JPWO2016017773A1 - タッチパネル用導電性基板、タッチパネル用導電性基板の製造方法 - Google Patents

タッチパネル用導電性基板、タッチパネル用導電性基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】絶縁体基材と、前記絶縁体基材の少なくとも一方の面上に配置され、ニッケルを含有する下地金属層と、前記下地金属層上に配置された銅薄膜層と、前記銅薄膜層上に配置され、前記銅薄膜層と対向する一の面と、前記一の面の反対側に位置する他の面とを有する銅めっき被膜とを備え、前記銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度が、１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下であり、前記銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であるタッチパネル用導電性基板を提供する。

Description

本発明は、タッチパネル用導電性基板、タッチパネル用導電性基板の製造方法に関する。
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられるタッチパネル用導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、タッチパネル用導電性基板に用いる導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求される。
このため、タッチパネル用導電性基板に用いられる導電層の材料としては反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。
近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。
そこで、導電性基板の電気抵抗を抑制するため、導電層として金属箔を用いることが検討されている（例えば、特許文献２、３）。
日本国特開２００３−１５１３５８号公報 日本国特開２０１１−０１８１９４号公報 日本国特開２０１３−０６９２６１号公報
しかしながら、タッチパネル用導電性基板に含まれる導電層として銅等の金属箔を用いた場合、金属箔は金属光沢を有しているため、金属箔の表面での反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
上記従来技術の問題に鑑み本発明の一側面では、金属を用いた導電層を含み、導電層による光の反射を抑制したタッチパネル用導電性基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
絶縁体基材と、
前記絶縁体基材の少なくとも一方の面上に配置され、ニッケルを含有する下地金属層と、
前記下地金属層上に配置された銅薄膜層と、
前記銅薄膜層上に配置され、前記銅薄膜層と対向する一の面と、前記一の面の反対側に位置する他の面とを有する銅めっき被膜と、を備え、
前記銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度が、１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下であり、
前記銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であるタッチパネル用導電性基板を提供する。
本発明の一側面によれば、金属を用いた導電層を含み、導電層による光の反射を抑制したタッチパネル用導電性基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係るタッチパネル用導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るタッチパネル用導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るパターン化したタッチパネル用導電性基板の構成説明図。 図２ＡのＡ−Ａ´面における断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えたタッチパネル用積層導電性基板の構成説明図。 図３ＡのＢ−Ｂ´面における断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えたタッチパネル用導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
以下、本発明のタッチパネル用導電性基板、タッチパネル用導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（タッチパネル用導電性基板、タッチパネル用積層導電性基板）
本実施形態のタッチパネル用導電性基板は、絶縁体基材と、下地金属層と、銅薄膜層と、銅めっき被膜と、を有することができる。
下地金属層は、絶縁体基材の少なくとも一方の面上に配置され、ニッケルを含有することができる。銅薄膜層は下地金属層上に配置することができる。また、銅めっき被膜は、銅薄膜層上に配置することができ、銅薄膜層と対向する一の面と、一の面の反対側に位置する他の面とを有することができる。
そして、銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度を１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下、銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）を０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下とすることができる。
なお、本実施形態のタッチパネル用導電性基板は、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をパターニングする前の、絶縁体基材の表面に下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜を有する基板であってもよい。また、本実施形態のタッチパネル用導電性基板は、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をパターン化した基板、すなわち配線基板であってもよい。なお、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をパターニングした後のタッチパネル用導電性基板は絶縁体基材が下地金属層等により覆われていない領域、すなわち絶縁体基材が露出した領域を含むこととなる。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
絶縁体基材としては特に限定されるものではなく、例えばガラス基板や、各種樹脂基板等任意の材料を用いることができる。特に取扱い性等の観点から、絶縁体基材は樹脂基板であることが好ましい。このため、絶縁体基材としては例えばポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム（ポリエチレンテレフタレート系フィルム）、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルムから選ばれたいずれかの樹脂基板を好適に用いることができ、樹脂基板は樹脂フィルムであることが好ましい。
また、ディスプレイ上に配置した際に、ディスプレイの視認性が高いことが好ましいため、絶縁体基材は光の透過率が高いことが好ましい。このため、絶縁体基材の全光線透過率は、３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。なお、ここでいう絶縁体基材の全光線透過率とは、絶縁体基材単体での全光線透過率を意味している。絶縁体基材の全光線透過率は例えばＪＩＳＫ７３６１−１（２０１１）に基づいて評価を行うことができる。
絶縁体基材の形状は特に限定されるものではないが、例えば板状形状を有することが好ましい。この場合、絶縁体基材は一方の主平面と、一方の主平面と対向する他方の主平面とを有することができる。なお、主平面とは、絶縁体基材の最も広い平面部を意味している。
絶縁体基材の厚さは特に限定されるものではなく、タッチパネル用導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。絶縁体基材はフィルム状、すなわち絶縁体フィルムであることが好ましい。このため、絶縁体基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特に絶縁体基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
次に下地金属層について説明する。
絶縁体基材と、銅薄膜層及び銅めっき被膜を含む銅層との間に下地金属層を形成することにより、絶縁体基材と銅層との密着性を高めることができ、製造過程、または使用時に絶縁体基材から銅層が剥離することをより確実に抑制することができる。
また、銅層は銅を主成分とすることができ、金属光沢を有するため、絶縁体基材上に直接銅層を配置した導電性基板では、絶縁体基材側から入射した光が銅層の表面で反射される場合がある。このため、絶縁体基材上に直接銅層を配置した導電性基板をディスプレイ上に配置した場合、ディスプレイの視認性が低下する恐れがある。これに対して、絶縁体基材と銅層との間に下地金属層を配置した場合、下地金属層により銅層による光の反射を抑制することができ、ディスプレイ上に配置した際にも、ディスプレイの視認性が低下することを抑制できる。
下地金属層は絶縁体基材の少なくとも一方の主平面上に形成することができる。また、後述のように絶縁体基材の一方の主平面、及び他方の主平面の両主平面上に形成することもできる。
下地金属層を構成する材料は特に限定されるものではなく、絶縁体基材及び銅層との密着力や、銅層表面での光の反射の抑制の程度、また、タッチパネル用導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択できる。
下地金属層を構成する材料としては絶縁体基材と銅層との密着性を高め、銅層表面での光の反射を抑制する観点から、Ｎｉを含む材料を好ましく用いることができる。Ｎｉを含む材料としては例えば、Ｎｉと、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、下地金属層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
なお、下地金属層は、Ｎｉと、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属と、を含む金属合金を含むこともできる。この場合も、下地金属層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉと、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属とを含む金属合金、すなわちＮｉ合金としては例えば、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
