JP5938112B2 - ガラス基板の製造方法およびガラス基板製造装置 - Google Patents
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Description
また、上記白金族金属等の揮発物の凝集物に由来する異物の熔融ガラスへの混入の問題は、近年の高精細化に伴い、益々品質要求が厳しくなっている液晶ディスプレイに代表されるディスプレイ用ガラス基板ではより大きくなる。
(形態1)
内壁と熔融ガラス表面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成される処理装置を用いて熔融ガラスを処理するガラス基板の製造方法であって、
前記処理装置の前記気相空間と接する領域には、熔融ガラスを処理する際に高温領域と、高温領域よりも温度の低い低温領域と、が形成され、
前記処理装置の外部には、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させる伝熱媒体が設けられ、
前記伝熱媒体の伝熱量は、前記高温領域と前記低温領域との温度差が基準値以下となるように調整される、ガラス基板の製造方法。
例えば、高温領域は、処理装置の温度が1600℃以上の温度範囲にある領域であり、低温領域は、処理装置の温度が1600℃未満の温度範囲にある領域であってもよい。又は、高温領域は、処理装置の温度が1620℃以上の温度範囲にある領域であり、低温領域は、処理装置の温度が1590℃以下の温度範囲にある領域であってもよい。
あるいは、処理装置に設けられた電極が設けられる領域である電極領域及び排気管が設けられた領域が低温領域であり、低温領域以外の領域又は電極と排気管の間の領域が高温領域であってもよい。
高温領域と低温領域との温度差を基準値以下にするとは、伝熱媒体の伝熱量により高温領域と低温領域との温度差を調整し、当該温度差を予め設定された基準値以下にすることをいう。なお、基準値は、目標となるガラス基板中の白金貴金属の凝集物数によって定めることができる。伝熱媒体の伝熱量は、高温領域の最高温度が1600〜1750℃となり、かつ、低温領域の最低温度が1300〜1600℃となるように、調節することが好ましい。高温領域と低温領域との温度差を低減し、基準値以下にすることで、高温領域で揮発した白金族金属が低温領域で凝集する量を低減することができる。
白金族金属とは、単一の白金族元素からなる金属、および、白金族元素からなる金属の合金を意味する。白金族元素は、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)およびイリジウム(Ir)の6元素である。
気相空間における白金族金属の蒸気圧は、0.1Pa〜15Paであることが好ましい。
内壁と熔融ガラス液面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成される処理装置を用いて熔融ガラスを処理するガラス基板の製造方法であって、
前記処理装置には熔融ガラスを処理する際に高温領域と低温領域が形成され、
前記処理装置の外部には、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させる伝熱媒体が設けられ、
前記高温領域と前記低温領域との温度差を低減するように、前記伝熱媒体の伝熱量が調整されている、ガラス基板の製造方法。
前記基準値は、200℃以下であり、
前記高温領域と前記低温領域の温度差が200℃以下となるように前記伝熱媒体による伝熱量を調整する、形態1又は2に記載のガラス基板の製造方法。
前記処理装置および前記伝熱媒体は耐火断熱レンガにより覆われ、
前記伝熱媒体は前記耐火断熱レンガよりも熱伝導率が高い耐火レンガであり、
前記伝熱媒体の伝熱量は、前記伝熱媒体の熱伝導率及び配置の何れかを用いて調整される、形態1〜3のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法。
(形態5)
前記伝熱媒体の伝熱量は、コンピュータシミュレーションを用いて決定される、形態1〜4のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法。
