JPWO2015072261A1 - 樹脂層付きキャリア材料、積層体、回路基板および電子装置 - Google Patents

Abstract

回路基板用の樹脂層付きキャリア材料（１）は、キャリア材料（１２）と、キャリア材料（１２）の一方の面に設けられた樹脂層（１１）とを備える。樹脂層（１１）は、熱硬化性樹脂を含み、かつ、Ｂステージ状態である。また、樹脂層（１１）の硬化物（Ｃステージ状態）の−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'ＬＴは、０．１ＧＰａ以上３．５ＧＰａ以下である。この硬化物は、樹脂層（１１）を１９０℃、２時間加熱して得られるものである。

Description

本発明は、樹脂層付きキャリア材料、積層体、回路基板および電子装置に関する。

従来、回路基板上に電子部品を積層した電子装置が使用されている。例えば、特許文献１には、回路基板と半導体素子とを備え、半導体素子と回路基板とをワイヤにて接続した半導体装置が開示されている。

特開平８―５５８６７号公報

このような電子装置においては、電子部品と回路基板との間において、様々な環境温度の変化にも耐えうる高い接続信頼性が求められる。
特許文献１では、回路基板のガラス転移温度や、線膨張係数を調整することで、接続信頼性を高めている。
これに対し、本発明者は新たな視点から、このような課題を解決する発明を発案した。

本発明者らが、鋭意検討を行った結果、回路基板の表面側の層に、低温での弾性率が低い樹脂層を設けることで、電子部品の平均線膨張係数と回路基板の平均線膨張係数との差により生じる応力を緩和できることがわかった。これにより、電子部品と回路基板との間の接続信頼性を高めることができる。

本発明はこのような知見に基づいて発案されたものである。

すなわち、本発明によれば、
回路基板の製造に使用される樹脂層付きキャリア材料であって、
キャリア材料と、
上記キャリア材料の一方の面に設けられ、熱硬化性樹脂を含み、かつ、Ｂステージ状態の樹脂層と、
を備え、
上記樹脂層を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の−４０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴが０．１ＧＰａ以上、３．５ＧＰａ以下である、樹脂層付きキャリア材料が提供される。

この樹脂層付きキャリア材料は、硬化物の−４０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴが０．１ＧＰａ以上、３．５ＧＰａ以下であり、低温での樹脂層の貯蔵弾性率が従来のものよりも低くなっている。これにより、この樹脂層付きキャリア材料を回路基板に使用し、電子部品を搭載した場合に、さまざまな温度環境における回路基板に対する電子部品の位置ずれを防止できる。これにより、電子部品と回路基板との接続信頼性を高めることができる。

さらに、本発明によれば、
上述した樹脂層付きキャリア材料の上記樹脂層を硬化させた樹脂層付きキャリア材料と、
この樹脂層付きキャリア材料の上記樹脂層側に配置された絶縁層と、
を含む回路基板用の積層体を提供できる。

さらに、本発明によれば、
上述した樹脂層付きキャリア材料の上記樹脂層を硬化させた層と、
上記樹脂層を硬化させた層から上記キャリア材料を除去することにより露出された面に形成された、または前記キャリア材料を回路加工することにより形成された回路層と、
を備える回路基板であって、
上記回路層は当該回路基板に形成された回路層のうち、最外層に配置されたものである、回路基板を提供できる。

さらに、本発明によれば、
上述した回路基板と、
上記回路基板上に設けられた電子部品と、
を備える電子装置を提供できる。

本発明によれば、電子部品と回路基板との接続信頼性を向上させることができる回路基板用の樹脂層付きキャリア材料、これを用いた積層体、回路基板および電子装置が提供される。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

本発明の一実施形態にかかる回路基板用の樹脂層付きキャリア材料の断面図であり、回路基板用の樹脂層付きキャリア材料の厚さ方向に沿った断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、回路基板の製造工程を示す断面図であり、基板面と直交する方向に沿った断面図である。 回路基板の断面図である。 回路基板を使用した電子装置を示す断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、樹脂層付きキャリア材料を適用した積層体を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同一符号を付し、その詳細な説明は重複しないように適宜省略される。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の回路基板用の樹脂層付きキャリア材料１について説明する。
この回路基板用の樹脂層付きキャリア材料１は、キャリア材料１２と、キャリア材料１２の一方の面に設けられた樹脂層１１とを備える。樹脂層１１は、熱硬化性樹脂を含み、かつ、Ｂステージ状態（半硬化状態）である。
また、樹脂層１１の硬化物（Ｃステージ状態）の−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴは、０．１ＧＰａ以上３．５ＧＰａ以下である。この硬化物は、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られるものである。
このように−４０℃での樹脂層１１の硬化物の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを上記範囲内にすることで、環境温度に急激な変化が生じても、回路基板２と電子部品３１間で生じる線膨張係数差に起因して発生する応力を樹脂層１１の硬化物により安定的に緩和することができる。これにより、この樹脂層付きキャリア材料１を回路基板２に使用し、電子部品３１を搭載した場合に、さまざまな温度環境における回路基板２に対する電子部品３１の位置ずれを防止できる。
以上から、−４０℃での樹脂層１１の硬化物の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを上記範囲内にすることで、電子部品３１と回路基板２との間の接続信頼性を高めることができる。

ここで、Ｂステージ状態とは、例えば、Ｂステージ状態の樹脂層１１の発熱量Ａと、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物（Ｃステージ状態）の発熱量Ｂとの差（Ａ−Ｂ）が５Ｊ／ｇ以上６０Ｊ／ｇ以下の関係を満たす状態を呼ぶ。

樹脂層付きキャリア材料１において、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される、Ｂステージ状態の樹脂層１１の２５℃におけるプローブタック力は、好ましくは５０ｍＮ/ｃｍ^２以下であり、より好ましくは２０ｍＮ/ｃｍ^２以下である。
プローブタック力が上記上限値以下であると、回路加工時における樹脂層付きキャリア材料１の取扱性が優れるため好ましい。

樹脂層付きキャリア材料１の２５℃における反り量は、好ましくは５ｍｍ以下であり、より好ましくは３ｍｍ以下である。ここで、樹脂層付きキャリア材料１の反り量は、樹脂層付きキャリア材料１を１０ｃｍ角で切り出したものを定盤上に載置した際に、樹脂層付きキャリア材料１と定盤との間に生じる隙間を反り量としたとき、隙間ゲージで測定される。
このような反り量が小さい樹脂層付きキャリア材料１は取り扱い性に優れている。また、樹脂層付きキャリア材料１を他の層に積層させる際に、他の層との位置ずれを抑制できる。