上述のように下地金属層は絶縁体基材の少なくとも一方の主平面上に形成することができるが、タッチパネル用導電性基板の光の透過率を低減させないため、絶縁体基材と下地金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち下地金属層は、絶縁体基材の上面に接着剤を介することなく、直接形成されていることが好ましい。
下地金属層の成膜方法は特に限定されないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、蒸着法、イオンプレート法等を好ましく用いることができる。
なお、下地金属層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、下地金属層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、下地金属層中に添加することができる。例えば、下地金属層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
下地金属層を乾式めっき法により成膜することにより、絶縁体基材と下地金属層との密着性を特に高めることができる。そして、下地金属層は例えば金属を主成分として含むことができるため銅層との密着性も高い。このため、絶縁体基材と銅層との間に乾式めっき法で成膜した下地金属層を配置することにより、絶縁体基材からの銅層の剥離を特に抑制することができる。
下地金属層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
下地金属層は銅層における光の反射を抑制する機能を有するが、下地金属層の厚さが薄い場合には、銅層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。そこで銅層での反射をより確実に抑制するため、上述のように下地金属層の厚さを３ｎｍ以上とすることが好ましい。
下地金属層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、下地金属層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
次に銅薄膜層について説明する。
銅薄膜層は下地金属層上に形成することができるが、タッチパネル用導電性基板の光の透過率を低減させないため、下地金属層と銅薄膜層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅薄膜層は、下地金属層の上面に接着剤を介することなく、直接形成されていることが好ましい。
銅薄膜層を形成する方法は特に限定されるものではないが、例えば乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。銅薄膜層を乾式めっき法により形成する場合、下地金属層上に接着剤を介さずに直接形成することができる。
銅薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、銅めっき被膜を成膜する際の給電層としても機能するため、１０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。銅薄膜層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅薄膜層は上述のように例えば乾式めっき法により成膜されるため、生産性の観点から３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
次に銅めっき被膜について説明する。
銅めっき被膜は、銅薄膜層上に形成することができる。銅めっき被膜は、銅薄膜層の上面に接着剤を介することなく、直接形成されていることが好ましい。
銅めっき被膜を形成する方法は特に限定されるものではないが、例えば湿式めっき法により成膜することが好ましい。湿式めっき法としては、電気めっき法を用いることが好ましい。なお、既述のように銅めっき被膜は、銅薄膜層と対向する一の面と、一の面の反対側に位置する他の面とを有することができる。
そして、銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度を１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下とすることができる。また、銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）を０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下とすることができる。
銅めっき被膜の他の面は、例えば後述する図１Ａに示すように本実施形態のタッチパネル用導電性基板の外面側に位置することができる。そして銅めっき被膜は主成分が銅であるため、タッチパネル用導電性基板とした場合に銅めっき被膜の他の面で光を鏡面反射（正反射）して視認性に影響を及ぼす恐れがある。そこで本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、銅めっき被膜の他の面の表面粗さを０．０１μｍ以上とすることで、銅めっき被膜の他の面における光を拡散反射（乱反射）させ、銅めっき被膜の他の面の艶を消して視認性に及ぼす影響を抑制できる。特に銅めっき被膜の他の面の拡散反射の割合を十分に高める観点から、銅めっき被膜の他の面の表面粗さは０．０５μｍ以上であることがより好ましい。
銅めっき被膜の他の面の表面粗さの上限値は特に限定されるものではないが、大きくなりすぎると、例えば銅めっき被膜等をエッチング等する際に、マスクと銅めっき被膜との密着性が低くなり、所望の形状にパターニングすることが困難になる恐れがある。このため、銅めっき被膜の他の面の表面粗さは０．１５μｍ以下とすることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。
なお、ここでの表面粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１に規定されており、測定方法としては、例えば触針法もしくは光学的方法等により評価することができる。
銅めっき被膜の他の面の表面粗さを上述の範囲とする方法として、銅めっき被膜の他の面をエッチングする方法が挙げられる。そして、エッチング処理前において、銅めっき被膜の他の面から０．３μｍまでの深さの範囲における硫黄の濃度が１０質量ｐｐｍ以上の場合、銅めっき被膜の他の面のエッチングを行うことで、銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）を上記範囲とすることができる。ただし、銅めっき被膜の他の面の０．３μｍまでの深さの範囲における硫黄の濃度が１５０質量ｐｐｍを超えると銅めっき被膜が脆くなる場合があり、銅めっき被膜が崩れたり、タッチパネル用導電性基板から剥離する恐れがあるため好ましくない。このため、上述のように銅めっき被膜の他の面から０．３μｍまでの深さの範囲における硫黄の濃度は１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。特に、銅めっき被膜の他の面から０．３μｍまでの深さの範囲における硫黄の濃度は５０質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
なお、銅めっき被膜の他の面のエッチングを行うことにより、銅めっき被膜の他の面の一部がエッチングにより除去されて凹部が形成され、銅めっき被膜の他の面に微細な凹凸が形成されると考えられる。このため、銅めっき被膜の他の面の表面のうち、最も高い部分、すなわちエッチング処理後においても凸部として残っている部分から０．３μｍまでの深さの範囲における硫黄濃度は、上述の範囲を満たしていることが好ましい。
また、銅めっき被膜の他の面から０．３μｍを越えた部分についての硫黄濃度は特に限定されるものではなく、例えば銅めっき被膜全体に渡って硫黄濃度が上記範囲であってもよい。
銅めっき被膜を形成する際の電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。硫黄を含有する銅めっき被膜は、例えば硫黄を含有する銅めっき液を用いて形成することができ、硫黄を含有する銅めっき液としては、例えば硫黄原子を含む有機化合物を添加した銅めっき液を用いることができる。
そして、例えばめっき液である銅めっき液中の硫黄原子を含む有機化合物の含有量（添加量）や電流密度、搬送速度を制御することによって、他の面から０．３μｍの深さまでの範囲に渡って、上記硫黄濃度を有する銅めっき被膜を形成できる。ここでの搬送速度とは、絶縁体基材の表面に下地金属層、及び銅薄膜層を形成した被めっき物（基材）をめっき槽に供給、搬送する速度を意味している。
銅めっき被膜を成膜する際に用いる銅めっき液中の硫黄原子を含む有機化合物の含有量は特に限定されるものではないが、例えば、２質量ｐｐｍ以上２５質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、５質量ｐｐｍ以上１５質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。これは、銅めっき液中の硫黄原子を含む有機化合物の含有量を２質量ｐｐｍ以上２５質量ｐｐｍ以下とすることにより、銅めっき被膜の他の面から０．３μｍの深さまでの範囲における硫黄濃度を上記範囲とすることが特に容易になるためである。
硫黄原子を含む有機化合物として使用できるものは、特に限定されるものではないが、例えば、３−(ベンゾチアゾリル−２−チオ)プロピルスルホン酸及びそのナトリウム塩、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸及びそのナトリウム塩、エチレンジチオジプロピルスルホン酸及びそのナトリウム塩、ビス(ｐ−スルホフェニル)ジスルファイド及びその２ナトリウム塩、ビス(４−スルホブチル)ジスルファイド及びその２ナトリウム塩、ビス(３−スルホ−２−ヒドロキシプロピル)ジスルファイド及びその２ナトリウム塩、ビス(３−スルホプロピル)ジスルファイド及びその２ナトリウム塩、ビス(２−スルホプロピル)ジスルファイド及びその２ナトリウム塩、メチル−(ｗ−スルホプロピル)−スルファイド及びその２ナトリウム塩、メチル−(ｗ−スルホプロピル)−トリスルファイド及びその２ナトリウム塩、チオグリコール酸、チオリン酸−オルト−エチル−ビス(ｗ−スルホプロピル)−エステル及びその２ナトリウム塩、チオリン酸−トリス(ｗ−スルホプロピル)−エステル及びその２ナトリウム塩、チオリン酸−トリス(ｗ−スルホプロピル)−エステル及びその３ナトリウム塩などを用いることができる。
上述のように、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングすることにより、銅めっき被膜の他の面の表面粗さを上述の範囲とすることができる。銅めっき被膜の他の面をエッチングする方法は特に限定されるものではないが、例えば、エッチング液を用いることにより行うことができる。用いるエッチング液としては特に限定されるものではなく、銅用のソフトエッチング液を好ましく用いることができる。