コンピュータシミュレーションは、例えば、有限要素法やメッシュフリー法により、処理装置、伝熱媒体および気相空間のモデルを作成し、このモデルを使用して伝熱解析をすることにより行うことができる。
前記処理装置は、熔融ガラスを清澄させる清澄装置を含み、前記伝熱媒体は、前記清澄装置の高温領域および低温領域と当接し、前記伝熱媒体による伝熱量を調整することで、前記清澄管の高温領域と低温領域の温度差を調整する、形態1〜5のいずれか1つに記載のガラス基板の製造方法。
処理装置内の熔融ガラスの最高温度は1630℃〜1720℃であることが好ましい。最高温度が1630℃以上であることで、熔融ガラス内の清澄剤が清澄効果を発揮することができる一方、1720℃以下であることで高温領域と低温領域との温度差を低減し、基準値以下にすることができ、気泡の低減と白金族金属の揮発量の低減とを両立することができる。
清澄剤として、酸化錫を用いることが好ましい。熔融ガラス中の酸化錫の含有量は、0.01〜0.3mol%であることが好ましい。酸化錫の含有量が少なすぎると、気泡の低減を十分に行うことができない。一方、酸化錫の含有量が多すぎると、酸化錫の熔融ガラスからの揮発量が増加し、揮発した酸化錫の凝集物が熔融ガラスに混入するという問題が生ずる。酸化錫の含有量を0.01〜0.3mol%とすることで、気泡を十分に低減しながら酸化錫の凝集物が熔融ガラスに混入することを抑制することができる。
内壁と熔融ガラス表面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成され、熔融ガラスを処理する際に高温領域と、高温領域よりも温度の低い低温領域と、が形成される処理装置と、
前記処理装置の外部に設けられ、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させ、前記高温領域と前記低温領域との温度差が基準値以下となるように、伝熱量が調整されている伝熱媒体と、
を備えるガラス基板製造装置。
内壁と熔融ガラス液面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成され、熔融ガラスを処理する際に、高温領域と低温領域が形成される処理装置と、
前記処理装置の外部に設けられ、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させ、前記高温領域と前記低温領域との温度差を低減するように、伝熱量が調整されている伝熱媒体と、
を備えるガラス基板製造装置。
上記いずれかの形態において、気相空間中の酸素濃度は、0〜10%であることが好ましい。酸素濃度を小さくすることで、白金族金属の揮発量を低減することができる。
気相空間中の白金族金属の蒸気圧は0.1Pa〜15Paであることが好ましい。白金族金属の蒸気圧がこの範囲であると、還元された白金族金属が内壁面に付着するのを抑制することができる。
上記いずれかの形態において、熔融ガラスに混入した白金族金属の凝集物を熔融ガラスに熔解させる凝集物処理工程をさらに有することが好ましい。
凝集物処理工程の開始時における熔融ガラスに溶けている白金族金属の濃度を、0.05〜20ppmとすることが好ましい。
凝集物処理工程では、熔融ガラスの温度を1660℃〜1750℃にすることで、熔融ガラスにおける白金族金属の飽和溶解度を調整することが好ましい。
白金族金属の飽和溶解度は、熔融ガラスの酸素活量を調整することにより調整することが好ましい。例えば、酸素活量の指標である[Fe3+]/([Fe2+]+[Fe3+])が0.2〜0.5の範囲となるように酸素活量を調整することが好ましい。
上記いずれかの形態において、前記白金族金属の揮発物の凝集により生成される凝集物は、例えば、最大長さの最小長さに対する比であるアスペクト比が100以上である。また、例えば、白金族金属の凝集物の最大長さは50μm〜300μm、最小長さは0.5μm〜2μmである。ここで、白金族金属の凝集物の最大長さとは、白金族金属の凝集物を撮影して得られる異物の像に外接する外接長方形のうち最大長辺の長さをいい、最小長さとは、前記外接長方形の最小短辺の長さをいう。
