JPWO2014119548A1 - 蒸着装置および蒸着方法 - Google Patents

Abstract

蒸着装置（５０）は、Ｙ軸およびＸ軸方向の長さが被成膜基板（２００）よりも短い複数の蒸着マスク（８０）を備え、Ｙ軸方向に隣り合う蒸着マスク（８０）はＸ軸方向にずらして配置されており、Ｙ軸方向に隣り合う各マスク開口群領域（８２）がＸ軸方向に重なる重畳領域（８３）では平面視でＹ軸方向の開口長が各マスク開口群領域（８２）の外側に向かって次第に短くなる。

Description

本発明は、スキャン蒸着に使用される蒸着装置および蒸着方法に関する。

近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

そのような状況下、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

有機ＥＬ表示装置は、例えば、アクティブマトリクス方式の場合、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに電気的に接続された薄膜状の有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子が、サブ画素として基板上に配列形成されており、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行う。

したがって、このような有機ＥＬ表示装置を製造するためには、少なくとも、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、有機ＥＬ素子毎に所定パターンで形成する必要がある。

このような発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法等が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、主に真空蒸着法が、発光層のパターニングに用いられている。

真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成された蒸着マスク（シャドウマスクとも称される）が使用される。そして、蒸着源からの蒸着粒子（蒸着材料、成膜材料）を、蒸着マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。このとき、蒸着は、発光層の色毎に行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。

真空蒸着法は、被成膜基板と蒸着マスクとを固定もしくは順次移動させて密着させることにより成膜する方法と、被成膜基板と蒸着用のマスクとを離間させて走査しながら成膜するスキャン蒸着法とに大別される。

前者の方法では、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクが使用される。しかしながら、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを使用すると、基板の大型化に伴い、蒸着マスクも大型化する。したがって、被成膜基板が大きくなれば、それに伴い、蒸着マスクの自重撓みや伸びにより、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じ易くなる。そのため、大型基板では、高精度なパターニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生し、高精細化を実現することが困難である。

また、被成膜基板が大きくなれば、蒸着マスクのみならず、蒸着マスク等を保持するフレーム等も巨大になり、その重量も増加する。このため、被成膜基板が大きくなると、蒸着マスクやフレーム等の取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置そのものや、それに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。

また、大型の蒸着マスクには、撓みや重量、コストの他、蒸着マスクの材料の加工や、パターニング、フレーム貼り付け等、マスク生産環境が整備されていないという大きな課題がある。

そこで、近年、被成膜基板よりも小さな蒸着マスクを用いて走査しながら蒸着を行うスキャン蒸着法が注目されている（例えば、特許文献１、２等）。

このようなスキャン蒸着法では、例えば帯状の蒸着マスクを使用し、蒸着マスクと蒸着源とを一体化する等して、被成膜基板と、蒸着マスクおよび蒸着源との少なくとも一方を相対移動させながら被成膜基板全面に蒸着粒子を蒸着する。

このため、スキャン蒸着法では、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを用いる必要がなく、蒸着マスクを小型化することができる。

日本国公開特許公報「特開２０１１−４７０３５号公報（２０１１年３月１０日公開）」 国際公開第２０１２／１２４５１２号パンフレット（２０１２年９月２０日国際公開） 日本国公開特許公報「特開２００７−２３３５８号公報（２００７年２月１日公開）」

スキャン蒸着法では、基板搬送方向のような走査方向の蒸着マスクの長さを短くすることはできる。

しかしながら、特許文献１、２に示すように、走査方向に直交する方向の蒸着マスクの長さは、被成膜基板と同等以上の大きさに形成される。

すなわち、蒸着マスクにおける走査方向および走査方向に垂直な方向における長さが被成膜基板２００における走査方向および走査方向に垂直な方向における長さよりも短い小型のマスクを、走査方向および走査方向に垂直な方向に移動させながら蒸着膜を形成すると、成膜に時間を要するとともに、走査方向に垂直な方向における蒸着膜の膜厚を一定に制御することが困難となる。

このため、蒸着マスクにおける走査方向に直交する方向の蒸着マスクの長さは、被成膜基板と同等以上の大きさに形成される。

なお、蒸着マスクを小型化する方法として、特許文献３には、マスクチップと称される微小な複数の蒸着マスクを繋ぎ合わせて大型の蒸着マスクを形成する技術が開示されている。

しかしながら、特許文献３は、大型の被成膜基板に対応した蒸着マスクを形成する方法であり、スキャン蒸着を対象としたものではない。

また、上記特許文献３は、隣接するマスクチップの互いに対向する側面のうち、少なくとも一方の側面に切欠部を設けるものであり、隣接するマスクチップの繋ぎ目部に、上記切欠部からなり、形成するパターンに対応した開口部を含む間隙部が形成されることで、Ｘ軸方向に隣接するマスクチップを、形成する蒸着膜のパターンに対応した開口部内（つまり、サブ画素内）でＸ軸方向に連結している。このため、特許文献３は、連結部の間隙部によるパターン制御が困難であるという問題点を有している。

また、このように小型の蒸着マスクを複数使用してスキャン蒸着を行うと、蒸着マスクの境界部で、均一な蒸着膜を形成することができず、蒸着膜がブロック状に別れてしまうブロック別れが生じる。

本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、従来よりも蒸着マスクを小型化するとともに、ブロック別れが生じず、均一な蒸着膜を形成することができる蒸着装置および蒸着方法を提供することにある。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、表示装置に用いられる被成膜基板上に、上記表示装置のサブ画素毎に所定のパターンの蒸着膜を形成する蒸着装置であって、蒸着源と複数の蒸着マスクとを有する蒸着ユニットと、上記蒸着ユニットおよび被成膜基板のうち一方を他方に対して相対移動させる移動装置とを備え、上記各蒸着マスクにおける、上記移動装置による移動方向である第１の方向および該第１の方向に垂直な第２の方向の長さは、それぞれの方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも短く、上記蒸着マスクは、少なくとも上記第１の方向に、複数配置されており、上記各蒸着マスクは、上記第２の方向に、マスク開口群領域を、１つ、または、少なくとも１画素の遮蔽領域を介して複数有し、上記マスク開口群領域は、それぞれ、少なくとも上記第２の方向に配列された複数のマスク開口からなり、かつ、それぞれ、上記蒸着源における蒸着粒子の射出口と対をなしており、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクは、それぞれの蒸着マスクの各マスク開口群領域における上記第２の方向の端部のうち他方の蒸着マスクのマスク開口群領域に対向する側の端部における複数のマスク開口が、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なるとともに、該端部における上記第１の方向に隣り合うマスク開口によって形成される蒸着膜が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、上記第２の方向に位置をずらして配置されており、上記第２の方向における上記蒸着マスクの合計の長さは、上記第２の方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも長く、上記各マスク開口は、上記各サブ画素に対応して設けられており、上記各蒸着マスクの各マスク開口群領域における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域では、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長が、上記各マスク開口群領域の外側に向かって次第に短くなる。

また、本発明の一態様にかかる蒸着方法は、表示装置に用いられる被成膜基板上に、上記表示装置のサブ画素毎に所定のパターンの蒸着膜を形成する蒸着方法であって、蒸着源と複数の蒸着マスクとを有する蒸着ユニット、および、上記被成膜基板のうち、一方を他方に対して第１の方向に沿って相対移動させるとともに、上記蒸着ユニットとして、（ａ）上記各蒸着マスクにおける上記第１の方向および該第１の方向に垂直な第２の方向の長さがそれぞれの方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも短く、（ｂ）上記蒸着マスクは、少なくとも上記第１の方向に、複数配置されており、（ｃ）上記各蒸着マスクは、上記第２の方向に、マスク開口群領域を、１つ、または、少なくとも１画素の遮蔽領域を介して複数有し、（ｄ）上記マスク開口群領域は、それぞれ、少なくとも上記第２の方向に配列された複数のマスク開口からなり、かつ、それぞれ、上記蒸着源における蒸着粒子の射出口と対をなしており、（ｅ）上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクは、それぞれの蒸着マスクの各マスク開口群領域における上記第２の方向の端部のうち他方の蒸着マスクのマスク開口群領域に対向する側の端部における複数のマスク開口が、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なるとともに、該端部における上記第１の方向に隣り合うマスク開口によって形成される蒸着膜が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、上記第２の方向に位置をずらして配置されており、（ｆ）上記第２の方向における上記蒸着マスクの合計の長さは、上記第２の方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも長く、（ｇ）上記各蒸着マスクの各マスク開口群領域における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域では、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長が、上記各マスク開口群領域の外側に向かって次第に短くなる蒸着ユニット、を使用する。

なお、ここで言う「蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長」とは、蒸着マスクのマスク開口そのものの上記第１の方向の長さではなく、蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに実際に開口されている蒸着マスクの実質的な上記第１の方向の開口長（つまり、蒸着粒子が通過可能な開口領域の上記第１の方向の長さ）を示す。すなわち、蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、蒸着マスクのマスク開口の一部が例えば遮蔽板により塞がれている場合、蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長とは、蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、実際に開口しているマスク開口の第１の方向の長さ（つまり、上記遮蔽板によって塞がれていないマスク開口の第１の方向の長さ）を示す。

本発明の一態様によれば、被成膜基板の上記第２の方向の各サブ画素に対応するマスク開口を分割して、従来よりも小型の蒸着マスクを用いたスキャン蒸着を実現することができることから、蒸着マスクを従来よりも軽量化することができ、蒸着マスクの撓みによる蒸着位置ズレを抑制することができる。このため、蒸着マスクの撓みに起因する蒸着ボケを抑制することができる。

また、本発明の一態様によれば、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクを上記第２の方向にずらして配置し、上記第１の方向に沿って見たときに各々の蒸着マスクにおけるマスク開口群領域が上記第２の方向に重なる領域において、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長を、各マスク開口群領域の外側に向かって次第に短くしていることで、複数の蒸着マスクを繋ぐマスク継ぎ部分となる、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクにおける各マスク開口群領域の境界部で、開口長を徐々に変化させることができる。

このため、上述したように、被成膜基板の上記第２の方向の各サブ画素に対応するマスク開口を分割して、従来よりも小型の蒸着マスクを用いてスキャン蒸着を行う場合であっても、上記マスク開口群領域の境界部のブロック別れが生じない、均一な蒸着を行うことができる。

また、本発明の一態様によれば、サブ画素内でＸ軸方向に蒸着マスクを繋がないので、パターン制御が容易である。

また、本発明の一態様によれば、各マスク開口群領域が蒸着源の射出口と対をなしていることで、個々のマスク開口に飛来する蒸着粒子の飛来元（射出口）を限定することができるので、その飛来角度に最適なマスク開口の位置を設定することができる。このため、蒸着ボケを防止することができるとともに、蒸着効率を向上させることができる。

また、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域の境界部では、各マスク開口群領域における２つの射出口から飛来した蒸着粒子が混じり易くなる。しかしながら、上述したように、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域が、少なくとも１画素の遮蔽領域を介して設けられることで、蒸着ボケ、特に、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域の境界部の蒸着ボケを防止することができる。

