JP5718282B2 - 静電容量検出装置 - Google Patents
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Description
(静電容量検出装置の構成)
図1は、本発明の実施の形態に係る静電容量検出装置の斜視図である。静電容量検出装置は、一般に、タッチ検出電極部とその制御部とから構成されるが、本発明の実施の形態に係る静電容量検出装置は、上記のタッチ検出電極部に相当する。上記した制御部は、タッチ検出電極部に所定の電圧を印加し、タッチ操作により電圧が低下することを検出するものであり、従来から種々の技術として公知のものである。したがって、後述する本発明の実施の形態に係る静電容量検出装置としてのセンサシート10は、静電容量検出装置の主要な構成部分であり、静電容量検出装置として機能する。
センサシート10は、フィルム状の絶縁体である厚さt(一般的には、厚さ12μmから50μm程度)で形成されたベースフィルム20の上に、電極101、配線121、及び、シールド層200が導体箔等により形成されたフレキシブルプリント基板FPC(Flexible printed circuits)である。電極101から引き出された配線121は、電極101と反対側でコネクタ250に電気的に接続されている。このセンサシート10は、コネクタ250により、制御部に接続されて、静電容量検出のための電圧印加、電圧等の変化による静電容量の検出が可能であり、静電容量検出装置として機能する。
図2は、本発明の実施の形態に係るセンサシート10のベースフィルム20の表面20aを図1に示すAの方向から見た上平面図である。センサシート10のベースフィルム20の表面20a上には、電極101(101A、101B、101C、101D)が導体箔等により形成され、それぞれの電極101A、101B、101C、101Dから配線121A、121B、121C、121Dが引き出されている。
図3は、本発明の実施の形態であって、静電容量検出装置(センサシート10)のベースフィルム20の裏面20bを、図1に示すAの方向から見て透視した平面図である。このような透視平面図として図示することにより、図1に示すベースフィルム20の表面20aの電極層100と、ベースフィルム20の裏面20bのシールド層200とのベースフィルム20の厚さt方向に見たときの重複関係が容易に把握できる。
図4Aは、比較例1であって、静電容量検出装置(センサシート10)のベースフィルム20の裏面20bを、図1に示すAの方向から見て透視した平面図である。このような透視平面図として図示することにより、図1に示すベースフィルム20の表面20aの電極層100と、ベースフィルム20の裏面20bのシールド層300とのベースフィルム20の厚さt方向に見たときの重複関係が容易に把握できる。比較例1は、シールド層300が本発明の実施の形態と異なるが、電極層100等の他の部分は同じであるので、シールド層のシールドパターンについてのみ説明する。
シールド層300はベースフィルム20の裏面20bに形成される。図4Aに示すように、シールド層300は、電極101の領域に対応する部分211を除いて、電極101の周囲300a、300b、300c、300dと、配線121を覆い、かつ、配線121の周囲320に亘って形成されている。
図4Bは、比較例2であって、静電容量検出装置(センサシート10)のベースフィルム20の裏面20bを、図1に示すAの方向から見て透視した平面図である。このような透視平面図として図示することにより、図1に示すベースフィルム20の表面20aの電極層100と、ベースフィルム20の裏面20bのシールド層400とのベースフィルム20の厚さt方向に見たときの重複関係が容易に把握できる。比較例2は、シールド層400が本発明の実施の形態と異なるが、電極層100等の他の部分は同じであるので、シールド層のシールドパターンについてのみ説明する。
シールド層400はベースフィルム20の裏面20bに形成される。図4Bに示すように、シールド層400は、電極101の領域に対応する部分211を除いて、電極101の周囲400a、400b、400c、400d、及び、配線121(121A、121B、121C、121D)の間と周囲421a、421b、421c、421d、421eに形成されている。
図4Cは、比較例3であって、静電容量検出装置(センサシート10)のベースフィルム20の裏面20bを、図1に示すAの方向から見て透視した平面図である。このような透視平面図として図示することにより、図1に示すベースフィルム20の表面20aの電極層100と、ベースフィルム20の裏面20bのシールド層500とのベースフィルム20の厚さt方向に見たときの重複関係が容易に把握できる。比較例3は、シールド層500が本発明の実施の形態と異なるが、電極層100等の他の部分は同じであるので、シールド層のシールドパターンについてのみ説明する。
シールド層500はベースフィルム20の裏面20bに形成される。図4Cに示すように、シールド層500は、電極101の領域に対応する部分211を除いて、電極101の周囲500a、500b、500c、500d、及び、配線121A、121Dの外側521a、521eに形成されている。
