JPWO2016017299A1 - センサおよびその製造方法 - Google Patents

センサおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016017299A1
JPWO2016017299A1 JP2016538207A JP2016538207A JPWO2016017299A1 JP WO2016017299 A1 JPWO2016017299 A1 JP WO2016017299A1 JP 2016538207 A JP2016538207 A JP 2016538207A JP 2016538207 A JP2016538207 A JP 2016538207A JP WO2016017299 A1 JPWO2016017299 A1 JP WO2016017299A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
resin
printed circuit
mold
circuit module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016538207A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6357535B2 (ja
Inventor
翼 渡辺
翼 渡辺
河野　務
務 河野
浩昭 星加
浩昭 星加
余語　孝之
孝之 余語
崇裕 三木
崇裕 三木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Publication of JPWO2016017299A1 publication Critical patent/JPWO2016017299A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6357535B2 publication Critical patent/JP6357535B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/05—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
    • G01F1/34—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
    • G01F1/36—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure the pressure or differential pressure being created by the use of flow constriction
    • G01F1/38—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure the pressure or differential pressure being created by the use of flow constriction the pressure or differential pressure being measured by means of a movable element, e.g. diaphragm, piston, Bourdon tube or flexible capsule
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845—Micromachined devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • G01F1/692—Thin-film arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183—Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/48106—Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10151—Sensor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1327—Moulding over PCB locally or completely
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

回路基板が、回路基板上に搭載された半導体部品が露出された状態でハウジングと一体的にインサートモールド成形されるモジュールにおいて、モールド樹脂を堰き止めるための金型による回路基板への加圧によって生じる回路基板の歪みを低減する。回路基板が、回路基板上に搭載された半導体部品が露出された状態でハウジングと一体的にインサートモールド成形されるモジュールにおいて、回路基板上の金型押え部の投影領域に、回路基板よりも小さい弾性率を有する材料を設置することにより、回路基板の歪みを低減する。

