JPWO2016039106A1 - タッチパネル用導電フィルム - Google Patents

Abstract

タッチパネル用導電フィルムは、互いに対向する一対の面を有する絶縁基板と、絶縁基板の一対の面のうち少なくとも一方の面上に形成された金属細線からなる検出電極パターン部と、検出電極パターン部が形成された絶縁基板の面と同じ面上に配置され且つ検出電極パターン部に接続された金属からなる複数の引き出し配線を有する配線部と、配線部が配置された絶縁基板の面とは反対側の面上で且つ配線部に対応する位置に配置された金属からなるシールド電極とを備え、シールド電極は、配線部のそれぞれの引き出し配線に対して交差する金属線からなり且つ開口率が８０％以上のメッシュ状パターン部を有すると共に２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有している。

Description

この発明は、タッチパネル用導電フィルムに係り、特に、静電容量式タッチパネルに使用される導電フィルムに関する。

近年、携帯情報機器を始めとした各種の電子機器において、液晶表示装置等の表示装置と組み合わせて用いられ、画面に接触することにより電子機器への入力操作を行うタッチパネルの普及が進んでいる。
このタッチパネルは、その動作原理によって、抵抗膜方式、静電容量方式、赤外線方式、超音波方式および電磁誘導結合方式等に分類されているが、特に、透過率が高く、耐久性に優れた静電容量方式のタッチパネルが注目されている。

例えば、特許文献１には、透明基板上に検出電極パターン部が形成されると共に検出電極パターン部から透明基板の縁部に配置された複数の外部接続端子まで複数の引き出し配線が引き出されたタッチパネルが開示されている。さらに、タッチパネルと組み合わせて使用される液晶表示装置等から放射される電磁波ノイズによりタッチパネルの動作が影響を受けることを防止するため、特許文献１のタッチパネルでは、透明シールド電極が形成されたシールドフィルムが、透明基板上に粘着層を介して配置されている。

特開２０１０−２５７１７８号公報

電子機器の携帯性および操作性の向上が追求される中、タッチパネルにおいても、薄型で３次元形状に対応し得るものが要求され、可撓性の透明な絶縁基板上に金属細線からなる検出電極が形成されたタッチパネル用導電フィルムの開発が進められている。この種のタッチパネル用導電フィルムにおいては、検出電極と同時に絶縁基板の表面上に金属からなる引き出し配線が形成されると共に、絶縁基板の裏面上で且つ引き出し配線に対応する位置に金属からなるシールド電極を形成することが望まれている。

また、電子機器の小型化に伴って、引き出し配線も線幅の小さなものが使用されており、断線が生じていないことを確認するために、タッチパネル用導電フィルムに照明光を照射し、透過光を利用して目視により引き出し配線の形状を検査する作業が行われている。
しかしながら、図１９に示されるように、シールド効果を高めようとして、絶縁基板１の表面上に形成された引き出し配線２に対応して絶縁基板１の裏面上に開口の無い金属からなるシールド電極３を配置すると、シールド電極３が光を透過しないために、透過光を利用して引き出し配線の形状を検査することが困難になってしまう。

この発明は、このような従来の問題点を解消するためになされたもので、引き出し配線に対応して金属からなるシールド電極を配置しながらも、透過光を利用して目視により引き出し配線の形状を検査することができるタッチパネル用導電フィルムを提供することを目的とする。

この発明に係るタッチパネル用導電フィルムは、互いに対向する一対の面を有する絶縁基板と、絶縁基板の一対の面のうち少なくとも一方の面上に形成された金属細線からなる検出電極パターン部と、検出電極パターン部が形成された絶縁基板の面と同じ面上に配置され且つ検出電極パターン部に接続された金属からなる複数の引き出し配線を有する配線部と、配線部が配置された絶縁基板の面とは反対側の面上で且つ配線部に対応する位置に配置された金属からなるシールド電極とを備え、シールド電極は、配線部のそれぞれの引き出し配線に対して交差する金属線からなり且つ開口率が８０％以上のメッシュ状パターン部を有すると共に２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有するものである。

シールド電極は、引き出し配線の側縁から外側へ１５μｍ幅で引き出し配線に沿った３００μｍの長さを有する単位領域内における開口率が８０％を超えることが好ましい。
さらに、メッシュ状パターン部を構成する金属線は、配線部のそれぞれの引き出し配線の線幅より小さい線幅を有することが好ましく、また、検出電極パターン部を形成する金属細線の線幅より大きい線幅を有することが好ましい。
メッシュ状パターン部を構成する金属線は、５〜２０μｍの線幅を有することができる。
また、シールド電極は、配線部の互いに隣接する一対の引き出し配線が６０μｍ以上の間隔を有する場合に、一対の引き出し配線に平行に延び且つ一対の引き出し配線の中央に対応する位置に配置される直線状パターン部をさらに有していてもよい。
直線状パターン部は、幅５〜１５μｍの金属線からなることが好ましい。

絶縁基板の表面上および裏面上に、それぞれ、検出電極パターン部と配線部が形成され、絶縁基板の表面上に形成された配線部のそれぞれの引き出し配線に対応するシールド電極が絶縁基板の裏面上に形成され、絶縁基板の裏面上に形成された配線部のそれぞれの引き出し配線に対応するシールド電極が絶縁基板の表面上に形成されるように構成することができる。
この場合、シールド電極は、絶縁基板の同じ面上に形成されている検出電極パターン部と同じ厚さを有することが好ましく、また、シールド電極は、絶縁基板の同じ面上に形成されている検出電極パターン部と同じ材料から形成されていることが好ましい。

この発明によれば、シールド電極が、配線部のそれぞれの引き出し配線に対して交差する金属線からなり且つ開口率が８０％以上のメッシュ状パターン部を有すると共に２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有するので、引き出し配線に対応して金属からなるシールド電極を配置しながらも、透過光を利用して目視により引き出し配線の形状を検査することが可能となる。

この発明の実施の形態１に係るタッチパネル用導電フィルムを示す平面図である。 実施の形態１に係るタッチパネル用導電フィルムの検出電極を示す部分平面図である。 実施の形態１に係るタッチパネル用導電フィルムの第１の配線部と第１のシールド電極の関係を示す部分平面図である。 第１の配線部の引き出し配線の形状検査の様子を示す部分断面図である。 実施の形態１に係るタッチパネル用導電フィルムの第２の配線部と第２のシールド電極の関係を示す部分平面図である。 第２の配線部の引き出し配線の形状検査の様子を示す部分断面図である。 第１および第２のシールド電極のメッシュ状パターン部を示す部分拡大平面図である。 実施の形態１に係るタッチパネル用導電フィルムの第１の配線部および第２の配線部の要部を示す部分拡大平面図である。 実施の形態２に係るタッチパネル用導電フィルムの第１の配線部と第１のシールド電極の関係を示す部分平面図である。 実施の形態２に係るタッチパネル用導電フィルムの第２の配線部と第２のシールド電極の関係を示す部分平面図である。 シールド電極のメッシュピッチと開口率の関係を示すグラフである。 シールド電極のメッシュピッチとシールド効果の関係を示すグラフである。 シールド電極の金属線の線幅と開口率の関係を示すグラフである。 シールド電極の金属線の線幅とシート抵抗の関係を示すグラフである。 シールド電極の金属線の線幅とシールド効果の関係を示すグラフである。 シールド電極の金属線の厚さを変えたときの金属線の線幅とシート抵抗の関係を示すグラフである。 シールド電極の金属線の厚さを変えたときの金属線の線幅とシールド効果の関係を示すグラフである。 シールド電極のシート抵抗と開口率の関係を示すグラフである。 従来のタッチパネル用導電フィルムにおける配線部の引き出し配線の形状検査の様子を示す部分断面図である。

