JPWO2016104004A1 - 共振子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

ウエハごとの抵抗率のばらつきに有効に対応することが可能な共振子の製造方法を提供する。共振子の製造方法は、縮退状態にあるSiウエハの表面にSi酸化膜を形成するステップを含み、Si酸化膜の厚さは、Siウエハの不純物のドープ量に応じて設定される。

Description

本発明は、共振子の製造方法に関する。
圧電共振子などの共振子の形成に先立って、例えばP(リン)などのn型ドーパントすなわち不純物が大量にドーピングされたSi(シリコン)のインゴットが製造される。このインゴットから複数のウエハが切り出され、ウエハ上に規定される複数の区画に共振子が形成される。その後、ウエハの各区画の輪郭に沿って各区画が切り分けられて共振装置が形成される。
Siのインゴットは、例えばCZ法(チョクラルスキー法)と呼ばれる製造方法により、単結晶のSiを成長させることによってほぼ円柱形状に製造される。具体的には、インゴットは、例えばPなどのn型ドーパントを大量にドーピングした多結晶のSiを加熱溶融させ、溶融したSiにSi棒を浸けてSi棒を回転させながら引き上げることによって製造される。
特開2010−028536号公報
こうしたインゴットでは、インゴットの径方向の外周側で内周側よりも不純物の濃度が大きくなり、同時に、インゴットの引き上げ方向の底部側で上部側よりも不純物の濃度が大きくなることが分かっている。こうした不純物の濃度の分布によって、インゴットでは、内周側から外周側に向かうにつれて抵抗率が下がる抵抗率の分布が形成され、また、上部側から底部側に向かうにつれて抵抗率が下がる抵抗率の分布が形成される。
このような抵抗率の分布を有するインゴットから切り出された複数のウエハでは、不純物の濃度の分布によってウエハごとに抵抗率がばらつく。こうしたウエハから製造される共振子では、ウエハごとの抵抗率のばらつきによって周波数温度特性にばらつきが生じる。しかしながら、従来、こうしたウエハごとの抵抗率のばらつきに対して何ら対応がなされていなかった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ウエハごとの抵抗率のばらつきに有効に対応することが可能な共振子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る共振子の製造方法は、縮退状態にあるSiウエハの表面にSi酸化膜を形成するステップを含み、Si酸化膜の厚さは、Siウエハの不純物のドープ量に応じて設定される。
本発明の別の側面に係る共振子の製造方法は、縮退状態にあるSiウエハの表面に圧電薄膜を形成するステップを含み、圧電薄膜の厚さは、Siウエハの不純物のドープ量の面内方向における分布に応じて設定される。
本発明の一側面に係るウエハ体は、縮退状態にあるSiウエハと、Siウエハの表面に形成された圧電薄膜と、を備え、圧電薄膜は、Siウエハの不純物のドープ量の面内方向における分布に応じて設定された厚さを有する。
本発明によれば、ウエハごとの抵抗率のばらつきに有効に対応することが可能な共振子の製造方法を提供することができる。
一具体例に係る圧電共振装置の外観を概略的に示す斜視図である。 一具体例に係る圧電共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。 図2の3−3線に沿った圧電共振子の断面の模式図である。 Si酸化膜の厚さと圧電共振子の周波数温度特性範囲との関係を示すグラフである。 圧電薄膜の厚さと圧電共振子の周波数温度特性範囲との関係を示すグラフである。 不純物のドープ量と圧電共振子の弾性定数1次温度係数との関係を示すグラフである。 一具体例に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面の模式図である。 一具体例に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面の模式図である。 一具体例に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面の模式図である。 