JPWO2014132948A1 - サセプタ - Google Patents

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Abstract

副ガスと炭素との接触に起因する副ガスの反応を抑制することにより、半導体材料の品質に悪影響を及ぼすのを抑えることができるサセプタを提供することを目的としている。副ガスを内部に導入するための副ガス導入口１２と、上記副ガスを外部に放出するための副ガス放出口１６との間に設けられ、内壁が炭素から成る第１副ガス流路１０と、ウェハに対向する面に湾曲して延設され、上記副ガス放出口１６が設けられた条溝１５と、上記第１副ガス流路１０の少なくとも一部に副ガス流路１０の内壁を覆うように設けられ、副ガスと接触する側の表面は上記苛性ガスとの反応性が低い耐性材料で構成される保護部材１１と、を備える。

Description

本発明は、ウェハ上に半導体材料をエピタキシャル成長させるためのＣＶＤ装置内で用いられ、上記ウェハを載置するためのサセプタに関するものである。
ウェハ又はウェハ載置部材（以下、ウェハ等）の下方から副ガスを流し、副ガスのガス圧によりガスクッションを形成してウェハ等を浮上させるとともに、副ガスを螺旋溝の方向に導くことで、回転方向へのガス流を発生させ、ウェハ等が水平方向に回動する構造のエピタキシャル成長装置が提案されている（下記特許文献１、２参照）。
このようなエピタキシャル成長装置であれば、副ガスのガス流によりウェハ等の浮上及び回動が行われるので、簡便な機構で均一な半導体材料を得ることが出来る。加えて、副ガスとして、主ガスと同じガス種を含むガスを用いるため、製造される半導体材料の品質への影響が小さくなるという作用効果も発揮される。
特公平７−７８２７６号公報 特開２００４−５０７６１９号公報
上記特許文献１，２に記載のエピタキシャル成長装置では、ガス流に用いる副ガスは黒鉛（炭素材）と反応する苛性ガスが多い。このため、黒鉛との接触により副ガスが反応し、特に副ガス中に含まれるＮＨ３やＨ２等は、黒鉛との接触により容易に反応し易い。このように、黒鉛と接触した副ガスは反応によって炭化されるため、副ガスの組成が変わり、半導体材料の品質に悪影響を及ぼす恐れがある。尚、サセプタ表面にはＳｉＣやＴａＣのコーティングを行って、黒鉛（炭素）と反応するのを抑制しているが、副ガスが通過する副ガス流路には従来苛性ガスに対する対策が施されていなかった。
ここで、ＣＶＤ法によってサセプタの外表面にＳｉＣ被膜を形成した場合に、副ガス流路内が十分にコーティングされることはない。図１０は、ＣＶＤ法を用いて、サセプタの外表面に１００μｍの厚さでＳｉＣ被膜を形成したときに、内径３ｍｍのストレート孔内でのＳｉＣ被膜の膜厚を示すものである。同図から明らかなように、内径と同じ３ｍｍの深さ付近で、既に膜厚が半減しており、従来のＣＶＤ法では副ガス流路には入口付近の僅かな範囲にしかコーティングが行われないことが明らかとなった。
そこで本発明は、副ガスと炭素との接触に起因する副ガスの反応を抑制することにより、半導体材料の品質に悪影響を及ぼすのを抑えることができるサセプタを提供することを目的としている。
上記目的を達成するために本発明は、半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタであって、上記サセプタ本体内に上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガスは、炭素との反応性の高い苛性ガスを含み、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部には、上記サセプタ本体とは別体形成されると共に上記苛性ガスとの反応性が低い耐性材料で構成された保護部材が備えられていることを特徴とする。
本発明によれば、副ガスが通過する副ガス流路内で、副ガスと黒鉛とが接触することによる副ガスの反応を抑制し、これによって、半導体材料の品質に悪影響を及ぼすのを抑えることができるといった優れた効果を奏する。
