JPWO2014192694A1 - 酸窒化物蛍光体粉末 - Google Patents
酸窒化物蛍光体粉末 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014192694A1 JPWO2014192694A1 JP2015519848A JP2015519848A JPWO2014192694A1 JP WO2014192694 A1 JPWO2014192694 A1 JP WO2014192694A1 JP 2015519848 A JP2015519848 A JP 2015519848A JP 2015519848 A JP2015519848 A JP 2015519848A JP WO2014192694 A1 JPWO2014192694 A1 JP WO2014192694A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- oxynitride phosphor
- oxynitride
- source
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 144
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 140
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 31
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- -1 lanthanide metals Chemical class 0.000 description 17
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003196 poly(1,3-dioxolane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraiodide Chemical compound [Si+4].[I-].[I-].[I-].[I-] JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDGPSUJHSJAIAU-UHFFFAOYSA-N N(Cl)Cl.[Si] Chemical compound N(Cl)Cl.[Si] UDGPSUJHSJAIAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N silicon tetraiodide Chemical compound I[Si](I)(I)I CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/77928—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
565〜577nmの主波長を有するα型サイアロン系蛍光体で、実用に値する高い蛍光強度と外部量子効率を有する酸窒化物蛍光体粉末を提供する。本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、組成式:Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表されるα型サイアロンからなる。
Description
本発明は、紫外から青色の光源に好適な、希土類金属元素で賦活されたα型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末に関するものである。具体的には、蛍光主波長が565〜577nmの範囲で、実用的な蛍光強度を示す酸窒化物蛍光体粉末に関するものである。
近年、青色発光ダイオード(LED)が実用化されたことにより、この青色LEDを利用した白色LEDの開発が精力的に行われている。白色LEDは、既存の白色光源に較べ消費電力が低く、長寿命であるため、液晶パネル用バックライト、室内外の照明機器等への用途展開が進行している。
現在、開発されている白色LEDは、青色LEDの表面にCeをドープしたYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)を塗布したものである。CeをドープしたYAG蛍光体は、蛍光ピーク波長が560nm付近で、主波長は570nm付近の蛍光スペクトルを示す。しかしながら、Ceで賦活されたYAG蛍光体は、蛍光強度が温度上昇とともに劣化する、つまり温度特性が悪いという問題を有している。
これに対して、多くの酸窒化物蛍光体が研究されており、特に、Euにより賦活されたα型サイアロン蛍光体は、優れた温度特性を有しており、580〜590nmの蛍光ピーク波長(黄〜橙色)の蛍光を発生することが知られている(特許文献1参照)。
Euにより賦活されたα型サイアロン以外にも、Ceにより賦活されたCa−α型サイアロンが青色〜緑色の蛍光を発することが知られており(特許文献2及び3参照)、また、Prにより賦活されたCa−α型サイアロンが450〜750nmに蛍光ピークを有することが知られている(特許文献4参照)。さらには、Ybで賦活されたCa−α型サイアロンは、蛍光ピーク波長が550nm程度の緑色発光を示すこと(特許文献5参照)、EuとDyで共賦活されたCa−α型サイアロンは、蛍光ピーク波長が580nm程度の黄色発光を示すことが知られている(特許文献4参照)。
しかしながら、特許文献2および3記載のCe賦活Ca−α型サイアロンでは450nmの励起光で励起した際の効率は非常に悪く、さらに、特許文献4記載のPr賦活Ca−α型サイアロンは、450nm近傍に励起帯が存在せず、青色LEDを用いて効率の良い蛍光を得ることは困難である。
以上のように、Ceで賦活されたYAG蛍光体と同程度の黄色発光を有するα型サイアロン蛍光体の具体例は示されていない。
青色LEDとの組み合わせで疑似白色を示す黄色蛍光体で、良好な温度特性を有する蛍光体が求められているにも係らず、以上のように主波長が570nm程度で、蛍光温度特性が良好なα型サイアロン系蛍光体は知られていない。
本発明は、565〜577nmの主波長を有するα型サイアロン系蛍光体で、実用に値する高い蛍光強度と外部量子効率を有する酸窒化物蛍光体粉末を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、
組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末は、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの黄色発光を示し、高い蛍光強度と外部量子効率を有する酸窒化物蛍光体粉末が得られることを見出し、本発明に至った。
組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末は、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの黄色発光を示し、高い蛍光強度と外部量子効率を有する酸窒化物蛍光体粉末が得られることを見出し、本発明に至った。
即ち、本発明は、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表されるα型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末に関する。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表されるα型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末に関する。
特に、前記組成式において、前記x1、x2、x3、y及びzが、0.9<x1≦1.5、0.0035≦x2≦0.0060、0.0040≦x3≦0.0080、0.6≦x2/x3≦1.1、2.0≦y≦3.0、1.0≦z≦1.5である酸窒化物蛍光体粉末に関する。
また本発明は、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの波長域にある蛍光を発し、外部量子効率が41%以上である酸窒化物蛍光体粉末に関する。