あるいは、前記白金族金属の揮発物の凝集により生成される凝集物は、最大長さの最小長さに対する比であるアスペクト比が100以上であり、白金族金属の凝集物の最大長さが100μm以上、好ましくは100μm〜300μmであるものを示してもよい。
上記いずれかの形態において、前記ガラス基板は、ディスプレイ用ガラス基板である。また、前記ガラス基板は、酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板又はLTPSディスプレイ用ガラス基板に好適である。
ガラス基板の製造方法は、熔解工程(ST1)と、清澄工程(ST2)と、均質化工程(ST3)と、供給工程(ST4)と、成形工程(ST5)と、徐冷工程(ST6)と、切断工程(ST7)と、を主に有する。
熔解槽の熔融ガラスの加熱は、熔融ガラス自身に電気が流れて自ら発熱し加熱する方法である通電加熱に加えて、バーナーによる火焔を補助的に与えてガラス原料を熔解することもできる。なお、熔融ガラスは、清澄剤を含有する。清澄剤として、酸化錫、亜ヒ酸、アンチモン等が知られているが、特に制限されない。しかし、環境負荷低減の点から、清澄剤として酸化錫を用いることが好ましい。ガラス基板の酸化錫の含有量は、0.01〜0.3mol%であることが好ましく、0.03〜0.2mol%であることがより好ましい。酸化錫の含有量が少なすぎると、気泡の低減を十分に行うことができない。一方、酸化錫の含有量が多すぎると、酸化錫の熔融ガラスからの揮発量が増加し、揮発した酸化錫の凝集物が熔融ガラスに混入するという問題が生ずる。また、酸化錫の含有量が多すぎると、熔融ガラスから気相空間に放出される酸素が増加し、気相空間の酸素濃度が上昇し過ぎてしまい、処理装置からの白金族金属の揮発量が増加してしまうという問題が生ずる。酸化錫の含有量を0.01〜0.3mol%とすることで、気泡を十分に低減しながら酸化錫の凝集物が熔融ガラスに混入することを低減することができる。また、気泡を十分に低減しながら処理装置からの白金族金属の揮発量を低減することができる。
酸化錫は、一般的に用いられていた亜ヒ酸に比べて清澄機能は低いが、環境負荷が低い点で清澄剤として好適に用いることができる。しかし、酸化錫は、清澄機能が亜ヒ酸に比べて低いので、酸化錫を用いた場合、熔融ガラスMGの清澄工程時の熔融ガラスMGの温度を従来よりも高くしなければならない。そのため、後述する清澄管からの白金族金属の揮発量が増加し、結果的に白金族金属がガラス基板に異物として混入するという問題が顕著となる。
なお、清澄工程は、減圧雰囲気の空間を清澄管につくり、熔融ガラスに存在する泡を減圧雰囲気で成長させて脱泡させる減圧脱泡方式を用いることもできる。しかし、減圧脱泡方式は装置が複雑化及び大型化するため、清澄剤を用い、熔融ガラス温度を上昇させる清澄方法を採用することが好ましい。
供給工程(ST4)では、攪拌槽から延びる配管を通して熔融ガラスが成形装置に供給される。
成形工程(ST5)では、熔融ガラスをシートガラスに成形し、シートガラスの流れを作る。成形には、オーバーフローダウンドロー法が用いられる。
徐冷工程(ST6)では、成形されて流れるシートガラスが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように、シートガラスを徐冷する。
切断工程(ST7)では、切断装置において、成形装置から供給されたシートガラスを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス基板が作られる。
図2に示す熔解槽101には、図示されないバーナー等の加熱手段が設けられている。熔解槽には清澄剤が添加されたガラス原料が投入され、熔解工程が行われる。熔解槽101で熔融した熔融ガラスは、移送管104を介して清澄管120に供給される。
清澄管120では、熔融ガラスMGの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスの清澄が行われる。清澄後の熔融ガラスは、移送管105を介して攪拌槽に供給される。
攪拌槽103では、スターラ103aによって熔融ガラスが攪拌されて均質化される。攪拌槽103で均質化された熔融ガラスは、ガラス供給管106を介して成形装置200に供給される。