Description

本発明は、回路基板の実装構造、それを用いたセンサに関する。
本技術分野の背景技術として、特開2012-163504号公報（特許文献１）がある。この公報には、「電子回路が形成された回路基板上に温度、湿度等の物理量を計測するセンシング素子が設けられ、前記電子駆動回路を筐体の中に配置し、前記センシング素子を吸入空気に晒す構造を有する空気流量測定装置において、前記回路基板とガラスまたは樹脂コート層との間に少なくとも１層以上の絶縁層を設け、前記センシング素子と前記電子駆動回路との接続を行う導体配線を前記絶縁層の下に配置する。」と記載されている。
特開2012-163504号公報
本発明は、回路基板のインサートモールド成形において、回路基板の歪みを低減できる回路基板構造を提供することを目的とする。
本発明のインサートモールド成形された構造物は、半導体部品が実装されたプリント基板を含み、プリント基板上の半導体部品が搭載されていない領域が第一の樹脂で覆われたインサートモールド成形品であり、プリント基板の主面と第一の樹脂とが重なる領域の外側に、プリント基板の材料の弾性率よりも、小さい弾性率を有する第二の樹脂が設置されている。
本発明によれば、インサートモールド成形を用いる場合において、回路基板の歪みや割れを抑制することができる。
本発明の実施例１の回路モジュールの実装構成を示す図である。 本発明の実施例１の回路モジュールについて、図１のＡ―Ａ線で切断した断面図である。 本発明の実施例１の回路モジュールにハウジングを形成し回路モジュールを固定するための金型構造を示す断面図である。 本発明の実施例１の回路モジュールにハウジングを形成した回路基板の実装構造を示す断面図である。 本発明の実施例２の回路モジュールの実装構成を示す図である。 本発明の実施例２の回路モジュールについて、図５のＡ―Ａ線で切断した断面図である。 本発明の実施例２の回路モジュールにハウジングを形成し回路モジュールを固定するための金型構造を示す断面図である。 本発明の実施例３の回路モジュールの実装構成を示す図である。 本発明の実施例３の回路モジュールについて、図８のＡ―Ａ線で切断した断面図である。 本発明の実施例３の回路モジュールにハウジングを形成し回路モジュールを固定するための金型構造を示す断面図である。 本発明の実施例３の回路モジュールにハウジングを形成した回路基板の実装構造を示す断面図である。 本発明の実施例４の回路モジュールの実装構成を示す図である。 本発明の実施例４の回路モジュールについて、図１２のＡ―Ａ線で切断した断面図である。 本発明の実施例４の回路モジュールにハウジングを形成し回路モジュールを固定するための金型構造を示す断面図である。 本発明の実施例４の回路モジュールにハウジングを形成した回路基板の実装構造を示す断面図である。
現在、自動車などの内燃機関にはセンサ、エンジンコントロールユニット、電子制御スロットルなどの電子回路を含むモジュールが搭載されている。これらのモジュールには半導体部品が搭載された回路基板が用いられており、その回路基板はハウジング内部に収められている。従来は半導体部品が搭載された回路基板を、樹脂製のハウジングに接着剤で接合し固定していた。しかしこの方法では、接着剤の塗布工程や硬化工程が必要となり、モジュール製造工程におけるスループットが低下してしまう。そのため、その他の方法としてインサートモールド成形という方法がある。
インサートモールド成形は、回路基板を金型内に配置し、回路基板の周りに樹脂を流して樹脂製のハウジングを形成することで回路基板を固定する方法である。このインサートモールド成形の方法では、回路基板に直接溶融した樹脂を接触させるため、樹脂の固化と同時に回路基板とハウジングを接合することができ、接合工程の簡略化が可能である。ここで、回路基板上の半導体部品にハウジング樹脂が接触すると、半導体部品や半導体部品と回路基板との接合部に樹脂の収縮による負荷が加わりやすくなる。そのため、半導体部品の搭載領域を金型で囲い、この搭載領域およびその周辺の基板が樹脂で覆われないようにして、樹脂を流し込んでハウジングを形成する必要がある。しかし、この方法では基板に金型を押し付けて樹脂を堰き止めるため、金型からの応力により基板が変形し、基板に歪みや割れが生じる恐れがあった。
（実施例１）
以下の実施例は、基板を用いたインサートモールド成形の例として、自動車の内燃機関に搭載される吸入空気量センサを例に挙げて説明する。吸入空気量センサとは気体（空気）の流量を測定する流量センサであり、内燃機関に搭載されている電子制御燃料噴射装置による吸入空気量制御に利用するために設置されている。吸入空気量センサには薄肉のダイヤフラムを有するセンサチップが用いられており、センサチップでの計測データを、制御チップで収集・補正し、外部に出力する仕組みとなっている。
以下、図面を参照しながら説明する。
図１は、制御回路等を有する半導体チップを搭載した回路モジュールを示し、図２は、図１の半導体チップをＡ―Ａ線で切断した回路モジュールの実装構成を示す。
図２において回路モジュールは、例えば、ガラス繊維と樹脂が積層された材料からなるプリント基板１上にダイヤフラム２を有する第一半導体チップ３と制御回路を有する第二半導体チップ４が搭載されている。プリント基板１と第一半導体チップ３は第一接着剤５、プリント基板１と第二半導体チップ４は第二接着剤６によってそれぞれ組み付けられている。プリント基板１には内部に導体配線８と導体配線の配線パッド９が形成されており、第一半導体チップ３と第二半導体チップ４はワイヤ７と導体配線８、配線パッド９を介して接続され、第二半導体チップ４はワイヤ７を介して導体配線８に接続されている。ワイヤ７を保護するために、ポッティング１０が設置されている。
上述したプリント基板１と第一半導体チップ３を接着している第一接着剤５や、プリント基板１と第二半導体チップ４を接着している第二接着剤６、ワイヤ７を保護するためのポッティング９は、例えば、エポキシ樹脂やポリウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドやアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂を使用することができるとともに、樹脂中にガラスやマイカなどの充填材を混入させることもできる。
以上の回路モジュールの実装構造を対象として、半導体部品が搭載された領域を露出させたまま、回路モジュールとハウジングを接合するための製造方法を説明する。
図３は、半導体部品が搭載された領域を露出させたままで回路モジュールをモールドするための金型構造を示す。上金型１１、下金型１２を設けた金型に実装した回路モジュールとコネクタリード１３を入れ、空洞部１４を、金型のクランプ部１５で回路モジュールを抑えて形成し、空洞部１４に樹脂１６を充填する。
