JPWO2014203571A1

JPWO2014203571A1 - 電力変換装置

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Publication number: JPWO2014203571A1
Application number: JP2015522596A
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Inventors: 公之小柳; 雅博木下
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp; Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp; Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Priority date: 2013-06-17
Filing date: 2014-03-14
Publication date: 2017-02-23
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Abstract

コンデンサ直列回路（ＣＡ）の正極と電力変換部（ＱＡ）の正極とを結線する２枚の正極側ブスバー（１１、１２）と、コンデンサ直列回路（ＣＡ）の負極と電力変換部（ＱＡ）の負極とを結線する負極側ブスバー（１３）と、コンデンサ直列回路（ＣＡ）内の２つの平滑コンデンサ（ＣＦ１、ＣＦ２）を直列接続する中間接続用ブスバー（１４）との４枚のブスバー（１１〜１４）を絶縁層（１５）を介して密接に積層して４層ブスバー（１０）を構成する。そして、２枚の正極側ブスバー（１１、１２）は隣接せずに並列接続され、その内の１枚の正極側ブスバー（１１）と負極側ブスバー（１３）とが隣接配置されて、コンデンサ直列回路（ＣＡ）と電力変換部（ＱＡ）とを接続する配線構造の直流配線インダクタンスが低減される。

Description

この発明は、電力変換装置の配線構造に関するものである。

従来の電力変換装置では、直流電源回路の直流電圧を平滑するコンデンサ直列回路と、平滑された直流電圧を半導体スイッチング素子により交流電圧に変換する電力変換部を備え、コンデンサ直列回路の正極と前記電力変換部の正極とを接続する正極側ブスバーと、前記コンデンサ直列回路の負極と前記電力変換部の負極とを接続する負極側ブスバーと、第１の平滑コンデンサと第２の平滑コンデンサとを直列接続する中間接続用ブスバーとを備える。そして、すべての前記ブスバーの外形をほぼ同一形状に形成すると共に、前記中間接続用ブスバーを挟んで、前記正極側ブスバー、中間接続用ブスバー及び負極側ブスバーを積層することにより、３層構造とし、隣接するブスバー同士の電流の流れを対向させて直流配線インダクタンスを減少させ、半導体スイッチング素子のスパイク電圧を低減させることが可能な構成のものがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−１５３９５１号公報

このような電力変換装置にあっては、３層構造で正極側ブスバーと負極側ブスバーとの間に中間接続用ブスバーを挟んでいるため、コンデンサ直列回路、電力変換部の正極同士を結ぶ正極側ブスバーと、負極同士を結ぶ負極側ブスバーとの対向距離が離れてしまう。このため、インダクタンスの低減効果が充分に得られないと言う問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、直流配線インダクタンスの低減を促進できる電力変換装置を得ることを目的としている。

この発明に係る電力変換装置は、第１平滑コンデンサと第２平滑コンデンサとが直列接続されて成るコンデンサ直列回路と、複数の半導体スイッチング素子を備えて上記コンデンサ直列回路の直流電力と交流電力との間で電力変換する電力変換部とを備える。また、この電力変換装置は、上記コンデンサ直列回路の正極と上記電力変換部の正極とを結線する第１結線と、上記コンデンサ直列回路の負極と上記電力変換部の負極とを結線する第２結線と、上記第１平滑コンデンサと上記第２平滑コンデンサとを直列接続する第３結線とを備える。そして、上記第１、第２結線の一方は、２枚のブスバーが隣接することなく並列接続されて成り、上記第１、第２結線の他方は、並列接続された上記２枚のブスバー内の１枚と隣接するように配置された１枚のブスバーから成り、上記第３結線は１枚のブスバーから成り、計４枚の上記ブスバーが絶縁層を介して密接に積層されて積層ブスバーが構成される。

この発明に係る電力変換装置は、以上のように構成されるため、電力変換装置の直流配線インダクタンスを大幅に低減できる。これにより半導体スイッチング素子の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子の劣化を防止できる。

