JPWO2016047766A1 - 透明体の製造方法、透明体及び非晶質体 - Google Patents

Abstract

新規なビニル基含有化合物を用いた、透明体の製造方法、及びこの製造方法で得られる透明体を提供する。本発明に係る透明体の製造方法は、下記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物を上記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む。式中、Ｗ１及びＷ２は下記一般式（２）（式中、環Ｚは芳香族炭化水素環、Ｘは単結合又は−Ｓ−で示される基、Ｒ１は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ２は１価炭化水素基等の特定の置換基、ｍは０以上の整数である。）で表される基、下記一般式（４）で表される基（式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ１、Ｒ２、及びｍは前記の通りである。）、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基、環Ｙ１及び環Ｙ２は芳香族炭化水素環、Ｒは単結合又は特定の二価基、Ｒ３ａ及びＲ３ｂはシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基、ｎ１及びｎ２は０〜４の整数である。

Description

本発明は、ビニル基含有化合物を用いた、透明体の製造方法、及びこの製造方法で得られる透明体に関する。

縮合多環式化合物は、種々の優れた機能を有し、様々な用途に用いられている。例えば、縮合多環式芳香族化合物であるフルオレン骨格（９，９−ビスフェニルフルオレン骨格等）を有する化合物は、光透過率、屈折率等の光学的特性、耐熱性等の熱的特性において優れた機能を有することが知られている。そのため、フルオレン骨格を有する化合物は、レンズ、プリズム、フィルター、画像表示材料、光ディスク用基板、光ファイバー、光導波路、ケーシング材料、フィルム、コーティング材料等の光学部材の原料として用いられている。このようなフルオレン骨格を有する化合物としては、例えば、特許文献１に開示されているものが挙げられる。

特開２０１１−２０１７９１号公報

本発明は、新規なビニル基含有化合物を用いた、透明体の製造方法、及びこの製造方法で得られる透明体を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。その結果、新規なビニル基含有化合物を用いた、透明体の製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。

本発明の第一の態様は、下記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物を上記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む、透明体の製造方法である。

（式中、Ｗ^１及びＷ^２は独立に下記一般式（２）で表される基、下記一般式（４）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１及びＷ^２は同時に水酸基でも下記一般式（４）で表される基でもなく、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示す。）

（式中、環Ｚは芳香族炭化水素環を示し、Ｘは単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２は１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍは０以上の整数を示す。）

（式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは上記の通りである。）

本発明の第二の態様は、下記一般式（１０）で表されるモノビニル基及びモノ（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物を上記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む、透明体の製造方法である。

（式中、Ｗ^１１及びＷ^１２のいずれか一方は上記一般式（２）で表される基を示し、他方は下記一般式（１１）又は（１２）で表される基を示し、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

（式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を示し、ｌは１〜４の整数を示し、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは上記の通りである。）

（式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５、及びｍは上記の通りである。）

本発明の第三の態様は、下記一般式（１９）で表される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物を上記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む、透明体の製造方法である。

（式中、Ｗ^１３及びＷ^１４は独立に上記一般式（１２）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１３及びＷ^１４の少なくとも一方は上記一般式（１２）で表される基であり、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

本発明の第四の態様は、上記製造方法で得られる透明体である。

本発明の第五の態様は、上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物を含む非晶質体。

本発明によれば、新規なビニル基含有化合物を用いた、透明体の製造方法、及びこの製造方法で得られる透明体を提供することができる。

Ｘ線回折測定における実施例１の透明膜１のＸ線回折パターンを示す図である。 Ｘ線回折測定における比較例１の透明膜２のＸ線回折パターンを示す図である。 示差走査熱量測定及び熱重量測定における、実施例２及び比較例３のＤＳＣ曲線とＴＧ曲線とを示す図である。

≪透明体の製造方法≫
本発明に係る透明体の製造方法は、上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物、上記一般式（１０）で表されるモノビニル基及びモノ（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物、及び／又は上記一般式（１９）で表される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物を上記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む。上記加熱により上記化合物は溶融する。例えば、上記加熱により溶融した上記化合物をその融点以下に冷却して固化させることにより、又は、上記加熱により溶融した上記化合物を更に加熱して硬化させることにより、透明体を得ることができる。なお、上記化合物の融点は、示差熱／熱重量測定により測定される１気圧における値である。

加熱時の温度の上限としては、透明体が得られる限り、特に限定されないが、上記化合物の融点をＴｍ（℃）としたとき、例えば、（Ｔｍ＋３００）℃以下、好ましくは（Ｔｍ＋２００）℃以下が挙げられる。加熱時の温度の上限が上記の値であると、溶融した上記化合物の揮発や分解を効果的に抑制することができる。なお、上記化合物を加熱により硬化させる場合、硬化温度としては、例えば〜、１５０〜３００℃が挙げられる。

上記加熱は、酸素非存在下で行われることが好ましい。上記加熱が酸素非存在下で行われることにより、例えば、上記化合物は酸化されにくくなり、得られる透明体の着色が抑制されやすくなる。より具体的には、上記加熱は、不活性雰囲気下で行われることが好ましい。不活性雰囲気としては、窒素雰囲気；アルゴン雰囲気等の希ガス雰囲気が挙げられる。不活性雰囲気は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

上記加熱は、上記化合物と溶剤との非共存下で行われることが好ましい。上記加熱が上記化合物と溶剤との非共存下で行われることにより、得られる透明体中に残存する溶剤の影響が抑制されやすくなる。

本発明に係る透明体の製造方法においては、溶融した上記化合物を成膜することにより、透明膜として透明体を得ることができ、また、溶融した上記化合物を成形することにより、透明成形体として透明体を得ることができる。成膜方法としては、特に限定されず、例えば、ガラス基板、シリコン基板等の基板上に、溶融した上記化合物を塗布し、上記の通りに固化又は硬化を行う方法が挙げられる。また、成形方法としては、例えば、射出成形等が挙げられる。

以下、上記化合物について詳細に説明する。
＜一般式（１）で表されるビニル基含有化合物＞
本発明に係る組成物に含有されるビニル基含有化合物は、下記一般式（１）で表されるものである。上記ビニル基含有化合物は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。

上記一般式（１）において、Ｗ^１及びＷ^２は、独立に下記一般式（２）で表される基、下記一般式（４）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１及びＷ^２は同時に水酸基でも下記一般式（４）で表される基でもない。Ｗ^１及びＷ^２の少なくとも一方は、下記一般式（２）で表される基であることが好ましく、Ｗ^１及びＷ^２のいずれもが下記一般式（２）で表される基であることがより好ましい。なお、本明細書において、「（メタ）アクリロイル」という用語は、アクリロイルとメタクリロイルの両方を意味する。

上記一般式（２）及び（４）において、環Ｚとしては、例えば、ベンゼン環、縮合多環式芳香族炭化水素環［例えば、縮合二環式炭化水素環（例えば、ナフタレン環等のＣ_８−２０縮合二環式炭化水素環、好ましくはＣ_{１０−１６}縮合二環式炭化水素環）、縮合三環式芳香族炭化水素環（例えば、アントラセン環、フェナントレン環等）等の縮合２乃至４環式芳香族炭化水素環］等が挙げられる。環Ｚは、ベンゼン環又はナフタレン環であるのが好ましく、ナフタレン環であるのがより好ましい。なお、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも上記一般式（２）で表される基である場合、又は、Ｗ^１及びＷ^２の一方が上記一般式（２）で表される基であり、他方が上記一般式（４）で表される基である場合、Ｗ^１に含まれる環ＺとＷ^２に含まれる環Ｚとは、同一でも異なっていてもよく、例えば、一方の環がベンゼン環、他方の環がナフタレン環等であってもよいが、いずれの環もナフタレン環であることが特に好ましい。また、Ｗ^１及びＷ^２の両方が直結する炭素原子にＸを介して結合する環Ｚの置換位置は、特に限定されない。例えば、環Ｚがナフタレン環の場合、上記炭素原子に結合する環Ｚに対応する基は、１−ナフチル基、２−ナフチル基等であってもよい。