次に図４に示すように、回路モジュールの配線パッド９とコネクタリード１３を、ワイヤ１７を介して接続する。さらにワイヤ１７を含む空間である回路室１８を保護するために、上下それぞれに上カバー１９、下カバー２０を接合する。以上の工程により、回路モジュール上の半導体部品を露出させたまま、回路モジュールとハウジングを接合し、回路モジュールからの検出信号を外部に出力することが可能なセンサモジュールが完成する。
ここで、従来のインサートモールド成形の問題点と、本実施例の特徴について説明する。回路モジュールをインサートモールドする際には、樹脂１６が半導体部品の方まで流れ出ないように金型のクランプ部１５でプリント基板１を抑える必要がある。この時にクランプ部１５の負荷が過大であると、プリント基板１に歪みが生じてしまう。また、プリント基板１の厚さが製造上でばらついて増加した場合には、さらにその歪みが増加する恐れがある。従来は、クランプ部１５の位置には何も配置されておらず、金型はプリント基板１に直接接触した状態でモールド樹脂が流し込まれていた。本実施例では、図３及び図４に示されているように、プリント基板１上の金型クランプ部１５に、プリント基板１の平均的な弾性係数よりも弾性係数が小さい部材２１が追加されている。図３に示されるように、上金型１１と下金型１２を用いてクランプ部１５で回路モジュールの部材２１が設置された領域を抑えて、空洞部１４に樹脂１７を充填してハウジングを形成すると同時に、回路モジュールとハウジングを接合する。
ここで言う弾性係数とは、弾性体内の応力とひずみが互いに比例するというフックの法則を、「応力σがひずみεに比例する」という形に表したとき、即ちσ＝Ｅεにおける比例定数Ｅをいう。
例えば、部材２１の弾性係数と、プリント基板１の弾性係数の比較は、温度２５℃（室温）で比較することが望ましい。また、弾性係数の比較は、部材２１の弾性係数と、プリント基板１を構成する基材の弾性係数の間で行なうことができる。
以上では、部材２１とプリント基板１の弾性係数の比較について説明したが、その基本理念は、プリント基板１よりも硬さが柔らかい部材２１を使用する点にある。ここでいう硬さは、例えば、室温でのビッカース硬さ、マイクロビッカース硬さ、ブリネル硬さ、あるいは、ロックウェル硬さのいずれかで比較することができる。
この部材２１には例えば上述の条件を満たしていれば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂を使用できるとともに、樹脂中にガラスやマイカなどの充填材を混入させることもできる。
これにより、インサートモールド成形する際に、部材２１により金型が回路基板に与える負荷を低減し、プリント基板１に発生する歪みを低減することが可能となる。
（実施例２）
次に、実施例１のプリント基板１において、配線の上に配線保護レジストを配置した場合について説明する。
図５は、図１においてプリント基板１内に埋め込まれていた配線８が基板上に形成されており、これを保護するために配線保護レジスト２３が配置されている。
上述の部材２１は、図５に示す回路基板の構成においても適用が可能である。この場合、部材２１が回路基板よりも弾性係数が低いという条件を満たしていれば、配線保護レジスト２３と同一な材料を使用することも可能である。この実施例においては、配線保護レジスト２３の設置工程で部材２１の設置も同時にできるため、工程簡略化が可能となる。
（実施例３）
実施の形態３の回路モジュールの実装構成を図８に示す。実施例１、２と大きく異なる点は、図８〜１１に示されている接合部２７の領域にも、実施例１、２における部材２１に相当する部材２４が追加されている点である。
図８において、第三半導体チップ２５は、第三半導体チップ２５から導出されたアウターリード２６を介して配線パッド９と接続されている。この実装構造を対象として、回路モジュールの半導体部品が搭載された領域を露出させたまま、回路モジュールとハウジングを接合するためにインサートモールド成形を行う。回路基板１の主面に、回路基板１と金型クランプ部１５が重なる領域と回路基板と樹脂の接合部２７を含めた領域に部材２４が設置されている。
この実施例によれば、金型が接触する領域に高精度で配置する必要がなく、部材２４の配置が実施例１、２に比べて容易である。したがって、歩留まりの悪化を改善することができる。さらに、回路基板１と樹脂１６の線膨張係数差によってモールド後に生じる熱応力を、接合部２７への部材２１の設置により緩和することができ、回路基板の歪み低減と接合部の分離防止が可能である。
（実施例４）
本実施例は、クランプ部１５と接合部２７にも導体配線２２が配置されている回路基板について本発明を適用した実施例である。
実施例２、３と同様に導体配線２２の配線パッド９以外の領域と、導体配線が露出する領域２８に配線保護レジスト２３が設置されているだけでなく、本実施例ではクランプ部１５と接合部２７にも導体配線２２が配置されている。また、このクランプ部１５と接合部２７に配置された導体配線２２の上にも部材２４が配置されている。
このような実装構造を対象として、回路モジュールの半導体部品が搭載された領域２８を露出させたまま、回路モジュールとハウジングを接合するためにインサートモールド成形を行う。金型を用いたインサートモールド成形の手順については実施例１〜３と同様である。この実施例によれば、実施例３と同様に広範囲に部材２４を配置しているため、金型が接触する領域に高精度で配置する必要がなく、部材２４の配置が実施例１、２に比べて容易である。したがって、歩留まりの悪化を改善することができる。またプリント基板１と樹脂１６の線膨張係数差によってモールド後に生じる熱応力を緩和することができ、回路基板の歪み低減と接合部の分離防止が可能である。
以上は、吸入空気量センサをインサートモールド成形した部品の例を示したが、本発明はこれだけに限定されるものではなく、回路基板、中でもプリント基板をインサートモールドした任意の部品に用いることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
１…プリント基板、２…ダイヤフラム、３…第一半導体チップ、４…第二半導体チップ、５…第一接着剤、６…第二接着剤、７…ワイヤ、８…導体配線、９…配線パッド、１０…ポッティング、１１…上金型、１２…下金型、１３…コネクタリード、１４…空洞部、１５…クランプ部、１６…樹脂、１７…ワイヤ、１８…回路室、１９…上カバー、２０…下カバー、２１…部材、２２…導体配線、２３…配線保護レジスト、２４…部材、２５…第三半導体チップ、２６…アウターリード、２７…接合部、２８…導体配線が露出する領域

