TW202213056A - 透明導電性薄膜 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供具有用於觸控面板之際的輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性及優異的筆滑動耐久性的透明導電性薄膜。 [解決手段]一種透明導電性薄膜，係在透明塑膠薄膜基材上的至少一面側積層有銦-錫複合氧化物的透明導電膜的透明導電性薄膜，其基於輸入荷重試驗的透明導電薄膜的輸入開始荷重為3g以上15g以下，另外，基於筆輸入穩定性試驗的透明導電性薄膜的電壓損失時間為0.00毫秒以上0.40毫秒以下。

Description

透明導電性薄膜
本發明係關於在透明塑膠薄膜基材上積層有銦-錫複合氧化物的透明導電膜的透明導電性薄膜，特別是具有用於電阻膜式觸控面板之際的輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性、及優異的筆滑動耐久性的透明導電性薄膜的發明。
在透明塑膠基材上積層有透明且電阻小的薄膜的透明導電性薄膜，係廣泛用於利用其導電性的用途上，例如，作為液晶顯示器、電致發光(EL)顯示器等之類的平面顯示器、觸控面板的透明電極等而廣泛用於電器‧電子領域的用途上。
電阻膜式觸控面板，係組合了將透明導電性薄膜塗布(coating)在玻璃、塑膠的基板的固定電極，和在塑膠薄膜塗布透明導電性薄膜的可動電極(=薄膜電極)者，予以重疊在顯示體的上側來使用。用手指、筆按壓薄膜電極以使固定電極和薄膜電極的透明導電性薄膜彼此接觸，成為供辨識觸控面板的位置用的輸入。特別是在用筆進行輸入之際，要求筆滑動耐久性。 此外，近年來靜電容量式觸控面板逐漸普及，因此在電阻膜式觸控面板方面也與靜電容量式觸控面板一樣，也要求：即使輕觸也能夠進行輸入。例如，考慮強烈要求：對於因年齡、生病、其他理由而用手指按壓的力量弱的人、筆壓弱的人，即使輕觸也能夠進行輸入。此外，對於觸控面板，也要求：在從用筆等碰觸到離開的期間內，對觸控面板的輸入穩定(=定義為「筆輸入穩定性」)。 但是，在電阻膜式觸控面板方面，為了要用手指、筆等按壓薄膜電極以使固定電極和薄膜電極的透明導電性薄膜彼此接觸，便需要某種程度的輸入荷重，因此沒有如靜電容量式觸控面板的輕快的操作感。此外，筆輸入穩定性優異的透明導電性薄膜的特性也不明確。為了解決這些問題，期盼具有輕快的操作性和具有優異的筆輸入穩定性的透明導電性薄膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-071171號公報
[發明欲解決之課題]
專利文獻1所示的現有的透明導電性薄膜，係藉由控制銦-錫複合氧化物的結晶性來嘗試提高筆滑動耐久性。但是，現有的透明導電性薄膜，若實施後述的輸入荷重試驗及筆輸入穩定性試驗，則無法兼顧操作性和筆輸入穩定性。 另外，在觸控面板等的用途上，要求快速書寫性，例如，減少會在連續輸入文字之際發生的文字模糊。
本發明的目的在於有鑑於上述的現有問題點，而提供具有輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性及優異的筆滑動耐久性的透明導電性薄膜。 另外，本發明的目的在於提供快速書寫性，例如，能夠減少會在連續輸入文字之際發生的文字模糊的透明導電性薄膜。 [用以解決課題之手段]
本發明係有鑑於如上所述的狀況所完成的發明，能夠解決上述課題的本發明的透明導電性薄膜係由以下的構成所構成。 1.一種透明導電性薄膜，係在透明塑膠薄膜基材上的至少一面側積層有銦-錫複合氧化物的透明導電膜的透明導電性薄膜， 其基於以下的輸入荷重試驗的透明導電薄膜的輸入開始荷重為3g以上15g以下，另外，基於以下的筆輸入穩定性試驗的透明導電性薄膜的電壓損失時間為0.00毫秒以上0.40毫秒以下。 (輸入荷重試驗方法) 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板。 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀。 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)。 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層。 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出。 接著，將ITO玻璃和透明導電性薄膜以測試機(tester)連結。 接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)陸續施加荷重，將以測試機所測量的電阻值穩定時的荷重值設為輸入開始荷重。 用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域，算出3點的輸入開始荷重的平均值。 (筆輸入穩定性試驗方法) 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板。 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀。 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)。 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層。 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出。 接著，將定電壓電源連接至ITO玻璃和透明導電性薄膜。接著，連接能夠測量ITO玻璃和透明導電性薄膜的電壓的記錄器。此處，記錄器係為了觀測電壓的時間變化而使用。接著，向定電壓電源施加6V，用記錄器以0.02毫秒單位開始測量電壓。接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)以1秒鐘5次的步調(pace)施加50g的荷重。用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域。從記錄器取出用筆對透明導電性薄膜施加荷重時的電壓的時間變化的資料。由於在筆開始離開透明導電性薄膜時電壓減少，因此以電壓從6V開始減少時為起點，測定到電壓成為5V為止的時間，記錄為電壓損失時間。 2.如上述的透明導電性薄膜，其中下述的薄膜剛軟度試驗的剛軟度為0.23N‧cm以上0.90N‧cm以下，另外，透明導電性薄膜的導電面的下述的平均最大山高滿足下述式(2-1)及式(2-2)，另外，以下述的接觸面積率評價所算出的值滿足式(2-3)。 (薄膜剛軟度試驗方法) 從透明導電性薄膜採取20mm×250mm的試驗片，使透明導電層朝上地將試驗片配置於表面平滑的水平台上。此時，試驗片係僅20mm×20mm的部分放置於水平台上，20mm×230mm則以露出在水平台之外的方式放置。此外，在試驗片的20mm×20mm的部分上放置砝碼。此時，以在試驗片與水平台之間沒有形成間隙的方式選擇砝碼的重量、尺寸。 接著，利用刻度尺(scale)讀取水平台的高度和薄膜的前端的高度的差(以下記為δ)。接著，將數值代入以下的式(1)算出剛軟度。 式(1) (g×a×b×L 4)÷8δ  (N‧cm) g=重力加速度，a=試驗片的短邊的長度，b=試驗片的比重，L=試驗片的長度，δ=水平台的高度和薄膜的前端的高度的差 (平均最大山高評價) 平均最大山高為5點的最大山高的平均。5點的選法係首先選擇任意一點A。接著，在相對於A、薄膜的長度(MD)方向的上下游1cm處各選擇1點，合計2點。接著，在相對於A、薄膜的寬度(TD)方向的左右1cm處各選擇1點，合計2點。最大山高係ISO 25178中所規定者，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，求出最大山高。此外，小於1nm的值係採四捨五入簡化。 (接觸面積率評價) 針對透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡50倍))，在測定長度100μm～200μm的範圍內，按照JIS B 0601-2001測定算術平均粗糙度Ra。但是，以滿足「Rp-平均高度-Ra≦0.20μm」和「(Rp-平均高度)÷Ra≦5.0」中的任一者或兩者，另外，滿足Rsm≦30μm的方式測定Ra。此處，Rp、Rsm係按照JIS B 0601-2001測定。平均高度係測定長度中的高度的平均值。在沒有滿足前述條件的情況下，在不同的點進行再測定。接著，針對相同的透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，進一步使用同測定裝置所具有的粒子解析，以「Ra-15nm-平均高度」為臨界值(threshold value)求出截面積的總和。接觸面積率係設為如下的值：將使截面積的總和除以測定視野的面積所得到的值乘以100的值。 式(2-1)  平均最大山高(μm)≧4.7×剛軟度-1.8 式(2-2)  0.005(μm)≦平均最大山高(μm)≦12.000(μm) 式(2-3)  接觸面積率(%)≧32.6×剛軟度+17.2 3.如上述的透明導電性薄膜，其中前述平均最大山高評價中的最大山高的最大值係前述平均最大山高的超過1.0倍且1.4倍以下，且 前述平均最大山高評價中的最大山高的最小值係前述平均最大山高的0.6倍以上1.0倍以下。 4.如上述的透明導電性薄膜，其中透明導電膜的厚度為10～100nm。 5.如上述的透明導電性薄膜，其中透明導電膜中所含的氧化錫的濃度為0.5～40質量%。 6.如上述的透明導電性薄膜，其中在透明導電膜與透明塑膠薄膜基材之間具有硬化型樹脂層， 進一步在透明塑膠基材的與前述透明導電膜為相反的側，具有功能層。 7.如上述的透明導電性薄膜，其中在透明塑膠薄膜基材的至少一側，具有易接著層。 8.如上述的透明導電性薄膜，其中易接著層係配置在透明塑膠薄膜基材與硬化型樹脂層之間、或透明塑膠基材與功能層之間中的至少一個位置。 9.如上述的透明導電性薄膜，其中基於下述的筆滑動耐久性試驗的透明導電薄膜的透明導電膜的ON電阻為10kΩ以下。 (筆滑動耐久性試驗) 將透明導電性薄膜用作一側的面板板，將在玻璃基板上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜用作另一側的面板板。以透明導電性薄膜面對面的方式，隔著直徑30μm的環氧珠配置這2片面板板而製作觸控面板。接著，對聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)施加2.5N的荷重，對觸控面板進行5萬次來回的直線滑動試驗。此時的滑動距離設為30mm，滑動速度設為180mm/秒。在此滑動耐久性試驗後，測定用0.8N的筆荷重按壓滑動部之際的ON電阻(可動電極(薄膜電極)和固定電極接觸時的電阻值)。 10.如上述的透明導電性薄膜，其中在透明導電膜的表面上的根據JIS K5600-5-6：1999的附著性試驗中，透明導電膜的殘留面積率為95%以上。 [發明之效果]