キャリア材料１２は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの樹脂フィルム；銅箔などの金属箔等である。キャリア材料１２の厚みは、例えば、１０〜３０μｍである。
樹脂層１１は、Ｂステージ状態である。そして、樹脂層１１の厚みは、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。この樹脂層１１は、回路基板２を形成した際に応力緩和層として機能する。樹脂層１１の厚みを上記下限値以上とすることで、応力緩和効果を確実に発揮させることができる。一方で、樹脂層１１の厚みを上記上限値以下とすることで、回路基板２の厚みを抑制することができる。

樹脂層１１は、熱硬化性樹脂を含む樹脂成分（Ａ）（硬化剤（Ｂ）を除く）を含む組成物を半硬化させたものである。樹脂層１１は、本発明の効果を損なわない範囲において、硬化剤（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）とをさらに含んでもよい。
樹脂成分（Ａ）は、熱硬化性樹脂として、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有する熱硬化性樹脂（Ａ２）を含むことが好ましい。
このような熱硬化性樹脂（Ａ２）を使用することで、ガラス転移温度を高くすることができる。
そして、芳香環あるいは脂環構造を有する熱硬化性樹脂（Ａ２）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタンノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
これらの中でもガラス転移温度をより一層高くできるとともに、−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを低下できる観点から、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。ここで、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するものを呼ぶ。

ナフタレン型のエポキシ樹脂としては、例えば、以下の式（５）〜（８）のいずれかを使用できる。なお、式（６）において、ｍ、ｎはナフタレン環上の置換基の個数を示し、それぞれ独立して１〜７の整数を示している。また、式（７）においては、Ｍｅはメチル基を示し、ｌ、ｍ、ｎは１以上の整数である。ただし、ｌ、ｍ、ｎは１０以下であることが好ましい。

なお、式（６）の化合物としては、以下のいずれか１種以上を使用することが好ましい。

また、ナフタレン型エポキシ樹脂としては、以下の式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂も使用できる。

（上記式（８）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、ｌは１以上２以下の整数であり、Ｒ_１はそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記式（９）で表される構造であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。）

（上記式（９）において、Ａｒはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、ｍは１又は２の整数である。）

上記式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、下記式（１０）で表されるものが例として挙げられる。

（上記式（１０）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、好ましくは１以上１０以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数である。Ｒはそれぞれ独立に水素原子または下記式（１１）で表される構造であり、好ましくは水素原子である。）

（上記式（１１）において、ｍは１又は２の整数である。）

上記式（１０）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂は、例えば、下記式（１２）〜（１６）で表されるものが例として挙げられる。

また、樹脂成分（Ａ）は、熱硬化性樹脂（Ａ２）に含まれる反応性基（例えば、グリシジル基）と、反応する反応性基を有する化合物（Ａ１）を含むことが好ましい。
このような化合物（Ａ１）としては、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）を有しない脂肪族エポキシ樹脂、末端にカルボキシル基を含有する、アクリロニトリルとブタジエンとの共重合体（ＣＴＢＮ、例えば、下記の式（１７）で示され、ｘが０．０５以上０．２以下、ｙが０．８以上０．９５以下（ｘとｙはモル比を示し、ｘ+ｙ＝１である）、ｚが５０以上７０以下である化合物。例えば、商品名ＣＴＢＮ１３００Ｘ（宇部興産社製））、フェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド−ポリ（ブタジエン−アクリロニトリル）ブロック共重合体（例えば、商品名ＫＡＹＡＦＬＥＸ ＢＰＡＭ−１５５(日本化薬社製、末端はアミド基)）からなる群から選択されるいずれか１種以上を使用することができる。このような化合物（Ａ１）を適宜選択して使用することで、樹脂層１１の樹脂流れおよびガラス転移温度の値を維持しつつ、−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを低下させることができる。

樹脂層１１の樹脂流れおよびガラス転移温度の値を維持しつつ、−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを低下させて所定の範囲とする観点から、上記脂肪族エポキシ樹脂は、グリシジル基以外に環状構造を有しない脂肪族エポキシ樹脂であることが好ましく、グリシジル基を２以上有する２官能以上の脂肪族エポキシ樹脂がより好ましい。
以上のような脂肪族エポキシ樹脂としては、化学式（１８）〜（２７）で示されるものが好ましく、少なくともいずれか１以上を含むことが好ましく、特に化学式（１８）で示されるものを含むことが好ましい。このような脂肪族エポキシ樹脂は、エポキシ基が酸化されにくいため、熱履歴による弾性率の上昇が起こりにくいため優れている。

（式（１８）において、ｌ，ｍ，ｎ，ｐ，ｑ，ｒは０以上の整数、ただし、ｌ、ｍ、ｎがすべて０の場合を除く。また、ｐ、ｑ、ｒがすべて０の場合も除く。なかでも、ｌ＝１〜５、ｍ＝５〜２０、ｎ＝０〜８、ｐ＝０〜８、ｑ＝３〜１２、ｒ＝０〜４が好ましい。）

（式（２６）において、ｌ、ｍ、ｎは０以上の整数、ただし、ｌ、ｍ、ｎがすべて０の場合を除く。なかでも、ｌ＝１〜１２、ｍ＝８〜３０、ｎ＝０〜１０が好ましい。）

（式（２７）において、ｎは１以上の整数であり、なかでも、２〜１５であることが好ましい。）

−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを低下させて所定の範囲とする観点から、化合物（Ａ１）の含有量は、樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、４０質量％以上８０質量％以下が好ましく、５０質量％以上７０質量％以下が好ましく、熱硬化性樹脂（Ａ２）の含有量は樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、５質量％以上３０質量％以下が好ましく、１０質量％以上２０質量％以下がより好ましい。
また、樹脂層１１の高いガラス転移温度を達成するとともに、−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴを低下させて所定の範囲とする観点からは、化合物（Ａ１）の含有量は樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、１０質量％以上３０質量％以下が好ましく、１５質量％以上２５質量％以下がより好ましく、熱硬化性樹脂（Ａ２）の含有量は樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、３０質量％以上６０質量％以下が好ましく、３５質量％以上５５質量％以下がより好ましい。このとき、熱硬化性樹脂（Ａ２）として前述したナフタレン型エポキシ樹脂を含むのが好ましい。この場合、化合物（Ａ１）の合計／熱硬化性樹脂（Ａ２）の合計で示される質量比を０．１以上１．５以下とすることが好ましく、０．４以上１．２以下とするのがより好ましい。