上記一般式（２）及び（４）において、Ｘは、独立に単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、典型的には単結合である。

上記一般式（２）及び（４）において、Ｒ^１としては、例えば、単結合；メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、ブタン−１，２−ジイル基等の炭素数１〜４のアルキレン基が挙げられ、単結合；Ｃ_２−４アルキレン基（特に、エチレン基、プロピレン基等のＣ_２−３アルキレン基）が好ましく、単結合がより好ましい。なお、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも上記一般式（２）で表される基である場合、又は、Ｗ^１及びＷ^２の一方が上記一般式（２）で表される基であり、他方が上記一般式（４）で表される基である場合、Ｗ^１に含まれるＲ^１とＷ^２に含まれるＲ^１とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記一般式（２）及び（４）において、Ｒ^２としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のＣ_１−１２アルキル基、好ましくはＣ_１−８アルキル基、より好ましくはＣ_１−６アルキル基等）、シクロアルキル基（シクロへキシル基等のＣ_５−１０シクロアルキル基、好ましくはＣ_５−８シクロアルキル基、より好ましくはＣ_５−６シクロアルキル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のＣ_６−１４アリール基、好ましくはＣ_６−１０アリール基、より好ましくはＣ_６−８アリール基等）、アラルキル基（ベンジル基、フェネチル基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキル基等）等の１価炭化水素基；水酸基；アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のＣ_１−１２アルコキシ基、好ましくはＣ_１−８アルコキシ基、より好ましくはＣ_１−６アルコキシ基等）、シクロアルコキシ基（シクロへキシルオキシ基等のＣ_５−１０シクロアルコキシ基等）、アリールオキシ基（フェノキシ基等のＣ_６−１０アリールオキシ基）、アラルキルオキシ基（例えば、ベンジルオキシ基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキルオキシ基）等の−ＯＲ^４ａで示される基［式中、Ｒ^４ａは１価炭化水素基（上記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；アルキルチオ基（メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等のＣ_１−１２アルキルチオ基、好ましくはＣ_１−８アルキルチオ基、より好ましくはＣ_１−６アルキルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（シクロへキシルチオ基等のＣ_５−１０シクロアルキルチオ基等）、アリールチオ基（フェニルチオ基等のＣ_６−１０アリールチオ基）、アラルキルチオ基（例えば、ベンジルチオ基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキルチオ基）等の−ＳＲ^４ｂで示される基［式中、Ｒ^４ｂは１価炭化水素基（上記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；アシル基（アセチル基等のＣ_１−６アシル基等）；アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基等のＣ_１−４アルコキシ−カルボニル基等）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）；ニトロ基；シアノ基；メルカプト基；カルボキシル基；アミノ基；カルバモイル基；アルキルアミノ基（メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基等のＣ_１−１２アルキルアミノ基、好ましくはＣ_１−８アルキルアミノ基、より好ましくはＣ_１−６アルキルアミノ基等）、シクロアルキルアミノ基（シクロへキシルアミノ基等のＣ_５−１０シクロアルキルアミノ基等）、アリールアミノ基（フェニルアミノ基等のＣ_６−１０アリールアミノ基）、アラルキルアミノ基（例えば、ベンジルアミノ基等のＣ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキルアミノ基）等の−ＮＨＲ^４ｃで示される基［式中、Ｒ^４ｃは１価炭化水素基（上記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；ジアルキルアミノ基（ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジ（Ｃ_１−１２アルキル）アミノ基、好ましくはジ（Ｃ_１−８アルキル）アミノ基、より好ましくはジ（Ｃ_１−６アルキル）アミノ基等）、ジシクロアルキルアミノ基（ジシクロへキシルアミノ基等のジ（Ｃ_５−１０シクロアルキル）アミノ基等）、ジアリールアミノ基（ジフェニルアミノ基等のジ（Ｃ_６−１０アリール）アミノ基）、ジアラルキルアミノ基（例えば、ジベンジルアミノ基等のジ（Ｃ_６−１０アリール−Ｃ_１−４アルキル）アミノ基）等の−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基［式中、Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基（上記例示の１価炭化水素基等）を示す。］；（メタ）アクリロイルオキシ基；スルホ基；上記の１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が上記の１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基［例えば、アルコキシアリール基（例えば、メトキシフェニル基等のＣ_１−４アルコキシＣ_６−１０アリール基）、アルコキシカルボニルアリール基（例えば、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシカルボニルフェニル基等のＣ_１−４アルコキシ−カルボニルＣ_６−１０アリール基等）］等が挙げられる。

これらのうち、代表的には、Ｒ^２は、１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基等であってもよい。

好ましいＲ^２としては、１価炭化水素基［例えば、アルキル基（例えば、Ｃ_１−６アルキル基）、シクロアルキル基（例えば、Ｃ_５−８シクロアルキル基）、アリール基（例えば、Ｃ_６−１０アリール基）、アラルキル基（例えば、Ｃ_６−８アリール−Ｃ_１−２アルキル基）等］、アルコキシ基（Ｃ_１−４アルコキシ基等）等が挙げられる。特に、Ｒ^２ａ及びＲ^２ｂは、アルキル基［Ｃ_１−４アルキル基（特にメチル基）等］、アリール基［例えば、Ｃ_６−１０アリール基（特にフェニル基）等］等の１価炭化水素基（特に、アルキル基）であるのが好ましい。

なお、ｍが２以上の整数である場合、Ｒ^２は互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。また、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも上記一般式（２）で表される基である場合、又は、Ｗ^１及びＷ^２の一方が上記一般式（２）で表される基であり、他方が上記一般式（４）で表される基である場合、Ｗ^１に含まれるＲ^２とＷ^２に含まれるＲ^２とは、同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記一般式（２）及び（４）において、Ｒ^２の数ｍは、環Ｚの種類に応じて選択でき、例えば、０〜４、好ましくは０〜３、より好ましくは０〜２であってもよい。なお、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも上記一般式（２）で表される基である場合、又は、Ｗ^１及びＷ^２の一方が上記一般式（２）で表される基であり、他方が上記一般式（４）で表される基である場合、Ｗ^１におけるｍとＷ^２におけるｍとは、同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（１）において、環Ｙ^１及び環Ｙ^２としては、例えば、ベンゼン環、縮合多環式芳香族炭化水素環［例えば、縮合二環式炭化水素環（例えば、ナフタレン環等のＣ_８−２０縮合二環式炭化水素環、好ましくはＣ_{１０−１６}縮合二環式炭化水素環）、縮合三環式芳香族炭化水素環（例えば、アントラセン環、フェナントレン環等）等の縮合２乃至４環式芳香族炭化水素環］等が挙げられる。環Ｙ^１及び環Ｙ^２は、ベンゼン環又はナフタレン環であるのが好ましい。なお、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は、同一でも異なっていてもよく、例えば、一方の環がベンゼン環、他方の環がナフタレン環等であってもよい。