下地金属層上に形成された、銅薄膜層と、銅めっき被膜とからなる銅層の膜厚は特に限定されるものではなく、タッチパネル用導電性基板に要求される電気抵抗値や、パターン化した後の配線幅等により任意に選択することができる。ただし、銅薄膜層と、銅めっき被膜とからなる銅層の膜厚は、０．５μｍ以上４．１μｍ以下であることが好ましい。また、銅層の膜厚は０．５μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましい。
これは、銅層の膜厚を０．５μｍ以上とすることにより、タッチパネル用導電性基板の電気抵抗値を十分に低くすることができ、また銅層をパターニングする際に配線パターンが所望の配線幅よりも狭くなったり、断線することを抑制することができるためである。そして、銅層の膜厚を４．１μｍ以下とすることにより、銅層側面部分の面積が小さくなり、銅層側面部分による光の反射を抑制できる。さらに、配線パターンを形成するために銅層をエッチングする際にサイドエッチが生じることを抑制することができる。
また、本実施形態のタッチパネル用導電性基板においてはさらに任意の層を設けることもできる。例えば、銅めっき被膜の上にさらに黒化層を備えることができる。
銅めっき被膜の他の面の表面粗さを上述の範囲とすることで銅めっき被膜表面での鏡面反射を抑制し、銅めっき被膜の他の面の艶を消して視認性に及ぼす影響を抑制できるが、黒化層を設けることで銅めっき被膜の視認性に及ぼす影響をさらに抑制できる。
銅めっき被膜表面での光の反射を抑制する観点から、黒化層はニッケルを含有することが好ましい。すなわち、黒化層を構成する材料としては、Ｎｉ（ニッケル）を含む材料を好ましく用いることができる。Ｎｉを含有する材料として例えば、Ｎｉと、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属と、を含むことが好ましい。また、黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
なお、黒化層を構成する材料としては、Ｎｉと、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属とを含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉと、Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属とを含む金属合金、すなわちＮｉ合金としては例えば、Ｎｉ−Ｃｕ合金や、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
下地金属層と、黒化層とは同じ材料であってもよく、異なる材料であってもよい。ただし、後述のように、下地金属層、銅層、黒化層はエッチングによりパターニングすることができるため、エッチング液に対する反応性が、下地金属層、銅層、黒化層とで同程度であることが好ましく、同じであることがより好ましい。このため、下地金属層と、黒化層とは、同じ材料で構成されていることが特に好ましい。
黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、下地金属層と同様に乾式めっき法により成膜してもよく、また湿式めっき法により成膜することもできる。
黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、タッチパネル用導電性基板において要求される反射率（正反射率）の程度等に応じて任意に選択することができる。
次に、本実施形態のタッチパネル用導電性基板の構成例について説明する。
上述のように、本実施形態の導電性基板は絶縁体基材と、下地金属層と、銅薄膜層と、銅めっき被膜とを備え、絶縁体基材上に、下地金属層、銅薄膜層、銅めっき被膜がその順で積層した構成とすることができる。
具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂは、本実施形態の導電性基板の、絶縁体基材、下地金属層、銅薄膜層、銅めっき被膜の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
例えば、図１Ａに示したタッチパネル用導電性基板１０Ａのように、絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側に下地金属層１２、銅薄膜層１３と、銅めっき被膜１４と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。図１Ａにおいて銅めっき被膜１４は銅薄膜層１３と対向する一の面１４ａと、一の面１４ａの反対側に位置する他の面１４ｂとを有している。
また、図１Ｂに示したタッチパネル用導電性基板１０Ｂのように、絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側と、第２の主平面１１ｂ側と、にそれぞれ下地金属層１２１、１２２と、銅薄膜層１３１、１３２と、銅めっき被膜１４１、１４２と、を一層ずつその順に積層することもできる。図１（Ｂ）において、銅めっき被膜１４１（１４２）は銅薄膜層１３１（１３２）と対向する一の面１４１ａ（１４２ａ）と、一の面１４１ａ（１４２ａ）の反対側に位置する他の面１４１ｂ（１４２ｂ）とを有している。
なお、図１Ａ、図１Ｂに示したタッチパネル用導電性基板においては、既述のように、図示しない黒化層を設けることもできる。黒化層を設ける場合、図１Ａのタッチパネル用導電性基板においては、例えば銅めっき被膜１４の他の面１４ｂ上に配置することができる。また、図１Ｂのタッチパネル用導電性基板においては、例えば銅めっき被膜１４１の他の面１４１ｂ上、および／または銅めっき被膜１４２の他の面１４２ｂ上に黒化層を配置することができる。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、絶縁体基材１１と、銅薄膜層１３（１３１、１３２）との間に下地金属層１２（１２１、１２２）を配置することにより、絶縁体基材１１側から銅薄膜層１３（１３１、１３２）に向かって入射する光の反射を抑制できる。この場合、下地金属層１２（１２１、１２２）の、絶縁体基材１１を介した正反射率は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における平均正反射率が３０％以下であることが好ましく、２５％以下であることがより好ましい。
下地金属層１２（１２１、１２２）の絶縁体基材１１を介した波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均正反射率が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた時に、外部からの光や、ディスプレイからの光の反射を十分に抑制できる。このため、ディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
係る反射率の測定は、絶縁体基材１１側から、下地金属層１２（１２１、１２２）に光を照射するようにして行うことができる。
具体的には例えば図１Ａのように絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側に下地金属層１２、銅薄膜層１３、銅めっき被膜１４の順に積層した場合、下地金属層１２に光を照射するように、絶縁体基材１１の第２の主平面１１ｂ側から光を照射し、測定できる。
測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で変化させて絶縁体基材１１を介して下地金属層１２（１２１、１２２）に対して照射し、測定した値の平均値を該下地金属層１２（１２１、１２２）の絶縁体基材１１を介した波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における光の平均正反射率とすることができる。
また、本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）表面における正反射率は特に限定されるものではなく、タッチパネル用導電性基板に要求される性能等に応じて任意に選択できる。ただし、銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）表面の、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における平均正反射率は、例えば３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。
これは、銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）表面の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均正反射率が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた時に、外部からの光や、ディスプレイからの光の反射を十分に抑制できるからである。このため、ディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
係る反射率の測定は、銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）に光を照射するようにして行うことができる。
具体的には例えば図１Ａのように絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側に下地金属層１２、銅薄膜層１３、銅めっき被膜１４の順に積層した場合、銅めっき被膜１４の他の面１４ｂに光を照射し、測定できる。
測定は波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲で光を例えば波長１ｎｍ間隔で変化させて銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）に対して照射して実施できる。そして、この際に測定した値の平均値を該銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）表面における波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均正反射率とすることができる。
また、既述のように、本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、銅めっき被膜１４（１４１、１４２）の他の面１４ｂ（１４１ｂ、１４２ｂ）上に黒化層を形成することができる。そして、黒化層表面における正反射率は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における平均正反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。
黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた時に、外部からの光や、ディスプレイからの光の反射を十分に抑制できる。このため、ディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないため好ましい。