また、熱硬化性樹脂（Ａ２）と化合物（Ａ１）とを含む樹脂成分（Ａ）は、樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、５０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、５５質量％以上８５質量％以下であることがより好ましく、なかでも、６０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。

硬化剤（Ｂ）（硬化触媒）としては、例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩；トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類；２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類；トリフェニルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタンなどの有機リン化合物；フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物；酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸；など、またはこの混合物が挙げられる。硬化触媒として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。

硬化触媒の含有量は、とくに限定されないが、樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、０．０５質量％以上５質量％以下が好ましく、とくに０．２質量％以上２質量％以下が好ましい。
また、硬化剤（Ｂ）として、フェノール系硬化剤を使用してもよいし、硬化触媒と併用してもよい。フェノール系硬化剤としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、アミノトリアジンノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
フェノール系硬化剤の含有量は、樹脂成分（Ａ）にエポキシ樹脂が含まれる場合、エポキシ樹脂との当量比（フェノール性水酸基当量／エポキシ基当量）が０．１〜１．０であると好ましい。これにより、未反応のフェノール硬化剤の残留がなくなり、吸湿耐熱性が向上する。
フェノール系硬化剤の含有量は、とくに限定されないが、樹脂層１１を構成する樹脂組成物の全固形分１００質量％に対し、５質量％以上４５質量％以下が好ましく、１０質量％以上４０質量％以下がより好ましく、１５質量％以上３５質量％以下がさらに好ましい。

無機充填材（Ｃ）としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩；などを挙げることができる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
これらの中でも、水酸化アルミニウムが難燃性を付与する効果が優れる点で好ましい。

無機充填材の平均粒子径は、とくに限定されないが、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、とくに０．５μｍ以上２μｍ以下が好ましい。無機充填材の粒径を０．０１μｍ以上とすることで、ワニスを低粘度にし取り扱い性を向上させることができる。また、５μｍ以下とすることで、ワニス中で無機充填材の沈降などを抑制することができる。この平均粒子径は、例えば粒度分布計（島津製作所社製、製品名：レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤシリーズ）により測定することができる。

また、無機充填材は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を１種類または２種類以上併用したりすることもできる。

さらに、平均粒子径５μｍ以下の水酸化アルミニウムが好ましく、とくに平均粒子径０．５μｍ以上２μｍ以下の水酸化アルミニウムが好ましい。これにより、キャリア材料１の樹脂膜厚均一性を向上させることができる。

樹脂層１１に含まれる無機充填材（Ｃ）の含有量は、樹脂層全体を１００質量％としたとき、６０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることが特に好ましい。これにより、回路加工性を向上させることができる。

さらに、樹脂層１１となる組成物は、カップリング剤（Ｄ）を含んでもよい。カップリング剤（Ｄ）は、樹脂成分（Ａ）と無機充填材（Ｃ）との界面の濡れ性を向上させる。

カップリング剤（Ｄ）としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。
カップリング剤（Ｄ）の添加量は無機充填材（Ｃ）の比表面積に依存するので、とくに限定されないが、充填材（Ｃ）１００質量部に対して０．０５質量部以上３質量部以下が好ましく、とくに０．１質量部以上２質量部以下が好ましい。

樹脂層１１は、前述した組成物を有機溶剤に添加してワニスを形成し、このワニスをキャリア材料１２に塗布することで、形成できる。塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、コータで塗布する方法あるいはスプレーにより吹き付ける方法を採用することができる。その後、加熱を行ない溶剤を除去するとともに、樹脂層１１を半硬化とする。

樹脂層付きキャリア材料１において、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の−４０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴは、０．１ＧＰａ以上、好ましくは０．２ＧＰａ以上、特に好ましくは１．０ＧＰａ以上、そして、３．５ＧＰａ以下、好ましくは３．４ＧＰａ以下である。なお、樹脂層１１を１９０℃２時間熱硬化させた後は、樹脂層１１はＣステージとなっている。
樹脂層付きキャリア材料１において、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴは、好ましくは５ＭＰａ以上１．５ＧＰａ以下であり、より好ましくは１０ＭＰａ以上、１．３ＧＰａ以下である。
また、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の１５０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＭＴが、好ましくは０．１ＭＰａ以上１．０ＧＰａ以下であり、より好ましくは１．０ＭＰａ以上０．６ＧＰａ以下である。
また、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の２６０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＨＴが、好ましくは０．０１ＭＰａ以上０．５ＧＰａ以下であり、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上０．３ＧＰａ以下である。
このように各温度でのＣステージ状態の樹脂層の貯蔵弾性率を上記範囲内にすることで、環境温度に急激な変化が生じても、回路基板２と電子部品３１間で生じる線膨張係数差に起因して発生する応力を樹脂層１１で安定的に緩和することができる。また、２６０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＨＴを上記下限値以上とすることで、電子部品３１を回路基板２に実装する（リフローする）際に、電子部品３１が回路基板２側に沈み込んでしまうことも防止できる。
以上から、各温度でのＣステージ状態の樹脂層１１の貯蔵弾性率を上記範囲内にすることで、環境温度に急激な変化が生じても電子部品３１と回路基板２との間の接続信頼性をより一層高めることができる。

このような貯蔵弾性率を達成するためには、無機充填材の量や、前述した化合物（Ａ１）および熱硬化性樹脂（Ａ２）の量を適宜調整すればよい。
なお、上記貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置で測定したものである。
貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴは、１９０℃２時間で硬化させた樹脂層１１に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃で測定した際の、−４０℃の貯蔵弾性率の値である。
貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴは、１９０℃２時間で硬化させた樹脂層１１に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃で測定した際の、２５℃の貯蔵弾性率の値である。
貯蔵弾性率Ｅ'_ＭＴは、１９０℃２時間で硬化させた樹脂層１１に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃で測定した際の、１５０℃の貯蔵弾性率の値である。
貯蔵弾性率Ｅ'_ＨＴは、１９０℃２時間で硬化させた樹脂層１１に引張り荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／分で−５０℃から３００℃で測定した際の、２６０℃の貯蔵弾性率の値である。