実施の形態１にかかる有機ＥＬ装置の製造装置として用いられる蒸着装置に用いられる蒸着ユニットの要部の構成を、被成膜基板２００と併せて示す平面図である。 実施の形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、実施の形態１にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す蒸着装置におけるＹ軸方向に隣り合う蒸着マスクをこれら蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときのそれぞれのマスク開口同士の位置関係と、これらマスク開口とこれらマスク開口により形成される蒸着膜との位置関係を模式的に示す説明図である。 実施の形態１で用いられる蒸着マスクにおけるマスク開口群の開口パターンを示す平面図である。 実施の形態１にかかる蒸着マスクのマスクパターンの一例を示す平面図である。 （ａ）・（ｂ）は、順に比較例１・２として、同一形状のマスク開口からなるマスク開口群領域を有する蒸着マスクを図１と同様に配置した例を示す平面図である。 図１に示す蒸着マスクを用いて蒸着を行ったときの、第Ｉ列の蒸着マスクによる蒸着領域および第II列の蒸着マスクによる蒸着領域における蒸着膜の構成を示す平面図である。 実施の形態１にかかるＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 図８に示す有機ＥＬ表示装置を構成する各サブ画素の構成を示す平面図である。 図９に示す有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板のＷ−Ｗ線矢視断面図である。 実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を工程順に示すフローチャートである。 （ａ）〜（ｄ）は、実施の形態１にかかる蒸着マスクにおけるマスク開口群領域のパターン形状の他の一例を示す要部平面部である。 実施の形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。 （ａ）は、実施の形態２にかかる蒸着マスクの裏面側から被成膜基板を見たときの実施の形態２にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す構成要素をその側面から見たときの概略構成を示す側面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示す蒸着マスクの概略構成を示す平面図である。 （ａ）は、実施の形態３にかかる蒸着マスクの裏面側から被成膜基板を見たときの実施の形態３にかかる蒸着ユニットの要部の概略構成を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す構成要素をその側面から見たときの概略構成を示す側面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示す蒸着マスクの概略構成を示す平面図であり、（ｄ）は、（ａ）に示す遮蔽板の概略構成を示す平面図である。 （ａ）・（ｂ）は、蒸着源と被成膜基板との間の距離が、相対的に長い場合と短い場合とにおける蒸着膜の膜厚分布の違いを模式的に示す図であり、（ａ）は、蒸着源と被成膜基板との間の距離が相対的に長い場合を示し、（ｂ）は、蒸着源と被成膜基板との間の距離が相対的に短い場合を示す。 （ａ）・（ｂ）は、実施の形態４にかかる蒸着マスクにおけるマスク開口群の開口パターンの一例を示す平面図である。 （ａ）は、第Ｉ列における蒸着マスクの蒸着領域において蒸着マスクがない場合における、図５に示す成膜区間ＬのＸ軸方向の各位置における蒸着膜の膜厚分布と膜厚補正係数との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、上記成膜区間Ｌにおける、蒸着マスクの膜厚補正前後のマスク開口比率の変化と、膜厚補正係数との関係を示すグラフであり、（ｃ）は、Ｘ軸方向の各位置における、開口長補正前の、Ｙ軸方向に設けられた各蒸着マスクのマスク開口比率を示す表である。 （ａ）は、第II列における蒸着マスクの蒸着領域において、Ｘ軸方向で開口長を一律とした蒸着マスクを用いた場合における、図５に示す成膜区間ＬのＸ軸方向の各位置における蒸着膜の膜厚分布と膜厚補正係数との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、上記成膜区間Ｌにおける、蒸着マスクの膜厚補正前および補正後のマスク開口比率の変化と、膜厚補正係数との関係を示すグラフである。 （ａ）は、図５に示す成膜区間ＬのＸ軸方向の各位置における、膜厚補正後の蒸着マスクのマスク開口比率の変化と、膜厚補正後の、Ｙ軸方向に設けられた各蒸着マスクによる膜厚を合成した合成膜厚との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、膜厚補正前後の要部のマスク開口比率の変化を示すグラフである。

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１〜図１３に基づいて説明すれば以下の通りである。

以下、本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた表示装置の製造方法として、サブ画素に対応して配される有機ＥＬ素子（発光素子）を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法を例に挙げて説明する。

＜有機ＥＬ表示装置の全体構成＞
まず、本実施の形態にかかる蒸着装置により製造される有機ＥＬ表示装置の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の構成について以下に説明する。

図８は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す断面図である。また、図９は、図８に示す有機ＥＬ表示装置１を構成する各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの構成を示す平面図であり、図１０は、図９に示す有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０のＷ−Ｗ線矢視断面図である。

図８に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図１０参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０（発光素子）、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。

有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。

ＴＦＴ基板１０は、図１０に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板１１を備えている。絶縁基板１１上には、図９に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。

有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。これら配線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素（ドット）であり、各サブ画素に対応して有機ＥＬ素子２０が配されている。これにより、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が画成されている。

画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を透過する赤色のサブ画素２Ｒ、緑色の光を透過する緑色のサブ画素２Ｇ、青色の光を透過する青色のサブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。

各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う各色の発光領域として、ストライプ状の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂによって覆われた開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂがそれぞれ設けられている。これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、各色毎に、蒸着によりパターン形成されている。

また、これらサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。

＜ＴＦＴ基板１０の構成＞
ＴＦＴ基板１０は、図１０に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）および配線１４、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。

上記絶縁基板１１上には、配線１４が設けられているとともに、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。

層間膜１３は、各ＴＦＴ１２および配線１４を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。

層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。

また、層間膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。

また、層間膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６との短絡を防止するために、第１電極２１のパターン端部を被覆するように、エッジカバー１５が形成されている。エッジカバー１５には、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。このエッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光領域となる。

＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。

第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。

第１電極２１と第２電極２６との間には、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

また、本実施の形態では、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けた場合を例に挙げて図示したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。また、上記有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

なお、有機ＥＬ層を構成するこれらの層の機能並びに材料は、本願出願人らによって出願された特許文献２に示すように従来公知であるため、ここでは、その説明を省略する。

なお、有機ＥＬ素子２０の構成としては、上記構成に限定されるものではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて、従来公知の各種層構成を採用することができる。

＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
また、図１１は、上記有機ＥＬ表示装置１の製造工程の一例を工程順に示すフローチャートである。

図１１に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板・第１電極作製工程（Ｓ１）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ２）、発光層蒸着工程（Ｓ３）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ４）、電子注入層蒸着工程（Ｓ５）、第２電極蒸着工程（Ｓ６）、封止工程（Ｓ７）を備えている。

但し、上記積層順は、第１電極２１を陽極、第２電極２６を陰極としたものであり、反対に第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。また、第１電極２１および第２電極２６を構成する材料も反転する。

まず、図１０に示すように、公知の技術でＴＦＴ１２並びに配線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、絶縁基板１１上に層間膜１３を形成する。

次に、層間膜１３に、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａを形成する。次に、層間膜１３上に、第１電極２１を形成する。第１電極２１には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等の透明電極材料からなる導電膜（電極膜）、あるいは、金（Ａｕ）等の金属材料からなる透明あるいは半透明薄膜が用いられる。

第１電極２１は、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、印刷法等の公知の成膜方法あるいは表示領域全面が開口したオープンマスクを使用した真空蒸着方法と、フォトリソグラフィ技術を用いたパターニング方法とを組み合わせることで形成することができる。

次に、所定パターンのエッジカバー１５を形成する。エッジカバー１５の形成には、層間膜１３と同様の方法並びに材料を用いることができる。

以上の工程により、ＴＦＴ基板１０および第１電極２１が作製される（Ｓ１）。

次に、上記のような工程を経たＴＦＴ基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施す。

次いで、表示領域全面が開口したオープンマスクを使用した真空蒸着法により、上記ＴＦＴ基板１０上に、正孔注入層および正孔輸送層（本実施の形態では正孔注入層兼正孔輸送層２２）を、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ２）。なお、ここで、表示領域全面への蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。

次に、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、エッジカバー１５の開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する（Ｓ３）。

上記塗り分け蒸着には、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた真空蒸着法が用いられる。本実施の形態にかかる蒸着装置を用いた蒸着方法は、このような発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成（パターン形成）に特に好適に使用することができる。

次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子輸送層２４を、上記正孔注入層兼正孔輸送層２２および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ４）。

続いて、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、電子注入層２５を、上記電子輸送層２４を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ５）。

次に、上記した正孔注入層・正孔輸送層蒸着工程（Ｓ２）と同様の方法により、第２電極２６を、上記電子注入層２５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に蒸着する（Ｓ６）。

第２電極２６の材料（電極材料）としては、マグネシウム合金（ＭｇＡｇ）等の、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。これにより、ＴＦＴ基板１０上に、上記した有機ＥＬ層、第１電極２１、および第２電極２６からなる有機ＥＬ素子２０が形成される。

なお、有機ＥＬ素子２０における各層の材料は、従来と同様の材料を使用することができ、それらの厚み並びに大きさも従来と同様に設定することができる。例えば、特許文献２と同様の材料並びにサイズとすることができる。

次いで、図８に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された上記ＴＦＴ基板１０と、封止基板４０とを、接着層３０にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行う。封止基板４０としては、ガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。上記の工程により、有機ＥＬ表示装置１が完成される。

＜蒸着方式＞
上述したように、有機ＥＬ表示装置１の製造において、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ等の、有機材料からなる有機膜の蒸着等、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応した層（被膜）の形成には、本実施の形態にかかる蒸着装置を用いたスキャン蒸着が用いられる。

本実施の形態では、本実施の形態にかかる蒸着装置における蒸着ユニットと被成膜基板との間に一定の空隙を設けた状態で、被成膜基板と、上記蒸着ユニットとの少なくとも一方を相対移動させて走査することで、被成膜基板の蒸着領域よりも小さいサイズの開口領域（マスク開口部群形成領域）を有する蒸着マスクを用いて蒸着膜を形成する。

＜蒸着装置＞
次に、本実施の形態にかかる蒸着装置を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として用いて、蒸着膜２２１をパターン形成する方法について詳述する。

なお、被成膜基板２００への蒸着膜２２１のパターン形成として、ＴＦＴ基板１０における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの塗り分け形成を行う場合、蒸着マスク８０のマスク開口８１は、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの同色列のサイズとピッチとに合わせて形成される。また、このように蒸着材料が有機ＥＬ表示装置１における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料である場合、有機ＥＬ蒸着プロセスにおける発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの蒸着は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの色毎に行われる。

図１は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ装置の製造装置として用いられる蒸着装置５０に用いられる蒸着ユニット５４の要部の構成を、被成膜基板２００と併せて示す平面図である。

また、図２は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。また、図３の（ａ）は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における真空チャンバ５１内の主要構成要素を模式的に示す断面図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）に示す蒸着装置５０におけるＹ軸方向に隣り合う蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂをこれら蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂの主面に垂直な方向から見たときのそれぞれのマスク開口８１Ａ・８１Ｂ同士の位置関係と、これらマスク開口８１Ａ・８１Ｂとこれらマスク開口８１Ａ・８１Ｂにより形成される蒸着膜２２１との位置関係を示す模式図である。なお、図２は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を、走査方向に平行に切断したときの断面を示し、図３の（ａ）は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０を、走査方向に垂直な方向平行に切断したときの断面を示している。

なお、図１〜図３の（ａ）・（ｂ）は、図示の簡略化のために、蒸着マスク８０の数や、蒸着源６０における射出口６１の数、マスク開口８１の数、制限板７３の数を省略して示している。

また、以下、説明の便宜上、被成膜基板２００の走査方向に沿った水平方向軸をＹ軸とし、被成膜基板２００の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸をＸ軸とし、被成膜基板２００の被蒸着面の法線方向であり、該被蒸着面に直交する蒸着軸線が延びる方向である、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な垂直方向軸（上下方向軸）をＺ軸として説明する。また、説明の便宜上、特に言及しない限りは、Ｚ軸方向の矢印の側（図１の紙面の上側）を「上側」として説明する。

図２に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、真空チャンバ５１（成膜チャンバ）、基板ホルダ５２（基板保持部材）、基板移動装置５３、蒸着ユニット５４、蒸着ユニット移動装置５５、イメージセンサ等の図示しないアライメント観測手段、および、蒸着装置５０を駆動制御するための図示しない制御回路等を備えている。また、蒸着ユニット５４は、図１〜図３の（ａ）に示すように、蒸着源６０、制限板ユニット７０、複数の蒸着マスク８０、ホルダ９０、および図示しないシャッタ等を備えている。

そのうち、基板ホルダ５２、基板移動装置５３、蒸着ユニット５４、蒸着ユニット移動装置５５は、真空チャンバ５１内に設けられている。

なお、真空チャンバ５１には、蒸着時に該真空チャンバ５１内を真空状態に保つために、該真空チャンバ５１に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ５１内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。

（基板ホルダ５２）
基板ホルダ５２は、被成膜基板２００を保持する基板保持部材である。基板ホルダ５２は、ＴＦＴ基板等からなる被成膜基板２００を、その被蒸着面２０１（被成膜面）が、蒸着ユニット５４における蒸着マスク８０に面するように保持する。

被成膜基板２００と蒸着マスク８０とは、一定距離離間して対向配置されており、被成膜基板２００と蒸着マスク８０との間には、一定の高さの空隙が設けられている。

基板ホルダ５２には、例えば静電チャック等が使用されることが好ましい。被成膜基板２００が基板ホルダ５２に静電チャック等の手法で固定されていることで、被成膜基板２００は、自重による撓みがない状態で基板ホルダ５２に保持される。

＜基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５＞
本実施の形態では、基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５の少なくとも一方により、被成膜基板２００と、蒸着ユニット５４とを、Ｙ軸方向（第１の方向）が走査方向（基板移動装置５３または蒸着ユニット移動装置５５による移動方向）となるように相対的に移動させてスキャン蒸着を行う。

基板移動装置５３は、例えば図示しないモータを備え、図示しないモータ駆動制御部によってモータを駆動させることで、基板ホルダ５２に保持された被成膜基板２００を移動させる。

また、蒸着ユニット移動装置５５は、例えば図示しないモータを備え、図示しないモータ駆動制御部によってモータを駆動させることで、蒸着ユニット５４を、被成膜基板２００に対して相対移動させる。