ウエハの抵抗率と圧電共振子の周波数温度特性範囲との関係を示すグラフである。 一具体例に係る圧電共振装置の製造方法を説明するための断面の模式図である。 他の具体例に係る圧電共振装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。 図12の12−12線に沿った圧電共振子の断面の模式図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図1は、一具体例に係る圧電共振装置10の外観を概略的に示す斜視図である。この圧電共振装置10は、下側基板11と、下側基板11との間に振動空間を形成する上側基板12と、下側基板11及び上側基板12の間に挟み込まれる圧電共振子13と、を備えている。圧電共振子13は、MEMS技術を用いて製造されるMEMS共振子である。この圧電共振装置10は、例えばスマートフォンなどの電子機器内に組み込まれるタイミングデバイスとして機能する。
図2は、一具体例に係る圧電共振装置10の構造を概略的に示す分解斜視図である。図2に示すように、圧電共振子13は、図2の直交座標系におけるXY平面に沿って矩形の枠状に広がる支持枠14と、支持枠14の一端から支持枠14内にXY平面に沿って平板状に広がる基部15と、基部15の一端に接続された固定端から自由端に向かってXY平面に沿って延びる複数の振動腕16と、を備えている。本実施形態では、Y軸に平行に4本の振動腕16が延びている。なお、振動腕16の数は、4本に限定されず、例えば3本以上の任意の数に設定される。
一具体例に係る圧電共振装置10では、下側基板11はXY平面に沿って平板状に広がっており、その上面に凹部17が形成されている。凹部17は、例えば平たい直方体形状に形成されており、振動腕16の振動空間の一部を形成する。その一方で、上側基板12はXY平面に沿って平板状に広がっており、その下面に凹部18が形成されている。凹部18は、例えば平たい直方体形状に形成されており、振動腕16の振動空間の一部を形成する。下側基板11及び上側基板12はともにSi(シリコン)から形成されている。
この圧電共振装置10では、凹部17の外側に規定される下側基板11の上面の周縁部上に圧電共振子13の支持枠14が受け止められ、圧電共振子13の支持枠14上に、凹部18の外側に規定される上側基板12の下面の周縁が受け止められる。こうして下側基板11と上側基板12との間に圧電共振子13が保持され、下側基板11と上側基板12と圧電共振子13の支持枠14とによって振動腕16の振動空間が形成される。この振動空間は気密に保持され、真空状態が維持されている。
図3は、図2の3−3線に沿った圧電共振子13の断面の模式図である。図3を併せて参照すると、圧電共振子13では、振動腕16は、Si酸化膜(熱酸化膜)例えばSiO2層(二酸化ケイ素)21と、SiO2層21上に積層された活性層すなわちSi層22と、Si層22上に積層された圧電薄膜すなわちAlN(窒化アルミニウム)層23と、AlN層23を挟み込むようにAlN層23の上面及び下面に形成された下側電極すなわちMo(モリブデン)層24及び上側電極すなわちMo層25と、さらにMo層25上に積層されたAlN層23´を備えている。なお、SiO2層21はSi層22とMo層24との間やMo層25の上面に形成されてもよい。
Si酸化膜には、Siab層(a及びbは整数)の任意の組成を含む酸化ケイ素材料が用いられる。活性層は、縮退状態にあるn型のSi半導体から形成されており、不純物すなわちn型ドーパントとしてP(リン)やAs(ヒ素)、Sb(アンチモン)などの第15族元素などを含む。なお、活性層にはP、As、Sbのうちの2つ以上を混在させてもよい。さらに、活性層には、Siのイオン半径よりも大きなイオン半径を有するGe(ゲルマニウム)を添加して、大量の不純物ドープによる格子の歪を調整してもよい。本実施形態では、Si層22には、n型ドーパントとしてP(リン)が所定のドープ量でドーピングされている。