樹脂層付きキャリア材料１において、樹脂層１１は、樹脂流れが好ましくは０．５質量％以下であり、好ましくは０．３質量％以下であり、特に好ましくは０．１質量％以下である。この樹脂流れは、ＪＩＳ Ｃ６５２１に準拠して測定され、樹脂層付きキャリア材料１を５ｃｍ角で切り出したものを１０枚重ねて１８０℃、９．６ＭＰａで熱プレスしたときの値である。
これにより、さまざまな温度環境において、樹脂層１１が他の絶縁層に混ざり合って、樹脂層１１や他の絶縁層の物性が変化することを抑制できる。

さらに、樹脂層１１の硬化物（Ｃステージ状態）のガラス転移温度は、好ましくは１９０℃以上２５０℃以下であり、より好ましく２００℃以上２５０℃以下である。この硬化物は、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られるものである。また、上記ガラス転移温度は、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で動的粘弾性測定により測定した値である。
樹脂層１１は、ガラス転移温度Ｔｇが１９０℃以上２５０℃以下であると、汎用的な回路基板を構成する他の絶縁層２２、２１１（図３参照）よりも、ガラス転移温度が高くなる。
そのため、回路基板に対してヒートサイクル試験等を行なった際に、昇温過程において、樹脂層１１が回路基板を構成する他の絶縁層２２、２１１（図３参照）よりも先にゴム状となることはなく、樹脂層１１の物性が保持される。そのため、樹脂層１１により回路基板と電子部品との間で発生する応力をより一層緩和することが可能となる。また、ガラス転移温度を上記範囲内とすることで、電子部品３１を回路基板２に実装する際に、電子部品３１が回路基板２側に沈み込んでしまうこともより一層防止できる。

樹脂層付きキャリア材料１において、Ｂステージ状態の樹脂層１１の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴは、好ましくは１ＭＰａ以上０．４ＧＰａ以下であり、より好ましくは３ＭＰａ以上、０．３ＧＰａ以下である。
樹脂層付きキャリア材料１において、Ｂステージ状態の樹脂層１１の２５℃における損失弾性率Ｅ''_ＲＴは、好ましくは０．０１ＭＰａ以上０．１ＧＰａ以下であり、より好ましくは０．１ＭＰａ以上０．０８ＧＰａ以下である。

また、樹脂層１１を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物のヒートサイクル試験前後の貯蔵弾性率の変化幅（Ｅ'_ＲＴ２−Ｅ'_ＲＴ１）が１．０ＧＰａ以下であることが好ましい。
ここで、ヒートサイクル試験は、−４０℃で３０分間保持する工程と１５０℃で３０分間保持する工程とからなる試験を３０００回おこなう。ヒートサイクル試験前の硬化物の２５℃における貯蔵弾性率をＥ'_ＲＴ１とし、ヒートサイクル試験後の上記硬化物の２５℃における貯蔵弾性率をＥ'_ＲＴ２とする。
このように、ヒートサイクル試験前後の貯蔵弾性率の変化幅を１．０ＧＰａ以下とすることで、温度変化の繰り返しによる貯蔵弾性率の経時的変化を抑制することができる。これにより、自動車のエンジンルーム内など温度変化が激しい状況に長期間置かれても、回路基板２と電子部品３１間で生じる線膨張係数差に起因して発生する応力を樹脂層１１で安定的に緩和することができる。その結果、電子部品３１と回路基板２との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
なお、貯蔵弾性率の変化幅（Ｅ'_ＲＴ２−Ｅ'_ＲＴ１）の下限値は特に限定されないが、例えば、０．１ＧＰａ以上である。

また、樹脂層１１を１９０℃、２時間で熱硬化させた後において、樹脂層１１の２５℃からガラス転移温度における樹脂層１１の面内方向の平均線膨張係数が４００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。

次に、図２を参照して、このような樹脂層付きキャリア材料１を使用した回路基板の製造方法について説明する。
はじめに、図２（Ａ）に示すように、コア層２１となる内層回路基板を用意する。このコア層２１は、絶縁層２１１と、絶縁層２１１の表裏面に形成された回路層２１２と、回路層２１２間を接続するビア２１３とを備える。
絶縁層２１１は、図示しない繊維基材と、この繊維基材に含浸した樹脂層とを備える。
繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などの有機繊維基材などが挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましく、ガラス織布が特に好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性のコア層２１を得ることができる。

また、樹脂層は、Ｃステージ状であり、熱硬化性樹脂を含む。
熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、シアネート樹脂等があげられる。そして、これらのうちの１種以上を使用できる。なかでも、エポキシ樹脂またはシアネート樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
シアネート樹脂の種類としては、とくに限定されないが、例えばノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でも、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、更に他のシアネート樹脂を１種類あるいは２種類以上併用したりすることもでき、とくに限定されない。

また、樹脂層は充填材を含んでいてもよい。充填材としては、前述した無機充填材と同様のものを使用することができる。

次に、図２（Ｂ）に示すように、このようなコア層２１の一方の面にＢステージのプリプレグ（絶縁層２２）を積層し、プリプレグ上に樹脂層付きキャリア材料１を積層する。このとき、プリプレグと樹脂層１１とが対向し、接触するように、樹脂層付きキャリア材料１を積層する。ここで、樹脂層付きキャリア材料１は、通常、プリプレグの回路形成されていない面上に設けられる。
このプリプレグは、繊維基材と、この繊維基材に含浸した熱硬化性の樹脂層とを含む。ただし、繊維基材を含まず、樹脂層のみからなるものとしてもよい。
繊維基材、樹脂層としては、コア層２１と同様のものを使用できる。
さらに、プリプレグは、コア層２１と同様の充填材を含んでいてもよい。
次に、コア層２１の他方の面にも、同様にプリプレグ（絶縁層２２）と、樹脂層付きキャリア材料１とを積層する。