また、これら基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５は、例えば図示しないモータを駆動させることにより、蒸着マスク８０の非開口領域に設けられた図示しないアライメントマーカおよび被成膜基板２００における非蒸着領域に設けられた図示しないアライメントマーカにより、蒸着マスク８０と被成膜基板２００との位置ズレが解消されるように位置補正を行う。

これら基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５は、例えば、ローラ式の移動装置であってもよく、油圧式の移動装置であってもよい。

これら基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５は、例えば、ステッピングモータ（パルスモータ）等のモータ（ＸＹθ駆動モータ）、コロ、およびギヤ等で構成される駆動部と、モータ駆動制御部等の駆動制御部とを備え、駆動制御部により駆動部を駆動させることで、被成膜基板２００または蒸着ユニット５４を移動させるものであってもよい。また、これら基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５は、ＸＹＺステージ等からなる駆動部を備え、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の何れの方向にも移動自在に設けられていてもよい。

但し、被成膜基板２００および蒸着ユニット５４は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよい。言い換えれば、基板移動装置５３および蒸着ユニット移動装置５５は、その少なくとも一方が設けられていればよい。

例えば被成膜基板２００が移動可能に設けられている場合、蒸着ユニット５４は、真空チャンバ５１の内壁に固定されていてもよい。逆に、蒸着ユニット５４が移動可能に設けられている場合、基板ホルダ５２は、真空チャンバ５１の内壁に固定されていても構わない。

（蒸着ユニット５４）
蒸着ユニット５４は、図１〜図３の（ａ）に示すように、蒸着源６０、制限板ユニット７０、蒸着マスク８０、ホルダ９０、および図示しないシャッタ等を備えている。

（蒸着源６０）
蒸着源６０は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源６０は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。

蒸着源６０は、例えば矩形状に形成されている。蒸着源６０は、その上面（すなわち、制限板ユニット７０との対向面）に、蒸着粒子２１１を射出させる複数の射出口６１（貫通口、ノズル）を有している。

蒸着源６０は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子２１１を発生させる。蒸着源６０は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子２１１として、射出口６１から制限板ユニット７０に向かって射出する。

射出口６１は、例えば、Ｙ軸方向に２列設けられている。以下、説明の便宜上、蒸着源６０における、Ｙ軸で示す走査方向（被成膜基板２００の移動方向）の上流側に設けられた第Ｉ列の射出口６１を射出口６１Ａと記し、該走査方向の後流側に設けられた第II列の射出口６１を射出口６１Ｂと記す。

図１に示すように、射出口６１Ａと射出口６１Ｂとは、千鳥状に配置されている。すなわち、図２に示すように、Ｙ軸方向の上流側の第Ｉ列に、複数の射出口６１Ａが、Ｘ軸と平行な方向に等ピッチで配置されており、Ｙ軸方向の下流側の第II列に、複数の射出口６１Ｂが、Ｘ軸と平行な方向に等ピッチで配置されている。

なお、第Ｉ列と第II列とで、射出口６１Ａ・６１ＢのＸ軸方向（第２の方向）のピッチは同一である。但し、図３の（ａ）に示すように、Ｙ軸方向の上流側からＸＺ平面を見たとき、Ｘ軸方向には、第Ｉ列の射出口６１Ａと第II列の射出口６１Ｂとが交互に配置されている。

（蒸着マスク８０）
蒸着マスク８０は、その主面（面積が最大である面）であるマスク面がＸＹ平面と平行な板状物である。

各蒸着マスク８０の主面には、蒸着時に蒸着粒子２１１を通過させるための複数のマスク開口８１（開口部、貫通口）が設けられている。マスク開口８１は、被成膜基板２００における、目的とするサブ画素以外の領域に蒸着粒子２１１が付着しないように、上記蒸着領域のサブ画素に対応して設けられている。

すなわち、上記各マスク開口８１は、有機ＥＬ表示装置１の各サブ画素に対応して設けられており、マスク開口８１を通過した蒸着粒子２１１のみが被成膜基板２００に到達する。これにより、被成膜基板２００に、マスク開口８１に対応して、各サブ画素に対応した所定パターンの蒸着膜２２１（図３の（ａ）・（ｂ）参照）が形成される。

各蒸着マスク８０には、Ｘ軸方向に配列された複数のマスク開口８１が集まって設けられた２つのマスク開口群領域８２が、開口領域として、それぞれ、Ｘ軸方向の異なる位置に設けられている。

各マスク開口群領域８２は、図１に示すように、蒸着源６０の射出口６１と一対一に対応するように配置されている。射出口６１のＸ軸方向位置は、例えば、各マスク開口群領域８２のＸ軸方向の中央位置に位置している。これにより、蒸着効率を向上させることができる。また、このように各マスク開口群領域８２が蒸着源６０の射出口６１と対をなしていることで、個々のマスク開口８１に飛来する蒸着粒子２１１の飛来元（射出口６１）を限定することができる。したがって、上記の構成によれば、個々のマスク開口８１に飛来する蒸着粒子２１１の飛来角度に最適なマスク開口８１の位置を設定することができる。このため、蒸着ボケを防止することができるとともに、蒸着効率を向上させることができる。

このため、蒸着マスク８０は、蒸着源６０Ａ・６０Ｂに対応して、Ｙ軸方向に２列配されている。したがって、以下、説明の便宜上、走査方向上流側に設けられた第Ｉ列の蒸着源６０Ａに対応して設けられた第Ｉ列の蒸着マスク８０を蒸着マスク８０Ａと記し、走査方向下流側に設けられた第II列の蒸着源６０Ｂに対応して設けられた第II列の蒸着マスク８０を蒸着マスク８０Ｂと記す。また、蒸着マスク８０Ａにおける各マスク開口８１およびマスク開口群領域８２を、それぞれマスク開口８１Ａおよびマスク開口群領域８２Ａと記し、蒸着マスク８０Ｂにおける各マスク開口８１およびマスク開口群領域８２を、それぞれマスク開口８１Ｂおよびマスク開口群領域８２Ｂと記す。

蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂとは、図１および図３の（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に沿って見たときに、Ｙ軸方向に隣り合うマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとが、互いに対向する側の端部で、Ｘ軸方向にそれぞれ重なるとともに、該端部におけるＹ軸方向に隣り合うマスク開口８１Ａ・８１Ｂによって形成される蒸着膜２２１が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、マスク開口８１Ａとマスク開口８１ＢとがＸ軸方向に位置をずらして配置されている。

これにより、蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂは、上記端部において、互いに対向するマスク開口８１Ａ・８１Ｂによって、同一のサブ画素における蒸着膜２２１を形成する。

つまり、図１および図３の（ｂ）に示すように、通常、異なる蒸着ブロック１０１（図３参照）間のマスク開口８１の位置そのものは、同一直線上には無く、ずれた位置となる。

この理由は、以下の通りである。一般的に、マスク開口８１は、サブ画素に対して、対応する射出口６１側に若干ずれて配置される。これは、蒸着源６０から飛来した蒸着粒子２１１がマスク開口８１を通過して離間した被成膜基板２００に付着するまでにＸ軸方向に移動するためであり、マスク開口８１の位置はその位置ズレ量を考慮して配置される。この位置ズレは、蒸着粒子２１１の進行方向がＺ軸に対して角度を持っていること、並びに、蒸着マスク８０と被成膜基板２００とが離間していることに起因する。このため、マスク開口８１は、対応するサブ画素に対して必ず射出口６１側に配置される。このため、異なる蒸着ブロック１０１間のマスク開口８１の位置は、一般的に、Ｘ軸方向に互いにずれることになる。

また、本実施の形態では、各蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における、Ｙ軸方向に沿って見たときに、マスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２ＢとがＸ軸方向に重なる領域（以下、「重畳領域８３」と称する）では、各サブ画素に対応した各蒸着膜２２１の厚みが互いに等しくなるように、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長が、各マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くなるように形成されている。

なお、ここで言う「蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長」とは、蒸着マスク８０のマスク開口８１そのもののＹ軸方向の長さではなく、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに実際に開口されている蒸着マスク８０の実質的なＹ軸方向の開口長（つまり、蒸着粒子２１１が通過可能な開口領域のＹ軸方向の長さ）を示す。但し、本実施の形態では、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長は、蒸着マスク８０に形成されたマスク開口８１のＹ軸方向の長さに等しい。

図４は、蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２の開口パターンを示す平面図である。

図４に示すように、各マスク開口群領域８２におけるマスク開口８１は、それぞれ、Ｘ軸方向に同一のピッチで互いに平行に形成されている。一方、各マスク開口群領域８２におけるマスク開口８１は、上記重畳領域８３で、各蒸着マスク８０におけるＹ軸方向の開口長ｄ１が次第に短くなるように形成されている。

本実施の形態では、上記重畳領域８３で、図４中、Ａ１からＡ２にかけて、開口長ｄ１が、一定の変化率で２８５ｍｍから１５ｍｍに変化するとともに、Ｙ軸方向における蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂとの合計の開口長が常に３００ｍｍとなるように、マスク開口群領域８２を形成した。

また、図５は、本実施の形態にかかる蒸着マスク８０のマスクパターンの一例を示す平面図である。

本実施の形態では、一例として、図５中、ｄ１＝３００ｍｍ、ｄ２＝ｄ４＝ｄ５＝５０ｍｍ、ｄ３＝１００ｍｍとした。なお、ここで示すｄ１の長さは、各蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２のＹ軸方向の最大の開口長であり、各マスク開口群領域８２における、Ｙ軸方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスク８０におけるマスク開口８１が存在しない領域（以下、「非重畳領域８４」と称する）のＹ軸方向の開口長、並びに、Ｙ軸方向における蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂとの合計の開口長に、それぞれ等しい。なお、各マスク開口群領域８２の重畳領域８３におけるマスク開口８１の開口長は、図４を用いて説明した通りである。また、ｄ２は、上記重畳領域８３のＸ軸方向の幅であり、マスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２ＢとのＸ軸方向の重なり幅を示す。ｄ３は、隣り合うマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとの間のＸ軸方向のピッチを示し、ｄ３＝（ｄ４/２）＋ｄ２＋（ｄ５/２）である。ｄ４は、各マスク開口群領域８２における、Ｙ軸方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスク８０におけるマスク開口８１が存在しない非重畳領域８４のＸ軸方向の幅を示す。また、ｄ５は、Ｘ軸方向に隣り合うマスク開口群領域８２間の遮蔽領域８５のＸ軸方向の幅を示す。但し、これらの数値は、何れも、一設計例であり、上記数値にのみ限定されるものではない。

Ｘ軸方向に隣り合うマスク開口群領域８２は、蒸着ボケの防止の観点から、少なくとも１画素の遮蔽領域８５を介して互いに離間して形成され、具体的には、例えば５ｍｍ以上離間して形成される。

Ｘ軸方向に隣り合うマスク開口群領域８２の境界部では、各マスク開口群領域８２における２つの射出口６１から飛来した蒸着粒子２１１が混じり易くなる。しかしながら、このように隣り合うマスク開口群領域８２が、少なくとも１画素の遮蔽領域８５を介して設けられることで、蒸着ボケ、特に、上述したようにＸ軸方向に隣り合うマスク開口群領域８２の境界部の蒸着ボケを防止することができる。

なお、図５では、１枚の蒸着マスク８０に、図４に示す開口パターンを有するＸ軸方向に２つのマスク開口群領域８２が設けられた蒸着マスク８０を、Ｘ軸方向に２枚、Ｙ軸方向に２枚設けた場合を例に挙げて図示した。

但し、図５は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に複数枚の蒸着マスク８０を設けたことを示しているにすぎず、Ｘ軸方向およびＹ軸方向における蒸着マスク８０の数は上記枚数に限定されるものではない。大型基板を用いる場合、蒸着マスク８０の小型化のために、Ｘ軸方向に多数の枚数の蒸着マスク８０が設けられる。

すなわち、蒸着ユニット５４における蒸着マスク８０の数は、被成膜基板２００のサイズ並びに１枚の蒸着マスク８０に形成されるマスク開口群領域８２の数によって適宜決定される。このとき、Ｙ軸方向に配置される蒸着マスク８０のＹ軸方向の合計の長さは、Ｙ軸方向における被成膜基板２００の蒸着領域の長さよりも短くなるように、蒸着ユニット５４における蒸着マスク８０の数が決定される。また、Ｘ軸方向における蒸着マスク８０の合計の長さ（総長）は、Ｘ軸方向における被成膜基板２００の蒸着領域の長さよりも長くなるように、蒸着ユニット５４における蒸着マスク８０の数が決定される。これにより、Ｘ軸方向における被成膜基板２００の蒸着領域全域に渡ってマスク開口８１を設けることができる。