上記一般式（１）において、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、典型的には単結合である。ここで、置換基としては、例えば、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、１価炭化水素基［例えば、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ_１−６アルキル基）、アリール基（フェニル基等のＣ_６−１０アリール基）等］等が挙げられ、ヘテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、珪素原子等が挙げられる。

上記一般式（１）において、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂとしては、通常、非反応性置換基、例えば、シアノ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、１価炭化水素基［例えば、アルキル基、アリール基（フェニル基等のＣ_６−１０アリール基）等］等が挙げられ、シアノ基又はアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることが特に好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ_１−６アルキル基（例えば、Ｃ_１−４アルキル基、特にメチル基）等が例示できる。なお、ｎ１が２以上の整数である場合、Ｒ^３ａは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。また、ｎ２が２以上の整数である場合、Ｒ^３ｂは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。更に、Ｒ^３ａとＲ^３ｂとが同一であってもよく、異なっていてもよい。また、環Ｙ^１及び環Ｙ^２に対するＲ^３ａ及びＲ^３ｂの結合位置（置換位置）は、特に限定されない。好ましい置換数ｎ１及びｎ２は、０又は１、特に０である。なお、ｎ１及びｎ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。

上記一般式（１）で表される化合物は、優れた光学的特性及び熱的特性を保持しつつ、ビニロキシ基及び／又は（メタ）アクリロイルオキシ基を有するため、高い反応性を有する。特に、環Ｙ^１及び環Ｙ^２がベンゼン環であり、Ｒが単結合である場合、上記一般式（１）で表される化合物は、フルオレン骨格を有し、光学的特性及び熱的特性に更に優れる。このような上記一般式（１）で表される化合物は、重合することができるため、重合性モノマーとして機能する。特に、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも上記一般式（２）で表される基である場合、上記一般式（１）で表される化合物は、カチオン重合することができるため、カチオン重合性モノマーとして機能する。一方、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも（メタ）アクリロイルオキシ基である場合、上記一般式（１）で表される化合物は、ラジカル重合することができるため、ラジカル重合性モノマーとして機能する。また、上記一般式（１）で表される化合物は、Ｗ^１及びＷ^２が独立に上記一般式（２）で表される基又は（メタ）アクリロイルオキシ基である場合、ビニロキシ基及び／又は（メタ）アクリロイルオキシ基の形で含まれる２個のビニル基が別々の分子と反応することができるため、架橋剤として好適に用いることができる。更に、上記一般式（１）で表される化合物は、高い硬度を有する硬化物を与え、組成物中の基材成分として好ましい。加えて、上記一般式（１）で表される化合物をネガ型感光性樹脂組成物に含有させた際には、良好な微小パターニング特性を得ることが可能である。上記一般式（１）で表される化合物は、種々の用途、例えば、配向膜及び平坦化膜（例えば、液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等に用いられる配向膜及び平坦化膜）；反射防止膜、層間絶縁膜、カーボンハードマスク等のレジスト下層膜；液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のスペーサ及び隔壁；液晶表示ディスプレイのカラーフィルタの画素やブラックマトリクス；液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置；レンズ（例えば、マイクロレンズ等）、光ファイバー、光導波路、プリズムシート、ホログラム、高屈折フィルム、再帰反射フィルム等の光学部材；低透湿膜（例えば、水蒸気バリア層として用いられる低透湿膜）；光学材料；半導体用材料に用いることができる。

上述の通り、環Ｙ^１及び環Ｙ^２がベンゼン環であり、Ｒが単結合である場合、上記一般式（１）で表される化合物は、フルオレン骨格を有し、光透過率、屈折率等の光学的特性及び熱的特性に更に優れるため好ましい。また、上記一般式（１）で表される化合物において、Ｗ^１及びＷ^２がいずれも上記一般式（２）で表される基であり、Ｘが単結合であり、Ｒ^１が単結合である場合には、光透過率、屈折率等の光学特性がより優れる傾向がある。特に、Ｒ^１が単結合である場合には光学的特性及び熱的特性が格段に向上する傾向があり好ましい。

上記一般式（１）で表される化合物のうち、特に好ましい具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

［一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物の製造方法］
上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物の中でも、下記一般式（１ａ）で表されるものは、例えば、下記の製造方法１〜３により製造することができる。

（式中、Ｗ^１ａ及びＷ^２ａは独立に上記一般式（２）で表される基、上記一般式（４）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１ａ及びＷ^２ａは同時に水酸基でも上記一般式（４）で表される基でも（メタ）アクリロイルオキシ基でもなく、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

・製造方法１
上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物は、例えば、特開２００８−２６６１６９号公報に記載の製造方法に従い、遷移元素化合物触媒及び無機塩基の存在下、下記一般式（１３）で表されるビニルエステル化合物と、下記一般式（３）で表される水酸基含有化合物とを反応させることにより、合成することが可能である。上記無機塩基は、粒子径１５０μｍ未満の粒子を１０重量％以上含有する固体の無機塩基であることが好ましい。具体的には、上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物は、後述する合成例１〜３のようにして合成することが可能である。

Ｒ^６−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ_２ （１３）
（式中、Ｒ^６は、水素原子又は有機基を示す。）

（式中、Ｗ^３及びＷ^４は独立に下記一般式（４）で表される基又は水酸基を示し、ただし、Ｗ^３及びＷ^４は同時に水酸基ではなく、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

（式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは上記の通りである。）

なお、上記一般式（３）で表される化合物は、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（１４）で表される化合物及び／又は下記一般式（１５）で表される化合物と、下記一般式（１６）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。適宜、下記一般式（１４）で表される化合物及び下記一般式（１５）で表される化合物の組み合わせ方や添加量等を調整することにより、上記一般式（３）で表される所望の水酸基含有化合物を得ることができる。また、反応後に、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の分離方法により、目的とする水酸基含有化合物を分離してもよい。

（上記一般式（１４）、（１５）、及び（１６）中、環Ｙ^１、環Ｙ^２、環Ｚ、Ｒ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｍ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

上記一般式（３）で表される化合物の合成に用いられる酸触媒、反応条件等としては、例えば、特許文献１又は特開２００２−２５５９２９号公報において、特許請求の範囲に記載されたフルオレン系化合物の製造方法に用いることができると記載されているものが挙げられる。

・製造方法２
上記一般式（１ａ）で表される化合物は、例えば、上記一般式（３）で表される水酸基含有化合物から、下記一般式（５）で表される脱離基含有化合物を経由して、上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物を得ることを含む製造方法により、合成することも可能である。

（式中、Ｗ^５及びＷ^６は独立に下記一般式（６）で表される基又は水酸基を示し、ただし、Ｗ^５及びＷ^６は同時に水酸基ではなく、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

（式中、Ｅは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、パラトルエンスルホニルオキシ基、又はベンゼンスルホニルオキシ基で置換された炭素数１〜４のアルキルオキシ基を示し、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは上記の通りである。）

上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物は、例えば、上記一般式（３）で表される水酸基含有化合物と脱離基含有化合物とを反応させることにより、合成することができる。脱離基含有化合物としては、例えば、塩化チオニル、下記式で表される化合物等が挙げられる。また、反応温度としては、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１４０℃、より好ましくは３０〜１３０℃が挙げられる。

上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物は、例えば、上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物とビニル化剤とを反応させることにより、合成することができる。ビニル化剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、ジアザビシクロウンデセン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド等が挙げられ、好ましくはジアザビシクロウンデセン、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド等が挙げられ、より好ましくはカリウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。また、反応温度としては、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１００℃、より好ましくは０〜６０℃が挙げられる。