成形装置200では、オーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスからシートガラスが成形される。
次に、図3を参照して、清澄管120の構成について説明する。図3は、実施の形態の清澄管120の構成を示す概略図である。
図3に示すように、清澄管120の長さ方向の両端の外周面には、電極121a、121bが設けられており、清澄管120の気相空間と接する壁には、排気管127が設けられている。なお、清澄管120は、白金、強化白金又は白金合金製であることが好ましい。
なお、本実施例では、清澄管120が白金族金属から構成されている場合を具体例として説明するが、清澄管120の一部が、耐火物や他の金属などから構成されていてもよい。
また、通電加熱によって熔融ガラスの温度を制御することで、熔融ガラスの粘度を調節し、これにより清澄管120を通過する熔融ガラスの流速を調節することができる。
制御装置123は電源装置122が清澄管120に通電させる電流量を制御し、これにより清澄管120を通過する熔融ガラスの温度および流速を制御する。制御装置123は、CPU、メモリ等を含むコンピュータである。
伝熱媒体130の熱伝導率は、断熱材140の熱伝導率の2倍以上であることが好ましく、5倍以上であることがより好ましい。1000℃における熱伝導率が2〜40W/m・Kである材料を伝熱媒体130として用いることが好ましい。伝熱媒体130には、優れた耐火性を有し、かつ、強度(剛性)が高い部材を用いることができる。具体的には、伝熱媒体130として、アルミナ電鋳耐火物、マグネシア質耐火物、炭化ケイ素耐火物等を用いることができる。このような材料を伝熱媒体130に用いることで、清澄管120の変形を防止することができる。
伝熱媒体130を介して高温領域から低温領域に移動する熱量は、0.3kW〜20kWであることが好ましく、0.5kW〜15kWであることがより好ましい。
伝熱媒体130の断熱性は低いため、伝熱媒体130のみでは清澄管120を十分に保温することができない。一方、伝熱媒体130の外側に設けられた断熱材140は、断熱性は優れているが、強度が低い傾向がある。例えば、断熱耐火レンガは気孔率が高いほど、断熱性が高くなるが、強度が低くなる。そのため、断熱耐火レンガのみでは、清澄装置120の変形を防止することはできない。
本実施形態においては、伝熱媒体130と断熱材140の2層構造にすることによって、伝熱媒体130による清澄管120の支持と断熱材140による保温が達成される。
気相空間中の酸素濃度を0%にすれば、白金族金属の揮発を防ぐことができる。このため、白金族金属の揮発を防ぐ観点からは、気相空間中の酸素濃度を0%にすることが好ましい。しかし、気相空間の酸素濃度を常に0%に保つためには清澄剤の含有量を極めて減らすことや、コストがかかるという問題がある。このため、泡低減、低コスト及び白金族金属の揮発の低減を両立するために、気相空間41cの酸素濃度は、0.01%以上であることが好ましい。気相空間の酸素濃度が小さくなり過ぎると、熔融ガラスと気相空間の酸素濃度差が大きくなることで熔融ガラスから気相空間120aに放出される酸素が増加し、熔融ガラスが還元され過ぎてしまうことで、結果的に成形後のガラス基板に硫黄酸化物や窒素等の気泡が残存するおそれがある。一方、酸素濃度が大きすぎると、白金族金属の揮発が促進され、揮発した白金族金属の析出量が増大するおそれがある。以上のことから、気相空間中の酸素濃度は、0〜30%であることが好ましく、0.01〜10%であることが好ましく、0.01〜1%であることがより好ましい。
気相空間中の白金族金属の蒸気圧は0.1Pa〜15Paであることが好ましく、3Pa〜10Paであることがより好ましい。白金族金属の蒸気圧がこの範囲であると、還元された白金族金属の凝集物が内壁面に付着するのを抑制することができる。
高温領域と低温領域との温度差を上記範囲とするために、低温領域の最低温度は1300℃以上1600℃以下であることが好ましく、1400℃以上1600℃以下であることがより好ましく、1500℃以上1600℃以下であることがさらに好ましい。また、高温領域の最高温度は1600℃以上1750℃以下であることが好ましく、1600℃以上1720℃以下であることがより好ましく、1610℃以上1700℃以下であることがさらに好ましい。