なお、異なる列の蒸着マスク８０を、それぞれの蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２の端部で、それぞれの蒸着マスク８０におけるマスク開口８１によって形成される蒸着膜２２１が同一直線上に位置するように位置合わせするためには、それぞれの蒸着マスク８０をＹ軸方向に互いにできるだけ近接して配置することが望ましい。また、Ｙ軸方向の蒸着マスク８０の枚数が増加すると、それに伴って、射出口６１の数や後述する制限板７３・７５の数等、蒸着マスク８０以外の部品点数が増加する。このため、各列の蒸着マスク８０は、Ｘ軸方向に、歯抜けパターンとならないように連続して配置することで、Ｙ軸方向の蒸着マスク８０の数（列数）を２枚に抑えることが望ましい。

但し、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、Ｙ軸方向に配置される蒸着マスク８０のＹ軸方向の合計の長さが、Ｙ軸方向における被成膜基板２００の蒸着領域の長さを超えても構わない。

スキャン蒸着法における蒸着膜２２１の膜厚は、次式
膜厚[Å]＝蒸着レート[Å/s]×蒸着マスク８０のＹ軸方向の開口長[ｍｍ]／搬送速度[ｍｍ／ｓ]
により求めることができる。

このため、例えば有機ＥＬ表示装置１をインラインで製造する場合のように、インラインの装置構成において、スキャン蒸着を行う際に、被成膜基板２００の搬送速度を前後の工程と合わせる必要がある等、搬送速度を上げて同じ膜厚の蒸着膜２２１を得たい場合には、蒸着レートを高くするか、または、蒸着マスク８０のＹ軸方向の開口長を長くする必要がある。材料の劣化や輻射熱による基板過熱等の理由により、現状より蒸着レートを高くすることが困難な場合、蒸着マスク８０のＹ軸方向の開口長を長くする必要がある。このため、例えば、蒸着レートを現状以上に高くすることができない状況で搬送速度を上げたい場合や、状況により非常に低レートのプロセスでスキャン蒸着を行わなければならない場合、あるいは、非常に厚みがある蒸着膜２２１を成膜しなければならない場合等、状況に応じて、Ｙ軸方向に配置される蒸着マスク８０のＹ軸方向の合計の長さが基板長を超える蒸着ユニット５４を用いても構わない。

（制限板ユニット７０）
制限板ユニット７０は、蒸着源６０と蒸着マスク８０との間に、これら蒸着源６０と蒸着マスク８０とにそれぞれ離間して設けられている。

制限板ユニット７０は、図１および図３の（ａ）に示すように、Ｘ軸方向に沿ってＸ軸方向の異なる位置に配置された複数の制限板７３（第１の制限板）を備えている。これら制限板７３は、それぞれ、同一寸法の板状部材で形成されている。

制限板７３は、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、それぞれＹ軸に平行に延設されており、同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されている。これにより、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向（つまり、Ｚ軸に平行な方向）から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う制限板７３間に、それぞれ、開口領域として、制限板開口７４が１つ形成されている。

なお、ここでも、制限板ユニット７０における走査方向上流側に設けられた第Ｉ列の制限板７３を制限板７３Ａと記し、走査方向後流側に設けられた第II列の制限板７３を制限板７３Ｂと記す。また、隣り合う制限板７３Ａ間の制限板開口７４を制限板開口７４Ａと記し、隣り合う制限板７３Ｂ間の制限板開口７４を制限板開口７４Ｂと記し、第Ｉ列の制限板列７２を制限板列７２Ａと記し、第II列の制限板列７２を制限板列７２Ｂと記す。

図１に示すように、制限板７３Ａは、第Ｉ列の射出口６１ＡをそれぞれＸ軸方向に挟むように、Ｘ軸方向に沿ってＸ軸方向の異なる位置に配置されている。また、制限板７３Ｂは、第II列の射出口６１ＢをそれぞれＸ軸方向に挟むように、Ｘ軸方向に沿ってＸ軸方向の異なる位置に配置されている。

このため、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、制限板７３Ａと制限板７３Ｂとは、射出口６１同様、千鳥状に配置されている。

Ｘ軸方向に隣り合う一対の制限板７３と、一対の制限板７３の間に配された１つの射出口６１と、一対の制限板７３の間に配された複数のマスク開口８１からなる１つのマスク開口群領域８２とは、１つの蒸着ブロック１０１を構成する。したがって、本実施の形態では、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、複数の蒸着ブロック１０１がデルタ配列されており、第Ｉ列の蒸着ブロック１０１と第II列の蒸着ブロック１０１とが、Ｘ軸方向に１／２ピッチ（具体的には、Ｘ軸方向に隣り合う制限板７３のピッチで１／２ピッチ）ずれて配置されている。

このように、制限板７３は、蒸着源６０の射出口６１が、各制限板開口７４に一対一に対応するように配置されている。射出口６１のＸ軸方向位置は、隣り合う制限板７３のＸ軸方向の中央位置に位置している。制限板開口７４のピッチは、各マスク開口群領域８２に一対一に対応するように配置されており、マスク開口８１のピッチよりも大きく形成されている。このため、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う制限板７３間には、複数のマスク開口８１が配されている。

また、制限板７３は、それぞれ、ＹＺ平面が主面となっており、それぞれ、蒸着マスク８０の主面に対して垂直となるように配されている。

なお、第Ｉ列の制限板７３Ａと第II列の制限板７３Ｂとの間には、Ｘ軸方向に沿って、第２の制限板となる制限板７５または仕切りが設けられていることが望ましい。

図１〜図３の（ａ）は、制限板７３Ａと制限板７３Ｂとの間に、Ｘ軸に平行に制限板７５が設けられている場合を例に挙げて図示している。

制限板７３Ａの第II列側の端面と、制限板７３Ｂの第Ｉ列側の端面とは、制限板７５に接続されている。なお、制限板７５のＺ軸方向の長さは、特に限定されるものではないが、制限板７３Ａ・７３Ｂと同等以上の長さを有することが望ましく、制限板７５のＺ軸方向の上側端縁は各制限板７３Ａ・７３ＢのＺ軸方向の上側端縁よりも蒸着マスク８０側に突出しており、制限板７５のＺ軸方向の下側端縁は各制限板７３Ａ・７３ＢのＺ軸方向の下側端縁よりも蒸着源６０側に突出していることが望ましい。

制限板７５は、各制限板７３Ａ・７３Ｂの支持部材として機能するとともに、該制限板ユニット７０に入射した蒸着粒子２１１が異なる列の蒸着ブロック１０１に入射することを防止する。

蒸着源６０から射出された蒸着粒子２１１は、制限板７３間を通った後、蒸着マスク８０に形成されたマスク開口８１を通過して、被成膜基板２００に蒸着される。

制限板ユニット７０は、該制限板ユニット７０に入射した蒸着粒子２１１を、その入射角度に応じて選択的に捕捉する。制限板ユニット７０は、制限板７３・７５に衝突した蒸着粒子２１１の少なくとも一部を捕捉することで、蒸着源６０から射出された蒸着粒子２１１に対し、制限板７３・７５の配設方向への蒸着粒子２１１の移動を制限する。

これにより、制限板ユニット７０は、蒸着マスク８０のマスク開口８１に入射する蒸着粒子２１１の入射角を一定範囲内に制限し、被成膜基板２００に対する斜め方向からの蒸着粒子２１１の付着を防止する。

なお、制限板７３・７５は、斜めの蒸着成分をカットするため、加熱しないか、図示しない熱交換器により冷却される。このため、制限板７３・７５は、蒸着源６０の射出口６１よりも低い温度（より厳密には、蒸着材料が気体になる蒸着粒子発生温度よりも低い温度）になっている。

このため、制限板ユニット７０には、必要に応じて、制限板７３・７５を冷却する、図示しない冷却機構が設けられていてもよい。これにより、所望の角度以外の不要な蒸着粒子２１１を、制限板７３・７５により冷却して固化さすることで、捕捉（カット）することができる。

（ホルダ９０）
ホルダ９０は、蒸着源６０、制限板ユニット７０、蒸着マスク８０を保持する保持部材である。

ホルダ９０は、蒸着マスク保持部材として、マスクホルダ９１（マスクフレーム）、マスクトレー９２、および図示しないマスクホルダ固定部材を備えている。

蒸着マスク８０は、図１、図２、図５に示すように、マスクホルダ９１上に配されたマスクトレー９２上に載置されている。マスクホルダ９１は、蒸着マスク８０を直に保持するマスクトレー９２を保持することで、蒸着マスク８０を保持している。また、蒸着マスク８０の下方には、蒸着源６０が配置されている。

マスクホルダ９１は、図示しないマスクホルダ固定部材によって保持、固定されている。なお、マスクホルダ９１およびマスクトレー９２の形状は特に限定されるものではなく、蒸着マスク８０を、蒸着源６０および制限板ユニット７０から一定距離離間して保持、固定することができさえすればよい。

図１および図５に示すように、マスクホルダ９１は、例えば、中央が開口されたフレーム形状を有している。また、マスクトレー９２は、例えば、中央が開口されたフレーム形状を有している。

マスクトレー９２における、蒸着マスク８０に直面する部分には開口部９２ａが設けられており、マスクトレー９２は、蒸着マスク８０を、該蒸着マスク８０の外縁部で保持する。

また、マスクホルダ９１における、蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２に直面する部分には、開口部９１ａが設けられており、マスクホルダ９１は、蒸着マスク８０が載置されたマスクトレー９２を、該マスクトレー９２の外縁部で保持する。

但し、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、マスクホルダ９１に直接蒸着マスク８０が保持されていてもよい。例えば、マスクホルダ９１が、マスクホルダ９１の外縁部（外枠）をなすフレーム部と、該フレーム部の内側の開口部内に、各蒸着マスク８０を保持する梁部が設けられた構成を有していることで、マスクトレー９２を使用しなくても蒸着マスク８０を保持することができる。一方、マスクトレー９２を使用することで、マスクトレー９２ごと蒸着マスク８０の取り外し・交換等を行うことができ、メンテナンスを容易に行うことができる。

また、ホルダ９０には、制限板ユニット７０を支持するために、支持部材９３や、図示しない一対のスライド装置等が備えられている。

支持部材９３は、例えばホルダ９０のＸ軸方向両端部にそれぞれ対向して配設される。なお、スライド装置を設ける場合、スライド装置は、ホルダ９０のＸ軸方向両端部にそれぞれ対向して配設され、支持部材９３は、各スライド装置の対向面側に設けられる。スライド装置を設けることで、支持部材９３は、互いに対向した状態でＺ軸方向やＸ軸方向にスライド変位が可能となる。支持部材９３は、スライド装置や図示しない制限板制御装置との協働によって、その動きが制御される。

制限板ユニット７０は、例えば、図示しない枠状の保持体を備え、該枠状の保持体におけるＸ軸方向の両端部に、支持部材９３に脱着可能に設けられた支持部７１がそれぞれ設けられている。これにより、制限板ユニット７０は、ホルダ９０から着脱が可能であり、該制限板ユニット７０に堆積した蒸着材料を定期的に回収することができるようになっている。

蒸着源６０と制限板ユニット７０と蒸着マスク８０とは、ホルダ９０によって一体的に保持されており、これら蒸着源６０と制限板ユニット７０と蒸着マスク８０とは、互いに相対的に位置が固定されている。

但し、蒸着ユニット５４に対して被成膜基板２００を相対移動させる場合には、これら蒸着源６０と制限板ユニット７０と蒸着マスク８０とは、互いに相対的に位置が固定されていればよく、同一のホルダ９０に保持されている必要はなく、必ずしも一体化されている必要はない。

これら蒸着源６０と制限板ユニット７０と蒸着マスク８０とは、蒸着源６０側からこの順に、互いに一定距離離間して対向配置されている。なお、これら蒸着源６０と制限板ユニット７０と蒸着マスク８０との間の空隙は、任意に設定することができ、特に限定されるものではない。

（シャッタ）
被成膜基板２００の方向に蒸着粒子２１１を飛来させないときには、図示しないシャッタを用いて、蒸着粒子２１１の蒸着マスク８０への到達を制御することが望ましい。

このため、例えば蒸着源６０と制限板ユニット７０との間には、蒸着粒子２１１の蒸着マスク８０への到達を制御するために、必要に応じて、図示しないシャッタが、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号もしくは蒸着ＯＮ（オン）信号に基づいて進退可能（挿抜可能）に設けられていてもよい。

蒸着源６０と制限板ユニット７０との間にシャッタを適宜差し挟むことで、蒸着を行わない非蒸着領域への蒸着を防止することができる。なお、シャッタは、蒸着源６０と一体的に設けられていてもよく、蒸着源６０とは別に設けられていても構わない。

