CN110741550A - 谐振器以及谐振装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供更简便且高精度的频率调整方法。是具备具有根据施加给电极的电压进行振动的振动部的谐振器的谐振装置的制造方法，包含：在振动部中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域形成由氧化钼构成的调整膜的工序；以及通过激光除去调整膜中至少一部分来调整上述谐振器的频率的工序。

Description

谐振器以及谐振装置
技术领域
本发明涉及振动臂以面外的弯曲振动模式进行振动的谐振器以及谐振装置。
背景技术
以往，使用了MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术的谐振装置例如被用作定时设备。该谐振装置安装在设置于智能手机等电子设备内的印刷电路基板上。谐振装置具备下侧基板、在与下侧基板之间形成腔室的上侧基板、以及在下侧基板以及上侧基板之间配置在腔室内的谐振器。
在这样的谐振器中，已知有在利用上盖和下盖密封谐振器之后从盖的上方照射激光来调整频率的技术。例如在专利文献1公开了能够最小限度地抑制对硅材料、其周边的构成要素的损伤，并且使激光透过硅材料照射其前面的对象物的激光的照射方法、以及使用该方法的压电振子的频率调整方法。在专利文献1所记载的方法中，通过使脉冲宽度为50～1000fs的脉冲激光照射电子部件的封装的硅材料区域并透过、以及将透过的激光照射到压电振子，来调整压电振子的谐振频率。
专利文献1：国际公开第2011/043357号公报
在涉及使用MEMS技术的谐振装置的技术领域中，需要更简便且高精度的频率调整方法，并存在进一步改善的余地。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供更简便且高精度的频率调整方法。
本发明的一侧面所涉及的谐振装置的制造方法包含：形成谐振器的工序，是形成具备具有根据施加给电极的电压进行振动的压电部的振动部的谐振器的工序，且包含在振动部中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域形成由钼构成的基底膜的工序；使该钼氧化在基底膜上形成由氧化钼构成的多个斑点状的调整膜的工序；以及通过激光除去多个斑点状的调整膜中至少一部分来调整上述谐振器的频率的工序。
根据本发明，能够提供更简便且高精度的频率调整方法。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。
图2是示意性地表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的结构的分解立体图。
图3是取下上侧基板后的本发明的第一实施方式所涉及的谐振器的俯视图。
图4是沿着图3的AA’线的剖视图。
图5A是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5B是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5C是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5D是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5E是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5F是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5G是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5H是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5I是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5J是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5K是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造工艺的图。
图5L是表示本发明的第一实施方式所涉及的F调整工序的样子的示意图。
图6与图3对应，是在基底膜的整个面形成了调整膜的情况下的谐振器的俯视图。
图7是本发明的第二实施方式所涉及的谐振器的俯视图。
图8是沿着图7的CC’线的剖视图。
图9是本发明的第三实施方式所涉及的谐振器的俯视图。
图10是沿着图9的DD’线的剖视图。
图11与图9对应，是表示以高频派模式振动的情况下的振动部的平面结构的图。
图12是本发明的第四实施方式所涉及的谐振器的俯视图。
图13A是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13B是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13C是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13D是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13E是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13F是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13G是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13H是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13I是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
图13J是表示本发明所涉及的谐振装置的制造方法的其它方式的图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，参照附图对本发明的第一实施方式进行说明。图1是示意性地表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置1的外观的立体图。另外，图2是示意性地表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置1的结构的分解立体图。