その後、この積層体を積層方向に加圧しながら、例えば、１９０℃、２時間加熱する。これにより、絶縁層２２および樹脂層１１がＣステージとなった積層体が得られる。

次いで、樹脂層１１からキャリア材料１２を除去し、露わになった樹脂層１１の表面に金属層１３を形成し、レーザー等で、金属層１３、樹脂層１１および絶縁層２２を貫通するホールを形成する。樹脂層１１および絶縁層２２を貫通する部分がビアホールとなる。また、キャリア材料１２が金属箔の場合は、キャリア材料１２をそのまま金属層１３としてもよい。
金属層１３は、例えばＣｕ等で構成される。金属層１３の厚みは、例えば、１０〜３０μｍである。
その後、上記ホールおよび金属層１３表面に図示しないシード層を形成し、このシード層上にマスクを形成する。マスクの一部の開口部は、上記ホールに連通するとともに、他の一部の開口部からは、シード層表面が露出する。
次に、めっきにより、マスクの一部の開口部を通じて、上記ホール内に導電膜を形成するとともに、マスクの他の一部の開口部内に導電膜（例えば、Ｃｕ膜）を形成する。
ビアホール内の導電膜は図３のビア２３となる。その後、マスクを除去し、マスクにより被覆されていた部分の金属層１３およびシード層をエッチングで除去することで、図３に示す回路層２４が形成される。回路層２４はエッチングされた金属層１３と、この金属層１３上に設けられた導電膜（例えば、Ｃｕ膜）２４１とで構成される。導電膜２４１は、ビア２３に接続され、コア層２１の回路層２１２に接続されている。

なお、この回路基板２においては、樹脂層１１の硬化体とプリプレグの硬化体（絶縁層２２）とでビルドアップ層が形成されることとなる。
その後、図３に示すように、回路層２４上にソルダーレジストＳＲを設ける。本実施形態の回路基板２においては、樹脂層１１上に直接ソルダーレジストＳＲが設けられることとなる。したがって、金属層１３をエッチングすることで形成された回路層２４は、回路基板２における最外層の回路層となる。

このようにして形成された回路基板２においては、コア層２１の絶縁層２１１の２５℃からガラス転移温度における平均線膨張係数は、例えば、１０〜５０ｐｐｍ／℃である。また、同様に、絶縁層２２の２５℃からガラス転移温度における平均線膨張係数は、例えば、１０〜５０ｐｐｍ／℃である。
以上のようにして、ソルダーレジストＳＲと、樹脂層１１を硬化させた層と、金属層１３を選択的に除去して得られた回路層２４と、絶縁層２２と、コア層２１とを備える回路基板２が得られる。

次に、図４を参照して、このような回路基板２を用いた電子装置３について説明する。
図４に示すように、電子装置３は、回路基板２と、電子部品３１とを備える。
電子部品３１は、回路基板２のソルダーレジストＳＲ上に接着剤３２を介して固定されている。そして、電子部品３１は、回路基板２に対してボンディングワイヤＷにより接続されている。
ボンディングワイヤＷは、電子部品３１に接続されるとともに、回路基板２の回路層２４の一部（パッド）に半田接合されている。

電子部品３１は、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子、セラミックコンデンサ、チップ抵抗、マイクロコンピュータ、角度センサーなどが挙げられる。

電子装置３は、例えば、ハイブリッド車、燃料電池車および電気自動車などの自動車や飛行機、ロケット等の乗り物に搭載するエレクトロニックコントロールユニット、電力変換インバータユニット、スマートフォンなどの携帯端末に搭載するプロセッサユニット、耐落下衝撃性が活かせるモバイルやアウトドア用電子機器等である。
樹脂層付きキャリア材料１は、温度変化が激しい環境下に長時間置かれても、回路基板２と電子部品３１間で生じる線膨張係数差に起因して発生する応力を安定的に緩和することができるため、自動車や飛行機、ロケット等の乗り物のエンジンルーム内に使用されるエレクトロニックコントロールユニット等の電子装置に対して用いたとき特に効果的である。

電子装置３は、回路基板２の電子部品３１と接する面の面積Ｓ_１（基板面積を意味する）が、通常は５ｃｍ^２以上３００ｃｍ^２以下であり、１つ以上の電子部品３１の回路基板２と接する面（基板に搭載されている電子部品３１が基板と接している面積のこと）の合計面積Ｓ_２が、通常は０．０５ｃｍ^２以上１５０ｃｍ^２以下であり、Ｓ_２／Ｓ_１が通常は０．０１以上０．７５以下である。
電子装置３は、回路基板２の厚みを１００％としたとき、樹脂層１１の厚みの割合が、通常は０．５％以上１０％以下である。
また、電子装置３は、回路基板２が電子部品３１を半田付けするためのランド（例えば、回路層２４のパッド部分）の面積が通常は０．００１ｃｍ^２以上３０ｃｍ^２以下である。
このような電子装置３であると、樹脂層付きキャリア材料１による電子部品３１と回路基板２との接続信頼性を高める効果がより一層効果的に得られる。

電子装置３は、電子部品３１と回路基板２との接続信頼性が高い。
これは、回路基板２に樹脂層１１が設けられていることによるものである。
前述したように、樹脂層１１は、その硬化物（Ｃステージ状態）の−４０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴが０．１ＧＰａ以上、３．５ＧＰａ以下となっている。
これにより、さまざまな温度環境における回路基板２に対する電子部品３１の位置ずれを防止できる。よって、電子装置３は、電子部品と回路基板との接続信頼性に優れている。
回路基板２は、電子部品３１よりも平均線膨張係数が大きく、温度変化により大きく膨張収縮することとなる。一方で、電子部品３１の膨張収縮量は少ないため、ボンディングワイヤＷや、ボンディングワイヤＷと回路層２４のパッド部分との接続部分に負荷がかかる。しかしながら、樹脂層１１は貯蔵弾性率が低いため、樹脂層１１が変形することで、ボンディングワイヤＷや、ボンディングワイヤＷと回路層２４との接続部分にかかった負荷を吸収することができる。
そのため、例えば、回路基板２を構成する絶縁層２２、２１１として、線膨張係数が比較的高いもの、例えば、２５℃〜ガラス転移温度までの平均線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上となるような絶縁層２２、２１１を使用しても、回路基板２と電子部品３１との接続信頼性を高めることができる。

さらに、本実施形態では、回路基板２において、ボンディングワイヤＷが接続される最外層の回路層２４の直下に樹脂層１１が配置されているので、樹脂層１１の応力緩和効果を効果的に発揮させることができる。

