JPWO2015105063A1 - グレーティングカプラ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Λ:530〜550nm
FF(=1−w/Λ):0.3〜0.6
d:60〜80nm
D:180〜200nm
(1)グレーティングカプラを形成するためのSOI基板を準備する。
(2)グレーティングカプラ形成領域において、SOI基板上に薄い誘電体層を形成し、その上に上部Si層を形成する。
(3)グレーティングカプラ形成領域において、前記上部Si層をエッチング加工し、グレーティングカプラの回折格子部を形成する。なお、グレーティングカプラ形成領域における前記上部Si層のエッチング加工の際、下層にある前記薄い誘電体層がエッチストッパーとして用いられる。
(4)酸化物クラッドにより、回折格子部の溝を埋め、酸化物クラッドを平坦化して上部クラッド層を形成する。
(1’)グレーティングカプラを形成するためのSOI基板を準備する。
(2’)グレーティングカプラ形成領域において、SOI基板上に、薄い誘電体層を形成しその上に上部Si層を形成することにより薄い誘電体層及び上部Si層からなる積層構造を形成し、このような積層構造を必要段数形成する。
(3’)グレーティングカプラ形成領域の端部近傍において、前記上部Si層をエッチング加工し、グレーティングカプラの回折格子部を形成する。なお、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍における前記上部Si層のエッチング加工の際、下層にある前記薄い誘電体層がエッチストッパーとして用いられ、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍において深さが略一定な浅い溝が形成される。
(4’)グレーティングカプラ形成領域の端部近傍外において、前記複数段の積層構造をエッチング加工し、グレーティングカプラの回折格子部を形成する。なお、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍外における前記積層構造のエッチング加工の際、最下層にある薄い誘電体層がエッチストッパーとして用いられ、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍外において深さが略一定な深い溝が形成される。
(5’)最後に、酸化物クラッドにより、回折格子部の溝を埋め、酸化物クラッドを平坦化して上部クラッド層を形成する。これにより、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍においてのみグレーティングカプラの深さdを小さくするという多段構成が完成する。
102,202,302,402,502:BOX層
112,212,252,312,412,452,512:誘電体層
116,216、316,416,516:上部クラッド層
120,220.320,420:Si層
130,230,270,330,430,470:多結晶Si層
140,240,340,440:リブ型Si導波路
150,250,290,350,450,490:溝
514:コア層
Claims (7)
- Si層、薄い誘電体層、前記Si層と略等しい屈折率を有し回折格子部が形成された上部Si層をその順に積層した積層構造を光導波路構造として有し、前記回折格子部の溝の底面が前記薄い誘電体層の表面に位置することを特徴とするグレーティングカプラ。
- Si層上に、薄い誘電体層及び前記Si層と略等しい屈折率を有する上部Si層からなる積層構造をグレーティングカプラ形成領域において必要段数積層し、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍の回折格子部の溝の深さを端部近傍外の溝の深さより小さく形成した構造を光導波路構造として有し、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍及び端部近傍外の両方において、前記回折格子部の溝の底面が前記薄い誘電体層の表面に位置するようにして前記回折格子部の溝の深さをそれぞれ略一定とした多段構成を有することを特徴とするグレーティングカプラ。
- 請求項1または2に記載のグレーティングカプラにおいて、前記上部Si層が多結晶Si層であることを特徴とするグレーティングカプラ。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のグレーティングカプラにおいて、前記Si層は、支持基板、BOX層、Si層の3層からなるSOI基板のSi層であることを特徴とするグレーティングカプラ。
- 支持基板、BOX層、Si層の3層からなるSOI基板を準備し、グレーティングカプラ形成領域において、前記SOI基板上に薄い誘電体層を形成し、その上に上部Si層を形成する第1工程と、
前記グレーティングカプラ形成領域において、前記上部Si層をエッチング加工し、グレーティングカプラの回折格子部を形成する第2工程と、
前記グレーティングカプラ形成領域において、酸化物クラッドにより、前記回折格子部の溝を埋め、酸化物クラッドを平坦化して上部クラッド層を形成する第3工程と、
を含み、
前記第2工程において、前記薄い誘電体層をエッチストッパーとして用いることを特徴とするグレーティングカプラの製造方法。 - 支持基板、BOX層、Si層の3層からなるSOI基板を準備し、グレーティングカプラ形成領域において、前記SOI基板上に薄い誘電体層を形成し、その上に上部Si層を形成する第1工程と、
前記上部Si層上に薄い誘電体層を形成し、その上に、さらに上部Si層を形成する工程を必要回数繰り返し、薄い誘電体層と上部Si層からなる積層構造を形成する第2工程と、
前記グレーティングカプラ形成領域の端部近傍において、最上部の上部Si層をエッチングし、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍に回折格子部の浅い溝を形成する第3工程であって、前記最上部の前記上部Si層の下にある前記薄い誘電体層をエッチストッパーとして用いる、第3工程と、
前記グレーティングカプラ形成領域の端部近傍外において、前記積層構造をエッチングし、グレーティングカプラ形成領域の端部近傍外に回折格子部の深い溝を形成する第4工程であって、前記積層構造の底部に位置する薄い誘電体層をエッチストッパーとして用いる、第4工程と
前記回折格子部の浅い溝及び深い溝を酸化物クラッドで埋め、前記酸化物クラッドを平坦化して上部クラッド層を形成する第5工程と、
を含み、
前記グレーティングカプラ形成領域の端部近傍においてのみグレーティングカプラの深さを小さくする多段構成を形成することを特徴とするグレーティングカプラの製造方法。 - 請求項5または6に記載のグレーティングカプラの製造方法において、前記上部Si層が多結晶Si層であることを特徴とする製造方法。
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