さらに、本発明は、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表される組成となるように、ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合し、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成することにより、前記一般式で表される酸窒化物焼成物を得る第1工程と、
前記酸窒化物焼成物を、不活性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理する第2工程と、
を有することを特徴とする酸窒化物蛍光体粉末の製造方法に関する。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表される組成となるように、ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合し、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成することにより、前記一般式で表される酸窒化物焼成物を得る第1工程と、
前記酸窒化物焼成物を、不活性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理する第2工程と、
を有することを特徴とする酸窒化物蛍光体粉末の製造方法に関する。
さらに、本発明は、前記ケイ素源が窒化ケイ素粉末であり、前記窒化ケイ素粉末の酸素含有量が0.2〜0.9質量%であり、平均粒子径が1.0〜12.0μmであり、比表面積が0.2〜3.0m2/gであることを特徴とする酸窒化物蛍光体の製造方法に関する。
さらに、本発明は、発光源と蛍光体を備えた発光装置において、発光源が発光ダイオードからなり、蛍光体が少なくとも前記α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末を用いることを特徴とする発光装置に関する。
本発明によれば、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
で表されるα型サイアロン系蛍光体において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末とすることにより、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの黄色の蛍光を発し、その際の蛍光強度及び外部量子効率が高い酸窒化物蛍光体が提供される。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
で表されるα型サイアロン系蛍光体において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末とすることにより、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの黄色の蛍光を発し、その際の蛍光強度及び外部量子効率が高い酸窒化物蛍光体が提供される。
以下、本発明について詳しく説明する。
本発明は、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
で表されるα型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末であり、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの波長域の蛍光を発し、その際の蛍光強度と外部量子効率が高い酸窒化物蛍光体粉末に関するものである。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
で表されるα型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末であり、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmの波長域の蛍光を発し、その際の蛍光強度と外部量子効率が高い酸窒化物蛍光体粉末に関するものである。
α型サイアロン、特に、Ca−α型サイアロンとは、α型窒化ケイ素のSi−N結合の一部がAl−N結合およびAl−O結合に置換され、Caイオンが格子内に侵入固溶して電気的中性が保たれた固溶体である。
本発明の酸窒化物蛍光体に含まれるα型サイアロン蛍光体は、前記Caイオンに加えてEuイオンが格子内に侵入固溶することで、Ca−α型サイアロンが賦活されて、青色光によって励起され、前記一般式で表される黄色から橙色の蛍光を発する蛍光体となる。
一般的な希土類元素を賦活させたα型サイアロン蛍光体は、特許文献1に記載されているとおり、MeSi12−(m+n)Al(m+n)OnN16−n(Meは、Ca、Mg、Y、又はLaを除くランタニド金属の一種若しくは二種以上)で表され、金属Meは、(Si,Al)3(N,O)4の4式量を含むα型サイアロンの大きな単位胞3個当たり最低1個から、単位胞1個当たり最高1個まで固溶する。固溶限界は、一般に、金属元素Meが二価のとき、前述の一般式において、0.6<m<3.0、且つ、0≦n<1.5であり、金属Meが三価のとき、0.9<m<4.5、且つ、0≦n<1.5である。
前記金属Meとして、Li、Ca、Mg、Yなどが検討されており、また、前記金属元素の一部、又は全てを賦活剤となる希土類元素で置換したα型サイアロン蛍光体が検討されている。賦活剤としては、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Yb等の希土類元素が多く検討されている。しかしながら、賦活剤を2種類以上固溶したα型サイアロンは、特許文献4にEuとDyを共賦活したCa−α型サイアロンが提示されているだけである。
発明者は、2種類以上の賦活剤を固溶したα型サイアロン系蛍光体について鋭意検討した結果、EuとYbを共賦活したCa−α型サイアロン系蛍光体において、Ce賦活YAG蛍光体と同程度の発光色である主波長が565nm〜577nmの発光色を有し、その際の発光強度と外部量子効率が高いことを見出したものである。
次に、本発明の酸窒化物蛍光体粉末について具体的に説明する。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末である。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末である。
前記x1、x2及びx3はサイアロンへのCaイオン、Euイオン、Ybイオンの侵入固溶量を示す値で、x3が0.01より大きくなると、主波長(蛍光体の発光の色度を表示するために、色度座標ではなく、主波長を用いることができることが知られている。主波長とは、JIS Z 7801に記載されているように、色度図において、無彩色と発光スペクトルの色度座標とを直線で結び、その延長線とスペクトル軌跡とが交差する波長を言う。別の表現をすると、白色光とスペクトル単色光を加法混色したときに、蛍光体の発光の色と等しくなるときのスペクトル単色光の波長のことである。本願において、以下同じ。)が565nmより小さくなるとともに、蛍光強度が小さくなる。また、x2が0.01より大きくなると、主波長が577nmより大きくなる。さらに、x1が2.0より大きくなると、蛍光強度及び外部量子効率が小さくなる。
また、本発明においては、前記x2及びx3は、0.4≦x2/x3≦1.4であることが好ましい。x2/x3がこの範囲の組成である場合、主波長が565〜577nmとなり、また蛍光強度がより大きい高効率な酸窒化物蛍光体が提供される。
前記yはサイアロンへ金属元素が固溶する際に電気的中性を保つために決められる値で、前記酸窒化物蛍光体粉末では、y=2x1+3x2+3x3で表される。式中のx1の係数2はCa−α型サイアロン蛍光体に固溶するCaイオンの価数から、式中x2の係数3はCa−α型サイアロン蛍光体に固溶するEuイオンの価数から、式中x3の係数3はCa−α型サイアロン蛍光体に固溶するYbイオンの価数から与えられる数値である。
