JPWO2015099133A1 - ガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
また、上記白金族金属等の揮発物の凝集物に由来する異物の熔融ガラスへの混入の問題は、近年の高精細化に伴い、益々品質要求が厳しくなっている液晶ディスプレイに代表されるディスプレイ用ガラス基板ではより大きくなる。
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料からなるガラス処理装置の内部に熔融ガラスを流して前記ガラス処理装置の内部で前記熔融ガラスを処理する処理工程と、を有し、
前記ガラス処理装置の内部には、前記熔融ガラスの表面と前記内壁により気相空間が形成され、
前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、
前記処理工程では、前記気相空間を形成する前記内壁において、前記内壁における最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が、前記ガラス処理装置の加熱及び前記ガラス処理装置の放熱の少なくとも一方を用いて形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集を抑制するように、前記温度勾配領域における前記最高温度と最低温度との温度差を150℃以下にする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスが流れる液相と、前記熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、前記気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する処理工程と、を有し、
前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、
前記処理工程では、前記気相空間を形成する前記壁において、前記壁における最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が、前記ガラス処理装置の加熱及び前記ガラス処理装置の放熱の少なくとも一方を用いて形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集を抑制できるように、前記温度勾配領域における前記最高温度と最低温度との温度差を150℃以下にする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
前記ガラス処理装置の前記熔融ガラスが流れる方向の前記内壁の途中には、前記気相空間と大気を連通させる通気管が突設し、
前記温度勾配領域における最高温度の位置は、前記気相空間の端と前記通気管の位置の間に位置し、
前記温度勾配領域は、前記最高温度の位置と前記気相空間の端との間の領域、あるいは、前記最高温度の位置と前記通気管の位置との間の領域に形成される、形態1または2に記載のガラス基板の製造方法。
前記気相空間の端には、前記ガラス処理装置の外周から前記ガラス処理装置の外側に延びるフランジ部材が設けられ、前記温度勾配領域における前記最低温度位置は、前記気相空間の端である、形態1〜3のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法。
前記最低温度と前記最高温度は、1500〜1750℃である、形態1〜4のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法。
前記ガラス処理装置は、熔融ガラスの清澄を行う清澄装置である、形態1〜5のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法。
内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料からなり、熔融ガラスを流して前記熔融ガラスを処理する装置であり、前記熔融ガラスの表面と前記内壁により内部に気相空間が形成されるように構成されたガラス処理装置を有するガラス基板製造装置であって、
前記気相空間を囲む前記内壁には、前記内壁における最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向の上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が、前記ガラス処理装置の加熱及び前記ガラス処理装置の放熱の少なくとも一方を用いて形成されるように構成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集が抑制するように、前記温度勾配領域における前記最高温度と最低温度との温度差を150℃以下とした、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