この発明の実施の形態１による電力変換装置の構成を示す側面図である。図１に示す電力変換装置の平面図である。この発明の実施の形態１による電力変換装置の等価回路図である。この発明の実施の形態２による電力変換装置の構成を示す側面図である。この発明の実施の形態２による電力変換装置の等価回路図である。この発明の実施の形態３による電力変換装置の構成を示す側面図である。この発明の実施の形態３による電力変換装置の等価回路図である。この発明の実施の形態４による電力変換装置の構成を示す側面図である。この発明の実施の形態４による電力変換装置の等価回路図である。この発明の実施の形態５による電力変換装置の構成を示す側面図である。この発明の実施の形態５による電力変換装置の等価回路図である。この発明の実施の形態６による電力変換装置の構成を示す側面図である。この発明の実施の形態６による電力変換装置の等価回路図である。この発明の実施の形態７による電力変換装置の構成を示す側面図である。

実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１による電力変換装置を図１〜図３に基づいて以下に説明する。図１は、この発明の実施の形態１による電力変換装置の構成を示す側面図であり、図２は、この電力変換装置の平面図である。また電力変換装置の等価回路図を図３に示す。
図に示すように、電力変換装置は、コンデンサ直列回路ＣＡと電力変換部ＱＡと積層ブスバーとしての４層ブスバー１０とを備える。

コンデンサ直列回路ＣＡは、第１平滑コンデンサとしての平滑コンデンサＣＦ１と、第２平滑コンデンサとしての平滑コンデンサＣＦ２とを直列接続して構成され、正極ＣＰ、負極ＣＮを備える。電力変換部ＱＡは、例えばＩＧＢＴモジュールから成る２つの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２を接続して構成され、正極ＱＰ、負極ＱＮおよび出力端子ＱＡＣを備えて２レベルの交流電圧を出力する。なお、電力変換部ＱＡは、この場合、コンデンサ直列回路ＣＡの直流電力を交流電力に変換するものとして説明するが、交流電力を直流電力に変換するものであっても良い。

４層ブスバー１０は、２枚の正極側ブスバー１１、１２と、１枚の負極側ブスバー１３と、１枚の中間接続用ブスバー１４との４枚のブスバー１１〜１４を、各ブスバー間にそれぞれ絶縁層１５を配して密接に積層して構成される。また、この４枚のブスバー１１〜１４の外形は、ほぼ同一形状に形成される。
２枚の正極側ブスバー１１、１２は、１層目と４層目に配置されて並列接続され、コンデンサ直列回路ＣＡの正極ＣＰと電力変換部ＱＡの正極ＱＰとを結線する第１結線１６を構成する。負極側ブスバー１３は３層目に配置され、コンデンサ直列回路ＣＡの負極ＣＮと電力変換部ＱＡの負極ＱＮとを結線する第２結線となる。中間接続用ブスバー１４は２層目に配置されて、平滑コンデンサＣＦ１（の負極）と平滑コンデンサＣＦ２（の正極）とを直列に接続する第３結線となる。
このように、２枚の正極側ブスバー１１、１２は、負極側ブスバー１３と中間接続用ブスバー１４とを間に挟んで配置されている。

また、４層ブスバー１０の長手方向の第１側（図中左側）にコンデンサ直列回路ＣＡが、上記積層ブスバーの長手方向の第２側に電力変換部ＱＡが接続される。そして、コンデンサ直列回路ＣＡの正極ＣＰ側の平滑コンデンサＣＦ１は、負極ＣＮ側の平滑コンデンサＣＦ２よりも電力変換部ＱＡから遠方に配置される。このため、コンデンサ直列回路ＣＡの正極ＣＰと正極側ブスバー１１、１２との接続点Ａ、平滑コンデンサＣＦ１と中間接続用ブスバー１４との接続点Ｂ、平滑コンデンサＣＦ２と中間接続用ブスバー１４との接続点Ｃは、４層ブスバー１０の長手方向の第１側端から第２側に向かい、接続点Ａ、接続点Ｂ、接続点Ｃの順に配置される。

図３に、正極側ブスバー１１のインダクタンスＬ１１、正極側ブスバー１２のインダクタンスＬ１２、負極側ブスバー１３のインダクタンスＬ１３、中間接続用ブスバー１４のインダクタンスＬ１４および、各ブスバー１１〜１４に流れる電流の向きを表す矢印を示した。
図に示すように、正極側ブスバー１２と負極側ブスバー１３とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。また、正極側ブスバー１１と中間接続用ブスバー１４とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。

このように隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができる。このため、電力変換部ＱＡの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の劣化を防止できる。
またブスバー１１〜１４の外形をほぼ同一形状に形成しているため、４層ブスバー１０を形成する為の位置合わせが容易で製造が容易であるため、上記のような直流配線インダクタンスの低減効果を容易に実現できる。