以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態１
図１に、この発明の実施の形態１に係るタッチパネル用導電フィルムの構成を示す。このタッチパネル用導電フィルムは、矩形状の可撓性の透明な絶縁基板１１を有し、絶縁基板１１の中央部分にセンシング領域Ｓ１が区画され、センシング領域Ｓ１の外側に周辺領域Ｓ２が区画されている。

絶縁基板１１の表面上には、センシング領域Ｓ１内に、それぞれ第１の方向Ｄ１に沿って延び且つ第１の方向Ｄ１に直交する第２の方向Ｄ２に並列配置された複数の第１の検出電極１２が形成され、周辺領域Ｓ２に、複数の第１の検出電極１２に対応する複数の第１の引き出し配線１３が互いに近接して配列されることにより第１の配線部１４が形成されると共に、絶縁基板１１の縁部に複数の第１の検出電極１２に対応する複数の第１の外部接続端子１５が配列形成されている。
それぞれの第１の検出電極１２の両端には、それぞれ第１のコネクタ部１６が形成され、一方の第１のコネクタ部１６に、対応する第１の引き出し配線１３の一端部が接続され、第１の引き出し配線１３の他端部は、対応する第１の外部接続端子１５に接続されている。

同様に、絶縁基板１１の裏面上には、センシング領域Ｓ１内に、それぞれ第２の方向Ｄ２に沿って延び且つ第１の方向Ｄ１に並列配置された複数の第２の検出電極２２が形成され、周辺領域Ｓ２に、複数の第２の検出電極２２に対応する複数の第２の引き出し配線２３が互いに近接して配列されることにより第２の配線部２４が形成されると共に、絶縁基板１１の縁部に複数の第２の検出電極２２に対応する複数の第２の外部接続端子２５が配列形成されている。
それぞれの第２の検出電極２２の両端には、それぞれ第２のコネクタ部２６が形成され、一方の第２のコネクタ部２６に、対応する第２の引き出し配線２３の一端部が接続され、第２の引き出し配線２３の他端部は、対応する第２の外部接続端子２５に接続されている。

さらに、第１の配線部１４が配置されている絶縁基板１１の表面とは反対側の絶縁基板１１の裏面上で且つ第１の配線部１４に対応する位置に、第１のシールド電極１７が形成されている。また、第２の配線部２４が配置されている絶縁基板１１の裏面とは反対側の絶縁基板１１の表面上で且つ第２の配線部２４に対応する位置に、第２のシールド電極２７が形成されている。図１では、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７が、外部接続端子１５および２５に対応する位置に設けられていないが、外部接続端子１５および２５に対応する位置まで延在していてもよい。

なお、複数の第１の引き出し配線１３および複数の第２の引き出し配線２３は、それぞれ金属から形成され、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７も金属から形成されている。
図２に示されるように、絶縁基板１１の表面上に配置された第１の検出電極１２は、金属細線１２ａからなるメッシュパターンにより形成されることが好ましく、絶縁基板１１の裏面上に配置された第２の検出電極２２も、金属細線２２ａからなるメッシュパターンにより形成されることが好ましい。

また、図３に示されるように、第１のシールド電極１７は、絶縁基板１１を介して第１の配線部１４を構成する複数の第１の引き出し配線１３と重なるような位置に配置されると共に金属線からなるメッシュ状パターン部１８を有し、メッシュの間に矩形状の開口１８ａを有している。メッシュ状パターン部１８を形成する金属線は、第１の配線部１４のそれぞれの第１の引き出し配線１３に対して所定の角度、例えば４５度の角度で交差している。

このように、第１のシールド電極１７は、第１の引き出し配線１３に対して所定の角度で交差する金属線からなるメッシュ状パターン部１８を有しているので、図４に示されるように、絶縁基板１１の裏面側から照明光を照射したときに、第１のシールド電極１７のメッシュ状パターン部１８の開口１８ａおよび透明な絶縁基板１１を通して照明光が絶縁基板１１の表面側へ透過する。このため、透過光を利用して目視により第１の引き出し配線１３の形状を検査することができる。

図５に示されるように、第２のシールド電極２７も、第１のシールド電極１７と同様に、絶縁基板１１を介して第２の配線部２４を構成する複数の第２の引き出し配線２３と重なるような位置に配置されると共に金属線からなるメッシュ状パターン部２８を有し、メッシュの間に矩形状の開口２８ａを有している。メッシュ状パターン部２８を形成する金属線は、第２の配線部２４のそれぞれの第２の引き出し配線２３に対して所定の角度、例えば４５度の角度で交差している。

このため、図６に示されるように、絶縁基板１１の裏面側から照明光を照射したときに、互いに隣接する第２の引き出し配線２３の間を通った照明光が、さらに、透明な絶縁基板１１および第２のシールド電極２７のメッシュ状パターン部２８の開口２８ａを通して絶縁基板１１の表面側へ透過し、透過光を利用して目視により第２の引き出し配線２３の形状を検査することも可能となる。

なお、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３は、例えば、２０〜４０μｍの線幅を有するのに対し、第１のシールド電極１７のメッシュ状パターン部１８を形成する金属線および第２のシールド電極２７のメッシュ状パターン部２８を形成する金属線は、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の線幅より小さい、５〜２０μｍの線幅を有するのが好ましい。また、第１のシールド電極１７のメッシュ状パターン部１８を形成する金属線および第２のシールド電極２７のメッシュ状パターン部を形成する金属線の線幅は、第１の検出電極１２を形成する金属細線１２ａおよび第２の検出電極２２を形成する金属細線２２ａの線幅よりも大きい値に設定するのが好ましい。
また、メッシュの間の開口形状は、矩形に限るものではなく、正三角形、正四角形、正六角形、その他の正多角形、ランダムな形状を有する多角形でもよく、さらに、曲線を含む形状とすることもできる。

絶縁基板１１の表面上に配置される複数の第１の検出電極１２、複数の第１の引き出し配線１３および第２のシールド電極２７は、同一工程により同時に形成することができる。同様に、絶縁基板１１の裏面上に配置される複数の第２の検出電極２２、複数の第２の引き出し配線２３および第１のシールド電極１７も、同一工程により同時に形成することができる。この場合、第２のシールド電極２７は、同じ絶縁基板１１の表面上に配置される第１の検出電極１２および第１の引き出し配線１３と同じ材料から同じ厚さに形成され、同様に、第１のシールド電極１７も、同じ絶縁基板１１の裏面上に配置される第２の検出電極２２および第２の引き出し配線２３と同じ材料から同じ厚さに形成される。
また、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７は、シート抵抗値を下げるために、銀ペーストから形成することもできる。