前記処理装置の内部を流れる熔融ガラスの最高温度は1630℃〜1750℃である、形態1〜6のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法、あるいは形態7に記載の前記ガラス基板製造装置。
前記ガラス基板の酸化錫の含有量は、0.01モル%〜0.3モル%である、形態1〜6、及び8のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法、あるいは形態7または8に記載の前記ガラス基板製造装置。
前記気相空間中の白金族金属の蒸気圧は、0.1Pa〜15Paである、形態1〜6、8、及び9のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法、あるいは形態7〜9のいずれか1項に記載の前記ガラス基板製造装置。
前記白金族金属の揮発物の凝集により生成される凝集物は、例えば、最大長さの最小長さに対する比であるアスペクト比が100以上である、形態1〜6、8〜11のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法、あるいは形態7〜11のいずれか1つに記載のガラス基板製造装置。
また、例えば、白金族金属の凝集物の最大長さは50μm〜300μm、最小長さは0.5μm〜2μmである。ここで、白金族金属の凝集物の最大長さとは、白金族金属の凝集物を撮影して得られる異物の像に外接する外接長方形のうち最大長辺の長さをいい、最小長さとは、前記外接長方形の最小短辺の長さをいう。
あるいは、前記白金族金属の揮発物の凝集により生成される凝集物として、最大長さの最小長さに対する比であるアスペクト比が100以上であり、白金族金属の凝集物の最大長さが100μm以上、好ましくは100μm〜300μmであるものを定めることができる。
前記ガラス基板は、ディスプレイ用ガラス基板である、形態1〜6、8〜12のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法、あるいは形態7〜12のいずれか1つに記載のガラス基板製造装置。
また、酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板又はLTPSディスプレイ用ガラス基板に好適である。
本発明に係るガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るガラス基板製造方法の工程の一例を示すフローチャートである。ガラス基板の製造方法は、図1に示されるように、主として、熔解工程S1と、清澄工程S2と、攪拌工程S3と、成形工程S4と、徐冷工程S5と、切断工程S6とを備える。
図2は、本実施形態に係るガラス基板製造装置200の構成の一例を示す模式図である。ガラス基板製造装置200は、熔解槽40と、清澄管41と、攪拌装置100と、成形装置42と、移送管43a,43b,43cとを備える。移送管43aは、熔解槽40と清澄管41を接続する。移送管43bは、清澄管41と攪拌装置100を接続する。移送管43cは、攪拌装置100と成形装置42を接続する。
熔解槽40では、ガラス原料は、その組成等に応じた温度に加熱されて熔解される。これにより、熔解槽40では、例えば、1500℃〜1620℃の高温の熔融ガラスGが得られる。なお、熔解槽40では、少なくとも1対の電極間に電流を流すことで、電極間の熔融ガラスGが通電加熱されてもよく、また、通電加熱に加えてバーナーによる火焔を補助的に与えることで、ガラス原料が加熱されてもよい。
具体的には、熔解槽40で得られた熔融ガラスGは、熔解槽40から移送管43aを通過して清澄管41に流入する。清澄管41および移送管43a,43b,43cは、白金族金属製の管である。なお、白金族金属は、単一の白金族元素からなる金属、および、白金族元素からなる金属の合金を意味する。白金族元素は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)およびイリジウム(Ir)の6元素である。白金族金属は、融点が高く、熔融ガラスに対する耐食性に優れている。清澄管41には、熔解槽40と同様に加熱手段が設けられている。また、少なくとも移送管43aにも加熱手段が設けられている。清澄工程S2では、熔融ガラスGがさらに昇温させられることで清澄される。例えば、清澄管41における熔融ガラスGの温度は、1600℃〜1720℃である。
清澄管41において清澄された熔融ガラスGは、清澄管41から移送管43bを通過して攪拌装置100に流入する。熔融ガラスGは、移送管43bを通過する際に冷却される。