本発明においては、前記y及びzの範囲は、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0である。yおよびzがこの範囲の組成である場合、主波長が565〜577nmとなり、蛍光強度が高い酸窒化物蛍光体が提供される。
前記yが4.0より大きくなると、主波長が577nmより大きくなるとともに、蛍光強度及び外部量子効率が小さくなる。また、前記yが1.0より小さくなると、蛍光強度及び外部量子効率が小さくなる。さらに、前記zはα型サイアロンへの酸素の置換固溶量に関する値である。zが2.0より大きくなると、主波長が565nmより小さくなるとともに、蛍光強度及び外部量子効率が小さくなる。さらに、y<1.0、z<0.5の範囲では、β型サイアロンが生成し、蛍光強度が著しく小さくなる。
前記x1、x2、x3、y、zが、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0の場合には、主波長が565〜577nmで、蛍光強度が大きく、外部量子効率が41%以上と高効率な酸窒化物蛍光体が提供される。
また、本発明においては、前記x1、x2、x3、y、zは、0.9<x1≦1.5、0.0035≦x2≦0.0060、0.0040≦x3≦0.0080、0.6≦x2/x3≦1.1、2.0≦y≦3.0、1.0≦z≦1.5であることが好ましい。x1、x2、x3、y、zがこの範囲の組成である場合、主波長が565〜575nmとなり、また蛍光強度が大きく、外部量子効率が47%以上と高効率な酸窒化物蛍光体が提供される。
さらに、本発明においては、前記x1、x2、x3、y、zは、1.2<x1≦1.5、0.0035≦x2≦0.0060、0.0050≦x3≦0.0080、0.7≦x2/x3≦1.1、2.0≦y≦3.0、1.2≦z≦1.3であることがさらに好ましい。x1、x2、x3、y、zがこの範囲の組成である場合、主波長が565〜575nmとなり、また蛍光強度がさらに大きく、外部量子効率が48%以上となるためさらに好ましい。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、CuKα線を用いたX線回折(XRD)装置により結晶相を同定すると、三方晶に分類されるα型サイアロン結晶相からなる。また、六方晶に分類される窒化アルミニウム結晶相が含まれる場合もあるが、窒化アルミニウム結晶相が多くなり過ぎると、蛍光強度が低下するため好ましくない。含まれる窒化アルミニウムの量としては、好ましくは10質量%以下、さらに、5質量%以下が好ましい。さらに、窒化アルミニウムを含まず、α型サイアロンのみからなるものは好ましい。
XRD測定における結晶相の同定は、X線パターン解析ソフトを用いて行うことができる。解析ソフトとしては、リガク社製PDXL等が挙げられる。尚、α型サイアロン系蛍光体粉末のXRD測定は、リガク社製X線回折装置(Ultima IV Protectus)および解析ソフト(PDXL)を用いて行った。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末を白色LED用蛍光体として好適に使用するためには、粒度分布曲線における50%径(体積基準の中位値)であるD50が10.0〜20.0μmであることが好ましい。D50が10.0μmより小さく、また、比表面積が0.6m2/gより大きい場合は、発光強度が低くなることがあり、D50が20.0μmより大きく、また、比表面積が0.2m2/gより小さい場合は、蛍光体を封止する樹脂中に均一分散し難くなって、白色LEDの色調にバラツキを生じることがあるからである。本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、焼成後、そのままで、あるいは粉砕せず解砕のみで、必要に応じて分級して、D50が上記の範囲(10.0〜20.0μm)の粒子を得ることができる利点がある。粉砕すると結晶構造の歪等が生じ輝度などの発光特性を低下させる。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末の粒子径および比表面積を制御する方法としては、原料となる窒化ケイ素粉末の粒子径を制御することで可能である。平均粒子径が1.0〜12.0μmの窒化ケイ素粉末を用いた場合には、酸窒化物蛍光体粉末のD50は10〜20μmで、且つ、比表面積が0.2〜0.6m2/gとなり、外部量子効率がより大きくなるために好ましい。
酸窒化物蛍光体粉末のD50は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置で測定した粒度分布曲線における50%径である。また、酸窒化物蛍光体粉末の比表面積は、島津社製フローソーブ2300型比表面積測定装置(窒素ガス吸着法によるBET法)で測定することができる。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、450nmの波長域の光の励起によって、主波長が565nmから577nmの波長域にある蛍光を発することができ、その際の蛍光強度は良好である。これにより、本発明の酸窒化物蛍光体粉末では、青色の励起光により長波の黄色蛍光を効率的に得ることができ、また、励起光として用いる青色光との組み合わせで、演色性が良好な白色光を効率的に得ることができる。
蛍光特性は、日本分光社製蛍光分光光度計(FP6500)により測定することができる。副標準光源を用いて蛍光スペクトル補正を行うことができるが、蛍光ピーク波長は、用いる測定機器や補正条件によって若干の差を生じることがある。また、外部量子効率は、日本分光社製FP6500に積分球を組み合わせた固体量子効率測定装置により、吸収率および内部量子効率を測定し、それらの積から算出することができる。さらに、蛍光主波長及び色度座標(Cx,Cy)は、蛍光分光光度計に備えられた色解析ソフトを用いて、測定することができる。ここで、吸収率とは、照射された励起光のうち、試料がどれだけ吸収したかを示す値をいい、内部量子効率とは、吸収した光を蛍光として発光する光に変換する際の変換効率(蛍光として発光された光子数/試料により吸収された光子数)を内部量子効率という。
本発明においては、得られた蛍光スペクトルから蛍光ピーク波長とその波長における蛍光強度を導出した。輝度の指標になる相対蛍光強度は、市販品のYAG:Ce系蛍光体(化成オプトニクス社製P46Y3)の同励起波長による発光スペクトルの最高強度の値を100%とした場合の蛍光ピーク波長における発光強度の相対値とした。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、公知の発光ダイオード等の発光源と組み合わせられて、発光装置として各種照明装置に用いることができる。
特に、励起光のピーク波長が330〜500nmの範囲にある発光源は、本発明の酸窒化物蛍光体粉末に好適である。紫外領域では、酸窒化物蛍光体粉末の発光効率が高く、良好な性能の発光素子を構成することが可能である。また、青色の光源でも発光効率は高く、本発明の酸窒化物蛍光体粉末の黄色〜橙色の蛍光と青色の励起光との組み合わせで、良好な昼白色〜昼光色の発光素子を構成できる。
さらに、本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、物体色が黄色〜橙色を示すので、酸化鉄等、鉄や銅、マンガン、クロムなどの重金属を含有する顔料の代替材料として、塗料やインク等に適用することができる。さらには、紫外線、可視光吸収材料として、幅広い用途に使用することができる。
次に、本発明の酸窒化物蛍光体粉末の製造方法について具体的に説明する。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末は、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
において、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される組成となるように、ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合し、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成することにより得られる。好ましくは、得られた焼成物を、さらに、不活性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理する。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