ここで、第１のシールド電極１７のメッシュ状パターン部１８の開口１８ａを通して目視により第１の引き出し配線１３の形状を確認すると共に、第２のシールド電極２７のメッシュ状パターン部２８の開口２８ａを通して目視により第２の引き出し配線２３の形状を確認して検査を行うためには、メッシュ状パターン部１８および２８が、８０％以上の開口率Ｒｍを有することが望まれる。
メッシュ状パターン部１８および２８の開口率Ｒｍとは、図７に示されるように、矩形状の開口１８ａおよび２８ａの４辺に接する金属線のそれぞれの中心線により囲まれた矩形領域Ｋ内において、金属線が存在しない開口１８ａおよび２８ａの面積が、矩形領域Ｋ全体の面積に対して占める割合のことをいうものとする。すなわち、矩形領域Ｋの内部の８０％以上の部分が金属線により遮蔽されることなく、透視することができるメッシュ状パターン部１８および２８を複数の第１の引き出し配線１３および複数の第２の引き出し配線２３と重なるような位置に配置すれば、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の側縁を目視により認識しやすくなる。

さらに、図８に示されるように、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の側縁から外側へ１５μｍ離れるだけの幅と第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の長さ方向に沿った３００μｍの長さを有する単位領域Ｕを想定し、この単位領域Ｕ内における第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７が、８０％を超える開口率Ｒｓを有することが好ましい。

ここで、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７の開口率Ｒｓとは、単位領域Ｕ内において、メッシュ状パターン部１８および２８の金属線が存在しない部分の面積が、単位領域Ｕ全体の面積に対して占める割合のことをいうものとする。すなわち、単位領域Ｕの内部の８０％以上の部分が、メッシュ状パターン部１８および２８の金属線により遮蔽されることなく、透視することができれば、透過光を利用して第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の側縁を認識し、形状の検査を行うことが可能となる。
単位領域Ｕは、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の長さ方向に沿った１箇所のみに設定してもよいが、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の長さ方向に沿って任意の箇所に単位領域Ｕを設定した場合に、いずれの箇所においても、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７が８０％を超える開口率Ｒｓを有することが好ましい。あるいは、複数箇所に設定された複数の単位領域Ｕ内の開口率Ｒｓの平均値が８０％を超えるように、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７を形成してもよい。

また、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７により、５０ｄＢ以上のシールド効果を得るために、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７は、２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有することが必要である。ここで、メッシュ状パターン部１８および２８の開口率Ｒｍを高めようとして、メッシュ状パターン部１８および２８の金属線が存在する部分の面積の割合を低下させると、それに伴って、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７のシート抵抗が増加し、シールド効果が低下することとなる。

そこで、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の視認性を確保しつつ所定のシールド効果を得るために、メッシュ状パターン部１８および２８が、８０％以上の開口率Ｒｍを有し、第１のシールド電極１７および第２のシールド電極２７として２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有するように、メッシュ状パターン部１８および２８の金属線の線幅、厚さ、パターンピッチ等が選択される。

このようなタッチパネル用導電フィルムの製造方法は特に制限されないが、絶縁基板１１の両面にそれぞれ、ハロゲン化銀とバインダーとを含有するハロゲン化銀乳剤層（以後、単に感光性層とも称する）を形成する工程（１）、感光性層を露光した後、現像処理する工程（２）を有する方法が挙げられる。
以下に、各工程に関して説明する。

＜工程（１）：感光性層形成工程＞
工程（１）は、絶縁基板１１の両面に、ハロゲン化銀とバインダーとを含有する感光性層を形成する工程である。
感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀およびバインダーを含有する感光性層形成用組成物を絶縁基板１１に接触させ、絶縁基板１１の両面上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、上記方法で使用される感光性層形成用組成物の態様について詳述した後、工程の手順について詳述する。

感光性層形成用組成物には、ハロゲン化銀およびバインダーが含有される。
ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素およびフッ素のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。ハロゲン化銀としては、例えば、塩化銀、臭化銀、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、さらに臭化銀や塩化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。

使用されるバインダーの種類は特に制限されず、公知の高分子を使用することでき、例えば、水溶性バインダー（水溶性高分子）が用いられてもよい。具体的には、例えば、ゼラチン、カラギナン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロースおよびその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリサッカライド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース、アラビアゴム、アルギン酸ナトリウムなどが挙げられる。また、バインダーはラテックスの形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物中に含まれるハロゲン化銀およびバインダーの体積比は特に制限されず、上述した金属細線１２ａおよび２２ａ中における金属とバインダーとの好適な体積比の範囲となるように適宜調整される。

感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶媒が含有される。
使用される溶媒としては、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、ホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、酢酸エチル等のエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、またはこれらの混合溶媒を挙げることができる。
使用される溶媒の含有量は特に制限されないが、ハロゲン化銀およびバインダーの合計質量に対して、３０〜９０質量％の範囲が好ましく、５０〜８０質量％の範囲がより好ましい。

（工程の手順）
感光性層形成用組成物と絶縁基板１１とを接触させる方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、感光性層形成用組成物を絶縁基板１１に塗布する方法や、感光性層形成用組成物中に絶縁基板１１を浸漬する方法などが挙げられる。
形成された感光性層中におけるバインダーの含有量は特に制限されないが、０．３〜５．０ｇ／ｍ²が好ましく、０．５〜２．０ｇ／ｍ²がより好ましい。
また、感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されないが、金属細線３４の導電特性がより優れる点で、銀換算で１．０〜２０．０ｇ／ｍ²が好ましく、５．０〜１５．０ｇ／ｍ²がより好ましい。

なお、必要に応じて、感光性層上にバインダーからなる保護層をさらに設けてもよい。保護層を設けることにより、擦り傷防止や力学特性の改良がなされる。

＜工程（２）：露光現像工程＞
工程（２）は、上記工程（１）で得られた感光性層をパターン露光した後、現像処理することにより、第１の検出電極１２、第１の引き出し配線１３、第１の外部接続端子１５、第１のコネクタ部１６および第２のシールド電極２７、並びに、第２の検出電極２２、第２の引き出し配線２３、第２の外部接続端子２５、第２のコネクタ部２６および第１のシールド電極１７を形成する工程である。
まず、以下では、パターン露光処理について詳述し、その後現像処理について詳述する。

（パターン露光）
感光性層に対してパターン状の露光を施すことにより、露光領域における感光性層中のハロゲン化銀が潜像を形成する。この潜像が形成された領域は、後述する現像処理によって金属細線を形成する。一方、露光がなされなかった未露光領域では、後述する定着処理の際にハロゲン化銀が溶解して感光性層から流出し、透明な膜が得られる。
露光の際に使用される光源は特に制限されず、可視光線、紫外線などの光、または、Ｘ線などの放射線などが挙げられる。
パターン露光を行う方法は特に制限されず、例えば、フォトマスクを利用した面露光で行ってもよいし、レーザービームによる走査露光で行ってもよい。なお、パターンの形状は特に制限されず、形成したい金属細線のパターンに合わせて適宜調整される。

（現像処理）
現像処理の方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることができる。
現像処理の際に使用される現像液の種類は特に制限されないが、例えば、ＰＱ現像液、ＭＱ現像液、ＭＡＡ現像液等を用いることもできる。市販品では、例えば、富士フイルム社処方のＣＮ−１６、ＣＲ−５６、ＣＰ４５Ｘ、ＦＤ−３、パピトール、ＫＯＤＡＫ社処方のＣ−４１、Ｅ−６、ＲＡ−４、Ｄ−１９、Ｄ−７２等の現像液、またはそのキットに含まれる現像液を用いることができる。また、リス現像液を用いることもできる。