该谐振装置1具备谐振器10、和上盖30以及下盖20，该上盖30以及下盖20夹着谐振器10相互对置地设置。即，谐振装置1通过依次层叠下盖20、谐振器10、以及上盖30而构成。
另外，谐振器10与下盖20以及上盖30接合，由此，密封谐振器10，形成谐振器10的振动空间。谐振器10、下盖20以及上盖30分别使用Si基板形成。而且，谐振器10、下盖20以及上盖30通过Si基板彼此相互接合而相互接合。谐振器10以及下盖20也可以使用SOI基板形成。
谐振器10是使用MEMS技术制造的MEMS谐振器。此外，在本实施方式中，以谐振器10使用硅基板形成为例进行说明。以下，对谐振装置1的各构成进行详细说明。
(1.上盖30)
上盖30沿着XY平面扩展为平板状，在其背面例如形成有平坦的长方体形状的凹部31。凹部31被侧壁33包围，形成谐振器10进行振动的空间亦即振动空间的一部分。
(2.下盖20)
下盖20具有沿着XY平面设置的矩形平板状的底板22、和从底板22的周边部向Z轴方向(即，下盖20与谐振器10的层叠方向)延伸的侧壁23。在下盖20，在与谐振器10对置的面上设置有通过底板22的表面和侧壁23的内面形成的凹部21。凹部21形成谐振器10的振动空间的一部分。通过上述的上盖30和下盖20，该振动空间被气密密封，而维持真空状态。也可以在该振动空间填充有例如惰性气体等气体。
(3.谐振器10)
图3是示意性地表示本实施方式所涉及的谐振器10的结构的俯视图。使用图3对本实施方式所涉及的谐振器10的各构成进行说明。谐振器10具备振动部120、保持部140、保持臂111、112、以及调整膜237。
(a)振动部120
振动部120具有沿着图3的正交坐标系上的XY平面扩展的矩形的轮廓。振动部120设置在保持部140的内侧，在振动部120与保持部140之间以规定的间隔形成有空间。在图3的例子中，振动部120具有基部130和四个振动臂135A～135D(也统称为“振动臂135”。)。此外，振动臂的数目并不限定于四个，设定为任意的数目。在本实施方式中，各振动臂135与基部130一体地形成。
·基部130
基部130在俯视时，在X轴方向具有长边131a、131b，在Y轴方向具有短边131c、131d。长边131a是基部130的前端的面131A(以下，也称为“前端131A”。)的一个边，长边131b是基部130的后端的面131B(以下，也称为“后端131B”。)的一个边。在基部130中，前端131A与后端131B设置为相互对置。
基部130在前端131A与后述的振动臂135连接，在后端131B与后述的保持臂111、112连接。此外，基部130在图3的例子中在俯视时，具有大致长方形的形状但并不限定于此，只要形成为相对于沿着长边131a的垂直二等分线规定的假想平面P大致面对称即可。基部130例如也可以是长边131b比131a短的梯形、以长边131a为直径的半圆的形状。另外，基部130的各面并不限定于平面，也可以是弯曲的面。此外，假想平面P是包含通过振动部120中的振动臂135排列的方向的中心的中心轴的平面。
在基部130中，从前端131A朝向后端131B的方向上的前端131A与后端131B的最长距离亦即基部长L(在图3中是短边131c、131d的长度)为35μm左右。另外，在与基部长方向正交的宽度方向，基部130的侧端彼此的最长距离亦即基部宽度W(在图3中是长边131a、131b的长度)为280μm左右。
·振动臂135
振动臂135向Y轴方向延伸，分别具有相同的尺寸。振动臂135分别与Y轴方向平行地设置在基部130与保持部140之间，一端与基部130的前端131A连接成为固定端，另一端成为开放端。另外，振动臂135分别在X轴方向上以规定的间隔并排地设置。此外，振动臂135的例如X轴方向的宽度为50μm左右，Y轴方向的长度为465μm左右。
振动臂135分别在开放端具有锤部G。锤部G与振动臂135的其它的部位相比X轴方向的宽度较宽。锤部G的例如X轴方向的宽度为70μm左右。锤部G通过相同的工艺与振动臂135一体形成。通过形成锤部G，从而对于振动臂135的每个单位长度的重量来说，开放端侧比固定端侧重。因此，通过振动臂135分别在开放端侧具有锤部G，能够增大各振动臂的上下方向的振动的振幅。
在本实施方式的振动部120中，在X轴方向，在外侧配置两个振动臂135A、135D，在内侧配置两个振动臂135B、135C。设定为X轴方向上的振动臂135B与135C的间隔W1比X轴方向上的外侧的振动臂135A(135D)与和该外侧的振动臂135A(135D)相邻的内侧的振动臂135B(135C)之间的间隔W2大。间隔W1例如为30μ左右，间隔W2例如为25μm左右。通过将间隔W2设定为比间隔W1小，能够改善振动特性。但是，在实现谐振装置1的小型化的情况下，也可以将间隔W1设定为比间隔W2小，也可以设定为等间隔。
·其它
在振动部120的表面(与上盖30对置的面)形成有保护膜235以覆盖其整个面。并且，在振动臂135A～135D上的保护膜235的表面的一部分分别形成有基底膜236A～236D(以下，也将基底膜236A～236D统称为“基底膜236”。)。能够通过保护膜235以及基底膜236调整振动部120的谐振频率。另外，虽然保护膜235不一定需要覆盖振动部120的整个面，但在频率调整时保护基底的电极膜(例如图4的金属层E2)以及压电膜(例如图4的压电薄膜F3)免受损伤的方面，期望覆盖振动部120的整个面。
基底膜236在保护膜235上形成为其表面在振动部120上的与其它的区域相比由振动引起的位移比较大的区域的至少一部分露出。具体而言，基底膜236形成在振动臂135的前端，即锤部G。另一方面，保护膜235在振动臂135上的其它的区域露出其表面。在该实施例中，基底膜236在锤部G形成到振动臂135的前端为止，保护膜235在前端部完全不露出，但也能够构成为在振动臂135的前端部不形成基底膜236，以使保护膜235的一部分露出。
(b)保持部140
保持部140沿着XY平面形成为矩形的框状。保持部140设置为在俯视时沿着XY平面包围振动部120的外侧。此外，保持部140只要设置在振动部120的周围的至少一部分即可，并不限定于框状的形状。例如，保持部140只要在振动部120的周围设置为保持振动部120，另外，能够与上盖30以及下盖20接合的程度即可。
