JPWO2016031063A1 - 分析方法、分析装置及び分析プログラム - Google Patents

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Abstract

フタル酸エステルをそれに電磁波を照射して得られるスペクトルから判別する。異種のフタル酸エステル、例えば（ＤＥＨＰ）と（ＤＩＮＰ）を、金属板上に設けた（ＰＶＣ）等の一対の所定下地膜にそれぞれ付着させ、異種のフタル酸エステルが異なる状態をとっている第１試料及び第２試料を準備する。準備した第１試料及び第２試料にそれぞれ電磁波を照射し、金属反射（ＩＲ）スペクトル（Ｐ）及び金属反射（ＩＲ）スペクトル（Ｑ）を取得する。異種のフタル酸エステルについて、有意な差のあるスペクトルが得られ、また、そのようなスペクトルを用い、フタル酸エステル類の種類の判別が行えるようになる。

Description

本発明は、分析方法、分析装置及び分析プログラムに関する。
フタル酸エステルは、例えば、ケーブル被覆材に用いられるポリ塩化ビニル等の樹脂製品の可塑剤に使用される。可塑剤に使用されるフタル酸エステルとしては、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル（Di(2-EthylHexyl）Phthalate；ＤＥＨＰ)、フタル酸ジブチル（DiButyl Phthalate；ＤＢＰ）、フタル酸ブチルベンジル（ButylBenzyl Phthalate；ＢＢＰ）、フタル酸ジイソノニル（DiIsoNonyl Phthalate；ＤＩＮＰ）等がある。
このようなフタル酸エステルのうち、ＤＥＨＰ、ＤＢＰ、ＢＢＰの３種類は、欧州ＲＥＡＣＨ（Registration, Evaluation, Authorisation and restriction of CHemicals）規制では、高懸念物質（Substance of Very High Concern；ＳＶＨＣ）に挙げられた経緯がある。また、この３種類は、電子及び電気機器への特定有害物質の使用を制限するＲｏＨＳ（Restrictions of the certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment）指令では、規制候補物質に挙げられた経緯がある。
上記のようなケーブル被覆材等の製品中に含まれるフタル酸エステルの分析に、ガスクロマトグラフ質量分析法や液体クロマトグラフ質量分析法に比べて時間的或いはコスト的に有利となり得る分光分析法を用いる技術が知られている。例えば、ケーブル被覆材を加熱して発生させた蒸気を基板上に捕集した試料を用い、フーリエ変換赤外分光法（Fourier Transform - InfraRed spectroscopy；ＦＴ−ＩＲ）でその試料のＩＲスペクトルを測定し、フタル酸エステルの有無を分析する技術が知られている。
特開２０１２−１５４７１８号公報
これまでの分光分析技術では、測定されるスペクトルからフタル酸エステルの有無を判別することはできる。しかし、フタル酸エステルは、異なる種類であってもそれらのスペクトルに有意な差が現れ難い。そのため、測定されるスペクトルからフタル酸エステルの種類の判別、例えばＲｏＨＳ指令で規制候補とされたＤＥＨＰなのか規制候補とされなかったＤＩＮＰなのかといった種類の判別を、精度良く行うことが難しい場合がある。
本発明の一観点によれば、第１フタル酸エステル及び第２フタル酸エステルを、一対の第１下地膜及び第２下地膜にそれぞれ付着させ、前記第１フタル酸エステル及び前記第２フタル酸エステルが互いに異なる状態をとっている第１試料及び第２試料を準備する工程と、前記第１試料及び前記第２試料にそれぞれ電磁波を照射し、第１スペクトル及び第２スペクトルを取得する工程とを含む分析方法が提供される。例えば、この分析方法は更に、前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する判定対象物質を、前記第１下地膜及び前記第２下地膜と同種の第３下地膜に付着させた第３試料を準備する工程と、前記第３試料に電磁波を照射し、第３スペクトルを取得する工程と、前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを用いて、前記判定対象物質の、前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する工程とを含む。
また、本発明の一観点によれば、分析に用いる分析装置及び分析プログラムが提供される。
開示の技術によれば、異種のフタル酸エステルについて、有意な差のあるスペクトルを取得することが可能になる。また、そのようなスペクトルを用い、フタル酸エステル類の種類を精度良く判別することが可能になる。
本発明の目的、特徴及び利点は、本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
異種フタル酸エステルのＡＴＲ−ＩＲスペクトルの一例を示す図（その１）である。 異種フタル酸エステルの金属反射ＩＲスペクトルの一例を示す図である。 異種フタル酸エステルの分析フローの一例を示す図である。 下地膜の準備ステップの説明図である。 滴下法を用いたフタル酸エステルの付着ステップの説明図である。 蒸気捕集法を用いたフタル酸エステルの付着ステップの説明図である。 金属反射ＩＲスペクトルの測定ステップの説明図である。 異種フタル酸エステルをそれぞれ下地膜に付着させた試料の金属反射ＩＲの差スペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いたもの）の一例を示す図である。 異種フタル酸エステルのＡＴＲ−ＩＲスペクトルの一例を示す図（その２）である。 異種フタル酸エステルをそれぞれ下地膜に付着させた試料のＡＴＲ−ＩＲの差スペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いたもの）の一例を示す図（その１）である。 異種フタル酸エステルのＡＴＲ−ＩＲスペクトルの別例を示す図（その３）である。 異種フタル酸エステルをそれぞれ下地膜に付着させた試料のＡＴＲ−ＩＲの差スペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いたもの）の一例を示す図（その２）である。 下地膜に付着させたフタル酸エステルがとり得る状態の説明図である。 分析装置の一例を示す図である。 分析処理フローの一例を示す図（その１）である。 分析処理フローの一例を示す図（その２）である。 ＩＲスペクトルのピークとその帰属を示す図である。 判定基準テーブルの一例を示す図である。 判定対象テーブルの一例を示す図（その１）である。 判定対象テーブルの一例を示す図（その２）である。 コンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。 ＩＲスペクトルの一例を示す図（その１）である。 ＩＲスペクトルの一例を示す図（その２）である。 ＩＲスペクトルの一例を示す図（その３）である。
まず、フタル酸エステルの分析技術の例について述べる。
フタル酸エステルの検出方法の１つに、全反射（Attenuated Total Reflection；ＡＴＲ）ＦＴ−ＩＲ法（以下、ＡＴＲ法という）を用いる方法がある。例えば、ポリ塩化ビニルを用いたケーブル被覆材等の製品では、そのポリ塩化ビニルの可塑剤として、ＤＥＨＰやＤＩＮＰ等のフタル酸エステルが用いられる場合がある。ＡＴＲ法では、そのような製品中のフタル酸エステルの有無を、製品を破壊せずに検出することができる。
フタル酸エステルの検出方法には、このようなＡＴＲ法のほか、ガスクロマトグラフ質量分析法や液体クロマトグラフ質量分析法もある。溶媒を用いて製品試料から成分を抽出し、その抽出液をガスクロマトグラフ質量分析法や液体クロマトグラフ質量分析法を用いて分析する。
このようなガスクロマトグラフ質量分析法や液体クロマトグラフ質量分析法を用いた分析法は、薬品を使用した化学的な処理や、高額な分析装置及び処理設備を要し、また、分析結果を得るまでに比較的長時間を要する。更に、分析結果の解析（フタル酸エステルの同定）に高度な技術を要する場合もある。そのため、製造工場の製品受け入れ検査等に採用することは難しい場合がある。また、ケーブル被覆材等の製品中には、可塑剤のほかにも様々な添加剤が含まれ得るため、製品を直接分析するとフタル酸エステルの検出精度が低下してしまう場合がある。
これに対し、上記のＡＴＲ法では、製品を非破壊で直接分析することができ、比較的容易に短時間でフタル酸エステルを検出することができる。
但し、ＡＴＲ法を用いる分析では、製品中のフタル酸エステルの有無は判別することができるものの、検出されたフタル酸エステルの種類を判別することが難しい場合がある。
ここで、ＡＴＲ法で取得される異種フタル酸エステルのＩＲスペクトル（以下では、ＡＴＲスペクトル、ＡＴＲ−ＩＲスペクトル等とも言う）の一例を図１に示す。
図１には、式（１）の構造を有するＤＥＨＰ（Ｃ24Ｈ38Ｏ4）と、式（２）に示す構造を有するＤＩＮＰ（Ｃ26Ｈ42Ｏ4）の、２種類のフタル酸エステルのＡＴＲスペクトルを例示している。図１では、ＤＥＨＰのＡＴＲスペクトルを点線で、ＤＩＮＰのＡＴＲスペクトルを実線で、それぞれ図示している。
Figure 2016031063