＜効果＞
上述したように、本実施の形態では、例えば図１および図５に示すように、第Ｉ列の蒸着マスク８０Ａと第II列の蒸着マスク８０Ｂとが、それぞれの蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂにおけるマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとが互いに対向する側の端部で、Ｙ軸方向に沿って見たときにＸ軸方向にそれぞれ重なるように、Ｘ軸方向に位置をずらして配置されている。また、Ｙ軸方向に沿って見たときにマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２ＢとがＸ軸方向に重なる重畳領域８３において、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長ｄ１が、各マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くなるとともに、Ｙ軸方向における蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂとの合計の開口長が、Ｘ軸方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず常に等しくなるようにマスク開口群領域８２を形成した。

一方、図６の（ａ）・（ｂ）は、順に比較例１・２として、図１に示す蒸着マスク８０に代えて同一形状のマスク開口８１からなるマスク開口群領域８２を有する蒸着マスク８０を図１と同様に配置した例を示す平面図である。また、図７は、図１に示す蒸着マスク８０を用いて蒸着を行ったときの、第Ｉ列の蒸着マスク８０Ａによる蒸着領域および第II列の蒸着マスク８０Ｂによる蒸着領域における蒸着膜２２１の構成を示す平面図である。

図７において、蒸着膜２２１Ａは、蒸着マスク８０Ａによって形成される蒸着膜２２１であり、蒸着膜２２１Ｂは、蒸着マスク８０Ｂによって形成される蒸着膜２２１である。

図６の（ａ）に、比較例１の蒸着マスク８０を示す。重畳領域８３、つまり、第Ｉ列の蒸着マスク８０Ａによる蒸着領域と第II列の蒸着マスク８０Ｂによる蒸着領域とが重なる領域では、非重畳領域８４と比べ、マスク開口８１Ａとマスク開口８１ＢとのＹ軸方向の合計の開口長が約２倍となっており、形成される蒸着膜２２１の膜厚も約２倍となる。よって、比較例１の蒸着マスクによって重畳させることは適当ではない。

図６の（ｂ）に、比較例２の蒸着マスク８０を示す。重畳領域８３では、比較例１と比べ、合計の開口長は等しくなるため、重畳領域８３の膜厚が均一となるが、以下の問題が生じる。例えば、何らかの不具合により、マスク開口群領域８２Ａに対応する蒸着源６０Ａの蒸着レートが設定値から５％高くなった場合、重畳領域８３に対応する蒸着膜２２１の膜厚は２．５％厚くなる。この蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂとによって形成される膜厚の急激な変化は、人間の目に知覚されやすく、この重畳領域８３はディスプレイにおいて筋状となって知覚され、欠陥不良となる。

これに対し、本実施の形態によれば、Ｘ軸方向の何れの地点でも、合計の開口長が等しく、重畳領域８３の膜厚が均一となる。さらに、重畳領域８３のマスク開口８１Ａ・８１Ｂは、マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くなる構成となっているため、例えば、マスク開口群領域８２Ａに対応する蒸着源６０Ａの蒸着レートが設定値から５％高くなった場合でも、重畳領域８３に対応する蒸着膜２２１の膜厚は、マスク開口群領域８２の外側に向かって次第にその膜厚ばらつきが小さく形成される（ここでは、５％〜０％）。このため、この膜厚ばらつきが人間の目に知覚され難くなり、重畳領域８３はディスプレイにおいて筋状となって知覚されない。このように、本実施の形態によれば、膜厚ばらつきが生じても知覚され難く、膜厚が均一でかつ高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

また、本実施の形態によれば、上述したように、被成膜基板２００のＸ軸方向の各サブ画素に対応するマスク開口８１を分割して、従来よりも小型の蒸着マスク８０を用いたスキャン蒸着を実現することができることから、蒸着マスク８０を従来よりも軽量化することができ、蒸着マスク８０の撓みによる蒸着位置ズレを抑制することが可能となっている。このため、蒸着マスク８０の撓みに起因する蒸着ボケを抑制することができるので、混色のない有機ＥＬ表示装置１を実現することができる。

また、本実施の形態によれば、上述したように、Ｙ軸方向に隣り合う蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０ＢとをＸ軸方向にずらして配置し、重畳領域８３において、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長ｄ１を、各マスク開口群領域８２の外側に向かって（つまり、図４中、Ａ１からＡ２に向かって）次第に短くしていることで、マスク継ぎ部分となる、マスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとの境界部で、開口長ｄ１を徐々に変化させることができる。

このため、上述したように、被成膜基板２００のＸ軸方向の各サブ画素に対応するマスク開口８１を分割して、従来よりも小型の蒸着マスク８０を用いてスキャン蒸着を行う場合であっても、マスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとの境界部のブロック別れが生じない、均一な蒸着を行うことができる。

また、このとき、上記端部において、Ｙ軸方向に隣り合うマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとが１画素以上重なるようにＸ軸方向に位置をずらして配置されていることで、確実に境界部のブロック別れを防止することができるとともに、より均一な蒸着を行うことができる。

なお、これらマスク開口群領域８２Ａ・８２Ｂにおけるマスク開口８１Ａ・８１Ｂの数は有限であるため、マスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２Ｂとの重なり幅の上限は、マスク開口群領域８２Ａ・８２Ｂにおけるマスク開口８１Ａ・８１Ｂの数に応じて自ずと制限されることは、言うまでもない。

＜蒸着マスク８０の変形例＞
図１、図４、図５では、蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２が、略六角形状である場合を例に挙げて図示した。

しかしながら、上記マスク開口群領域８２は、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長ｄ１が、各マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くなるとともに、Ｙ軸方向に隣り合う蒸着マスク８０の合計の開口長が、Ｘ軸方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず常に等しくなるように形成されていれば、上記形状に限定されるものではない。

図１２の（ａ）〜（ｄ）は、本実施の形態にかかる蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２のパターン形状の他の一例を示す要部平面部である。

各マスク開口群領域８２は、例えば、図１２の（ａ）に示すように台形状に形成されていてもよい。また、各マスク開口群領域８２は、例えば、図１２の（ｂ）に示すように、重畳領域８３で、開口長が異なる複数のマスク開口８１が断続的に形成されている形状を有してもよく、図１２の（ｃ）に示すように、重畳領域８３でマスク開口群領域８２の外縁部がジグザグ状に形成された形状を有していてもよい。

また、重畳領域８３における開口長は、変化率が一定でなくてもよい。すなわち、重畳領域８３において、開口長は、マスク開口群領域８２の外側に向かって（つまり、Ａ１からＡ２に向かって）開口長が連続的に徐々に短くなるように変化する必要は必ずしもない。例えば、図１２の（ｄ）に示すように、マスク開口群領域８２は、重畳領域８３において階段状に形成されていてもよく、重畳領域８３において、開口長が段階的に短くなるように変化してもよい。このように、マスク開口群領域８２の形状は、マスク設計や製造方法等に合わせて、適宜変更が可能である。

なお、本実施の形態では、１枚の蒸着マスク８０に、マスク開口群領域８２が２つ設けられている場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。各蒸着マスク８０には、マスク開口群領域８２が少なくとも１つ設けられていればよく、１つあるいは３つ以上設けられていても構わない。

何れの場合においても、本実施の形態にかかる蒸着装置５０によれば、特許文献３のようにＸ軸方向に隣接するマスクチップを、形成する蒸着膜のパターンに対応した開口部内で連結しないので、Ｘ軸方向で、膜厚が均一でかつ高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

＜蒸着ユニット５４の変形例＞
図２では、蒸着源６０における射出口６１が二次元状に千鳥配置されている場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

図１３は、本実施の形態にかかる蒸着装置５０における要部の概略構成の他の例を模式的に示す断面図である。

本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、例えば図１３に示すように、図２に示す蒸着源６０に代えて、射出口６１が一次元状（すなわち、ライン状）に配列された蒸着源６０を２つ使用し、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、走査方向上流側の蒸着源６０と走査方向下流側の蒸着源６０とで、それぞれの射出口６１が千鳥状となるように、Ｘ軸方向における位置をずらして配置しても構わない。

また、図２では、走査方向上流側の蒸着マスク８０Ａと走査方向下流側の蒸着マスク８０Ｂとが同一のホルダ９０に保持されている場合を例に挙げて説明したが、図１３に示すように、走査方向上流側の蒸着マスク８０Ａと走査方向下流側の蒸着マスク８０Ｂとは、それぞれ別々のホルダ９０に保持されていても構わない。

＜その他の変形例＞
なお、本実施の形態では、蒸着装置５０を有機ＥＬ表示装置１の製造装置として用いて、蒸着膜２２１をパターン形成する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、表示装置のサブ画素に対応した蒸着膜パターンを形成するための装置として、広く適用が可能である。

〔実施の形態２〕
本実施の形態について図１４の（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施の形態では、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

図１４の（ａ）は、蒸着マスク８０の裏面側から被成膜基板２００を見たときの本実施の形態にかかる蒸着ユニット５４の要部の概略構成を示す斜視図であり、図１４の（ｂ）は、図１４の（ａ）に示す構成要素をその側面から見たときの概略構成を示す側面図であり、図１４の（ｃ）は、図１４の（ａ）に示す蒸着マスク８０の概略構成を示す平面図である。

実施の形態１では、各蒸着マスク８０における各マスク開口８１が、各マスク開口８１のＸ軸方向の位置に応じてＹ軸方向に異なる長さに形成されている場合を例に挙げて説明した。

本実施の形態では、図１４の（ｃ）に示すように、各蒸着マスク８０に形成された各マスク開口８１は何れも同一形状であり、図１４の（ａ）・（ｂ）に示すように、蒸着マスク８０の真下に、マスク開口群領域８２毎に、各マスク開口群領域８２における重畳領域８３の一部を覆う遮蔽板１１１をそれぞれ設けている点で、実施の形態１と異なっている。

このように、本実施の形態にかかる蒸着装置５０は、遮蔽板１１１により、各蒸着マスク８０における各マスク開口８１のうち、Ｙ軸方向に沿って見たときにマスク開口群領域８２がＸ軸方向にそれぞれ重なる領域（つまり、重畳領域８３）のマスク開口８１の一部をそれぞれ覆うことで、該マスク開口８１における蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときのＹ軸方向の開口長を変更する。

このように、蒸着マスク８０の開口長は、実施の形態１のように蒸着マスク８０に実際に形成されるマスク開口８１そのものの長さを変更する以外に、別途挿入した遮蔽板１１１により、実質的な開口長を、実施の形態１と同様に変更しても構わない。

実施の形態１のように蒸着マスク８０に実際に形成されるマスク開口８１そのものの長さを変更した場合、遮蔽板１１１を必要としないことから、部品点数を削減することができる。

一方で、本実施の形態によれば、蒸着マスク８０のマスク開口８１を同一形状とすることができ、Ｙ軸方向に沿って見たときのマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２ＢとのＸ軸方向の重なり幅（すなわち、重畳領域８３のＸ軸方向の幅）を、蒸着マスク８０の製造後に容易に変更することができる。このため、蒸着マスク８０のレイアウトの自由度を高めることができる。

また、蒸着マスク８０のマスク開口８１自体の形状を変更した場合、１枚の蒸着マスク８０に一括してマスク開口８１を作り込むので精度が得易い反面、プロセス条件や材料の種類の変更および経時等によって膜厚分布が変化した場合には、蒸着マスク８０を作り直す必要があり、費用・納期の点で柔軟性に欠ける。一方、本実施の形態のように遮蔽板１１１によりマスク開口８１の開口長の調節を行う場合、蒸着膜２２１の膜厚の多様な分布特性に応じて遮蔽板１１１の位置や形状を個別に調整することで、柔軟に対応することができる。

遮蔽板１１１は、例えばアルミニウムやステンレス等の材質で相応の加工精度（例えば±０．１ｍｍ等）があればよく、大きさも蒸着マスク８０に比べて小さいことから、費用・納期の点で利点が大きい。

なお、上記遮蔽板１１１の大きさおよび形状は、重畳領域８３におけるマスク開口群領域８２の形状が、実施の形態１における重畳領域８３におけるマスク開口群領域８２の形状と同様の形状が得られるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

また、遮蔽板１１１の材料も特に限定されるものではない。但し、遮蔽板１１１は、該遮蔽板１１１が設けられた領域におけるマスク開口８１に対する蒸着粒子２１１の通過を防止することができればよく、撓みが生じないように保持することができさえすれば、軽量化のために、できるだけ軽い素材でかつ厚みが薄く形成されていることが望ましい。

〔実施の形態３〕
本実施の形態について図１５の（ａ）〜（ｄ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施の形態では、主に、実施の形態２との相違点について説明するものとし、実施の形態１、２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