第１実施例のサセプタの斜視図。 図１のＡ−Ａ線矢視断面図。 条溝を示す平面図。 チャンバー内部を示す概略断面図。 第１実施例のサセプタ本体の変形例を示す断面図。 第１実施例のサセプタ本体の変形例を示す断面図。 第１実施例のサセプタ本体の変形例を示す断面図。 第１実施例のサセプタ本体の変形例を示す断面図。 第１実施例のサセプタ本体の変形例を示す断面図。 ＣＶＤ法によってサセプタの外表面にＳｉＣ被膜を形成した場合、内径３ｍｍのストレート孔内におけるガス導入口からの距離とＳｉＣ膜厚との関係を示すグラフ。 第２実施例のサセプタ本体の断面図。 副ガス流路近傍の断面を示す写真。 図１１の要部拡大図。
本発明は、半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタであって、上記サセプタ本体内に上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガスは、炭素との反応性の高い苛性ガスを含み、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部には、上記サセプタ本体とは別体形成されると共に上記苛性ガスとの反応性が低い耐性材料で構成された保護部材が備えられていることを特徴とする。
上記構成の如く、苛性ガスとの反応性が低い耐性材料で構成される保護部材を有し、この保護部材によって副ガス流路の少なくとも一部の内壁が覆われていれば、副ガス流路を副ガスが通過する際に、副ガスが炭素と接触して副ガスの組成が変わるのを抑制できる。したがって、半導体材料の品質に悪影響を及ぼすのを抑えることができる。
尚、サセプタ本体と別体形成されていれば、保護部材が消耗した場合には、保護部材を交換することで容易に保護力を回復させることが可能となる。
上記保護部材は上記副ガス流路において、副ガスが流通する上流側端部の近傍に設けられていることが望ましい。
保護部材は副ガス流路全体に設けるのが好ましいが、コスト面や保護部材の形成時の都合等から必ずしも副ガス流路全体に設けられない場合も生じる。このような場合でも、副ガスが流通する上流側端部付近に設けておけば上記効果が十分に発揮される。なぜなら、副ガス導入口付近は導入された副ガスが乱流となるため、他の部位と比べて炭素と苛性ガスとの反応が特に進行し易いからである。
上記耐性材料は、ＳｉＣ、ＴａＣ及びＢＮからなる群から選ばれた少なくとも１つであることが望ましい。
また、本発明は、半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタであって、上記サセプタ本体内に上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガスは、炭素との反応性の高い苛性ガスを含み、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部に上記苛性ガスとの反応性が低い被覆層が形成されていることを特徴とする。
上記構成であれば、上記保護部材が備えられている場合と同様の理由により、副ガスが炭素と接触して副ガスの組成が変わるのを抑制できるので、半導体材料の品質に悪影響を及ぼすのを抑えることができる。
尚、被覆層を形成する場合には、副ガス流路が狭小且つ長大であっても、容易且つ低コストで被覆層を形成できる。尚、副ガス流路は、内径より副ガス導入口からの深さが大きいものに適用するのが好ましく、副ガス導入口からの深さが内径の５倍以上のものに適用するのがより好ましい。
上記被覆層は上記副ガス流路において、副ガスが流通する上流側端部の近傍に設けられていることが望ましい。
上述した理由と同様の理由により、副ガスが流通する上流側端部付近に設けておけば上記効果が十分に発揮される。
上記被覆層のサセプタ本体側に、被覆層と同じ材質の物質が浸透された浸透部が形成されていることが望ましい。
浸透部が形成されていることで、被覆層の密着性が向上するため、被覆層がサセプタ本体から剥離し難くなる。加えて、被覆層に若干のクラックや損耗等が生じた場合であっても、浸透部の存在によって、苛性ガスに起因するサセプタ本体の腐食を抑制できる。
上記被覆層は、ＳｉＣ、ＴａＣ及びＢＮからなる群から選ばれた少なくとも１つから成ることが望ましい。
上記副ガスは上記主ガスに含まれるガス種と同じガス種を含むことが望ましい。
主ガスに含まれるガス種と同じガス種を含むものであれば、副ガスとウェハとが接触した場合に、半導体材料の品質への影響が一層小さくなる。