若根據本發明的話，便可以提供具有輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性、優異的筆滑動耐久性的透明導電性薄膜。另外，還具有快速書寫性，例如，能夠減少會在連續輸入文字之際發生的文字模糊。
[用以實施發明的形態]
本發明的透明導電性薄膜係在透明塑膠薄膜基材上的至少一面側積層有銦-錫複合氧化物的透明導電膜的透明導電性薄膜，其基於以下的輸入荷重試驗的透明導電薄膜的輸入開始荷重為3g以上15g以下，另外，基於以下的筆輸入穩定性試驗的透明導電性薄膜的電壓損失時間為0.00毫秒以上0.40毫秒以下。 (輸入荷重試驗方法) 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板。 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀。 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)。 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層。 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出。 接著，將ITO玻璃和透明導電性薄膜以測試機連結。 接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)陸續施加荷重，將以測試機所測量的電阻值穩定時的荷重值設為輸入開始荷重。 用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域，算出3點的輸入開始荷重的平均值。 例如，輸入開始荷重較佳為測定離雙面膠帶50mm以上的任意3點而取平均值。此外，小數點可以四捨五入。 此外，用筆施加荷重的位置係如圖6所示，為4個點狀間隙物的中心區域。 (筆輸入穩定性試驗方法) 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板。 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀。 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)。 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層。 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出。 接著，將定電壓電源連接至ITO玻璃和透明導電性薄膜。接著，連接能夠測量ITO玻璃和透明導電性薄膜的電壓的記錄器。此處，記錄器係為了觀測電壓的時間變化而使用。接著，向定電壓電源施加6V，用記錄器以0.02毫秒單位開始測量電壓。接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)以1秒鐘5次的步調施加50g的荷重。用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域。從記錄器取出用筆對透明導電性薄膜施加荷重時的電壓的時間變化的資料。由於在筆開始離開透明導電性薄膜時電壓減少，因此以電壓從6V開始減少時為起點，測定到電壓成為5V為止的時間，記錄為電壓損失時間。 例如，圖7係顯示本發明的一態樣中的電壓和時間的關係的概念圖，橫軸13為時間軸，縱軸14表示電壓，測定電壓損失時間15的時間。
此處，在本發明中，在以測試機進行測量的情況下，根據進行測定的環境等的外部因素，「穩定的電阻值」的判斷較佳為電阻值在例如±5%的範圍內變動的狀態。
具有這種特徵的本申請案發明可以提供具有輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性、優異的筆滑動耐久性的透明導電性薄膜。所得到的透明導電性薄膜，在電阻膜式觸控面板等用途上是極有用的。
本發明的透明導電性薄膜具有輕快的操作性。關於操作性優異的銦-錫複合氧化物的透明導電性薄膜，發現有如下情事：透明導電膜側的面的最大山高係位於相對於位在觸控面板用ITO玻璃的點狀間隙物的高度為適度的範圍內；薄膜的基於剛軟度試驗的剛軟度低；透明導電膜的氧化錫濃度係接近觸控面板用ITO玻璃的氧化錫濃度。
針對輕快的操作性進行說明。所謂的輕快的操作性，係即使從透明導電性薄膜側，用筆、手指對電阻膜式觸控面板小力按壓，也可以對電阻膜式觸控面板進行輸入。在本發明中，係以輸入荷重試驗來評價輕快的操作性。在本發明中，若基於輸入荷重試驗的透明導電性薄膜的輸入開始荷重為3g以上15g以下的話，便具有輕快的操作性。 具有這種輸入開始荷重的本發明係用於電阻膜式觸控面板等用途的透明導電性薄膜，即使對於因年齡、生病、其他理由而用手指按壓的力量弱的人、筆壓弱的人，也可以藉由輕觸來進行輸入。 若輸入開始荷重為15g以下的話，便具有輕快的操作性，因而較佳。更佳為13g以下。再更佳為11g以下。另一方面，若輸入開始荷重為3g以上的話，便能夠防止觸控面板的誤反應，因而較佳。更佳為5g以上，再更佳為8g以上。
本發明的透明導電性薄膜具有優異的筆輸入穩定性。關於具有優異的筆輸入穩定性的銦-錫複合氧化物的透明導電性薄膜，發現有如下情事：薄膜的基於剛軟度試驗的剛軟度低；基於接觸面積率評價的透明導電膜面的接觸面積率高；透明導電膜的氧化錫濃度係接近觸控面板用ITO玻璃的氧化錫濃度。
針對優異的筆輸入穩定性進行說明。所謂的優異的筆輸入穩定性，係在從筆、手指從透明導電性薄膜側對電阻膜式觸控面板按壓到離開的期間內，ITO玻璃等的透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的電性接觸穩定的時間長，因此對觸控面板的輸入穩定。若筆輸入穩定性優異，則例如，在用筆對電阻膜式觸控面板輸入文字之際，能夠不會使文字的筆劃部分變模糊地書寫。 本發明係以筆輸入穩定性試驗來評價筆輸入穩定性。筆輸入穩定性試驗係觀測筆開始離開觸控面板時的透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的電壓變化。在透明導電性玻璃和透明導電性薄膜藉由筆而完全接觸的情況下，因為將施加電壓設為6V，因此電壓為6V而成為一定，但若筆開始離開觸控面板，則電壓開始從6V下降。 本發明人等發現：藉由從電壓開始下降到成為5V的時間，即電壓損失時間在本發明的範圍內，例如，能夠使在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(ITO玻璃)的透明導電性薄膜A、和本發明的透明導電性薄膜的透明導電膜B之間，電性穩定的接觸時間變得更長。 雖然不應受限於特定的理論而解釋，但認為依此方式，藉由電壓損失時間在本發明的範圍內，能夠使在觸控面板的一對透明導電性薄膜中，電性穩定的接觸時間變得更長，能夠進一步減少電性不穩定的接觸狀態。其結果，輸入不穩定的時間變短，例如，在連續記載文字之際，能夠防止文字模糊。此外，例如，解決了在觸控面板上寫字之際，觸控面板上所顯示的文字變得模糊的不被顯示的這種課題。另外，具備優異的快速書寫性，能夠減少快速書寫時的文字模糊。
在本發明中，若基於筆輸入穩定性試驗的透明導電性薄膜的電壓損失時間為0.00毫秒以上0.40毫秒以下的話，便具有優異的筆輸入穩定性、快速書寫性。 具有這樣的筆輸入穩定性的本發明，可以實現在電阻膜式觸控面板上鮮明地畫出想要表現的文字、圖畫等。例如，也能夠表現出如用毛筆表現般的文字筆劃。 電壓損失時間，只要是在本發明的範圍內，越短越好，若為0.40毫秒以下的話，便具有優異的筆輸入穩定性，因而較佳。更佳為0.35毫秒以下。再更佳為0.30毫秒以下。 此外，可以是0.01毫秒以上，例如，可以是0.02毫秒以上，0.02毫秒以上。
在本發明中，較佳為以下的薄膜剛軟度試驗的剛軟度為0.23N‧cm以上0.90N‧cm以下，另外，透明導電性薄膜的透明導電膜側的面的以下的平均最大山高滿足下述式(2-1)及式(2-2)，另外，以下述的接觸面積率評價所算出的值滿足式(2-3)。 首先，針對基於薄膜剛軟度試驗的剛軟度進行說明。在薄膜剛軟度試驗中，使透明導電層朝上地將試驗片配置於表面平滑的水平台上。這是因為：從非透明導電層側，用筆、手指按壓透明導電性薄膜，以使透明導電性薄膜變形的方向一致。即使是相同的透明導電性薄膜，在薄膜剛軟度試驗中剛軟度的值也會因透明導電層是朝上還是朝下而改變，因此在進行評價時需要留意。 此外，在透明塑膠基材與透明導電膜之間配置硬化型樹脂層的情況下，硬化型樹脂層的厚度、硬度也會對剛軟度造成影響。此外，在透明塑膠基材的兩面配置硬化型樹脂層的情況下，各面的硬化型樹脂層的厚度、硬度的平衡會對剛軟度造成影響。
若透明導電性薄膜的剛軟度為0.23N‧cm以上的話，則在意外地以非常輕的力量碰觸到透明導電性薄膜時，透明導電性薄膜很難變形，因此很難引起透明導電性薄膜的透明導電膜和觸控面板用ITO玻璃的透明導電膜的電性接觸，容易防止誤輸入而較佳。此外，筆滑動耐久性也優異，因而較佳。更佳為0.27N‧cm以上。再更佳為0.30N‧cm以上。 另一方面，若透明導電性薄膜的剛軟度為0.90N‧cm以下的話，則即使從透明導電性薄膜側，用筆、手指以低輸入荷重按壓，透明導電性薄膜也變得容易變形，因此透明導電性薄膜的透明導電膜和ITO玻璃的透明導電膜變得容易電性接觸，因此具有輕快的操作性而較佳。更佳為0.80N‧cm以下。再更佳為0.70N‧cm以下。特佳為0.60N‧cm以下。