黒化層の正反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして行うことができる。
具体的には例えば図１Ａに示したタッチパネル用導電性基板１０Ａにおいて、銅めっき被膜１４の他の面１４ｂ上に黒化層を形成した場合、黒化層の銅めっき被膜１４と対向した面とは反対側の面に光を照射し、測定できる。
測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で変化させて黒化層に対して照射し、測定した値の平均値を該黒化層表面における波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における光の平均正反射率とすることができる。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、下地金属層表面、または黒化層表面で測定した光の正反射率が上記範囲であることが好ましく、特に下地金属層表面、及び黒化層表面における光の正反射率がいずれも上記範囲を満たすことがより好ましい。
そして、本実施形態のタッチパネル用導電性基板は例えばタッチパネルに用いることができる。タッチパネルの用途に用いる場合には、本実施形態のタッチパネル用導電性基板に含まれる、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜がパターン化されていることが好ましい。下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。なお、黒化層を設ける場合、黒化層についても下地金属層等と同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
ここまで本実施形態のタッチパネル用導電性基板について説明したが、係るタッチパネル用導電性基板は複数枚積層してタッチパネル用積層導電性基板とすることもできる。タッチパネル用導電性基板を積層する場合、タッチパネル用導電性基板に含まれる下地金属層、銅薄膜層、銅めっき被膜は上述のようにパターニングされていることが好ましい。なお、黒化層を設けた場合には黒化層もパターニングされていることが好ましい。
特にタッチパネルの用途に用いる場合、タッチパネル用導電性基板、またはタッチパネル用積層導電性基板は、メッシュ状の配線を備えていることが好ましい。
ここで、２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を形成する場合を例に、積層前のタッチパネル用導電性基板に形成する下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜のパターンの形状の構成例について図２Ａ、図２Ｂを用いて説明する。
図２Ａは、メッシュ状の配線を備えたタッチパネル用積層導電性基板を構成する２枚のタッチパネル用導電性基板のうち一方のタッチパネル用導電性基板について、タッチパネル用導電性基板２０を上面側、すなわち絶縁体基材１１の主平面と垂直な方向から見た図である。また、図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ´線における断面図を示している。
図２Ａ、図２Ｂに示したタッチパネル用導電性基板２０のように、絶縁体基材１１上のパターン化された下地金属層２２、銅薄膜層２３、及び銅めっき被膜２４は、同じ形状とすることができる。例えばパターン化された銅めっき被膜２４は、図２Ａ中に示した直線形状の複数のパターン（銅めっき被膜パターン２４Ａ〜２４Ｇ）を有し、係る複数の直線形状のパターンは図中Ｙ軸に平行に、かつ、図中Ｘ軸方向に互いに離隔して配置できる。この際、図２（Ａ）に示したように絶縁体基材１１が四角形状を有する場合、銅めっき被膜のパターン（銅めっき被膜パターン２４Ａ〜２４Ｇ）は、例えば絶縁体基材１１の一辺と平行になるように配置することができる。
なお、上述のように、パターン化された下地金属層２２、及びパターン化された銅薄膜層２３は、パターン化された銅めっき被膜２４と同様の形状にパターニングした場合、パターン間では絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａが露出することになる。
また、銅めっき被膜２４上に黒化層を配置した場合、黒化層も下地金属層２２等と同じ形状にパターニングすることができ、この場合も、パターン間では絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａが露出することになる。
図２Ａ、図２Ｂに示した、パターン化された下地金属層２２、銅薄膜層２３、及び銅めっき被膜２４のパターン形成方法は特に限定されない。例えば、銅めっき被膜２４を形成後、銅めっき被膜２４上に形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置し、エッチングすることによりパターン形成できる。用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をエッチングすることもできる。なお、黒化層を設けた場合も同様である。
そして、上述の下地金属層等がパターン化された２枚のタッチパネル用導電性基板を積層することにより、タッチパネル用積層導電性基板を形成することができる。タッチパネル用積層導電性基板について、図３Ａ、図３Ｂを用いて説明する。図３Ａは、タッチパネル用積層導電性基板３０を上面側、すなわち、２枚のタッチパネル用導電性基板の積層方向に沿った上面側から見た図を示しており、図３Ｂは、図３ＡのＢ−Ｂ´線における断面図を示している。
タッチパネル用積層導電性基板３０は、図３Ｂに示すようにタッチパネル用導電性基板２０１と、タッチパネル用導電性基板２０２と、を積層して得ることができる。なお、タッチパネル用導電性基板２０１、２０２は共に、絶縁体基材１１１（１１２）の第１の主平面１１１ａ（１１２ａ）上に、パターン化された下地金属層２２１（２２２）、銅薄膜層２３１（２３２）、及び銅めっき被膜２４１（２４２）を積層した構成とすることができる。タッチパネル用導電性基板２０１、２０２のパターン化された下地金属層２２１（２２２）、銅薄膜層２３１（２３２）、及び銅めっき被膜２４１（２４２）は、いずれも上述したタッチパネル用導電性基板２０の場合と同様に直線形状の複数のパターンを有するようにパターン化できる。
そして、図３Ｂに示したタッチパネル用積層導電性基板は、一方のタッチパネル用導電性基板２０１の絶縁体基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方のタッチパネル用導電性基板２０２の絶縁体基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層している。
なお、一方のタッチパネル用導電性基板２０１の上下を逆にして、一方のタッチパネル用導電性基板２０１の絶縁体基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方のタッチパネル用導電性基板２０２の絶縁体基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。この場合、後述する図４と同様の配置となる。
２枚のタッチパネル用導電性基板を積層する際、図３Ａ、図３Ｂに示すように、一方のタッチパネル用導電性基板２０１のパターン化された銅めっき被膜２４１と、他方のタッチパネル用導電性基板２０２のパターン化された銅めっき被膜２４２と、が交差するように積層することができる。具体的には例えば、図３Ａにおいて、一方のタッチパネル用導電性基板２０１のパターン化された銅めっき被膜２４１はそのパターンの長さ方向が図中のＸ軸方向と平行になるように配置できる。そして、他方のタッチパネル用導電性基板２０２のパターン化された銅めっき被膜２４２はそのパターンの長さ方向が図中のＹ軸方向と平行になるように配置することができる。
なお、図３Ａは上述のようにタッチパネル用積層導電性基板３０の積層方向に沿って見た図のため、各タッチパネル用導電性基板２０１、２０２の最上部に配置されたパターン化された銅めっき被膜２４１、２４２のみを示している。図３Ａ、図３Ｂに示したタッチパネル用積層導電性基板において、パターン化された下地金属層２２１、２２２、及び銅薄膜層２３１、２３２もパターン化された銅めっき被膜２４１、２４２と同じパターンとなっている。このため、パターン化された下地金属層２２１、２２２、及び銅薄膜層２３１、２３２もパターン化された銅めっき被膜２４１、２４２と同様にメッシュ状となる。
積層した２枚のタッチパネル用導電性基板の接着方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等により接着、固定することができる。
以上に説明したように一方のタッチパネル用導電性基板２０１と、他方のタッチパネル用導電性基板２０２と、を積層することにより、図３Ａに示したように、メッシュ状の配線を備えたタッチパネル用積層導電性基板３０とすることができる。
なお、図３Ａ、図３Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
ここでは、２枚のタッチパネル用導電性基板を積層することによりメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする例を用いて説明したが、メッシュ状の配線を備えた（積層）導電性基板とする方法は係る形態に限定されるものではない。例えば図１Ｂに示した、絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに下地金属層１２１、１２２、銅薄膜層１３１、１３２、銅めっき被膜１４１、１４２を積層したタッチパネル用導電性基板１０Ｂからもメッシュ状の配線を備えた導電性基板を形成できる。
この場合例えば、絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した、下地金属層１２１、銅薄膜層１３１、及び銅めっき被膜１４１を、図１Ｂ中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。また、絶縁体基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した、下地金属層１２２、銅薄膜層１３２、及び銅めっき被膜１４２を図１Ｂ中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化する。パターン化は上述のように例えばエッチングにより実施できる。
これにより図４に示したタッチパネル用導電性基板４０のように、絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側に形成したパターン化された銅薄膜層４３１及び銅めっき被膜４４１と、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターン化された銅薄膜層４３２及び銅めっき被膜４４２と、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。なお、図４に示すように下地金属層４２１、４２２についても銅薄膜層４３１、４３２、及び銅めっき被膜４４１、４４２と同様にメッシュ状になっている。