現像処理は、未露光部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことができる。定着処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることができる。
定着工程における定着温度は、約２０℃〜約５０℃が好ましく、２５〜４５℃がより好ましい。また、定着時間は５秒〜１分が好ましく、７秒〜５０秒がより好ましい。
現像処理後の露光部（金属細線）に含まれる金属銀の質量は、露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上の含有率であることが好ましく、８０質量％以上であることがさらに好ましい。露光部に含まれる銀の質量が露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上であれば、高い導電性を得ることができるため好ましい。

上記工程以外に必要に応じて、以下の下塗り層形成工程、アンチハレーション層形成工程、加熱処理、または、脱バインダー処理を実施してもよい。
（下塗り層形成工程）
絶縁基板１１とハロゲン化銀乳剤層との密着性に優れる理由から、上記工程（１）の前に、絶縁基板１１の表面に上述した所定の化合物を含む下塗り層を形成する工程を実施することが好ましい。
（アンチハレーション層形成工程）
金属細線１２ａおよび２２ａの細線化の観点で、上記工程（１）の前に、絶縁基板１１の両面にアンチハレーション層を形成する工程を実施することが好ましい。

＜工程（３）：加熱工程＞
工程（３）は、必要に応じて実施され、上記現像処理の後に加熱処理を実施する工程である。本工程を実施することにより、バインダー間で融着が起こり、金属細線１２ａおよび２２ａの硬度がより上昇する。特に、感光性層形成用組成物中にバインダーとしてポリマー粒子を分散している場合（バインダーがラテックス中のポリマー粒子の場合）、本工程を実施することにより、ポリマー粒子間で融着が起こり、所望の硬さを示す金属細線１２ａおよび２２ａが形成される。
加熱処理の条件は使用されるバインダーによって適宜好適な条件が選択されるが、４０℃以上であることがポリマー粒子の造膜温度の観点から好ましく、５０℃以上がより好ましく、６０℃以上がさらに好ましい。また、基板のカール等を抑制する観点から、１５０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましい。
加熱時間は特に限定されないが、基板のカール等を抑制する観点、および、生産性の観点から、１〜５分間であることが好ましく、１〜３分間であることがより好ましい。
なお、この加熱処理は、通常、露光、現像処理の後に行われる乾燥工程と兼ねることができるため、ポリマー粒子の造膜のために新たな工程を増加させる必要がなく、生産性、コスト等の観点で優れる。

＜工程（４）：脱バインダー処理工程＞
脱バインダー処理工程とは、金属細線を有する絶縁基板１１を、さらにゼラチン等の水溶性バインダーを分解するタンパク質分解酵素や、オキソ酸等の酸化剤で処理する工程である。本工程を実施することにより、露光・現像処理が施された感光性層からゼラチン等の水溶性バインダーが分解・除去され、金属細線間のイオンマイグレーションが抑制される。
以下では、先ず、本工程で使用される材料について詳述し、その後本工程の手順について詳述する。

（タンパク質分解酵素）
タンパク質分解酵素（以降、酵素とも称す）は、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知のものが用いられる。例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、細菌プロテアーゼ等が挙げられる。この中でも特に、トリプシン、パパイン、フィシン、細菌プロテアーゼが好ましい。その中でも、特に、細菌プロテアーゼ（例えば、長瀬産業（株）製のビオプラーゼ）は安価に市販されており容易に入手が可能である。

（酸化剤）
酸化剤は、ゼラチン等のタンパク質を酸化分解できる酸化剤で公知のものが用いられる。例えば、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩等のハロゲンオキソ酸塩が挙げられる。なかでも、次亜塩素酸ナトリウムは安価に市販されており、容易に入手が可能である。

（工程の手順）
脱バインダー処理工程の手順は、金属細線を有する絶縁基板１１と上記酵素または酸化剤とを接触させることができれば、特に制限されない。接触方法としては、例えば、金属細線を有する絶縁基板１１上に処理液を塗布する方法や、処理液中に金属細線を有する絶縁基板１１を浸漬する方法等が挙げられる。
処理液中における酵素含有量は特に指定はなく、用いる酵素の能力と要求される性能によって任意に決めることができる。なかでも、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、処理液全量に対して酵素の含有量が０．０５〜２０質量％程度が適当であり、より好ましくは５〜１０質量％である。

この処理液には、上記酵素に加え、ｐＨ緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、保恒剤など必要に応じて含有させることができる。
処理液のｐＨは、酵素の働きが最大限得られるように実験により選ばれるが、一般的には、５〜７であることが好ましい。また、処理液の温度も酵素の働きが高まる温度、具体的には２５〜４５℃であることが好ましい。
接触時間は特に制限されないが、導電部のイオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、１０〜５００秒間が好ましく、９０〜３６０秒間がより好ましい。

なお、必要に応じて、処理液での処理後に、温水にて金属細線を有する絶縁基板１１を洗浄する工程をさらに設けてもよい。本工程を設けることにより、ゼラチン分解残渣、および、タンパク質分解酵素の残部や残留酸化剤等を除去でき、イオンマイグレーションがより抑制される。
洗浄方法は特に制限されず、金属細線を有する絶縁基板１１と温水とを接触させることができればよく、例えば、温水中に金属細線を有する絶縁基板１１を浸漬する方法や、金属細線を有する絶縁基板１１上に温水を塗布する方法等が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類等に応じて適宜最適な温度が選択されるが、生産性の点から、２０〜８０℃が好ましく、４０〜６０℃がより好ましい。
温水と金属細線を有する絶縁基板１１との接触時間（洗浄時間）は特に制限されないが、生産性の点から、１〜６００秒間が好ましく、３０〜３６０秒間がより好ましい。

また、必要に応じて、上記処理後に、得られた金属細線を有する絶縁基板１１に対して平滑化処理を実施してもよい。平滑化処理の方法は特に制限されないが、例えば、一対のロールからなるカレンダーロールにより行うことができる。

実施の形態２
上述した実施の形態１において、図９に示されるように、第１の配線部１４の互いに隣接する一対の第１の引き出し配線１３が６０μｍ以上の間隔Ｇを有する場合に、これらの第１の引き出し配線１３の中央に対応する位置にこれらの第１の引き出し配線１３と平行に延びる直線状パターン部１９が形成された第１のシールド電極２０を用いることができる。第１のシールド電極２０は、第１の引き出し配線１３に対して所定の角度で交差する金属線からなるメッシュ状パターン部１８に、金属線からなる直線状パターン部１９が追加されたものであり、メッシュ状パターン部１８の金属線と直線状パターン部１９の金属線とが互いに接続されている。

同様に、図１０に示されるように、第２の配線部２４の互いに隣接する一対の第２の引き出し配線２３が６０μｍ以上の間隔Ｇを有する場合に、これらの第２の引き出し配線２３の中央に対応する位置にこれらの第２の引き出し配線２３と平行に延びる直線状パターン部２９が形成された第２のシールド電極３０を用いることができる。第２のシールド電極３０は、第２の引き出し配線２３に対して所定の角度で交差する金属線からなるメッシュ状パターン部２８に、金属線からなる直線状パターン部２９が追加されたものであり、メッシュ状パターン部２８の金属線と直線状パターン部２９の金属線とが互いに接続されている。