・製造方法３
上記一般式（１ａ）で表される化合物は、例えば、下記一般式（７）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物から、上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物を経由して、上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物を得ることを含む製造方法により、合成することも可能であり、具体的には、後述する合成例４及び５並びに合成例１２及び１３のようにして合成することが可能である。

（式中、Ｗ^７及びＷ^８は独立に下記一般式（８）で表される基又は水酸基を示し、ただし、Ｗ^７及びＷ^８は同時に水酸基ではなく、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

（式中、ｌは１〜４の整数を示し、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは上記の通りである。）

上記一般式（７）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物は、例えば、酸触媒の存在下、下記一般式（１７）で表される化合物及び／又は下記一般式（１８）で表される化合物と、上記一般式（１６）で表される化合物とを反応させることにより、合成することができる。適宜、下記一般式（１７）で表される化合物及び下記一般式（１８）で表される化合物の組み合わせ方や添加量等を調整することにより、上記一般式（７）で表される所望のヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物を得ることができる。また、反応後に、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の分離方法により、目的とするヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物を分離してもよい。上記一般式（７）で表される化合物の合成に用いられる酸触媒、反応条件等としては、例えば、上記一般式（３）で表される化合物の合成方法の説明中で例示したものが挙げられる。

（上記一般式（１７）及び（１８）中、環Ｚ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは上記の通りである。）

上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物は、例えば、上記一般式（７）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物と脱離基含有化合物とを反応させることにより、合成することができる。脱離基含有化合物及び反応温度としては、例えば、上記製造方法２について例示したものが挙げられる。

上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物は、例えば、上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物とビニル化剤とを反応させることにより、合成することができる。ビニル化剤及び反応温度としては、例えば、上記製造方法２について例示したものが挙げられる。

製造方法３により、上記一般式（７）で表されるヒドロキシアルキルオキシ基含有化合物から、高収率で、上記一般式（１ａ）で表される化合物を得ることができる。例えば、合成例４及び５において、９，９’−ビス（６−ビニルオキシ−２−ナフチル）フルオレンの収率は７７％であり、合成例１２及び１３において、９，９’−ビス（４−ビニロキシフェニル）フルオレンの収率は７９％であった。製造方法３によれば、上記一般式（１ａ）で表される化合物の精製工程における負荷を低くすることができる。また、製造方法３では、常圧で反応を行うことができるため、耐熱容器等の特別の反応設備が不要であり、より簡便な装置を用いることができる。更に、製造方法３では、アセチレンガス等の可燃性ガスが用いられておらず、より安全に上記一般式（１ａ）で表される化合物を製造することができる。

＜精製方法＞
上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物は、合成後に精製してもよい。精製方法としては、特に限定されず、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の方法が挙げられる。精製により、上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物の純度が向上するとともに、金属成分の含有量が低減する。精製されたビニル基含有化合物は、反応性が向上しやすくなり、また、反応時の着色が効果的に抑制される。

・一般式（５）で表される脱離基含有化合物
上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物は、上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物を製造するための中間体として有用である。上記一般式（５）で表される脱離基含有化合物は、例えば、上記製造方法２又は３中で説明した方法により合成することができる。

・一般式（９）で表されるモノビニル基含有化合物及びその製造方法
下記一般式（９）で表されるモノビニル基含有化合物は、上記一般式（１ａ）で表されるビニル基含有化合物を製造するための中間体として有用である。

（式中、Ｗ^９及びＷ^１０のいずれか一方は上記一般式（２）で表される基を示し、他方は上記一般式（６）で表される基を示し、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

上記一般式（９）で表されるモノビニル基含有化合物は、下記一般式（５ａ）で表される脱離基含有化合物から上記一般式（９）で表されるモノビニル基含有化合物を得ることを含む製造方法により、合成することが可能であり、具体的には、後述する合成例８及び１１のようにして合成することが可能である。即ち、上記一般式（９）で表されるモノビニル基含有化合物は、例えば、上記一般式（５ａ）で表される脱離基含有化合物とビニル化剤とを反応させることにより、合成することができる。ビニル化剤及び反応温度としては、例えば、上記製造方法２について例示したものが挙げられる。ビニル化剤の使用量は、上記一般式（５ａ）で表される脱離基含有化合物中の脱離基１モルに対し、好ましくは０．１〜１０モル、より好ましくは０．５〜５モル、更により好ましくは０．８〜２モルである。

（式中、Ｗ^５ａ及びＷ^６ａは上記一般式（６）で表される基を示し、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

＜一般式（１０）で表されるモノビニル基及びモノ（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物＞
本発明に係る組成物に含有されるモノビニル基及びモノ（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物は、下記一般式（１０）で表されるものである。上記モノビニル基及びモノ（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。この化合物は、優れた光学的特性及び熱的特性を保持しつつ、ビニロキシ基及び（メタ）アクリロイルオキシ基を有するため、高い反応性を有する。特に、環Ｙ^１及び環Ｙ^２がベンゼン環であり、Ｒが単結合である場合、下記一般式（１０）で表される化合物は、フルオレン骨格を有し、光学的特性及び熱的特性に更に優れる。下記一般式（１０）で表される化合物は、上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物と同様に、重合することができるため、重合性モノマーとして機能し、また、架橋剤として好適に用いることができる。更に、下記一般式（１０）で表される化合物は、高い硬度を有する硬化物を与え、組成物中の基材成分として好ましい。加えて、下記一般式（１０）で表される化合物をネガ型感光性樹脂組成物に含有させた際には、良好な微小パターニング特性を得ることが可能である。下記一般式（１０）で表される化合物は、種々の用途、例えば、上記一般式（１）で表される化合物について具体的に例示した用途に用いることができる。

（式中、Ｗ^１１及びＷ^１２のいずれか一方は上記一般式（２）で表される基を示し、他方は下記一般式（１１）又は（１２）で表される基を示し、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

（式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を示し、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、ｍ、及びｌは上記の通りである。）

（式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５、及びｍは上記の通りである。）

＜一般式（１９）で表される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物＞
本発明に係る組成物に含有される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物は、下記一般式（１９）で表されるものである。上記（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物は、単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。この化合物は、優れた光学的特性及び熱的特性を保持しつつ、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するため、高い反応性を有する。特に、環Ｙ^１及び環Ｙ^２がベンゼン環であり、Ｒが単結合である場合、下記一般式（１９）で表される化合物は、フルオレン骨格を有し、光学的特性及び熱的特性に更に優れる。下記一般式（１９）で表される化合物は、上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物と同様に、重合することができるため、重合性モノマーとして機能し、また、架橋剤として好適に用いることができる。更に、下記一般式（１９）で表される化合物は、高い硬度を有する硬化物を与え、組成物中の基材成分として好ましい。加えて、下記一般式（１９）で表される化合物をネガ型感光性樹脂組成物に含有させた際には、良好な微小パターニング特性を得ることが可能である。下記一般式（１９）で表される化合物は、種々の用途、例えば、上記一般式（１）で表される化合物について具体的に例示した用途に用いることができる。

（式中、Ｗ^１３及びＷ^１４は独立に上記一般式（１２）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１３及びＷ^１４の少なくとも一方は上記一般式（１２）で表される基であり、環Ｙ^１、環Ｙ^２、Ｒ、Ｒ^３ａ、Ｒ^３ｂ、ｎ１、及びｎ２は上記の通りである。）

上記一般式（１９）で表される化合物のうち、特に好ましい具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