において、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される組成となるように、ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合し、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成することにより得られる。好ましくは、得られた焼成物を、さらに、不活性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理する。
原料のケイ素源は、ケイ素の窒化物、酸窒化物、酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質から選択される。特に、結晶性窒化ケイ素が好ましく、結晶性窒化ケイ素を用いることにより、輝度が高い酸窒化物蛍光体を得ることが出来る。
原料のアルミニウム源としては、酸化アルミニウム、金属アルミニウム、窒化アルミニウムが挙げられ、これらの粉末の夫々を単独で使用しても良く、併用しても良い。
原料のカルシウム源は、カルシウムの窒化物、酸窒化物、酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質から選択される。
原料のユーロピウム源は、ユーロピウムの窒化物、酸窒化物、酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質から選択される。
原料のイッテリビウム源は、イッテリビウムの窒化物、酸窒化物、酸化物または熱分解により酸化物となる前駆体物質から選択される。
また、本発明の酸窒化物蛍光体粉末の製造原料としての窒化ケイ素粉末の平均粒子径は、1.0μm以上12.0μm以下が好ましい。さらに好ましくは3.0μm以上12.0μm以下である。平均粒子径が1.0μm未満では酸素含有量が増加する傾向があり、外部量子効率が小さくなり易い。平均粒子径が12.0μmを超えると、製造が難しく実用的ではない。なお、窒化ケイ素粉末の平均粒子径は、該窒化ケイ素粉末の走査型電子顕微鏡写真から測定した。具体的には、走査型電子顕微鏡像写真内に円を描き、その円に接する個々の粒子について、粒子に内接する最大の円を定め、その円の直径をその粒子の径とし、それらの粒子の径の平均をとることにより粉末の平均粒子径を算出した。対象とする測定粒子の数は、約50〜150個になるようにした。
また、窒化ケイ素粉末の比表面積は、0.2〜3.0m2/gが好ましい。さらに好ましくは0.2m2/g以上、1.0m2/g以下である。結晶質窒化ケイ素粉末の比表面積を0.2m2/g未満にする事は製造上難しく実用的ではなく、素子化する上で不都合を生じる。比表面積が3m2/gを超えると、外部量子効率が小さくなり易く、0.2〜3.0m2/gが好ましい。なお、比表面積は、島津社製フローソーブ2300型比表面積測定装置(窒素ガス吸着法によるBET法)で測定した。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末の製造に用いる窒化ケイ素粉末として、上記の如く、結晶質窒化ケイ素粉末を好ましく用いることができ、α型窒化ケイ素粉末であることが好ましい。
本発明は1つの側面において、本発明の酸窒化物蛍光体粉末の製造に用いる窒化ケイ素粉末として、特に酸素含有量が少ない結晶質窒化ケイ素粉末、α型窒化ケイ素粉末を好ましく用いることができる。従来の蛍光体原料としての窒化ケイ素粉末の酸素含有量は、1.0〜2.0質量%であり、本発明の好ましい態様として酸素含有量が0.2〜0.9質量%と少ない窒化ケイ素粉末を蛍光体原料に用いることにより、従来の窒化ケイ素粉末を用いたα型サイアロン蛍光体よりも蛍光強度がより顕著に高い酸窒化物蛍光体粉末を得ることができる。窒化ケイ素中の酸素含有量は、好ましくは、0.2〜0.8質量%、さらに好ましくは0.2〜0.4質量%である。酸素量を0.2質量%未満にする事は製造上難しく、酸素量が0.9質量%を超えると従来の窒化ケイ素粉末を用いる場合と比べて本発明の酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性の顕著な向上が得られ難くなる。なお、含有酸素の測定は、LECO社製酸素窒素同時分析装置で測定した。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末製造用に好ましく用いることができる窒化ケイ素粉末は、含窒素シラン化合物および/または非晶質(アモルファス)窒化ケイ素粉末を熱分解して得ることができる。含窒素シラン化合物としては、シリコンジイミド(Si(NH)2)、シリコンテトラアミド、シリコンニトロゲンイミド、シリコンクロルイミド等が挙げられる。これらは、公知の方法、例えば、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四沃化ケイ素等のハロゲン化ケイ素とアンモニアとを気相で反応させる方法、液状の前記ハロゲン化ケイ素と液体アンモニアとを反応させる方法などによって製造される。
また、非晶質窒化ケイ素粉末は、公知の方法、例えば、前記含窒素シラン化合物を窒素又はアンモニアガス雰囲気下に1200℃〜1460℃の範囲の温度で加熱分解する方法、四塩化ケイ素、四臭化ケイ素、四沃化ケイ素等のハロゲン化ケイ素とアンモニアとを高温で反応させる方法などによって製造されたものが用いられる。非晶質窒化ケイ素粉末及び含窒素シラン化合物の平均粒子径は、通常、0.003〜0.05μmである。
前記の含窒素シラン化合物、非晶質窒化ケイ素粉末は加水分解し易く、酸化され易いので、これらの原料粉末の秤量は、不活性ガス雰囲気中で行う。また、前記含窒素シラン化合物の加熱分解に用いる加熱炉に流通させる窒素ガス中の酸素濃度を0〜2.0vol%の範囲で制御できる。前記含窒素シラン化合物の加熱分解時の雰囲気中の酸素濃度を、例えば、100ppm以下、好ましくは10ppm以下などに規定して、低酸素含有量の非晶質窒化ケイ素粉末を得る。非晶質窒化ケイ素粉末の酸素含有量が低いほど、得られる結晶質窒化ケイ素粒子の酸素含有量も低くなる。また、反応容器材質および粉末取り扱い機器における粉末と金属との擦れ合い状態を改良した公知の方法により、非晶質窒化ケイ素粉末に混入する金属不純物は10ppm以下に低減される。
次に、含窒素シラン化合物および/または非晶質窒化ケイ素粉末を1300〜1700℃の範囲で、窒素又はアンモニアガス雰囲気下で焼成して結晶質窒化ケイ素粉末を得る。焼成の条件(温度と昇温速度)を制御することで、粒子径を制御する。本発明の場合、低酸素の結晶質窒化ケイ素粉末を得るためには、含窒素シラン化合物から非晶質窒化ケイ素粉末を焼成する際の窒素ガス雰囲気焼成に同時含有させる酸素を制御する必要がある。大きな粒子径の結晶質窒化ケイ素粉末を得るためには、非晶質窒化ケイ素粉末から結晶質窒化ケイ素粉末を焼成する際、40℃/h以下のようなゆっくりとした昇温が必要である。このようにして得られた結晶質窒化ケイ素粉末は図1に示すように、大きな一次粒子がほぼ単分散の状態にあり、凝集粒子、融着粒子はほとんどない。得られた結晶質窒化ケイ素粉末は金属不純物量が100ppm以下の高純度粉末である。また、この結晶質窒化ケイ素粉末を酸洗浄するなど化学的処理をする事で低酸素の結晶質窒化ケイ素粉末が得られる。このようにして、本発明の酸素量が0.2〜0.9質量%の酸窒化物蛍光体粉末製造用窒化ケイ素粉末を得ることができる。
また、このようにして得られた窒化ケイ素粉末は、金属シリコンの直接窒化法により製造された窒化ケイ素と違って、強力な粉砕を必要とせず、そのため、不純物量が100ppm以下と極めて少ないという特徴がある。本発明の結晶質窒化ケイ素粉末に含まれる不純物(Al、Ca、Fe)は、100ppm以下、好ましくは20ppm以下とすることで、外部量子効率が大きい酸窒化物蛍光体粉末が得られるので好ましい。