在本实施方式中，保持部140由一体形成的棱柱形状的框体140a～140d构成。如图3所示，框体140a与振动臂135的开放端对置，设置为长边方向与X轴平行。框体140b与基部130的后端131B对置，设置为长边方向与X轴平行。框体140c与基部130的侧端(短边131c)以及振动臂135A对置，设置为长边方向与Y轴平行，且在其两端分别与框体140a、140b的一端连接。框体140d与基部130的侧端(短边131d)以及振动臂135D对置，设置为长边方向与Y轴平行，且在其两端分别与框体140a、140b的另一端连接。
在本实施方式中，以保持部140被保护膜235覆盖为例进行说明，但并不限定于此，也可以不在保持部140的表面形成保护膜235。
(c)保持臂111、112
保持臂111以及保持臂112设置在保持部140的内侧，将基部130的后端131B与框体140c、140d连接。如图3所示，保持臂111与保持臂112形成为相对于沿着基部130的X轴方向的中心线与YZ平面平行地规定的假想平面P大致面对称。
保持臂111具有臂111a、111b、111c、111d。保持臂111的一端与基部130的后端131B连接，并从此处朝向框体140b延伸。然后，保持臂111向朝向框体140c的方向(即，X轴方向)弯曲，并进一步向朝向框体140a的方向(即，Y轴方向)弯曲，并再次向朝向框体140c的方向(即，X轴方向)弯曲，且另一端与框体140c连接。
臂111a与框体140c对置地设置在基部130与框体140b之间，以使长边方向与Y轴平行。臂111a的一端在后端131B与基部130连接，并从此处相对于后端131B大致垂直地延伸，即向Y轴方向延伸。优选通过臂111a的X轴方向的中心的轴设置为与振动臂135A的中心线相比靠内侧，在图3的例子中，臂111a设置在振动臂135A与135B之间。另外臂111a的另一端在其侧面与臂111b的一端连接。臂111a的X轴方向上规定的宽度为20μm左右，Y轴方向上规定的长度为40μm。
臂111b与框体140b对置地设置在基部130与框体140b之间，以使长边方向与X轴方向平行。臂111b的一端与臂111a的另一端且为与框体140c对置的一侧的侧面连接，并从此处相对于臂111a大致垂直地延伸，即向X轴方向延伸。另外，臂111b的另一端与臂111c的一端且为与振动部120对置的一侧的侧面连接。臂111b的例如Y轴方向上规定的宽度为20μm左右，X轴方向上规定的长度为75μm左右。
臂111c与框体140c对置地设置在基部130与框体140c之间，以使长边方向与Y轴方向平行。臂111c的一端在其侧面与臂111b的另一端连接，另一端与臂111d的一端且为框体140c侧的侧面连接。臂111c的例如X轴方向上规定的宽度为20μm左右，Y轴方向上规定的长度为140μm左右。
臂111d与框体140a对置地设置在基部130与框体140c之间，，以使长边方向与X轴方向平行。臂111d的一端与臂111c的另一端且为与框体140c对置的一侧的侧面连接。另外，臂111d的另一端在与振动臂135A和基部130的连接位置附近对置的位置，与框体140c连接，并从此处相对于框体140c大致垂直地延伸，即向X轴方向延伸。臂111d的例如Y轴方向上规定的宽度为20μm左右，X轴方向上规定的长度为10μm左右。
这样，保持臂111构成为在臂111a与基部130连接，在臂111a与臂111b的连接位置、臂111b与111c的连接位置、以及臂111c与111d的连接位置弯曲，之后与保持部140连接。
保持臂112具有臂112a、112b、112c、112d。保持臂112的一端与基部130的后端131B连接，并从此处朝向框体140b延伸。然后，保持臂112向朝向框体140d的方向(即，X轴方向)弯曲，并进一步向朝向框体140a的方向(即，Y轴方向)弯曲，并再次向朝向框体140d的方向(即，X轴方向)弯曲，且另一端与框体140d连接。臂112a、112b、112c、112d的构成分别为与臂111a、111b、111c、111d对称的构成，所以省略详细的说明。
此外，保持臂111、112并不限定于在各臂的连接位置折弯成直角的形状，也可以是弯曲的形状。另外，保持臂111、112弯曲的次数并不限定于已叙述的次数，例如也可以是仅弯曲一次并与基部130的后端131B和框体140c、140d连接的构成、弯曲两次并与基部130的后端131B和框体140a连接的构成、一次都未弯曲并将基部130的后端131B与框体140b连接的构成。另外，基部130中的保持臂111、112的连接位置并不限定于后端131B，也可以构成为与连接前端131A和后端131B的侧面连接。
(d)调整膜237
多个调整膜237分散地形成在基底膜236上。多个调整膜237分别是为了频率调整而形成在各振动臂135的前端的斑点状的由氧化钼构成的膜。在基底膜236上，多个调整膜237中一部分的调整膜237在后述的F调整工序中被激光(例如具有透过基板的波长的激光)除去。图3示出除去了一部分的调整膜237之后的样子。在图3的例子中，在振动臂135A至振动臂135D中，均残留形成在相同的位置的调整膜237，但并不限定于此。例如也可以构成为在每个振动臂135残留形成在不同的位置的调整膜237。另外，优选一个调整膜237的直径比激光的光斑直径小，具体而言为0.1μm以上20μm以下左右。
(4.层叠结构)
使用图4对谐振器10的层叠结构进行说明。图4是示意性地表示图3的AA’剖面、以及谐振器10的电连接方式的示意图。
在谐振器10中，保持部140、基部130、振动臂135、保持臂111、112通过相同的工艺一体地形成。在谐振器10中，首先，在Si(硅)基板F2上层叠金属层E1。然后，在金属层E1上层叠压电薄膜F3，以覆盖金属层E1，并且，在压电薄膜F3的表面层叠有金属层E2。在金属层E2上层叠保护膜235，以覆盖金属层E2。在振动部120上，进一步在保护膜235上层叠基底膜236，在基底膜236的表面形成有多个调整膜237。另外，通过使用低电阻的简并硅基板，从而Si基板F2本身兼为金属层E1，所以也能够省略金属层E1。
Si基板F2例如由厚度6μm左右的简并的n型Si半导体形成，能够包含P(磷)、As(砷)、Sb(锑)等作为n型掺杂剂。Si基板F2所使用的简并Si的电阻值例如小于1.6mΩ·cm，更优选为1.2mΩ·cm以下。进一步在Si基板F2的下面形成氧化硅(例如SiO2)层(温度特性修正层)F21。由此，能够使温度特性提高。