［一般式（１９）で表される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物の製造方法］
上記一般式（１９）で表される化合物は、例えば、上記一般式（３）で表される水酸基含有化合物から上記一般式（１９）で表される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物を得ることを含む製造方法により、合成することが可能であり、具体的には、後述する合成例１４及び１５のようにして合成することが可能である。

上記一般式（１９）で表される化合物は、例えば、上記一般式（３）で表される水酸基含有化合物と（メタ）アクリル化剤とを反応させることにより、合成することができる。（メタ）アクリル化剤としては、例えば、（メタ）アクリロイルクロリド等の（メタ）アクリロイルハライド；（メタ）アクリル酸無水物等が挙げられ、（メタ）アクリロイルハライドが好ましく、（メタ）アクリロイルクロリドがより好ましい。また、反応温度としては、例えば、−２０〜１５０℃、好ましくは−１０〜１００℃、より好ましくは０〜６０℃が挙げられる。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル化剤」は、アクリル化剤とメタクリル化剤の両方を意味し、「（メタ）アクリル酸無水物」は、アクリル酸無水物とメタクリル酸無水物の両方を意味する。

上記一般式（１９）で表される化合物は、合成後に精製してもよい。精製方法としては、特に限定されず、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等の公知の方法が挙げられる。精製により、上記一般式（１９）で表される化合物の純度が向上するとともに、金属成分の含有量が低減する。生成された上記化合物は、反応性が向上しやすくなり、また、反応時の着色が効果的に抑制される。

≪透明体≫
本発明に係る透明体は、上記製造方法で得られるものである。上述した通りに成膜又は成形を行うことにより、上記透明体は、透明膜又は透明成形体として得ることができる。

本発明に係る透明体は、コントラスト比、光透過率、屈折率等の光学的特性、耐熱性等の熱的特性に優れる。本発明に係る透明体は、例えば、レンズ（例えば、マイクロレンズ等）、光ファイバー、光導波路、プリズムシート、ホログラム、高屈折フィルム、再帰反射フィルム等の光学部材；配向膜及び平坦化膜（例えば、液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等に用いられる配向膜及び平坦化膜）；反射防止膜；層間絶縁膜；カーボンハードマスク等のレジスト下層膜；半導体用材料等として用いることができ、また、液晶表示ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置に用いることもできる。中でも、光学的特性に優れることが求められる用途に、特に好適に用いることができる。

≪非晶質体≫
本発明に係る非晶質体は、上記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物を含む非晶質体である。この非晶質体は、無秩序な分子配列からなり、区別できる結晶格子を有さない。上記非晶質体は、透明性のあるガラス状固体であることが視認され、具体的には、上述の透明体であってよく、また、一般式（１）で表されるビニル基含有化合物の非晶質体であってもよい。

この非晶質体は、ＣｕＫαスペクトルを用いたＸ線回折測定（ＸＲＤ）において、回折角度（２θ）１５．５°〜１８．４°に回折ピークを示さない。具体的には、この非晶質体は、後述する図１において、比較例１の透明膜２のＸ線回折パターンで示されるような、回折角度（２θ）１５．５°〜１８．４°における回折ピークを示さない。回折角度（２θ）１５．５°〜１８．４°における回折ピークは、一般式（１）で表されるビニル基含有化合物が結晶質である場合、結晶格子を構成する該化合物の規則的な空間配置に起因する固有の回折ピークである。従って、上記非晶質体は、好ましくは上述の製造方法で得られる固体であるが、かかる結晶質に由来する回折ピークを示さないことから、非晶質である。Ｘ線回折測定には、「装置名ＳｍａｒｔＬａｂ」（リガク社製）を用いることができる。測定条件は、ＣｕＫα線、入射角０．５°固定、２θスキャンである。

また、この非晶質体は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）において、１００℃〜２００℃に吸熱ピークの頂点を有さない。具体的には、この非晶質体は、後述する図３において、比較例３のＤＳＣ曲線で示されるような、１００℃〜２００℃における吸熱ピークを示さない。１００℃〜２００℃における吸熱ピークは、一般式（１）で表されるビニル基含有化合物が結晶質である場合、結晶質に由来する吸熱ピークである。従って、上記非晶質体は、好ましくは上述の製造方法で得られる固体であるが、かかる結晶質に由来するＤＳＣ曲線において吸熱ピークの頂点を示さないことから、非晶質である。示差走査熱量測定装置には「装置名ＳＴＡ４４９Ｆ１ Ｊｕｐｉｔｅｒ」（ＮＥＴＺＳＣＨ社製）を用いることができ、測定条件は、１０ｍｇの試料を、窒素雰囲気中で２℃／ｍｉｎの昇温速度により昇温すればよい。熱重量測定装置には、（「ＳＴＡ４４９Ｆ１ Ｊｕｐｉｔｅｒ」（ＮＥＴＺＳＣＨ社製））を用いることができ、測定条件は、１０ｍｇの試料を窒素雰囲気中で２℃／ｍｉｎの昇温速度により昇温すればよい。

以下、実施例を示して本発明を更に具体的に説明するが、本発明の範囲は、これらの実施例に限定されるものではない。

＜上記一般式（１）で表される化合物＞
上記一般式（１）で表される化合物としては、下記式で表される化合物１〜３を準備した。

化合物１〜３の合成法を下記に示す（合成例１〜３）。合成例で用いた材料は下記の通りである。

［無機塩基］
（１）軽灰炭酸ナトリウム
粒子径分布：２５０μｍ以上；３重量％
１５０μｍ以上２５０μｍ未満；１５重量％
７５μｍ以上１５０μｍ未満；５０重量％
７５μｍ未満；３２重量％
なお、上記の粒子径分布は、６０メッシュ（２５０μｍ）、１００メッシュ（１５０μｍ）、２００メッシュ（７５μｍ）のふるいを用いて仕分けた後、最終的に得られた篩上成分及び篩下成分各々の重量を測定することにより算出した。

［遷移元素化合物触媒］
（１）ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）：［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］_２

［ヒドロキシ化合物］
（１）９，９’−ビス（６−ヒドロキシ−２−ナフチル）フルオレン
（２）９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン

［ビニルエステル化合物］
（１）プロピオン酸ビニル

［合成例１］化合物１の合成
冷却管、及び、凝縮液を分液させて有機層を反応容器に戻し水層を系外に排出するためのデカンターを取り付けた１０００ｍｌ反応容器に、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］_２（８３９ｍｇ、１．２５ｍｍｏｌ）、軽灰炭酸ナトリウム（１２．７ｇ、０．１２ｍｏｌ）、９，９’−ビス（６−ヒドロキシ−２−ナフチル）フルオレン（２２５ｇ、０．５ｍｏｌ）、プロピオン酸ビニル（１２５ｇ、１．２５ｍｏｌ）、及びトルエン（３００ｍｌ）を仕込んだ後、表面積が１０ｃｍ^２の撹拌羽根を用い回転数を２５０ｒｐｍに設定し、撹拌しながら徐々に温度を上げて還流させた。還流下、副生する水をデカンターで除去しながら、５時間反応させた。反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、９，９’−ビス（６−ヒドロキシ−２−ナフチル）フルオレンの転化率は１００％であり、９，９’−ビス（６−ヒドロキシ−２−ナフチル）フルオレンを基準として９，９’−ビス（６−ビニロキシ−２−ナフチル）フルオレン（化合物１）が８１％、ビス６−ナフトールフルオレンモノビニルエーテルが４％の収率で生成していた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４．４７（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、５．０Ｈｚ）、４．８１（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝３．５Ｈｚ、１２．０Ｈｚ）、６．７１（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、７．１２−７．８２（ｍ、２０Ｈ）