上記の低酸素含有量の窒化ケイ素粉末原料は、本発明の酸窒化物蛍光体粉末の製造に一般的に好ましく使用できる。特に、前記の組成式において、前記x1、x2、x3、y、zが、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0である酸窒化物蛍光体粉末の製造でも有用である。この組成において、窒化ケイ素粉末原料が、上記の低酸素含有量であるとともに、その平均粒子径が、前述した1.0μm〜12.0μm、好ましくは3.0μm〜12.0μmの範囲であり、その比表面積が、0.2〜3.0m2/g、さらには、0.2m2/g〜1.0m2/gの範囲であることが好ましい。窒化ケイ素粉末原料の酸素含有量、平均粒子径、及び比表面積がこの範囲にあると、得られる酸窒化物蛍光体粉末が、450nmの波長の光で励起されて発光する蛍光の主波長が565nm〜577nmとなる蛍光を発し、その際の外部量子効率が41%以上となるので好ましい。
さらに、上記の低酸素含有量の窒化ケイ素粉末原料は、特に、前記の組成式において、前記x1、x2、x3、y、zが、0.9<x1≦1.5、0.0035≦x2≦0.0060、0.0040≦x3≦0.0080、0.6≦x2/x3≦1.1、2.0≦y≦3.0、1.0≦z≦1.5である酸窒化物蛍光体粉末の製造においても有用である。この組成において、窒化ケイ素粉末原料が、上記の低酸素含有量であるとともに、その平均粒子径が、前述した1.0μm〜12.0μm、好ましくは3.0μm〜12.0μmの範囲であり、その比表面積が、0.2〜3.0m2/g、さらには、0.2m2/g〜1.0m2/gの範囲であることが好ましい。窒化ケイ素粉末原料の酸素含有量、平均粒子径、及び比表面積がこの範囲にあると、得られる酸窒化物蛍光体粉末が、450nmの波長の光で励起されて発光する蛍光のピーク波長が565〜575nmの波長域にある蛍光を発し、その際の外部量子効率が47%以上となるので好ましい。
焼成においては、焼結を促進し、より低温でα型サイアロン結晶相を生成させることを目的に、焼結助剤となるLi含有化合物を添加することが好ましい。用いるLi含有化合物としては、酸化リチウム、炭酸リチウム、金属リチウム、窒化リチウムが挙げられ、これらの粉末の夫々を単独で使用しても良く、併用しても良い。また、Li含有化合物の添加量は、酸窒化物焼成物1molに対して、Li元素として0.01〜0.5molが適当である。
ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合する方法については、特に制約は無く、それ自体公知の方法、例えば、乾式混合する方法、原料各成分と実質的に反応しない不活性溶媒中で湿式混合した後に溶媒を除去する方法などを採用することができる。混合装置としては、V型混合機、ロッキングミキサー、ボールミル、振動ミル、媒体攪拌ミルなどが好適に使用される。
ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源との混合物を、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成することで、前記組成式で表される酸窒化物焼成物を得ることができる。1500℃より低いとα型サイアロンの生成に長時間の加熱を要し、実用的ではない。2000℃より高いと窒化ケイ素およびα型サイアロンが昇華分解し遊離のシリコンが生成するため、外部量子効率が高い酸窒化物蛍光体粉末が得られなくなる。不活性ガスの加圧状態で焼成することにより、昇華分解を抑制することが可能となり、好ましい。不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の範囲の焼成が可能であれば、焼成に使用される加熱炉については、特に制約は無い。例えば、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式によるバッチ式電気炉、ロータリーキルン、流動化焼成炉、プッシャ−式電気炉などを使用することができる。混合物を充填するるつぼには、BN製の坩堝、窒化ケイ素製の坩堝、黒鉛製の坩堝、炭化珪素製の坩堝を用いることができる。焼成によって得られる酸窒化物焼成物は、凝集が少なく、分散性が良好な粉体である。
上記の焼成により得られた酸窒化物焼成物は更に熱処理してもよい。得られた酸窒化物焼成物を、不活性ガス雰囲気中、または還元性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理することで、450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nmから577nmとなる蛍光を発する際の外部量子効率が特に高い酸窒化物蛍光体粉末を得ることができる。より外部量子効率が高い酸窒化物蛍光体粉末を得るためには、熱処理温度を1500〜1600℃の範囲とすることが好ましい。熱処理温度が1100℃に満たない場合、または1600℃を超える場合は、得られる酸窒化物蛍光体粉末の外部量子効率が小さくなる。熱処理を行う場合の最高温度での保持時間は、特に高い外部量子効率を得るには、0.5時間以上であることが好ましい。4時間を越えて熱処理を行なっても、時間の延長に伴った外部量子効率の向上は僅かに留まるか、殆ど変わらないため、熱処理を行う場合の最高温度での保持時間としては、0.5〜4時間の範囲であることが好ましい。
不活性ガス雰囲気中、または還元性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理することが可能であれば、熱処理に使用される加熱炉については、特に制約は無い。例えば、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式によるバッチ式電気炉、ロータリーキルン、流動化焼成炉、プッシャ−式電気炉などを使用することができる。混合物を充填するるつぼには、BN製の坩堝、窒化ケイ素製の坩堝、黒鉛製の坩堝、炭化ケイ素製の坩堝、アルミナ製の坩堝を用いることができる。
本発明の酸窒化物蛍光体粉末の好ましい一態様は、前記記載の製造方法により得られる蛍光体粉末であり、より詳しくは、ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合し、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成し、次いで、不活性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理することにより得られる、組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される酸窒化物蛍光体粉末である。
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
において、
0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0で表される酸窒化物蛍光体粉末である。
次に、上記の酸窒化物蛍光体を波長変換部材として利用した発光装置について説明する。発光装置には、例えば蛍光ランプ等の照明器具、ディスプレイ等の表示装置が挙げられる。波長変換部材の励起光源には、半導体発光素子(発光ダイオード)を使用する。ここで発光素子には、可視光を発する発光ダイオードだけでなく、近紫外光や深紫外光を発する発光ダイオードを使用することができる。
図4には、本発明の実施形態の一つとして、表面実装型の発光装置1を示す。図4は発光装置の断面図を示している。発光素子1は、青色発光の窒化物発光ダイオードや近紫外発光の窒化物発光ダイオードを用いることができる。ここでは、青色発光の発光ダイオードを例として説明する。発光素子1は、発光層として発光ピーク波長が約460nmのInGaN半導体を有する窒化物半導体発光素子を用いる。発光素子1に形成された電極(図示せず)とパッケージ2に設けられたリード電極3とはAuなどからなるボンディングワイヤ4によって接続されている。