また、伝熱媒体130が耐火レンガである場合には、耐火レンガの配置を調整することで、高温領域と低温領域の温度差を制御することができる。
熔融ガラスの白金族金属の濃度は、例えば、清澄管内の熔融ガラスをサンプリングし、冷却後粉砕してICP定量分析を用いた測定により求めることができる。
また、熔融ガラスの温度を高くしすぎると、過剰に脱泡されるため、熔融ガラスの酸素活量は低くなる。この状態で、吸収処理工程が行われると、熔融ガラスに溶存しているSO3、CO3が還元されることでSO2、CO2が生成される。SO2、CO2はSO3、CO3に比べて熔融ガラスに溶存されにくいため気泡として残りやすく、製造されるガラス基板に生じる泡欠陥の原因となる。
気相空間の圧力の調整は、例えば、気相空間内の気体が排気管127を通って清澄管120の外側に排出される量(排出量)や、清澄管120内へのガス、例えば不活性ガスの供給量、熔融ガラスから放出されるガスの放出量を調整することによって行うことができる。排出量は、例えば、清澄管120の排気管127の出口を吸引装置と接続したり、上記出口を狭める等して、気相空間と清澄管120の外側の大気との圧力差の大きさを調節することで調整できる。熔融ガラスから放出されるガスの放出量は、例えば、熔融ガラスに含まれる清澄剤の量、ガラス成分の配合比を調整することで調整できる。なお、気相空間の圧力が、清澄管120の外側の大気圧より高いまたは低いことは、例えば、排気管127から放出されるガス量によって求めることができる。
気相空間の圧力を高くすると、白金族金属の凝集物の溶解量が大きくなる。一方、気相空間の圧力を高くしすぎると、脱泡処理工程において、熔融ガラス中に発生した泡が熔融ガラスの表面から放出され難くなり、清澄不良を招く場合がある。また、気相空間の圧力を高くしすぎると、清澄管120の外側の大気との圧力差が大きくなって、気相空間内の気流の流速が上昇する。このため、気相空間内の白金族金属の濃度が上昇せず飽和状態になり難いため、清澄管120の壁からの白金族金属の揮発量が増加する。
実施例1〜4では、図4に示す清澄装置を用いて、清澄剤として酸化錫を用いて熔融ガラスの清澄を1時間行い、清澄後の熔融ガラスを、2270mm×2000mm、厚さ0.5mmのシートガラスに成形し、100枚のガラス基板を作成した。このとき、伝熱媒体130および断熱材140の熱伝導率を調整することで、清澄管の最高温度の領域から電極121a、121b及び排気管127の周辺の領域への伝熱量を調整した。これにより、電極121a、121b及び排気管127の周辺の温度と清澄管の最高温度との温度差を表1に示す温度に保つことができた。なお、実施例4における伝熱量は2kWであり、実施例1〜3の伝熱量は2kW以上であった。
伝熱媒体及び断熱材の熱伝導率を調整し、清澄管の最高温度の領域から電極121a、121b及び排気管127の周辺の領域への伝熱量を調整しなかったことを除いて実施例と同様の方法で、100枚のガラス基板を作成した。この結果、電極121a、121b及び排気管127の周辺の温度と清澄管の最高温度との温度差は、表1に示す温度となった。
実施例1〜6および比較例において作製したガラス基板中を光学顕微鏡で観察し、ガラス基板中の白金族金属の凝集物の個数を計数した。なお、最高温度と最低温度の温度差が120℃である場合の1kgあたりの白金族金属の凝集物の個数を1として、夫々の条件における白金族金属の凝集物の個数を比率で示した。温度差が250℃である場合(比較例)に対し、温度差が50℃、80℃、100℃、120℃、170℃、200℃、である場合(実施例1〜6)には、ガラス基板中の白金族金属の凝集物の量を抑制できたことを明らかである。なお、白金族金属の凝集物としては、アスペクト比が100以上であり、最大長さが100μm以上の白金異物をカウントした。