AlN層23は、印加される電圧を振動に変換する圧電薄膜である。圧電薄膜には、AlN層23に代えて、例えばScAlN(スカンジウム含有窒化アルミニウム)層が用いられてもよい。また、圧電薄膜には、AlN層23に代えて、MgNbAlN(マグネシウムニオブ含有窒化アルミニウム)層やMgZrAlN(マグネシウムジルコニウム含有窒化アルミニウム)層、BAlN(ボロン含有窒化アルミニウム)、GeAlN(ゲルマニウム含有窒化アルミニウム)が用いられてもよい。またさらに、圧電薄膜には、GaN(窒化ガリウム)層、InN(窒化インジウム)層、ZnO(酸化亜鉛)層、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)層、KNN(ニオブ酸カリウムナトリウム)層、LiTaO3(タンタル酸リチウム)層、LiNbO3(ニオブ酸リチウム)層が用いられてもよい。
下側電極及び上側電極には、Mo層24、25に代えて、例えばRu(ルテニウム)、Pt(白金)、Ti(チタニウム)、Cr(クロム)、Al(アルミニウム)、Cu(銅)、Ag(銀)、又は、これらの合金などの金属材料が用いられる。Mo層24及びMo層25はそれぞれ、圧電共振装置10の外部に設けられた交流電源(図示せず)に接続される。接続にあたって、例えば上側基板12の上面に形成された電極(図示せず)や、下側基板11内又は上側基板12内に形成されたスルーシリコンビア(TSV)(図示せず)などが用いられる。
AlN層23´は、例えばMo層25を保護するための膜である。なお、Mo層25上に形成される層は、AlN層に限定されず、例えば絶縁体から形成される膜でもよい。
AlN層23は、ウルツ鉱構造を有しており、Si層22に対してほぼ垂直にC軸に配向している。Mo層24及びMo層25によってC軸方向に電圧が印加されると、AlN層23はC軸にほぼ垂直な方向に伸縮する。この伸縮によって、振動腕16は、Z軸方向に屈曲変位して下側基板11及び上側基板12の内面に向かってその自由端を変位させ、面外の屈曲振動モードで振動する。
本実施形態では、圧電共振子13の製造にあたって用いられるインゴットの製造時にインゴット内に形成されるドーパントすなわち不純物のドープ量やドープ量の分布に応じてSi酸化膜や圧電薄膜の厚さを制御する。Si酸化膜や圧電薄膜の厚さを制御することによって、圧電共振子13の周波数温度特性のばらつきを低減することできる。従って、後述するように、本発明によれば、良好な温度特性を有する圧電共振子13すなわち圧電共振装置10を提供することができる。
次に、Si酸化膜及び圧電薄膜の厚さを設定する方法について説明する。圧電共振装置10の製造に先立って、例えばCZ法(チョクラルスキー法)によってほぼ円柱形状のインゴットが製造される。各インゴットでは、例えばPなどの不純物のドープ量は所定の設定値に設定される。しかしながら、製造されたインゴットでは、インゴットの径方向の外周側で内周側よりも不純物の濃度が大きくなり、また、インゴットの引き上げ方向の底部側で上部側よりも不純物の濃度が大きくなる傾向にある。こうしてインゴット内に不純物の濃度の分布が生じてしまう。
この不純物の濃度の分布は抵抗率の分布に概ね一致する。具体的には、引き上げ方向における不純物の濃度の分布に応じて、インゴットでは、上部側から底部側に向かうにつれて抵抗率が下がるような抵抗率の分布が生じる。こうした引き上げ方向における抵抗率の分布は、製造されたインゴット内における複数のポイントで、不純物の濃度を計測して特定することができる。例えば、抵抗率の分布は、製造後のインゴットから端部を取り除いた円柱ブロック状のインゴットの底面における複数のポイントでSIMS(二次イオン質量分析)によって不純物の濃度を計測するとともに、当該円柱ブロックの上面における複数のポイントで同様に不純物の濃度を計測することによって特定することができる。また、これらのポイントで実際に抵抗率を計測してもよい。抵抗率は例えば四探針法によって測定することができる。
また、インゴットの径方向における不純物の濃度の分布に応じて、インゴットでは、内周側から外周側に向かうにつれて抵抗率が下がるような抵抗率の分布が生じる。こうした径方向における抵抗率の分布は、円柱ブロック状のインゴットの底面及び上面において径方向における複数のポイントで不純物の濃度を計測し、また、引き上げ方向における不純物の濃度の分布を考慮に入れて、インゴットの引き上げ方向の各位置における径方向の不純物の濃度の分布を算出することによって特定することができる。