［合成例２］化合物２の合成（単離）
合成例１で得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに供して分離精製を実施し、ビス６−ナフトールフルオレンモノビニルエーテル（化合物２）を単離した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４．５５（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．８８（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝３．５Ｈｚ）、６．７９（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、１４．０Ｈｚ）、７．２０−７．８９（ｍ、２０Ｈ）

［合成例３］化合物３の合成
冷却管、及び、凝縮液を分液させて有機層を反応容器に戻し水層を系外に排出するためのデカンターを取り付けた１０００ｍｌ反応容器に、ジ−μ−クロロビス（１，５−シクロオクタジエン）二イリジウム（Ｉ）［Ｉｒ（ｃｏｄ）Ｃｌ］_２（８３９ｍｇ、１．２５ｍｍｏｌ）、軽灰炭酸ナトリウム（１２．７ｇ、０．１２ｍｏｌ）、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（１８６ｇ、０．５ｍｏｌ）、プロピオン酸ビニル（１２５ｇ、１．２５ｍｏｌ）、及びトルエン（３００ｍｌ）を仕込んだ後、表面積が１０ｃｍ^２の撹拌羽根を用い回転数を２５０ｒｐｍに設定し、撹拌しながら徐々に温度を上げて還流させた。還流下、副生する水をデカンターで除去しながら、５時間反応させた。反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンの転化率は１００％であり、９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンを基準として、９，９’−ビス（４−ビニロキシフェニル）フルオレン（化合物３）が７２％、ビス４−フェノールフルオレンモノビニルエーテルが９％の収率で生成していた。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４．４７（ｄｄ、２Ｈ）、４．８１（ｄｄ、２Ｈ）、６．７１（ｄｄ、２Ｈ）、７．１２−７．８２（ｍ、１６Ｈ）

＜脱離基含有化合物を経由する合成例＞
［合成例４］
５Ｌ反応器に６，６’−（９−フルオレニリデン）−ビス（２−ナフチルオキシエタノール）（５９８ｇ，１．１１ｍｏｌ）、ピリジン（８７．８ｇ，１．１１ｍｏｌ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（１６７０ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、６０℃まで昇温した。塩化チオニル（３９５．９ｇ，３．３３ｍｏｌ）を３時間かけて滴下し、２時間熟成した。３０℃まで冷却後、水を加えて反応を停止し、１５〜２０℃の範囲でメタノールを滴下することによって、収率９６％で、目的とする水酸基が塩素に置換された化合物（下記式で表される化合物。以下、化合物４ともいう。）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．８５（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．３１（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、７．０８−７．８２（ｍ、２０Ｈ）

［合成例５］
化合物４（５６０ｇ、０．９７ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１２６０ｍＬ）を仕込んだ５Ｌ反応器に、カリウム−ｔ−ブトキシド（３２７．５ｇ，２．９２ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１２６０ｍＬ）溶液を２０℃〜４０℃の範囲で滴下した。６０℃で２時間熟成後、水を加えて反応を停止した。有機層を分液後、化合物４の仕込み量の２重量倍になるようにエバポレーターで濃縮後、メタノールに滴下することで、収率７７％で、９，９’−ビス（６−ビニルオキシ−２−ナフチル）フルオレン（下記式で表される化合物、即ち、化合物１）を白色又は灰白色固体として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４．４８（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、６．５Ｈｚ）、４．８１（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１３．５Ｈｚ）、６．７３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝６．５Ｈｚ、１３．５Ｈｚ）、７．１３−７．８３（ｍ、２０Ｈ）

［合成例６］
２５ｍＬ反応器にエチレングリコール（１．００ｇ、０．０１６１ｍｏｌ）、トリエチルアミン（３．４２ｇ０．０３３８ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３．３８ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、０℃まで冷却した。メタンスルホニルクロライド（３．８８ｇ，０．０３３８ｍｏｌ）を２時間かけて滴下し、１時間熟成後、水を加えて反応を停止した。ここに酢酸エチルを添加し、有機層を分離し、エバポレーターで溶媒を留去することによって、収率８０％で、エチレングリコールにメタンスルホニル基が付加した化合物（下記式で表される化合物。以下、「ＥＧ−ＤＭｓ」ともいう。）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．１０（ｓ、６Ｈ）、４．４７（ｓ、４Ｈ）

［合成例７］
２５ｍＬ反応器に６，６−（９−フルオレニリデン）−２，２−ジナフトール（下記左側の式で表される化合物。１．００ｇ、０．００２２ｍｏｌ。以下、化合物５ともいう。）、炭酸カリウム（０．６４ｇ，０．００４７ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３．３８ｍＬ）を加え、窒素置換した。ここに、合成例６で合成したＥＧ−ＤＭｓ（１．０２ｇ，０．００４７ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１．１２ｍＬ）溶液を室温で添加後、６０℃まで昇温し、１５時間熟成した。反応液をＨＰＬＣで分析した結果、化合物５の転化率９９％、選択率６５％で化合物６（下記右側の式で表される化合物）が合成されたことを確認した。
（化合物６）^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．０８（ｓ、６Ｈ）、４．３２（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝４．４Ｈｚ）、４．６０（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝４．４Ｈｚ）、７．０５−７．８３（ｍ、２０Ｈ）

［合成例８］
化合物６（２．００ｇ、０．００２８８ｍｏｌ），ジプロピレングリコールジメチルエーテル（２．２５ｍＬ）を仕込んだ２５ｍＬ反応器に、カリウム−ｔ−ブトキシド（１．４５ｇ，０．０１３０ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（２．２５ｍＬ）溶液を２０℃〜４０℃の範囲で滴下し、１００℃で２時間熟成した。反応液をＨＰＬＣで分析した結果、化合物６の転化率９９％にて、選択率５８％で化合物１が合成され、選択率３２％でモノビニルモノメシル体（下記式で表される化合物。以下、化合物７ともいう。）が合成されたことを確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．１０（ｓ、３Ｈ）、４．３４（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、４．４９（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．２Ｈｚ、５．２Ｈｚ）、４．６２（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝３．６Ｈｚ）、４．８１（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．２Ｈｚ、１１．２Ｈｚ）、６．７３（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝５．２Ｈｚ、１１．２Ｈｚ）、７．０６−７．８３（ｍ、２０Ｈ）

［合成例９］
５０ｍＬ反応器に２−クロロエタノール（３．００ｇ，０．０４８ｍｏｌ）、トリエチルアミン（５．８７ｇ，０．０５８ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０．１２ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、０℃まで冷却した。メタンスルホニルクロライド（６．０９ｇ，０．０５３ｍｏｌ）を２時間かけて滴下し、１時間熟成後、水を加えて反応を停止した。酢酸エチルを添加し、有機層を分離し、エバポレーターで溶媒を留去することによって、収率８０％で、２−クロロエタノールにメタンスルホニル基が付加した化合物（下記式で表される化合物。以下、「ＣｌＥＭｓ」ともいう。）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．０９（ｓ、３Ｈ）、３．７７（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝５．５Ｈｚ）、４．４５（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝５．５Ｈｚ）