図１５の（ａ）は、蒸着マスク８０の裏面側から被成膜基板２００を見たときの本実施の形態にかかる蒸着ユニット５４の要部の概略構成を示す斜視図であり、図１５の（ｂ）は、図１５の（ａ）に示す構成要素をその側面から見たときの概略構成を示す側面図であり、図１５の（ｃ）は、図１５の（ａ）に示す蒸着マスク８０の概略構成を示す平面図であり、図１５の（ｄ）は、図１５の（ａ）に示す遮蔽板１１１の概略構成を示す平面図である。

実施の形態３では、各蒸着マスク８０における各マスク開口群領域８２に、重畳領域８３毎に遮蔽板１１１が設けられている場合を例に挙げて図示した。このため、実施の形態２では、各マスク開口群領域８２に、それぞれ遮蔽板１１１が２枚ずつ設けられていた。

本実施の形態では、実施の形態２に示す遮蔽板１１１を一体化することで、複数のマスク開口群領域８２に共通して１枚の遮蔽板１１１が設けられている場合を例に挙げて説明する。

本実施の形態では、図１５に示すように、複数の蒸着マスク８０の真下に、遮蔽板１１１を１枚設けている。遮蔽板１１１には、各マスク開口群領域８２の一部を露出させる開口領域１１２が設けられている。

なお、開口領域１１２の形状は、重畳領域８３におけるマスク開口群領域８２の形状が、実施の形態１における重畳領域８３におけるマスク開口群領域８２の形状と同様の形状が得られるように適宜設定される。

本実施の形態でも、実施の形態２同様、蒸着マスク８０のマスク開口８１を同一形状とすることができ、Ｙ軸方向に沿って見たときのマスク開口群領域８２Ａとマスク開口群領域８２ＢとのＸ軸方向の重なり幅（すなわち、重畳領域８３のＸ軸方向の幅）を、蒸着マスク８０の製造後に容易に変更することができる。このため、蒸着マスク８０のレイアウトの自由度を高めることができる。また、本実施の形態では、複数のマスク開口群領域８２に共通して１枚の遮蔽板１１１が設けられていることで、遮蔽板１１１と蒸着マスク８０との位置合せを容易に行うことができる。さらに、本実施の形態では、一枚の遮蔽板１１１に一括して開口領域１１２を作り込むため、精度が得易い。また、上記開口領域１１２には、蒸着マスク８０のような高精細パターンは不要である。このため、蒸着マスク８０のマスク開口８１の形状（Ｙ軸方向の長さ）を、各マスク開口８１のＸ軸方向の位置に応じて変更する場合と比較して、費用・納期の点で有利である。

〔実施の形態４〕
本実施の形態について、主に図１６の（ａ）・（ｂ）〜図２０の（ａ）・（ｂ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。

なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１〜３との相違点について説明するものとし、実施の形態１〜３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

図１６の（ａ）・（ｂ）は、蒸着源６０と被成膜基板２００との間の距離（ターゲット長）が、相対的に長い場合と短い場合とにおける蒸着膜２２１の膜厚分布の違いを模式的に示す図であり、図１６の（ａ）は、ターゲット長が相対的に長い場合を示し、図１６の（ｂ）は、ターゲット長が相対的に短い場合を示す。

ターゲット長が長い場合、図１６の（ａ）に示すように膜厚分布が良いというメリットがある一方、蒸着レートが低いというデメリットがある。一方、ターゲット長が短いと、蒸着レートが高く、タクトが早いというメリットがある一方、図１６の（ｂ）に示すように膜厚分布が大きいいというデメリットがある。このため、ターゲット長によって使用する蒸着マスク８０を使い分けることが望ましい。ターゲット長が長く、膜厚分布が無視できるほど小さい場合には、実施の形態１〜３のマスク開口８１のパターン形状でも、均一な蒸着膜を形成できた。しかし、タクトを上げるためにターゲット長を短くする設計をした場合、この膜厚分布は無視できなくなり、膜厚分布を考慮したマスク開口８１のパターン形状の設計が必要となる。

図１７の（ａ）・（ｂ）は、それぞれ、本実施の形態にかかる蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２の開口パターンの一例を示す平面図である。

図１７の（ａ）に示す開口パターンを有する蒸着マスク８０は、例えば、図１６の（ａ）に示すようにターゲット長が比較的長いが膜厚分布が無視できない場合に使用される。図１６の（ｂ）に示すようにターゲット長が短い場合には、例えば、図１７の（ｂ）に示す開口パターンを有する蒸着マスク８０が使用される。

真空での蒸着は、図１６の（ａ）・（ｂ）に示す膜厚分布から判るように、射出口６１のＸ軸方向の位置が、各マスク開口群領域８２のＸ軸方向の中央位置に位置しているので、コサイン法則によって、蒸着源６０の射出口６１に垂直な部分、すなわち、各蒸着ブロック１０１（蒸着空間）の中心部分に最も多くの蒸着粒子２１１が放射され、制限板７３側へ近接するほど放射される蒸着粒子２１１の量が減少する。

このため、マスク開口群領域８２の大きさ、言い換えれば、蒸着ブロック１０１のＸ軸方向の大きさにもよるが、マスク開口８１のＹ軸方向の長さは、射出口６１の真上に位置するマスク開口８１で最も短く、射出口６１のＸ軸方向位置からＸ軸方向により遠くに位置するマスク開口８１ほど長くすることで、同一厚さのストライプ状の蒸着膜２２１を形成することができる。

このため、図１７の（ａ）・（ｂ）に示すように、蒸着源中心からＡ１までは、蒸着マスク８０の開口長（図１７の（ａ）・（ｂ）では、マスク開口８１のＹ軸方向の長さに等しい）を、膜厚分布を反映して次第に長くし、Ａ１からＡ２までは、実施の形態１〜３と同様に、マスク開口群領域８２の外側に向かって蒸着マスク８０の開口長を次第に短くすることが好ましい。

つまり、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、各マスク開口群領域８２における、Ｙ軸方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスク８０におけるマスク開口８１が存在しない非重畳領域８４におけるマスク開口８１は、Ｘ軸方向における射出口６１の真上からの距離が長くなるにしたがってＹ軸方向の開口長が長くなるように開口長が設定されていることが好ましい。

例えば、図１７の（ａ）・（ｂ）に示す蒸着マスク８０における各マスク開口８１の開口長は、膜厚補正後マスク開口長として式（１）に示すように、マスク開口群領域８２内の蒸着膜２２１の膜厚分布から算出される膜厚補正係数を用いて算出することができる。

膜厚補正後マスク開口長＝基準マスク開口長×膜厚補正係数 …（１）
ここで、膜厚補正係数は、以下のように求められる。すなわち、図６の（ａ）・（ｂ）のようなＸ軸方向で開口長を一律とした蒸着マスク８０を使用し、列Ｉのみによって蒸着させ、各マスク開口８１に対応する蒸着膜２２１の膜厚を測定する。このように、Ｘ軸方向の各マスク開口８１に対応する蒸着膜２２１の膜厚、および最少膜厚値（マスク開口群領域８２の最端のマスク開口８１に対応）を求め、次式（２）により、膜厚補正係数を求める。また、列IIについても同様に膜厚補正係数を求める。

膜厚補正係数＝１／（Ｘ軸方向の各マスク開口８１に対応する蒸着膜２２１の膜厚／最少膜厚値） …（２）
なお、ここで、膜厚補正後マスク開口長とは、上述したように蒸着膜２２１の膜厚分布を用いて補正した、各マスク開口８１の補正後の開口長を示す。また、基準マスク開口長とは、実施の形態１〜３のような、膜厚分布を考慮していないマスク開口８１の開口長である。また、Ｘ軸方向の各位置における、開口長変更前の各マスク開口８１により得られた膜厚は、図１６の（ａ）・（ｂ）に示すように膜厚分布を有している。

以下に、図５に示す、成膜区間Ｌの成膜を例に挙げて、図１７の（ａ）・（ｂ）に示す蒸着マスク８０における開口長の変更方法について説明する。

図１８の（ａ）は、第Ｉ列における蒸着マスク８０Ａの蒸着領域において図６の（ａ）・（ｂ）に示すようにＸ軸方向で開口長を一律とした蒸着マスク８０を用いた場合における、成膜区間ＬのＸ軸方向の各位置における蒸着膜２２１の膜厚分布と膜厚補正係数との関係を示すグラフである。また、図１８の（ｂ）は、上記成膜区間Ｌにおける、蒸着マスク８０Ａのマスク開口比率（膜厚補正前の非重畳領域８４のマスク開口８１の開口長、つまり、非重畳領域８４の基準マスク開口長を１００％としたときの比率）の膜厚補正前後の変化と、膜厚補正係数との関係を示すグラフであり、図１８の（ｃ）は、Ｘ軸方向の各位置における、膜厚補正前の蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂのマスク開口比率を示す表である。

また、図１９の（ａ）は、第II列における蒸着マスク８０Ｂの蒸着領域において、図６の（ａ）・（ｂ）に示すようにＸ軸方向で開口長を一律とした蒸着マスク８０を用いた場合における、成膜区間ＬのＸ軸方向の各位置における蒸着膜２２１の膜厚分布と膜厚補正係数との関係を示すグラフである。また、図１９の（ｂ）は、上記成膜区間Ｌにおける、蒸着マスク８０Ｂの膜厚補正前および補正後のマスク開口比率の変化と、膜厚補正係数との関係を示すグラフである。

また、図２０の（ａ）は、成膜区間ＬのＸ軸方向の各位置における、膜厚補正後の蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂのマスク開口比率の変化と、膜厚補正後の蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂによって形成される蒸着膜２２１の膜厚（膜厚補正後の蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂによる膜厚を合成した合成膜厚）との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、膜厚補正前後の要部のマスク開口比率の変化を示すグラフである。

なお、図１８の（ａ）・（ｂ）〜図２０の（ａ）・（ｂ）中、Ａ２・Ａ２’は、図５に示す、成膜区間Ｌにおける蒸着マスク８０Ａのマスク開口８１のＸ軸方向の両端部の位置に相当する位置を示す。また、図１８の（ａ）・（ｂ）〜図２０の（ａ）・（ｂ）中、位置「０」は、上記成膜区間Ｌにおける蒸着マスク８０ＡのＸ軸方向における蒸着領域中心を示す。また、図１８の（ａ）・（ｂ）〜図２０の（ａ）・（ｂ）の縦軸は、各図に記載の値を基準化（正規化）したときの、基準値に対する比率を示す。具体的には、膜厚分布並びに合成膜厚の場合、膜厚分布における最大膜厚を１００％としたときの、Ｘ軸方向における各位置での蒸着膜２２１の膜厚の比率を示し、膜厚補正係数は、膜厚補正係数の最大値を１００％としたときの膜厚補正係数の比率を示し、開口比率は、Ｘ軸方向の各位置における、非重畳領域８４の基準マスク開口長に対する各蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂのマスク開口長の比率（マスク開口比率）を示す。

図１７の（ｂ）に示す開口パターンを有する蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂの膜厚補正後のマスク開口比率（すなわち、図１８の（ｂ）、図１９の（ｂ）、および図２０に示す、膜厚補正後の蒸着マスク８０Ａ・８０Ｂのマスク開口比率）は、それぞれ、次式（３）によって算出することができる。なお、次式（３）において、膜厚補正前のマスク開口比率とは、基準マスク開口長の開口比率である。

膜厚補正後のマスク開口比率＝膜厚補正前のマスク開口比率×膜厚補正係数 …（３）
図１７の（ｂ）、図１８の（ｂ）、図１９の（ｂ）、図２０の（ｂ）から判るように、本実施の形態によれば、膜厚分布が大きい場合に、膜厚補正後マスク開口長に基づいて各マスク開口８１の開口長を決定・変更することで、膜厚補正後のマスク開口群領域８２の形状は、重畳領域８３において、マスク開口群領域８２の各頂点を結ぶ線の中間部が、各頂点を直線的に結んだ場合よりもやや膨らむような形状になる。

なお、膜厚補正後マスク開口長によって形成される蒸着膜２２１の膜厚は、最少膜厚値と等しくなる。図１８の（ａ）に示す例では、補正後の膜厚は、補正前の膜厚と比べ約８２％の膜厚となる。このように、膜厚を小さくする方向に補正する理由は、蒸着の材料の利用効率を高くする観点から、マスク開口長は初期が最も長く形成されており、その長さから短くする方向でマスク開口長を補正するためである。このように、補正後の膜厚は小さくなるが、例えば蒸着源６０の蒸着温度を高くし、蒸着レートを上げることで、補正後の膜厚を補正前の膜厚と合わせる調整を行う。このようにして、膜厚分布を解消し、所望の膜厚で均一な蒸着膜を形成できる。