具体的には、攪拌装置100では、清澄管41を通過する熔融ガラスGの温度よりも低い温度で、熔融ガラスGが攪拌される。例えば、攪拌装置100において、熔融ガラスGの温度は、1250℃〜1450℃である。例えば、攪拌装置100において、熔融ガラスGの粘度は、500ポアズ〜1300ポアズである。熔融ガラスGは、攪拌装置100において攪拌されて均質化される。
攪拌装置100で均質化された熔融ガラスGは、攪拌装置100から移送管43cを通過して成形装置42に流入する。熔融ガラスGは、移送管43cを通過する際に、熔融ガラスGの成形に適した粘度となるように冷却される。例えば、熔融ガラスGは、1100〜1300℃まで冷却される。
具体的には、成形装置42に流入した熔融ガラスGは、成形炉(図示せず)の内部に設置されている成形体52に供給される。成形体52の上面には、成形体52の長手方向に沿って溝が形成されている。熔融ガラスGは、成形体52の上面の溝に供給される。溝から溢れた熔融ガラスGは、成形体52の一対の側面を伝って下方へ流下する。成形体52の側面を流下した一対の熔融ガラスGは、成形体52の下端で合流して、シートガラスGRが連続的に成形される。
切断工程S6では、徐冷工程S5で徐冷されたシートガラスが所定の長さに切断されて、板状のガラスが得られる。板状のガラスは、さらに、所定のサイズに切断されて、ガラス基板が得られる。
以下、ガラス処理装置として清澄管41を含んだ清澄装置を用いて説明するが、ガラス処理装置は、熔解槽40と成形装置42との間に設けられ、熔融ガラスGに所定の処理をする装置である限りにおいて、特に制限されない。ガラス処理装置は、清澄装置の他に、例えば攪拌装置、あるいは熔融ガラスを移送する移送管を対象とすることもできる。したがって、熔融ガラスGの処理は、熔融ガラスを清澄する処理の他に、熔融ガラスを均質化する処理、熔融ガラスを移送する処理等を含む。
ガラス基板の表面にある白金族金属の凝集物は、ガラス基板を用いたパネル製造工程においてガラス基板の表面から離脱すると、離脱した表面の部分が凹部となり、ガラス基板上に形成される薄膜が均一に形成されず、画面の表示欠陥を引き起こすという問題がある。さらに、ガラス基板中に白金族金属の凝集物が存在すると、徐冷工程において、ガラスと白金族金属の熱膨張率差により歪が生じるため、画面の表示欠陥を引き起こすという問題がある。そのため、本実施形態は、画面の表示欠陥に対する要求の厳しいディスプレイ用ガラス基板の製造に好適である。特に、本実施形態は、画面の表示欠陥に対する要求がさらに厳しい、IGZO(インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素)等の酸化物半導体を使用した酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板及びLTPS(低温度ポリシリコン)半導体を使用したLTPSディスプレイ用ガラス基板等の高精細ディスプレイ用ガラス基板に好適である。
以上のことから、本実施形態のガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が極めて少ないことが求められる液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ELディスプレイ等のパネルディスプレイ用のガラス基板やフラットパネルディスプレイ(FPD)用のガラス基板に好適である。また、IGZO酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板及びLTPSディスプレイ用ガラス基板にも好適である。さらに、ディスプレイを保護するカバーガラス、磁気ディスク用ガラス、太陽電池用ガラス基板としても、適している。パネルディスプレイやフラットパネルディスプレイ用のガラス基板としては、無アルカリガラス、または、アルカリ微量含有ガラスが用いられる。パネルディスプレイやフラットパネルディスプレイ用のガラス基板は、高温時における粘性が高い。例えば、102.5ポアズの粘性を有する熔融ガラスの温度は、1500℃以上である。
熔解槽40では、図示されない加熱手段によりガラス原料が熔解され、熔融ガラスが生成される。ガラス原料は、所望の組成のガラスを実質的に得ることができるように調製される。ガラスの組成の一例として、パネルディスプレイやフラットパネルディスプレイ用のガラス基板として好適な無アルカリガラスは、SiO2:50質量%〜70質量%、Al2O3:10質量%〜25質量%、B2O3:0質量%〜15質量%、MgO:0質量%〜10質量%、CaO:0質量%〜20質量%、SrO:0質量%〜20質量%、BaO:0質量%〜10質量%を含有する。ここで、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計の含有量は、5質量%〜30質量%である。