在本实施方式中，氧化硅层(温度特性修正层)F21是指具有与不在Si基板F2形成该氧化硅层F21的情况相比，至少在常温附近降低在Si基板F2形成了温度修正层时的振动部的频率的温度系数(即，每温度的变化率)的功能的层。通过振动部120具有氧化硅层F21，例如能够降低由Si基板F2、金属层E1、E2、压电薄膜F3以及氧化硅层(温度修正层)F21构成的层叠结构体的谐振频率的随着温度的变化。
在谐振器10中，优选以均匀的厚度形成氧化硅层F21。此外，均匀的厚度是指氧化硅层F21的厚度的偏差为厚度的平均值的±20％以内。
此外，氧化硅层F21既可以形成在Si基板F2的上面，也可以形成在Si基板F2的上面和下面双方。另外，在保持部140中，也可以不在Si基板F2的下面形成氧化硅层F21。
金属层E2、E1例如使用厚度0.1～0.2μm左右的Mo(钼)或者铝(Al)等形成。金属层E2、E1通过蚀刻等形成为所希望的形状。金属层E1例如在振动部120上形成为作为下部电极发挥作用。另外，金属层E1也可以在保持臂111、112、保持部140上，形成为作为用于将下部电极与设置在谐振器10的外部的地线连接的布线发挥作用。
另一方面，金属层E2在振动部120上形成为作为上部电极发挥作用。另外，金属层E2在保持臂111、112、保持部140上，形成为作为用于将上部电极与设置在谐振器10的外部的电路连接的布线发挥作用。
此外，在从交流电源以及地线向下部布线或者上部布线的连接时，也可以使用在上盖30的外面形成电极(外部电极的一个例子。)，且该电极将电路与下部布线或者上部布线连接的构成、在上盖30内形成通孔，且在该通孔的内部填充导电性材料设置布线，该布线将交流电源与下部布线或者上部布线连接的构成。
压电薄膜F3是将所施加的电压转换为振动的压电体的薄膜，例如能够以AlN(氮化铝)等氮化物或者氧化物为主要成分。具体而言，能够通过ScAlN(氮化钪铝)形成压电薄膜F3。ScAlN是将氮化铝中的铝的一部分置换为钪的材质。另外，虽然压电薄膜F3例如具有1μm的厚度，但也能够使用0.2μm～2μm左右。
压电薄膜F3根据通过金属层E2、E1施加给压电薄膜F3的电场，向XY平面的面内方向即Y轴方向伸缩。通过该压电薄膜F3的伸缩，振动臂135使其开放端朝向下盖20以及上盖30的内面位移，而以面外的弯曲振动模式进行振动。
保护膜235是绝缘体的层，由通过蚀刻引起的质量降低的速度比基底膜236慢的材料形成。例如，保护膜235由AlN、SiN等氮化膜或者Ta2O5(五氧化钽)、SiO2等氧化膜形成。此外，质量降低速度由蚀刻速度(每个单位时间除去的厚度)与密度的积表示。保护膜235的厚度形成为压电薄膜F3的厚度的一半以下，在本实施方式中，例如为0.2μm左右。
基底膜236是导电体的层，由通过蚀刻的质量降低的速度比保护膜235快的材料形成。基底膜236由钼(Mo)形成。
此外，保护膜235与基底膜236只要质量降低速度的关系为上述那样的关系，则蚀刻速度的大小关系任意。
基底膜236在振动部120的大致整个面形成之后，通过蚀刻等加工仅在规定的区域形成。
调整膜237是通过对基底膜236进行氧化而分散地形成在基底膜236上的规定形状的氧化钼的膜。氧化钼有许多的种类，一般而言为MoO3(三氧化钼)，但也可以是MoO2(二氧化钼)或者其以外的非化学计量的氧化Mo。调整膜237的厚度例如为0.1～5μm左右。
(5.谐振器的功能)
参照图4对谐振器10的功能进行说明。在本实施方式中，设定为施加给外侧的振动臂135A、135D的电场的相位与施加给内侧的振动臂135B、135C的电场的相位相互为相反相位。由此，外侧的振动臂135A、135D与内侧的振动臂135B、135C相互向相反方向位移。例如，若外侧的振动臂135A、135D使开放端朝向上盖30的内面位移，则内侧的振动臂135B、135C使开放端朝向下盖20的内面位移。
由此，在本实施方式所涉及的谐振器10中，在相反相位的振动时，即，图4所示的振动臂135A和振动臂135B绕在振动臂135A与振动臂135B之间与Y轴平行地延伸的中心轴r1向上下相反方向进行振动。另外，振动臂135C和振动臂135D绕在振动臂135C与振动臂135D之间与Y轴平行地延伸的中心轴r2向上下相反方向进行振动。由此，在中心轴r1和r2产生相互相反方向的扭转力矩，而在振动部120产生弯曲振动。此时，形变集中在基部130中的中心轴r1、r2附近的区域。
(6.工艺流程)
使用图5A～图5L对本实施方式所涉及的谐振装置1的制造方法进行说明。
在本实施方式所涉及的谐振器10的制造方法中，在后述的F调整工序中，通过经由上盖照射激光，而削去多个调整膜237中一部分，振动臂135的重量变化。由此，通过使谐振器10的谐振频率上升，而将谐振频率调整为所希望的值，来制造谐振装置1。
图5A至图5K是表示本实施方式所涉及的谐振装置1的工艺流程的一个例子的图。此外，在图5A～图5K中，为了方便，示出形成在晶圆的多个谐振装置1中的一个谐振装置1进行说明，但与通常的MEMS工艺相同，谐振装置1通过在一个晶圆形成多个谐振装置之后分割该晶圆而得到。
在图5A所示的最初的工序中，通过热氧化在准备的Si基板F2形成氧化硅层F21。接下来，准备具有凹部21的下盖20，并将该下盖20、和形成了氧化硅层F21的Si基板F2配置为Si基板F2的下面与下盖20对置，并利用侧壁23进行接合。此外，虽然在图5A中省略图示，但优选在接合后通过化学机械研磨、蚀刻等处理，使Si基板F2的表面平坦化。
接下来在图5B所示的工序中，进一步通过成为下部电极、布线的材料的金属层E1的成膜、图案化以及蚀刻等在Si基板F2的表面形成下部电极等。接下来，在金属层E1的表面层叠压电薄膜F3，并进一步通过成为上部电极、布线的材料的金属层E2的成膜、图案化以及蚀刻等在压电薄膜F3上形成上部电极等。
接下来在图5C所示的工序中，在金属层E2的表面层叠保护膜235。
接下来在图5D所示的工序中，在保护膜235的表面层叠由钼构成的金属层，并通过蚀刻等对该金属层进行加工，在振动臂135(参照图5F)的成为自由端的部分的附近形成基底膜236。
接下来，在图5E所示的工序中，在谐振器10形成用于分别使下部电极以及上部电极与外部电源连接的通孔E1V、E2V。若形成通孔E1V、E2V，则在通孔E1V、E2V填充铝等金属，形成将下部电极、以及上部电极引出到保持部140的引出线C1、C2。并且，在保持部140形成接合部H。