酸化錫を含む無アルカリガラス基板、又は、酸化錫を含む微アルカリガラス基板であると、本実施形態の効果は顕著となる。無アルカリガラス又は微アルカリガラスは、アルカリガラスと比較してガラス粘度が高い。そのため、熔解工程で熔融温度を高くする必要があり、多くの酸化錫が熔解工程で還元されてしまうので、清澄効果を得るためには清澄工程における熔融ガラス温度を高くして、酸化錫の還元をさらに促進し、かつ熔融ガラス粘度を低下させる必要がある。つまり、酸化錫を含む無アルカリガラス基板、又は、酸化錫を含む微アルカリガラス基板を製造する場合には、清澄工程における熔融ガラス温度を高くする必要があるので、白金または白金合金等の揮発が生じやすい。ここで、本明細書において、無アルカリガラス基板とは、アルカリ金属酸化物(Li2O、K2O、及びNa2O)を実質的に含有しないガラスである。また、微アルカリガラスとは、アルカリ金属酸化物の含有量(Li2O、K2O、及びNa2Oの合量)が0超0.8mol%以下のガラスである。
このとき、SiO2、Al2O3、B2O3、及びRO(Rは、Mg、Ca、Sr及びBaのうち前記ガラス基板に含有される全元素)の少なくともいずれかを含み、モル比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)は4.0以上であってもよい。モル比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)は4.0以上であるガラスは、高温粘性の高いガラスの一例である。高温粘性の高いガラスは、一般的に清澄工程における熔融ガラス温度を高くする必要があるので、白金族金属(例えば、白金または白金合金)の揮発が生じやすい。つまり、このような組成を有するガラス基板を製造する場合には、熔融ガラス中に白金族金属の凝集物が異物として混入することを抑制するといった本実施形態の効果は顕著になる。なお、高温粘性とは、熔融ガラスが高温になるときのガラスの粘性を示し、ここでいう高温とは、例えば、1300℃以上を示す。
以上のことから、本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板を含むディスプレイ用ガラス基板に好適である。IGZO等の酸化物半導体を使用した酸化物半導体ディスプレイ用ガラス基板及びLTPS半導体を使用したLTPSディスプレイ用ガラス基板に好適である。また、本実施形態で製造されるガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が極めて少ないことが求められる液晶ディスプレイ用ガラス基板に好適である。また、有機ELディスプレイ用ガラス基板にも好適である。言い換えると、本実施形態のガラス基板の製造方法は、ディスプレイ用ガラス基板の製造に好適であり、特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造に好適である。
また、本実施形態で製造されるガラス基板は、カバーガラス、磁気ディスク用ガラス、太陽電池用ガラス基板などにも適用することが可能である。
循環管に循環させる冷媒は、水などの液体であってもよいし、空気などの気体であってもよい。
循環管には、融点が高い金属材料を用いることができる。具体的には、白金、ロジウム、銀、パラジウム、金、またはこれらの合金を循環管の材料として用いることができる。
103 攪拌槽
104、105 移送管
105 ガラス供給管
120 清澄管(清澄装置)
121a、121b 電極
122 電源装置
123 制御装置
127 排気管
130 伝熱媒体
140 断熱材
200 成形装置
Claims (9)
- 内壁と熔融ガラス表面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成される処理装置を用いて熔融ガラスを処理するガラス基板の製造方法であって、
前記処理装置で前記熔融ガラスを処理する際に、前記気相空間と接する内壁に高温領域と前記高温領域よりも温度の低い低温領域とが形成され、
前記処理装置には、前記処理装置の本体を通電加熱するための電極、又は、前記気相空間と前記処理装置の外部空間とを連通させる排気管、の少なくとも何れかが設けられ、
前記処理装置の本体、および、前記電極又は前記排気管の外部には、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させる伝熱媒体が設けられ、