図4Dは、比較例4であって、静電容量検出装置(センサシート10)のベースフィルム20の表面20aを、図1に示すAの方向から見た平面図である。比較例4は、シールド層600がベースフィルム20の表面20aに形成されるが、電極層100等の他の部分は同じであるので、シールド層のシールドパターンについてのみ説明する。
シールド層600はベースフィルム20の表面20aに形成される。図4Dに示すように、シールド層600は、電極101の領域に対応する部分211を除いて、電極101の周囲600a、600b、600c、600d、及び、配線121A、121Dの外側621a、621eに形成されている。また、配線121と配線間の部分にはシールドパターンが形成されていない。したがって、シールド層600は、電極層100と重複する部分がなく、電極層100と同一のベースフィルム20の表面20aに形成されている。
本発明の実施の形態に係る静電容量検出装置としてのセンサシート10は、次のように動作して静電容量検出装置として機能する。
図5は、本発明の実施の形態に係る静電容量検出装置と比較例の電極と電極寄生容量との関係を示す寄生容量測定結果を示すグラフである。横軸に電極パターン長さをとり、縦軸は電極寄生容量の設計目標値を1として規格化した電極寄生容量とした。
本発明の実施の形態によれば、以下のような効果を有する。
(1)本発明の実施の形態であるセンサシート10のシールド層200のシールドパターンは、ベースフィルム20の厚さt方向に見たときに電極101と重複しない電極101の周囲、及び、配線121と重複しない配線121の周囲に形成されている。さらに、配線121の配線間に形成されている。これにより、電極層100との重複を最小限にして、電極101及び配線121(電極層100)の周囲をすべてシールドすることが可能となる。よって、寄生容量が低減できると共に、効果的なEMI対策が可能となる。
(2)本発明の実施の形態と比較例1〜4による電極寄生容量の評価によれば、図5に示すように、比較例1、比較例2、比較例3、本発明の実施の形態、比較例4の順に電極寄生容量が大きい。一方、図6によれば、比較例1、比較例2、本発明の実施の形態、比較例3、比較例4の順にラジオノイズ性能が高い。すなわち、シールド層による効果は、電極寄生容量とラジオノイズ性能でトレードオフの関係にある。したがって、本発明の実施の形態により、電極の寸法を変えずに、検出感度と放射レベルに合わせたEMI対策が可能となる。
(3)上記のことから、検出感度を維持するために、電極面積を縮小して電極寄生容量を低減する必要がない。また、EMI対策のために、シールド面積を拡大する必要がない。したがって、本発明の実施の形態により、検出感度の維持とEMI対策を両立させることが可能となる。
11…センサ領域
12…コネクタ領域
20…ベースフィルム
20a…表面
20b…裏面
100…電極層
101(101A、101B、101C、101D)…電極
121(121A、121B、121C、121D)…配線
125…引出し部
126…センサ直線部
127…コネクタ配線部
200…シールド層
210(210a、210b、210c、210d)…周囲
211…部分
221a…周囲
222a、222b、222c、222d…接続部
250…コネクタ
300…シールド層
300a、300b、300c、300d…周囲
320…周囲
400…シールド層
400a、400b、400c、400d…周囲
421a、421b、421c、421d、421e…周囲
500…シールド層
500a、500b、500c、500d…周囲
521a、521e…外側
600…シールド層
600a、600b、600c、600d…周囲
621a、621e…外側
Claims (4)
- 所定の厚さで形成された基板と、
前記基板の表面に、静電容量検出のためにタッチする電極と前記電極から引き出される配線とからなる所定のパターンで形成された電極層と、
前記基板の裏面に、前記電極層の前記所定のパターンに対応したシールドパターンで形成されたシールド層と、を有し、
前記シールド層の前記シールドパターンは、前記基板の前記厚さ方向に見たときに前記電極と重複しない前記電極の周囲、及び、前記配線と重複しない前記配線の周囲に形成されると共に、前記配線の配線間に形成されていることを特徴とする静電容量検出装置。 - 前記配線の配線間に形成されているシールド層は、その一部が、前記基板の前記厚さ方向に見たときに前記電極と重複していることを特徴とする請求項1に記載の静電容量検出装置。
- 前記シールド層は、前記配線の配線間に形成されているシールド層を含めすべて電気的に接続されて形成されていることを特徴とする請求項2に記載の静電容量検出装置。
- 前記シールド層は、メッシュ構造により形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の静電容量検出装置。
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