(薄膜剛軟度試驗方法) 從透明導電性薄膜採取20mm×250mm的試驗片，使透明導電層朝上地將試驗片配置於表面平滑的水平台上。此時，試驗片係僅20mm×20mm的部分放置於水平台上，20mm×230mm則以露出在水平台之外的方式放置。此外，在試驗片的20mm×20mm的部分上放置砝碼。此時，以在試驗片與水平台之間沒有形成間隙的方式選擇砝碼的重量、尺寸。 接著，利用刻度尺讀取水平台的高度和薄膜的前端的高度的差(=δ)。接著，將數值代入以下的式(1)算出剛軟度。 式(1) (g×a×b×L 4)÷8δ  (N‧cm) g=重力加速度，a=試驗片的短邊的長度，b=試驗片的比重，L=試驗片的長度，δ=水平台的高度和薄膜的前端的高度的差
在本發明中，較佳為在實施薄膜剛軟度試驗時，薄膜剛軟度試驗的剛軟度為0.23N‧cm以上0.90N‧cm以下，另外，透明導電性薄膜的透明導電膜側的面的以下的平均最大山高滿足下述式(2-1)及式(2-2)。 (平均最大山高評價) 平均最大山高為5點的最大山高的平均。5點的選法係首先選擇任意一點A。接著，在相對於A、薄膜的長度(MD)方向的上下游1cm處各選擇1點，合計2點。接著，在相對於A、薄膜的寬度(TD)方向的左右1cm處各選擇1點，合計2點。最大山高係ISO 25178中所規定者，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，求出最大山高。此外，小於1nm的值係採四捨五入簡化。 式(2-1)  平均最大山高(μm)≧4.7×剛軟度-1.8 式(2-2)  0.005(μm)≦平均最大山高(μm)≦12.000(μm)
若使透明導電膜側的面的最大山高滿足式(2-1)及式(2-2)的話，則即使從透明導電性薄膜側，用筆、手指以低輸入荷重按壓，配置在透明導電性薄膜的透明導電膜側的突起上的透明導電膜和觸控面板用ITO玻璃的透明導電膜也能夠電性接觸，因此具有輕快的操作性而較佳。 更佳為式(2-1)的y截距，即上述式(2-1)的以「 -1.8」所表示的值為-1.7以上。再更佳為式(2-1)的y截距為-1.6以上。 此外，若平均最大山高為0.005(μm)以上的話，便可毫無阻礙地將透明導電性薄膜捲成卷(roll)狀，因而較佳。更佳為0.010(μm)以上。再更佳為0.020(μm)以上。此外，若平均最大山高為12.000(μm)以下的話，便很難發生配置在透明導電性薄膜的透明導電膜側的突起上的透明導電膜和觸控面板用ITO玻璃的透明導電膜的意外的電性接觸，因此容易防止誤輸入而較佳。更佳為11.000(μm)以下。再更佳為10.000(μm)以下。由以上內容發現：藉由剛軟度和平均最大山高的適度平衡來滿足輕快的操作性等。
在本發明中，較佳為在實施薄膜剛軟度試驗時，薄膜剛軟度試驗的剛軟度為0.23N‧cm以上0.90N‧cm以下，另外，透明導電性薄膜的透明導電膜側的面的以下的平均最大山高滿足下述式(2-1)及式(2-2)，另外，以下述的接觸面積率評價所算出的值滿足式(2-3)。 (接觸面積率評價) 針對透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡50倍))，在測定長度100μm～200μm的範圍內，按照JIS B 0601-2001測定算術平均粗糙度Ra。但是，以滿足「Rp-平均高度-Ra≦0.20μm」和「(Rp-平均高度)÷Ra≦5.0」中的任一者或兩者，另外，滿足Rsm≦30μm的方式測定Ra。此處，Rp、Rsm係按照JIS B 0601-2001測定。平均高度係測定長度中的高度的平均值。在沒有滿足前述條件的情況下，在不同的點進行再測定。接著，針對相同的透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，進一步使用同測定裝置所具有的粒子解析，以「Ra-15nm-平均高度」為臨界值求出截面積的總和。接觸面積率係設為如下的值：將使截面積的總和除以測定視野的面積所得到的值乘以100的值。 式(2-1)  平均最大山高(μm)≧4.7×剛軟度-1.8 式(2-2)  0.005(μm)≦平均最大山高(μm)≦12.000(μm) 式(2-3)  接觸面積率(%)≧32.6×剛軟度+17.2
針對接觸面積率評價中的式(2-3)進行說明。在用筆、手指等對電阻膜式觸控面板進行輸入時，透明導電性玻璃和透明導電性薄膜接觸著。在筆、手指離開電阻膜式觸控面板的透明導電性薄膜時，透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的接觸面積變小。若接觸面積變小，則透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的電性接觸的穩定性也降低。用筆、手指等對電阻膜式觸控面板進行輸入時的透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的接觸面積越大，透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的電性接觸的穩定性越高，因此在筆、手指離開電阻膜式觸控面板的透明導電性薄膜時，爭取到成為透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的電性接觸變得不穩定的接觸面積為止的時間。能夠與本發明中的電壓損失時間同樣意義地，捕捉這樣的到成為電性接觸變得不穩定的接觸面積為止的時間。即，若在本發明的電壓損失時間內，便意味著對觸控面板的輸入穩定。 即使對觸控面板進行輸入的筆、手指等的尺寸相同，透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的接觸面積也不一樣。發現了以下所示的接觸面積率和筆輸入穩定性有高相關性。 針對在用筆、手指對電阻膜式觸控面板進行輸入時，透明導電性玻璃和透明導電性薄膜的接觸部進行敘述。與透明導電性玻璃接觸的透明導電性薄膜的大部分，係透明導電性薄膜的平均高度的突起。因為正確地算出與透明導電性薄膜的平均高度的突起的接觸面積是困難的，因此決定使用比透明導電性薄膜的平均突起高度稍小的高度(=比透明導電性薄膜的平均高度低15nm的高度)處的透明導電性薄膜的透明導電膜側的截面積，作為替代指標。此處，若使用ISO 25178的算術平均高度Sa、JIS B 0601-2001的算術平均粗糙度Ra作為透明導電性薄膜的平均突起高度，則受位於透明導電性薄膜的透明導電膜側的數量少但高度非常高的粗大突起的影響，Sa、Ra變得比透明導電性薄膜的實際的平均突起高度還大，因而不佳。因此，為了消除粗大突起的影響，而實施以下內容。 針對透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡50倍))，在測定長度100μm～200μm的範圍內，按照JIS B 0601-2001測定算術平均粗糙度Ra。但是，以滿足「Rp-平均高度-Ra≦0.20μm」和「(Rp-平均高度)÷Ra≦5.0」中的任一者或兩者，另外，滿足Rsm≦30μm的方式測定Ra。此處，Rp、Rsm係按照JIS B 0601-2001測定。平均高度係測定長度中的高度的平均值。 發現有如下情事：若滿足「Rp-平均高度-Ra≦0.20μm」和「(Rp-平均高度)÷Ra≦5.0」中的任一者或兩者，另外再滿足Rsm≦30μm的話，則粗大突起的影響變少，因此能夠算出透明導電性薄膜的平均突起高度。在沒有滿足前述條件的情況下，粗大突起的影響大，因此無法算出透明導電性薄膜的平均突起高度，因此在不同的點進行再測定。 接著，針對相同的透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，進一步使用同測定裝置所具有的粒子解析，以「Ra-15nm-平均高度」為臨界值求出截面積的總和。接觸面積率係設為如下的值：將使截面積的總和除以測定視野的面積所得到的值乘以100的值。若使接觸面積率滿足式(2-3)的話，則基於筆輸入穩定性試驗的電壓損失時間位在本發明的範圍內，成為優異的筆輸入穩定性，因而較佳。針對式(2-3)進行說明。由檢討得知：若剛軟度大，則筆、手指等離開電阻膜式觸控面板的透明導電性薄膜的速度增加，因此若不使用接觸面積率大的透明導電性薄膜，便無法展現出優異的筆輸入穩定性。為了展現出優異的筆輸入穩定性，若接觸面積率和剛軟度的相關關係為式(2-3)的話即可。更佳為式(2-3)的y截距，即上述式(2-3)的以「+17.2」所表示的值為+17.5以上。再更佳為式(2-3)的y截距為+18.0以上。 發現了藉由完全滿足式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)，能夠兼顧輕快的操作性及優異的筆輸入穩定性。 式(2-1)  平均最大山高(μm)≧4.7×剛軟度-1.8 式(2-2)  0.005(μm)≦平均最大山高(μm)≦12.000(μm) 式(2-3)  接觸面積率(%)≧32.6×剛軟度+17.2
在本發明中，下述記載的平均最大山高評價中的最大山高的最大值係前述平均最大山高的超過1.0倍且1.4倍以下，且 平均最大山高評價中的最大山高的最小值係前述平均最大山高的0.6倍以上1.0倍以下。若在前述範圍內的話，則輸入開始荷重的變異成為小於±5%，因而較佳。 若平均最大山高評價中的最大山高的最小值為平均最大山高的0.6倍以上的話，則與輕快的操作性有關的透明導電性薄膜的透明導電膜側的高突起的面內分布是均勻的，因此在從透明導電性薄膜側用筆、手指按壓時，不論在哪個位置都能以同等的輸入荷重進行觸控面板的輸入，因而較佳。更佳為0.7倍以上。再更佳為0.8倍以上。 另一方面，若平均最大山高評價中的最大山高的最大值為平均最大山高的1.4倍以下的話，則與輕快的操作性有關的透明導電性薄膜的透明導電膜側的高突起的面內分布是均勻的，因此在從透明導電性薄膜側用筆、手指按壓時，不論在哪個位置都能以同等的輸入荷重進行觸控面板的輸入，因而較佳。更佳為1.3倍以下。再更佳為1.2倍以下。
(平均最大山高評價) 平均最大山高為5點的最大山高的平均。5點的選法係首先選擇任意一點A。接著，在相對於A、薄膜的長度(MD)方向的上下游1cm處各選擇1點，合計2點。接著，在相對於A、薄膜的寬度(TD)方向的左右1cm處各選擇1點，合計2點。最大山高係ISO 25178中所規定者，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，求出最大山高。此外，小於1nm的值係採四捨五入簡化。
本發明中的透明導電膜包含銦-錫複合氧化物。又，本發明的透明導電性薄膜的表面電阻較佳為50～900Ω/□，更佳為50～700Ω/□。此外，本發明的透明導電性薄膜的總光線透射率較佳為70～95%。