電子部品と、回路基板との間の接続信頼性を高めるため、ボンディングワイヤと回路基板との接合に使用する半田を多量に塗布する方法や、ボンディングワイヤと回路基板２との接合部分に樹脂を塗布して固めてしまう方法が考えられる。
しかしながら、半田を多量に塗布する場合や、樹脂を塗布する場合には、回路基板のパッド部分を大きくする必要がある。そのため、回路基板の小型化が難しくなる。
これに対し、本実施形態では、樹脂層１１を設けることで、電子部品３１と回路基板２との接続信頼性を高めることができるので、回路基板の小型化を妨げることがない。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、上記実施形態では、回路層２１２が形成された内層回路基板に対して、樹脂層付きキャリア材料１を積層したが、これ限られるものではない。
例えば、図５（Ａ）に示すように、回路層が形成されていない絶縁層２１１の表裏面にプリプレグ（絶縁層２２）を配置し、その外側に樹脂層付きキャリア材料１を配置してもよい。樹脂層付きキャリア材料１の樹脂層１１は、絶縁層２２に当接する。
この場合には、コア材となる絶縁層２１１の表裏面にプリプレグを配置し、その外側に樹脂層付きキャリア材料１を積層し、上記実施形態と同様に加圧加熱して、積層体を形成する。
さらには、図５（Ｂ）に示すように、絶縁層２１１に直接、樹脂層付きキャリア材料１を設けてもよい。樹脂層付きキャリア材料１の樹脂層１１は、絶縁層２１１に当接する。この場合にも、絶縁層２１１の表裏面に、樹脂層付きキャリア材料１を配置してから、上記実施形態と同様に加圧加熱して、積層体を形成する。
いずれの場合も、樹脂層１１はＣステージとなる。
これらの積層体にスルーホールを形成するとともに、回路層を形成し、スルーホール内部を充填して、回路層同士を接続することで回路基板が形成されることとなる。

また、上記実施形態では、電子部品と、回路基板とをボンディングワイヤで接続したが、これに限られるものではない。例えば、電子部品と回路基板とを半田バンプで接続してもよい。

次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。なお、表１に示された各材料の量の単位は質量部である。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状エポキシ化ポリブタジエン(ダイセル社製、商品名ＥＰＬ−ＰＢ３６００：化学式（１８）で示した化合物)２３．２質量部、ナフタレン型エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製 商品名ＨＰ４７１０：化学式（６−３）で示した化合物)２４．１質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(三菱化学社製 商品名エピコート８２８ＥＬ)２４．３質量部、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製 商品名ＰＲ５１４７０）２７．９質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．５質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製、商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１８０℃で４分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。

（回路基板の製造）
次に、内層回路基板を用意した。内層回路基板（コア層２１）としては、下記のものを使用した。
・絶縁層２１１：ハロゲンフリー ＦＲ−４相当材（住友ベークライト社製）、厚さ０．４ｍｍ
・回路層２１２：銅箔厚み１８μｍ、Ｌ／Ｓ＝１２０／１８０μｍ、クリアランスホール１ｍｍφ、３ｍｍφ、スリット２ｍｍ
この内層回路基板の表裏面に、プリプレグ（ＥＩ−６７６５、住友ベークライト社製）を重ねあわせ、さらに、各プリプレグに対して樹脂層が接するように、樹脂層付き銅箔を配置した。その後、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、圧力０．５ＭＰａ、温度１００℃で６０秒間、真空加熱加圧成形を行った。さらに、熱風乾燥機にて温度１９０℃、２時間で加熱硬化させた。その後、一般的なアディティブ法で銅メッキし、ビア２３および回路層２４を形成した。回路層２４表面にソルダーレジストＳＲ（太陽インキ社製、ＰＳＲ４０００／ＡＵＳ３０８）を形成し、回路基板２を得た。

（電子装置の製造）
得られた回路基板２の表面に、電子部品３１（部品サイズ２ｍｍｘ１．２ｍｍ）を１０個搭載し、鉛フリーソルダーペーストを介して回路層２４と、電子部品３１とを２５０℃リフローにより接続し、電子装置を得た。
また、各寸法は以下の通りである。
ランド面積：０．０２ｃｍ^２
回路基板２の電子部品３１と接する面の面積Ｓ_１：１０ｃｍ^２
電子部品３１の回路基板２と接する面の合計面積Ｓ_２：２ｃｍ^２
回路基板２の厚みに対する樹脂層１１の厚みの割合：２％

（実施例２）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状エポキシ化ポリブタジエン（ダイセル社製、商品名ＥＰＬ−ＰＢ３６００：化学式（１８）で示した化合物)１９．６質量部、ナフタレン型エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製 商品名ＨＰ４７１０：化学式（６−３）で示した化合物)２０．６質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(三菱化学社製 商品名エピコート８２８ＥＬ)１０．２質量部、テトラブロモビスフェノールＡをベースとする難燃エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製 商品名１５３)１０．１質量部、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製 商品名ＰＲ５１４７０）１０．８質量部、アミノトリアジンノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、商品名ＬＡ７０５４）１３．１質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．５質量部、水酸化アルミニウム（中国アルミニウム社製、商品名ＨＷＦ−１、平均粒子径：１μｍ）１５．０質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ社製、商品名Ａ１８７）０．１質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製、商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１８０℃で４分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。
その後の工程は、実施例１と同様である。

（実施例３）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状脂肪族エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名ＹＬ７４１０：化学式（２０）で示した化合物、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル)６０．１質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製、商品名Ｎ６９０)１５．０質量部、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製 商品名ＰＲ５１４７０）１７．８質量部、フェノールノボラック樹脂（明和化成社製、商品名ＭＥＨ−８０００Ｈ）６．１質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製、商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１８０℃で４分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。
その後の工程は、実施例１と同様である。

（実施例４）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状脂肪族エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名ＹＬ７４１０：化学式（２０）で示した化合物、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル)６０．０質量部、ポリアルキレンオキシ化したビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名ＥＸＡ−４８１６）７．６質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製、商品名Ｎ６９０)７．６質量部、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製 商品名ＰＲ５１４７０）１２．５質量部、フェノールノボラック樹脂（明和化成社製、商品名ＭＥＨ−８０００Ｈ）１１．３質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製、商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１８０℃で４分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。
その後の工程は、実施例１と同様である。

（比較例１）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状エポキシ化ポリブタジエン（ダイセル社製、商品名ＥＰＬ−ＰＢ３６００：化学式（１８）で示した化合物)２２．８質量部、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製 商品名ＮＣ−３０００）３４．２質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(三菱化学社製 商品名エピコート８２８ＥＬ)１２．２質量部、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製 商品名ＰＲ５１４７０）２９．９質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．９質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製 商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１８０℃で４分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。
その後の工程は、実施例１と同様である。