上記苛性ガスは、ＮＨ３ガス及び／又はＨ２ガスであることが望ましい。
但し、これらのガスに限定するものではなく、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣｌＦ３、Ｏ２、Ｏ３、Ｆ２ガス等であっても良い。
上記ウェハはウェハ載置部材上に載置されていることが望ましい。
ウェハ載置部材上にウェハを載置する構成であれば、ウェハと副ガスとの接触を抑制できるので、半導体の品質への影響がより軽減される。
また、本発明は、半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタ本体内に、上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガス流路の内面が炭素質材料からなり、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部に被覆層が形成されたサセプタの製造方法であって、上記副ガス流路内壁に、金属ケイ素及び／又は金属タンタルと樹脂分とを溶媒中に分散させたスラリーを塗布する工程と、前記スラリー中の溶媒を揮発させる工程と、熱処理により、前記金属ケイ素及び／又は金属タンタルと炭素質材料中の炭素及び前記樹脂分中の炭素とを反応させて炭化ケイ素及び／又は炭化タンタル含有する被覆層を生成させる工程と、を有することを特徴とする。
以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明するが、本発明のサセプタは下記２つの実施例の内容によって制限されるものではない。
〔第１実施例〕
本第１実施例は、サセプタ本体とは別体形成された保護部材が、副ガス流路内壁に備えられている場合の例である。
反応容器筐体中には、図４に示すように、チャンバー１が設置されており、このチャンバー１内には、主ガス通路２から主ガス（炭素との反応性の高い苛性ガスを含むガス）が導入される。また、上記チャンバー１内にはサセプタ３が配置されており、このサセプタ３はヒーター４によって下方から加熱される。
上記サセプタ３は、図１及び図２に示すように、サセプタ本体７を有しており、このサセプタ本体７は黒鉛から成る。また、サセプタ本体７の上面には、位置決め部材５と、この位置決め部材５に囲まれて位置決めされたウェハ載置部材６とが配置されている。尚、上記ウェハ載置部材６の上に載置されるウェハ（図示せず）の上面と、上記位置決め部材５の上面とは面一となるように構成されている。
上記サセプタ本体７には、サセプタ本体７の外周面７ｂと内周面７ａとの間を貫通する貫通孔（第１副ガス流路）１０が形成されている。この貫通孔１０の直径は７ｍｍとなっており、また、貫通孔１０の内部には、ＳｉＣから成り貫通孔１０の内壁を覆う保護部材１１が嵌挿されている。このように、黒鉛から成るサセプタ本体７に形成された貫通孔１０の内壁を、保護部材１１で覆うことにより、第１副ガス流路１０の内壁が保護され、副ガス（上記主ガスに含まれるガス種と同じガス種を含むガス）が第１副ガス流路１０を通過する際に、黒鉛と副ガスとが接触して副ガスの組成が変わるのを抑えることができる。したがって、半導体材料の品質に悪影響を及ぼすのを抑制できる。
上記保護部材１１はストロー状を成し、外径は上記貫通孔１０の内径と略同様（直径：７ｍｍ）となり、内径は直径３ｍｍ、長さは２００ｍｍとなるように構成されている。また、保護部材１１における上記内周面７ａ側の先端１１ａには副ガス導入口１２が形成され、上記先端１１ａの外形形状は先細り形状となっている。このような形状とするのは、上記サセプタ本体７の外周面７ｂから貫通孔１０内に保護部材１１を挿入する際、保護部材１１の挿入の円滑化を図るためである。
また、保護部材１１の他端１１ｂ側の貫通孔１０内には、貫通孔１０を塞ぐ封止部材１３が嵌挿されており、この封止部材１３により、上記副ガス導入口１２から導入された副ガスが、外周面７ｂの貫通孔１０から外部に放出されるのを防止できる。尚、封止部材１３の外側面１３ａは、サセプタ本体７の外周面７ｂと面一となっている。
上記サセプタ本体７の上面には、図３に示すように、湾曲して延設された条溝１５が形成されており、この条溝１５と上記貫通孔（第１副ガス流路）１０とは第２副ガス流路１７により連結されている。このように、条溝１５に第２副ガス流路１７が連結され、この連結部が副ガス放出口１６を構成することになる。