Claims (6)

  1. 半導体部品が実装されたプリント基板を含み、該プリント基板上の前記半導体部品が搭載されていない領域が第一の樹脂で覆われたインサートモールド品において、
    前記プリント基板の主面と前記第一の樹脂とが重なる領域の外側に、前記プリント基板の材料の弾性率よりも、小さい弾性率を有する第二の樹脂が設置されていることを特徴とするインサートモールド品構造。
  2. 請求項１記載のインサートモールド品構造であって、プリント基板に流量センシング用半導体を露出した状態で設置したことを特徴とするセンサ構造。
  3. 請求項１、２記載のセンサ構造であって、前記プリント基板に設置される前記第二の樹脂が、前記第一の樹脂と接していることを特徴とするセンサ構造。
  4. 請求項１、２記載のセンサ構造であって、前記プリント基板に設置される前記第二の樹脂は前記プリント基板上に形成された導体配線上に設置される材料と同一であることを特徴とするセンサ構造。
  5. 請求項１、２記載のセンサ構造であって、前記プリント基板に設置される前記第二の樹脂が前記第一の樹脂とプリント基板とが重なる領域に設置されていることを特徴とするセンサ構造。
  6. 請求項１記載のインサートモールド品構造を有するセンサ。
JP2016538207A 2014-07-30 2015-06-15 センサおよびその製造方法 Active JP6357535B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014154430 2014-07-30
JP2014154430 2014-07-30
PCT/JP2015/067110 WO2016017299A1 (ja) 2014-07-30 2015-06-15 回路基板の実装構造、それを用いたセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016017299A1 true JPWO2016017299A1 (ja) 2017-04-27
JP6357535B2 JP6357535B2 (ja) 2018-07-11

