수 있고, 이것은 저항막식 터치 패널 등의 용도에 매우 유용하다.
1 : 필름
2 : 센터 롤
3 : 침니
4 : 인듐-주석 복합 산화물의 타깃

Claims (4)

  1. 투명 플라스틱 필름 기재 위의 적어도 한쪽 면에 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 적층된 투명 도전성 필름이며, X선 회절 측정법에 의해 투명 도전막의 결정에 기인한 (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값이 4 내지 25cpsㆍ°/㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
    [여기서, (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값은, 이하의 측정법을 사용함: X선 회절 장치는 Rigaku제 박막 평가용 시료 수평형 X선 회절 장치 Smart Lab을 사용하여 측정함. 다층막 미러를 사용한 평행 빔 광학계를 사용하고, 광원에는 CuKα선(파장: 1.54186Å)을 40㎸, 30㎃의 출력으로 사용함. 입사측 슬릿계는 솔러 슬릿 5.0°, 입사 슬릿 0.2㎜, 길이 제어 슬릿 10㎜를 사용하고, 수광측 슬릿에는 패러렐 슬릿 애널라이저(PSA) 0.114deg를 사용함. 시료는 한 변이 20㎜인 사각형으로 하여 스테이지에 양면 테이프로 고정하거나 또는 다공질 흡착 시료 홀더를 사용하여 흡착 고정함. X선의 입사각 0.25°로 하고, 아웃 오브 플랜 방향으로 신틸레이션 카운터 검출기를 주사하고, 스텝 간격 0.02°, 측정 스피드 2.0°/min으로 측정함. ITO막의 (222)면으로부터의 회절선은 CuKα선을 사용하는 경우, 30.5°(2θ)의 위치에 피크로서 나타남. Sonneveld-Visser법에 의해 백그라운드 제거 처리를 행하여, (222)면의 회절 피크의 적분 강도를 산출함. 상기한 적분 강도를, 투명 도전막의 두께로 나눈 값을, (222)면의 회절 피크의 적분 강도 규격화값으로 함.]
  2. 제1항에 있어서, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막의 결정립 직경이 10 내지 1000㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 인듐-주석 복합 산화물의 투명 도전막이 산화주석을 0.5 내지 10질량% 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 투명 도전막의 두께가 10 내지 30㎚인 투명 도전성 필름.
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