Figure 2016031063
フタル酸エステルの有無は、例えば、この図１に示すようなＡＴＲスペクトルの、フタル酸エステルに特徴的な１，２−置換ベンゼン環由来の波数１６００ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1のピーク（Ｚ部）を基に、判別することができる。
しかしながら、図１に示すように、ＤＥＨＰとＤＩＮＰのＡＴＲスペクトル間には、それらを識別できるような有意な差が現れない。そのため、ＡＴＲスペクトルからは、ＤＥＨＰとＤＩＮＰのどちらか一方又は双方の有無は判別できても、ＤＥＨＰとＤＩＮＰのどちらなのかを精度良く判別することが難しい。
ここではＤＥＨＰとＤＩＮＰを例にしたが、同様に可塑剤として用いられるＤＢＰ、ＢＢＰといった他のフタル酸エステルも含め、異種のフタル酸エステルのＡＴＲスペクトル間には有意な差が現れない。そのため、ＡＴＲスペクトルからフタル酸エステルの種類を判別することが難しい。尚、ＤＢＰ（Ｃ16Ｈ22Ｏ4）の構造を式（３）に、ＢＢＰ（Ｃ19Ｈ20Ｏ4）の構造を式（４）に、それぞれ示す。
Figure 2016031063
Figure 2016031063
フタル酸エステルであるＤＥＨＰ、ＤＢＰ、ＢＢＰ、ＤＩＮＰのうち、ＤＩＮＰを除いたＤＥＨＰ、ＤＢＰ、ＢＢＰの３種類は、例えばＲｏＨＳ指令で規制候補に挙げられた経緯がある。ＡＴＲ法では、ＡＴＲスペクトルによってフタル酸エステルの検出の有無は判別可能でも、検出されたフタル酸エステルが、そのような規制候補のフタル酸エステルなのか、規制候補ではないフタル酸エステルなのかを判別することが難しい。
ＦＴ−ＩＲ法には、上記のようなＡＴＲ法のほかにも、アルミニウム等の金属板上の測定対象物に所定角度で赤外線を照射してＩＲスペクトルを得る反射法（以下、金属反射法という）がある。
ここで、金属反射法で取得される異種フタル酸エステルのＩＲスペクトル（以下、金属反射ＩＲスペクトルという）の一例を図２に示す。
図２には、アルミニウム板上に直接ＤＥＨＰの標準物質約０．１ｍｇを付着させた試料の金属反射ＩＲスペクトルＰ０（点線）と、アルミニウム板上に直接ＤＩＮＰの標準物質約０．１ｍｇを付着させた試料の金属反射ＩＲスペクトルＱ０（実線）を例示している。用いたアルミニウム板の表面反射率は８５％である。各試料の金属反射ＩＲスペクトルＰ０，Ｑ０はそれぞれ、アルミニウム板上のＤＥＨＰ、ＤＩＮＰに入射角３０°で赤外線を照射することで得ている。
図２に示すように、直接アルミニウム板上に付着させたＤＥＨＰとＤＩＮＰの金属反射ＩＲスペクトルＰ０，Ｑ０には、上記のＡＴＲスペクトルと同様に、ＤＥＨＰとＤＩＮＰとを判別できるような有意な差が現れない。
ここではＤＥＨＰとＤＩＮＰを例にしたが、ＤＢＰ、ＢＢＰといった他のフタル酸エステルも含め、直接アルミニウム板上に付着させた異種のフタル酸エステルの金属反射ＩＲスペクトルには識別可能な有意な差が現れない。フタル酸エステルをアルミニウム板上に直接付着させた試料について得られる金属反射ＩＲスペクトルを、フタル酸エステルの種類の判別に用いることは難しい。
以上のような点に鑑み、ＦＴ−ＩＲ法を用いて異種のフタル酸エステルを精度良く識別、判別可能な手法について、以下、詳細に説明する。
図３は異種フタル酸エステルの分析フローの一例を示す図である。図４〜図７は異種フタル酸エステルの分析フローの一例における各ステップの説明図である。
ここでは、上記のように金属板上に直接フタル酸エステルを付着させず、金属板上に設けた所定の下地膜上にフタル酸エステルを付着させ、金属反射法によって金属反射ＩＲスペクトルを得る分析方法を用いる。
図４は下地膜の準備ステップの説明図である。
この分析方法では、まず、図４に示すように、金属板１０上に、フタル酸エステルを付着させる下地膜２０を設ける（図３；ステップＳ１）。
金属板１０には、下地膜２０を設ける側の表面１０ａが所定の反射率（例えば６０％以上）を有するものが用いられる。金属板１０には、このような所定の表面反射率を有するアルミニウム板、ステンレス板等を用いることができる。
下地膜２０には、極性を有する有機膜が用いられる。このような有機膜として、例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）を用いることができる。
フタル酸エステルは、ＰＶＣのほか、ＰＶＤＣやＰＶＡｃの可塑剤としても利用可能である。フタル酸エステルを可塑剤として利用可能な材料は、下地膜２０として利用し得る。また、フタル酸エステルは、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ウレタン、天然ゴム等の可塑剤としても利用可能であり、これらの材料もまた下地膜２０として利用し得る。
下地膜２０は、例えば、上記のようなＰＶＣ、ＰＶＤＣ、ＰＶＡｃ等の有機材料を含む溶液を金属板１０上にスピナー法を用いて塗布することで、形成することができる。このほか、下地膜２０は、スプレー法、ディップ法等を用いて金属板１０上に形成することもできる。
金属板１０上に設ける下地膜２０の膜厚は、例えば、２μｍとすることができる。尚、下地膜２０の膜厚は２μｍに限定されるものではなく、例えば、０．１μｍ〜１０μｍといった一定の範囲に設定することができる。下地膜２０が薄過ぎると、付着する異種のフタル酸エステルに後述のような配向状態の差が生じず、測定される金属反射ＩＲスペクトル間に差が生じない恐れがある。また、下地膜２０が厚過ぎると、金属反射ＩＲスペクトルの測定時に生じる光の干渉によって良好な金属反射ＩＲスペクトルが得られない恐れがある。例えば、このような点を考慮して、金属板１０上に設ける下地膜２０の膜厚を調整する。
上記のように金属板１０上に所定の下地膜２０を設けたものを一対準備し、各々の下地膜２０に、種類が既知である異種のフタル酸エステルをそれぞれ付着させる（図３；ステップＳ２）。
図５及び図６はフタル酸エステルの付着ステップの説明図であって、図５は滴下法を用いたフタル酸エステルの付着ステップの説明図、図６は蒸気捕集法を用いたフタル酸エステルの付着ステップの説明図である。
下地膜２０へのフタル酸エステルの付着は、例えば、図５に示すような滴下法、図６に示すような蒸気捕集法を用いて、行うことができる。
滴下法では、図５に示すように、ディスペンサ、ピペット等の滴下装置１００を用いて、フタル酸エステルとその溶媒を含むフタル酸エステル溶液１１０を滴下することで、金属板１０上の下地膜２０にフタル酸エステルを付着させる。尚、フタル酸エステル溶液１１０には、所定の溶媒に所定のフタル酸エステルを溶解して調製したものや、市販の標準品を用いることができる。
例えば、このような滴下法を用いて、一対の金属板１０上に設けた各下地膜２０に、異種のフタル酸エステルをそれぞれ付着させる（後述の試料３６０）。
また、蒸気捕集法では、例えば、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すようにしてフタル酸エステルの付着が行われる。図６（Ａ）は蒸気捕集装置が備える部材の説明図、図６（Ｂ）は蒸気捕集装置２００による蒸気捕集の第１工程の説明図、図６（Ｃ）は蒸気捕集装置２００による蒸気捕集の第２工程の説明図である。
蒸気捕集装置２００は、図６（Ａ）に示すように、載置部２１０、保持部２２０及びダクト２３０を有する。
載置部２１０には、フタル酸エステルを含有する試料２５０が載置される。試料２５０には、フタル酸エステルを含有するケーブル被覆材等の製品や、フタル酸エステルを含有する溶液を用いることができる。載置部２１０は、加熱、或いは加熱と冷却が可能な温度調整機構を備え、その温度調整機構を用いて、載置される試料２５０の温度を調整する。
保持部２２０は、フタル酸エステルの蒸気捕集時に載置部２１０に対向して配置される。保持部２２０には、下地膜２０を設けた金属板１０が、その下地膜２０の配設面側を載置部２１０側に向けて、保持される。金属板１０は、例えば、下地膜２０の配設面と反対側の裏面１０ｂを吸引されて保持部２２０に保持される。保持部２２０には、加熱、或いは加熱と冷却が可能な温度調整機構を設けてもよく、その温度調整機構を用いて、保持する金属板１０上の下地膜２０の温度を調整するようにしてもよい。
ダクト２３０は、フタル酸エステルの蒸気捕集時に載置部２１０と保持部２２０の間に設けられる。ダクト２３０は、その管壁で、載置部２１０に載置される試料２５０を囲むように配置され、蒸気捕集時には、このように試料２５０を囲むダクト２３０の上端側が、保持部２２０に保持された金属板１０上の下地膜２０で閉塞される。
フタル酸エステルの蒸気捕集を行う際は、図６（Ｂ）に示すように、載置部２１０上に設けられるダクト２３０の内側に、フタル酸エステルを含有する試料２５０を載置する。また、図６（Ｂ）に示すように、下地膜２０を設けた金属板１０を、保持部２２０で保持する。
試料２５０にケーブル被覆材等の製品を用いる場合には、例えば、まず載置部２１０及びダクト２３０の上方から保持部２２０を退避させた状態で、載置部２１０の温度調節機構を用いて試料２５０を所定時間（例えば１分）、所定温度（例えば１８０℃）で加熱する。これにより、フタル酸エステルと共に試料２５０に含有されている着色剤等の添加物であって、所定の加熱温度で気化する添加物を蒸発させる。尚、試料２５０の製品中にフタル酸エステル以外の添加物が含有されていない場合、或いは添加物が以後の測定に影響しない程度の含有量である場合等には、図６（Ｂ）に示すような加熱（蒸発）工程を必ずしも行うことを要しない。