なお、直線状パターン部１９および２９は、メッシュ状パターン部１８および２８の金属線と同様に、５〜２０μｍの線幅とするのが好ましい。これは、互いに６０μｍ以上の間隔Ｇを隔てて配置されている一対の第１の引き出し配線１３および一対の第２の引き出し配線２３の中央に対応する位置に直線状パターン部１９および２９が配置されたときには、それぞれの第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の側縁と直線状パターン部１９および２９との間に、２０μｍ以上の間隔が生じるからである。
絶縁基板１１の表面側と裏面側の重ね合わせの公差を考慮しても、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の側縁と直線状パターン部１９および２９が重なることはなく、十分に第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３を視認することが可能となる。
線幅２０〜４０μｍの第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３との区別をつけると共に、第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の視認性をさらに確保するために、直線状パターン部１９および２９は、１５μｍ以下の線幅を有することが好ましい。

このように、直線状パターン部１９および２９が追加された第１のシールド電極２０および第２のシールド電極３０を用いれば、メッシュ状パターン部１８および２８の開口１８ａおよび２８ａを通した第１の引き出し配線１３および第２の引き出し配線２３の視認性を確保しながら、直線状パターン部１９および２９の存在により、第１のシールド電極２０および第２のシールド電極３０のシート抵抗を低下させてシールド効果を高めることが可能となる。なお、このような直線状パターンを追加した場合には、シート抵抗が測定する方向によって異なる場合がある。シート抵抗が測定方向によって異なる場合には、最もシート抵抗が低い方向で測定した値が２０Ω／ｓｑ以下となっていればよい。
実施の形態２に係るタッチパネル用導電フィルムは、実施の形態１のタッチパネル用導電フィルムと同様の方法で製造することができる。

なお、上記の実施の形態１および２では、絶縁基板１１の表面上に複数の第１の検出電極１２と第１の配線部１４を配置すると共に絶縁基板１１の裏面上に複数の第２の検出電極２２と第２の配線部２４を配置し、第１の配線部１４に対応する第１のシールド電極１７または２０を絶縁基板１１の裏面上に、第２の配線部２４に対応する第２のシールド電極２７または３０を絶縁基板１１の表面上にそれぞれ形成したが、これに限るものではない。
例えば、絶縁基板１１の一方の面側に、複数の第１の検出電極１２と複数の第２の検出電極２２が層間絶縁膜を介して配置されると共に絶縁基板１１の同じ面側に第１の配線部１４および第２の配線部２４が配置され、絶縁基板１１の他方の面側に第１のシールド電極１７または２０と第２のシールド電極２７または３０が形成される構成とすることもできる。

また、第１のシールド電極１７または２０と第２のシールド電極２７または３０も、絶縁基板１１に対して第１の配線部１４および第２の配線部２４と同じ面側で且つ第１の配線部１４および第２の配線部２４と層間絶縁膜を介して対向するように形成してもよい。
さらに、２枚基板の構成とすることもできる。すなわち、第１の絶縁基板の表面上に複数の第１の検出電極１２と第１の配線部１４を配置すると共に裏面上に第１のシールド電極１７または２０を配置し、第２の絶縁基板の表面上に複数の第２の検出電極２２と第２の配線部２４を配置すると共に裏面上に第２のシールド電極２７または３０を配置し、これら第１の絶縁基板および第２の絶縁基板を、互いに重ね合わせて使用することもできる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができ、本発明の範囲は、以下の実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

実施例１
（ハロゲン化銀乳剤の調製）
３８℃、ｐＨ４．５に保たれた下記１液に、下記の２液および３液の各々９０％に相当する量を攪拌しながら同時に２０分間にわたって加え、０．１６μｍの核粒子を形成した。続いて下記４液および５液を８分間にわたって加え、さらに、下記の２液および３液の残りの１０％の量を２分間にわたって加え、０．２１μｍまで成長させた。さらに、ヨウ化カリウム０．１５ｇを加え、５分間熟成し粒子形成を終了した。

１液：
水 ７５０ｍｌ
ゼラチン ９ｇ
塩化ナトリウム ３ｇ
１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−チオン ２０ｍｇ
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム １０ｍｇ
クエン酸 ０．７ｇ
２液：
水 ３００ｍｌ
硝酸銀 １５０ｇ
３液：
水 ３００ｍｌ
塩化ナトリウム ３８ｇ
臭化カリウム ３２ｇ
ヘキサクロロイリジウム（ＩＩＩ）酸カリウム
（０．００５％ＫＣｌ ２０％水溶液） ８ｍｌ
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
（０．００１％ＮａＣｌ ２０％水溶液） １０ｍｌ
４液：
水 １００ｍｌ
硝酸銀 ５０ｇ
５液：
水 １００ｍｌ
塩化ナトリウム １３ｇ
臭化カリウム １１ｇ
黄血塩 ５ｍｇ

その後、常法に従い、フロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を３５℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでｐＨを下げた（ｐＨ３．６±０．２の範囲であった）。次に、上澄み液を約３リットル除去した（第一水洗）。さらに３リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、上澄み液を３リットル除去した（第二水洗）。第二水洗と同じ操作をさらに１回繰り返して（第三水洗）、水洗・脱塩工程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤をｐＨ６．４、ｐＡｇ７．５に調整し、ゼラチン３．９ｇ、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム１０ｍｇ、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム３ｍｇ、チオ硫酸ナトリウム１５ｍｇと塩化金酸１０ｍｇを加え５５℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１００ｍｇ、防腐剤としてプロキセル（商品名、ＩＣＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．製）１００ｍｇを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を０．０８モル％含み、塩臭化銀の比率を塩化銀７０モル％、臭化銀３０モル％とする、平均粒子径０．２２μｍ、変動係数９％のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。

（感光性層形成用組成物の調製）
上記乳剤に１，３，３ａ，７−テトラアザインデン１．２×１０^−４モル／モルＡｇ、ハイドロキノン１．２×１０^−２モル／モルＡｇ、クエン酸３．０×１０^−４モル／モルＡｇ、２，４−ジクロロ−６−ヒドロキシ−１，３，５−トリアジンナトリウム塩０．９０ｇ／モルＡｇを添加し、クエン酸を用いて塗布液ｐＨを５．６に調整して、感光性層形成用組成物を得た。

（感光性層形成工程）
絶縁基板にコロナ放電処理を施した後、絶縁基板の両面に、下塗層として厚み０．１μｍのゼラチン層、さらに下塗層上に光学濃度が約１．０で現像液のアルカリにより脱色する染料を含むアンチハレーション層を設けた。上記アンチハレーション層の上に、上記感光性層形成用組成物を塗布し、さらに厚み０．１５μｍのゼラチン層を設け、両面に感光性層が形成された絶縁基板を得た。両面に感光性層が形成された絶縁基板をフィルムＡとする。形成された感光性層は、銀量６．０ｇ／ｍ^２、ゼラチン量１．０ｇ／ｍ^２であった。