あるいは、酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板及びLTPSディスプレイ用ガラス基板に好適なガラス基板は、SiO2:55質量%〜70質量%、Al2O3:15質量%〜25質量%、B2O3:0質量%〜15質量%、MgO:0質量%〜10質量%、CaO:0質量%〜20質量%、SrO:0質量%〜20質量%、BaO:0質量%〜10質量%を含有する。ここで、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計の含有量は、5質量%〜30質量%である。このとき、SiO2を60質量%〜70質量%、BaOを3質量%〜10質量%を含有することがより好ましい。
なお、無アルカリガラス基板とは、アルカリ金属酸化物(Li2O、K2O、及びNa2O)を実質的に含有しないガラスである。また、アルカリ微量含有ガラスとは、アルカリ金属酸化物の含有量(Li2O、K2O、及びNa2Oの合量)が0超0.8モル%以下のガラスである。アルカリ微量含有ガラスは、成分として、例えば0.1質量%〜0.5質量%のアルカリ金属酸化物を含み、好ましくは、0.2質量%〜0.5質量%のアルカリ金属酸化物を含む。ここで、アルカリ金属酸化物は、Li、NaおよびKから選択される少なくとも1種である。アルカリ金属酸化物の含有量の合計は、0.1質量%未満であってもよい。 ガラス基板におけるアルカリ金属酸化物の含有量が0〜0.8モル%であっても、後述するような方法によって、熔融ガラス中に白金族金属の凝集物が異物として混入することを抑制することができる。
例えば、モル%表示で、SiO2 55〜75モル%、Al2O3 5〜20モル%、B2O3 0〜15モル%、RO 5〜20モル%(ROはMgO、CaO、SrO及びBaOの合量)、 R’2O 0〜0.4モル%(R’はLi2O、K2O、及びNa2Oの合量)、SnO2 0.01〜0.4モル%、含有する。 このとき、SiO2、Al2O3、B2O3、及びRO(Rは、Mg、Ca、Sr及びBaのうち前記ガラス基板に含有される全元素)の少なくともいずれかを含み、モル比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)は4.0以上であってもよい。すなわち、モル比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)は4.0以上であるガラスは、高温粘性の高いガラスの一例である。高温粘性の高いガラスは、一般的に清澄工程における熔融ガラス温度を高くする必要があるので、白金族金属の揮発が生じやすい。つまり、このような組成を有するガラス基板を製造する場合には、後述する本実施形態の効果、すなわち熔融ガラス中に白金族金属の凝集物が異物として混入することを抑制するといった効果は顕著になる。なお、高温粘性とは、熔融ガラスが高温になるときのガラスの粘性を示し、ここでいう高温とは、例えば、1300℃以上を示す。
熔融ガラスに含まれる清澄剤、例えば酸化錫の含有量が変化すれば、熔融ガラスから気相空間に放出される酸素の放出量も変化する。この点から、白金族金属の揮発を抑制する点から、気相空間における酸素濃度は、酸化錫の含有量によって制御(調整)されることが好ましい。したがって白金または白金合金等の揮発を抑制する点から、酸化錫の含有量は制限され、0.01〜0.3モル%、好ましくは0.03〜0.2モルであることが好ましい。酸化錫の含有量が多すぎると酸化錫の2次結晶が熔融ガラス中で発生する問題が生じるので好ましくない。また、酸化錫の含有量が多すぎると、熔融ガラスから気相空間に放出される酸素が増加し、気相空間の酸素濃度が上昇し過ぎてしまい、処理装置からの白金族金属の揮発量が増加してしまうという問題が生ずる。酸化錫の含有量が少なすぎると熔融ガラスの泡の脱泡が十分でない。
次に、清澄装置の清澄管41の構成について詳細に説明する。なお、清澄装置は、清澄管41の他に、通気管41a、加熱電極41b、及び、清澄管41の外周を囲む図示されない耐火物保護層及び耐火物レンガを含む。図3は、清澄管41を主に表す外観図である。図4は、清澄管41の内部を表す断面図と清澄管の温度プロファイルの一例を示す図である。清澄管41は、白金族金属製、白金、強化白金又は白金合金製であることが好ましい。
加熱電極41bは清澄管41に一対設けられるが、清澄管41の数は特に制限されない。加熱電極41bによる通電加熱により、清澄管41の気相空間41cと接する内壁の温度は、例えば1500〜1750℃の範囲にある。