なお、この実施の形態では、負極側ブスバー１３を３層目、中間接続用ブスバー１４を２層目に配置するものとしたが、負極側ブスバー１３を２層目、中間接続用ブスバー１４を３層目に配置するものとしても良く、同様の効果を有する。

実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２による電力変換装置を図４、図５に基づいて以下に説明する。図４は、この発明の実施の形態２による電力変換装置の構成を示す側面図であり、この電力変換装置の等価回路図を図５に示す。なお、この電力変換装置の平面図は上記実施の形態１の図２と同様である。
この実施の形態２では、第１結線１６を構成する２枚の正極側ブスバー１１、１２が２層目と４層目に配置され、第２結線の負極側ブスバー１３が３層目、第３結線の中間接続用ブスバー１４が１層目に配置されて、積層ブスバーとしての４層ブスバー１０ａを構成する。即ち、２枚の正極側ブスバー１１、１２は、負極側ブスバー１３を間に挟んで配置され、その外側に中間接続用ブスバー１４が配置されている。その他の構成は上記実施の形態１と同様である。

図５に、正極側ブスバー１１のインダクタンスＬ１１、正極側ブスバー１２のインダクタンスＬ１２、負極側ブスバー１３のインダクタンスＬ１３、中間接続用ブスバー１４のインダクタンスＬ１４および、各ブスバー１１〜１４に流れる電流の向きを表す矢印を示した。
図に示すように、正極側ブスバー１２と負極側ブスバー１３とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。また、正極側ブスバー１１と中間接続用ブスバー１４とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。

この実施の形態２においても、隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができる。このため、上記実施の形態１と同様に、電力変換部ＱＡの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の劣化を防止できる。またブスバー１１〜１４の外形をほぼ同一形状に形成しているため、４層ブスバー１０ａを形成する為の位置合わせが容易で製造が容易であるため、上記のような直流配線インダクタンスの低減効果を容易に実現できる。

なお、正極側ブスバー１１、１２を１層目と３層目に配置して、その間の２層目に負極側ブスバー１３を配置し、中間接続用ブスバー１４を４層目に配置するものとしても良く、同様の効果を有する。

実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３による電力変換装置を図６、図７に基づいて以下に説明する。図６は、この発明の実施の形態３による電力変換装置の構成を示す側面図であり、この電力変換装置の等価回路図を図７に示す。なお、この電力変換装置の平面図は上記実施の形態１の図２と同様である。
この実施の形態３では、第１結線１６を構成する２枚の正極側ブスバー１１、１２が１層目と３層目に配置され、第２結線の負極側ブスバー１３が４層目、第３結線の中間接続用ブスバー１４が２層目に配置されて、積層ブスバーとしての４層ブスバー１０ｂを構成する。即ち、２枚の正極側ブスバー１１、１２は、中間接続用ブスバー１４を間に挟んで配置され、その外側に負極側ブスバー１３が配置されている。その他の構成は上記実施の形態１と同様である。

図７に、正極側ブスバー１１のインダクタンスＬ１１、正極側ブスバー１２のインダクタンスＬ１２、負極側ブスバー１３のインダクタンスＬ１３、中間接続用ブスバー１４のインダクタンスＬ１４および、各ブスバー１１〜１４に流れる電流の向きを表す矢印を示した。
図に示すように、正極側ブスバー１２と負極側ブスバー１３とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。また、正極側ブスバー１１と中間接続用ブスバー１４とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。

この実施の形態３においても、隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができる。このため、上記実施の形態１と同様に、電力変換部ＱＡの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の劣化を防止できる。またブスバー１１〜１４の外形をほぼ同一形状に形成しているため、４層ブスバー１０ｂを形成する為の位置合わせが容易で製造が容易であるため、上記のような直流配線インダクタンスの低減効果を容易に実現できる。

なお、正極側ブスバー１１、１２を２層目と４層目に配置して、その間の３層目に中間接続用ブスバー１４を配置し、負極側ブスバー１３を１層目に配置するものとしても良く、同様の効果を有する。