（露光現像工程）
上記フィルムＡの両面に、第１の検出電極１２、第１の引き出し配線１３、第１の外部接続端子１５、第１のコネクタ部１６および第２のシールド電極２７のパターン、並びに、第２の検出電極２２、第２の引き出し配線２３、第２の外部接続端子２５、第２のコネクタ部２６および第１のシールド電極１７のパターンに対応したフォトマスクを介し、高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光を行った。露光後、下記の現像液で現像し、さらに定着液（商品名：ＣＮ１６Ｘ用Ｎ３Ｘ−Ｒ、富士フィルム社製）を用いて現像処理を行った。さらに、純水でリンスし、乾燥することで、両面にＡｇ線からなる導電部材とゼラチン層とが形成された絶縁基板を得た。ゼラチン層はＡｇ線間に形成されていた。得られたフィルムをフィルムＢとする。

（現像液の組成）
現像液１リットル（Ｌ）中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン ０．０３７ｍｏｌ／Ｌ
Ｎ−メチルアミノフェノール ０．０１６ｍｏｌ／Ｌ
メタホウ酸ナトリウム ０．１４０ｍｏｌ／Ｌ
水酸化ナトリウム ０．３６０ｍｏｌ／Ｌ
臭化ナトリウム ０．０３１ｍｏｌ／Ｌ
メタ重亜硫酸カリウム ０．１８７ｍｏｌ／Ｌ

（加熱工程）
上記フィルムＢに対して、１２０℃の過熱蒸気槽に１３０秒間静置して、加熱処理を行った。加熱処理後のフィルムをフィルムＣとする。このフィルムＣがタッチパネル用導電フィルムである。

このようにして、線幅Ｗ＝１０μｍ、厚さＴ＝２μｍの金属線からなり且つメッシュピッチＰ＝１００μｍのメッシュ状パターン部を有するシールド電極が形成された実施例１のタッチパネル用導電フィルムを作製した。
そして、作製されたタッチパネル用導電フィルムに対し、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍおよびシールド電極のシート抵抗を測定した。
ここで、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍとして、図７に示したように、矩形状の開口１８ａおよび２８ａの４辺に接する金属線のそれぞれの中心線により囲まれた矩形領域Ｋ内において、金属線が存在しない開口１８ａおよび２８ａの面積が、矩形領域Ｋ全体の面積に対して占める割合を測定した。また、シールド電極のシート抵抗は、株式会社三菱化学アナリテック製の抵抗率計「ロレスタＧＰ」を使用し、ＥＳＰタイプの測定プローブをシールド電極の表面に押し当てることにより測定した。なお、シールド電極の表面上に光学用透明粘着シート（ＯＣＡ）が貼り付けられている場合は、６０℃程度の温度で加熱しながら光学用透明粘着シートをゆっくりと剥離した状態で、シート抵抗を測定する必要がある。

実施例２〜５
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍおよび３００μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例２〜５のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例６
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとしたまま、金属線の線幅Ｗを１０．５５μｍとして、実施例１と同様の方法により、実施例６のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

実施例７および８
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを３００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例７および８のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例９〜１１
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを４００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１３μｍ、１５μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例９〜１１のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例１２および１３
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１８μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例１２および１３のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例１４
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとしたまま、金属線の線幅Ｗを１０．５５μｍ、厚さＴを０．７６μｍとして、実施例１と同様の方法により、実施例１４のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

実施例１５および１６
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとしたまま、金属線の厚さＴを５μｍとし、線幅Ｗを１０μｍおよび１０．５５μｍとして、実施例１と同様の方法により、実施例１５および１６のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例１７〜１９
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを３００μｍとし、金属線の厚さＴを５μｍとし、線幅Ｗを１０μｍ、１５μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、実施例１７〜１９のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例２０〜２２
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを４００μｍとし、金属線の厚さＴを５μｍとし、線幅Ｗを１３μｍ、１５μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、実施例２０〜２２のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例２３〜２６
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍとし、金属線の厚さＴを５μｍとし、線幅Ｗを４．６５μｍ、１５μｍ、１７μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、実施例２３〜２６のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例２７〜２９
シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを２００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍ、２０μｍおよび２１．１μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例２７〜２９のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例３０および３１
シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを３００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例３０および３１のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例３２および３３
シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを４００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例３２および３３のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例３４および３５
シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例３４および３５のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例３６
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを３３０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、実施例３６のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

実施例３７
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを４００μｍにすると共に、図９および１０に示した実施の形態２のように、互いに６０μｍ以上の間隔Ｇを隔てて配置されている一対の引き出し配線の中央に対応する位置に線幅１５μｍの直線状パターン部を形成した以外は、実施例１と同様の方法により、実施例３７のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

実施例３８
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍにすると共に、実施の形態２のように、互いに６０μｍ以上の間隔Ｇを隔てて配置されている一対の引き出し配線の中央に対応する位置に線幅１５μｍの直線状パターン部を形成した以外は、実施例１と同様の方法により、実施例３８のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

比較例１〜３
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５０μｍ、４００μｍおよび５００μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、比較例１〜３のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

比較例４および５
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとしたまま、金属線の線幅Ｗを１５μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例４および５のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

比較例６
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、比較例６のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

比較例７〜９
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍ、金属線の厚さＴを０．７６μｍにすると共に、金属線の線幅Ｗを１０μｍ、１５μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例７〜９のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

比較例１０〜１２
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを３００μｍ、金属線の厚さＴを０．７６μｍにすると共に、金属線の線幅Ｗを１０μｍ、１５μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例１０〜１２のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

比較例１３〜１６
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを４００μｍ、金属線の厚さＴを０．７６μｍにすると共に、金属線の線幅Ｗを１０μｍ、１３μｍ、１５μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例１３〜１６のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

比較例１７〜２０
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍ、金属線の厚さＴを０．７６μｍにすると共に、金属線の線幅Ｗを１０μｍ、１５μｍ、１８μｍおよび２０μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例１７〜２０のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

比較例２１
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍ、金属線の厚さＴを５μｍ、線幅Ｗを１５μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例２１のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

比較例２２
シールド電極のメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを５００μｍ、金属線の厚さＴを５μｍ、線幅Ｗを３μｍとして、実施例１と同様の方法により、比較例２２のタッチパネル用導電フィルムを作製した。

比較例２３および２４
シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとし、金属線の線幅Ｗを１５μｍおよび２０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、比較例２３および２４のタッチパネル用導電フィルムをそれぞれ作製した。

実施例１〜５および比較例１〜３のタッチパネル用導電フィルムに対して、それぞれ、図７に示したメッシュ状パターン部の開口率Ｒｍおよびシールド電極のシート抵抗を測定すると共に、シールド効果を試算した。その結果を表１に示す。なお、実施例１〜５および比較例１〜３のタッチパネル用導電フィルムでは、シールド電極が、実施の形態２に示したような直線状パターン部を有することなくメッシュ状パターン部のみから形成されているため、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍがシールド電極全体の開口率と等しくなり、メッシュ状パターン部のシート抵抗がシールド電極全体のシート抵抗と等しくなっている。