在本發明中，透明導電膜的厚度較佳為10nm以上100nm以下。若透明導電膜的厚度為10nm以上，則透明導電膜係整體附著於透明薄膜基材、或者是硬化型樹脂層，透明導電膜的膜質穩定，因此其結果是表面電阻值係穩定地在較佳範圍內，因而較佳。更佳為透明導電膜的厚度為13nm以上，更佳為16nm以上。此外，若透明導電膜的厚度為100nm以下，則透明導電膜的結晶粒徑和結晶化度是適度的，進一步地總光線透射率達到實用的水準，因而較佳。更佳為50nm以下，再更佳為30nm以下，特佳為25nm以下。
在本發明中，透明導電性薄膜的透明導電膜中所含的氧化錫濃度較佳為0.5～40質量%。發現有如下情事：透明導電性薄膜的透明導電膜中所含的氧化錫濃度，若越接近觸控面板用ITO玻璃中所含的氧化錫濃度的話，則透明導電性薄膜的透明導電膜和ITO玻璃的透明導電膜越容易電性接觸，因此具有輕快的操作性及優異的筆輸入穩定性。一般而言，觸控面板用ITO玻璃中所含的氧化錫濃度為10質量%。 在本發明中，透明導電性薄膜的透明導電膜中所含的氧化錫濃度，若是與觸控面板用ITO玻璃中所含的氧化錫濃度的差為30質量%以下的話，則透明導電性薄膜的透明導電膜和ITO玻璃的透明導電膜變得容易電性接觸，因此具有輕快的操作性及優異的筆輸入穩定性而較佳。 觸控面板用ITO玻璃中所含的氧化錫濃度大多為10質量%。因此，在本發明中，透明導電性薄膜的氧化錫濃度較佳為40質量%以下。更佳為25質量%以下。再更佳為20質量%以下。特佳為2質量%以上18質量%。此外，若含有0.5質量%以上的氧化錫，則透明導電性薄膜的表面電阻達到實用的水準而較佳。更佳為氧化錫的含有率為1質量%以上，特佳為2質量%以上。
在一態樣中，本發明的透明導電性薄膜係在透明導電膜與透明塑膠薄膜基材之間具有硬化型樹脂層。 較佳為進一步在透明塑膠基材的與透明導電膜為相反的側具有功能層。 如將構成例顯示於圖2那樣，能夠依序具有透明導電膜5、硬化型樹脂層6、透明塑膠薄膜基材7及功能層8。 在觸控面板加工步驟加熱透明導電性薄膜，此時，若從透明塑膠薄膜基材產生的單體、寡聚物析出至透明導電膜上，便有阻礙觸控面板的輕快的操作性之虞。 因此，藉由在透明導電膜與透明塑膠薄膜基材之間有硬化型樹脂層，能夠阻擋單體、寡聚物析出至透明導電膜上，因而較佳。
此外，由於有從透明塑膠基材析出的單體、寡聚物使透明導電性薄膜的視覺辨識度降低之虞，因此較佳為在透明塑膠薄膜基材具有硬化型樹脂層及功能層。 此外，藉由具有硬化型樹脂層及功能層，能夠將透明導電性薄膜的剛軟度調整在本發明中的更佳範圍內。 本發明的硬化型樹脂層及功能層，能夠更有效地展現出筆滑動耐久性等的各種特性。特別是，在本發明中，藉由具有硬化型樹脂層及功能層，能夠調整本發明的透明導電性薄膜的剛軟度，能夠將輸入開始荷重調整在既定範圍內，而且能夠產生優異的視覺辨識度。 雖然不應被解釋為受限於特定的理論，但在本發明中，藉由同時具有硬化型樹脂層及功能層，能夠在電阻膜式觸控面板中顯示出輕快的操作感、和更正確的輸入性。 此外，藉由在透明塑膠薄膜基材具有硬化型樹脂層，除了透明導電膜的緊貼力增加外，還能夠將施加於透明導電膜的力量分散，因此可對筆滑動耐久性試驗下的透明導電膜抑制破裂(crack)、剝離、磨耗等，因而較佳。此外，藉由在透明塑膠薄膜基材具有功能層，變得很難出現因用筆等進行輸入所造成的傷痕，因而較佳。
在一態樣中，本發明的透明導電性薄膜係在透明塑膠薄膜基材的至少一側積層易接著層。 例如，本發明的透明導電性薄膜較佳為在透明塑膠薄膜基材與硬化型樹脂層之間、透明塑膠薄膜基材與功能層之間中的任一處、或者是兩處包含易接著層。將構成例顯示於圖3、圖4、圖5。在這些圖中，配置易接著層9。其他符號係與圖2同義。 藉由有易接著層，硬化型樹脂層及功能層能夠牢固地緊貼於透明塑膠薄膜基材，因此能夠更有效地抑制因外力所造成的硬化型樹脂層及功能層的剝落。
本發明的透明導電性薄膜，係在透明塑膠薄膜基材上的至少一面積層有銦-錫複合氧化物的透明導電膜的透明導電性薄膜，基於以下的筆滑動耐久性試驗的透明導電薄膜的透明導電膜的ON電阻為10kΩ以下。 (筆滑動耐久性試驗) 將本發明的透明導電性薄膜用作一側的面板板，將在玻璃基板上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜用作另一側的面板板。以透明導電性薄膜面對面的方式，隔著直徑30μm的環氧珠配置這2片面板板，以厚度為170μm的雙面膠帶貼附薄膜側的面板板和玻璃側的面板板，製作觸控面板。接著，對聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)施加2.5N的荷重，對觸控面板進行5萬次來回的直線滑動試驗。在此試驗中，係對本發明的透明導電性薄膜面施加筆的荷重。此時的滑動距離設為30mm，滑動速度設為180mm/秒。在此滑動耐久性試驗後，測定用0.8N的筆荷重按壓滑動部之際的ON電阻(可動電極(薄膜電極)和固定電極接觸時的電阻值)。
在本發明中，若基於筆滑動耐久性試驗的透明導電薄膜的透明導電膜的ON電阻為10kΩ以下的話，則即使連續地用筆對觸控面板進行輸入，仍可對透明導電膜抑制破裂、剝離、磨耗等，因而較佳。在一態樣中，ON電阻可以是9.5kΩ以下，更佳為5kΩ以下。例如，ON電阻為3kΩ以下，可以是1.5kΩ以下，較佳為1kΩ以下。 ON電阻，例如為5kΩ以上，可以是3kΩ以上，較佳為0kΩ以上。 藉由ON電阻在這樣的範圍內，即使連續地用筆對觸控面板進行輸入，仍可對透明導電膜抑制破裂、剝離、磨耗等。 在一態樣中，可以將這些上限及下限適宜組合。
例如，本發明的透明導電性薄膜，在透明導電膜的表面上的根據JIS K5600-5-6：1999的附著性試驗中，透明導電膜的殘留面積率為95%以上。本發明的透明導電性薄膜，較佳為即使是在透明導電膜面上實施附著性試驗(JIS K5600-5-6：1999)，透明導電膜的殘留面積率亦為95%以上，更佳為透明導電膜的剝離面積為99%以上，特佳為99.5%以上。藉由在附著性試驗下透明導電膜的殘留面積率在上述範圍內，透明導電性薄膜，係透明導電膜與透明塑膠薄膜基材、硬化型樹脂層等的與透明導電膜相接的層緊貼，因此即使連續地用筆對觸控面板進行輸入，仍可對透明導電膜抑制破裂、剝離、磨耗等，另外，即使要施加比通常使用所假設的力量還大的力量，仍可對透明導電膜抑制破裂、剝離等，因而較佳。
例如，本發明的透明導電性薄膜，在功能層面的表面上的根據JIS K5600-5-6：1999的附著性試驗中，功能層的殘留面積率為95%以上。本發明的透明導電性薄膜，較佳為即使是在功能層面上實施附著性試驗(JIS K5600-5-6：1999)，功能層面的殘留面積率亦為95%以上，更佳為功能層面的殘留面積率為99%以上，特佳為99.5%以上。 在附著性試驗下功能層未剝落的透明導電性薄膜，係透明塑膠薄膜基材與功能層緊貼，因此即使連續地用筆對觸控面板進行輸入，仍可抑制功能層的破裂、剝離、磨耗等的外觀不良，另外，即使要施加比通常使用所假設的力量還強大的力量，也由於功能層緩和了強大的力量，因此仍可對透明導電膜抑制破裂、剝離等，因而較佳。
供得到本發明的透明導電性薄膜用的製造方法沒有特別的限定，例如，能較佳地例示如下的製造方法。 作為在透明塑膠薄膜基材上的至少一面形成銦-錫複合氧化物的透明導電膜的方法，可較佳地使用濺鍍法。為了以高生產性製造透明導電性薄膜，較佳為使用下述輥式濺鍍裝置：供給薄膜卷，成膜後，捲成薄膜卷的形狀。可較佳地採用：在成膜氣體環境中使用質量流量控制器，流入非活非活性氣體、氧氣，使用銦-錫複合氧化物的燒結靶，以銦-錫複合氧化物的透明導電膜的厚度成為10～100nm的方式調整，在透明塑膠薄膜上形成透明導電膜。為了使生產效率提高，可以對薄膜的流動方向，設置複數片銦-錫複合氧化物的燒結靶。此外，也可以在成膜氣體環境中使用質量流量控制器，流入含氫原子的氣體(若為氫、氨、氫＋氬混合氣體等包含有氫原子的氣體的話，便沒有特別的限定。但是，水除外。)。已知：若成膜氣體環境中的水多，則因透明導電膜的膜質降低而表面電阻值超出較佳範圍外、本來結晶化的透明導電膜未結晶化等對透明導電膜的膜質造成不良的影響，因此成膜氣體環境中的水分量是重要的因子。藉由將對薄膜卷濺鍍時的成膜氣體環境的水對非活非活性氣體的分壓比的中心值(最大值和最小值的中間值)控制為7.00×10 -3以下，能夠抑制透明導電膜的膜質的降低，因而較佳。為了控制成膜氣體環境中的水分量，除了經常被用作濺鍍機的排氣裝置的旋轉幫浦、渦輪分子幫浦、低溫幫浦(cryopump)外，還有下述的轟擊(bombard)步驟、下述的薄膜卷端面的凹凸的高低差的限定、在形成透明導電膜的面的相反面貼上吸水率低的保護薄膜等，在形成透明導電膜時從薄膜所釋出的水分量變少而較佳。此外，較佳為使濺鍍時的薄膜溫度成為0℃以下來在透明塑膠薄膜上形成透明導電膜。成膜中的薄膜溫度係以調節行進薄膜接觸的中心輥的溫度的調溫機的設定溫度代用。此處，圖1中顯示了在本發明中所適合使用的濺鍍裝置的一例的示意圖，行進的薄膜1係與中心輥2的表面部分地接觸而行進。隔著遮罩(chimney)3設置銦-錫的濺鍍靶4，在中心輥2上行進的薄膜1的表面堆積銦-錫複合氧化物的薄膜而予以積層。中心輥2係利用未圖示的調溫機進行溫度控制。若薄膜溫度為0℃以下的話，便能夠抑制使透明導電膜的膜質降低的來自薄膜的水、有機氣體等雜質氣體的釋出，因而較佳。此外，為了使透明導電性薄膜的表面電阻及總光線透射率達到實用的水準，理想的是在濺鍍時添加氧氣。
就在塑膠薄膜上形成銦-錫複合氧化物的膜時的水分量的控制而言，基於以下2個理由，觀測實際成膜時的水分量係比觀測到達真空度更加理想。
作為該理由的第1點，係若用濺鍍在塑膠薄膜上成膜，則薄膜被加熱，從薄膜釋出水分，因此成膜氣體環境中的水分量會增加，增加得比測定到達真空度時的水分量還多，因此以成膜時的水分量來表現係比以到達真空度來表現還正確。
該理由的第2點，係用大量投入透明塑膠薄膜的裝置的情況。這樣的裝置係以薄膜卷的形態投入薄膜。若將薄膜捲成卷而投入真空槽，則卷的外層部分係水容易脫離，但卷的內層部分則水很難脫離。這是因為：測定到達真空度時，薄膜卷是停止的，而當成膜時薄膜卷則是行進的，因此包含許多水的薄膜卷的內層部分被陸續捲出，因此成膜氣體環境中的水分量增加，增加得比測定到達真空度時的水分量還多。在本發明中，當要控制成膜氣體環境中的水分量時，係觀測濺鍍時的成膜氣體環境的水對非活性氣體的分壓比，從而能夠較佳地因應。
理想的是在形成透明導電膜之前，使薄膜通過轟擊步驟。轟擊步驟，係指在只流入氬氣等非活性氣體、或者是流入氧等反應性氣體和非活性氣體的混合氣體的狀態下，施加電壓進行放電，使電漿產生。具體而言，理想的是以SUS靶等，藉由RF濺鍍來轟擊薄膜。藉由轟擊步驟來使薄膜曝露於電漿下，因此水、有機成分從薄膜釋放，在形成透明導電膜時從薄膜釋出的水、有機成分減少，因此透明導電膜的膜質變佳，因而較佳。此外，藉由轟擊步驟，透明導電膜所接觸的層活化，因此透明導電膜的緊貼性提高，因此筆滑動耐久性、筆重加壓耐久性提高，因而是較理想的。