蛍光体層11は本発明の酸窒化物蛍光体12を、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層に5重量%から50重量%の割合で分散させることによって形成することが出来る。使用する樹脂としては、シリコーン樹脂以外にも、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂などを使用することが出来る。また、蛍光体層11の形成方法としてはポッティングやスクリーン印刷法などの方法を用い、発光ダイオード上に薄く均一に形成することができる。蛍光体層11が厚過ぎると、蛍光体粒子が重なり合い、目的とする色度からのズレや発光効率の低下を招くので好ましくない。蛍光体層11には、本発明の酸窒化物蛍光体以外にも、演色性や色再現性の改善のため、青色の励起光により赤色、又は、緑色に発光する蛍光体を加えても良い。
図5は図4とは別の実施形態を示す断面図である。図5では、蛍光体層の代わりに、蛍光体シート13を、発光ダイオード1から離して設置している点が異なっている。蛍光体シート13は、本願発明の酸窒化物蛍光体12を、例えばシリコーン樹脂からなる樹脂層シートに5重量%から50重量%の割合で分散させることによって形成することが出来る。使用する樹脂としては、シリコーン樹脂以外にも、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂などを使用することが出来る。蛍光体シート13を発光ダイオード1から離して設置した構造であるため、発光の場所によるバラツキを低減することが可能となり好ましい。
以下では、具体的例を挙げ、本発明を更に詳しく説明する。
(実施例1)
窒化ケイ素と酸化ユウロピウム、酸化イッテリビウム、窒化アルミニウム、炭酸カルシウムを、表1の酸窒化物の設計組成となるように窒素パージされたグローブボックス内で秤量し、乾式の振動ミルを用いて混合して、混合粉末を得た。窒化ケイ素粉末の比表面積及び平均粒子径は、それぞれ、0.3m2/g、8.0μmであった。得られた混合粉末をBN製の坩堝に入れて、黒鉛抵抗加熱式の雰囲気式加圧焼成炉に仕込み、焼成炉内に窒素を導入し、0.8MPaの圧力を保った状態で、1800℃まで昇温した後、1800℃で2時間保持して、酸窒化物焼成物を得た。
窒化ケイ素と酸化ユウロピウム、酸化イッテリビウム、窒化アルミニウム、炭酸カルシウムを、表1の酸窒化物の設計組成となるように窒素パージされたグローブボックス内で秤量し、乾式の振動ミルを用いて混合して、混合粉末を得た。窒化ケイ素粉末の比表面積及び平均粒子径は、それぞれ、0.3m2/g、8.0μmであった。得られた混合粉末をBN製の坩堝に入れて、黒鉛抵抗加熱式の雰囲気式加圧焼成炉に仕込み、焼成炉内に窒素を導入し、0.8MPaの圧力を保った状態で、1800℃まで昇温した後、1800℃で2時間保持して、酸窒化物焼成物を得た。
得られた酸窒化物焼成物を解砕して粒子径が5〜20μmの粉末を分級によって得た後、得られた粉末をアルミナ坩堝に入れて、黒鉛抵抗加熱式の電気炉に仕込み、電気炉内に窒素を流通させながら、常圧を保った状態で、1600℃まで昇温した後、1600℃で1時間保持して、本発明の酸窒化物蛍光体を得た。
得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を評価するために、日本分光社製FP−6500に積分球を組み合わせた固体量子効率測定装置を用いて、励起波長450nmにおける蛍光スペクトルを測定し、同時に吸収率と内部量子効率を測定した。得られた蛍光スペクトルから蛍光ピーク波長とその波長における発光強度を導出し、吸収率と内部量子効率から外部量子効率を算出した。また、測定装置に備えられている色解析ソフトを用いて、色度座標(Cx、Cy)及び主波長を求めた。なお、輝度の指標になる相対蛍光強度は、市販品のYAG:Ce系蛍光体(化成オプトニクス社製P46Y3)の同励起波長による蛍光スペクトルの最高強度の値を100%とした場合の蛍光ピーク波長における蛍光強度の相対値とした。実施例1に係る酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性の評価結果を表2に示す。
(実施例2〜22)
酸窒化物蛍光体粉末が表1の設計組成になるように、実施例2〜22に係る原料粉末を秤量し混合したこと以外は、実施例1と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を、表2に記載した。また、実施例2及び市販品のYAG:Ce系蛍光体(化成オプトニクス社製P46Y3)の励起及び蛍光スペクトルを図2に示している。図2より明らかなように、賦活剤としてYbとEuを共に含んだCa−α型サイアロン系酸窒化物蛍光体は、従来得られなかった、主波長が570nm程度で、相対蛍光強度の大きな蛍光スペクトルを示す。
酸窒化物蛍光体粉末が表1の設計組成になるように、実施例2〜22に係る原料粉末を秤量し混合したこと以外は、実施例1と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を、表2に記載した。また、実施例2及び市販品のYAG:Ce系蛍光体(化成オプトニクス社製P46Y3)の励起及び蛍光スペクトルを図2に示している。図2より明らかなように、賦活剤としてYbとEuを共に含んだCa−α型サイアロン系酸窒化物蛍光体は、従来得られなかった、主波長が570nm程度で、相対蛍光強度の大きな蛍光スペクトルを示す。
表2より、実施例2〜5、11、12、16〜20のように、前記一般式において、0.9<x1≦1.5、0.0035≦x2≦0.0060、0.0040≦x3≦0.0080、0.6≦x2/x3≦1.1、2.0≦y≦3.0、1.0≦z≦1.5の範囲である酸窒化物蛍光体粉末が、主波長が565〜575nmで、外部量子効率が47%以上と、特に大きな値を示すことが分かる。
(比較例1〜13)
酸窒化物蛍光体粉末が表1の設計組成になるように、比較例1〜13に係る原料粉末を秤量し混合したこと以外は、実施例1と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を、表2に記載した。また、比較例1および実施例2の励起スペクトル及び蛍光スペクトルを図3に示している。図3より明らかなように、賦活剤としてYbとEuを共に含むことにより、発光波長は低波長側へシフトし、主波長が569.7nm程度の蛍光スペクトルを示す酸窒化物蛍光体が得られる。一方、賦活剤としてEuのみを含んだ場合には、主波長が585.9nmと、大きく長波長側にシフトした蛍光スペクトルを示す。
酸窒化物蛍光体粉末が表1の設計組成になるように、比較例1〜13に係る原料粉末を秤量し混合したこと以外は、実施例1と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を、表2に記載した。また、比較例1および実施例2の励起スペクトル及び蛍光スペクトルを図3に示している。図3より明らかなように、賦活剤としてYbとEuを共に含むことにより、発光波長は低波長側へシフトし、主波長が569.7nm程度の蛍光スペクトルを示す酸窒化物蛍光体が得られる。一方、賦活剤としてEuのみを含んだ場合には、主波長が585.9nmと、大きく長波長側にシフトした蛍光スペクトルを示す。
(実施例31)
原料の窒化ケイ素粉末の酸素濃度を、0.75質量%とした以外は、実施例3と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を、表3に記載した。窒化ケイ素粉末の酸素量が0.29質量%である実施例3の熱処理後の外部量子効率47.8%対して、酸素量が0.75質量%である実施例31の外部量子効率は、47.2%と小さくなっていることが分かる。
原料の窒化ケイ素粉末の酸素濃度を、0.75質量%とした以外は、実施例3と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を、表3に記載した。窒化ケイ素粉末の酸素量が0.29質量%である実施例3の熱処理後の外部量子効率47.8%対して、酸素量が0.75質量%である実施例31の外部量子効率は、47.2%と小さくなっていることが分かる。
(実施例32〜37)
原料の窒化ケイ素粉末の比表面積、平均粒子径、酸素量が表3に記載されている窒化ケイ素粉末を用いたこと以外は、実施例3と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例3と同様の方法で測定した。その結果を、表3に記載した。表3より、窒化ケイ素粉末の酸素含有量が0.2〜0.9質量%で、平均粒子径が1.0〜12.0μmで、比表面積が0.2〜3.0m2/g以下である場合に、特に、外部量子効率が大きくなっていることが分かる。