（比較例２）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状エポキシ化ポリブタジエン（ダイセル社製、商品名ＥＰＬ−ＰＢ３６００：化学式（１８）で示した化合物)３４．１質量部、ポリアルキレンオキシ化したビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名ＥＸＡ−４８１６）２９．０質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製、商品名Ｎ６９０)１２．６質量部、フェノールノボラック樹脂（明和化成社製、商品名ＭＥＨ−８０００Ｈ）２３．３質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製 商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１８０℃で４分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。
その後の工程は、実施例１と同様である。

（比較例３）
（樹脂層付き銅箔の製造）
表１に示す組成の樹脂層を有する樹脂層付き銅箔を製造した。
具体的には以下の通りである。
はじめに、液状脂肪族エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名ＹＬ７４１０：化学式（２０）で示した化合物、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル)１８．８質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(ＤＩＣ社製、商品名Ｎ６９０)１８．９質量部、変性ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂 (ＤＩＣ社製、商品名ＥＸＡ−４８５０−１０００)３５．３質量部、アミノトリアジンノボラック樹脂（ＤＩＣ社製、商品名ＬＡ７０５４）２６．５質量部、２―フェニル―４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．５質量部をメチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度６０質量％の樹脂ワニスを調製した。得られた樹脂ワニスを、銅箔（日本電解社製 商品名ＹＧＰ−１８、厚さ１８μｍ）に塗布した後、１００℃で２分間、１５０℃で３分間乾燥して、厚さ３０μｍの樹脂層を得た。樹脂層は、半硬化の状態であった。
その後の工程は、実施例１と同様である。

（評価）
（樹脂流れ）
各実施例、比較例で得られた樹脂層付き銅箔を用いて、樹脂流れをＪＩＳ Ｃ６５２１に準拠して測定した。すなわち、樹脂層付き銅箔を５ｃｍ角で切り出したものを１０枚重ねて銅箔分の重量を減算した樹脂層重量（Ｗ_０（ｇ））を測定した。そして、樹脂層の最外層の両面には、離型フィルムを両面に貼り付けた。その後、２枚のＳＵＳ板の間に樹脂層付き銅箔を配置して、１８０℃、９．６ＭＰａに加熱加圧して、５分間熱板プレスした。ついで、離型フィルムを剥離し、重ねた樹脂層付き銅箔の端部から流れてでた樹脂層部分を削ぎ落とし、得られた樹脂層付き銅箔の銅箔分の重量を減算した樹脂層重量（Ｗ_１（ｇ））を測定した。式（１）から樹脂流れを求めた。結果を表１に示す。
樹脂流れ（質量％）＝（Ｗ_ｏ−Ｗ_１）／Ｗ_ｏ ×１００ （１）

（プローブタック力）
Ｂステージ状態の樹脂層の２５℃におけるプローブタック力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定した。

（樹脂層付き銅箔の反り量）
樹脂層付き銅箔の２５℃における反り量は、樹脂層付き銅箔を１０ｃｍ角で切り出したものを定盤上に載置した際に、樹脂層付き銅箔と定盤との間に生じる隙間を隙間ゲージで測定することにより求めた。

（示差走査熱量測定）
示差走査熱量測定装置を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件でＢステージ状態の樹脂層の発熱量Ａと、樹脂層を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化状態の樹脂層の発熱量Ｂを求め、Ｂステージ状態の樹脂層の硬化度の指標を示す（Ａ−Ｂ）を算出した。

（Ｂステージ状態の樹脂層の貯蔵弾性率）
各実施例、比較例で得られた樹脂層付き銅箔の樹脂層を銅箔から剥離した。その後、樹脂層を切削して、８×２０ｍｍの試験片を得た。この試験片を用い、動的粘弾性測定装置により、引っ張りモード、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分として、−５０℃〜３００℃の温度範囲で測定を行った。そして、２５℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴ、２５℃の損失弾性率Ｅ''_ＲＴを得た。

（硬化状態（Ｃステージ）の樹脂層の貯蔵弾性率）
各実施例、比較例で得られた樹脂層付き銅箔の樹脂層を銅箔から剥離して、樹脂層を１９０℃２時間加熱して硬化させた。その後、硬化物を切削して、８×２０ｍｍの試験片を得た。この試験片を用い、動的粘弾性測定装置により、引っ張りモード、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分として、−５０℃〜３００℃の温度範囲で測定を行った。そして、−４０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴ、２５℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴ、１５０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＭＴ、２６０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＨＴを得た。
また、上記試験片に対して、−４０℃で３０分間保持する工程と１５０℃で３０分間保持する工程とからなるヒートサイクル試験を３０００回おこなった。ヒートサイクル試験前の硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴ１およびヒートサイクル試験後の硬化物の２５℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴ２をそれぞれ得た。得られた結果から、貯蔵弾性率の変化幅（Ｅ'_ＲＴ２−Ｅ'_ＲＴ１）を算出した。

（ガラス転移温度）
各実施例、比較例で得られた樹脂層付き銅箔の樹脂層を銅箔から剥離して、樹脂層を１９０℃２時間硬化させた。その後、樹脂層を切削して、５×２０ｍｍの試験片を得た。この試験片をティー・エイ・インスツルメント社製ＴＭＡ／２９４０を用いて荷重３ｇ、−５０℃から３００℃の温度範囲を昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で測定し、ガラス転移温度Ｔｇを得た。

（導通試験）
実施例および比較例で作製した電子装置３個をフライングチェッカー（１１１６Ｘ−ＹＣ ハイテスタ：日置電機社製）を用い、鉛フリーソルダーペーストを介して電子部品と回路基板の導通の測定をおこない、初期値とした。つぎに、６０℃、６０％の吸湿条件下で４０時間処理後、ＩＲリフロー炉（ピーク温度：２６０℃）で３回処理し、同様に導通を測定して初期値より抵抗値が５％以上上昇したものを実装時の断線と判定した。ここで、初期値で断線が生じていた場合は、回路作製上の不具合と判断しカウントしていない。なお、電子装置１個につき測定箇所は６１箇所、計１８３箇所を測定した。
各符号は、以下の通りである。
◎：断線箇所が０％以上１％未満であった
○：断線箇所が１％以上２％未満であった
×：断線箇所が２％以上であった

（温度サイクル試験）
各実施例、各比較例につき、電子装置１０個を用意して、温度サイクル試験を実施した。温度サイクル試験は、−４０℃７分〜＋１２５℃７分を１サイクルとして３０００回行なった。温度サイクル試験後の鉛フリーソルダーペーストと、回路基板との半田接合部を顕微鏡で観察し、クラックが発生していたものをカウントした。
◎：電子装置１０個中０〜２個クラックが発生していた
○：電子装置１０個中３〜５個クラックが発生していた
×：電子装置１０個中６〜１０個クラックが発生していた