接下来，在图5F所示的工序中，通过蚀刻等加工，依次除去保护膜235、金属层E2、压电薄膜F3、金属层E1、压电薄膜F31、Si基板F2、以及氧化硅层F21，由此形成振动部120、保持臂111、112，形成谐振器10。
接下来在图5G所示的工序中，在谐振器10的表面形成氧化硅膜238。然后，例如通过光刻等将氧化硅膜238蚀刻为直径在0.1μm以上20μm以下左右的多个图案状。由此，对谐振器10中想要使其氧化的位置(即形成调整膜237的位置)以外的表面进行掩模。然后，在氧环境气中进行热处理，之后除去氧化硅膜238。由此，能够将基底膜236部分地氧化为直径在0.1μm以上20μm以下左右的多个图案状，形成调整膜237(图5H)。另外，也可以除去Mo膜上的氧化硅膜，在Mo膜的整个面形成氧化Mo(参照图6)。通过除去较大的区域，能够进一步扩大频率调整范围。此外，在使基底膜氧化时，既可以使其氧化为MoO2(二氧化钼)，也可以使其氧化为MoO3(三氧化钼)。但是，由于MoO2(二氧化钼)没有升华性，所以使其氧化为MoO2(二氧化钼)形成调整膜237更不容易受到密封的影响。另外，虽然使Mo氧化形成氧化钼，但也可以例如通过溅射等直接形成氧化钼。已知有利用溅射形成包含MoO2的氧化钼膜的情况。
能够通过进行热处理的时间、温度来调整基底膜236中的厚度方向的氧化量。例如，也可以构成为代替图5H所示的构成，使基底膜236在厚度方向上全部氧化为MoO3，消除Mo层(图5I)。
此外，有由于使氧化硅膜238成膜并除去等，而在基底膜236的表面形成自然氧化膜的情况。自然氧化膜是与调整膜237相比足够薄的膜(例如50nm以下。)。因此，即使在形成了自然氧化膜的情况下，在后述的F调整工序中，也能够不产生毛刺地调整频率。
虽然并不是必需的，但也可以在形成了谐振器10之后，进行对谐振器10的膜厚进行粗调的修剪工序。通过修剪工序，能够在同一晶圆中制造的多个谐振装置1之间抑制频率的偏差。
在修剪工序中，首先测定各谐振器10的谐振频率，计算频率分布。接下来，基于计算出的频率分布，调整谐振器10的膜厚。例如通过照射氩(Ar)离子束进行蚀刻来进行谐振器10的膜厚的调整。此时，离子束的照射既可以对谐振器10的整个面进行，也可以例如使用掩模等仅对振动臂135的前端的锤部G进行。在照射整个面的情况下，例如优选AlN等蚀刻速率比Mo、氧化钼低的保护膜在位移较小的区域露出。由此，能够进行高效并且抑制了照射所引起的温度特性的变化的频率调整。优选若谐振器10的膜厚被调整，就进行谐振器10的清洗，除去飞散的膜。此外，在修剪工序中除了离子束之外，也可以使用等离子体蚀刻等。优选通过修剪工序进行的频率的调整尽量与大范围的频率调整对应。另外，也可以通过激光调整频率。
接下来，在图5J所示的工序中，进行密封(封装)谐振器10的工序。具体而言，在该工序中，使上盖30与下盖20夹着谐振器10对置。对位为上盖30中的凹部31与下盖20中的凹部21一致的上盖30经由接合部H与下盖20接合。另外，在上盖30形成有与引出线C1、C2连接的电极C1′、C2′。电极C1′、C2′例如由铝、锗等金属层构成。金属层E1、E2经由电极C1′、C2′与设置在外部的电路连接。若下盖20与上盖30接合，则通过切割形成多个谐振装置1。
接下来，在图5K所示的工序中，进行调整谐振频率的F调整工序。在F调整工序中，通过经由上盖30照射激光切削调整膜237来进行谐振频率的调整。虽然在前一工序(图5J)中，谐振器10被上盖30和下盖20密封，但通过选择使用的激光的频率，能够使激光透过上盖30(或者下盖20)照射调整膜237。例如，在如本实施方式那样上盖30由硅形成的情况下，优选使用具有600nm以上的频率的激光。
图5L是示意性地表示在F调整工序中除去了调整膜的样子的示意图。在F调整工序中，能够通过除去锤部G的前端的调整膜237来使频率上升。并且能够通过使用透镜等将激光束调节为其焦点在调整膜237上，来高效地除去调整膜237。
氧化钼与钼相比，升华温度较低，激光的吸收性较好。因此，通过使用氧化钼作为调整膜237，从而在F调整工序中，能够几乎不对基底膜236造成影响，利用激光仅除去调整膜237。由此残留基底膜236，所以能够降低F调整工序对压电薄膜F3的损伤。另外，由于基底膜236未被削去而残留，所以能够防止因产生基底膜236被削去的部位而带来的特性变动。并且，通过在F调整工序使用激光，从而热量的产生是局部的，并且，能够在短时间冷却，所以例如与使钼氧化的调整方法等相比，能够进行更正确的频率调整。
这样根据本实施方式中的频率调整方法，能够在密封谐振器10之后进行F调整工序。由于在密封谐振器10时产生的热量、或因密封而成为真空状态，从而谐振器10的频率变动。通过在密封后进行F调整工序，能够修正这样的密封所引起的频率变动，所以能够得到更高精度的频率。此外，由于切割对频率的影响较小，所以也可以在密封后，并在切割之前在晶圆的状态下进行F调整工序。并且，通过斑点状地形成多个调整膜237，从而能够通过将多个调整膜237中规定的个数的调整膜237全部除去来进行频率的调整。由此，能够抑制在着眼于一个调整膜237的情况下其一部分作为毛刺残留的情况，所以能够防止特性的降低。
[第二实施方式]
在第二实施方式以后省略与第一实施方式相同的事项的描述，仅对不同点进行说明。特别是，并不在每个实施方式依次提及相同的构成所带来的相同的作用效果。
图7是示意性地表示本实施方式所涉及的谐振器10的结构的一个例子的俯视图。以下，以本实施方式所涉及的谐振器10的详细构成中与第一实施方式的不同点为中心进行说明。本实施方式所涉及的谐振器10除了第一实施方式所示的构成之外，还具有通孔V1～V4。
通孔V1～V4是在振动臂135的前端(锤部G)上形成的填充了金属的孔，使基底膜236与金属层E1、或者E2(参照图4)电连接。
图8是表示图7的CC’剖面的示意图。参照图7，对于本实施方式所涉及的谐振器10中的基底膜236与金属层E1、或者E2的连接方式，以与金属层E2连接的情况为例进行说明。
如图8所示，通孔V4通过导电体填充到在振动臂135D的前端除去保护膜235的一部分以使金属层E2露出而形成的孔而形成。重点到通孔V4的导电体例如是Mo(钼)、铝(Al)等。
对基底膜236与金属层E1、E2电连接的效果进行说明。在后述的F调整工序中，在激光照射到谐振器10的情况下，激光也照射到保护膜235，所以由于激光具有的电荷也使保护膜235带电。另外，在保护膜235使用了热电体的情况下，由于热量的升降温而产生热电效应，所以在保护膜235的界面析出电荷。