実施例１〜５および比較例１〜３は、シールド電極の金属線の線幅Ｗおよび厚さＴをそれぞれ一定値としたまま、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰのみを変化させたものであり、図１１に示されるように、メッシュピッチＰが大きくなるほど、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍは高くなるという結果が得られた。また、図１２に示されるように、メッシュピッチＰが大きくなるほど、シート抵抗が下がるのでシールド効果の試算値は低下するという結果が得られた。
ここで、シールド電極のメッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上となり、且つ、シールド効果の試算値が５０ｄＢ以上となったものに対して、評価結果を「ＯＫ」とする。

実施例１〜５のタッチパネル用導電フィルムでは、いずれも、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上であると共に、シート抵抗が２０Ω／ｓｑ以下となってシールド効果の試算値は５０ｄＢ以上となり、「ＯＫ」の評価結果が得られた。すなわち、シールド電極のメッシュ状パターン部の開口を通した引き出し配線の視認性を確保しながら所要のシールド効果を得ることが可能であると判定された。

これに対して、比較例１のタッチパネル用導電フィルムでは、シート抵抗は２０Ω／ｓｑ以下となったものの、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％未満となり、引き出し配線の視認性が低下した。また、比較例２および３のタッチパネル用導電フィルムでは、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍは８０％以上となったものの、シート抵抗が２０Ω／ｓｑを超え、シールド効果の試算値が５０ｄＢ未満となった。このため、これら比較例１〜３の評価結果を「ＮＧ」とする。

次に、実施例６〜１４および比較例４〜２０のタッチパネル用導電フィルムに対して、それぞれ、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍおよびシールド電極のシート抵抗を測定すると共に、シールド効果を試算したところ、表２に示される結果が得られた。なお、実施例６〜１４および比較例４〜２０においても、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍがシールド電極全体の開口率と等しくなり、メッシュ状パターン部のシート抵抗がシールド電極全体のシート抵抗と等しくなっている。

実施例６〜１３は、シールド電極の金属線の厚さＴを２μｍに固定したまま、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍ、３００μｍ、４００μｍおよび５００μｍの間で種々変化させると共にシールド電極の金属線の線幅Ｗを１０．５５μｍ〜２０μｍの間で種々変化させたものであるが、いずれも、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上であると共に、シート抵抗が２０Ω／ｓｑ以下となってシールド効果の試算値は５０ｄＢ以上となり、「ＯＫ」の評価結果が得られた。

一方、比較例４〜６は、実施例６〜１３と同様に、シールド電極の金属線の厚さＴを２μｍとしたまま、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍまたは５００μｍとし、シールド電極の金属線の線幅Ｗを１５μｍまたは２０μｍとしたものである。しかしながら、比較例４および５では、シールド電極のシート抵抗は２０Ω／ｓｑ以下となったものの、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％未満となり、比較例６では、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍは８０％以上となったものの、シート抵抗が２０Ω／ｓｑを超え、シールド効果の試算値が５０ｄＢ未満となり、これら比較例４〜６の評価結果は「ＮＧ」となった。

いずれもシールド電極の金属線の厚さＴを２μｍとした実施例１および５〜１３と比較例２〜６を含む計１５個のタッチパネル用導電フィルムにおいて、シールド電極の金属線の線幅Ｗに対するシールド電極の開口率の関係を図１３に示し、金属線の線幅Ｗに対するシート抵抗の関係を図１４に示し、金属線の線幅Ｗに対するシールド効果の試算値の関係を図１５に示す。
メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上となり、シート抵抗が２０Ω／ｓｑ以下となり、シールド効果の試算値が５０ｄＢ以上となったものが、「ＯＫ」の評価結果を得ている。

また、実施例１４は、シールド電極の金属線の厚さＴを０．７６μｍとしたものの、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍ、シールド電極の金属線の線幅Ｗを１０．５５μｍとすることで、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０．０％となり、シート抵抗が２０．００Ω／ｓｑ、シールド効果の試算値が５０．００ｄＢとなって、「ＯＫ」の評価結果が得られた。
これに対して、比較例７〜２０は、実施例１４と同様に、シールド電極の金属線の厚さＴを０．７６μｍにすると共に、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍ、３００μｍ、４００μｍおよび５００μｍの間で種々変化させると共にシールド電極の金属線の線幅Ｗを１０μｍ〜２０μｍの間で種々変化させたものであるが、比較例８および９では、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％未満となり、比較例７および１０〜２０では、シート抵抗が２０Ω／ｓｑを超え、シールド効果の試算値が５０ｄＢ未満となり、いずれも評価結果は「ＮＧ」となった。

メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとし、シールド電極の金属線の厚さＴを２μｍとした実施例１および６、並びに、比較例４および５と、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとし、シールド電極の金属線の厚さＴを０．７６μｍとした実施例１４、並びに、比較例７〜９を含む計８個のタッチパネル用導電フィルムにおいて、シールド電極の金属線の線幅Ｗに対するシート抵抗の関係を図１６に示し、金属線の線幅Ｗに対するシールド効果の試算値の関係を図１７に示す。
シールド電極の金属線の厚さＴを２μｍから０．７６μｍに薄くすると、金属線の線幅Ｗに関わらずに、シールド電極のシート抵抗が上昇し、シールド効果の試算値が低下することがわかる。

さらに、実施例１５〜２６および比較例２１および２２のタッチパネル用導電フィルムに対して、それぞれ、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍおよびシールド電極のシート抵抗を測定したところ、表３に示される結果が得られた。なお、実施例１５〜２６および比較例２１および２２においても、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍがシールド電極全体の開口率と等しくなり、メッシュ状パターン部のシート抵抗がシールド電極全体のシート抵抗と等しくなっている。

実施例１５〜２６は、シールド電極の金属線の厚さＴを５μｍに固定したまま、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍ、３００μｍ、４００μｍおよび５００μｍの間で種々変化させると共にシールド電極の金属線の線幅Ｗを４．６５μｍ〜２０μｍの間で種々変化させたものであるが、いずれも、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上であると共に、シート抵抗が２０Ω／ｓｑ以下となり、「ＯＫ」の評価結果が得られた。

一方、比較例２１および２２は、実施例１５〜２６と同様に、シールド電極の金属線の厚さＴを５μｍとしたまま、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍまたは５００μｍとし、シールド電極の金属線の線幅Ｗを１５μｍまたは３μｍとしたものである。しかしながら、比較例２１では、シート抵抗は２０Ω／ｓｑ以下となったものの、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％未満となり、比較例２２では、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍは８０％以上となったものの、シート抵抗が２０Ω／ｓｑを超え、これら比較例４〜６の評価結果は「ＮＧ」となった。

また、実施例２７〜３５および比較例２３および２４のタッチパネル用導電フィルムに対して、それぞれ、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍおよびシールド電極のシート抵抗を測定したところ、表４に示される結果が得られた。なお、実施例２７〜３５および比較例２３および２４においても、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍがシールド電極全体の開口率と等しくなり、メッシュ状パターン部のシート抵抗がシールド電極全体のシート抵抗と等しくなっている。

実施例２７〜３５は、シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを２００μｍ、３００μｍ、４００μｍおよび５００μｍの間で種々変化させると共にシールド電極の金属線の線幅Ｗを１５μｍ〜２０μｍの間で種々変化させたものであるが、いずれも、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上であると共に、シート抵抗が２０Ω／ｓｑ以下となり、「ＯＫ」の評価結果が得られた。特に、シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成したことで、シート抵抗が大幅に小さな値となり、大きなシールド効果を奏することができる。