このように、清澄管41の熔融ガラスの流れ方向の上流部分では、清澄剤の還元反応が生じるように内壁の温度を上げ、下流部分では、清澄剤の酸化反応が生じるように内壁の温度を下げることにより、上流部分の熔融ガラスの温度は下流部分に比べて高くなり、その結果熔融ガラスから気相空間に放出される酸素の放出量が下流部分に比べて多くなるように調整されている。ここで、上流部分とは、下流部分に対して熔融ガラスの流れの上流側にある部分を意味し、下流部分とは、上流部分に対して熔融ガラスの流れの下流側にある部分を意味し、例えば、上流部分は、清澄管41の熔融ガラスの流れ方向の中央位置から熔融ガラスの流れ方向の上流側の部分をいい、下流部分は、清澄管41の熔融ガラスの流れ方向の中央位置から熔融ガラスの流れ方向の下流側の部分をいう。
気相空間41cの酸素濃度(平均酸素濃度)は、0%以上であってもよいが、0.1%以上となるように調節することが好ましい。また、気相空間41cの酸素濃度は、30%以下であってもよいが、10%以下となるように調節することが好ましい。酸素濃度を0%にすれば、白金族金属の揮発を抑えられるので、白金族金属の揮発を抑える点からは、酸素濃度を0%にすることが好ましい。気相空間41cの酸素濃度を常に0%とするには、清澄剤の含有量を極めて減らすことや、コストがかかるという問題があるため、泡低減、低コスト及び白金族金属の揮発の抑制を実現するためには、気相空間41cの酸素濃度は、0.01%以上であることが好ましい。気相空間の酸素濃度が小さくなり過ぎると、熔融ガラスと気相空間の酸素濃度差が大きくなることで熔融ガラスから気相空間120aに放出される酸素が増加し、熔融ガラスが還元され過ぎてしまうことで、結果的に成形後のガラス基板に硫黄酸化物や窒素等の気泡が残存するおそれがある。一方、酸素濃度が大きすぎると、白金族金属の揮発が促進され、揮発した白金族金属の析出量が増大するおそれがある。以上のことから、酸素濃度の上限は10%であることが好ましい。すなわち、酸素濃度は、0〜10%であることが好ましく、0%以上3%以下、0%〜1%であることがより好ましく、特に、0.01%以上1%以下であることが好ましい。
気相空間41cにおける白金族金属の蒸気圧は、白金族金属の揮発を抑制するために調整されることが好ましい。白金族金属の揮発及び凝集を抑制する点から、気相空間41cにおける白金族金属の蒸気圧は0.1Pa〜15Paであることが好ましく、3Pa〜10Paであることが好ましい。
このような温度差に調整することにより、気相空間41c内に存在する白金族金属の揮発物、例えば清澄管41の白金族金属で構成された壁から揮発した白金族金属の揮発物の凝集を抑制することができる。白金族金属は、温度に応じて定まる飽和蒸気圧に従って揮発物として揮発するが、この飽和蒸気圧は温度が低い程低い。このため、揮発物の一部は温度の低い領域で凝集し易くなる。しかし、清澄管41の壁における温度差を150℃以下にすることで、揮発物が飽和蒸気圧の温度依存性の曲線(飽和蒸気圧曲線)に従って凝集する量は少なくなる。このため、気相空間41cに形成される白金族金属の凝集物は少なく、この凝集物の一部が離脱して微粒子となって熔融ガラスGに落下することは少なくなる。これによって、熔融ガラスGに白金族金属の異物が混入することを抑制することができる。
通電加熱による加熱量の調整は、上記最高温度と上記最低温度の温度差が小さくなるように、清澄管41の周上の各部分(上部、側部、及び下部)にX方向に流れる通電加熱のための電流を調整することにより行われる。例えば、フランジ形状の加熱電極41bに設けられる水冷管の断面積を小さくし、加熱電極41b近傍の電流が清澄管41の上部に偏るようにすることで、フランジ形状の加熱電極41b近傍の気相空間41cと接する内壁の温度を上昇させることができる。これにより上記最高温度と上記最低温度の温度差を150℃以下にすることができる。ただし、水冷管の断面積を小さくした場合、清澄管41の加熱電極41b近傍の気相空間41cと接する内壁の温度上昇と引き換えに、加熱電極41b周辺で熔融ガラスを加熱する能力は低下する。そのため、気相空間の温度差が150℃以下となり、かつ熔融ガラスの温度が清澄剤による清澄効果が得られる温度以上になるように、水冷管の断面積を調整するのが望ましい。なお、清澄管41の上部とは、清澄管41の高さ方向である鉛直方向に沿って清澄管41の高さを均等に3等分したときの高さ方向の最も高い部分であり、下部とは、3等分したときの高さ方向の最も低い部分であり、側部とは、3等分したときの残りの部分をいう。
特に、加熱電極41b及び通気管41a近傍の内壁は、最低温度を含む低温領域となっているので、低温領域の温度を高くすることにより、上記温度差を150℃以下にすることが有効である。
また、熱伝導量の調整は、清澄管41の周りを覆う耐火物保護層あるいは耐火物レンガに、一部熱伝導率の高い材料を用い、この材料を、上記高温領域と上記低温領域の間にX方向に連続して延びるように配置することにより、上記高温領域から上記低温領域に向かう熱の流れが形成される。これにより、上記最高温度と上記最低温度の温度差を150℃以下にすることができる。勿論、伝導率の高い材料の外側には、断熱性の高い耐火物レンガを用いて、放熱を抑制することが好ましい。