なお、図３、図４においては黒化層を設けていない例を示しているが、既述のように銅めっき被膜の上面にさらに黒化層を配置することができ、黒化層についても、下地金属層等と同様の形状にパターニングすることができる。
以上に説明した本実施形態のタッチパネル用（積層）導電性基板によれば、銅めっき被膜の他の面の表面粗さは既述のように所定の範囲とすることができる。このため、銅めっき被膜表面での光の正反射を抑制することができる。また、銅薄膜層と絶縁体基材との間には下地金属層が配置されているため、絶縁体基材を介して入射した光の銅薄膜層表面での正反射も抑制することができる。
さらに、本実施形態のタッチパネル用（積層）導電性基板は、銅薄膜層と銅めっき被膜とからなる銅層を有し、該銅層は導電層として機能することができる。このように本実施形態のタッチパネル用導電性基板は、金属を用いた導電層を含むことにより、電気抵抗値を低くすることができる。
（タッチパネル用導電性基板の製造方法、タッチパネル用積層導電性基板の製造方法）
次に本実施形態のタッチパネル用導電性基板の製造方法、及びタッチパネル用積層導電性基板の構成例について説明する。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
絶縁体基材の少なくとも一方の面上に、ニッケルを含有する下地金属層を形成する下地金属層形成工程。
下地金属層上に銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成工程。
銅薄膜層上に銅薄膜層と対向する一の面と、一の面の反対側に位置する他の面とを有する銅めっき被膜を形成する銅めっき被膜形成工程。
そして、銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度を、１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下とすることができる。
また、銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）を０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下とすることができる。
以下に本実施形態のタッチパネル用導電性基板の製造方法、及びタッチパネル用積層導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述のタッチパネル用導電性基板、タッチパネル用積層導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
下地金属層形成工程に供する絶縁体基材は予め準備しておくことができる。用いる絶縁体基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のようにガラス基板や、各種樹脂基板等任意の材料を用いることができる。特に好適に用いることができる材料については既述のため説明を省略する。絶縁体基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
そして、下地金属層形成工程は絶縁体基材上にニッケルを含有する下地金属層を形成する工程である。
下地金属層は図１Ａに示したように、絶縁体基材１１の少なくとも一方の主平面、例えば第１の主平面１１ａ上に形成することができる。また、図１Ｂに示すように絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に下地金属層１２１、１２２を形成することもできる。絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に下地金属層を形成する場合には、両主平面に同時に下地金属層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に下地金属層を形成後に他方の主平面に下地金属層を形成してもよい。
下地金属層を構成する材料は特に限定されるものではなく、絶縁体基材と、銅層（銅薄膜層及び銅めっき被膜）との密着力や、銅層表面での光の反射の抑制の程度、また、タッチパネル用導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択できる。下地金属層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。
下地金属層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や、蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。
なお、下地金属層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、下地金属層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、下地金属層中に添加することができる。例えば、下地金属層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
スパッタリング法により下地金属層を成膜する場合、ターゲットとしては、下地金属層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。下地金属層が合金を含む場合には、下地金属層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、絶縁体基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め下地金属層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
下地金属層は例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いた場合を例に下地金属層形成工程を説明する。
図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。
図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。
ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１０−３Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０−４Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
筐体５１内には、下地金属層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。また、下地金属層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ〜５８ｈや、ヒーター６１等を設けることもできる。
巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって下地金属層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。
キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。
また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂや、ガイドロール５８ａ〜５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの下地金属層を成膜する基材の巾方向の寸法は、下地金属層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
下地金属層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで下地金属層が成膜される。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて下地金属層を成膜する場合、所定のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、下地金属層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、アルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段５９により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
なお、気体供給手段５９は、例えば供給するスパッタリングガスのガス種毎に図示しないボンベを有することができる。そして、ボンベと筐体５１との間に、例えばガス種ごとに図に示したようにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）や、バルブ等を設け、供給するスパッタリングガスの流量を調整可能に構成できる。
また、筐体５１には例えば真空計６２ａ、６２ｂを設置しておき、筐体５１内を真空引きする際や、筐体５１内にスパッタリングガスを供給した際の、筐体５１内の真空度を調整するように構成することができる。
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の下地金属層を連続成膜することができる。
下地金属層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、絶縁体基材と下地金属層との密着性を特に高めることができる。そして、下地金属層は例えば金属を主成分として含むことができるため銅層との密着性も高い。このため、絶縁体基材と銅層との間に下地金属層を配置することにより、銅層の剥離を特に抑制することができる。
下地金属層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
次に銅薄膜層形成工程について説明する。
銅薄膜層は既述のように、下地金属層上に形成することができ、下地金属層の上面に接着剤を介することなく直接形成されていることが好ましい。
銅薄膜層形成工程において、銅薄膜層を形成する方法は特に限定されるものではないが、例えば乾式めっき法により成膜することが好ましい。銅薄膜層を乾式めっき法により形成する場合、下地金属層上に接着剤を介さずに直接形成することができる。
乾式めっき法としては例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
銅薄膜層をスパッタリング法により成膜する場合、例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて銅薄膜層を成膜する場合、銅のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、予め下地金属層が形成された絶縁体基材を巻出ロール５２にセットする。そして、装置内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、スパッタリングガスを気体供給手段５９により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