実施の形態４．
次に、この発明の実施の形態４による電力変換装置を図８、図９に基づいて以下に説明する。図８は、この発明の実施の形態４による電力変換装置の構成を示す側面図であり、この電力変換装置の等価回路図を図９に示す。
電力変換装置は、コンデンサ直列回路ＣＡと電力変換部ＱＡと積層ブスバーとしての４層ブスバー２０とを備える。コンデンサ直列回路ＣＡおよび電力変換部ＱＡは上記実施の形態１と同様である。

４層ブスバー２０は、１枚の正極側ブスバー２１と、２枚の負極側ブスバー２２、２３と、１枚の中間接続用ブスバー２４との４枚のブスバー２１〜２４を、各ブスバー間にそれぞれ絶縁層１５を配して密接に積層して構成される。また、この４枚のブスバー２１〜２４の外形は、ほぼ同一形状に形成される。

２枚の負極側ブスバー２２、２３は、１層目と４層目に配置されて並列接続され、コンデンサ直列回路ＣＡの負極ＣＮと電力変換部ＱＡの負極ＱＮとを結線する第２結線２６を構成する。正極側ブスバー２１は２層目に配置され、コンデンサ直列回路ＣＡの正極ＣＰと電力変換部ＱＡの正極ＱＰとを結線する第１結線となる。中間接続用ブスバー２４は３層目に配置されて、平滑コンデンサＣＦ１（の負極）と平滑コンデンサＣＦ２（の正極）とを直列に接続する第３結線となる。
このように、２枚の負極側ブスバー２２、２３は、正極側ブスバー２１と中間接続用ブスバー２４とを間に挟んで配置されている。

また、４層ブスバー１０の長手方向の第１側（図中左側）にコンデンサ直列回路ＣＡが、上記積層ブスバーの長手方向の第２側に電力変換部ＱＡが接続される。そして、コンデンサ直列回路ＣＡの負極ＣＮ側の平滑コンデンサＣＦ２は、正極ＣＰ側の平滑コンデンサＣＦ１よりも電力変換部ＱＡから遠方に配置される。このため、コンデンサ直列回路ＣＡの負極ＣＮと負極側ブスバー２２、２３との接続点Ｄ、平滑コンデンサＣＦ２と中間接続用ブスバー２４との接続点Ｃ、平滑コンデンサＣＦ１と中間接続用ブスバー２４との接続点Ｂは、４層ブスバー２０の長手方向の第１側端から第２側に向かい、接続点Ｄ、接続点Ｃ、接続点Ｂの順に配置される。

図９に、正極側ブスバー２１のインダクタンスＬ２１、負極側ブスバー２２のインダクタンスＬ２２、負極側ブスバー２３のインダクタンスＬ２３、中間接続用ブスバー２４のインダクタンスＬ２４および、各ブスバー２１〜２４に流れる電流の向きを表す矢印を示した。
図に示すように、正極側ブスバー２１と負極側ブスバー２２とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。また、負極側ブスバー２３と中間接続用ブスバー２４とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。

この実施の形態４においても、隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができる。このため、上記実施の形態１と同様に、電力変換部ＱＡの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の劣化を防止できる。またブスバー２１〜２４の外形をほぼ同一形状に形成しているため、４層ブスバー２０を形成する為の位置合わせが容易で製造が容易であるため、上記のような直流配線インダクタンスの低減効果を容易に実現できる。

なお、この実施の形態では、正極側ブスバー２１を２層目、中間接続用ブスバー２４を３層目に配置するものとしたが、正極側ブスバー２１を３層目、中間接続用ブスバー２４を２層目に配置するものとしても良く、同様の効果を有する。

実施の形態５．
次に、この発明の実施の形態５による電力変換装置を図１０、図１１に基づいて以下に説明する。図１０は、この発明の実施の形態５による電力変換装置の構成を示す側面図であり、この電力変換装置の等価回路図を図１１に示す。
この実施の形態５では、第２結線２６を構成する２枚の負極側ブスバー２２、２３が１層目と３層目に配置され、第１結線の正極側ブスバー２１が２層目、第３結線の中間接続用ブスバー２４が４層目に配置されて、積層ブスバーとしての４層ブスバー２０ａを構成する。即ち、２枚の負極側ブスバー２２、２３は、正極側ブスバー２１を間に挟んで配置され、その外側に中間接続用ブスバー２４が配置されている。その他の構成は上記実施の形態４と同様である。