圧電共振子13の製造に先立って、円柱ブロックのインゴットから複数のSiウエハが切り出される。各Siウエハは、インゴット内の引き上げ方向の位置に応じた不純物の濃度すなわち抵抗率を有しており、所定の抵抗率の範囲ごとにグループ分けされた各ロットに振り分けられる。このロットに振り分ける作業が各インゴットで繰り返され、各ロットには、複数のインゴットから切り出されて所定の範囲内の抵抗率を有する複数のSiウエハが集められる。ここで、ロットへの振り分けの基準となるSiウエハの抵抗率は、Siウエハの面内方向における不純物のドープ量の平均値(抵抗率の平均値)に基づき特定される。
Siウエハに形成されるSi酸化膜すなわちSiO2層21の厚さは、例えば、各ロット単位で制御される。これにより、引き上げ方向におけるインゴット内の不純物のドープ量(抵抗率)の分布に応じて、圧電共振子13の周波数温度特性範囲を適切に制御することができる。図4は、Si酸化膜の厚さと圧電共振子13の周波数温度特性範囲との関係を示すグラフである。周波数温度特性範囲[ppm]は、圧電共振子13の使用温度範囲(例えば−40℃〜85℃)での周波数の最大値と最小値との間の差分すなわち変化量を示す値である。この周波数温度特性範囲が小さいほど、周波数温度特性のばらつきは小さくなる。
図4から明らかなように、例えばSiウエハ内における不純物のドープ量の平均値が例えば12.6×1019atm/cm3である場合、Si酸化膜の厚さが0.33μmに設定されると、周波数温度特性範囲は最小値になる。また、例えばSiウエハ内における不純物のドープ量の平均値が例えば13.0×1019atm/cm3である場合、Si酸化膜の厚さが0.35μmに設定されると、周波数温度特性範囲は最小値になる。こうしてSi酸化膜の厚さが、周波数温度特性範囲が最小値になる厚さに設定されることによって周波数温度特性のばらつきは低減される。
また、Si酸化膜すなわちSiO2層21の厚さに代えて、又は、SiO2層21の厚さと共に、圧電薄膜すなわちAlN膜23の厚さを制御してもよい。例えば、SiO2層21と同様に、各ロット単位で、AlN膜23の厚さが制御される。これにより、径方向におけるインゴット内の不純物のドープ量(抵抗率)の分布に応じて、圧電共振子13の周波数温度特性範囲を適切に制御することができる。図5は、圧電薄膜の厚さと圧電共振子13の周波数温度特性範囲との関係を示すグラフである。前述と同様に、周波数温度特性範囲[ppm]は、圧電共振子13の使用温度範囲(例えば−40℃〜85℃)での周波数の最大値と最小値との間の差分すなわち変化量を示す値である。
例えばSiウエハの中央付近における不純物のドープ量が1.26×1020atm/cm3であり、Siウエハの外周付近における不純物のドープ量が1.30×1020atm/cm3である場合を想定する。この場合、図5から明らかなように、Siウエハの中央付近において、周波数温度特性範囲が最小値となる0.850μmに圧電薄膜の厚さを設定する。また、Siウエハの外周付近において、周波数温度特性範囲が最小値となる0.790μmに圧電薄膜の厚さを設定する。
上述したように、Siウエハの面内方向において不純物のドープ量の分布が形成されることから、例えばSiウエハの内周側から外周側に向かう径方向において形成されるドープ量の分布に応じて、AlN膜23では径方向に厚さの分布が設定される。こうした径方向における圧電薄膜の厚さの分布が、周波数温度特性範囲が最小値になる厚さの分布になるように設定されることによって、周波数温度特性のばらつきは低減される。
図6は、不純物のドープ量と圧電共振子13の弾性定数1次温度係数との関係を示すグラフである。図6から明らかなように、Siウエハの不純物のドープ量が0から増大していくと、約9×1019atm/cm3までは周波数温度特性が比較的急激に増大していくが、不純物のドープ量が約9×1019atm/cm3を超えると、周波数温度特性は比較的に緩やかに減少していく。