以上のように、本実施の形態によれば、各マスク開口８１により実際に形成される蒸着膜２２１の膜厚から、各マスク開口８１の膜厚補正後マスク開口長を算出することで、図２０の（ａ）に示すように、Ｘ軸方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず、等しい膜厚の蒸着膜２２１を形成することができる。

これにより、１つの蒸着ブロック１０１における膜厚のみならず、Ｙ軸方向に隣り合う蒸着ブロック１０１におけるマスク開口８１による蒸着膜２２１の重畳をも考慮した、同一厚さのストライプ状の蒸着膜２２１を形成することができる。

なお、本実施の形態では、実施の形態１で示したように蒸着マスク８０のマスク開口８１のＹ軸方向の長さを該マスク開口８１のＸ軸方向の位置に応じて変更する場合を例に挙げて示したが、実施の形態２、３に示すように、遮蔽板１１１を用いて蒸着マスク８０の実質的な開口長を変更してもよいことは、言うまでもない。

また、本実施の形態では、ターゲット長が短い場合に使用する蒸着マスク８０として図１７の（ｂ）に示す開口パターンを有する蒸着マスク８０を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。例えば、ターゲット長が短くても、例えば制限板（制御板）を使用し、マスク開口群領域８２における重畳領域８３の一部の膜厚分布が悪い領域を遮蔽することで、図１７の（ａ）に示す開口パターンを有する蒸着マスク８０を用いた場合であっても、Ｘ軸方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず、等しい膜厚の蒸着膜２２１を形成することができる。同様に、マスク開口群領域８２における重畳領域８３の一部の膜厚分布が悪い領域を遮蔽することで、実施の形態１〜３に示す開口パターンを有する蒸着マスク８０を用いた場合であっても、Ｘ軸方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず、等しい膜厚の蒸着膜２２１を形成することができる。

〔まとめ〕
本発明の態様１にかかる蒸着装置５０は、表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）に用いられる被成膜基板２００上に、上記表示装置のサブ画素（サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）毎に所定のパターンの蒸着膜２２１を形成する蒸着装置であって、蒸着源６０と複数の蒸着マスク８０とを有する蒸着ユニット５４と、上記蒸着ユニット５４および被成膜基板２００のうち一方を他方に対して相対移動させる移動装置（基板移動装置１０３または蒸着ユニット移動装置１０４）とを備え、上記各蒸着マスク８０における、上記移動装置による移動方向（走査方向）である第１の方向（Ｙ軸方向）および該第１の方向に垂直な第２の方向（Ｘ軸方向）の長さは、それぞれの方向における上記被成膜基板２００の蒸着領域の長さよりも短く、上記蒸着マスク８０は、少なくとも上記第１の方向に、複数配置されており、上記各蒸着マスク８０は、上記第２の方向に、マスク開口群領域８２を、１つ、または、少なくとも１画素の遮蔽領域８５を介して複数有し、上記マスク開口群領域８２は、それぞれ、少なくとも上記第２の方向に配列された複数のマスク開口８１からなり、かつ、それぞれ、上記蒸着源６０における蒸着粒子２１１の射出口６１と対をなしており、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスク８０は、それぞれの蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における上記第２の方向の端部のうち他方の蒸着マスク８０のマスク開口群領域８２に対向する側の端部における複数のマスク開口８１が、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なるとともに、該端部における上記第１の方向に隣り合うマスク開口８１によって形成される蒸着膜２２１が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、上記第２の方向に位置をずらして配置されており、上記第２の方向における上記蒸着マスク８０の合計の長さ（総長）は、上記第２の方向における上記被成膜基板２００の蒸着領域の長さよりも長く、上記各マスク開口８１は、上記各サブ画素に対応して設けられており、上記各蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域（重畳領域８３）では、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長が、上記各マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くなる。

なお、ここで言う「蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長」とは、蒸着マスク８０のマスク開口８１そのものの上記第１の方向の長さではなく、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに実際に開口されている蒸着マスク８０の実質的な上記第１の方向の開口長（つまり、蒸着粒子２１１が通過可能な開口領域の上記第１の方向の長さ）を示す。すなわち、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、蒸着マスク８０のマスク開口８１の一部が例えば遮蔽板１１１により塞がれている場合、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長とは、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、実際に開口しているマスク開口８１の第１の方向の長さ（つまり、上記遮蔽板１１１によって塞がれていないマスク開口８１の第１の方向の長さ）を示す。

上記の構成によれば、被成膜基板２００の上記第２の方向の各サブ画素に対応するマスク開口８１を分割して、従来よりも小型の蒸着マスク８０を用いたスキャン蒸着を実現することができることから、蒸着マスク８０を従来よりも軽量化することができ、蒸着マスク８０の撓みによる蒸着位置ズレを抑制することができる。このため、蒸着マスク８０の撓みに起因する蒸着ボケを抑制することができる。

また、上記の構成によれば、上述したように、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスク８０Ａと蒸着マスク８０Ｂとを上記第２の方向にずらして配置し、上記第１の方向に沿って見たときに各々の蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２が上記第２の方向に重なる重畳領域８３において、蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長を、各マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くしていることで、複数の蒸着マスク８０を繋ぐマスク継ぎ部分となる、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスク８０における各マスク開口群領域８２の境界部で、開口長を徐々に変化させることができる。

このため、上述したように、被成膜基板２００の上記第２の方向の各サブ画素に対応するマスク開口８１を分割して、従来よりも小型の蒸着マスク８０を用いてスキャン蒸着を行う場合であっても、上記マスク開口群領域の境界部のブロック別れが生じない、均一な蒸着を行うことができる。

また、上記の構成によれば、サブ画素内でＸ軸方向に蒸着マスク８０を繋がないので、パターン制御が容易である。

また、上記の構成によれば、各マスク開口群領域８２が蒸着源６０の射出口６１と対をなしていることで、個々のマスク開口８１に飛来する蒸着粒子２１１の飛来元（射出口６１）を限定することができるので、その飛来角度に最適なマスク開口８１の位置を設定することができる。このため、蒸着ボケを防止することができるとともに、蒸着効率を向上させることができる。

また、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域８２の境界部では、各マスク開口群領域８２における２つの射出口６１から飛来した蒸着粒子２１１が混じり易くなる。しかしながら、上述したように、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域８２が、少なくとも１画素の遮蔽領域８５を介して設けられることで、蒸着ボケ、特に、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域の境界部の蒸着ボケを防止することができる。

また、本発明の一態様によれば、各マスク開口群領域が蒸着源の射出口と対をなしていることで、個々のマスク開口に飛来する蒸着粒子の飛来元（射出口）を限定することができるので、その飛来角度に最適なマスク開口位置を設定することができる。このため、蒸着ボケを防止することができるとともに、蒸着効率を向上させることができる。

また、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域の境界部では、各マスク開口群領域に対応した２つの射出口から飛来した蒸着粒子が混じり易くなる。しかしながら、上述したように、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域が、少なくとも１画素の遮蔽領域を介して設けられることで、蒸着ボケ、特に、上記第２の方向に隣り合うマスク開口群領域の境界部の蒸着ボケを防止することができる。

本発明の態様２にかかる蒸着装置５０は、上記態様１において、上記蒸着マスク８０が、上記第１および第２の方向にそれぞれ複数配置されていることが好ましい。

これにより、蒸着マスク８０をより小型化することができる。

本発明の態様３にかかる蒸着装置５０は、上記態様１または２において、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスク８０が、上記各蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における上記端部において、１画素以上、上記第２の方向に位置をずらして配置されていることが好ましい。

上記の構成によれば、確実に上記境界部のブロック別れを防止することができるとともに、より均一な蒸着を行うことができる。

本発明の態様４にかかる蒸着装置５０は、上記態様１〜３の何れかにおいて、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、上記各蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域（重畳領域８３）では、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスク８０のマスク開口８１の、上記第１の方向の合計の開口長がそれぞれ等しいことが好ましい。

また、本発明の態様５にかかる蒸着装置５０は、上記態様１〜４の何れかにおいて、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスク８０のマスク開口８１の、上記第１の方向の合計の開口長が、上記第２の方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず、それぞれ等しいことが好ましい。

上記態様５および態様６の各構成によれば、上記第２の方向（Ｘ軸方向）に隣り合うマスク開口８１間で、蒸着量にばらつきが発生せず、均一に蒸着を行うことができる。このため、膜厚が均一でかつ高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。

本発明の態様６にかかる蒸着装置５０は、上記態様１〜４の何れかにおいて、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、上記各マスク開口群領域８２における、上記第１の方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスク８０におけるマスク開口８１が存在しない領域におけるマスク開口８１が、上記第２の方向における、上記射出口６１の真上からの距離が長くなるにしたがって、上記第１の方向の開口長を長くすることが好ましい。

真空での蒸着は、コサイン法則によって、蒸着源６０の射出口６１に垂直な部分、すなわち、各蒸着ブロック１０１（蒸着空間）の中心部分に最も多くの蒸着粒子２１１が放射され、制限板７３側へ近接するほど放射される蒸着粒子２１１の量が減少する。

このため、マスク開口群領域８２の大きさ、言い換えれば、蒸着ブロック１０１のＸ軸方向の大きさにもよるが、マスク開口８１のＹ軸方向の長さは、射出口６１の真上に位置するマスク開口８１で最も短く、射出口６１のＸ軸方向位置からＸ軸方向により遠くに位置するマスク開口８１ほど長くすることで、同一厚さのストライプ状の蒸着膜２２１を形成することができる。

このため、上記したように、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、上記各マスク開口群領域８２における、上記第１の方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスク８０におけるマスク開口８１が存在しない領域におけるマスク開口８１は、上記第２の方向における、上記射出口６１の真上からの距離が長くなるにしたがって、上記第１の方向の開口長を長くすることが好ましい。

本発明の態様７にかかる蒸着装置５０は、上記態様６において、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスク８０のマスク開口８１の、上記第１の方向の合計の開口長（膜厚補正後マスク開口長）は、上記各蒸着マスク８０の上記第１の方向の開口長を一律としたときの開口長変更前の上記第１の方向の開口長を基準マスク開口長とすると、次式
上記第１の方向の合計の開口長（膜厚補正後マスク開口長）＝基準マスク開口長×膜厚補正係数
膜厚補正係数＝１／（上記第２の方向の上記各マスク開口８１に対応する蒸着膜２２１の膜厚／最少膜厚値）
を満足することが好ましい。

上記の構成によれば、上記第２の方向におけるマスク開口８１の位置に拘らず、等しい膜厚の蒸着膜２２１を形成することができる。

本発明の態様８にかかる蒸着装置５０は、上記態様６において、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときに、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスク８０のマスク開口８１の、上記第１の方向のマスク開口比率が、上記各蒸着マスク８０の上記第１の方向の開口長を一律としたときの開口長変更前の上記第１の方向の開口長を基準マスク開口長とし、該基準マスク開口長の開口比率を、マスク開口比率１００％とすると、次式
上記第１の方向のマスク開口比率＝基準マスク開口長の開口比率×膜厚補正係数
膜厚補正係数＝１／（上記第２の方向の上記各マスク開口８１に対応する蒸着膜２２１の膜厚／最少膜厚値）
を満足することが好ましい。

上記の構成によれば、上記第１の方向に隣り合う蒸着マスク８０におけるマスク開口８１による蒸着膜２２１の重畳をも考慮した、同一厚さのストライプ状の蒸着膜２２１を形成することができる。

本発明の態様９にかかる蒸着装置５０は、上記態様１〜８の何れかにおいて、上記各蒸着マスク８０における各マスク開口８１が、該マスク開口８１の上記第２の方向の位置に応じて、上記第１の方向に異なる長さに形成されていることが好ましい。

上記の構成によれば、蒸着マスク８０に実際に形成されるマスク開口８１そのものの長さを変更するため、部品点数を削減することができる。また、このように蒸着マスク８０のマスク開口８１自体の形状を変更する場合、１枚の蒸着マスク８０に一括してマスク開口８１を作り込むので精度が得易いという利点がある。

本発明の態様１０にかかる蒸着装置５０は、上記態様１〜８の何れかにおいて、上記各蒸着マスク８０に形成された各マスク開口８１が何れも同一形状であり、上記蒸着ユニット５４は、上記各蒸着マスク８０における各マスク開口８１のうち上記第１の方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスク８０におけるマスク開口８１が設けられているマスク開口８１の一部をそれぞれ覆うことで該マスク開口８１における上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長を変更する遮蔽板１１１を有していることが好ましい。

また、本発明の態様１１にかかる蒸着装置５０は、上記態様１０において、上記各蒸着マスク８０における上記各マスク開口群領域８２に、それぞれ上記遮蔽板１１１が設けられていることが好ましい。