在本实施方式所涉及的谐振器10中，经由通孔V1～V4使在保护膜235上的一部分形成的由导电体构成的基底膜236与金属层E2、或者E1连接。由此，能够使保护膜235中带电的电荷移动到金属层E2、E1。移动到金属层E2、E1的电荷能够经由金属层E2、E1所连接的与外部的连接端子逸散至谐振装置1的外部。这样在本实施方式所涉及的谐振器10中，能够抑制在振动部120上形成的保护膜235带电有电荷，所以能够防止振动部120中带电的电荷所引起的谐振频率的变动。
并且，在基底膜236与金属层E2连接的情况下，能够使形成在保护膜235上的导电层(基底膜236)与接近保护膜235的层连接。由此，能够进一步降低保护膜235中带电的电荷给予谐振频率的影响。另外，在基底膜236与金属层E2连接的情况下，在保护膜235使用AlN等压电体的情况下，优选使用与压电薄膜F3相同的取向的压电体。由此，能够不阻碍振动臂135的振动地使基底膜236与金属层E2连接。
此外，通孔V1、V2、V3的连接方式、以及材质、效果等与通孔V4相同所以省略说明。
其它的谐振器10的构成、功能与第一实施方式相同。
[第三实施方式]
使用图9～图11以第三实施方式所涉及的谐振器10的详细构成中与第一实施方式的不同点为中心进行说明。
图9是本实施方式所涉及的谐振器10的俯视图，图10是其DD’剖视图。在本实施方式中，谐振器10是在XY平面内进行轮廓振动的面内振子。
(1)振动部120
振动部120具有沿着图9的正交坐标系中的XY平面平板状地扩展的大致长方体的轮廓。另外，振动部120在X轴方向具有短边121a、121b，在Y轴方向具有长边121c、121d。振动部120在短边121a、121b，通过保持臂111、112与保持部140连接并保持。另外，形成保护膜235，以覆盖振动部120的整个面。
在保护膜235的表面层叠有基底膜236。基底膜236形成为至少覆盖振动部120的四个角。在本实施方式中，基底膜236遍及振动部120的长边侧的区域形成，以连接四个角的区域中沿着长边排列的两个角的区域。
其它的振动部120的构成与第一实施方式相同。
(2)保持臂111、112
在本实施方式中，保持臂111、112具有在Y轴方向具有长边，在X轴方向具有短边的大致矩形的形状。
保持臂111的一端与振动部120的短边121a的中心附近连接，并从此处沿着Y轴方向大致垂直地延伸。另外，保持臂111的另一端与保持部140中的框体140a的中心附近连接。
另一方面，保持臂112的一端与振动部120的短边121b的中心附近连接，并从此处沿着Y轴方向大致垂直地延伸。另外，保持臂112的另一端与保持部140的框体140b的中心附近连接。
其它的保持臂111、112的构成、功能与第一实施方式相同。
此外，在如本实施方式那样进行轮廓振动的面内振子中，在以高频派模式进行振动的情况下，振动部120沿着振动方向分割为多个振动区域(图11的振动区域120A～120E)。图11是示意性地表示以高频派模式进行振动的情况下的振动部120的构成的图。该情况下，如图11所示，基底膜236例如沿着各振动区域的长边形成。
[第四实施方式]
使用图12对第四实施方式所涉及的谐振器10的详细构成中与第一实施方式的不同点为中心进行说明。图12示出使用了静电MEMS的技术的谐振器10的俯视图。
本实施方式所涉及的谐振器10在振动部120不形成压电体，而由半导体硅构成。如图12所示，驱动电极E4、E5被设置为夹着振动部120。另外，从振动部120引出检测电极E6。另外检测电极E6与输出电路(未图示)连接。在驱动电极E4、E5分别施加有同相位的交流电场。通过由驱动电极E4、E5施加电压，而振动部120在图12所示的XY平面内进行轮廓振动。此时，在谐振器10中，检测电极E6检测在振动部120与驱动电极E4、E5之间产生的静电电容的变化，并经由该检测电极E6输出到输出电路。例如能够通过根据输出的静电电容控制施加给驱动电极E4、E5的电压，而在振动部120中得到所希望的频率的振动。
在振动部120的表面中，基底膜236形成为至少覆盖振动部120的四个角。在本实施方式中，基底膜236遍及振动部120的长边侧的区域形成，以连接四个角的区域中沿着长边排列的两个角的区域。此外，虽然在本实施方式中未形成保护膜235，但并不限定于此。另外，振动部120的形状并不限定于图12的形状，例如也可以是圆形、多边形的板状。
其它的构成、功能等与第一实施方式相同。
[其它的实施方式]
使用图13A至图13I对F调整工序或者层叠结构的变更进行说明。图13A至图13I均为示意性地示出在F调整工序中除去了调整膜的样子的示意图。
在第一实施方式中，在图5G所示的工序中，对将氧化硅膜238蚀刻为图案状的例子进行了说明。对于这一点，图13A、图13B、以及图13C示出通过从基底膜236的整个面除去氧化硅膜238，在基底膜236表面的整个面形成调整膜237的情况下，进行F调整工序的样子(参照图6)。图13A、图13B是使基底膜236在厚度方向全部氧化的例子，图13C示出使其氧化到中途的例子。另外，作为层叠结构，图13A示出与上述的例子相同地利用保护膜235覆盖金属层(上部电极)E2的构成，另一方面图13B示出金属层E2露出的构成。
在基底膜236表面的整个面形成了调整膜237的情况下，通过使激光的照射位置逐渐移动，能够大范围地除去调整膜237，所以能够进行频率变化率较大的频率调整。此外，通过如图13A那样利用保护膜235覆盖金属层E2，能够进一步降低对压电薄膜F3的损伤。
图13D～图13G示出在与已叙述的实施方式不同的层叠结构的谐振器10中，对氧化硅膜238进行图案化，将调整膜237形成为多个图案状的情况下的例子。在图13D的例子中，作为层叠结构，示出基底膜236兼为电极层E2(上部电极)的例子。由于基底膜236兼为电极层E2，所以能够实现更简单的层叠结构。
图13E示出虽然层叠结构与图4所示的结构相同，但调整膜237形成为也覆盖基底膜236的侧面的例子。例如，能够通过在上述的图5F的工序时，预先对基底膜236进行图案化，并使图案化后的基底膜236氧化来得到这样的构成。此外，在该情况下的F调整工序中，优选也除去覆盖基底膜236的侧面的调整膜237，但并不限定于此，也可以仅除去覆盖上面的部分。