尚、上記構造のサセプタ本体７を作製した後には、サセプタ本体７の全体にＣＶＤ法を用いてＳｉＣをコーティングする。このコーティングは、例えば、サセプタ本体７の表面に２層以上のＳｉＣ膜を形成し、このＳｉＣ膜のうち最表層膜が、塩素ガス等のハロゲンガスを用いて純化処理することにより、形成できる。
また、ウェハ載置部材６上にウェハが載置された状態で、チャンバー上方から主ガスを導入すれば、ウェハ上でエピタキシャル成長が行われる。
また、保護部材１１を用いて保護する方法として、更に以下に示す方法を用いても良い。尚、下記図５〜図９においては、説明の便宜上、位置決め部材５、ウェハ載置部材６、条溝１５等は省略しているが、それらの状態は図２と同様である。
例えば、図５に示すように、副ガス導入口１２付近の貫通孔１０の内径を、副ガス導入口１２から５０ｍｍ程度だけ７ｍｍの内径とし、その他は３ｍｍの内径とすると共に、５０ｍｍの長さのストロー状の保護部材１１（厚さ２ｍｍ）を内径が７ｍｍの部分のみに挿入し、副ガス導入口１２付近のみ貫通孔１０の内壁を覆って保護することもできる。
また、図６〜図９は、サセプタ本体７の下方に設けられた副ガス源から副ガス流路に副ガスが導入される実施形態を示すものである。図６は、サセプタ本体７の水平方向に保護部材１１を設けるための貫通孔１０を開口し、ストロー状の保護部材１１は、予め先端１１ａ側が封止壁１１ｃにより塞がれると共に、下方に開口１１ｄが設けられて外周面７ｂ側から挿入され、副ガス導入口１２と開口１１ｄとが連通されて副ガスの流通が確保される。また、保護部材１１の他端１１ｂ側の貫通孔１０内には、貫通孔１０を塞ぐ封止部材１３が嵌挿されている。更に、先端１１ａ側におけるサセプタ本体７の内周面７ａ側の貫通孔１０には、筒状の保護部材１１ｅが取り付けられて、副ガスの漏洩や、周辺ガスの侵入からサセプタ本体７の内周面７ａ側の貫通孔１０内壁を保護するように構成されている。図７は、図６の形態と略同様であるが、図２と図５との関係と同様、保護部材１１が貫通孔１０の一部にのみ設けられた点で異なる。
図８及び図９は、副ガス導入口１２付近に保護部材１１を設ける他の実施形態を示すものである。副ガスを下方から導入する場合、垂直方向から水平方向に副ガスの流れを変換する箇所で直進しようとする副ガスが副ガス流路の内壁に衝突し、苛性ガスによる黒鉛の反応が非常に促進される。このため、この衝突する箇所のみを保護することにより、十分な効果が得られる。図８において、保護部材１１は、下方に開口１１ｄが設けられたキャップ状の形状をなし、更に副ガスが副ガス流路に流通するよう、外側に向かっても開口１１ｆが設けられたものである。この保護部材１１を設けることで、副ガス導入口１２上方の内壁、即ち最も苛性ガスによる黒鉛の反応が生じやすい部位を保護することが出来る。保護部材１１を設けるに際しては、サセプタ本体７の副ガス導入口１２の上方に保護部材１１を挿通可能な貫通孔１０ａを開口し、保護部材１１を所定の位置に配置した後、貫通孔１０ａを封止部材２０により塞ぐ。この様な方法により、簡便に保護部材１１を設けることができる。
図９において、保護部材１１は下方に開口１１ｄが設けられたキャップ状の形状で、貫通孔（第１副ガス流路）１０方向に経路が設けられている点は図８と同様である。尚、図８のものと異なる点は、保護部材１１が下方に延設されて、上記開口１１ｄが副ガス導入口１２を兼ねている点である。このような構造の保護部材１１を配置する際には、サセプタ本体７下方から第１副ガス流路１０に向けて貫通孔１０ｂを設け、該貫通孔１０ｂ下方から保護部材１１を挿入するだけで良い。即ち、孔開けと挿入のみにより極めて簡便に保護部材１１を設けることができるという利点が発揮される。
〔第２実施例〕
本第２実施例は、副ガス流路内壁に被覆層が形成されている場合の例である。即ち、図１１に示すように、上記保護部材１１の代わりに被覆層２０を設けた他は、上記第１実施例と同様の構造である。
上記被覆層２０は、以下のようにして形成した。