［合成例１０］
２５ｍＬ反応器に化合物５（１．００ｇ０．００２２ｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６４ｇ，０．００４７ｍｏｌ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（２．２３ｍＬ）を加え、窒素置換した。ＣｌＥＭｓ（１．０６ｇ，０．００６７ｍｏｌ）のジプロピレングリコールジメチルエーテル（１．１２ｍＬ）溶液を室温で添加後、６０℃まで昇温し、１５時間熟成した。反応液をＨＰＬＣで分析した結果、化合物５の転化率１７％にて、選択率４％で化合物４が合成され、選択率１２％で化合物８（下記式で表される化合物）が合成されたことを確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．８６（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．３２（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、７．０９−７．８２（ｍ、２０Ｈ）

［合成例１１］
化合物４（３．０ｇ、０．００５２ｍｏｌ），テトラヒドロフラン（６．８ｍＬ）を仕込んだ２５ｍＬ反応器にカリウム−ｔ−ブトキシド（０．５８ｇ，０．００５２ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（６．８ｍＬ）溶液を２０℃〜４０℃の範囲で滴下した。６０℃で２時間熟成後、水を加えて反応を停止した。有機層をＨＰＬＣで分析した結果、化合物４の転化率５７％にて、選択率２５％で化合物１が合成され、選択率７５％でモノビニルモノクロロ体（下記式で表される化合物。以下、化合物９ともいう。）が合成されたことを確認した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．８４（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．３０（ｔ、２Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．４８（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、６．０Ｈｚ）、４．８１（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝１．６Ｈｚ、１３．６Ｈｚ）、６．７２（ｄｄ、１Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ、１３．６Ｈｚ）、７．０８−７．８２（ｍ、２０Ｈ）

［合成例１２］
２００ｍＬ反応器に９，９’−ビス（４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル）フルオレン（６．２６ｇ，０．０１４３ｍｏｌ）、ピリジン（２．８２ｇ，０．０３５７ｍｏｌ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（３３．４ｍＬ）、テトラヒドロフラン（３３．７ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、６０℃まで昇温した。塩化チオニル（６．７９ｇ，０．０５７１ｍｏｌ）を２時間かけて滴下し、２時間熟成した。３０℃まで冷却後、水を加えて反応を停止し、１５〜２０℃の範囲でメタノールを滴下することによって、収率９５％で、目的とする水酸基が塩素に置換された化合物（下記式で表される化合物。以下、化合物１０ともいう。）を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：３．７５（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、４．１４（ｔ、４Ｈ、Ｊ＝６．０Ｈｚ）、６．７３−７．７５（ｍ、１６Ｈ）

［合成例１３］
化合物１０（５．０ｇ、０．０１０５ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１１．５ｍＬ）を仕込んだ１００ｍＬ反応器に、カリウム−ｔ−ブトキシド（３．５３ｇ，０．０３１５ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（１３．６ｍＬ）溶液を２０℃〜４０℃の範囲で滴下した。６０℃で２時間熟成後、水を加えて反応を停止した。有機層を分液後、化合物１０の仕込み量の２重量倍になるようにエバポレーターで濃縮後、メタノールに滴下することで、収率７９％で、９，９’−ビス（４−ビニロキシフェニル）フルオレン（下記式で表される化合物、即ち、化合物３）を白色又は灰白色固体として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：４．４７（ｄｄ、２Ｈ）、４．８１（ｄｄ、２Ｈ）、６．７１（ｄｄ、２Ｈ）、７．１２−７．８２（ｍ、１６Ｈ）

＜上記一般式（１９）で表される化合物＞
［合成例１４］
５０ｍＬ反応器に化合物５（３．００ｇ，０．００６６６ｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．４８ｇ，０．０１４６ｍｏｌ）、フェノチアジン（９．００ｍｇ、０．００００４５２ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１６．９ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、０℃まで冷却した。アクリロイルクロリド（１．５１ｇ，０．０１６６ｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、２時間熟成した。水を加えて反応を停止し、有機層を分液した。エバポレーターで溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、収率６３％で、目的とするジアクリル体（下記式で表される化合物。以下、化合物１１ともいう。）を白色固体として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：６．０３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１０．０Ｈｚ）、６．３６（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１０．０Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、６．６３（ｄｄ、２Ｈ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１７．５Ｈｚ）、７．１９−７．８４（ｍ、２０Ｈ）

［合成例１５］
５０ｍＬ反応器に化合物５（３．００ｇ，０．００６６６ｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．４８ｇ，０．０１４６ｍｏｌ）、フェノチアジン（９．００ｍｇ、０．００００４５２ｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１６．９ｍＬ）を加え、窒素置換した後に、０℃まで冷却した。メタクリロイルクロリド（１．７４ｇ，０．０１６６ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した後、徐々に４０℃まで昇温し、２時間熟成した。水を加えて反応を停止し、有機層を分液した。エバポレーターで溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによって、収率７３％で、目的とするジメタクリル体（下記式で表される化合物。以下、化合物１２ともいう。）を白色固体として得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：２．０８（ｓ、６Ｈ）、５．７７（ｓ、２Ｈ）、６．３８（ｓ、２Ｈ）、７．１８−７．８４（ｍ、２０Ｈ）

＜上記一般式（１）で表される化合物の精製＞
合成例５で得られた化合物１をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。２２０ｎｍの紫外線を用いたＨＰＬＣにより、精製前の化合物１及び精製後の化合物１の純度（化合物１及び不純物の合計に占める化合物１の割合）を測定した。また、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析）により、精製前の化合物１及び精製後の化合物１中の金属成分の含有量を測定した。結果を表１に示す。

［評価］
精製前の化合物１及び精製後の化合物１の各々をテトラヒドロフランに溶解して１０質量％溶液を調製し、−３０℃に冷却した後、この溶液に触媒量の三フッ化ホウ素を添加して反応液を調製した。−３０℃から２℃／分の割合で、この反応液を昇温し、赤外分光法によりビニル基の減少開始温度をモニタリングすることで、化合物１同士の反応開始温度を測定し、下記の基準で評価した。また、目視にて反応系の着色の有無を確認した。結果を表１に示す。
反応開始温度の評価基準
Ｓ：反応開始温度が０℃以下であった。
Ａ：０℃超２０℃以下であった。
Ｂ：２０℃超であった。

表１から分かるように、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製の結果、化合物１の純度が向上し、化合物１中の金属成分、特にナトリウム成分及びカリウム成分の含有量が低減した。また、上記精製により、化合物１同士の反応開始温度がより低くなったことから、化合物１の反応性が向上したことが確認された。更に、上記精製により、反応時の着色が抑制されることが確認された。

＜透明体の製造と評価＞
［融点の測定］
上記精製後の化合物１を用いて、窒素雰囲気下で、示差熱／熱重量測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ−６２００、セイコーインスツル株式会社製）による測定を行い、ＴＧ曲線及びＤＴＡ曲線を得た。得られたＤＴＡ曲線から、化合物１の融点を求めた。その結果、化合物１の融点の測定値は１５０℃であった。

［透明体の製造］
上記精製後の化合物１（白色粉末）を、単独で（即ち、溶剤との非共存下で）、１５０℃（即ち、化合物１の融点以上の温度）に加熱して溶融させた。溶融した化合物１を、ガラス基板上に、スピンコーターを用いて塗布した後、化合物１の融点よりも低い温度まで冷却して、透明膜１（厚さ２．０μｍ）を得た。
一方、上記精製後の化合物１（白色粉末）を、シクロヘキサノンに溶解し、１０質量％濃度の溶液を調製した。この溶液を、ガラス基板上に、スピンコーターを用いて塗布し、１００℃（即ち、化合物１の融点未満の温度）で１２０秒間ベークを行い、透明膜２（厚さ２．０μｍ）を得た。
なお、全ての操作を窒素雰囲気下で行った。