Family

ID=55217204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016538207A Active JP6357535B2 (ja) 2014-07-30 2015-06-15 センサおよびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10031006B2 (ja)
EP (1) EP3176543B1 (ja)
JP (1) JP6357535B2 (ja)
CN (1) CN106461439B (ja)
WO (1) WO2016017299A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10264664B1 (en) 2015-06-04 2019-04-16 Vlt, Inc. Method of electrically interconnecting circuit assemblies
CN107615015B (zh) 2015-09-30 2020-01-03 日立汽车系统株式会社 树脂成形体及传感器装置
JP6453790B2 (ja) * 2016-02-24 2019-01-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出装置
US10158357B1 (en) 2016-04-05 2018-12-18 Vlt, Inc. Method and apparatus for delivering power to semiconductors
US10903734B1 (en) 2016-04-05 2021-01-26 Vicor Corporation Delivering power to semiconductor loads
US11336167B1 (en) 2016-04-05 2022-05-17 Vicor Corporation Delivering power to semiconductor loads
US10785871B1 (en) 2018-12-12 2020-09-22 Vlt, Inc. Panel molded electronic assemblies with integral terminals
JP6866121B2 (ja) * 2016-11-14 2021-04-28 日立Astemo株式会社 半導体モジュール
JP6825594B2 (ja) * 2018-03-09 2021-02-03 オムロン株式会社 電子装置およびその製造方法
WO2019225073A1 (ja) * 2018-05-22 2019-11-28 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出装置
DE102020211142B4 (de) * 2020-09-03 2022-08-18 Vitesco Technologies GmbH Gassensor für ein Fahrzeug
CN112802776B (zh) * 2020-12-31 2023-10-20 苏州首肯机械有限公司 伺服半导体封装压机智能化压力控制系统及控制方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236560A (ja) * 1995-03-01 1996-09-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2001012987A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Hitachi Ltd 熱式空気流量センサ
JP2007033411A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Denso Corp センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP2010169460A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Denso Corp 流量式センサ
JP2013188997A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Toyota Motor Corp 樹脂封止部品の製造方法
WO2014097723A1 (ja) * 2012-12-17 2014-06-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量センサ
JP2014236114A (ja) * 2013-06-03 2014-12-15 株式会社デンソー モールドパッケージおよびその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4017480B2 (ja) * 2002-09-24 2007-12-05 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止金型
JP2006211468A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体センサ
JP4548199B2 (ja) * 2005-04-22 2010-09-22 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
JP4674529B2 (ja) * 2005-11-07 2011-04-20 株式会社デンソー 湿度センサ装置及びその製造方法
JP4882732B2 (ja) * 2006-12-22 2012-02-22 株式会社デンソー 半導体装置
ITMI20072099A1 (it) * 2007-10-30 2009-04-30 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un dispositivo elettronico comprendente dispositivi mems incapsulati per stampaggio
JP5068150B2 (ja) * 2007-11-30 2012-11-07 ジヤトコ株式会社 電気的解析の可能な制御基板ユニット
JP5208099B2 (ja) * 2009-12-11 2013-06-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール
JP5563917B2 (ja) * 2010-07-22 2014-07-30 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 回路装置及びその製造方法
WO2012049742A1 (ja) * 2010-10-13 2012-04-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサおよびその製造方法並びに流量センサモジュールおよびその製造方法
JP5645693B2 (ja) 2011-02-09 2014-12-24 日立オートモティブシステムズ株式会社 空気流量測定装置
JP5526065B2 (ja) * 2011-03-25 2014-06-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式センサおよびその製造方法
WO2013008273A1 (ja) * 2011-07-13 2013-01-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量計
JP5965706B2 (ja) * 2012-04-12 2016-08-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサの製造方法
JP5675716B2 (ja) * 2012-06-29 2015-02-25 日立オートモティブシステムズ株式会社 熱式空気流量センサ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236560A (ja) * 1995-03-01 1996-09-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2001012987A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Hitachi Ltd 熱式空気流量センサ
JP2007033411A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Denso Corp センサ装置の製造方法及びセンサ装置
JP2010169460A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Denso Corp 流量式センサ
JP2013188997A (ja) * 2012-03-15 2013-09-26 Toyota Motor Corp 樹脂封止部品の製造方法
WO2014097723A1 (ja) * 2012-12-17 2014-06-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量センサ
JP2014236114A (ja) * 2013-06-03 2014-12-15 株式会社デンソー モールドパッケージおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170115144A1 (en) 2017-04-27
EP3176543A4 (en) 2018-03-21
EP3176543A1 (en) 2017-06-07
WO2016017299A1 (ja) 2016-02-04
CN106461439B (zh) 2019-08-16
US10031006B2 (en) 2018-07-24
JP6357535B2 (ja) 2018-07-11
CN106461439A (zh) 2017-02-22
EP3176543B1 (en) 2020-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6357535B2 (ja) センサおよびその製造方法
JP4281630B2 (ja) センサ装置の製造方法
JP5450192B2 (ja) パワーモジュールとその製造方法
US10217684B2 (en) Resin molding and sensor device
JP5763575B2 (ja) 流量センサおよびその製造方法
JP2014009974A (ja) 流量測定装置
WO2016039019A1 (ja) 流量センサ
JP2010048657A (ja) センサ装置およびその製造方法
JP6045644B2 (ja) 流量センサおよびその製造方法
JP6063777B2 (ja) センサ装置
JP6370379B2 (ja) 半導体装置、該半導体装置の製造方法及び該半導体装置を用いたセンサ
JP5820342B2 (ja) 流量センサおよびその製造方法
JP2015227892A (ja) 流量測定装置
JP6012833B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法並びに流量センサおよび湿度センサ
JP2014126507A (ja) 圧力センサモジュール
JP5912069B2 (ja) 物理量センサ装置及びその製造方法
JP5039740B2 (ja) 変速制御装置及び機電一体型電子制御装置
JP6658104B2 (ja) 回路装置
WO2018123478A1 (ja) センサ装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161110

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171031

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180605

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180618

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6357535

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250