図１１に、正極側ブスバー２１のインダクタンスＬ２１、負極側ブスバー２２のインダクタンスＬ２２、負極側ブスバー２３のインダクタンスＬ２３、中間接続用ブスバー２４のインダクタンスＬ２４および、各ブスバー２１〜２４に流れる電流の向きを表す矢印を示した。
図に示すように、正極側ブスバー２１と負極側ブスバー２２とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。また、負極側ブスバー２３と中間接続用ブスバー２４とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。

この実施の形態５においても、隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができる。このため、上記実施の形態１と同様に、電力変換部ＱＡの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の劣化を防止できる。またブスバー２１〜２４の外形をほぼ同一形状に形成しているため、４層ブスバー２０ａを形成する為の位置合わせが容易で製造が容易であるため、上記のような直流配線インダクタンスの低減効果を容易に実現できる。

なお、負極側ブスバー２２、２３を２層目と４層目に配置して、その間の３層目に正極側ブスバー２１を配置し、中間接続用ブスバー２４を１層目に配置するものとしても良く、同様の効果を有する。

実施の形態６．
次に、この発明の実施の形態６による電力変換装置を図１２、図１３に基づいて以下に説明する。図１２は、この発明の実施の形態６による電力変換装置の構成を示す側面図であり、この電力変換装置の等価回路図を図１３に示す。
この実施の形態６では、第２結線２６を構成する２枚の負極側ブスバー２２、２３が２層目と４層目に配置され、第１結線の正極側ブスバー２１が１層目、第３結線の中間接続用ブスバー２４が３層目に配置されて、積層ブスバーとしての４層ブスバー２０ｂを構成する。即ち、２枚の負極側ブスバー２２、２３は、中間接続用ブスバー２４を間に挟んで配置され、その外側に正極側ブスバー２１が配置されている。その他の構成は上記実施の形態４と同様である。

図１３に、正極側ブスバー２１のインダクタンスＬ２１、負極側ブスバー２２のインダクタンスＬ２２、負極側ブスバー２３のインダクタンスＬ２３、中間接続用ブスバー２４のインダクタンスＬ２４および、各ブスバー２１〜２４に流れる電流の向きを表す矢印を示した。
図に示すように、正極側ブスバー２１と負極側ブスバー２２とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。また、負極側ブスバー２３と中間接続用ブスバー２４とが隣接して、しかも電流の流れる方向が対向する。

この実施の形態６においても、隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができる。このため、上記実施の形態１と同様に、電力変換部ＱＡの半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の電流遮断時に発生するスパイク電圧を抑制でき、半導体スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の劣化を防止できる。またブスバー２１〜２４の外形をほぼ同一形状に形成しているため、４層ブスバー２０ｂを形成する為の位置合わせが容易で製造が容易であるため、上記のような直流配線インダクタンスの低減効果を容易に実現できる。

なお、負極側ブスバー２２、２３を１層目と３層目に配置して、その間の２層目に中間接続用ブスバー２４を配置し、正極側ブスバー２１を４層目に配置するものとしても良く、同様の効果を有する。

実施の形態７．
上記実施の形態１〜６では、４枚のブスバー１１〜１４（２１〜２４）の外形をほぼ同一形状に形成したが、異なる形状に形成しても良い。
図１４は、この発明の実施の形態７による電力変換装置の構成を示す側面図である。図に示すように、４層ブスバー１０ｃは、２枚の正極側ブスバー１１ａ、１２と、１枚の負極側ブスバー１３と、１枚の中間接続用ブスバー１４ａとの４枚のブスバー１１ａ、１２、１３、１４ａを、各ブスバー間にそれぞれ絶縁層１５を配して密接に積層して構成される。２枚の正極側ブスバー１１ａ、１２は、１層目と４層目に配置されて並列接続され、コンデンサ直列回路ＣＡの正極ＣＰと電力変換部ＱＡの正極ＱＰとを結線する第１結線１６ａを構成する。負極側ブスバー１３は３層目に配置され、コンデンサ直列回路ＣＡの負極ＣＮと電力変換部ＱＡの負極ＱＮとを結線する第２結線となる。中間接続用ブスバー１４ａは２層目に配置されて、平滑コンデンサＣＦ１（の負極）と平滑コンデンサＣＦ２（の正極）とを直列に接続する第３結線となる。この場合、１層目に配置された正極側ブスバー１１ａと２層目に配置された中間接続用ブスバー１４ａは、他のブスバー１２、１３よりも短く形成されている。その他の構成は、上記実施の形態１と同様である。