供形成透明導電膜用的薄膜卷，在卷的端面處，最凸的地方和最凹的地方的高低差較佳為10mm以下。若為10mm以下的話，在將薄膜卷投入濺鍍裝置時，來自薄膜端面的水、有機成分變得很難釋出，因此透明導電膜的膜質變佳，因而較佳。
在形成透明導電膜的薄膜(透明塑膠薄膜基材)中，理想的是在形成透明導電膜的面的相反面貼上吸水率低的保護薄膜。藉由貼上吸水率低的保護薄膜，變得很難釋出來自薄膜基材的水等的氣體，透明導電膜的膜質變佳，因而較佳。作為吸水率低的保護薄膜的基材，較佳為聚乙烯、聚丙烯、環烯烴等。
在透明塑膠薄膜基材上的至少一面形成銦-錫複合氧化物的透明導電膜的方法中，理想的是在濺鍍時導入氧氣。若在濺鍍時導入氧氣，便不存在因銦-錫複合氧化物的透明導電膜缺少氧所造成的缺陷，透明導電性薄膜的表面電阻變低、總光線透射率變高而較佳。因此，為了使透明導電性薄膜的表面電阻及總光線透射率達到實用的水準，理想的是在濺鍍時導入氧氣。又，本發明的透明導電性薄膜的總光線透射率較佳為70～95%。
本發明的透明導電性薄膜，理想的是在透明塑膠薄膜基材上形成並積層銦-錫複合氧化物的透明導電膜後，在包含氧的氣體環境下，施加80～200℃、0.1～12小時的加熱處理而製成。若為80℃以上，則在基於提高筆滑動耐久性的目的而必須提高透明導電膜的結晶性的情況下是較佳的。若為200℃以下，則可確保透明塑膠薄膜的平面性而較佳。
＜透明塑膠薄膜基材＞ 本發明中使用的透明塑膠薄膜基材係指將有機高分子進行熔融擠出或溶液擠出而作成薄膜狀，根據需要，在長度方向及/或寬度方向上施加拉伸、冷卻、熱固定的薄膜，作為有機高分子，可舉出：聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚2,6-對萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、尼龍6、尼龍4、尼龍66、尼龍12、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚碸、聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚芳香酯、纖維素丙酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚醚醯亞胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯、對位性聚苯乙烯、降莰烯系聚合物等。
這些有機高分子當中，適合為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚2,6-對萘二甲酸乙二酯、對位性聚苯乙烯、降莰烯系聚合物、聚碳酸酯、聚芳香酯等。此外，這些有機高分子也可以與少量的其他有機聚合物的單體進行共聚合、與其他有機高分子摻混。
本發明中使用的透明塑膠薄膜基材，在無損本發明的目的的範圍內，可以將前述薄膜施加電暈放電處理、輝光放電處理、火焰處理、紫外線照射處理、電子線照射處理、臭氧處理等表面活化處理。
本發明的透明導電性薄膜係透明塑膠薄膜基材的厚度較佳為在100μm以上240μm以下的範圍內，更佳為120μm以上220μm以下。若塑膠薄膜的厚度為100μm以上，便可保持機械強度，特別是用於觸控面板之際對筆輸入的變形小，筆滑動耐久性優異，因而較佳。另一方面，若厚度為240μm以下，則在用於觸控面板之際，保持輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性，因而較佳。
若在透明塑膠薄膜基材積層硬化型樹脂層，便能夠阻擋從透明塑膠薄膜基材產生的單體、寡聚物析出至透明導電膜上，因此不會阻礙觸控面板的輕快的操作性，因而較佳。此外，由於透明導電膜能夠與硬化型樹脂層強而有力地緊貼、能夠將施加於透明導電膜的力分散，因此可對筆滑動耐久性試驗下的透明導電膜抑制破裂、剝離、磨耗等，因而較佳。為了使透明塑膠薄膜基材和硬化型樹脂層的緊貼力提高，較佳為在透明塑膠薄膜基材與硬化型樹脂層之間設置易接著層。
若在透明塑膠薄膜基材積層功能層，便能夠阻擋從透明塑膠薄膜基材產生的單體、寡聚物析出，因此抑制透明導電性薄膜視覺辨識度降低，因而較佳。為了調整透明導電性薄膜的剛軟度，較佳為在透明塑膠薄膜基材具有功能層。此外，藉由在透明塑膠薄膜基材具有功能層，變得很難出現因用筆等進行輸入所造成的傷痕，因而較佳。
此外，作為本發明中可較佳地使用的前述硬化型樹脂層及功能層中所含的樹脂，若為藉由加熱、紫外線照射、電子線照射等的能量施加而進行硬化的樹脂的話，便沒有特別的限制，可舉出：矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、環氧樹脂、三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂等。從生產性的觀點來看，較佳為以紫外線硬化型樹脂作為主要成分。 硬化型樹脂層及功能層中所含的樹脂可以是相同樹脂，也可以是不同的樹脂。
作為這樣的紫外線硬化型樹脂，例如，能舉出：如多元醇的丙烯酸或甲基丙烯酸酯的多官能性的丙烯酸酯樹脂；如由二異氰酸酯、多元醇及丙烯酸或甲基丙烯酸的羥基烷基酯等所合成的多官能性胺基甲酸酯丙烯酸酯樹脂等。根據需要，能對這些多官能性樹脂添加單官能性的單體，例如乙烯基吡咯烷酮、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯等，使其進行共聚合。
此外，為了提高透明導電性薄膜與硬化型樹脂層的附著力，用以下記載的手法處理硬化型樹脂層的表面是有效的。作為具體的手法，可舉出：為了增加羰基、羧基、羥基而照射輝光或電暈放電的放電處理法；為了使胺基、羥基、羰基等極性基增加而用酸或鹼進行處理的化學藥品處理法等。
紫外線硬化型樹脂通常係添加光聚合起始劑來使用。作為光聚合起始劑，能夠沒有特別限制地使用吸收紫外線以產生自由基的公知的化合物，作為這樣的光聚合起始劑，例如，能舉出：各種苯偶姻類、苯基酮類、二苯甲酮類等。光聚合起始劑的添加量，較佳為每100質量份的紫外線硬化型樹脂通常設為1～5質量份。
此外，在本發明中，硬化型樹脂層及功能層較佳為除了主要構成成分的硬化型樹脂外，還併用無機粒子、有機粒子。藉由使無機粒子、有機粒子分散於硬化型樹脂，能夠使硬化型樹脂層及功能層的表面形成凹凸，使廣大區域的表面粗糙度提高。 在本發明中，藉由使硬化型樹脂層的表面粗糙度提高，能夠將透明導電性薄膜的剛軟度調整在本發明中的更佳範圍內。此外，能夠更有效地展現出筆滑動耐久性及抗牛頓環性、薄膜的捲取性等的各種特性。 在本發明中，藉由使功能層的表面粗糙度提高，能夠將透明導電性薄膜的剛軟度調整在本發明中的更佳範圍內。此外，能夠更有效地展現出薄膜的捲取性、筆等的書寫感覺、手指的觸感等的各種特性。
作為前述的無機粒子，可例示：氧化矽等。作為前述的有機粒子，可例示：聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂等。硬化型樹脂層及功能層中所含的粒子可以是相同粒子，也可以是不同的粒子。
除了無機粒子、有機粒子之外，亦較佳為除了主要構成成分的硬化型樹脂外，還併用與硬化型樹脂不相容的樹脂。藉由併用少量的與基質的硬化型樹脂不相容的樹脂，能夠在硬化型樹脂中造成相分離，將不相容樹脂分散成粒子狀。藉由此不相容樹脂的分散粒子，能夠使硬化型樹脂層及功能層的表面形成凹凸，使廣大區域的表面粗糙度提高。
作為不相容樹脂，可例示：聚酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂等。
此處作為一例，顯示在硬化型樹脂層使用無機粒子的情況的摻合比例。每100質量份的紫外線硬化型樹脂，無機粒子較佳為0.1質量份以上30質量份以下，更佳為0.1質量份以上25質量份以下，特佳為0.1質量份以上20質量份以下。若前述無機粒子的摻合量係每100質量份的紫外線硬化型樹脂為0.1質量份以上30質量份以下，則形成在硬化型樹脂層表面的凸部不會過小，能夠賦予有效的平均最大山高，具有對觸控面板的輕快的操作性，另外，由於在透明導電膜有些許表面突起存在，因此也能夠保持薄膜捲取性，因而較佳。此外，在硬化型樹脂層使用無機粒子的情況下，有其摻合比例在上述範圍內越高，硬化型樹脂層的平均最大山高越高的傾向。 此外，在硬化型樹脂層使用無機粒子的情況下，有其摻合比例在上述範圍內越高，越會使透明導電性薄膜的剛軟度增加的傾向。
此處作為一例，顯示在功能層使用無機粒子的情況的摻合比例。每100質量份的紫外線硬化型樹脂，無機粒子較佳為0.1質量份以上60質量份以下。 在功能層使用無機粒子的情況下，有其摻合比例在上述範圍內的摻合比例越高，越會使透明導電性薄膜的剛軟度降低的傾向。此外，有無機粒子的摻合量越少，透明導電性薄膜的接觸面積率越大的傾向。若前述無機粒子的摻合量係每100質量份的紫外線硬化型樹脂為0.1質量份以上60質量份以下，便能夠將透明導電性薄膜的剛軟度調整為本發明的適切值而較佳。此外，由於在無損本發明的效果的範圍內在功能層形成表面突起，因此也能夠保持薄膜捲取性，因而較佳。
此處作為一例，顯示在硬化型樹脂層使用無機粒子的情況的無機粒子的尺寸。作為無機粒子的尺寸，平均粒徑較佳為0.010～10.000μm。在硬化型樹脂層使用無機粒子的情況下，可以混合平均粒徑不同的無機粒子。有平均粒徑越大，硬化型樹脂層的平均最大山高越大的傾向。有硬化型樹脂層所使用的無機粒子的平均粒徑越一致，透明導電性薄膜的接觸面積率越大的傾向。 在一態樣中，能夠併用平均粒徑為1.0μm以上10.000μm的無機粒子A、和平均粒徑為0.010μm以上且小於1.0μm的無機粒子B。例如，無機粒子B的平均粒徑較佳為0.05μm以上。 另外，在包含無機粒子A和無機粒子B的情況下，硬化型樹脂層中的無機粒子A的量係相對於硬化型樹脂層的固體成分100wt%，例如為0.1wt%以上5wt%以下。硬化型樹脂層中的無機粒子B的量係相對於硬化型樹脂層的固體成分100wt%，較佳為比無機粒子A的量多，例如超過5wt%且30wt%以下。 藉由具有這樣的關係，硬化型樹脂層的平均最大山高大，並且能夠使透明導電性薄膜的接觸面積率變大，能夠使電壓損失時間進一步變短。此外，因為能夠使電壓損失在本發明的範圍內進一步變小，因此輸入的不穩定時間變短，例如，在連續記載文字之際，能夠進一步有效地防止文字模糊。