従って、Siウエハの面内方向におけるドープ量(抵抗率)の分布に対処するため、例えば、負の弾性定数1次温度係数を有するAlNやScAlNなどの材料を圧電薄膜として用い、かつ、Siウエハのドープ量が約9×1019atm/cm3を上回る場合には、Siウエハの内周側よりも外周側において圧電薄膜の厚さを増大させる。他方で、ドープ量が約9×1019atm/cm3を下回る場合には、Siウエハの内周側よりも外周側において圧電薄膜の厚さを減少させる。すなわち、約9×1019atm/cm3のドープ量を閾値として圧電薄膜の厚さの分布を調整することが好ましい。
なお、圧電薄膜の厚さの分布の調整に代えて、Si層22よりも上方に形成される圧電共振子13を構成する薄膜(共振子構成薄膜)の厚さの分布の調整によってもSiウエハの面内方向におけるドープ量(抵抗率)の分布に対処することができる。共振子構成薄膜には例えば下側電極24や上側電極25が含まれる。その他、例えば下側電極24とSi層22との間に形成される寄生容量低減(例えば酸化ケイ素)層の厚さや、上側電極25上に形成される例えば酸化ケイ素層やAlN層からなる保護膜層などの付加薄膜層の厚さの分布の調整によっても、Siウエハの面内方向におけるドープ量(抵抗率)の分布に対処することができる。
このような共振子構成薄膜に、例えば負の弾性定数1次温度係数を有するAlN、Mo、Al、Pt、Ru、Ir(イリジウム)、Ti、ScAlN、SiN(窒化シリコン)などの材料を共振子構成薄膜として用いる場合、前述と同様に、約9×1019atm/cm3のドープ量を閾値として共振子構成薄膜の厚さの分布を調整することが好ましい。Siウエハの面内方向における厚さの分布の調整は前述と同様である。なお、例えばSiO2やSiOF(フッ素含有シリコン酸化膜)などの正の弾性定数1次温度係数を有する材料の場合には、上記閾値を境界にして、Siウエハの面内方向に上記と逆に厚さを設定することが好ましい。
次に、圧電共振装置10の製造方法について以下に概略的に説明する。図7は、本発明の一具体例に係る圧電共振装置10の製造方法を説明するための断面図である。なお、Siウエハ上には各圧電共振装置10に対応する区画が複数規定されているが、以下の製造方法の説明にあたって図面にはSiウエハ上の1区画のみを図示している。また、Si酸化膜や圧電薄膜の厚みの制御は、所定の抵抗率の範囲を有する複数のSiウエハが集められたロットごとに実施される。
まず、図7(a)に示すように、下側基板11の製造にあたって、Siから形成される平板状のウエハ31が用意され、このウエハ31の全面に熱酸化処理を行うことによって、ウエハ31の全面に所定の厚さでSi酸化膜(例えばSiO2)32が形成される。図7(b)に示すように、ウエハ31の表面に例えばエッチングによって凹部33が形成される。その後、図7(c)に示すように、Si酸化膜32が除去された後、ウエハ31は洗浄される。こうして、凹部17をその上面に有する下側基板11が形成される。
その一方で、図8(a)に示すように、圧電共振子13の製造にあたって、縮退状態にあるSiウエハ34が用意される。Siウエハ34には所定のドープ量で不純物がドーピングされており、Siウエハ34の実際のドープ量(抵抗率)が予め特定されている。このSiウエハ34の全面に熱酸化処理を行うことによって、所定の厚さでSi酸化膜(例えばSiO2)35が形成される。なお、Si酸化膜35は、熱酸化膜の他、TEOS酸化膜、PECVD酸化膜、スパッタ酸化膜を用いることができる。Si酸化膜の厚さは、上述したように、Siウエハ34の面内方向における実際のドープ量(抵抗率)の平均値に応じて設定される。
その後、図8(b)に示すように、前述のウエハ31の上面にSiウエハ34の下面を重ね合わせてウエハ31の上面にSiウエハ34が接合される。接合にあたって例えば溶融接合が行われる。続いて、図8(c)に示すように、Siウエハ34の上面に研削処理及び研磨処理(CMP:化学的機械研磨)を行うことによって、Siウエハ34の上面のSi酸化膜35及びSiウエハ34の一部が研削されて除去され、Siウエハ34の表面が平坦化される。こうしていわゆるCavity SOIが製造される。
その後、図9(a)に示すように、Siウエハ34上に例えばスパッタリングによって下側電極膜(例えばMo)36、圧電薄膜(例えばAlN)37、上側電極膜(例えばMo)38、及び圧電薄膜37´が順次成膜される。このとき、圧電薄膜37の厚さは、上述したように、Siウエハ34の面内方向における不純物のドープ量(抵抗率)の分布に応じて設定される。例えば、Siウエハ34の中央付近から外周に向かうにつれて圧電薄膜37の厚さが減少するように面内方向において圧電薄膜37の厚さに分布をもたせる。こうして、Siウエハ34の面内方向のドープ量(抵抗率)の分布に応じて設定された厚さを有する圧電薄膜37を備えたウエハ体が製造される。
ここで、圧電薄膜37の形成にあたって、例えばSiウエハ34の上面に対向するようにAlターゲット(図示せず)が配置される。Alターゲットの背後に磁石(図示せず)を配置して磁場中に電子を閉じ込めることによって、Ar(アルゴン)などの不活性ガスのイオン化を促進して高濃度のプラズマをAlターゲット付近に生成する。その結果、圧電薄膜37を高速に成膜することができる。従って、Siウエハ34の上面に到達するスパッタ粒子の分布は、磁石によって形成される磁場の分布に大きく依存する。言い替えれば、磁場の分布を調整することによって圧電薄膜37の厚さに分布をもたせることができる。
従って、例えば磁石の位置やSiウエハ34の回転数を調整することによって磁石の磁場の強度を調整することにより、面内方向に圧電薄膜37の厚さに分布をもたせることが可能である。また、この方法に代えて、Siウエハ34の上面に均一な厚さの圧電薄膜37を形成した後、圧電薄膜37の厚さを実際に計測し、所望の厚さの分布になるようにArイオンビームなどで圧電薄膜37を削ることによって圧電薄膜37に厚さの分布を持たせることも可能である。この方法によれば、圧電薄膜37の厚さをより精密に調整することができる。
続いて、図9(b)に示すように、Siウエハ34、Si酸化膜35、下側電極膜36、圧電薄膜37、上側電極膜38及び圧電薄膜37´を例えばドライエッチング又はウェットエッチングすることによって、上述した支持枠14、基部15及び振動腕16の形状が形成される。このようにして、下側基板11の上面上に支持枠14によって支持された圧電共振子13が形成される。その後、Siウエハ34の各区画に対応する区画に予め凹部が形成されたウエハ(図示せず)が圧電共振子13上に接合される。続いて、各区画の輪郭に沿って例えばダイヤモンドブレードやレーザーダイシング法によって各圧電共振装置10が切り出される。
なお、上述した圧電共振装置10の製造方法では、縮退状態にあるSiウエハ34内の不純物のドープ量(抵抗率)及びその分布に応じてSi酸化膜35及び圧電薄膜37の両方の厚さを制御しているが、本発明はこれに限定されるわけではなく、例えばSi酸化膜35及び圧電薄膜37のいずれか一方のみの厚さを制御するようにしてもよい。こうしてSi酸化膜35及び圧電薄膜37のいずれか一方のみの厚さを制御することによっても、周波数温度係数のばらつきの小さい圧電共振装置10を提供することができる。
さらに、上述した圧電共振装置10の製造方法においては、Siウエハのロットへの振り分けは、Siウエハの面内方向における不純物のドープ量の平均値に基づいて行われ、また、Siウエハに形成されるSiO2層21の厚さは、各ロット単位で制御される方法を一例として説明した。しかし、これに限定されず、Siウエハの面内方向における不純物のドープ量の分布に応じて、SiO2層21の厚さをさらに調整することも可能である。
具体的には、図8(a)に示した工程において、Siウエハ34の全面に、Si酸化膜35が所定の厚さで形成された後に、Si酸化膜35の膜厚を調整する。Si酸化膜35の膜厚調整に先立って、まず、Siウエハ34面内の抵抗率分布が特定される。
Siウエハ34面内の抵抗率分布は、例えば、インゴットの径方向における抵抗率の分布に基づいて、特定することが可能である。具体的には、インゴットの径方向における抵抗率の分布は、上述のとおり、インゴットの引き上げ方向の各位置における径方向の不純物の濃度の分布を算出することによって特定できる。
次に、Siウエハ34面内のSi酸化膜35の膜厚分布を測定する。そして、圧電共振子13の周波数温度特性がSiウエハ34面内で均一になるように、特定した抵抗率分布と膜厚分布とに基づいてSi酸化膜35の膜厚をトリミングによって調整する。