正極側ブスバー１１ａと中間接続用ブスバー１４ａとは、上記実施の形態１に比べて短くなっているが、省略された領域は、コンデンサ直列回路ＣＡや電力変換部ＱＡとの接続に寄与する領域ではなく、また、直流配線インダクタンスの低減に寄与する電流が流れる領域でもない。このため、隣接するブスバーで電流方向を対向させることができ、直流配線インダクタンスを打ち消し合って低減させることができ上記実施の形態１と同様の効果が得られると共に、コストおよび重量の削減が図れる。
なお、正極側ブスバー１１ａ、中間接続用ブスバー１４ａにおいて省略される領域の大きさは、各ブスバー１１ａ、１４ａの面積低減による配線インダクタンスの上昇が悪影響を与えない程度に決定される。

この実施の形態では、上記実施の形態１の４層ブスバー１０を変形するものを示したが、他の実施の形態２〜６による４層ブスバーを同様に変形しても良い。

なお、この発明は、発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

Claims

第１平滑コンデンサと第２平滑コンデンサとが直列接続されて成るコンデンサ直列回路と、複数の半導体スイッチング素子を備えて上記コンデンサ直列回路の直流電力と交流電力との間で電力変換する電力変換部とを備えた電力変換装置において、
上記コンデンサ直列回路の正極と上記電力変換部の正極とを結線する第１結線と、上記コンデンサ直列回路の負極と上記電力変換部の負極とを結線する第２結線と、上記第１平滑コンデンサと上記第２平滑コンデンサとを直列接続する第３結線とを備え、
上記第１、第２結線の一方は、２枚のブスバーが隣接することなく並列接続されて成り、上記第１、第２結線の他方は、並列接続された上記２枚のブスバー内の１枚と隣接するように配置された１枚のブスバーから成り、上記第３結線は１枚のブスバーから成り、計４枚の上記ブスバーが絶縁層を介して密接に積層されて積層ブスバーが構成される
電力変換装置。
上記４枚のブスバーは、隣接するブスバーを流れる電流方向が対向するように配置される
請求項１に記載の電力変換装置。
上記第１結線は上記２枚のブスバーが並列接続されて成り、該２枚のブスバーの間に、上記第２結線のブスバーと上記第３結線のブスバーとが配置される
請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
上記第１結線は上記２枚のブスバーが並列接続されて成り、上記第２、第３結線の一方のブスバーは上記２枚のブスバーの間に配置され、他方のブスバーは上記２枚のブスバーの外側に配置される
請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
上記第１結線は上記２枚のブスバーが並列接続されて成り、
上記積層ブスバーの長手方向の第１側に上記コンデンサ直列回路が、上記積層ブスバーの長手方向の第２側に上記電力変換部が接続され、上記コンデンサ直列回路の正極と上記第１結線のブスバーとの接続点Ａ、上記第１平滑コンデンサと上記第３結線のブスバーとの接続点Ｂ、および上記第２平滑コンデンサと上記第３結線のブスバーとの接続点Ｃは、上記積層ブスバーの上記第１側端から上記第２側に向かい、上記接続点Ａ、上記接続点Ｂ、上記接続点Ｃの順に配置される
請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
上記第２結線は上記２枚のブスバーが並列接続されて成り、該２枚のブスバーの間に、上記第１結線のブスバーと上記第３結線のブスバーとが配置される
請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
上記第２結線は上記２枚のブスバーが並列接続されて成り、上記第１、第３結線の一方のブスバーは上記２枚のブスバーの間に配置され、他方のブスバーは上記２枚のブスバーの外側に配置される
請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。
上記第２結線は上記２枚のブスバーが並列接続されて成り、
上記積層ブスバーの長手方向の第１側に上記コンデンサ直列回路が、上記積層ブスバーの長手方向の第２側に上記電力変換部が接続され、上記コンデンサ直列回路の負極と上記第２結線のブスバーとの接続点Ｄ、上記第１平滑コンデンサと上記第３結線のブスバーとの接続点Ｂ、および上記第２平滑コンデンサと上記第３結線のブスバーとの接続点Ｃは、上記積層ブスバーの上記第１側端から上記第２側に向かい、上記接続点Ｄ、上記接続点Ｃ、上記接続点Ｂの順に配置される
請求項１または請求項２に記載の電力変換装置。