この状態で、巻出ロール５２から銅薄膜層を形成する基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
銅薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、銅めっき被膜を成膜する際の給電層としても機能するため、１０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。銅薄膜層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅薄膜層は上述のように例えば乾式めっき法により成膜されるため、生産性の観点から３００ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
次に銅めっき被膜形成工程について説明する。
銅めっき被膜は銅薄膜層上に形成することができる。銅めっき被膜についても、銅薄膜層の上面に接着剤を介することなく、直接形成されることが好ましい。
銅めっき被膜を形成する方法は特に限定されるものではないが、例えば湿式めっき法により成膜することが好ましい。
湿式めっき法により銅めっき被膜を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき被膜を形成できる。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、銅めっき被膜は、銅薄膜層と対向する一の面と、一の面の反対側に位置する他の面とを有することができる。そして、銅めっき被膜はの他の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度が１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。これは既述のように、銅めっき被膜内の硫黄濃度が上記規定を充足する場合、成膜後に他の面をエッチングすることにより、銅めっき被膜の他の面の表面粗さを容易に所望の範囲とすることができるためである。
銅めっき被膜内の硫黄濃度が上記規定を満たすように銅めっき被膜を成膜する方法は特に限定されるものではないが、例えば銅めっき被膜を湿式めっき法により成膜する際、使用するめっき液中に硫黄原子を含む有機化合物を添加しておく方法が挙げられる。なお、湿式めっき法としては例えば電気めっき法を好ましく用いることができる。
銅めっき被膜を例えば電気めっき法により成膜する場合、電気めっきの条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、めっき液である銅めっき液中の硫黄原子を含む有機化合物の含有量や電流密度、搬送速度を制御することによって、他の面から０．３μｍの深さまでの範囲に渡って、上記硫黄濃度を有する銅めっき被膜を形成できる。
銅めっき被膜を成膜する際に用いる銅めっき液中の硫黄原子を含む有機化合物の含有量は特に限定されるものではないが、例えば、２質量ｐｐｍ以上２５質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、５質量ｐｐｍ以上１５質量ｐｐｍ以下であることがより好ましい。これは、銅めっき液中の硫黄原子を含む有機化合物の含有量を２質量ｐｐｍ以上２５質量ｐｐｍ以下とすることにより、銅めっき被膜の他の面から０．３μｍの深さまでの範囲における硫黄濃度を上記範囲とすることが特に容易になるためである。
めっき液に添加する硫黄原子を含む有機化合物として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。
なお、銅めっき被膜の他の面から０．３μｍを越えた部分についての硫黄濃度は特に限定されるものではなく、例えば銅めっき被膜全体に渡って硫黄濃度が上記範囲であってもよい。銅めっき被膜は、例えば銅を主成分として含み、さらに上述の濃度の硫黄を含むことが好ましく、銅めっき被膜は、特に銅と、上述の濃度の硫黄とから構成されることがより好ましい。ただし、銅めっき被膜が、銅と硫黄とにより構成される場合でも、めっき液由来の不可避成分や、不純物等が銅めっき被膜に含まれていてもよい。なお、銅を主成分として含むとは、銅の含有量が９０ｗｔ％以上であることを意味している。
そして、銅めっき被膜形成工程においては、銅めっき被膜を成膜後（銅めっき被膜成膜工程後）、銅めっき被膜の他の面についてエッチングを行うエッチング工程を実施することが好ましい。エッチング工程においては、銅めっき被膜の他の面の表面粗さが０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下とすることが好ましい。これは、銅めっき被膜の他の面の表面粗さを０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下とすることにより、銅めっき被膜表面での鏡面反射（正反射）を抑制することができ、また銅めっき被膜等をパターニングする際に用いるマスクとの密着性も保てるためである。
銅めっき被膜の他の面をエッチングする方法は特に限定されるものではないが、例えば、エッチング液を用いることにより行うことができる。用いるエッチング液としては特に限定されるものではなく、銅用のソフトエッチング液を好ましく用いることができる。
下地金属層上に形成された、銅薄膜層と、銅めっき被膜とからなる銅層の膜厚は特に限定されるものではなく、タッチパネル用導電性基板に要求される電気抵抗値や、パターン化した後の配線幅等により任意に選択することができる。ただし、銅薄膜層と、銅めっき被膜とからなる銅層の膜厚は、０．５μｍ以上４．１μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以上、３μｍ以下であることがより好ましい。
これは、銅層の膜厚を０．５μｍ以上とすることにより、タッチパネル用導電性基板の電気抵抗値を十分に低くすることができ、また銅層をパターニングする際に配線パターンが所望の配線幅よりも狭くなったり、断線することを抑制することができるためである。そして、銅層の膜厚を４．１μｍ以下とすることにより、銅層側面部分の面積が小さくなり、銅層側面部分による光の反射を抑制できる。さらに、配線パターンを形成するために銅層をエッチングする際にサイドエッチが生じることを抑制することができるためである。
銅薄膜層と、銅めっき被膜とからなる銅層は、本実施形態のタッチパネル用導電性基板において導電層として機能することができる。このように本実施形態のタッチパネル用導電性基板は、金属を用いた導電層を含むことにより、電気抵抗値を低くすることができる。
また、本実施形態のタッチパネル用導電性基板の製造方法においては上述の工程以外にも任意の工程を付加することができる。
例えば、既述のように、本実施形態のタッチパネル用導電性基板においては、銅めっき被膜上に黒化層を配置することができる。このため、係る黒化層を形成する黒化層形成工程をさらに有することができる。
黒化層を構成する材料としては特に限定されるものではないが、黒化層はＮｉ（ニッケル）を含有することが好ましい。このため、黒化層形成工程は、例えば銅めっき被膜上にニッケルを含有する黒化層を形成する工程とすることができる。
黒化層として好適に用いることができる材料については既述のため説明を省略する。
黒化層形成工程において、黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、下地金属層と同様に乾式めっき法により成膜してもよく、また湿式めっき法により成膜することもできる。
黒化層形成工程において形成する黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、タッチパネル用導電性基板において要求される反射率（正反射率）の程度等に応じて任意に選択することができる。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板の製造方法で得られるタッチパネル用導電性基板はタッチパネル等の各種用途に用いる場合には、タッチパネル用導電性基板に含まれる、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜がパターン化されていることが好ましい。下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をパターニングするパターニング工程を有することができる。パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１Ａのように絶縁体基材１１上に下地金属層１２、銅薄膜層１３、銅めっき被膜１４が積層されたタッチパネル用導電性基板１０Ａの場合、まず銅めっき被膜１４の他の面１４ｂ上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施する。次いで、銅めっき被膜１４の他の面１４ｂ、すなわちマスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をエッチングすることもできる。
エッチング工程で形成するパターンは特に限定されない。例えば下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜を、直線形状の複数のパターンとなるようにパターニングすることができる。直線形状の複数のパターンにパターニングした場合、図２Ａ、図２Ｂに示すように、パターン化された下地金属層２２、銅薄膜層２３、及び銅めっき被膜２４は互いに平行に、かつ、離隔するようなパターンとすることができる。
また、図１Ｂのように絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに下地金属層１２１、１２２、銅薄膜層１３１、１３２、銅めっき被膜１４１、１４２を積層したタッチパネル用導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば、銅めっき被膜１４１、１４２の他の面１４１ｂ、１４２ｂ上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、銅めっき被膜１４１、１４２の他の面１４１ｂ、１４２ｂ、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。
エッチング工程において例えば、絶縁体基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した、下地金属層１２１、銅薄膜層１３１、及び銅めっき被膜１４１を、図１Ｂ中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。また、絶縁体基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した、下地金属層１２２、銅薄膜層１３２、及び銅めっき被膜１４２を図１Ｂ中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターン化できる。これにより、図４に示したように、絶縁体基材１１を挟んで、絶縁体基材の第１の主平面１１ａ側に形成したパターン化された銅薄膜層４３１及び銅めっき被膜４４１と、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターン化された銅薄膜層４３２及び銅めっき被膜４４２とによりメッシュ状の配線を備えたタッチパネル用導電性基板とすることができる。