実施例１〜４では、断線箇所やクラックの発生が抑制されており、電子装置における電子部品と回路基板との接続信頼性が良好であった。
一方で、比較例１〜３では、電子部品の回路基板に対する位置ずれが起きやすく、またこれが原因となって断線箇所やクラックが生じたと考えられる。樹脂層による応力緩和効果が得られずに、断線箇所やクラックが生じたと考えられる。

この出願は、２０１３年１１月１２日に出願された日本出願特願２０１３−２３４２７８号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (22)

1. 回路基板の製造に使用される樹脂層付きキャリア材料であって、
   キャリア材料と、
   前記キャリア材料の一方の面に設けられ、熱硬化性樹脂を含み、かつ、Ｂステージ状態の樹脂層と、
   を備え、
   前記樹脂層を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の−４０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＬＴが０．１ＧＰａ以上、３．５ＧＰａ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
2. 請求項１に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   前記硬化物の２５℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＲＴが５ＭＰａ以上、１．５ＧＰａ以下であり、
   前記硬化物の１５０℃の貯蔵弾性率Ｅ'_ＭＴが０．１ＭＰａ以上、１．０ＧＰａ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
3. 請求項１または２に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   ＪＩＳ Ｃ６５２１に準拠して測定される、前記樹脂層付きキャリア材料を５ｃｍ角で切り出したものを１０枚重ねて１８０℃、９．６ＭＰａで熱プレスしたときの樹脂流れが０．５質量％以下である、樹脂層付きキャリア材料。
4. 請求項１乃至３いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   ＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定される、２５℃における前記樹脂層のプローブタック力が５０ｍＮ/ｃｍ^２以下である、樹脂層付きキャリア材料。
5. 請求項１乃至４いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   当該樹脂層付きキャリア材料を１０ｃｍ角で切り出したものを定盤上に載置した際に、前記樹脂層付きキャリア材料と前記定盤との間に生じる隙間を反り量としたとき、
   隙間ゲージで測定される２５℃における前記反り量が５ｍｍ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
6. 請求項１乃至５いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件での示差走査熱量測定における、
   Ｂステージ状態の前記樹脂層の発熱量をＡとし、
   前記樹脂層を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物の発熱量をＢとした場合、
   （Ａ−Ｂ）が５Ｊ／ｇ以上６０Ｊ／ｇ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
7. 請求項１乃至６いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   前記硬化物の２６０℃における貯蔵弾性率Ｅ'_ＨＴが０．０１ＭＰａ以上０．５ＧＰａ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
8. 請求項１乃至７いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   前記樹脂層を１９０℃、２時間加熱して得られる硬化物に対して、
   −４０℃で３０分間保持する工程と１５０℃で３０分間保持する工程とからなる試験を３０００回おこなうヒートサイクル試験をおこなったとき、
   前記ヒートサイクル試験前の前記硬化物の２５℃における貯蔵弾性率をＥ'_ＲＴ１とし、
   前記ヒートサイクル試験後の前記硬化物の２５℃における貯蔵弾性率をＥ'_ＲＴ２とした場合、
   （Ｅ'_ＲＴ２−Ｅ'_ＲＴ１）により算出される貯蔵弾性率の変化幅が１．０ＧＰａ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
9. 請求項１乃至８いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
   Ｂステージ状態の前記樹脂層の２５℃における損失弾性率Ｅ''_ＲＴが０．０１ＭＰａ以上０．１ＧＰａ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
10. 請求項１乃至９いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    前記硬化物の昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚの条件で動的粘弾性測定により測定されるガラス転移温度が１９０℃以上２５０℃以下である、樹脂層付きキャリア材料。
11. 請求項１乃至１０いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    前記樹脂層に含まれる無機充填材の含有量が、前記樹脂層を１００質量％としたとき、６０質量％以下である、樹脂層付きキャリア材料。
12. 請求項１乃至１１いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    前記キャリア材料が樹脂フィルムまたは金属箔である、樹脂層付きキャリア材料。
13. 請求項１乃至１２いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    前記熱硬化性樹脂は、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するナフタレン型エポキシ樹脂を含む、樹脂層付きキャリア材料。
14. 請求項１乃至１３いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    前記熱硬化性樹脂は、グリシジル基を２つ以上有する脂肪族エポキシ樹脂を含む、樹脂層付きキャリア材料。
15. 請求項１４に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    前記脂肪族エポキシ樹脂は以下の式（１８）で示されるものである、樹脂層付きキャリア材料。
    

    

    （式（１８）において、ｌ，ｍ，ｎ，ｐ，ｑ，ｒは０以上の整数、ただし、ｌ、ｍ、ｎがすべて０の場合を除く。ｐ、ｑ、ｒがすべて０の場合も除く。）
16. 請求項１乃至１５いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    当該樹脂層付きキャリア材料は、前記回路基板における回路形成されていない面上に設けられるものである、樹脂層付きキャリア材料。
17. 請求項１乃至１６いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料において、
    Ｂステージ状態の前記樹脂層の厚みが５０μｍ以下である、樹脂層付きキャリア材料。
18. 請求項１乃至１７いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料の前記樹脂層を硬化させた樹脂層付きキャリア材料と、
    この樹脂層付きキャリア材料の前記樹脂層側に配置された絶縁層と、
    を含む回路基板用の積層体。
19. 請求項１乃至１７いずれか一項に記載の樹脂層付きキャリア材料の前記樹脂層を硬化させた層と、
    前記樹脂層を硬化させた層から前記キャリア材料を除去することにより露出された面に形成された、または前記キャリア材料を回路加工することにより形成された回路層と、
    を備える回路基板であって、
    前記回路層は当該回路基板に形成された回路層のうち、最外層に配置されたものである、回路基板。
20. 請求項１９に記載の回路基板と、
    前記回路基板上に設けられた電子部品と、
    を備える電子装置。
21. 請求項２０に記載の電子装置において、
    前記回路基板の厚みを１００％としたとき、前記樹脂層の厚みの割合が０．５％以上１０％以下である、電子装置。
22. 請求項２０または２１に記載の電子装置において、
    前記回路基板は、前記電子部品を半田付けするためのランドを備え、
    前記ランドの面積が０．００１ｃｍ^２以上３０ｃｍ^２以下である、電子装置。

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