また、本発明の態様１２にかかる蒸着装置５０は、上記態様１０において、上記遮蔽板１１１は、上記各マスク開口群領域８２の一部を露出させる開口領域１１２を有し、複数のマスク開口群領域８２に共通して設けられていることが好ましい。

上記態様８〜１０の各構成によれば、蒸着マスク８０のマスク開口８１を同一形状とすることができ、上記第１の方向に沿って見たときのＹ軸方向に隣り合う蒸着マスク８０におけるマスク開口群領域８２の上記第２の方向の重なり幅（すなわち、重畳領域８３のＸ軸方向の幅）を、蒸着マスク８０の製造後に容易に変更することができる。このため、蒸着マスク８０のレイアウトの自由度を高めることができる。

蒸着マスク８０のマスク開口８１自体の形状を変更した場合、１枚の蒸着マスク８０に一括してマスク開口８１を作り込むので精度が得易い反面、プロセス条件や材料の種類の変更および経時等によって膜厚分布が変化した場合には、蒸着マスク８０を作り直す必要があり、費用・納期の点で柔軟性に欠ける。しかしながら、上述したように遮蔽板１１１によりマスク開口８１の開口長の調節を行う場合、蒸着膜２２１の膜厚の多様な分布特性に応じて遮蔽板１１１の位置や形状を個別に調整することで、柔軟に対応することができる。また、遮蔽板１１１は、例えばアルミニウムやステンレス等の材質で相応の加工精度があればよく、大きさも蒸着マスク８０に比べて小さいことから、費用・納期の点で利点が大きい。

また、上記態様１０によれば、複数のマスク開口群領域８２に共通して１枚の遮蔽板１１１が設けられていることで、上記効果に加えて、遮蔽板１１１と蒸着マスク８０との位置合せを容易に行うことができるという効果をさらに奏する。また、上記態様１０によれば、一枚の遮蔽板１１１に一括して開口領域１１２を作り込むため、精度が得易い。また、上記開口領域１１２には、蒸着マスク８０のような高精細パターンは不要である。このため、蒸着マスク８０のマスク開口８１の形状（上記第１の方向の長さ）を、各マスク開口８１の上記第２の方向の位置に応じて変更する場合と比較して、費用・納期の点で有利である。

また、本発明の態様１３にかかる蒸着方法は、表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置１）に用いられる被成膜基板２００上に、上記表示装置のサブ画素（サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ）毎に所定のパターンの蒸着膜２２１を形成する蒸着方法であって、蒸着源６０と複数の蒸着マスク８０とを有する蒸着ユニット５４、および、上記被成膜基板２００のうち、一方を他方に対して第１の方向（走査方向）に沿って相対移動させるとともに、上記蒸着ユニットとして、（ａ）上記各蒸着マスク８０における上記第１の方向（Ｙ軸方向）および該第１の方向に垂直な第２の方向（Ｘ軸方向）の長さは、それぞれの方向における上記被成膜基板２００の蒸着領域の長さよりも短く、（ｂ）上記蒸着マスク８０は、少なくとも上記第１の方向に、複数配置されており、（ｃ）上記各蒸着マスク８０は、上記第２の方向に、マスク開口群領域８２を、１つ、または、少なくとも１画素の遮蔽領域８５を介して複数有し、（ｄ）上記マスク開口群領域８２は、それぞれ、少なくとも上記第２の方向に配列された複数のマスク開口８１からなり、かつ、それぞれ、上記蒸着源６０における蒸着粒子２１１の射出口６１と対をなしており、（ｅ）上記第１の方向に隣り合う蒸着マスク８０は、それぞれの蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における上記第２の方向の端部のうち他方の蒸着マスク８０のマスク開口群領域８２に対向する側の端部における複数のマスク開口８１が、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なるとともに、該端部における上記第１の方向に隣り合うマスク開口８１によって形成される蒸着膜２２１が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、上記第２の方向に位置をずらして配置されており、（ｆ）上記第２の方向における上記蒸着マスク８０の合計の長さ（総長）は、上記第２の方向における上記被成膜基板２００の蒸着領域の長さよりも長く、（ｇ）上記各蒸着マスク８０の各マスク開口群領域８２における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域（重畳領域８３）では、上記蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長が、上記各マスク開口群領域８２の外側に向かって次第に短くなる蒸着ユニット、を使用する。

なお、上記態様１３における「蒸着マスク８０の主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長」は、上記態様１と同じである。上記態様１３によれば、上記態様１と同様の効果を得ることができる。

本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

本発明は、被成膜基板と蒸着ユニットとを相対的に移動させて走査しながら蒸着を行う、スキャニング方式を用いたスキャン蒸着に使用される蒸着装置および蒸着方法に好適に利用することができる。特に、本発明の蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。また、本発明の蒸着方法は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに好適に用いることができる。

１ 有機ＥＬ表示装置（表示装置）
２ 画素
２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ サブ画素
１０ ＴＦＴ基板
１１ 絶縁基板
１２ ＴＦＴ
１３ 層間膜
１３ａ コンタクトホール
１４ 配線
１５ エッジカバー
１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ 開口部
２０ 有機ＥＬ素子
２１ 第１電極
２２ 正孔注入層兼正孔輸送層
２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ 発光層
２４ 電子輸送層
２５ 電子注入層
２６ 第２電極
３０ 接着層
４０ 封止基板
５０ 蒸着装置
５１ 真空チャンバ
５２ 基板ホルダ
５３ 基板移動装置
５４ 蒸着ユニット
５５ 蒸着ユニット移動装置（移動装置）
６０，６０Ａ，６０Ｂ 蒸着源
６１，６１Ａ，６１Ｂ 射出口
７０ 制限板ユニット
７１ 支持部
７２，７２Ａ，７２Ｂ 制限板列
７３，７３Ａ，７３Ｂ 制限板
７４，７４Ａ，７４Ｂ 制限板開口
７５ 制限板
８０，８０Ａ，８０Ｂ 蒸着マスク
８１，８１Ａ，８１Ｂ マスク開口
８２，８２Ａ，８２Ｂ マスク開口群領域
８３ 重畳領域
８４ 非重畳領域
８５ 遮蔽領域
９０ ホルダ
９１ マスクホルダ
９１ａ 開口部
９２ マスクトレー
９２ａ 開口部
９３ 支持部材
１０１ 蒸着ブロック
１１１ 遮蔽板
１１２ 開口領域
２００ 被成膜基板
２０１ 被蒸着面
２１１ 蒸着粒子
２２１，２２１Ａ，２２１Ｂ 蒸着膜

Claims (13)

1. 表示装置に用いられる被成膜基板上に、上記表示装置のサブ画素毎に所定のパターンの蒸着膜を形成する蒸着装置であって、
   蒸着源と複数の蒸着マスクとを有する蒸着ユニットと、
   上記蒸着ユニットおよび被成膜基板のうち一方を他方に対して相対移動させる移動装置とを備え、
   上記各蒸着マスクにおける、上記移動装置による移動方向である第１の方向および該第１の方向に垂直な第２の方向の長さは、それぞれの方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも短く、
   上記蒸着マスクは、少なくとも上記第１の方向に、複数配置されており、
   上記各蒸着マスクは、上記第２の方向に、マスク開口群領域を、１つ、または、少なくとも１画素の遮蔽領域を介して複数有し、
   上記マスク開口群領域は、それぞれ、少なくとも上記第２の方向に配列された複数のマスク開口からなり、かつ、それぞれ、上記蒸着源における蒸着粒子の射出口と対をなしており、
   上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクは、それぞれの蒸着マスクの各マスク開口群領域における上記第２の方向の端部のうち他方の蒸着マスクのマスク開口群領域に対向する側の端部における複数のマスク開口が、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なるとともに、該端部における上記第１の方向に隣り合うマスク開口によって形成される蒸着膜が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、上記第２の方向に位置をずらして配置されており、
   上記第２の方向における上記蒸着マスクの合計の長さは、上記第２の方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも長く、
   上記各マスク開口は、上記各サブ画素に対応して設けられており、
   上記各蒸着マスクの各マスク開口群領域における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域では、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長が、上記各マスク開口群領域の外側に向かって次第に短くなることを特徴とする蒸着装置。
2. 上記蒸着マスクは、上記第１および第２の方向にそれぞれ複数配置されていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
3. 上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクは、上記各蒸着マスクの各マスク開口群領域における上記端部において、１画素以上、上記第２の方向に位置をずらして配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着装置。
4. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記各蒸着マスクの各マスク開口群領域における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域では、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスクのマスク開口の、上記第１の方向の合計の開口長がそれぞれ等しいことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の蒸着装置。
5. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスクのマスク開口の、上記第１の方向の合計の開口長は、上記第２の方向におけるマスク開口の位置に拘らず、それぞれ等しいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の蒸着装置。
6. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記各マスク開口群領域における、上記第１の方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスクにおけるマスク開口が存在しない領域におけるマスク開口は、上記第２の方向における、上記射出口の真上からの距離が長くなるにしたがって、上記第１の方向の開口長を長くすることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の蒸着装置。
7. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスクのマスク開口の、上記第１の方向の合計の開口長は、上記各蒸着マスクの上記第１の方向の開口長を一律としたときの開口長変更前の上記第１の方向の開口長を基準マスク開口長とすると、次式
   上記第１の方向の合計の開口長＝基準マスク開口長×膜厚補正係数
   膜厚補正係数＝１／（上記第２の方向の上記各マスク開口に対応する蒸着膜の膜厚／最少膜厚値）
   を満足することを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
8. 上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、各サブ画素に対応する、上記第１の方向に配された蒸着マスクのマスク開口の、上記第１の方向のマスク開口比率は、上記各蒸着マスクの上記第１の方向の開口長を一律としたときの開口長変更前の上記第１の方向の開口長を基準マスク開口長とし、該基準マスク開口長の開口比率を、マスク開口比率１００％とすると、次式
   上記第１の方向のマスク開口比率＝基準マスク開口長の開口比率×膜厚補正係数
   膜厚補正係数＝１／（上記第２の方向の上記各マスク開口に対応する蒸着膜の膜厚／最少膜厚値）
   を満足することを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。
9. 上記各蒸着マスクにおける各マスク開口は、該マスク開口の上記第２の方向の位置に応じて、上記第１の方向に異なる長さに形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の蒸着装置。
10. 上記各蒸着マスクに形成された各マスク開口は何れも同一形状であり、
    上記蒸着ユニットは、上記各蒸着マスクにおける各マスク開口のうち上記第１の方向に沿った同一直線上に他の蒸着マスクにおけるマスク開口が設けられているマスク開口の一部をそれぞれ覆うことで該マスク開口における上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長を変更する遮蔽板を有していることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の蒸着装置。
11. 上記各蒸着マスクにおける上記各マスク開口群領域に、それぞれ上記遮蔽板が設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の蒸着装置。
12. 上記遮蔽板は、上記各マスク開口群領域の一部を露出させる開口領域を有し、複数のマスク開口群領域に共通して設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の蒸着装置。
13. 表示装置に用いられる被成膜基板上に、上記表示装置のサブ画素毎に所定のパターンの蒸着膜を形成する蒸着方法であって、
    蒸着源と複数の蒸着マスクとを有する蒸着ユニット、および、上記被成膜基板のうち、一方を他方に対して第１の方向に沿って相対移動させるとともに、
    上記蒸着ユニットとして、
    上記各蒸着マスクにおける上記第１の方向および該第１の方向に垂直な第２の方向の長さがそれぞれの方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも短く、
    上記蒸着マスクは、少なくとも上記第１の方向に、複数配置されており、
    上記各蒸着マスクは、上記第２の方向に、マスク開口群領域を、１つ、または、少なくとも１画素の遮蔽領域を介して複数有し、
    上記マスク開口群領域は、それぞれ、少なくとも上記第２の方向に配列された複数のマスク開口からなり、かつ、それぞれ、上記蒸着源における蒸着粒子の射出口と対をなしており、
    上記第１の方向に隣り合う蒸着マスクは、それぞれの蒸着マスクの各マスク開口群領域における上記第２の方向の端部のうち他方の蒸着マスクのマスク開口群領域に対向する側の端部における複数のマスク開口が、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なるとともに、該端部における上記第１の方向に隣り合うマスク開口によって形成される蒸着膜が上記第１の方向に沿って同一直線上に位置するように、上記第２の方向に位置をずらして配置されており、
    上記第２の方向における上記蒸着マスクの合計の長さは、上記第２の方向における上記被成膜基板の蒸着領域の長さよりも長く、
    上記各蒸着マスクの各マスク開口群領域における、上記第１の方向に沿って見たときに上記第２の方向にそれぞれ重なる領域では、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの上記第１の方向の開口長が、上記各マスク開口群領域の外側に向かって次第に短くなる蒸着ユニット、を使用することを特徴とする蒸着方法。

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