なお、ここまで黒化層を設けていない場合を例に説明したが、銅めっき被膜の上面に黒化層を設けた場合、黒化層の上面に同様にマスクを配置し、マスクを配置した面にエッチング液を供給することにより、黒化層もあわせて所望の形状にパターニングできる。
そして、ここまで説明したタッチパネル用導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板を製造することもできる。タッチパネル用積層導電性基板の製造方法は、上述した導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を複数枚積層する積層工程を有することができる。
積層工程では例えば、図２Ａ、図２Ｂに示したパターン化されたタッチパネル用導電性基板を複数枚積層することができる。具体的には、図３Ａ、図３Ｂに示したように、一方のタッチパネル用導電性基板２０１の絶縁体基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方のタッチパネル用導電性基板２０２の絶縁体基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層することにより実施できる。
積層後、２枚のタッチパネル用導電性基板２０１、２０２は例えば接着剤等により固定することができる。
なお、一方のタッチパネル用導電性基板２０１の上下を逆にして、一方のタッチパネル用導電性基板２０１の絶縁体基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方のタッチパネル用導電性基板２０２の絶縁体基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。
メッシュ状の配線を備えたタッチパネル用積層導電性基板とする場合、積層工程では、図３Ａ、図３Ｂに示したように、一方のタッチパネル用導電性基板２０１に予め形成したパターン化された銅薄膜層２３１及び銅めっき被膜２４１と、他方のタッチパネル用導電性基板２０２に予め形成したパターン化された銅薄膜層２３２及び銅めっき被膜２４２と、が交差するように積層できる。
図３Ａ、図３Ｂにおいては、直線形状にパターン化された銅層を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではない。配線パターンを構成する配線、すなわちパターン化された銅層の形状は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
本実施形態のタッチパネル用導電性基板の製造方法及びタッチパネル用積層導電性基板の製造方法により得られるタッチパネル用導電性基板及びタッチパネル用積層導電性基板によれば、銅めっき被膜の他の面の表面粗さを既述のように所定の範囲とすることができる。このため、銅めっき被膜の他の面での光の正反射を抑制することができる。さらに、銅薄膜層と絶縁体基材との間には下地金属層が配置されているため、絶縁体基材を介して入射した光の銅薄膜層表面での正反射も抑制することができる。また、銅薄膜層及び銅めっき被膜からなり、導電層として機能することができる銅層を有するため電気抵抗値を低くできる。
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
（硫黄濃度）
二次イオン質量分析装置（Ｄｉｎａｍｉｃｓ−Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：Ｄ−ＳＩＭＳ）で銅めっき被膜中の硫黄濃度を測定した。
なお、二次イオン質量分析装置には、ｉｍｓ５ｆ二次イオン質量分析装置（ＣＡＭＥＣＡ製）を用いた。
一次イオン条件：Ｃｓ＋、１４．５ｋｅＶ、３０ｎＡ、照射領域：１５０μｍ×１５０μｍ、分析領域：φ６０μｍ、二次イオン極性：負とした。
一般的に、電気的陽性元素（Ｌｉ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｔａなど）を分析する場合には酸素イオンを照射して正の二次イオンを検出する。これに対して、電気的陰性元素（Ｈ、Ｃ、Ｏ、Ｆ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ａｓ、Ｔｅ、Ａｕなど）を分析する場合にはセシウムイオンを照射して負の二次イオンを検出すると感度よく測定できるため、上記条件とした。
また、試料室真空度：８．０×１０−８Ｐａ、スパッタリング速度：約２２Å／ｓｅｃとして測定を行った。予め銅めっき被膜と同様の銅層を有するスパッタリング速度測定用の試料により、実際の分析時と同一のスパッタ条件でスパッタを行い上記平均的なスパッタ速度を求めた。そして、各試料の分析を行う際、該スパッタリング速度を用いてスパッタリング時間から深さを算出した。
硫黄濃度の測定は、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングした後に実施した。なお、作製した試料の一部を切り取って硫黄濃度の測定に供した。
（表面粗さ）
銅めっき被膜の他の面について、オプティカルプロファイラー（Ｚｙｇｏ社製、ＮｅｗＶｉｅｗ６２００）により、表面粗さ（Ｒａ）を測定した。表面粗さ（Ｒａ）はＪＩＳ Ｂ ０６５１（２００１）に準拠した方法により測定を行った。
（反射率）
反射率（正反射率）の測定は、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。
以下の実施例、比較例で作製したタッチパネル用導電性基板の銅めっき被膜表面に対して、入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して反射率を測定し、その平均値を反射率（正反射率）とした。
また、絶縁体基材を介して下地金属層に対して、同様の条件で波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射して、下地金属層表面における反射率（正反射率）を測定した。
（配線形状評価）
作製したタッチパネル用導電性基板について、下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜をパターニングした後、その配線の形状についてレーザー顕微鏡により観察を行った。所望の配線幅で一定に配線形成できていた場合には〇と評価した。形成した配線パターンの一部に所望の配線幅と異なる部分が含まれている場合には△と評価した。そして、エッチング工程の最中にマスクが剥離して所望の形状にパターニングできなかった場合や、銅めっき被膜がほとんど溶解せずに所望の形状にパターニングできなかった場合には×と評価した。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
（下地金属層形成工程）
幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の樹脂フィルムである、絶縁体基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。
なお、用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の絶縁体基材について、ＪＩＳＫ７３６１−１（２０１１）に基づいて全光線透過率の評価を行ったところ、９８％であることが確認できた。
そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０により、絶縁体基材の一方の主平面に下地金属層を成膜した。下地金属層としては酸素を含有するＮｉ−Ｃｒ合金層を形成した。
下地金属層の成膜条件について説明する。
図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄにＮｉ−１７重量％Ｃｒ合金のターゲットを接続した。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター６１を６０℃に加熱し、絶縁体基材を加熱し、絶縁体基材中に含まれる水分を除去した。
続いて筐体５１内を１×１０−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、筐体５１内の圧力が１．３Ｐａになるように調整した。この際、筐体５１内の雰囲気が体積比で３０％酸素、残部がアルゴンになるようにアルゴンガスと酸素ガスの供給量を調整した。
そして、絶縁体基材を巻出ロール５２から搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の下地金属層を連続成膜した。係る操作により絶縁体基材の一方の主平面上に下地金属層を厚さ２０ｎｍになるように成膜した。
（銅薄膜層形成工程）
銅薄膜層は下地金属層上にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０により成膜した。
銅薄膜層形成工程では、図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに銅のターゲットを接続して成膜し、基材としては、下地金属層形成工程で絶縁体基材上に下地金属層を成膜したものを用いた。
金属薄膜層の成膜時の条件としては、以下の２点と上述のようにターゲットを変更した点以外は下地金属層形成工程と同様にして実施した。
筐体５１内を１×１０−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、筐体５１内の圧力が１．３Ｐａになるように調整した点。
銅薄膜層を膜厚が１００ｎｍになるように成膜した点。
（銅めっき被膜形成工程）
銅めっき被膜形成工程においては、電気めっき法により、銅めっき被膜を厚さが１．０μｍになるように成膜した。
銅めっき被膜を形成する際に用いた銅めっき液は、温度：２７℃、ｐＨ：１以下の硫酸銅溶液であり、硫黄原子を含む有機化合物としてＳＰＳ（ＢｉＳ（３−ｓｕｌｆｏｐｒｏｐｙｌ）ｄｉｓｕｌｆｉｄｅ）を８質量ｐｐｍ含有させた。
成膜した銅めっき被膜について、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、６０質量ｐｐｍであった。
そして、銅めっき被膜の他の面の全面に銅用エッチング液であるクリーンエッチＣＰＥ−７５０（三菱ガス化学株式会社製）を供給し、銅めっき被膜の他の面の全面が１０秒間エッチング液と接触している状態を保持してエッチングを行った。
エッチング後の銅めっき被膜の他の面について、上記方法により硫黄濃度（他の面の表面から０．３μｍまでの深さの銅めっき被膜中の硫黄濃度）、表面粗さ（Ｒａ）、及び正反射率を測定した。結果を表１に示す。
また、絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることをが確認された。
（パターニング工程）