［コントラスト比の評価］
得られた透明膜１及び２について、カラーアナライザー（大塚電子（株）製ＭＣＰＤ２０００）を用い、Ｃ光源、２度視野にて、ＣＩＥ表色系における色度座標値（ｘ、ｙ）を測定した。
また、上記透明膜１又は２が形成されたガラス基板を２枚の偏向板で挟み、背面側から蛍光灯（波長範囲３８０〜７８０ｎｍ）で照射しつつ前面側の偏向板を回転させ、輝度計ＬＳ−１００（ミノルタ（株）製）により透過する光強度の最大値と最小値を測定した。そして、最大値を最小値で除した値をコントラスト比とした。測定結果より、色度座標値ｘ＝０．６５０でのコントラスト比を求めた。また、上記ガラス基板についても、同様にコントラスト比を求めた。結果を表２に示す。

表２から分かる通り、透明膜１では、透明膜２及びガラス基板と比較して、コントラスト比が小さくなっていた。このことから、透明膜１の場合、偏光が起きており、結晶状態や配向状態に変化が生じている可能性が示唆される。

［結晶構造の評価］
実施例１（透明膜１）及び比較例１（透明膜２）について、それぞれＸ線回折分析（「装置名ＳｍａｒｔＬａｂ」（リガク社製）、ＣｕＫα線、入射角０．５°固定、２θスキャン）を行った。その結果、実施例１では、図１に示すように、２θ＝１５．５°〜１８．４°において特有な回折ピークを示さないことが観察された。これに対し、比較例１では、図２に示すように、１５．５°〜１８．４°において特有なピークを示し、具体的には、１５．５°〜１７°及び１７°〜１８．４°においてそれぞれ特有なピークを示し、２θ＝１６．６°、１７．７６°にピーク強度０．０５以上（それぞれ０．０７及び０．１１）となるピークの頂点が観察された。このことから、実施例１（透明膜１）では、非晶質体であり、比較例１（透明膜２）は結晶質を含むことがわかった。なお、図示しないが、化合物１（白色粉末）について別途測定したＸ線回折分析から、結晶体は２θ＝１６．６°及び１７．７６°に透明膜２よりも強い強度のピークを示すことが確認された（それぞれ０．７２及び０．９２）。このことから、透明膜２は非結晶質と結晶質との集合体として形成されていると推測される。ここで、図中、回折角度２θ＝３３°及び５６°付近に出る最も高いピークは、透明膜が成膜されたシリコン基板由来のピークである。本評価におけるピーク強度は、２θ＝６．０２°のピーク強度を１に規格化した場合の強度比となる。

さらに、精製後の化合物１について、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）及び熱重量測定（ＴＧ）を行った。具体的には、「装置名ＳＴＡ４４９Ｆ１ Ｊｕｐｉｔｅｒ」（ＮＥＴＺＳＣＨ社製）を用い、１０ｍｇの試料を、窒素雰囲気中で２℃／ｍｉｎの昇温速度により２００℃まで昇温した（比較例３）。その後、同じ試料を室温まで空冷し、再度同条件で、３００℃まで昇温した（実施例２）。

その結果を、図３に示す。なお、図３の縦軸について、プラス側に上昇するピークが吸熱ピークとなる。比較例３において最初の２００℃までの昇温過程では、１４９℃付近に融解による吸熱ピークが見られた。これに対し、空冷後の実施例２において３００℃までの昇温過程では、上記吸熱ピークの頂点が観察されなかった。このことから、一度融点以上に加熱した試料は、融点が存在しなくなることから非晶質体に変化することがわかり、よって、実施例２では、融点が存在しない非晶質体として形成されていることが示唆される。

Claims (10)

1. 下記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物を前記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む、透明体の製造方法。
   

   

   （式中、Ｗ^１及びＷ^２は独立に下記一般式（２）で表される基、下記一般式（４）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１及びＷ^２は同時に水酸基でも下記一般式（４）で表される基でもなく、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示す。）
   

   

   （式中、環Ｚは芳香族炭化水素環を示し、Ｘは単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２は１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍは０以上の整数を示す。）
   

   

   （式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは前記の通りである。）
2. 下記一般式（１０）で表されるモノビニル基及びモノ（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物を前記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む、透明体の製造方法。
   

   

   （式中、Ｗ^１１及びＷ^１２のいずれか一方は下記一般式（２）で表される基を示し、他方は下記一般式（１１）又は（１２）で表される基を示し、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示す。）
   

   

   （式中、環Ｚは芳香族炭化水素環を示し、Ｘは単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２は１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍは０以上の整数を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を示し、ｌは１〜４の整数を示し、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは前記の通りである。）
   

   

   （式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５、及びｍは前記の通りである。）
3. 下記一般式（１９）で表される（メタ）アクリロイルオキシ基含有化合物を前記化合物の融点以上の温度での加熱に付することを含む、透明体の製造方法。
   

   

   （式中、Ｗ^１３及びＷ^１４は独立に下記一般式（１２）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１３及びＷ^１４の少なくとも一方は下記一般式（１２）で表される基であり、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示す。）
   

   

   （式中、環Ｚは芳香族炭化水素環を示し、Ｘは単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２は１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を示し、ｍは０以上の整数を示す。）
4. 前記加熱が酸素非存在下で行われる請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法。
5. 前記環Ｚがベンゼン環又はナフタレン環である請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
6. 前記Ｒ^１が単結合である請求項１から５のいずれか１項に記載の製造方法。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の製造方法で得られる透明体。
8. 下記一般式（１）で表されるビニル基含有化合物を含む非晶質体。
   

   

   （式中、Ｗ^１及びＷ^２は独立に下記一般式（２）で表される基、下記一般式（４）で表される基、水酸基、又は（メタ）アクリロイルオキシ基を示し、ただし、Ｗ^１及びＷ^２は同時に水酸基でも下記一般式（４）で表される基でもなく、環Ｙ^１及び環Ｙ^２は同一の又は異なる芳香族炭化水素環を示し、Ｒは単結合、置換基を有してもよいメチレン基、置換基を有してもよく、２個の炭素原子間にヘテロ原子を含んでもよいエチレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−で示される基、又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^３ａ及びＲ^３ｂは独立にシアノ基、ハロゲン原子、又は１価炭化水素基を示し、ｎ１及びｎ２は独立に０〜４の整数を示す。）
   

   

   （式中、環Ｚは芳香族炭化水素環を示し、Ｘは単結合又は−Ｓ−で示される基を示し、Ｒ^１は単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基を示し、Ｒ^２は１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、スルホ基、又は１価炭化水素基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、もしくは−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基に含まれる炭素原子に結合した水素原子の少なくとも一部が１価炭化水素基、水酸基、−ＯＲ^４ａで示される基、−ＳＲ^４ｂで示される基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、−ＮＨＲ^４ｃで示される基、−Ｎ（Ｒ^４ｄ）_２で示される基、（メタ）アクリロイルオキシ基、メシルオキシ基、もしくはスルホ基で置換された基を示し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄは独立に１価炭化水素基を示し、ｍは０以上の整数を示す。）
   

   

   （式中、環Ｚ、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、及びｍは前記の通りである。）
9. ＣｕＫαスペクトルを用いたＸ線回折測定において、回折角度（２θ）１５．５°〜１８．４°に回折ピークを有さない、請求項８に記載の非晶質体。
10. 示差走査熱量測定において、１００℃〜２００℃に吸熱ピークの頂点を有さない、請求項８または９に記載の非晶質体。

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