このような温度差を150℃以下にするための清澄管41の内壁の加熱、放熱等を調整する条件は、清澄装置の加熱及び放熱を含んだ熱伝導を再現するコンピュータシミュレーションを用いて決定することができる。
コンピュータシミュレーションでは、清澄管41の周りを覆う耐火物保護層、清澄管41、通気管41a、加熱電極41b、フランジ部材、熔融ガラスのそれぞれをモデル化し、これらのモデル化した部材の比熱、熱伝導率の材料データをモデルに与える。そして、清澄管41が熱量が発生し、耐火物保護層のモデル外面及び熔融ガラスのモデルに向かって熱伝導する様子を再現する。
なお、上記温度差を150℃以下にするための手段は、上述した手段に制限されない。
また、内壁の温度は、清澄管の方が攪拌槽に比べて高いため、白金族金属の揮発量は大きくなること、清澄剤として酸化錫を用いる場合、熔融ガラスから気相空間に酸素が放出され、気相空間の酸素濃度が高くなり白金族金属の揮発を促進させること、さらに、清澄管では温度分布によって揮発した白金族金属が凝集し易くなることから、清澄管の適用は、攪拌槽の適用に比べて、本実施形態の効果をより顕著に発揮させる点で好ましい。
清澄管41では、熔融ガラスGの粘度を、熔融ガラスGに含まれる泡が気相空間と接する熔融ガラスの表面(液面)に浮上しやすい値に調節することにより、熔融ガラスGが清澄される。しかし、パネルディスプレイやフラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適な無アルカリガラスおよびアルカリ微量含有ガラスは、高温時において高い粘度を有する。例えば、無アルカリガラスおよびアルカリ微量含有ガラスを成形するために用いる熔融ガラスGは、粘度が102.5poiseである場合に、1500℃以上の温度を有する。そのため、清澄工程において、熔融ガラスの温度を、通常のアルカリガラスの熔融ガラスの温度に比べて高くする必要があるため、上述した白金族金属の揮発の問題が顕著になる。そして、白金族金属の揮発が促進されると、清澄管41の内壁および通気管41aの内壁に白金族金属の凝集物が異物として付着しやすくなる。この点で、本実施形態の製造方法は効果的である。
清澄剤として酸化錫を用い、図3に示す清澄管41を用いて、熔融ガラスの清澄を行うとともに、清澄後、2270mm×2000mmであり、厚さが0.5mmのシートガラスに成形し、100枚のガラス基板を作成した(実施例1〜5、比較例1〜3)。
清澄管41の壁の温度の調整は、上記加熱電極41bのフランジ形状の変更と白金族金属製の通気管41aに対する通電加熱の調整により行い、加熱電極41b及び通気管41a周辺の清澄管41の壁の温度を1550℃以上に保ち、加熱電極41b及び通気管41aと清澄管41の最高温度との温度差は各設定した温度に保った。清澄時間は1時間であった。また、ガラス基板のガラス組成は、SiO2 66.6モル%、Al2O3 10.6モル%、B2O3 11.0モル%、MgO,CaO,SrO及びBaOの合量 11.4モル%、SnO2 0.15モル%、Fe2O3 0.05モル%、アルカリ金属酸化物の合量 0.2モル%であり、歪点は660℃、粘度が102.5ポアズであるときの熔融ガラスの温度は1570℃であった。
一方、加熱電極41bのフランジ形状の変更と通気管に対する通電加熱の調整を行わなかった点を除いて、上記実施例と同様にして、熔融ガラスの清澄を行った(比較例1)。比較例1において、清澄時の加熱電極及び通気管の温度は、約1300℃であり、加熱電極及び通気管と清澄管の最高温度部分との間の温度差は約350℃であった。
実施例1〜5および比較例1のガラス基板の白金異物の有無を、目視で確認したところ、実施例1〜5では、白金異物が確認されたガラス基板の数は、比較例1の1/6以下に抑えることができた。なお、白金異物として、アスペクト比が100以上であり、最大長さが100μm以上のものをカウントした。
さらに、比較例2、3として、温度差を種々変化させた。
より具体的な温度差と結果を下記表1に示す。最低温度となる加熱電極41b又は通気管41aと最高温度となる清澄管41との温度差が10℃、50℃、80℃、100℃、120℃、170℃、200℃である場合において、ガラス基板1kgあたりの白金異物数をカウントした。なお、最高温度と最低温度の温度差が120℃である場合の白金異物数を1.0として、夫々の条件における白金異物数を比率で示した。温度差が170℃、200℃である場合(比較例2、3)に対し、温度差が10℃、50℃、80℃、100℃、120℃である場合(実施例1〜5)では、ガラス基板中の白金異物の量を抑制できたことを明らかである。なお、温度差が10℃、50℃、80℃、100℃、120℃となるように制御してガラス基板を製造した場合、ガラス基板の白金異物は、0.001個/kg以下に抑えることができた。図5は、実施例1〜5、比較例2、3の結果の一例を示す図である。図5に示すグラフの縦軸は、温度差が120℃である場合の白金異物数を1.0とした時の比率である。比率1.5を超えると、ガラス基板の歩留まりが許容できない範囲となることから、図5では、比率1.5を閾値として点線で示している。しかも温度差が150℃を超えると比率が急激に立ち上がり、ガラス基板の歩留まりが急激に悪化する。