前記伝熱媒体の伝熱量は、前記電極又は前記排気管の少なくとも何れかが原因で生じる前記低温領域と前記高温領域との温度差が基準値以下となるように調整される、ガラス基板の製造方法。 - 前記基準値を、目標となるガラス基板中の白金貴金属の凝集物数によって定める、請求項1に記載のガラス基板の製造方法。
- 内壁と熔融ガラス液面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成される処理装置を用いて熔融ガラスを処理するガラス基板の製造方法であって、
前記処理装置で前記熔融ガラスを処理する際に、前記気相空間と接する内壁に高温領域と前記高温領域よりも温度の低い低温領域とが形成され、
前記処理装置には、前記処理装置の本体を通電加熱するための電極、又は、前記気相空間と前記処理装置の外部空間とを連通させる排気管、の少なくとも何れかが設けられ、
前記処理装置の本体、および、前記電極又は前記排気管の外部には、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させる伝熱媒体が設けられ、
前記電極又は前記排気管の少なくとも何れかが原因で生じる前記低温領域と前記高温領域との温度差を低減するように、前記伝熱媒体の伝熱量が調整されている、ガラス基板の製造方法。 - 前記高温領域と前記低温領域との温度差が200℃以下となるように前記伝熱媒体による伝熱量を調整する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記処理装置および前記伝熱媒体は耐火断熱レンガにより覆われ、
前記伝熱媒体は前記耐火断熱レンガよりも熱伝導率が高い耐火レンガであり、
前記伝熱媒体の伝熱量は、前記伝熱媒体の熱伝導率及び配置の何れかを用いて調整される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。 - 前記伝熱媒体の伝熱量は、コンピュータシミュレーションを用いて決定される、請求項1〜5のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
- 前記処理装置は、熔融ガラスを清澄させる清澄装置を含み、
前記伝熱媒体は、前記清澄装置の高温領域および低温領域と当接し、
前記伝熱媒体による伝熱量を調整することで、前記清澄装置の高温領域と低温領域の温度差を調整する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。 - 内壁と熔融ガラス表面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成され、熔融ガラスを処理する際に、高温領域と前記高温領域よりも温度の低い低温領域とが前記気相空間と接する内壁に形成される本体、および、
前記処理装置の本体を通電加熱するための電極、又は、前記気相空間と前記処理装置の外部空間とを連通させる排気管、の少なくとも一方が設けられた処理装置と、
前記処理装置の本体、および、前記電極又は前記排気管の外部に設けられ、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させ、前記電極又は前記排気管の少なくとも何れかが原因で生じる前記低温領域と前記高温領域との温度差が基準値以下になるように、伝熱量が調整されている伝熱媒体と、
を備えるガラス基板製造装置。 - 内壁と熔融ガラス液面とから形成される気相空間を有し、前記気相空間と接する前記内壁の少なくとも一部は白金族金属を含む材料で構成され、
熔融ガラスを処理する際に、高温領域と前記高温領域よりも温度が低くなる低温領域とが前記気相空間と接する内壁に形成される本体、および、
前記処理装置の本体を通電加熱するための電極、又は、前記気相空間と前記処理装置の外部空間とを連通させる排気管、の少なくとも一方が設けられた処理装置と、
前記処理装置の本体、および、前記電極又は前記排気管の外部に設けられ、前記処理装置を支持し、前記高温領域から前記低温領域へ熱を伝導させ、前記電極又は前記排気管の少なくとも何れかが原因で生じる前記低温領域と前記高温領域との温度差を低減するように、伝熱量が調整されている伝熱媒体と、
を備えるガラス基板製造装置。
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