図10は、ウエハの抵抗率と圧電共振子13の周波数温度特性との関係を示す図である。図10において、横軸はウエハの抵抗率を、縦軸は周波数温度特性の1次係数項を示している。図10から、周波数温度特性は、ウエハの抵抗率が高くなるにつれその値が大きくなり、2.0ppm/K近傍に漸近することが分かる。従って、周波数温度特性と抵抗率との関係、及び図4に示した周波数温度特性とSi酸化膜の厚さとの関係から、例えば平均の抵抗率が0.5mΩcmのウェハにおいて、ウエハ面内における抵抗率が高い領域において、Si酸化膜35が薄くなるように膜厚を調整することで、周波数温度特性のばらつきを低減できることが分かる。
Si酸化膜35の膜厚のトリミングには、例えば希ガス、例えばAr(アルゴン)イオンビームや、化学反応ガス、例えばSF(6フッ化硫黄)ガスプラズマを用いた局所エッチングや、フッ酸溶液を細いノズルからSiウエハに吹き付ける局所エッチングを用いることができる。
これによって、Siウエハの面内における抵抗率に基づく周波数温度特性のばらつきを低減することが可能になる。
また、上述したCavity SOIの製造方法に代えて、以下に説明する製造方法が実施されてもよい。例えば図11(a)に示すように、縮退状態にある前述のSiウエハ34の全面に熱酸化処理を行うことによって所定の厚さのSi酸化膜35が形成される。このSiウエハ34の下面に、Siからなるハンドルウエハ41が接合される。その一方で、前述と同様に凹部33を有するウエハ31が形成される。その後、図11(b)に示すように、凹部33を有するウエハ31の上面に、例えば溶融接合によってSiウエハ34の上面が接合される。
ウエハ31とSiウエハ34との接合後、Siウエハ34の上面からハンドルウエハ41が除去される。その後、図11(c)に示すように、Siウエハ34の上面のSi酸化膜25をウェットエッチングによって除去する。その後は前述と同様に、Siウエハ34の上面に例えばスパッタリングによって下側電極膜(例えばMo)36、圧電薄膜(例えばAlN)37及び上側電極膜(例えばMo)38が順次成膜されて、圧電共振装置10が製造される。
図12は、他の具体例に係る圧電共振装置50の外観を示す構造を概略的に示す分解斜視図である。この圧電共振装置50は、前述の屈曲振動モードで振動する圧電共振子13に代えて、面内拡がり振動モードで振動する圧電共振子53を備えている。圧電共振子53は、前述の圧電共振子13と同様に、下側基板11及び上側基板12の間に挟み込まれる。下側基板11及び上側基板12の構成については、前述の構造と同一であるため、重複した説明は省略する。
圧電共振子53は、図12の直交座標系におけるXY平面に沿って矩形の枠状に広がる支持枠54と、支持枠54の内側に配置されて、支持枠54と同様にXY平面に沿って矩形に広がる振動部55と、支持枠54と振動部55とを互いに接続する1対の連結部56、56と、を備えている。振動部55は、後述するように、XY平面に沿ってY軸方向に伸縮を繰り返すことによって振動する。
支持枠54は、X軸に平行に延びる1対の長辺の枠体54a、54aと、Y軸に平行に延びてその両端で枠体54a、54aの両端にそれぞれ接続される1対の短辺の枠体54b、54bと、を備えている。本実施形態では、連結部56、56は、X軸に平行な一直線上で延びて枠体54b、54bと振動部55とを互いに接続する。連結部56、56の位置は、振動部55のY軸方向の中間位置すなわち振動部55の振動方向の中心位置の端部(ノード点)に設定される。
図13は、図12の12−12線に沿った断面の模式図である。図13から明らかなように、圧電共振子53では、支持枠54や振動部55、連結部56は、Si酸化膜すなわちSiO2層61と、SiO2層61上に積層された活性膜すなわちSi層62と、Si層62上に積層された圧電薄膜すなわちAlN層63と、AlN層63の上面及び下面に形成されてAlN層63を挟み込む下側電極すなわちMo層64及び上側電極すなわちMo層65と、さらにMo層65上に積層されたAlN層63´から形成されている。これらの層の構造は前述の層の構造と同一であるため、重複した説明を省略する。