実験例1に対して、ガラス基板のガラス組成を、SiO2 70モル%、Al2O3 12.9モル%、B2O3 2.5モル%、MgO 3.5モル%、CaO 6モル%、SrO 1.5モル%、BaO 3.5モル%、SnO2 0.1モル%に変更した以外実験例1と同様の方法でガラス基板を作製した。このとき、ガラス基板の歪点は745℃であった。
その結果、実験例1と同様に、ガラス基板中の白金異物を抑制することができることがわかった。
41 清澄管
41a 通気管
41b 加熱電極
41c 気相空間
42d 端
42 成形装置
52 成形体
43a,43b.43c 移送管
100 攪拌装置
200 ガラス基板製造装置
G 熔融ガラス
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料からなるガラス処理装置の内部に熔融ガラスを流して前記ガラス処理装置の内部で前記熔融ガラスを処理する処理工程と、を有し、
前記ガラス処理装置には、前記内壁を加熱する加熱電極が設けられ、前記加熱電極は冷却され、
前記ガラス処理装置の内部には、前記熔融ガラスの表面と前記内壁により気相空間が形成され、
前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、
前記気相空間を形成する前記内壁は、当該内壁の最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有し、前記温度勾配は、前記内壁の加熱電極による加熱及び、前記ガラス処理装置の放熱又は前記加熱電極の冷却により形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集を抑制するように、前記放熱又は前記加熱電極の冷却が原因となって生じる、前記気相空間を形成する前記内壁の前記温度勾配における最低温度と前記最高温度との温度差を150℃以下にする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスが流れる液相と、前記熔融ガラスの液面と内壁から形成される気相空間とを有し、前記気相空間を囲む内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する処理工程と、を有し、
前記ガラス処理装置には、前記内壁を加熱する加熱電極が設けられ、前記加熱電極は冷却され、
前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、
前記気相空間を形成する前記内壁は、当該内壁の最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有し、前記気相空間を形成する内壁の温度勾配は、前記内壁の加熱電極による加熱及び、前記ガラス処理装置の放熱又は前記加熱電極の冷却により形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集を低減できるように、前記放熱又は前記加熱電極の冷却が原因となって生じる、前記気相空間を形成する前記内壁の前記温度勾配における最低温度と前記最高温度との温度差を150℃以下にする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料からなり、熔融ガラスを流して前記熔融ガラスを処理する装置であり、前記熔融ガラスの表面と前記内壁により内部に気相空間が形成されるように構成されたガラス処理装置を有するガラス基板製造装置であって、
前記ガラス処理装置には、前記内壁を加熱する加熱電極が設けられ、前記加熱電極は冷却されるように構成され、
前記気相空間を形成する前記内壁は、当該内壁の最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有し、前記気相空間を形成する内壁の温度勾配は、前記内壁の加熱電極による加熱及び、前記ガラス処理装置の放熱又は前記加熱電極の冷却により形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集が抑制するように、前記放熱又は前記加熱電極の冷却が原因となって生じる、前記気相空間を形成する前記内壁の前記温度勾配における最低温度と前記最高温度との温度差を150℃以下とした、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