图13F示出在振动臂135的根部(固定端附近)也形成基底膜236以及调整膜237的情况下进行F调整工序的样子。该情况下，能够通过除去锤部G的调整膜237使频率上升，能够通过除去根侧的调整膜237使频率降低。
图13H以及图13I示出形成了与上述的例子不同的图案的调整膜237的情况下进行F调整工序的样子。图13H与图13E相同也利用调整膜237覆盖基底膜236的侧面。如图13H以及13I所示，至少在锤部G的前端，与调整膜237不同地形成其它图案237’，能够通过将其它图案237’与上部电极(电极层E2)或下部电极(电极层E1)连接，更高效地释放电荷。例如能够通过在其它图案237’形成贯通保护膜235的通孔(在图13H的例子中为通孔V1)来进行连接。此外，该其它图案237’优选不照射激光以维持连接。
图13J示出不在保护膜235上形成基底膜236，而形成金等其它的导电膜239，并在该导电膜239上形成调整膜237的例子。
以上，对本发明的例示的实施方式进行了说明。本发明的一实施方式所涉及的谐振装置1的制造方法是具备谐振器10的谐振装置1的制造方法，该谐振器10具有根据施加给电极的电压进行振动的振动部120，上述谐振装置1的制造方法包含：在振动部120中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域形成由氧化钼构成的调整膜237的工序、和通过激光除去调整膜237中至少一部分来调整谐振器10的频率的工序。由此，能够通过更简单的方法进行高精度的频率调整。
另外，优选形成调整膜237的工序包含形成多个斑点状的调整膜237的工序，调整频率的工序通过激光除去至少一个斑点状的调整膜237。另外，也可以调整频率的工序还包含照射具有比多个斑点状的调整膜237的直径大的光斑直径的激光的工序。这样根据本发明的一实施方式所涉及的谐振装置1的制造方法，斑点状地形成多个调整膜237。而且，频率的调整通过将多个调整膜237中规定的个数的调整膜237全部除去来进行。由此，能够抑制在着眼于一个调整膜237的情况下仅其一部分作为毛刺残留的情况，所以能够防止特性的降低。
另外，也可以上述的方法还包含形成振动部120的工序，该形成振动部120的工序包含在基板F2的上面依次形成第一电极层E1、压电层F3、和第二电极层E2的工序。另外，优选形成振动部120的工序包含由第一电极层E1、第二电极层E2、以及压电层F3形成进行弯曲振动的振动臂135的工序，上述的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域是振动臂135的前端的区域。另外，优选形成振动部120的工序包含由第一电极层E1、第二电极层E2、以及压电层F3形成进行轮廓振动的矩形形状的振动部120的工序，上述的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域是振动部120的四个角的区域。
并且，优选振动部120在与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域包含由钼构成的基底膜236，形成调整膜237的工序包含使基底膜236氧化形成调整膜237的工序。另外，优选形成振动部120的工序还包含在第二电极层E2的表面形成保护膜235，并在该保护膜235上形成基底膜236的工序。
另外，也可以形成振动部120的工序还包含使基底膜236与第一电极层E1或者第二电极层E2电连接的工序。另外，也可以形成振动部120的工序还包含在第二电极层E2形成保护膜235的工序，形成调整膜237的工序还包含使调整膜237与第一电极层E1或者第二电极层E2电连接的工序。由此，能够抑制在振动部120上形成的保护膜235带电有电荷，所以能够防止振动部120中带电的电荷所引起的谐振频率的变动。
另外，也可以上述的方法还包含准备下盖20的工序、和配置上盖30以使其夹着谐振器10与下盖20对置的工序。并且，优选在配置上盖30的工序之后使激光通过上盖30照射到调整膜237来进行调整频率的工序。根据该优选的方式，能够在密封谐振器10后进行F调整工序。由于在密封谐振器10时产生的热量、因密封而成为真空状态，从而谐振器10的频率变动。通过在密封后进行F调整工序，能够修正这样的密封所引起的频率变动，所以能够得到更高精度的频率。
另外，本发明的一实施方式所涉及的谐振器10具备：振动部120，具有根据施加给电极的电压进行振动的压电部；保持部140，设置于振动部120的周围的至少一部分；保持臂111、112，设置在振动部120与保持部140之间，一端与振动部120连接，另一端与保持部140连接；以及多个斑点状的调整膜237，形成在振动部120中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域，由氧化钼构成。
优选振动部120具有基板F2、和第一电极层E1、压电层F3、以及第二电极层E2，该第一电极层E1、压电层F3、以及第二电极层E2配置在基板F2的上面。另外，优选振动部120在与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域具有由钼构成的基底膜。根据该优选的方式，能够使谐振器10的振荡特性提高。
另外，优选振动部120还具有形成在第二电极层E2的表面的保护膜235，基底膜236形成在保护膜235上。并且，也可以振动部120具有使基底膜236与第一电极层E1或者第二电极层E2电连接的通孔。另外，也可以振动部120具有使形成在第二电极层E2的表面的保护膜235、调整膜237、以及第一电极层E1或者第二电极层E2电连接的通孔。由此，能够抑制在振动部120上形成的保护膜235带电有电荷，所以能够防止振动部120中带电的电荷所引起的谐振频率的变动。
另外，优选多个斑点状的调整膜237具有0.1μm以上20μm以下的直径。
另外，优选振动部120具有：振动臂135，具有固定端和开放端，并进行弯曲振动；以及基部130，具有与振动臂135的固定端连接的前端、以及与该前端对置的后端，基底膜236形成在振动臂135的开放端侧的前端的区域。另外，优选振动部120具有矩形形状的主面，并在沿着该主面的平面内进行轮廓振动，基底膜236形成在振动部120的四个角的区域。
另外，本发明的一实施方式所涉及的谐振装置1具备上述的谐振器10、设置为在中间夹着谐振器10相互对置的上盖30以及下盖20、以及外部电极。