得られたタッチパネル用導電性基板について、銅めっき被膜の上面にマスクを配置するマスク配置工程と、マスクを配置した銅めっき被膜の上面にエッチング液を供給し、エッチングを行うエッチング工程と、を含むパターニング工程を実施した。これにより、図２Ａ、図２Ｂに示すように、直線状の配線パターンを有するタッチパネル用導電性基板を作製した。なお、エッチングを行う際、エッチング液としては塩化第二銅水溶液を用いた。
作製したタッチパネル用導電性基板の配線パターンについて、上述の配線形状評価を実施した。
また、ここまで説明した方法と同様の手順、条件により、絶縁体基材上に下地金属層、銅薄膜層、及び銅めっき被膜が積層され、上述の場合と同じ形状にパターニングされたタッチパネル用導電性基板をもう１枚作製した。
そして、作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を図３Ａ、図３Ｂに示したように積層し、両導電性基板を接着剤により固定することによってタッチパネル用積層導電性基板を作製した。
［実施例２］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき被膜の他の面の全面が１５秒間エッチング液と接触するようにしてエッチングを行った点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［実施例３］
絶縁体基材として幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのシクロオレフィンポリマー樹脂製の樹脂フィルムである、絶縁体基材を用いた点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、用いたシクロオレフィンポリマー樹脂製の絶縁体基材について、ＪＩＳＫ７３６１−１（２０１１）に基づいて全光線透過率の評価を行ったところ、９２％であることが確認できた。また、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２５％であることが確認された。
そして、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［実施例４］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき液へのＳＰＳ添加を１０質量ｐｐｍとし、銅めっき被膜の膜厚を４μｍとした点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［実施例５］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき液へのＳＰＳ添加を５質量ｐｐｍとし、銅めっき被膜の膜厚を０．４μｍとした点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［実施例６］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき液へのＳＰＳ添加を５質量ｐｐｍとし、成膜した銅めっき被膜の膜厚を０．３μｍとした点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［実施例７］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき液へのＳＰＳ添加を１０質量ｐｐｍとし、成膜した銅めっき被膜の膜厚を４．１μｍとした点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［比較例１］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき液へのＳＰＳ添加を１質量ｐｐｍとした点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
［比較例２］
銅めっき被膜形成工程において、銅めっき液へのＳＰＳ添加を４０質量ｐｐｍとした点以外は実施例１と同様にしてタッチパネル用導電性基板を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
なお、銅めっき被膜を成膜後、銅めっき被膜の他の面をエッチングする前に、銅めっき被膜の他の面の表面から深さ０．３μｍまでの銅めっき被膜中の硫黄濃度を上記の方法により測定したところ、表１に示したエッチング後に測定した値と同じになることを確認できた。
絶縁体基材を介して下地金属層表面における正反射率を測定したところ、２８％であることが確認された。
また、実施例１と同様に、同じ条件で作製した２枚のタッチパネル用導電性基板を積層してタッチパネル用積層導電性基板も作製した。
Figure 2016017773
表１の結果から、実施例１〜７については、銅めっき被膜の他の面の表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下となっており、銅めっき被膜の他の面における反射率も３０％以下と十分に低くなっていることを確認できた。また、実施例１〜５については、配線形状評価も〇となっており、エッチング工程により所望の配線パターンとすることができたことを確認できた。
実施例６については銅めっき被膜の膜厚が０．３μｍであり、銅層の膜厚が０．４μｍと薄かったため、得られた配線パターンにおいて所望の配線幅よりも狭くなっている部分があった。このため、配線形状評価は△となった。
また、実施例７については、銅めっき被膜の膜厚が４．１μｍであり、銅層の膜厚が４．２μｍと厚かったため、パターニング工程内のエッチング工程において、配線パターンの一部にサイドエッチが生じ、所望の配線幅と異なっている部分を含んでいた。このため、配線形状評価は△となった。
これに対して、比較例１では銅めっき被膜の他の面の表面粗さＲａが０．００９μｍと小さくなっており、銅めっき被膜の他の面における反射率も３１％と高くなっていることを確認できた。またパターニング工程内のエッチング工程において、銅めっき被膜のエッチング液に対する反応性が低く、溶け残りが生じたため、配線形状の評価は×となった。
また、比較例２では銅めっき被膜の他の面の表面粗さが０．１６μｍと大きくなったため、銅めっき被膜表面での反射率は９％と十分に抑制できていることが確認できた。しかし、エッチング工程において、マスクが剥離し、マスクと銅めっき被膜の他の面との間に隙間が生じ、配線形状の評価の結果、形成した配線パターンについて直線性が悪化していることを確認できた。
また、実施例１〜７で作製したタッチパネル用積層導電性基板については、図３Ａ、図３Ｂに示したようにメッシュ状の配線パターンを含むことを目視で確認できた。これに対して、比較例１においては、上述のように配線パターンに溶け残りが生じた為、メッシュ状の配線パターンを含むタッチパネル用積層導電性基板とすることはできなかった。また、比較例２においては配線パターンの直線性が悪いため、所望のメッシュ状の配線パターンを有するタッチパネル用積層導電性基板とすることはできなかった。
以上にタッチパネル用導電性基板、タッチパネル用導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
本出願は、２０１４年７月３１日に日本国特許庁に出願された特願２０１４−１５７０６１号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１４−１５７０６１号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０、２０１、２０２、４０ タッチパネル用導電性基板
１１、１１１、１１２ 絶縁体基材
１１ａ、１１１ａ、１１２ａ 第１の主平面
１１ｂ、１１１ｂ、１１２ｂ 第２の主平面
１２、１２１、１２２、２２、２２１、２２２、４２１、４２２ 下地金属層

１３、１３１、１３２、２３、２３１、２３２、４３１、４３２ 銅薄膜層
１４、１４１、１４２、２４、２４１、２４２、４４１、４４２ 銅めっき被膜
３０ タッチパネル用積層導電性基板

Claims (8)

  1. 絶縁体基材と、
    前記絶縁体基材の少なくとも一方の面上に配置され、ニッケルを含有する下地金属層と、
    前記下地金属層上に配置された銅薄膜層と、
    前記銅薄膜層上に配置され、前記銅薄膜層と対向する一の面と、前記一の面の反対側に位置する他の面とを有する銅めっき被膜とを備え、
    前記銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度が、１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下であり、
    前記銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であるタッチパネル用導電性基板。
  2. 前記絶縁体基材が、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルムから選ばれたいずれかの樹脂基板である請求項１に記載のタッチパネル用導電性基板。
  3. 前記絶縁体基材の全光線透過率が、９０％以上である請求項１又は２に記載のタッチパネル用導電性基板。
  4. 前記下地金属層の、前記絶縁体基材を介した波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における平均正反射率が、３０％以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のタッチパネル用導電性基板。
  5. 前記銅薄膜層と、前記銅めっき被膜とからなる銅層の膜厚が０．５μｍ以上４．１μｍ以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のタッチパネル用導電性基板。
  6. 前記銅めっき被膜の上にさらに黒化層を備え、
    前記黒化層はニッケルを含有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載のタッチパネル用導電性基板。
  7. 前記黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲における平均正反射率が３０％以下である請求項６に記載のタッチパネル用導電性基板。
  8. 絶縁体基材の少なくとも一方の面上に、ニッケルを含有する下地金属層を形成する下地金属層形成工程と、
    前記下地金属層上に銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成工程と、
    前記銅薄膜層上に前記銅薄膜層と対向する一の面と、前記一の面の反対側に位置する他の面とを有する銅めっき被膜を形成する銅めっき被膜形成工程と、を有し、
    前記銅めっき被膜の他の面の表面から０．３μｍまでの深さの範囲において硫黄の濃度が、１０質量ｐｐｍ以上１５０質量ｐｐｍ以下であり、
    前記銅めっき被膜の他の面の表面粗さ（Ｒａ）が０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下となるように前記銅めっき被膜を成膜するタッチパネル用導電性基板の製造方法。
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