一方、比較例２３および２４は、実施例２７〜３５と同様に、シールド電極の金属線を銀ペーストにより１０μｍの厚さＴに形成し、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを１００μｍとして、シールド電極の金属線の線幅Ｗを１５μｍまたは２０μｍとしたものである。しかしながら、いずれの比較例２３および２４においても、シート抵抗は２０Ω／ｓｑ以下となったものの、メッシュピッチＰに対する金属線の線幅Ｗが大きすぎて、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％未満となり、評価結果は「ＮＧ」となった。

さらに、実施例３６〜３８のタッチパネル用導電フィルムに対して、それぞれ、シールド電極の開口率およびシート抵抗を測定すると共に、シールド効果を試算したところ、表５に示される結果が得られた。

実施例３６は、実施例１〜５および比較例１〜３と同様に、シールド電極の金属線の線幅Ｗを１０μｍ、金属線の厚さＴを２μｍとした状態で、シールド電極のシート抵抗が２０Ω／ｓｑ、シールド効果の試算値が５０ｄＢとなるように、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰを３３０μｍとしたものである。シールド電極の金属線の線幅Ｗを１０μｍ、金属線の厚さＴを２μｍとした場合には、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰが３３０μｍを超えると、表１に示した比較例２および３のように、シールド電極のシート抵抗が２０Ω／ｓｑを上回り、シールド効果の試算値が５０ｄＢ未満となって、評価結果は「ＮＧ」となる。

ところが、実施例３７および３８のように、メッシュ状パターン部のメッシュピッチＰが３３０μｍより大きな４００μｍあるいは５００μｍであっても、図９および１０に示した実施の形態２のように、互いに６０μｍ以上の間隔Ｇを隔てて配置されている一対の引き出し配線の中央に対応する位置に線幅１５μｍの直線状パターン部を追加したことにより、メッシュ状パターン部と直線状パターン部を併せたシールド電極のシート抵抗が２０Ω／ｓｑよりも大幅に下がり、シールド効果の試算値が５０ｄＢ以上になって、高いシールド効果が期待されることがわかった。また、実施例３７および３８は、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上となり、「ＯＫ」の評価結果が得られた。

なお、実施例３７および３８においては、線幅１５μｍの直線状パターン部が追加されているが、直線状パターン部は、互いに６０μｍ以上の間隔Ｇを隔てて配置されている一対の引き出し配線の中央に対応する位置に配置されているので、引き出し配線の側縁と直線状パターン部との間に、２２．５μｍ以上の間隔が生じることとなる。このため、図８に示したように、引き出し配線の側縁から外側へ１５μｍ離れるだけの幅と引き出し配線の長さ方向に沿った３００μｍの長さを有する単位領域Ｕを想定したときに、この単位領域Ｕ内に直線状パターン部は存在することはなく、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが８０％以上であれば、引き出し配線の視認性は確保されることとなる。

実施例１〜３５および比較例１〜２４のうち、メッシュ状パターン部の開口率Ｒｍが６０％以上で且つシールド電極のシート抵抗が３５Ω／ｓｑ以下となった実施例１および５〜３５と比較例４〜９、１２および２１〜２４のタッチパネル用導電フィルムにおける、シート抵抗に対する開口率Ｒｍの関係を図１８に示す。
これらの中から、８０％以上の開口率Ｒｍと２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を示す最適領域内に入るようなメッシュ状パターン部のメッシュピッチＰ、シールド電極の金属線の線幅Ｗおよび厚さＴを有するタッチパネル用導電フィルムを選択して使用することにより、引き出し配線の視認性を確保しつつ５０ｄＢ以上のシールド効果を得ることが可能となる。

１１ 絶縁基板、１２ 第１の検出電極、１２ａ，２２ａ 金属細線、１３ 第１の引き出し配線、１４ 第１の配線部、１５ 第１の外部接続端子、１６ 第１のコネクタ部、１７，２０ 第１のシールド電極、１８，２８ メッシュ状パターン部、１８ａ，２８ａ 開口、１９，２９ 直線状パターン部、２２ 第２の検出電極、２３ 第２の引き出し配線、２４ 第２の配線部、２５ 第２の外部接続端子、２６ 第２のコネクタ部、２７ 第２のシールド電極、Ｓ１ センシング領域、Ｓ２ 周辺領域、Ｄ１ 第１の方向、Ｄ２ 第２の方向、Ｋ 矩形領域、Ｕ 単位領域。

Claims (10)

1. 互いに対向する一対の面を有する絶縁基板と、
   前記絶縁基板の前記一対の面のうち少なくとも一方の面上に形成された金属細線からなる検出電極パターン部と、
   前記検出電極パターン部が形成された前記絶縁基板の面と同じ面上に配置され且つ前記検出電極パターン部に接続された金属からなる複数の引き出し配線を有する配線部と、
   前記配線部が配置された前記絶縁基板の面とは反対側の面上で且つ前記配線部に対応する位置に配置された金属からなるシールド電極と
   を備え、前記シールド電極は、前記配線部のそれぞれの前記引き出し配線に対して交差する金属線からなり且つ開口率が８０％以上のメッシュ状パターン部を有すると共に２０Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有することを特徴とするタッチパネル用導電フィルム。
2. 前記シールド電極は、前記引き出し配線の側縁から外側へ１５μｍ幅で前記引き出し配線に沿った３００μｍの長さを有する単位領域内における開口率が８０％を超える請求項１に記載のタッチパネル用導電フィルム。
3. 前記メッシュ状パターン部を構成する前記金属線は、前記配線部のそれぞれの前記引き出し配線の線幅より小さい線幅を有する請求項１または２に記載のタッチパネル用導電フィルム。
4. 前記メッシュ状パターン部を構成する前記金属線は、前記検出電極パターン部を形成する前記金属細線の線幅より大きい線幅を有する請求項１〜３のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電フィルム。
5. 前記メッシュ状パターン部を構成する前記金属線は、５〜２０μｍの線幅を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電フィルム。
6. 前記シールド電極は、前記配線部の互いに隣接する一対の前記引き出し配線が６０μｍ以上の間隔を有する場合に、一対の前記引き出し配線に平行に延び且つ一対の前記引き出し配線の中央に対応する位置に配置される直線状パターン部を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電フィルム。
7. 前記直線状パターン部は、幅５〜１５μｍの金属線からなる請求項６に記載のタッチパネル用導電フィルム。
8. 前記絶縁基板の表面上および裏面上に、それぞれ、前記検出電極パターン部と前記配線部が形成され、
   前記絶縁基板の表面上に形成された前記配線部のそれぞれの前記引き出し配線に対応する前記シールド電極が前記絶縁基板の裏面上に形成され、
   前記絶縁基板の裏面上に形成された前記配線部のそれぞれの前記引き出し配線に対応する前記シールド電極が前記絶縁基板の表面上に形成されている請求項１〜７のいずれか一項に記載のタッチパネル用導電フィルム。
9. 前記シールド電極は、前記絶縁基板の同じ面上に形成されている前記検出電極パターン部と同じ厚さを有する請求項８に記載のタッチパネル用導電フィルム。
10. 前記シールド電極は、前記絶縁基板の同じ面上に形成されている前記検出電極パターン部と同じ材料から形成されている請求項８または９に記載のタッチパネル用導電フィルム。