先ず、ケイ素粉末（平均粒度４０μｍ）と、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂の１０重量％水溶液とを、重量比で１０：１０の割合で混合分散させてスラリーを調製した。次に、ウェハ載置部材６と蓋１３とを取り外した状態で、上記スラリーを貫通孔１０の一端から注入して、ガス流路である貫通孔１０内全体に充填した。次いで、乾燥機を用いて１００℃で１時間乾燥させ、さらに非酸化性雰囲気下にて１６００℃で１時間熱処理した後、冷却して乾燥機から取り出した。この処理により、図１１に示すように、第１副ガス流路１０の内壁に、厚さ１０μｍの炭化ケイ素（ＳｉＣ）から成る被覆層２０が形成された。また、図１２から明らかなように、サセプタ本体７の約５００μｍの深さまでＳｉＣが浸透したＳｉＣ浸透層２１が形成されていた。更に、図１３に示すように、第２副ガス流路１７の内壁にも、炭化ケイ素（ＳｉＣ）から成る被覆層２０の形成が確認された。
ここで、ケイ素粉末及び樹脂分を含有するスラリーが管内に充填されると、乾燥時に溶媒の揮発が進んでも、管径が小さければ表面張力により重力方向にはそれ程移動せず、内壁全体に留まり続ける。よって、貫通孔１０内壁に付着したスラリーは、内壁表面に留まると共に、サセプタ本体７（炭素質材料）の気孔内にも浸入する。このスラリーを非酸性雰囲気下で熱処理すると、内壁表面に留まったスラリーでは樹脂分と金属ケイ素とが反応し、ＳｉＣからなる被覆層２０が形成される。一方、浸透したスラリーは、サセプタ本体７（炭素質材料）の気孔内で樹脂分と金属ケイ素とが反応して、ＳｉＣを含む浸透部２１が形成される。被覆層２０と浸透部２１とのＳｉＣは同じスラリーから形成されるため、各々のＳｉＣは分離したものでは無く連続した状態となっている。
尚、被覆層２０の厚みは、上述した厚みに限定されるものではないが、苛性ガスからサセプタ本体７を保護する観点からは０．１〜１００μｍであればよく、大きな厚みの被覆層を形成するのは困難であるので、好ましくは０．５〜５０μｍ、より好ましくは１〜２０μｍである。
上述したように、被覆層２０のサセプタ本体７側には、浸透したスラリーがサセプタ本体７と反応してＳｉＣの浸透部２１が形成されている。この浸透部２１が形成されていることで、ＳｉＣからなる被覆層２０が剥離しにくくなると共に、被覆層２０に若干のクラック等が生じた場合であっても、浸透部２１の存在により、苛性ガスに起因するサセプタ本体７（炭素質材）の腐食が抑制される。
上記浸透部２１の厚みは、サセプタ本体７の表面から１０〜２０００μｍの深さで形成されていれば良く、好ましくは１００〜１０００μｍの深さで形成される。
（その他の事項）
（１）上記第１実施例では、保護部材１１全体が苛性ガスとの反応性が低い耐性材料（ＳｉＣ）で構成されているが、ストロー形状の炭素材料（黒鉛）の表面に苛性ガスとの反応性が低い耐性材料の被膜がコーティングされたものを用いても良い。この場合のコーティング法としては、サセプタ本体７の全体にコーティングする場合と同様のＣＶＤ法を用いることが可能である。
（２）上記第１実施例では、第２副ガス流路１７には保護部材を配置していないが、保護部材を配置しても良い。但し、一般には、第１副ガス流路１０と比べて第２副ガス流路１７は短い。したがって、サセプタ本体７の全体にＳｉＣ等をコーティングする際に、第２副ガス流路１７の内壁もコーティングされることが多い。
（３）上記第２実施例に示した被覆層の形成方法としては、上記の方法に限定するものではない。例えば、分子構造中にシリコンを含む有機ポリマーの懸濁液を貫通孔１０内壁に塗布した後に熱処理する方法や、ＳｉＯ２粉末と炭素粉末とを比重分離が生じない状態に均質混合した混合粉末を貫通孔１０内に充填した後に加熱処理するコンバージョン法等、適宜の方法で形成することができる。
（４）上記第２実施例では、第１副ガス流路１０の全体に被覆層２０を形成したが、このような構造に限定するものではなく、第１実施例の図５、図７、図８及び図９に示した形態と同様、第１副ガス流路１０の上流側端部付近のみに形成するようにしても良い。
（５）上記２つの実施例では、サセプタ本体７と位置決め部材５とを別体となるように構成しているが、これらを一体成形しても良い。
（６）上記２つの実施例では、サセプタ本体７の全体にコーティングする材料としてＳｉＣを用いたが、これに限定するものではなく、苛性ガスとの反応性が低いもの（ＴａＣ、ＢＮ等）であれば良い。