此處作為一例，顯示在功能層使用無機粒子的情況的無機粒子的尺寸。作為無機粒子的尺寸，平均粒徑較佳為0.010～10.000μm。在功能層使用無機粒子的情況下，可以混合平均粒徑不同的無機粒子。
前述的紫外線硬化型樹脂、光聚合起始劑、及與無機粒子、有機粒子、紫外線硬化型樹脂不相容的樹脂，係分別溶解於共通的溶劑以調製塗布液。使用的溶劑沒有特別的限制，例如，能夠將如乙醇、異丙醇等醇系溶劑；如乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶劑；如二丁醚、乙二醇一乙醚等醚系溶劑；如甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；如甲苯、二甲苯、溶劑石油腦等芳香族烴系溶劑等單獨使用或者是混合使用。
塗布液中的樹脂成分的濃度，能夠考慮與塗布法相對應的黏度等而適切地選擇。例如，塗布液中紫外線硬化型樹脂、光聚合起始劑及高分子量的聚酯樹脂的合計量所佔的比例通常為20～80質量%。有樹脂成分的濃度越高，硬化型樹脂層的平均最大山高越高的傾向。此外，此塗布液中，也可以根據需要添加其他公知的添加劑，例如，矽酮系勻塗劑等。
在本發明中，所調製的塗布液係塗布在透明塑膠薄膜基材上。塗布法沒有特別的限制，能夠使用棒塗布法、凹版塗布法、逆塗布法等現有已知的方法。
所塗布的塗布液，係溶劑在後續的乾燥步驟中被蒸發除去。在此步驟，塗布液中均勻溶解的高分子量的聚酯樹脂成為粒子而在紫外線硬化型樹脂中析出。將塗膜乾燥後，藉由對塑膠薄膜照射紫外線，紫外線硬化型樹脂進行交聯‧硬化而形成硬化型樹脂層及功能層。在此硬化的步驟，高分子量的聚酯樹脂的粒子被固定於硬塗層中，並且在硬化型樹脂層及功能層的表面形成突起而使廣大區域的表面粗糙度提高。
此外，硬化型樹脂層的厚度較佳為在0.1μm以上15μm以下的範圍內。更佳為在0.5μm以上10μm以下的範圍內，特佳為在1μm以上8μm以下的範圍內。在硬化型樹脂層的厚度為0.1μm以上之情況下，可形成足夠的突起而較佳。另一方面，若為15μm以下的話，則生產性更佳。此外，有若硬化型樹脂層厚，便會使透明導電性薄膜的剛軟度增加的傾向。
此外，功能層的厚度較佳為在0.1μm以上15μm以下的範圍內。更佳為在0.5μm以上15μm以下的範圍內，特佳為在1μm以上10μm以下的範圍內。有若功能層厚，便會使透明導電性薄膜的剛軟度降低的傾向。在功能層的厚度為0.1μm以上之情況下，可形成足夠的突起而較佳。另一方面，若為15μm以下的話，則生產性更佳。
對於硬化型樹脂層中所含的無機粒子‧有機粒子‧不相容樹脂的添加量、還有硬化型樹脂層的厚度對透明導電性薄膜的剛軟度造成的影響，能夠藉由適切地選擇功能層中所含的無機粒子‧有機粒子‧不相容樹脂的添加量、還有功能層的厚度，來使透明導電性薄膜的剛軟度成為上述的適切值。 由此，在本發明中，若僅設置功能層的話，便無法得到本發明所產生的效果，藉由具有本發明的特徵，能夠有效地有助於透明導電性薄膜的剛軟度。
在一態樣中，硬化型樹脂層的厚度和功能層的厚度可以是相同的。此外，在另一態樣中，例如，硬化型樹脂層的厚度和功能層的厚度的差的絕對值具有以下的關係。 0.1μm≦∣硬化型樹脂層的厚度－功能層的厚度∣≦3μm 依此方式，在本發明中，藉由對硬化型樹脂層的厚度和功能層的厚度設定差值，能夠將透明導電性薄膜的剛軟度調整在本發明中的更佳範圍內。此外，能夠得到可更有效地展現出筆滑動耐久性等的各種特性，而且具有輕快的操作性的透明導電性薄膜。 此外，較佳的是硬化型樹脂層的每單位體積的粒子質量、和功能層的每單位體積的粒子質量不同。
本發明的易接著層較佳為由含有胺基甲酸酯樹脂、交聯劑、及聚酯樹脂的組成物形成。作為交聯劑，較佳為嵌段異氰酸酯，更佳為3官能以上的嵌段異氰酸酯，特佳為4官能以上的嵌段異氰酸酯。易接著層的厚度較佳為0.001μm以上2.00μm以下。 [實施例]
以下，藉由實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明完全不限於這些實施例。又，實施例中的各種測定評價係藉由下述方法進行。
(1)總光線透射率 根據JIS-K7361-1：1997，使用日本電色工業(股)製的NDH-2000測定總光線透射率。
(2)表面電阻值 根據JIS-K7194：1994，依4端子法進行測定。測定機使用三菱化學Analytech(股)製的Lotesta AX MCP-T370。
(3)平均最大山高評價 平均最大山高為5點的最大山高的平均。5點的選法係首先選擇任意一點A。接著，在相對於A、薄膜的長度(MD)方向的上下游1cm處各選擇1點，合計2點。接著，在相對於A、薄膜的寬度(TD)方向的左右1cm處各選擇1點，合計2點。最大山高係ISO 25178中所規定者，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，求出最大山高。此外，小於1nm的值係採四捨五入簡化。
(4)透明導電膜的結晶化度 將積層了透明導電性薄膜層的薄膜試料片切出1mm×10mm大小，將導電性薄膜面朝外而貼附在適當的樹脂塊的上面。將其修剪後，利用一般的超微切片機的技法製作與薄膜表面幾乎平行的超薄切片。 用透射型電子顯微鏡(JEOL公司製，JEM-2010)觀察此切片，選擇沒有明顯損傷的導電性薄膜表面部分，用加速電壓200kV、直接倍率40000倍進行拍照。 作為透明導電膜的結晶性評價，觀察在透射型電子顯微鏡下所觀察到的結晶粒的比例，即結晶化度。
(5)透明導電膜的厚度(膜厚) 將積層了透明導電性薄膜層的薄膜試料片切出1mm×10mm的大小，埋藏在電子顯微鏡用環氧樹脂中。將其固定在超微切片機的試料支架，製作與所埋藏的試料片的短邊平行的截面薄切片。接著，在此切片的薄膜的沒有明顯損傷的部位中，使用透射型電子顯微鏡(JEOL公司製，JEM-2010)，由依加速電壓200kV、在明亮視野下、觀察倍率1萬倍進行拍照所得到的照片求出膜厚。
(6)筆滑動耐久性試驗 將透明導電性薄膜用作一側的面板板，將在玻璃基板上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜用作另一側的面板板。以透明導電性薄膜面對面的方式，隔著直徑30μm的環氧珠配置這2片面板板而製作觸控面板。接著，對聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)施加2.5N的荷重，對觸控面板進行5萬次來回的直線滑動試驗。此時的滑動距離設為30mm，滑動速度設為180mm/秒。在此滑動耐久性試驗後，測定用0.8N的筆荷重按壓滑動部之際的ON電阻(可動電極(薄膜電極)和固定電極接觸時的電阻值)。理想的是ON電阻為10kΩ以下。
(7)透明導電膜中所含的氧化錫的含有率的測定 切取試料(約15cm 2)，放入石英製三角燒瓶，加入20ml的6mol/l鹽酸，加以封膜(film seal)以使酸不會揮發掉。一邊在室溫下不時加以搖動一邊放置9天，使透明導電膜溶解。取出剩下的薄膜，將溶解了透明導電膜的鹽酸作為測定液。溶解液中的In、Sn係使用ICP發光分析裝置(製造商名稱：Rigaku，裝置型式：CIROS-120 EOP)，以檢量曲線法求出。各元素的測定波長係選擇沒有干涉、感度高的波長。此外，標準溶液係稀釋市售的In、Sn的標準溶液使用。
(8)輸入荷重試驗方法 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板。 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀。 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)。 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層。 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出。 接著，將ITO玻璃和透明導電性薄膜以測試機連結。 接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)陸續施加荷重，將以測試機所測量的電阻值穩定時的荷重值設為輸入開始荷重。 用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域，算出3點的輸入開始荷重的平均值。 用筆施加荷重的位置係如圖6所示，採用4個點狀間隙物的中心區域。此外，輸入開始荷重係測定離雙面膠帶50mm以上的任意3點而取平均值。小數點係四捨五入。
(9)薄膜剛軟度試驗方法 從透明導電性薄膜採取20mm×250mm的試驗片，使透明導電層朝上地將試驗片配置於表面平滑的水平台上。此時，試驗片係僅20mm×20mm的部分放置於水平台上，20mm×230mm則以露出在水平台之外的方式放置。此外，在試驗片的20mm×20mm的部分上放置砝碼。此時，以在試驗片與水平台之間沒有形成間隙的方式選擇砝碼的重量、尺寸。接著，利用刻度尺讀取水平台的高度和薄膜的前端的高度的差(=δ)。接著，將數值代入以下的式(1)算出剛軟度。 式(1) (g×a×b×L 4)÷8δ  (N‧cm) g=重力加速度，a=試驗片的短邊的長度，b=試驗片的比重，L=試驗片的長度，δ=水平台的高度和薄膜的前端的高度的差
(10)最大山高的最大值及最大山高的最小值相對於平均最大山高的評價 將在平均最大山高評價所測定的5點最大山高的值當中的最大值及最小值除以平均最大山高來計算。
(11)附著性試驗 根據JIS K5600-5-6：1999實施。 下述表中的結果係以殘留面積率來表示附著性。殘留面積率的最高值為100%。表中的附著性試驗的殘留面積率越接近100%，剝離面積越少。