以上说明的各实施方式是用于使本发明的理解变得容易的内容，并不对本发明进行限定解释。本发明能够在不脱离其主旨的范围内进行变更/改进，并且在本发明也包含有其等效物。即，本领域技术人员适当地在各实施方式附加了设计变更后的实施方式只要具备本发明的特征，则包含于本发明的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的方式而能够适当地变更。例如，在已叙述的实施方式中，作为弯曲振子对谐振器10进行了说明但并不限定于此，也可以是具有矩形形状的振动部的面内轮廓振子。该情况下，优选基底膜236形成在振动部120的四个角。另外，在已叙述的实施方式中，对在密封后进行F调整工序的方式进行了说明，但并不限定于此。也可以在密封前进行F调整工序。也能够应用于压电方式以外的例如静电MEMS的频率调整(宽度扩展模式)。另外，各实施方式为例示，当然能够进行不同的实施方式所示的构成的部分置换或者组合，它们只要包含本发明的特征则也包含于本发明的范围。
附图标记说明
1…谐振装置，10…谐振器，30…上盖，20…下盖，140…保持部，140a～d…框体，111、112…保持臂，120…振动部，130…基部，135A～D…振动臂，F2…Si基板，F21…氧化硅层(温度特性修正层)，235…保护膜，236…基底膜，237…调整膜。

Claims (22)

1.一种谐振装置的制造方法，该谐振装置具备谐振器，该谐振器具有根据施加给电极的电压进行振动的振动部，上述谐振装置的制造方法包含：
在上述振动部中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域形成由氧化钼构成的调整膜的工序；以及
通过激光除去上述调整膜中至少一部分来调整上述谐振器的频率的工序。
2.根据权利要求1所述的谐振装置的制造方法，其中，
形成上述调整膜的工序包含形成多个斑点状的上述调整膜的工序，
调整上述频率的工序通过激光除去至少一个斑点状的上述调整膜。
3.根据权利要求2所述的谐振装置的制造方法，其中，
调整上述频率的工序还包含照射具有比上述多个斑点状的调整膜的直径大的光斑直径的激光的工序。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的谐振装置的制造方法，其中，
还包含形成上述振动部的工序，
该形成振动部的工序包含在基板的上面依次形成第一电极层、压电层、和第二电极层的工序。
5.根据权利要求4所述的谐振装置的制造方法，其中，
形成上述振动部的工序包含由上述第一电极层、上述第二电极层、以及上述压电层形成进行弯曲振动的振动臂的工序，
与其它的区域相比由振动引起的位移较大的上述区域是上述振动臂的前端的区域。
6.根据权利要求4所述的谐振装置的制造方法，其中，
形成上述振动部的工序包含由上述第一电极层、上述第二电极层、以及上述压电层形成进行轮廓振动的矩形形状的振动部的工序，
与其它的区域相比由振动引起的位移较大的上述区域是上述振动部的四个角的区域。
7.根据权利要求4～6中任意一项所述的谐振装置的制造方法，其中，
上述振动部在与其它的区域相比由振动引起的位移较大的上述区域包含由钼构成的基底膜，
形成上述调整膜的工序包含使上述基底膜氧化形成上述调整膜的工序。
8.根据权利要求7所述的谐振装置的制造方法，其中，
形成上述振动部的工序还包含在上述第二电极层的表面形成保护膜，并在该保护膜上形成上述基底膜的工序。
9.根据权利要求8所述的谐振装置的制造方法，其中，
形成上述振动部的工序还包含使上述基底膜与上述第一电极层或者上述第二电极层电连接的工序。
10.根据权利要求4～7中任意一项所述的谐振装置的制造方法，其中，
形成上述振动部的工序还包含在上述第二电极层形成保护膜的工序，
形成上述调整膜的工序还包含使上述调整膜与上述第一电极层或者上述第二电极层电连接的工序。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的谐振装置的制造方法，其中，还包含：
准备下盖的工序；以及
配置上盖以使其夹着上述谐振器与上述下盖对置的工序。
12.根据权利要求11所述的谐振装置的制造方法，其中，
调整上述频率的工序通过在配置上述上盖的工序之后使激光通过上述上盖照射到上述调整膜来进行。
13.一种谐振器，具备：
振动部，根据施加给电极的电压进行振动；
保持部，设置在上述振动部的周围的至少一部分；
保持臂，设置在上述振动部与上述保持部之间，一端与上述振动部连接，另一端与上述保持部连接；以及
多个斑点状的调整膜，在上述振动部中的与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域形成，由氧化钼构成。
14.根据权利要求13所述的谐振器，其中，
上述振动部具有基板、和第一电极层、压电层、以及第二电极层，该第一电极层、压电层、以及第二电极层配置在该基板的上面。
15.根据权利要求14所述的谐振器，其中，
上述振动部在与其它的区域相比由振动引起的位移较大的上述区域具有由钼构成的基底膜。
16.根据权利要求14或者15所述的谐振器，其中，
上述振动部还具有形成在上述第二电极层的表面的保护膜，上述基底膜形成在上述保护膜上。
17.根据权利要求16所述的谐振器，其中，
上述振动部具有使上述基底膜与上述第一电极层或者上述第二电极层电连接的通孔。
18.根据权利要求14或者15所述的谐振器，其中，
上述振动部具有：
保护膜，形成在第二电极层的表面；以及
通孔，使上述调整膜与上述第一电极层或者上述第二电极层电连接。
19.根据权利要求13～18中任意一项所述的谐振器，其中，
上述多个斑点状的调整膜具有0.1μm以上20μm以下的直径。
20.根据权利要求13～19中任意一项所述的谐振器，其中，
上述振动部具有：振动臂，具有固定端和开放端，并进行弯曲振动；以及基部，具有与上述振动臂的固定端连接的前端以及与该前端对置的后端，
上述与其它的区域相比由振动引起的位移较大的区域是上述振动臂的开放端侧的前端的区域。
21.根据权利要求13～19中任意一项所述的谐振器，其中，
上述振动部具有矩形形状的主面，并在沿着该主面的平面内进行轮廓振动，
与其它的区域相比由振动引起的位移较大的上述区域是上述振动部的四个角的区域。
22.一种谐振装置，具备：
权利要求13～21中任意一项所述的谐振器；
上盖以及下盖，该上盖以及下盖中间夹着上述谐振器相互对置地设置；以及
外部电极。
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