この圧電共振装置50では、AlN層63は、Si層62に対してほぼ垂直にC軸配向している。Mo層64とMo層65との間でほぼC軸方向に交番電界が印加されることによって、振動部55が励振される。その結果、振動部55が、短辺方向すなわちY軸方向に伸縮振動する。言い替えると、Y軸方向において、振動部55が伸びている状態と振動部55が縮んでいる状態とを繰り返す伸縮振動が生じる。こうした圧電共振装置50についても本発明の製造方法を適用することができる。
上述した実施形態に係る圧電共振装置10、50は、タイミングデバイスとして機能するように説明されたが、例えばジャイロセンサ、加速度センサ、圧力センサ、マイクロフォン、超音波トランスデューサ、エネルギーハーベスタ又はRF(高周波)フィルタなどとして機能するように構成されてもよい。
なお、以上の各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく変更/改良され得るととともに、その等価物も含む。すなわち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更されてもよい。また、各実施形態が備える各要素は技術的に可能な限りにおいて組み合わせられ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
13 共振子(圧電共振子)
21 Si酸化膜
23 圧電薄膜
34 Siウエハ
35 Si酸化膜
37 圧電薄膜
53 共振子(圧電共振子)
61 Si酸化膜
63 圧電薄膜
ウエハ31とSiウエハ34との接合後、Siウエハ34の上面からハンドルウエハ41が除去される。その後、図11(c)に示すように、Siウエハ34の上面のSi酸化膜35をウェットエッチングによって除去する。その後は前述と同様に、Siウエハ34の上面に例えばスパッタリングによって下側電極膜(例えばMo)36、圧電薄膜(例えばAlN)37及び上側電極膜(例えばMo)38が順次成膜されて、圧電共振装置10が製造される。

Claims (9)

  1. 縮退状態にあるSiウエハの表面にSi酸化膜を形成するステップを含み、
    前記Si酸化膜の厚さは、前記Siウエハの不純物のドープ量に応じて設定される、共振子の製造方法。
  2. 前記不純物のドープ量は、前記Siウエハの面内方向の不純物のドープ量の平均で特定される、請求項1に記載の共振子の製造方法。
  3. 前記Siウエハの表面に圧電薄膜を形成するステップをさらに含み、
    前記圧電薄膜の厚さは、前記Siウエハの前記不純物のドープ量の面内方向における分布に応じて設定される、請求項1又は2に記載の共振子の製造方法。
  4. 前記圧電薄膜の厚さの分布は、前記不純物のドープ量及び前記共振子の弾性定数の温度係数に基づいて設定される、請求項3に記載の共振子の製造方法。
  5. 前記Siウエハの表面に共振子構成薄膜を形成するステップをさらに含み、
    前記共振子構成薄膜の厚さは、前記Siウエハの前記不純物のドープ量の面内方向における分布に応じて設定される、請求項1又は2に記載の共振子の製造方法。
  6. 前記共振子構成薄膜の厚さの分布は、前記不純物のドープ量及び前記共振子の弾性定数の温度係数に基づいて設定される、請求項5に記載の共振子の製造方法。
  7. 前記共振子構成薄膜は、前記Siウエハ上に形成される圧電薄膜、前記圧電薄膜を挟み込むように形成される上側電極及び下側電極、前記Siウエハと前記下側電極との間に形成される付加薄膜層、前記上側電極の上に形成される付加薄膜層のうちのいずれか1つである、請求項5又は6に記載の共振子の製造方法。
  8. 縮退状態にあるSiウエハの表面に圧電薄膜を形成するステップを含み、
    前記圧電薄膜の厚さは、前記Siウエハの不純物のドープ量の面内方向における分布に応じて設定される、共振子の製造方法。
  9. 縮退状態にあるSiウエハと、
    前記Siウエハの表面に形成された圧電薄膜と、を備え、
    前記圧電薄膜は、前記Siウエハの不純物のドープ量の面内方向における分布に応じて設定された厚さを有する、ウエハ体。
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