Claims (7)
- ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料からなるガラス処理装置の内部に熔融ガラスを流して前記ガラス処理装置の内部で前記熔融ガラスを処理する処理工程と、を有し、
前記ガラス処理装置の内部には、前記熔融ガラスの表面と前記内壁により気相空間が形成され、
前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、
前記処理工程では、前記気相空間を形成する前記内壁において、前記内壁における最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が、前記ガラス処理装置の加熱及び前記ガラス処理装置の放熱の少なくとも一方を用いて形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集を抑制するように、前記温度勾配領域における前記最高温度と最低温度との温度差を150℃以下にする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - ガラスの原料を熔解して熔融ガラスを生成する熔解工程と、
前記熔融ガラスが流れる液相と、前記熔融ガラスの液面と壁から形成される気相空間とを有し、前記気相空間を囲む壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料で構成されたガラス処理装置において前記熔融ガラスを処理する処理工程と、を有し、
前記気相空間は、前記熔融ガラスの流れの方向に沿って形成され、
前記処理工程では、前記気相空間を形成する前記壁において、前記壁における最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向のうち上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が、前記ガラス処理装置の加熱及び前記ガラス処理装置の放熱の少なくとも一方を用いて形成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集を低減できるように、前記温度勾配領域における前記最高温度と最低温度との温度差を150℃以下にする、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。 - 前記ガラス処理装置の前記熔融ガラスが流れる方向の前記内壁の途中には、前記気相空間と大気を連通させる通気管が設けられ、
前記温度勾配領域における最高温度の位置は、前記気相空間の端と前記通気管の位置の間に位置し、
前記温度勾配領域は、前記最高温度の位置と前記気相空間の端との間の領域、あるいは、前記最高温度の位置と前記通気管の位置との間の領域に形成される、請求項1または2に記載のガラス基板の製造方法。 - 前記気相空間の端には、前記ガラス処理装置の外周から前記ガラス処理装置の外側に延びるフランジ部材が設けられ、前記温度勾配領域における前記最低温度位置は、前記気相空間の端である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記最低温度と前記最高温度は、1500〜1750℃である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記ガラス処理装置は、熔融ガラスの清澄を行う清澄装置である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のガラス基板の製造方法。
- 内壁の少なくとも一部が白金族金属を含む材料からなり、熔融ガラスを流して前記熔融ガラスを処理する装置であり、前記熔融ガラスの表面と前記内壁により内部に気相空間が形成されるように構成されたガラス処理装置を有するガラス基板製造装置であって、
前記気相空間を囲む前記内壁には、前記内壁における最高温度から前記熔融ガラスの流れの方向の上流方向あるいは下流方向に沿って温度勾配を有する温度勾配領域が、前記ガラス処理装置の加熱及び前記ガラス処理装置の放熱の少なくとも一方を用いて形成されように構成され、
前記気相空間に存在する揮発した白金族金属の揮発物の凝集が抑制するように、前記温度勾配領域における前記最高温度と最低温度との温度差を150℃以下とした、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
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