(12)筆輸入穩定性試驗方法 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板。 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀。 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)。 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層。 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出。 接著，將定電壓電源連接至ITO玻璃和透明導電性薄膜。接著，連接能夠測量ITO玻璃和透明導電性薄膜的電壓的記錄器(Keyence公司製，GR-7000)。此處，記錄器係為了觀測電壓的時間變化而使用。接著，向定電壓電源施加6V，用記錄器以0.02毫秒單位開始測量電壓。接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)以1秒鐘5次的步調施加50g的荷重。用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域。從記錄器取出用筆對透明導電性薄膜施加荷重時的電壓的時間變化的資料。在筆開始離開透明導電性薄膜時電壓減少，以電壓從6V開始減少時為起點，測定到電壓成為5V為止的時間，記錄為電壓損失時間。參照圖7。
(13)接觸面積率評價 針對透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡50倍))，在測定長度100μm～200μm的範圍內，按照JIS B 0601-2001測定算術平均粗糙度Ra。但是，以滿足「Rp-平均高度-Ra≦0.20μm」和「(Rp-平均高度)÷Ra≦5.0」中的任一者或兩者，另外，滿足Rsm≦30μm的方式測定Ra。此處，Rp、Rsm係按照JIS B 0601-2001測定。平均高度係測定長度中的高度的平均值。在沒有滿足前述條件的情況下，在不同的點進行再測定。接著，針對相同的透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，進一步使用同測定裝置所具有的粒子解析，以「Ra-15nm-平均高度」為臨界值求出截面積的總和。接觸面積率係設為如下的值：將使截面積的總和除以測定視野的面積所得到的值乘以100的值。
在實施例、比較例中使用的透明塑膠薄膜基材，係在兩面具有易接著層的雙軸配向透明PET薄膜(東洋紡公司製，A4380，厚度記載於表2)。在作為硬化型樹脂層的100質量份的含有光聚合起始劑的丙烯酸系樹脂(大日精化工業公司製，SEIKABEAM(註冊商標)EXF-01J)中，以記載的量摻合表2記載的平均粒徑的氧化矽粒子，以固體成分濃度成為表2記載的值的方式添加作為溶劑的甲苯/MEK(8/2：質量比)的混合溶媒，加以攪拌以均勻地溶解而調製塗布液(以下，將此塗布液稱為塗布液A)。以塗膜的厚度成為表3記載的值的方式，使用梅爾棒(Myer bar)塗布調製好的塗布液。在80℃下進行1分鐘乾燥後，使用紫外線照射裝置(Eyegraphics公司製，UB042-5AM-W型)照射紫外線(光量：300mJ/cm 2)，使塗膜硬化。 此外，以表3所示的條件，將功能層設置在透明塑膠基材的與上述硬化型樹脂層為相反側的面。
(實施例1～7) 各實施例水準係根據表1所示的條件，依以下方式實施。 將薄膜投入真空槽，抽真空至1.5×10 -4Pa。接著，在導入氧後，導入氬作為非活性氣體，使總壓成為0.6Pa。 用3W/cm 2的電力密度將電力施加於銦-錫複合氧化物的燒結靶、或者是不含氧化錫的氧化銦燒結靶，藉由DC磁控濺鍍法，形成透明導電膜。對於膜厚，係改變薄膜通過靶上時的速度來控制。此外，對於濺鍍時的成膜氣體環境的水對非活性氣體的分壓比，係使用氣體分析裝置(Inficon公司製，Transpector XPR3)進行測定。在各實施例水準中，為了調節濺鍍時的成膜氣體環境的水對非活性氣體的分壓比，如表1所記載般調節轟擊步驟的有無、薄膜卷端面的凹凸高低差、控制薄膜接觸行進的中心輥的溫度的調溫機的加熱介質的溫度。將相當於從朝薄膜卷開始成膜時到結束成膜時的溫度的最大值和最小值的正中間的溫度作為中心值而記載在表1。 成膜並積層了透明導電膜的薄膜係在進行了表1所記載的熱處理後，實施測定。將測定結果顯示在表1～3。
(比較例1～8) 用表1～3所記載的條件，與實施例1同樣地製作透明導電性薄膜並進行評價。將結果顯示在表1～3。
[表1]
　 透明導電膜成膜時的 (水分壓/氬分壓) 的中心值 ×10 -3 氧流量 /氬流量 調溫機的 中心溫度 (℃) 轟擊 步驟 (*2) 保護 薄膜 (*3) 薄膜卷 端面的 凹凸 高低差 (mm) 透明導電膜中 所含的氧化錫 的含量 (質量%) 透明導電 膜的膜厚 (nm) 熱處理 條件 總光線 透射率 (%) 表面 電阻 (Ω/□) 輸入開始 荷重 (g) 電壓 損失時間 (ms)
實施例1 1.40 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 10 0.25
實施例2 1.40 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 5 0.3
實施例3 1.40 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 15 0.4
實施例4 1.40 0.04083 -12 有 有 2 36 22 150℃/60分鐘 86 480 14 0.38
實施例5 1.30 0.04625 -12 有 有 2 10 21 150℃/60分鐘 86.9 250 12 0.08
實施例6 6.90 0.04083 0 有 有 9 36 90 150℃/60分鐘 81 110 15 0.39
實施例7 0.55 0.04167 -12 有 有 5 1 13 165℃/75分鐘 87.5 570 11 0.25
比較例1 1.40 0.04083 -12 有 有 2 36 23 150℃/60分鐘 87 450 17 0.43
比較例2 1.10 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 2 0.3
比較例3 1.70 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 34 0.07
比較例4 1.80 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 27 0.08
比較例5 8.20 0.04917 2 無 無 11 45 8 150℃/60分鐘 88 1400 19～21 有變異 0.42
比較例6 1.40 0.00833 -12 有 有 2 0 110 80℃/20分鐘 68 1700 18 0.43
比較例7 1.40 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 0 2.1
比較例8 1.40 0.04917 -12 有 有 2 3 23 150℃/60分鐘 87 450 10 2
(*1)氫濃度係設為氫氣÷(氬＋氫氣)×100的值。 (*2)在轟擊步驟中，係以SUS(不銹鋼)為靶，在0.5W/cm 2下進行RF濺鍍。RF濺鍍的導入氣體量係與導入真空裝置的實施例記載的氣體量相同。 (*3)使用保護薄膜的厚度為65μm的聚乙烯薄膜。在該保護薄膜的單面塗布丙烯酸系黏著劑。在薄膜的形成有透明導電膜的面的相反面貼附保護薄膜。
[表2]
　 平均最 大山高 (μm) 剛軟度 (N・cm) 式(2-1) (μm) 接觸面積率 (%) 式(2-3) (%) 最大山高的 最大值/ 平均最 大山高 最大山高的 最小值/平均 最大山高 透明塑膠 基材的 厚度 (μm) 硬化型 樹脂層 的有無 功能層的 有無 硬化型樹脂層 的無機粒子A 添加量 (wt%) 硬化型樹脂層 的無機粒子B 添加量 (wt%) 硬化型樹脂層 的無機粒子A 粒徑 (μm) 硬化型樹脂層 的無機粒子B 粒徑 (μm)
實施例1 4.604 0.57 0.879 55.3 35.8 1.18 0.83 188 有 有 1 22 3 0.3
實施例2 9.204 0.6 1.020 50.8 36.8 1.37 0.65 188 有 有 1 28 8 0.2
實施例3 1.348 0.64 1.208 38.2 38.1 1.06 0.95 188 有 有 15 - 1 -
實施例4 0.950 0.52 0.644 40.1 34.2 1.10 0.93 188 有 有 10 - 1 -
實施例5 0.010 0.27 -0.531 99.0 26.0 1.20 0.90 100 有 有 0.1 - 0.05 -
實施例6 2.103 0.81 2.007 45.2 43.6 1.05 0.96 188 有 有 18 - 1.2 -
實施例7 4.604 0.57 0.879 55.3 35.8 1.18 0.83 188 有 有 1 22 3 0.3
比較例1 0.694 0.581 0.931 35.3 36.1 1.08 0.95 188 有 有 27 - 0.6 -
比較例2 0.694 0.158 -1.057 35.3 22.4 1.08 0.95 50 有 有 27 - 0.6 -
比較例3 0.004 0.91 2.477 100.0 46.9 1.25 0.75 250 無 無 - - - -
比較例4 0.010 1.12 3.464 99.0 53.7 1.20 0.90 250 有 無 0.1 - 0.05 -
比較例5 0.736 0.56 0.832 34.8 35.5 1.42 0.59 188 有 有 27 - 0.65 -
比較例6 0.694 0.592 0.982 35.3 36.5 1.07 0.96 188 有 有 27 - 0.6 -
比較例7 12.072 0.6 1.020 9.5 36.8 1.38 0.64 188 有 有 15 15 9 2
比較例8 6.203 0.57 0.879 10.7 35.8 1.34 0.76 188 有 有 23 - 4 -
[表3]
　 硬化型 樹脂層的 固體成分 濃度(%) 硬化型 樹脂的 厚度 (μm) 功能層的 無機粒子 添加量 (wt%) 功能層的 無機粒子 粒徑 (μm) 功能層的 固體成分 濃度 (%) 功能層 的厚度 (μm) 硬化型 樹脂層下的 易接著層 的有無 功能層下的 易接著層 的有無 透明導電層的 附著性試驗 (%) 功能層的 附著性試驗 (%) 結晶 化度 (%) 筆滑動耐久性 試驗 ON電阻 (kΩ)
實施例1 60 5 15 3 50 6 有 有 100 100 100 0.1
實施例2 75 3 10 3 60 2 有 有 100 100 100 0.1
實施例3 50 6 20 3 50 4 有 有 100 100 100 0.1
實施例4 50 5 1 3 50 6 有 有 100 100 0 9