（７）上記２つの実施例では、ウェハ載置部材６上にウェハを載置した状態でエピタキシャル成長が行われる構成となっているが、ウェハ載置部材６を介することなく条溝１５の直上にウェハを載置する構成であっても良い。尚、ウェハ載置部材６上にウェハを載置する場合（上記２つの実施例の場合）、ウェハ載置部材６上に設けられた図示しないポケットにウェハを載置し、ウェハとウェハ載置部材６とが一緒に回動する構造となっている。
本発明は気相エピタキシャル成長装置等に用いることができる。
３：サセプタ
７：サセプタ本体
１０：貫通孔（第１副ガス流路）
１１：保護部材
１２：副ガス導入口
１５：条溝
１６：副ガス放出口

Claims (11)

  1. 半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタであって、
    上記サセプタ本体内に上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガスは、炭素との反応性の高い苛性ガスを含み、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部には、上記サセプタ本体とは別体形成されると共に上記苛性ガスとの反応性が低い耐性材料で構成された保護部材が備えられていることを特徴とするサセプタ。
  2. 上記保護部材は上記副ガス流路において、副ガスが流通する上流側端部の近傍に設けられている、請求項１に記載のサセプタ。
  3. 上記耐性材料は、ＳｉＣ、ＴａＣ及びＢＮからなる群から選ばれた少なくとも１つである、請求項１又は２に記載のサセプタ。
  4. 半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタであって、
    上記サセプタ本体内に上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガスは、炭素との反応性の高い苛性ガスを含み、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部に上記苛性ガスとの反応性が低い被覆層が形成されていることを特徴とするサセプタ。
  5. 上記被覆層は上記副ガス流路において、副ガスが流通する上流側端部の近傍に設けられている、請求項４に記載のサセプタ。
  6. 上記被覆層のサセプタ本体側に、被覆層と同じ材質の物質が浸透された浸透部が形成されている、請求項４又は５に記載のサセプタ。
  7. 上記被覆層は、ＳｉＣ、ＴａＣ及びＢＮからなる群から選ばれた少なくとも１つから成る、請求項４〜６のいずれか１項に記載のサセプタ。
  8. 上記副ガスは上記主ガスに含まれるガス種と同じガス種を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のサセプタ。
  9. 上記苛性ガスは、ＮＨ３ガス及び／又はＨ２ガスである、請求項１〜８のいずれか１項に記載のサセプタ。
  10. 上記ウェハはウェハ載置部材上に載置されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載のサセプタ。
  11. 半導体被膜を形成するための主ガスと、ウェハを浮上及び回動させるための副ガスとを導入し、サセプタ本体上に載置されたウェハを回動させながら上記ウェハ上に上記主ガスにより半導体被膜を形成する気相エピタキシャル成長に用いるサセプタ本体内に、上記副ガスを流通させる副ガス流路が設けられ、上記副ガス流路の内面が炭素質材料からなり、上記副ガス流路内壁の少なくとも一部に被覆層が形成されたサセプタの製造方法であって、
    上記副ガス流路内壁に、金属ケイ素及び／又は金属タンタルと樹脂分とを溶媒中に分散させたスラリーを塗布する工程と、
    前記スラリー中の溶媒を揮発させる工程と、
    熱処理により、前記金属ケイ素及び／又は金属タンタルと炭素質材料中の炭素及び前記樹脂分中の炭素とを反応させて炭化ケイ素及び／又は炭化タンタル含有する被覆層を生成させる工程と、
    を有することを特徴とするサセプタの製造方法。
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