次いで、載置部２１０及びダクト２３０の上方に、下地膜２０を設けた金属板１０を保持する保持部２２０を移動させ、図６（Ｃ）に示すように、下地膜２０でダクト２３０の上端側を閉塞する。
この状態で、載置部２１０の温度調節機構を用い、試料２５０に含有されるフタル酸エステルが蒸発する温度で所定時間加熱し、試料２５０から発生するフタル酸エステルの蒸気を、金属板１０上の下地膜２０に付着させる。ダクト２３０は、試料２５０から蒸発するフタル酸エステルの、周辺への拡散を抑え、下地膜２０への捕集効率を高める役割を果たす。
例えば、このような蒸気捕集法を用いて、一対の金属板１０上に設けた各下地膜２０に、異種のフタル酸エステルをそれぞれ付着させる（後述の試料３６０）。
上記のようにして異種のフタル酸エステルをそれぞれ金属板１０上の下地膜２０に付着させた試料について、金属反射法により、金属反射ＩＲスペクトルを測定する（図３；ステップＳ３）。
図７は金属反射ＩＲスペクトルの測定ステップの説明図である。
図７に示す測定装置３００は、分光器３１０、試料室３２０、赤外検出器３３０、ＡＤ変換器３４０及びフーリエ変換処理部３５０を備えている。
分光器３１０は、赤外線の光源から波長に従って分光し、干渉光を出射する。試料室３２０には、前述した金属板１０上の下地膜２０にフタル酸エステルを付着させた試料３６０が配置される。分光器３１０から出射された干渉光は、試料３６０の下地膜２０に一定の入射角（例えば３０°）で照射される。干渉光は、下地膜２０を通り、金属板１０の表面１０ａで反射され、再び下地膜２０を通って試料３６０の外部に放射される。
赤外検出器３３０は、このように入射されて試料３６０の外部に放射される干渉光を検出する。ＡＤ変換器３４０は、赤外検出器３３０からのアナログ信号（インターフェログラム）をデジタル化する。フーリエ変換処理部３５０は、ＡＤ変換器３４０でデジタル化されたデータをフーリエ変換し、波数成分に対する吸光度、即ち金属反射ＩＲスペクトルを生成する。
このような測定装置３００を用い、異種のフタル酸エステルをそれぞれ金属板１０上の下地膜２０に付着させた試料３６０の金属反射ＩＲスペクトルを得る。
図８は異種フタル酸エステルをそれぞれ下地膜に付着させた試料の金属反射ＩＲスペクトルの一例を示す図である。
図８には、ＤＥＨＰを金属板１０上の下地膜２０に付着させた試料３６０の金属反射ＩＲスペクトル（図８のＰ（点線））と、ＤＩＮＰを金属板１０上の下地膜２０に付着させた試料３６０の金属反射ＩＲスペクトル（図８のＱ（実線））を例示している。
ここで、試料３６０の金属板１０には、表面反射率８５％のアルミニウム板を用い、このアルミニウム板上に下地膜２０として膜厚２μｍのＰＶＣ膜を形成し、このＰＶＣ膜にＤＥＨＰ、ＤＩＮＰの標準物質約０．１ｍｇをそれぞれ滴下法で付着させている。このようにＤＥＨＰ、ＤＩＮＰを付着させてから一定時間（５分）が経過したこれらの試料３６０について、上記のような構成を有する測定装置３００を用い、それぞれの金属反射ＩＲスペクトルを得ている。ＤＥＨＰ、ＤＩＮＰをそれぞれ付着させた試料３６０に照射する赤外線の入射角は３０°としている。
図８の金属反射ＩＲスペクトルＰ，Ｑの取得にあたり、ＤＥＨＰ、ＤＩＮＰを付着させていない試料（アルミニウム板上にＰＶＣ膜を膜厚２μｍで形成したもの）について、同様に赤外線を入射角３０°で照射し、ブランクの金属反射ＩＲスペクトルを得ている。このブランクの金属反射ＩＲスペクトルを、ＤＥＨＰ、ＤＩＮＰをそれぞれ付着させた試料３６０について得られた各金属反射ＩＲスペクトルからそれぞれ差し引き、差スペクトルを得ている。図８には、このようにして２種類の試料３６０についてそれぞれ得られた差スペクトルのベースラインを揃え、金属反射ＩＲスペクトルＰ，Ｑとして図示している。尚、図８に示す基準ピークについては後述する。
図８に示すように、ＤＥＨＰをアルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた試料３６０の金属反射ＩＲスペクトルＰと、ＤＩＮＰをアルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた試料３６０の金属反射ＩＲスペクトルＱとの間には、差が認められる。金属反射ＩＲスペクトルＰ，Ｑ間には、単純な相似形の差ではなく、ピーク位置によって互いの吸光度の大小関係が反転するような差が認められる。
上記図２に示したように、アルミニウム板上に直接ＤＥＨＰを付着させた試料の金属反射ＩＲスペクトルＰ０と、アルミニウム板上に直接ＤＩＮＰを付着させた試料の金属反射ＩＲスペクトルＱ０との間には、それらを識別可能な有意な差は現れない。これに対し、ＤＥＨＰ、ＤＩＮＰをＰＶＣ膜に付着させると、図８に示すように、ピーク位置は変化せず、所定ピーク位置の吸光度（ピーク強度）が変化し、ＤＥＨＰとＤＩＮＰの金属反射ＩＲスペクトルＰ，Ｑ間に、それらを識別可能な有意な差が現れるようになる。
図８には、異種フタル酸エステルとしてＤＥＨＰとＤＩＮＰを用い、下地膜２０としてＰＶＣ膜を用いた場合の金属反射ＩＲの差スペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いたもの）を例示した。このほか、ＤＥＨＰとＢＢＰ、ＤＥＨＰとＤＢＰ、ＤＩＮＰとＤＢＰといった組み合わせの異種フタル酸エステルをＰＶＣ膜に付着させた場合も同様に、それらのＩＲスペクトルに有意な差を認めることができる。
図９〜図１２は異種フタル酸エステルのＡＴＲ−ＩＲスペクトルの一例を示す図である。ここでは、ＤＥＨＰとＤＢＰのＩＲスペクトルの一例を図９及び図１０に、ＤＩＮＰとＤＢＰのＩＲスペクトルの一例を図１１及び図１２に、それぞれ示す。
ここで、図９はＤＥＨＰ及びＤＢＰをそれぞれＡＴＲ上に直接付着させた試料のＩＲスペクトルの一例、図１０はＤＥＨＰ及びＤＢＰをそれぞれアルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた試料のＡＴＲ−ＩＲの差スペクトルの一例である。また、図１１はＤＩＮＰ及びＤＢＰをそれぞれＡＴＲ上に直接付着させた試料のＩＲスペクトルの一例、図１２はＤＩＮＰ及びＤＢＰをそれぞれアルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた試料のＡＴＲ−ＩＲの差スペクトルの一例である。尚、図１０及び図１２には、アルミニウム板上のＰＶＣ膜について得られたブランクの金属反射ＩＲスペクトルを差し引いたものを示している。
図９及び図１０より、ＤＥＨＰとＤＢＰでは、ＡＴＲ上に直接付着させた場合（図９）に比べて、アルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた場合（図１０）の方が、両者のＩＲスペクトル間の差がより明確になる。図１１及び図１２より、ＤＩＮＰとＤＢＰでも同様に、ＡＴＲ上に直接付着させた場合（図１１）に比べて、アルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた場合（図１２）の方が、両者のＩＲスペクトル間の差がより明確になる。このように、ＰＶＣ膜に付着させることで、異種フタル酸エステルのＩＲスペクトル間に、識別可能な有意な差を発現させることが可能になる。
上記のように異種のフタル酸エステルを直接測定してもＩＲスペクトルには差が生じない一方、所定の下地膜に付着させるとＩＲスペクトルに差が生じるのは、以下のような理由によるものと考えられる。
ここで、図１３は下地膜に付着させたフタル酸エステルがとり得る状態の説明図である。
ＰＶＣ膜のような有機膜を下地膜とし、これにフタル酸エステルを付着させた場合、フタル酸エステルは、下地膜表面に付着し（ステップＳ１０）、更に下地膜表面から下地膜内部に取り込まれ（吸収され）得る（ステップＳ１１）。フタル酸エステルが下地膜内部に吸収される速度は、フタル酸エステルの種類によって異なってくる。そのため、フタル酸エステルの種類によって、下地膜表面に付着後、比較的多量のフタル酸エステルが下地膜表面に残存したり、比較的多量のフタル酸エステルが下地膜内部に吸収されたりする。
一方、フタル酸エステル分子は、単独で存在する状態や下地膜内部に吸収された状態では無配向であるが、下地膜表面に付着している状態では配向している可能性がある。ＩＲスペクトルを得る際、フタル酸エステル分子が無配向の状態と配向している状態とでは、偏光の影響により、ピーク位置は同じでもピーク強度に差が生じるようになる。
そのため、異種のフタル酸エステルを直接測定しても、それらのフタル酸エステル分子は無配向の状態であり、識別可能な有意な差のあるＩＲスペクトルを得ることは難しい。しかし、このように無配向の状態ではＩＲスペクトルの形状が同等の異種のフタル酸エステルであっても、それらを下地膜に付着させる上記方法を用いることで、ＩＲスペクトルの形状に差が生じるようになる。即ち、異種のフタル酸エステルの一方を下地膜内部に吸収させ、他方を下地膜表面に残存させるようにする。これにより、一方が無配向の状態となり、他方が配向の状態となるため、それらのＩＲスペクトルの形状に差が出てくるようになることが考えられ得る。
下地膜に付着したフタル酸エステルの下地膜内部への吸収、下地膜表面の残存は、前述のようにフタル酸エステルの種類、下地膜に対する吸収速度の違いによって異なってくる。例えば、このような種類、吸収速度の違いを利用して、異種のフタル酸エステルの一方が下地膜内部に吸収され、他方が下地膜表面に残存するような状態を得る。
このような状態を得るために、異種のフタル酸エステルの下地膜への付着（図３；ステップＳ２）後、下地膜内部への吸収、下地膜表面の残存に差が生じるような一定時間が経過してから、ＩＲスペクトルを取得する（図３；ステップＳ３）ようにすることができる。例えば、異種のフタル酸エステルの下地膜への付着後、２時間経過してから、ＩＲスペクトルを取得する。取得したＩＲスペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いた差スペクトル）の一例を図２２に示す。図２２には、下地膜への付着から２時間後に、フタル酸エステルの一方（ＤＥＨＰ）は下地膜内部に吸収されたが、もう一方（ＤＩＮＰ）は下地膜表面に残存し、強度に差が生じている状態が示されている。
図２３には、下地膜への付着から９日経過後のＩＲスペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いた差スペクトル）の一例を示す。また、図２４には、フタル酸エステルをＰＶＣに添加して作製したバルクのＰＶＣ試料のＩＲスペクトル（下地膜のスペクトルを差し引いた差スペクトル）の一例を示す。図２３のＩＲスペクトルは、図２４のＩＲスペクトルとほぼ同様となる。図２３には、いずれのフタル酸エステル（ＤＥＨＰ及びＤＩＮＰ）も下地膜中に吸収され、ＩＲスペクトルに違いが見られなくなったことが示されている。
尚、異種のフタル酸エステルの性質により、下地膜への付着後、速やかに下地膜内部への吸収、下地膜表面の残存に差が生じるような場合には、必ずしもこのような一定時間の経過を待ってＩＲスペクトルを取得することを要しない。
このように、下地膜に付着した異種のフタル酸エステルの種類、吸収速度の違いを利用し、それらの配向状態（配向、無配向）を異ならせることで、異なる形状のＩＲスペクトルを取得することができる。
また、異種のフタル酸エステルの一方が下地膜内部に吸収され、他方が下地膜表面に残存するような状態を得るためには、次のような手法を用いることもできる。即ち、樹脂中に含まれる異種のフタル酸エステルの判別にも適用できる。
具体的に説明すると、異種のフタル酸エステルの一方が含まれている樹脂、例えば下地膜内部に比較的吸収され易いフタル酸エステルを含んでいる樹脂を、蒸気捕集法で、加熱し、フタル酸エステルを下地膜に捕集する。下地膜の加熱は、上記図６に示した保持部２２０に温度調節機構を設け、これを用いて加熱することで、行うことができる。下地膜の加熱温度は、その下地膜に用いている材料に基づいて設定する。例えば、下地膜にＰＶＣ膜を用いる場合、ＰＶＣ膜の使用限界温度が６０℃、耐熱温度が８０℃であることから、３０℃〜６０℃の範囲になるように下地膜を冷却する。所定の温度に加熱した下地膜に、一方のフタル酸エステルの蒸気を捕集すると、下地膜に付着したそのフタル酸エステルが、その下地内部に浸透（相溶）し易くなる。このようにして、一方のフタル酸エステルを意図的に下地膜内部に吸収させ、無配向の状態とする。
尚、蒸気捕集を行う際、下地膜は常温よりも高い温度に保持され、更に輻射熱がかかるため、滴下法と比べ、フタル酸エステルが吸収され易い。従って、差が生じるまでの時間は、概して滴下法に比べ、短時間になる。
次に、異種のフタル酸エステルの他方が含まれている樹脂、例えば下地膜内部に比較的吸収され難いフタル酸エステルを含んでいる樹脂についても、同様に加熱して下地膜に付着させる。これにより、他方のフタル酸エステルをより下地膜表面に残存させ、配向させた状態とする。
このような手法を用い、異種のフタル酸エステルの配向状態（配向、無配向）を異ならせ、異なる形状の金属反射ＩＲスペクトルを取得することもできる。
以上のような観点から、下地膜には、付着した異種のフタル酸エステルが互いに異なる配向状態をとり得るものを用いる。
所定の下地膜を用いることで、異種のフタル酸エステルについて、識別可能なＩＲスペクトルを取得することが可能になる。
また、異種のフタル酸エステルの、識別可能なＩＲスペクトルを用いることで、種類が未知のフタル酸エステルの、その種類の判別、種類が既知のフタル酸エステルとの一致性の判定を行う分析が可能になる。即ち、未知のフタル酸エステルを金属板上の下地膜に付着させた試料を準備し（図３；ステップＳ４）、その試料の金属反射ＩＲスペクトルを測定する（図３；ステップＳ５）。そして、得られた金属反射ＩＲスペクトルを、上記ステップＳ３で得られた２種類の金属反射ＩＲスペクトルとの一致性を判定する（図３；ステップＳ６）。
このような分析手法について以下に説明する。
まず、分析に用いる分析装置の一例について説明する。
図１４は分析装置の一例を示す図である。
図１４に示す分析装置４００は、スペクトル取得部４１０、スペクトル処理部４２０、判定情報生成部４３０及び一致性判定部４４０を有している。図１４に示す分析装置４００は更に、制御部４５０及び記憶部４６０を有している。
スペクトル取得部４１０は、金属板上の下地膜にフタル酸エステルを付着させた試料の金属反射ＩＲスペクトルを取得する。
ここで、スペクトル取得部４１０は、ＤＥＨＰとＤＩＮＰといった種類が既知である異種のフタル酸エステルを、金属板上の下地膜にそれぞれ付着させた試料（第１試料及び第２試料）の、金属反射ＩＲスペクトル（第１金属反射ＩＲスペクトル及び第２金属反射ＩＲスペクトル）を取得する。
更に、スペクトル取得部４１０は、それら既知のフタル酸エステルとの一致性を判定する対象のフタル酸エステル（判定対象物質）を、金属板上の下地膜に付着させた試料（第３試料）の、金属反射ＩＲスペクトル（第３金属反射ＩＲスペクトル）を取得する。
また、スペクトル取得部４１０は、金属板上の下地膜にフタル酸エステルを付着させていない試料の金属反射ＩＲスペクトル（ブランク金属反射ＩＲスペクトル）を取得する。
スペクトル取得部４１０は、例えば、上記第１〜第３金属反射ＩＲスペクトル及びブランク金属反射ＩＲスペクトルの測定機能を備える。このような測定機能は、例えば、上記図７に示したような測定装置３００により実現される。測定装置３００が用いられ、上記第１〜第３金属反射ＩＲスペクトル及びブランク金属反射ＩＲスペクトルが測定、取得される。
或いは、スペクトル取得部４１０は、分析装置４００の外部で測定装置３００等が用いられて測定された上記第１〜第３金属反射ＩＲスペクトル及びブランク金属反射ＩＲスペクトルの各データを受信することで、各金属反射ＩＲスペクトルを取得してもよい。また、金属反射ＩＲスペクトルの代わりに、ＡＴＲ−ＩＲスペクトルや、スペクトルに違いが生じるその他のあらゆる手法を用いたＩＲスペクトルを取得してもよい。
金属板上に下地膜を設けた試料としては、上記図４に示したようなものが用いられる。このような試料が用いられ、第１〜第３金属反射ＩＲスペクトルの測定に用いられる第１〜第３試料が準備され、また、ブランク金属反射ＩＲスペクトルが測定される。
第１金属反射ＩＲスペクトルの測定に用いられる第１試料、及び第２金属反射ＩＲスペクトルの測定に用いられる第２試料は、金属板上の下地膜に既知のフタル酸エステルを、上記図５のような滴下法又は上記図６のような蒸気捕集法を用いて付着させ、準備される。例えば、既知のフタル酸エステルを含有する溶液を滴下法で下地膜に付着させ、或いは、その溶液中のフタル酸エステルを蒸気捕集法で下地膜に付着させる。
第３金属反射ＩＲスペクトルの測定に用いられる第３試料は、金属板上の下地膜に判定対象物質のフタル酸エステルを、上記図５のような滴下法又は上記図６のような蒸気捕集法を用いて付着させ、準備される。例えば、判定対象物質のフタル酸エステルを含有する溶液を滴下法で下地膜に付着させ、或いは、その溶液又は固体中のフタル酸エステルを蒸気捕集法で下地膜に付着させる。或いはまた、判定対象物質のフタル酸エステルを含有する溶液やケーブル被覆材等の製品を用い、そのフタル酸エステルを蒸気捕集法で下地膜に付着させる。
スペクトル処理部４２０は、スペクトル取得部４１０で取得された第１〜第３金属反射ＩＲスペクトル及びブランク金属反射ＩＲスペクトルを用いた各種処理を実行する。
スペクトル処理部４２０は、スペクトル取得部４１０で取得された第１〜第３金属反射ＩＲスペクトルの各々とブランク金属反射ＩＲスペクトルとの差スペクトル（第１〜第３差スペクトル）を生成する。スペクトル処理部４２０は、第１〜第３金属反射ＩＲスペクトルの各々からブランク金属反射ＩＲスペクトルを差し引くことで、第１〜第３差スペクトルを生成する。
また、スペクトル処理部４２０は、生成した第１〜第３差スペクトルを規格化する。スペクトル処理部４２０は、第１差スペクトルと第２差スペクトルを、それらのベースラインと所定のピーク位置（基準ピーク位置）の強度（吸光度）を用いて規格化し、また、第３差スペクトルを、そのベースラインと基準ピーク位置の強度を用いて規格化する。尚、このようなベースラインと基準ピーク位置の強度を用いた規格化については後述する。
更に、スペクトル処理部４２０は、規格化された第１〜第３差スペクトルに存在する全ての又は所定の一部のピーク位置と、そのピーク位置の強度（ピーク強度）とを抽出する。スペクトル処理部４２０は、規格化された第１差スペクトルと第２差スペクトルの、強度差のあるピーク位置とそのピーク位置における両スペクトルのピーク強度とを抽出し、また、規格化された第３差スペクトルの、当該ピーク位置におけるピーク強度を抽出する。
判定情報生成部４３０は、判定対象物質のフタル酸エステルの、既知のフタル酸エステルとの一致性の判定に用いる各種情報を生成する。
例えば、判定情報生成部４３０は、既知の異種フタル酸エステル（例えばＤＥＨＰとＤＩＮＰ）の規格化された第１差スペクトルと第２差スペクトルについてスペクトル処理部４２０で抽出された、強度差のあるピーク位置における両スペクトルのピーク強度の中間値を算出（生成）する。そして、判定情報生成部４３０は、一方のフタル酸エステル（例えばＤＩＮＰ）のスペクトルのピーク強度が、算出した中間値に対して大きいか小さいかを正負の符号で表した情報を含むテーブル（判定基準テーブル）を生成する。
また、判定情報生成部４３０は、判定対象物質の規格化された第３差スペクトルの、規格化された第１差スペクトルと第２差スペクトルについてスペクトル処理部４２０で抽出されたピーク位置におけるピーク強度から、上記中間値を差し引いた値を算出する。そして、判定情報生成部４３０は、その差し引いた値の正負（ピーク強度が中間値に対して大きいか小さいか）の情報を含むテーブル（判定対象テーブル）を生成する。
一致性判定部４４０は、判定情報生成部４３０で生成された判定基準テーブル及び判定対象テーブルの情報を用い、判定対象物質の、既知のフタル酸エステルとの一致性を判定する。
例えば、一致性判定部４４０は、判定基準テーブルに含まれる正負の情報と、判定対象テーブルに含まれる正負の情報とを比較する。そして、互いの正負が一致するか否かに基づき、判定対象物質が、既知の異種フタル酸エステル（例えばＤＥＨＰとＤＩＮＰ）のいずれと一致するか、いずれとどの程度の確率で一致するか、いずれとも一致しないか、といった判定を行う。
分析装置４００において、スペクトル取得部４１０、スペクトル処理部４２０、判定情報生成部４３０及び一致性判定部４４０の各処理機能は、制御部４５０によって制御される。
分析装置４００は、スペクトル取得部４１０、スペクトル処理部４２０、判定情報生成部４３０及び一致性判定部４４０の各処理に用いられる各種データや各処理で得られる各種データを記憶する記憶部４６０を備える。また、分析装置４００、そのような各種データを出力する、表示装置等の出力部を備えてもよい。
続いて、上記のような構成を有する分析装置４００を用いた分析処理フローの一例について説明する。
図１５及び図１６は分析処理フローの一例を示す図である。ここで、図１５は判定基準の生成処理フローを示す図、図１６は判定対象物質の既知フタル酸エステルとの一致性判定処理フローを示す図である。
まず、分析装置４００は、スペクトル取得部４１０により、既知の異種フタル酸エステル、一例としてＤＥＨＰとＤＩＮＰを金属板上の下地膜にそれぞれ付着させた第１試料及び第２試料の第１金属反射ＩＲスペクトル及び第２金属反射ＩＲスペクトルを取得する（図１５；ステップＳ２０）。
更に、分析装置４００は、スペクトル取得部４１０により、金属板上の下地膜にフタル酸エステルを付着させていない試料のブランク金属反射ＩＲスペクトルを取得する（図１５；ステップＳ２１）。
次いで、分析装置４００は、スペクトル処理部４２０により、第１金属反射ＩＲスペクトルとブランク金属反射ＩＲスペクトルとの第１差スペクトルを生成し、第２金属反射ＩＲスペクトルとブランク金属反射ＩＲスペクトルとの第２差スペクトルを生成する（図１５；ステップＳ２２）。
ステップＳ２０〜Ｓ２２の処理により、例えば、上記図８のＰ及びＱに示したようなスペクトルが、第１差スペクトル及び第２差スペクトルとして取得される。第１差スペクトルと第２差スペクトルの間には、ＤＥＨＰとＤＩＮＰを金属板上の所定の下地膜に付着させたことで、識別可能な有意な差が現れる。
分析装置４００は、スペクトル処理部４２０により、生成された第１差スペクトルと第２差スペクトルを、それらのベースラインと基準ピーク位置（上記図８に示した基準ピークの位置）の強度を用いて規格化する（図１５；ステップＳ２３）。
この規格化は、第１差スペクトルと第２差スペクトルの、互いのベースラインを揃え、所定の基準ピーク位置における互いの強度を合わせるようにして行う。より具体的には、第１差スペクトルと第２差スペクトルの、一方の差スペクトルの基準ピーク位置における強度が、他方の差スペクトルの基準ピーク位置における強度に一致するように、ベースラインを揃えて、一方の差スペクトル全体の強度を大きく又は小さくする。
このような規格化に用いる基準ピーク位置としては、例えば、エステルのＣ−Ｏ伸縮に帰属する１１２０ｃｍ-1付近のピークの位置を採用する。この点について、図１７を参照して説明する。図１７はＩＲスペクトルのピークとその帰属を示す図である。
ＩＲスペクトルから、フタル酸エステルの有無を確認する場合には、フタル酸エステルに特徴的な１，２−置換ベンゼン環（Ｘ部）由来の１６００ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1のピーク（Ｚ部及びＺ部を拡大したＺ１部）を用いることができる。しかし、ピーク強度が小さいため、上記のような差スペクトルの強度を大きく又は小さくする処理を伴う規格化の基準ピークとして用いた場合には、誤差が大きくなってしまう。そこで、１，２−置換ベンゼン環由来の１６００ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1のピークと連動した強度変化を示す、より強度の大きいフタル酸エステルの骨格構造由来のピークを調べた。その結果、上記のようなエステル（Ｙ部）のＣ−Ｏ伸縮に帰属する１１２０ｃｍ-1付近のピークが好適であることを見出した。
このような知見に基づき、ここでは上記の規格化に用いる基準ピークとして１１２０ｃｍ-1付近のピークを採用する。
上記のような規格化の後、分析装置４００は、スペクトル処理部４２０により、規格化された第１差スペクトルと第２差スペクトルの、強度差のあるピーク位置と、そのピーク位置における互いのピーク強度とを抽出する（図１５；ステップＳ２４）。
ピーク位置とそのピーク強度の抽出は、少なくとも１つのピーク位置について行われる。複数のピーク位置について、それぞれピーク位置とそのピーク強度の抽出を行うようにすれば、後述する一致性の判定の精度を高めることができる。ここでは、強度差のある複数のピーク位置と、各ピーク位置のピーク強度とを抽出する場合を例にして説明する。
ピーク位置群と各々のピーク強度の抽出後、分析装置４００は、判定情報生成部４３０により、各ピーク位置における、規格化された第１差スペクトルと第２差スペクトルのピーク強度の中間値を算出する（図１５；ステップＳ２５）。
そして、分析装置４００は、判定情報生成部４３０により、ＤＩＮＰの第２差スペクトルの各ピーク位置におけるピーク強度が、算出した中間値に対して大きいか小さいかを正負の符号で表した情報を含む判定基準テーブルを生成する（図１５；ステップＳ２６）。
判定基準テーブルの一例を図１８に示す。
図１８の判定基準テーブル５００には、ステップＳ２４で抽出される１０箇所（Ｎｏ．１〜１０）のピーク位置と、各ピーク位置における第１差スペクトル（ＤＥＨＰ）と第２差スペクトル（ＤＩＮＰ）の規格化前後のピーク強度の情報が含まれる。判定基準テーブル５００には更に、ステップＳ２５で算出される、各ピーク位置における第１差スペクトル（ＤＥＨＰ）と第２差スペクトル（ＤＩＮＰ）の規格化後のピーク強度の中間値の情報が含まれる。ステップＳ２６では、これらの情報に加え、第２差スペクトル（ＤＩＮＰ）のピーク強度が、算出された中間値に対して大きい場合を正（＋）、小さい場合を負（−）の符号で表した情報（ＤＩＮＰ符号）を更に含めた判定基準テーブル５００が生成される。
また、分析装置４００は、スペクトル取得部４１０により、判別対象のフタル酸エステルを金属板上の下地膜に付着させた第３試料の第３金属反射ＩＲスペクトルを取得する（図１６；ステップＳ３０）。
次いで、分析装置４００は、スペクトル処理部４２０により、第３金属反射ＩＲスペクトルと、先にステップＳ２１でスペクトル取得部４１０により取得されたブランク金属反射ＩＲスペクトルとの第３差スペクトルを生成する（図１６；ステップＳ３１）。尚、第３差スペクトルを生成する際、スペクトル取得部４１０により改めてブランク金属反射ＩＲスペクトルを取得してもよい。
分析装置４００は、スペクトル処理部４２０により、生成された第３差スペクトルを、そのベースラインと基準ピーク位置の強度を用いて規格化する（図１６；ステップＳ３２）。
この規格化は、上記ステップＳ２３の第１差スペクトルと第２差スペクトルの規格化と同様にして行う。即ち、第３差スペクトルのベースラインを、第１差スペクトル及び第２差スペクトルのベースラインに揃える。そして、第３差スペクトルの基準ピーク位置（１１２０ｃｍ-1付近のＣ−Ｏ伸縮に帰属するピーク位置）の強度を、規格化した第１差スペクトル及び第２差スペクトルの基準ピーク位置の強度に合わせるように、第３差スペクトル全体の強度を大きく又は小さくする。
規格化後、分析装置４００は、スペクトル処理部４２０により、規格化された第３差スペクトルの所定のピーク位置と、そのピーク位置におけるピーク強度とを抽出する（図１６；ステップＳ３３）。第３差スペクトルについては、上記ステップＳ２４で第１差スペクトルと第２差スペクトルの間で強度差があるとして抽出されたピーク位置群を抽出し、各々のピーク位置における第３差スペクトルのピーク強度を抽出する。
次いで、分析装置４００は、判定情報生成部４３０により、抽出した各ピーク位置について、第３差スペクトルのピーク強度から、上記ステップＳ２５で算出された中間値を差し引く（図１６；ステップＳ３４）。
そして、分析装置４００は、判定情報生成部４３０により、差し引いて得られた値の正負の情報、即ち、第３差スペクトルのピーク強度が中間値に対して大きいか小さいかを示す情報を含む判定対象テーブルを生成する（図１６；ステップＳ３５）。
判定対象テーブルの例を図１９及び図２０に示す。
ここでは、フタル酸エステルを含有する２種類のケーブル被覆材（製品Ａ及び製品Ｂ）を第３試料として用い、第３金属反射ＩＲスペクトルを取得し、それを用いることによって得られた判定対象テーブルを例示する。図１９には、製品Ａについて得られた判定対象テーブル６００Ａを示し、図２０には、製品Ｂについて得られた判定対象テーブル６００Ｂを示している。
製品Ａについては、その製品Ａに含まれるフタル酸エステルを、蒸気捕集法によって金属板上の下地膜に付着させることで、第３試料が準備される。尚、既知フタル酸エステルとの一致性判定に用いる場合には、例えば、製品Ａに含まれるフタル酸エステルの蒸気捕集時に、下地膜をその内部にフタル酸エステルを相溶させるような温度で加熱せず、蒸気捕集後に一定時間経過させて第３試料が準備される。
このような第３試料について、第３金属反射ＩＲスペクトルが測定される。この第３金属反射ＩＲスペクトルが、スペクトル取得部４１０により取得される（ステップＳ３０）。そして、その第３金属反射ＩＲスペクトルが用いられて、スペクトル処理部４２０により、第３差スペクトルが生成され（ステップＳ３１）、その規格化が行われ（ステップＳ３２）、所定のピーク位置群と各ピーク位置のピーク強度が抽出される（ステップＳ３３）。このようにして抽出された第３差スペクトルの各ピーク強度から、それぞれ上記ステップＳ２５で算出された中間値が差し引かれる（ステップＳ３４）。
図１９の判定対象テーブル６００Ａには、抽出される１０箇所（Ｎｏ．１〜１０）のピーク位置と、各ピーク位置における第３差スペクトルの規格化前後のピーク強度、及び、規格化後の各ピーク強度からそれぞれ上記中間値を差し引いた値の情報が含まれる。ステップＳ３５では、これらの情報に加え、第３差スペクトルの規格化後の各ピーク強度からそれぞれ上記中間値を差し引いた値の正負の情報（判定対象符号）を更に含めた判定対象テーブル６００Ａが生成される。
製品Ｂについても同様に、その製品Ｂに含まれるフタル酸エステルを、蒸気捕集法によって金属板上の下地膜に付着させることで、第３試料が準備される。尚、既知フタル酸エステルとの一致性判定に用いる場合には、例えば、製品Ｂに含まれるフタル酸エステルの蒸気捕集時に、下地膜をその内部にフタル酸エステルを相溶させるような温度で加熱せず、蒸気捕集後に一定時間経過させて第３試料が準備される。
このような第３試料について、第３金属反射ＩＲスペクトルが測定される。この第３金属反射ＩＲスペクトルが、スペクトル取得部４１０により取得される（ステップＳ３０）。そして、その第３金属反射ＩＲスペクトルが用いられて、スペクトル処理部４２０により、第３差スペクトルが生成され（ステップＳ３１）、その規格化が行われ（ステップＳ３２）、所定のピーク位置群と各ピーク位置のピーク強度が抽出される（ステップＳ３３）。このようにして抽出された第３差スペクトルの各ピーク強度から、それぞれ上記ステップＳ２５で算出された中間値が差し引かれる（ステップＳ３４）。
図２０の判定対象テーブル６００Ｂには、抽出される１０箇所（Ｎｏ．１〜１０）のピーク位置と、各ピーク位置における第３差スペクトルの規格化前後のピーク強度、及び、規格化後の各ピーク強度からそれぞれ上記中間値を差し引いた値の情報が含まれる。ステップＳ３５では、これらの情報に加え、第３差スペクトルの規格化後の各ピーク強度からそれぞれ上記中間値を差し引いた値の正負の情報（判定対象符号）を更に含めた判定対象テーブル６００Ｂが生成される。
ここでは本分析手法による判定対象物質の既知フタル酸エステルとの一致性判定の妥当性を評価するため、製品ＡとしてＤＥＨＰ（３０．８ｗｔ％）を含有するケーブル被覆材を用い、製品ＢとしてＤＩＮＰ（２３．２ｗｔ％）を含有するケーブル被覆材を用いている。
分析装置４００は、このような判定対象テーブル６００Ａ及び判定対象テーブル６００Ｂの生成後、次のような処理を実行する。
まず、製品Ａについて得られた判定対象テーブル６００Ａを用いた場合を例に、分析装置４００が実行する処理について説明する。
この場合、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、判定対象テーブル６００Ａ（図１９）と、上記判定基準テーブル５００（図１８）とを参照する。分析装置４００は、一致性判定部４４０により、判定対象テーブル６００Ａに含まれる判定対象符号（＋／−）の情報と、判定基準テーブル５００に含まれるＤＩＮＰ符号（＋／−）の情報とを比較する（図１６；ステップＳ３６）。
そして、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、判定対象テーブル６００Ａの判定対象符号と、判定基準テーブル５００のＤＩＮＰ符号とが、全て一致するか否かを判定する（図１６；ステップＳ３７）。
この例では、判定対象テーブル６００Ａの各ピーク位置（Ｎｏ．１〜１０）の判定対象符号（＋／−）と、判定基準テーブル５００の各ピーク位置（Ｎｏ．１〜１０）のＤＩＮＰ符号（＋／−）とが正反対の関係になっている。
この例のように互いの判定対象符号とＤＩＮＰ符号とが全て一致しない場合、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、判定対象符号とＤＩＮＰ符号とが全て不一致なのか否かを判定する（図１６；ステップＳ３８）。そして、この例のように全て不一致の場合には、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、この判定対象テーブル６００Ａが得られた製品Ａに含まれる判定対象物質のフタル酸エステルがＤＩＮＰ以外（この例ではＤＥＨＰ）であると判定する（図１６；ステップＳ３９）。
判定対象符号とＤＩＮＰ符号とが全て一致していないが、一部は一致している場合には（図１６；ステップＳ３８）、その一致割合（＝〔一致するピーク位置の数〕／〔全ピーク位置の数〕）を算出する（図１６；ステップＳ４０）。このような一致割合を用いることで、判定対象物質の、ＤＩＮＰとの一致性、一致確率を評価することができる。
続いて、製品Ｂについて得られた判定対象テーブル６００Ｂを用いた場合を例に、分析装置４００が実行する処理について説明する。
この場合、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、判定対象テーブル６００Ｂ（図２０）と、上記判定基準テーブル５００（図１８）とを参照し、互いの判定対象符号とＤＩＮＰ符号とを比較する（図１６；ステップＳ３６）。
そして、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、判定対象テーブル６００Ｂの判定対象符号と、判定基準テーブル５００のＤＩＮＰ符号とが、全て一致するか否かを判定する（図１６；ステップＳ３７）。
この例では、判定対象テーブル６００Ｂの各ピーク位置（Ｎｏ．１〜１０）の判定対象符号（＋／−）と、判定基準テーブル５００の各ピーク位置（Ｎｏ．１〜１０）のＤＩＮＰ符号（＋／−）とが全て一致する関係になっている。
この例のように互いの判定対象符号とＤＩＮＰ符号とが全て一致する場合、分析装置４００は、一致性判定部４４０により、この判定対象テーブル６００Ｂが得られた製品Ｂに含まれる判定対象物質のフタル酸エステルがＤＩＮＰであると判定する（図１６；ステップＳ４１）。
分析装置４００を用いた上記のような処理によれば、製品中に含まれる判定対象物質のフタル酸エステルが、ＤＩＮＰなのか、ＤＩＮＰ以外なのか、ＤＩＮＰ以外の場合にはＤＩＮＰとの一致性がどの程度なのか、といったことを評価できる。
前述の通り、ここでは本分析手法の妥当性を評価するため、製品ＡとしてＤＥＨＰが含まれているものを用い、製品ＢとしてＤＩＮＰが含まれているものを用いている。上記の例では、製品Ａについて得られた判定対象テーブル６００Ａを用いると、製品Ａに含まれるフタル酸エステルがＤＩＮＰ以外（ＤＥＨＰ）と判定される。また、製品Ｂについて得られた判定対象テーブル６００Ｂを用いると、製品Ｂに含まれるフタル酸エステルがＤＩＮＰと判定される。このことから、本分析手法は、ケーブル被覆材等の製品中に含まれるフタル酸エステルの、既知フタル酸エステルとの一致性の判定、種類の判別に利用可能であると言うことができる。
本分析手法は、ガスクロマトグラフ質量分析法や液体クロマトグラフ質量分析法を用いる場合に比べ、製品中にどのような種類のフタル酸エステルが含有されているのかを簡便に精度良く分析することが可能である。このような点で、本分析手法は、例えば、製造工場等で実施される、フタル酸エステルを含有し得る製品の受け入れ検査に好適に用いることができる。
尚、上記の例では、判定基準テーブル５００において、中間値とＤＩＮＰのピーク強度の大小からＤＩＮＰ符号を生成し、これを判定対象テーブル６００Ａ，６００Ｂの符号と比較するようにした。このほか、判定基準テーブル５００において、中間値とＤＥＨＰのピーク強度の大小からＤＥＨＰ符号を生成し、これを判定対象テーブル６００Ａ，６００Ｂの符号と比較するようにしてもよい。これにより、製品中に含まれる判定対象物質のフタル酸エステルが、ＤＥＨＰなのか、ＤＥＨＰ以外なのか、ＤＥＨＰ以外の場合にはＤＥＨＰとの一致性がどの程度なのか、といったことを評価できる。
本分析手法は、上記の例のようなＤＥＨＰとＤＩＮＰの組み合わせのほか、他のフタル酸エステルの組み合わせでも同様に適用可能である。
上記のような分析装置４００の処理機能は、コンピュータを用いて実現することができる。
図２１はコンピュータのハードウェア構成の一例を示す図である。
コンピュータ７００は、プロセッサ７０１によって全体が制御される。プロセッサ７０１には、バス７０９を介してＲＡＭ（Random Access Memory）７０２と複数の周辺機器が接続される。プロセッサ７０１は、マルチプロセッサであってもよい。プロセッサ７０１は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、又はＰＬＤ（Programmable Logic Device）である。また、プロセッサ７０１は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ、ＰＬＤのうちの２種以上の要素の組み合わせであってもよい。
ＲＡＭ７０２は、コンピュータ７００の主記憶装置として使用される。ＲＡＭ７０２には、プロセッサ７０１に実行させるＯＳ（Operating System）のプログラムやアプリケーションプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、ＲＡＭ７０２には、プロセッサ７０１による処理に必要な各種データが格納される。
バス７０９に接続される周辺機器としては、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）７０３、グラフィック処理装置７０４、入力インタフェース７０５、光学ドライブ装置７０６、機器接続インタフェース７０７及びネットワークインタフェース７０８がある。
ＨＤＤ７０３は、内蔵したディスクに対して、磁気的にデータの書き込み及び読み出しを行う。ＨＤＤ７０３は、コンピュータ７００の補助記憶装置として使用される。ＨＤＤ７０３には、ＯＳのプログラム、アプリケーションプログラム、及び各種データが格納される。尚、補助記憶装置としては、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置を使用することもできる。
グラフィック処理装置７０４には、モニタ７１１が接続される。グラフィック処理装置７０４は、プロセッサ７０１からの命令に従って、画像をモニタ７１１の画面に表示させる。モニタ７１１としては、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）を用いた表示装置や液晶表示装置等がある。
入力インタフェース７０５には、キーボード７１２及びマウス７１３が接続される。入力インタフェース７０５は、キーボード７１２やマウス７１３から送られてくる信号をプロセッサ７０１に送信する。尚、マウス７１３は、ポインティングデバイスの一例であり、他のポインティングデバイスを使用することもできる。他のポインティングデバイスとしては、タッチパネル、タブレット、タッチパッド、トラックボール等がある。
光学ドライブ装置７０６は、レーザ光等を利用して、光ディスク７１４に記録されたデータの読み取りを行う。光ディスク７１４は、光の反射によって読み取り可能なようにデータが記録された可搬型の記録媒体である。光ディスク７１４には、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）、ＣＤ−Ｒ（Recordable）／ＲＷ（ReWritable）等がある。
機器接続インタフェース７０７は、コンピュータ７００に周辺機器を接続するための通信インタフェースである。例えば、機器接続インタフェース７０７には、メモリ装置７１５やメモリリーダライタ７１６を接続することができる。メモリ装置７１５は、機器接続インタフェース７０７との通信機能を搭載した記録媒体である。メモリリーダライタ７１６は、メモリカード７１７へのデータの書き込み、又はメモリカード７１７からのデータの読み出しを行う装置である。メモリカード７１７は、カード型の記録媒体である。
ネットワークインタフェース７０８は、ネットワーク７１０に接続される。ネットワークインタフェース７０８は、ネットワーク７１０を介して、他のコンピュータ又は通信機器との間でデータの送受信を行う。
以上のようなハードウェア構成によって、分析装置４００の処理機能を実現することができる。
コンピュータ７００は、例えば、コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録されたプログラムを実行することにより、分析装置４００の処理機能を実現する。コンピュータ７００に実行させる処理内容を記述したプログラムは、様々な記録媒体に記録しておくことができる。例えば、コンピュータ７００に実行させるプログラムをＨＤＤ７０３に格納しておくことができる。プロセッサ７０１は、ＨＤＤ７０３内のプログラムの少なくとも一部をＲＡＭ７０２にロードし、プログラムを実行する。また、コンピュータ７００に実行させるプログラムを、光ディスク７１４、メモリ装置７１５、メモリカード７１７等の可搬型記録媒体に記録しておくこともできる。可搬型記録媒体に格納されたプログラムは、例えば、プロセッサ７０１からの制御により、ＨＤＤ７０３にインストールされた後、実行可能となる。また、プロセッサ７０１が、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み出して実行することもできる。
尚、以上の説明では、赤外分光法を用いて得られる金属反射ＩＲスペクトルを例にした。このほか、ラマン分光法を用いて得られるラマンスペクトルでも、異種フタル酸エステルを所定の下地膜に付着させる上記手法を用いることで、識別可能な有意な差のあるラマンスペクトルを得ることが可能である。また、そのようなラマンスペクトルを用い、製品等に含まれるフタル酸エステルの判別をすることも可能である。また、本発明は、下地膜に付着させない時には識別できないが、下地膜に付着させることによりスペクトルに差が生じる、あらゆる測定手段を適用させることができる。
上記については単に本発明の原理を示すものである。更に、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成及び応用例に限定されるものではなく、対応する全ての変形例及び均等物は、添付の請求項及びその均等物による本発明の範囲とみなされる。
１０ 金属板
１０ａ 表面
１０ｂ 裏面
２０ 下地膜
１００ 滴下装置
１１０ フタル酸エステル溶液
２００ 蒸気捕集装置
２１０ 載置部
２２０ 保持部
２３０ ダクト
２５０，３６０ 試料
３００ 測定装置
３１０ 分光器
３２０ 試料室
３３０ 赤外検出器
３４０ ＡＤ変換器
３５０ フーリエ変換処理部
４００ 分析装置
４１０ スペクトル取得部
４２０ スペクトル処理部
４３０ 判定情報生成部
４４０ 一致性判定部
４５０ 制御部
４６０ 記憶部
５００ 判定基準テーブル
６００Ａ，６００Ｂ 判定対象テーブル
７００ コンピュータ
７０１ プロセッサ
７０２ ＲＡＭ
７０３ ＨＤＤ
７０４ グラフィック処理装置
７０５ 入力インタフェース
７０６ 光学ドライブ装置
７０７ 機器接続インタフェース
７０８ ネットワークインタフェース
７０９ バス
７１０ ネットワーク
７１１ モニタ
７１２ キーボード
７１３ マウス
７１４ 光ディスク
７１５ メモリ装置
７１６ メモリリーダライタ
７１７ メモリカード
ここで、図９はＤＥＨＰ及びＤＢＰをそれぞれアルミニウム板上に直接付着させた試料のＩＲスペクトルの一例、図１０はＤＥＨＰ及びＤＢＰをそれぞれアルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた試料のＡＴＲ−ＩＲの差スペクトルの一例である。また、図１１はＤＩＮＰ及びＤＢＰをそれぞれアルミニウム板上に直接付着させた試料のＩＲスペクトルの一例、図１２はＤＩＮＰ及びＤＢＰをそれぞれアルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた試料のＡＴＲ−ＩＲの差スペクトルの一例である。尚、図１０及び図１２には、アルミニウム板上のＰＶＣ膜について得られたブランクの金属反射ＩＲスペクトルを差し引いたものを示している。
図９及び図１０より、ＤＥＨＰとＤＢＰでは、アルミニウム板上に直接付着させた場合（図９）に比べて、アルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた場合（図１０）の方が、両者のＩＲスペクトル間の差がより明確になる。図１１及び図１２より、ＤＩＮＰとＤＢＰでも同様に、アルミニウム板上に直接付着させた場合（図１１）に比べて、アルミニウム板上のＰＶＣ膜に付着させた場合（図１２）の方が、両者のＩＲスペクトル間の差がより明確になる。このように、ＰＶＣ膜に付着させることで、異種フタル酸エステルのＩＲスペクトル間に、識別可能な有意な差を発現させることが可能になる。