原料の窒化ケイ素粉末の比表面積、平均粒子径、酸素量が表3に記載されている窒化ケイ素粉末を用いたこと以外は、実施例3と同様の方法で酸窒化物蛍光体粉末を得た。得られた酸窒化物蛍光体粉末の蛍光特性を実施例3と同様の方法で測定した。その結果を、表3に記載した。表3より、窒化ケイ素粉末の酸素含有量が0.2〜0.9質量%で、平均粒子径が1.0〜12.0μmで、比表面積が0.2〜3.0m2/g以下である場合に、特に、外部量子効率が大きくなっていることが分かる。
1 発光素子
2 パッケージ
3 リード電極
4 ボンディングワイヤ
11 蛍光体層
12 酸窒化物蛍光体
13 蛍光体シート
2 パッケージ
3 リード電極
4 ボンディングワイヤ
11 蛍光体層
12 酸窒化物蛍光体
13 蛍光体シート
Claims (6)
- 組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)で表される、α型サイアロンからなる酸窒化物蛍光体粉末。 - 前記x1、x2、x3、y、zは、0.9<x1≦1.5、0.0035≦x2≦0.0060、0.0040≦x3≦0.0080、0.6≦x2/x3≦1.1、2.0≦y≦3.0、1.0≦z≦1.5であることを特徴とする請求項1記載の酸窒化物蛍光体粉末。
- 450nmの波長の光により励起されることで、主波長が565nm〜577nmとなる蛍光を発し、外部量子効率が41%以上であることを特徴とする請求項1または2記載の酸窒化物蛍光体粉末。
- 組成式:
Cax1Eux2Ybx3Si12−(y+z)Al(y+z)OzN16−z
(ただし、式中、0.0<x1≦2.0、0.0000<x2≦0.0100、0.0000<x3≦0.0100、0.4≦x2/x3≦1.4、1.0≦y≦4.0、0.5≦z≦2.0)
で表される組成となるように、ケイ素源と、アルミニウム源と、カルシウム源と、ユーロピウム源と、イッテリビウム源とを混合し、不活性ガス雰囲気中、1500〜2000℃の温度範囲で焼成することにより、前記一般式で表される酸窒化物焼成物を得る第1工程と、
前記酸窒化物焼成物を、不活性ガス雰囲気中、1100〜1600℃の温度範囲で熱処理する第2工程と、
を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の酸窒化物蛍光体粉末の製造方法。 - 前記ケイ素源が窒化ケイ素粉末であり、前記窒化ケイ素粉末の酸素含有量が0.2〜0.9質量%であり、平均粒子径が1.0〜12.0μmであり、比表面積が0.2〜3.0m2/gであることを特徴とする請求項4に記載の酸窒化物蛍光体粉末の製造方法。
- 発光源と蛍光体を備えた発光装置において、発光源が発光ダイオードからなり、蛍光体が少なくとも請求項1〜3のいずれか一項に記載されている酸窒化物蛍光体粉末を用いることを特徴とする発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013111633 | 2013-05-28 | ||
JP2013111633 | 2013-05-28 | ||
PCT/JP2014/063838 WO2014192694A1 (ja) | 2013-05-28 | 2014-05-26 | 酸窒化物蛍光体粉末 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6028858B2 JP6028858B2 (ja) | 2016-11-24 |
JPWO2014192694A1 true JPWO2014192694A1 (ja) | 2017-02-23 |
Family
ID=51988725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015519848A Expired - Fee Related JP6028858B2 (ja) | 2013-05-28 | 2014-05-26 | 酸窒化物蛍光体粉末 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9777215B2 (ja) |
EP (1) | EP3006539B1 (ja) |
JP (1) | JP6028858B2 (ja) |
KR (1) | KR20160013876A (ja) |
CN (1) | CN105247011B (ja) |
TW (1) | TW201502246A (ja) |
WO (1) | WO2014192694A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114316961A (zh) * | 2016-01-29 | 2022-04-12 | 江苏博睿光电有限公司 | 氮氧化物发光颗粒、制备方法和发光器件 |
JP6785333B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-11-18 | デンカ株式会社 | 蛍光体粉末、複合体および発光装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003336059A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | National Institute For Materials Science | サイアロン系蛍光体 |
JP2004186278A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光方法 |
JP2007031201A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | α型サイアロン粉末の製造方法及び蛍光体 |
JP2010043242A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Samsung Led Co Ltd | β−サイアロン蛍光体の製造方法。 |
JP2012036408A (ja) * | 2006-07-05 | 2012-02-23 | Ube Industries Ltd | サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法 |
WO2013147066A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 宇部興産株式会社 | 酸窒化物蛍光体粉末 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
PT1414580E (pt) * | 2001-03-01 | 2008-01-02 | Hasan Mandal | Cerâmicas sialon alfa-beta dopadas com vários catiões |
US6632379B2 (en) * | 2001-06-07 | 2003-10-14 | National Institute For Materials Science | Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor |
JP3668770B2 (ja) | 2001-06-07 | 2005-07-06 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体 |
DE10146719A1 (de) | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
US7074346B2 (en) * | 2003-02-06 | 2006-07-11 | Ube Industries, Ltd. | Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof |
JP4581120B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-11-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸窒化物粉末およびその製造方法 |
WO2005123876A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | National Institute For Materials Science | α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法 |
JP4888624B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2012-02-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | α型サイアロン粉末の製造方法 |
KR100772047B1 (ko) * | 2004-08-30 | 2007-10-31 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 산질화물 형광체 및 발광 장치 |
JP4724881B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-07-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Yb系α−サイアロン蛍光体 |
WO2007004493A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および照明器具 |
DE102008038249A1 (de) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | alpha-Sialon-Leuchtstoff |
JP5388699B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-01-15 | 電気化学工業株式会社 | α型サイアロン蛍光体およびそれを用いた発光素子 |
-
2014
- 2014-05-26 US US14/890,972 patent/US9777215B2/en active Active
- 2014-05-26 JP JP2015519848A patent/JP6028858B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-26 KR KR1020157033737A patent/KR20160013876A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-05-26 WO PCT/JP2014/063838 patent/WO2014192694A1/ja active Application Filing
- 2014-05-26 EP EP14804175.9A patent/EP3006539B1/en not_active Not-in-force
- 2014-05-26 CN CN201480030239.1A patent/CN105247011B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-27 TW TW103118405A patent/TW201502246A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003336059A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | National Institute For Materials Science | サイアロン系蛍光体 |
JP2004186278A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光方法 |
JP2007031201A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | α型サイアロン粉末の製造方法及び蛍光体 |
JP2012036408A (ja) * | 2006-07-05 | 2012-02-23 | Ube Industries Ltd | サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法 |
JP2010043242A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Samsung Led Co Ltd | β−サイアロン蛍光体の製造方法。 |
WO2013147066A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 宇部興産株式会社 | 酸窒化物蛍光体粉末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9777215B2 (en) | 2017-10-03 |
US20160122642A1 (en) | 2016-05-05 |
EP3006539B1 (en) | 2017-11-08 |
EP3006539A1 (en) | 2016-04-13 |
CN105247011A (zh) | 2016-01-13 |
WO2014192694A1 (ja) | 2014-12-04 |
CN105247011B (zh) | 2017-02-22 |
KR20160013876A (ko) | 2016-02-05 |
JP6028858B2 (ja) | 2016-11-24 |
EP3006539A4 (en) | 2017-02-22 |
TW201502246A (zh) | 2015-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5910498B2 (ja) | 珪窒化物蛍光体用窒化珪素粉末並びにそれを用いたCaAlSiN3系蛍光体、Sr2Si5N8系蛍光体、(Sr,Ca)AlSiN3系蛍光体及びLa3Si6N11系蛍光体、及びその製造方法 | |
JP6610739B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末およびそれを用いた発光装置 | |
JP5835469B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末 | |
JP5854051B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末及びその製造方法 | |
JP5741177B2 (ja) | Ca含有α型サイアロン蛍光体およびその製造方法 | |
JP6036987B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末およびその製造方法 | |
WO2014061748A1 (ja) | 波長変換部材及びそれを用いた発光装置 | |
JP6015851B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末およびその製造方法 | |
JP6028858B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末 | |
JP2017186459A (ja) | 窒化物蛍光体粉末およびその製造方法 | |
JP6187342B2 (ja) | 酸窒化物蛍光体粉末およびその製造方法 | |
JP2014034635A (ja) | 赤色蛍光体およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160920 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161003 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6028858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |