CN106835066A - 一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法 - Google Patents

一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106835066A
CN106835066A CN201710026559.5A CN201710026559A CN106835066A CN 106835066 A CN106835066 A CN 106835066A CN 201710026559 A CN201710026559 A CN 201710026559A CN 106835066 A CN106835066 A CN 106835066A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
metal surface
metal
temperature
inhibiting coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710026559.5A
Other languages
English (en)
Inventor
章海霞
侯莹
郭俊杰
魏丽乔
王永祯
张华�
刘培植
闫晓丽
马琼
黄增鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyuan University of Technology
Original Assignee
Taiyuan University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyuan University of Technology filed Critical Taiyuan University of Technology
Priority to CN201710026559.5A priority Critical patent/CN106835066A/zh
Publication of CN106835066A publication Critical patent/CN106835066A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法是采用化学气相沉积法在金属表面原位生长石墨烯保护层，然后将金属/石墨烯样品置于原子层沉积设备反应腔，进行三氧化二铝钝化颗粒沉积，由于原子层钝化颗粒三氧化二铝对悬键特别敏感，会优先沉积在石墨烯的缺陷位置，在石墨烯的孔洞、晶界处形成分散的团簇，而不是连续的薄膜，将石墨烯的缺陷进行钝化，从而实现石墨烯对金属的完全保护。本发明具有制备方法简单、制造成本低廉、获得的薄膜保护性能优良的优点，在金属的防腐领域具有潜在的应用价值。

Description

一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法
技术领域
本发明涉及一种金属表面防腐涂层的处理方法，具体是采用化学气相沉积法在金属表面原位生长石墨烯保护层，然后将金属/石墨烯置于原子层沉积设备的反应腔，进行三氧化二铝钝化颗粒沉积的一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法。
背景技术
金属材料的腐蚀问题是困扰了业界多年的难题，每年因腐蚀造成的经济损失不计其数，有时甚至会对人们的生命安全构成威胁。因此，开发一种有效的防腐方式刻不容缓。当前，人们主要在金属表面覆盖惰性材料保护层来防止其发生腐蚀，但保护层材料大多耐温性差，而且会改变原材料的尺寸和外形，有时甚至会改变原材料的物理性能。特别是，航天事业、微电子行业的发展，对金属腐蚀防护的要求更为严格，因而开发超薄且不影响基体性能的涂层是防腐领域发展的必然趋势。
石墨烯是一种二维单原子层碳材料，由于具有许多特殊的性能，在学术界引起了空前的研究热潮。近期，研究人员发现石墨烯可以作为金属的超薄保护涂层，在既不改变金属的尺寸和形状，又不降低导热性的情况下，保护金属材料不被腐蚀。石墨烯对金属的保护程度和它的晶体结构、层数、缺陷密切相关。高质量、无缺陷的单晶石墨烯能使其对金属的保护性能最大化。然而，通过现有方法很难获得大面积、零缺陷的单晶石墨烯薄膜，石墨烯内部纳米孔、晶界等缺陷的存在严重限制了它对金属耐腐蚀性能的改善。因此，如何对石墨烯的缺陷进行钝化处理，实现金属表面与腐蚀介质的完全隔离，成为一个亟待解决的问题。
发明内容
为解决金属表面石墨烯保护层耐腐蚀性能差，金属使用寿命短的问题，本发明提供一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法。
具体采取的技术方案如下。
一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述方法是按下列步骤进行的：
（1）将金属依次在盐酸、丙酮、乙醇溶液中分别超声清洗10 min，在氮气环境下烘干，去除表面的氧化物和杂质；
（2）将金属置于化学气相沉积设备中，通入高纯氩气10 min，将石英管内的空气排净，然后抽真空至10-2 Torr，再通入氩气至常压，重复三次，确保石英管内没有残余空气；
（3）保持石英管内氩气气氛为常压的情况下，将石英管内温度升高至一定温度，通入氢气30 min，将金属表面的氧化物进一步还原，然后再调节石英管温度至石墨烯的生长温度，通入甲烷15 min，进行石墨烯的生长；
（4）石墨烯生长结束后，切断碳源，快速降温至室温，取出样品；
（5）将样品置于原子层沉积设备的反应腔，进行三氧化二铝钝化颗粒的沉积，将金属表面石墨烯的缺陷进行钝化处理；
设定参数为：沉积温度：100 ℃；沉积气压：1 Torr；反应源：采用三甲基铝和水为前驱体，前驱体温度均为室温；载气：10～50 sccm的高纯氮气；
单循环脉冲、憋气和吹扫时间：首先水脉冲时间为0.1～0.5 s，憋气时间为5～7 s，吹扫时间为10～15 s；然后三甲基铝脉冲时间为0.01～0.5 s，憋气时间为5～7 s，吹扫时间为10～15 s，完成一次沉积循环，重复此沉积循环获得不同尺度的三氧化二铝钝化颗粒。
进一步的附件技术方案如下。
所述金属的衬底是铜、镍、铜/镍合金金属或合金。
所述盐酸、丙酮、乙醇溶液的质量分数分别为5～40%、50～60%和65～75%。
所述在氮气环境下烘干的温度是60～80 ℃。
所述将金属表面的氧化物进一步还原的温度是800～1000 ℃。
所述通入甲烷的流量是5～30 sccm。
所述进行石墨烯的生长的时间是5～30 min，石墨烯的生长的温度是850～1050℃。
所述高纯氮气的纯度是99.999%以上；所述完成一次沉积循环的周期是50～200。
本发明上述所提供的一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，与现有技术相比，本方法采用原子层沉积技术在石墨烯表面沉积三氧化二铝，原子层钝化颗粒对悬键特别敏感，会优先沉积在石墨烯的缺陷位置，在石墨烯的孔洞、晶界处形成分散的团簇，而不是连续的薄膜，将石墨烯的缺陷进行钝化，从而实现石墨烯对金属的完全保护。
附图说明
图1是本方法铜/石墨烯样品电化学腐蚀前的光学显微镜照片。
图2是本方法铜/石墨烯样品电化学腐蚀后的光学显微镜照片，腐蚀液为0.1 MNaCl。
图3是本方法缺陷钝化后铜/石墨烯样品电化学腐蚀前的光学显微镜照片。
图4是本方法缺陷钝化后铜/石墨烯样品电化学腐蚀后的光学显微镜照片，腐蚀液为0.1 M NaCl。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式作出进一步的说明。
实施例1
通过化学气相沉积法在铜基底制备石墨烯薄膜，具体步骤为：将厚度为0.5μm的铜箔依次在10%的盐酸、50%的丙酮、65%的乙醇溶液中分别超声清洗10 min，在氮气环境下烘干，去除表面的氧化物和杂质；然后将清洗后的铜箔放在化学气相沉积设备内，通入高纯氩气10min，将石英管里的空气排干净，然后抽真空至10-2 Torr，再通入氩气至常压，该过程重复三次，确保石英管内没有残余空气；保持石英管内氩气气氛为常压、流量为500 sccm的情况下，将石英管内温度升高至1000 ℃，通入100 sccm的氢气30 min，将金属表面的氧化物进一步还原，并使铜箔表面进行再结晶，然后再调节石英管温度至950 ℃，通入7 sccm的甲烷，反应15 min，在铜表面获得均匀、连续的石墨烯薄膜；石墨烯生长结束后，切断碳源，快速降温至室温，取出铜/石墨烯样品。
将上述化学气相沉积法制得的铜/石墨烯样品放入原子层沉积设备的反应腔，进行三氧化二铝钝化颗粒的沉积，将金属表面石墨烯的缺陷进行钝化处理。
设定的原子层沉积参数为：反应温度100 ℃；采用三甲基铝和水为前驱体，前驱体温度均为室温；载气为20 sccm的高纯氮气；沉积气压为1 Torr；单循环脉冲、憋气和吹扫时间：首先水脉冲时间为0.2 s，憋气时间为5 s，吹扫时间为10 s；然后三甲基铝脉冲时间为0.01s，憋气时间为5 s，吹扫时间为10 s；连续进行50个循环在石墨烯晶界、孔洞等缺陷处得到三氧化二铝钝化颗粒。
实施例2
通过化学气相沉积法在铜基底制备石墨烯薄膜。具体步骤为：将厚度为0.5μm的铜箔依次在40%的盐酸、60%的丙酮、75%的乙醇溶液中分别超声清洗10 min，在氮气环境下烘干，去除表面的氧化物和杂质；然后将清洗后的铜箔放在化学气相沉积设备内，通入高纯氩气10min，将石英管里的空气排干净，然后抽真空至10-2 Torr，再通入氩气至常压，该过程重复三次，确保石英管内没有残余空气；保持石英管内氩气气氛为常压、流量为500 sccm的情况下，将石英管内温度升高至1000 ℃，通入100 sccm的氢气30 min，将金属表面的氧化物进一步还原，并使铜箔表面进行再结晶，保持石英管温度为1000 ℃，通入15 sccm的甲烷，反应15 min，在铜表面获得均匀、连续的石墨烯薄膜；石墨烯生长结束后，切断碳源，快速降温至室温，取出铜/石墨烯样品；
将上述化学气相沉积法制得的铜/石墨烯样品放入原子层沉积设备的反应腔，进行三氧化二铝钝化颗粒的沉积，将金属表面石墨烯的缺陷进行钝化处理。
设定的原子层沉积参数为：反应温度100 ℃；采用三甲基铝和水为前驱体，前驱体温度均为室温；载气为50 sccm的高纯氮气；沉积气压为1 Torr；单循环脉冲、憋气和吹扫时间：首先水脉冲时间为0.5 s，憋气时间为7 s，吹扫时间为15 s；然后三甲基铝脉冲时间为0.5 s，憋气时间为7 s，吹扫时间为15 s；连续进行160个循环在石墨烯晶界、孔洞等缺陷处得到三氧化二铝钝化颗粒。

Claims (8)

1.一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述方法是按下列步骤进行的：
（1）将金属依次在盐酸、丙酮、乙醇溶液中分别超声清洗10 min，在氮气环境下烘干，去除表面的氧化物和杂质；
（2）将金属置于化学气相沉积设备中，通入高纯氩气10 min，将石英管内的空气排净，然后抽真空至10-2 Torr，再通入氩气至常压，重复三次，确保石英管内没有残余空气；
（3）保持石英管内氩气气氛为常压的情况下，将石英管内温度升高至一定温度，通入氢气30 min，将金属表面的氧化物进一步还原，然后再调节石英管温度至石墨烯的生长温度，通入甲烷15 min，进行石墨烯的生长；
（4）石墨烯生长结束后，切断碳源，快速降温至室温，取出样品；
（5）将样品置于原子层沉积设备的反应腔，进行三氧化二铝钝化颗粒的沉积，将金属表面石墨烯的缺陷进行钝化处理；
设定参数为：沉积温度：100 ℃；沉积气压：1 Torr；反应源：采用三甲基铝和水为前驱体，前驱体温度均为室温；载气：10～50 sccm的高纯氮气；
单循环脉冲、憋气和吹扫时间：首先水脉冲时间为0.1～0.5 s，憋气时间为5～7 s，吹扫时间为10～15 s；然后三甲基铝脉冲时间为0.01～0.5 s，憋气时间为5～7 s，吹扫时间为10～15 s，完成一次沉积循环，重复此沉积循环获得不同尺度的三氧化二铝钝化颗粒。
2.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述金属的衬底是铜、镍、铜/镍合金金属或合金。
3.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述盐酸、丙酮、乙醇溶液的质量分数分别为5～40%、50～60%和65～75%。
4.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述在氮气环境下烘干的温度是60～80 ℃。
5.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述将金属表面的氧化物进一步还原的温度是800～1000 ℃。
6.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述通入甲烷的流量是5～30 sccm。
7.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述进行石墨烯的生长的时间是5～30 min，石墨烯的生长的温度是850～1050 ℃。
8.根据权利要求1所述的金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法，所述高纯氮气的纯度是99.999%以上；所述完成一次沉积循环的周期是50～200。
CN201710026559.5A 2017-01-14 2017-01-14 一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法 Pending CN106835066A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710026559.5A CN106835066A (zh) 2017-01-14 2017-01-14 一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710026559.5A CN106835066A (zh) 2017-01-14 2017-01-14 一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106835066A true CN106835066A (zh) 2017-06-13

Family

ID=59123503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710026559.5A Pending CN106835066A (zh) 2017-01-14 2017-01-14 一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106835066A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107987721A (zh) * 2017-12-12 2018-05-04 云南电网有限责任公司电力科学研究院 含石墨烯基钝化剂的防腐涂料及涂料、涂层的制备方法
CN109850878A (zh) * 2019-04-02 2019-06-07 华南理工大学 一种石墨烯及其制备方法
WO2021081219A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Applied Materials, Inc. Hafnium aluminum oxide coatings deposited by atomic layer deposition
US11346619B2 (en) 2017-12-18 2022-05-31 University Of South Carolina Manufacturable metal-graphene interface for highly efficient and durable condensers

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5695824A (en) * 1994-08-11 1997-12-09 Kunio Hiraishi Methods of coating heat and oxidation resistant coating materials
CN102637585A (zh) * 2012-04-09 2012-08-15 北京七星华创电子股份有限公司 一种应用原子层沉积技术制备三氧化二铝钝化薄膜的方法
CN103207222A (zh) * 2013-04-12 2013-07-17 中国科学院山西煤炭化学研究所 原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法
CN104498899A (zh) * 2014-12-13 2015-04-08 西安近代化学研究所 一种利用原子层沉积钝化层抑制金属表面积碳的方法
CN105220128A (zh) * 2015-11-16 2016-01-06 哈尔滨工业大学 一种锆合金表面原位垂直生长石墨烯防腐层的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5695824A (en) * 1994-08-11 1997-12-09 Kunio Hiraishi Methods of coating heat and oxidation resistant coating materials
CN102637585A (zh) * 2012-04-09 2012-08-15 北京七星华创电子股份有限公司 一种应用原子层沉积技术制备三氧化二铝钝化薄膜的方法
CN103207222A (zh) * 2013-04-12 2013-07-17 中国科学院山西煤炭化学研究所 原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法
CN104498899A (zh) * 2014-12-13 2015-04-08 西安近代化学研究所 一种利用原子层沉积钝化层抑制金属表面积碳的方法
CN105220128A (zh) * 2015-11-16 2016-01-06 哈尔滨工业大学 一种锆合金表面原位垂直生长石墨烯防腐层的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XINRAN WANG等: "Atomic Layer Deposition of Metal Oxides on Pristine and Functionalized Graphene", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 *
YA-PING HSIEH等: "Complete Corrosion Inhibition through Graphene Defect Passivation", 《ACS NANO》 *
余亮亮: "铜表面石墨烯的制备及其抗腐蚀性能的研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107987721A (zh) * 2017-12-12 2018-05-04 云南电网有限责任公司电力科学研究院 含石墨烯基钝化剂的防腐涂料及涂料、涂层的制备方法
US11346619B2 (en) 2017-12-18 2022-05-31 University Of South Carolina Manufacturable metal-graphene interface for highly efficient and durable condensers
CN109850878A (zh) * 2019-04-02 2019-06-07 华南理工大学 一种石墨烯及其制备方法
WO2021081219A1 (en) * 2019-10-23 2021-04-29 Applied Materials, Inc. Hafnium aluminum oxide coatings deposited by atomic layer deposition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106835066A (zh) 一种金属表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法
US8388924B2 (en) Method for growth of high quality graphene films
JP2000299289A (ja) クリーニングガス及び真空処理装置のクリーニング方法
WO2013149417A1 (zh) 一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法
TWI748147B (zh) 石墨烯膠膜的製備方法及石墨烯的轉移方法
WO1990012418A1 (en) Device for forming tungsten film
TWI466823B (zh) 雪花型石墨烯及其製備方法
CN103352202B (zh) 一种常压化学气相沉积大面积高质量双层石墨烯薄膜的可控制备方法
CN106756870A (zh) 一种等离子体增强化学气相沉积生长石墨烯的方法
CN107188161B (zh) 石墨烯及其制备方法
CN105274500A (zh) 等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法
JP2011233583A (ja) 気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2008308701A (ja) 炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法
CN106835067B (zh) 一种锆合金表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法
CN110468384B (zh) 一种单晶高温合金和涂层界面的阻扩散层及其制备方法
JP2010228965A (ja) 耐蝕性部材
JP2008174841A (ja) 気相成長用サセプター及びその製造方法
JPH11335842A (ja) Ｃｖｄ装置及びその装置のクリ−ニング方法
CN112938946B (zh) 一种石墨烯的制备方法
JP3929140B2 (ja) 耐蝕性部材およびその製造方法
JP5170788B2 (ja) 新規金属窒素酸化物プロセス
JPH11222679A (ja) Ｃｖｄ装置および半導体装置の製造方法
CN113897591A (zh) 金属防护方法及应用
JPH09129557A (ja) 薄膜の製造方法
CN110965039A (zh) 用于电子设备的带石墨烯散热膜的合金材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170613