Claims (14)

  1. 第１フタル酸エステル及び第２フタル酸エステルを、一対の第１下地膜及び第２下地膜にそれぞれ付着させ、前記第１フタル酸エステル及び前記第２フタル酸エステルが互いに異なる状態をとっている第１試料及び第２試料を準備する工程と、
    前記第１試料及び前記第２試料にそれぞれ電磁波を照射し、第１スペクトル及び第２スペクトルを取得する工程と
    を含むことを特徴とする分析方法。
  2. 前記第１フタル酸エステル及び前記第２フタル酸エステルの前記異なる状態は、
    前記第１フタル酸エステル及び前記第２フタル酸エステルが前記第１下地膜及び前記第２下地膜に付着することにより、単体と異なる状態になることと、前記第１下地膜及び前記第２下地膜に対する吸収の状態が異なることにより生じることを特徴とする請求項１に記載の分析方法。
  3. 前記第１試料及び前記第２試料を準備する工程は、
    前記第１フタル酸エステルが前記第１下地膜の内部に吸収された状態の前記第１試料、及び、前記第２フタル酸エステルが前記第２下地膜の表面に残存する状態の前記第２試料を準備することを特徴とする請求項２に記載の分析方法。
  4. 前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する判定対象物質を、前記第１下地膜及び前記第２下地膜と同種の第３下地膜に付着させた第３試料を準備する工程と、
    前記第３試料に電磁波を照射し、第３スペクトルを取得する工程と、
    前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを用いて、前記判定対象物質の、前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する工程と
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の分析方法。
  5. 前記一致性を判定する工程は、
    前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを、各々のベースラインと、共通の基準ピーク位置の強度とを用いて規格化する工程と、
    規格化された前記第１スペクトルと前記第２スペクトルの、強度差のある互いの第１ピーク位置の強度の第１中間値を生成する工程と、
    規格化された前記第３スペクトルの前記第１ピーク位置の強度の、前記第１中間値に対する大小を判定する工程と、
    前記第１中間値に対する大小に基づき、前記判定対象物質の前記一致性を判定する工程と
    を含むことを特徴とする請求項４に記載の分析方法。
  6. 前記一致性を判定する工程は、
    規格化された前記第１スペクトルと前記第２スペクトルの、強度差のある互いの第２ピーク位置の強度の第２中間値を生成する工程と、
    規格化された前記第３スペクトルの前記第２ピーク位置の強度の、前記第２中間値に対する大小を判定する工程と、
    前記第１中間値に対する大小、及び、前記第２中間値に対する大小に基づき、前記判定対象物質の前記一致性を判定する工程と
    を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の分析方法。
  7. 前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを取得する工程は、前記第１試料、前記第２試料及び前記第３試料の各々に電磁波を照射して測定されるスペクトル群と、前記第１下地膜又は前記第２下地膜に電磁波を照射して測定されるブランクスペクトルとの差スペクトル群を、それぞれ前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルとして取得する工程を含むことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の分析方法。
  8. 前記第３試料を準備する工程は、前記判定対象物質を含む第４試料を加熱して発生させた前記判定対象物質の蒸気を前記第３下地膜に付着させる工程を含むことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の分析方法。
  9. 第１フタル酸エステル及び第２フタル酸エステルを、一対の第１下地膜及び第２下地膜にそれぞれ付着させ、前記第１フタル酸エステル及び前記第２フタル酸エステルが互いに異なる状態をとっている第１試料及び第２試料に対し、それぞれ電磁波を照射して測定される、第１スペクトル及び第２スペクトルを取得する第１取得部と、
    前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する判定対象物質を、前記第１下地膜及び前記第２下地膜と同種の第３下地膜に付着させた第３試料に対し、電磁波を照射して測定される、第３スペクトルを取得する第２取得部と、
    前記第１取得部によって取得された前記第１スペクトル及び前記第２スペクトル、並びに、前記第２取得部によって取得された前記第３スペクトルを用いて、前記判定対象物質の、前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する第１判定部と
    を含むことを特徴とする分析装置。
  10. 前記第１判定部は、
    前記第１取得部によって取得された前記第１スペクトル及び前記第２スペクトル、並びに、前記第２取得部によって取得された前記第３スペクトルを、各々のベースラインと、共通の基準ピーク位置の強度とを用いて規格化する規格化部と、
    前記規格化部によって規格化された前記第１スペクトルと前記第２スペクトルの、強度差のある互いの第１ピーク位置の強度の第１中間値を生成する生成部と、
    前記規格化部によって規格化された前記第３スペクトルの前記第１ピーク位置の強度の、前記第１中間値に対する大小を判定する第２判定部と、
    前記第２判定部によって判定された前記第１中間値に対する大小に基づき、前記判定対象物質の前記一致性を判定する第３判定部と
    を含むことを特徴とする請求項９に記載の分析装置。
  11. 前記第１取得部及び前記第２取得部は、前記第１試料、前記第２試料及び前記第３試料の各々に電磁波を照射して測定されるスペクトル群と、前記第１下地膜又は前記第２下地膜に電磁波を照射して測定されるブランクスペクトルとの差スペクトル群を、それぞれ前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルとして取得することを特徴とする請求項９又は１０に記載の分析装置。
  12. コンピュータに、
    第１フタル酸エステル及び第２フタル酸エステルを、一対の第１下地膜及び第２下地膜にそれぞれ付着させ、前記第１フタル酸エステル及び前記第２フタル酸エステルが互いに異なる状態をとっている第１試料及び第２試料に対し、それぞれ電磁波を照射して測定される、第１スペクトル及び第２スペクトルを取得し、
    前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する判定対象物質を、前記第１下地膜及び前記第２下地膜と同種の第３下地膜に付着させた第３試料に対し、電磁波を照射して測定される、第３スペクトルを取得し、
    前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを用いて、前記判定対象物質の、前記第１フタル酸エステル又は前記第２フタル酸エステルとの一致性を判定する
    処理を実行させることを特徴とする分析プログラム。
  13. 前記一致性を判定する処理は、
    前記コンピュータに、
    前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを、各々のベースラインと、共通の基準ピーク位置の強度とを用いて規格化し、
    規格化された前記第１スペクトルと前記第２スペクトルの、強度差のある互いの第１ピーク位置の強度の第１中間値を生成し、
    規格化された前記第３スペクトルの前記第１ピーク位置の強度の、前記第１中間値に対する大小を判定し、
    前記第１中間値に対する大小に基づき、前記判定対象物質の前記一致性を判定する
    処理を実行させることを特徴とする請求項１２に記載の分析プログラム。
  14. 前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルを取得する際は、前記第１試料、前記第２試料及び前記第３試料の各々に電磁波を照射して測定されるスペクトル群と、前記第１下地膜又は前記第２下地膜に電磁波を照射して測定されるブランクスペクトルとの差スペクトル群を、それぞれ前記第１スペクトル、前記第２スペクトル及び前記第３スペクトルとして取得することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の分析プログラム。
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