實施例5 50 5 5 3 50 6 有 有 100 100 0 8
實施例6 55 13 30 3 50 15 有 有 100 100 0 2
實施例7 60 5 15 3 50 6 有 有 100 100 70 0.3
比較例1 45 5 28 3 50 6 有 有 100 100 0 8
比較例2 45 5 27 3 45 5 有 有 100 100 100 13
比較例3 - - - - - - 無 無 10 - 100 ∞
比較例4 50 5 - - - - 有 無 100 - 100 0.1
比較例5 55 1 15 3 50 1.5 有 有 100 100 0 15
比較例6 45 6 27 3 45 7 有 有 100 100 0 0
比較例7 80 3 10 3 60 2 有 有 100 100 100 0.1
比較例8 80 3 10 3 60 2 有 有 100 100 100 0.1
依照表1～3的記載，實施例1～7記載的透明導電性薄膜係輸入開始荷重在本發明的範圍內，因此用於電阻膜式觸控面板之際的輕快的操作性優異，電壓損失時間在本發明的範圍內，因此筆輸入穩定性優異，筆滑動耐久性也優異，兼備各特性。然而，比較例1～8無法完全滿足輕快的操作性、筆輸入穩定性及筆滑動耐久性。 [產業上利用之可能性]
如上所述，若根據本發明的話，便能夠提供具有輕快的操作性、優異的筆輸入穩定性及優異的筆滑動耐久性的透明導電性薄膜，這在電阻膜式觸控面板等用途上是極有用的。
1:薄膜 2:中心輥 3:遮罩 4:銦-錫複合氧化物的靶 5:透明導電膜 6:硬化型樹脂層 7:透明塑膠薄膜基材 8:功能層 9:易接著層 10:ITO玻璃 11:點狀間隙物 12:用筆施加荷重的位置 13:時間 14:電壓 15:電壓損失時間
圖1係供說明在本發明中所適合使用的濺鍍裝置的一例的中心輥(center roll)的位置用的示意圖。 圖2係顯示本發明的一態樣中的構成的示意圖。 圖3係顯示本發明的一態樣中的構成的示意圖。 圖4係顯示本發明的一態樣中的構成的示意圖。 圖5係顯示本發明的一態樣中的構成的示意圖。 圖6係顯示本發明的一態樣中的測定條件的示意圖。 圖7係顯示本發明的一態樣中的電壓和時間的關係的概念圖。
5:透明導電膜
6:硬化型樹脂層
7:透明塑膠薄膜基材
8:功能層

Claims (10)

  1. 一種透明導電性薄膜，係在透明塑膠薄膜基材上的至少一面側積層有銦-錫複合氧化物的透明導電膜的透明導電性薄膜， 其基於以下的輸入荷重試驗的透明導電薄膜的輸入開始荷重為3g以上15g以下，另外，基於以下的筆輸入穩定性試驗的透明導電性薄膜的電壓損失時間為0.00毫秒以上0.40毫秒以下， (輸入荷重試驗方法) 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板， 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀， 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)， 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層， 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出， 接著，將ITO玻璃和透明導電性薄膜以測試機(tester)連結， 接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)陸續施加荷重，將以測試機所測量的電阻值穩定時的荷重值設為輸入開始荷重， 用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域，算出3點的輸入開始荷重的平均值， (筆輸入穩定性試驗方法) 將透明導電性薄膜(尺寸：220mm×135mm)用作一側的面板板，將在玻璃基板(尺寸：232mm×151mm)上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜A用作另一側的面板板， 在附有銦-錫複合氧化物薄膜的玻璃基板(以下，也稱為ITO玻璃)的透明導電性薄膜A側，將作為點狀間隙物的環氧樹脂(縱60μm×橫60μm×高5μm)配置成節距4mm的正方格子狀， 接著，以ITO玻璃的四個角落中的任一角為起點，以形成190mm×135mm的長方形的方式在ITO玻璃的透明導電性薄膜A側貼上雙面膠帶(厚度：105μm、寬度6mm)， 接著，在貼在ITO玻璃的雙面膠帶上，貼附透明導電性薄膜的透明導電膜B側，以透明導電性薄膜A和透明導電膜B面對面的方式進行積層， 此時，使透明導電性薄膜的一短邊側從ITO玻璃超出， 接著，將定電壓電源連接至ITO玻璃和透明導電性薄膜，接著，連接能夠測量ITO玻璃和透明導電性薄膜的電壓的記錄器，接著，向定電壓電源施加6V，用記錄器以0.02毫秒單位開始測量電壓，接著，從透明導電性薄膜側，用聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)以1秒鐘5次的步調(pace)施加50g的荷重，用筆施加荷重的位置係被4個點狀間隙物包圍的中心區域，從記錄器取出用筆對透明導電性薄膜施加荷重時的電壓的時間變化的資料，筆開始離開透明導電性薄膜，以電壓從6V開始減少時為起點，測定到電壓成為5V為止的時間，記錄為電壓損失時間。
  2. 如請求項1的透明導電性薄膜，其中下述的薄膜剛軟度試驗的剛軟度為0.23N‧cm以上0.90N‧cm以下，另外，透明導電性薄膜的導電面的下述的平均最大山高滿足下述式(2-1)及式(2-2)，另外，以下述的接觸面積率評價所算出的值滿足式(2-3)， (薄膜剛軟度試驗方法) 從透明導電性薄膜採取20mm×250mm的試驗片，使透明導電層朝上地將試驗片配置於表面平滑的水平台上，此時，試驗片係僅20mm×20mm的部分放置於水平台上，20mm×230mm則以露出在水平台之外的方式放置，此外，在試驗片的20mm×20mm的部分上放置砝碼，此時，以在試驗片與水平台之間沒有形成間隙的方式選擇砝碼的重量、尺寸， 接著，利用刻度尺(scale)讀取水平台的高度和薄膜的前端的高度的差，以下記為δ，接著，將數值代入以下的式(1)算出剛軟度， 式(1) (g×a×b×L 4)÷8δ  (N‧cm) g=重力加速度，a=試驗片的短邊的長度，b=試驗片的比重，L=試驗片的長度，δ=水平台的高度和薄膜的前端的高度的差 (平均最大山高評價) 平均最大山高為5點的最大山高的平均，5點的選法係首先選擇任意一點A，接著，在相對於A、薄膜的長度(MD)方向的上下游1cm處各選擇1點，合計2點，接著，在相對於A、薄膜的寬度(TD)方向的左右1cm處各選擇1點，合計2點，最大山高係ISO 25178中所規定者，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，求出最大山高，此外，小於1nm的值係採四捨五入簡化， (接觸面積率評價) 針對透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡50倍))，在測定長度100μm～200μm的範圍內，按照JIS B 0601-2001測定算術平均粗糙度Ra，但是，以滿足「Rp-平均高度-Ra≦0.20μm」和「(Rp-平均高度)÷Ra≦5.0」中的任一者或兩者，另外，滿足Rsm≦30μm的方式測定Ra，此處，Rp、Rsm係按照JIS B 0601-2001測定，平均高度係測定長度中的高度的平均值，在沒有滿足該條件的情況下，在不同的點進行再測定，接著，針對相同的透明導電性薄膜的導電面，使用3維表面形狀測定裝置VertScan(菱化System公司製，R5500H-M100(測定條件：wave模式，測定波長560nm，物鏡10倍))，進一步使用同測定裝置所具有的粒子解析，以「Ra-15nm-平均高度」為臨界值(threshold value)求出截面積的總和，接觸面積率係設為如下的值：將使截面積的總和除以測定視野的面積所得到的值乘以100的值， 式(2-1)  平均最大山高(μm)≧4.7×剛軟度-1.8 式(2-2)  0.005(μm)≦平均最大山高(μm)≦12.000(μm) 式(2-3)  接觸面積率(%)≧32.6×剛軟度+17.2。
  3. 如請求項2的透明導電性薄膜，其中該平均最大山高評價中的最大山高的最大值係該平均最大山高的超過1.0倍且1.4倍以下，且 該平均最大山高評價中的最大山高的最小值係該平均最大山高的0.6倍以上1.0倍以下。
  4. 如請求項1至3中任一項的透明導電性薄膜，其中透明導電膜的厚度為10nm以上100nm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項的透明導電性薄膜，其中透明導電膜中所含的氧化錫的濃度為0.5質量%以上40質量%以下。
  6. 如請求項1至5中任一項的透明導電性薄膜，其中在透明導電膜與透明塑膠薄膜基材之間具有硬化型樹脂層， 進一步在透明塑膠基材的與該透明導電膜為相反的側，具有功能層。
  7. 如請求項1至6中任一項的透明導電性薄膜，其中在透明塑膠薄膜基材的至少一側，進一步具有易接著層。
  8. 如請求項7的透明導電性薄膜，其中易接著層係配置在透明塑膠薄膜基材與硬化型樹脂層之間、或透明塑膠基材與功能層之間中的至少一個位置。
  9. 如請求項1至8中任一項的透明導電性薄膜，其中基於以下的筆滑動耐久性試驗的透明導電薄膜的透明導電膜的ON電阻為10kΩ以下， (筆滑動耐久性試驗) 將透明導電性薄膜用作一側的面板板，將在玻璃基板上包含用濺鍍法形成的厚度為20nm的銦-錫複合氧化物薄膜(氧化錫含量：10質量%)的透明導電性薄膜用作另一側的面板板，以透明導電性薄膜面對面的方式，隔著直徑30μm的環氧珠配置這2片面板板而製作觸控面板，接著，對聚縮醛製的筆(前端形狀：0.8mmR)施加2.5N的荷重，對觸控面板進行5萬次來回的直線滑動試驗，此時的滑動距離設為30mm，滑動速度設為180mm/秒，在此滑動耐久性試驗後，測定用0.8N的筆荷重按壓滑動部之際的ON電阻(可動電極(薄膜電極)和固定電極接觸時的電阻值)。
  10. 如請求項1至9中任一項的透明導電性薄膜，其中在透明導電膜的表面上的根據JIS K5600-5-6：1999的附著性試驗中，透明導電膜的殘留面積率為95%以上。
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